CN110752248A - 显示基板及其制作方法、和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示基板及其制作方法、和显示装置，其中，显示基板，其特征在于，包括衬底基板、以及位于所述衬底基板上的栅线、数据线和像素驱动电路，其中，所述像素驱动电路包括驱动晶体管；所述栅线在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影具有第一重合区域，所述栅线在所述衬底基板上的正投影与所述驱动晶体管的控制极在所述衬底基板上的正投影具有第二重合区域；所述第一重合区域的面积和/或所述第二重合区域的面积小于预设面积。本发明提供的显示基板及其制作方法、和显示装置，能够显示装置的显示质量。

Description

显示基板及其制作方法、和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、和显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，简称AMOLED)面板相比于传统的液晶面板而言，具有反应速度更快、对比度更高、视角更广等优点，成为新一代显示装置的重点发展方向之一，因此受到越来越多的关注。
目前，在对AMOLED显示装置的研究中发现，AMOLED显示装置存在数据线上信号跳变导致的串扰(crosstalk)问题，降低了显示装置的显示质量。
发明内容
本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法、和显示装置，以解决相关技术中显示装置存在像素电流跳变导致的串扰问题，降低了显示装置的显示质量的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供技术方案如下：
第一方面，本发明实施例提供一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板、以及位于所述衬底基板上的栅线、数据线和像素驱动电路，其中，所述像素驱动电路包括驱动晶体管；
所述栅线在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影具有第一重合区域，所述栅线在所述衬底基板上的正投影与所述驱动晶体管的控制极在所述衬底基板上的正投影具有第二重合区域；
所述第一重合区域的面积和/或所述第二重合区域的面积小于预设面积。
进一步地，所述栅线包括第一部分、第二部分和除所述第一部分和所述第二部分之外的第三部分，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影重合，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影与所述驱动晶体管的控制极在所述衬底基板上的正投影重合。
进一步地，所述第一部分在栅线的延伸方向上的宽度小于所述第三部分在栅线的延伸方向上的宽度。
进一步地，所述第二部分在栅线的延伸方向上的宽度小于所述第三部分在栅线的延伸方向上的宽度。
进一步地，所述数据线包括第四部分和除所述第四部分之外的第五部分，所述第四部分在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影重合，所述第四部分在数据线的延伸方向上的宽度小于所述第五部分在数据线的延伸方向上的宽度。
进一步地，所述驱动晶体管的控制极包括第六部分和除所述第六部分之外的第七部分，所述第六部分在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影重合，所述第六部分在所述驱动晶体管的控制极的延伸方向上的宽度小于所述第七部分在所述驱动晶体管的控制极的延伸方向上的宽度。
进一步地，所述像素驱动电路还包括存储电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；其中，
所述存储电容的一端与电源线连接，所述存储电容的另一端与第一节点连接；
所述第一晶体管的控制极与第一复位信号线连接，所述第一晶体管的第一极与所述第一节点连接，所述第一晶体管的第二极与初始化电压电平信号线连接；
所述第二晶体管的控制极与第一发光控制信号线连接，所述第二晶体管的第一极与所述电源线连接，所述第二晶体管的第二极与所述第一节点连接；
所述第三晶体管的控制极与所述栅线连接，所述第三晶体管的第一极与所述数据线连接，所述第三晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极连接；
所述驱动晶体管的控制极与所述第一节点连接，所述驱动晶体管的第一极与所述第二晶体管的第二极连接，所述驱动晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极连接；
所述第四晶体管的控制极与所述栅线连接，所述第四晶体管的第二极与所述第一节点连接；
所述第五晶体管的控制极与第二发光控制信号线连接，所述第五晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极连接，所述第五晶体管的第二极与发光器件的阳极连接；
所述第六晶体管的控制极与第二复位信号线连接，所述第六晶体管的第一极与所述初始化电压电平信号线连接，所述第六晶体管的第二极与所述发光器件的阳极连接。
第二方面，本发明实施例还提供一种如上所述的显示基板的制作方法，所述方法包括：
提供衬底基板；
分别在所述衬底基板上形成栅线图形、数据线图形和驱动晶体管的控制极图形；
其中，所述栅线图形在所述衬底基板上的正投影与所述数据线图形在所述衬底基板上的正投影具有第一重合区域，所述栅线图形在所述衬底基板上的正投影与所述驱动晶体管的控制极图形在所述衬底基板上的正投影具有第二重合区域；
所述第一重合区域的面积和/或所述第二重合区域的面积小于预设面积。
进一步地，所述在所述衬底基板上形成栅线图形的步骤，包括：
在所述衬底基板上形成栅线材料层；
在所述栅线材料层上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶图形；
以所述光刻胶图形为掩膜，对所述栅线材料层进行刻蚀，形成栅线图形，所述栅线图形包括第一部分、第二部分和除所述第一部分和所述第二部分之外的第三部分，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影位于所述第一重合区域内，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影位于所述第二重合区域内。
第三方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
本发明提供的技术方案中，通过将第一重合区域的面积设计成小于预设面积，从而能够确保栅线和数据线之间形成的电容较小，这样能够减弱数据线上信号跳变对栅线上电压波动的影响；和/或，将第二重合区域的面积小于预设面积，从而能够确保栅线和驱动晶体管的控制极之间形成的电容较小，这样会减弱因栅线上电压波动对驱动晶体管的控制极的电压波动的影响，从而改善因数据线上信号跳变导致的串扰问题，提高显示装置的显示质量。因此，本发明提供的技术方案能够改善因数据线上信号跳变导致的串扰问题，提高显示装置的显示质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例提供的显示基板的结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的显示基板中像素驱动电路的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为三极管、薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中，为区分晶体管除控制极之外的两极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极。
在实际操作时，当所述晶体管为三极管时，所述控制极可以为基极，所述第一极可以为集电极，所述第二极可以发射极；或者，所述控制极可以为基极，所述第一极可以为发射极，所述第二极可以集电极。
在实际操作时，当所述晶体管为薄膜晶体管或场效应管时，所述控制极可以为栅极，所述第一极可以为漏极，所述第二极可以为源极；或者，所述控制极可以为栅极，所述第一极可以为源极，所述第二极可以为漏极。
在显示基板中，由于数据线在衬底基板上的正投影与栅线在衬底基板上的正投影具有重合区域，因此，数据线和栅线之间会形成第一电容；同样的，栅线在衬底基板上的正投影与像素驱动电路中的驱动晶体管的栅极在衬底基板上的正投影具有重合区域，栅线和驱动晶体管的栅极之间也会形成第二电容。这样，在数据线上的信号发生跳变时，通过第一电容会造成栅线上电压的波动，而栅线上电压的波动再通过第二电容会造成驱动晶体管的栅极上电压的波动，从而形成串扰，降低显示基板的显示质量。
本发明实施例中提供的显示基板及其制作方法、和显示装置，能够解决相关技术中显示装置存在像素电流跳变导致的串扰问题，降低了显示装置的显示质量的问题。
本发明实施例提供一种显示基板，如图1所示，包括衬底基板、以及位于所述衬底基板上的栅线110、数据线120和像素驱动电路，其中，所述像素驱动电路包括驱动晶体管；
所述栅线110在所述衬底基板上的正投影与所述数据线120在所述衬底基板上的正投影具有第一重合区域A，所述栅线110在所述衬底基板上的正投影与所述驱动晶体管的控制极130在所述衬底基板上的正投影具有第二重合区域B；
所述第一重合区域A的面积和/或所述第二重合区域B的面积小于预设面积。
本发明实施例中，通过将第一重合区域A的面积设计成小于预设面积，从而能够确保栅线和数据线之间形成的电容较小，这样能够减弱数据线上信号跳变对栅线上电压波动的影响；和/或，将第二重合区域B的面积小于预设面积，从而能够确保栅线和驱动晶体管的控制极之间形成的电容较小，这样会减弱因栅线上电压波动对驱动晶体管的控制极的电压波动的影响，从而改善因数据线上信号跳变导致的串扰问题，提高显示装置的显示质量。因此，本发明提供的技术方案能够改善因数据线上信号跳变导致的串扰问题，提高显示装置的显示质量。
上述显示基板可以为柔性显示基板，也可以是刚性显示基板。在显示基板为柔性显示基板时，衬底基板采用柔性衬底基板，比如聚酰亚胺薄膜；在显示基板为刚性显示基板时，衬底基板采用刚性衬底基板，比如石英基板或玻璃基板。
如图1所示，上述栅线110可以是在衬底基板上沿行方向延伸，上述数据线120可以是在衬底基板上沿列方向延伸，多根栅线110和多根数据线120划分出多个像素区域，其中，每个像素区域包括一像素驱动电路，如图1所示，像素驱动电路分别连接栅线110、数据线120、电源线140、发光控制信号线150和像素区域内的发光器件。
其中，像素驱动电路中包括驱动晶体管，驱动晶体管的第一极用于与电源线连接，驱动晶体管的第二极用于与发光器件连接，驱动晶体管的控制极130控制驱动晶体管的第一极与驱动晶体管的第二极之间的导通或断开，驱动晶体管控制极130的电压直接影响发光器件充电的效果，即直接影响发光器件的发光质量。
上述栅线110、数据线120和驱动晶体管的控制极130可以分别位于衬底基板上的不同功能膜层，其中，在第一重合区域A栅线在衬底基板上的正投影与数据线在衬底基板上的正投影重合，在第二重合区域B栅线在衬底基板上的正投影与驱动晶体管的控制极在衬底基板上的正投影重合。
其中，第一重合区域A的面积越小，栅线110与数据线120之间形成的电容就越小，这样数据线120上的信号跳变导致的栅线110上电压的波动也越小，进而降低栅线110上电压的波动导致的驱动晶体管的控制极130上电压的波动，达到降低串扰的效果。
同样的，第二重合区域B的面积越小，栅线110与驱动晶体管的控制极130之间形成的电容就越小，这样栅线110上电压的波动导致的驱动晶体管的控制极130上电压的波动也越小，达到降低串扰的效果。
具体的，通过不同比例的电容值模拟结果如下表所示：
Figure BDA0002281346790000061
可以看出，栅线110与数据线120之间形成的电容，和/或，栅线110与驱动晶体管的控制极130之间形成的电容减小时，能够起到降低串扰的效果。
进一步地，如图1所示，所述栅线110包括第一部分111、第二部分112和除所述第一部分和所述第二部分之外的第三部分113，所述第一部分111在所述衬底基板上的正投影与所述数据线120在所述衬底基板上的正投影重合，所述第二部分112在所述衬底基板上的正投影与所述驱动晶体管的控制极130在所述衬底基板上的正投影重合。
即栅线110中位于第一重合区域A的部分为第一部分111，栅线110中位于第二重合区域B的部分为第二部分112，栅线110除第一部分111和第二部分112外的其余部分均为第三部分113，例如：栅线110中位于第一部分111和第二部分112之间的部分为第三部分113；栅线110中位于第一部分111远离第二部分112一侧的部分也为第三部分113；栅线110中位于第二部分112远离第一部分111一侧的部分也为第三部分113。
在一可选的实施方式中，所述第一部分111在栅线110的延伸方向上的宽度小于所述第三部分113在栅线110的延伸方向上的宽度。
本实施方式中，通过降低第一部分111在栅线110的延伸方向上的宽度，从而来降低栅线110在衬底基板上的正投影与数据线120在衬底基板上的正投影的重合面积，即第一重合区域A的面积。其中，如图1所示，栅线110的延伸方向为行方向，与数据线120的延伸方向垂直。
这样，能够减小栅线110与数据线120之间形成的电容，从而数据线120上的信号跳变导致的栅线110上电压的波动也减小，进而降低栅线110上电压的波动导致的驱动晶体管的控制极130上电压的波动，达到降低串扰的效果。
在另一可选的实施方式中，所述第二部分112在栅线110的延伸方向上的宽度小于所述第三部分113在栅线110的延伸方向上的宽度。
本实施方式中，通过降低第二部分112在栅线110的延伸方向上的宽度，从而来降低栅线110在衬底基板上的正投影与驱动晶体管的控制极130在衬底基板上的正投影的重合面积，即第二重合区域B的面积。其中，如图1所示，数据线120的延伸方向为列方向，与栅线110的延伸方向垂直。
这样，能够减小栅线110与驱动晶体管的控制极130之间形成的电容，从而栅线110上电压的波动导致的驱动晶体管的控制极130上电压的波动也越小，达到降低串扰的效果。
在另一可选的实施方式中，所述数据线120包括第四部分和除所述第四部分之外的第五部分，所述第四部分在所述衬底基板上的正投影与所述栅线110在所述衬底基板上的正投影重合，所述第四部分在数据线120的延伸方向上的宽度小于所述第五部分在数据线120的延伸方向上的宽度。
本实施方式中，通过降低第四部分在数据线120的延伸方向上的宽度，从而来降低栅线110在衬底基板上的正投影与数据线120在衬底基板上的正投影的重合面积，即第一重合区域A的面积。
本实施方式可以应用于栅线110的第一部分111在栅线110的延伸方向上的宽度等于栅线110的第三部分113在栅线110的延伸方向上的宽度的情况下，也可以应用于栅线110的第一部分111在栅线110的延伸方向上的宽度小于栅线110的第三部分113在栅线110的延伸方向上的宽度的情况下。
这样，能够减小栅线110与数据线120之间形成的电容，从而数据线120上的信号跳变导致的栅线110上电压的波动也减小，进而降低栅线110上电压的波动导致的驱动晶体管的控制极130上电压的波动，达到降低串扰的效果。
在另一可选的实施方式中，所述驱动晶体管的控制极130包括第六部分和除所述第六部分之外的第七部分，所述第六部分在所述衬底基板上的正投影与所述栅线110在所述衬底基板上的正投影重合，所述第六部分在所述驱动晶体管的控制极130的延伸方向上的宽度小于所述第七部分在所述驱动晶体管的控制极130的延伸方向上的宽度。
本实施方式中，通过降低第六部分在驱动晶体管的控制极130的延伸方向上的宽度，从而来降低栅线110在衬底基板上的正投影与驱动晶体管的控制极130在衬底基板上的正投影的重合面积，即第二重合区域B的面积。其中，如图1所示，驱动晶体管的控制极130的延伸方向为列方向，与数据线120的延伸方向平行。
本实施方式可以应用于栅线110的第二部分112在栅线110的延伸方向上的宽度等于栅线110的第三部分113在栅线110的延伸方向上的宽度的情况下，也可以应用于栅线110的第二部分112在栅线110的延伸方向上的宽度小于栅线110的第三部分113在栅线110的延伸方向上的宽度的情况下。
这样，能够减小栅线110与驱动晶体管的控制极130之间形成的电容，从而栅线110上电压的波动导致的驱动晶体管的控制极130上电压的波动也越小，达到降低串扰的效果。
进一步地，如图2所示，所述像素驱动电路的实施例还包括存储电容Cst、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6；其中，
所述存储电容Cst的一端与电源线VDD连接，所述存储电容Cst的另一端与第一节点N1连接；
所述第一晶体管T1的控制极与第一复位信号线Reset1连接，所述第一晶体管T1的第一极与所述第一节点连接，所述第一晶体管T1的第二极与初始化电压电平信号线Vinit连接；
所述第二晶体管T2的控制极与第一发光控制信号线EM1连接，所述第二晶体管T2的第一极与所述电源线连接，所述第二晶体管T2的第二极与所述第一节点连接；
所述第三晶体管T3的控制极与所述栅线连接，所述第三晶体管T3的第一极与所述数据线连接，所述第三晶体管T3的第二极与所述第二晶体管T2的第二极连接；
所述驱动晶体管TD的控制极与所述第一节点连接，所述驱动晶体管TD的第一极与所述第二晶体管T2的第二极连接，所述驱动晶体管TD的第二极与所述第四晶体管T4的第一极连接；
所述第四晶体管T4的控制极与所述栅线连接，所述第四晶体管T4的第二极与所述第一节点连接；
所述第五晶体管T5的控制极与第二发光控制信号线EM2连接，所述第五晶体管T5的第一极与所述驱动晶体管TD的第二极连接，所述第五晶体管T5的第二极与发光器件EL的阳极连接；
所述第六晶体管T6的控制极与第二复位信号线Reset2连接，所述第六晶体管T6的第一极与所述初始化电压电平信号线连接，所述第六晶体管T6的第二极与所述发光器件的阳极连接。
图2所示的像素电路的实施例仅为一种实施例，不作为对本发明实施例中像素点路的限定。
本实施方式中，采用如图2所示的7T1C像素驱动电路，该驱动电路通过七个晶体管和一个存储电容Cst来控制发光器件EL的发光状态。该像素驱动电路的工作过程主要包括四个阶段，分别为初始化阶段、数据写入和补偿阶段、复位阶段以及发光阶段。下面对该像素驱动电路的工作过程进行简要说明。
首先，在初始化阶段，在第一复位信号线Reset1的第一复位信号的控制下开启第一晶体管T1，将复位电压施加至驱动晶体管TD的控制极；在发光控制信号线EM1上的第一发光控制信号的控制下开启第二晶体管T2，将电源电压施加至驱动晶体管TD的第一极(第二节点N2)。此时，第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6处于截止状态。
在初始化阶段，由于第一晶体管T1导通，可以将复位电压施加至驱动晶体管TD的控制极，该复位电压可以使驱动晶体管TD一直处于导通状态。
在数据写入和补偿阶段，在栅线上的扫描信号和数据线上数据信号的控制下，开启第三晶体管T3、驱动晶体管TD和第四晶体管T4，第三晶体管T3将数据信号写入至驱动晶体管TD的第一极(第二节点N2)，并且经驱动晶体管TD和第四晶体管T4对于驱动晶体管TD的控制极(第一节点N1)进行充电，直至驱动晶体管TD的控制极的电压等于(Vdata-Vth)，其中Vdata为数据信号的电压值，Vth为驱动晶体管TD的阈值电压，该电压由存储电容Cst存储，由此数据电压Vdata被写入至驱动晶体管TD的控制极并通过存储电容Cst存储，第四晶体管T4对驱动晶体管TD进行阈值补偿。此时，第三晶体管T3和第四晶体管T4在扫描信号的控制下导通，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6处于截止状态。
因此，在该数据写入和补偿阶段，数据信号经过第三晶体管T3、驱动晶体管TD和第四晶体管T4后对第一节点N1进行充电(即对存储电容Cst充电)，以在后续的发光阶段提供灰度显示数据和对驱动晶体管TD自身的阈值电压进行补偿。
在复位阶段，在第二发光控制信号线EM2上的第二发光控制信号和第二复位信号线上的第二复位信号，开启第五晶体管T5和第六晶体管T6，对驱动晶体管TD、第四晶体管T4和发光器件EL进行复位。
在该复位阶段，第五晶体管T5在第二发光控制信号的控制下导通，第六晶体管T6在第二复位信号的控制下导通；同时，第三晶体管T3、第四晶体管T4、第一晶体管T1和第二晶体管T2被截止。此时，驱动晶体管TD的漏极经过第五晶体管T5和第六晶体管T6放电，从而将第三节点N3和第四节点N4(发光器件EL的阳极)的电位同时复位，由此发光器件EL在发光阶段之前不发光。
在发光阶段，在第一发光控制信号线EM1的第一发光控制信号和第二发光控制信号线EM2的第一发光控制信号的控制下，开启第一晶体管T1、第五晶体管T5和驱动晶体管TD，从而驱动电流被施加至发光器件EL的阳极以使其发光。在发光阶段，发光器件EL的阳极和阴极分别被施加电压，从而在流经驱动晶体管TD的驱动电流的作用下发光。发光器件EL可以为有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，简称OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)等。
显示基板还可以包括扫描驱动电路和数据驱动电路。数据驱动电路与多条数据信号线连接，以分别提供数据信号。另外，数据驱动电路还可以与多条电源线VDD和多条初始化电压电平信号线Vinit连接以分别提供电源信号和初始化信号。扫描驱动电路与多条栅线连接，以提供扫描信号。另外，扫描驱动电路还可以与多条发光控制线EM连接以提供第一发光控制信号和第二发光控制信号，以及与多条复位信号线Reset连接以提供复位信号。
本发明实施例还提供一种如上所述的显示基板的制作方法，所述方法包括：
提供衬底基板；
分别在所述衬底基板上形成栅线图形、数据线图形和驱动晶体管的控制极图形；
其中，所述栅线图形在所述衬底基板上的正投影与所述数据线图形在所述衬底基板上的正投影具有第一重合区域A，所述栅线图形在所述衬底基板上的正投影与所述驱动晶体管的控制极图形在所述衬底基板上的正投影具有第二重合区域B；
所述第一重合区域A的面积和/或所述第二重合区域B的面积小于预设面积。
本发明实施例中，通过将第一重合区域A的面积设计成小于预设面积，从而能够确保栅线和数据线之间形成的电容较小，这样能够减弱数据线上信号跳变对栅线上电压波动的影响；和/或，将第二重合区域B的面积小于预设面积，从而能够确保栅线和驱动晶体管的控制极之间形成的电容较小，这样会减弱因栅线上电压波动对驱动晶体管的控制极的电压波动的影响，从而改善因数据线上信号跳变导致的串扰问题，提高显示装置的显示质量。因此，本发明提供的技术方案能够改善因数据线上信号跳变导致的串扰问题，提高显示装置的显示质量。
上述显示基板可以为柔性显示基板，也可以是刚性显示基板。在显示基板为柔性显示基板时，衬底基板采用柔性衬底基板，比如聚酰亚胺薄膜；在显示基板为刚性显示基板时，衬底基板采用刚性衬底基板，比如石英基板或玻璃基板。
上述栅线可以是在衬底基板上沿行方向延伸，上述数据线可以是在衬底基板上沿列方向延伸，多根栅线和多根数据线划分出多个像素区域，其中，每个像素区域包括一像素驱动电路，如图1所示，像素驱动电路分别连接栅线、数据线、电源线、发光控制信号线和像素区域内的发光器件。
其中，像素驱动电路中包括驱动晶体管，驱动晶体管的第一极用于与电源线连接，驱动晶体管的第二极用于与发光器件连接，驱动晶体管的控制极控制驱动晶体管的第一极与驱动晶体管的第二极之间的导通或断开，驱动晶体管控制极的电压直接影响发光器件充电的效果，即直接影响发光器件的发光质量。
上述栅线、数据线和驱动晶体管的控制极可以分别位于衬底基板上的不同功能膜层，其中，在第一重合区域A栅线在衬底基板上的正投影与数据线在衬底基板上的正投影重合，在第二重合区域B栅线在衬底基板上的正投影与驱动晶体管的控制极在衬底基板上的正投影重合。
其中，第一重合区域A的面积越小，栅线与数据线之间形成的电容就越小，这样数据线上的信号跳变导致的栅线上电压的波动也越小，进而降低栅线上电压的波动导致的驱动晶体管的控制极上电压的波动，达到降低串扰的效果。
同样的，第二重合区域B的面积越小，栅线与驱动晶体管的控制极之间形成的电容就越小，这样栅线上电压的波动导致的驱动晶体管的控制极上电压的波动也越小，达到降低串扰的效果。
进一步地，所述在所述衬底基板上形成栅线图形的步骤，包括：
在所述衬底基板上形成栅线材料层；
在所述栅线材料层上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶图形；
以所述光刻胶图形为掩膜，对所述栅线材料层进行刻蚀，形成栅线图形，所述栅线图形包括第一部分、第二部分和除所述第一部分和所述第二部分之外的第三部分，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影位于所述第一重合区域A内，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影位于所述第二重合区域B内。
对光刻胶进行曝光时的掩膜版对应第一重合区域A和/或第二重合区域B的透光区域的宽度小于对应其他区域的宽度，这样光刻胶图形中在第一重合区域A和/或第二重合区域B上的光刻胶部分的宽度小于在其他区域上的光刻胶部分。继而，刻蚀后得到的栅线图形中对应第一重合区域A和/或第二重合区域B的部分的宽度小于其他区域的部分宽度。
即栅线中位于第一重合区域A的部分为第一部分，栅线中位于第二重合区域B的部分为第二部分，栅线除第一部分和第二部分外的其余部分均为第三部分，例如：栅线中位于第一部分和第二部分之间的部分为第三部分；栅线中位于第一部分远离第二部分一侧的部分也为第三部分；栅线中位于第二部分远离第一部分一侧的部分也为第三部分。
在一可选的实施方式中，所述第一部分在栅线的延伸方向上的宽度小于所述第三部分在栅线的延伸方向上的宽度。
本实施方式中，通过降低第一部分在栅线的延伸方向上的宽度，从而来降低栅线在衬底基板上的正投影与数据线在衬底基板上的正投影的重合面积，即第一重合区域A的面积。
这样，能够减小栅线与数据线之间形成的电容，从而数据线上的信号跳变导致的栅线上电压的波动也减小，进而降低栅线上电压的波动导致的驱动晶体管的控制极上电压的波动，达到降低串扰的效果。
在另一可选的实施方式中，所述第二部分在栅线的延伸方向上的宽度小于所述第三部分在栅线的延伸方向上的宽度。
本实施方式中，通过降低第二部分在栅线的延伸方向上的宽度，从而来降低栅线在衬底基板上的正投影与驱动晶体管的控制极在衬底基板上的正投影的重合面积，即第二重合区域B的面积。
这样，能够减小栅线与驱动晶体管的控制极之间形成的电容，从而栅线上电压的波动导致的驱动晶体管的控制极上电压的波动也越小，达到降低串扰的效果。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
显示装置可以是显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本发明的保护之内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板、以及位于所述衬底基板上的栅线、数据线和像素驱动电路，其中，所述像素驱动电路包括驱动晶体管；
所述栅线在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影具有第一重合区域，所述栅线在所述衬底基板上的正投影与所述驱动晶体管的控制极在所述衬底基板上的正投影具有第二重合区域；
所述第一重合区域的面积和/或所述第二重合区域的面积小于预设面积。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述栅线包括第一部分、第二部分和除所述第一部分和所述第二部分之外的第三部分，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影重合，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影与所述驱动晶体管的控制极在所述衬底基板上的正投影重合。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一部分在栅线的延伸方向上的宽度小于所述第三部分在栅线的延伸方向上的宽度。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二部分在栅线的延伸方向上的宽度小于所述第三部分在栅线的延伸方向上的宽度。
5.根据权利要求1或3所述的显示基板，其特征在于，所述数据线包括第四部分和除所述第四部分之外的第五部分，所述第四部分在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影重合，所述第四部分在数据线的延伸方向上的宽度小于所述第五部分在数据线的延伸方向上的宽度。
6.根据权利要求1或4所述的显示基板，其特征在于，所述驱动晶体管的控制极包括第六部分和除所述第六部分之外的第七部分，所述第六部分在所述衬底基板上的正投影与所述栅线在所述衬底基板上的正投影重合，所述第六部分在所述驱动晶体管的控制极的延伸方向上的宽度小于所述第七部分在所述驱动晶体管的控制极的延伸方向上的宽度。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动电路还包括存储电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；其中，
所述存储电容的一端与电源线连接，所述存储电容的另一端与第一节点连接；
所述第一晶体管的控制极与第一复位信号线连接，所述第一晶体管的第一极与所述第一节点连接，所述第一晶体管的第二极与初始化电压电平信号线连接；
所述第二晶体管的控制极与第一发光控制信号线连接，所述第二晶体管的第一极与所述电源线连接，所述第二晶体管的第二极与所述第一节点连接；
所述第三晶体管的控制极与所述栅线连接，所述第三晶体管的第一极与所述数据线连接，所述第三晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极连接；
所述驱动晶体管的控制极与所述第一节点连接，所述驱动晶体管的第一极与所述第二晶体管的第二极连接，所述驱动晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极连接；
所述第四晶体管的控制极与所述栅线连接，所述第四晶体管的第二极与所述第一节点连接；
所述第五晶体管的控制极与第二发光控制信号线连接，所述第五晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极连接，所述第五晶体管的第二极与发光器件的阳极连接；
所述第六晶体管的控制极与第二复位信号线连接，所述第六晶体管的第一极与所述初始化电压电平信号线连接，所述第六晶体管的第二极与所述发光器件的阳极连接。
8.一种如权利要求1-7中任一项所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底基板；
分别在所述衬底基板上形成栅线图形、数据线图形和驱动晶体管的控制极图形；
其中，所述栅线图形在所述衬底基板上的正投影与所述数据线图形在所述衬底基板上的正投影具有第一重合区域，所述栅线图形在所述衬底基板上的正投影与所述驱动晶体管的控制极图形在所述衬底基板上的正投影具有第二重合区域；
所述第一重合区域的面积和/或所述第二重合区域的面积小于预设面积。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，应用于如权利要求2所述的显示基板；所述在所述衬底基板上形成栅线图形的步骤，包括：
在所述衬底基板上形成栅线材料层；
在所述栅线材料层上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶图形；
以所述光刻胶图形为掩膜，对所述栅线材料层进行刻蚀，形成栅线图形，所述栅线图形包括第一部分、第二部分和除所述第一部分和所述第二部分之外的第三部分，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影位于所述第一重合区域内，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影位于所述第二重合区域内。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的显示基板。
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