TWI629570B - 用於檢測及度量衡的方法與設備 - Google Patents

Abstract

一種方法，其包括：關於表示擬合經量測資料之一數學模型之剩餘不確定度之一參數、對照橫越一基板之量測資料而評估用於擬合經量測資料之一或多個數學模型及用於量測資料之一或多個量測取樣方案；及識別使該參數越過一臨限值之一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案。

Description

用於檢測及度量衡的方法與設備

本發明係關於一種用於自度量衡目標捕捉之經量測輻射分佈中之誤差之校正的方法及設備。

微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)或其他器件之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用於產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影設備包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。

諸如半導體器件之製造器件通常涉及使用數個製作程序來處理 基板(例如，半導體晶圓)以形成該等器件之各種特徵及多個層。通常使用(例如)沈積、微影(其通常涉及將圖案轉印至配置於基板上之輻射敏感抗蝕劑)、蝕刻、化學機械拋光及離子植入來製造及處理此等層及特徵。可在一基板上之複數個晶粒上製作多個器件，且接著將其分離成個別器件。

在一器件製造程序期間在各種步驟下使用度量衡程序以監視及控制該程序。舉例而言，度量衡程序係用以量測基板之一或多個特性，諸如，在一程序期間形成於基板上之特徵之相對部位(例如，疊對、對準等等)或尺寸(例如，線寬、臨界尺寸、厚度等等)，使得可自該一或多個特性判定該程序之效能。若該一或多個特性不可接受(例如，在關於該(該等)特性之一預定範圍外)，則該一或多個特性之量測可用以變更程序之一或多個參數使得藉由該程序製造之另外基板具有可接受特性。

因此，用以啟用一器件製造程序之顯著態樣包括顯影該程序自身、設定該程序以用於監視及控制、且接著實際上監視及控制該程序自身。在假定器件製造程序之基本原理之組態(諸如，圖案化器件圖案、抗蝕劑類型、微影後程序步驟(諸如，顯影、蝕刻等等)等等)的情況下，需要設定該微影設備以用於將圖案轉印至基板上、顯影度量衡目標以監視該程序、設定度量衡程序以量測度量衡目標，且接著實施基於量測而監視及控制該程序之程序。

在一態樣中，提供一種方法，其包含：執行一模擬以評估複數個度量衡目標及/或用以量測一度量衡目標之複數個度量衡配方；自該經評估複數個度量衡目標及/或度量衡配方識別一或多個度量衡目標及/或度量衡配方；接收該一或多個經識別度量衡目標及/或度量衡配方之量測資料；及使用該量測資料以調節該模擬之一度量衡目標參數或度量衡配方參數。

在一態樣中，提供一種方法，其包含：接收複數個不同度量衡目標之量測資料，每一度量衡目標在複數個度量衡配方下經量測；及使用該量測資料以驗證用以評估複數個度量衡目標及/或用以量測一度量衡目標的複數個度量衡配方之一模擬之一或多個參數。

在一態樣中，提供一種方法，其包含：在考量一預期程序條件的情況下模擬複數個度量衡目標及/或複數個度量衡配方；自該經模擬複數個度量衡目標及/或配方識別一或多個度量衡目標及/或配方；接收該一或多個經識別度量衡目標及/或配方之量測資料；及使用該量測資料以驗證該預期程序條件。

在一態樣中，提供一種方法，其包含：執行一模擬以評估複數個度量衡目標及/或用以量測一度量衡目標之複數個度量衡配方；及判定表示該等度量衡目標及/或度量衡配方中之一或多者之效能之一參數；自該經評估複數個度量衡目標及/或度量衡配方識別一或多個度量衡目標及/或度量衡配方；接收該一或多個經識別度量衡目標及/或度量衡配方之量測資料；及基於該量測資料及該參數而自該經識別一或多個度量衡目標及/或度量衡配方選擇一或多個度量衡目標及/或度量衡配方。

在一態樣中，提供一種方法，其包含：執行一模擬以評估複數個度量衡目標及用以量測一度量衡目標之複數個度量衡配方；自該經評估複數個度量衡目標及度量衡配方識別度量衡目標及度量衡配方之一或多個組合；基於來自該經識別一或多個組合之該一或多個度量衡配方將用於來自該經識別一或多個組合的該一或多個度量衡目標之複數個度量衡配方公式化；及接收使用該經公式化複數個度量衡配方而量測的來自該經識別一或多個組合之該一或多個度量衡目標之量測資料。

在一態樣中，提供一種方法，其包含：基於在複數個度量衡配 方下量測之一度量衡目標之量測資料而判定表示一或多個度量衡配方或一或多個度量衡配方參數對一或多個度量衡目標的敏感度之一參數；及基於表示敏感度之該參數藉由模擬或相對於經量測資料而評估用以量測該度量衡目標之複數個度量衡配方，以識別該複數個度量衡配方之用於量測該度量衡目標之一或多個度量衡配方。

在一態樣中，提供一種方法，其包含：藉由模擬或相對於經量測資料而評估複數個度量衡目標及/或用以量測一度量衡目標之複數個度量衡配方；及自該經評估複數個度量衡目標及/或度量衡配方識別使繞射效率或自繞射效率導出之一參數越過一臨限值之一或多個度量衡目標及/或度量衡配方。

在一態樣中，提供一種方法，其包含：藉由模擬或相對於經量測資料而評估複數個度量衡目標及/或用以量測一度量衡目標之複數個度量衡配方；及自該經評估複數個度量衡目標及/或度量衡配方識別使一量測設備屬性或自該量測設備屬性導出之一參數越過一臨限值之一或多個度量衡目標及/或度量衡配方。

在一態樣中，提供一種方法，其包含：關於表示擬合經量測資料之一數學模型之剩餘不確定度之一參數相對於橫越基板之量測資料而評估用於擬合經量測資料之一或多個數學模型及用於量測資料之一或多個量測取樣方案；及識別使該參數越過一臨限值之一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案。

在一態樣中，提供一種方法，其包含：關於一第一評估參數及一第二不同評估參數、對照橫越一基板之量測資料而評估用於擬合經量測資料之一或多個數學模型及用於量測資料之一或多個量測取樣方案；及識別使該第一評估參數及該第二評估參數越過一臨限值之一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案。

在一態樣中，提供一種判定用於量測資料之一取樣方案及/或用 於擬合經量測資料之一數學模型以監視一微影程序中之一程序步驟之方法，該方法包含：至少部分地基於一檢測設備之一產出率模型而判定該取樣方案及該數學模型。

在一態樣中，提供一種方法，其包含：接收根據一度量衡配方而量測之一度量衡目標之量測資料；至少部分地基於一檢測設備之一產出率模型而判定用於運用該度量衡目標使用該度量衡配方而量測資料之一取樣方案；基於該量測資料及該取樣方案而判定一評估參數；判定該評估參數是否越過一臨限值；及在該評估參數經判定為越過該臨限值的情況下至少部分地基於該產出率模型而改變該取樣方案。

在一態樣中，提供一種方法，其包含：顯示複數個圖形使用者介面元素，每一圖形使用者介面元素表示一量測設計、設定及/或監視程序中之一步驟，且每一圖形使用者介面元素實現由使用者針對該圖形使用者介面元素之關聯步驟而對該量測設計、設定及/或監視程序中之另外步驟之存取；及顯示與該複數個圖形使用者元素中之一或多者相關聯之一指示符，該指示符指示未完成該量測設計、設定及/或監視程序中之一步驟及/或與該量測設計、設定及/或監視程序中之一步驟相關聯之一關鍵效能指示符已超過一臨限值。

在一態樣中，提供一種非暫時性電腦程式產品，其包含用於使一處理器導致執行如本文中所描述之一方法的機器可讀指令。

在一態樣中，提供一種系統，其包含：一檢測設備，其經組態以將一光束提供於一基板上之一量測目標上且偵測由該目標重新導向之輻射以判定一微影程序之一參數；及如本文中所描述之該非暫時性電腦程式產品。在一實施例中，該系統進一步包含一微影設備，該微影設備包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上。

在一態樣中，提供一種系統，其包含：一對準感測器；及如本文所描述之該非暫時性電腦程式產品，該對準感測器包含：一輸出件，其用以將輻射自一輻射源提供至一目標上；一偵測器，其經組態以自該目標接收輻射；及一控制系統，其經組態以回應於該所接收輻射而判定兩個或兩個以上物件之對準。在一實施例中，該系統進一步包含一微影設備，該微影設備包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上。

在一態樣中，提供一種系統，其包含：一位階感測器；及如本文所描述之該非暫時性電腦程式產品，該位階感測器包含：一輸出件，其用以將輻射自一輻射源提供至一目標上；一偵測器，其經組態以自該表面接收輻射；及一控制系統，其經組態以回應於該所接收輻射而判定該表面之一位置。在一實施例中，該系統進一步包含一微影設備，該微影設備包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上。

在一態樣中，提供一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包含：檢測如使用如本文所描述之一方法而識別的一目標及/或使用如使用如本文所描述之一方法而識別的一度量衡配方來檢測一目標，該目標作為該器件圖案之部分或除了該器件圖案以外而形成於該等基板中之至少一者上；及根據該檢測之結果而針對稍後基板來控制該微影程序。

在一態樣中，提供一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括：使用如使用如本文所描述之一方法而判定的一取樣方案來檢測作為該器件圖案之部分或除了該器件圖案以外而形成於該等基板中之至少一者上的至少一目標； 及根據該檢測之結果而針對該至少一個基板或另一基板來控制該微影程序。

在一態樣中，提供一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括：檢測作為該器件圖案之部分或除了該器件圖案以外而形成於該等基板中之至少一者上的至少一目標，其中使用如使用如本文所描述之一方法而識別的一取樣方案來執行該檢測及/或使用如使用如本文所描述之一方法而識別的一數學模型來模型化來自該檢測之該經量測資料；及根據該檢測之結果而針對該至少一個基板或另一基板來控制該微影程序。

300‧‧‧微影設備設定

310‧‧‧度量衡設定

320‧‧‧程序設定

330‧‧‧程序開發階段

340‧‧‧步驟

350‧‧‧步驟

400‧‧‧資料

405‧‧‧程序/度量衡目標設計

410‧‧‧程序

415‧‧‧程序

420‧‧‧程序

425‧‧‧程序

430‧‧‧程序

435‧‧‧程序

440‧‧‧程序

445‧‧‧程序

450‧‧‧程序

500‧‧‧程序

505‧‧‧程序

510‧‧‧程序

515‧‧‧程序

520‧‧‧程序

525‧‧‧程序

530‧‧‧程序

535‧‧‧程序

540‧‧‧程序

545‧‧‧資訊

600‧‧‧步驟

605‧‧‧度量衡配方模板資訊

610‧‧‧程序/步驟

615‧‧‧量測結果/步驟

620‧‧‧步驟

625‧‧‧程序/步驟

630‧‧‧量測結果

635‧‧‧步驟

640‧‧‧程序/步驟

645‧‧‧量測結果/步驟

650‧‧‧步驟

655‧‧‧步驟

660‧‧‧步驟

700‧‧‧步驟

705‧‧‧步驟

710‧‧‧步驟

715‧‧‧校正/步驟

720‧‧‧校正/步驟

725‧‧‧校正/步驟

730‧‧‧步驟

735‧‧‧步驟

800‧‧‧第一操作類別

805‧‧‧第二操作類別

810‧‧‧第三操作類別

815‧‧‧模擬程序

817‧‧‧資料

819‧‧‧步驟

820‧‧‧步驟

822‧‧‧步驟

825‧‧‧步驟

827‧‧‧輸出/資料/步驟

829‧‧‧步驟

830‧‧‧評估程序

832‧‧‧步驟

834‧‧‧回饋資料/步驟

835‧‧‧步驟

837‧‧‧輸出/資料

840‧‧‧步驟

842‧‧‧資訊

845‧‧‧步驟

847‧‧‧步驟

850‧‧‧步驟

852‧‧‧輸出/資料

855‧‧‧步驟

860‧‧‧步驟

900‧‧‧步驟

905‧‧‧步驟

910‧‧‧步驟

920‧‧‧步驟

925‧‧‧步驟

930‧‧‧步驟

935‧‧‧步驟

940‧‧‧步驟

945‧‧‧步驟

950‧‧‧步驟

955‧‧‧步驟

960‧‧‧步驟

965‧‧‧步驟

1000‧‧‧步驟

1005‧‧‧步驟

1010‧‧‧步驟

1015‧‧‧步驟

1020‧‧‧步驟

1025‧‧‧步驟

1030‧‧‧步驟

1035‧‧‧步驟

1040‧‧‧步驟

1045‧‧‧步驟

1050‧‧‧步驟

1100‧‧‧圖形使用者介面元素

1110‧‧‧圖形使用者介面元素

1120‧‧‧指示符

1130‧‧‧指示符

1140‧‧‧指示符

AD‧‧‧調整器

AS‧‧‧對準感測器

B‧‧‧輻射光束

BD‧‧‧光束遞送系統

BK‧‧‧烘烤板

C‧‧‧目標部分

CH‧‧‧冷卻板

CO‧‧‧聚光器

DE‧‧‧顯影器

IF‧‧‧位置感測器

IL‧‧‧照明系統/照明器

IN‧‧‧積光器

I/O1‧‧‧輸入/輸出埠

I/O2‧‧‧輸入/輸出埠

LA‧‧‧微影設備

LACU‧‧‧微影控制單元

LB‧‧‧裝載匣

LC‧‧‧微影製造單元

Ls‧‧‧位階感測器

M1‧‧‧圖案化器件對準標記

M2‧‧‧圖案化器件對準標記

MA‧‧‧圖案化器件

MET‧‧‧度量衡系統

MT‧‧‧支撐結構

P1‧‧‧基板對準標記

P2‧‧‧基板對準標記

PL‧‧‧投影系統

PM‧‧‧第一定位器

PW‧‧‧第二定位器

RF‧‧‧參考框架

RO‧‧‧基板處置器或機器人

SC‧‧‧旋塗器

SCS‧‧‧監督控制系統

SO‧‧‧輻射源

TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元

W‧‧‧基板

WTa‧‧‧基板台

WTb‧‧‧基板台

現在將參看隨附圖式而僅作為實例來描述實施例，在隨附圖式中：圖1示意性地描繪微影設備之實施例；圖2示意性地描繪微影製造單元或叢集之實施例；圖3示意性地描繪器件製造程序開發、監視及控制之部分之實施例的流程圖；圖4示意性地描繪度量衡設定之實施例的流程圖；圖5示意性地描繪度量衡目標設計之實施例的流程圖；圖6示意性地描繪度量衡目標設計選擇及檢核之實施例的流程圖；圖7示意性地描繪進一步度量衡目標設計檢核之實施例的流程圖；圖8示意性地描繪度量衡目標設計、選擇及檢核之實施例的流程圖；圖9示意性地描繪量測資料數學模型及取樣方案評估之實施例的流程圖； 圖10示意性地描繪驗證預期效能之方法之實施例的流程圖；及圖11示意性地描繪用以提供器件製造程序開發、監視及控制之部分之實施例的軟體之使用者介面。

在詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施實施例之實例環境。

圖1示意性地描繪微影設備LA。該設備包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該基板之第二定位器PW；及- 投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PL，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上，該投影系統被支撐於參考框架(RF)上。

照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來支撐圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位 置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化器件」同義。

本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。

圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。

本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般術語「投影系統」同義。

如此處所描繪，設備屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，設備可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。

微影設備可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上台(例如，兩個或兩個以上基板台WTa、WTb、兩個或兩個以上圖案化器件台、在無專用於(例如)促進量測及/或清潔等等之基板的情況下在投影系統下方之基板台WTa及台WTb)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並 行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，可進行使用對準感測器AS之對準量測及/或使用位階感測器LS之位階(高度、傾角，等)量測。

微影設備亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體應用於微影設備中之其他空間，例如，圖案化器件與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影設備可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影設備之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影設備之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包含經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PL，投影系統PL將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW 及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器、2D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪設備可用於以下模式中之至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PL之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)， 而掃描運動之長度判定目標部分之長度(在掃描方向上)。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。

如圖2所展示，微影設備LA可形成微影製造單元LC(有時亦被稱作叢集)之部件，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之設備。通常，此等設備包括用以沈積一或多個抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及/或一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取一或多個基板，將其在不同程序設備之間移動且將其遞送至微影設備之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等設備係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影設備。因此，不同設備可經操作以最大化產出率及處理效率。

為了正確且一致地曝光由微影設備曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測一或多個屬性，諸如，後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)、焦點偏移、材料屬性等等。因此，微影製造單元LC位於其中之製造設施通常亦包括度量衡系統MET，度量衡系統MET收納已在微影製造單元中經處理之基板W中之一些或全部。度量 衡系統MET可為微影製造單元LC之部件，例如，其可為微影設備LA之部件。

可將度量衡結果直接或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光(尤其在可足夠迅速且快速地進行檢測以使得該批量之一或多個其他基板仍待曝光的情況下)及/或對經曝光基板之後續曝光進行調整。又，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行另外曝光。

在度量衡系統MET內，檢測設備係用以判定基板之一或多個屬性，且詳言之，判定不同基板之一或多個屬性如何變化或同一基板之不同層在不同層間如何變化。檢測設備可整合至微影設備LA或微影製造單元LC中，或可為單機器件。為了使能夠快速量測，需要使檢測設備緊接在曝光之後量測經曝光抗蝕劑層中之一或多個屬性。然而，抗蝕劑中之潛影具有極低對比度--在已曝光至輻射的抗蝕劑之部分與尚未曝光至輻射的抗蝕劑之部分之間僅存在極小折射率差--且並非所有檢測設備皆具有足夠敏感度來進行潛影之有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後採取量測，PEB通常為對經曝光基板進行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛像(semi-latent)。亦有可能進行經顯影抗蝕劑影像之量測--此時，抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分已被移除--或在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後進行經顯影抗蝕劑影像之量測。後者可能性限制重工有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。

為了監視包括至少一個微影步驟之器件製造程序，檢測經圖案化基板且量測經圖案化基板之一或多個參數。舉例而言，該一或多個 參數可包括：形成於經圖案化基板中或上之順次層之間的疊對誤差、經顯影感光抗蝕劑之臨界線寬(例如，臨界尺寸(CD))、微影之焦點或聚焦誤差、微影之劑量或劑量誤差、微影之像差，等等。可對產品基板自身之目標執行此量測及/或對提供於基板上之專用度量衡目標執行此量測。存在用於進行在器件製造程序中形成之結構之量測的各種技術，包括掃描電子顯微鏡、以影像為基礎之量測或檢測工具及/或各種特殊化工具之使用。特殊化度量衡及/或檢測工具之快速且非侵入形式為輻射光束經導向至基板之表面上之目標上且量測經散射(經繞射/經反射)光束之屬性之形式。藉由比較光束在其已由基板散射之前及之後的一或多個屬性，可判定基板之一或多個屬性。此可被稱為以繞射為基礎之度量衡或檢測。此以繞射為基礎之度量衡或檢測之一特定應用係在週期性目標內之特徵不對稱性之量測中。此以繞射為基礎之度量衡或檢測可用作(例如)疊對誤差之量度，但其他應用亦為吾人所知。舉例而言，可藉由比較繞射光譜之相對部分(例如，比較週期性光柵之繞射光譜中之-1階與+1階)而量測不對稱性。此操作可簡單地如(例如)全文以引用方式併入本文中之美國專利申請公開案US2006-066855中所描述來進行。

用以啟用一器件製造程序之顯著態樣包括顯影該程序自身、設定該程序以用於監視及控制，且接著實際上監視及控制該程序自身。在假定器件製造程序之基本原理之組態(諸如，圖案化器件圖案、抗蝕劑類型、微影後程序步驟(諸如，顯影、蝕刻等等)等等)的情況下，需要設定該微影設備以用於將圖案轉印至基板上、顯影度量衡目標以監視該程序、設定度量衡程序以量測度量衡目標，且接著實施基於量測而監視及控制該程序之程序。雖然本申請案中之論述將考慮經設計以量測形成於基板上之器件之一或多個層之間的疊對之度量衡目標之實施例，但本文中之實施例同樣適用於其他度量衡目標，諸如，用以 量測對準(例如，圖案化器件與基板之間)之目標、用以量測臨界尺寸之目標，等等。因此，本文對疊對度量衡目標、疊對資料等等之參考應被認為經合適修改以啟用其他種類之目標及度量衡程序。

參看圖3，展示開發、監視及控制程序之高階綜述。圖3所展示之此等各種步驟各自至少部分地運用軟體予以實施。在一實施例中，與該等步驟中之每一者相關聯之軟體整合在一起，使得如自該整合式軟體應用程式之部分中之一者適用的設計、資料等等可作為(例如)至該整合式軟體應用程式之該等部分中之另一者的輸入而共用。

如上文所提及，在300處，微影設備可經設定以用於執行器件製造程序之微影態樣，且視情況可經組態以校正發生於微影設備內或發生於器件製造程序中之其他程序中的偏差。此設定包括設定微影設備之一或多個參數。

在一實施例中，設定可包括建立微影設備之基線設定，以及使能夠進行該微影設備之後續監視及該微影設備之一或多個參數之調整。舉例而言，微影設備可經設定以用於最佳操作，而作為其基線設定。此設定可與工廠中之其他微影設備匹配。但隨著時間推移，系統效能參數將漂移。除了停止生產及重新校準或重新匹配以外，亦可(例如)使用度量衡系統MET來曝光及量測一或多個監視基板，以捕捉微影設備之一或多個效能參數，諸如，微影設備之疊對柵格及每基板台焦點校準狀態。基於此等量測，識別校正或改變將能夠使微影設備恢復至其基線設定的一或多個參數。另外，演算該經識別一或多個參數之經更新值以使微影設備恢復至最佳操作。接著在生產繼續時，基於經量測參數而自動更新該一或多個微影設備參數以使微影設備恢復至其基線。舉例而言，可一日一次或其他循環時間段發生此「重設」。視情況，軟體可決定應在何時應用更新，及其是需要被覆寫於微影設備上抑或需要斷開某一時間。此軟體之一實例為ASML之 Baseliner軟體。

在一實施例中，一或多個檢測設備可經設定以用於執行器件製造程序之微影態樣，且視情況可經組態以校正發生於檢測設備內或發生於器件製造程序中之其他程序中的偏差。此設定包括設定檢測設備之一或多個參數。此檢測設備可為可量測(例如)疊對、臨界尺寸及/或其他參數之以繞射為基礎之疊對度量衡工具。此檢測設備可為用以量測兩個物件之間(諸如，圖案化器件與基板之間)的相對位置之對準設備。此檢測設備可為用以量測表面之位置(例如，基板表面之高度及/或旋轉位置)之位階感測器。

在一實施例中，設定可包括建立檢測設備之基線設定，及使能夠進行該檢測設備之後續監視及該檢測設備之一或多個參數之調整。舉例而言，檢測設備可經設定以用於最佳操作，而作為其基線設定。此設定可與工廠中之其他檢測設備匹配。但隨著時間推移，系統效能參數將漂移。除了停止生產及重新校準或重新匹配以外，亦可(例如)使用檢測設備或度量衡系統MET來曝光及量測一或多個監視基板，以捕捉檢測設備之一或多個效能參數。基於此等量測，識別校正或改變將能夠使檢測設備恢復至其基線設定的一或多個參數。另外，演算該經識別一或多個參數之經更新值以使檢測設備恢復至最佳操作。接著在生產繼續時，基於經量測參數而自動更新該一或多個檢測設備參數以使檢測設備恢復至其基線。舉例而言，可一日一次或其他循環時間段發生此「重設」。視情況，軟體可決定應在何時應用更新，及其是需要被覆寫於檢測設備上抑或需要斷開某一時間。

在310處，可針對器件製造程序設定度量衡。在一實施例中，此設定包括用於器件製造程序之一或多個度量衡目標之設計。舉例而言，可開發用於在生產期間曝光於基板上之一或多個疊對度量衡目標。另外，可開發用於該一或多個度量衡目標之度量衡配方。度量衡 配方為與用以量測一或多個度量衡目標之度量衡設備自身及/或量測程序相關聯之一或多個參數(及一或多個關聯值)，諸如，量測光束之一或多個波長、量測光束之偏振之一或多個類型、量測光束之一或多個劑量值、量測光束之一或多個頻寬、供量測光束使用之檢測設備之一或多個孔隙設定、用以將量測光束定位於目標上之對準標記、所使用之對準方案、取樣方案、度量衡目標之佈局，及用以量測目標及/或目標之所關注點之移動方案，等等。在一實施例中，可針對器件製造程序檢核一或多個度量衡目標。舉例而言，複數個度量衡目標設計可經評估以識別最小化殘餘變化(系統性地及/或隨機地)之一或多個度量衡目標。在一實施例中，複數個度量衡目標設計可經評估以識別效能與器件匹配的一或多個度量衡目標，例如，識別疊對誤差之量測與器件之疊對誤差匹配的度量衡目標。度量衡目標可經設計以(例如)用於疊對之量測、焦點之量測、臨界尺寸(CD)之量測、對準之量測、目標中之不對稱性之量測等等，及其任何組合。

另外，器件製造程序可具有起因於該程序之性質之特定系統性變化(指紋)。舉例而言，器件製造程序可要求可在複數個基板之曝光中引起特定規則變化的微影製造單元LC中之特定基板台之使用、特定蝕刻或顯影類型之使用、特定烘烤參數之使用、特定焦點及劑量設定之使用，等等。因此，在320處，可藉由判定為了考量起因於特定器件製造程序之系統性變化而待應用於器件製造程序之一或多個參數(例如，微影設備之一或多個參數、塗佈顯影系統之一或多個參數等等)之校正來設定程序。此情形可引起至如上文所描述之基線設定之校正之高階集合。為了達成校正，可藉由模擬及/或藉由在顯影階段中曝光之基板之量測而估計程序指紋。自程序指紋，可開發可應用於修改微影設備、塗佈顯影系統等等以至少部分地校正程序指紋的一或多個微影及/或程序校正模型。

微影設備設定300、度量衡設定310及程序設定320可一起被認為是程序開發階段330之部分。除了程序開發之外，亦應採取步驟以在高量製造(HVM)期間監視及控制器件製造程序。

在340處，度量衡程序經組態以使能夠進行一或多個度量衡目標之量測以使能夠在350處進行器件製造程序之監視及控制。量測用於每一批次之每一基板之每一度量衡目標可過於耗時(一批次為在器件製造程序之執行期間一起被處理的通常具有相同特性的基板批量；一批次基板通常在諸如FOUP之可移動容器中經保持在一起)。因此，可建立用於量測一或多個度量衡目標之量測取樣方案。用於度量衡程序之取樣方案可包括選自如下各者中之一或多個參數：每取樣批次之基板之數目；一批次或每取樣批次之基板之數字指定；取樣之場之數目；基板上之經取樣場之部位；每一場中之位點之數目；場中之位點之部位；樣本之頻率；度量衡目標之類型；或量測演算法。在一實施例中，取樣方案經設計為最小化變化。舉例而言，取樣方案可經選擇為最小化基板間變化、批次間變化及/或機器間變化(例如，工廠中之微影設備之間的變化)。另外，可識別一或多個關鍵效能指示符(KPI)，且可判定與KPI相關聯之一或多個臨限值以實現程序控制。舉例而言，平均值、變化等等可經識別為KPI，且臨限值(例如，不會超過之值、不會變低之值等等)可經判定以用作程序之控制限度。另外，有可能使用適當經參數化之一或多個量測資料數學模型(亦即，具有適當所決定及所界定參數及其值(在適用時)之數學模型，以將資料擬合(其中擬合意謂未必為與所有資料之完美擬合)至該數學模型)來模型化度量衡目標之量測結果。因此，可建立用於量測一或多個度量衡目標之量測資料數學模型。在一實施例中，一起建立量測資料數學模型及取樣方案。在一實施例中，數學模型可包含藉由一或多個參數指定之一或多個基底函數；通常數學模型可包含複數個基底函數之組 合。在一實施例中，數學模型係運用用於參數之值而參數化以擬合資料。

參看圖4，描繪度量衡設定之實施例的更詳細流程圖。在400處，獲得或提供用於一或多個度量衡目標之設計之資料。舉例而言，該資料可包括(例如)關於使用器件製造程序而產生的一或多個層之性質之資訊(及一或多個度量衡目標將應用於哪些層)。此資訊可被稱作堆疊資訊。此資料可包括關於諸如層厚度、層材料、層折射率、層吸收率等等之參數之資訊，且可包括與此等參數相關聯之變化資料(例如，與該等參數相關聯之預期變化範圍)。該資料可包括(例如)關於與一或多個層相關聯之一或多個程序之性質的資訊。此資料可包括蝕刻之類型及/或參數、曝光後烘烤之類型及/或參數、抗蝕劑顯影之類型及/或參數等等，且可包括與此等參數相關聯之變化資料(例如，與該等參數相關聯之預期變化範圍)。該資料可包括(例如)疊對樹，該疊對樹指定在複數個層之哪些層之間需要疊對量測。

在405處，判定一或多個度量衡目標設計。在一實施例中，一或多個度量衡目標設計係藉由模擬程式予以判定，該模擬程式基於(例如)適用全層堆疊而模擬候選目標設計之器件製造程序及量測程序，以允許最佳化用於給定層之目標之設計參數。因此，在該模擬中，目標之一或多個設計參數可固定或可被允許變化。此等參數可包括目標之週期性結構之間距、目標之週期性結構之特徵之臨界尺寸、厚度，等等。另外，度量衡配方之一或多個參數(例如，量測光束波長、量測光束偏振、量測光束劑量、與量測光束相關聯之孔隙設定等等)可固定或可被允許變化。在一實施例中，軟體接受或提供使用者介面以允許界定：堆疊及程序之規範(例如，層材料、蝕刻類型、沈積類型、拋光(例如，CMP)程序等等)、哪一或多個參數可固定且哪一或多個參數可變化之指示、變化參數之可變性範圍之規範、設計規則或約 束等等。

一旦指定起始條件，軟體就可執行模擬以識別一或多個度量衡目標設計、一或多個度量衡配方(例如，用於一特定度量衡目標設計)及/或符合可印刷性、可偵測性、產出率、程序穩定性(例如，對程序變化之敏感度)及/或工具相依性(例如，對檢測設備特定參數之敏感度)規範的度量衡設計與度量衡配方之一或多個組合。可經由模擬進一步判定疊對準確度及透鏡像差效能。

因此，舉例而言，基於堆疊及器件製造程序之條件，模擬模型(諸如，視情況可特別經組態以用於特定微影或其他設備之能力的影像/抗蝕劑模型及抗蝕劑處理模型)可用以判定針對適用器件製造程序將如何產生具有不同設計參數之各種度量衡目標設計及/或將如何產生具有不同配方參數之各種度量衡目標配方。舉例而言，藉由使包括關於曝光程序之資訊，度量衡目標設計對投影系統像差之敏感度可與經印刷於指定層中之臨界器件特徵之敏感度匹配，從而實現疊對增益。另外，量測程序之模擬模型(例如，視情況可特別經組態以用於特定檢測設備之量測能力的繞射模擬模型)可用以相對於一指定或變化之度量衡配方(例如，不同波長、不同偏振、不同劑量等等)評估各種度量衡目標設計及/或評估用於變化之度量衡配方之度量衡目標設計。結果可為藉由各種度量衡目標設計及/或度量衡配方之效能(例如，可印刷性、可偵測性、產出率、程序穩定性、工具相依性等等)之排名或該等度量衡目標設計及/或度量衡配方之效能之量測，以允許由使用者選擇或藉由自動程序選擇一或多個度量衡目標設計及/或一或多個度量衡配方。在允許度量衡配方之一或多個參數變化的情況下，關於度量衡目標設計之結果可包括用於各種度量衡目標設計之度量衡配方之一或多個參數的關聯規範。因此，舉例而言，可呈現度量衡目標設計之排名、可呈現度量衡配方之排名、可呈現度量衡目 標設計及度量衡配方之組合之排名(使得(例如)一特定度量衡目標設計可具有多個度量衡配方，從而得到相同度量衡目標設計與不同度量衡配方之多個組合，等等)，其中可對度量衡目標設計或對度量衡配方等等進行基礎排名。

另外，在一實施例中，各種度量衡目標設計及/或度量衡配方對程序變化之穩固性可藉由允許一或多個參數擾動(例如，根據變化資料)以判定各種度量衡目標設計及/或度量衡配方對各種參數擾動之敏感度予以評估。擾動可對蝕刻參數、對拋光程序參數、對目標之結構之臨界尺寸，等等。結果可為藉由各種度量衡目標設計及/或度量衡配方之穩固性之排名或該等度量衡目標設計及/或度量衡配方之穩固性之量測，以允許由使用者選擇或藉由自動程序選擇一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方。經識別度量衡目標設計及/或度量衡配方中之一或多者可經選擇供使用或進一步評估，且在涉及一度量衡目標設計的情況下，軟體可輸出用於該一或多個經識別度量衡目標設計之呈(例如)GDS之格式的圖案化器件圖案。因此，軟體可評估數千個(若非數百萬個)度量衡目標設計及/或度量衡配方，且因此，允許藉由識別平衡精度與準確度之度量衡目標設計及/或度量衡配方而良好地探索設計空間。

在410處，進一步實驗地評估來自405之一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方(通常為複數個度量衡目標設計及/或度量衡配方)。詳言之，可針對每一度量衡目標設計判定用於檢測設備之複數個度量衡配方(其可包括來自405之一或多個度量衡配方，其中一或多個度量衡配方經輸出)，且接著產生一或多個度量衡目標設計且在每一度量衡配方下使用檢測設備量測該一或多個度量衡目標設計。相對於複數個度量衡配方來評估每一度量衡目標設計以使能夠判定合適或最佳配方。在一實施例中，判定度量衡目標設計中之一或多者之總量 測不確定度。在一實施例中，判定度量衡目標設計中之一或多者之準確度(例如，藉由殘差之使用)。自各種結果，可產生藉由經評估之一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方之效能之排名或該等度量衡目標設計及/或度量衡配方之效能之量測，以允許由使用者或藉由自動程序自該經評估一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方選擇一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方。

在415處，進一步實驗地評估來自410之一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方(通常為複數個度量衡目標設計及/或度量衡配方)。在一實施例中，判定度量衡目標設計及/或度量衡配方中之一或多者之準確度(例如，藉由殘差之使用)。自各種結果，可產生藉由經評估之一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方之效能之排名或該等度量衡目標設計及/或度量衡配方之效能之量測，以允許由使用者或藉由自動程序自該經評估一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方選擇一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方。

在420處(其中(例如)使用一個以上檢測設備以在(例如)程序開發及/或HVM中量測一或多個度量衡目標及/或相比於在(例如)程序開發及/或HVM中使用一不同的檢測設備以用於評估)，使用複數個檢測設備進一步實驗地評估來自410之一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方(通常為複數個度量衡目標設計)。在一實施例中，可基於一或多個度量衡目標設計之量測及/或運用一或多個度量衡配方來判定對檢測設備中之一或多者之校正。在一實施例中，校正可使得檢測設備具有匹配效能。

在425處，一或多個經識別且經評估之度量衡目標設計及/或度量衡配方準備好用於HVM中。在存在複數個度量衡目標設計及/或度量衡配方的情況下，使用者可選擇哪一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方適於器件製造程序。

在430處，可提供回饋資訊以用於資料400之下一預備及供應。在使用回饋資訊的情況下，可改良或較佳選擇資料400。

參看435，將針對每一層/度量衡步驟重複程序405、410、415及420。亦即，針對經設計為具有藉由量測步驟而量測之度量衡目標之每一層及針對涉及彼層之每一量測步驟(例如，一層中之目標可用於量測不同層，而不管在器件製造程序中是處於同一量測時間抑或處於不同時間)重複彼等程序。因此，針對經設計為具有一度量衡目標之每一層評估複數個度量衡目標設計，且相對於與每一層相關聯之每一量測步驟進一步評估複數個度量衡目標設計。

參看440，重複每度量衡目標設計及/或度量衡配方之程序410，該等度量衡目標設計及/或度量衡配方可為來自程序405之每一度量衡目標設計及/或度量衡配方。舉例而言，其可涉及評估約10至40個度量衡目標設計。程序410之後果可為起始度量衡目標設計及/或度量衡配方中之一或多者，例如，2至15個度量衡目標設計之子集。參看445，重複每度量衡目標設計及/或度量衡配方之程序415，該等度量衡目標設計及/或度量衡配方可為來自程序410之每一度量衡目標設計及/或度量衡配方。舉例而言，其可涉及評估約2至15個度量衡目標設計。程序415之後果可為起始度量衡目標設計及/或度量衡配方中之一或多者，例如，1至10個度量衡目標設計之子集。參看450，重複每度量衡目標設計及/或度量衡配方之程序420，該等度量衡目標設計及/或度量衡配方可為來自程序415之每一度量衡目標設計及/或度量衡配方。舉例而言，其可涉及評估約1至10個度量衡目標設計。程序420之後果可為起始度量衡目標設計及/或度量衡配方中之一或多者，例如，1至5個度量衡目標設計。

參看圖5，呈現程序405之實施例的細節。如上文所描述，在使用資料400的情況下，在500處藉由模擬程式判定一或多個度量衡目標 設計，該模擬程式基於(例如)適用全層堆疊而模擬候選目標設計之器件製造程序及量測程序，以允許最佳化用於給定層之目標之設計參數。如上文所提及，在該模擬中，目標之一或多個設計參數可固定或可被允許變化。此等參數可包括目標之週期性結構之間距、結構特徵之臨界尺寸、厚度等等。另外，度量衡配方之一或多個參數(例如，量測光束波長、量測光束偏振、量測光束劑量、與量測光束相關聯之孔隙設定等等)可固定或可被允許變化。在一實施例中，在505處，軟體接受或提供使用者介面以允許界定：堆疊及程序之規範(例如，層材料、蝕刻類型、沈積類型、拋光(例如，CMP)程序等等)、哪一或多個參數可固定及哪一或多個參數可變化之指示、變化參數之可變性範圍之規範、設計規則或約束等等。

在510處，提供藉由各種度量衡目標設計之效能(例如，可印刷性、可偵測性、穩定性等等或其一組合(包括加權組合))之排名或該等度量衡目標設計之效能之量測，以允許由使用者選擇或藉由自動程序選擇一或多個度量衡目標設計。輸出可為數百個(若非數千個)度量衡目標設計。如上文所論述，度量衡目標設計亦可與一度量衡配方之一或多個參數相關聯，特別是在一或多個度量衡配方參數在模擬期間可變的情況下。度量衡目標設計之效能之特徵可在於各種參數，諸如，目標係數(TC)、堆疊敏感度(SS)、疊對影響(OV)、不對稱性(如本文所描述)、繞射效率(如本文所描述)或其類似者。堆疊敏感度可被理解為信號之強度隨著由於目標(例如，光柵)層之間的繞射之疊對改變而改變多少之量測。目標係數可被理解為針對一特定量測時間之由藉由量測系統進行之光子收集之變化引起的信雜比之量測。在一實施例中，目標係數亦可被認為是堆疊敏感度對光子雜訊之比率；亦即，信號(亦即，堆疊敏感度)可除以光子雜訊之量測以判定目標係數。疊對影響量測依據目標設計而變化的疊對誤差之改變。另外，度量衡目標 設計之效能之特徵可在於其對變化之穩固性，例如，其對一或多個程序參數之變化之敏感度。

在515處，手動地或藉由自動化程序選擇來自510處之複數個度量衡目標設計之一或多個度量衡目標設計(及(若適用)關聯度量衡配方參數)。在515處，可提供一或多個導引、限定或臨限值以促進一或多個度量衡目標設計之選擇。舉例而言，手動或自動化準則可為來自510之某數目個最高排名度量衡目標設計之選擇。排名可基於單一效能參數、基於效能參數之組合，或效能參數之加權組合，等等。另一手動或自動化準則可為超過用於一效能參數之某一臨限值之度量衡目標設計之選擇(視情況在彼等度量衡目標設計超過或不超過另一臨限值的情況下)。舉例而言，手動或自動化準則可為度量衡目標設計相對於關於目標係數之堆疊敏感度之評估。

在520處，輸出來自515之選定一或多個度量衡目標設計(及(若適用)關聯度量衡配方參數)連同度量衡目標設計(及(若適用)關聯度量衡配方參數)之規範。該選擇可為每層10至40個度量衡目標設計。

在530處，可執行光學近接校正程序以將度量衡目標設計轉換成用於圖案化器件(例如，光罩)之設計。基本度量衡目標設計不可直接轉換成圖案化器件之圖案或用於圖案化器件之圖案且在基板上得到經設計度量衡目標。因此，可需要將諸如襯線、偏置、散射長條等等之各種光學近接校正技術添加至度量衡目標設計，以產生適合於圖案化器件之度量衡目標設計。535處之輸出可為針對每一度量衡目標設計呈(例如)GDS格式的用於圖案化器件之度量衡目標設計圖案。

在540處，可將度量衡目標設計之一或多個圖案化器件圖案插入至用於器件製造程序之一或多個圖案化器件之器件圖案中。來自此插入之結果將包括關於選定一或多個度量衡目標設計及選定一或多個度量衡目標設計之圖案在用於器件製造程序之一或多個圖案化器件之器 件圖案中的部位之資訊545。

參看圖6，呈現程序410及415之實施例的細節。在使用資訊545的情況下，產生用於選定一或多個度量衡目標設計中之每一者之一或多個度量衡配方(通常為複數個度量衡配方)。如上文所提及，度量衡配方包含與用以量測一或多個度量衡目標之度量衡設備自身及/或量測程序相關聯之一或多個參數(及一或多個關聯值)，諸如，量測光束之一或多個波長、量測光束之偏振之一或多個類型、量測光束之一或多個劑量、量測光束之一或多個頻寬、與量測光束相關聯之檢測設備上之一或多個孔隙設定、用以將量測光束定位於目標上之對準標記、所使用之對準方案、取樣方案、度量衡目標之佈局，及用以量測目標及/或目標之所關注點之移動方案，等等。

為了使能夠產生一或多個度量衡配方，可提供度量衡配方模板資訊605。度量衡配方模板資訊605可定義關於度量衡配方之一或多個參數之通用細節，諸如，用以將量測光束定位於目標上之對準標記、所使用之對準方案、量測光束光點之大小、取樣方案，等等。

在610處，執行度量衡配方最佳化程序以判定用於每一度量衡目標設計之一或多個合適度量衡配方。為了進行此判定，可分析來自運用一或多個度量衡目標設計而圖案化之一或多個基板且在一或多個所產生之度量衡配方下量測的量測結果615。在一實施例中，此等結果係來自曝光於一基板上之選定數目個目標(亦即，目標之樣本)。可針對度量衡配方及度量衡目標設計之組合演算一或多個效能參數，且評估該一或多個效能參數以判定哪一或多個度量衡配方最合適。可在620處產生結果資訊，例如，最佳化效能結果。

在625處，判定使用來自610之一或多個選定度量衡配方之一或多個度量衡目標設計的總量測不確定度(TMU)。為了進行此判定，可分析來自運用一或多個度量衡目標設計而圖案化之一或多個基板且在 一或多個選定度量衡配方下量測的量測結果630。在一實施例中，此等結果係來自曝光於一基板上之選定數目個目標(亦即，目標之樣本)。在一實施例中，為了進一步評估，可排除等於或超過TMU之臨限值的度量衡目標設計及選定度量衡配方之任何組合。可在635處產生結果資訊，例如，TMU驗證結果。

在640處，判定度量衡目標設計中之一或多者之準確度(例如，藉由殘差之使用)。在一實施例中，分析具有來自625之足夠TMU的一或多個度量衡目標設計及其一或多個關聯度量衡配方。為了判定準確度，可分析來自運用彼等一或多個度量衡目標設計而圖案化且在該等度量衡目標設計之關聯一或多個度量衡配方下量測的一或多個基板之量測結果645。在一實施例中，此等結果係來自曝光於基板上的全部、幾乎全部或至少大部分目標。在一實施例中，此等結果係來自曝光於基板上的不到大部分目標(其中使用(例如)適當取樣方案)。自量測結果，可藉由計算該等量測結果與用以描述該等量測結果之經參數化量測資料數學模型之間的殘差來評估度量衡目標設計之準確度。具有低殘差之彼等度量衡目標設計為更準確之度量衡目標設計。可在620處產生資訊，例如，準確度效能結果及(視情況)為了縮減或最小化殘差之檢測設備校正。另外，可在650處判定用於供在程序控制期間使用之檢測設備之校正設定。

在一實施例中，可在程序640之後執行程序625。

在655處，評估一或多個度量衡目標設計連同其一或多個度量衡配方，以識別適合於進一步評估之度量衡目標設計之子集。可對來自程序610、625、640之結果或選自其之任何組合執行該評估。舉例而言，可產生藉由度量衡目標設計及度量衡配方之經評估組合之效能之排名或度量衡目標設計及度量衡配方之經評估組合之效能之量測，以允許由使用者或藉由自動程序自度量衡目標設計及度量衡配方之該等 經評估組合選擇一或多個度量衡目標設計(及其關聯度量衡配方)。

在660處，產生選定一或多個度量衡目標設計之清單，該清單可包括一或多個度量衡目標設計之細節及關聯一或多個度量衡配方之細節。在僅運用單一檢測設備來量測度量衡目標的情況下，清單可準備好用於HVM中(特別是在所使用之檢測設備為用於HVM中之檢測設備的情況下)。

參看圖7，呈現程序420之實施例的細節，其中(例如)一個以上檢測設備用以在HVM中量測一或多個度量衡目標，及/或用於評估之檢測設備不同於用於HVM中之檢測設備。自來自660之資料，選擇度量衡目標設計及度量衡配方之一或多個組合。對於每一組合，將度量衡目標圖案化至基板上，且接著運用檢測設備使用度量衡配方來量測度量衡目標。在此狀況下，使用700處之第一檢測設備來量測每一組合、使用705處之第二檢測設備來量測每一組合，且使用710處之第三檢測設備來量測每一組合。在此實例中，存在三個檢測設備，但可存在更多檢測設備，或可存在更少檢測設備。自量測結果，可判定用於各別檢測設備之適用校正715、720、725，(例如)以縮減或最小化殘差。另外，在730處，來自700、705、710之結果、來自715、720、725之結果及/或自前述各者中之任一者導出之效能參數可經評估以判定檢測設備之間的匹配效能。舉例而言，若度量衡目標設計及度量衡配方之一或多個組合相比於一或多個其他組合對檢測設備集體更佳地執行，則可選擇彼等組合用於HVM。

在735處，產生選定一或多個度量衡目標設計之清單以用於(例如)HVM或用於製造程序之開發，該清單可包括一或多個度量衡目標設計之細節及關聯一或多個度量衡配方之細節。

參看圖8，描繪度量衡目標設計、選擇及檢核之實施例的示意性流程圖。在此圖解中，流程之某些態樣分離成一般類別。第一操作類 別800涉及藉由演算或模擬進行之一或多個度量衡目標設計之設計及選擇。此粗略對應於度量衡目標設計405及圖5之程序之全部或部分，諸如，程序500、510、520及525。第二操作類別805涉及與類別800中選擇之度量衡目標設計中之一或多者相關聯的資料分析，以選擇用於HVM之一或多個度量衡目標設計。且第三操作類別810涉及供類別800及/或805操作中之一或多者中使用的資料之收集。

因此，在815處，使用各種參數來執行如(例如)上文關於度量衡目標設計405及圖5之程序之全部或部分(諸如，程序500、510、520及525)所描述的模擬步驟，該等參數包括堆疊或其他程序條件(例如，關於提供度量衡目標或其部分之層之材料、尺寸及/或光學特性之資訊(諸如，光學屬性、材料厚度、折射率、吸收率等等)、關於彼度量衡目標上之一或多個層之資訊(例如，處理層之厚度、處理層之折射率、處理層之吸收率等等)、關於如何處理層之資訊(例如，拋光參數、蝕刻參數等等)、關於檢測設備之特性之資訊(如下文中進一步所描述)、關於檢測設備之設定之資訊、關於微影設備之特性之資訊、關於為了量測自標之對準策略之資訊等等及/或前述各者中之任一者之變化的量測之資訊)，以模擬一或多個不同度量衡目標設計之效能，該等不同度量衡目標設計可藉由模擬藉由變化一或多個度量衡目標設計參數(諸如，週期性結構間距、結構特徵臨界尺寸等等且包括一或多個堆疊或其他程序條件)而產生。如上文所論述，效能可為(且效能參數可表示)可印刷性、可偵測性、精度、穩固性、產出率、準確度、不對稱性、繞射效率(如下文中所描述)、檢測工具特定參數(例如，對感測器假影之敏感度，如下文中所描述)等等，或其一組合。

可基於度量衡目標設計之經模擬效能(其處於標稱堆疊資訊處)而將該等度量衡目標設計排名或另外評估該等度量衡目標設計。在一實施例中，在一堆疊範圍或圍繞預期或(如下文中所描述)經量測之處理 條件的其他處理條件下執行模擬。該範圍可由使用者界定。

如上文所描述，可使用各種不同度量衡配方參數(例如，不同量測光束波長、不同量測光束偏振、不同量測光束劑量等等或其任何組合)及其不同值來執行模擬。因此，結果可為(例如)具有高排名、超過臨限值等等的度量衡目標設計及一或多個度量衡配方參數(及關聯值)之組合。

自該模擬，度量衡目標設計中之一或多者可經選擇以提供度量衡目標設計之初始集合。在817處輸出此等度量衡目標設計。817處之資料可進一步包括度量衡目標設計之堆疊資訊、經模擬效能、其一或多個關聯度量衡配方參數之排名及/或規範。

在820處，基於817之資料，軟體產生用於817處之度量衡目標設計中之一或多者(若非全部)之一或多個度量衡配方(通常為複數個度量衡配方)，以用於度量衡目標設計效能評估。此步驟大體上對應於上文所描述之步驟600。在一實施例中，度量衡配方包含檢測設備處可得到之所有特定波長及偏振之組合。在一實施例中，用於一特定度量衡目標設計之一或多個度量衡配方包含來自資料817之關聯度量衡配方參數(及其關聯值)中之一或多者。在一實施例中，用於一特定度量衡目標設計之一或多個度量衡配方可包含圍繞或關於來自資料817之關聯度量衡配方參數中之一或多者之值的一值範圍。舉例而言，若資料817指定一量測光束波長，則一或多個度量衡配方可包括具有彼量測光束波長及/或在圍繞或關於彼量測光束波長之一範圍(例如，50奈米、100奈米、150奈米、200奈米、250奈米、300奈米或350奈米之範圍)內的度量衡配方。在822處輸出配方。

在825處，使在820處產生配方之度量衡目標設計形成於使用器件製造程序而處理之複數個基板上，且接著運用檢測設備使用822之配方來量測該等度量衡目標設計。此步驟大體上對應於步驟615。如 上文關於步驟615所論述，資料收集可為為了輔助評估速度的基板上之目標之樣本。在一實施例中，可引入對經量測或所導出參數之經程式化變化。舉例而言，在量測係關於疊對的情況下，可引入已知經程式化疊對誤差以幫助效能評估。輸出827將為(例如)用於複數個度量衡目標設計中之每一者之疊對資料。且對於每一度量衡目標設計，將存在用於複數個配方之資料。在一實施例中，資料可表示對於一或多個各種度量衡目標設計參數及/或一或多個各種度量衡配方參數之經量測值或自經量測值導出之參數。在一實施例中，825處收集之資料可為用以判定表示一或多個度量衡配方或一或多個度量衡配方參數對一或多個度量衡目標之敏感度的參數之資料。

在一實施例中，可執行度量衡目標設計之結構(例如，週期性結構)之量測以判定表示該結構之歸因於程序可變性之變化的參數。舉例而言，該結構可具有歸因於該結構及/或該結構上之一或多個層之處理之可變性的不對稱性。在一實施例中，為了獲得此等量測，可使特定標記或特徵以量測此變化。此等特定標記或特徵亦可用以監視器件製造程序。在度量衡目標設計包含一下部週期性結構及一上部週期性結構之實施例中，可執行度量衡目標設計之下部週期性結構之量測，而在量測時度量衡目標設計之關聯上部週期性結構不位於該下部週期性結構上方。

因此，此等量測可表示在度量衡目標之結構及/或上覆該結構之一或多個層之產生時引起的程序變化(且可接著用以達成度量衡目標設計對程序可變性之穩固性)。舉例而言，此等量測可表示存在於結構(例如，具有上部週期性結構之度量衡目標設計之下部週期性結構)中之不對稱性之量。舉例而言，低不對稱性可表示穩固目標或目標參數。舉例而言，資料集可表示針對複數個度量衡目標設計中之每一者針對波長及偏振之不同組合的不對稱性之值。舉例而言，此等資料可 表示或用以導出表示一或多個度量衡配方或一或多個度量衡配方參數對一或多個度量衡目標之敏感度之參數，此係因為此等資料展示不同配方如何量測同一目標。作為另一實例，資料集可表示針對度量衡目標設計參數之不同值之不對稱性之值，度量衡目標設計參數諸如，度量衡目標設計之週期性結構之間距、度量衡目標設計之結構特徵之臨界尺寸、度量衡目標設計之週期性結構之特徵之分段等等。作為另一實例，資料集可表示針對各種度量衡目標設計參數或度量衡配方參數之經量測強度。

另外，可在器件製造程序之不同階段採取量測以判定哪些程序步驟很可能造成結果之可變性，例如，造成度量衡目標之結構之變形。亦即，在一實施例中，可在堆疊之每一層應用於研究器件製造程序中之哪些層造成發生不對稱性(作為一實例)之後或在堆疊之某數目個層應用於研究器件製造程序中之哪些層造成發生不對稱性之後量測該不對稱性。此情形允許堆疊之逐層分析，該逐層分析可用於如本文所描述之調節。

在一實施例中，可在此等不同階段中之一或多個階段變化一或多個屬性，以幫助判定度量衡目標設計對該一或多個屬性之變化是否穩固。該一或多個屬性可包含選自如下各者中之一或多者：層之光學屬性(例如，材料折射率或材料吸收率)、材料厚度、拋光參數及/或蝕刻參數。

在830處，評估資料827以基於效能篩選度量衡目標設計及配方之組合。此步驟大體上對應於步驟610且視情況對應於步驟625。舉例而言，資料827經處理以判定關於度量衡目標設計及/或度量衡配方之效能之一或多個參數。在一實施例中，軟體產生關於可偵測性、精度、產出率及/或準確度之一或多個效能參數。基於來自資料827(例如，資料自身及/或所產生之效能參數)之度量衡目標效能資訊，手動 地或藉由自動化程序選擇一或多個度量衡目標設計及關聯一或多個度量衡配方。在一實施例中，除了基於來自資料827之度量衡目標效能資訊進行選擇以外或替代基於來自資料827之度量衡目標效能資訊進行選擇，亦基於來自模擬815(例如，自817及/或819獲得)之資料(諸如，表示度量衡目標及/或度量衡配方中之一或多者之效能之參數)而手動地或藉由自動化程序選擇一或多個度量衡目標設計及關聯一或多個度量衡配方。在一實施例中，該選擇係基於來自資料827之度量衡目標效能資訊且基於來自815處之模擬之資料。在一實施例中，基於度量衡目標參數或度量衡配方參數之調節(如下文中所描述)而執行模擬，且選擇係基於來自815處之基於度量衡目標參數或度量衡配方參數之調節之模擬的資料。在一實施例中，基於度量衡目標參數或度量衡配方參數之調節(如下文中所描述)而執行模擬，且模擬評估一或多個新或變化之度量衡目標及/或度量衡配方。在一實施例中，獲得一或多個新或變化之度量衡目標及/或度量衡配方之量測資料，且選擇係基於該一或多個新或變化之度量衡目標及/或度量衡配方之量測資料(除了基於來自815處之模擬之資料以外或替代基於來自815處之模擬之資料)。

在一實施例中，根據個別地一或多個效能參數(該等效能參數自身可自複數個效能參數導出，例如，效能參數之加權組合)及/或根據效能參數之組合而將度量衡目標設計及度量衡配方之組合排名(例如，針對兩個或兩個以上效能參數而將度量衡目標設計及度量衡配方之組合分離地排名或基於兩個或兩個以上效能參數之組合而將度量衡目標設計及度量衡配方之組合排名)。在一實施例中，可在使用者介面(例如，圖形使用者介面)中呈現度量衡目標設計及度量衡配方之組合之排名。在一實施例中，若度量衡目標設計及度量衡配方之一或多個組合超過臨限值，則可自動地選擇度量衡目標設計及度量衡配方之 該一或多個組合。可接著分析此等有前景的度量衡目標設計及度量衡配方(如本文所論述)，以用於準確度驗證。在832處輸出選定度量衡目標設計及度量衡配方，且視情況輸出其效能。

在一實施例中，表示一或多個度量衡配方或一或多個度量衡配方參數對一或多個度量衡目標之敏感度之參數(諸如，表示度量衡目標之結構之歸因於程序可變性(例如，自度量衡目標設計之下部週期性結構執行之量測導出，而度量衡目標設計之關聯上部週期性結構在量測時不位於該下部週期性結構上)之變化的參數)在827處經前饋以供在完整度量衡目標設計之評估程序中使用。在一實施例中，量測用以判定哪一或多個量測設定具有對度量衡目標之結構及/或上覆該結構之一或多個層之產生時引起的程序變化之高或低敏感度。因此，在一實施例中，量測用以判定哪一或多個量測設定具有對結構之變形(例如，週期性結構不對稱性)之高或低敏感度。此等結果可接著用於830處之完整度量衡目標設計之評估中，以識別及/或選擇具有一或多個低或最不敏感設定的一或多個度量衡目標設計。在一實施例中，在829處可將結果前饋至度量衡配方之產生使得選擇具有一或多個低或最不敏感設定的度量衡配方，此可藉由消除對程序變化高度敏感之度量衡配方而促進產出率。

在一實施例中，提供一方法，其包含：基於在複數個度量衡配方下量測之度量衡目標之量測資料而判定表示一或多個度量衡配方或一或多個度量衡配方參數對一或多個度量衡目標之敏感度之參數；及基於表示敏感度之參數藉由模擬或相對於經量測資料而評估用以量測度量衡目標之複數個度量衡配方，以識別該複數個度量衡配方之用於量測該度量衡目標之一或多個配方。在一實施例中，量測資料包括表示度量衡目標之結構之歸因於程序可變性之變化的參數。在一實施例中，參數表示存在於度量衡目標之結構中之不對稱性之量度。在一實 施例中，量測資料包含在結構之處理及/或該結構上方之層之施加之不同階段的量測。在一實施例中，方法進一步包含變化結構之處理之屬性。在一實施例中，處理之屬性包含選自如下各者中之一或多者：層之光學屬性、材料厚度、拋光參數及/或蝕刻參數。在一實施例中，度量衡目標之結構為度量衡目標之下部週期性結構，且量測資料係關於該下部週期性結構，而在量測資料之獲取時度量衡目標之上部週期性結構不位於該下部週期性結構上方。

在834處，將來自或產生自825處搜集之量測資料的回饋資料提供回至800處之模擬或演算程序。此資料可用以驗證模擬、模擬參數及/或給出模擬信賴度。因此，在一實施例中，該資料用以調節模擬中導出或使用之度量衡目標參數及/或度量衡配方參數。

在一實施例中，資料834可為或包含堆疊之一或多個參數(例如，一或多個層之厚度、一或多個層之折射率、一或多個層之吸收率等等)之值；及/或關於堆疊之一或多個參數之可變性，例如，一或多個層之厚度可變性之量度。此調節可關於目標處或上方之一或多個層及/或目標下方之一或多個層。可藉由度量衡工具直接量測此資料834。可藉由未經設計為使用目標之度量衡工具(例如，藉由CD-SEM工具，而目標經設計以供以繞射為基礎之量測工具使用)搜集此資料834。

在一實施例中，資料834可為或包含關於度量衡目標參數及/或度量衡配方參數之間接資訊。舉例而言，資料834可包含藉由經量測度量衡目標設計重新導向之輻射之經量測強度值、疊對之經量測值、臨界尺寸之經量測值、自量測資料導出之一或多個參數(KPI)(諸如，平均值、標準偏差、堆疊敏感度、目標係數、不對稱性、繞射效率等等)之值，等等。在一實施例中，資料834可包含經量測資料或自經量測資料導出之表示度量衡目標設計之再現性(亦即，待實際上產生於如所設計之堆疊中的度量衡設計之能力之指示符)及/或可偵測性(亦 即，用以偵測度量衡設計之檢測設備之能力之指示符)之一或多個參數。

在840處，此回饋資料可用以評估模擬之一或多個度量衡目標參數及/或度量衡配方參數之正確性及/或一致性，且可在不正確及/或一致的情況下應用適當校正。舉例而言，可對照資料834驗證用以執行模擬之初始或預期堆疊或其他程序條件中之一或多者，以驗證該一或多個初始或預期堆疊或其他程序條件之有效性。若一或多個初始或預期堆疊或其他程序條件並不有效(例如，數值並不匹配、參數之可變性比模擬中使用的更大，等等)，則可使用842處供應之經更新之一或多個堆疊或其他程序條件來重新執行模擬。舉例而言，代替初始或預期堆疊或其他程序條件中之一或多者，來自回饋資料之一或多個經量測堆疊或其他程序條件可用於模擬中。模擬之重新執行可僅僅涉及基於經更新之一或多個堆疊或其他程序條件重新排名先前經判定的度量衡目標設計及/或度量衡配方，或可涉及基於經更新的一或多個堆疊或其他程序條件而判定一或多個新度量衡目標設計及/或度量衡配方。驗證可在數字之簡單比較至複雜統計分析的範圍內。舉例而言，可基於針對度量衡配方參數之複數個值或針對複數個度量衡配方參數組合進行之度量衡目標設計之量測而評估度量衡目標設計之量測可偵測性。此評估可得到相對於度量衡配方參數之值或複數個度量衡配方參數組合之值的量測可偵測性的資料集或函數。可自模擬導出可比較之資料集或函數，且接著在統計上加以比較。若不存在準確度或一致性，則可將校正應用於模擬。在一實施例中，模擬可變化一或多個度量衡目標參數及/或度量衡配方參數(諸如，堆疊之一或多個參數)直至存在與資料834之匹配為止，且接著基於彼結果應用校正。作為一實例，模擬可變化堆疊之一或多個參數直至存在與資料834之匹配為止，且在匹配時在模擬中之堆疊之一或多個參數之值可表示實際堆疊 特性。在匹配時在模擬中之堆疊之一或多個參數可接著用於彼器件製造程序之後續模擬中。在一實施例中，臨界尺寸之量測可用以約束堆疊調節且獲得經調節堆疊之較佳(實體)解決方案。

相關地，若量測與模擬之一或多個度量衡目標參數及/或度量衡配方參數一致或確認模擬之一或多個度量衡目標參數及/或度量衡配方參數之準確度，則模擬可使用此資訊842以改良或最佳化度量衡目標設計及/或度量衡配方。舉例而言，可識別參數之間的強相關性，且該等強相關性用以導引度量衡目標設計及/或度量衡配方之設計，以相比於表示良好效能之參數而偏好具有強相關性之彼等參數。舉例而言，若用於(例如)複數個或一或多個適用度量衡配方參數之多個度量衡目標設計(具有變化之度量衡目標設計參數)之量測結果與模擬之一或多個度量衡目標參數及/或度量衡配方參數一致或確認模擬之一或多個度量衡目標參數及/或度量衡配方參數之準確度，則可藉由模擬使用彼資訊以改良或最佳化度量衡目標設計及/或度量衡配方(例如，藉由向具有與較佳效能之較強相關性的參數給出較大權重，等等)。

在840中經量測資料與初始資料之間的相關性結果標誌堆疊之一或多個參數及/或關於堆疊之一或多個參數之可變性不正確之實施例中，可採取量測以獲得堆疊之一或多個參數之值及/或關於堆疊之一或多個參數之可變性之值。舉例而言，回應於840判定出堆疊之一或多個參數及/或關於堆疊之一或多個參數之可變性不正確，可在825處收集及觸發收集此資料。可基於此資料更新初始資料或用此資料替代初始資料。自840處之相關性，步驟840可判定在825處量測堆疊之特定一或多個參數及/或關於堆疊之一或多個參數之可變性。在一實施例中，步驟840可自動製備或提供供使用825之度量衡配方模板，以量測經判定為不正確的堆疊之一或多個參數及/或關於堆疊之一或多個 參數之可變性。

在一實施例中，資料834可用作或被導出為用於模擬中以調節度量衡目標參數及/或度量衡配方參數之權重值。舉例而言，該權重值可有效地用以消除一或多個度量衡目標設計及/或度量衡目標配方。作為一實例，表示再現性或可偵測性之資料834可用作「重」權重以排除某些度量衡目標設計及/或度量衡目標配方，或降低某些度量衡目標設計及/或度量衡目標配方之等級。結果可為更快速模擬及更有效結果。

在一實施例中，若一或多個初始或預期堆疊或其他程序條件或預期資料與分別在經量測堆疊或其他程序條件或經量測資料中之一或多者之間的差保持在一臨限值內，則可基於效能選擇一或多個度量衡目標及/或配方。在一實施例中，使用效能參數或指示符來判定效能，效能參數或指示符包含選自如下各者中之一或多者：可偵測性、精度、產出率、準確度、繞射效率、不對稱性、目標係數、堆疊敏感度及/或對感測器假影之敏感度。在一實施例中，選擇係基於若干效能參數之間的平衡及/或效能參數與檢測設備特定參數之間的平衡。

在一實施例中，用於一致性及/或準確度評估之回饋資料可為對應於一或多個特定經模擬度量衡目標設計及/或度量衡配方之回饋資料(例如，一特定度量衡設計之經量測資料用以調節彼特定度量衡設計之模擬之一或多個參數)。因此，在一實施例中，可在基於資料834之模擬之重新執行期間僅評估特定度量衡目標設計及/或特定度量衡配方。此評估可使用(例如)權重因數(諸如，基於表示再現性或可偵測性之資料834之權重因數)來實現。在一實施例中，用於一致性及/或準確度評估之回饋資料可對複數個度量衡目標設計及/或度量衡配方通用。

在一實施例中，度量衡目標參數或度量衡配方參數之調節使一 特定度量衡目標及/或度量衡配方對形成或量測該特定度量衡目標之程序變化更穩固、對形成供該特定度量衡配方使用之度量衡目標之程序變化更穩固、或對使用該特定度量衡配方量測之程序變化更穩固。舉例而言，在一實施例中，表示度量衡目標之結構之歸因於程序可變性之變化的量測(諸如，所執行之度量衡目標設計之下部週期性結構之量測，而在量測時度量衡目標設計之關聯上部週期性結構不位於該下部週期性結構上方)係用作回饋資料834或用以導出回饋資料834。回饋資料834可接著表示在度量衡目標之結構及/或上覆該結構之一或多個層之產生時引起的程序變化，該等回饋資料834可接著用以達成度量衡目標設計及/或度量衡配方對程序可變性之穩固性。舉例而言，指示低不對稱性之回饋資料834指示度量衡目標設計及/或度量衡配方對程序變化穩固。舉例而言，回饋資料834可表示相對於度量衡目標設計間距、量測光束波長之值等等之不對稱性之資料集或函數。且因此，回饋資料834可用於模擬中以設計及/或選擇具有展示穩固性之一或多個參數的度量衡目標設計及/或度量衡配方。回饋資料834可進一步表示器件製造程序之不同階段，且因此可應用於模擬之適當部分。因此，此回饋資料834可用於模擬中以識別可經調節以獲得更穩固度量衡目標設計及/或度量衡配方之一或多個參數。

在一實施例中，可回應於回饋或前饋資料而重新執行模擬程序815。在一實施例中，若一或多個初始或預期堆疊或其他程序條件或預期資料與分別在經量測堆疊或其他程序條件或經量測資料中之一或多者之間的差越過一臨限值，則可使用該等初始或預期堆疊或其他程序條件之變化(例如，使用經量測堆疊或其他程序條件中之該一或多者)以及重新執行自彼等經模擬度量衡目標設計及/或度量衡配方進行一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方之識別來重新執行模擬。

在一實施例中，當重新執行模擬程序815時，程序可自模擬程序 815前進至820處之度量衡配方公式化等等。舉例而言，此可特別為如下狀況：其中回饋或前饋資料將得到應在825處量測之經改變或新度量衡目標設計。在一實施例中，回應於回饋或前饋資料，程序可經由819前進至830處之評估程序。舉例而言，此可特別為如下狀況：其中不存在應量測之經改變或新度量衡目標設計。可經由819供應資料以輔助一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方之選擇。舉例而言，資料可包括最初經由817供應之一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方之經修訂排名，及/或與最初經由817而供應的一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方相關聯之效能參數之新值。排名及/或經修訂或新值可在程序830處用於一或多個度量衡目標設計及/或度量衡配方之選擇中。

在835處，使830處之一或多個選定度量衡目標設計形成於使用器件製造程序而處理之複數個基板上，且接著運用檢測設備使用該一或多個選定度量衡目標設計之關聯一或多個度量衡配方來量測該一或多個選定度量衡目標設計以用於準確度驗證。此步驟大體上對應於步驟645。如上文關於步驟645所論述，資料收集可為基板上之全部、實質上全部或大部分目標之較綜合性分析。在一實施例中，可引入對經量測或所導出參數之經程式化變化。舉例而言，在量測係關於疊對的情況下，可引入已知經程式化疊對誤差以幫助效能評估。輸出837將為(例如)用於複數個度量衡目標設計中之每一者之疊對資料。且對於每一度量衡目標設計，將存在用於複數個配方之資料。在一實施例中，資料可表示對於一或多個各種度量衡目標設計參數及/或一或多個各種度量衡配方參數之經量測值或自經量測值導出之參數。在一實施例中，可執行量測以判定度量衡目標之結構(例如，週期性結構)之歸因於程序可變性之變化。作為一非限制性實例，此等量測可關於度量衡目標設計之下部週期性結構，而度量衡目標設計之關聯上部週期 性結構不位於該下部週期性結構上方。此等量測可表示(例如)存在於結構中之不對稱性之量，且可接著用以達成度量衡目標設計對程序可變性之穩固性。舉例而言，低不對稱性可表示穩固目標或目標參數。舉例而言，資料集可表示針對複數個度量衡目標設計中之每一者針對波長及偏振之不同組合的不對稱性之值。作為另一實例，資料集可表示針對度量衡目標設計參數之不同值之不對稱性之值，度量衡目標設計參數諸如，度量衡目標設計之週期性結構之間距、度量衡目標設計之結構特徵之臨界尺寸、度量衡目標設計之週期性結構之特徵之分段等等。作為另一實例，資料集可表示針對各種度量衡目標設計參數或度量衡配方參數之經量測強度。另外，可在器件製造程序之不同階段採取量測以判定哪些程序步驟很可能造成結構之變形。

基於資料837，在845處演算關於在830處量測之一或多個選定度量衡目標設計及關聯一或多個度量衡配方之一或多個效能指示符。此步驟大體上對應於步驟640且視情況對應於步驟625。舉例而言，資料837經處理以判定關於度量衡目標設計及/或度量衡配方之效能之一或多個參數，諸如，可偵測性、精度、產出率及/或準確度。在一實施例中，關於度量衡目標設計-度量衡配方之組合來演算關於準確度效能之參數。在一實施例中，準確度效能參數包含經量測資料與用以擬合經量測資料之數學模型之間的殘差。基於來自資料837之經判定度量衡目標效能，手動地或藉由自動化程序選擇一或多個度量衡目標設計及關聯一或多個度量衡配方。在一實施例中，根據個別地一或多個效能參數(該等效能參數自身可自複數個效能參數導出，例如，效能參數之加權組合)及/或根據效能參數之組合而將度量衡目標設計及度量衡配方之組合排名(例如，對兩個或兩個以上效能參數而將度量衡目標設計及度量衡配方之組合分離地排名或基於兩個或兩個以上效能參數之組合而將度量衡目標設計及度量衡配方之組合排名)。在一實 施例中，可在使用者介面(例如，圖形使用者介面)中呈現度量衡目標設計及度量衡配方之組合之排名。在一實施例中，若度量衡目標設計及度量衡配方之一或多個組合超過臨限值，則可自動地選擇度量衡目標設計及度量衡配方之該一或多個組合。此等度量衡目標設計及度量衡配方可接著表示準備好考慮用於HVM的一或多個度量衡目標設計-度量衡配方組合，且因此，可在860處視情況與關聯效能一起被輸出。在一實施例中，使用者或軟體可選擇具有(例如)良好目標效能之一或多個候選「參考點」(POR)度量衡目標設計。在847處輸出一或多個POR度量衡目標設計及關聯度量衡配方且視情況輸出關聯效能。

在一實施例中，可與步驟845相關聯地應用上文所描述之回饋及前饋(例如，步驟819、827、829及/或834)。

在850處，使845處之一或多個POR度量衡目標設計形成於使用器件製造程序而處理之複數個基板上，且接著運用複數個檢測設備使用用於檢測設備間匹配的POR度量衡目標設計之關聯一或多個度量衡配方來量測該一或多個POR度量衡目標設計。此步驟大體上對應於步驟700、705及710。如上文所提及，若(例如)多個檢測設備用以在器件製造程序中量測度量衡目標或在相比於在HVM中之不同的檢測設備用於開發的情況下，將應用此資料收集。資料收集可為基板上之全部、實質上全部或大部分目標之較綜合性分析。輸出852將為(例如)用於複數個度量衡目標設計中之每一者之疊對資料。且對於每一度量衡目標設計，將存在用於複數個檢測設備之資料。

基於資料852，可判定用於各別檢測設備之適用校正，(例如)以縮減或最小化855處之殘差。另外或替代地，在855處評估檢測設備之間的匹配效能。舉例而言，可自資料852導出一或多個參數以針對基板之(視情況)所有層或複數個層評估用於橫越檢測設備中之每一者之度量衡目標設計-度量衡配方組合之效能的匹配。此步驟大體上對應 於步驟715、720、725及730。舉例而言，若度量衡目標設計及度量衡配方之一或多個組合相比於一或多個其他組合對檢測設備集體更佳地執行，則可選擇彼等組合用於HVM。基於來自資料837之經判定匹配效能，可手動地或藉由自動化程序選擇一或多個度量衡目標設計及關聯一或多個度量衡配方。在一實施例中，根據個別地一或多個效能參數(該等效能參數自身可自複數個效能參數導出，例如，效能參數之加權組合)及/或根據效能參數之組合而將度量衡目標設計及度量衡配方之組合排名(例如，對兩個或兩個以上效能參數而將度量衡目標設計及度量衡配方之組合分離地排名或基於兩個或兩個以上效能參數之組合而將度量衡目標設計及度量衡配方之組合排名)。在一實施例中，可在使用者介面(例如，圖形使用者介面)中呈現度量衡目標設計及度量衡配方之組合之排名。在一實施例中，若度量衡目標設計及度量衡配方之一或多個組合超過臨限值，則可自動地選擇度量衡目標設計及度量衡配方之該一或多個組合。選定一或多個POR度量衡目標設計-度量衡配方組合可接著表示準備好用於HVM之一或多個度量衡目標設計-度量衡配方組合，且因此，可在860處視情況與關聯效能一起被輸出。

因此，在一實施例中，提供一方法，其包含：執行模擬以評估複數個度量衡目標及/或用以量測度量衡目標之複數個度量衡配方；自經評估複數個度量衡目標及/或配方識別一或多個度量衡目標及/或配方；接收一或多個經識別度量衡目標及/或配方之量測資料；及使用量測資料以調節模擬之度量衡目標參數及/或度量衡配方參數。在一實施例中，度量衡目標參數或度量衡配方參數之調節使經識別度量衡目標及/或配方對形成或量測經識別度量衡目標之程序中之變化更穩固，對形成供經識別配方使用之度量衡目標之程序中之變化更穩固，或對使用經識別度量衡配方之量測之程序中之變化更穩固。在一 實施例中，量測資料包含表示度量衡目標之結構之歸因於程序可變性之變化的參數。在一實施例中，參數表示存在於度量衡目標之結構中之不對稱性之量度。在一實施例中，量測資料包含在結構之處理及/或該結構上方之層之施加之不同階段的量測。在一實施例中，該方法進一步包含變化結構之處理之屬性。在一實施例中，處理之屬性包含選自如下各者中之一或多者：層之光學屬性、材料厚度、拋光參數及/或蝕刻參數。在一實施例中，度量衡目標之週期性結構為度量衡目標之下部週期性結構，且量測資料係關於該下部週期性結構，而在量測資料之獲取時度量衡目標之上部週期性結構不位於該下部週期性結構上方。在一實施例中，量測資料包含度量衡目標之參數對量測光束波長之經量測敏感度。在一實施例中，該方法進一步包含：使用量測資料以導出一參數；及使用該經導出參數調節度量衡目標參數或度量衡配方參數。在一實施例中，經導出參數包含選自如下各者中之一或多者：疊對、堆疊敏感度、目標係數、不對稱性及/或繞射效率。在一實施例中，該方法進一步包含基於量測資料自經識別一或多個度量衡目標及/或度量衡配方選擇一或多個度量衡目標及/或度量衡配方。在一實施例中，該方法進一步包含：基於度量衡目標參數或度量衡配方參數之調節而執行模擬；及基於自模擬之經識別之一或多個新或變化度量衡目標及/或度量衡配方之量測資料及/或基於一效能參數而自經識別一或多個度量衡目標及/或度量衡配方重新選擇一或多個度量衡目標及/或度量衡配方，該效能參數係基於度量衡目標參數或度量衡配方參數之調節予以判定。在一實施例中，該重新選擇係基於效能參數，且效能參數包含選自如下各者中之一或多者：疊對、堆疊敏感度、目標係數、不對稱性及/或繞射效率。

在一實施例中，提供一方法，其包含：接收複數個不同度量衡目標之量測資料，每一度量衡目標係在複數個度量衡配方下經量測； 及使用量測資料以驗證用以評估複數個度量衡目標及/或用以量測度量衡目標的複數個度量衡配方之模擬之一或多個參數。在一實施例中，該方法進一步包含基於量測資料改變一或多個參數。在一實施例中，一或多個參數表示用以形成度量衡目標之程序之一或多個參數。在一實施例中，用以形成度量衡目標之程序之一或多個參數包含選自如下各者中之一或多者：層之光學屬性、材料厚度、拋光參數及/或蝕刻參數。在一實施例中，模擬使用量測資料以最佳化度量衡目標及/或度量衡配方。在一實施例中，量測資料包含度量衡目標之參數對量測光束波長之經量測敏感度。在一實施例中，該方法進一步包含基於量測資料自經評估一或多個度量衡目標及/或度量衡配方選擇一或多個度量衡目標及/或度量衡配方。在一實施例中，該方法進一步包含：基於所改變之一或多個參數執行模擬；及基於自模擬之經評估之一或多個新或變化度量衡目標及/或度量衡配方之量測資料及/或基於一效能參數而自經評估一或多個度量衡目標及/或度量衡配方重新選擇一或多個度量衡目標及/或度量衡配方，該效能參數係基於所改變之該一或多個參數予以判定。在一實施例中，重新選擇係基於效能參數，且效能參數包含選自如下各者中之一或多者：疊對、堆疊敏感度、目標係數、不對稱性及/或繞射效率。

在一實施例中，提供一方法，其包含：在考量預期程序條件的情況下模擬複數個度量衡目標及/或複數個度量衡配方；自經模擬複數個度量衡目標及/或配方識別一或多個度量衡目標及/或配方；接收經識別之一或多個度量衡目標及/或配方之量測資料；及使用量測資料以驗證預期程序條件。在一實施例中，該方法進一步包含：若預期程序條件或預期資料與分別經量測程序條件或經量測資料之間的差越過臨限值，則使用該預期程序條件之變化重新執行模擬且重新執行識別。在一實施例中，在圍繞預期或經量測處理條件之一處理條件範圍 下進行模擬。在一實施例中，該範圍係由使用者界定。在一實施例中，度量衡目標包含一下部目標部分且包含配置於該下部目標部分與檢測設備之間的層中之一上部目標部分，該檢測設備經組態以判定該上部目標部分與該下部目標部分之間的疊對值。在一實施例中，接收量測資料包含僅自下部目標部分接收量測資料。在一實施例中，該方法進一步包含：若預期程序條件或預期資料與分別經量測程序條件或經量測資料之間的差保持在一臨限值內，則基於效能選擇一或多個度量衡目標及/或配方。在一實施例中，使用效能指示符來判定效能，效能指示符包含選自如下各者中之一或多者：可偵測性、精度、產出率、準確度、繞射效率、不對稱性及/或對感測器假影之敏感度。在一實施例中，效能係基於若干效能指示符之間的平衡及/或效能指示符與檢測設備工具特性之間的平衡。在一實施例中，檢測設備工具特性包含表示檢測設備量測對感測器假影及/或雜散光之敏感度之參數。在一實施例中，程序條件包含選自如下各者中之一或多者：層之光學屬性、材料厚度、拋光參數、蝕刻參數、處理層之折射率、處理層之吸收率、處理層之厚度、層中之變化、檢測設備之特性、檢測設備之設定、由檢測設備使用之量測光束波長、微影設備之特性，及/或對準策略。

在一實施例中，提供一方法，其包含：執行模擬以評估複數個度量衡目標及/或用以量測度量衡目標之複數個度量衡配方；及判定表示該等度量衡目標及/或度量衡配方中之一或多者之效能之參數；自該經評估複數個度量衡目標及/或度量衡配方識別一或多個度量衡目標及/或度量衡配方；接收該一或多個經識別度量衡目標及/或度量衡配方之量測資料；及基於該量測資料及該參數自該經識別一或多個度量衡目標及/或度量衡配方選擇一或多個度量衡目標及/或度量衡配方。在一實施例中，該方法進一步包含：使用量測資料以調節模擬之 度量衡目標參數或度量衡配方參數；及基於度量衡目標參數或度量衡配方參數之調節而執行模擬以判定表示效能之參數。在一實施例中，基於度量衡目標參數或度量衡配方參數之調節而執行模擬包含評估一或多個新或變化度量衡目標及/或度量衡配方，方法進一步包含接收該一或多個新或變化度量衡目標及/或度量衡配方之量測資料，且該選擇包含基於效能參數及一或多個新或變化度量衡目標及/或度量衡配方之量測資料進行選擇。在一實施例中，表示效能之參數包含選自如下各者中之一或多者：疊對影響、堆疊敏感度、程序變化穩固性、目標係數、不對稱性及/或繞射效率。

在一實施例中，提供一方法，其包含：執行模擬以評估複數個度量衡目標及用以量測度量衡目標之複數個度量衡配方；自該經評估複數個度量衡目標及度量衡配方識別度量衡目標及度量衡配方之一或多個組合；基於來自該經識別一或多個組合的該一或多個度量衡配方將用於來自該經識別一或多個組合的該一或多個度量衡目標之複數個度量衡配方公式化；及自該經識別一或多個組合接收使用經公式化之該複數個度量衡配方而量測的該一或多個度量衡目標之量測資料。在一實施例中，方法進一步包含：基於量測資料自來自該經識別一或多個組合之該一或多個度量衡目標選擇一或多個度量衡目標。在一實施例中，該經公式化複數個度量衡配方包含來自該經識別一或多個組合之一或多個度量衡配方。在一實施例中，來自該經識別一或多個組合之該一或多個度量衡配方包含一參數，且該經公式化複數個度量衡配方包含參數值在來自該經識別一或多個組合之該一或多個度量衡配方之參數值之某一範圍內的度量衡配方。

在一實施例中，度量衡目標設計/度量衡目標配方模擬、評估及/或選擇可考量繞射效率(DE)、或自繞射效率導出之參數，作為一額外或替代參數(例如，作為排名參數或作為演算參數(例如，乘法因 數))。繞射效率參數表示由目標朝向偵測器重新導向(例如，繞射)之輻射之一定比例。因此，繞射效率可用以(例如)幫助區分應量測之輻射與量測程序中之雜散輻射。較高DE可意謂(例如)為了達成量測之較短積分時間。作為另一實例，較高DE可意謂對檢測設備感測器假影之較小敏感度。因此，舉例而言，度量衡目標設計具有可比較之目標係數，但相比於具有在較低DE下之目標係數之度量衡目標設計而偏好具有在較高DE下之目標係數之度量衡目標設計。在一實施例中，臨限值可與繞射效率參數相關聯，例如，繞射效率必須超過之臨限值。

因此，在一實施例中，提供一方法，其包含：藉由模擬或相對於經量測資料而評估複數個度量衡目標及/或用以量測度量衡目標之複數個度量衡配方；及自該經評估複數個度量衡目標及/或配方識別使繞射效率或自繞射效率導出之參數越過一臨限值之一或多個度量衡目標及/或配方。在一實施例中，度量衡配方包含量測光束波長及/或量測光束偏振。

在一實施例中，度量衡目標設計/度量衡目標配方模擬、評估及/或選擇可考量檢測設備特定參數或自該檢測設備特定參數導出之一參數，作為額外或替代參數(例如，作為排名參數或作為演算參數(例如，乘法因數))。檢測設備特定參數可特定用於一個別檢測設備、特定用於個別檢測設備之一特定群組，或特定用於檢測設備之一類型。檢測設備特定參數區分適用於檢測(且因此通常適用於所有檢測設備)之通用參數，諸如，波長選擇、偏振選擇，等等。但檢測設備特定參數可具有與一或多個此類通用參數相關聯之檢測設備特定的可變性。在一實施例中，檢測設備特定參數包含相依於檢測設備之量測光束波長。在一實施例中，檢測設備特定屬性包含表示檢測設備量測對感測器假影及/或雜散光之敏感度之參數。在一實施例中，檢測設備特定 屬性包含檢測設備之感測器之特性或敏感度。在一實施例中，檢測設備特定參數包含表示檢測設備假影或雜散光對量測光束波長之相依性之參數。此參數可涉及表示檢測設備假影對量測光束波長之相依性的資料之數學函數或收集。在一實施例中，資料之函數或收集可為依據量測光束波長值而變化的檢測設備感測器背景雜訊或強度之表示。一般而言，檢測設備可在較高量測光束波長下具有較高感測器假影量。因此，舉例而言，度量衡目標設計具有可比較之堆疊敏感度，但相比於具有在較高量測光束波長下之堆疊敏感度之度量衡目標設計而偏好具有在較低量測光束波長下之堆疊敏感度之度量衡目標設計。在一實施例中，臨限值可與檢測設備特定參數相關聯，例如，檢測設備特定參數應或必須超過或應或必須保持低於之臨限值(例如，在參數表示檢測設備假影對量測光束波長之相依性的情況下，臨限值可為量測光束波長限度)。

因此，在一實施例中，提供一方法，其包含：藉由模擬或相對於經量測資料而評估複數個度量衡目標及/或用以量測度量衡目標之複數個度量衡配方；及自該經評估複數個度量衡目標及/或配方識別使一量測設備屬性或自該量測設備屬性導出之一參數越過一臨限值之一或多個度量衡目標及/或配方。在一實施例中，量測設備屬性包含量測設備之量測光束波長相依性。在一實施例中，量測設備屬性包含與量測設備之量測光束波長相依性相關聯之乘法因數。在一實施例中，量測設備屬性包含表示相對於量測光束波長之量測設備之背景強度的函數或資料。在一實施例中，度量衡配方包含量測光束波長及/或量測光束偏振。在一實施例中，量測設備屬性包含量測設備之感測器之特性或敏感度。在一實施例中，量測設備屬性包含檢測設備之雜散光或感測器假影對量測光束波長之相依性。

一旦已選擇一或多個度量衡目標設計及關聯一或多個度量衡配 方用於HVM，度量衡程序就經組態以使能夠進行基板上之該一或多個度量衡目標之量測以用於器件製造程序之監視及控制。大體上關於步驟340描述此情形。如上文所提及，量測用於每一批次之每一基板之每一度量衡目標可過於耗時。另外，有可能使用適當經參數化之一或多個量測資料數學模型(亦即，具有適當所決定及所界定參數及其值(在適用時)以擬合資料(例如，以數學地指定及模型化資料)之數學模型)來模型化度量衡目標之量測結果。因此，可建立量測資料數學模型及/或量測取樣方案以用於量測一或多個度量衡目標。

因此，在一實施例中，提供一應用，該應用係基於：經曝光基板之量測判定用於隨後經曝光之基板之一或多個設定。但量測不可避免地不確定(例如，被雜訊污染)及/或不可避免地並未由數學模型完全擬合。另外，在自對先前基板之量測至用於未來基板之設定之流程中，可存在不確定度之其他來源。另外，可存在經量測資料之系統性變化。因此，提供考量系統性變化及不確定度以達成可縮減不確定度之設定之方法。

圖9示意性地描繪量測資料數學模型及取樣方案評估之實施例的流程圖。圖9之方法中之分析通常將按層及按器件製造程序(包括用於一器件製造程序中之不同器件圖案)進行。在一實施例中，該方法可在存在在考慮中之各種不同層、器件製造程序等等的情況下執行並行處理。

在900處，獲得各種預備資料且執行一些選用預備資料處理。在905處，獲得或接收來自運用一或多個度量衡目標設計而圖案化且在該一或多個度量衡目標設計之關聯一或多個度量衡配方下運用一檢測設備而量測的一或多個基板(理想地，複數個基板)之量測結果。在一實施例中，此等結果係來自曝光於基板上的全部、幾乎全部或至少大部分目標。在一實施例中，量測資料係來自經密集量測之一個基板批 次。使用一個批次會幫助避免批次間變化，但該批次內之基板間變化繼續存在。舉例而言，在一實施例中，可存在來自一批次20個或更多基板之每一基板上之多於2000個點的資料。可將該資料轉換成對應於基板之佈局之映像。在一實施例中，該量測資料包含如下各者中之一或多者：疊對資料、疊對誤差資料、對準資料、臨界尺寸資料(例如，臨界尺寸均一性資料)及/或焦點資料。

在910處，可視情況處理來自905之量測資料以取消可已應用於用以量測來自905之資料之檢測設備中及/或已應用於用以處理對應於來自905之資料之基板之器件製造程序中的校正。

在920處，提供供考慮之一或多個量測資料數學模型，該一或多個量測資料數學模型可(例如)為了量測資料而判定或指定。舉例而言，可存在量測資料數學模型之集合，且可評估每一量測資料數學模型，如下文中所論述。數學模型可界定一旦經參數化就擬合資料之基底函數之集合。在一實施例中，該集合之一或多個量測資料數學模型(其可為該集合中之所有量測數學資料模型)可藉由數學評估而判定為用於資料之可能擬合(例如，相對緊密擬合)(例如，資料之「指紋」與該集合之一或多個量測資料數學模型粗略地或緊密地匹配)。在一實施例中，使用者可指定供進一步考慮的集合之一或多個量測資料數學模型(如下文中所論述)，而不管彼量測資料數學模型是否被判定為擬合。舉例而言，介面(諸如，圖形使用者介面)可允許使用者指定供考慮之量測數學資料模型。在一實施例中，判定或指定供進一步評估之複數個量測數學資料模型(如下文中所論述)，理想地，儘可能多的擬合量測資料之可行的模型。在一實施例中，數學模型可經調節以與指紋匹配以實現最佳雜訊抑制(例如，消除冗餘階或縮減高階之使用)。

在925處，指定一或多個檢測設備產出率模型。在一實施例中，檢測設備產出率模型指定(例如)每單位時間量測之基板之數目、每單 位時間量測之目標或點之數目，或表示基板上之目標之量測之產出率的其他量度。在一實施例中，檢測產出率模型可指定基板上之目標之部位及/或目標之間的距離、量測場大小、待量測之目標上之點之數目、基板及/或光束掃描速度、基板在檢測設備中之裝載時間、基板在檢測設備中之對準時間、基板在檢測設備中之重新定位時間、在檢測設備中之量測位置內定位量測目標之時間、自檢測設備中之量測目標擷取量測資料之時間，等等，該資料可用以達成量測產出率。檢測設備產出率模型可為將准許改變變數之複雜數學公式，如進一步所描述。在一實施例中，使用者可指定產出率臨限值，例如，需要之某一最小產出率。在一實施例中，各自表示一不同檢測設備的複數個檢測設備產出率模型經指定用於進一步評估，如下文中所論述。在一實施例中，可由使用者依據用於擬合中之參數而可組態數學模型。舉例而言，可向使用者呈現一或多個基底數學模型，且使用者可選擇或約束此等一或多個基底數學模型之哪一或多個參數用於擬合中。在一實施例中，數學模型可經參數化以用於器件製造程序之特定特徵或器件。舉例而言，數學模型可針對複數個基板台之一特定基板台(例如，在微影設備中)而參數化。作為一另外實例，數學模型可針對在曝光期間之一特定基板移動方向(例如，掃描方向)而參數化。

在930處，判定用於度量衡程序之一或多個取樣方案以用於進一步評估，如下文中所論述。在一實施例中，取樣方案可包括選自如下各者中之一或多個參數：每基板之樣本點之數目、每取樣批次之基板之數目；一批次或每取樣批次中之基板之數字指定；取樣之場之數目；基板上之經取樣場之佈局/部位；每一場中之位點之數目；場中之位點之部位；樣本之頻率；度量衡目標之類型；或量測演算法。

在一實施例中，基於一或多個產出率模型而判定一或多個取樣方案，例如，可符合產出率臨限值之取樣方案。在一實施例中，基於 產出率模型及量測數學資料模型而判定一或多個取樣方案。在一實施例中，基於產出率模型及/或量測資料數學模型而判定複數個取樣方案。舉例而言，經取樣點之數目受到可用量測時間限定。若(例如)檢測設備係在微影設備中或以另外方式與微影製造單元中之基板之處理一致，則總可用量測時間可藉由全批次之曝光時間予以判定。在可用時間之無論何種規範內，基板之數目及每基板點之數目之不同組合係可能的。每基板較多點導致經量測資料「指紋」之較詳細、但潛在雜訊較大之描述。較多基板與每基板較少點導致較強不確定度(例如，雜訊)平均化。因此，經取樣基板之數目及/或每取樣基板之點之數目之可能組合係經由檢測設備產出率模型予以判定。在一實施例中，可基於各自用於一不同檢測設備的複數個產出率模型判定取樣方案。

在一實施例中，樣本方案最佳化器模組可用以進一步判定用於數學模型及樣本點之數目(例如，經取樣基板之數目及/或每取樣基板之點之數目)之每一組合之一或多個態樣(例如，經取樣部位/目標之佈局)。舉例而言，樣本方案最佳化器可考量各種約束或限制，諸如，選擇為了避免不易變形晶粒而與基板之邊緣相隔經最小化距離之取樣部位。

在一實施例中，樣本方案最佳化器可至少部分地基於檢測設備之產出率模型而判定用於運用度量衡目標使用度量衡配方來量測資料之取樣方案。在一實施例中，取樣方案可進一步基於數學模型。樣本方案最佳化器可進一步基於量測資料及取樣方案而判定(例如，演算自身或自(例如)下文中所描述之步驟935及/或940獲得)評估參數。舉例而言，評估參數可包含一批次基板內之基板間變化、如下文中更詳細地論述之剩餘不確定度、如下文中更詳細地描述之剩餘系統性變化，等等。樣本方案最佳化器可接著判定評估參數是否越過一臨限值。且若評估參數經判定為越過該臨限值，則樣本方案最佳化器可至 少部分地基於產出率模型而改變取樣方案(例如，修改取樣方案使得取樣方案仍將符合產出率模型之一或多個準則)。樣本方案最佳化器可進一步在已改變取樣方案的情況下至少重新執行如下操作：基於量測資料及所改變取樣方案而判定評估參數，及判定基於量測資料及所改變取樣方案而判定之該評估參數是否越過一臨限值。

使用高階基底函數來擬合資料通常會引起對雜訊之敏感度增加。另一方面，隨著基底函數階增加，殘差將減低。因此，樣本方案最佳化器可考量此情形以達成樣本方案，以藉由通過成本函數進行平衡而與模型匹配，成本函數考慮縮減殘差但控制取樣以保持對雜訊之敏感度低之高階。舉例而言，樣本方案影響輸入雜訊之縮減、每批次可量測之基板之數目影響雜訊之縮減，及/或批次取樣影響輸出雜訊。因此，作為最佳化之部分，可使用各種不同樣本方案變體。舉例而言，可縮減每量測批次之基板之數目，及/或可縮減每基板經取樣部位之數目。作為一另外實例，可在場及/或基板之界限附近選擇較多量測點，此係因為基底函數可在此處「表現」「最雜亂」，且因此此處需要較多資訊。

在一實施例中，樣本方案最佳化器自潛在量測部位之集合選擇量測部位之最佳子集。因此，至樣本方案最佳化器之輸入可為可表示可供判定取樣方案之經量測資料及量測佈局之指紋的一或多個數學模型(例如，可在基板上量測之所有部位，例如，量測目標或處於或定位於之處)。自此輸入，樣本方案最佳化器可基於成本函數評估一或多個模型及量測佈局以達成涉及量測部位之子集(例如，量測之數目及/或特定部位)之一或多個取樣方案。成本函數可涉及縮減剩餘不確定度、獲得量測部位之均一分佈、縮減量測部位之叢集、縮減批次間變化、縮減基板間變化及/或獲得快速執行時間。在一實施例中，使用者可進一步強加一約束，例如，待量測之點之數目、所排除之某些 場或場內點、表示點之分佈之參數(例如，朝向中心之較多點或朝向邊緣之較多點)，等等。在一實施例中，樣本方案最佳化器可強加一約束，諸如，自不易變形晶粒進行之量測點之排除。另外，樣本方案最佳化器可使用產出率模型約束評估，使得一或多個樣本方案符合產出率模型之準則。樣本方案最佳化器之輸出為一或多個樣本方案。在一實施例中，樣本方案最佳化器可提供圖形使用者介面以實現輸入及約束。另外，圖形使用者介面可呈現樣本方案之圖形表示(例如，基板之圖解或圖片，其中量測部位之數目連同其部位一起以圖形方式被描繪)。圖形使用者介面亦可呈現關於取樣方案之效能資訊，諸如，剩餘不確定度(例如，針對不同方向)。

因此，樣本方案最佳化器可基於數學模型、可用佈局及產出率模型而在稀疏取樣方案與緻密取樣方案之間進行最佳化。稀疏取樣可具有最低可能剩餘不確定度(且因此，具有數學模型之穩固捕捉)，但可具有基板之不良覆蓋範圍及對於模型與指紋之間的失配之不良穩固性。另一方面，緻密取樣可具有大或廣泛變化之剩餘不確定度但可具有基板之良好覆蓋範圍、避免叢集，且具有對於模型與指紋之間的失配之良好穩固性。

在一實施例中，如上文所提及，使用者可指定對取樣方案之約束，例如，每基板樣本之最大數目、每取樣批次之基板之最大數目，等等。舉例而言，介面(諸如，圖形使用者介面)可允許使用者指定約束。在一實施例中，使用者可指定待評估之一或多個取樣方案。舉例而言，介面(諸如，圖形使用者介面)可向使用者呈現數個取樣方案以用於取樣方案中之一或多者或全部之選擇，及/或允許使用者添加供考慮之取樣方案。

在新器件圖案(及(因此)新量測資料)用於另外相同器件製造程序及相同層之實施例中，則可使用一或多個先前經判定模型(但對於新 量測資料而參數化)及取樣方案；因此，可不必新近判定一或多個數學模型或新近判定一或多個取樣方案。

在一實施例中，樣本方案最佳化器選擇對模型擬合程序最有資訊性之度量衡點部位(在給出某一模型的情況下)。同時，取樣方案最佳化演算法嘗試以均一方式定位選定度量衡點部位，使得平衡兩個物件。在一實施例中，取樣方案最佳化係以一系列潛在度量衡點部位之清單而輸入。接著，藉由選擇小數目個初始選定度量衡點部位而初始化取樣方案。應根據模型根據一或多個準則來選擇初始選定度量衡點部位。在一實施例中，此等選定度量衡點部位中之每一者可為定位於基板之有效區域之邊緣處且等角地分離之選定度量衡點部位。初始化步驟亦可包括界定圍繞每一選定度量衡點部位之排除區帶。在排除區帶外部之所有度量衡點部位為候選度量衡點部位，亦即，在未來反覆中「可選擇」。排除區帶可為圓形且以每一選定度量衡點部位為中心，亦即，一選定度量衡點部位之某一距離內之所有度量衡點部位可在排除區帶內。接著，評估所有候選度量衡點部位，亦即，不在排除區帶內之所有非選擇之度量衡點部位。對於每一候選度量衡點部位，其被演算出：在選擇彼度量衡點部位的情況下取樣方案之資訊性將多大程度地改良。用於評估中之準則可為D最佳化。初始排除區帶之大小應已經選擇成確保候選度量衡點部位之初始集合不過大。候選度量衡點部位之數目應為最終取樣方案之均一性、資訊性(例如，D最佳化)與演算法之速度之間的折衷。在評估所有候選度量衡點部位之後，接著將根據評估向取樣方案貢獻最多資訊的度量衡點部位添加至取樣方案。判定出取樣方案是否包含足夠的選定度量衡點部位。若是，則取樣方案準備好。若取樣方案不具有足夠選定度量衡點部位，則圍繞新近選定度量衡點部位添加排除區帶(其他選定度量衡點部位亦將具有排除區帶)。接著，判定出在維持資訊性與均一性之間的適 當平衡的同時是否剩餘供選擇之足夠數目個候選度量衡點部位。在一實施例中，若判定出存在過少候選度量衡點部位，則此可藉由收縮排除區帶來處理。可收縮針對此時在取樣方案中包含之所有選定度量衡點部位之排除區帶，或僅收縮針對此等選定度量衡點部位之子集之排除區帶。接著，判定是否剩餘供選擇之足夠數目個候選度量衡點部位，且(必要時)反覆重複收縮直至存在供完成取樣方案之足夠數目個候選度量衡點部位為止。當存在足夠數目個候選度量衡點部位時，重複候選度量衡點部位評估及後續步驟。在一實施例中，最佳化可判定用於不同基板之不同取樣方案。另外，不同基板之不同取樣方案可連接使得選定度量衡點部位以高度均一性遍及複數個基板而分佈；例如，遍及每批次基板而分佈。詳言之，取樣方案最佳化方法可使得已經選擇用於先前取樣方案(用於先前基板)之度量衡點部位未被選擇用於一批次內之後續取樣方案(用於後續基板)。以此方式，用於該批次基板之每一選定度量衡點部位係唯一的。在一實施例中，最佳化幫助確保對於每一個別基板，經正規化模型不確定度得以最小化：可以改良之精度判定所有參數值。藉由最小化量測中之變化具有對模型預測中之變化之影響來進行此最小化。

在935處，演算選定取樣方案下之量測資料與用於擬合量測資料之與選定數學模型之間的剩餘系統性變化。舉例而言，可針對結合每一數學模型之每一取樣方案演算剩餘系統性變化。

在基板之處理期間之各種系統性效應可判定程序之輸出中之系統性變化，且因此在量測結果中被反映為系統性變化(例如，系統性疊對變化)，其有時被稱作程序之指紋。指紋之部分(例如，統計上相關部分)係由所選擇之數學模型描述。但剩餘部分未由數學模型捕捉，而是仍為系統性的。此為剩餘系統性變化。在一實施例中，剩餘系統性變化包含遍及多個基板之量測資料之平均值與選定數學模型之 間的距離。在一實施例中，剩餘系統變化可考量平均值之統計(取樣)精度(例如，95%至90%之信賴區間)。精度係用以考量(例如)擬合過度、基板間變化及/或所使用之基板之數目。在一實施例中，精度可(例如)在0.1奈米至0.8奈米之範圍內，例如，約0.5奈米。

關於在器件製造程序中處理之某些基板之剩餘系統性變化可對用於該等基板之處理中之特定子程序或器件係特定的。舉例而言，在器件製造程序中關於基板之剩餘系統性變化可進一步關於用以處理該等基板之一或多個基板台、一或多個蝕刻腔室等等經指定，此係因為基板在器件製造程序之每一反覆中可不藉由同一基板台、蝕刻腔室等等處理，且可存在由不同基板台、蝕刻腔室等等造成之系統性效應(及因此，指紋)之變化。另外，剩餘系統性變化可針對批次經指定，此係因為可存在批次間系統性效應差。

在一實施例中，剩餘系統性變化包含為了監視器件製造程序而量測之單一基板內之剩餘系統性變化，或為了監視器件製造程序而量測之複數個基板當中之基板間剩餘系統性變化。

在940處，演算在選定取樣方案及用於擬合量測資料之選定數學模型下之擬合量測資料的數學模型之剩餘不確定度(例如，剩餘雜訊)。舉例而言，類似於剩餘系統性變化，可針對結合每一數學模型之每一取樣方案演算剩餘不確定度。

在基板之處理期間之各種效應(例如，量測雜訊、隨機變化等等)可判定程序之輸出中之不確定度，且因此，在量測結果中被反映為不確定度(例如，雜訊)。另外，採取量測及量測之數學模型化之方式可歸因於量測中之雜訊而不精確且至少部分地變化。因此，程序不確定度之部分可由所選擇之數學模型描述。但不確定度剩餘部分未由數學模型捕捉。此剩餘部分為剩餘不確定度。在一實施例中，剩餘不確定度包含對量測資料之選定擬合數學模型之不確定度之估計。在一實施 例中，可藉由演算對每基板(基板對)子取樣資料之選定數學模型擬合且判定遍及緻密柵格(例如，全量測柵格)上之所有基板(基板對)之擬合結果的評估之變化而判定剩餘不確定度。在一實施例中，起源於基板不確定度(例如，雜訊)輸入內之剩餘不確定度之部分可使用數學模型之雜訊傳播及該基板不確定度(例如，雜訊)輸入內之量度來計算。

在一實施例中，剩餘不確定度可包含在基板內所指定之剩餘不確定度。在一實施例中，可藉由演算平均基板(例如，每基板台)、針對每一基板演算相對於對應平均基板之殘差且接著(例如，每基板台)將所有經判定殘差視為一群體且演算3均方偏差值來判定基板內剩餘不確定度之估計。為了檢查此估計，可視情況在不同方向上比較3均方偏差值與一限度。舉例而言，良好估計可為：其中3均方偏差值小於或等於某一量，例如，3均方偏差值在x及/或y方向上小於或等於2.5奈米。另一檢查可為3均方偏差值之分佈是否為高斯。另一檢查可為堆疊疊對之標繪圖是否展示極小或無系統性變化/指紋。另一檢查可為每橫越基板之位置之3均方偏差值之標繪圖是否實質上均一。為了改良剩餘不確定度值(藉由自該值移除系統性效應)，可每基板數學地模型化該資料。接著，自個別殘差基板之值減去平均殘差基板之值，而非自基板之原始值減去平均殘差基板之值。藉由進行此操作，可縮減或消除系統性變化。相似地，在一個基板內，可模型化場，此後自個別殘差場之值減去平均殘差場之值。

在一實施例中，剩餘不確定度可包含模型不確定度或經正規化模型不確定度。當雜訊存在於資料中時，可取決於雜訊之性質、所使用之量測(例如，取樣)方案等等以不同方式模型化資料。因此，模型不確定度提供關於使用有雜訊量測之給定度量衡方案估計數學模型之參數時之該數學模型之雜訊敏感度的量度。因此，模型不確定度可被解譯為自存在於量測中之雜訊對模型經預測值之變化之雜訊放大/抑 制因數。模型不確定度係依據所使用之數學模型、量測點之部位、模型經評估(內插、外插)之部位及經量測基板之數目而變化。經正規化模型不確定度(NMU)為模型不確定度之無單位版本且並不依據雜訊位準而改變。NMU<1暗示雜訊抑制且NMU>1暗示雜訊放大。因此，經正規化模型不確定度指示根據量測中之雜訊之量而按比例調整之經模型化值的變化之量。低NMU(<1)幫助確保取樣方案-數學模型組合將導致一致擬合，亦即，對雜訊穩固之擬合(但不可保證該模型將準確描述實際量測)。在一實施例中，為了良好雜訊抑制，最大NMU應小於0.6、小於0.5、小於0.4或小於0.3。基板內雜訊(例如，3均方偏差值)與NMU之乘積係在以基板內雜訊為基礎之輸出雜訊(例如，剩餘雜訊)內。其為理論輸出雜訊，且為展示所選擇模型及所使用樣本方案之效應之指示符。因此，在一實施例中，取樣方案最佳化器可最佳化以縮減或最小化NMU，且接著進一步用於鑒於經量測資料之一或多個數學模型及取樣方案之評估中的剩餘不確定度可藉由使適用NMU值與經量測資料之基板內雜訊(例如，3均方偏差值)相乘予以判定。

在一實施例中，剩餘不確定度可包含基板間變化。可藉由(例如)演算橫越用於複數個基板之經量測資料之數學模型的平均3均方偏差基板間變化來判定此剩餘不確定度。由結合基板間變化之基板內雜訊引起之輸出雜訊之演算可藉由運用選定數目個點對每一基板進行取樣予以執行。接著將每基板(或每基板及特定基板台之組合)選定模型與資料擬合。評估關於完整量測佈局之所獲得之模型參數值。接著演算每基板上位置之標準偏差。接著，可遍及所有位置將每位置所得標準偏差平均化。

在一實施例中，剩餘不確定度可包含批次間變化，其中使用來自多個批次之資料。

關於在器件製造程序中處理之某些基板之剩餘不確定度可對用 於該等基板之處理中之特定子程序或器件係特定的。舉例而言，在器件製造程序中關於基板之剩餘不確定度可進一步關於用以處理該等基板之一或多個基板台、一或多個蝕刻腔室等等經指定，此係因為基板在器件製造程序之每一反覆中可不藉由同一基板台、蝕刻腔室等等處理，且可存在(例如)由不同基板台、蝕刻腔室等等造成之雜訊之變化。另外，剩餘不確定度可針對批次經指定，此係因為可存在批次間不確定度差。

在945處，可提供930、935及940之結果之各種標繪。此等標繪可包括製備曲線圖、資料圖表、遍及一基板之資料之映像，等等。

在950處，提供資料之分析，以及進行結果及所平衡建議之呈現。在955處，關於一或多個評估參數、對照橫越一基板之量測資料而評估用於擬合經量測資料之一或多個數學模型及用於量測資料之一或多個量測取樣方案。在一實施例中，一或多個評估參數包含表示擬合經量測資料之數學模型之剩餘不確定度的參數。在一實施例中，一或多個評估參數包含表示經量測資料與擬合經量測資料之數學模型之間的剩餘系統性變化之參數。在一實施例中，一或多個評估參數包含第一評估參數及第二不同評估參數。在一實施例中，第一評估參數包含表示擬合經量測資料之數學模型之剩餘不確定度之參數，及/或第二評估參數包含表示經量測資料與擬合經量測資料之數學模型之間的剩餘系統性變化之參數。在一實施例中，第一評估參數及第二評估參數可一起組合為一總數。

接著，識別使評估參數越過一臨限值(例如，超過一特定值、超過另一數學模型及/或取樣方案之值等等)之一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案(在經評估一或多個數學模型及量測取樣方案中)。舉例而言，手動地或藉由自動化程序選擇一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案。可提供一或多個導引、限定、臨限值、圖 表及/或表以促進一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案之選擇。舉例而言，可提供經評估一或多個數學模型及/或量測取樣方案之排名。手動或自動化準則可接著為某數目個最高排名數學模型及/或量測取樣方案之選擇。排名可基於單一效能參數、基於效能參數之組合，或效能參數之加權組合，等等。一另外手動或自動化準則可為超過用於一評估參數之某一臨限值之一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案之選擇(視情況在彼等一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案超過或不超過另一臨限值的情況下)。舉例而言，手動或自動化準則可為相對於使資料之指紋(剩餘系統性變化)關於雜訊抑制(剩餘不確定度)匹配的數學模型及/或量測取樣方案之評估；舉例而言，合適數學模型及/或取樣方案可為具有與雜訊抑制能力保持平衡之模型之指紋捕捉能力的數學模型及/或取樣方案。作為另一實例，若剩餘不確定度不低於某一值，則可排除一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案(例如，若NMU>0.6，則排除一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案)。作為另一實例，若剩餘系統性變化高於某一值，則可排除一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案(例如，若剩餘系統性變化>1奈米至5奈米，例如，為1奈米、1.5奈米、2奈米、2.5奈米、3奈米、3.5奈米、4奈米、4.5奈米或5奈米，則排除一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案)。

在一實施例中，結果可包含對於每一經評估數學模型(例如，複數個數學模型)之相對於經評估一或多個取樣方案(例如，複數個取樣方案，諸如，每取樣基板之點之數目)之評估參數之評估。作為一實例，結果可為對於複數個數學模型中之每一者之相對於每取樣基板之數個點(或其他取樣方案)的剩餘不確定度參數值之評估。在一實施例中，可用曲線圖表示彼等結果。在一實施例中，可相對於一臨限值統計上分析或以其他方式評估彼等結果，(例如)以向使用者提供關於該 等結果之建議。作為一實例，可評估結果以識別具有評估參數之最大值或最小值(或在30%內之值、在20%內之值、在15%內之值、在10%內之值，或在5%內之值)且視情況在適當時在相對於最大值或最小值之最高至最低排名的數學模型及取樣方案之一或多個組合。作為一另外實例，可評估結果以識別具有結合取樣方案之良好(例如，高)產出率值之評估參數之良好值(例如，高或低)的組合之數學模型及取樣方案之一或多個組合。因此，可選擇不具有評估參數之最佳值之數學模型及取樣方案之組合，此係因為其具有較佳產出率。可使用適當成本函數(使用(例如)加權)。

在一實施例中，基於用以量測目標之檢測設備之產出率模型而設計經評估一或多個取樣方案，或相對於用以量測目標之檢測設備之產出率模型而確認經評估一或多個取樣方案。因此，軟體使能夠至少部分地基於檢測設備之產出率模型而判定一取樣方案及/或一數學模型，以藉由判定該取樣方案及該數學模型而監視微影程序中之程序步驟。因此，在上文關於針對複數個數學模型中之每一者之相對於每取樣基板之數個點(或其他取樣方案)之剩餘不確定度參數值的評估之結果而呈現的實例之狀況下，軟體可識別或評估將滿足檢測設備之產出率模型的每基板之彼等特別特定數目個點(或其他特定取樣方案)。因此，可向使用者呈現滿足產出率模型之數學模型及取樣之特定組合，且此外，向使用者呈現獲得用於某些特性之最佳效能的彼等特定組合或關於選擇獲得用於某些特性之最佳效能的特定組合之資訊(諸如，資料之指紋之良好匹配與良好雜訊抑制)。

在所平衡建議之一實施例中，使用平均基板之統計精度之量度(亦即，將其用作用於判定剩餘系統性變化之輸入)，其中警告限幫助使用者識別關於度量衡目標/度量衡配方/取樣方案/數學模型之潛在問題。

在所平衡建議之一另外實施例中，使用用於橫越基板之基板間變化之一或多個KPI，其中警告限幫助使用者識別關於度量衡目標/度量衡配方/取樣方案/數學模型之潛在問題。舉例而言，軟體可建議使用者實施對於取樣方案之邊緣排除(亦即，防止基板之邊緣附近之區域之取樣，其中用以識別此問題之KPI可為橫越基板之基板間標準偏差之最大值)，指示基板位階校正之潛在益處(其中用以識別此問題之KPI可為橫越基板之標準偏差之展度)或識別關於經量測資料之總雜訊位準之潛在問題(其中用以識別此問題之KPI可為橫越基板之標準偏差之平均值)。

在960處，可向使用者提供關於關鍵效能指示符(KPI)之導引。在一實施例中，可判定用於評估之關鍵效能指示符及/或關鍵效能指示符之限度。舉例而言，可識別一或多個KPI，且可判定與該等KPI相關聯之一或多個臨限值以使能夠程序控制。舉例而言，平均值、標準偏差、變化等等可經識別為KPI，且臨限值(例如，不會超過之值、不會變低之值等等)可經判定以使能夠進行程序之控制。軟體可鑒於(例如)經量測資料或模擬而分析各種KPI以識別在統計上對適用數學模型/取樣方案組合有意義的一或多個選定KPI。相似地，軟體可相對於(例如)經量測資料或模擬分析一或多個選定KPI，以識別用於該一或多個選定KPI之一或多個統計上有意義的臨限值。舉例而言，軟體可識別平均疊對作為用於一特定疊對度量衡目標/配方/模型/取樣方案組合之有意義的KPI，且進一步識別與彼KPI相關聯之最大值以供在程序控制期間使用。因此，若(例如)使用特定疊對度量衡目標/配方/模型/取樣方案組合之器件製造程序中之疊對漂移高於平均疊對KPI之最大值，則該器件製造程序之控制可採取適當動作，諸如，重工、判定對器件製造程序之改變及/或將改變應用於器件製造程序(例如，改變微影設備參數、改變蝕刻參數等等)、停止器件製造程序等等。

另外，在一實施例中，在960處，使用者可能夠深度探討經量測資料且深度探討與一或多個數學模型、一或多個取樣方案、一或多個度量衡目標設計、一或多個度量衡配方及/或一或多個KPI相關聯之資料(經量測或所導出資料)。舉例而言，軟體之圖形使用者介面可向使用者呈現如上文所描述之結果，且彼等結果可具有供檢視之一或多個鏈路，例如，經量測資料之細節(例如，展示(例如)疊對結果之分佈的基板之圖解或圖片)、取樣方案之細節(例如，展示若干場處之取樣點之部位及/或展示場內部位之一或多個場之部位的基板之圖解或圖片)、數學模型之細節(例如，模型之類型、基底函數、參數值等等)、一或多個KPI之細節(例如，用於不同方向之值，等等)。深度探討之資料可呈現於不同螢幕上、呈現為重疊窗等等。在一實施例中，使用者可選擇KPI供檢閱及/或設定關於KPI之使用者界定臨限值，且使用該KPI及/或該使用者界定臨限值來深度探討資料(例如，經量測資料、取樣方案、數學模型等等)。

在965處，可輸出準備好供考慮用於HVM的一或多個度量衡目標設計-度量衡配方組合(視情況與關聯效能一起)。另外，可輸出一或多個關聯數學模型及一或多個關-聯取樣方案(視情況與關聯效能一起)。

一旦已判定用於選定一或多個度量衡目標及關聯一或多個度量衡配方之一或多個數學模型及/或一或多個取樣方案，就可需要在實施至HVM中之前驗證該一或多個數學模型及/或該一或多個取樣方案預期動態效能。圖10示意性地描繪驗證預期效能之方法之實施例的流程圖。

在1000處，獲得各種預備資料且執行一些選用預備資料處理。在1005處，獲得或接收來自運用一或多個度量衡目標設計而圖案化且在該一或多個度量衡目標設計之關聯一或多個度量衡配方下運用檢測 設備而量測且在關聯一或多個取樣方案下取樣的一或多個基板(理想地，複數個基板)之量測結果。在一實施例中，量測資料係來自複數批基板。舉例而言，在一實施例中，取樣方案可為針對一批次6個基板之每基板200個點，且可存在來自20個批次或更多批次之資料。因此，獲得用於複數批次之每一批次之複數個基板之經量測橫越基板之量測資料。可將該資料轉換成對應於基板之佈局之映像。在一實施例中，該量測資料包含如下各者中之一或多者：疊對資料、疊對誤差資料、對準資料、臨界尺寸資料、焦點資料及/或臨界尺寸均一性資料。

在1010處，可視情況處理來自1005之量測資料以取消可已應用於用以量測來自1005之資料之檢測設備中及/或已應用於用以處理對應於來自1005之資料之基板之器件製造程序中的校正。

在1015處，執行包括(例如)模擬之資料處理。在1020處，軟體可基於自用於複數個批次中之批次之特定子集的經量測資料導出之資料而判定校正。校正可為所估計校正。在一實施例中，校正包含用以曝光基板之微影設備之參數改變。可使用與選定一或多個取樣方案、一或多個度量衡目標及一或多個度量衡配方相關聯之一或多個數學模型來判定校正。在一實施例中，軟體評估用於特定批次之複數個基板之量測資料，以獲得用於量測資料之一或多個數學模型之參數之值，其中自經量測資料導出之資料包含該等參數之該等值。在一實施例中，可使用模擬器件製造及量測程序之模擬導出校正，例如，用於微影之影像/抗蝕劑模擬模型連同用於顯影、蝕刻等等之基板處理模擬模型及用於量測經模擬基板上之度量衡目標之模擬模型。

在1025處，軟體執行應用校正之模擬，以獲得用於後續批次之集合之經模擬量測資料。在一實施例中，該模擬模擬器件製造及量測程序，例如，用於微影之影像/抗蝕劑模擬模型連同用於顯影、蝕刻 等等之基板處理模擬模型及用於量測經模擬基板上之度量衡目標之模擬模型。可比較用於後續批次集合之經模擬量測資料與用於後續批次集合之經量測資料。

在1050處，可提供1020及1025之結果之各種標繪。此等標繪可包括製備曲線圖、資料圖表、遍及一基板之資料之映像，等等。

在1030處，提供資料之分析，以及進行結果及建議之呈現。在1035處，通過(例如)使用者介面呈現結果。舉例而言，結果可為描繪關於經量測度量衡目標/配方/模型/取樣方案組合及經模擬度量衡目標/配方/模型/取樣方案組合中之每一者的針對批次中之每一者之參數(諸如，疊對)之結果的曲線圖。可提供關於兩個不同方向(例如，X及Y方向)之曲線圖。該(該等)曲線圖將給出使用者來自(例如)965之度量衡目標/配方/模型/取樣方案組合之經良好預測效能如何與用於度量衡目標/配方/模型/取樣方案組合之經量測資料匹配之表示。

在1040處，可向使用者提供關於關鍵效能指示符(KPI)之導引。在一實施例中，可判定用於經模擬量測資料相對於經量測資料之評估的關鍵效能指示符及/或關鍵效能指示符之限度，及/或可判定用於評估之關鍵效能指示符及/或關鍵效能指示符之限度。舉例而言，可識別一或多個KPI，且可判定與該等KPI相關聯之一或多個臨限值以使能夠進行經量測結果與經模擬結果之間的驗證。舉例而言，平均值、標準偏差、變化等等可經識別為KPI，且臨限值(例如，不會超過之值、不會變低之值等等)可經判定以使能夠進行度量衡目標/配方/模型/取樣方案組合之驗證。舉例而言，若用於經量測及經模擬結果之平均值及/或標準偏差值不在彼此之某一量內，則可需要運用不同參數、不同參數值等等重新執行度量衡目標/配方/模型/取樣方案組合之判定。

另外或替代地，舉例而言，可識別一或多個KPI，且可判定與該 等KPI相關聯之一或多個臨限值以使能夠進行程序控制。舉例而言，平均值、標準偏差、變化等等可經識別為KPI，且臨限值(例如，不會超過之值、不會變低之值等等)可經判定以使能夠進行程序之控制。軟體可鑒於(例如)經量測資料或模擬而分析各種KPI以識別在統計上對度量衡目標/配方/模型/取樣方案組合有意義的一或多個選定KPI。相似地，軟體可相對於(例如)經量測資料或模擬分析一或多個選定KPI，以識別用於該一或多個選定KPI之一或多個統計上有意義的臨限值。舉例而言，軟體可識別平均疊對作為用於一特定疊對度量衡目標/配方/模型/取樣方案組合之有意義的KPI，且進一步識別與彼KPI相關聯之最大值以供在程序控制期間使用。因此，若(例如)使用特定疊對度量衡目標/配方/模型/取樣方案組合之器件製造程序中之疊對漂移高於平均疊對KPI之最大值，則該器件製造程序之控制可採取適當動作，諸如，重工、判定對器件製造程序之改變及/或將改變應用於器件製造程序(例如，改變微影設備參數、改變蝕刻參數等等)、停止器件製造程序等等。

在1045處，使用者或軟體可基於KPI及其臨限值選擇一或多個度量衡目標/配方/模型/取樣方案組合，例如，具有良好目標效能之彼等組合。可輸出準備好考慮用於HVM的一或多個度量衡目標設計-度量衡配方組合(視情況與關聯效能一起)。另外，可輸出一或多個關聯數學模型及一或多個關聯取樣方案(視情況與關聯效能一起)。

在一實施例中，提供一方法，其包含：關於表示擬合經量測資料之一數學模型之剩餘不確定度之一參數相對於橫越基板之量測資料而評估用於擬合經量測資料之一或多個數學模型及用於量測資料之一或多個量測取樣方案；及識別使參數越過一臨限值之一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案。

在一實施例中，該方法進一步包含關於經量測資料與擬合經量 測資料之一數學模型之間的剩餘系統性變化而評估該一或多個數學模型及一或多個量測取樣方案。在一實施例中，剩餘系統性變化包含多個基板上之經量測資料之一平均值與該數學模型之間的一距離。在一實施例中，該剩餘系統性變化進一步考量該平均值之一統計精度。在一實施例中，剩餘不確定度包含對該經量測資料之該經擬合數學模型之不確定度之一估計。在一實施例中，該識別包含提供經評估的用於擬合經量測資料之一或多個數學模型及/或經評估的一或多個量測取樣方案之一排名。在一實施例中，該量測資料包含如下各者中之一或多者：疊對資料、疊對誤差資料、對準資料、臨界尺寸資料、焦點資料及/或臨界尺寸均一性資料。在一實施例中，該方法進一步包含使一使用者能夠選擇供評估之複數個數學模型及/或複數個取樣方案。在一實施例中，該取樣方案包含選自如下各者中之一或多者：每基板樣本點之數目、樣本點之佈局，及/或每批次基板之數目。在一實施例中，該方法進一步包含：接收用於複數個批次之每一批次之複數個基板之經量測橫越基板量測資料，其中該量測資料係運用該經識別一或多個數學模型而模型化及/或運用該經識別一或多個量測取樣方案而量測；執行一模擬，該模擬涉及基於自用於該複數個批次中之批次之一特定子集之該經量測資料導出的資料而應用一校正，以獲得用於後續批次之一集合之經模擬量測資料；及對照用於後續批次之該集合之該經量測資料而評估用於後續批次之該集合之該經模擬量測資料。在一實施例中，使用一特定量測配方及一特定量測取樣方案來獲得該量測資料，且使用用於該量測資料之一特定數學模型來判定該校正及/或執行該模擬。在一實施例中，該方法進一步包含評估用於該特定批次之該複數個基板之該量測資料，以獲得用於該量測資料之一數學模型之參數之值，其中自該經量測資料導出之該資料包含該等參數之該等值。在一實施例中，該校正包含用以曝光該等基板之一微影設備 之參數之一改變。在一實施例中，該方法進一步包含判定一關鍵效能指示符及/或用於一關鍵效能指示符之一限度以用於對照該經量測資料對該經模擬量測資料之該評估。

在一實施例中，提供一種方法，其包含：關於一第一評估參數及一第二不同評估參數、對照橫越一基板之量測資料而評估用於擬合經量測資料之一或多個數學模型及用於量測資料之一或多個量測取樣方案；及識別使該第一評估參數及該第二評估參數越過一臨限值之一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案。

在一實施例中，該第一或第二評估參數包含經量測資料與用於擬合該經量測資料之一數學模型之間的剩餘系統性變化。在一實施例中，該第一或第二評估參數包含表示擬合經量測資料之一數學模型之剩餘不確定度的一參數。在一實施例中，該識別包含提供經評估的用於擬合經量測資料之一或多個數學模型及/或經評估的一或多個量測取樣方案之一排名。在一實施例中，該量測資料包含如下各者中之一或多者：疊對資料、疊對誤差資料、對準資料、臨界尺寸資料、焦點資料及/或臨界尺寸均一性資料。在一實施例中，該方法進一步包含使一使用者能夠選擇供評估之複數個數學模型及/或對一取樣方案之一約束。在一實施例中，該取樣方案包含選自如下各者中之一或多者：每基板樣本點之數目、樣本點之佈局，及/或每批次基板之數目。在一實施例中，該方法進一步包含：接收用於複數個批次之每一批次之複數個基板之經量測橫越基板量測資料，其中該量測資料係運用該經識別一或多個數學模型而模型化及/或運用該經識別一或多個量測取樣方案而量測；執行一模擬，該模擬涉及基於自用於該複數個批次中之批次之一特定子集之該經量測資料導出的資料而應用一校正，以獲得用於後續批次之一集合之經模擬量測資料；及對照用於後續批次之該集合之該經量測資料而評估用於後續批次之該集合之該經 模擬量測資料。在一實施例中，使用一特定量測配方及一特定量測取樣方案來獲得該量測資料，且使用用於該量測資料之一特定數學模型來判定該校正及/或執行該模擬。在一實施例中，該方法進一步包含評估用於該特定批次之該複數個基板之該量測資料，以獲得用於該量測資料之一數學模型之參數之值，其中自該經量測資料導出之該資料包含該等參數之該等值。在一實施例中，該校正包含用以曝光該等基板之一微影設備之參數之一改變。在一實施例中，該方法進一步包含判定一關鍵效能指示符及/或用於一關鍵效能指示符之一限度以用於對照該經量測資料對該經模擬量測資料之該評估。

在一實施例中，提供一種判定用於量測資料之一取樣方案及/或用於擬合經量測資料之一數學模型以監視一微影程序中之一程序步驟之方法，該方法包含：至少部分地基於一檢測設備之一產出率模型而判定該取樣方案及該數學模型。

在一實施例中，該產出率模型指定該檢測設備中之一基板之一裝載時間、該檢測設備中之該基板之一對準時間、該檢測設備中之該基板之一重新定位時間、用於在該檢測設備中之一量測位置內定位一量測目標之一時間，及/或自該檢測設備中之一量測目標擷取該量測資料之一時間。在一實施例中，該判定包含基於複數個產出率模型進行判定，每一產出率模型用於一不同檢測設備。在一實施例中，該判定進一步包含基於經量測資料與用於擬合該經量測資料之一數學模型之間的剩餘系統性變化進行判定。在一實施例中，該判定進一步包含基於表示擬合經量測資料之一數學模型之剩餘不確定度之一參數進行判定。在一實施例中，該剩餘系統性變化或剩餘不確定度包含分別在為了監視該程序步驟而量測的一單一基板內之剩餘系統性變化或剩餘不確定度，或為了監視該程序步驟而量測的複數個基板當中之基板間剩餘系統性變化或剩餘不確定度。在一實施例中，該檢測設備為一微 影設備中之一檢測設備。在一實施例中，該取樣方案包含選自如下各者中之一或多者：每基板樣本點之數目、樣本點之佈局，及/或每批次基板之數目。

在一實施例中，提供一種方法，其包含：接收根據一度量衡配方而量測之一度量衡目標之量測資料；至少部分地基於一檢測設備之一產出率模型而判定用於運用該度量衡目標使用該度量衡配方而量測資料之一取樣方案；基於該量測資料及該取樣方案而判定一評估參數；判定該評估參數是否越過一臨限值；及在該評估參數經判定為越過該臨限值的情況下至少部分地基於該產出率模型而改變該取樣方案。

在一實施例中，該評估參數包含一批次基板內之基板間變化。在一實施例中，該方法進一步包含判定用於擬合該量測資料之一數學模型，且其中該判定該取樣方案係進一步基於該數學模型。在一實施例中，該方法進一步包含在已改變該取樣方案的情況下至少重新執行如下操作：基於該量測資料及該所改變取樣方案之該判定該評估參數，及該判定基於該量測資料及該所改變取樣方案而判定之該評估參數是否越過一臨限值。在一實施例中，該判定該取樣方案包含基於複數個產出率模型進行判定，每一產出率模型用於一不同檢測設備。在一實施例中，該方法進一步包含基於經量測資料與用於擬合該經量測資料之一數學模型之間的剩餘系統性變化而判定該取樣方案及/或用於擬合經量測資料之一數學模型。在一實施例中，該方法進一步包含基於表示擬合經量測資料之一數學模型之剩餘不確定度的一參數而判定該取樣方案及/或用於擬合經量測資料之一數學模型。在一實施例中，該取樣方案包含選自如下各者中之一或多者：每基板樣本點之數目、樣本點之佈局，及/或每批次基板之數目。在一實施例中，該產出率模型指定該檢測設備中之一基板之一裝載時間、該檢測設備中之 該基板之一對準時間、該檢測設備中之該基板之一重新定位時間、用於在該檢測設備中之一量測位置內定位一量測目標之一時間，及/或自該檢測設備中之一量測目標擷取該量測資料之一時間。在一實施例中，該度量衡目標包含一對準目標。

圖11示意性地描繪用以提供器件製造程序開發、監視及控制之部分之實施例的軟體之使用者介面。圖11之實施例為經設計用於諸如上文所描述之量測設計、設定及/或監視程序的軟體之圖形使用者介面。在一實施例中，圖11之概念可延伸至啟用器件製造程序開發、監視及控制之其他部件之軟體。

參看圖11，其描繪複數個圖形使用者介面元素1100。每一圖形使用者介面元素1100表示量測設計、設定及/或監視程序中之一步驟，且每一圖形使用者介面元素實現由使用者針對該圖形使用者介面元素之關聯步驟而對該量測設計、設定及/或監視程序中之另外步驟之存取。舉例而言，點選圖形使用者介面元素使使用者能夠存取與該等圖形使用者元素之描述相關聯之另外步驟。額外步驟可呈現於另外螢幕(此處為了清楚起見未被描繪)上。

一或多個圖形使用者介面元素1100之集合(例如，如圖11所展示之一或多個圖形使用者介面元素1100之行)可與由關聯圖形使用者介面元素1110表示之特定功能相關聯。圖形使用者元素1110自身可實現由使用者針對該圖形使用者介面元素之關聯功能而對該量測設計、設定及/或監視程序中之另外步驟之存取。在一實施例中，圖形使用者介面元素1110中之一或多者可未實現對另外步驟之存取，且可僅僅提供關於由關聯一或多個圖形使用者介面元素1100(例如，如圖11所展示之一或多個圖形使用者介面元素1100之關聯行)表示之特定功能及一或多個步驟的資訊。

另外，可顯示與複數個圖形使用者元素1100、1110中之一或多者 相關聯之指示符。在一實施例中，指示符指示未完成量測設計、設定及/或監視程序中之步驟並及/或與該量測設計、設定及/或監視程序中之步驟相關聯之關鍵效能指示符已超過一臨限值。在一實施例中，指示符包含圖形使用者介面元素之顏色及/或與圖形使用者介面元素相關聯之符號。舉例而言，指示符1130(例如，停止標誌或相似符號)可指示未完成量測設計、設定及/或監視程序中之步驟，及/或與該量測設計、設定及/或監視程序中之步驟相關聯之關鍵效能指示符未成功地符合一準則。舉例而言，指示符1120(例如，警告標誌、感歎標誌或其他相似符號)可指示與量測設計、設定及/或監視程序中之步驟相關聯之關鍵效能指示符已超過一臨限值。另外或替代地，可取決於特定狀態向複數個圖形使用者元素1100、1110中之一或多者提供不同顏色、著色或紋理化。舉例而言，具有點線填充之圖形使用者元素1100、1110指示(例如)已完成步驟或功能或步驟或功能以其他方式可行。點線填充表示(例如)綠色、特定著色及/或特定紋理化。因此，點線填充表示(例如)完成量測設計、設定及/或監視程序中之步驟，及/或與該量測設計、設定及/或監視程序中之步驟相關聯之關鍵效能指示符成功地符合一準則。作為另一實例，具有影線填充之圖形使用者元素1100、1110指示(例如)尚未完成步驟或功能或該步驟或功能以其他方式並不可行。影線填充表示(例如)紅色或橙色、特定著色及/或特定紋理化。因此，影線填充表示(例如)尚未完成量測設計、設定及/或監視程序中之步驟，及/或與該量測設計、設定及/或監視程序中之步驟相關聯之關鍵效能指示符並未成功地符合一準則。作為另一實例，不具有填充之圖形使用者元素1100、1110指示(例如)尚未開始或不能存取步驟或功能。無填充表示(例如)白色、特定著色及/或特定紋理化。因此，無填充表示(例如)尚未嘗試或不能嘗試在由圖形使用者介面元素表示之步驟或功能中在量測設計、設定及/或監視程序中之步 驟，此係因為(例如)尚未完成或嘗試(例如)一或多個早先或相依步驟，及/或與量測設計、設定及/或監視程序中之早先或相依步驟相關聯之關鍵效能指示符並未成功地符合一準則。

在一實施例中，軟體(儘管使用者接合一特定圖形使用者介面元素)為了該特定圖形使用者介面元素之關聯步驟而防止由使用者對量測設計、設定及/或監視程序中之另外步驟之存取。舉例而言，可防止存取不具有填充之圖形使用者元素中之一或多者直至完成與(例如)具有影線填充或指示符1120或1130的圖形使用者介面元素相關聯之一或多個步驟為止。

在一實施例中，圖形使用者介面元素或指示符中之一或多者可表示或顯示或使能夠顯示關於關鍵效能指示符及/或指南之資訊。舉例而言，一或多個圖形使用者介面元素1100或指示符1120或1130可表示關鍵效能指示符及/或指南，使得該圖形使用者介面元素使能夠藉由(例如)使用者點選該圖形使用者介面元素而存取關鍵效能指示符及/或指南。在一實施例中，一或多個圖形使用者介面元素1100或指示符1120或1130可顯示或使能夠顯示關於關鍵效能指示符及/或指南之資訊。舉例而言，一或多個圖形使用者介面元素1100或指示符1120或1130可顯示關鍵效能指示符或信號之值，而不管關鍵效能指示符是否可行。在一實施例中，使用者可使用(例如)指標圖示「越過(fly-over)」一或多個圖形使用者介面元素1100或指示符1120或1130，以顯示關於關鍵效能指示符(例如，關鍵效能指示符或信號之值，而不管關鍵效能指示符是否可行)及/或指南之資訊。

在一實施例中，圖形使用者介面元素中之一或多者可具有用以允許資料更新或再新之指示符1140。使用者可點選或以其他方式接合指示符1140以使與關聯於圖形使用者介面的一或多個步驟相關聯之資料更新或再新，此可造成存取與一或多個其他圖形使用者介面元素相 關聯之步驟方面之改變及/或指示符1120或1130之改變。

在一實施例中，提供一方法，其包含：顯示複數個圖形使用者介面元素，每一圖形使用者介面元素表示一量測設計、設定及/或監視程序中之一步驟，且每一圖形使用者介面元素實現由使用者針對該圖形使用者介面元素之關聯步驟而對該量測設計、設定及/或監視程序中之另外步驟之存取；及顯示與該複數個圖形使用者元素中之一或多者相關聯之一指示符，該指示符指示未完成該量測設計、設定及/或監視程序中之一步驟及/或與該量測設計、設定及/或監視程序中之一步驟相關聯之一關鍵效能指示符已超過一臨限值。

在一實施例中，該方法進一步包含：儘管使用者接合一特定圖形使用者介面元素，但為了該特定圖形使用者介面元素之關聯步驟而防止由使用者對量測設計、設定及/或監視程序中之另外步驟之存取。在一實施例中，指示符包含圖形使用者介面元素之顏色及/或與圖形使用者介面元素相關聯之符號。在一實施例中，該方法進一步包含顯示表示或顯示或使能夠顯示關於關鍵效能指示符及/或指南之資訊的圖形使用者介面元素或指示符。

本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如本文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式體現機器可讀指令。該兩個或兩個以上電腦程式可儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。

本文所描述之任何控制器可在一或多個電腦程式由位於微影設備之至少一個組件內之一或多個電腦處理器讀取時各自或組合地可操作。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中之至少一者通 信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令的電腦程式之一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。儘管在本文中可特定地參考檢測設備在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之檢測設備可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用各別地與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指已含有多個經處理層之基板。

儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明之實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。

術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。

本文中對越過或超過臨限值之參考可包括具有低於特定值或低於或等於特定值之某物、具有高於特定值或高於或等於特定值之某 物、基於(例如)參數而排名高於或低於其他某物(通過(例如)分類)的某物，等等。

如本文所使用之術語「最佳化」係指或意謂調整微影設備、器件製造程序等等使得微影或器件製造之結果及/或程序具有較理想特性，諸如，基板上之設計佈局之較高投影準確度、較大程序窗等等。因此，如本文所使用之術語「最佳化」係指或意謂識別用於一或多個參數之一或多個值的程序，該一或多個值相比於用於彼等一或多個參數之一或多個值之一初始集合提供至少一相關度量之改良，例如，局域最佳。應相應地解釋「最佳」及其他相關術語。在一實施例中，最佳化步驟可反覆應用，以提供一或多個度量之進一步改良。

在一系統之最佳化程序中，可將該系統或程序之優值(figure of merit)表示為成本函數。最佳化程序歸結為尋找最佳化(例如，最小化或最大化)成本函數之系統或程序之參數集(設計變數)之程序。成本函數可具有取決於最佳化之目標的任何合適形式。舉例而言，成本函數可為系統或程序之某些特性(評估點)相對於此等特性之預期值(例如，理想值)之偏差的加權均方根(RMS)；成本函數亦可為此等偏差之最大值(亦即，最差偏差)。本文中之術語「評估點」應被廣泛地解譯為包括系統或程序之任何特性。歸因於系統或程序之實施的實務性，系統之設計變數可限於有限範圍及/或可相互相依。在微影設備或器件製造程序之狀況下，約束常常與硬體之實體屬性及特性(諸如，可調節範圍及/或圖案化器件可製造性設計規則)相關聯，且評估點可包括基板上之抗蝕劑影像之實體點以及非實體特性，諸如，劑量及焦點。

可使用以下條項來進一步描述本發明：

1.一種方法，其包含：關於表示擬合經量測資料之一數學模型之剩餘不確定度之一參數、對照橫越一基板之量測資料而評估用於擬合經量測資料之一或多 個數學模型及用於量測資料之一或多個量測取樣方案；及識別使該參數越過一臨限值之一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案。

2.如條項1之方法，其進一步包含關於經量測資料與擬合經量測資料之一數學模型之間的剩餘系統性變化而評估該一或多個數學模型及一或多個量測取樣方案。

3.如條項2之方法，其中剩餘系統性變化包含多個基板上之經量測資料之一平均值與該數學模型之間的一距離。

4.如條項3之方法，其中該剩餘系統性變化進一步考量該平均值之一統計精度。

5.如條項1至4中任一項之方法，其中剩餘不確定度包含對該經量測資料之該經擬合數學模型之不確定度之一估計。

6.如條項1至5中任一項之方法，其中該識別包含提供經評估的用於擬合經量測資料之一或多個數學模型及/或經評估的一或多個量測取樣方案之一排名。

7.如條項1至6中任一項之方法，其中該量測資料包含如下各者中之一或多者：疊對資料、疊對誤差資料、對準資料、臨界尺寸資料、焦點資料及/或臨界尺寸均一性資料。

8.如條項1至7中任一項之方法，其進一步包含使一使用者能夠選擇供評估之複數個數學模型及/或複數個取樣方案。

9.如條項1至8中任一項之方法，其中該取樣方案包含選自如下各者中之一或多者：每基板樣本點之數目、樣本點之佈局，及/或每批次基板之數目。

10.如條項1至9中任一項之方法，其進一步包含：接收用於複數個批次之每一批次之複數個基板之經量測橫越基板量測資料，其中該量測資料係運用該經識別一或多個數學模型而模 型化及/或運用該經識別一或多個量測取樣方案而量測；執行一模擬，該模擬涉及基於自用於該複數個批次中之批次之一特定子集之該經量測資料導出的資料而應用一校正，以獲得用於後續批次之一集合之經模擬量測資料；及對照用於後續批次之該集合之該經量測資料而評估用於後續批次之該集合之該經模擬量測資料。

11.如條項10之方法，其中使用一特定量測配方及一特定量測取樣方案來獲得該量測資料，且使用用於該量測資料之一特定數學模型來判定該校正及/或執行該模擬。

12.如條項10或11之方法，其進一步包含評估用於該特定批次之該複數個基板之該量測資料，以獲得用於該量測資料之一數學模型之參數之值，其中自該經量測資料導出之該資料包含該等參數之該等值。

13.如條項10至12中任一項之方法，其中該校正包含用以曝光該等基板之一微影設備之參數之一改變。

14.如條項10至13中任一項之方法，其進一步包含判定一關鍵效能指示符及/或用於一關鍵效能指示符之一限度以用於對照該經量測資料對該經模擬量測資料之該評估。

15.一種方法，其包含：關於一第一評估參數及一第二不同評估參數、對照橫越一基板之量測資料而評估用於擬合經量測資料之一或多個數學模型及用於量測資料之一或多個量測取樣方案；及識別使該第一評估參數及該第二評估參數越過一臨限值之一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案。

16.如條項15之方法，其中該第一評估參數或該第二評估參數包含經量測資料與用於擬合該經量測資料之一數學模型之間的剩餘系 統性變化。

17.如條項15或16之方法，其中該第一評估參數或該第二評估參數包含表示擬合經量測資料之一數學模型之剩餘不確定度的一參數。

18.如條項15至17中任一項之方法，其中該識別包含提供經評估的用於擬合經量測資料之一或多個數學模型及/或經評估的一或多個量測取樣方案之一排名。

19.如條項15至18中任一項之方法，其中該量測資料包含如下各者中之一或多者：疊對資料、疊對誤差資料、對準資料、臨界尺寸資料、焦點資料及/或臨界尺寸均一性資料。

20.如條項15至19中任一項之方法，其進一步包含使一使用者能夠選擇供評估之複數個數學模型及/或對一取樣方案之一約束。

21.如條項15至20中任一項之方法，其中該取樣方案包含選自如下各者中之一或多者：每基板樣本點之數目、樣本點之佈局，及/或每批次基板之數目。

22.如條項15至21中任一項之方法，其進一步包含：接收用於複數個批次之每一批次之複數個基板之經量測橫越基板量測資料，其中該量測資料係運用該經識別一或多個數學模型而模型化及/或運用該經識別一或多個量測取樣方案而量測；執行一模擬，該模擬涉及基於自用於該複數個批次中之批次之一特定子集之該經量測資料導出的資料而應用一校正，以獲得用於後續批次之一集合之經模擬量測資料；及對照用於後續批次之該集合之該經量測資料而評估用於後續批次之該集合之該經模擬量測資料。

23.如條項22之方法，其中使用一特定量測配方及一特定量測取樣方案來獲得該量測資料，且使用用於該量測資料之一特定數學模 型來判定該校正及/或執行該模擬。

24.如條項22或23之方法，其進一步包含評估用於該特定批次之該複數個基板之該量測資料，以獲得用於該量測資料之一數學模型之參數之值，其中自該經量測資料導出之該資料包含該等參數之該等值。

25.如條項22至24中任一項之方法，其中該校正包含用以曝光該等基板之一微影設備之參數之一改變。

26.如條項22至25中任一項之方法，其進一步包含判定一關鍵效能指示符及/或用於一關鍵效能指示符之一限度以用於對照該經量測資料對該經模擬量測資料之該評估。

27.一種判定用於量測資料之一取樣方案及/或用於擬合經量測資料之一數學模型以監視一微影程序中之一程序步驟之方法，該方法包含：至少部分地基於一檢測設備之一產出率模型而判定該取樣方案及該數學模型。

28.如條項27之方法，其中該產出率模型指定該檢測設備中之一基板之一裝載時間、該檢測設備中之該基板之一對準時間、該檢測設備中之該基板之一重新定位時間、用於在該檢測設備中之一量測位置內定位一量測目標之一時間，及/或自該檢測設備中之一量測目標擷取該量測資料之一時間。

29.如條項27或28之方法，其中該判定包含基於複數個產出率模型進行判定，每一產出率模型用於一不同檢測設備。

30.如條項27至29中任一項之方法，其中該判定進一步包含基於經量測資料與用於擬合該經量測資料之一數學模型之間的剩餘系統性變化進行判定。

31.如條項27至30中任一項之方法，其中該判定進一步包含基 於表示擬合經量測資料之一數學模型之剩餘不確定度之一參數進行判定。

32.如條項30或31之方法，其中該剩餘系統性變化或剩餘不確定度包含分別在為了監視該程序步驟而量測的一單一基板內之剩餘系統性變化或剩餘不確定度，或為了監視該程序步驟而量測的複數個基板當中之基板間剩餘系統性變化或剩餘不確定度。

33.如條項27至32中任一項之方法，其中該檢測設備為一微影設備中之一檢測設備。

34.如條項27至33中任一項之方法，其中該取樣方案包含選自如下各者中之一或多者：每基板樣本點之數目、樣本點之佈局，及/或每批次基板之數目。

35.一種方法，其包含：接收根據一度量衡配方而量測之一度量衡目標之量測資料；至少部分地基於一檢測設備之一產出率模型而判定用於運用該度量衡目標使用該度量衡配方而量測資料之一取樣方案；基於該量測資料及該取樣方案而判定一評估參數；判定該評估參數是否越過一臨限值；及在該評估參數經判定為越過該臨限值的情況下至少部分地基於該產出率模型而改變該取樣方案。

36.如條項35之方法，其中該評估參數包含一批次基板內之基板間變化。

37.如條項35或36之方法，其進一步包含判定用於擬合該量測資料之一數學模型，且其中該判定該取樣方案係進一步基於該數學模型。

38.如條項35至37中任一項之方法，其進一步包含在已改變該取樣方案的情況下至少重新執行如下操作：基於該量測資料及該所改 變取樣方案之該判定該評估參數，及該判定基於該量測資料及該所改變取樣方案而判定之該評估參數是否越過一臨限值。

39.如條項35至38中任一項之方法，其中該判定該取樣方案包含基於複數個產出率模型進行判定，每一產出率模型用於一不同檢測設備。

40.如條項35至39中任一項之方法，其進一步包含基於經量測資料與用於擬合該經量測資料之一數學模型之間的剩餘系統性變化而判定該取樣方案及/或用於擬合經量測資料之一數學模型。

41.如條項35至40中任一項之方法，其進一步包含基於表示擬合經量測資料之一數學模型之剩餘不確定度之一參數而判定該取樣方案及/或用於擬合經量測資料之一數學模型。

42.如條項35至41中任一項之方法，其中該取樣方案包含選自如下各者中之一或多者：每基板樣本點之數目、樣本點之佈局，及/或每批次基板之數目。

43.如條項35至42中任一項之方法，其中該產出率模型指定該檢測設備中之一基板之一裝載時間、該檢測設備中之該基板之一對準時間、該檢測設備中之該基板之一重新定位時間、用於在該檢測設備中之一量測位置內定位一量測目標之一時間，及/或自該檢測設備中之一量測目標擷取該量測資料之一時間。

44.如條項35至43中任一項之方法，其中該度量衡目標包含一對準目標。

45.一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一處理器導致執行如條項1至44中任一項之方法。

46.一種系統，其包含：一檢測設備，其經組態以將一光束提供於一基板上之一量測目標上且偵測由該目標重新導向之輻射以判定一微影程序之一參數；及 該如條項45之非暫時性電腦程式產品。

47.如條項46之系統，其進一步包含一微影設備，該微影設備包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上。

48.一種系統，其包含：一對準感測器，其包含：一輸出件，其用以將該輻射一輻射源提供至一目標上；一偵測器，其經組態以自該目標接收輻射；及一控制系統，其經組態以回應於該所接收輻射而判定兩個或兩個以上物件之對準；及該如條項45之非暫時性電腦程式產品。

49.如條項48之系統，其進一步包含一微影設備，該微影設備包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上。

50.一種系統，其包含：一位階感測器，其包含：一輸出件，其用以將輻射自一輻射源提供至一表面上；一偵測器，其經組態以自該表面接收輻射；及一控制系統，其經組態以回應於該所接收輻射而判定該表面之一位置；及該如條項45之非暫時性電腦程式產品。

51.如條項50之系統，其進一步包含一微影設備，該微影設備包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感 基板上。

52.一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括：使用如使用該如條項1至44中任一項之方法而判定的一取樣方案來檢測作為該器件圖案之部分或除了該器件圖案以外而形成於該等基板中之至少一者上的至少一目標；及根據該檢測之結果而針對該至少一個基板或另一基板來控制該微影程序。

53.一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括：檢測作為該器件圖案之部分或除了該器件圖案以外而形成於該等基板中之至少一者上的至少一目標，其中使用如使用該如條項1至44中任一項之方法而識別的一取樣方案來執行該檢測及/或使用如使用該如條項1至44中任一項之方法而識別的一數學模型來模型化來自該檢測之該經量測資料；及根據該檢測之結果而針對該至少一個基板或另一基板來控制該微影程序。

儘管上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。

以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

Claims (15)

1. 一種方法，其包含：關於表示擬合經量測資料之一數學模型之剩餘不確定度之一參數、對照橫越一基板之量測資料而評估用於擬合經量測資料之一或多個數學模型及用於量測資料之一或多個量測取樣方案；及識別使該參數越過一臨限值之一或多個數學模型及/或一或多個量測取樣方案。
2. 如請求項1之方法，其進一步包含關於經量測資料與擬合經量測資料之一數學模型之間的剩餘系統性變化而評估該一或多個數學模型及一或多個量測取樣方案。
3. 如請求項2之方法，其中剩餘系統性變化包含多個基板上之經量測資料之一平均值與該數學模型之間的一距離。
4. 如請求項3之方法，其中該剩餘系統性變化進一步考量該平均值之一統計精度。
5. 如請求項1之方法，其中剩餘不確定度包含對該經量測資料之該經擬合數學模型之不確定度之一估計。
6. 如請求項1之方法，其中該識別包含：提供經評估的用於擬合經量測資料之一或多個數學模型及/或經評估的一或多個量測取樣方案之一排名。
7. 如請求項1之方法，其中該量測資料包含如下各者中之一或多者：疊對資料、疊對誤差資料、對準資料、臨界尺寸資料、焦點資料及/或臨界尺寸均一性資料。
8. 如請求項1之方法，其進一步包含使一使用者能夠選擇供評估之複數個數學模型及/或複數個取樣方案。
9. 如請求項1之方法，其中該取樣方案包含選自如下各者中之一或多者：每基板樣本點之數目、樣本點之佈局，及/或每批次基板之數目。
10. 如請求項1之方法，其進一步包含：接收用於複數個批次之每一批次之複數個基板之經量測橫越基板量測資料，其中該量測資料係運用該經識別一或多個數學模型而模型化及/或運用該經識別一或多個量測取樣方案而量測；執行一模擬，該模擬涉及基於自用於該複數個批次中之批次之一特定子集之該經量測資料導出的資料而應用一校正，以獲得用於後續批次之一集合之經模擬量測資料；及對照用於後續批次之該集合之該經量測資料而評估用於後續批次之該集合之該經模擬量測資料。
11. 如請求項10之方法，其中使用一特定量測配方及一特定量測取樣方案來獲得該量測資料，且使用用於該量測資料之一特定數學模型來判定該校正及/或執行該模擬。
12. 如請求項10之方法，其進一步包含：評估用於該特定批次之該複數個基板之該量測資料，以獲得用於該量測資料之一數學模型之參數之值，其中自該經量測資料導出之該資料包含該等參數之該等值。
13. 如請求項10之方法，其中該校正包含：用以曝光該等基板之一微影設備之參數之一改變。
14. 如請求項10之方法，其進一步包含判定一關鍵效能指示符及/或用於一關鍵效能指示符之一限度以用於對照該經量測資料對該經模擬量測資料之該評估。
15. 一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於使一處理器導致執行如請求項1之方法。