TW201821907A - 度量衡配方選擇 - Google Patents

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Abstract

一種方法，其包括：對照堆疊敏感度及疊對敏感度，評估複數個基板量測配方以用於量測使用一圖案化程序進行處理之一度量衡目標；及自該複數個基板量測配方選擇該堆疊敏感度之一值滿足或超越一臨限值且該疊對敏感度之一值在該疊對敏感度之一最大值或最小值的某一有限範圍內的一或多個基板量測配方。

Description

度量衡配方選擇
本發明係關於可用於(例如)藉由微影技術來製造器件之檢測(例如，度量衡)的方法及裝置，且係關於使用微影技術來製造器件的方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其被替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。 實現圖案化程序(亦即，涉及圖案化(諸如微影曝光或壓印)之產生器件或其他結構的程序，其通常可包括諸如使抗蝕劑顯影、蝕刻等等之一或多個相關聯處理步驟)之重要態樣包括：開發程序本身；設置程序以用於監視及控制且接著實際上監視及控制程序本身。假定圖案化程序之原理的組態(諸如圖案化器件圖案、抗蝕劑類型、微影後程序步驟(諸如顯影、蝕刻等等))，需要進行以下步驟：在圖案化程序中設置裝置以用於將圖案轉印至基板上；使一或多個度量衡目標顯影以監視程序；設置度量衡程序以量測度量衡目標；及接著基於量測來實施監視及/或控制程序之程序。 因此，在圖案化程序中，需要判定(例如，使用模型化圖案化程序之一或多個態樣的一或多個模型來量測、模擬等等)所關注一或多個參數，諸如結構之臨界尺寸(CD)、形成於基板中或基板上之順次層之間的疊對誤差(亦即，順次層之不當的且無意的未對準)等等。 需要判定藉由圖案化程序產生之結構的此類所關注一或多個參數，及將其用於關於圖案化程序之設計、控制及/或監視，例如，用於程序設計、控制及/或驗證。可將所判定的圖案化結構之所關注一或多個參數用於圖案化程序設計、校正及/或驗證、缺陷偵測或分類、良率估計及/或程序控制。 因此，在圖案化程序中，需要頻繁地對所產生結構進行量測(例如)以用於程序控制及驗證。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(量測器件中之兩個層的對準準確性)之特殊化工具。可就兩個層之間的未對準程度而言描述疊對，例如，對1奈米之經量測疊對的參考可描述兩個層未對準1奈米之情形。 已開發各種形式之檢測裝置(例如，度量衡裝置)以用於微影領域。此等器件將輻射光束導向至目標上且量測經重新導向(例如，經散射)輻射之一或多個屬性—例如，單一反射角下依據波長而變化之強度；一或多個波長下依據反射角而變化之強度；或依據反射角而變化之偏振—以獲得可供判定目標之所關注屬性的「光譜」。可藉由以下各種技術來執行所關注屬性之判定：例如，藉由諸如嚴密耦合波分析或有限元素法之反覆途徑的目標重建構；庫搜尋；及主成分分析。 涉及使零繞射階(對應於鏡面反射)被阻擋之另外技術，且僅處理高階。可在PCT專利申請公開案第WO 2009/078708號及第WO 2009/106279號中找到此度量衡之實例，該等專利申請公開案之全文係特此以引用之方式併入。已在美國專利申請公開案第US 2011-0027704號、第US 2011-0043791號及第US 2012-0242940號中描述技術之進一步開發，該等美國專利申請公開案中之每一者的全文併入本文中。通常使用此類以繞射為基礎之技術來量測疊對。用於技術之目標可小於照明光點且可由基板上之產品結構環繞。目標可包含多個週期性結構，可在一個圖像中量測該等週期性結構。在此度量衡技術之特定形式中，藉由在某些條件下量測目標兩次而獲得疊對量測結果，同時旋轉目標抑或改變照明模式或成像模式以分別獲得-1繞射階強度及+1繞射階強度。關於給定目標之強度不對稱性(此等繞射階強度之比較)提供目標不對稱性(亦即，目標中之不對稱性)之量測。可將目標中之此不對稱性用作疊對誤差之指示符。
在疊對量測之實例中，吾人依賴於疊對(亦即，疊對誤差及故意偏置)係目標中之目標不對稱性之僅有原因的假定。目標中之任何其他不對稱性亦造成一階(或其他高階)中之強度不對稱性，任何其他不對稱性諸如上部層中之週期性結構內之特徵的結構不對稱性、由上部層中之週期性結構上覆的下部層中之週期性結構內之特徵的結構不對稱性，或前述兩者。可歸因於目標中之此類其他不對稱性且不與疊對(包括故意偏置)相關的此強度不對稱性會干擾疊對量測，從而得到不準確疊對量測。目標之下部或底部週期性結構中之不對稱性為結構不對稱性之常見形式。舉例而言，該不對稱性可產生在最初形成底部週期性結構之後執行的基板處理步驟，諸如化學機械拋光(CMP)。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：對照堆疊敏感度及疊對敏感度，評估複數個基板量測配方以用於量測使用一圖案化程序進行處理之一度量衡目標；及自該複數個基板量測配方選擇該堆疊敏感度之一值滿足或超越一臨限值且該疊對敏感度之一值在該疊對敏感度之一最大值或最小值的某一有限範圍內的一或多個基板量測配方。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：對照表示跨越該基板之一敏感度參數之統計變化的一穩固性指示符，評估複數個基板量測配方以用於量測一基板上使用一圖案化程序進行處理之一度量衡目標；及自該複數個基板量測配方選擇該穩固性指示符滿足或超越一臨限值的一或多個基板量測配方。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：對照一堆疊差異參數，評估複數個基板量測配方以用於量測一基板上使用一圖案化程序進行處理之一度量衡目標，該堆疊差異參數表示該度量衡目標之鄰近週期性結構之間或該度量衡目標與該基板上之另一鄰近目標之間的實體組態之一未經設計差異；及自該複數個基板量測配方選擇該堆疊差異參數滿足或超越一臨限值的一或多個基板量測配方。 在一實施例中，提供一種用於量測一微影程序之一參數之度量衡裝置，該度量衡裝置可操作以執行如本文中所描述之一方法。 在一實施例中，提供一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於致使一處理器執行如本文中所描述之一方法。 在一實施例中，提供一種系統，其包含：一檢測裝置，其經組態以將一輻射光束提供於一基板上之兩個鄰近週期性結構或量測目標上，且偵測由該等目標繞射之輻射以判定一圖案化程序之一參數；以及如本文中所描述之一非暫時性電腦程式。在一實施例中，該系統進一步包含一微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上。 下文參考隨附圖式來詳細地描述另外特徵及優點以及各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將為顯而易見的。
在詳細地描述實施例之前，呈現可供實施實施例之實例環境係具指導性的。 圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包括：照明光學系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA且連接至經組態以根據特定參數準確地定位圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以根據特定參數準確地定位基板之第二定位器PW；及投影光學系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。 照明光學系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。 本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。一般而言，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。 圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜之鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。 如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加於微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。 參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部件。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。 照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可被用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，且由圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩) MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影光學系統PS，投影光學系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上，藉此將圖案影像投影於目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉器件、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。相似地，例如，在自光罩庫進行機械擷取之後或在掃描期間，可使用第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩 )MA。 可使用圖案化器件對準標記M1 、M2 及基板對準標記P1 、P2 來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒被提供於圖案化器件(例如，光罩) MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記亦可包括於器件特徵當中之晶粒內，在此狀況下，需要使標記儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或程序條件。下文進一步描述偵測對準標記之對準系統。 此實例中之微影裝置LA屬於所謂雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb以及兩個站-曝光站及量測站-在該兩個站之間可交換基板台。在曝光站處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面控制，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記的位置。此使得裝置之產出率能夠實質增加。 所描繪裝置可用於多種模式中，包括(例如)步進模式或掃描模式。所屬領域的技術人員熟知微影裝置之建構及操作，且無需進一步描述以供理解本發明之實施例。 如圖2中所展示，微影裝置LA形成微影系統之部件，其被稱作微影製造單元LC或叢集。微影單元LC亦可包括用以對基板執行曝光前及曝光後程序之裝置。習知地，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序裝置之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常統稱為塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。 為了對包括至少一個圖案化步驟(例如，光學微影步驟)之圖案化程序(例如，器件製造程序)進行設計、監視、控制等等，可檢測經圖案化基板且量測經圖案化基板之一或多個參數。舉例而言，該一或多個參數可包括：形成於經圖案化基板中或上之順次層之間的疊對、(例如)形成於經圖案化基板中或上之特徵之臨界尺寸(CD) (例如，臨界線寬)、光學微影步驟之聚焦或聚焦誤差、光學微影步驟之劑量或劑量誤差、光學微影步驟之光學像差等等。可對產品基板自身之目標及/或對提供於基板上之專用度量衡目標執行此量測。存在用於進行在圖案化程序中形成之結構之量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡、以影像為基礎之量測或檢測工具及/或各種特殊化工具。特殊化度量衡及/或檢測工具之相對快速且非侵入形式為輻射光束經導向至基板之表面上之目標上且量測散射(繞射/反射)光束之屬性的形式。藉由比較光束在其已由基板散射之前及之後的一或多個屬性，可判定基板之一或多個屬性。此可被稱為以繞射為基礎之度量衡或檢測。 圖3描繪實例檢測裝置(例如，散射計)。該散射計包含將輻射投影至基板W上之寬頻帶(白光)輻射投影儀2。重新導向輻射傳遞至光譜儀偵測器4，該光譜儀偵測器量測鏡面反射輻射之光譜10 (依據波長而變化的強度)，如(例如)在左下方的曲線圖中所展示。根據此資料，可藉由(例如)嚴密耦合波分析及非線性回歸或藉由與如圖3之右下方所展示之模擬光譜庫的比較由處理器PU重建構導致偵測到之光譜的結構或分佈。一般而言，對於重建構，結構之一般形式為吾人所知，且根據供製造結構之程序之知識來假定一些變數，從而僅留下結構之幾個變數以自量測資料予以判定。此檢測裝置可經組態為正入射檢測裝置或斜入射檢測裝置。 圖4中展示可使用之另一檢測裝置。在此器件中，由輻射源2發射之輻射係使用透鏡系統120進行準直且透射通過干涉濾光器130及偏振器170，由部分反射表面160反射且經由物鏡150而聚焦至基板W上之光點S中，該物鏡具有高數值孔徑(NA)，理想地為至少0.9或至少0.95。浸潤檢測裝置(使用相對高折射率之流體，諸如水)甚至可具有大於1之數值孔徑。 如在微影裝置LA中，可在量測操作期間提供一或多個基板台以固持基板W。該等基板台可在形式上與圖1之基板台WT相似或相同。在檢測裝置與微影裝置整合之實例中，該等基板台可甚至為相同基板台。可將粗略定位器及精細定位器提供至第二定位器PW，該第二定位器PW經組態以相對於量測光學系統準確地定位基板。提供各種感測器及致動器(例如)以獲取所關注目標之位置，且將所關注目標帶入至物鏡150下方之位置中。通常將對跨越基板W之不同部位處之目標進行許多量測。可在X方向及Y方向上移動基板支撐件以獲取不同目標，且可在Z方向上移動基板支撐件以獲得目標相對於光學系統之焦點的所要部位。舉例而言，當實務上光學系統可保持實質上靜止(通常在X方向及Y方向上，但可能亦在Z方向上)且僅基板移動時，方便地將操作考慮且描述為如同物鏡被帶入至相對於基板之不同部位。倘若基板與光學系統之相對位置為正確的，則原則上彼等者中之哪一者在真實世界中移動無關緊要，或在兩者皆移動，或光學系統之部分的組合移動(例如，在Z方向及/或傾斜方向上)而光學系統之剩餘部分靜止且基板移動(例如，在X方向及Y方向上，且亦視情況在Z方向及/或傾斜方向上)的情況下亦如此。 由基板W重新導向之輻射接著通過部分反射表面160傳遞至偵測器180中以便使光譜被偵測。偵測器180可位於背向投影式焦平面110處(亦即，位於透鏡系統150之焦距處)，或平面110可憑藉輔助光學件(圖中未繪示)再成像至偵測器180上。偵測器可為二維偵測器，使得可量測基板目標30之二維角度散射光譜。偵測器180可為(例如) CCD或CMOS感測器陣列，且可使用為(例如)每圖框40毫秒之積分時間。 參考光束可用於(例如)量測入射輻射之強度。為了進行此量測，當輻射光束入射於部分反射表面160上時，將輻射光束之部分通過部分反射表面160作為參考光束而朝向參考鏡面140透射。參考光束接著投影至同一偵測器180之不同部分上或替代地投影至不同偵測器(圖中未繪示)上。 一或多個干涉濾光器130可用以選擇在為(比如) 405奈米至790奈米或甚至更低(諸如200奈米至300奈米)之範圍內的所關注波長。該干涉濾光器可為可調諧的，而非包含不同濾光器之集合。可使用光柵代替干涉濾光器。孔徑光闌或空間光調變器(圖中未繪示)可提供於照明路徑中以控制目標上之輻射之入射角的範圍。 偵測器180可量測在單一波長(或窄波長範圍)下之經重新導向輻射之強度、分別在多個波長下之經重新導向輻射之強度，或遍及一波長範圍而積分之經重新導向輻射之強度。此外，偵測器可分別量測橫向磁偏振輻射及橫向電偏振輻射之強度，及/或橫向磁偏振輻射與橫向電偏振輻射之間的相位差。 基板W上之目標30可為1-D光柵，其經印刷成使得在顯影之後，桿體係由固體抗蝕劑線形成。目標30可為2-D光柵，其經印刷成使得在顯影之後，光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或介層孔形成。桿體、導柱或介層孔可經蝕刻至基板中或基板上(例如，經蝕刻至基板上之一或多個層中)。(例如，桿體、導柱或介層孔之)圖案對圖案化程序中之處理的改變(例如，微影投影裝置(詳言之，投影系統PS)中之光學像差、焦點改變、劑量改變等等)敏感，且將在經印刷光柵之變化方面顯現出來。因此，印刷光柵之量測資料被用於重建構光柵。可根據印刷步驟及/或其他檢測程序之知識，將1-D光柵之一或多個參數(諸如，線寬及/或形狀)或2-D光柵之一或多個參數(諸如，導柱或介層孔寬度或長度或形狀)輸入至由處理器PU執行之重建構程序。 除了藉由重建構進行參數之量測以外，以繞射為基礎之度量衡或檢測亦可用於產品及/或抗蝕劑圖案中之特徵之不對稱性量測中。不對稱性量測之一特定應用係用於(例如)疊對之量測，但其他應用亦為吾人所知。在此狀況下，目標30通常包含疊置於另一組週期性特徵上的一組週期性特徵。舉例而言，可藉由比較來自目標30之繞射光譜之相對部分(例如，比較週期性光柵之繞射光譜中之-1階與+1階)而量測不對稱性。舉例而言，在全文以引用方式併入本文中之美國專利申請公開案US20060066855中描述使用圖3或圖4之器具進行之不對稱性量測的概念。簡單地陳述，雖然目標之繞射光譜中之繞射階的位置僅由目標之週期性判定，但繞射光譜之不對稱性指示構成目標之個別特徵中的不對稱性。在圖4之器具中(其中偵測器180可為影像感測器)，繞射階之此不對稱性直接呈現為由偵測器180記錄之光瞳影像中的不對稱性。可藉由單元PU中之數位影像處理來量測此不對稱性，且對照已知疊對值來校準此不對稱性。 圖5說明典型目標30之平面視圖，及圖4之裝置中之照明光點S的範圍。為了獲得不受環繞結構干涉之繞射光譜，在一實施例中，目標30係大於照明光點S之寬度(例如，直徑)的週期性結構(例如，光柵)。光點S之寬度可小於目標之寬度及長度。換言之，目標係由照明「填充不足」，且繞射信號基本上不含來自目標自身外部之產品特徵及其類似者的任何信號。照明配置2、120、130、170可經組態以提供跨越目標150之背焦平面之均一強度的照明。替代地，藉由(例如)在照明路徑中包括孔徑，照明可限於同軸方向或離軸方向。 圖6示意性地描繪基於使用度量衡所獲得之量測資料而進行目標圖案30'之一或多個所關注變數之值之判定的實例程序。由偵測器180偵測到之輻射提供用於目標30'之經量測輻射分佈108。 對於給定目標30'，可使用(例如)數值馬克士威求解程序210自參數化模型206計算/模擬輻射分佈208。參數化模型206展示構成目標且與該目標相關聯的各種材料之實例層。參數化模型206可包括用於在考慮中的目標之部分之特徵及層之變數中的一或多者，其可變化且被導出。如圖6中所展示，變數中之一或多者可包括一或多個層之厚度t 、 一或多個特徵之寬度w (例如，CD)、一或多個特徵之高度h 及/或一或多個特徵之側壁角α。儘管圖中未繪示，但變數中之一或多者可進一步包括但不限於：層中之一或多者之折射率(例如，真折射率或複折射率、折射率張量等等)、一或多個層之消光係數、一或多個層之吸收率、在顯影期間之抗蝕劑損失、一或多個特徵之基腳，及/或一或多個特徵之線邊緣粗糙度。該等變數之初始值可為針對經量測之目標所預期的值。接著在212處比較經量測輻射分佈108與經計算輻射分佈208以判定兩者之間的差。若存在差，則可變化參數化模型206之變數中之一或多者的值，計算新的所計算輻射分佈208且將其與經量測輻射分佈108比較直至在經量測輻射分佈108與所計算輻射分佈208之間存在足夠匹配為止。彼時，參數化模型206之變數的值提供實際目標30'之幾何形狀的良好或最佳匹配。在一實施例中，當經量測輻射分佈108與所計算輻射分佈208之間的差在容許臨限值內時存在足夠匹配。 圖7A中展示適用於實施例之另外檢測裝置。圖7B中更詳細地說明目標T及用以照明目標之量測輻射的繞射射線。所說明之檢測裝置屬於被稱為暗場度量衡裝置之類型。檢測裝置可為獨立器件，或併入於(例如)量測站處之微影裝置LA中抑或微影製造單元LC中。具有貫穿該裝置之若干分支的光軸係由點線O表示。在此裝置中，藉由包含透鏡12、14及物鏡16之光學系統經由光學元件15而將由源11 (例如，氙氣燈)發射之輻射導向至基板W上。此等透鏡係以4F配置之雙重序列進行配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為(例如)：不同透鏡配置將基板影像提供至偵測器上，且同時允許接取中間光瞳平面以用於進行空間頻率濾光。因此，可藉由定義在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處被稱作(共軛)光瞳平面)中的空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度範圍。詳言之，可藉由在為物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡12與14之間插入合適形式之孔徑板13來進行此選擇。在所說明之實例中，孔徑板13具有不同形式(被標註為13N及13S)，從而允許選擇不同照明模式。本實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N提供自僅出於描述起見被指定為「北」之方向的離軸輻射。在第二照明模式中，孔徑板13S係用以提供相似照明，但提供來自被標註為「南」之相對方向的照明。藉由使用不同孔徑，其他照明模式係可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係因為所要照明模式以外之任何不必要輻射將會干涉所要量測信號。 如圖7B中所展示，目標T經置放成使得基板W垂直於物鏡16之光軸O。基板W可由支撐件(圖中未繪示)支撐。與軸線O成一角度而照射於目標T上之量測輻射射線I引起一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈線-1)。應記住，在運用填充過度之小目標的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。因為板13中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之輻射所必要)，所以入射射線I事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數，每一階+1及-1將遍及角度範圍進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。應注意，目標之週期性結構間距及照明角度可經設計或調整成使得進入物鏡之一階射線與中心光軸緊密地對準。圖7A及圖7B中所說明之射線被展示為稍微離軸，以純粹地使其能夠在圖解中被較容易地區分。 由基板W上之目標T繞射之至少0階及+1階係由物鏡16收集，且被導向回通過光學元件15。返回至圖7A，藉由指定被標註為北(N)及南(S)之完全相對孔徑來說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當量測輻射之入射射線I來自光軸之北側時，亦即，當使用孔徑板13N來應用第一照明模式時，被標註為+1(N)之+1繞射射線進入物鏡16。與此對比，當使用孔徑板13S來應用第二照明模式時，-1繞射射線(標註為-1(S))為進入透鏡16之繞射射線。 光束分裂器17將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束而在第一感測器19 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之一不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。由感測器19捕捉之光瞳平面影像可用於聚焦檢測裝置及/或正規化一階光束之強度量測。光瞳平面影像亦可用於諸如重建構之許多量測目的。 在第二量測分支中，光學系統20、22在感測器23 (例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標T之影像。在第二量測分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供孔徑光闌21。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上之目標之影像係僅由-1或+1一階光束形成。由感測器19及23捕捉之影像經輸出至處理影像之處理器PU，處理器PU之功能將取決於所執行之量測的特定類型。應注意，此處在廣泛意義上使用術語「影像」。因而，在僅僅-1階及+1階中之一者存在的情況下，將不會形成週期性結構特徵之影像。 圖7A、圖7C及圖7D中所展示之孔徑板13及場光闌21的特定形式僅為實例。在一實施例中，使用目標之同軸照明，且使用具有離軸孔徑之孔徑光闌以將實質上僅一個一階繞射輻射傳遞至感測器。在又其他實施例中，代替一階光束或除了一階光束以外，亦可在量測中使用二階、三階及高階光束(圖7A、圖7B、圖7C或圖7D中未繪示)。 為了使量測輻射可適應於此等不同類型之量測，孔徑板13可包含圍繞圓盤而形成之數個孔徑圖案，該圓盤旋轉以使所要圖案處於適當位置。應注意，孔徑板13N或13S可僅用以量測在一個方向(取決於設置之X或Y)上定向之週期性結構。為了量測正交週期性結構，可能實施達90°及270°之目標旋轉。圖7C及圖7D中展示不同孔徑板。在上文所提及之專利申請公開案中描述了對此等孔徑板及眾多其他變化形式之使用，以及對裝置之應用。 圖8描繪根據已知實務形成於基板上之(複合)目標。此實例中之目標包含四個週期性結構(例如，光柵) 32至35，該等週期性結構緊密地定位在一起使得其將皆在由檢測裝置之度量衡輻射照明光束形成的量測光點31內。因此，該四個週期性結構皆被同時照明且同時成像於感測器19及23上。在專用於疊對量測之實例中，週期性結構32至35自身係複合週期性結構，其藉由上覆於在(例如)形成於基板W上之半導體器件的不同層中經圖案化之週期性結構而形成。週期性結構32至35可具有以不同方式偏置之疊對偏移，以便促進量測經形成有複合週期性結構之不同部分的層之間的疊對。下文將參考圖8來解釋疊對偏置之涵義。週期性結構32至35亦可在其定向方面不同，如所展示，以便使入射輻射在X方向及Y方向上繞射。在一個實例中，週期性結構32及34為分別具有+d、-d之偏置偏移的X方向週期性結構。週期性結構33及35為分別具有+d、-d之偏置偏移的Y方向週期性結構。可在由感測器23捕捉之影像中識別此等週期性結構之單獨影像。此僅為目標之一個實例。目標可包含多於4個或少於4個週期性結構，或僅僅單一週期性結構。 圖9展示在使用來自圖7D之孔徑板13NW或13SE的情況下在圖7之裝置中使用圖8之目標而可形成於感測器23上且由感測器23偵測的影像之實例。雖然光瞳平面影像感測器19不可解析不同個別週期性結構32至35，但影像感測器23可進行此解析。暗矩形表示感測器上之影像場，在該影像場內，基板上之經照明光點31成像至對應的圓形區域41中。在此區域內，矩形區域42至45表示小目標週期性結構32至35之影像。若目標位於產品區域中，則在此影像場之周邊中亦可見產品特徵。影像處理器及控制系統PU使用圖案辨識來處理此等影像，以識別週期性結構32至35之單獨影像42至45。以此方式，該等影像不必在感測器框架內之特定部位處極精確地對準，此極大地改良量測裝置整體上之產出率。 一旦已識別週期性結構之單獨影像，就可量測彼等個別影像之強度，例如，藉由對經識別區域內之所選擇像素強度值取平均值或求和。可將影像之強度及/或其他屬性彼此進行比較。可組合此等結果以量測圖案化程序之不同參數。疊對效能為此參數之重要實例。 圖10說明如何使用(例如) PCT專利申請公開案第WO 2011/012624號(以全文引用的方式併入本文中)中所描述的方法來量測含有組件週期性結構32至35之兩個層之間的疊對誤差(亦即不當的且無意的疊對未對準)。此量測係經由識別目標不對稱性而進行，如藉由比較目標週期性結構之+1階與-1階影像中的強度(可比較其他對應高階(例如，+2階與-2階)之強度)以獲得強度不對稱性之量度所揭露。在步驟S1處，經由諸如圖2之微影製造單元的微影裝置來處理基板(例如，半導體晶圓)一或多次，以產生包括週期性結構32至35之目標。在S2處，在使用圖7之檢測裝置的情況下，僅使用一階繞射光束中之一者(比如-1階)來獲得週期性結構32至35之影像。在步驟S3處，無論藉由改變照明模式或改變成像模式抑或藉由使基板W在檢測裝置之視場中旋轉180°，可使用另一一階繞射光束(+1階)來獲得週期性結構之第二影像。因此，在第二影像中捕捉+1繞射輻射。 應注意，藉由在每一影像中包括一階繞射輻射之僅一半，此處所提及之「影像」不為習知暗場顯微法影像。將不解析目標週期性結構之個別目標特徵。每一週期性結構將簡單地由某一強度位準之區域表示。在步驟S4中，在每一組件目標結構之影像內識別所關注區(ROI)，將自該所關注區量測強度位準。 在已識別用於每一個別目標週期性結構之ROI且已量測其強度的情況下，可接著判定目標之不對稱性且因此判定疊對誤差。在步驟S5中(例如，藉由處理器PU)比較針對每一目標週期性結構32至35之+1階及-1階所獲得之強度值以識別其強度不對稱性(例如，其強度之任何差)來進行此判定。術語「差」不意欲僅指減法。可以比率形式計算差。在步驟S6中，使用用於數個目標週期性結構之經量測強度不對稱性，連同彼等目標週期性結構之任何已知經強加疊對偏置之知識，以計算目標T附近之圖案化程序之一或多個效能參數。 圖11A至圖11D展示具有不同偏置偏移之目標週期性結構(疊對週期性結構)的示意性橫截面。此等目標可用作基板W上之目標T，如在圖7至圖9中所見。僅出於實例起見而展示在X方向上具有週期性之週期性結構。可分離地提供或作為目標之部分來提供具有不同偏置且具有不同定向的此等週期性結構之不同組合。 以圖11A開始，展示形成於被標註為L1及L2之至少兩個層中的目標600。在下部或底部層L1中，第一週期性結構(下部或底部週期性結構) (例如，光柵)係由基板606上之特徵602及空間604形成。在層L2中，第二週期性結構(例如，光柵)係由特徵608及空間610形成。(橫截面經繪製成使得特徵602、608 (例如，線)延伸至頁面中)。週期性結構圖案在兩個層中具有間距的P情況下重複。特徵602及608可採取線、圓點、區塊及通孔之形式。在圖11A處所展示之情形中，不存在歸因於未對準之疊對貢獻，例如，不存在疊對誤差且不存在強加偏置，使得第二結構之每一特徵608精確地位於第一結構中之特徵602上方。 在圖11B處，展示具有第一已知經強加偏置+d之相同目標，使得將第一結構之特徵608相對於第二結構之特徵向右移位達距離d。偏置距離d實務上可能為幾奈米，例如，10奈米至20奈米，而間距P係(例如)在300奈米至1000奈米之範圍內，例如，500奈米或600奈米。在圖11C處，描繪具有第二已知經強加偏置-d之另一特徵，使得為608之特徵向左移位。d之值無需針對每一結構皆相同。上文所提及之先前專利申請公開案中描述圖11A至圖11C處所展示的此類型之經偏置週期性結構。 圖11D示意性地展示結構不對稱性(在此狀況下為第一結構中之結構不對稱性(底部結構不對稱性))之現象。圖11A至圖11C處之週期性結構中之特徵被展示為成完全正方形側，但真實特徵將在側上具有某斜率且具有某粗糙度。然而，其意欲在輪廓方面至少對稱。在圖11D處第一結構中之特徵602及/或空間604不再具有對稱形式，而是已由於一或多個處理步驟變得失真。因此，舉例而言，每一空間之底部表面已變得傾斜(底部壁傾斜)。舉例而言，特徵及空間之側壁角度已變得不對稱。由於此不對稱性，一目標之總體目標不對稱性將包含：獨立於結構不對稱性之疊對貢獻(亦即，歸因於第一結構與第二結構之未對準之疊對貢獻；第一結構及第二結構自身包含疊對誤差及任何已知經強加偏置)；及歸因於目標中之此結構不對稱性之結構貢獻。 當藉由圖10之方法僅使用兩個經偏置週期性結構來量測疊對時，不能區別程序誘發之結構不對稱性與歸因於未對準之疊對貢獻，且結果疊對量測(尤其關於量測不當疊對誤差)變得不可靠。目標之第一結構(底部週期性結構)中之結構不對稱性為結構不對稱性之常見形式。其可起源於(例如)在最初形成第一結構之後執行的基板處理步驟，諸如化學機械拋光(CMP)。 在PCT專利申請公開案第WO 2013-143814號中，提出使用三個或多於三個組件週期性結構以藉由圖10之方法之經修改版本量測疊對。使用圖11A至圖11C中所展示的類型之三個或多於三個週期性結構以獲得疊對量測，該等疊對量測在一定程度上針對諸如在實務圖案化程序中由底部結構不對稱性造成的該等目標週期性結構中之結構不對稱性予以校正。然而，此方法要求新目標設計(例如，不同於圖8中所說明之目標設計)，且因此，將要求新圖案化器件或圖案化器件圖案。此外，目標面積較大，且因此消耗較多基板面積。另外，在此方法及其他先前方法中忽略了由結構不對稱性引起的疊對貢獻之相位元件，其意謂校正並不與其在相位元件亦經校正的情況下可達成的準確性一樣準確。 在圖12中，曲線702說明針對在形成目標之個別週期性結構內(且尤其在第一結構之個別週期性結構內)具有零偏移且不具有結構不對稱性的「理想」目標之疊對OV與強度不對稱性A之間的關係。因此，此理想目標之目標不對稱性僅包含歸因於第一結構及第二結構之由已知經強加偏置及疊對誤差OVE 引起之未對準的疊對貢獻。此曲線圖及圖13之曲線圖僅說明本發明所隱含之原理，且在每一曲線圖中，強度不對稱性A及疊對OV之單位係任意的。下文將進一步給出實際尺寸之實例。 在圖12之「理想」情形中，曲線702指示強度不對稱性A與疊對具有非線性週期關係(例如，正弦關係)。正弦變化之週期P對應於週期性結構之週期或間距P，其當然經轉換成適當尺度。在此實例中，正弦形式係純粹的，但在真實情形下可包括諧波。 如上文所提及，經偏置週期性結構(具有已知經強加疊對偏置)可用以量測疊對，而非依賴於單一量測。此偏置具有在供產生已知值之圖案化器件(例如，倍縮光罩)中界定的已知值，其充當對應於所量測強度不對稱性之疊對的基板上校準。在該圖式中，以圖形方式說明計算。在步驟S1至S5中，針對分別具有經強加偏置+d及-d之週期性結構(例如，如圖11B及圖11C中所展示)獲得強度不對稱性量測A+ d 及A- d 。將此等量測擬合至正弦曲線會給出如所展示之點704及706。在已知偏置的情況下，可計算真實疊對誤差OVE 。根據目標之設計，正弦曲線之間距P係已知的。曲線702之垂直尺度開始時未為吾人所知，而是可被稱作一階諧波比例常數K之未知因數。因此，疊對敏感度K係強度不對稱性量測對疊對之敏感度的量度。在一實施例中，疊對敏感度K係所量測強度相對於疊對之比例。因此，其幫助偵測疊對之程序相依性。 就方程式而言，假定疊對誤差OVE 與強度不對稱性A之間的關係如下：(1) 其中在尺度上表達疊對誤差OVE ，使得目標間距P對應於角度2π弧度。在使用具有不同已知偏置(例如，+d及-d)之光柵之兩種量測的情況下，可使用以下方程式來計算疊對誤差OVE ：(2) 圖13展示引入結構不對稱性，例如，圖11D中所說明之底部週期性結構不對稱性的第一效應。「理想」正弦曲線702不再適用。然而，至少近似地，底部週期性結構或其他結構不對稱性具有將強度移位項K0 及相移項添加至強度不對稱性之效應。所得曲線在該圖解中被展示為712，其中標籤K0 指示強度移位項，且標籤指示相位偏移項。強度移動項K0 及相移項係取決於目標與量測輻射之選定特性(諸如，量測輻射之波長及/或偏振)之組合，且對程序變化敏感。就方程式而言，用於步驟S6中之計算之關係變成：(3) 在存在結構不對稱性的情況下，藉由方程式(2)描述之疊對模型將提供受到強度移位項K0 及相移項影響且因此將不準確的疊對誤差值。結構不對稱性亦將在映射疊對誤差時產生使用一或多個不同量測參數(例如，量測光束之波長、量測光束之偏振等等)來量測同一目標的差，此係因為強度及相移係例如波長及/或偏振相依的。 經修改步驟S6之疊對計算依賴於某些假定。首先，假定強度不對稱性表現為疊對之正弦函數，其中週期P對應於光柵間距。此等假定對當前疊對範圍有效。諧波之數目可經設計為小的，此係因為小間距-波長比率僅允許來自光柵之小數目個傳播繞射階。然而，實務上對歸因於未對準之強度不對稱性之疊對貢獻可未必真正地正弦，且可未必圍繞OV = 0完全對稱。 因此，結構不對稱性之效應大體可公式化為：(4)(5) 其中ΔI- (亦與A-同義)及ΔI+ (亦與A+ 同義)表示所量測之強度不對稱性，且ΔIBG 係結構不對稱性對強度不對稱性之貢獻。且因此，可將疊對誤差ΔOV視為ΔIBG /K 之函數。 現在，已進一步發現，除了目標中之結構不對稱性以外或替代地，目標之鄰近週期性結構之間的堆疊差異或鄰近目標之間的堆疊差異亦可為不利地影響量測(諸如疊對量測)準確性的因素。堆疊差異可被理解為鄰近週期性結構或目標之間的實體組態之未經設計差異。堆疊差異造成鄰近週期性結構或目標之間的量測輻射之光學屬性(例如，強度、偏振等等)的差異，其係歸因於除了疊對誤差以外、除了故意偏置以外且除了鄰近週期性結構或目標常見之結構不對稱性以外的因素。堆疊差異包括但不限於：鄰近週期性結構或目標之間的厚度差異(例如，一或多個層之厚度差異，使得一個週期性結構或目標高於或低於經設計成在實質上相同水平面之另一週期性結構或目標)；鄰近週期性結構或目標之間的折射率差異(例如，一或多個層之折射率差異，使得用於一個週期性結構或目標之一或多個層的組合折射率不同於用於即使經設計成具有實質上相同組合折射率之另一週期性結構或目標之一或多個層的組合折射率)；鄰近週期性結構或目標之間的材料差異(例如，一或多個層之材料類型、材料均一性等等的差異，使得用於一個週期性結構或目標與用於經設計成具有實質上相同材料之另一週期性結構或目標的材料差異)；鄰近週期性結構或目標之結構的光柵週期差異(例如，一個週期性結構或目標與經設計成具有實質上相同光柵週期之另一週期性結構或目標的光柵週期差異)；鄰近週期性結構或目標之結構的深度差異(例如，歸因於蝕刻的一個週期性結構或目標與經設計成具有實質上相同深度之另一週期性結構或目標之結構的深度差異)；鄰近週期性結構或目標之特徵的寬度(CD)差異(例如，一個週期性結構或目標與經設計成具有實質上相同特徵寬度之另一週期性結構或目標之特徵寬度差異)等等。在一些實例中，藉由圖案化程序中之諸如CMP、層沈積、蝕刻等之處理步驟引入堆疊差異。在一實施例中，若週期性結構或目標在彼此相隔200微米內、彼此相隔150微米內、彼此相隔100微米內、彼此相隔75微米內、彼此相隔50微米內、彼此相隔40微米內、彼此相隔30微米內、彼此相隔20微米內或彼此相隔10微米內的情況下係鄰近的。 堆疊差異(其可被稱作光柵之間的光柵不平衡性)之效應可大體公式化為：(6)(7) 其中ΔK 表示可歸因於堆疊差異之疊對敏感度的差異。且因此，疊對誤差ΔOV可與成比例。 因此，為了特性化堆疊差異，可界定一或多個堆疊差異參數。如上文所提及，堆疊差異參數係鄰近週期性結構或目標之未經設計的不同實體組態的量度。在一實施例中，可根據評估鄰近週期性結構或目標之橫截面判定堆疊差異參數。 在一實施例中，可針對複合光柵之下部鄰近光柵藉由在施加上部光柵之前評估該等下部鄰近光柵而判定堆疊差異參數。在一實施例中，可根據鄰近週期性結構或目標之光學量測或根據鄰近週期性結構或目標之橫截面而自鄰近週期性結構或目標之重建構導出堆疊差異參數。亦即，重建構實體尺寸、特性、材料屬性等等且判定鄰近週期性結構或目標之間的差異以獲得堆疊差異參數。 堆疊差異參數之一實施例為週期性結構強度不平衡性(GI)，其可被定義為：(8) 其中係由具有+ d 偏置之第一週期性結構繞射之+1繞射階強度信號與由具有+ d 偏置之第一週期性結構繞射之-1繞射階強度信號的平均值。相似地，係由具有-d 偏置之第二週期性結構繞射之+1繞射階強度信號與由具有- d 偏置之第二週期性結構繞射之-1繞射階強度信號的平均值。在一實施例中，週期性結構強度不平衡性(GI)可為經導出版本，諸如、等等 現在，面對結構不對稱性、堆疊差異及任何其他程序可變性時，將需要導出目標佈局、量測光束波長、量測光束偏振等等之組合，該組合將產生所要程序參數(例如，疊對)之準確量測及/或產生對程序可變性而言係穩固的所要程序參數的量測值。因此，將需要(例如)獲得目標量測參數組合之理想地最佳選擇，以便獲得較準確程序參數量測及/或產生對程序可變性而言係穩固的所要程序參數的量測值。 目標之量測準確性及/或敏感度可相對於目標自身之一或多個屬性及/或被提供至目標上之量測輻射之一或多個屬性(例如，輻射之波長、輻射之偏振及/或輻射之強度分佈(亦即，角度或空間強度分佈))而變化。在一實施例中，輻射之波長範圍限於選自一範圍(例如，選自為約400奈米至900奈米之範圍)的一或多個波長。此外，可提供輻射光束之不同偏振的選擇，且可使用(例如)複數個不同孔徑來提供各種照明形狀。 因此，為了實現此選擇及量測，可使用基板量測配方，該基板量測配方使用量測系統來指定量測之一或多個參數。在一實施例中，術語「基板量測配方」包括量測自身之一或多個參數、經量測之圖案之一或多個參數，或此兩者。 在此內容背景中，經量測之圖案(亦被稱作「目標」或「目標結構」)可為以光學方式進行量測(例如，量測繞射)的圖案。經量測之圖案可為專門針對量測目的予以設計或選擇的圖案。可將一目標之多個複本置放於基板上之許多地點上。舉例而言，可使用基板量測配方來量測疊對。在一實施例中，可使用基板量測配方來量測另一程序參數(例如，劑量、焦點、CD等等)。在一實施例中，基板量測配方可用於量測相對於現有圖案成像於基板上之圖案之層的對準；例如，基板量測配方可用以藉由量測基板之相對位置而將圖案化器件對準至基板。 在一實施例中，若基板量測配方包含量測自身之一或多個參數，則量測自身之一或多個參數可包括關於用以進行量測之量測光束及/或量測裝置的一或多個參數。舉例而言，若在基板量測配方中所使用的量測係以繞射為基礎之光學量測，則量測自身之一或多個參數可包括：量測輻射之波長；及/或量測輻射之偏振；及/或量測輻射強度分佈；及/或量測輻射相對於基板之照明角度(例如，入射角度、方位角度等等)；及/或相對於繞射量測輻射在基板上之圖案的相對定向；及/或目標之量測點或例項之數目；及/或經量測目標之例項在基板上的位置。量測自身之一或多個參數可包括在量測中所使用的度量衡裝置之一或多個參數，其可包括偵測器敏感度、數值孔徑等等。 在一實施例中，若基板量測配方包含經量測之圖案的一或多個參數，則經量測之圖案的一或多個參數可包括：一或多個幾何特性(諸如圖案之至少部分的形狀，及/或圖案之至少部分的定向，及/或圖案之至少部分的間距(例如，週期性結構之間距，包括在下部週期性結構之層上方的層中之上部週期性結構的間距及/或下部週期性結構的間距)，及/或圖案之至少部分的大小(例如，CD) (例如，週期性結構之特徵的CD，包括上部週期性結構及/或下部週期性結構之特徵的CD)，及/或圖案之特徵的分段(例如，將週期性結構之特徵劃分成諸多子結構)，及/或週期性結構或週期性結構之特徵的長度)；及/或圖案之至少部分的材料屬性(例如，折射率、消光係數、材料類型等等)；及/或圖案識別(例如，區分一圖案與另一圖案)等等。 可以一種形式表達基板量測配方，比如：，其中為量測之一或多個參數且為一或多個經量測圖案之一或多個參數。如應瞭解，n 及m 可為1。此外，基板量測配方並不需要具有量測之一或多個參數及一或多個經量測圖案之一或多個參數兩者；基板量測配方可僅具有量測之一或多個參數或僅具有一或多個經量測圖案之一或多個參數。 目標可經受使用兩個基板量測配方A及B進行的量測，例如，在量測目標所處之階段方面不同(例如，A在目標包含潛影結構時量測該目標，且B在目標不包含潛影結構時量測該目標)，及/或在基板量測配方之量測參數方面不同。基板量測配方A及B可至少在經量測目標方面不同(例如，A量測第一目標且B量測第二不同目標)。基板量測配方A及B可在其量測參數及目標量測方面不同。基板量測配方A及B甚至可不基於相同量測技術。舉例而言，配方A可基於以繞射為基礎之量測，且配方B可基於掃描電子顯微鏡(SEM)或原子力顯微法(AFM)量測。 因此，在一實施例中，為了判定將產生所要程序參數(例如，疊對)之準確量測及/或產生對程序可變性而言係穩固的所要程序參數之量測值的一或多個基板量測配方，可對照一或多個效能指示符而評估複數個基板量測配方以識別此等一或多個準確及/或穩固基板量測配方。 參看圖14，示意性地描繪用以判定一或多個基板量測配方之方法的實施例，該一或多個基板量測配方將產生所要程序參數(例如，疊對)之準確量測，及/或產生對程序可變性而言係穩固的所要程序參數的量測值。在此實例方法中，各自相對照量測光束波長(亦即，可自將用以量測目標之檢測裝置獲得的波長)之複數個不同值及偏振(亦即，可自將用以量測目標之檢測裝置獲得的偏振)之複數個不同值而評估複數個不同度量衡目標；目標、波長及偏振之每一特定組合對應於特定的基板量測配方。然而，該方法並不限於此。舉例而言，可使用該方法來評估除波長及偏振以外的其他或額外參數。作為另一實例，可使用該方法以僅評估單一目標(例如，對照複數個不同波長及偏振，對照單一偏振之複數個不同波長，對照複數個不同偏振之單一波長等等)。作為另一實例，可使用該方法來對照單一偏振之複數個不同波長評估複數個目標。作為另一實例，可使用該方法來對照單一波長之複數個不同偏振評估複數個目標。 此外，雖然按順序展示各種步驟，但不必按彼順序執行各種步驟。此外，無需執行所有步驟。舉例而言，可執行步驟中之一或多者。因此，可執行選自步驟之任何組合。 在1400處，執行對照複數個不同波長及針對複數個不同偏振(在此狀況下，為兩個偏振)而對單一目標之資料的第一分析。可以實驗方式獲得資料或自使用目標之生產量測獲得資料。舉例而言，可使用圖案化程序跨越基板印刷在考慮之中的目標之複數個例項，將針對該圖案化程序使用該目標，且接著在複數個不同設定(例如，不同波長、不同偏振等等)下運用適用檢測裝置量測每一例項。 可模擬由使用基板量測配方來量測目標引起的程序參數(例如，疊對、對準、聚焦)量測。在該模擬中，使用基板量測配方之參數及/或來判定(例如，由基板量測配方之參數及/或提供，或自基板量測配方之參數及/或判定)量測之一或多個參數。舉例而言，可藉由使用(例如)馬克士威求解程序及嚴密耦合波分析(RCWA)或藉由其他數學模型化根據基板量測配方之彼等參數而判定輻射與對應於基板量測配方之目標之間的相互作用。因此，可根據該相互作用判定使用目標及相關聯之基板量測配方進行預期的量測。因此，在特定情形中，舉例而言，為了判定產生強信號之目標，可使用量測程序之模擬器來獲得資料；模擬器可以數學方式導出將如何根據檢測裝置之量測技術(例如，以繞射為基礎之疊對量測)使用檢測裝置藉由(例如)計算將在(例如) 圖7之裝置之偵測器中量測的強度來量測具有特定特性之特定目標(例如，在間距、特徵寬度、材料類型等等方面指定的目標)。為了獲得穩固性資料，模擬器可在某範圍內(例如，至多10%改變、至多5%改變、至多2%改變、至多1%改變或至多0.5%改變)引入擾動以模仿程序變化(其可跨越基板擴展)。 因此，實驗方法或模擬可使用(例如)上文所描述之公式來產生諸如OV、K 等等之特定參數或指示符的值。 一種此類指示符係堆疊敏感度(SS) (亦認為是信號對比度)。堆疊敏感度可被理解為信號之強度隨著由於目標(例如，光柵)層之間的繞射之疊對改變而改變多少之量度。亦即，在疊對內容背景中，堆疊敏感度偵測疊對目標之上部週期性結構與下部週期性結構之間的對比度，且因此表示上部週期性結構與下部週期性結構之間的繞射效率之間的平衡。因此，其為量測之敏感度之實例量度。在一實施例中，堆疊敏感度係強度不對稱性與平均強度之間的比率。在一實施例中，可將堆疊敏感度公式化為SS =K L / IM ，其中L係使用者界定之常數(例如，在一實施例中，值L係20奈米及/或偏置d 之值)，且IM 係由目標繞射之量測光束的平均強度。在一實施例中，應最大化基板量測配方之堆疊敏感度。然而，已發現，使用具有最大堆疊敏感度之基板量測配方可非最佳的。舉例而言，堆疊敏感度最大之量測光束波長可對應於較低疊對敏感度及較差程序穩固性。 圖15及圖16中呈現基板量測配方資料之實例。資料可表示量測資料依據一或多個基板量測配方參數，詳言之，量測自身之一或多個參數(諸如量測光束之波長)而變化之相依性。在一實施例中，資料可表示量測資料(例如，經獲得以作為場資料(影像平面處)或光瞳資料(光瞳平面處)之強度)依據量測輻射波長而變化之振盪相依性。圖15為用於在單一偏振(在此狀況下，為線性X偏振)之各種波長下進行量測的目標之資料的實例曲線圖。曲線已擬合資料，且因此，此表示可被稱為擺動曲線。如應瞭解，無需產生曲線圖，此係因為僅可處理資料。圖16為用於在不同單一偏振(在此狀況下，為線性Y偏振)之各種波長下進行量測的同一目標之資料的曲線圖。在圖15及圖16中，用圖表示各種量測光束波長之堆疊敏感度及疊對敏感度。此外，雖然此處偏振為線性X及Y偏振，但其可為不同或額外的偏振(諸如左手側橢圓偏振輻射、右手側橢圓偏振輻射等等)。 在使用此資料的情況下，移除一或多個特定基板量測配方而不加以考慮，從而引起選擇基板量測配方之集合以供可能進一步考慮。在此狀況下，基板量測配方共用同一目標，但在量測輻射波長及量測輻射偏振方面不同。 現在，最初可消除特定波長，此係因為其超出特定目標之間距/波長限值。亦即，目標特徵之間距及量測輻射波長使得此組合處之量測將為低效的。在區1500中排除此等一或多個基板量測配方。 此選擇之另外態樣係選擇具有滿足或超越臨限值(亦即，在堆疊敏感度值之某範圍內)之堆疊敏感度(例如，自跨越基板之目標的複數個例項獲得的平均堆疊敏感度(可接著針對複數個基板進行判定))的彼等一或多個基板量測配方。在一實施例中，應最大化堆疊敏感度(但如上文所論述，不以其他指示符或參數為代價，且此外，可存在可影響程序變化之穩固性的下文所論述之堆疊敏感度的上限)。舉例而言，可選擇堆疊敏感度之絕對值大於或等於0.05的一或多個基板量測配方以供進一步考慮。當然，無需使用0.05。若在此狀況下數值較高，則將排除較多量測配方。因此，在此狀況下，堆疊敏感度數值相對較低。因此，將由此選擇態樣排除之彼等一或多個基板量測配方標記為區1510 (其中該等區大致對應於在此情形中檢測裝置可獲得的波長；在連續波長範圍係可獲得的且檢測裝置可精確地且穩定地調諧至該範圍內之任何波長的情況下，適用於圖15及圖16中之曲線的分析將較精確)。 視情況選用的額外準則係目標均方偏差(target sigma)之考慮因素。可將目標均方偏差(TS)理解為跨越目標所量測之複數個像素的經量測參數(例如，疊對)的統計變化。理論上，應藉由偵測器來量測每一像素以針對特定目標讀取相同參數值。然而，實務上，該等像素當中可存在變化。在一實施例中，目標均方偏差係呈標準偏差(standard deviation)形式或呈方差(variance)形式。因此，目標均方偏差之低值意謂跨越目標所量測之參數的所要低變化。目標均方偏差(TS)之高值可用信號發送印刷目標問題(例如，畸形光柵線)、污染物問題(例如，目標上之顯著粒子)、量測光束光點定位問題，及/或跨越目標之量測光束強度變化問題。 因此，此選擇之另外態樣可為選擇具有滿足或超越臨限值(亦即，在目標均方偏差值之某範圍內)之目標均方偏差(例如，自跨越基板之目標的複數個例項獲得的平均目標均方偏差(可接著針對複數個基板進行判定))的彼等一或多個基板量測配方。在一實施例中，應最小化目標均方偏差。舉例而言，可選擇目標均方偏差小於或等於10奈米的一或多個基板量測配方以供進一步考慮。當然，無需使用10奈米。若在此狀況下數值較低，則將排除較多基板量測配方。因此，在此狀況下，目標均方偏差數值相對較高。因此，將由此選擇態樣排除之彼等一或多個基板量測配方標記為區1515 (其中該等區大致對應於在此情形中檢測裝置可獲得的波長)。 此外，參考上文關於方程式(4)及(5)之論述，為了減小量測的疊對誤差，應選擇具有較大疊對敏感度K 之量測條件(例如，目標選擇、量測光束波長、量測光束偏振等等)的集合。因此，此選擇之另外態樣係選擇具有滿足或超越臨限值(亦即，在疊對敏感度值之某範圍內)之疊對敏感度(例如，自跨越基板之目標的複數個例項獲得的平均疊對敏感度(可接著針對複數個基板進行判定))的彼等一或多個基板量測配方。在一實施例中，應針對基板量測配方最大化疊對敏感度。舉例而言，可選擇疊對敏感度之絕對值在最高疊對敏感度之絕對值之範圍內的一或多個基板量測配方以供進一步考慮。舉例而言，範圍可在最高疊對敏感度值之35%內、30%內、25%內、20%內、15%內或10%內。舉例而言，可選擇在疊對敏感度值之局部最小值或最大值之範圍內的一或多個基板量測配方。舉例而言，範圍可在局部最小值或最大值之35%內、30%內、25%內、20%內、15%內或10%內。當然，可使用不同範圍。範圍愈高，保留的基板量測配方愈多。因此，將由此選擇態樣排除之彼等一或多個基板量測配方標記為區1520 (其中該等區大致對應於在此情形中檢測裝置可獲得的波長)。 因此，應保留一或多個基板量測配方(當然，若未保留基板量測配方，則可需要修改一或多個其他基板量測配方參數，例如，目標自身之一或多個參數)。在此實例中(其中檢測裝置提供特定波長)，剩餘的基板量測配方係如下基板量測配方：其中在450奈米、500奈米、520奈米、567奈米、580奈米及600奈米波長下用線性X偏振輻射來量測目標，且其中在450奈米、500奈米、580奈米、600奈米、610奈米、703奈米及728奈米波長下用線性Y偏振輻射來量測目標。此時，可輸出一或多個選定基板量測配方且將其用於量測操作中，且應產生相對較強量測信號。 在1410處，可進一步改進自1400選擇的複數個基板量測配方以選擇量測準確性增加的一或多個基板量測配方。在一實施例中，可使用一或多個各種效能指示符來應用一或多個另外臨限值。 在一實施例中，可藉由對照進一步更具限定性之臨限值評估堆疊敏感度來選擇一或多個基板量測配方之子集。舉例而言，可選擇堆疊敏感度之絕對值大於或等於0.13且小於或等於0.8的一或多個基板量測配方以供進一步考慮。當然，無需使用0.13及0.8。可使用上限 (在此實例中，為0.8)來避免選擇堆疊敏感度過高之基板量測配方，基板量測配方可能往往不會對於程序變化而言係穩固的。 在一實施例中，可藉由對照進一步更具限定性之臨限值評估目標均方偏差來選擇一或多個基板量測配方之子集。舉例而言，可選擇目標均方偏差小於或等於4奈米的一或多個基板量測配方以供進一步考慮。當然，無需使用4奈米。 在一實施例中，可藉由對照臨限值評估目標均方偏差變化來選擇一或多個基板量測配方之子集。目標均方偏差變化對應於跨越基板之目標的複數個例項之目標均方偏差的統計變化。在一實施例中，目標均方偏差變化係呈標準偏差形式或呈方差形式。在一實施例中，目標均方偏差變化係呈標準偏差形式，且可對照臨限值來評估目標均方偏差3σ。舉例而言，可選擇目標均方偏差3σ小於或等於1奈米的一或多個基板量測配方以供進一步考慮。當然，無需使用1奈米。在一實施例中，應最小化目標均方偏差變化。 在一實施例中，可藉由對照臨限值評估堆疊差異參數來選擇一或多個基板量測配方之子集。在一實施例中，堆疊差異參數包含光柵不平衡性(GI)。因此，舉例而言，可藉由對照臨限值評估光柵不平衡性(GI) (例如，自跨越基板之目標的複數個例項獲得的平均光柵不平衡性或光柵不平衡性之變化(例如，方差、標準偏差等等) (可接著針對複數個基板進行判定))來選擇一或多個基板量測配方之子集。舉例而言，可選擇光柵不平衡性小於或等於0.05或5%的一或多個基板量測配方以供進一步考慮。當然，無需使用0.05或5%。在一實施例中，最小化堆疊差異參數。 在一實施例中，可藉由對照臨限值評估自參考指示符(自跨越基板之目標的複數個例項獲得(可接著針對複數個基板進行判定))來選擇基板量測配方之子集。在一實施例中，自參考指示符係或涉及使用PCT專利申請公開案第WO 2015/018625號(其以全文引用的方式併入本文中)中描述的A+ 相對於A- 分析獲得的自參考效能參數(例如，疊對)。 本上下文中之A+ 相對於A- 分析將意謂針對具有正偏置(A+ )之週期性結構及具有負偏置(A- )之週期性結構之目標的複數個例項評估基板量測配方。因此，對於作為效能參數之疊對，針對基板量測配方中之每一者且針對目標之每一例項判定A+ 及A- ，且對照所判定的A- 之值評估所判定的A+ 之值以產生此資料之擬合，且與彼擬合相關的值對應於目標之例項的「真實」疊對。將針對目標之每一例項重複此操作以產生複數個自參考效能參數值。在一實施例中，對彼等複數個值取平均值以產生跨越基板之平均(average/mean)「真實」疊對(其中假定目標之每一例項意欲具有相同疊對)。 圖17為不具有特徵不對稱性之疊對光柵之A+ 相對於A- 的實例標繪圖，使得存在的僅有不對稱性係歸因於偏置及疊對之用以展示擬合的不對稱性。在此狀況下，A+ 與A- 之間的關係位於通過原點之直線上(此係因為未假定特徵不對稱性)。所有基板量測配方之對應的A+ 相對於A- 資料點位於此線上。此線之斜率(其為擬合)與「真實」疊對相關。圖17展示：被標註為OV=0之點線，其為指示零疊對且斜率為-1之線；被標註為OV∞ 之點線，其為斜率為+1且指示疊對接近無窮大之線；被標註為OV＜0之實線，其為斜率小於-1且指示疊對小於零之線；及被標註為OV＞0之實線，其為斜率大於-1且指示疊對大於零之線。另外，可看出，疊對等於+d (其中d為光柵偏置)將引起沿著y軸之標繪線；且疊對等於-d將引起沿著x軸之標繪線。 因此，A+ 相對於A- 回歸可產生「真實」疊對，此係因為藉由判定資料集之擬合線的斜率(該線未必擬合原點)，A+ 相對於A- 回歸將不具有可歸因於特徵不對稱性之貢獻。視情況，可經由擬合線自原點之偏移(例如，截距項)而判定特徵不對稱性。 此外，可針對目標之例項中的每一者以及針對每一基板量測配方判定疊對之實際量測值(其中假定目標之每一例項意欲具有相同疊對)。可以統計方式處理此等值以產生特定基板量測配方之疊對的平均值及統計變化(例如，標準偏差)。 接著，自參考指示符可為特定基板量測配方之「真實」疊對與疊對之量測值之間的比較。在一實施例中，自參考指示符係平均「真實疊對」與疊對之平均量測值加上3個標準差之間的差異，可對照臨限值進行評估(例如，若在此狀況下自參考指示符小於或等於3奈米，則將選擇基板量測配方，但可使用不同於3奈米之值)。因此，此自參考指示符有效地為跨越基板之殘留指紋。在一實施例中，應最小化自參考指示符。 因此，實際上，此技術涉及擬合跨越基板使用數個不同基板量測配方予以偵測之週期性結構(例如，經偏置疊對光柵)的不對稱性以產生「真實」程序參數(例如，疊對)的自參考指紋。接著將自參考「真實」程序參數(例如，疊對)與一或多個基板量測配方之程序參數(例如，疊對)的量測值相比較，以識別哪一或多個基板量測配方會產生接近於自參考指紋之結果以幫助確保使用彼等一或多個基板量測配方進行量測的準確性。 因此，在1410處，可進一步改進來自1400之複數個基板量測配方以選擇諸如圖18中所展示之彼等一或多個基板量測配方的一或多個基板量測配方，其中在500奈米、520奈米、567奈米及580奈米波長下用線性X偏振輻射來量測目標，且其中在580奈米、610奈米、703奈米及728奈米波長下用線性Y偏振輻射來量測目標。此時，可輸出一或多個選定基板量測配方且將其用於量測操作中，且應產生相對準確的量測結果。 在1420處，可進一步改進自1410選擇的複數個基板量測配方以選擇對程序變化之穩固性增加的一或多個基板量測配方。在一實施例中，可使用一或多個各種效能指示符來應用一或多個另外臨限值。 在一實施例中，可藉由對照臨限值評估穩固性指示符來選擇一或多個基板量測配方之子集。在一實施例中，可將穩固性指示符理解為針對跨越基板定位的目標之複數個例項跨越基板之參數變化的量度或表示敏感度的指示符(可接著針對複數個基板進行判定)。在一實施例中，可將穩固性指示符理解為針對跨越基板定位的目標之複數個例項跨越基板之疊對敏感度變化的量度(可接著針對複數個基板進行判定)。在一實施例中，穩固性指示符呈σK / |K M |之形式，其中σK 係跨越基板之疊對敏感度K 的統計變化(例如，標準偏差、方差)，且|K M |係跨越基板之疊對敏感度K 之絕對值的平均值(average/mean)。 參看圖18，描繪在1410中選擇之複數個基板量測配方的堆疊敏感度SS相對於穩固性指示符的圖形。因此，在一實施例中，可向穩固性指示符以及堆疊敏感度應用臨限值。在此實施例中，描繪實際上會產生若干穩固性區段之若干臨限值。 在一實施例中，第一臨限值係穩固性指示符之臨限值1800，例如，如圖18中所展示之0.25。因此，考慮穩固性指示符之值小於或等於0.25的任何基板量測配方以供選擇。如圖18中所展示，在1410中選定的所有基板量測配方適合於選擇為用於(例如)生產用途的基板量測配方。 在一實施例中，第二臨限值係穩固性指示符之臨限值1810，例如，如圖18中所展示之0.15。因此，考慮穩固性指示符之值小於或等於0.15的任何基板量測配方以供選擇。如圖18中所展示，在1410中選定的所有基板量測配方適合於選擇為用於(例如)生產用途的基板量測配方。 在一實施例中，第三臨限值係堆疊敏感度之臨限值1820，例如，如圖18中所展示之0.13。因此，考慮堆疊敏感度之值大於或等於0.13的任何基板量測配方以供選擇。如上文所提及，在1410中，先前可能已經應用堆疊敏感度之此選擇性臨限值，且因此，在1410中選定的所有量測配方可能已經合格。如圖18中所展示，在1410中選定的所有基板量測配方適合於選擇為用於(例如)生產用途的基板量測配方。 在一實施例中，第四臨限值係堆疊敏感度之臨限值1830，例如，如圖18中所展示之0.2。因此，考慮堆疊敏感度之值大於或等於0.2的任何基板量測配方以供選擇。如圖18中所展示，僅僅在1410中選定的基板量測配方之子集適合於在此限制下選擇為用於(例如)生產用途的基板量測配方。 且，因此，第一臨限值至第四臨限值界定用於選擇一或多個基板量測配方之區。超越第一臨限值及第三臨限值之第一區1840可界定其中若基板量測配方位於彼區域中，則其不可接受以供進一步考慮的區域。可將第二區1850界定為超越第二臨限值及第四臨限值但在第一臨限值及第三臨限值內。若基板量測配方位於彼區1850中，則其可仍然可接受以供進一步考慮。且，可將第三區1860界定為在第二臨限值及第四臨限值內。若基板量測配方位於彼區1850中，則其被視為可接受的以供進一步考慮。如所見，在圖18中，選定的基板量測配方係在區1850內，確切而言，其中在520奈米及567奈米波長下用線性X偏振輻射量測目標且其中在703奈米及728奈米下用線性Y偏振輻射量測目標的基板量測配方。舉例而言，獲得諸如疊對之參數之準確值的進一步改進係使用來自區1860之波長的組合。 視情況，選擇堆疊敏感度為至少0.25且小於或等於0.5之一或多個基板量測配方。 在一實施例中，穩固性指示符可呈σSS / |SS M |之形式，其中σSS 係跨越基板之堆疊敏感度SS 的統計變化(例如，標準偏差、方差) (可接著針對複數個基板進行判定)，且|SS M |係跨越基板之堆疊敏感度SS 之絕對值的平均值(average/mean)。 因此，在1420處，可進一步改進在1410中選定之基板量測配方以選擇一或多個基板量測配方，諸如如下基板量測配方：其中在520奈米及567奈米波長下用線性X偏振輻射來量測目標，且其中在703奈米及728奈米下用線性Y偏振輻射來量測目標。此時，可輸出一或多個選定基板量測配方且將其用於量測操作中，且應產生對於程序變化而言相對穩固的量測結果。 在1430處，可進一步改進來自1420之複數個基板量測配方以選擇基板量測配方。在一實施例中，可使用一或多個各種效能指示符來應用另外臨限值。 在一實施例中，可對照各別擺動曲線(或其相關聯資料)來重新評估來自1420之基板量測配方。詳言之，可評估一或多個指示符(諸如疊對敏感度及/或堆疊敏感度)是否穩定。在一實施例中，可評估指示符之導數。舉例而言，在指示符之導數的絕對值小於或等於5、小於或等於1、小於或等於0.5或小於或等於0.1的情況下，可將基板量測配方視為穩定(且選定)的。在一實施例中，可在基板量測配方之參數(例如，波長)之值的範圍內(例如，在10%內、5%內或1%內)評估導數(例如，在該範圍內之個別值、在該範圍內之導數的平均值等等)以查看導數是否超越臨限值。 因此，作為一實例，返回參看圖15且採用在520奈米下用線性X偏振輻射進行量測之目標的自1420選擇的基板量測配方，可看出，彼基板量測配方之堆疊敏感度的導數較高(例如，大於1)。此外，在基板量測配方之約518奈米至525奈米的範圍內(約520奈米)之堆疊敏感度的導數亦具有較高導數(例如，平均地且個別地大於1)。因此，可排除此基板量測配方，即使疊對敏感度之該導數可為可接受的亦如此。 與此對比，可看出，返回參看圖15且採用在567奈米下用線性X偏振輻射進行量測之目標的自1420選擇的基板量測配方，可看出，彼基板量測配方之堆疊敏感度的導數相對較低。相似地，疊對敏感度之導數亦相對較低。且因此，可選擇此基板量測配方。 在一實施例中，兩個或多於兩個指示符之導出值應相同或在彼此某範圍內(例如，在5%內、10%內、20%內或30%內)。舉例而言，若一個指示符(例如，堆疊敏感度)之導數係1，則另一指示符之導數應在0.95至1.05之範圍內(對於5%範圍)或在0.9及1.1之範圍內(對於10%範圍)等等。 此外，在1430處，展示視情況，可針對基板量測配方參數之不同集合重複一或多個步驟1400、1410、1420及/或1430，跨越在步驟1400、1410、1420及/或1430中評估的複數個基板量測配方維持該集合。舉例而言，在上文呈現之實例中，對照不同波長及偏振評估特定目標類型。因此，舉例而言，不同集合可為接著針對(例如)不同波長及偏振而在步驟1400、1410、1420及/或1430中評估的不同類型之目標(例如，在如上文所論述之一個或目標參數方面不同，諸如間距、特徵寬度、材料等等)。 在一實施例中，在不存在自步驟1400、1410、1420及/或1430識別之至少一個基板量測配方的情況下，可觸發該重複。即，可由使用者提供基板量測配方參數之一或多個新的不同集合(其各自跨越在步驟1400、1410、1420及/或1430中評估的複數個基板量測配方而進行維持)或進行計算(例如，藉由來自先前集合之內插或外推方法)。 在一實施例中，可針對基板量測配方參數之複數個選定的不同集合(其跨越在步驟1400、1410、1420及/或1430中評估的複數個基板量測配方而進行維持)執行該重複。可由使用者提供基板量測配方參數之不同集合(其各自跨越在步驟1400、1410、1420及/或1430中評估的複數個基板量測配方而進行維持)中的一或多個集合或進行計算(例如，藉由來自先前集合之內插或外推方法)。重複結果可為對僅一個基板量測配方之識別。或者，結果可為對複數個基板量測配方之識別，例如，與一個集合(例如，特定目標類型)相關聯的複數個基板量測配方，或複數個集合(例如，複數個不同目標類型)當中的兩個或多於兩個集合(例如，兩個或多於兩個目標類型)之至少一個基板量測配方。 因此，在1430處(是否存在如上文所論述之重複)，可輸出一或多個選定基板量測配方且將其用於量測操作中，且應產生相對準確且穩固的量測結果。 在1440處，在存在複數個基板量測配方的情況下，可接著共同或相對於每一集合而將基板量測配方分級。可接著輸出最高基板量測配方或在最高5個基板量測配方內或在最高10個基板量測配方內之基板量測配方且將其用於量測操作中，且應產生相對準確且穩固的量測結果。 在一實施例中，分級可基於識別如使用基板量測配方進行量測之程序參數(例如，疊對)與基板上之功能器件圖案的程序參數之值匹配的程度的匹配指示符。即，在一實施例中，匹配指示符提供如使用基板量測配方之目標進行量測的參數與功能器件圖案(對其而言，目標意欲判定參數值)之實際參數值之間的相關性。舉例而言，可經由使用基板量測配方進行的相關量測及使用(例如) SEM而量測之功能器件圖案的量測值來判定此相關性。 在一實施例中，分級可基於上文所識別之指示符或參數中的任一者或其組合。舉例而言，分級可基於堆疊敏感度(例如，在0.35至0.40之範圍內的堆疊敏感度)或穩固性指示符(例如，小於0.04的σK / |K M |)。在一實施例中，分級可基於上文所識別之指示符或參數中之兩者或多於兩者的組合(其中視情況對該組合中之指示符或參數進行不同加權) 。 因此，在1440處，可輸出一或多個選定基板量測配方且將其用於量測操作中，且應產生相對準確且穩固的量測結果。 在一實施例中，可使用該等參數或指示符中之一或多者(例如，堆疊差異參數)來導出(例如)使用目標對所關注參數(諸如疊對、CD、聚焦、劑量等等)進行的經校正量測。可在藉由圖案化程序產生、限定、驗證等等(例如)器件時自然地使用經校正量測。另外或替代地，可將該等參數或指示符(或自堆疊差異參數導出之參數，諸如經校正量測)中之一或多者用於以下各者中：基板量測配方之設計(重新設計) (例如，在目標中，諸如對設計佈局作出改變)；形成目標之程序(例如，對材料、印刷步驟或條件等等作出改變)；量測條件之公式化(例如，在量測光束之波長、偏振、照明模式等等方面對光學量測公式做出改變)等等。 在一實施例中，可將該等參數或指示符中之一或多者(例如，堆疊差異參數)用於目標之光學量測的模擬中，以導出(例如)所關注參數(諸如疊對、CD、聚焦、劑量等等)之經校正模擬量測。舉例而言，可將該等參數或指示符中之一或多者(例如，堆疊差異參數)用以校正數學模型，例如，用以模擬圖案化程序之至少部分、模擬量測程序之至少部分等等。 在一實施例中，提供一種識別所要目標設計及目標設計與量測參數之所要組合的方法。一旦經識別，該(該等)組合就可用於執行度量衡量測中。如上文所提及，目標設計可以數種方式變化。舉例而言，可存在諸如臨界尺寸、側壁角或間距之一或多個參數之變化。因此，可評估數個候選目標設計，每一候選目標設計展示此等參數中之一或多者之變化。此外，量測參數可在波長、偏振等等方面變化。 因此，在一實施例中，可對各種基板量測配方之參數空間取樣以識別候選基板量測配方，且接著經由本文中所描述之方法中的一或多者來識別該基板量測配方是否合適。可使用基板量測配方參數之內插及/或外推(例如，基於本文中之評估結果)來選擇基板量測配方候選者。因此，可評估眾多基板量測配方，每一配方展示一或多個適用參數之變化。 因此，在一實施例中，提供一種針對度量衡對基板量測配方進行最佳選擇的方法。在一實施例中，該方法產生準確且穩固的基板量測配方。在一實施例中，使用將量測資料來執行最佳化。在一實施例中，使用經模擬資料來執行最佳化。在一實施例中，使用經模擬資料及經量測資料兩者來執行最佳化。 因此，在一實施例中，可在指示符或參數中之一或多者(例如，堆疊差異、疊對敏感度等等)方面最佳化基板量測配方。可在最佳化中調整基板量測配方之參數中的一些或全部。舉例而言，可調整目標之一或多個參數及/或量測之一或多個參數。最佳化可使用表示度量之成本函數，該度量表示指示符(例如，複數個指示符)中之一或多者。舉例而言，可如上文所提及而最大化或最小化每一適用指示符，從而經受任何適用約束。 在程序或裝置之最佳化中，可將優值表示為成本函數。最佳化程序歸結為發現最佳化(例如，最小化或最大化)成本函數的一組系統參數(設計變數)的最佳化程序歸結為發現系統之參數(設計變數)集合的程序或最佳化(例如，最小化或最大化)成本函數的程序。成本函數可取決於最佳化之目的而具有任何合適形式。舉例而言，成本函數可為程序及/或系統之某些特性相對於此等特性之預期值(例如，理想值)的偏差之經加權均方根(RMS)；成本函數亦可為此等偏差(亦即，最差偏差)之最大值。歸因於程序及/或系統之實施的實務性，設計變數可限於有限範圍及/或可相互相依。在量測程序的狀況下，約束常常與硬體之物理屬性及特性、量測步驟及/或圖案化步驟(諸如硬體之可調諧範圍及/或目標可製造性設計規則)相關聯。 作為一實例，可將成本函數表達為(9) 其中為N 個設計變數或其值。可為設計變數之函數，諸如表示設計變數之值之集合的對應於特定基板量測配方的指示符或參數(例如，堆疊差異、疊對敏感度等等)中之一或多者的度量。因此更一般而言，可為特性化相關聯之基板量測配方之效能(例如，敏感度、穩固性(即，使用基板量測配方進行之量測的結果在擾動下變化多少)等等)的度量。雖然可對應於單一，但在一實施例中，為之組合，其中每一特性化選自以下各者之一或多者：堆疊敏感度、疊對敏感度、自參考指示符、穩固性指示符、目標均方偏差等等。可如上文所論述而最佳化每一參數或指示符(例如，最大化堆疊敏感度、最大化疊對敏感度等等)，且每一參數或指示符可經受一或多個約束(例如，特定地板)。為與相關聯之權重常數，且當然可針對不同具有不同值。當然，不限於方程式1中之形式。可呈任何其他合適形式。 因此，在一實施例中，成本函數可包括準確性及穩固性兩者之一或多個效能指示符或參數。在一實施例中，成本函數之形式可相同或相似於以下方程式：(10) 其中為準確性之一或多個效能指示符或參數(例如，疊對敏感度)，為穩固性之一或多個效能指示符或參數(例如，穩固性指示符)，且W1及W2為加權係數。在此格式的情況下，以數學方式使準確性及穩固性兩者共同最佳化。若希望準確性較好，則W1將大於W2。 在一實施例中，設計變數包含目標之一或多個特性/參數。舉例而言，設計變數可包括一或多個幾何特性(例如，目標之週期性結構之特徵的間距、目標之週期性結構之特徵的CD (例如，經曝光部分及/或未經曝光部分之寬度)、圖案之週期性結構之個別特徵的分段、週期性結構之至少部分的形狀、週期性結構或週期性結構之特徵的長度等等)及/或一或多個材料屬性(例如，目標之層的折射率、目標之層的消光係數等等)。在一實施例中，設計變數包括目標之複數個特性/參數。在一實施例中，設計變數可包括量測自身之任何可調整參數。舉例而言，設計變數可包括基板量測配方中指定之波長、偏振及/或光瞳形狀。 在一實施例中，可引入及評估/最佳化設計變數之初始值之多個集合(「種子」)。舉例而言，可存在小於或等於500個種子、小於或等於200個種子、小於或等於100個種子，或小於或等於50個種子。 可藉由以不同種子開始而重複最佳化。初始值可為隨機的(蒙特卡洛(Monte Carlo)方法)，或可由使用者供應。種子可在由設計變數橫跨之值空間中均勻地間隔。以不同種子開始最佳化會減小被截留至局部極值的機會。 另外，為了利用平行計算，可獨立地引入及評估/最佳化多個不同種子以增大找到最佳值的機會。因此，可使用多個種子以導出各別最佳值，自該等最佳值可選擇最佳候選者。 設計變數可具有約束，該等約束可被表達為 ，其中為設計變數之可能值集合。約束可(例如)針對目標設計之一或多個幾何特性(例如，指定最終目標設計之特定幾何特徵必須處於由適用程序設計規則設定之邊界內之一或多個設計規則)及/或(例如)由用以運用量測配方量測目標之量測裝置設定之尺寸要求。 此外，在一實施例中，引入懲罰函數以自動地將成本函數限制在一或多個度量之所要範圍內。舉例而言，對設計變數之一個可能約束可為：與根據目標設計之相關聯配方而對目標設計之量測相關聯的效能(例如，準確性、穩固性等等)可不超越相關聯的臨限值或必須超越相關聯的臨限值。在無此約束的情況下，最佳化可得到會得到過弱信號或過於不穩定的基板量測配方。在一實施例中，懲罰函數包含對目標之特性(例如，目標之幾何特性)之約束。舉例而言，懲罰函數可將堆疊敏感度約束至(例如) 0.2與0.8之間。在彼狀況下，在一實施例中，堆疊敏感度之懲罰函數可為或可包含如下形式：P(x) = c * ((max(0,0.2-x))2 + (max (0,x - 0.8))2 )，其中c為常數且值0.2及0.8可不同。然而，約束及懲罰函數之有用性不應將其解譯為具必要性。 因此，最佳化程序係為了在視情況選用的約束下找到一或多個設計變數之值的集合及經受視情況選用的懲罰函數，其最佳化成本函數，例如，以找到：(11) 根據一實施例，圖19中說明最佳化之通用方法。此方法包含定義如上文所論述之複數個設計變數之多變數成本函數的步驟1302。舉例而言，在一實施例中，設計變數包含目標設計及/或量測之一或多個特性/參數。在步驟1304中，同時地調整設計變數以使得成本函數移動朝向收斂。在步驟1306中，判定是否滿足預定義終止條件。預定終止條件可包括各種可能性，例如選自以下各者之一或多者：視需要藉由所用之數值技術最小化或最大化成本函數，成本函數之值等於臨限值或超越臨限值，成本函數之值達到預設誤差極限內，及/或達到預設數目次反覆。若在步驟1306中滿足條件，則方法結束。若在步驟1306中未滿足一或多個條件，則反覆重複步驟1304及1306直至獲得所要結果為止。最佳化未必導致用於一或多個設計變數之值之單一集合，此係因為可存在實體抑制。最佳化可提供用於一或多個設計變數之值之多個集合且允許使用者拾取一或多個集合。 可交替地調整設計變數(被稱作交替最佳化)或同時地調整設計變數(被稱作同時最佳化)。如本文中所使用之術語「同時的」、「同時地」、「聯合的」及「聯合地」意謂設計變數皆被允許同時改變。如本文中所使用之術語「交替的」及「交替地」意謂並非所有設計變數皆被允許同時改變。 在圖19中，同時地執行所有設計變數之最佳化。此流程可被稱為同時流程或共同最佳化流程。替代地，交替地執行所有設計變數之最佳化，如圖20中所說明。在此流程中，在每一步驟中，使一些設計變數固定，而最佳化其他設計變數以最佳化成本函數；接著，在下一步驟中，使不同變數集合固定，而最佳化其他變數集合以最小化或最大化成本函數。交替地執行此等步驟，直至滿足收斂或某一終止條件為止。如圖20之非限制性實例流程圖中所展示，在步驟2004中，其中調整設計變數之第一群組(例如，目標設計之一或多個參數)以最小化或最大化成本函數，而使設計變數之第二群組(例如，目標之一或多個其他參數或量測之一或多個參數)固定。接著在下一步驟2006中，調整設計變數之第二群組以最小化或最大化成本函數，而使設計變數之第一群組固定。交替地執行此兩個步驟，直至在步驟2008中滿足某一終止條件為止。可使用一或多個各種終止條件，諸如，成本函數之值變得等於臨限值、成本函數之值超越臨限值、成本函數之值達到預設誤差極限內、達到預設數目次反覆等等。最後，在步驟2010中獲得最佳化結果之輸出，且程序停止。 有利地，本文中所描述之最佳化程序實現堆疊調諧，諸如變更度量衡目標之一或多個材料層、幾何特性等等，以達成特定圖案化程序之準確且穩固的量測。 圖21展示說明其中基板量測配方用以監視效能且用作控制度量衡、設計及/或生產程序之基礎之程序的流程圖。在步驟D1中，根據適用基板量測配方處理基板以產生如本文中所描述之產品特徵及一或多個度量衡目標。在步驟D2處，使用(若適用)基板量測配方之一或多個量測參數來量測圖案化程序參數(例如，疊對)值，及使用例如圖6或圖10之方法進行計算，以及視情況，使用不對稱性及/或堆疊差異參數進行校正。在視情況選用的步驟D3處，可使用經量測圖案化程序參數(例如，疊對)值(連同可供使用的其他資訊一起)來更新基板量測配方(例如，使用如本文中所描述之方法來改變波長)。經更新度量衡配方用於重新量測圖案化程序參數及/或用於量測關於隨後經處理基板之圖案化程序參數。以此方式，所計算之圖案化程序參數之準確性得以改良。可視需要自動化更新程序。在步驟D4中，使用圖案化程序參數值來更新控制器件製造程序中之微影圖案化步驟及/或其他程序步驟之配方以用於重工及/或用於處理另外基板。再次，可視需要使此更新自動化。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：對照堆疊敏感度及疊對敏感度，評估複數個基板量測配方以用於量測使用一圖案化程序進行處理之一度量衡目標；及自該複數個基板量測配方選擇該堆疊敏感度之一值滿足或超越一臨限值且該疊對敏感度之一值在該疊對敏感度之一最大值或最小值的某一有限範圍內的一或多個基板量測配方。 在一實施例中，該方法進一步包含對照目標均方偏差評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該目標均方偏差的一值滿足或超越一臨限值。在一實施例中，該方法進一步包含對照表示跨越該基板之一敏感度參數之統計變化的一穩固性指示符評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該穩固性指示符的一值滿足或超越一臨限值。在一實施例中，該穩固性指示符表示跨越該基板之疊對敏感度之統計變化除以跨越該基板之疊對敏感度之絕對值的平均值。在一實施例中，該方法進一步包含對照堆疊敏感度評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該堆疊敏感度的一值滿足或超越一更具限定性臨限值。在一實施例中，該方法進一步包含對照一堆疊差異參數評估該複數個基板量測配方，該堆疊差異參數表示該度量衡目標之鄰近週期性結構之間或該度量衡目標與該基板上之另一鄰近目標之間的實體組態之一未經設計差異，且該所選擇一或多個基板量測配方之該堆疊差異參數的一值滿足或超越一臨限值。在一實施例中，該堆疊差異參數包含一週期性結構強度不平衡性。在一實施例中，該週期性結構強度不平衡性係依據以下各者而變化：(i)來自一第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度與來自一第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度之間的差；及(ii)來自該第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度與來自該第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度的相加。在一實施例中，來自該第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射的該平均強度對應於+n階輻射，且來自該第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射的該平均強度對應於-n階輻射，其中n為大於或等於1之一整數。在一實施例中，該方法進一步包含對照一自參考指示符評估該複數個基板量測配方，該自參考指示符涉及自一第一週期性結構之不對稱性資料相對於一第二週期性結構之不對稱性資料之間的一擬合而判定的一程序參數值，且該所選擇一或多個基板量測配方之該自參考指示符的一值滿足或超越一臨限值。在一實施例中，該自參考指示符涉及該程序參數值與該程序參數之量測值之至少一平均值的一比較。在一實施例中，該自參考指示符涉及該程序參數值與該程序參數之量測值的一平均值及該程序參數之該等量測值之標準偏差的三倍之一組合的一比較。在一實施例中，該評估包含：計算一多變數成本函數，該多變數成本函數表示特性化該堆疊敏感度及疊對敏感度疊對敏感度之一度量，該度量係來自該基板量測配方之複數個參數的一函數；以及調整該等參數中之一或多者及計算具有該經調整一或多個設計參數之成本函數，直至滿足某一終止條件為止。在一實施例中，該等基板量測配方中之每一者依據波長而不同。在一實施例中，該評估包含獲得根據該等基板量測配方中之每一者使用檢測裝置進行之該度量衡目標之量測。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：對照表示跨越該基板之一敏感度參數之統計變化的一穩固性指示符，評估複數個基板量測配方以用於量測一基板上使用一圖案化程序進行處理之一度量衡目標；及自該複數個基板量測配方選擇該穩固性指示符滿足或超越一臨限值的一或多個基板量測配方。在一實施例中，該穩固性指示符表示跨越該基板之疊對敏感度之統計變化除以跨越該基板之疊對敏感度之絕對值的平均值。在一實施例中，該方法進一步包含對照堆疊敏感度評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該堆疊敏感度的一值滿足或超越一臨限值。在一實施例中，該方法進一步包含對照疊對敏感度評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該疊對敏感度的一值在該疊對敏感度之一最大值或最小值的某一有限範圍內。在一實施例中，該方法進一步包含對照一堆疊差異參數評估該複數個基板量測配方，該堆疊差異參數表示該度量衡目標之鄰近週期性結構之間或該度量衡目標與該基板上之另一鄰近目標之間的實體組態之一未經設計差異，且該所選擇一或多個基板量測配方之該堆疊差異參數的一值滿足或超越一臨限值。在一實施例中，該堆疊差異參數包含一週期性結構強度不平衡性。在一實施例中，該週期性結構強度不平衡性係依據以下各者而變化：(i)來自一第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度與來自一第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度之間的差；及(ii)來自該第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度與來自該第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度的相加。在一實施例中，來自該第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射的該平均強度對應於+n階輻射，且來自該第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射的該平均強度對應於-n階輻射，其中n為大於或等於1之一整數。在一實施例中，該方法進一步包含對照一自參考指示符評估該複數個基板量測配方，該自參考指示符涉及自一第一週期性結構之不對稱性資料相對於一第二週期性結構之不對稱性資料之間的一擬合而判定的一程序參數值，且該所選擇一或多個基板量測配方之該自參考指示符的一值滿足或超越一臨限值。在一實施例中，該自參考指示符涉及該程序參數值與該程序參數之量測值之至少一平均值的一比較。在一實施例中，該自參考指示符涉及該程序參數值與該程序參數之量測值的一平均值及該程序參數之該等量測值之標準偏差的三倍之一組合的一比較。在一實施例中，該方法進一步包含對照目標均方偏差評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該目標均方偏差的一值滿足或超越一臨限值。 在一實施例中，提供一種方法，其包含：對照一堆疊差異參數，評估複數個基板量測配方以用於量測一基板上使用一圖案化程序進行處理之一度量衡目標，該堆疊差異參數表示該度量衡目標之鄰近週期性結構之間或該度量衡目標與該基板上之另一鄰近目標之間的實體組態之一未經設計差異；及自該複數個基板量測配方選擇該堆疊差異參數滿足或超越一臨限值的一或多個基板量測配方。 在一實施例中，該堆疊差異參數包含一週期性結構強度不平衡性。在一實施例中，該週期性結構強度不平衡性係依據以下各者而變化：(i)來自一第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度與來自一第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度之間的差；及(ii)來自該第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度與來自該第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度的相加。在一實施例中，來自該第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射的該平均強度對應於+n階輻射，且來自該第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射的該平均強度對應於-n階輻射，其中n為大於或等於1之一整數。在一實施例中，該方法進一步包含對照堆疊敏感度評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該堆疊敏感度的一值滿足或超越一臨限值。在一實施例中，該方法進一步包含對照疊對敏感度評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該疊對敏感度的一值在該疊對敏感度之一最大值或最小值的某一有限範圍內。在一實施例中，該方法進一步包含對照目標均方偏差評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該目標均方偏差的一值滿足或超越一臨限值。在一實施例中，該方法進一步包含對照表示跨越該基板之一敏感度參數之統計變化的一穩固性指示符評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該穩固性指示符的一值滿足或超越一臨限值。在一實施例中，該穩固性指示符表示跨越該基板之疊對敏感度之統計變化除以跨越該基板之疊對敏感度之絕對值的平均值。在一實施例中，該方法進一步包含對照一自參考指示符評估該複數個基板量測配方，該自參考指示符涉及自一第一週期性結構之不對稱性資料相對於一第二週期性結構之不對稱性資料之間的一擬合而判定的一程序參數值，且該所選擇一或多個基板量測配方之該自參考指示符的一值滿足或超越一臨限值。在一實施例中，該自參考指示符涉及該程序參數值與該程序參數之量測值之至少一平均值的一比較。在一實施例中，該自參考指示符涉及該程序參數值與該程序參數之量測值的一平均值及該程序參數之該等量測值之標準偏差的三倍之一組合的一比較。 雖然上文所揭示之實施例在以繞射為基礎之疊對量測(例如，使用圖7A中所展示之裝置之第二量測分支進行的量測)方面予以描述，但原則上同一模型可用於以光瞳為基礎之疊對量測(例如，使用圖7A中所展示之裝置之第一量測分支進行的量測)。因此，應瞭解，本文中所描述之概念同樣適用於以繞射為基礎之疊對量測及以光瞳為基礎之疊對量測。 雖然主要已在用以量測疊對之疊對目標方面描述了本文中所描述之度量衡目標及程序參數的實施例，但可使用本文中所描述之度量衡目標的實施例來量測一或多個額外或替代圖案化程序參數。舉例而言，度量衡目標可用以量測曝光劑量變化、量測曝光焦點/散焦、量測CD等等。此外，此處之描述(在適當時具有修改)亦可應用於使用對準標記之微影裝置中的基板及/或圖案化器件對準。相似地，可判定用於對準量測之適相似地，可判定用於對準量測之適當配方。 因此，雖然所關注效能參數係疊對，但可使用本文中所描述之方法來判定圖案化程序之效能的其他參數(例如，劑量、聚焦、CD等等)。可回饋(或前饋)效能參數(例如，疊對、CD、聚焦、劑量等等)以用於改良圖案化程序、改良目標，及/或用以改良本文中所描述之模型化、量測及計算程序。 雖然上文所描述之目標結構為出於量測之目的而特定地設計及形成之度量衡目標，但在其他實施例中，可在為形成於基板上之器件之功能性部分的目標上量測屬性。許多器件具有類似於光柵的規則週期性結構。如本文中所使用之目標之術語「目標」、「光柵」或「週期性結構」無需使已針對正被執行之量測具體提供適用結構。另外，度量衡目標之間距P接近於量測工具之光學系統之解析度極限，但可比目標部分C中藉由圖案化程序製得的典型產品特徵之尺寸大得多。實務上，可使週期性結構之特徵及/或空間包括在尺寸方面相似於產品特徵之較小結構。 與如在基板及圖案化器件上實現的目標之實體結構相關聯地，一實施例可包括含有機器可讀指令之一或多個序列及/或函數資料之電腦程式，函數資料描述目標設計、描述設計用於基板之目標之方法、描述在基板上產生目標之方法、描述量測基板上之目標之方法及/或描述分析量測以獲得關於圖案化程序之資訊之方法。可(例如)在圖7之裝置中之單元PU內及/或圖2之控制單元LACU內執行此電腦程式。亦可提供一種在其中儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)。在(例如)圖7中所展示之類型的現有檢測裝置已經在生產中及/或在使用中的情況下，一實施例可藉由提供經更新電腦程式產品以使得處理器執行本文中所描述之方法中的一或多者而實施。程式可視情況經配置以控制光學系統、基板支撐件及其類似者以執行量測對合適複數個目標之圖案化程序之參數的方法。程式可更新微影及/或度量衡配方以用於量測另外基板。程式可經配置以控制(直接或間接地)微影裝置以用於圖案化及處理另外基板。 此外，本文中已關於以繞射為基礎之度量衡而描述實施例，該以繞射為基礎之度量衡(例如)自來自繞射階之強度量測重疊週期性結構之相對位置。然而，本文中之實施例可應用於(在需要時具有適當修改)以影像為基礎之度量衡，該以影像為基礎之度量衡(例如)使用目標之高品質影像來量測自層1中之目標1至層2中之目標2之相對位置。通常此等目標為週期性結構或「盒」(盒中盒(BiB))。 如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂調整圖案化程序之裝置及/或程序，其可包括調整微影程序或裝置，或調整度量衡程序或裝置(例如，目標、量測工具等等)，使得優值具有較理想值(諸如量測值)，圖案化及/或器件製造結果及/或程序具有一或多個所要特性：設計佈局在基板上之投影較準確，程序窗較大等等。因此，最佳化(optimizing/optimization)係指或意謂識別用於一或多個設計變數之一或多個值之程序提供相比於設計變數之值之初始集合的優值之改良(例如，局部最佳)。應相應地解釋「最佳」及其他相關術語。在一實施例中，可反覆地應用最佳化步驟以提供一或多個優值之進一步改良。 面對僅歸因於結構不對稱性而區分強度值時，找到由(例如)被置放成與度量衡目標(諸如用以提供疊對值之目標)緊密近接之單一光柵形成的結構以提供有益校正。同時量測僅僅結構(例如，存在於圖11中之僅L1中的光柵)之結構不對稱性(因此，無如圖11之L2中所描繪的頂部光柵)與度量衡目標，此係因為該兩者皆具有適合於允許包括於量測光點中的尺寸。偵測到源自僅結僅構之結構不對稱性的強度不對稱性(度量衡目標提供包含結構不對稱性及疊對誤差或不對稱性兩者之強度值)允許校正自度量衡目標獲得的疊對值。 用以監視源自與結構不對稱性相關之散射的強度之貢獻的有利方法包含：同時地偵測到自包含重疊光柵之度量衡目標散射的強度及自僅僅目標之結構不對稱性散射的強度；計算與由結構不對稱性散射之強度成比例的值，其中該計算係由對應繞射階散射之強度的相加。 與由結構不對稱性結構(諸如目標僅包含底部光柵)散射之強度成比例的值(其中該值係藉由對應繞射階散射之強度的相加而獲得)提供以下另外優點：校準及校正疊對度量衡設置；提供關於疊對度量衡之準確性的估計；提供關於微影程序之其他所關注參數的另外估計，例如，微影設施內之微影步驟的程序改變。 使用與對應繞射階之強度之求和成比例之值的另外優點為：在「奈米」值中計算比例因數，其提供源自僅僅目標之結構不對稱性的強度值。此轉換有益於比較、監視及校正微影程序或度量衡配方設置或度量衡程序自身。 本發明之一實施例可呈以下形式：電腦程式，其含有描述如本文中所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其中儲存有此電腦程式。此外，可以兩個或多於兩個電腦程式來體現機器可讀指令。該等兩個或多於兩個電腦程式可儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。 可在控制系統中實施本文中所揭示之一或多個態樣。本文中所描述之任何控制系統可在一或多個電腦程式係由位於裝置之至少一個組件內之一或多個電腦處理器讀取時各自或組合地可操作。控制系統可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與控制系統中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器或控制系統可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令的電腦程式之一或多個處理器。控制系統可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，控制系統可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明之實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形界定創製於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，波長為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米)及極紫外線(EUV)輻射(例如，波長介於5至20奈米的範圍內)，以及諸如離子束或電子束之粒子束。 術語「透鏡」在內容背景允許的情況下可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 對特定實施例之前述描述揭露本發明之實施例之一般性質使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於(例如)描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。 本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
0‧‧‧繞射射線/零階射線
+1‧‧‧繞射射線/一階射線
+1(N)‧‧‧+1繞射射線
-1‧‧‧繞射射線/一階射線
-1(S)‧‧‧-1繞射射線
2‧‧‧寬頻帶輻射投影儀/輻射源/照明配置/目標
4‧‧‧光譜儀偵測器
10‧‧‧光譜
11‧‧‧源
12‧‧‧透鏡
13‧‧‧孔徑板
13N‧‧‧孔徑板
13NW‧‧‧孔徑板
13S‧‧‧孔徑板
13SE‧‧‧孔徑板
14‧‧‧透鏡
15‧‧‧光學元件
16‧‧‧物鏡/透鏡
17‧‧‧光束分裂器
18‧‧‧光學系統
19‧‧‧第一感測器/光瞳平面影像感測器
20‧‧‧光學系統
21‧‧‧孔徑光闌/場光闌
22‧‧‧光學系統
23‧‧‧影像感測器
30‧‧‧目標
30'‧‧‧目標圖案/目標
31‧‧‧量測光點/照明光點
32‧‧‧週期性結構
33‧‧‧週期性結構
34‧‧‧週期性結構
35‧‧‧週期性結構
41‧‧‧圓形區域
42‧‧‧矩形區域/影像
43‧‧‧矩形區域/影像
44‧‧‧矩形區域/影像
45‧‧‧矩形區域/影像
108‧‧‧輻射分佈
110‧‧‧焦平面
120‧‧‧透鏡系統/照明配置
130‧‧‧干涉濾光器/照明配置
140‧‧‧參考鏡面
150‧‧‧物鏡/透鏡系統/目標
160‧‧‧部分反射表面
170‧‧‧偏振器/照明配置
180‧‧‧偵測器
206‧‧‧參數化模型
208‧‧‧輻射分佈
210‧‧‧數值馬克士威求解程序
212‧‧‧區塊
600‧‧‧目標
602‧‧‧特徵
604‧‧‧空間
606‧‧‧基板
608‧‧‧特徵
610‧‧‧空間
702‧‧‧曲線
704‧‧‧點
706‧‧‧點
712‧‧‧曲線
1302‧‧‧步驟
1304‧‧‧步驟
1306‧‧‧步驟
1400‧‧‧步驟
1410‧‧‧步驟
1420‧‧‧步驟
1430‧‧‧步驟
1440‧‧‧步驟
1500‧‧‧區
1510‧‧‧區
1515‧‧‧區
1520‧‧‧區
1800‧‧‧臨限值
1810‧‧‧臨限值
1820‧‧‧臨限值
1830‧‧‧臨限值
1840‧‧‧第一區
1850‧‧‧第二區
1860‧‧‧第三區
2004‧‧‧步驟
2006‧‧‧步驟
2008‧‧‧步驟
2010‧‧‧步驟
A‧‧‧強度不對稱性
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
d‧‧‧距離
+d‧‧‧偏置
-d‧‧‧偏置
DE‧‧‧顯影器
D1‧‧‧步驟
D2‧‧‧步驟
D3‧‧‧步驟
D4‧‧‧步驟
h‧‧‧高度
I‧‧‧量測輻射射線/入射射線
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明光學系統/照明器
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
k0‧‧‧強度移位項
L1‧‧‧下部或底部層
L2‧‧‧層
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧圖案化器件支撐件或支撐結構
N‧‧‧北
O‧‧‧光軸
OV‧‧‧疊對
OVE‧‧‧疊對誤差
P‧‧‧間距/週期
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影光學系統
PU‧‧‧處理器/單元/影像處理器及控制系統
PW‧‧‧第二定位器
RO‧‧‧基板處置器或機器人
S1‧‧‧步驟
S2‧‧‧步驟
S3‧‧‧步驟
S4‧‧‧步驟
S5‧‧‧步驟
S6‧‧‧步驟
S‧‧‧照明光點/南
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
t‧‧‧厚度
T‧‧‧度量衡目標
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
w‧‧‧寬度
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
α‧‧‧側壁角
現在將參考隨附圖式而僅借助於實例來描述實施例，在該等圖式中： 圖1描繪微影裝置之實施例； 圖2描繪微影製造單元或叢集之實施例； 圖3示意性地描繪實例檢測裝置及度量衡技術； 圖4示意性地描繪實例檢測裝置； 圖5說明檢測裝置之照明光點與度量衡目標之間的關係； 圖6示意性地描繪基於量測資料導出複數個所關注變數之程序； 圖7A描繪經組態以使用第一對照明孔徑來量測目標之檢測裝置(例如，在此狀況下為暗場散射計)的示意圖； 圖7B示意性地描繪給定照明方向之目標週期性結構之繞射光譜的細節； 圖7C示意性地描繪在將圖7A之檢測裝置用於以繞射為基礎之疊對量測時提供另外照明模式的第二對照明孔徑； 圖7D示意性地描繪組合第一對孔徑及第二對孔徑之第三對照明孔徑； 圖8描繪基板上之多重週期性結構目標之形式及量測光點之輪廓； 圖9描繪在圖7A之檢測裝置中獲得的圖8之目標的影像； 圖10為展示使用圖3之檢測裝置之疊對量測方法之步驟的流程圖； 圖11A、圖11B及圖11C分別展示具有為大約零之不同疊對值之疊對週期性結構的示意性橫截面； 圖11D為歸因於處理效應而在底部週期性結構中具有結構不對稱性之疊對週期性結構的示意性橫截面； 圖12說明未經受結構不對稱性之理想目標中之疊對量測的原理； 圖13說明非理想目標中之疊對量測的原理，其具有如本文中之實施例中所揭示之結構不對稱性的校正； 圖14為根據一實施例之方法之步驟的流程圖； 圖15為用於在各種波長下針對單一偏振(在此狀況下，為線性X偏振)進行量測之目標之疊對敏感度的曲線圖； 圖16為用於在各種波長下針對單一偏振(在此狀況下，為線性Y偏振)進行量測之目標之疊對敏感度的曲線圖； 圖17為不具有特徵不對稱性之疊對光柵之A+ 相對於A- 的標繪圖； 圖18為複數個基板量測配方之堆疊敏感度SS相對於穩固性指示符的圖形； 圖19為說明聯合最佳化/共同最佳化之實例方法之態樣的流程圖； 圖20展示根據一實施例之另外最佳化方法的實施例；且 圖21為說明其中度量衡目標用以監視效能且用作控制度量衡、設計及/或生產程序之基礎之程序的流程圖。

Claims (44)

  1. 一種方法，其包含： 對照堆疊敏感度及疊對敏感度，評估複數個基板量測配方以用於量測使用一圖案化程序進行處理之一度量衡目標；及 自該複數個基板量測配方選擇該堆疊敏感度之一值滿足或超越一臨限值且該疊對敏感度之一值在該疊對敏感度之一最大值或最小值的某一有限範圍內的一或多個基板量測配方。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包含對照目標均方偏差評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該目標均方偏差的一值滿足或超越一臨限值。
  3. 如請求項1或請求項2之方法，其進一步包含對照表示跨越該基板之一敏感度參數之統計變化的一穩固性指示符評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該穩固性指示符的一值滿足或超越一臨限值。
  4. 如請求項3之方法，其中該穩固性指示符表示跨越該基板之疊對敏感度之一統計變化除以跨越該基板之疊對敏感度之絕對值的平均值。
  5. 如請求項3之方法，其進一步包含對照堆疊敏感度評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該堆疊敏感度的一值滿足或超越一更具限定性臨限值。
  6. 如請求項1或請求項2之方法，其進一步包含對照一堆疊差異參數評估該複數個基板量測配方，該堆疊差異參數表示該度量衡目標之鄰近週期性結構之間或該度量衡目標與該基板上之另一鄰近目標之間的實體組態之一未經設計差異，且該所選擇一或多個基板量測配方之該堆疊差異參數的一值滿足或超越一臨限值。
  7. 如請求項6之方法，其中該堆疊差異參數包含一週期性結構強度不平衡性。
  8. 如請求項7之方法，其中該週期性結構強度不平衡性係依據以下各者而變化：(i)來自一第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度與來自一第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度之間的差；及(ii)來自該第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度與來自該第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度的相加。
  9. 如請求項8之方法，其中來自該第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射的該平均強度對應於+n階輻射，且來自該第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射的該平均強度對應於-n階輻射，其中n為大於或等於1之一整數。
  10. 如請求項1或請求項2之方法，其進一步包含對照一自參考指示符評估該複數個基板量測配方，該自參考指示符涉及自一第一週期性結構之不對稱性資料相對於一第二週期性結構之不對稱性資料之間的一擬合而判定的一程序參數值，且該所選擇一或多個基板量測配方之該自參考指示符的一值滿足或超越一臨限值。
  11. 如請求項10之方法，其中該自參考指示符涉及：該程序參數值與該程序參數之量測值之至少一平均值的一比較。
  12. 如請求項11之方法，其中該自參考指示符涉及：該程序參數值與該程序參數之量測值的一平均值及該程序參數之該等量測值之標準偏差的三倍之一組合的一比較。
  13. 如請求項1或請求項2之方法，其中該評估包含：計算一多變數成本函數，該多變數成本函數表示特性化該堆疊敏感度及該疊對敏感度之一度量，該度量係來自該基板量測配方之複數個參數的一函數；以及調整該等參數中之一或多者及計算具有該經調整一或多個設計參數之該成本函數，直至滿足某一終止條件為止。
  14. 如請求項1或請求項2之方法，其中該等基板量測配方中之每一者依據波長而不同。
  15. 如請求項1或請求項2之方法，其中該評估包含：獲得根據該等基板量測配方中之每一者使用檢測裝置進行之該度量衡目標之量測。
  16. 一種方法，其包含： 對照表示跨越該基板之一敏感度參數之統計變化的一穩固性指示符，評估複數個基板量測配方以用於量測一基板上使用一圖案化程序進行處理之一度量衡目標；及 自該複數個基板量測配方選擇該穩固性指示符滿足或超越一臨限值的一或多個基板量測配方。
  17. 如請求項16之方法，其中該穩固性指示符表示跨越該基板之疊對敏感度之一統計變化除以跨越該基板之疊對敏感度之絕對值的平均值。
  18. 如請求項16或請求項17之方法，其進一步包含對照堆疊敏感度評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該堆疊敏感度的一值滿足或超越一臨限值。
  19. 如請求項16或請求項17之方法，其進一步包含對照疊對敏感度評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該疊對敏感度的一值在該疊對敏感度之一最大值或最小值的某一有限範圍內。
  20. 如請求項16或請求項17之方法，其進一步包含對照一堆疊差異參數評估該複數個基板量測配方，該堆疊差異參數表示該度量衡目標之鄰近週期性結構之間或該度量衡目標與該基板上之另一鄰近目標之間的實體組態之一未經設計差異，且該所選擇一或多個基板量測配方之該堆疊差異參數的一值滿足或超越一臨限值。
  21. 如請求項20之方法，其中該堆疊差異參數包含一週期性結構強度不平衡性。
  22. 如請求項21之方法，其中該週期性結構強度不平衡性係依據以下各者而變化：(i)來自一第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度與來自一第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度之間的差；及(ii)來自該第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度與來自該第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度的相加。
  23. 如請求項22之方法，其中來自該第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射的該平均強度對應於+n階輻射，且來自該第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射的該平均強度對應於-n階輻射，其中n為大於或等於1之一整數。
  24. 如請求項16或請求項17之方法，其進一步包含對照一自參考指示符評估該複數個基板量測配方，該自參考指示符涉及自一第一週期性結構之不對稱性資料相對於一第二週期性結構之不對稱性資料之間的一擬合而判定的一程序參數值，且該所選擇一或多個基板量測配方之該自參考指示符的一值滿足或超越一臨限值。
  25. 如請求項24之方法，其中該自參考指示符涉及：該程序參數值與該程序參數之量測值之至少一平均值的一比較。
  26. 如請求項25之方法，其中該自參考指示符涉及：該程序參數值與該程序參數之量測值的一平均值及該程序參數之該等量測值之標準偏差的三倍之一組合的一比較。
  27. 如請求項16或請求項17之方法，其進一步包含對照目標均方偏差評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該目標均方偏差的一值滿足或超越一臨限值。
  28. 一種方法，其包含： 對照一堆疊差異參數，評估複數個基板量測配方以用於量測一基板上使用一圖案化程序進行處理之一度量衡目標，該堆疊差異參數表示該度量衡目標之鄰近週期性結構之間或該度量衡目標與該基板上之另一鄰近目標之間的實體組態之一未經設計差異；及 自該複數個基板量測配方選擇該堆疊差異參數滿足或超越一臨限值的一或多個基板量測配方。
  29. 如請求項28之方法，其中該堆疊差異參數包含一週期性結構強度不平衡性。
  30. 如請求項29之方法，其中該週期性結構強度不平衡性係依據以下各者而變化：(i)來自一第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度與來自一第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之平均強度之間的差；及(ii)來自該第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度與來自該第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射之一平均強度的相加。
  31. 如請求項30之方法，其中來自該第一鄰近週期性結構或目標之量測輻射的該平均強度對應於+n階輻射，且來自該第二鄰近週期性結構或目標之量測輻射的該平均強度對應於-n階輻射，其中n為大於或等於1之一整數。
  32. 如請求項28至31中任一項之方法，其進一步包含對照堆疊敏感度評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該堆疊敏感度的一值滿足或超越一臨限值。
  33. 如請求項28至31中任一項之方法，其進一步包含對照疊對敏感度評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該疊對敏感度的一值在該疊對敏感度之一最大值或最小值的某一有限範圍內。
  34. 如請求項28至31中任一項之方法，其進一步包含對照目標均方偏差評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該目標均方偏差的一值滿足或超越一臨限值。
  35. 如請求項28至31中任一項之方法，其進一步包含對照表示跨越該基板之一敏感度參數之統計變化的一穩固性指示符評估該複數個基板量測配方，且該所選擇一或多個基板量測配方之該穩固性指示符的一值滿足或超越一臨限值。
  36. 如請求項35之方法，其中該穩固性指示符表示跨越該基板之疊對敏感度之一統計變化除以跨越該基板之疊對敏感度之絕對值的平均值。
  37. 如請求項28至31中任一項之方法，其進一步包含對照一自參考指示符評估該複數個基板量測配方，該自參考指示符涉及自一第一週期性結構之不對稱性資料相對於一第二週期性結構之不對稱性資料之間的一擬合而判定的一程序參數值，且該所選擇一或多個基板量測配方之該自參考指示符的一值滿足或超越一臨限值。
  38. 如請求項37之方法，其中該自參考指示符涉及：該程序參數值與該程序參數之量測值之至少一平均值的一比較。
  39. 如請求項38之方法，其中該自參考指示符涉及：該程序參數值與該程序參數之量測值的一平均值及該程序參數之該等量測值之標準偏差的三倍之一組合的一比較。
  40. 一種量測方法，其包含根據一如請求項1至39中任一項之所選擇基板量測配方量測一基板上之一度量衡目標。
  41. 一種用於量測一微影程序之一參數之度量衡裝置，該度量衡裝置可操作以執行如請求項1至39中任一項之方法。
  42. 一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於致使一處理器執行如請求項1至39中任一項之方法。
  43. 一種系統，其包含： 一檢測裝置，其經組態以將一輻射光束提供於一基板上之兩個鄰近週期性結構或量測目標上，且偵測由該等目標繞射之輻射以判定一圖案化程序之一參數；及 如請求項42之非暫時性電腦程式產品。
  44. 如請求項43之系統，其進一步包含一微影裝置，該微影裝置包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化器件；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI769625B (zh) * 2019-12-20 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於判定量測配方之方法及相關裝置
TWI796582B (zh) * 2019-07-25 2023-03-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 判定關於目標結構之資訊的方法及系統

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11126092B2 (en) * 2015-11-13 2021-09-21 Asml Netherlands B.V. Methods for determining an approximate value of a processing parameter at which a characteristic of the patterning process has a target value
WO2017114662A1 (en) 2015-12-31 2017-07-06 Asml Netherlands B.V. Selection of measurement locations for patterning processes
US10983440B2 (en) * 2016-05-23 2021-04-20 Asml Netherlands B.V. Selection of substrate measurement recipes
WO2018059824A1 (en) * 2016-09-27 2018-04-05 Asml Netherlands B.V. Metrology recipe selection
WO2018141503A1 (en) 2017-02-02 2018-08-09 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus and associated computer product
WO2018202388A1 (en) 2017-05-03 2018-11-08 Asml Netherlands B.V. Metrology parameter determination and metrology recipe selection
US10401738B2 (en) * 2017-08-02 2019-09-03 Kla-Tencor Corporation Overlay metrology using multiple parameter configurations
WO2019057578A1 (en) * 2017-09-22 2019-03-28 Asml Netherlands B.V. METHOD FOR DETERMINING A PARAMETER OF PATTERN CREATION PROCESS
WO2019166190A1 (en) * 2018-02-27 2019-09-06 Stichting Vu Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
EP3575874A1 (en) * 2018-05-29 2019-12-04 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
US11119417B2 (en) * 2018-11-21 2021-09-14 Kla-Tencor Corporation Single cell grey scatterometry overlay targets and their measurement using varying illumination parameter(s)
US11333982B2 (en) * 2019-01-28 2022-05-17 Kla Corporation Scaling metric for quantifying metrology sensitivity to process variation
US11353493B2 (en) * 2019-07-10 2022-06-07 Kla-Tencor Corporation Data-driven misregistration parameter configuration and measurement system and method
IL279727A (en) * 2019-12-24 2021-06-30 Asml Netherlands Bv Method of determining information about pattern procedure, method of error reduction in measurement data, metrology process calibration method, method of selecting metrology targets
CN112729113B (zh) * 2020-12-25 2022-03-18 长江存储科技有限责任公司 套合精度的测量方法及测量装置
US11443420B2 (en) * 2020-12-28 2022-09-13 Applied Materials Israel Ltd. Generating a metrology recipe usable for examination of a semiconductor specimen
WO2022199958A1 (en) * 2021-03-10 2022-09-29 Asml Netherlands B.V. Alignment method and associated alignment and lithographic apparatuses
KR102546552B1 (ko) * 2022-11-14 2023-06-22 (주)오로스테크놀로지 오버레이 계측 장치의 동작을 제어하는 데이터를 저장하기 위한 데이터 구조를 기록한 컴퓨터 판독 가능 저장 매체 및 이를 위한 오버레이 계측 장치

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7352453B2 (en) * 2003-01-17 2008-04-01 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for process optimization and control by comparison between 2 or more measured scatterometry signals
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US8045786B2 (en) * 2006-10-24 2011-10-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Waferless recipe optimization
US7873504B1 (en) * 2007-05-07 2011-01-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for creating a metrology target structure design for a reticle layout
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036597A1 (nl) 2008-02-29 2009-09-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
KR101429629B1 (ko) 2009-07-31 2014-08-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀
WO2011023517A1 (en) 2009-08-24 2011-03-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets
JP6008851B2 (ja) * 2010-07-19 2016-10-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． オーバレイ誤差を決定する方法及び装置
JP5377595B2 (ja) 2011-03-25 2013-12-25 富士フイルム株式会社 着色感放射線性組成物、カラーフィルタ、着色パターンの製造方法、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、及び液晶表示装置
WO2013143814A1 (en) 2012-03-27 2013-10-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method
KR102124204B1 (ko) * 2013-08-07 2020-06-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
US9302806B2 (en) 2013-12-11 2016-04-05 Paper Systems, Inc. Collapsible container with improved corners
JP6567523B2 (ja) * 2013-12-30 2019-08-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジーターゲットの設計のための方法及び装置
KR102269514B1 (ko) * 2014-11-25 2021-06-25 케이엘에이 코포레이션 랜드스케이프의 분석 및 활용
CN107111250B (zh) * 2014-11-26 2019-10-11 Asml荷兰有限公司 度量方法、计算机产品和系统
WO2018059824A1 (en) * 2016-09-27 2018-04-05 Asml Netherlands B.V. Metrology recipe selection

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI796582B (zh) * 2019-07-25 2023-03-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 判定關於目標結構之資訊的方法及系統
TWI769625B (zh) * 2019-12-20 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於判定量測配方之方法及相關裝置

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