TWI629338B - 螢光體片 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種能以容易之構成防止螢光體之劣化之螢光體片。本發明之螢光體片具備水蒸氣阻隔膜(12、13)、及由水蒸氣阻隔膜(12、13)所夾持且含有硫化物系螢光體之螢光體層(11)，且係將水蒸氣阻隔膜(12、13)之端部以覆蓋構件(14)密封。藉此，可防止水蒸氣自水蒸氣阻隔膜(12、13)之端部侵入至螢光體層(11)，可防止螢光體層(11)中之螢光體之劣化。

Description

螢光體片
本發明係關於一種例如用於液晶顯示器等之背光光源之螢光體片。
液晶顯示器中係使用對液晶面板自背後照射至前表面之背光光源。近年來，隨著液晶顯示器之大型化、薄型化、輕量化、長壽命化等，又，就利用閃爍控制來改善動畫特性之觀點而言，於基板上配設複數個發光二極體(LED：Light Emitting Diode)進行面發光之發光裝置受到關注。於此種發光裝置中，為了提取白色光，主要使用如下2種方法。
第1種方法係配設分別發出R、G、B之三種顏色之光之LED並將該等同時點亮，藉此使三種顏色之光合成而獲得白色光者。然後，第2種方法係例如藉由含螢光體之樹脂包圍藍色LED，而將藍色光色轉換成白色光者。該藉由含螢光體之樹脂包圍藍色LED之構造體被稱為“白色LED”。
然而，第1種方法由於需要R、G、B之三種顏色之LED，故而成本較高。又，於上述第2種方法中，由於對LED之微小面積灌注含螢光體之樹脂，故而難以無不均而均勻地形成含螢光體之樹脂。
因此，近年來，作為替代第2種方法之第3種方法，使用利 用片材基材夾入含螢光體之樹脂而成者或將含螢光體之樹脂加工成片狀而成之含螢光體之片材並藉由藍色LED進行色轉換的方法備受矚目(例如參照專利文獻1、2)。
螢光體亦有對氧或水蒸氣較脆弱者。例如SrGa2S4：Eu、CaS： Eu、SrS：Eu等硫化物螢光體係由於具有陡峭之發光光譜而可實現廣色域之色再現的優異之螢光體材料，(Ba,Sr)3SiO5：Eu係高亮度之橙色發光螢光體材料，但該等於高溫高濕環境下容易因水蒸氣而劣化。
於使用該等螢光體之情形時，必需有用以遮蔽水蒸氣之某些 手段。於白色LED中難以採用該等螢光體，但於第3種方法之情形時，可藉由利用水蒸氣阻隔膜覆蓋螢光體層等而採取對策。作為例子，提出有於含螢光體之樹脂上設置矽化合物等之保護層之方法(參照專利文獻3)、或於含螢光體之樹脂之表面形成水蒸氣阻隔層之方法(參照專利文獻4、5)。
[專利文獻1]日本特開2005-108635號公報
[專利文獻2]日本特開2009-283438號公報
[專利文獻3]日本特公平6-58440號公報
[專利文獻4]日本特開2009-283441號公報
[專利文獻5]日本特開2011-13567號公報
然而，於上述遮蔽水蒸氣之方法中，由於水蒸氣容易自端部 侵入，故而容易產生螢光體之劣化。
本發明係鑒於上述實際情況而完成者，其目的在於提供一種能以容易之構成防止螢光體之劣化之螢光體片。
為了解決上述課題，本發明之螢光體片之特徵在於：其具備水蒸氣阻隔膜、及由上述水蒸氣阻隔膜所夾持之第1螢光體層，且係將上述水蒸氣阻隔膜之端部以覆蓋構件密封而成。
又，本發明之照明裝置之特徵在於：具備上述螢光體片。
又，本發明之液晶顯示裝置之特徵在於：具備上述螢光體片。
藉由本發明，由於將水蒸氣阻隔膜之端部以覆蓋構件密封，故而可防止水蒸氣自水蒸氣阻隔膜之端部侵入至螢光體層，可防止螢光體層中之螢光體之劣化。
11‧‧‧螢光體層
12‧‧‧第1水蒸氣阻隔膜
13‧‧‧第2水蒸氣阻隔膜
14、15、16、17、18‧‧‧覆蓋構件
21‧‧‧紅色螢光體
22‧‧‧綠色螢光體
23‧‧‧棒式塗佈機
24‧‧‧烘箱
25‧‧‧熱貼合機
26‧‧‧壓製機
31‧‧‧藍色LED
32‧‧‧導光板
33‧‧‧螢光體片
34‧‧‧光學膜
41‧‧‧藍色LED
42‧‧‧基板
43‧‧‧擴散板
51‧‧‧藍色LED導光板
52‧‧‧螢光體片
53‧‧‧光學膜群
54‧‧‧黑色開口片
55‧‧‧色度相機
141‧‧‧基材
142‧‧‧黏著劑
143‧‧‧螢光體層
144‧‧‧黏著劑
145‧‧‧反射層
146‧‧‧黏著劑
147‧‧‧基材
148‧‧‧螢光體層
圖1係表示螢光體片端部之第1構成例之圖。
圖2係表示螢光體片端部之第2構成例之圖。
圖3係表示螢光體片端部之第3構成例之圖。
圖4係表示螢光體片端部之第4構成例之圖。
圖5係表示螢光體片端部之第5構成例之圖。
圖6係用以說明螢光體片之製造方法之一例之模式圖。
圖7係表示邊緣照明型照明裝置之概略剖面圖。
圖8係表示直下型照明裝置之概略剖面圖。
圖9係使用硫化物系螢光體之背光及習知之使用黃色螢光體之背光之光譜。
圖10係表示使用硫化物系螢光體之背光及習知之使用黃色螢光體之背光之液晶顯示裝置之色空間的CIE1931色度圖。
圖11係表示螢光體片之色度之測定方法之模式圖。
圖12表示實施例1之v'色度(CIE1976)之測定結果。
圖13表示實施例1之自螢光體片端部起表示X方向之u'v'色度(CIE1976)之圖表。
圖14表示實施例2之v'色度(CIE1976)之測定結果。
圖15表示實施例2之自螢光體片端部起表示X方向之u'v'色度(CIE1976)之圖表。
圖16表示實施例4之v'色度(CIE1976)之測定結果。
圖17表示實施例4之自螢光體片端部起表示X方向之u'v'色度(CIE1976)之圖表。
圖18表示實施例5之v'色度(CIE1976)之測定結果。
圖19表示實施例5之自螢光體片端部起表示X方向之u'v'色度(CIE1976)之圖表。
圖20表示實施例6之v'色度(CIE1976)之測定結果。
圖21表示實施例6之自螢光體片端部起表示X方向之u'v'色度(CIE1976)之圖表。
圖22表示比較例之v'色度(CIE1976)之測定結果。
圖23表示比較例之自螢光體片端部起表示X方向之u'v'色度(CIE1976) 之圖表。
以下，一面參照圖式，一面以下述順序對本發明之實施形態進行詳細說明。
1. 螢光體片
2. 照明裝置
3. 實施例
<1.螢光體片>
本實施形態之螢光體片具備水蒸氣阻隔膜、及由水蒸氣阻隔膜所夾持之第1螢光體層，且係將水蒸氣阻隔膜之端部以覆蓋構件密封而成者。藉此，可防止水蒸氣自水蒸氣阻隔膜之端部侵入至螢光體層，可防止螢光體層中之螢光體之劣化。
[第1構成例]
圖1係表示螢光體片端部之第1構成例之圖。該螢光體片之螢光體層11由第1水蒸氣阻隔膜12與第2水蒸氣阻隔膜13所夾持。
螢光體層11係構成第1螢光體層，且使含有粉末狀之螢光體之樹脂組成物成膜而成者。螢光體並無特別限定，可根據螢光體之種類、吸收頻帶、發光頻帶等，自硫化物系螢光體、氧化物系螢光體、氮化物系螢光體、氟化物系螢光體等中使用1種或組合2種以上而使用。作為硫化物系螢光體之具體例，例如可列舉CaS：Eu、SrS：Eu、SrGa2S4：Eu、CaGa2S4：Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)Ga2S4：Eu、(Sr,Ca,Ba)S：Eu、Y2O2S：Eu、La2O2S：Eu、Gd2O2S： Eu等。又，作為氧化物系螢光體之具體例，可列舉(Ba,Sr)3SiO5：Eu、(Ba,Sr)2SiO4：Eu、Tb3Al5O12：Ce、Ca3Sc2Si3O12：Ce等。又，作為氮化物系螢光體之具體例，例如可列舉Ca2Si5N8：Eu、Sr2Si5N8：Eu、Ba2Si5N8：Eu、(Ca,Sr,Ba)2Si5N8：Eu、Cax(Al,Si)12(O,N)16：Eu(0<x≦1.5)、CaSi2O2N2：Eu、SrSi2O2N2：Eu、BaSi2O2N2：Eu、(Ca,Sr,Ba)Si2O2N2：Eu、CaAl2Si4N8：Eu、CaSiN2：Eu、CaAlSiN3：Eu等。又，作為氟化物系螢光體之具體例，可列舉K2TiF6：Mn4+、Ba2TiF6：Mn4+、Na2TiF6：Mn4+、K3ZrF7：Mn4+、K2SiF6：Mn4+等。又，作為其他螢光體，可列舉(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12：Ce(YAG：Ce)等YAG系螢光體、Lu(Si,Al)12(O,N)16：Eu等賽隆(sialon)系螢光體。再者，於螢光體材料之記載中，「：」之前表示母體，之後表示活化劑。
作為為了使用藍色LED或近紫外LED獲得白色光而組合之 螢光體，可使用黃色螢光體、黃色螢光體與紅色螢光體、綠色螢光體與紅色螢光體等。於本實施形態中，可較佳地使用容易因水蒸氣而劣化之硫化物系螢光體、氧化物系螢光體或該等之混合系螢光體，可實現較廣之色域。
作為為了使用藍色LED獲得白色光而組合之硫化物系螢光 體，可列舉藉由藍色激發光之照射而具有波長620~660nm之紅色螢光峰之硫化物系螢光體、較佳為CaS：Eu、SrS：Eu、或藉由藍色激發光之照射而具有波長530~550nm之綠色螢光峰之硫化物系螢光體、較佳為SrGa2S4：Eu。
又，作為為了使用藍色LED獲得白色光而組合之氧化物系 螢光體，可列舉藉由藍色激發光之照射而發出波長590~620nm之紅色螢光之氧化物系螢光體、較佳為(Ba,Sr)3SiO5：Eu、(Ba,Sr)2SiO4：Eu等。
再者，亦可使用除為了使用藍色LED獲得白色光而組合之 硫化物系螢光體或氧化物螢光體以外之螢光體，例如亦可使用(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12：Ce、賽隆螢光體等。
又，硫化物系螢光體或氧化物螢光體較佳為其表面經被覆。 作為用於被覆表面之化合物，可列舉氧化矽、氧化釔、氧化鋁、或氧化鑭等氧化物。該等可使用1種或組合2種以上而使用。
關於圖1所示之單層型發光體片，於使用上述螢光體之混合 物作為螢光體之情形時，為了使螢光體片以白色發光，較佳為使用藉由藍色激發光之照射而發出波長620~660nm之紅色螢光之硫化物系螢光體或藉由藍色激發光之照射而發出波長590~620nm之紅色螢光之氧化物系螢光體，與藉由藍色激發光之照射而發出波長530~550nm之綠色螢光之硫化物系螢光體的混合螢光體。尤佳之組合為發出紅色螢光之CaS：Eu或(BaSr)3SiO5：Eu與發出綠色螢光之SrGa2S4：Eu之混合螢光體。
於形成螢光體層之樹脂組成物中，較佳為含有聚烯烴共聚物 成分或光硬化性(甲基)丙烯酸樹脂成分之任一樹脂成分。
作為聚烯烴共聚物，可列舉苯乙烯系共聚物或其氫化物。作 為此種苯乙烯系共聚物或其氫化物，可較佳地列舉苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物或其氫化物、苯乙烯-乙烯-丙烯嵌段共聚物或其氫化物。於該等中，就透明性或阻氣性之方面而言，可尤佳地使用苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物之氫化物。藉由含有此種聚烯烴共聚物成分，可獲得優異之耐光性及低吸水性。
作為光硬化型丙烯酸酯樹脂成分，可列舉(甲基)丙烯酸胺 酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等，於該等中，就光硬化後之耐熱性之觀點而言，可較佳地使用(甲基)丙烯酸胺酯。藉由含有此種光硬化型(甲基)丙烯酸酯樹脂成分，可獲得優異之耐光性及低吸水性。
又，於樹脂組成物中，亦可視需要於不損害本發明之效果之範圍內調配其他透光性樹脂、著色顏料、溶劑等。
水蒸氣阻隔膜12、13係於PET(Polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)等之塑膠基板或膜之表面形成有氧化鋁、氧化鎂、氧化矽等金屬氧化物薄膜之阻氣性膜。又，亦可使用PET/SiOx/PET等多層構造者。
本實施形態之螢光體片之第1水蒸氣阻隔膜12之端部與第2水蒸氣阻隔膜13之端部以具有1g/m2/day以下之水蒸氣穿透率之覆蓋構件14密封。
作為覆蓋構件14，可使用於具有1g/m2/day以下之水蒸氣穿透率之基材141塗佈黏著劑142而成的黏著帶。作為基材141，可使用鋁箔等金屬箔、或水蒸氣阻隔膜12、13。鋁箔可使用光澤之白色鋁或非光澤之黑色鋁之任一者，於需要螢光體片端部之良好之色調之情形時，較佳為使用白色鋁。又，關於貼附於水蒸氣阻隔膜上之覆蓋構件14之寬度W，就水蒸氣阻隔性或強度之觀點而言，較佳為1mm~10mm，更佳為1mm~5mm。藉由由此種構成所構成之覆蓋構件14，可防止水蒸氣自水蒸氣阻隔膜之端部侵入至螢光體層，可防止螢光體層中之螢光體之劣化。
[第2構成例]
圖2係表示螢光體片端部之第2構成例之圖。該螢光體片與第1構成 例同樣，螢光體層11係由第1水蒸氣阻隔膜12與第2水蒸氣阻隔膜13所夾持。
第2構成例之覆蓋構件15係於在基材141塗佈黏著劑142 而成之黏著帶上，貼附有於構成第2螢光體層之螢光體層143塗佈黏著劑144而成之螢光體帶。
螢光體帶之螢光體層143係使含有粉末狀之螢光體之樹脂組成物成膜而成者，係將於基材141貼附黏著帶時之端部附近之色調修正為與中央部相同之色調者。螢光體與螢光體片之螢光體層11同樣地無特別限定，但由於位於水蒸氣阻隔膜11、12之外側，故而較佳為使用耐水分之YAG系螢光體或氮化物系螢光體。尤其於使用藍色LED獲得白色光之情形時，較佳為使用(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12：Ce(YAG：Ce)等黃色之YAG系螢光體。藉此，可消除螢光體片端部附近之藍色。
如此藉由將螢光體帶貼附於黏著帶上，可將於基材141貼附黏著帶時之端部附近之色調修正為與中央部相同之色調。再者，關於第2構成例之覆蓋構件15，亦可構成為基材141與螢光體層143成為一體之膠帶。
[第3構成例]
圖3係表示螢光體片端部之第3構成例之圖。該螢光體片與第1構成例同樣地，螢光體層11係由第1水蒸氣阻隔膜12與第2水蒸氣阻隔膜13所夾持。
第3構成例之覆蓋構件16係於在基材141塗佈黏著劑142而成之黏著帶上，僅於螢光體片之一面側進而貼附有於螢光體層143塗佈 黏著劑144而成之螢光體帶。根據由此種構成所構成之覆蓋構件16，可與第2構成例之覆蓋構件15同樣地將端部附近之色調修正為與中央部相同之色調，並且與第2構成例之覆蓋構件15相比可使螢光體片端部之厚度變薄。
[第4構成例]
圖4係表示螢光體片端部之第4構成例之圖。該螢光體片與第1構成例同樣地，螢光體層11係由第1水蒸氣阻隔膜12與第2水蒸氣阻隔膜13所夾持。
第4構成例之覆蓋構件17係於在基材141塗佈黏著劑142 而成之黏著帶上，貼附有於反射層145塗佈黏著劑146而成之反射帶，進而貼附將基材147與螢光體層148貼合而成之螢光體帶。藉由於黏著帶上貼附反射帶，例如即便於使用非光澤之黑色鋁箔作為基材141之情形時，亦可將端部附近之色調修正為與中央部相同之色調。再者，第4構成例之覆蓋構件17亦可構成為基材141、反射層145及螢光體層148依序成為一體之膠帶。
[第5構成例]
圖5係表示螢光體片端部之第5構成例之圖。該螢光體片與第1構成例同樣地，螢光體層11係由第1水蒸氣阻隔膜12與第2水蒸氣阻隔膜13所夾持。
第5構成例之覆蓋構件18係於在基材141塗佈黏著劑142 而成之黏著帶上，僅於螢光體片之一面側貼附有於反射層145塗佈黏著劑146而成之反射帶，進而貼附將基材147與螢光體層148貼合而成之螢光體帶。根據由此種構成所構成之覆蓋構件18，可與第4構成例之覆蓋構件17 同樣地將端部附近之色調修正為與中央部相同之色調，並且與第4構成例之覆蓋構件17相比可使螢光體片端部之厚度變薄。
[螢光體片之製造方法]
圖6係用以說明螢光體片之製造方法之一例之模式圖。如圖6所示，作為具體例而表示之螢光體片之製造方法具有攪拌步驟(A)、層疊步驟(B)、模切加工步驟(C)、及密封步驟(D)。
於攪拌步驟(A)中，例如於藉由溶劑而溶解之樹脂漿料中， 將紅色螢光體21與綠色螢光體22以預先決定之調配比進行混合，而獲得含螢光體之樹脂漿料。於層疊步驟(B)中，於第1水蒸氣阻隔膜12上塗佈螢光體樹脂漿料，使用棒式塗佈機23使螢光體樹脂漿料之膜厚變得均勻，並於烘箱24中使螢光體樹脂漿料乾燥，而形成螢光體層11。然後，使用熱貼合機25於螢光體層11上貼合第2水蒸氣阻隔膜13，而獲得螢光體層11由第1、第2水蒸氣阻隔膜12、13所夾持之螢光體片之原片。於模切加工步驟(C)中，利用壓製機26對螢光體片之原片進行模切加工，而獲得於端部側面露出螢光體層之特定尺寸之螢光體片。於密封步驟(D)中，例如使用鋁箔膠帶作為覆蓋構件14，將於第1水蒸氣阻隔膜與第2水蒸氣阻隔膜之間露出之螢光體層密封。
藉由以上之步驟(A)~(D)，可獲得第1、第2水蒸氣阻隔膜12、13之端部以覆蓋構件14密封之螢光體片。
<2.照明裝置>
圖7係表示邊緣照明型照明裝置之概略剖面圖。如圖7所示，照明裝置構成具備藍色LED31、使自側面入射之藍色LED31之藍色光擴散並於表 面射出均勻之光之導光板32、由藍色光獲得白色光之螢光體片33、及光學膜34之所謂“邊緣照明型背光”。
藍色LED31構成具有例如InGaN系LED晶片作為藍色發光 元件之所謂“LED封裝”。導光板32係使自丙烯酸板等透明基板之端面入射之光均勻地面發光。螢光體片33含有由藍色發光元件之藍色光獲得白色光之粉末狀之螢光體。螢光體之粉末係使用平均粒徑為數μm~數十μm者。藉此可提高螢光體片33之光散射效果。光學膜34例如由用以提高液晶顯示裝置之視認性之反射型偏光膜、擴散膜等所構成。
又，圖8係表示直下型照明裝置之概略剖面圖。如圖8所示， 照明裝置構成具備二維配置有藍色LED41之基板42、使藍色LED41之藍色光擴散之擴散板43、與基板42分隔地配置且由藍色光獲得白色光之螢光體片33、及光學膜34之所謂“直下型背光”。
藍色LED41構成具有例如InGaN系LED晶片作為藍色發光 元件之所謂“LED封裝”。基板42係由利用酚、環氧、聚醯亞胺等樹脂之玻璃布基材所構成，於基板42上，對應於螢光體片33之整個面以特定間距等間隔地二維配置藍色LED41。又，亦可視需要對基板42上之藍色LED41之搭載面實施反射處理。基板42與螢光體片33分隔約10~50mm左右而配置，照明裝置構成所謂“間接螢光體構造”。基板42與螢光體片33之間隙係藉由複數個支持柱或反射板而保持，且設置為支持柱或反射板以四方包圍基板42與螢光體片33所形成之空間。擴散板43係將源自藍色LED41之放射光廣範圍地擴散至看不出光源之形狀之程度者，具有例如20%以上80%以下之全光線穿透率。
於此種構成之照明裝置中，由於螢光體片33之端部以覆蓋 構件密封，故而可較佳地使用容易因水蒸氣而劣化之硫化物系螢光體、氧化物系螢光體或該等之混合系螢光體。
圖9係使用硫化物系螢光體之背光及習知之使用黃色螢光 體之背光之光譜。於圖9中，a為使用硫化物系螢光體之背光之光譜，b為習知之使用黃色螢光體之背光之光譜。
又，圖10係表示利用使用硫化物系螢光體之背光及習知之 使用黃色螢光體之背光之液晶顯示裝置之色空間的CIE1931色度圖。於圖10中，a為利用使用硫化物系螢光體之背光之液晶顯示裝置之色空間，b為利用習知之使用黃色螢光體之背光之液晶顯示裝置之色空間，c為NTSC方式之色空間，d為sRGB方式之色空間。
使用硫化物系螢光體之背光係使用如下螢光體片：使用綠色 硫化物系螢光體(SrGa2S4：Eu)與紅色硫化物系螢光體(CaS：Eu)作為硫化物系螢光體，並使其等分散於苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段(SEBS)樹脂中。
由於使用有硫化物系螢光體之螢光體片中含有紅色硫化物 系螢光體，故而如圖9所示，使用硫化物系螢光體之背光之光譜a於650nm附近之強度與使用黃色螢光體之背光之光譜b相比較大。又，如圖10所示，利用使用有硫化物系螢光體之背光之液晶顯示裝置之色空間為NTSC方式之色空間之85~90%左右之面積比率，相對於此，利用使用有黃色螢光體之背光之液晶顯示裝置之色空間為NTSC方式之色空間之72%左右之面積比率。上述面積比率係由背光光譜與液晶顯示裝置內之濾色器之分光穿透 率之積所決定。事先指出根據後者之濾色器之分光穿透率，上述面積比率之數值會略微前後變化。
如此使用硫化物系螢光體之螢光體片可表現廣色域，因此如本實施形態般將螢光體片之端部以覆蓋構件密封而防止水蒸氣之侵入的技術對於使用硫化物系螢光體之螢光體片非常有用。又，藉由將具備使用硫化物系螢光體之螢光體片之照明裝置配置於例如成為液晶顯示裝置之顯示畫面之液晶面板，不僅可實現廣色域，而且亦可使液晶顯示裝置長壽命化。
再者，本發明並不僅限定於上述實施形態，當然可於不脫離本發明之主旨之範圍內施加各種更新。例如，於上述實施形態中例示了將照明裝置應用於顯示裝置用之背光光源之例，但亦可應用於照明用光源。於應用於照明用光源之情形時，多數情況下不需要光學膜34。又，含螢光體之樹脂不僅可為平面之片狀，而且亦可具有杯型形狀等立體之形狀。
[實施例] <3.實施例>
以下，列舉實施例具體地說明本發明。於本實施例中，製作螢光體層由水蒸氣阻隔膜所夾持之螢光體片，並對螢光體片之邊緣部之螢光體之劣化、及螢光體片之邊緣部之色度不均進行評價。再者，本發明並不限定於該等實施例。
[螢光體劣化之評價]
將螢光體片於60℃/90%濕度環境下保管1000 H後，目視螢光體片之邊緣部，而判定有無變色。作為螢光體劣化之評價，將辨識到變色之情形設為○，將未辨識到變色之情形設為×。
[色度不均之評價]
圖11係表示螢光體片之色度之測定方法之模式圖。於邊緣照明型藍色LED導光板51上依序載置螢光體片52及光學膜群53，並以開口端部與覆蓋構件端部成為同一位置之方式設置90mm×45mm之黑色開口片54。然後，利用色度相機55自黑色開口片54側測定u'v'色度(CIE1976)。
螢光體片52如圖1~圖5所示之第1~第5構成例般安裝有覆蓋構件52a。並且，如圖11所示，將水蒸氣阻隔膜上之覆蓋構件52a之端部位置設為0，對螢光體片之中央部方向測定X方向之u'v'色度(CIE1976)，並算出端部之0mm位置與10mm位置之色度差△u'v'。
[綜合評價]
作為綜合評價，將螢光體片端部之螢光體劣化之評價為○及色度差△u'v'為0.01以下之情形設為◎，將螢光體劣化之評價為○及色度差△u'v'超過0.01且未達0.05之情形設為○，將螢光體劣化之評價為○及色度差△u'v'為0.05以上之情形設為△，不管色度不均如何將螢光體劣化之評價為×之情形均設為×。
[實施例1]
於實施例1中，設為圖1所示之第1構成例，利用100mm×60mm之水蒸氣阻隔膜夾持螢光體層，並以水蒸氣阻隔膜之端部之邊框寬度W成為3mm之方式利用非光澤之黑色鋁帶進行密封，而製作螢光體片。即，該螢光體片之畫面部之層構成為3層。
使用具有PET(Polyethylene terephthalate)/SiOx/PET之3層構造且膜厚為38μm者作為水蒸氣阻隔膜。該水蒸氣阻隔膜於溫度40℃、 濕度90%之條件下顯示約0.2g/m2/day之水蒸氣穿透率。
使用於苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段(SEBS)樹脂中分散 有綠色硫化物系螢光體(SrGa2S4：Eu)與紅色硫化物系螢光體(CaS：Eu)者作為螢光體層。
使用於對鋁箔之兩面塗佈碳黑而成之厚度約50μm之黑色鋁箔之單面塗佈有約15μm之黏著劑之總厚度65μm者作為黑色鋁帶。
圖12中表示實施例1之v'色度(CIE1976)之測定結果。又，圖13中表示實施例1之自螢光體片端部起表示X方向之u'v'色度(CIE1976)之圖表。端部之0mm位置與10mm位置之色度差△u'v'大至0.05。可認為其係由於藍色LED導光板51大於螢光體片52之樣品，故而於周邊部呈現藍色。
表1中表示實施例1之評價結果。該實施例1之螢光體片之螢光體劣化之評價為○，色度差△u'v'為0.05，綜合評價為△。
[實施例2]
於實施例2中，設為圖1所示之第1構成例，使用光澤之鋁帶作為覆蓋構件，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作螢光體片。即，該螢光體片之畫面部之層構成為3層。
使用於厚度約50μm之鋁箔之單面塗佈有約15μm之黏著劑之總厚度65μm者作為光澤鋁帶。
圖14中表示實施例2之v'色度(CIE1976)之測定結果。又，圖15中表示實施例2之自螢光體片端部起表示X方向之u'v'色度(CIE1976)之圖表。端部之0mm位置與10mm位置之色度差△u'v'大至0.06。可認為 其係由於藍色LED導光板51大於螢光體片52之樣品，故而於周邊部呈現藍色。
表1中表示實施例2之評價結果。該實施例2之螢光體片之螢光體劣化之評價為○，色度差△u'v'為0.06，綜合評價為△。
[實施例3]
於實施例3中，設為圖2所示之第2構成例，以水蒸氣阻隔膜之端部之邊框寬度W成為3mm之方式利用非光澤之黑色鋁帶進行密封，並於黑色鋁帶上貼附YAG帶，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作螢光體片。即，該螢光體片之畫面部之層構成為3層。
使用於厚度約50μm之螢光體膜之單面塗佈有約15μm之黏著劑之總厚度65μm者作為YAG帶。
端部之0mm位置與10mm位置之色度差△u'v'為0.04。得知藉由YAG帶，可抑制由覆蓋構件所導致之周邊部之藍色。
表1中表示實施例3之評價結果。該實施例3之螢光體片之螢光體劣化之評價為○，色度差△u'v'為0.04，綜合評價為○。
[實施例4]
於實施例4中，設為圖2所示之第2構成例，以水蒸氣阻隔膜之端部之邊框寬度W成為3mm之方式利用光澤之鋁帶進行密封，並於鋁帶上貼附YAG帶，除此以外，以與實施例2同樣之方式製作螢光體片。即，該螢光體片之畫面部之層構成為3層。再者，YAG帶係使用與實施例3相同者。
圖16中表示實施例4之v'色度(CIE1976)之測定結果。又，圖17中表示實施例4之自螢光體片端部起表示X方向之u'v'色度(CIE1976) 之圖表。端部之0mm位置與10mm位置之色度差△u'v'為0.01。藉由光澤鋁帶及YAG帶，可抑制由覆蓋構件所導致之周邊部之藍色。
表1中表示實施例4之評價結果。該實施例4之螢光體片之 螢光體劣化之評價為○，色度差△u'v'為0.01，綜合評價為◎。
[實施例5]
於實施例5中，設為圖5所示之第5構成例，以水蒸氣阻隔膜之端部之邊框寬度W成為3mm之方式利用非光澤之黑色鋁帶進行密封，僅於藍色LED導光板51側貼附反射帶及YAG帶，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作螢光體片。即，該螢光體片之畫面部之層構成為3層。
使用於厚度約50μm之白色反射板之單面塗佈有約15μm 之黏著劑之總厚度65μm者作為反射帶。再者，YAG帶係使用與實施例3相同者。
圖18中表示實施例5之v'色度(CIE1976)之測定結果。又， 圖19中表示實施例5之自螢光體片端部起表示X方向之u'v'色度(CIE1976)之圖表。端部之0mm位置與10mm位置之色度差△u'v'為0.01。藉由使用反射帶，可比使用有非光澤之黑色鋁帶及YAG帶之實施例3進一步改善由覆蓋構件所導致之周邊部之藍色。
表1中表示實施例5之評價結果。該實施例5之螢光體片之 螢光體劣化之評價為○，色度差△u'v'為0.01，綜合評價為◎。
[實施例6]
於實施例6中，設為圖5所示之第5構成例，以水蒸氣阻隔膜之端部之邊框寬度W成為3mm之方式利用光澤之鋁帶進行密封，僅於藍色LED 導光板51側貼附反射帶及YAG帶，除此以外，以與實施例2同樣之方式製作螢光體片。即，該螢光體片之畫面部之層構成為3層。再者，YAG帶係使用與實施例3相同者，反射帶係使用與實施例5相同者。
圖20中表示實施例6之v'色度(CIE1976)之測定結果。又， 圖21中表示實施例6之自螢光體片端部起表示X方向之u'v'色度(CIE1976)之圖表。端部之0mm位置與10mm位置之色度差△u'v'為0.006。可與使用光澤之鋁帶及YAG帶之實施例4同樣地改善由覆蓋構件所導致之周邊部之藍色。
表1中表示實施例6之評價結果。該實施例6之螢光體片之螢光體劣化之評價為○，色度差△u'v'為0.006，綜合評價為◎。
[實施例7]
於實施例7中，設為圖4所示之第4構成例，以水蒸氣阻隔膜之端部之邊框寬度W成為3mm之方式利用光澤之鋁帶進行密封，並於鋁帶上貼附反射帶及YAG帶，除此以外，以與實施例2同樣之方式製作螢光體片。即，該螢光體片之畫面部之層構成為3層。再者，YAG帶係使用與實施例3相同者，反射帶係使用與實施例5相同者。
端部之0mm位置與10mm位置之色度差△u'v'為0.006。可與僅於藍色LED導光板51側貼附反射帶及YAG帶之實施例6同樣地改善由覆蓋構件所導致之周邊部之藍色。
表1中表示實施例7之評價結果。該實施例7之螢光體片之螢光體劣化之評價為○，色度差△u'v'為0.006，綜合評價為◎。
[比較例]
於比較例中，設為於圖1所示之第1構成例中不貼附覆蓋構件14之構成，而將水蒸氣阻隔膜之端部開放，除此以外，以與實施例1同樣之方式製作螢光體片。即，該螢光體片之畫面部之層構成為3層。
圖22中表示比較例之v'色度(CIE1976)之測定結果。又，圖23中表示比較例之自螢光體片端部起表示X方向之u'v'色度(CIE1976)之圖表。端部之0mm位置與10mm位置之色度差△u'v'為0.02。由於未貼附覆蓋構件，故而未產生由覆蓋構件所導致之周邊部之藍色不均，但於高溫高濕環境試驗中可見螢光體之變色。
表1中表示比較例之評價結果。該比較例之螢光體片之色度差△u'v'良好為0.02，但螢光體劣化之評價為×，綜合評價為×。
[參考例]
於參考例中，製作畫面部之層構成為7層之習知之螢光體片。利用94mm×54mm之PET膜夾持與實施例1相同之螢光體層，利用100mm×60mm之水蒸氣阻隔膜夾持PET膜，進而利用與螢光體層相同之SEBS樹脂以水蒸氣阻隔膜之端部之袋寬W成為3mm之方式進行密封，而製作螢光體片。即，該螢光體片之畫面部之層構成為7層。再者，水蒸氣阻隔膜係使用與實施例1相同者。
端部之0mm位置與10mm位置之色度差△u'v'為0.002。由於未貼附覆蓋構件，故而未產生由覆蓋構件所導致之周邊部之藍色不均，但螢光體片之製作步驟較多。
表1中表示參考例之評價結果。該參考例之螢光體片之螢光體劣化之評價為○，色度差△u'v'為0.002，綜合評價為◎。
如實施例1~7所示，藉由將水蒸氣阻隔膜之端部以覆蓋構件密封，能以簡單之構成防止水蒸氣之侵入，可防止螢光體之劣化。又，如實施例3~7所示，藉由使用螢光體帶，可抑制由覆蓋構件所導致之藍色不均之產生。

Claims (10)

  1. 一種螢光體片，其具備水蒸氣阻隔膜、及由該水蒸氣阻隔膜所夾持之第1螢光體層，且係將該水蒸氣阻隔膜之端部以具有第2螢光體層之覆蓋構件密封而成。
  2. 如申請專利範圍第1項之螢光體片，其中，該第1螢光體層含有由藍色光獲得白色光之螢光體，且該第2螢光體層含有黃色螢光體。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之螢光體片，其中，該第1螢光體層含有硫化物系螢光體。
  4. 如申請專利範圍第3項之螢光體片，其中，該第1螢光體層含有紅色螢光體及綠色螢光體。
  5. 如申請專利範圍第1項之螢光體片，其中，該覆蓋構件具有鋁箔。
  6. 如申請專利範圍第1項之螢光體片，其係將該第2螢光體層配置於該螢光體片之一面而成。
  7. 如申請專利範圍第1項之螢光體片，其中，該覆蓋構件具有反射層。
  8. 如申請專利範圍第1項之螢光體片，其中，該覆蓋構件具有1g/m2/day以下之水蒸氣穿透率。
  9. 一種照明裝置，其具備申請專利範圍第1至8項中任一項之螢光體片。
  10. 一種液晶顯示裝置，其具備申請專利範圍第1至8項中任一項之螢光體片。
TW103120781A 2013-06-18 2014-06-17 螢光體片 TWI629338B (zh)

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