TWI626695B - 封裝基板製作方法 - Google Patents

Abstract

封裝基板製作方法，包含提供載板，其中載板包含基板、設置於基板上的至少一薄膜電阻以及設置於薄膜電阻上的複數個圖樣化電路，其中圖樣化電路中任兩相鄰者之間具有一間隙，部分的薄膜電阻延伸至第一圖樣化電路之間的間隙中至少一者之內；接續地，形成保護材料於載板設置有薄膜電阻的一側，且保護材料至少覆蓋薄膜電阻延伸至間隙之內的至少一部分；接續地，薄化保護材料；以及移除部分的保護材料，其中未經移除的保護材料形成保護層，並覆蓋薄膜電阻延伸至間隙之內的部分。

Description

封裝基板製作方法

本發明是有關於一種封裝基板的製作方法，特別是有關於製造封裝基板的薄膜電阻的方法。

藉由積體電路的製程技術演進，積體電路內關於佈線密度、傳輸速率以及防止訊號干擾等，可提升整體積體電路效能的相關需求也隨之提高。其中，製造完成的積體電路必須透過後段製程(back end of line，BEOL)以及封裝等製程，將積體電路與實際應用的電子元件間，做電性連接。然而，隨著微縮製程的進步，使得積體電路的體積不斷縮減，其中較高階的封裝製程所製成的封裝體多半需應用積體電路載板(IC carrier)(又稱封裝基板)中介於積體電路與印刷電路板之間。概括來說，積體電路載板透過內部線路連接積體電路與印刷電路板，用以溝通積體電路與印刷電路板間的訊號，並同時賦予保護電路與散熱等功能。由於來自積體電路與印刷電路板的訊號需透過積體電路載板傳遞，因此，積體電路載板傳遞訊號的品質，也對於積體電路整體的效能表現有實質的影響。

目前，常見的積體電路大致上透過積體電路載板的圖樣化電路與印刷電路板相連接。然而，設置於圖樣化電路間控制積體電路載板電性的薄膜電阻，肇因於後續製程所使用的化學物質，容易讓薄膜電阻在製造其他積體電路載板的結構時，被化學物質侵蝕而造成已製成之薄膜電阻的電性特性改變，使得積體電路載板的薄膜電阻的一致性較差，進而影響後續訊號的傳遞。由此可見，上述現有的架構，顯然仍存在不便與缺陷，而有待加以進一步改進。為了解決上述問題，相關領域莫不費盡心思來謀求解决之道，但長久以來一直未見適用的方式被發展完成。因此，如何能有效解决上述問題，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前相關領域亟需改進的目標。

本發明之一技術態樣是有關於一種封裝基板製作方法，其利用保護材料形成保護層覆蓋薄膜電阻遠離基板的表面，提供薄膜電阻較佳的保護，讓薄膜電阻可在後續的製程中減少或避免因受到化學物質侵蝕而損傷。如此一來，可減少或避免薄膜電阻的電性性質在製成後，又隨後續製程進行而改變。進一步地，採用本方法所製造的封裝基板，其薄膜電阻電性性質可在製成後維持較佳的一致性，並讓包含保護層的封裝基板提供穩定的電性性質。

本發明提供一種封裝基板製作方法，包含提供載板，其中載板至少包含基板、設置於基板上的至少一薄膜電阻以及設置於薄膜電阻上的複數個第一圖樣化電路，其中第一圖 樣化電路中任兩相鄰者之間具有一間隙，部分的薄膜電阻延伸至第一圖樣化電路之間的間隙中至少一者之內；接續地，形成第一保護材料於載板設置有薄膜電阻的一側，且第一保護材料至少覆蓋薄膜電阻延伸至間隙之內的至少一部分；接續地，薄化第一保護材料；以及移除部分的第一保護材料，其中未經移除的第一保護材料形成第一保護層，並覆蓋薄膜電阻延伸至間隙之內的部分。

在本發明一或多個實施方式中，上述之移除部分的第一保護材料的步驟可包含選擇性地曝光第一保護材料；以及蝕刻第一保護材料，以將第一保護材料位於基板上方設置有薄膜電阻以外的區域的部分實質上完全移除。

在本發明一或多個實施方式中，上述之蝕刻第一保護材料的步驟可更進一步地自間隙中設置有薄膜電阻的區域內移除第一保護材料的一部分，以暴露薄膜電阻鄰接間隙的至少一部分。

在本發明一或多個實施方式中，上述之薄化第一保護材料的步驟，更進一步地使得第一保護材料相對基板具有一第一高度，其中第一高度大於第一圖樣化電路相對基板的一第二高度。

在本發明一或多個實施方式中，上述之薄化第一保護材料的步驟，更進一步地使得第一保護材料相對基板具有一第三高度，其中第三高度與第一圖樣化電路相對基板的一第二高度實質上相等。

在本發明一或多個實施方式中，上述之薄化第一保護材料的步驟，更進一步地使得第一保護材料相對基板具有一第四高度，其中第四高度小於第一圖樣化電路相對基板的一第二高度。

在本發明一或多個實施方式中，上述之形成第一保護材料的步驟更包含形成第一保護材料覆蓋第一圖樣化電路，其中移除部分的第一保護材料的步驟更包含部分地移除第一保護材料位於第一圖樣化電路上的部分，其中未移除的第一保護材料覆蓋第一圖樣化電路的部分與覆蓋薄膜電阻位於間隙內的部分互相鄰接，以共同形成第一保護層。

在本發明一或多個實施方式中，上述之形成第一保護材料的步驟更包含形成第一保護材料覆蓋基板，其中移除部分的第一保護材料的步驟更包含部分地移除第一保護材料位於基板上的部分，其中未移除的第一保護材料覆蓋基板的部分與覆蓋薄膜電阻位於間隙內的部分互相鄰接，以共同形成第一保護層。

在本發明一或多個實施方式中，上述之封裝基板製作方法更包含形成第二保護層，使得第二保護層覆蓋薄膜電阻曝露於第一保護層外的部分以及第一保護層。

在本發明一或多個實施方式中，上述之形成第二保護層的步驟更進一步地讓第二保護層覆蓋第一圖樣化電路及基板表面其中至少一者。

在本發明一或多個實施方式中，上述之封裝基板製作方法更包含形成介電層於載板的第一側，並覆蓋第一圖樣化電路、間隙以及第一保護層。

在本發明一或多個實施方式中，上述之封裝基板製作方法可更包含在介電層中對應第一圖樣化電路中至少一者形成一開孔；以及形成導電盲孔於開孔中，以連接第一圖樣化電路中的對應者至介電層遠離基板的表面。

100‧‧‧封裝基板製作方法

200‧‧‧載板

220‧‧‧基板

222‧‧‧第一側

224‧‧‧第二側

240‧‧‧薄膜電阻

260‧‧‧第一圖樣化電路

262‧‧‧第一間隙

264‧‧‧第二間隙

280‧‧‧第二圖樣化電路

300‧‧‧第一保護材料

320‧‧‧第一區域

340‧‧‧第二區域

400/400A/400B/400C‧‧‧封裝基板

420‧‧‧第一保護層

420A/420B/420C‧‧‧第一保護層

422A/424A/426A‧‧‧區域

422B/424B‧‧‧區域

422C/424C‧‧‧區域

440‧‧‧虛線框

500‧‧‧第一保護材料

520‧‧‧第一區域

540‧‧‧第二區域

600/600A/600B/600C‧‧‧封裝基板

620/620A/620B/620C‧‧‧第一保護層

622A/624A‧‧‧區域

640‧‧‧虛線框

700‧‧‧第一保護材料

720‧‧‧第一區域

740‧‧‧第二區域

800‧‧‧封裝基板

820‧‧‧第一保護層

900‧‧‧第一保護材料

920‧‧‧第一區域

940‧‧‧第二區域

1000/1000A/1000B/1000C‧‧‧封裝基板

1020/1020A/1020B/1020C‧‧‧第一保護層

1022A/1024A‧‧‧區域

1040‧‧‧虛線框

1120‧‧‧第一保護層

1140‧‧‧第二保護層

1200‧‧‧封裝基板

1220‧‧‧第一保護層

1240‧‧‧介電層

1242‧‧‧開孔

1262‧‧‧導電盲孔

1264‧‧‧第三圖樣化電路

1280‧‧‧第三保護層

1300‧‧‧增層

1400‧‧‧封裝基板

h1‧‧‧第一高度

h2‧‧‧第二高度

h3‧‧‧第三高度

h4‧‧‧第四高度

S101~S104‧‧‧步驟

本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例，透過下方的實施例搭配相對應的圖式能更明顯易懂，必須要強調的是圖式之繪示為本於實務，圖式繪示之不同特徵並非該特徵之實際尺寸比例，必須了解到這些不同特徵可能會因為解說之方便而放大或縮小其尺寸：第1圖繪示依據本發明多個實施方式之封裝基板製作方法的流程圖。

第2圖至第3圖繪示依據本發明多個實施方式之封裝基板於製作方法的不同階段的側視剖面圖。

第4A圖至第4C圖繪示依據本發明多個實施方式之封裝基板於封裝基板製作方法的不同階段的側視剖面圖。

第5A圖至第5C圖繪示依據本發明多個實施方式之封裝基板的部分的上視圖。

第6A圖至第6C圖繪示依據本發明另外的多個實施方式之封裝基板於封裝基板製作方法的不同階段的側視剖面圖。

第7A圖至第7C圖繪示依據本發明多個實施方式之封裝基板的部分的上視圖。

第8A圖至第8C圖繪示依據本發明另外的多個實施方式之封裝基板於封裝基板製作方法的不同階段的側視剖面圖。

第9A圖至第9B圖繪示依據本發明另外的多個實施方式之封裝基板於封裝基板製作方法的不同階段的側視剖面圖。

第10A圖至第10C圖繪示依據本發明多個實施方式之封裝基板的部分的上視圖。

第11圖繪示依據本發明另外的多個實施方式之封裝基板於封裝基板製作方法的不同階段的側視剖面圖。

第12A圖至第12D圖繪示依據本發明另外的多個實施方式之封裝基板於封裝基板製作方法的不同階段的側視剖面圖。

第13圖繪示依據本發明另外的多個實施方式之封裝基板於封裝基板製作方法的不同階段的側視剖面圖。

除非有其他表示，在不同圖式中相同之號碼與符號通常被當作相對應的部件。該些圖示之繪示為清楚表達該些實施方式之相關關聯而非繪示該實際尺寸。

以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，當一個元件被稱為『在…上』時，它可泛指該元 件直接在其他元件上，也可以是有其他元件存在於兩者之中。相反地，當一個元件被稱為『直接在』另一元件，它是不能有其他元件存在於兩者之中間。如本文所用，詞彙『及/或』包含了列出的關聯項目中的一個或多個的任何組合。

此外，相對詞彙，如『下』或『底部』與『上』或『頂部』，用來描述文中在附圖中所示的一元件與另一元件之關係。相對詞彙是用來描述裝置在附圖中所描述之外的不同方位是可以被理解的。例如，如果一附圖中的裝置被翻轉，元件將會被描述原為位於其它元件之『下』側將被定向為位於其他元件之『上』側。例示性的詞彙『下』，根據附圖的特定方位可以包含『下』和『上』兩種方位。同樣地，如果一附圖中的裝置被翻轉，元件將會被描述原為位於其它元件之『下方』或『之下』將被定向為位於其他元件上之『上方』。例示性的詞彙『下方』或『之下』，可以包含『上方』和『上方』兩種方位。

第1圖為依據本發明多個實施方式繪示之封裝基板製作方法100的流程圖。如第1圖所示，封裝基板製作方法100從步驟S101開始，一載板被提供。在多個實施方式中，載板可至少包含基板、設置於基板上的薄膜電阻以及設置於薄膜電阻上的複數個第一圖樣化電路。其中，第一圖樣化電路中任兩相鄰者之間具有間隙。在多個實施方式中，部分的薄膜電阻延伸至第一圖樣化電路之間的間隙中至少一者之內。接續地，進行步驟S102，第一保護材料形成在載板設置有薄膜電阻的一側，且第一保護材料至少覆蓋薄膜電阻延伸至間隙之內的至 少一部分。在其他的多個實施方式中，第一保護材料也可更進一步地覆蓋基板及/或第一圖樣化電路的至少部分。接著進行步驟S103，自載板設置有薄膜電阻的一側薄化第一保護材料。在多個實施方式中，可透過微縮影製程的顯影劑薄化第一保護材料。在其他的多個實施方式中，也可透過蝕刻、研磨或其他合適的方式來薄化第一保護材料。接續地，進行步驟S104，移除部分的第一保護材料，其中未經移除的第一保護材料形成第一保護層，並覆蓋薄膜電阻延伸至間隙之內的部分。在多個實施方式中，第一保護層實質上完整涵蓋下方的薄膜電阻。在其他的多個實施方式中，第一保護層僅覆蓋下方的薄膜電阻的一部分。

由於依照封裝基板製作方法100所製作的封裝基板，其利用保護材料形成保護層覆蓋薄膜電阻遠離基板的表面，使得薄膜電阻可在封裝基板的後續製程中受到保護層的保護，讓薄膜電阻可減少或避免因受到化學物質侵蝕而損傷。舉例來說，在多個實施方式中，薄膜電阻的材料主要包含磷化鎳、鉻化鎳或鎳鉻鋁矽等合金，而保護層可避免薄膜電阻受製程中酸性化學物質的侵蝕或空氣的氧化等，但不限於此。是故，保護層可減少或避免薄膜電阻的電性性質在製成後，又因後續製程造成損傷而改變。進一步地，封裝基板製作方法100所製造的封裝基板可較佳地維持薄膜電阻電性性質的一致性，並可讓封裝基板提供穩定的電性性質。

此外，由於封裝基板製作方法100透過薄化第一保護材料的步驟S160先定義第一保護層的高度，而讓封裝基 板製作方法100所製造的封裝基板的厚度具可控制性。如此一來，封裝基板製作方法100所製造的封裝基板，可依照不同需求而較輕易的控制第一保護層的高度，進一步降低蝕刻第一保護層的成本，並同時減少製程步驟與製程所需的時間。

第2圖、第3圖分別為依據本發明多個實施方式繪示之封裝基板於製作方法的不同階段的側視剖面圖。如第2圖所示，載板200可包含基板220、薄膜電阻240以及複數個第一圖樣化電路260。在多個實施方式中，電阻層(圖未繪示，其為未圖樣化的薄膜電阻240)形成於基板220的第一側222。接續地，導電層(圖未繪示，其為未圖樣化的第一圖樣化電路260)分別形成於第一側222以及相對於第一側222的第二側224。接續地，可進行一或多個製程，將電阻層與導電層分別圖樣化，以對應形成薄膜電阻240與第一圖樣化電路260。在其他的多個實施方式中，可依序將薄膜電阻240與第一圖樣化電路260印刷於基板220的第一側222，以形成載板200。換句話說，薄膜電阻240設置於基板220的其中一側，而第一圖樣化電路260設置於薄膜電阻240遠離基板220的表面。在多個實施方式中，第一圖樣化電路260也可穿過薄膜電阻240與基板220，並與形成於第二側224的第二圖樣化電路280至少其中一者電性連接。

在多個實施方式中，第一圖樣化電路260中任兩相鄰者之間具有一間隙。其中，間隙又可分為第一間隙262與第二間隙264等。更具體地說，部分的薄膜電阻240可自第一圖樣化電路260與基板220之間延伸至第一圖樣化電路260之 間的間隙中至少一者，以讓薄膜電阻240依照配置的連接關係電性連接於相鄰的兩第一圖樣化電路260之間。其中，設置有薄膜電阻240的間隙可被視為第一間隙262，而未設置有薄膜電阻240的間隙可被視為第二間隙264。進一步地，若薄膜電阻240的電性性質在後續的製程中因損傷而變化，可能會對透過薄膜電阻240電性連接的兩第一圖樣化電路260的訊號傳導造成影響。同樣地，也會對載板200的電性性質與訊號傳遞產生影響。

參照第3圖，接續地，在多個實施方式中，在載板200設置有薄膜電阻240的第一側222，形成第一保護材料300，且第一保護材料300至少覆蓋薄膜電阻240延伸至第一間隙262之內的至少一部分。在多個實施方式中，第一保護材料300可進一步地覆蓋第一圖樣化電路260。甚或，在多個實施方式中，所述的第一保護材料300也可進一步地覆蓋基板220與第二間隙264。在多個實施方式中，第一保護材料300可為防焊材料。舉例來說，第一保護材料300可包含環氧樹脂(Epoxy)、壓克力、前述材料的組合或其他合適的材料。在多個實施方式中，第一保護材料300可為感光性塑型材料、感熱性塑型材料或兩者複合的塑型材料。

第4A圖至第4C圖為依據本發明多個實施方式分別繪示之封裝基板400於封裝基板製作方法的不同階段的側視剖面圖。參照第4A圖，在多個實施方式中，接續第3圖，自第一側222薄化第一保護材料300，使得薄化後的第一保護材料300相對基板220具有第一高度h1，其中第一高度h1大於第一 圖樣化電路260相對基板220的第二高度h2。甚或，在多個實施方式中，薄化後的第一保護材料300仍覆蓋第一圖樣化電路260。

參照第4B圖，在多個實施方式中，接續地，選擇性地曝光部分的第一保護材料300。更具體地說，若將第一保護材料300分為位於第一間隙262及/或鄰近第一間隙262上的第一區域320，以及第一區域320以外的第二區域340。在多個實施方式中，當第一保護材料300為正光阻型時，則曝光第一保護材料300的第一區域320。在其他的多個實施方式中，當第一保護材料300為負光阻型時，則曝光第一保護材料300的第二區域340，但不限於此。在多個實施方式中，所述的第一區域320可至少部分地涵蓋第一間隙262鄰接第一圖樣化電路260的兩端。在多個實施方式中，所述的第一區域320也可延伸至部分的第一圖樣化電路260上。

參照第4C圖，在多個實施方式中，接續地，移除部分的第一保護材料300。其中，未移除的第一保護材料300形成第一保護層420，並覆蓋薄膜電阻240延伸至第一間隙262的範圍之內的至少部分。更具體地說，在多個實施方式中，可透過蝕刻製程，移除第一保護材料300除第一區域320以外的區域，其中，位於第一區域320中因受選擇性地曝光而未被移除的第一保護材料300，可覆蓋薄膜電阻240延伸至第一間隙262之內的至少部分，並實質上形成第一保護層420。如此一來，第一保護層420可保護薄膜電阻240遠離基板220的表面，且較佳地減少或避免薄膜電阻240受到化學物質侵蝕。進一步 地，第一保護層420可減少或避免薄膜電阻240的電性性質因後續製程的化學物質造成損傷而改變。是故，可較佳地維持薄膜電阻240電性性質的一致性，並讓形成第一保護層420覆蓋薄膜電阻240的封裝基板400提供穩定的電性性質。

第5A圖至第5C圖為依據本發明多個不同實施方式分別繪示之封裝基板400A、400B、400C的部分的上視圖，其中第5A圖至第5C圖所繪示的部分可分別與第4C圖中虛線框440所框限的範圍相對應。如第5A圖所繪示，在多個實施方式中，第一保護材料300位於第一圖樣化電路260與基板220上的部分可被部分地移除(參照第4B圖、第4C圖)，且未移除的第一保護材料300可形成第一保護層420A，並可依所覆蓋的元件而分為區域422A、區域424A與區域426A。其中，區域422A係覆蓋薄膜電阻240位於第一間隙262內的部分，區域424A係覆蓋第一圖樣化電路260的部分，以及區域426A係覆蓋基板220的部分。區域422A可與區域424A互相鄰接。同樣地，區域422A也與區域426A互相鄰接。如此一來，區域422A、區域424A與區域426A共同形成之第一保護層420A，可實質上完整地涵蓋薄膜電阻240與薄膜電阻240的週邊範圍，達致薄膜電阻240與第一圖樣化電路260的保護。

如第5B圖所繪示，在其他的多個實施方式中，第一保護材料300位於第一圖樣化電路260上的部分被部分地移除(參照第4B圖、第4C圖)，且未移除的第一保護材料300形成第一保護層420B，並可依所覆蓋的元件而分為區域422B與區域424B。其中，區域422B係覆蓋第一圖樣化電路260的部分， 並與覆蓋薄膜電阻240位於第一間隙262內的部分的區域422B互相鄰接。其中，區域422B的邊緣與薄膜電阻240的邊緣切齊。如此一來，區域422B與區域424B共同形成之第一保護層420B，可實質上完整地涵蓋薄膜電阻240，並保護薄膜電阻240與第一圖樣化電路260。

如第5C圖所繪示，在其他的多個實施方式中，第一保護材料300位於第一圖樣化電路260與薄膜電阻240上的部分被部分地移除(參照第4B圖、第4C圖)，且未移除的第一保護材料300形成第一保護層420C，並可依所覆蓋的元件而分為區域422C與區域424C。其中，區域422C係覆蓋薄膜電阻240位於第一間隙262內的部分，並與覆蓋第一圖樣化電路260的部分的區域424C互相鄰接。如此一來，區域422C與區域424C共同形成之第一保護層420C，可部分覆蓋薄膜電阻240與第一圖樣化電路260鄰接的兩端。

第6A圖至第6C圖為依據本發明另外的多個實施方式分別繪示之封裝基板600於封裝基板製作方法的不同階段的側視剖面圖。參照第6A圖，在多個實施方式中，接續第3圖，自第一側222薄化第一保護材料300(參照第3圖)，讓薄化後的第一保護材料500相對基板220具有第三高度h3，其中第三高度h3與第一圖樣化電路260相對基板220的第二高度h2實質上相等。

參照第6B圖，在多個實施方式中，接續地，選擇性地曝光第一保護材料500的部分。舉例來說，如曝光第一區域520。在多個實施方式中，第一區域520至少部分涵蓋第一 間隙262鄰接第一圖樣化電路260的兩端。參照第6C圖，在多個實施方式中，接續地，部分的第一保護材料500被移除。未移除的第一保護材料500覆蓋薄膜電阻240延伸至第一間隙262的範圍之內的至少部分。亦即，第一保護材料500位於基板220上方設置有薄膜電阻240以外的區域的部分實質上完全移除。舉例來說，像是移除第一保護材料500除第一區域520以外的區域。進而讓位於第一區域520中未移除的第一保護材料形成第一保護層620，以保護薄膜電阻240遠離基板220的表面，較佳地減少或避免薄膜電阻240受到化學物質侵蝕。此外，第一保護層620的上緣與第一圖樣化電路260的上緣相切齊，可減少封裝基板600的厚度。

第7A圖至第7C圖為依據本發明多個不同實施方式分別繪示之封裝基板600A、600B、600C的部分的上視圖，其中第7A圖至第7C圖所繪示的部分可分別與第7C圖中虛線框640所框限的範圍相對應。如第7A圖所繪示，在多個實施方式中，第一保護材料500位於基板220上的部分被部分移除(參照第6B圖、第6C圖)，且未移除的第一保護材料500形成第一保護層620A，並可依所覆蓋的元件而分為區域622A與區域624A。其中，區域622A係覆蓋薄膜電阻240位於第一間隙262內的部分，並與覆蓋基板220的部分的區域624A互相鄰接。如此一來，區域622A與區域624A共同形成之第一保護層620A，可實質上涵蓋薄膜電阻240至基板220的週邊範圍，達致薄膜電阻240的保護。

如第7B圖所繪示，在其他的多個實施方式中，第一保護材料500除位於薄膜電阻240上的部分以外都被移除(參照第6B圖、第6C圖)，且未移除的第一保護材料500形成第一保護層620B。其中，第一保護層620B係第一保護材料500位於第一間隙262內的部分，且實質上與薄膜電阻240重合。如第7C圖所繪示，在其他的多個實施方式中，第一保護材料500位於薄膜電阻240上的部分被部分地移除(參照第6B圖、第6C圖)。未移除的第一保護材料500形成第一保護層620C。其中，第一保護層620C係第一保護材料500覆蓋薄膜電阻240位於第一間隙262內的部分，且部分地覆蓋薄膜電阻240與第一圖樣化電路260鄰接的兩端。

第8A圖至第8C圖為依據本發明另外的多個實施方式分別繪示之封裝基板800於封裝基板製作方法的不同階段的側視剖面圖。參照第8A圖，在多個實施方式中，接續第3圖，自第一側222薄化第一保護材料700(參照第3圖)，讓薄化後的第一保護材料700相對基板220具有第四高度h4，其中第四高度h4小於第一圖樣化電路260相對基板220的第二高度h2。

參照第8B圖，在多個實施方式中，接續地，選擇性地曝光第一保護材料700的部分。舉例來說，如曝光第一區域720。在多個實施方式中，第一區域720至少部分涵蓋第一間隙262鄰接第一圖樣化電路260的兩端。參照第8C圖，在多個實施方式中，接續地，部分的第一保護材料700被移除。未移除的第一保護材料700覆蓋薄膜電阻240延伸至第一間隙262的範圍之內的至少部分。亦即，第一保護材料700位於基 板220上方設置有薄膜電阻240以外的區域的部分實質上完全移除。進而讓位於第一區域720中未移除的第一保護材料700形成第一保護層820，以保護薄膜電阻240遠離基板220的表面，較佳地減少或避免薄膜電阻240受到化學物質侵蝕。此外，第一保護層820的上緣低於第一圖樣化電路260的上緣，可減少封裝基板800的厚度。甚或，可減少後續在封裝基板800製造增層後的整體厚度。

第9A圖至第9B圖為依據本發明另外的多個實施方式分別繪示之封裝基板1000於封裝基板製作方法的不同階段的側視剖面圖。參照第9A圖，在多個實施方式中，接續第8A圖，選擇性地曝光第一保護材料900的部分。舉例來說，如曝光第一區域920，其中第一區域920為薄膜電阻240延伸至第一間隙262的範圍之內的部分上方的一部分。參照第9B圖，在多個實施方式中，接續地，部分的第一保護材料900被移除。未移除的第一保護材料900覆蓋薄膜電阻240延伸至第一間隙262的範圍之內的部分，且暴露薄膜電阻240鄰接第一間隙262的部分。亦即，未移除的第一保護材料900形成部分覆蓋薄膜電阻240的第一保護層1020，以部分地保護薄膜電阻240遠離基板220的表面，減少或避免薄膜電阻240受到化學物質侵蝕。

第10A圖至第10C圖為依據本發明多個不同實施方式分別繪示之封裝基板1000A、1000B、1000C的部分的上視圖，其中第10A圖至第10C圖所繪示的部分可分別與第9B圖中虛線框1040所框限的範圍相對應。如第10A圖所繪示，在多個實施方式中，未移除的第一保護材料900形成第一保護層 1020A，且第一保護層1020A可分為覆蓋薄膜電阻240位於第一間隙262內的區域1022A與覆蓋基板220的區域1024A。其中，區域1022A與區域1024A互相鄰接。如此一來，區域1022A與區域1024A共同形成之第一保護層1020A，可實質上涵蓋薄膜電阻240至基板220的週邊範圍。

如第10B圖所繪示，在其他的多個實施方式中，未移除的第一保護材料900位於第一間隙262內所形成之第一保護層1020B的邊緣與薄膜電阻240的邊緣切齊。如第10C圖所繪示，在其他的多個實施方式中，第一保護材料900位於薄膜電阻240上的部分被部分地移除(參照第10B圖)並形成第一保護層1020C，使得薄膜電阻240鄰接第一間隙262所暴露的部分環繞覆蓋薄膜電阻240的第一保護層1020C。

值得注意的是，此處所述之第一保護材料900僅為示例，其並非用以限制本發明。應瞭解到，本領域具通常知識者，當可視實際需求，在不脫離本揭露的精神與範圍的情況下，對保護材料的高度與覆蓋薄膜電阻的範圍做同等的改動與修飾，只要第一保護層1020能保護薄膜電阻240即可。

第11圖為依據本發明另外的多個實施方式繪示之封裝基板1100於封裝基板製作方法的不同階段的側視剖面圖。參照第11圖，在多個實施方式中，可自第一側222形成第二保護層1140，使得第二保護層1140覆蓋薄膜電阻240曝露於第一保護層1120外的部分以及第一保護層1120。甚或，在多個實施方式中，第二保護層1140可更進一步地完整地或部分地覆蓋第一圖樣化電路260。如此一來，第二保護層1140可保護 薄膜電阻240及第一圖樣化電路260減少與外界的化學物質互相反應，進而避免造成薄膜電阻240及第一圖樣化電路260的電性性質改變。

此外，在多個實施方式中，第二保護層1140的材料可相異於第一保護層1120的材料。在多個實施方式中，第二保護層1140材料的組成比例可相異於第一保護層1120材料的組成比例。

值得注意的是，此處所述之第一保護層1120僅為示例，其並非用以限制本發明。舉例來說，第一保護層1120也可為第6C圖的第一保護層620。舉例來說，第一保護層1120也可為第8C圖的第一保護層820。舉例來說，第一保護層1120也可為第9C圖的第一保護層1020。但不限於此。應瞭解到，本領域具通常知識者，當可視實際需求，在不脫離本揭露的精神與範圍的情況下，做同等的改動與修飾，只要第二保護層1140能覆蓋第一保護層1120，且保護下方的薄膜電阻240即可。

第12A圖至第12D圖繪示依據本發明另外的多個實施方式之封裝基板1200於封裝基板製作方法的不同階段的側視剖面圖。參照第12A圖，在多個實施方式中，介電層1240形成於基板220的第一側222，並覆蓋第一圖樣化電路260、第一間隙262、第二間隙264以及第一保護層1220。在多個實施方式中，介電層1240的材料可為膜狀介電材(Ajinomoto Build-up Film,ABF)、聚丙烯(Polypropylene,PP)或其他合適的增層絕緣材料。

參照第12B圖，在多個實施方式中，接續地，在介電層1240中對應第一圖樣化電路260中至少一者形成一開孔1242。參照第12C圖，在多個實施方式中，接續地，在開孔1242中形成導電盲孔1262，以將第一圖樣化電路260中的對應者連接至介電層1240遠離基板220的表面，以與在介電層1240遠離基板220的表面所形成的第三圖樣化電路1264其中至少一者電性連接。如此一來，可透過包含有介電層1240、第三圖樣化電路1264以及導電盲孔1262等元件的增層1300重新調整第一圖樣化電路260與外界電性連接的配置。參照第12D圖，在多個實施方式中，接續地，也可在介電層1240遠離基板220的表面形成第三保護層1280。

第13圖繪示依據本發明另外的多個實施方式之封裝基板1400於封裝基板製作方法的不同階段的側視剖面圖。參照第13圖，封裝基板1400可包含一或多個增層1300形成於封裝基板1200的第一側222，以提供更彈性的電性連接配置。

綜上所述，本發明提供一種封裝基板製作方法，包含提供載板，其中載板至少包含基板、設置於基板上的至少一薄膜電阻以及設置於薄膜電阻上的複數個第一圖樣化電路，其中第一圖樣化電路中任兩相鄰者之間具有一間隙，部分的薄膜電阻延伸至第一圖樣化電路之間的間隙中至少一者之內；接續地，形成第一保護材料於載板設置有薄膜電阻的一側，且第一保護材料至少覆蓋薄膜電阻延伸至間隙之內的至少一部分；接續地，薄化第一保護材料；以及移除部分的第一保 護材料，其中未經移除的第一保護材料形成第一保護層，並覆蓋薄膜電阻延伸至間隙之內的部分。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (12)

1. 一種封裝基板製作方法，包含：提供一載板，其中該載板包含一基板；形成一電阻層於該基板上方；對該電阻層進行圖樣化以形成一薄膜電阻；形成複數個第一圖樣化電路於該薄膜電阻上方，其中該些第一圖樣化電路中任兩相鄰者之間具有一間隙，部分的該薄膜電阻延伸至該些第一圖樣化電路之間的該些間隙中至少一者的之內；形成一第一保護材料於該載板設置有該薄膜電阻的一側，且該第一保護材料至少覆蓋該薄膜電阻延伸至該間隙之內的至少一部分；薄化該第一保護材料；以及移除部分的該第一保護材料，其中未經移除的該第一保護材料形成第一保護層，並覆蓋該薄膜電阻延伸至該間隙之內的該部分。
2. 如請求項第1項所述之封裝基板製作方法，其中該移除部分的該第一保護材料的步驟包含：選擇性地曝光該第一保護材料；以及蝕刻該第一保護材料，以將該第一保護材料位於該基板上方設置有該薄膜電阻以外的區域的部分實質上完全移除。
3. 如請求項第2項所述之封裝基板製作方法，其中該蝕刻該第一保護材料的步驟，更進一步地自該些間隙中設置有該薄膜電阻的區域內移除該第一保護材料的一部分，以暴露該薄膜電阻鄰接該間隙的至少一部分。
4. 如請求項第1項所述之封裝基板製作方法，其中該薄化該第一保護材料的步驟，更進一步地使得該第一保護材料相對該基板具有一第一高度，其中該第一高度大於該些第一圖樣化電路相對該基板的一第二高度。
5. 如請求項第1項所述之封裝基板製作方法，其中該薄化該第一保護材料的步驟，更進一步地使得該第一保護材料相對該基板具有一第三高度，其中該第三高度與該些第一圖樣化電路相對該基板的一第二高度實質上相等。
6. 如請求項第1項所述之封裝基板製作方法，其中該薄化該第一保護材料的步驟，更進一步地使得該第一保護材料相對該基板具有一第四高度，其中該第四高度實質上小於該些第一圖樣化電路相對該基板的一第二高度。
7. 如請求項第1項所述之封裝基板製作方法，其中該形成該第一保護材料的步驟更包含形成該第一保護材料覆蓋該些第一圖樣化電路，其中該移除部分的該第一保護材料的步驟更包含部分地移除該第一保護材料位於該些第一圖樣化電路上的部分，其中未移除的該第一保護材料覆蓋該 些第一圖樣化電路的部分與覆蓋該薄膜電阻位於該間隙內的部分互相鄰接，以共同形成該第一保護層。
8. 如請求項第1項所述之封裝基板製作方法，其中該形成該第一保護材料的步驟更包含形成該第一保護材料覆蓋該基板，其中該移除部分的該第一保護材料的步驟更包含部分地移除該第一保護材料位於該基板上的部分，其中未移除的該第一保護材料覆蓋該基板的部分與覆蓋該薄膜電阻位於該間隙內的部分互相鄰接，以共同形成該第一保護層。
9. 如請求項第1項所述之封裝基板製作方法，更包含形成一第二保護層，使得該第二保護層覆蓋該薄膜電阻曝露於該第一保護層外的部分以及該第一保護層。
10. 如請求項第9項所述之封裝基板製作方法，其中該形成該第二保護層的步驟更進一步地讓該第二保護層覆蓋該些第一圖樣化電路以及該基板其中至少一者。
11. 如請求項第1項所述之封裝基板製作方法，更包含形成一介電層於該基板的該第一側，並覆蓋該些第一圖樣化電路、該些間隙以及該第一保護層。
12. 如請求項第11項所述之封裝基板製作方法，更包含： 在該介電層中對應該些第一圖樣化電路中至少一者形成一開孔；以及形成一導電盲孔於該開孔中，以連接該些第一圖樣化電路中的對應者至該介電層遠離該基板的一表面。