TWI624938B - 微發光二極體顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種微發光二極體顯示裝置，具有相對配置的第一基板與第二基板，複數個微發光二極體分別設置於第一基板與第二基板的相鄰表面，藉此即能高密度設置微發光二極體而提升解析度；當第一基板與第二基板皆為可撓性基板，加上前述微發光二極體分設於第一基板與第二基板，則能改善微發光二極體顯示裝置的可撓性；當再採取反射杯對應微發光二極體設置，則更可增強亮度或改變出光方向，於是成為能改善亮度、可撓度、與增大解析度的微發光二極體顯示裝置。

Description

微發光二極體顯示裝置

本發明係關於一種顯示裝置，尤指一種微發光二極體顯示裝置。

以有機發光二極體(OLED)所製造的顯示裝置，正積極取代液晶顯示器應用於智慧型手機的市場。在此同時，另一種顯示技術微發光二極體(Micro LED)正逐漸佈局，有機會超越有機發光二極體，顛覆現有顯示技術局面，並將拓展更高層次的技術應用。

微發光二極體為微型化發光二極體的陣列結構，具有自發光顯示特性，搭配主動式元件每一點畫素都能定址化單獨驅動發光，優點包括高亮度、低功耗、體積較小、超高解析度與色彩飽和等。微發光二極體與有機發光二極體皆適合可撓與透明顯示，微發光二極體相較於同為自發光顯示的有機發光二極體技術，微發光二極體不僅發光效能較高、壽命較長，材料不易受到環境影響而相對穩定，也能避免產生殘影現象。

因為微發光二極體體積小，可以更密集的設置排列而大幅提高解析度。然而，也因為有機發光二極體體積小排列更密集，使得傳統製程以單面貼印的製造方式應用在微發光二極體製成顯示裝置則更為困難，貼印轉置的過程受限於機構精確度、貼印介質(stamp)的材料特性與單位間距 (pitch)的精準度，侷限了產品的解析度，且單面貼印於高密度排列時，放置過程中，容易產生相鄰微發光二極體干擾轉置，因而造成誤取放。

市面上有些穿戴式顯示裝置因亮度不高而影響清晰度，必須提升發光效率來加以改善，但原本效率較低的有機發光二極體在提升亮度時，則會因此增加功耗，而微發光二極體在同樣功耗下，亮度已經較有機發光二極體高相當多，但為因應更多元的顯示裝置，兼顧亮度與清晰度的需求，有必要再積極發展提升亮度的技術以符所需。

因此，本發明的主要目的在於提供一種微發光二極體顯示裝置，以更優化上述所提之問題。

本發明之目的在提供一種微發光二極體顯示裝置，可大幅提昇亮度以應更多元的顯示應用，如應用於穿戴式顯示裝置或智慧型手機等應用中，此外，可改善顯示裝置的可撓性，並且能解決高密度排列設置微發光二極體時製造上的困難，因此，未來將甚至可使微發光二極體顯示裝置成為智慧型手機的主流顯示技術。

本發明係關於一種微發光二極體顯示裝置，包含第一基板、第二基板、複數個微發光二極體、以及至少一反射杯。第一基板與第二基板相對配置。

複數個微發光二極體分別設置於第一基板與第二基板的相鄰表面，第二基板上的複數個微發光二極體於第一基板的正投影，與第一基板上的複數個微發光二極體為交錯排列設置。

反射杯設置於第一基板上，並設置位於與第一基板上的複數個微發光二極體中至少一個微發光二極體位於第一基板的相同位置上，或，反射杯設置位於與設置於第二基板上的複數個微發光二極體於第一基板的至少一個正投影的位置。

其中，第一基板以及第二基板皆可為可撓性基板。進一步，微發光二極體顯示裝置更包含連接件，且連接件連接於第一基板與第二基板之間。

微發光二極體顯示裝置可包含複數個反射杯，該些反射杯中之一部分反射杯設置於第一基板上的複數個微發光二極體連接第一基板的位置，並且該些反射杯中之另一部分反射杯設置於第二基板上的複數個微發光二極體於第一基板的該些正投影的位置。

或者，該些反射杯中之一部分反射杯設置於第一基板上的複數個微發光二極體連接第一基板的位置，並且該些反射杯中之另一部分反射杯設置於第二基板上的複數個微發光二極體連接第二基板的位置。

此外，本發明也係一種微發光二極體顯示裝置，包含第一基板、第二基板、以及複數個微發光二極體。第一基板與第二基板皆為一種可撓性基板，第一基板並與第二基板相對配置。

複數個微發光二極體分別設置於第一基板與第二基板的相鄰表面，第二基板上的複數個微發光二極體於第一基板的正投影，與第一基板上的複數個微發光二極體為交錯排列設置。

其中，微發光二極體顯示裝置更包含連接件，且連接件連接於第一基板與第二基板之間。

顯示裝置更包含至少一反射杯，設置於第一基板上，並設置於第一基板上的複數個微發光二極體中至少一個微發光二極體連接第一基板的位置，或設置於第二基板上的複數個微發光二極體於第一基板的至少一個正投影的位置。

如上述之微發光二極體顯示裝置，微發光二極體顯示裝置可包含複數個反射杯，該些反射杯中之一部分反射杯設置於第一基板上的複數個微發光二極體連接第一基板的位置，並且該些反射杯中之另一部分反射杯設置於第二基板上的複數個微發光二極體於第一基板的該些正投影的位置。

或者，該些反射杯中之一部分反射杯設置於第一基板上的複數個微發光二極體連接第一基板的位置，並且該些反射杯中之另一部分反射杯設置於第二基板上的複數個微發光二極體連接第二基板的位置。

因此，利用本發明所提供一種微發光二極體顯示裝置，利用反射杯的輔助設計，可大幅提昇亮度以應更多元的顯示應用，如應用於穿戴式顯示裝置，此外，利用同為可撓性基板的第一基板與第二基板分設該等微發光二極體，則可改善顯示裝置的可撓性，並且能解決高密度排列設置微發光二極體時製造上的困難，因此，將可使微發光二極體顯示裝置成為智慧型手機的主流顯示技術。

關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。

2‧‧‧第一電極

4‧‧‧第一型半導體

5‧‧‧發光層

6‧‧‧第二型半導體

8‧‧‧第二電極

9‧‧‧基板

10‧‧‧發光二極體顯示裝置

20‧‧‧第一基板

22‧‧‧第二基板

30‧‧‧微發光二極體

30R‧‧‧紅微發光二極體

30G‧‧‧綠微發光二極體

30B‧‧‧藍微發光二極體

32‧‧‧反射杯

50‧‧‧連接件

圖1係微發光二極體之側視圖；圖2A係本發明微發光二極體顯示裝置關於反射杯的第一例之示意圖；圖2B係圖2A例中第一基板的俯視圖；圖2C係圖2A例中第二基板的俯視圖；圖3A係本發明微發光二極體顯示裝置關於反射杯的第二例之示意圖；圖3B係圖3A例中第一基板的俯視圖；圖3C係圖3A例中第二基板的俯視圖；圖4A係本發明微發光二極體顯示裝置關於反射杯的第三例之示意圖；圖4B係圖4A例中第一基板的俯視圖；圖4C係圖4A例中第二基板的俯視圖；圖5A係本發明微發光二極體顯示裝置關於反射杯的第四例之示意圖；圖5B係圖5A例中第一基板的俯視圖；圖5C係圖5A例中第二基板的俯視圖；圖6A係本發明微發光二極體顯示裝置平整時之示意圖；圖6B係本發明微發光二極體顯示裝置撓曲時之示意圖；圖7A係本發明微發光二極體顯示裝置折疊實施例之攤平狀態示意圖；圖7B係本發明微發光二極體顯示裝置折疊實施例之折疊狀態示意圖；圖8A係本發明第一基板佈設多色微發光二極體之示意圖；圖8B係本發明第二基板佈設多色微發光二極體之示意圖；以及圖8C係本發明多色微發光二極體之疊合示意圖。

請參閱圖1，圖1係微發光二極體之側視圖。圖1所示的微發光二極體30可利用在本發明中，但本發明不以此種微發光二極體30為限，微發光二極體30包含第一電極2、第二電極8、第一型半導體4、第二型半導體6、以及發光層5，第一電極2與第二電極8分別於第一型半導體4與第二型半導體6外端給與電能形成電位差，會使第一型半導體4與第二型半導體6的在發光層5的電洞與電子相結合，因此能階降低並以光線的方式釋出。微發光二極體30可設置在基板9上，本發明的基板9可為第一基板或第二基板而將陳述於後。一般來說，連接在基板9上的第二電極8可以被利用為反射微發光二極體30部分向下的光線向上出光的功效，但侷限於第二電極8的面積與形狀等因素，反射的效果相當有限。

請參閱圖2A、圖2B、及圖2C，圖2A係本發明微發光二極體顯示裝置關於反射杯的第一例之示意圖。圖2B係圖2A例中第一基板的俯視圖。圖2C係圖2A例中第二基板的俯視圖。本發明的微發光二極體顯示裝置10包含第一基板20、第二基板22、複數個微發光二極體30、以及至少一反射杯32。

第一基板20與第二基板22相對配置，複數個微發光二極體30分別設置於第一基板20與第二基板22的相鄰表面。第二基板22上的複數個微發光二極體30於第一基板20的正投影，與第一基板20上的複數個微發光二極體30形成交錯排列設置。如此，可改善單基板貼印所侷限無法高密度設置的障礙，使微發光二極體30在基板上的配置更為密集，進而提高微發光二極體顯示裝置10的解析度。

在此實施例中，微發光二極體顯示裝置10為雙面出光，反射杯32設置於第一基板20以及第二基板22上，更進一步說，反射杯32位於第一基 板20上的每一個微發光二極體30連接第一基板20的位置，及位於第二基板22上的每一個微發光二極體30連接第二基板22的位置，也就是說，反射杯32上設置有微發光二極體30，即微發光二極體30位於反射杯32中。每一個微發光二極體30所產生的光線直接及/或藉由反射杯32的反射，會從相對的第一基板20、第二基板22出光，此外，關於反射杯32與微發光二極體30所產生光線的關係，例如在第一基板20上的微發光二極體30所產生的光線，包括了由微發光二極體30發出直接於第二基板22方向出光的光線，及由第一基板20上的反射杯32反射，向第二基板22方向出光的光線外，還包括部分光線會經由對向第二基板22上的反射杯32反射，而向第一基板20方向出光，如此，微發光二極體30發出的光，藉由直接出光及利用反射杯32反射出光的方式，使得出光量加大，而具有增強亮度的效果，且同時可達成雙面出光的目的。

請參閱圖3A、圖3B、及圖3C，圖3A係本發明微發光二極體顯示裝置關於反射杯的第二例之示意圖。圖3B係圖3A例中第一基板的俯視圖。圖3C係圖3A例中第二基板的俯視圖。此例中，微發光二極體顯示裝置10的第一基板20、第二基板22、以及複數個微發光二極體30也同前例設置，所不同的在於反射杯32的設置。

在此實施例中，微發光二極體顯示裝置10也為雙面出光，反射杯32設置於第一基板20以及第二基板22上，在第一基板20上，反射杯32設置於第二基板22上的複數個微發光二極體30於第一基板20的正投影的位置。

在第二基板22上，反射杯32設置於第一基板20上的複數個微發光二極體30於第二基板22的正投影的位置。以正投影方向而言，微發光二極體30皆彼此交錯排列，所有的出光皆為微發光二極體30的光線照射到反射 杯32後，再從反射杯32反射，再從相對的第一基板20、第二基板22出光。如此，也可達成另一種在應用上可供選擇的雙面出光的效果。例如在第二基板22上的微發光二極體30所產生的光線，會由第一基板20上的反射杯32反射，向第二基板22方向出光，此外，部分第一基板20的微發光二極體30所產生的光線，會經由第一基板20上與微發光二極體30相鄰的反射杯32反射，而向第二基板22方向出光，反之，向第一基板20方向出光的方式也是如此，所以，微發光二極體30發出的光，藉由反射杯32反射出光的方式，使得出光量加大，而具有增強亮度的效果，且同時可達成雙面出光的目的。

請參閱圖4A、圖4B、及圖4C，圖4A係本發明微發光二極體顯示裝置關於反射杯的第三例之示意圖。圖4B係圖4A例中第一基板的俯視圖。圖4C係圖4A例中第二基板的俯視圖。此例中，微發光二極體顯示裝置10的第一基板20、第二基板22、以及複數個微發光二極體30也同前例設置，所不同的仍在於反射杯32的設置。

在此實施例中，微發光二極體顯示裝置10為單面出光，反射杯32僅設置於第二基板22上。在第二基板22上，反射杯32皆僅設置於第一基板20上的複數個微發光二極體30於第二基板22的正投影的位置，以正投影方向而言，微發光二極體30皆彼此交錯排列，第二基板22的微發光二極體30所產生的光線可直接從相對的第一基板20射出，而第一基板20的微發光二極體30所產生的光線，照射到反射杯32後，由反射杯32反射並從第一基板20射出。如此，除了可以藉由微發光二極體30分別設置且交錯排列的方式提高設置密度之外，能在不改變微發光二極體30與第一基板20及/或第二基板22的相對設置方向之下，意即不需使第一基板20或第二基板22其中任一層基板上的微發光二極體30轉向設置，就能藉由反射杯32改變光線方向而 輕易的達成一種單面出光的效果，利於生產線上模組化的生產。再進一步說明，在第一基板20上的微發光二極體30所產生的光線，會由第二基板22上的反射杯32反射，向第一基板20方向出光，此外，部分第二基板22的微發光二極體30所產生的光線，會經由第二基板22上與微發光二極體30相鄰的反射杯32反射，而向第一基板20方向出光，所以，微發光二極體30發出的光，藉由反射杯32反射出光的方式，使得出光量加大，而具有增強亮度的效果，且同時可達成單面出光的目的。

請參閱圖5A、圖5B、及圖5C，圖5A係本發明微發光二極體顯示裝置關於反射杯的第四例之示意圖。圖5B係圖5A例中第一基板的俯視圖。圖5C係圖5A例中第二基板的俯視圖。此例中，微發光二極體顯示裝置10的第一基板20、第二基板22、以及複數個微發光二極體30也同前例設置，所不同的仍在於反射杯32的設置。

在此實施例中，微發光二極體顯示裝置10為單面出光，反射杯32也僅設置於第二基板22上。在第二基板22上，反射杯32設置於第二基板22上的每一個微發光二極體30連接第二基板22的位置，也就是說，反射杯32上設置有微發光二極體30，即微發光二極體30位於反射杯32中，且反射杯32也設置於第一基板20上的複數個微發光二極體30於第二基板22的正投影的位置。

以正投影方向而言，微發光二極體30皆彼此交錯排列，第二基板22的微發光二極體30所產生的光線，藉由直射及/或第二基板22上微發光二極體30相同位置的反射杯32反射而直接從相對的第一基板20射出，第一基板20的微發光二極體30所產生的光線，照射到第二基板22上正投影位置的反射杯32後，由反射杯32反射也從第一基板20射出。如此，相較圖4A實施 例，不但具有圖4A實施例的優點也達成另一種單面出光，並且所增強的亮度比圖4A實施例還高。再進一步說明，除了圖4A實施例增強亮度的效益之外，在第二基板22上的微發光二極體30所產生的光線，包括了由微發光二極體30發出直接於第一基板20方向出光的光線，及由第二基板22上的反射杯32反射，向第一基板20方向出光的光線外，還包括部分第一基板20上的微發光二極體30所產生的光線會經由第二基板22上與正投影位置反射杯32相鄰的反射杯32來反射，而向第一基板20方向出光，所以，微發光二極體30發出的光，藉由反射杯32反射出光的方式，使得出光量加大，而具有增強亮度的效果，且同時可達成單面出光的目的。

請參閱圖6A以及圖6B，圖6A係本發明微發光二極體顯示裝置10平整時之示意圖。圖6B係本發明微發光二極體顯示裝置10撓曲時之示意圖。本發明也係一種微發光二極體顯示裝置10，包含第一基板20、第二基板22、以及複數個微發光二極體30。

第一基板20以及第二基板22皆為可撓性基板，如圖6A所式，第一基板20與第二基板22相對配置，複數個微發光二極體30分別設置於第一基板20與第二基板22的相鄰表面，第一基板20上的複數個微發光二極體30與第二基板22上的複數個微發光二極體30分別以矩陣排列來設置。其中，除了設置在矩陣邊緣的微發光二極體30之外，其他於第二基板22上的複數個微發光二極體30的任一個微發光二極體30於第一基板20的正投影，是位於與第一基板20上的相鄰四個微發光二極體30之間等距的位置，於是第一基板20與第二基板22疊合在一起的投影方向，所有的微發光二極體30仍為矩陣排列，只是總體密度比任一個單一基板上微發光二極體30的密度高一倍。

由於第一基板20以及第二基板22皆為可撓性基板，且微發光二極體30分別設置於第一基板20與第二基板22，所以於第一基板20與第二基板22其中一個基板上的密度僅需為習知單層基板上密度的一半就能達成一樣的解析度，也因此，如圖6B在撓曲狀態時，鄰近的微發光二極體30就不易因橫向移動而彼此碰撞，所以，這種雙面第一基板20與第二基板22的微發光二極體顯示裝置10，單以一維方向微發光二極體30的排列設置密度，在第一基板20與第二基板22任一基板的排列設置密度與傳統單面排列設置密度一致的條件下，微發光二極體顯示裝置10的解析度就可以是傳統單面基板所製顯示裝置解析度的一倍。

補充說明的是，微發光二極體30的顆粒側視如圖例所示，一側較寬而另一側為出光方向較窄，為配合設計為直接出光方向皆一致，都是朝向第一基板20出光，所以第一基板20上微發光二極體30較寬的一側會特別鄰近於第二基板22的微發光二極體30，即使在這種狀況，採用第一基板20與第二基板22分別設置微發光二極體30的方式，還可在維持高密度微發光二極體30設置的條件下，亦能撓曲微發光二極體顯示裝置10而不會使微發光二極體30彼此發生碰撞。

請參閱圖6A以及圖7B，圖6A係本發明微發光二極體顯示裝置10折疊實施例之攤平狀態示意圖。圖7B係本發明微發光二極體顯示裝置10折疊實施例之折疊狀態示意圖。本發明微發光二極體顯示裝置10中雙層基板的形成方式，也可以如圖6A以及圖7B所式，微發光二極體顯示裝置10更包含一個可撓的連接件50，且連接件50連接於第一基板20與第二基板22之間。要進一步說明的是，在本實施例中連接件50可以是與第一基板20及第 二基板22一體形成的可撓性基板，或是連接件50可以是獨立的部件，其二端分別連接至第一基板20及第二基板22。

所以，需要較大的顯示面積時，可如圖6A一般攤平微發光二極體顯示裝置10。如果需要改成雙面出光顯示、或是需要更高的解析度或是亮度時，可如圖7B一般將連接件50彎轉而使第一基板20與第二基板22相疊合，如此即可成為本案前述各種實施例，在此不再重覆冗述。

進一步說明，前述之微發光二極體顯示裝置10中，其中第一基板20以及第二基板22皆可以是剛性基板或為可撓性基板。剛性基板包含但不限於玻璃或晶圓基板(wafer)，可撓性基板包含但不限於聚醯亞胺(PI)、聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙醇酯(PEN)...等材料。

請參閱圖8A、圖8B、及圖8C，圖8A係本發明第一基板20佈設多色微發光二極體30之示意圖，圖8B係本發明第二基板22佈設多色微發光二極體30之示意圖，圖8C係本發明多色微發光二極體30之疊合示意圖。實務上，應用於彩色顯示時，係由紅微發光二極體30R、綠微發光二極體30G、以及藍微發光二極體30B依序排列來協同顯示，以本發明雙基板的做法，可如圖例將正投影位置不同的紅微發光二極體30R、綠微發光二極體30G、以及藍微發光二極體30B分別設置於第一基板20與第二基板22，只要使所有的微發光二極體30以正投影方向交錯設置，對任一基板20、22而言，表面所設置的微發光二極體30間距會放大，當第一基板20與第二基板22疊合後，就成了功能完整的微發光二極體顯示裝置10。

此外，微發光二極體顯示裝置10中紅微發光二極體30R、綠微發光二極體30G、以及藍微發光二極體30B的排列方式不限於圖8A、圖8B、及圖8C所示的方式，在同一列中全為相同的紅微發光二極體30R，下一列全 為綠微發光二極體30G，再下一列全為藍微發光二極體30B，逐列再依序循環排列下去，也可達成全彩顯示的效果。或者，以同一行來看依序為紅微發光二極體30R、綠微發光二極體30G、以及藍微發光二極體30B的循環排列，以同一列來看依序也為紅微發光二極體30R、綠微發光二極體30G、以及藍微發光二極體30B的循環排列，也可達成全彩顯示的效果。

因此，利用本發明所提供一種微發光二極體顯示裝置10，利用反射杯32的輔助設計，可大幅提昇亮度以應更多元的顯示應用，如應用於穿戴式顯示裝置或智慧型手機等應用中，此外，當的第一基板20與第二基板22採用可撓性基板且分設該等微發光二極體30時，則可改善顯示裝置的可撓性，並且能解決高密度排列設置微發光二極體30時製造上的困難，因此，未來將甚至可使微發光二極體顯示裝置成為智慧型手機的主流顯示技術。

藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。

Claims (10)

1. 一種微發光二極體顯示裝置，包含： 一第一基板； 一第二基板，與該第一基板相對配置； 複數個微發光二極體，分別設置於該第一基板與該第二基板的相鄰表面，該第二基板上的複數個微發光二極體於該第一基板的正投影，與該第一基板上的複數個微發光二極體為交錯排列設置；以及 至少一反射杯，設置於該第一基板上； 其中，該至少一反射杯位於與該第一基板上的複數個微發光二極體中至少一個微發光二極體位於該第一基板的相同位置上，或該至少一反射杯位於與設置於該第二基板上的複數個微發光二極體於該第一基板的至少一個正投影的位置。
2. 如申請專利範圍第1項所述之微發光二極體顯示裝置，其中該第一基板為一剛性基板或一可撓性基板，該第二基板為一剛性基板或一可撓性基板。
3. 如申請專利範圍第1項所述之微發光二極體顯示裝置，更包含一連接件，且該連接件連接於該第一基板與該第二基板之間。
4. 如申請專利範圍第1項所述之微發光二極體顯示裝置，更包含複數個反射杯，該些反射杯中之一部分反射杯設置於該第一基板上的複數個微發光二極體連接該第一基板的位置，並且該些反射杯中之另一部分反射杯設置於該第二基板上的複數個微發光二極體於該第一基板的該些正投影的位置。
5. 如申請專利範圍第1項所述之微發光二極體顯示裝置，更包含複數個反射杯，該些反射杯中之一部分反射杯設置於該第一基板上的複數個微發光二極體連接該第一基板的位置，並且該些反射杯中之另一部分反射杯設置於該第二基板上的複數個微發光二極體連接該第二基板的位置。
6. 一種微發光二極體顯示裝置，包含： 一第一基板，該第一基板為可撓性基板； 一第二基板，該第二基板為可撓性基板，與該第一基板相對配置；以及 複數個微發光二極體，分別設置於該第一基板與該第二基板的相鄰表面，該第一基板上的複數個微發光二極體與該第二基板上的複數個微發光二極體分別以矩陣排列來設置，該第二基板上的至少一個微發光二極體於該第一基板的正投影是位於與該第一基板上的相鄰四個微發光二極體之間的位置。
7. 如申請專利範圍第6項所述之微發光二極體顯示裝置，更包含一連接件，且該連接件連接於該第一基板與該第二基板之間。
8. 如申請專利範圍第6項所述之微發光二極體顯示裝置，更包含至少一反射杯，設置於該第一基板上，並設置於該第一基板上的複數個微發光二極體中至少一個微發光二極體連接該第一基板的位置，或設置於該第二基板上的複數個微發光二極體於該第一基板的至少一個正投影的位置。
9. 如申請專利範圍第8項所述之微發光二極體顯示裝置，更包含複數個反射杯，該些反射杯中之一部分反射杯位於與該第一基板上的複數個微發光二極體位於該第一基板的相同位置上，並且該些反射杯中之另一部分反射杯位於與設置於該第二基板上的複數個微發光二極體於該第一基板的該些正投影的位置。
10. 如申請專利範圍第8項所述之微發光二極體顯示裝置，更包含複數個反射杯，該些反射杯中之一部分反射杯位於與該第一基板上的複數個微發光二極體位於該第一基板的相同位置上，並且該些反射杯中之另一部分反射杯位於與該第二基板上的複數個微發光二極體位於該第二基板的相同位置上。