TWI618953B

TWI618953B - 電暈方法

Info

Publication number: TWI618953B
Application number: TW104116057A
Authority: TW
Inventors: 薛明軒; 郭建生; 難波明生; 黃欽政
Original assignee: 住華科技股份有限公司
Priority date: 2015-05-20
Filing date: 2015-05-20
Publication date: 2018-03-21
Also published as: TW201641963A

Abstract

電暈方法包括以下步驟。首先，對偏光板執行第一電暈處理。然後，對相同的偏光板執行第二電暈處理。第一電暈處理的功率及第二電暈處理的功率介於800瓦至1200瓦之間。

Description

電暈方法

本發明是有關於一種電暈方法，且特別是有關於一種偏光板的電暈方法。

在偏光板與顯示面板的貼合製程中，通常是透過黏膠黏合偏光板與顯示面板。然而，隨著材料應用的創新，許多既有的黏膠已無法緊密地黏合偏光板與顯示面板，導致偏光板與顯示面板之間的密著性(Key force)下降。因此，亟需提出一種新的技術去增加偏光板與顯示面板之間的密著性。

因此，本發明提出一種偏光板的電暈方法，可增加偏光板與顯示面板之間的密著性。

根據本發明之一實施例，提出一種偏光板的電暈方法。電暈方法包括以下步驟。對一偏光板執行一第一電暈處理；以及，對偏光板執行一第二電暈處理。第一電暈處理的電暈功率及第二電暈處理的電暈功率介於800瓦至1200瓦之間。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

10‧‧‧偏光板

11‧‧‧第一保護層

11s‧‧‧表面

12‧‧‧第二保護層

13‧‧‧光學層

100‧‧‧電暈設備

110‧‧‧第一電暈滾輪

120‧‧‧第二電暈滾輪

130‧‧‧傳輸滾輪

140‧‧‧第一電暈器

150‧‧‧第二電暈器

S110至S130‧‧‧步驟

第1圖繪示依照本發明一實施例之電暈方法流程圖。

第2圖繪示依照本發明一實施例之電暈設備的示意圖。

第1圖繪示依照本發明一實施例之電暈方法流程圖。

於步驟S110中，提供電暈設備100。請同時參考第2圖，其繪示依照本發明一實施例之電暈設備100的示意圖。電暈設備100包括第一電暈滾輪110、第二電暈滾輪120、數個傳輸滾輪130、第一電暈器140及第二電暈器150。偏光板10可由第一電暈滾輪110、第二電暈滾輪120及數個傳輸滾輪130傳輸，以進行電暈製程。

如第2圖的放大圖所示，偏光板10包括第一保護層11、第二保護層12及光學層13，其中光學層13位於第一保護層11與第二保護層12之間。

光學層13是指對光學之增益、配向、補償、轉向、直交、擴散、保護、防黏、耐刮、抗眩、反射抑制、高折射率等有所助益的層，可例如為具有控制視角補償或雙折射(birefraction)等特性的配向液晶層、易接合處理層、硬塗層、抗反射層、防黏層、擴散層、防眩層等各種表面處理層。

第一保護層11及/或第二保護層12的材料例如是三乙醯纖維素等纖維素樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、環狀聚烯烴樹脂(降烯系樹脂)、聚芳酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)層或其組合。在一實施例中，上述第一保護層11及/或第二保護層12也可為多層組合。

在一實施例中，也可形成一黏膠層(圖未示)以及一表面保護層(圖未示)於第一保護層11及/或第二保護層12之上。在一實施例中，黏膠層可例如在丙烯酸系聚合物中調配丙烯酸寡聚物與矽烷偶合劑而形成，或在丙烯酸系聚合物中添加光聚合起始劑，並經照射紫外線而形成。

在一實施例中，表面保護層可例如為聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等合成樹脂薄膜，或橡膠片、紙、布、不織布、網狀物、發泡片、金屬箔等層積體。

於步驟S120中，如第2圖所示，偏光板10經過第一電暈器140時，第一電暈器140對偏光板10的第一保護層11的表面11s進行第一次的電暈處理。第2圖中，第一電暈器140正對著被第一電暈滾輪110捲繞的偏光板10(如第2圖的放大區域2’所示)進行第一次的電暈處理，然其它實施例中，亦可對著呈平直狀的偏光板10(尚未被第一電暈滾輪110捲繞或已脫離第一電暈滾輪110的捲繞)進行第一次的電暈處理。

經過電暈處理後，表面11s的材料會發生化學變化(例如，表面11s氧化而產生具有反應性的官能基)，此化學變化有助於增加於偏光板10與顯示面板(未繪示)在後續貼合製程中黏膠(未繪示)與偏光板10的密著性。本步驟中，第一次的電暈處理的功率例如是介於800瓦(Watt)至1200瓦之間。實際上的功率可視第一保護層11的材料而定，本發明實施例不加以限制。本實施例中，第一電暈器140包括二個子電暈器，然本發明實施例不限制第一電暈器140的形式，另一實施例之第一電暈器140可只有一個電暈器。

於步驟S130中，如第2圖所示，偏光板10經過第二電暈器150時，第二電暈器150對偏光板10的第一保護層11的同一表面11s進行第二次的電暈處理。第二電暈器150可正對被第二電暈滾輪120捲繞的偏光板10(如第2圖的放大區域2”所示)進行第二次的電暈處理；另一實施例中，亦可對著呈平直狀的偏光板10(尚未被第二電暈滾輪120捲繞或已脫離第二電暈滾輪120的捲繞)進行第二次的電暈處理

經過電暈處理後，表面11s的材料會發生化學變化，此化學變化有助於增加於偏光板10與顯示面板(未繪示)在後續貼合製程中黏膠(未繪示)與偏光板10的密著性。第二次的電暈處理的功率可介於800瓦至1200瓦之間。本實施例中，第二電暈器150包括二個子電暈器，然本發明實施例不限制第二電暈器150的形式，另一實施例之第二電暈器150可只有一個電暈器。

在一實施例中，第一次電暈及/或第二次的電暈的各別放電量可介於20W/m²/min至55W/m²/min之間，其中m指的是電暈設備幅寬(公尺)，m/min指的是前進速度(公尺/分鐘)，而W指的是瓦特。在一實施例中，第一次電暈及/或第二次電暈的各別放電量可相同或相異。在一實施例中，第一次電暈及第二次電暈的累積放電量可介於40 W/m²/min至110W/m²/min。

相較於一次的電暈處理，由於本發明實施例之偏光板10係經過二次電暈處理，因此可增加表面11s與黏膠的密著性。另一實施例中，偏光板10可受到二次以上的電暈處理，只要可增加表面11s與黏膠的密著性即可，本發明實施例不限制偏光板10受到電暈處理的次數。

此外，當偏光板10受到過高功率的電暈處理時，其表面會產生影響光學品質的粒子，如草酸根粒子(然不同保護層材料可能析出不同粒子)。相較於一次較高功率的電暈處理，由於本發明實施例之偏光板10係受到二次較低功率的電暈處理，因此不致產生過多的粒子。進一步地說，以表面11s達到相同的電暈效果而言，一次的電暈處理需要更高的功率，如1800瓦或以上，如此高的功率會導致表面11s析出過多的粒子。反觀本發明實施例，偏光板10受到二次較低功率的電暈處理，因此可減少或甚至避免粒子析出，進而避免偏光板10與顯示面板的密著性及/或光學品質降低。

在一實施例中，第一次電暈處理的功率與第二次電暈處理的功率可大致上相等或相異。就功率相異而言，第一次電暈處理的功率與第二次電暈處理的功率的比值可介於例如是2/3至3/2之間。此外，由於電暈處理後的表面11s溫度會升高，為避免負面地影響下一次電暈處理的品質，二次電暈處理之間的行程(如偏光板10的傳輸長度)可介於5公尺至15公尺之間，然實際行程可視電暈功率、保護層材料及/或黏膠種類而定，本發明實施例不加以限制。在一實施例中，第一電暈滾輪110與第二電暈滾輪120係相鄰，即第一電暈滾輪110與第二電暈滾輪120之間無其它電暈滾輪。

此外，另一實施例中，在稍加修改電暈設備100後，二次電暈處理可由同一個電暈器(如第一電暈器140或第二電暈器150)完成，在此設計下，可省略第一電暈器140或第二電暈器150。

請參照下列表一，第1至5組係依照本發明實施例之實施二次電暈處理的實驗組別，而第6至9組實施一次電暈處理的實驗組別。

以第3組舉例說明，第一次電暈處理使用35W/m²/min，其中m指的是電暈設備幅寬(公尺)，m/min指的是前進速度(公尺/分鐘)，而W指的是瓦特。第二次電暈處理同樣使用35W/m²/min。由對應的測試結果可知，無論是異物析出或密著性皆符合預期(以”OK”表示)。第1、2及4至5 組由於都採用二次電暈處理，因此具有相似的效果，容此不再贅述。

以第6及7組舉例來說，由於電暈功率不足(只有27W/m²/min)，因此密著性未通過(以”NG”表示)。以第8及9組舉例來說，由於單次的電暈功率過高，雖然密著性通過，但卻有異物析出的問題。

總歸，由於本發明實施例的電暈方法係採用二次較低功率的電暈處理，因此可減少或甚至避免異物析出，可增加偏光板10與黏膠之間的密著性。

綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

S110至S130‧‧‧步驟

Claims

一種偏光板的電暈方法，包括：提供一電暈設備，該電暈設備包括一第一電暈滾輪和一第二電暈滾輪；經由該第一電暈滾輪時，對一偏光板執行一第一電暈處理；以及經由該第二電暈滾輪時，對該偏光板執行一第二電暈處理；其中，該第一電暈處理的電暈功率及該第二電暈處理的電暈功率介於800瓦至1200瓦之間。
如申請專利範圍第1項所述之電暈方法，其中該第一電暈處理的電暈功率及該第二電暈處理的電暈功率係實質上相等。
如申請專利範圍第1項所述之電暈方法，其中該第一電暈及/或該第二電暈處理處理的放電量介於20W/m²/min至55W/m²/min之間。
如申請專利範圍第1項所述之電暈方法，其中該第一電暈處理的電暈功率與該第二電暈處理的電暈功率的比值介於2/3與3/2之間。
如申請專利範圍第1項所述之電暈方法，其中該偏光板包括：一第一保護層；一第二保護層；以及一光學層，設於該第一保護層與該第二保護層之間；其中，於對該偏光板執行該第一電暈處理之步驟包括：對該第一保護層與該第二保護層之一者的一表面執行該第一電暈處理；以及於對該偏光板執行該第二電暈處理之步驟包括：對相同之該表面執行該第二電暈處理。
如申請專利範圍第1項所述之電暈方法，其中，於對該偏光板執行該第一電暈處理之步驟包括：面向捲繞於該第一電暈滾輪之該偏光板執行該第一電暈處理；其中，於對該偏光板執行該第二電暈處理之步驟包括：面向捲繞於該第二電暈滾輪之該偏光板執行該第二電暈處理。
如申請專利範圍第6項所述之電暈方法，其中該第一電暈滾輪與該第二電暈滾輪係相鄰。
如申請專利範圍第1項所述之電暈方法，其中該第一電暈處理與該第二電暈處理之間的傳輸行程介於5公尺至15公尺之間。
如申請專利範圍第6項所述之電暈方法，其中該電暈設備更包括一電暈器，以於對該偏光板執行該第一電暈處理及/或該第二電暈處理。
如申請專利範圍第3項所述之電暈方法，其中該第一電暈及該第二電暈處理處理的累積放電量介於40W/m²/min至110W/m²/min之間。