TWI614349B - 製造富含鉑族金屬（ｐｇｍ）合金之方法 - Google Patents

Abstract

本發明係關於製造富含鉑族金屬(PGM)合金之方法，該合金包含0wt.-%至60wt.-%之鐵及20wt.-%至99wt.-%之一或多種選自由鉑、鈀及銠組成之群之PGM，該方法包含以下步驟：(1)提供無硫PGM收集器(collcctor)合金，其包含30wt.-%至95wt.-%之鐵及2wt.-%至15wt.-%之一或多種選自由鉑、鈀及銠組成之群之PGM，(2)提供能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之無銅及無硫材料，其中該熔融爐渣樣組合物包含10wt.-%至30wt.-%之氧化鎂及/或氧化鈣及70wt.-%至90wt.-%之二氧化矽，(3)在轉爐內將該PGM收集器合金與能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之該材料以1：0.75至5之重量比熔融，直至形成包含該熔融PGM收集器合金之下部高密度熔融體與包含該熔融爐渣樣組合物之一或多種上部低密度熔融體之多相或兩相系統為止，(4)使包含0vol.-%至80vol.-%之惰性氣體及20vol.-%至100vol.-%之氧之氧化氣體與步驟(3)中所獲得之該下部高密度熔融體接觸，直至其轉化成為富含PGM合金之下部高密度熔融體為止， (5)利用密度差異分離在步驟(4)之過程中所形成之上部低密度熔融爐渣與該富含PGM合金之下部高密度熔融體，(6)使彼此分離之該等熔融體冷卻並固化，及(7)收集該經固化之富含PGM合金。

Description

製造富含鉑族金屬(PGM)合金之方法

本發明係關於製造富含鉑族金屬(PGM)合金之高溫冶金轉化方法及富含PGM合金本身。

本文中所用之縮寫「PGM」意指鉑族金屬。

一般而言，藉助高溫冶金轉化富集PGM係眾所周知的，參見(例如)S.D.MCCULLOUGH,Pyrometallurgical iron removal from a PGM-containing alloy,Third International Platinum Conference‘Platinum in Transformation’,The Southern African Institute of Mining and Metallurgy,2008，第1-8頁。

本發明為在以下方面經改良之高溫冶金轉化方法：產出具有相當高PGM含量之富含PGM合金，及展現顯著降低之PGM損失為作為高溫冶金轉化方法之副產物形成之爐渣。

本發明之方法係製造富含PGM合金之方法，該富含PGM合金包含0wt.-%(重量-%)至60wt.-%之鐵及20wt.-%至99wt.-%之一或多種選自由鉑、鈀及銠組成之群之PGM，該方法包含以下步驟：(1)提供無硫PGM收集器(collector)合金，其包含30wt.-%至95wt.-%之鐵及2wt.-%至15wt.-%之一或多種選自由鉑、鈀及銠組成之群之PGM，(2)提供無銅及無硫材料，其能夠在熔融時形成爐渣樣組合物， 其中該熔融爐渣樣組合物包含10wt.-%至30wt.-%之氧化鎂及/或氧化鈣及70wt.-%至90wt.-%之二氧化矽，(3)在轉爐內將該PGM收集器合金與能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之該材料以1：0.75至5之重量比熔融，直至形成包含該熔融PGM收集器合金之下部高密度熔融體與包含該熔融爐渣樣組合物之一或多種上部低密度熔融體之多相或兩相系統為止，(4)使包含0vol.-%(體積-%)至80vol.-%之惰性氣體及20vol.-%至100vol.-%之氧之氧化氣體與步驟(3)中所獲得之該下部高密度熔融體接觸，直至其轉化成為富含PGM合金之下部高密度熔融體(即富含PGM合金之組合物之下部高密度熔融體)為止，(5)利用密度差異，使在步驟(4)之過程中所形成之上部低密度熔融爐渣與該富含PGM合金之下部高密度熔融體分離，(6)使彼此分離之該等熔融體冷卻並固化，及(7)收集該經固化之富含PGM合金。

「0wt.-%」在說明書及申請專利範圍中出現多次；其意指各別組份不存在，或若存在，其至多以不多於技術上不可避免之雜質含量之比例存在。

本發明之方法係製造富含PGM合金之方法，該富含PGM合金包含0wt.-%至60wt.-%之鐵及20wt.-%至99wt.-%之一或多種選自由鉑、鈀及銠組成之群之PGM。較佳地，藉由本發明之方法所製造之富含PGM合金包含0wt.-%至45wt.-%之鐵及30wt.-%至99wt.-%之該等PGM之一或多者、尤其0wt.-%至20wt.-%之鐵及40wt.-%至90wt.-%之該等PGM之一或多者。藉由本發明之方法所製得之富含PGM合金亦可包含0wt.-%至60wt.-%之鎳及0wt.-%至5wt.-%之銅。藉由本發 明之方法所製得之富含PGM合金可包含之其他元素(除鐵、鎳、銅、鉑、鈀及銠之外之元素)之實例尤其包括銀、金、鋁、鈣及矽。藉由本發明之方法所製得之富含PGM合金可包含總比例為至多10wt.-%之該等其他元素之一或多者。因此，藉由本發明之方法所製得之富含PGM合金可包含以下各項或由以下各項組成：0wt.-%至60wt.-%、較佳0wt.-%至45wt.-%、尤其0wt.-%至20wt.-%之鐵，20wt.-%至99wt.-%、較佳30wt.-%至99wt.-%、尤其40wt.-%至90wt.-%之一或多種選自由鉑、鈀及銠組成之群之PGM，0wt.-%至60wt.-%之鎳，0wt.-%至5wt.-%之銅，及0wt.-%至10wt.-%、較佳0wt.-%至6wt.-%、尤其0wt.-%至3wt.-%之一或多種其他元素、尤其一或多種選自由銀、金、鋁、鈣及矽組成之群之其他元素。

在實施例中，藉由本發明之方法所製得之富含PGM合金包含以下各項或由以下各項組成：0wt.-%至20wt.-%之鐵；40wt.-%至90wt.-%之一或多種選自由鉑、鈀及銠組成之群之PGM；0wt.-%至60wt.-%之鎳；0wt.-%至5wt.-%之銅及0wt.-%至3wt.-%之一或多種其他元素、尤其一或多種選自由銀、金、鋁、鈣及矽組成之群之其他元素。

本發明之方法之步驟(1)中提供無硫PGM收集器合金(在下文中亦簡稱為「PGM收集器合金」)。

本文中在本發明之方法之步驟(1)之情況下所用之術語「無硫」意指PGM收集器合金可包含比例為不多於技術上不可避免之雜質含量(例如少於1000wt.-ppm)之硫。

PGM收集器合金為熟習此項技術者所熟知；其通常可在適當的 含有PGM之廢料(例如含有PGM之廢觸媒，例如廢汽車尾氣觸媒)之高溫冶金回收期間形成。在此高溫冶金回收之過程中，藉由將含有PGM之廢料(例如，具有含PGM之載體塗料(例如廢汽車尾氣觸媒)之陶瓷載體)與收集器金屬(例如鐵)一起在爐(所謂的熔煉爐)中進行熔煉來分離PGM。PGM與收集器金屬一起形成PGM收集器合金，將該收集器金屬與在熔煉期間作為副產物形成之爐渣分離。

步驟(1)中所提供之PGM收集器合金包含30wt.-%至95wt.-%之鐵及2wt.-%至15wt.-%之一或多種選自由鉑、鈀及銠組成之群之PGM。在實施例中，PGM收集器合金可包含40wt.-%至70wt.-%之鐵、0wt.-%至20wt.-%之鎳及5wt.-%至15wt.-%之該等PGM之一或多者。較佳地，PGM收集器合金包含不多於4wt.-%、尤其

1wt.-%之銅。PGM收集器合金可包含之其他元素(除鐵、鎳、銅、鉑、鈀及銠之外之元素)之實例包括銀、金、鋁、鈣、矽、磷、鈦、鉻、錳、鉬及釩。PGM收集器合金可包含總比例為至多30wt.-%之該等其他元素之一或多者。因此，PGM收集器合金可包含以下各項或由以下各項組成：30wt.-%至95wt.-%、尤其40wt.-%至70wt.-%之鐵，0wt.-%至20wt.-%、尤其0wt.-%至15wt.-%之鎳，2wt.-%至15wt.-%、尤其5wt.-%至15wt.-%之一或多種選自由鉑、鈀及銠組成之群之PGM，0wt.-%至4wt.-%、尤其0wt.-%至1wt.-%之銅，及0wt.-%至30wt.-%、尤其0wt.-%至20wt.-%之一或多種其他元素、尤其一或多種選自由銀、金、鋁、鈣、矽、磷、鈦、鉻、錳、鉬及釩組成之群之其他元素。

在實施例中，PGM收集器合金包含以下各項或由以下各項組成：40wt.-%至70wt.-%之鐵；0wt.-%至15wt.-%之鎳；5wt.-%至15 wt.-%之一或多種選自由鉑、鈀及銠組成之群之PGM；0wt.-%至1wt.-%銅；0wt.-%至20wt.-%之一或多種其他元素、尤其一或多種選自由銀、金、鋁、鈣、矽、磷、鈦、鉻、錳、鉬及釩組成之群之其他元素。

本發明之方法之步驟(2)中提供能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之無銅及無硫材料(在下文中亦簡稱為「能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之材料」)。

本文中在本發明之方法之步驟(2)之情況下所用之術語「無銅及無硫」意指能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之材料可包含比例為不多於技術上不可避免之雜質含量(例如少於1000wt.-ppm)之銅及比例為不多於技術上不可避免之雜質含量(例如少於1000wt.-ppm)之硫。

本文中所用之術語「能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之材料」將說明熔融材料之外觀及特性類似爐渣。同時，其將表示其不應與作為本發明方法之副產物形成之爐渣(即在步驟(4)結束之後所獲得之爐渣)混淆。此外，儘管能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之材料形成步驟(3)中所形成之一或多種上部低密度熔融體之至少主要部分，但其與後者之組成未必相同。

能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之材料具有之組成應使得熔融爐渣樣組合物本身包含以下各項或由以下各項組成：10wt.-%至30wt.-%、尤其15wt.-%至25wt.-%、甚至更具體而言20wt.-%至25wt.-%之氧化鎂及/或氧化鈣；70wt.-%至90wt.-%、尤其75wt.-%至85wt.-%、甚至更具體而言75wt.-%至80wt.-%之二氧化矽；0wt.-%至20wt.-%、尤其0wt.-%之氧化鐵(尤其FcO)；0wt.-%至20wt.-%、尤其0wt.-%至10wt.-%之氧化鈉；0wt.-%至20wt.-%、尤其0wt.-%至10wt.-%之氧化硼；及0wt.-%至2wt.-%、尤其0wt.-%之氧化鋁。

在實施例中，能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之材料具有之組成應使得熔融爐渣樣組合物本身包含以下各項或由以下各項組成：20wt.-%至25wt.-%之氧化鎂及/或氧化鈣、75wt.-%至80wt.-%之二氧化矽、0wt.-%之氧化鐵、0wt.-%至10wt.-%之氧化鈉、0wt.-%至10wt.-%之氧化硼及0wt.-%之氧化鋁。

能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之材料以及因其產生之熔融爐渣樣組合物本身不包含PGM(技術上不可避免之雜質除外)。然而，若PGM存在，則其比例應較低；較佳地，此比例不超過能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之材料之(例如)10wt.-ppm。

能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之材料本身係多種物質之組合且可包含前文所提及之氧化物或僅包含該等氧化物，然而，並不一定如此。其可替代地或額外地包含能夠在一或多種上部低密度熔融體之形成期間在加熱時形成此等氧化物或氧化物組合物之化合物。僅舉此類型化合物之幾個實例：碳酸鹽係可在一或多種上部低密度熔融體之形成期間在加熱及熔融時分裂出二氧化碳並形成相應氧化物之化合物之實例；矽酸鹽係可在一或多種上部低密度熔融體之形成期間在加熱及熔融時形成相應氧化物及二氧化矽之化合物之實例；硼酸鹽係可在一或多種上部低密度熔融體之形成期間在加熱及熔融時形成相應氧化物及氧化硼之化合物之實例。

在本發明之方法之步驟(3)中，將PGM收集器合金及能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之材料在轉爐內係以1：0.75至5、較佳1：0.75至3、甚至更佳1：1至3之重量比進行熔融，直至形成包含熔融PGM收集器合金之下部高密度熔融體與共同包含熔融爐渣樣組合物之兩種或更多種上部低密度熔融體之多相系統為止，或在實施例中，直至形成包含熔融PGM收集器合金之下部高密度熔融體與包含熔融爐渣樣組合物之上部低密度熔融體之兩相系統為止。

轉爐係習用高溫冶金轉爐爐體或坩堝爐，其容許熔融PGM收集器合金及能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之材料。轉爐在其頂部具有一或多個開口，且其可具有(例如)圓柱形或梨樣形狀。其構築可使得其容許旋轉及/或擺動運動以容許支持其內容物混合。較佳地，其可傾斜以容許將熔融內容物傾倒出，從而使得能實施本發明之方法之步驟(5)。其與下部高密度熔融體與一或多種上部低密度熔融體之多相或兩相系統接觸之內部係如同習用於高溫冶金轉爐爐體一般之耐熱材料，即耐受製程步驟(3)及(4)中佔優之高溫，且基本上對該多相或兩相系統之組份係惰性之材料。可用耐熱材料之實例包括矽磚、火黏土磚、鉻剛玉磚、鋯石莫來石磚、鋯石矽酸鹽磚、氧化鎂磚及鋁酸鈣磚。

在步驟(3)之過程中，首先，將PGM收集器合金及能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之材料作為預混合料或作為分開組份引入轉爐中。本發明之方法係分批方法且較佳並非一次性全部整批引入然後再加熱並熔融轉爐之內容物，而是逐份引入欲熔融之材料並將其調整至熔融速度。在熔融整批後獲得下部高密度熔融體與一或多種上部低密度熔融體之該多相或兩相系統。

加熱轉爐內容物以將內容物熔融並由此形成多相或兩相系統意指將轉爐內容物之溫度升高至(例如)1200℃至1850℃、較佳1500℃至1800℃。此加熱可藉由單獨或組合之各種方式來實施，即例如電漿加熱、間接電加熱、電弧加熱、感應加熱、以燃燒器間接加熱、以一或多個上文之氣體燃燒器直接加熱及該等加熱方法之任何組合。較佳方法係以能夠產生1200℃至1850℃範圍內之該等高溫之氣體燃燒器直接加熱。可用氣體燃燒器之實例包括燃燒氫或基於烴之燃料氣體及作為氧化劑之氧或氧化亞氮之氣體燃燒器。

在步驟(3)結束之後，即在多相或兩相系統形成後，實施本發明 之方法之步驟(4)。在步驟(4)中，使包含0vol.-%至80vol.-%之惰性氣體及20vol.-%至100vol.-%之氧、較佳0vol.-%至50vol.-%之惰性氣體及50vol.-%至100vol.-%之氧、尤其0vol.-%惰性氣體及100vol.-%之氧(即氧氣)或由其組成之氧化氣體與步驟(3)中所獲得之下部高密度熔融體接觸，直至該下部高密度熔融體轉化成為富含PGM合金之下部高密度熔融體(即富含PGM合金形成)為止。可以任何對於下部高密度熔融體為惰性之氣體作為惰性氣體，尤其氬及/或氮。在較佳實施例中，氧或含氧氧化氣體與下部高密度熔融體之間之接觸可藉由將該氣體自轉爐之底部傳遞或鼓泡穿過下部高密度熔融體及/或藉助氣體噴槍(gas lance)將其排氣浸沒於下部高密度熔融體中來實現。與氧化氣體接觸之持續時間，或換言之所用氧化氣體之量取決於具有期望組成之富含PGM合金何時形成。換言之，將與氧化氣體之接觸維持此段時期，直至根據任何前文所揭示之實施例之具有期望組成之富含PGM合金形成為止；通常此將耗費(例如)1至5小時或2至4小時。在實施步驟(4)期間直至形成具有期望組成之富含PGM合金為止，可藉由標準分析技術(例如XRF(X射線螢光)分析)來跟蹤下部高密度熔融體之組成之發展。在步驟(4)之過程中，形成作為副產物之上部低密度熔融爐渣。

與氧化氣體之接觸導致放熱氧化反應，在此過程中非貴重元素或金屬轉化為氧化物並由一或多種上部低密度熔融體吸收。步驟(4)之氧化過程造成下部高密度熔體內除PGM以外之元素或金屬之損耗、尤其鐵及其他非貴重元素或金屬(若存在)之損耗，或若自相反角度來看，造成下部低密度熔體內PGM之富集。

步驟(4)結束之後，即具有期望組成之富含PGM合金形成後，實施本發明之方法之步驟(5)。在該步驟(5)中，利用密度差異，使步驟(4)中所形成之上部低密度熔融爐渣與富含PGM合金之下部高密度熔 融體分離。為此，利用熟知之傾析原理，將轉爐之內容物小心地傾倒出來。在傾析出上部低密度熔融爐渣後，將富含PGM合金之下部高密度熔融體傾倒入適宜容器中。

本發明之方法之步驟(3)至步驟(5)構成尤其呈直接連續之步驟系列。此需要以如下意義來理解：在該等步驟(3)至步驟(5)之間或在此期間不需要或不實施其他步驟或至少其他基本步驟。可選非基本步驟之實例係(i)在步驟(4)之過程中移除一部分上部低密度熔融體或(ii)在步驟(4)之過程中添加PGM收集器合金及/或能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之材料。

在步驟(5)結束之後實施後續步驟(6)，在該步驟中容許經分離之熔融體冷卻並固化。

固化之後，在步驟(7)中收集經固化之富含PGM合金。然後，其可經受進一步習用精製，例如電冶金及/或濕法冶金精製，以最終獲得作為金屬或作為PGM化合物或作為PGM化合物之溶液之個別PGM。

本發明之方法之優點在於，在步驟(7)中所收集之富含PGM合金之特徵在於PGM含量相對較高。此相對較高之PGM含量意味著就該等進一步精製製程而言更少費力且化學品消耗更少。本發明之方法之另一顯著優點在於，在步驟(4)期間作為副產物形成之爐渣包含少於50wt.-ppm之極低PGM含量。其原因尚未最終理解，但據信尤其關於顯著較低之在本發明之方法之步驟(4)期間作為副產物形成之爐渣中損失之PGM，步驟(1)中所提供之特定組成之PGM收集器合金與步驟(2)中所提供之特定組成之能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之材料之1：0.75至5或1：1至3之重量比組合係關鍵。

實例

實例1：

將500kg包含49wt.-%之鐵、13.1wt.-%之鎳、8.1wt.-%之矽、4.6wt.-%之鈀、3.2wt.-%之鉻、2.5wt.-%之鈦、2.2wt.-%之鉑、1.3wt.-%之錳、0.6wt.-%之銠及0.4wt.-%之銅、120kg氧化鈣、450kg二氧化矽、15kg碳酸鈉及15kg硼砂之無硫PGM收集器合金之預混合料逐份引入已為1500℃熱之經天然氣加熱之圓柱形熔爐中，並進一步加熱至1700℃。在10小時之熔融時期後，形成包含PGM收集器合金之下部高密度熔融體與包含爐渣樣組合物之上部低密度熔融體之兩相系統。使氧在900l/min之氧流量下經由陶瓷管引入下部高密度熔融體中。2.5小時之後停止引入氧。將上部低密度熔融體傾倒入鑄鐵爐渣罐中以便冷卻並固化。然後將下部高密度熔融體傾倒入石墨模具中以便冷卻並固化。在固化並冷卻至環境溫度之後，藉由XRF分析兩種材料。

實例2及實例3：

重複實例1，不同之處在於氧氣引入進行2.75小時(實例2)或3小時(實例3)。

XRF分析之結果匯總於表1及表2中。所有值皆係以wt.-%表示，唯爐渣中之PGM含量值係以wt.-ppm表示：

Claims (16)

1. 一種製造富含鉑族金屬(PGM)合金之方法，該富含PGM合金包含0wt.-%至60wt.-%之鐵及20wt.-%至99wt.-%之一或多種選自由鉑、鈀及銠組成之群之PGM，該方法包含以下步驟：(1)提供無硫PGM收集器(collector)合金，其包含30wt.-%至95wt.-%之鐵及2wt.-%至15wt.-%之一或多種選自由鉑、鈀及銠組成之群之PGM，(2)提供能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之無銅及無硫材料，其中該熔融爐渣樣組合物包含以下各項：10wt.-%至30wt.-%之氧化鎂及/或氧化鈣，70wt.-%至90wt.-%之二氧化矽，0wt.-%至20wt.-%之氧化鐵，0wt.-%至20wt.-%之氧化鈉，0wt.-%至20wt.-%之氧化硼，及0wt.-%至2wt.-%之氧化鋁，(3)在轉爐內將該PGM收集器合金與能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之該材料以1：0.75至5之重量比熔融，直至形成包含該熔融PGM收集器合金之下部高密度熔融體與包含該熔融爐渣樣組合物之一或多種上部低密度熔融體之多相或兩相系統為止，(4)使包含0vol.-%至80vol.-%之惰性氣體及20vol.-%至100vol.-%之氧之氧化氣體與步驟(3)中所獲得之該下部高密度熔融體接觸，直至其轉化成該富含PGM合金之下部高密度熔融體為止，(5)利用密度差異分離在步驟(4)之過程中所形成之上部低密度熔融爐渣與該富含PGM合金之該下部高密度熔融體， (6)使彼此分離之該等熔融體冷卻並固化，及(7)收集該經固化之富含PGM合金。
2. 如請求項1之方法，其中該富含PGM合金包含以下各項：0wt.-%至45wt.-%之鐵，30wt.-%至99wt.-%之該一或多種PGM，0wt.-%至60wt.-%之鎳，及0wt.-%至5wt.-%之銅。
3. 如請求項1之方法，其中該富含PGM合金包含以下各項：0wt.-%至20wt.-%之鐵，40wt.-%至90wt.-%之該一或多種PGM，0wt.-%至60wt.-%之鎳，及0wt.-%至5wt.-%之銅。
4. 如請求項2或3之方法，其中該富含PGM合金另包含一或多種選自由以下組成之群之元素：銀、金、鋁、鈣及矽。
5. 如請求項1之方法，其中步驟(1)中所提供之該PGM收集器合金包含40wt.-%至70wt.-%之鐵、0wt.-%至20wt.-%之鎳及5wt.-%至15wt.-%之該一或多種PGM。
6. 如請求項1之方法，其中該PGM收集器合金包含不多於4wt.-%之銅。
7. 如請求項1之方法，其中該PGM收集器合金包含以下各項：30wt.-%至95wt.-%之鐵，0wt.-%至20wt.-%之鎳，2wt.-%至15wt.-%之該一或多種PGM，及0wt.-%至4wt.-%之酮，。
8. 如請求項1之方法，其中該PGM收集器合金包含以下各項：40wt.-%至70wt.-%之鐵， 0wt.-%至15wt.-%之鎳，5wt.-%至15wt.-%之該一或多種PGM，及0wt.-%至1wt.-%之銅。
9. 如請求項7或8之方法，其中該PGM收集器合金另包含一或多種選自由以下組成之群之元素：銀、金、鋁、鈣、矽、磷、鈦、鉻、錳、鉬及釩。
10. 如請求項1之方法，其中該熔融爐渣樣組合物由以下各項組成：10wt.-%至30wt.-%之氧化鎂及/或氧化鈣，70wt.-%至90wt.-%之二氧化矽，0wt.-%至20wt.-%之氧化鐵，0wt.-%至20wt.-%之氧化鈉，0wt.-%至20wt.-%之氧化硼，及0wt.-%至2wt.-%之氧化鋁。
11. 如請求項1之方法，其中該熔融爐渣樣組合物包含以下各項：20wt.-%至25wt.-%之氧化鎂及/或氧化鈣，75wt.-%至80wt.-%之二氧化矽，0wt.-%之氧化鐵，0wt.-%至10wt.-%之氧化鈉，0wt.-%至10wt.-%之氧化硼，及0wt.-%之氧化鋁。
12. 如請求項1之方法，其中該PGM收集器合金及能夠在熔融時形成爐渣樣組合物之該材料係以1：0.75至3之重量比熔融。
13. 如請求項1之方法，其中使該等轉爐內容物之溫度升高至1200℃至1850℃。
14. 如請求項1之方法，其中該氧化氣體係氧。
15. 如請求項1之方法，其中該氧化氣體與該下部高密度熔融體之間 之該接觸可藉由將該氣體自該轉爐之底部傳遞或鼓泡穿過該下部高密度熔融體及/或藉助氣體噴槍將其排氣浸沒於該下部高密度熔融體中來實現。
16. 如請求項1之方法，其中與該氧化氣體之該接觸進行1至5小時。