TWI613436B

TWI613436B - 缺陷判定方法、及ｘ射線檢查裝置

Info

Publication number: TWI613436B
Application number: TW105123444A
Authority: TW
Inventors: 笹澤秀明; 中尾敏之; 磯貝靜志; 服部竜己; 家田雅常; 青木康子
Original assignee: 日立全球先端科技股份有限公司
Priority date: 2015-07-27
Filing date: 2016-07-25
Publication date: 2018-02-01
Also published as: TW201706595A; WO2017017745A1; US20180209924A1; JPWO2017017745A1; KR20180008577A

Description

缺陷判定方法、及X射線檢查裝置

本發明，係有關缺陷判定方法及X射線檢查裝置，尤其有關基於透射樣品的X射線的檢測，而進行缺陷判定的缺陷判定方法及X射線檢查裝置。

已知對形成於樣品上的焊料凸塊內的空洞進行檢查的X射線檢查裝置。在專利文獻1中係已說明對焊料凸塊照射X射線，而檢測出空洞的X射線檢查裝置。在專利文獻1中，係已說明從對於凸塊的透過X射線照射而獲得的分布，抽出空洞候補，基於是否符合既定的基準的判定，而從候補之中抽出空洞的手法。此外，在專利文獻2中係已記載對形成有貫通電極的晶圓從予以傾斜的方向照射X射線，而檢測出空洞的技術。

〔先前技術文獻〕〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕日本專利特許第4039565號

〔專利文獻2〕日本專利特開2013-130392號公報

半導體的微細化/高積體化進展，近年來，多層積層技術的進化亦顯著。已用於半導體晶片的安裝的焊料凸塊其尺寸、間距等亦被縮小，亦已開發直徑數10μm至數μm者。此外，在使高速傳送與高密度安裝同時成立的技術方面使Si基板貫通而予以導通的TSV(Through Si Via)技術作為次世代的半導體積層技術而受到期待。

在如此的3維積層方面，係運用焊料、銅、鋁等金屬材料而予以接合，惟在形成時發生填充不足、氣隙混入等，而有時成為導通不良等的缺陷。此外即使在製造時的電氣試驗方面無問題，在作為產品而不斷使用時，估計仍亦會因熱、振動等而從上述缺陷變成斷線。

另一方面，隨著近來的半導體的進一步的微細化，預料從分布抽出空洞會變更難。此外，由於發明人，揭曉即使為相同的凸塊，取決於樣品位置，表示凸塊的分布形狀仍會不同。發明人的進一步的銳意檢討的結果，揭曉如此的分布形狀的差異，係由於X射線的照射角度的變化所致。在專利文獻1、2方面，係並未進行對於伴隨如此的X射線的照射角度的變化的分布形狀的變化的考量。

於以下，提出以不論X射線的照射角度的變化，基於均勻的判定基準，而檢測出缺陷為目的之缺陷判定方法及X射線檢查裝置。

在供於達成上述目的用的一態樣方面，以下提出一種X射線檢查裝置，具備對從X射線源所放出並透射樣品的透射X射線進行檢測的檢測元件、及基於該檢測元件的輸出信號而形成分布並利用該分布而檢測出含於樣品的缺陷的運算裝置，其中演算裝置係基於對應於前述透射X射線的視場位置的閾值設定，而檢測出前述缺陷。

依上述構成時，變得可不論X射線的照射角度，基於均勻的判定基準，而檢測出缺陷。

1‧‧‧X射線源

2‧‧‧晶圓

3‧‧‧並進台

4‧‧‧旋轉台

5‧‧‧X射線檢測器

6‧‧‧X射線遮蔽壁

10‧‧‧晶粒

11‧‧‧凸塊

11a‧‧‧視場周邊的凸塊

11b‧‧‧視場中央的凸塊

11c‧‧‧視場周邊的凸塊

12a‧‧‧凸塊11a檢測區域

12b‧‧‧凸塊11b檢測區域

30b‧‧‧凸塊的亮度分布

30s‧‧‧空洞所致的亮度變化

31b‧‧‧凸塊的亮度分布

31s‧‧‧空洞所致的亮度變化

32b‧‧‧凸塊的亮度分布

32s‧‧‧空洞所致的亮度變化

33‧‧‧微小變化探索區域

34s‧‧‧峰值亮度

34b‧‧‧周邊基底亮度

34t‧‧‧峰值亮度閾值

35a‧‧‧斜向檢測時的視場周邊位置

35b‧‧‧斜向檢測時的視場中央位置

35c‧‧‧斜向檢測時的另一個的視場周邊位置

100‧‧‧X射線檢查裝置

101‧‧‧X射線源控制器

102‧‧‧台控制器

103‧‧‧X射線檢測器控制器

104‧‧‧控制部

105‧‧‧輸出部

300‧‧‧基準樣品

301‧‧‧缺陷空洞1

302‧‧‧缺陷空洞2

303‧‧‧缺陷空洞3

400‧‧‧基底基板

401‧‧‧對應於階差區域的厚度的亮度

402‧‧‧空洞所致的亮度變化

410‧‧‧X射線光束

501‧‧‧對應於階差區域的厚度的亮度

502‧‧‧空洞所致的亮度變化

510‧‧‧X射線光束

〔圖1〕針對X射線檢查裝置的概要進行繪示的圖。

〔圖2〕針對X射線檢查裝置的構成進行繪示的圖。

〔圖3〕針對基準樣品的一例進行繪示的圖。

〔圖4〕針對在X射線檢查裝置的視場中心對基準樣品照射X射線時所獲得的信號波形進行例示的圖。

〔圖5〕針對在X射線檢查裝置的視場中心以外對基準樣品照射X射線時所獲得的信號波形進行例示的圖。

〔圖6〕檢查對象樣品的平面圖。

〔圖7〕檢查對象樣品的剖面圖。

〔圖8〕針對檢查對象樣品上的凸塊位置與檢測元件上的檢測位置的位置關係進行繪示的圖。

〔圖9〕針對在包含空洞的焊料凸塊位於X射線檢查裝置的視場中心附近時所獲得的分布的一例進行繪示的圖。

〔圖10〕針對在包含空洞的焊料凸塊位於X射線檢查裝置的視場中心以外時所獲得的分布的一例進行繪示的圖。

〔圖11〕針對缺陷檢查程序進行繪示的流程圖。

〔圖12〕針對包含空洞的凸塊的分布進行繪示的圖。

〔圖13〕針對從包含空洞的凸塊的分布將表示空洞的峰值波形抽出的例進行繪示的圖。

〔圖14〕針對從斜向(傾斜角

)對檢查對象物照射X射線時的X射線檢查裝置進行繪示的圖。

〔圖15〕針對X射線的照射位置與檢測器的檢測位置的位置關係進行繪示的圖。

〔圖16〕針對運用基準樣品而收集評價用資料的程序進行繪示的流程圖。

〔圖17〕針對利用預先記憶的評價用資料，而進行缺陷檢測的程序進行繪示的流程圖。

在是半導體製造的後程序的軟焊程序中的半導體凸塊的檢查方面，係預料配合生產線的產距的高速檢查受到期望。能以寬的視場同時檢測出多的凸塊、TSV等的檢查對象物時效率佳。在X射線裝置方面，X射線源的解析度係取決於X射線源的點徑。對於X射線源點徑檢測微細的對象物的情況下，採取如示於圖1的放大光學系統。在例示於圖1的X射線檢查裝置中係包含X射線源1、測定對象2、及X射線檢測器5。在此例方面，測定對象2上的檢測視場係能以X射線檢測器5檢測的區域，放大率依X射線源1與測定對象2的距離、及X射線源1與X射線檢測器5的距離的比而定。在以如此的放大系統的檢測方面在視場之中央與周邊係X射線照射角度不同。照射角度不同時即使為相同的對象物其透射像仍不同，故應用了依一樣的閾值下的判定基準的情況下，會因視場內的檢測位置而在缺陷檢測感度方面產生差異。

於以下，說明有關具備對檢查對象物從鉛直上方或予以傾斜的角度照射X射線，並以X射線檢測器檢測檢查對象物的透射像的機構的X射線檢查裝置。在X射線檢查裝置方面，係預先運用將檢查對象物的厚度與空洞缺陷進行了模型化的基準樣品，而在放射角度不同的檢測視場內的複數位置，進行基準樣品的透射像檢測。按視場內位置(X射線照射角度)記錄從基準樣品透射像因檢查對象物而發生的亮度衰減量、及因空洞缺陷而發生的亮度變位，生成對應於各視場內位置(X射線照射角度)的評價用資料。或透過計算求出基準樣品及基準樣品透射像。

在進行實際的檢查的情況下，係從檢測位置決定在視場內的X射線放射角度，將對應於其的基準樣品透射像下的亮度衰減量、空洞缺陷所致的亮度變位與檢查對象物的亮度變位處進行比較，而進行缺陷(空洞)檢測。基準樣品係亦可從檢查對象物的良品、不良品樣品而決定。

依如上述之構成時，使得可抑制在檢測視場內的因X射線照射角度的差異所致的檢測感度的差異，可進行均勻的缺陷檢測感度下的檢查。

〔實施例1〕

圖2係針對X射線檢查裝置100的概要進行繪示的圖。X射線檢查裝置100，係由X射線源1、供於保持作為測定對象的晶圓2並予以移動用的並進台3、旋轉台4、X射線檢測器5、X射線遮蔽壁6、X射線源控制器101、台控制器102、X射線檢測器控制器103、控制部104、及輸出部105構成。X射線源1係例如，以電子光學系統與靶材而構成(未圖示)。

電子光學系統係例如肖特基型電子槍，靶材係以鎢薄膜與鑽石薄膜而構成，構成為照射基於從電子槍所放出的電子束的往靶材的照射而產生的X射線。並進台 3係可移動於X軸、Y軸、Z軸方向，旋轉台4係可在XY平面內進行旋轉(以下，將在旋轉台的XY面內的旋轉方向定義為θ方向)。此外，並進台3、旋轉台4之中央部係以X射線的吸收小的玻璃(未圖示)而構成。X射線檢測器5係夾著並進台3、旋轉台4，而配置於與X射線源1對向的位置。在本實施例的X射線檢測器5方面係採用影像增強器+CCD相機(二維攝像元件)。

從X射線源1所照射的X射線係在配置於並進台3之上的晶圓2被吸收，其透射X射線係以X射線檢測器5而檢測。使X射線檢測器5與X射線源1之間的距離為固定時，因與晶圓2的相對距離的變化，使得倍率、視場等的大小變化，故透過調整並進台3的位置，從而調整此等倍率、視場等的大小。X射線檢測器5係能以X射線源1的X射線產生位置為中心在XZ面內進行旋轉(將在XZ面內的旋轉方向定義為

方向)，依該旋轉角度以並進台3使晶圓2並進移動，調整成測定區域不會偏差。上述X射線源1、並進台3、旋轉台4、及X射線檢測器5係配置於X射線遮蔽壁6的內部，呈X射線不會漏至外部。X射線源控制器101係控制X射線源1的各種參數(管電壓、管電流、往電子光學系統的施加磁場、施加電壓、氣壓等)與X射線產生的ON/OFF，台控制器102係控制並進台3、旋轉台4的移動座標，X射線檢測器控制器103係進行從X射線檢測器5的資料的讀入與攝像條件(感度、平均化個數等)的設定。X射線源控制器101、台控制器102、X射線檢測器控制器103係受控制部104控制。基於通過GUI而對於控制部104事前輸入的檢查條件，邊使晶圓2移動，邊對X射線透射像進行攝像，基於所獲得的透射像判別空洞等的缺陷，將檢查結果顯示於輸出部105。

在控制部104係內建未圖示的運算裝置，執行如後述的演算處理。在以下說明之實施例中，係說明有關在複數個視場內位置(X射線的照射角度)，進行基準樣品的X射線檢查，生成在各視場內位置的評價用資料，運用此各視場內位置的評價用資料，而執行對應於視場內位置的空洞檢查之例。

在圖3繪示基準樣品300的一例。圖3係繪示基準樣品300的俯視圖與側面圖，以實際上作為檢查對象的物質相同的材質而作成。形狀係階梯上的楔形，由複數個厚度不同的區域而成，在各區域係以估計的缺陷空洞尺寸的範圍，將尺寸不同的孔例如，加工為3階的缺陷洞301、302、303。材質係可不必與檢查對象相同，只要可理解與X射線有關的吸收係數，則可換算為與實際的材料有關的X射線透射率。缺陷洞係擬空洞，例如在基準樣品上、或在基準樣品內形成半球狀、球狀的空隙。運用圖16的流程圖說明運用如此的基準樣品300，而生成評價用資料的程序。

首先，將基準樣品300搭載於配置在X射線遮蔽壁6內部的並進台3上(步驟1601)，將基準樣品移動至既定的照射角度(視場內位置)(步驟1602)。在本例中，係首先將基準樣品300置於視場中心(X射線照射區域之中心)。針對置於視場中心的基準樣品300，透過照射X射線從而取得X射線透射像(步驟1603)。圖4(a)係針對在X射線檢查裝置100的視場中心附近針對將基準樣品300搭載於Si基板等的基底基板400的樣品進行攝像之例進行繪示的圖。

在視場中心係X射線光束410從上方均等地透射樣品，以X射線感測器5進行檢測。圖4(b)係針對將透射基準樣品300的階差部分與基底基板400的X射線亮度按各階差區域進行繪示者。一般而言X透射所致的亮度衰減，係設為檢測亮度I、光源亮度I₀、樣品厚度t、吸收係數μ時，以I=I₀‧exp(-μt)表示，故亮度401係成為對應於階差區域的厚度的亮度。再者，將基準樣品上的空洞301、302、303所致的從亮度401的亮度變化(分布)在圖4(c)繪示為亮度402。在亮度402方面係產生對應於在各階差區域的空洞的峰值亮度。峰值亮度係除了材料透射所致的衰減以外係依存於X射線光學系統具有的解析度。作成如此而記錄各厚度下的亮度(B)與該處的空洞301、302、303所致的亮度變化(S)(步驟1604)。再者，一併記憶應判斷為缺陷的峰值高度資訊。此外，設於基準樣品的空洞的尺寸係既知，故亦一併記憶空洞的尺寸資訊。

此外，亦與此等資料賦予關聯，而記憶取得資料時的X射線照射角度(或視場內位置資訊)作為評價用資料。X射線照射角度，係連結樣品上的視場中心與X射線源的直線、及連結基準樣品位置與X射線源的直線的相對角，採取亦一併記憶此等資訊，從而在實際樣品檢查時，讀出評價用資料。此外，亦可作成賦予關聯於視場中心與基準樣品位置的距離(視場內位置資訊)而記憶評價資料，而非照射角度。視場中心的情況下，係X射線照射角、及視場中心與基準樣品位置的距離皆為零。

接著如示於圖5在X射線檢查裝置100的視場中心以外(圖5中係視場周邊與標記)對基準樣品300與基底基板400進行攝像。圖5(a)係示出以視場周邊的X射線光束510的照射方向，在如此的放大透射系統係從斜向進行照射。在視場中心以外，係照射角度與視場中心的X射線光束410不同，故透射樣品的距離亦變長。因此，透射圖5(b)的基準樣品300的階差部分與基底基板400的X射線亮度501、基準樣品上的空洞301、302、303所致的圖5(c)的亮度變化502係與視場中心成為不同者。作成如此而記錄在視場中心及周邊的階差樣品所致的亮度值(B)與空洞301、302、303所致的亮度峰值(S)。亦可在視場內的任意之中間位置進行同樣的記錄。

另外，上述記錄係不必實際製作、檢測樣品，可依X射線檢查裝置100的規格而以計算算出。

將在如以上的視場中心與視場內的視場中心以外的位置的運用了基準樣品的評價用資料的取得，在包含視場中心以外的位置的至少1處進行。如後所述，評價資料係修正依X射線的照射角度而變化的凸塊的信號波形的變化，而不論X射線的照射角度，基於均勻的判定基準，而進行空洞檢測者。取得評價用資料的角度越多，越可期待修正精度的提升，故以依所需的複數個X射線照射角度(或視場內位置)取得評價用資料，使評價資料記憶於記憶媒體等。

另外，以複數個X射線照射角度取得評價資料，係理由在於如上述在X射線的照射角度不同的視場內位置，無法進行基於均勻的評估基準的空洞檢測，亦考量到凸塊的信號波形不僅照射角度而亦會因照射方向而變化。亦即，考量到即使為相同的照射角度，照射方向不同時其信號波形形狀亦會不同。於如此之情況下，係考量按複數個照射角度與複數個照射方向的組合而取得評價資料。例如考量在X射線照射區域內的(x₁、y₁)至(x_m、y_n)的各位置，取得評價用資料。此外，在上述之例，係雖說明有關使基準樣品移動至應取得評價用資料的各位置(往不同的位置的放置)之例，惟亦可作成在基底基板400上線狀、或矩陣狀地排列基準樣品300，不進行樣品的移動下，在複數個各位置取得評價用資料。此外，在檢測元件的各位置的評價用資料亦取決於裝置的放大率(並進台3的位置)等而變化，故按裝置條件予以記憶上述評價資料為優選。

接著，針對運用作成如上所述而取得的評價用資料，而檢查實際的檢查對象樣品的檢查法、及執行檢查的X射線檢查裝置，利用圖式進行說明。圖6，係針對形成於半導體晶圓2上的晶粒10內的半導體凸塊11的一例進行繪示的平面圖。圖7係示出圖6的A-A’的剖面圖。在晶圓2係規則地形成複數個晶粒10，在晶粒10的一部分形成有焊料凸塊11。圖7，係從剖面方向視看在厚度h的Si晶圓2上形成有凸塊11的樣子的圖。

圖8係針對照射X射線於Si晶圓2上的焊料凸塊11a、11b、11c，並以二維感測器(X射線檢測器5)檢測透射的X射線的樣子進行繪示的圖。在視場內，係投影半導體凸塊11a、11b、11c，分別在X射線檢測器5上的檢測區域(位置)12a檢測出半導體凸塊11a，在檢測區域12b檢測出半導體凸塊11b。以下，當作區域12b係位於視場中央，區域12a係位於視場中心以外者而進行說明。圖9係例示在檢測區域12a所取得的亮度分布者，圖10係例示在檢測區域12b所取得的亮度分布者。

如例示於圖9(圖10)，在凸塊內包含空洞的情況下，檢測出如在依凸塊11a(11b)的形狀而形成的亮度分布30b(31b)中，重疊了表示空洞的亮度分布30s(31s)的波形。針對基於如此的檢測波形，而判定空洞內缺陷(凸塊)的有無的程序，利用圖11~圖13進行說明。

首先在步驟1，係從裝置的X射線源與感測器的相對位置及在感測器視場內的檢測位置確定X射線的照射角度。藉此，變得可在圖4及圖5所示的基準樣品下的檢測結果之中，選擇接近的照射角度的結果資料(評價用資料)。此情況下，作成運用所求出的照射角度、視場內位置等而讀出預先記憶於記憶媒體等的評價資料。

在步驟2，係從在所著眼的凸塊區域方面的分布檢測出變異處。圖12係繪示所檢測出的凸塊影像的分布32b。從分布中以微小變化探索區域33進行逐次掃描而從在區域中的分布變化率或分散值等檢測出變異處32s。

在步驟3，係算出變異處的峰值亮度與周邊的基底亮度。圖13係僅將特異處32s抽出之例，算出峰值亮度34s及周邊的基底亮度34b。

在步驟4，係從在步驟1所確定的照射角度下的基準樣品的資料而決定接近基底亮度34b的基準樣品下的基底亮度。

在步驟5，係比較在所決定的基準樣品下的基底亮度區域的峰值亮度與峰值亮度34s，決定空洞尺寸。另外，在步驟4、步驟5的與基準樣品的比較中，係不一定要選擇亮度接近的基準樣品，亦可從亮度鄰接的基準樣品的亮度資料進行內插而決定。

在步驟6，係峰值亮度34s比預先設定的空洞尺寸下的峰值亮度閾值34t高的情況下，判定該峰值為空洞(或成為缺陷原因的空洞)。

作成如此，在視場內預先記錄基準樣品下的凸塊及空洞檢測值，與實際的檢查對象物進行比較，使得可不論視場內的X射線放射角度，而穩定進行空洞缺陷判定。另外，在上述實施例為求簡單，雖主要說明在1維方向的X射線放射角度、檢測位置、亮度值分布等，惟當然在X射線檢測器5方面運用2維檢測器的情況下係實施2維方向下的處理者不言而喻。

圖17，係針對更具體的凸塊判定程序進行繪示的流程圖。首先，將X射線照射於包含作為檢查對象的凸塊的半導體晶圓，從而取得X射線透射像(步驟1701)。接著從含於X射線透射像的表示凸塊的分布之中，選擇具有應為空洞的峰值的凸塊(步驟1702)。空洞候補係依閾值判定等而選擇。基於如此的凸塊的選擇，而決定X射線照射角度(視場內位置)(步驟1703)。可基於凸塊的選擇，而確定感測器上的位置，故基於所確定的位置資訊，而決定X射線照射角度。

接著將賦予關聯於所決定的照射角度而記憶的基底亮度參照資料(評價用資料)從記憶媒體讀出(步驟1704)。在記憶媒體係按照射角度，有關基準樣品300的在不同的高度位置所獲得的複數個基底亮度的參照資料(亮度(B))、對應於大小因不同的基底亮度而異的洞的峰值亮度的參照資料(亮度變化(S))、及判定所檢測出的峰值亮度是否為成為缺陷的空洞的閾值資訊，按照射角度記憶，或記憶在按照射角度而登錄的複數個基底亮度參照資料的每者。另外，亦可作成在不存在對應於所選擇的凸塊位置的照射角度的評價用資料的情況下，係讀出最接近的照射角度的基底亮度的參照資料。此外，亦可作成從基於接近的2以上的照射角度的基底亮度參照資料(基準亮度參照資料)的內插或外插而生成的近似曲線，求出在所選擇的凸塊的照射角度方面的有關基底亮度的參照資料。

接著，對所選擇的凸塊的基底亮度、及所讀出的對應於不同的高度的複數個基底亮度資料的參照資料進行比較，選擇一致或最近似的基底亮度參照資料(步驟1705)。在所選擇的基底亮度參照資料中，係對應於複數個空洞的大小的複數個峰值亮度被賦予關聯而記憶，故對該複數個峰值亮度參照資料、及上述空洞候補峰值進行比較，選擇一致或最近似的峰值亮度參照資料(步驟1706)。依如此的比較，使得可確定空洞候補的大小。另外，亦可作成運用將複數個峰值亮度參照資料進行內插或外插從而獲得的近似曲線，而將空洞候補峰值的大小定量化。

對作成如以上而選擇的峰值亮度參照資料、或所定量化的空洞候補峰值、及按基底亮度參照資料而登錄的閾值資訊進行比較(步驟1707)，將該閾值以上、或超過該閾值的空洞候補峰值判定為缺陷空洞(步驟1708)。閾值以下或低於閾值的空洞候補峰值係判定為非缺陷(或缺陷候補)者(步驟1709)。

進行運用了如以上的演算法的判定，使得可不論X射線的照射角度的差異，基於穩定的判定基準，而進行缺陷相同確定。此外，在每個按照射角度登錄有複數個的基底亮度參照資料中，登錄不同的閾值，使得可不論X射線的樣品的透射距離，在視場內進行基於均勻的評估基準的缺陷判定。另外，依例示於圖17的演算法時，對空洞候補峰值、及有關複數個既知的尺寸的空洞的參照峰值進行比較，故變得可確定空洞的大小，惟只要可判定空洞是否為缺陷即可時，即使不進行峰值間的比較，僅進行運用了按基底亮度參照資料而登錄的閾值的缺陷判定亦可。再者，不要求高精度時，亦可按照射角度記憶供於進行缺陷判定用的閾值，僅進行該閾值與空洞候補峰值的比較。

〔實施例2〕

接著運用圖14及圖15說明從斜向透射檢查對象物2而檢查之例。圖14係使X射線檢查裝置100的並進台3及X射線檢測器5移動，而從斜向以傾斜角

透射檢查對象物2而進行檢測之例。在圖15繪示在以X射線檢測器5檢測的區域的從X射線源1的X射線放射與檢查對象物2的關係。如此在斜向檢測方面亦可得知在檢測區域內放射角度不同。此情況下亦在檢測區域內的位置不同之處，在位置35a、35b、35c，代替檢查對象物2設置基準樣品300而記錄在檢測區域內的檢測資料。以傾斜角

對檢查對象物2進行檢查時，係作成如同實施例1與基準樣品進行比較，而使得即使為從斜向的檢查亦可穩定進行空洞缺陷判定。

另外，在上述例，係雖運用基準樣品300，惟只要可預先準備良品樣品及不良品樣品，則亦可運用該等而保存在檢測區域內的有關X射線放射角度的資料，進行與檢查對象品的比較而進行缺陷判定。此情況下，為了確定作為基準而使用的良品樣品、不良品樣品等內的空洞形狀，利用進行了依CT的3D解析的結果時，變得可如同尺寸既知的基準樣品進行精度高的判定。

以上，雖基於實施形態具體說明由本發明人創作的發明，惟本發明係非限定於本實施形態者，在不脫離其要旨的範圍下可作各種變更不言而喻。