TWI607808B - 液體塗布方法、液體塗布裝置、及電腦可讀取的記錄媒體 - Google Patents

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下川大輔
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Description

液體塗布方法、液體塗布裝置、及電腦可讀取的記錄媒體
本發明係關於一種液體塗布方法、液體塗布裝置以及電腦可讀取的記錄媒體。
現今，當進行基板的細微加工時，使用微影技術在基板(例如半導體晶圓)上形成凹凸圖案(例如光阻圖案)，乃廣為吾人所實行的一般步驟。為了進行基板的細微加工，會從噴嘴的吐出口向基板的表面吐出各種塗布液。
專利文獻1所記載的塗布液體塗布方法，揭示了在基板的表面上形成塗布膜的一個態樣，其使噴嘴相對於旋轉中的基板的表面沿著該表面移動，同時從噴嘴的吐出口吐出塗布液。因此，在基板的表面上，將塗布液塗布成螺旋狀。此時，比起將塗布液吐出到基板的中央部位之後使基板旋轉，進而利用離心力使塗布液塗布到基板的整個表面的所謂旋轉塗布法而言，可更節省塗布液，同時可控制在從基板的旋轉中心向基板的周緣部位的方向上的塗布膜的膜厚。然而，由於基板的表面並非完全平坦，故即使利用專利文獻1所記載的方法塗布膜的膜厚仍可能會因為基板的表面的高低而變化。
專利文獻2所記載的塗布液體塗布方法，包含：預先測定基板厚度的基板厚度測定步驟；根據所測定到的基板厚度，調整噴嘴的吐出口與載置基板的平台之間的間隔距離(間距)的調整步驟；以及從噴嘴的吐出口對基板的表面吐出塗布液的吐出步驟。若根據該方法，由於基板的表面與噴嘴的吐出口之間的間距保持固定，故可在基板的表面上形成膜厚大略均勻一致的塗布膜。
專利文獻2，作為預先測定基板厚度的基板厚度測定步驟，揭示了：(1)使用投射分布在垂直方向(基板的厚度方向)上之平行光的1維半導體雷射陣列，並根據被基板的厚度所遮蔽之區域算出基板的厚度；以及(2)從基板的背面側對基板的既定部位射出斜向光線，並根據該反射光的受光位置算出基板的厚度。因此，調整步驟，係以基板的厚度在基板面內大略固定為前提進行間距調整。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2001－239199號公報 [專利文獻2] 日本特開2005－251864號公報
[發明所欲解決的問題]
然而，上述(1)以及(2)的測定方法，由於並未取得基板的面內整體的厚度，故當在基板面內基板厚度存在差異時，欲在基板上形成膜厚大略均勻一致的塗布膜，有其困難。除此之外，即使在基板面內基板厚度大略均勻一致，在基板翹曲等基板並非平坦的情況下，在基板面內間距會發生變動，故僅靠測定基板厚度便欲在基板上形成膜厚大略均勻一致的塗布膜，仍有其困難。
因此，本發明揭示一種可使形成於基板表面之塗布膜的膜厚更加均勻一致的液體塗布方法、液體塗布裝置以及電腦可讀取的記錄媒體。 [解決問題的手段]
本發明的其中一個態樣的液體塗布方法，係包含使基板繞沿著與基板的表面正交的方向延伸的旋轉軸旋轉，同時從位於基板的上方的吐出噴嘴對基板的表面吐出塗布液，以在基板的表面上塗布塗布液的塗布處理在內的液體塗布方法，其特徵為更包含：在塗布處理中，在基板旋轉時，一邊使吐出噴嘴在旋轉軸與基板的周緣部位之間沿著基板的表面朝既定的方向移動，一邊從吐出噴嘴吐出塗布液，藉此在基板的表面上將塗布液塗布成螺旋狀的步驟；在基板的表面上吐出噴嘴的塗布液的吐出位置越靠基板的周緣側使基板的轉速越小，藉以使吐出位置的線速度大略為固定的步驟；以及根據塗布液吐出中的吐出噴嘴的物理量的變化使吐出噴嘴的吐出口的相對於基板表面的高度位置變化，藉以使吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小的步驟。
本發明的其中一個態樣的液體塗布方法，使吐出位置的線速度大略為固定，同時使吐出噴嘴的吐出口的相對於基板表面的高度位置變化，藉以使塗布液的吐出流量大略為固定之大小。因此，無論在哪個吐出位置，所吐出之塗布液的量大略為相同。除此之外，本發明的其中一個態樣的液體塗布方法，在基板的表面上將塗布液塗布成螺旋狀。因此，從吐出噴嘴所吐出的塗布液，不易在基板的表面上互相疊合。根據以上所述，在基板的整個表面上，塗布液塗布於基板表面上所形成之塗布膜的膜厚大略均勻一致。
在使吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小的步驟中，亦可根據從吐出噴嘴吐出之前的塗布液的流量使高度位置變化。此時，藉由以從吐出噴嘴吐出之前的塗布液的流量接近大略固定之大小的方式進行回饋控制，便可在短時間內確實地使高度位置變化。
在使吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小的步驟中，亦可根據在吐出噴嘴對基板表面吐出塗布液時吐出噴嘴透過塗布液從基板的表面所受到之反作用力的大小使高度位置變化。此時，藉由以吐出噴嘴所受到之反作用力的大小接近大略固定之大小的方式進行回饋控制，便可在短時間內確實地使高度位置變化。
本發明之另一個態樣的液體塗布方法，係包含使基板繞沿著與基板的表面正交的方向延伸的旋轉軸旋轉，同時從位於基板的上方的吐出噴嘴對基板的表面吐出塗布液，以在基板的表面上塗布塗布液的塗布處理在內的液體塗布方法，其特徵為更包含：在塗布處理中，在基板旋轉時，一邊使吐出噴嘴在旋轉軸與基板的周緣部位之間沿著基板的表面朝既定的方向移動，一邊從吐出噴嘴吐出塗布液，藉此在基板的表面上將塗布液塗布成螺旋狀的步驟；在基板的表面上吐出噴嘴的塗布液的吐出位置越靠基板的周緣側使基板的轉速越小，藉以使吐出位置的線速度大略為固定的步驟；以及根據預先取得之基板表面的面內形狀使吐出噴嘴的吐出口的相對於基板表面的高度位置變化，藉以使吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小的步驟。
本發明之另一個態樣的液體塗布方法，使吐出位置的線速度大略為固定，同時使吐出噴嘴的吐出口的相對於基板表面的高度位置，根據預先取得之基板表面的面內形狀改變，藉以使基板的表面與吐出噴嘴的吐出口之間的間隔距離(間距)大略為固定之大小。因此，無論在哪個吐出位置，所吐出之塗布液的量大略為相同。除此之外，本發明之另一個態樣的液體塗布方法，在基板的表面上將塗布液塗布成螺旋狀。因此，從吐出噴嘴所吐出的塗布液，不易在基板的表面上互相疊合。根據以上所述，在基板的整個表面上，塗布液塗布於基板表面上所形成之塗布膜的膜厚大略均勻一致。
面內形狀的測定，亦可在與進行塗布處理的處理室不同的另一處理室內，在塗布處理之前進行。此時，塗布處理與面內形狀的測定處理可在不同的處理室內同時進行。因此，可使整體的處理時間縮短。
面內形狀的測定，亦可在進行塗布處理的處理室內，在塗布處理之前進行。此時，塗布處理與面內形狀的測定處理在同一處理室內進行。因此，由於無須對應各處理設置處理室，故可使裝置小型化。
在面內形狀的測定時測定面內形狀的感測器的移動速度以及基板的旋轉速度，與在塗布處理時吐出噴嘴的移動速度以及基板的旋轉速度，亦可分別設定成大略相等。此時，由於無須考慮感測器的移動速度、基板的移動速度以及基板的旋轉速度的變動量修正資料，故控制吐出噴嘴的高度位置時的計算(資料處理)變得更簡單。
塗布處理亦可與測定面內形狀的處理一起進行。此時，由於在起因於基板的面內形狀的變化而間距發生變動之前進行前饋控制，故可將間距維持在大略固定之大小。因此，由於無須在進行塗布處理之前測定出基板的面內形狀的全部，故可使整體的處理時間縮短。
在塗布處理中，亦能夠以將測定面內形狀的感測器與吐出噴嘴之間的間隔距離保持固定，同時使吐出噴嘴通過感測器在基板表面上方移動時在基板表面內之軌道(亦即掃描軌道)上的方式，使感測器以及吐出噴嘴移動。此時，在基板的表面上當吐出噴嘴通過感測器已通過之位置時，在兩者的通過地點的線速度大略相等。因此，由於感測器所進行之面內形狀的測定所得到的資料不用經過修正等而能夠就這樣利用，故控制吐出噴嘴的高度位置時的計算(資料處理)變得更簡單，同時能夠以良好的精度調節間距。
本發明之另一個態樣的液體塗布裝置具備：旋轉保持部，其保持基板，並使基板繞在與基板表面正交之方向上延伸的旋轉軸旋轉；供給部，其為了從位於基板上方之吐出噴嘴對基板表面吐出塗布液而對吐出噴嘴供給塗布液；驅動部，其使吐出噴嘴移動；以及控制部；控制部，控制旋轉保持部、供給部以及驅動部，以實行：當旋轉保持部使基板旋轉時，驅動部使吐出噴嘴在旋轉軸與基板的周緣部位之間沿著基板的表面朝既定的方向移動，同時供給部使塗布液從吐出噴嘴吐出，藉此在基板的表面上將塗布液塗布成螺旋狀的處理；旋轉保持部以在基板的表面上吐出噴嘴的塗布液的吐出位置越靠基板的周緣側基板的轉速越小的方式使基板旋轉，藉以使吐出位置的線速度大略為固定的處理；以及驅動部以根據塗布液吐出中的吐出噴嘴的物理量的變化使吐出噴嘴的吐出口相對於基板表面的高度位置與基板表面之間的間隔距離變化的方式使吐出噴嘴升降，藉以使吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小的處理。
在本發明之另一個態樣的液體塗布裝置中，驅動部以使吐出位置的線速度大略為固定，同時使吐出噴嘴的吐出口的相對於基板表面的高度位置變化的方式使吐出噴嘴升降，藉以使吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小。因此，無論在哪個吐出位置，所吐出之塗布液的量大略為相同。除此之外，本發明之另一個態樣的液體塗布裝置，在基板的表面上將塗布液塗布成螺旋狀。因此，從吐出噴嘴所吐出的塗布液，不易在基板的表面上互相疊合。根據以上所述，在基板的整個表面上，塗布液塗布於基板表面上所形成之塗布膜的膜厚大略均勻一致。
亦可更具備測定從吐出噴嘴吐出之前的塗布液的流量的流量測定部，並在控制部實行使吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小的處理時，驅動部以根據流量測定部所測定到之流量使高度位置變化的方式使吐出噴嘴升降。此時，藉由以從吐出噴嘴吐出之前的塗布液的流量接近大略固定之大小的方式使用流量測定部進行回饋控制，便可在短時間內確實地使高度位置變化。
亦可更具備當吐出噴嘴對基板表面吐出塗布液時，測定吐出噴嘴透過塗布液從基板表面所受到之反作用力的大小的反作用力測定部，並在控制部實行使吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小的處理時，驅動部以根據反作用力測定部所測定到之反作用力的大小使高度位置變化的方式使吐出噴嘴升降。此時，藉由以吐出噴嘴所受到之反作用力的大小接近大略固定之大小的方式使用反作用力測定部進行回饋控制，便可在短時間內確實地使高度位置變化。
本發明之另一個態樣的液體塗布裝置，具備：旋轉保持部，其保持基板，並使該基板繞著正交於該基板表面之方向延伸的旋轉軸旋轉；供給部，其為了從位於該基板上方之吐出噴嘴對該基板表面吐出塗布液而對該吐出噴嘴供給塗布液；驅動部，其使該吐出噴嘴移動；以及控制部；該控制部，控制該旋轉保持部、該供給部以及該驅動部，以實行：當該旋轉保持部使該基板旋轉時，該驅動部使該吐出噴嘴在該旋轉軸與該基板的周緣部位之間沿著該基板的該表面朝既定的方向移動，同時該供給部使塗布液從該吐出噴嘴吐出，藉此在該基板的該表面上將塗布液塗布成螺旋狀的處理；該旋轉保持部以該吐出噴嘴的塗布液之吐出位置在該基板的該表面上越靠該基板的周緣側則使該基板的轉速越小的方式使該基板旋轉，藉以使該吐出位置的線速度大略為固定的處理；以及該驅動部以根據預先取得之該基板的該表面的面內形狀使該吐出噴嘴的吐出口的相對於該基板的該表面的高度位置變化的方式使該吐出噴嘴升降，藉以使該吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小的處理。
本發明之另一個態樣的液體塗布裝置，使吐出位置的線速度大略為固定，同時使吐出噴嘴的吐出口的相對於基板表面的高度位置，根據預先取得之基板表面的面內形狀變化，藉以使基板的表面與吐出噴嘴的吐出口之間的間隔距離(間距)大略為固定之大小。因此，無論在哪個吐出位置，所吐出之塗布液的量大略為相同。除此之外，本發明之另一個態樣的液體塗布裝置，在基板的表面上將塗布液塗布成螺旋狀。因此，從吐出噴嘴所吐出的塗布液，不易在基板的表面上互相疊合。根據以上所述，在基板的整個表面上，塗布液塗布於基板表面上所形成之塗布膜的膜厚大略均勻一致。
本發明之另一個態樣的液體塗布裝置，亦可更具備進行面內形狀的測定的感測器，控制部，在將塗布液於基板表面上塗布成螺旋狀的處理之前，先在與進行該處理的處理室不同的另一處理室內，利用感測器測定面內形狀。此時，塗布處理與面內形狀的測定處理可在不同的處理室內同時進行。因此，可使整體的處理時間縮短。
本發明之另一個態樣的液體塗布裝置，亦可更具備進行面內形狀的測定的感測器，控制部，在將塗布液於基板表面上塗布成螺旋狀的處理之前，先在進行該處理的處理室內，利用感測器測定面內形狀。此時，塗布處理與面內形狀的測定處理在同一處理室內進行。因此，由於無須對應各處理設置處理室，故可使裝置小型化。
控制部，亦可將在面內形狀測定時測定面內形狀的感測器的移動速度以及基板的旋轉速度，與在塗布處理時吐出噴嘴的移動速度以及基板的旋轉速度，分別設定成大略相等。此時，由於無須考慮感測器的移動速度、基板的移動速度以及基板的旋轉速度的變動量修正資料，故控制吐出噴嘴的高度位置時的計算(資料處理)變得更簡單。
本發明之另一個態樣的液體塗布裝置，亦可更具備進行面內形狀的測定的感測器，控制部，與在基板表面上將塗布液塗布成螺旋狀的處理一起，利用感測器測定面內形狀。此時，由於在起因於基板的面內形狀的變化而間距發生變動之前控制部便進行前饋控制，故可將間距維持在大略固定之大小。因此，由於無須在進行塗布處理之前測定出基板的面內形狀的全部，故可使整體的處理時間縮短。
控制部，亦可在將塗布液於基板表面上塗布成螺旋狀的處理中，以將測定面內形狀的感測器與吐出噴嘴之間的間隔距離保持固定，同時使吐出噴嘴通過感測器在基板表面上方移動時在基板表面內之軌道亦即掃描軌道上的方式，使感測器以及吐出噴嘴移動。此時，當吐出噴嘴通過在基板表面上感測器所通過之位置時，兩者在通過地點的線速度大略相等。因此，由於感測器所進行之面內形狀的測定所得到的資料不用經過修正等而能夠就這樣利用，故控制吐出噴嘴的高度位置時的計算(資料處理)變得更簡單，同時能夠以良好的精度調節間距。
本發明之另一個態樣的液體塗布裝置，具備：旋轉保持部，其保持基板，並使該基板繞著正交於該基板表面之方向延伸的旋轉軸旋轉；供給部，其為了從位於該基板上方之吐出噴嘴對該基板表面吐出塗布液而對該吐出噴嘴供給塗布液；驅動部，其使該吐出噴嘴移動；彈性體，其使彈性力作用於吐出噴嘴；以及控制部；控制部，控制旋轉保持部、供給部以及驅動部，以實行：當旋轉保持部使基板旋轉時，驅動部使吐出噴嘴在旋轉軸與基板的周緣部位之間沿著基板的表面朝既定的方向移動，同時供給部使塗布液從吐出噴嘴吐出，藉此在基板的表面上將塗布液塗布成螺旋狀的處理；以及旋轉保持部以在基板的表面上吐出噴嘴的塗布液的吐出位置越靠基板的周緣側基板的轉速越小的方式使基板旋轉，藉以使吐出位置的線速度大略為固定的處理；當吐出噴嘴對基板表面吐出塗布液時，使彈性體因應吐出噴嘴透過塗布液從基板表面所受到之反作用力而產生的彈性力作用於吐出噴嘴，故彈性體使吐出噴嘴的吐出口的相對於基板表面的高度位置變化，藉以使吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小。
在本發明之另一個態樣的液體塗布裝置中，驅動部以使吐出位置的線速度大略為固定，同時使吐出噴嘴的吐出口的相對於基板表面的高度位置變化的方式使吐出噴嘴升降，藉以使吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小。因此，無論在哪個吐出位置，所吐出之塗布液的量大略為相同。除此之外，本發明之另一個態樣的液體塗布裝置，在基板的表面上將塗布液塗布成螺旋狀。因此，吐出噴嘴所吐出的塗布液，不易在基板的表面上互相疊合。根據以上所述，在基板的整個表面上，塗布液塗布於基板表面上所形成之塗布膜的膜厚大略均勻一致。而且，由於彈性體因應吐出噴嘴所受到之反作用力而產生復原力，故藉由該復原力作用於吐出噴嘴，便可在短時間內確實地使吐出噴嘴的吐出口與基板的表面之間的間隔距離變化。
本發明之另一個態樣的電腦可讀取的記錄媒體，記錄了用來使液體塗布裝置執行上述方法的程式。本發明之另一個態樣的電腦可讀取的記錄媒體，與上述方法同樣可使形成於基板表面的塗布膜更加均勻一致。在本說明書中，電腦可讀取的記錄媒體，包含非暫態的有形媒體(non-transitory computer recording medium) (例如各種主記憶裝置或是輔助記憶裝置)，或傳播信號(transitory computer recording medium) (例如可透過網路提供的資料信號)。 [發明的功效]
若根據本發明之液體塗布方法、液體塗布裝置以及電腦可讀取的記錄媒體，便可使形成於基板表面的塗布膜的膜厚更加均勻一致。
針對本發明的實施態樣參照圖式進行説明，惟以下的本實施態樣，僅係用來說明本發明的例示而已，並無將本發明限定於以下內容之意圖。在説明中，相同的要件或具有相同功能的要件會使用相同的符號，其重複説明省略。
＜第1實施態樣＞ [基板處理系統的構造] 基板處理系統1，具備塗布顯影裝置2與曝光裝置3。曝光裝置3，進行光阻膜的曝光處理。具體而言，係利用浸液曝光等方法對光阻膜(感光性被膜)的曝光對象部分照射能量線。關於能量線，可舉出例如ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、g線、i線或極紫外線(Extreme Ultraviolet，EUV)。
塗布顯影裝置2(基板處理裝置)，在曝光裝置3的曝光處理之前，進行於晶圓W(基板)的表面形成光阻膜的處理，在曝光處理後進行光阻膜的顯影處理。在第1實施態樣中，晶圓W呈圓板狀，惟亦可使用圓形的一部分有缺口，或是呈多角形等圓形以外之形狀的晶圓。晶圓W，亦可為例如半導體基板、玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display，平面顯示器)基板等的其他各種基板。
如圖1～圖3所示的，塗布顯影裝置2，具備載置區塊4、處理區塊5以及介面區塊6。載置區塊4、處理區塊5以及介面區塊6，在水平方向上並排。
載置區塊4，具有載置站12與搬入搬出部13。搬入搬出部13，隔設在載置站12與處理區塊5之間。載置站12，支持複數個載體11。載體11，在密封狀態下收納例如複數枚圓形的晶圓W，並在側面11a側具有晶圓W出入用的開閉窗(圖中未顯示) (參照圖3)。載體11，以側面11a面向搬入搬出部13側的方式，可隨意裝卸地設置在載置站12上。搬入搬出部13，具有與載置站12上的複數個載體11分別對應的複數個開閉窗13a。藉由使側面11a的開閉窗與開閉窗13a同時開放，便可使載體11內部與搬入搬出部13內部連通。搬入搬出部13內建了傳遞臂A1。傳遞臂A1，從載體11取出晶圓W傳遞到處理區塊5，並從處理區塊5接收晶圓W送回載體11內部。
處理區塊5，具有BCT模組(下層膜形成模組)14、COT模組(光阻膜形成模組)15、TCT模組(上層膜形成模組)16以及DEV模組(顯影處理模組)17。該等模組，從底板側開始依照DEV模組17、BCT模組14、COT模組15、TCT模組16的順序並排。
BCT模組14，構成在晶圓W的表面上形成下層膜的構造。BCT模組14，內建了複數個塗布單元(圖中未顯示)、複數個熱處理單元(圖中未顯示)以及將晶圓W搬運到該等單元的搬運臂A2。塗布單元，構成對晶圓W的表面塗布下層膜形成用之塗布液的構造。熱處理單元，利用例如熱板將晶圓W加熱，並利用例如冷卻板將加熱後的晶圓W冷卻，構成進行熱處理的構造。關於在BCT模組14中所進行之熱處理的具體例，可舉出例如用來使塗布液硬化的加熱處理。
COT模組15，構成在下層膜上形成熱硬化性且感光性的光阻膜的構造。COT模組15，內建了複數個塗布單元U1、複數個熱處理單元U2以及將晶圓W搬運到該等單元的搬運臂A3(參照圖2以及圖3)。塗布單元(成膜處理裝置)U1，構成在下層膜之上塗布光阻膜形成用之塗布液(光阻)的構造。熱處理單元U2，利用例如熱板將晶圓W加熱，並利用例如冷卻板將加熱後的晶圓W冷卻，構成進行熱處理的構造。關於在COT模組15中所進行之熱處理的具體例，可舉出例如用來使塗布液硬化的加熱處理(PAB，Pre Applied Bake，預烤)。
TCT模組16，構成在光阻膜上形成上層膜的構造。TCT模組16，內建了複數個塗布單元(圖中未顯示)、複數個熱處理單元(圖中未顯示)以及將晶圓W搬運到該等單元的搬運臂A4。塗布單元，構成對晶圓W的表面塗布上層膜形成用之塗布液的構造。熱處理單元，利用例如熱板將晶圓W加熱，並利用例如冷卻板將加熱後的晶圓W冷卻，構成進行熱處理的構造。關於在TCT模組16中所進行之熱處理的具體例，可舉出例如用來使塗布液硬化的加熱處理。
DEV模組17，構成進行曝光後之光阻膜的顯影處理的構造。DEV模組17，內建了複數個顯影單元(圖中未顯示)、複數個熱處理單元(圖中未顯示)、將晶圓W搬運到該等單元的搬運臂A5以及以不經過該等單元的方式搬運晶圓W的直接搬運臂A6。顯影單元，構成將光阻膜部分除去並形成光阻圖案的構造。熱處理單元，利用例如熱板將晶圓W加熱，並利用例如冷卻板將加熱後的晶圓W冷卻，以進行熱處理。關於在DEV模組17中所進行之熱處理的具體例，可舉出例如顯影處理前的加熱處理(PEB，Post Exposure Bake，曝後烤)、顯影處理後的加熱處理(PB，Post Bake，硬烤)等。
在處理區塊5內的載置區塊4側設置了棚台單元U10(參照圖2以及圖3)。棚台單元U10，從底板設置到TCT模組16，並區劃出在上下方向上並排的複數個單位。在棚台單元U10的附近設置了升降臂A7。升降臂A7，使晶圓W在棚台單元U10的各單位之間升降。
在處理區塊5內的介面區塊6側設置了棚台單元U11(參照圖2以及圖3)。棚台單元U11，從底板設置到DEV模組17的上部，並區劃出在上下方向上並排的複數個單位。
介面區塊6，內建了傳遞臂A8，並與曝光裝置3連接。傳遞臂A8，構成將棚台單元U11的晶圓W取出傳遞到曝光裝置3，並從曝光裝置3接收晶圓W送回棚台單元U11的構造。
[塗布單元的構造] 接著，參照圖4以及圖5，針對塗布單元(液體塗布裝置)U1更進一步詳細進行説明。塗布單元U1，如圖4所示的，具備旋轉保持部20、液體供給系統S以及控制部100。
旋轉保持部20，具有旋轉部21與保持部23。旋轉部21，具有朝上方突出的軸部22。旋轉部21，以例如電動馬達等作為動力源使軸部22旋轉。保持部23，設置在軸部22的前端部。晶圓W水平配置在保持部23上。保持部23，利用例如吸附等方式將晶圓W保持大略水平。亦即，旋轉保持部20，在晶圓W的態勢大略為水平的狀態下，使晶圓W繞相對於晶圓W的表面垂直的軸(旋轉軸)旋轉。在第1實施態樣中，旋轉軸，由於通過呈圓形形狀的晶圓W的中心，故亦為中心軸。在第1實施態樣中，如圖4所示的，旋轉保持部20，若從上方觀察係使晶圓W繞順時鐘旋轉。
液體供給系統S，具有驅動部30與液體供給部40。驅動部30，構成驅動噴嘴N(吐出噴嘴)的構造。驅動部30，具有引導軌31、滑動塊32以及臂部33。引導軌31，在旋轉保持部20(晶圓W)的上方沿著水平方向延伸。滑動塊32，以可沿著引導軌31在水平方向上移動的方式，與引導軌31連接。臂部33，以可朝上下方向移動的方式，與滑動塊32連接。臂部33的下端，與噴嘴N連接。驅動部30，以例如電動馬達等作為動力源，使滑動塊32以及臂部33移動，進而使噴嘴N移動。在俯視下，噴嘴N，在與晶圓W的旋轉軸正交的直線上，沿著晶圓W的半徑方向移動。
液體供給部40，具有液體儲存部41、噴嘴N、供給管42、泵43、閥門44、流量感測器45(流量測定部)以及距離感測器46(距離測定部)。液體儲存部41儲存塗布液L(參照圖5)。噴嘴N，配置在保持部23所保持之晶圓W的上方。如圖5所示的，噴嘴N的吐出口Na朝向垂直下方。噴嘴N，利用供給管42與液體儲存部41連接，將液體儲存部41所供給之塗布液L往下方吐出，供給到表面Wa上。當塗布液L乾燥之後，便會在晶圓W的表面Wa形成塗布膜R(參照圖4)。
泵43，設置在供給管42的中途，從液體儲存部41對噴嘴N壓送塗布液L。閥門44，設置在供給管42的噴嘴N與泵43之間。閥門44，使來自噴嘴N的塗布液L的吐出開始或停止。塗布液L，係用來在晶圓W的表面Wa上形成塗布膜R的液體。關於塗布液L，可舉出例如用來形成光阻圖案的光阻液、用來將保護形成於晶圓W的表面Wa的電路的聚醯亞胺膜(保護膜)形成在表面Wa上的聚醯亞胺液、用來形成反射防止膜 [例如下層反射防止塗布(BARC)膜、含矽反射防止塗布(SiARC)膜] 的液體、用來形成SOG(Spin on Glass，旋塗式玻璃)膜的液體、用來形成下層膜的液體、接合劑、用來形成透鏡材料的液體等。光阻液，可為正型，亦可為負型。關於光阻液，可舉出例如利用ArF準分子雷射光曝光的ArF光阻液、利用KrF準分子雷射光曝光的KrF光阻液、利用中波長紫外線(Mid－UV，MUV)曝光的MUV光阻液、含有顔料的彩色光阻液。彩色光阻液，用於例如濾色器等的製造。關於接合劑，可舉出例如：目的為以兩接合對象物之間不會剝離的方式將兩者貼合的強力接合型、目的為將兩接合對象物之間暫時性貼合後再剝離的暫時接合型。塗布液L的粘度的下限，例如可為1cp，亦可為200cp，或者亦可為1000cp。塗布液L的粘度的上限，例如可為8000cp。在以上所例示的塗布液L之中，例如，ArF光阻液、KrF光阻液、MUV光阻液、用來形成SOG膜的液體、用來形成BARC膜的液體以及用來形成下層膜的液體，一般而言粘度在1cp～200cp左右，可被分類為低粘度材料。在以上所例示的塗布液L之中，例如，正型光阻、負型光阻、聚醯亞胺液、接合劑、彩色光阻液以及用來形成透鏡材料的液體，一般而言粘度在200cp～8000cp左右，可被分類為高粘度材料。以上，係針對塗布液L列舉出各種例子，惟在本實施態樣中，以粘度在200cp以上的高粘度材料作為塗布液L，為較佳的態樣。
流量感測器45，設置在供給管42的泵43與閥門44之間。流量感測器45，測定流過供給管42的塗布液L的流量，亦即從噴嘴N吐出之前的塗布液L的流量。亦即，在該態樣中，塗布液L吐出中的噴嘴N的物理量，為從噴嘴N吐出之前的塗布液L的流量。距離感測器46，測定在噴嘴N位於晶圓W的表面Wa的上方時，噴嘴N的吐出口的相對於晶圓W的表面Wa的高度位置，亦即，噴嘴N的吐出口與晶圓W的表面Wa之間的間隔距離(間距)G(參照圖5)。距離感測器46，亦可使用例如雷射位移計。
控制部100，如圖4所示的，係由一個或複數個控制用電腦所構成，控制塗布單元U1。控制部100，具有顯示控制條件的設定畫面的顯示部(圖中未顯示)、輸入控制條件的輸入部(圖中未顯示)以及從電腦可讀取記錄媒體讀取程式的讀取部(圖中未顯示)。記錄媒體，記錄了用來使塗布單元U1實行成膜處理方法的程式。該程式被控制部100的讀取部所讀取。記錄媒體，亦可為例如半導體記憶體、光學記錄碟片、磁性記錄碟片、磁光學記錄碟片。控制部100，因應輸入到輸入部的控制條件以及讀取部所讀取到的程式控制塗布單元U1。
[控制部的功能區塊] 接著，參照圖6，針對控制部100執行程式所實現之功能進行説明。以下，由程式的執行所實現的各個功能稱為「功能區塊」。因此，功能區塊，為並非物理上實際存在的假想性構成要件。控制部100，具有旋轉控制部101、驅動控制部102、吐出控制部103以及處理部104作為功能區塊。
旋轉控制部101，以使晶圓W用既定的轉速旋轉的方式，控制旋轉部21。具體而言，旋轉控制部101，以噴嘴N在晶圓W的表面Wa上的塗布液L的吐出位置P(參照圖5)越靠晶圓W的周緣側晶圓W的轉速越小的方式，控制旋轉部21。亦即，吐出位置P位於晶圓W的旋轉軸附近時的晶圓W的轉速，比吐出位置P位於晶圓W的周緣側時的晶圓W的轉速更大。旋轉控制部101，以晶圓W的中心(旋轉軸)到吐出位置P的距離與在該吐出位置P的轉速的乘積所求出的線速度為固定的方式，控制旋轉部21。
驅動控制部102，以噴嘴N在旋轉軸與晶圓W的周緣部位之間沿著晶圓W的表面Wa朝既定方向(水平方向)移動的方式，控制滑動塊32。驅動控制部102，可使噴嘴N在晶圓W的中心部位向晶圓W的周緣部位的方向上移動，亦可使噴嘴N在晶圓W的周緣部位向晶圓W的中心部位的方向上移動，或者亦可使噴嘴N在晶圓W的周緣部位通過晶圓W的中心部位並再度向晶圓W的周緣部位的方向上移動。
驅動控制部102，以使噴嘴N沿著垂直方向上升或下降的方式，控制臂部33。藉此，噴嘴N的吐出口Na接近或遠離晶圓W的表面Wa，使間距G改變。
吐出控制部103，以使塗布液L從噴嘴N的吐出口Na吐出的方式，控制泵43以及閥門44。亦即，吐出控制部103，控制噴嘴N的塗布液L的ON／OFF。當旋轉控制部101使晶圓W旋轉，且驅動控制部102使噴嘴N在晶圓W的表面Wa的上方朝水平方向移動時，若吐出控制部103使塗布液L從噴嘴N吐出到晶圓W的表面Wa上，則如圖7所示的，在晶圓W的表面Wa上塗布液L會被塗布成螺旋狀。另外，在圖7中，實線表示塗布液L已塗布之部分，一點鏈線表示塗布液L接下來將要塗布的部分。塗布晶圓W的整個表面Wa所需要的時間，會根據晶圓W的大小而變化，例如在10秒～300秒。
處理部104，接收流量感測器45所測定到的流量以及距離感測器46所測定到的間距G作為資料。處理部104，根據該等資料，控制旋轉控制部101或是驅動控制部102。
在此，參照圖8説明間距G與噴嘴N的塗布液L的吐出流量(以下簡稱為「吐出流量」)的關係。圖8的各點，係表示以流量感測器45測定僅改變間距G時的吐出流量的結果。如圖8所示的，各點的分布存在正相關。因此，藉由以吐出流量成為既定目標値的方式進行控制，便可將間距G控制為固定。另外，圖8中的虛線，為各點的一次近似直線。
根據以上所述， 當流量感測器45所測定到的流量比目標値更大時，間距G會比所期望的値更大，故處理部104對驅動控制部102輸出使臂部33下降的指示。藉此，噴嘴N接近晶圓W的表面Wa，間距G變小。另一方面，當流量感測器45所測定到的流量比目標値更小時，間距G會比所期望的値更小，故處理部104對驅動控制部102輸出使臂部33上升的指示。藉此，噴嘴N遠離晶圓W的表面Wa，間距G變大。
另外，參照圖9説明間距G與形成於晶圓W的表面Wa的塗布膜R的膜厚(以下簡稱為「膜厚」)的關係。圖9的各點，係表示以膜厚測定感測器測定僅改變間距G時的膜厚的結果。如圖9所示的，間距G與膜厚之間，存在間距G越大膜厚越厚的正相關。在圖9中，虛線所示之直線，為關於圖9的各點的近似直線(迴歸直線)。
藉由該等功能構造，第1實施態樣之控制部100，實行以下的控制：當旋轉保持部20使晶圓W旋轉時，驅動部30使噴嘴N在旋轉軸與晶圓W的周緣部位之間沿著晶圓W的表面Wa朝既定方向移動，同時液體供給部40使塗布液L從噴嘴N吐出，藉此在晶圓W的表面Wa上將塗布液L塗布成螺旋狀；旋轉保持部20以在晶圓W的表面Wa上噴嘴N的塗布液L的吐出位置P越靠晶圓W的周緣側晶圓W的轉速越小的方式使晶圓W旋轉，藉以使吐出位置P的線速度大略為固定；以及驅動部30以使噴嘴N的吐出口Na與晶圓W的表面Wa之間的間距G變化的方式使噴嘴N升降，藉以使噴嘴N所吐出之塗布液L的吐出流量大略為固定之大小。
[塗布顯影裝置的動作] 接著，針對塗布顯影裝置2的動作的概要進行説明。塗布顯影裝置2依照以下的順序實行塗布顯影處理。首先，塗布顯影裝置2，在晶圓W的表面上形成下層膜、光阻膜以及上層膜。塗布顯影裝置2的各構成要件依照以下的方式動作。亦即，傳遞臂A1將載體11內的晶圓W搬運到棚台單元U10。升降臂A7將該晶圓W配置在BCT模組14用的單位，搬運臂A2將該晶圓W搬運到BCT模組14內的各單元。塗布單元，在表面上塗布下層膜形成用的塗布液。熱處理單元，進行用來使塗布液硬化的加熱處理等。
在下層膜的形成步驟結束之後，搬運臂A2將晶圓W送回棚台單元U10。升降臂A7將該晶圓W配置在COT模組15用的單位，搬運臂A3將該晶圓W搬運到COT模組15內的各單元。塗布單元U1，在表面上塗布光阻劑(塗布液L)。此時，控制部100的各功能區塊運作，在晶圓W的表面Wa上將光阻(塗布液L)塗布成螺旋狀，且光阻(塗布液L)以大略固定的吐出流量從噴嘴N吐出。熱處理單元U2，進行用來使光阻硬化的加熱處理(PAB)等。
在光阻膜的形成步驟結束之後，搬運臂A3將晶圓W送回棚台單元U10。升降臂A7將該晶圓W配置在TCT模組16用的單位，搬運臂A4將該晶圓W搬運到TCT模組16內的各單元。塗布單元，在表面上塗布上層膜形成用的塗布液。熱處理單元，進行用來使塗布液硬化的加熱處理等。在上層膜的形成步驟結束之後，搬運臂A4將晶圓W送回棚台單元U10。
接著，塗布顯影裝置2，將晶圓W送到曝光裝置3。塗布顯影裝置2的各構成要件依照以下的方式動作。亦即，被搬運臂A4送回棚台單元U10的晶圓W，升降臂A7將其配置在DEV模組17用的單位，直接搬運臂A6將其搬運到棚台單元U11。傳遞臂A8將該晶圓W送到曝光裝置3。在曝光裝置3的曝光處理結束之後，傳遞臂A8從曝光裝置3接收晶圓W，並將其送回棚台單元U11。
接著，塗布顯影裝置2進行光阻膜的顯影處理。塗布顯影裝置2的各構成要件依照以下的方式動作。亦即，搬運臂A5，將棚台單元U11的晶圓W搬運到DEV模組17內的熱處理單元。熱處理單元，進行晶圓W的加熱處理(PEB)。在PEB完成之後，搬運臂A5，將晶圓W搬運到顯影單元。顯影單元，對晶圓W的表面供給顯影液以及清洗液，藉此進行光阻膜的顯影處理。在顯影處理完成之後，搬運臂A5將晶圓W再度搬運到熱處理單元。熱處理單元，進行晶圓W的加熱處理(PB)。在PB完成之後，搬運臂A5，將晶圓W搬運到棚台單元U10。升降臂A7將該晶圓W配置在傳遞用的單位，傳遞臂A1將該晶圓W送回載體11內。以上，塗布顯影處理結束。
以上的第1實施態樣，使吐出位置P的線速度大略固定，同時使噴嘴N的吐出口Na與晶圓W的表面Wa之間的間距G變化，藉以使塗布液L的吐出流量大略為固定之大小。因此，無論在哪個吐出位置P，所吐出之塗布液L的量均大略相同。除此之外，第1實施態樣，在晶圓W的表面Wa上將塗布液L塗布成螺旋狀。因此，從噴嘴N所吐出之塗布液L，不易在晶圓W的表面Wa上互相疊合。根據以上所述，在晶圓W的整個表面Wa上，塗布液L塗布在晶圓W的表面Wa上所形成之塗布膜R的膜厚大略均勻一致。而且，噴嘴N的吐出口Na與晶圓W的表面Wa之間的間距G可在對晶圓W的表面Wa吐出塗布液L時即時地改變，故不考慮移送時所產生之基板的態勢的變化也無所謂。結果，便可達到使形成於晶圓W的表面Wa的塗布膜R的膜厚更加均勻一致之目的。尤其，當塗布液L為光阻時，藉由在晶圓W的表面Wa上形成膜厚大略均勻一致的光阻膜，便可使該光阻膜大略均勻一致地受到曝光以及顯影，進而獲得所期望的光阻圖案。
在第1實施態樣中，根據流量感測器45所測定到的流量，驅動部30以使噴嘴N的吐出口Na與晶圓W的表面Wa之間的間距G變化的方式使噴嘴N升降。因此，藉由以流量感測器45所測定到之流量接近既定大小的方式進行回饋控制，便可在短時間內確實地使噴嘴N的吐出口Na與晶圓W的表面Wa之間的間距G變化。尤其，考慮到在驅動部30驅動噴嘴N時噴嘴N上下振動使膜厚發生變動的情況，若根據使用流量感測器45的回饋控制，便可追蹤該等振動並控制間距G。
＜第2實施態樣＞ 針對第2實施態樣，一邊參照圖10～圖12，一邊以與第1實施態樣不同之點為中心進行説明。
基板處理系統1，除了塗布單元U1之外，更具備測定單元U3。塗布單元U1，除了不具有距離感測器46此點以外，其他均與第1實施態樣相同。
測定單元U3，構成可測定晶圓W的面內形狀的構造。測定單元U3，可與塗布單元U1同樣內建於COT模組15內，惟亦可配置在基板處理系統1內的任何位置。測定單元U3，如圖10所示的，具有旋轉保持部20與驅動部50。旋轉保持部20的構造，與第1實施態樣相同。
驅動部50，構成可驅動距離感測器46的構造。驅動部50，具有引導軌51、滑動塊52以及臂部53。引導軌51，在旋轉保持部20(晶圓W)的上方沿著水平方向延伸。滑動塊52，以可沿著引導軌51朝水平方向移動的方式，與引導軌51連接。臂部53，以向下方延伸的方式，與滑動塊52連接。臂部53的下端，與距離感測器46連接。驅動部50，以例如電動馬達等作為動力源，使滑動塊52移動，進而使距離感測器46移動。在俯視下，距離感測器46，在與晶圓W的旋轉軸正交的直線上，沿著晶圓W的半徑方向移動。藉此，利用距離感測器46，測定晶圓W的表面Wa的高度位置。
測定單元U3的旋轉保持部20以及驅動部50，被塗布單元U1的控制部100所控制。控制部100，如圖11所示的，其驅動控制部102更控制了滑動塊52此點，以及處理部104根據距離感測器46的輸入進行處理此點，與第1實施態樣不同。亦可測定單元U3更具有控制部，且測定單元U3的控制部與塗布單元U1的控制部100一邊彼此進行通信一邊進行測定單元U3以及塗布單元U1的控制。亦可塗布單元U1不具有控制部100，並利用設置在塗布單元U1以及測定單元U3的外部的控制部，控制塗布單元U1以及測定單元U3雙方。亦即，控制塗布單元U1以及測定單元U3的控制部的數目以及設置位置，並無特別限定。
旋轉控制部101，控制塗布單元U1以及測定單元U3各自的旋轉部21。驅動控制部102，以使距離感測器46在旋轉軸與晶圓W的周緣部位之間沿著晶圓W的表面Wa朝既定方向(水平方向)移動的方式，控制滑動塊52。
處理部104，分別接收距離感測器46所測定到的晶圓W的表面Wa的高度位置，以及測定到各個高度位置的距離感測器46在水平面上的位置座標，作為高度位置資料以及位置座標資料。處理部104，使高度位置資料與位置座標資料互相對應，並取得將晶圓W的表面Wa的高度位置立體化的資料(面內形狀資料)。處理部104，根據面內形狀資料，控制旋轉控制部101或是驅動控制部102。
根據以上的功能構造，第2實施態樣之控制部100，實行以下的處理：當旋轉保持部20使晶圓W旋轉時，驅動部30使噴嘴N在旋轉軸與晶圓W的周緣部位之間沿著晶圓W的表面Wa朝既定的方向移動，同時液體供給部40使塗布液L從噴嘴N吐出，藉此在晶圓W的表面Wa上將塗布液L塗布成螺旋狀的處理；旋轉保持部20以在晶圓W的表面Wa上噴嘴N的塗布液L的吐出位置越靠晶圓W的周緣側晶圓W的轉速越小的方式使晶圓W旋轉，藉以使吐出位置P的線速度大略為固定的處理；以及驅動部30以根據預先取得之晶圓W的表面Wa的面內形狀使噴嘴N的吐出口Na相對於晶圓W的表面Wa的高度位置變化的方式使噴嘴N升降，藉以使噴嘴N所吐出之塗布液L的吐出流量大略為固定之大小的處理。
接著，針對塗布單元U1以及測定單元U3的動作的概要，參照圖12進行説明。首先，利用既定的搬運臂，將晶圓W搬運到測定單元U3內。在晶圓W被保持於測定單元U3的保持部23之後，控制部100的旋轉控制部101以及驅動控制部102開始動作，進行使晶圓W旋轉的處理，以及使距離感測器46移動的處理 [參照圖12的(a)]。像這樣，在高度位置資料以及位置座標資料從距離感測器46發送到處理部104之後，控制部100的處理部104開始動作，進行取得晶圓W的表面Wa的面內形狀資料的處理 [參照圖12的(b)]。在圖12的(b)中，例如，顏色越濃表示晶圓W的表面Wa的高度位置越低，顏色越淡表示晶圓W的表面Wa的高度位置越高。亦即，在圖12的(b)所示之例中，於保持部23所保持之晶圓W的中心部位，晶圓W的表面Wa的高度位置較低。換言之，保持部23所保持之晶圓W，呈現越向晶圓W的中心部位越向下方凹陷的盆缽形狀(basin shape)。
接著，利用既定的搬運臂，將晶圓W搬運到塗布單元U1內。塗布單元U1，根據在測定單元U3中所預先取得的面內形狀資料，以晶圓W的表面Wa與噴嘴N的吐出口Na之間的間距G大略為固定的方式，利用驅動控制部102透過臂部33控制噴嘴N的吐出口Na的高度位置，同時在晶圓W的表面Wa上塗布塗布液L [參照圖12的(c)]。
使間距G大略為固定的控制，具體而言，依照以下的方式進行。參照處理部104所記憶之面內形狀資料，並讀取對應噴嘴N在水平面上的位置座標的晶圓W的表面Wa的高度位置資料Hw。處理部104，將設定成既定値的間距G的大小Hg與高度位置資料Hw相加，算出噴嘴N的吐出口Na的高度位置Hn(Hn＝Hw＋Hg)。驅動控制部102，控制臂部33，使噴嘴N的吐出口Na位於高度位置Hn。藉此，以間距G大略為固定之大小Hg的方式，控制噴嘴N的吐出口Na的高度。
以上的第2實施態樣，使吐出位置P的線速度大略為固定，同時使噴嘴N的吐出口Na相對於晶圓W的表面Wa的高度位置，根據預先取得之晶圓W的表面Wa的面內形狀變化，藉以使晶圓W的表面Wa與噴嘴N的吐出口Na之間的間距G大略為固定之大小。因此，無論在哪個吐出位置P，所吐出之塗布液L的量均大略相同。除此之外，第2實施態樣，在晶圓W的表面Wa上將塗布液L塗布成螺旋狀。因此，從噴嘴N所吐出之塗布液L，不易在晶圓W的表面Wa上互相疊合。根據以上所述，在晶圓W的整個表面Wa上，塗布液L塗布在晶圓W的表面Wa上所形成之塗布膜R的膜厚大略均勻一致。
在第2實施態樣中，面內形狀的測定，係在與進行塗布處理的處理室(亦即塗布單元U1)不同的另一處理室(測定單元U3)內，在塗布處理之前進行。因此，塗布處理與面內形狀的測定處理可在不同的處理室內同時進行。因此，可縮短整體的處理時間。
＜第3實施態樣＞ 針對第3實施態樣，一邊參照圖11～圖13，一邊以與第1實施態樣相異之點為中心進行説明。
塗布單元U1，如圖13所示的，在更具有驅動部50此點與第1實施態樣不同。驅動部50，構成驅動距離感測器46的構造。驅動部50，具有引導軌51、滑動塊52以及臂部53。引導軌51，在旋轉保持部20(晶圓W)的上方沿著水平方向延伸。滑動塊52，以可沿著引導軌51朝水平方向移動的方式，與引導軌51連接。臂部33，以向下方延伸的方式，與滑動塊52連接。臂部53的下端，與距離感測器46連接。驅動部50，以例如電動馬達等作為動力源，使滑動塊52移動，進而使距離感測器46移動。在俯視下，距離感測器46，在與晶圓W的旋轉軸正交的直線上，沿著晶圓W的半徑方向移動。藉此，利用距離感測器46，測定晶圓W的表面Wa的高度位置。像這樣，在第3實施態樣中，噴嘴N以及距離感測器46各自可藉由驅動部30、50而獨立移動。
控制部100，如圖11所示的，在驅動控制部102更控制了滑動塊52此點，以及處理部104根據距離感測器46的輸入進行處理此點，與第1實施態樣不同。驅動控制部102，以使距離感測器46在旋轉軸與晶圓W的周緣部位之間沿著晶圓W的表面Wa朝既定方向(水平方向)移動的方式，控制滑動塊52。
處理部104，分別接收距離感測器46所測定到的晶圓W的表面Wa的高度位置，以及測定到各個高度位置的距離感測器46在水平面上的位置座標，作為高度位置資料以及位置座標資料。處理部104，使高度位置資料與位置座標資料互相對應，並取得將晶圓W的表面Wa的高度位置立體化的資料(面內形狀資料)。處理部104，根據面內形狀資料，控制旋轉控制部101或是驅動控制部102。
根據以上的功能構造，第3實施態樣之控制部100，實行以下的處理：當旋轉保持部20使晶圓W旋轉時，驅動部30使噴嘴N在旋轉軸與晶圓W的周緣部位之間沿著晶圓W的表面Wa朝既定的方向移動，同時液體供給部40使塗布液L從噴嘴N吐出，藉此在晶圓W的表面Wa上將塗布液L塗布成螺旋狀的處理；旋轉保持部20以在晶圓W的表面Wa上噴嘴N的塗布液L的吐出位置越靠晶圓W的周緣側晶圓W的轉速越小的方式使晶圓W旋轉，藉以使吐出位置P的線速度大略為固定的處理；以及驅動部30以根據預先取得之晶圓W的表面Wa的面內形狀使噴嘴N的吐出口Na相對於晶圓W的表面Wa的高度位置變化的方式使噴嘴N升降，藉以使噴嘴N所吐出之塗布液L的吐出流量大略為固定之大小的處理。
接著，針對塗布單元U1的動作的概要，參照圖12進行説明。首先，利用既定的搬運臂，將晶圓W搬運到塗布單元U1內。在晶圓W被保持於塗布單元U1的保持部23之後，控制部100的旋轉控制部101以及驅動控制部102開始動作，進行使晶圓W旋轉的處理，以及使距離感測器46移動的處理 [參照圖12的(a)]。像這樣，在高度位置資料以及位置座標資料從距離感測器46發送到處理部104之後，控制部100的處理部104開始動作，進行取得晶圓W的表面Wa的面內形狀資料的處理 [參照圖12的(b)]。接著，根據預先取得之面內形狀資料，以晶圓W的表面Wa與噴嘴N的吐出口Na之間的間距G大略為固定的方式，利用驅動控制部102透過臂部33控制噴嘴N的吐出口Na的高度位置，同時在晶圓W的表面Wa上塗布塗布液L [參照圖12的(c)]。使間距G大略為固定的控制，與第2實施態樣相同。
以上的第3實施態樣，使吐出位置P的線速度大略為固定，同時使噴嘴N的吐出口Na相對於晶圓W的表面Wa的高度位置，根據預先取得之晶圓W的表面Wa的面內形狀變化，藉以使晶圓W的表面Wa與噴嘴N的吐出口Na之間的間距G大略為固定的大小。因此，無論在哪個吐出位置P，所吐出之塗布液L的量均大略相同。除此之外，第3實施態樣，在晶圓W的表面Wa上將塗布液L塗布成螺旋狀。因此，從噴嘴N所吐出之塗布液L，不易在晶圓W的表面Wa上互相疊合。根據以上所述，在晶圓W的整個表面Wa上，塗布液L塗布在晶圓W的表面Wa上所形成之塗布膜R的膜厚大略均勻一致。
在第3實施態樣中，面內形狀的測定，在進行塗布處理的處理室(亦即塗布單元U1)內，在塗布處理之前進行。因此，塗布處理與面內形狀的測定處理在同一處理室內進行。因此，由於無須設置對應各處理的處理室，故可達到使基板處理系統1小型化之目的。
＜第4實施態樣＞ 針對第4實施態樣，一邊參照圖11、圖14～圖16，一邊以與第1實施態樣相異之點為中心進行説明。
塗布單元U1，如圖14以及圖15所示的，取代驅動部30而具有驅動部60此點與第1實施態樣不同。驅動部60，為液體供給系統S所包含。驅動部60，具有引導軌61、滑動塊62、支持臂部63、旋轉頭64、臂部65、66。
引導軌61，在與晶圓W於垂直方向上不重疊的位置，沿著水平方向延伸。引導軌61，位於比旋轉保持部20所保持之晶圓W更上方的位置。滑動塊62，以可沿著引導軌61朝水平方向移動的方式，與引導軌61連接。支持臂部63，從滑動塊62向旋轉保持部20側，沿著水平方向延伸。支持臂部63的基端，與滑動塊62連接。
旋轉頭64，與支持臂部63的前端連接。旋轉頭64，構成可繞垂直軸Ax旋轉的構造。臂部65，以可朝上下方向移動的方式，與旋轉頭64連接。臂部65的下端，與噴嘴N連接。臂部66，以向下方延伸的方式，與旋轉頭64連接。臂部66的下端，與距離感測器46連接。
噴嘴N以及距離感測器46，隨著旋轉頭64的旋轉而旋轉。噴嘴N以及距離感測器46，隨著滑動塊62的水平移動，而透過支持臂部63以及旋轉頭64水平移動。噴嘴N以及距離感測器46由於不會相對於旋轉頭64朝水平方向移動，故兩者在水平方向上的間隔距離保持固定。
驅動部30，以例如電動馬達等作為動力源，使滑動塊62、旋轉頭64以及臂部65移動，進而使噴嘴N以及距離感測器46移動。在俯視下，噴嘴N以及距離感測器46，在與晶圓W的旋轉軸正交的直線上，沿著晶圓W的半徑方向移動。
控制部100，如圖16所示的，在驅動控制部102控制滑動塊62、旋轉頭64以及臂部65此點，以及處理部104根據距離感測器46的輸入進行處理此點，與第1實施態樣不同。驅動控制部102，以滑動塊62沿著引導軌61朝水平方向移動的方式，控制滑動塊62。驅動控制部102，以旋轉頭64相對於支持臂部63繞垂直軸Ax旋轉的方式，控制旋轉頭64。驅動控制部102，以使噴嘴N沿著垂直方向上升或是下降的方式，控制臂部65。藉此，噴嘴N的吐出口Na接近或是遠離晶圓W的表面Wa，使間距G改變。
處理部104，分別接收距離感測器46所測定到的晶圓W的表面Wa的高度位置，以及測定到各個高度位置的距離感測器46在水平面上的位置座標，作為高度位置資料以及位置座標資料。處理部104，使高度位置資料與位置座標資料互相對應，並取得將晶圓W的表面Wa的高度位置立體化的資料(面內形狀資料)。處理部104，根據面內形狀資料，控制旋轉控制部101或是驅動控制部102。
根據以上的功能構造，第4實施態樣之控制部100，實行以下的處理：當旋轉保持部20使晶圓W旋轉時，驅動部30使噴嘴N在旋轉軸與晶圓W的周緣部位之間沿著晶圓W的表面Wa朝既定的方向移動，同時液體供給部40使塗布液L從噴嘴N吐出，藉此在晶圓W的表面Wa上將塗布液L塗布成螺旋狀的處理；旋轉保持部20以在晶圓W的表面Wa上噴嘴N的塗布液L的吐出位置越靠晶圓W的周緣側晶圓W的轉速越小的方式使晶圓W旋轉，藉以使吐出位置P的線速度大略為固定的處理；以及驅動部30以根據預先取得之晶圓W的表面Wa的面內形狀使噴嘴N的吐出口Na相對於晶圓W的表面Wa的高度位置變化的方式使噴嘴N升降，藉以使噴嘴N所吐出之塗布液L的吐出流量大略為固定之大小的處理。
接著，針對塗布單元U1的動作的概要，參照圖15進行説明。首先，利用既定的搬運臂，將晶圓W搬運到塗布單元U1內。在晶圓W被保持於塗布單元U1的保持部23之後，控制部100的旋轉控制部101以及驅動控制部102開始動作，進行使晶圓W旋轉的處理，以及使距離感測器46以及噴嘴N移動的處理。具體而言，針對晶圓W的中心部位的既定區域使用距離感測器46取得面內形狀資料，並根據針對該區域所預先取得之面內形狀資料從噴嘴N對該區域塗布塗布液L。在比該區域更外側(周緣側)，如在圖15中以2點鏈線所表示的，以噴嘴N相對於晶圓W的表面Wa的掃描軌道與距離感測器46相對於晶圓W的表面Wa的掃描軌道大略一致的方式使旋轉頭64旋轉，同時利用滑動塊62使旋轉頭64向晶圓W的周緣側移動。藉此，(1)針對晶圓W的表面Wa取得面內形狀資料；(2)根據所取得之該面內形狀資料，以晶圓W的表面Wa與噴嘴N的吐出口Na之間的間距G大略為固定的方式，控制噴嘴N的吐出口Na的高度位置；以及(3)在晶圓W的表面Wa上塗布塗布液L；此3點大略同時進行。使間距G大略為固定的控制，與第2實施態樣相同。另外，以距離感測器46比噴嘴N跑在更前面的方式，設定晶圓W的旋轉方向或旋轉頭64相對於支持臂部63的傾斜度。
以上的第4實施態樣，使吐出位置P的線速度大略為固定，同時使噴嘴N的吐出口Na相對於晶圓W的表面Wa的高度位置，根據預先取得之晶圓W的表面Wa的面內形狀變化，藉以使晶圓W的表面Wa與噴嘴N的吐出口Na之間的間距G大略為固定之大小。因此，無論在哪個吐出位置P，所吐出之塗布液L的量均大略相同。除此之外，第4實施態樣，在晶圓W的表面Wa上將塗布液L塗布成螺旋狀。因此，從噴嘴N所吐出之塗布液L，不易在晶圓W的表面Wa上互相疊合。根據以上所述，在晶圓W的整個表面Wa上，塗布液L塗布在晶圓W的表面Wa上所形成之塗布膜R的膜厚大略均勻一致。
第4實施態樣，在塗布處理中，以將距離感測器46與噴嘴N之間的間隔距離保持固定，同時使噴嘴N通過距離感測器46相對於晶圓W的表面Wa的掃描軌道上的方式，使距離感測器46以及噴嘴N移動。因此，在晶圓W的表面Wa上當噴嘴N通過距離感測器46所通過之位置時，兩者在通過地點的線速度大略為相等。因此，距離感測器46所取得之面內形狀資料可不經過修正等而就這樣使用，故控制噴嘴N的高度位置時的計算(資料處理)變得更簡單，同時能夠以良好的精度調節間距G。
＜其他的實施態樣＞ 以上，係針對本發明的實施態樣詳細進行説明，惟亦可在本發明的發明精神的範圍內對上述的實施態樣加入各種變化態樣。例如，在第1實施態樣中，液體供給部40亦可取代流量感測器45而具有負載單位(反作用力測定部)47。負載單位47，如圖17所示的，配置在噴嘴N與臂部33之間。負載單位47，在噴嘴N對晶圓W的表面Wa吐出塗布液L時，測定噴嘴N經由塗布液L從晶圓W的表面Wa所受到之反作用力的大小。亦即，在該態樣中，塗布液L吐出中的噴嘴N的物理量，為噴嘴N經由塗布液L從晶圓W的表面Wa所受到之反作用力的大小。
另外，塗布液L從噴嘴N的吐出口Na與晶圓W的表面Wa之間的間隙流出的速度，與在吐出位置P晶圓W的表面Wa因為噴嘴N吐出之塗布液L所受到之壓力的0.5倍成正比。由於噴嘴N經由塗布液L從晶圓W的表面Wa所受到之反作用力的大小，因應在吐出位置P晶圓W的表面Wa因為噴嘴N吐出之塗布液L所受到之壓力的大小而變化，故藉由以負載單位47所測定到之反作用力的大小成為既定目標値的方式進行控制，便可間接地控制噴嘴N的塗布液L的吐出流量。結果，藉由以負載單位47所測定到之反作用力的大小成為既定目標値的方式進行控制，便可將間距G控制為固定。
根據以上所述，處理部104，在負載單位47所測定到之反作用力比目標値更大時，可知吐出流量較大，且間距G比所期望的値更大，故對驅動控制部102輸出使臂部33下降的指示。藉此，噴嘴N接近晶圓W的表面Wa，使間距G縮小。另一方面，處理部104，在負載單位47所測定到之反作用力比目標値更小時，可知吐出流量較小，且間距G比所期望的値更小，故對驅動控制部102輸出使臂部33上升的指示。藉此，噴嘴N遠離晶圓W的表面Wa，使間距G變大。
此時亦同，以負載單位47所測定到之反作用力接近既定大小的方式進行回饋控制，藉此便可與使用流量感測器45的情況同樣，在短時間內確實地使噴嘴N的吐出口Na與晶圓W的表面Wa之間的間距G變化。尤其，考慮到驅動部30驅動噴嘴N時噴嘴N上下振動導致膜厚發生變動，若根據使用負載單位47的回饋控制，便可追蹤該等振動並控制間距G。
在第1實施態樣中，液體供給部40亦可不具備流量感測器45，而如圖18所示的，在噴嘴N與臂部33之間配置彈性體48。作為彈性體48的一例，可舉出例如彈簧。彈性體48，在噴嘴N對晶圓W的表面Wa吐出塗布液L時，因應噴嘴N透過塗布液L從晶圓W的表面Wa所受到之反作用力，使噴嘴N的吐出口Na與晶圓W的表面Wa之間的間距G變化。亦即，在本態樣中，塗布液L吐出中的噴嘴N的物理量，為噴嘴N透過塗布液L從晶圓W的表面Wa所受到之反作用力的大小。
具體而言，當噴嘴N所受到之反作用力變大時，彈性體48也會受到較大的力量作用，彈性體48會收縮，惟彈性體48的彈性力(復原力)會將噴嘴N向晶圓W的表面Wa推出。藉此，噴嘴N接近晶圓W的表面Wa，故間距G變小。另一方面，當噴嘴N所受到的反作用力變小時，作用於彈性體48的力量變小，彈性體48會伸長，惟彈性體48的復原力會使噴嘴N接近臂部33。藉此，噴嘴N遠離晶圓W的表面Wa，故間距G變大。
此時亦同，由於彈性體48產生對應噴嘴N所受到之反作用力的復原力，故藉由該復原力作用於噴嘴N，便可與使用流量感測器45的情況同樣，在短時間內確實地使噴嘴N的吐出口Na與晶圓W的表面Wa之間的間距G變化。尤其，考慮到驅動部30驅動噴嘴N時噴嘴N上下振動導致膜厚發生變動，若根據使用彈性體48的態樣，便可追蹤該等振動並控制間距G。
當欲在晶圓W的表面Wa上將塗布液L塗布成螺旋狀，而使噴嘴N在從晶圓W的周緣部位向晶圓W的中心部位的方向上移動時，根據使噴嘴N的塗布液L的吐出停止的精度，晶圓W的中心部位的膜厚有可能會與其他區域的膜厚不同。因此，在上述各實施態樣中，亦可使噴嘴N在從晶圓W的周緣部位向晶圓W的中心部位的方向上移動，並在噴嘴N到達晶圓W的中心之後，使噴嘴N向晶圓W的周緣部位移動。此時，由於在晶圓W的中心部位仍從噴嘴N持續吐出塗布液L，故可使形成於晶圓W的表面Wa的塗布膜R的膜厚更加均勻一致。另外，此時，會變成對晶圓W的表面Wa來回地塗布塗布液L。
在上述各實施態樣中，控制部100，係進行使吐出位置P的線速度大略為固定的處理，惟並不一定要進行使線速度大略為固定的處理也無所謂。使線速度大略為固定雖可令塗布膜R的膜厚更加均勻一致，惟即使在不使線速度大略為固定的情況下亦可令塗布膜R的膜厚達到某種程度的均勻一致。
在第2實施態樣以及第3實施態樣中，面內形狀的測定時的距離感測器46的移動速度，與塗布處理時的噴嘴N的移動速度，亦可設定成大略相等。在第2實施態樣以及第3實施態樣中，在面內形狀的測定時與塗布處理時晶圓W的旋轉速度亦可設定成大略相等。亦即，在晶圓W的表面Wa上的距離感測器46的掃描軌道，與在晶圓W的表面Wa上的噴嘴N的掃描軌道，亦可大略一致。此時，由於無須考慮距離感測器46的移動速度、晶圓W的移動速度以及晶圓W的旋轉速度的變動量修正面內形狀資料，故控制噴嘴N的高度位置時的計算(資料處理)變得更簡單。另外，在面內形狀的測定以及塗布處理的進行期間，噴嘴N與距離感測器46的間隔距離，可保持固定，亦可有所變化。
第3實施態樣，係在針對晶圓W的整個表面Wa取得面內形狀資料之後，在晶圓W的表面Wa上塗布塗布液L，惟亦可取代該態樣，而一邊針對晶圓W的表面Wa取得面內形狀資料，一邊在晶圓W的表面Wa上塗布塗布液L。亦即，亦可對晶圓W的表面Wa之中已取得面內形狀資料的區域，塗布塗布液L。此時，由於在起因於晶圓W的表面Wa的面內形狀的變化而間距G發生變動之前進行前饋控制，故可將間距G維持在大略固定之大小。因此，由於無須在進行塗布處理之前測定好晶圓W的表面Wa的面內形狀的全部，故可使整體的處理時間縮短。
關於一邊針對晶圓W的表面Wa取得面內形狀資料，一邊在晶圓W的表面Wa上塗布塗布液L的具體方法，參照圖19進行説明。如圖19的(a)所示的，亦可使距離感測器46以及噴嘴N朝同一方向移動。如圖19的(b)所示的，亦可使噴嘴N以及距離感測器46以彼此朝向相反方向的方式移動。如圖19的(c)所示的，亦可使噴嘴N以及距離感測器46以噴嘴N的移動方向與距離感測器46的移動方向形成既定角度φ的方式移動。無論在圖19的(a)～(c)的哪一種情況下，噴嘴N以及距離感測器46均從晶圓W的中心側向周緣側移動，且距離感測器46均比噴嘴N更靠周緣側。另外，圖19的(a)，相當於在圖19的(c)中將角度φ設定成0°的情況。圖19的(b)，相當於在圖19的(c)中將角度φ設定成180°的情況。在噴嘴N以及距離感測器46從晶圓W的周緣側向中心側移動的情況下，亦可使距離感測器46比噴嘴N更靠中心側。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧塗布顯影裝置
3‧‧‧曝光裝置
4‧‧‧載置區塊
5‧‧‧處理區塊
6‧‧‧介面區塊
11‧‧‧載體
11a‧‧‧側面
12‧‧‧載置站
13‧‧‧搬入搬出部
13a‧‧‧開閉窗
14‧‧‧BCT模組(下層膜形成模組)
15‧‧‧COT模組(光阻膜形成模組)
16‧‧‧TCT模組(上層膜形成模組)
17‧‧‧DEV模組(顯影處理模組)
20‧‧‧旋轉保持部
21‧‧‧旋轉部
22‧‧‧軸部
23‧‧‧保持部
30‧‧‧驅動部
31‧‧‧引導軌
32‧‧‧滑動塊
33‧‧‧臂部
40‧‧‧液體供給部
41‧‧‧液體儲存部
42‧‧‧供給管
43‧‧‧泵
44‧‧‧閥門
45‧‧‧流量感測器
46‧‧‧距離感測器
47‧‧‧負載單位
48‧‧‧彈性體
50‧‧‧驅動部
51‧‧‧引導軌
52‧‧‧滑動塊
53‧‧‧臂部
60‧‧‧驅動部
61‧‧‧引導軌
62‧‧‧滑動塊
63‧‧‧支持臂部
64‧‧‧旋轉頭
65‧‧‧臂部
66‧‧‧臂部
100‧‧‧控制部
101‧‧‧旋轉控制部
102‧‧‧驅動控制部
103‧‧‧吐出控制部
104‧‧‧處理部
A1‧‧‧傳遞臂
A2‧‧‧搬運臂
A3‧‧‧搬運臂
A4‧‧‧搬運臂
A5‧‧‧搬運臂
A6‧‧‧直接搬運臂
A7‧‧‧升降臂
A8‧‧‧傳遞臂
Ax‧‧‧垂直軸
S‧‧‧液體供給系統
N‧‧‧噴嘴
Na‧‧‧吐出口
P‧‧‧吐出位置
G‧‧‧間距
L‧‧‧塗布液
R‧‧‧塗布膜
U1‧‧‧塗布單元
U2‧‧‧熱處理單元
U3‧‧‧測定單元
U10‧‧‧棚台單元
U11‧‧‧棚台單元
W‧‧‧晶圓
Wa‧‧‧表面
II-II‧‧‧剖面線
III-III‧‧‧剖面線
φ‧‧‧角度
[圖1] 係表示第1實施態樣之基板處理系統的立體圖。 [圖2] 係圖1的II－II線的剖面圖。 [圖3] 係圖2的III－III線的剖面圖。 [圖4] 係表示第1實施態樣之塗布單元的示意圖。 [圖5] 係表示噴嘴附近部位的示意圖。 [圖6] 係表示第1實施態樣之控制部的功能性構造的方塊圖。 [圖7] 係表示噴嘴所吐出之塗布液塗布於基板表面的情況的示意圖。 [圖8] 係表示間距與吐出流量的關係圖。 [圖9] 係表示間距與塗布膜的膜厚的關係圖。 [圖10] 係表示第2實施態樣之基板處理系統的示意圖。 [圖11] 係表示第2實施態樣以及第3實施態樣之控制部的功能性構造的方塊圖。 [圖12] (a)~(c)係用來說明第2實施態樣之測定處理以及塗布處理的說明圖。 [圖13] 係表示第3實施態樣之塗布單元的示意圖。 [圖14] 係表示第4實施態樣之塗布單元的示意圖。 [圖15] 係用來說明在第4實施態樣之塗布單元中距離感測器以及噴嘴的掃描情況的説明圖。 [圖16] 係表示第4實施態樣之控制部的功能性構造的方塊圖。 [圖17] 係表示另一實施例之噴嘴附近部位的示意圖。 [圖18] 係表示另一實施例之噴嘴附近部位的示意圖。 [圖19] (a)~(c)係用來說明在第3實施態樣之塗布單元中距離感測器以及噴嘴的掃描情況的說明圖。
20‧‧‧旋轉保持部
21‧‧‧旋轉部
22‧‧‧軸部
23‧‧‧保持部
30‧‧‧驅動部
31‧‧‧引導軌
32‧‧‧滑動塊
33‧‧‧臂部
40‧‧‧液體供給部
41‧‧‧液體儲存部
42‧‧‧供給管
43‧‧‧泵
44‧‧‧閥門
45‧‧‧流量感測器
46‧‧‧距離感測器
100‧‧‧控制部
S‧‧‧液體供給系統
N‧‧‧噴嘴
R‧‧‧塗布膜
U1‧‧‧塗布單元
W‧‧‧晶圓
Wa‧‧‧表面

Claims (18)

  1. 一種液體塗布方法，其包含使基板繞沿著與該基板表面正交之方向延伸的旋轉軸旋轉，同時從位於該基板上方之吐出噴嘴對該基板的該表面吐出粘度在200cp以上之塗布液，以在該基板的該表面上塗布塗布液的塗布處理，該液體塗布方法的特徵為，在該塗布處理中，進行下列步驟：於該基板旋轉中，一邊使該吐出噴嘴在該旋轉軸與該基板的周緣部位之間沿著該基板的該表面朝既定的方向移動，一邊從該吐出噴嘴吐出塗布液，藉此在該基板的該表面上將塗布液塗布成螺旋狀的步驟；當該吐出噴嘴的塗布液的吐出位置在該基板的該表面上之越靠該基板的周緣側時，令該基板的轉速越小，藉以使該吐出位置的線速度大略為固定的步驟；以及根據從該吐出噴嘴吐出前之塗布液的流量，使該吐出噴嘴的吐出口相對於該基板的該表面的高度位置變化，藉以使該吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小的步驟。
  2. 一種液體塗布方法，其包含使基板繞沿著與該基板表面正交之方向延伸的旋轉軸旋轉，同時從位於該基板上方之吐出噴嘴對該基板的該表面吐出塗布液，以在該基板的該表面上塗布塗布液的塗布處理，該液體塗布方法的特徵為，在該塗布處理中，進行下列步驟： 於該基板旋轉中，一邊使該吐出噴嘴在該旋轉軸與該基板的周緣部位之間沿著該基板的該表面朝既定的方向移動，一邊從該吐出噴嘴吐出塗布液，藉此在該基板的該表面上將塗布液塗布成螺旋狀的步驟；當該吐出噴嘴的塗布液的吐出位置在該基板的該表面上之越靠該基板的周緣側時，令該基板的轉速越小，藉以使該吐出位置的線速度大略為固定的步驟；以及根據在該吐出噴嘴對該基板的該表面吐出塗布液時該吐出噴嘴透過塗布液從該基板的該表面所受到之反作用力的大小，使該吐出噴嘴的吐出口相對於該基板的該表面的高度位置變化，藉以使該吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小的步驟。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之液體塗布方法，其中，在使該吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小的該步驟中，根據預先取得之該基板的該表面的面內形狀，使該高度位置變化。
  4. 如申請專利範圍第3項之液體塗布方法，其中，該面內形狀的測定，係在與進行該塗布處理的處理室不同的另一處理室內，在該塗布處理之前進行。
  5. 如申請專利範圍第3項之液體塗布方法，其中，該面內形狀的測定，係在進行該塗布處理的處理室內，於該塗布處理之前進行。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之液體塗布方法，其中，在該面內形狀的測定時用以測定該面內形狀的感測器之移動速度以及該基板的旋轉速度，與在該塗布處理時該吐出噴嘴的移動速度以及該基板的旋轉速度，分別設定成大略相等。
  7. 如申請專利範圍第3項之液體塗布方法，其中，該塗布處理與測定該面內形狀的處理一起進行。
  8. 如申請專利範圍第7項之液體塗布方法，其中，在該塗布處理中，將測定該面內形狀的感測器與該吐出噴嘴之間的間隔距離保持固定，同時以該吐出噴嘴通過該感測器在該基板的該表面的上方移動時之該基板的該表面內的軌道亦即掃描軌道上的方式，使該感測器以及該吐出噴嘴移動。
  9. 一種液體塗布裝置，其特徵為包含：旋轉保持部，其保持基板，並使該基板繞著正交於該基板表面之方向延伸的旋轉軸旋轉；供給部，其為了從位於該基板上方之吐出噴嘴對該基板表面吐出粘度在200cp以上之塗布液而對該吐出噴嘴供給塗布液；驅動部，其使該吐出噴嘴移動；流量測定部，用以測定從該吐出噴嘴吐出之前的塗布液的流量；以及 控制部；該控制部，控制該旋轉保持部、該供給部以及該驅動部，以實行下列處理：在該旋轉保持部使該基板旋轉時，該驅動部使該吐出噴嘴在該旋轉軸與該基板的周緣部位之間沿著該基板的該表面朝既定的方向移動，同時該供給部使塗布液從該吐出噴嘴吐出，藉此在該基板的該表面上將塗布液塗布成螺旋狀的處理；該旋轉保持部以該吐出噴嘴的塗布液之吐出位置在該基板的該表面上越靠該基板的周緣側則使該基板的轉速越小的方式使該基板旋轉，藉以使該吐出位置的線速度大略為固定的處理；以及該驅動部以根據該流量測定部所測定到之流量，使該吐出噴嘴的吐出口的相對於該基板的該表面的高度位置變化的方式，使該吐出噴嘴升降，藉以使該吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小的處理。
  10. 一種液體塗布裝置，其特徵為包含：旋轉保持部，其保持基板，並使該基板繞著正交於該基板表面之方向延伸的旋轉軸旋轉；供給部，其為了從位於該基板上方之吐出噴嘴對該基板表面吐出塗布液而對該吐出噴嘴供給塗布液；驅動部，其使該吐出噴嘴移動；反作用力測定部，其在該吐出噴嘴對該基板的該表面吐出塗布液時，測定該吐出噴嘴透過塗布液從該基板的該表面所受到之反作用力的大小；以及控制部； 該控制部，控制該旋轉保持部、該供給部以及該驅動部，以實行下列處理：在該旋轉保持部使該基板旋轉時，該驅動部使該吐出噴嘴在該旋轉軸與該基板的周緣部位之間沿著該基板的該表面朝既定的方向移動，同時該供給部使塗布液從該吐出噴嘴吐出，藉此在該基板的該表面上將塗布液塗布成螺旋狀的處理；該旋轉保持部以該吐出噴嘴的塗布液之吐出位置在該基板的該表面上越靠該基板的周緣側則使該基板的轉速越小的方式使該基板旋轉，藉以使該吐出位置的線速度大略為固定的處理；以及該驅動部以根據該反作用力測定部所測定到之反作用力的大小使該吐出噴嘴的吐出口的相對於該基板的該表面的高度位置變化的方式使該吐出噴嘴升降，藉以使該吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小的處理。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之液體塗布裝置，其中，當該控制部實行使該吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小的該處理時，該驅動部以根據預先取得之該基板的該表面的面內形狀使該高度位置變化的方式使該吐出噴嘴升降。
  12. 如申請專利範圍第11項之液體塗布裝置，其中，更包含感測器，用以進行該面內形狀的測定；該控制部，於將塗布液於該基板的該表面上塗布成螺旋狀的該處理之前，在與進行該處理的處理室不同的另一處理室內，利用該感測器測定該面內形狀。
  13. 如申請專利範圍第11項之液體塗布裝置，其中，更包含感測器，其進行該面內形狀的測定；該控制部，於將塗布液於該基板的該表面上塗布成螺旋狀的該處理之前，在進行該處理的處理室內，利用該感測器測定該面內形狀。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之液體塗布裝置，其中，該控制部，將在該面內形狀的測定時測定該面內形狀的感測器的移動速度以及該基板的旋轉速度，與在該塗布處理時該吐出噴嘴的移動速度以及該基板的旋轉速度，分別設定成大略相等。
  15. 如申請專利範圍第11項之液體塗布裝置，其中，更包含感測器，其進行該面內形狀的測定；該控制部，與在該基板的該表面上將塗布液塗布成螺旋狀的該處理一起，利用該感測器測定該面內形狀。
  16. 如申請專利範圍第15項之液體塗布裝置，其中，該控制部，在將塗布液於該基板的該表面上塗布成螺旋狀的該處理中，將測定該面內形狀的感測器與該吐出噴嘴之間的間隔距離保持固定，同時以使該吐出噴嘴通過該感測器在該基板的該表面的上方移動時的該基板的該表面內的軌道亦即掃描軌道上的方式，使該感測器以及該吐出噴嘴移動。
  17. 一種液體塗布裝置，其特徵為包含： 旋轉保持部，其保持基板，並使該基板繞著正交於該基板表面之方向延伸的旋轉軸旋轉；供給部，其為了從位於該基板上方之吐出噴嘴對該基板表面吐出塗布液而對該吐出噴嘴供給塗布液；驅動部，其使該吐出噴嘴移動；彈性體，其使彈性力作用於該吐出噴嘴；以及控制部；該控制部，控制該旋轉保持部、該供給部以及該驅動部，以實行下列處理：在該旋轉保持部使該基板旋轉時，該驅動部使該吐出噴嘴在該旋轉軸與該基板的周緣部位之間沿著該基板的該表面朝既定的方向移動，同時該供給部使塗布液從該吐出噴嘴吐出，藉此在該基板的該表面上將塗布液塗布成螺旋狀的處理；以及該旋轉保持部以該吐出噴嘴的塗布液之吐出位置在該基板的該表面上越靠該基板的周緣側則使該基板的轉速越小的方式使該基板旋轉，藉以使該吐出位置的線速度大略為固定的處理；當該吐出噴嘴對該基板的該表面吐出塗布液時，使該彈性體因應該吐出噴嘴透過塗布液從該基板的該表面所受到之反作用力而產生的彈性力作用於該吐出噴嘴，進而使該吐出噴嘴的吐出口的相對於該基板的該表面的高度位置因該彈性體而變化，藉以使該吐出噴嘴所吐出之塗布液的吐出流量大略為固定之大小。
  18. 一種電腦可讀取的記錄媒體，其記錄了用來使液體塗布裝置實行如申請專利範圍第1至8項中任一項所記載之液體塗布方法的程式。
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