TWI606121B - 用以減緩由被挾帶至經陽極化拋光鋁表面中之金屬所導致之輕微變色現象的微合金 - Google Patents

Description

用以減緩由被挾帶至經陽極化拋光鋁表面中之金屬所導致之輕微變色現象的微合金

所描述之實施例大體上係關於鋁合金及經陽極化鋁合金。更特定言之，本發明之實施例係關於降低或消除所得陽極氧化物在陽極化後之變色的自訂鋁合金。

鋁之陽極化最常執行於硫酸基溶液中，例如，使用由美國MIL-A-8625規範定義為「II型」之程序。所得陽極氧化物塗層大體上將良好耐磨及耐腐蝕性提供給鋁基板。陽極氧化物亦有利於攜帶用於著色之染料。在一些鋁合金上且在某些程序限制內，自II型陽極化程序所得之陽極氧化物可為清透的且實質上無色，從而給予在諸多產品中合乎需要之明亮金屬外觀。因此，II型陽極化廣泛用於各種行業。

然而，已發現，在某些類型之鋁合金上使用II型陽極化程序可能歸因於鋁合金內存在某些類型之合金元素而產生稍微變色之陽極氧化物。對於不需要精確著色之一些產品，此輕微變色可能為可接受的。然而，在產品線之表面著色及色彩匹配最為重要之消費型產品中，此類變色可能極非所要。因此，需要陽極化某些類型之鋁合金以使歸因於合金元素之變色減至最少或消除的方法。

本文描述關於經設計用於在被陽極化時產生美觀吸引入之陽極氧化物膜的鋁合金組合物的各種實施例。特定言之，鋁合金組合物包括在陽極化鋁合金時防止或降低陽極氧化物膜之變色的微合金量之元素或元素之組合。鋁合金亦可包括給予合金高抗張強度之其他合金元素。

根據一個實施例，描述一種用於電子裝置之殼體。該殼體包括鋁合金基板，其具有不變色元素及添加至濃度不超過約0.10重量%之微合金元素。該殼體亦包括形成於鋁合金基板上之陽極膜。微合金元素併入陽極膜內，且與增大陽極膜對鋁合金基板之黏著強度相關聯。不變色元素併入陽極膜內，由此減少由併入之微合金元素所導致之陽極膜變色。

根據額外實施例，描述一種陽極化用於電子裝置之殼體的方法。該方法包括陽極化高強度鋁合金基板，使得經陽極化高強度鋁表徵為具有不超過1之b*值。該高強度鋁合金基板具有微合金元素及不變色元素。添加微合金元素至不超過約0.10重量%之濃度。由於陽極化，微合金元素之一部分及不變色元素之一部分因此併入所得陽極膜內。陽極膜內之微合金元素的量與陽極膜之變色的量相關聯。不變色元素減低陽極膜內之微合金元素的量，由此減少陽極膜之變色的量。

根據其他實施例，描述一種用於電子裝置之殼體。該殼體包括鋁合金基板，其具有不超過0.10重量%之銅及不超過0.70重量%之鋯。該殼體亦包括形成於鋁合金基板上之陽極膜。

下文將詳細描述此等實施例及其他實施例。

102‧‧‧裝置/攜帶型電話

104‧‧‧裝置/平板電腦

106‧‧‧裝置/智慧型手錶

108‧‧‧裝置/攜帶型電腦

200‧‧‧圖

202‧‧‧線

204‧‧‧線

300‧‧‧部件

302‧‧‧鋁合金基板

304‧‧‧陽極氧化物膜

306‧‧‧陽極孔

308‧‧‧界面

310‧‧‧鋁基質

312‧‧‧變色元素

400‧‧‧TEM影像

402‧‧‧界面

404‧‧‧基板

406‧‧‧陽極氧化物膜

500‧‧‧經陽極化部件

502‧‧‧鋁合金基板

504‧‧‧陽極氧化物膜

506‧‧‧陽極孔

508‧‧‧界面

510‧‧‧鋁

512‧‧‧變色元素

514‧‧‧不變色元素

600‧‧‧柱狀圖

602‧‧‧樣本

604‧‧‧樣本

606‧‧‧樣本

608‧‧‧樣本

700‧‧‧流程圖

藉由結合隨附圖式之以下詳細描述，將易於理解本發明，在隨附圖式中，類似參考標號指定類似結構元件。

圖1展示具有可使用本文所描述之陽極氧化物塗層保護的金屬表面之裝置的透視圖。

圖2展示指示經陽極化鋁合金樣本上之銅的色彩效果之圖。

圖3展示一部件之一部分的示意性橫截面圖，其展示諸如銅之合金元素可如何併入陽極氧化物膜內。

圖4展示具有微合金量之銅的經陽極化鋁合金基板之橫截面的穿透式電子顯微鏡(TEM)影像。

圖5展示一部件之一部分的示意性橫截面圖，其展示不變色元素之添加可如何抵消一些合金元素之變色效果。

圖6展示指示使用鋯來抵消銅對經陽極化鋁合金樣本之變色效果之色彩效果的柱狀圖。

圖7展示指示用於陽極化高強度鋁合金基板以使得該經陽極化基板具有極少變色之程序的流程圖。

現將詳細參考隨附圖式中所說明之代表性實施例。應理解，以下描述並不意欲將實施例限制為一個較佳實施例。相反，其意欲涵蓋如可包括於如由所附申請專利範圍界定之所描述實施例之精神及範疇內的替代例、修改及等效物。

當使用標準II型陽極化程序來陽極化諸如市售7000系列鋁合金(如藉由國際合金命名系統所定義)之高強度鋁合金時，所得經陽極化基板可能具有在陽極化其他類型之鋁合金時未觀測到的數個問題。一個問題係關於在鋁合金基板上生長之所得陽極氧化物膜的黏著力。特定言之，來自高強度合金之鋅或其他合金元素富集在陽極氧化物膜與基板之間的界面處，這使得陽極氧化物膜易於剝落或剝離。

在呈現於美國申請案第14/830,699號及美國申請案第14/830,705號(其中之每一者以全文引用之方式併入本文中)的先前研究中，定製 鋁合金(其包括以微合金量添加之元素，諸如銅)可降低鋅之富集且改良所得陽極氧化物膜之黏著力。據信此等微合金元素亦富集在界面處，且由此降低或防止鋅之富集。然而，即使為如此痕量，仍發現此類微合金元素使陽極氧化物膜變色-通常添加微黃色調至陽極氧化物膜。若針對變色之量的規範極嚴格，則即使此輕微變色亦可能不可接受。

為解決此變色問題，本研究描述將用以降低或消除變色之又一類別的元素以微合金量添加至鋁合金。據信此等其他合金元素添加物亦在陽極化期間在界面處富集。然而，不同於銅、錳及鐵微合金元素，此等其他微合金元素並非可量測地使所得氧化物變色，而是據信其減低著色微合金元素之變色。所得陽極氧化物為相對無色且實質上清透。

本文特定地引用鋁合金及氧化鋁塗層，且特定言之，引用7000系列鋁合金，其包含鋅基強化沈澱物。然而，應理解，本文所描述之方法可適用於其他類型之鋁合金-諸如8000系列，其含有鋰及鋅合金元素-且亦可能適用於數種其他合適之可陽極化金屬合金中之任一者，諸如適合之鈦合金、鋅合金、鎂合金、鈮合金、鋯合金、鉿合金及鉭合金，或其合適組合。如本文所用，術語陽極氧化物、陽極氧化物塗層、陽極膜、陽極層、陽極塗層、氧化膜、氧化物層、氧化物塗層等可互換地使用，且可指合適金屬氧化物材料，除非另有規定。

本文所描述之方法較適用於將美觀吸引人的拋光表面提供至消費型產品。舉例而言，本文所描述之方法可用於形成用於電腦、攜帶型電子裝置、可穿戴電子裝置及電子裝置附件(諸如基地在加利福尼亞Cupertino的Apple Inc.所製造之彼等裝置)的外殼之耐用及美觀吸引人的陽極化拋光。

下文參看圖1至圖7論述此等實施例及其他實施例。然而，熟習 此項技術者將易於瞭解，本文中關於此等圖式所給出之詳細描述僅出於解釋性目的，且不應視為限制性的。

本文所描述之方法可用於形成用於消費型裝置之金屬表面的耐用且美觀吸引人的塗層。圖1展示可使用本文所描述之方法製造的消費型產品。圖1包括攜帶型電話102、平板電腦104、智慧型手錶106及攜帶型電腦108，其可各自包括由金屬製成或具有金屬區的外殼。因其輕質及能夠陽極化且形成保護金屬表面免受刮擦之保護性陽極氧化物塗層，鋁合金通常為精選金屬材料。陽極氧化物塗層可加以染色以將金屬外殼或金屬區著色，從而添加供產品線用之諸多美觀性選項。

裝置102、104、106及108可能遭受可能使外殼彎曲或者以其他方式變形的掉落事件，除非外殼由耐用及耐彎曲材料製成。某些高強度鋁合金(諸如一些7000系列鋁合金)係針對高抗張強度而設計，且可抵抗彎曲及變形。然而，此等高強度鋁合金中之一些在陽極化時會攜帶變色之修飾面層。此可歸因於鋁合金內之合金元素的存在，該等合金元素可能在陽極化程序期間被挾帶在所得陽極氧化物塗層內。通常變色表徵為黃色調，其抵消在美觀性上合乎需要的亮銀色。

本文描述具有高抗張強度及在陽極化時可形成實質上無色陽極氧化物膜的鋁合金組合物。由此，此等鋁合金組合物較適用於形成用於裝置102、104、106及108以及其他消費型產品之耐用及美觀吸引人的外殼。

陽極化鋁樣本之色彩可使用CIE 1976L*a*b*色彩空間模型量測予以表徵。大體而言，根據對應於亮度之量對色彩對立量L*、對應於綠及洋紅之量的a*及對應於藍及黃之量的b*，使用L*a*b*色彩空間模型來表徵對象之色彩。按照慣例，較高L*值對應於較大亮度量，且較低L*值對應於較小亮度量。負的a*值指示綠色，且負向更大的a*值指示更綠的色彩；而正的a*值指示紅色，且正向更大的a*值指示更紅的色 彩。負的b*值指示藍色，且負向更大的b*值指示更藍的色彩；而正的b*值指示黃色，且正向更大的b*值指示更黃的色彩。

高強度鋁合金包括使合金獲得其高強度的數種合金元素。此等元素大體上包括鋅及鎂，此係由於此等元素可組合而形成使此等合金獲得其高抗張強度的沈澱物(例如，MgZn₂ η'沈澱物)。在某些條件下，鋁合金之陽極化(其中合金化已受限於諸如鎂及鋅之某些「無色」合金元素)可產生無色且清透的陽極氧化物膜。針對此類合金之理想陽極化條件為藉由美國軍用規範MIL-A-8625分類為「II型」陽極化之彼等條件。此等條件包括(例如)在200g/l硫酸中在1.5安培每平方公寸(ASD)及20℃下的陽極化。無色拋光表面將具有低於1且較佳低於0.5之a*及b*色彩座標，從而指示其不具有可感知之紅/綠或黃/藍色調。在一些產品中，此明亮的金屬「銀」修飾面層視為合乎需要的經陽極化拋光表面。

極少合金元素可添加至鋁合金而不導致經陽極化拋光表面之變色。前述鎂及鋅為可容許的合金添加物之實例，亦可為鋰。其他者(諸如矽)可能僅容許高達約1%，之後陽極膜開始變暗，從而產生降低之L*色彩參數或降低之陽極膜光澤度及光學清晰度。銅、錳、鐵、銀及諸多其他元素導致變色，大部分通常導致陽極膜具有黃色調(正b*)及/或紅色調(正a*)。

為進行說明，圖2展示指示銅對經陽極化鋁合金樣本之色彩效果之圖200。圖200指示針對不同經陽極化鋁合金樣本之變色的相對量，如藉由根據CIE L*a*b*色彩空間模型(使用D65「白」施照體)之b*值表徵，其中正向更大b*對應於具有黃色色彩之樣本。

如上文所描述，鋅及鎂可形成強化鋁合金之沈澱物。僅具有鋅及鎂作為合金元素的鋁合金(在本文中稱為「純Al-Zn-Mg」合金)並不產生具有任何顯著黃化的陽極氧化物膜。若純Al-Zn-Mg合金具有均 衡比例之鎂及鋅(例如，原子%鋅=2倍原子%鎂，得到MgZn₂ η'沈澱物)，則組合物可稱作「均衡」。

圖200展示針對具有不同銅添加量之無染色經陽極化均衡純Al-Zn-Mg合金鋁樣本的b*值。線202對應於針對在具有各自厚度約18微米之陽極氧化物膜的樣本上收集之資料的最佳擬合線，且線204對應於針對在具有各自厚度約12微米之陽極氧化物膜的樣本上收集之資料的最佳擬合線。如所展示，鋁合金之變黃與基板樣本內銅之量大致線性相關。對於銀色基板上之無染色陽極氧化物膜，人們通常很容易地能夠偵測具有相差約0.5之b*值的樣本之間的色彩差別。因此，具有0.30重量%之銅的樣本應極明顯地比具有0.05重量%之銅的樣本更黃。

此外，圖200指示：陽極膜之色彩強度為陽極薄膜厚度之大致線性函數。亦即，在生長的塗層較厚時，變色相應地較嚴重。因此，具有約18微米之厚度的樣本(線202)與具有約12微米之厚度的樣本(線204)相比具有更大之正b*值。此對於諸如6013鋁合金之其他合金亦成立，該等鋁合金大體上無法陽極化至大於幾微米厚度而不遠超出針對「無色」陽極氧化物修飾面層之容許度。此厚度約束在需要陽極氧化物較厚以用於磨損或腐蝕保護之情況下可能為不可接受的。

雖然並未完全理解此變色之機制，但已知諸如銅、錳、鐵及銀之元素在陽極化期間富集於界面處，主要歸因於其與金屬合金基質之鋁的吉布斯自由能相比相對較正的用於氧化物形成之吉布斯自由能。此界面富集詳細描述於美國申請案第14/830,699號及美國申請案第14/830,705號中。該富集大體上侷限於陽極氧化物與基板金屬之間的界面處僅2至3奈米厚之層內。然而，富集的量可能極高-一些估值為約50原子%。

在呈現於美國申請案第14/830,699號及美國申請案第14/830,705號的先前研究中，已展示具有諸如銅之元素(即使呈諸如0.05重量%之 痕量)的微合金對於某些合金為寶貴合金添加，尤其對於原本純Al-Zn-Mg鋁合金。在不存在銅之情況下，純Al-Zn-Mg合金易受鋅之界面聚積及相應界面脆質影響，在硫基電解質中陽極化時尤其如此。少至0.05重量%之銅足以解決此問題且產生極少變色──亦即，b*值低於1(參看圖2)。銅之添加亦幫助解決對應於{111}表面定向之晶粒的較佳生長速率的陽極化缺陷。因此，添加微合金量之銅有益處，儘管存在一些變色效果。然而，即使此極少著色亦可能在尋求最優美觀性方面仍然為不合需要的。

假定變色元素(諸如銅)富集在陽極膜與金屬基板之間的界面處，且作為陽極氧化物之陽極孔之間的金屬夾雜物被挾帶至陽極氧化物中。為進行說明，圖3展示部件300之一部分的示意性橫截面圖，其包括陽極化程序之後的鋁合金基板302，基板302之一部分藉由該程序轉化為陽極氧化物膜304。陽極氧化物膜304包括陽極孔306，該等陽極孔對應於在陽極化程序期間形成的垂直狹長空隙。陽極氧化物膜304與基板302之間的區域可稱作界面308。

基板302包括鋁基質310，該鋁基質包括分散於其中之變色元素312。變色元素312可為(例如)銅、錳、鐵及/或銀。以微合金量添加變色元素312以抵消與鋅(未展示)及較佳氧化物生長速率相關聯之問題，如上文所描述。儘管使用變色元素312有益處，但變色元素312可能在陽極化程序期間在界面308及在孔306之間的區域中變得富集，且因此被挾帶在陽極氧化物膜304內。一旦併入陽極氧化物膜304內，變色元素312可引起陽極氧化物膜304變色。在一些情況下，僅痕量之變色元素312可對陽極氧化物膜304之感知色彩具有顯著影響。色彩及變色之量值將視變色元素312之類型、變色元素312之量(參看圖2)及陽極氧化物膜304之厚度(參看圖2)而定。注意，可能可藉由調整陽極化參數來降低變色的量，諸如藉由在較低電流密度下更緩慢地陽極化， 或使用較高陽極化浴溫度-然而，此等調整將通常產生對於諸多消費型產品應用而言不夠硬之較軟陽極氧化物膜。

此挾帶解釋藉由圖4予以支援，圖4展示添加有微合金量之銅的經陽極化Al-Zn-Mg鋁合金基板之橫截面的暗場穿透式電子顯微鏡(TEM)影像400。TEM影像400展示在基板404與陽極氧化物膜406之間的界面402之近視圖。陽極氧化物膜406包括如陽極氧化物膜所典型的垂直定向陽極孔。然而，陽極氧化物膜406亦包括陽極孔之間的淡色材料條帶。據信此等淡色條帶對應於來自所挾帶之銅的金屬夾雜物，且推測為變色之原因。

另一觀測結果為：當將變色之陽極膜漸進地拋光回來時，變色與所移除之氧化物厚度成大致線性比例降低，從而指示變色貫穿陽極膜厚度極其均勻地分佈。

此為本文描述之實施例的一目標：擴寬特別地關於具有此類變色效果之少量合金元素添加物(亦即，約0.05重量%)之鋁合金的可允許之組成範圍，同時保留較純鋁合金之美觀。特定言之，將改變所挾帶之金屬的組成的少量額外元素添加至鋁基板，由此抵消變色。

圖5說明在添加不變色元素514之後的經陽極化部件500之一部分的示意性橫截面圖。部件500包括具有部分轉化為陽極氧化物膜504之鋁合金基板502，陽極氧化物膜包括陽極孔506。基板502具有變色元素512(例如，銅、錳、鐵及銀)，其在陽極化程序期間富集在界面508處及陽極孔506之間，且由此併入陽極氧化物膜504內。然而，添加不變色元素514至基板502使無變色元素514亦富集在界面508處及孔506之間，由此亦與變色元素512一起併入陽極氧化物膜504內。以此方式，據信不變色元素514取代富集的變色元素512中之一些一在效果上，減低陽極膜504內變色元素512的量且減低由變色元素512所導致之變色的量。由於僅痕量之變色元素512即可能顯著地影響陽極氧化 物膜504之色彩，因此即使稍微降低陽極氧化物膜504內之變色元素512的量仍可能對陽極氧化物膜504之感知色彩具有大影響。

可發生之額外或替代機制為：陽極氧化物膜504內之不變色元素514可反射與變色元素512的光之波長不同的光之波長，由此抵消或減弱由變色元素512所導致之變色。舉例而言，鋯不變色元素514可使陽極氧化物膜504反射藍色色調，其抵消由銅變色元素512所導致之黃色色調，從而產生色彩較中和之外觀。

類似於變色元素512，不變色元素514可能會在陽極化程序期間挾帶於陽極膜504內。因此，與鋁510之吉布斯自由能相比較，不變色元素514應具有更正的用於氧化物形成之吉布斯自由能。然而，不同於變色元素512，不變色元素514不應使陽極氧化物膜504變色。在一些情況下，此意謂不變色元素514不提供陽極氧化物膜504之固有變色。在其他情況下，不變色元素514提供中和變色元素512之顏色色調的顏色色調(例如，中和黃色調之藍色調)。

不變色元素514之可能候選物可包括鋯、鈦、鉿、釩、鈮、鉭、鉬及鎢。在一些實施例中，不變色元素514包括鋯、鈦、鉿、釩、鈮、鉭、鉬及鎢中之兩者或更多者的組合。在變色元素512包括銅的一些實施例中，發現鋯不變色元素514能夠良好地減輕由銅所導致之變色。

添加至基板502的不變色元素514之濃度應相對較低，但可部分地視添加至基板502之變色元素512的濃度而變化。在特定實施例中，將約0.05重量%之鋯或鈦不變色元素514之添加物添加至包含約0.05重量%之銅、銀或錳變色合金元素512的合金以抵消變色之一些。類似濃度可使用鉿、釩、鈮、鉭、鉬或鎢不變色元素514產生類似效果。0.05重量%限制在一些實施例中可為較佳的，主要歸因於商用7000系列合金之規範，該等規範闡述了針對「任何其他」元素之0.05重量% 最大含量。此因此為本發明之合金是否易於接受至再循環液流中的考慮因素。

此外，應考慮基板502內之不變色元素514的溶解度限制。舉例而言，0.10重量%以上之鋯不變色元素514的濃度可能導致與添加溶解度限制以上之鋯相關聯的可見缺陷。應注意，對於給定重量濃度，具有較低原子質量之不變色元素514的類型具有相應地較高之原子濃度──且因此較輕元素可較高效地減低變色元素512之效果。

圖6展示柱狀圖600，其指示使用微合金量之鋯來抵消微合金量之銅對經陽極化鋁合金樣本的變色效果的色彩效果。所有樣本為具有銅添加物或銅及鋯添加物的無染色經陽極化均衡純Al-Zn-Mg合金樣本。每一樣本具有約18微米之陽極膜厚度。柱狀圖600展示在除銅之外亦添加鋯，鋯減少變色的量(如藉由量測之b*值所指示)之情況下的彼等樣本。舉例而言，包括0.05重量%銅而無鋯的樣本602具有大於0.5之b*值，然而包括0.05重量%銅及0.05重量%鋯之樣本604具有約0.2之b*值。類似地，包括0.10重量%銅而無鋯之樣本606具有接近1.2之b*值，然而包括0.10重量%銅及0.05重量%鋯之樣本608具有低於0.9之b*值。

柱狀圖600指示：在目標b*值低於1.0的彼等應用中，只要鋯添加至至少0.05重量%之濃度，則可添加0.10重量%之濃度的銅。在目標b*值為0.2或更小的彼等應用中，只要鋯添加至至少0.05重量%之濃度，則可添加0.05重量%之濃度的銅。因此，鋯之添加擴寬可允許的銅之濃度而不具有不可接受的變色效果。亦即，鋯之減低效果可允許增大量之銅，同時保持處於或低於可接受變色之預定量(例如，低於1之b*)。舉例而言，藉由將0.05重量%之鋯添加至基板，將銅的量增大至0.10重量%同時仍保持針對所得陽極膜之低於1的b*值可為可能的。增大銅的量具有增大陽極膜對基板之黏著強度及亦減少與在基板之某 些晶粒定向處的不同陽極膜生長速率相關之缺陷的優點。同樣，可生長較厚陽極氧化物膜，同時保持處於或低於可接受變色之預定量。舉例而言，鋯之減低效果可使得有可能將陽極膜之厚度自12微米增大至18微米或更大而不超出可接受的變色程度。

應注意，雖然添加較多鋯可進一步降低銅之變色效果，但添加過多鋯可能具有有害效果。

處於溶解度限制(約0.07重量%)及以上之鋯含量導致Al₃Zr沈澱物之形成。此沈澱物可在基於熱作之程序期間抑制再結晶且限制晶粒生長。鋁基板內隨後產生之微結構有斑點且不適合用於諸多美觀性應用。此外，將鋯之濃度保持至0.05重量%或更小之含量使得該濃度保持處於或低於針對由用於商用合金的再循環液流指定之「任何其他」元素的0.05重量%最大值。

圖7展示流程圖700，其指示用於陽極化高強度鋁合金基板以使得經陽極化基板具有極少的變色以及良好陽極膜黏著力的程序。在702處，將微合金元素及不變色元素添加至鋁合金基板。在一些實施例中，微合金元素包括銅、錳、鐵及銀中之至少一者。微合金元素應添加至小的濃度，例如，不超過約0.10重量%之濃度。在一些實施例中，不變色元素包括鋯、鉬、鉿、鎢、釩、鈮及鉭中之至少一者。不變色元素應亦以小濃度添加，例如，不超過約0.10重量%之濃度-在一些較佳實施例中不超過約0.05重量%。

鋁合金基板亦可包括其他合金元素，諸如鋅及/或鎂。鋅及鎂可形成將抗張強度提供至高強度鋁合金的沈澱物。在一些實施例中，均衡比例之鎂與鋅得到MgZn₂ η'沈澱物。在特定實施例中，鋁合金基板包括約5.5重量%之鋅及約1.0重量%之鎂。

在704處，陽極化鋁合金基板。可選擇陽極化程序之參數(例如，電流密度、陽極化電解質組成及陽極化電解質溫度)以產生具有至少 預定硬度的陽極膜。在特定實施例中，使用II型陽極化程序，諸如在200g/l硫酸陽極化電解質中在20℃下使用1.5 ASD。

在陽極化期間，微合金元素及不變色元素在基板與陽極膜之間的界面處變得富集，由此被挾帶在陽極膜內。在界面處富集之微合金元素可增大陽極膜對基板之黏著強度。特定言之，微合金元素減少界面處與減弱陽極膜之黏著強度相關聯的鋅之富集。然而，陽極膜內挾帶之微合金元素可使陽極膜變色。不變色元素藉由減低富集於界面處且挾帶於陽極膜內的微合金元素之相對量而起作用，由此降低微合金元素之變色效果。在一些情況下，選擇微合金元素與不變色元素之相對量，以便實現具有如使用CIE L*a*b*色彩空間模型量測之最大預定量以下的變色之經陽極化基板。在特定實施例中，經陽極化高強度鋁表徵為具有不超過1之b*值，如使用D65白施照體藉由CIE 1976 L*a*b*色彩空間模型量測所量測。在一些較佳實施例中，b*值不超過0.6。在一些實施例中，b*值不超過0.2。

出於解釋之目的，前文描述使用特定命名法以提供對所描述之實施例的透徹理解。然而，熟習此項技術者將明白，無需特定細節以便實踐所描述之實施例。因此，出於說明及描述之目的而呈現本文所描述之特定實施例的前述描述。其並不意欲為窮盡性的或將實施例限制為所揭示之精確形式。一般熟習此項技術者將明白，鑒於以上教示，諸多修改及變化為可能的。

500‧‧‧經陽極化部件

502‧‧‧鋁合金基板

504‧‧‧陽極氧化物膜

506‧‧‧陽極孔

508‧‧‧界面

510‧‧‧鋁

512‧‧‧變色元素

514‧‧‧不變色元素

Claims (17)

1. 一種用於一電子裝置之殼體，該殼體包含：一鋁合金基板，其具有：濃度為約5.5重量%之鋅，濃度為約1.0重量%之鎂，一不變色元素，及添加至不超過約0.10重量%之一濃度的一微合金元素；及形成於該鋁合金基板上之一陽極膜，該微合金元素併入該陽極膜內且與該陽極膜之變色相關聯，其中該不變色元素併入該陽極膜內，由此減少由該併入之微合金元素所導致的該陽極膜之變色。
2. 如請求項1之殼體，其中該微合金元素包括銅、錳、鐵及銀中之至少一者。
3. 如請求項1之殼體，其中該變色微合金元素與增大該陽極膜對該鋁合金基板之一黏著強度正相關聯。
4. 如請求項1之殼體，其中該不變色元素包括鋯、鉬、鉿、鎢、釩、鈮及鉭中之至少一者。
5. 如請求項1之殼體，其中不變色元素為鋯。
6. 如請求項4之殼體，其中該鋁合金基板內的該鋯之一濃度不超過約0.10重量%。
7. 如請求項1之殼體，其中該陽極膜具有不超過1之一b*值，如使用一D65白施照體藉由CIE 1976 L*a*b*色彩空間模型量測所量測。
8. 一種陽極化用於一電子裝置之一殼體的方法，該方法包含：陽極化一高強度鋁合金基板以使得該經陽極化高強度鋁表徵為具有不超過1的一b*值，其中該高強度鋁合金基板具有：濃度為約5.5重量%之鋅，濃度為約1.0重量%之鎂，一微合金元素， 及一不變色元素，該微合金元素添加至不超過約0.10重量%之一濃度，其中，由於該陽極化，該微合金元素之一部分及該不變色元素之一部分併入一所得陽極膜內，該陽極膜內之微合金元素的一量與該陽極膜之變色的一量相關聯，其中該不變色元素減低該陽極膜內之微合金元素的該量，由此減少該陽極膜之變色的該量。
9. 如請求項8之方法，其中將該陽極膜生長至至少12微米之一厚度。
10. 如請求項9之方法，其中將該陽極膜生長至至少18微米之一厚度。
11. 如請求項8之方法，其中該微合金元素包括銅、錳、鐵及銀中之至少一者。
12. 如請求項8之方法，其中該不變色元素包括鋯、鉬、鉿、鎢、釩、鈮及鉭中之至少一者。
13. 一種用於一電子裝置之殼體，該殼體包含：一鋁合金基板，其具有：濃度為約5.5重量%之鋅，濃度為約1.0重量%之鎂，非零但不超過0.10重量%之銅，及非零但不超過0.70重量%之鋯；及形成於該鋁合金基板上之一陽極膜。
14. 如請求項13之殼體，其中該鋁合金基板具有不超過0.05重量%之鋯。
15. 如請求項14之殼體，其中該鋁合金基板具有不超過0.05重量%之銅。
16. 如請求項13之殼體，其中該陽極膜具有不超過1之一b*值，如使用一D65白施照體藉由CIE 1976 L*a*b*色彩空間模型量測所量 測。
17. 如請求項16之殼體，其中該b*值不超過約0.2。