TWI605151B - Substrate processing apparatus, gas rectifier, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium having recorded program - Google Patents

Substrate processing apparatus, gas rectifier, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium having recorded program Download PDF

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Shun Matsui
Kazuhiro Morimitsu
Kazuyuki Toyoda
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Description

基板處理裝置，氣體整流部，半導體裝置之製造方法及記錄有程式之記錄媒體
本發明係關於基板處理裝置、氣體整流部、半導體裝置之製造方法及記錄有程式之記錄媒體。
作為半導體裝置(device)之製造步驟的一步驟，有對基板供給處理氣體與反應氣體，進行於基板上形成膜之處理步驟。
然而，有基板之溫度分佈不均勻、處理均勻性降低的情形。
本發明之目的在於提供提升基板之處理均勻性的技術。
根據本發明之一態樣，提供一種技術，係具有：對基板進行處理之處理室；設於處理室內，載置基板的基板載置台；對基板進行加熱之加熱部；對基板供給處理氣體之氣體整流部；設於氣體整流部之密封部；設於密封部與氣體整流部之上游側表面之間的斷熱部；與連接於斷熱部的第一壓力調整部。
根據本發明之基板處理裝置、氣體整流部、半導體裝 置之製造方法及程式，可至少提升基板之處理均勻性。
100‧‧‧基板處理裝置
121‧‧‧控制器
121a‧‧‧CPU
121b‧‧‧RAM
121c‧‧‧記憶裝置
121d‧‧‧I/O埠
121e‧‧‧內部匯流排
122‧‧‧輸出入裝置
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器；上側容器
202b‧‧‧下部容器；下側容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧分隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入出口
207‧‧‧起銷
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧載置面
212‧‧‧基板載置台
212a‧‧‧側壁
212b‧‧‧突出部
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧伸縮囊
220‧‧‧排氣部(排氣管線)
221‧‧‧排氣口(第一排氣部)
222‧‧‧排氣管
223‧‧‧壓力調整器
224‧‧‧真空泵
225‧‧‧排氣路
231‧‧‧蓋
234‧‧‧氣體整流部
234a‧‧‧上游側表面
234b‧‧‧下游側表面
234d‧‧‧氣體分散通道
241‧‧‧氣體導入口
242‧‧‧共通氣體供給管
243‧‧‧第一氣體供給部；含第一元素氣供給部
243a‧‧‧第一氣體供給管
243b‧‧‧第一氣體供給源
243c、244c、245c、246c、247c、248c、249c、402a‧‧‧質量流量控制器(MFC)；流量控制部
243d、244d、245d、246d、247d、248d、249d、401a、265、267、272、277‧‧‧閥
244‧‧‧第二處理氣體供給部；含第二元素氣體供給部
244a‧‧‧第二氣體供給管
244b‧‧‧第二氣體供給源
244e‧‧‧遠程電漿單元(RPU)
245‧‧‧第三氣體供給部；第三處理氣體供給部
245a‧‧‧第三氣體供給管
245b‧‧‧第三氣體供給源
246a‧‧‧第一惰性氣體供給管
246b‧‧‧惰性氣體供給源
247a‧‧‧第二惰性氣體供給管
247b‧‧‧惰性氣體供給源
248‧‧‧清潔氣體供給部
248a‧‧‧清潔氣體供給管
248b‧‧‧清潔氣體源
249a‧‧‧第四惰性氣體供給管
249b‧‧‧第四惰性氣體供給源
250‧‧‧遠程電漿單元RPU(激發部)
260‧‧‧處理容器密封部
261‧‧‧緩衝部
262‧‧‧蓋密封部
263‧‧‧冷卻流路
264‧‧‧供給管
268‧‧‧供給管
270‧‧‧第一斷熱部
271‧‧‧排氣管
273‧‧‧密封部
274‧‧‧第二斷熱部
275‧‧‧密封部
276‧‧‧排氣管
280‧‧‧第一氣體加熱部
281‧‧‧第一溫度調整器
282‧‧‧第二氣體加熱部
283‧‧‧第二溫度調整器
285‧‧‧外部記憶裝置
圖1為一實施形態之基板處理裝置的概略構成圖。
圖2為一實施形態之氣體供給部的概略構成圖。
圖3為一實施形態之氣體整流部之氣體導入口的橫剖面圖。
圖4為其他實施形態之密封部之橫剖面圖。
圖5為一實施形態之基板處理裝置之控制器的概略構成圖。
圖6為一實施形態之基板處理步驟的流程圖。
圖7為一實施形態之第一斷熱部內之壓力控制順序圖。
圖8為一實施形態之基板處理步驟之氣體供給、燈ON/OFF順序圖。
以下針對本發明之實施形態進行說明。
<第一實施形態>
以下，藉圖式說明第一實施形態。
(1)基板處理裝置之構成
首先，針對第一實施形態之基板處理裝置進行說明。
針對本實施形態之處理裝置100進行說明。基板處理裝置100係形成絕緣膜或金屬膜等之裝置，如圖1所示，構成為單片式基板處理裝置。
如圖1所示，基板處理裝置100係具備處理容器202。 處理容器202係例如橫剖面為圓形，並構成為扁平之密閉容器。又，處理容器202係由例如鋁(Al)或不銹鋼(SUS)等金屬材料、或者石英等所構成。於處理容器202內，形成對作為基板之矽晶圓等之晶圓200進行處理的處理空間(處理室)201、搬送空間203。處理容器202係由上部容器202a與下部容器202b所構成。於上部容器202a與下部容器202b之間設有分隔板204。於上部容器202a與下部容器202b之間，設有用於維持處理室201或搬送空間203內之壓力的作為第二密封部的處理容器密封部260。又，亦可設置用於抑制上部容器202a與下部容器202b直接接觸、或抑制處理容器密封部260之壓潰的緩衝部261。處理容器密封部260與緩衝部261係使用耐熱性較構成上部容器202a或下部容器202b之材料差的材料。例如，使用作為氟樹脂之聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylen：PTFE)、或以碳元素與氟元素作為主成分的氟橡膠、以碳與氟與氧等作為主成分之氟橡膠等材料。又，亦可設置由含有銅(Cu)、不銹鋼(SUS)、鋁(Al)等金屬元素之任一種的金屬材料所構成的密封構件。又，處理容器密封部260有時亦稱為O型環或墊圈(gasket)。將由上部容器202a所包圍之空間、較分隔板204靠上方之空間稱為處理室201或反應區201；將由下部容器202b所包圍之空間、較分隔板204靠下方之空間稱為搬送空間203。
於下部容器202b側面，設置與閘閥205鄰接之基板搬入出口206，晶圓200係經由基板搬入出口206而在未圖示之搬送室之間移動。於下部容器202b之底部，複數設置起銷207。再者，下部容器202b成為接地電位。
處理容器202內，設有支撐晶圓200的基板支撐部 210。基板支撐部210主要具有：載置晶圓200之載置面211；於表面具有載置面211的基板載置台212；內包於基板載置台212之作為加熱部的加熱器213。於基板載置台212，係在與起銷207對應之位置分別設置起銷207貫通的貫通孔214。
又，於基板載置台212之側壁212a，具有朝基板載置台212之徑方向突出的突出部212b。此突出部212b係設置於基板載置台212之底面側。尚且，突出部212b係與分隔板204接近或接觸，而抑制處理室201內之環境氣體移動至搬送空間203內、或搬送空間203內之環境氣體移動至處理室201內的情形。
基板載置台212係由軸217支撐。軸217貫通處理容器202之底部，進而於處理容器202外部連接於升降機構218。藉由使升降機構218動作而使軸217及基板載置台212進行升降，可使載置於載置面211上之晶圓200升降。尚且，軸217下端部之周圍係由伸縮囊219所包覆，處理空間201內係保持為氣密。
基板載置台212係在晶圓200之搬送時，依載置面211成為基板搬入出口206之位置(晶圓搬送位置)的方式下降至基板支撐台；在晶圓200之處理時，如圖1所示，上升至晶圓200為處理空間201內之處理位置(晶圓處理位置)。
具體而言，在使基板載置台212下降至晶圓搬送位置時，起銷207之上端部由載置面211上面突出，起銷207係由下方支撐晶圓200。又，在使基板載置台212上升至晶圓處理位置時，起銷207係由載置面211上面埋沒，載置面211係由下方支撐晶圓200。尚且，起銷207由於與晶圓200直接接觸，故較理想係例如由石英或氧化鋁等材質所形成。
(排氣部)
於處理空間201(上部容器202a)之外周，設置作為對處理空間201之環境氣體進行排氣之排氣部的排氣路徑225。於排氣路徑225，設置排氣口221。於排氣口221係連接有排氣管222，於排氣管222係依序串聯連接有將處理空間201內控制為既定壓力的APC(Auto Pressure Controller)等之壓力調整器223、真空泵224。主要由排氣路徑225、排氣口221、排氣管222、壓力調整器223構成排氣部(排氣管線)220。又，排氣路徑225亦可設置成包圍處理室201，構成為可由晶圓200之全周進行排氣。又，亦可於排氣部之構成中加入真空泵224。
(氣體導入口)
於處理室201上部所設置之後述氣體整流部234之上面(頂壁)，設有用於對處理空間201內供給各種氣體的氣體導入口241。
(氣體整流部)
於氣體導入口241與處理室201之間，設置氣體整流部234。氣體整流部234係具有氣體通過之氣體分散通道234d。氣體整流部234係安裝於蓋231。由氣體導入口241所導入之氣體係經由氣體整流部234供給至晶圓200。氣體整流部234亦可以成為腔室蓋組件之側壁的方式構成。又，氣體導入口241亦可作用為氣體分散通道之機能，且以使所供給之氣體分散至基板全周的方式構成。
又，於氣體整流部234係設置作為第一密封部的蓋密封部 262，構成為可維持處理室201內之壓力。蓋密封部262係由與處理容器密封部260相同之材質所構成。
(處理氣體供給部)
於連接至氣體整流部234的氣體導入口241，連接有共通氣體供給管242。如圖2所示，於共通氣體供給管242連接有第一氣體供給管243a、第二氣體供給管244a、第三氣體供給管245a、清潔氣體供給管248a。
由包含第一氣體供給管243a之第一氣體供給部243，主要係供給第一元素含有氣體(第一處理氣體)；由包含第二氣體供給管244a之第二氣體供給部244，主要係供給第二元素含有氣體(第二處理氣體)。由包含第三氣體供給管245a之第三氣體供給部245，主要係供給沖洗氣體；由包含清潔氣體供給管248a之清潔氣體供給部248，係供給清潔氣體。供給處理氣體之處理氣體供給部，係由第一處理氣體供給部與第二處理氣體供給部之任一者或兩者所構成，處理氣體係由第一處理氣體與第二處理氣體之任一者或兩者所構成。
(第一氣體供給部)
於第一氣體供給管243a，係由上游方向起依序設置第一氣體供給源243b、屬於流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)243c及屬於開關閥之閥243d。
由第一氣體供給源243b，供給含有第一元素之氣體(第一處理氣體)，經由質量流量控制器243c、閥243d、第一氣體供 給管243a、共通氣體供給管242而供給至氣體整流部234。
第一處理氣體為原料氣體，亦即處理氣體之一。
於此，第一元素為例如矽(Si)。亦即，第一處理氣體為例如含矽氣體。作為含矽氣體，可使用例如二氯矽烷(Dichlorosilane(SiH2Cl2)：DCS)氣體。尚且，第一處理氣體之原料於常溫常壓下可為固體、液體、及氣體之任一種。在第一處理氣體之原料於常溫常壓下為液體的情況，可於第一氣體供給源243b與質量流量控制器243c之間設置未圖示的氣化器。於此，原料係以氣體的形式進行說明。
於第一氣體供給管243a之閥243d之更下游側，連接第一惰性氣體供給管246a之下游端。於第一惰性氣體供給管246a，由上游方向起依序設置惰性氣體供給源246b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)246c及屬於開關閥的閥246d。
於此，惰性氣體為例如氮(N2)氣。又，作為惰性氣體，除了N2氣之外，可使用例如氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等稀有氣體。
主要由第一氣體供給管243a、質量流量控制器243c、閥243d構成含第一元素氣體供給部243(亦稱為含矽氣體供給部)。
又，主要由第一惰性氣體供給管246a、質量流量控制器246c及閥246d構成第一惰性氣體供給部。又，亦可將惰性氣體供給源246b、第一氣體供給管243a視為涵括於第一惰性氣體供給部中。
再者，亦可將第一氣體供給源243b、第一惰性氣體供給部視為涵括於含第一元素氣體供給部中。
(第二氣體供給部)
於第二氣體供給管244a之上游，係由上游方向起依序設置第二氣體供給源244b、屬於流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)244c及屬於開關閥之閥244d。
由第二氣體供給源244b，供給含有第二元素之氣體(以下稱為「第二處理氣體」)，經由質量流量控制器244c、閥244d、第二氣體供給管244a、共通氣體供給管242而供給至氣體整流部234。
第二處理氣體為處理氣體之一。又，第二處理氣體亦可視為反應氣體或改質氣體。
於此，第二處理氣體係含有與第一元素相異之第二元素。作為第二元素，包括例如氧(O)、氮(N)、碳(C)、氫(H)中之一種以上。本實施形態中，第二處理氣體係設為例如含氮氣體。具體而言，可使用氨(NH3)氣作為含氮氣體。
主要由第二氣體供給管244a、質量流量控制器244c、閥244d構成第二處理氣體供給部244。
此外，亦可設置作為活性化部之遠程電漿單元(RPU)244e，構成為可將第二處理氣體活性化。
又，於第二氣體供給管244a之閥244d之更下游側，連接第二惰性氣體供給管247a之下游端。於第二惰性氣體供給管247a，由上游方向起依序設置惰性氣體供給源247b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)247c及屬於開關閥的閥247d。
由第二惰性氣體供給管247a，惰性氣體係經由質量 流量控制器247c、閥247d、第二氣體供給管244a，而供給至氣體整流部234。惰性氣體係於薄膜形成步驟(後述之S203~S207)作用為載體氣體或稀釋氣體。
主要由第二惰性氣體供給管247a、質量流量控制器247c及閥247d構成第二惰性氣體供給部。又，亦可將惰性氣體供給源247b、第二氣體供給管244a視為涵括於第二惰性氣體供給部中。
再者，亦可將第二氣體供給源244b、第二惰性氣體供給部視為涵括於含第二元素氣體供給部244中。
(第三氣體供給部)
於第三氣體供給管245a，係由上游方向起依序設置第三氣體供給源245b、屬於流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)245c及屬於開關閥之閥245d。
由第三氣體供給源245b，供給作為沖洗氣體之惰性氣體，經由質量流量控制器245c、閥245d、第三氣體供給管245a、共通氣體供給管242而供給至氣體整流部234。
於此，惰性氣體為例如氮(N2)氣。又，作為惰性氣體，除了N2氣之外，可使用例如氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等稀有氣體。
主要由第三氣體供給管245a、質量流量控制器245c、閥245d構成第三氣體供給部245(亦稱為沖洗氣體供給部)。
(清潔氣體供給部)
於清潔氣體供給管248a，係由上游方向起依序設置清潔氣體源248b、質量流量控制器(MFC)248c及閥248d、遠程電漿單元(RPU)250。
由清潔氣體源248b，供給清潔氣體，經由MFC248c、閥248d、RPU250、清潔氣體供給管248a、共通氣體供給管242而供給至氣體整流部234。
於清潔氣體供給管248a之閥248d之更下游側，連接第四惰性氣體供給管249a之下游端。於第四惰性氣體供給管249a，由上游方向起依序設置第四惰性氣體供給源249b、MFC249c及閥249d。
又，主要由清潔氣體供給管248a、MFC248c及閥248d構成清潔處理氣體供給部。又，亦可將清潔氣體源248b、第四惰性氣體供給管249a、RPU250視為涵括於清潔氣體供給部中。
尚且，由第四惰性氣體供給源249b所供給之惰性氣體亦可以作用為清潔氣體之載體氣體或稀釋氣體的方式進行供給。
由清潔氣體源248b所供給之清潔氣體，係作用為於清潔步驟中將附著於氣體整流部234或處理室201之副生成物等予以去除的清潔氣體。
於此，清潔氣體為例如三氟化氮(NF3)氣體。尚且，作為清潔氣體，亦可使用例如氟化氫(HF)氣體、三氟化氯(ClF3)氣體、氟(F2)氣體等，或將此等組合使用。
又，作為設於上述各氣體供給部之流量控制部，較佳係針閥或孔口等之氣流之應答性高的氣體。例如，在氣體脈衝寬為毫秒等級的情況，有於MFC無法應答之情形，但在針閥或孔口的 情況下，藉由組合高速之ON/OFF閥，則可對應於毫秒以下之氣體脈衝。
(控制部)
如圖1所示，基板處理裝置100係具有控制基板處理裝置100之各部動作的控制器121。
如圖5所示，屬於控制部(控制手段)之控制器121，係構成為具備CPU(中央處理器，Central Processing Unit)121a、RMA(隨機存取記憶體，Random Access Memory)121b、記憶裝置121c、I/O埠121d的電腦。RAM121b、記憶裝置121c、I/O埠121d係經由內部匯流排121e，以可與CPU121a進行資料交換的方式構成。於控制器121中構成為可連接例如構成為觸控面板等的輸出入裝置122、或外部記憶裝置285。
記憶裝置121c係由例如快閃記憶體、HDD(硬式磁碟機，Hard Disk Drive)等所構成。於記憶裝置121c內，可讀取地儲存控制基板處理裝置之動作的控制程式、或記載有後述基板處理手續或條件等的製程內容等。製程內容係於控制器121中實行後述基板處理步驟之各手續，以可得到既定結果的方式組合而成者，且具有作為程式的機能。以下，亦將此製程內容或控制程式等總稱簡稱為程式。尚且，在本說明書中使用所謂程式之用語時，係指僅包含製程內容單體的情況、僅包含控制程式單體的情況、或包含其兩者的情況。又，RAM121b係構成為暫時性保持藉CPU121a讀取之程序或資料等的記憶體區域(工作區)。
I/O埠121d係連接於閘閥205、升降機構218、壓力 調整器223、真空泵224、遠程電漿單元244e、250、MFC243c、244c、245c、246c、247c、248c、249c、402a、閥243d、244d、245d、246d、247d、248d、249d、401a、加熱器213等。
CPU121a係以由記憶裝置121c讀取控制程式而執行，同時配合來自輸出入裝置122的操作指令的輸入等由記憶裝置121c讀取製程內容的方式構成。接著，CPU121a係依照讀取的製程內容，以控制閘閥205之開關動作、升降機構218之升降動作、壓力調整器223之壓力調整動作、真空泵224之開關控制、遠程電漿單元250之氣體激發動作、MFC243c、244c、245c、246c、247c、248c、249c、402a的流量調整動作、閥243d、244d、245d、246d、247d、248d、249d、401a的氣體開關控制、加熱器213之溫度控制等的方式構成。
尚且，控制器121並不限於構成為專用的電腦的場合，亦可構成為通用的電腦。例如，可藉由準備儲存上述程式的外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟或硬碟等磁碟、CD或DVD等光碟、MO等光磁碟、USB記憶體或記憶卡等半導體記憶體)285，使用此外部記憶裝置285在通用的電腦安裝程式等，而可構成本實施形態的控制器121。又，用於對電腦供給程式的手段並不限於經由外部記憶裝置285供給的情況。例如，亦可使用網際網路或專用線路等通訊手段，不經由外部記憶裝置285而供給程式。尚且，記憶裝置121c或外部記憶裝置285係構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，將此等總稱簡稱為記錄媒體。又，於本說明書中使用所謂記錄媒體之用語時，係指僅包含記憶裝置121c單體的情況、僅包含外部記憶裝置285單體的情況、或者包含其兩者的場合。
於此，發明者等人發現，在對晶圓200供給處理氣體而進行處理之處理裝置中，於處理溫度呈高溫時，將產生以下課題之任一項或複數課題。其中，所謂高溫係指例如400℃以上的溫度。
<課題1>
例如，在處理溫度成為高溫時，有對處理室201之處理容器密封部260、262進行冷卻的必要。處理容器密封部260、262係有因高溫而材質發生變化的情形。又，由於與存在於處理室201內外之氣體進行反應，而材質發生變化。例如，有與大氣中之氧進行反應而密封性惡化的情形。故有必要抑制此種密封部的特性變化。為了抑制密封部之特性變化，例如有設置冷卻流路263以進行冷卻的方法。然而，若對密封部260、262進行冷卻，則有氣體整流部234之表面被冷卻的情形。尤其是氣體整流部234之上游側被冷卻，而有氣體整流部234之上游側表面234a之溫度與下游側表面234b之溫度產生差異的情形。由於氣體整流部234之表面溫度，而使流動於表面附近之氣體的黏度(黏性)發生變化。在氣體黏度發生變化時，氣體的流動容易度發生變化，故於氣體整流部234之周圍、或晶圓200之面上發生氣體濃度差或氣體密度差。由於氣體濃度差，而有處理均勻性惡化之課題產生的情形。氣體濃度差係例如形成為於晶圓200之中心側與外周側為相異。於此，上游側表面234a係與跟晶圓200對向方向之氣體流動呈平行的面。氣體的流動係有朝晶圓200徑方向流動的情形，與由上游側表面234a朝下游側表面234b、呈螺旋方向流動的情形。在呈螺旋方向流動的情況下，由於氣體流路(路徑)構成為較實施長，故強烈地受到氣體整流部234之 表面溫度的影響，進而有氣體黏性發生變化的情形。
<課題2>
又，由於氣體整流部234被冷卻，而於氣體整流部234與晶圓200、基板載置台212之間發生溫度梯度。由於此溫度梯度，而發生由晶圓200或基板載置212朝氣體整流部234的熱移動，晶圓200或基板載置台212被冷卻。又，氣體整流部234由於如上述般在上游側表面234a與下游側表面234b發生溫度差，故晶圓200或基板載置台212亦發生溫度分佈。晶圓200或基板載置台212的溫度分佈係形成為例如於中心側與外周側的溫度相異。由於此溫度分佈，而有晶圓200之面內處理均勻性惡化之課題產生的情形。
<課題3>
又，在氣體整流部234被過度冷卻時，氣體吸附於氣體整流部234表面。尤其有接近冷卻流路263的上游側表面234a被過度冷卻，氣體吸附於上游側表面234a的情形。例如，在對晶圓200依序供給處理氣體與反應氣體而進行處理的基板處理裝置中，反應氣體吸附於上游側表面234a。由於依吸附有反應氣體之狀態流通處理氣體，其與吸附於上游側表面234a之反應氣體進行反應，而有於上游側表面234a附近發生預期外之反應的情形。例如，於上游側表面234a上發生成膜。又，有生成副生成物，副生成物被供給至晶圓200，而對晶圓200施行非意圖之成膜的情形。又，亦有由於在上游側表面234a上所形成之膜剝離而產生的顆粒、或副生成物對晶圓200之處理造成阻礙的情形。
<課題4>
在處理容器202構成為扁平時，上游側表面234a、處理空間201、基板載置台212、蓋密封部262各別的構成距離變短。此時，由於由各個構成所產生之熱互相影響，故難以將各個構成的溫度維持為既定溫度。於此，所謂扁平之構成，係指基板載置台212與蓋密封部262間的距離為較基板載置台212之直徑短的構成。
發明者等人為了解決上述課題之任一項或複數課題，經潛心研究之結果發現，藉由設置以下之A)~I)之構成的任一者，可解決課題。又，發現藉由將以下構成複數組合，可提高效果。
A)在蓋密封部262、及氣體整流部234之與處理室201相接的表面之間，設置第一斷熱部270。此第一斷熱部270係如圖1、圖3所示，於氣體整流部234之上游側構成為溝形狀。溝的深度係依如至少包圍氣體分散通道234d之上游側表面234a般的深度所構成。又，第一斷熱部270亦作用為用於抑制由上游側表面234a、處理空間201、基板載置台212、蓋密封部262等之各個構成所產生之熱的相互影響，調整熱移動量(熱傳導程度)的機構。
又，於第一斷熱部270亦可插入熱傳導率低的構件。例如可為石英或陶瓷、氣凝膠等物質。
B)於第一斷熱部270，連接作為壓力調整部之第一壓力調整部(第二排氣部)，構成為可對第一斷熱部270內進行真空排氣。此時，於第一斷熱部270設置密封部273，構成為可維持第一斷熱部270內之壓力。第一壓力調整部係由排氣管271與閥272所構成。排氣管271係與排氣泵(未圖示)連接。閥272較佳係由可調 整開度之閥所構成。藉由控制閥272之開度，調整第一斷熱部270內的壓力，可調整第一斷熱部270的熱傳導率。
C)較佳係於冷卻密封部之冷卻流路263連接冷卻部，控制對冷卻流路263的冷媒供給量。冷卻部係由供給管264與閥265所構成。藉由控制冷媒供給量，可抑制蓋密封部262的過冷卻。
D)於氣體整流部之表面，亦可設置第一氣體加熱部280，構成為可對氣體整流部234進行加熱。藉由對氣體整流部234進行加熱，可抑制氣體整流部234之溫度分佈發生、或氣體吸附。
第一氣體加熱部280係以至少對應於氣體分散通道234d之上游側表面234a的方式設置。第一氣體加熱部280之溫度係藉由連接於第一氣體加熱部280之第一溫度調整器281所控制。
E)在設於上側容器202a與下側容器202b之間的處理容器密封部260與排氣路225之間，亦可設置第二斷熱部274。藉由設置第二斷熱部274，可抑制氣體整流部234之朝晶圓200徑方向的熱移動，而可抑制氣體整流部234的溫度分佈。又，可抑制處理容器密封部260或緩衝部261的特性變化。
第二斷熱部274之構成係與第一斷熱部270為相同構成。例如，如圖4所示，由溝形狀所構成。
F)於第二斷熱部274，連接作為壓力調整部之第二壓力調整部(第三排氣部)，構成為可對第二斷熱部274進行真空排氣。此時，於第二斷熱部274設置密封部275，構成為可維持第二斷熱部274內之壓力。第二壓力調整部係由排氣管276與閥277所構成。閥277較佳係由可調整開度之閥所構成。藉由控制閥272之 開度，調整第二斷熱部274內的壓力，可調整第二斷熱部274的熱傳導率。又，亦可以於第二斷熱部274連接第一壓力調整部而進行排氣的方式構成。藉由此種構成，可使排氣系統簡單化。藉由設置第一壓力調整部與第二壓力調整部，可將第一斷熱部270之壓力與第二斷熱部274之壓力分別控制為相異。
G)亦可以設置冷卻處理容器密封部260之冷卻流路263而加熱處理容器密封部260的方式構成。
又，亦可於冷卻流路263連接冷卻部，構成為可調整對冷卻流路263的冷媒供給量。連接於冷卻流路263之冷卻部係由供給管268與閥267所構成。
H)又，在排氣路225之與上側容器202a相接的面、處理容器密封部260所設置的面，亦可設置第二氣體加熱部282。
第二氣體加熱部282之溫度係藉由連接於第二氣體加熱部282的第二溫度調整器283所控制。
I)在將上述B、C、D、F、G、H之構成之任一者或複數組合時，係以將第一密封部與第二密封部之任一者或兩者的溫度保持為各密封部之特性不劣化的溫度，並保持為氣體不吸附於上游側表面234a的溫度的方式進行溫度控制。
上述各構成係連接於控制器121之I/O埠121d，構成為控制器121可控制各個構成。
(2)基板處理步驟
接著，針對基板處理步驟之例子，以屬於半導體裝置之製造步驟之一、使用DCS氣體及NH3(氨)氣形成氮化矽(SixNy)膜的例子 進行說明。
圖6表示於作為基板之晶圓200上形成氮化矽(SixNy)膜時的基板處理步驟之流程。
(基板搬入步驟S201)
在成膜處理時，首先，使晶圓200搬入至處理室201。具體而言，係藉由升降機構218使基板支撐部210下降，起銷207係設為由貫通孔214於基板支撐部210之上面側突出的狀態。又，在將處理室201內調壓為既定壓力後，開放閘閥205，由閘閥205將晶圓200載置於起銷207上。使晶圓200載置於起銷207上後，藉升降機構218使基板支撐部210上升至既定位置，晶圓200係由起銷207載置於基板支撐部210。此時，亦可一邊由第三氣體供給部245供給惰性氣體，一邊上升至既定位置。又，亦可上升至使基板載置台212之突出部212b與分隔板204接觸(抵接)的位置。
此時，亦可事先藉由加熱器213加熱基板載置台212。藉由事先加熱，可縮短晶圓200的加熱時間。又，在將晶圓200由起銷207載置於載置面211時，在晶圓200發生彈起的情況、或晶圓200發生曲翹的情況等時，亦可對晶圓200進行預備加熱。預備加熱可於基板處理裝置100內進行，亦可於基板處理裝置100外進行。例如，於基板處理裝置100內進行時，係依以起銷207支撐著晶圓200的狀態，將基板載置台212與基板間之距離設為既定之第一距離，使其待機既定時間而進行加熱。於此，第一距離亦可設為由閘閥205搬送晶圓200時的搬送位置。又，亦可設為較搬送位置之距離短的距離。於基板處理裝置100內進行預備加熱時的升 溫時間，係視晶圓200與基板載置台212間之距離而變化，在距離較短時可縮短升溫時間。具體而言，事先加熱基板載置台，在晶圓200或基座之溫度無變化後保持一定時間。
此時，加熱器213之溫度係與對晶圓200供給原料氣體時相同，以成為300~850℃、較佳為300~800℃、更佳為300~750℃之範圍內的一定溫度的方式進行設定。由加熱器213所進行之晶圓200加熱或基板載置台212加熱，係例如持續至重複步驟S207。
又，第一斷熱部270內之排氣，係在將晶圓200搬入至處理室201內前開始進行，亦可以成為既定壓力的方式進行調整。此時，由上游側表面234a傳導至蓋密封部262的熱量、與由經加熱之基板載置台212傳導至上游側表面234a的熱量達到平衡，設為上游側表面234a之溫度成為既定溫度的壓力(第一壓力)。
如圖7所示，在將晶圓200載置於基板載置台212上時，亦可將第一斷熱部270內之壓力設為較第一壓力低的第二壓力。由基板載置台212傳導至上游側表面234a的熱，係由晶圓200暫時阻斷。此時，在維持第一壓力的情況，有上游側表面234a較既定溫度低的情形，但藉由將第一斷熱部內之壓力設為第二壓力，使由上游側表面234a傳導至蓋密封部262的熱量減少，可抑制上游側表面234a之溫度由既定溫度產生變化。
尚且，第二斷熱部274內之壓力係至少於S203、S204、S205、S206、S207之步驟中設為真空狀態，亦可由S201起設為真空狀態。藉由由S201起設為真空狀態，可抑制由基板載置台212朝排氣路225方向的熱移動，而縮短基板載置台212的溫度調整時間。
(減壓、升溫步驟S202)
接著，依處理室201內成為既定壓力(真空度)的方式，經由排氣管222對處理室201內進行排氣。此時，根據壓力感測器所測定之壓力值，回饋控制作為壓力調整器223的APC閥的閥開度。又，根據溫度感測器(未圖示)所檢測之溫度值，以處理室201內成為既定溫度的方式，回饋控制對加熱器213的通電量。在晶圓200之溫度成為一定前的期間，亦可設置將殘留於處理室201內之水分或來自構件之脫氣等藉由真空排氣或由N2氣體供給所進行之沖洗予以去除的步驟。如此，完成成膜製程前之準備。又，在處理室201內進行排氣為既定壓力時，亦可一次進行真空排氣至可到達的真空度。
又，此時，如圖7所示，亦可將第一斷熱部270內之壓力設為較第二壓力低的第三壓力。由基板載置台212或經加熱之晶圓200對上游側表面234a的熱移動，係有經由處理室201之環境氣體的熱傳導、與來自基板載置台212或晶圓200的熱輻射。在處理室201內經減壓的情況，由於經由處理室201之環境氣體的熱傳導減少，故在維持為第二壓力時，有上游側表面234a低於既定溫度的情形。藉由設為第三壓力，可將上游側表面234a之溫度維持為既定溫度。
(第一處理氣體供給步驟S203)
接著，如圖6所示，由第一處理氣體供給部對處理室201內供給作為第一處理氣體(原料氣體)的DCS氣體。又，持續排氣部所進 行之處理室201內的排氣，以處理室201內之壓力成為既定壓力(第一壓力)的方式進行控制。具體而言，打開第一氣體供給管243a之閥243d、第一惰性氣體供給管246a之閥246d，於第一氣體供給管243a流通DCS氣體，於第一惰性氣體供給管246a流通N2氣體。DCS氣體係由第一氣體供給管243a所流通，藉由MFC243c調整為既定流量。N2氣體係由第一惰性氣體供給管246a所流通，藉由MFC246c調整為既定流量。經流量調整之DCS氣體係與經流量調整之N2氣體於第一氣體供給管243a內混合，由氣體整流部234供給至處理室201內，並由排氣管222被排氣。此時，對晶圓200供給DCS氣體(原料氣體(DCS)供給步驟)。DCS氣體係依既定壓力範圍(第一壓力：例如100Pa以上且10000Pa以下)供給至處理室201內。如此，對晶圓200供給DCS。藉由供給DCS，而於晶圓200上形成含矽層。所謂含矽層係含有矽(Si)、或矽與氯(Cl)的層。
(殘留氣體去除步驟S204)
於晶圓200上形成含矽層後，關閉第一氣體供給管243a之閥243d，停止DCS氣體之供給。此時，排氣管222之APC閥223保持開放，藉真空泵224對處理室201內進行真空排氣，將殘留於處理室201內之DCS氣體、未反應之DCS氣體、或貢獻至含矽層形成後之DCS氣體由處理室201內排除。又，閥246d亦可保持開放，維持惰性氣體之N2氣體對處理室201內的供給。由閥246a持續供給的N2氣體係作用為沖洗氣體，藉此，可更加提高將殘留於第一氣體供給管243a、共通氣體供給管242、處理室201內之未反應或貢獻至含矽層形成後的DCS氣體予以排除的效果。
尚且，此時，亦可不將殘留於處理室201內、或氣體整流部234內之氣體完全排除(將處理室201內完全沖洗)。若殘留於處理室201內之氣體為微量，則於其後進行的步驟中不致產生不良影響。此時，供給至處理室201內之N2氣體流量亦不需設為大流量，例如，藉由供給與處理室201之容積相同程度之量，可進行在其次步驟中不產生不良影響之程度的沖洗。如此，藉由不對處理室201內進行完全沖洗，可縮短沖洗時間、提升產率。又，亦可將N2氣體之消耗抑制為所需最小限度。
此時加熱器213之溫度，係設定為與對晶圓200供給原料氣體時相同。作為由各惰性氣體供給部所供給之沖洗氣體的N2氣體的供給流量，分別設為例如100~20000sccm之範圍內的流量。作為沖洗氣體，除了N2氣體以外，亦可使用Ar、He、Ne、Xe等稀有氣體。
(第二處理氣體供給步驟S205)
將處理室201內之DCS殘留氣體去除後，停止沖洗氣體的供給，供給作為反應氣體的NH3氣體。具體而言，係打開第二氣體供給管244a之閥244d，於第二氣體供給管244a內流通NH3氣體。於第二氣體供給管244a內流通的NH3氣體，係藉MFC244c進行流量調整。經流量調整之NH3氣體係經由共通氣體供給管242、氣體整流部234而供給至晶圓200。供給至晶圓200上之NH3氣體係與形成於晶圓200上之含矽層反應，使矽氮化，同時排出氫、氯、氯化氫等雜質。
此時加熱器213之溫度係設為與對晶圓200供給原料 氣體時相同。
(殘留氣體去除步驟S206)
於第二處理氣體供給步驟後，停止反應氣體之供給，進行與殘留氣體去除步驟S204相同的處理。藉由進行殘留氣體去除步驟，可將殘留於第二氣體供給管244a、共通氣體供給管242、處理室201內等之未反應或貢獻至矽氮化後的NH3氣體予以排除。藉由去除殘留氣體，可抑制因殘留氣體所造成之非預期的膜形成。
(重複步驟S207)
藉由將以上之第一處理氣體供給步驟S203、殘留氣體去除步驟S204、第二處理氣體供給步驟S205、殘留氣體去除步驟S206分別進行各1步驟，而於晶圓200上堆積既定厚度之氮化矽(SixNy)層。藉由重複此等步驟，可控制晶圓200上之氮化矽膜的膜厚。以重複既定次數直到成為既定膜厚為止的方式進行控制。
又，如圖7所示，於S203、S204、S205、S206之各步驟中，第一斷熱部207內之壓力係設為較第三壓力低的第四壓力。於S203、S204、S205、S206之各步驟中，有上游側表面234a被所供給之氣體冷卻的情形。在上游側表面234a被冷卻時，於上游側表面234a附近流通的氣體的黏性降低。若氣體黏性降低，則氣體吸附於上游側表面234a，於上游側表面234a成膜，而成為顆粒發生的原因。藉由設為第四壓力，可抑制由上游側表面234a對蓋密封部262的熱移動，而抑制上游側表面234a的溫度降低。
又，在將S203、S204、S205、S206之各步驟重複n 周期後、或處理複數片晶圓200後，有於上游側表面234a上堆積膜的情形。此時，上游側表面234a有形成所堆積之膜造成的凹凸的情形，而容易吸收由基板載置台212或晶圓200所輻射出的熱。此種情況下，藉由將第一斷熱部270內之壓力設為較第四壓力高的第五壓力，可將上游側表面234a之溫度設為既定溫度。
(基板搬出步驟S208)
於重複步驟S207並實施既定次數後，進行基板搬出步驟S208，將晶圓200由處理室201搬出。具體而言，係對處理室201內供給惰性氣體，調壓為可搬送之壓力。調壓後，藉由升降機構218使基板支撐部210下降，起銷207由貫通孔214突出，晶圓200被載置於起銷207上。晶圓200被載置於起銷207上後，打開閘閥205，將晶圓200由處理室201搬出。又，亦可於搬出前使晶圓200降溫至可搬出溫度為止。
(3)本實施形態之效果
根據本實施形態，可發揮以下a)~h)所示之一種或複數種效果。
(a)藉由設置第一斷熱部270，可抑制冷卻流路263與上游側表面234a間的熱傳導，將第一密封部262與上游側表面234a之表面溫度維持為既定溫度，可抑制密封特性的劣化。又，可抑制於上游側表面234a附近流通之氣體的黏性變化，可減少在上游側表面234a附近流通之氣體黏性、與在下游側表面234b附近流通之氣體黏性間的差，可提升基板的處理均勻性。又，可抑制氣體對上游側表面 234a的吸附。
(b)由於壓力與熱傳導率具有比例關係，故藉由構成為可調整第一斷熱部270內之壓力(真空度)，則可改變第一斷熱部270的熱傳導率。例如，藉由降低第一斷熱部270內之壓力，可降低熱傳導率；藉由提高第一斷熱部270內之壓力，可提高熱傳導率。藉由將第一斷熱部270內調整為既定壓力，可使上游側表面234a所吸收之由基板載置台212所輻射出之熱的吸收量、與由冷卻流路263所進行之冷卻量達到平衡，可將上游側表面234a之溫度保持為既定溫度。又，可將第一密封部262之溫度維持為密封特性不惡化的溫度。
(c)又，即使在膜堆積於上游側表面234a時、或附著有雜物時，由基板載置台212所輻射出之熱之吸收量或反射量降低，藉由調整第一斷熱部270內之真空度，則仍可將上游側表面234a之溫度維持為既定溫度，可抑制氣體對上游側表面234a的吸附。又，可將於上游側表面234a附近流通之氣體黏度維持為既定黏度。
(d)藉由設置冷卻部而構成為可調整供給至冷卻流路263之冷媒流量，則可抑制因過度冷卻所造成之上游側表面234a的溫度降低。
(e)藉由設置第一氣體加熱部280而構成為可對上游側表面234a進行加熱，可將上游側表面234a之溫度維持為既定溫度、或可抑制因在氣體分散通道234d流通之氣體之溫度降低所造成的氣體黏度變化。
(f)藉由設置第二斷熱部274，可抑制氣體整流部234朝晶圓200徑方向的熱移動，而可抑制氣體整流部234的溫度分佈。又，可抑制處理容器密封部260或緩衝部261的特性變化。又，可抑制因排 氣路225之壁被冷卻所造成之副生成物對排氣路225之壁的吸附。
(g)藉由構成為可調整第二斷熱部274內之真空度，可調整第二斷熱部274的熱傳導率。
(h)藉由構成為可調整供給至冷卻流路263之冷媒流量，可抑制因過度冷卻所造成之排氣路225的溫度降低，可抑制對排氣路225內的膜附著、顆粒堆積。又，由於可減低排氣路225內之顆粒數，故可抑制顆粒由排氣路225對處理室201的侵入。
<其他實施形態>
以上具體說明了第一實施形態，但此揭示內容所記載之發明並不限定於上述實施形態，在不脫離其要旨之範圍內可進行各種變更。
以上說明了此揭示內容之其他形態，但此揭示內容並不限定於上述實施形態，在不脫離其要旨之範圍內可進行各種變更。
例如，亦可以透明材質構成氣體整流部234，以燈加熱器構成第一氣體加熱部280，於第一氣體供給時與第二氣體供給時之任一者或兩者中，將燈加熱器設為ON，調整對上游側表面234a流動之氣體黏性。又，亦可以抑制氣體對上游側表面234a的吸附的方式進行溫度調整。作為其例子，圖8表示在第一氣體供給時，對上游側表面234a進行加熱時之氣體供給與燈ON/OFF的順序。
又，上述中，雖記載有將第一氣體(原料氣體)與第二氣體(反應氣體)交替供給而進行成膜的方法，但亦可應用於其他方法。例如，亦可依原料氣體與反應氣體之供給時機重疊的方式進行 供給。
又，亦可供給原料氣體與反應氣體而設定成為CVD成膜。
又，上述中，雖記載有成膜處理，但亦可應用於其他處理。例如有使用了原料氣體與反應氣體之任一者或兩者的擴散處理、氧化處理、氮化處理、氧氮化處理、還原處理、氧化還原處理、蝕刻處理、加熱處理等。例如，在僅使用反應氣體，對基板表面或形成於基板之膜進行電漿氧化處理、或電漿氮化處理時，亦可應用本揭示內容。又，亦可應用於僅使用反應氣體的電漿退火處理。
又，上述中，雖記載有半導體裝置之製造步驟，但實施形態之揭示內容亦可應用於半導體裝置之製造步驟以外。例如，液晶裝置之製造步驟、或對陶瓷基板之處理等。
又，上述中，雖例示有形成氮化矽膜的例子，但亦可應用於使用其他氣體的成膜。例如含氧膜、含氮膜、含碳膜、含硼膜、含金屬膜與複數含有此等元素的膜等。又，作為此等膜，例如有SiO膜、TiN膜、AlO膜、ZrO膜、HfO膜、HfAlO膜、ZrAlO膜、SiC膜、SiCN膜、SiBN膜、TiAlN膜、TiC膜、TiAlC膜等。又，亦可為將此處所示之金屬元素取代為其他過渡金屬、或其他金屬元素的膜。
<本發明之較佳態樣>
以下附記本發明之較佳態樣。
<附記1>
根據本發明之一態樣，提供一種基板處理裝置、或半導體裝置之製造裝置，其係具有：對基板進行處理之處理室；設於上述處理室內，載置上述基板的基板載置台；對上述基板進行加熱之加熱部；對上述基板供給處理氣體之氣體整流部；設於上述氣體整流部之密封部；設於上述密封部與上述氣體整流部之上游側表面之間的斷熱部；與連接於上述斷熱部的第一壓力調整部。
<附記2>
如附記1記載之裝置，其中，較佳係具有控制部，該控制部之構成係以將上述斷熱部內維持為第一既定壓力的方式控制上述第一壓力調整部。
<附記3>
如附記2記載之裝置，其中，較佳係具有：對上述密封部進行冷卻的冷卻流路；與對上述冷卻流路供給冷媒的冷卻部；上述控制部之構成係以將上述上游側表面維持為既定溫度的方式控制上述第一壓力調整部與上述冷卻部。
<附記4>
如附記1至3中任一項記載之裝置，其中，較佳係上述氣體整流部以朝向上述基板之外周側而逐漸擴展半徑的方式構成，具有上述氣體所通過的氣體通道；上述上游側表面係設於上述氣體通道之上游側。
<附記5>
如附記4記載之裝置，其中，較佳係上述斷熱部以包圍上述氣體通道之上游側的方式設置。
<附記6>
如附記1記載之裝置，其中，較佳係於上述氣體整流部之外周設置對上述處理室內之環境氣體進行排氣的排氣部，並於上述排氣部之外周具有第二斷熱部。
<附記7>
如附記6記載之裝置，其中，較佳係於上述第二斷熱部連接第二壓力調整部；上述控制部之構成係以將上述第二斷熱部內維持為第二既定壓力之方式控制上述第二壓力調整部。
<附記8>
如附記6記載之裝置，其中，較佳係於上述第二斷熱部與上述排氣部之間設置第二加熱部；上述控制部之構成係以將上述第二斷熱部維持為既定溫度之 方式控制上述第二加熱部與上述第二壓力調整部。
<附記9>
如附記1至8中任一項記載之裝置，其中，較佳係於上述氣體整流部設置供給氣體的氣體供給部；上述控制部之構成係以上述氣體供給部對上述基板依序供給處理氣體與反應氣體之方式控制上述氣體供給部。
<附記10>
根據其他態樣，提供一種氣體整流部，係對載置於基板載置台之基板供給氣體者；其係具有：對上述基板進行加熱之加熱部；設於上述氣體整流部之密封部；設於上述密封部與上述氣體整流部之上游側表面之間的斷熱部；與連接於上述斷熱部的第一壓力調整部。
<附記11>
如附記10記載之氣體整流部，其中，較佳係具有控制部，該控制部之構成係以將上述斷熱部內維持為既定壓力之方式控制上述第一壓力調整部。
<附記12>
如附記11記載之氣體整流部，其中，較佳係具有： 對上述密封部進行冷卻之冷卻流路；與對上述冷卻流路供給冷媒的冷卻部；上述控制部之構成係以將上述上游側表面維持為既定溫度之方式控制上述第一壓力調整部與上述冷卻部。
<附記13>
如附記10至12中任一項記載之氣體整流部，其中，較佳係以朝向上述基板之外周側而逐漸擴展半徑的方式構成，具有上述氣體所通過的氣體通道；上述上游側表面係以設於上述氣體通道之上游側的方式構成。
<附記14>
如附記13記載之氣體整流部，其中，較佳係上述斷熱部以包圍上述氣體通道之上游側的方式設置。
<附記15>
進而根據其他態樣，提供一種半導體裝置之製造方法、或基板處理方法，其係具有：對載置於基板載置台之基板進行加熱的步驟；經由氣體整流部對上述基板供給氣體的步驟；與將在設於上述氣體整流部之密封部與該氣體整流部之上游側表面之間所設置的斷熱部內的壓力，維持為既定壓力的步驟。
<附記16>
如附記15記載之方法，其中，較佳係具有對上述密封部進行冷卻之冷卻流路，並具有將上述密封部冷卻為既定溫度的步驟。
<附記17>
根據其他態樣，提供一種程式或記錄有該程式之可電腦讀取的記錄媒體，該程式係使電腦實行：對載置於基板載置台之基板進行加熱的程序；經由氣體整流部對上述基板供給氣體的程序；與將在設於上述氣體整流部之密封部與該氣體整流部之上游側表面之間所設置的斷熱部內的壓力，維持為既定壓力的程序。
100‧‧‧基板處理裝置
121‧‧‧控制器
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器；上側容器
202b‧‧‧下部容器；下側容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧分隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入出口
207‧‧‧起銷
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧載置面
212‧‧‧基板載置台
212a‧‧‧側壁
212b‧‧‧突出部
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧伸縮囊
221‧‧‧排氣口(第一排氣部)
222‧‧‧排氣管
223‧‧‧壓力調整器
224‧‧‧真空泵
225‧‧‧排氣路
231‧‧‧蓋
234‧‧‧氣體整流部
234a‧‧‧上游側表面
234b‧‧‧下游側表面
234d‧‧‧氣體分散通道
241‧‧‧氣體導入口
242‧‧‧共通氣體供給管
260‧‧‧處理容器密封部
261‧‧‧緩衝部
262‧‧‧蓋密封部
263‧‧‧冷卻流路
264‧‧‧供給管
265‧‧‧閥
267‧‧‧閥
268‧‧‧供給管
270‧‧‧第一斷熱部
271‧‧‧排氣管
272‧‧‧閥
273‧‧‧密封部
274‧‧‧第二斷熱部
275‧‧‧密封部
276‧‧‧排氣管
277‧‧‧閥
280‧‧‧第一氣體加熱部
281‧‧‧第一溫度調整器
282‧‧‧第二氣體加熱部
283‧‧‧第二溫度調整器

Claims (17)

  1. 一種基板處理裝置，其係具有：對基板進行處理之處理室；設於上述處理室內，載置上述基板的基板載置台；對上述基板進行加熱之加熱部；面向上述處理室，對上述基板供給處理氣體之氣體整流部；設於上述氣體整流部與將氣體導入該氣體整流部之氣體導入口之連接部之間的密封部；對上述密封部進行冷卻之冷卻部；設於上述氣體整流部之面向上述處理室之上游側表面與上述密封部之間且可進行真空排氣的斷熱部；連接於上述斷熱部的第一壓力調整部；及構成為以將上述斷熱部內維持為既定壓力的方式控制上述第一壓力調整部的控制部。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述冷卻部具有藉由被供給冷媒而對上述密封部進行冷卻的冷卻流路，上述控制部係構成為以將上述上游側表面維持為既定溫度的方式控制上述第一壓力調整部與上述冷卻部。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述氣體整流部係以朝向上述基板之外周側逐漸擴展半徑的方式構成，並具有上述氣體所通過的氣體通道；上述上游側表面係設於上述氣體通道之上游側。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述斷熱部係以包圍上述氣體通道之上游側的方式設置。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中，於上述氣體整流部之外周設置對上述處理室內之環境氣體進行排氣的排氣部，並於上述排氣部之外周具有可進行真空排氣的第二斷熱部。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中，於上述第二斷熱部連接有對該第二斷熱部之壓力進行調整的第二壓力調整部，具有構成為以將上述第二斷熱部內維持為既定壓力之方式控制上述第二壓力調整部的控制部。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中，於上述第二斷熱部與上述排氣部之間設置第二加熱部；上述控制部係構成為以將上述第二斷熱部維持為既定溫度之方式控制第二加熱部與上述第二壓力調整部。
  8. 如請求項1之基板處理裝置，其中，於上述氣體整流部進一步具有供給氣體的氣體供給部；上述控制部係構成為以上述氣體供給部對上述基板依序供給處理氣體與反應氣體之方式控制上述氣體供給部。
  9. 一種氣體整流部，係使用於為了對載置有基板且具有加熱部之基板載置台上所形成的處理室供給氣體者；其具有：設於上述氣體整流部與將氣體導入該氣體整流部之氣體導入口之連接部之間的密封部；對上述密封部進行冷卻的冷卻部；設於上述氣體整流部之面向上述處理室之上游側表面與上述密封部之間且可進行真空排氣的斷熱部；及連接於上述斷熱部的第一壓力調整部。
  10. 如請求項9之氣體整流部，其中，具有控制部，該控制部係 構成為以將上述斷熱部內維持為既定之第一壓力之方式控制上述第一壓力調整部。
  11. 如請求項10之氣體整流部，其中，上述冷卻部具有藉由被供給冷媒而對上述密封部進行冷卻之冷卻流路，上述控制部係構成為以將上述上游側表面維持為既定溫度之方式控制上述第一壓力調整部與上述冷卻部。
  12. 如請求項9之氣體整流部，其係以朝向上述基板之外周側逐漸擴展半徑的方式構成，並具有上述氣體所通過的氣體通道；上述上游側表面係設於上述氣體通道之上游側。
  13. 如請求項12之氣體整流部，其中，上述斷熱部係以包圍上述氣體通道之上游側的方式設置。
  14. 一種半導體裝置之製造方法，其具有：將基板載置於處理室內之基板載置台的步驟；對載置於上述基板載置台之上述基板進行加熱的步驟；經由面向上述處理室之氣體整流部對上述基板供給氣體的步驟；藉由冷卻部對設於上述氣體整流部與將氣體導入該氣體整流部之氣體導入口之連接部之間的密封部進行冷卻的步驟；及藉由第一壓力調整部將設於上述氣體整流部之面向上述處理室之上游側表面與上述密封部之間且可進行真空排氣的斷熱部內調整為既定壓力的步驟。
  15. 如請求項14之半導體裝置之製造方法，其中，具有藉由上述冷卻部將上述密封部冷卻為既定溫度的步驟，該冷卻部具有藉由被供給冷媒而對上述密封部進行冷卻之冷卻流路。
  16. 一種記錄有程式之記錄媒體，該程式係使電腦實行： 將基板載置於處理室內之基板載置台的程序；對載置於上述基板載置台之上述基板進行加熱的程序；經由面向上述處理室之氣體整流部對上述基板供給氣體的程序；藉由冷卻部對設於上述氣體整流部與將氣體導入該氣體整流部之氣體導入口之連接部之間的密封部進行冷卻的程序；及藉由第一壓力調整部將設於上述氣體整流部之面向上述處理室之上游側表面與上述密封部之間且可進行真空排氣的斷熱部內調整為既定壓力的程序。
  17. 如請求項16之記錄有程式之記錄媒體，其中，該程式係使電腦實行藉由上述冷卻部將上述密封部冷卻為既定溫度的程序，該冷卻部具有藉由被供給冷媒而對上述密封部進行冷卻之冷卻流路。
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