TWI602214B - Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, program, and recording medium - Google Patents

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TWI602214B
TWI602214B TW104137018A TW104137018A TWI602214B TW I602214 B TWI602214 B TW I602214B TW 104137018 A TW104137018 A TW 104137018A TW 104137018 A TW104137018 A TW 104137018A TW I602214 B TWI602214 B TW I602214B
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Shun Matsui
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Description

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、程式及記錄媒體
本發明係有關基板處理裝置及半導體裝置之製造方法。
一般而言，在半導體裝置之製造工程中，加以使用對於晶圓等之基板而言，進行成膜處理等之製程處理的基板處理裝置。作為基板處理裝置所進行之製程處理，係例如經由交互供給法之成膜處理。在經由交互供給法之成膜處理中，對於成為處理對象之基板而言，將原料氣體供給工程，清洗工程，反應氣體供給工程，清洗工程作為1循環，由將此循環作特定次數(n循環)反覆者，進行對於基板上之膜形成。
作為進行如此之成膜處理之基板處理裝置，對於成為處理對象之基板而言，自其上方側依序供給各種氣體(原料氣體，反應氣體或清洗氣體)於基板的面上，在基板的面上，使原料氣體與反應氣體反應而進行對於基板上的膜形成。並且，有著為了提高與原料氣體之反應效率而供給反應氣體時，該反應氣體，呈作為電漿狀態地加以構成者 (例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-222960號公報
但在如此之裝置形態中，有要求更提高電漿的使用效率，而使膜質提升者。
因此，本發明之目的係提供：使用電漿而形成高品質的膜之技術者。
如根據本發明之一形態，加以提供：具有加以載置基板之基板載置台，和內包前述基板載置台之處理室，和進行對於前述處理室內之氣體供給的氣體供給部，和將前述氣體供給部所供給至前述處理室內之氣體作為電漿狀態之電漿生成部；前述電漿生成部係具有：成為前述氣體供給部所供給至前述處理室內之氣體的流路之電漿生成室， 和經由呈圍繞前述電漿生成室地加以配置之導體而加以構成之電漿產生導體；前述電漿產生導體係具有：沿著在前述電漿生成室內的氣體之主流方向而延伸之複數的主導體部，和電性連接前述主導體部彼此之連接導體部的技術。
如根據本發明，可使用電漿而形成高品質的膜者。
10‧‧‧基板載置台
20‧‧‧卡匣頭
25，25a，25b，25c‧‧‧氣體供給單元
40‧‧‧電漿生成部
251‧‧‧第一構件
252‧‧‧第二構件
253‧‧‧氣體供給路徑
254‧‧‧氣體排氣孔
255‧‧‧排氣緩衝室
410‧‧‧電漿生成室
411‧‧‧擋板
420，420a，420b，420c，420d，420e‧‧‧電漿產生導體
421‧‧‧主導體部
422‧‧‧連接導體部
425，426‧‧‧範圍部分
431‧‧‧輸入用導體
432‧‧‧輸出用導體
W‧‧‧晶圓(基板)
圖1係顯示有關本發明之ICP線圈及其比較例的概略構成之模式圖，(a)係顯示在本發明之第一實施形態的概略構成例圖，(b)係顯示在比較例之概略構成例的圖。
圖2係顯示有關本發明之第一實施形態之基板處理裝置的要部概略構成例的概念圖。
圖3係顯示在有關本發明之第一實施形態之基板處理裝置所使用之氣體供給單元的構成例的圖，(a)係其斜視圖，(b)係其側剖面圖。
圖4係顯示有關本發明之第一實施形態之基板處理裝置之要部的詳細構成例的圖，顯示圖2之A-A剖面的側 剖面圖。
圖5係顯示有關本發明之第一實施形態之基板處理裝置之要部的詳細構成例的圖，顯示圖2之B-B剖面的側剖面圖。
圖6係顯示有關本發明之第一實施形態之基板處理裝置之要部的詳細構成例的圖，顯示圖4之C-C剖面的平面圖。
圖7係顯示有關本發明之第一實施形態之基板處理裝置之要部的其他詳細構成例的圖，顯示圖4之C-C剖面的平面圖。
圖8係顯示有關本發明之第一實施形態之基板處理裝置的氣體配管之構成例的模式概念圖。
圖9係顯示在有關本發明之第一實施形態之基板處理裝置所使用之電漿生成部(ICP線圈)的構成例的圖，(a)係其斜視圖，(b)係其側剖面圖。
圖10係顯示有關本發明之第一實施形態之基板處理工程的流程圖。
圖11係顯示在圖10之成膜工程進行之相對位置移動處理動作之詳細的流程圖。
圖12係顯示在圖10之成膜工程進行之氣體供給排氣處理動作之詳細的流程圖。
圖13係顯示在有關本發明之第二實施形態之基板處理裝置所使用之電漿生成部(ICP線圈)的概略構成例的模式圖。
圖14係顯示有關本發明之第三實施形態之電漿生成部(ICP線圈)的概略構成例的模式圖。
圖15係顯示有關本發明之第三實施形態之電漿生成部之其他構成例的模式圖。
圖16係顯示有關本發明之第三實施形態之電漿生成部之又其他構成例的模式圖。
圖17係顯示在有關本發明之第四實施形態之基板處理裝置所使用之電漿生成部(ICP線圈)的構成例的模式圖，(a)係顯示其一例的圖，(b)係顯示其他一例的圖。
圖18係顯示在有關本發明之第五實施形態之基板處理裝置所使用之電漿生成部(ICP線圈)的概略構成例的側剖面圖。
<本發明的第一實施形態>
於以下，對於本發明的第一實施形態，參照圖面同時加以說明。
(1)本發明的第一實施形態之概要
首先，對於本發明的第一實施形態之概要，與以往技術進行比較同時而加以說明。
在第一實施形態中，使用枚葉式之基板處理 裝置，進行對於基板之處理。
作為成為處理對象之基板，係例如，可舉出製造有半導體裝置(半導體裝置)之半導體晶圓基板(以下，單稱作「晶圓」)。
另外，作為對於基板進行之處理係可舉出蝕刻，灰化，成膜處理等，但在第一實施形態中，係特別作為進行經由交互供給法之成膜處理者。
在經由交互供給法之成膜處理中，對於成為處理對象之基板而言，自其上方側，依序供給原料氣體，清洗氣體，反應氣體，清洗氣體於基板的面上，在基板的面上，使原料氣體與反應氣體反應而進行對於基板上之膜形成之同時，在為了提高與原料氣體之反應效率而供給反應氣體時，將該反應氣體作為電漿狀態。
將反應氣體作為電漿狀態者係考慮經由電感耦合方式而進行者。如為電感耦合方式，因比較於電容結合方式，成為可容易實現得到高密度電漿者之故。
在此，對於在比較例之電感耦合式電漿(Inductively Coupled Plasma、以下略稱「ICP」)之產生形態加以說明。
圖1(b)係顯示在比較例之ICP線圈之概略構成的模式圖。
如圖例，在比較例中，係捲起線圈451為螺旋狀於欲作為電漿狀態之氣體所通過的流路410之周圍，流動高頻率之大電流於其線圈451。由流動大電流者而使磁場產生 於流路410，經由此而使ICP產生。
在此，在枚葉式之基板處理裝置中，係對於成為處理對象的晶圓W而言，自其上方側，供給各種氣體(原料氣體，反應氣體或清洗氣體)於晶圓W的面上。具體而言，係呈依序通過原料氣體的供給範圍與反應氣體的供給範圍地，使晶圓W移動之同時，為了防止原料氣體與反應氣體之混合，而於原料氣體的供給範圍與反應氣體的供給範圍之間，加以配置清洗氣體之供給範圍。並且，在各氣體供給範圍中，對於晶圓W而言，自上方側供給各種氣體。在如此之構成的基板處理裝置中，因成為鄰接有各種氣體之供給範圍者之故，呈應迴避與其他氣體供給範圍之干擾，對於為了將反應氣體作為電漿狀態之線圈451而言，自上方側賦予電力地加以構成。
但對於自上側賦予電力於螺旋狀之線圈451之情況，係自線圈451之下端朝向上方側而加以延設之導體452則成為必要，但必須於其導體452與線圈451之間確保充分的間隔S。當未確保充分的間隔S時，經由在導體452產生之磁場而加以相抵在線圈451產生的磁場，作為其結果，帶來在流路410內所產生之電漿的不均一化等之不良影響之故。因此，在比較例之ICP線圈中，有著維持高電漿密度之同時，以省空間而進行將反應氣體作為電漿狀態者之情況則成為困難之虞。
對於此點，本申請之發明者係重覆銳意檢討，以至想到與在比較例之構成不同之新穎構成之ICP線 圈。
圖1(a)係顯示在本發明之第一實施形態之ICP線圈之概略構成的模式圖。
圖例之ICP線圈係作為將對於晶圓W而言所供給之反應氣體作為電漿狀態之電漿生成部而發揮機能者，具有：成為欲作為電漿狀態之反應氣體所通過之流路的電漿生成室410，和經由呈圍繞其電漿生成室410地加以配置之導體而加以構成之電漿產生導體420。也就是，流動在電漿生成室410內之反應氣體係成為通過經由電漿產生導體420所形成之環狀體的環內者。
電漿產生導體420係具有：沿著在電漿生成室410內之氣體的主流方向而延伸之複數的主導體部421，和電性連接主導體部421彼此之連接導體部422。也就是，對於構成電漿產生導體420之導體，係包含有成為主導體部421之導體部分，和成為連接導體部422之導體部分。
連接導體部422係有加以配置於連接主導體部421之下端彼此之位置者，和加以配置於主導體部421之上端彼此之位置者。由具有如此之主導體部421及連接導體部422者，電漿產生導體420係成為加以配置成導體則擺動於在電漿生成室410內之氣體的主流方向之波形狀者。
複數之主導體部421之中，對於成為位置在電漿產生導體420的導體端者之一的主導體部421，係加 以連接為了附與電力於電漿產生導體420的輸入用導體431。另外，對於成為位置在電漿產生導體420的導體端者之另一之主導體部421，係加以連接為了取出加以賦予至電漿產生導體420的電力之輸出用導體432。輸入用導體431及輸出用導體432係加以連接於未圖示之整合器及高頻率電源。
在如此之構成的ICP線圈中，對於將流動在電漿生成室410內之反應氣體作為電漿狀態者，對於電漿產生導體420而言，藉由輸入用導體431及輸出用導體432而施加高頻率的電流。當施加電流時，對於電漿產生導體420之周圍係產生有磁場。
在此，電漿產生導體420係呈圍繞電漿生成室410地加以配置之同時，具有複數之主導體部421而加以構成。也就是，對於電漿生成室410之周圍係呈排列有複數之主導體部421地加以配置。
隨之，當施加電流於電漿產生導體420時，在電漿生成室410內中，在加以配置有複數之主導體部421之範圍的範圍內，加以形成有合成經由各主導體部421之磁場的合成磁場。當反應氣體則通過在加以形成有合成磁場之電漿生成室410內時，其反應氣體係經由合成磁場而加以激發而成為電漿狀態。
如此作為，在第一實施形態之ICP線圈係將通過在電漿生成室410內之反應氣體，作為電漿狀態者。
但為了施加電流至電漿產生導體420之輸入 用導體431及輸出用導體432係加以連接於成為位置在電漿產生導體420之導體端者之主導體部421。也就是，可自主導體部421，保持朝向於上方側，配置輸入用導體431及輸出用導體432者。
因此，在第一實施形態之ICP線圈中，與記載於比較例(圖1(b)之ICP線圈)不同，未產生必須充分地確保自線圈下端朝向上方側而加以延設之導體451與線圈452之間隔S，而僅此部分可較比較例的構成實現省空間化者。並且，如呈圍繞電漿生成室410地均等地配置複數之主導體部421，亦未有在電漿生成室410內所產生之電漿成為不均一者。更且，因成為經由利用形成於電漿生成室410內之合成磁場的電感耦合方式，將反應氣體作為電漿狀態者之故，成為可容易地實現得到高密度電漿者。
也就是，如根據在第一實施形態之ICP線圈，由將電漿產生導體420作為與比較例之構成不同之新穎構成者，成為呈可維持高電漿密度之同時，以省空間進行將反應氣體作為電漿狀態者。
(2)有關第一實施形態之基板處理裝置的構成
接著，對於有關第一實施形態之基板處理裝置的具體的構成，參照圖2~圖9同時加以說明。
圖2係顯示有關第一實施形態之基板處理裝置的要部概略構成例的概念圖。圖3係顯示在有關第一實施形態之基板處理裝置所使用之氣體供給單元的構成例之概念圖。 圖4係顯示圖2之A-A剖面的側剖面圖。圖5係顯示圖2之B-B剖面的側剖面圖。圖6係顯示圖4之C-C剖面的平面圖。圖7係顯示圖4之C-C剖面的其他構成例之平面圖。圖8係顯示有關第一實施形態之基板處理裝置的氣體配管之構成例的概念圖。圖9係顯示在有關第一實施形態之基板處理裝置所使用之電漿生成部(ICP線圈)的構成例之概念圖。
(處理容器)
在第一實施形態所說明之基板處理裝置係具備未圖示之處理容器。處理容器係例如，經由鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等之金屬材料而作為密閉容器加以構成。另外，對於處理容器之側面係加以設置有未圖示之基板搬出入口，成為呈藉由其基板搬出入口而加以搬送晶圓。更且，對於處理容器係加以連接有未圖示之真空幫浦或壓力控制器等之氣體排氣系統，而成為呈使用其氣體排氣系統而可將處理容器內調整為特定壓力。
(基板載置台)
對於處理容器的內部係如圖2所示，加以設置有載置晶圓W之基板載置台10。基板載置台10係例如，加以形成為圓板狀，呈於其上面(基板載置面)，以均等的間隔加以載置複數之晶圓W於圓周方向地加以構成。另外，基板載置台10係內包含作為加熱源的加熱器11而成為呈 使用其加熱器11而可將晶圓W的溫度維持為特定溫度。然而，在圖例中，顯示呈加以載置有五片的晶圓W地加以構成之情況，但並不限於此等，而載置片數係如為加以適宜設定者即可。例如，如載置片數為多時，可期待處理產出量之提升，而如載置片數為少時，可抑制基板載置台10之大型化。在基板載置台10之基板載置面係與晶圓W直接接觸之故，例如，以石英或氧化鋁等之材質而形成者為佳。
基板載置台10係在載置有複數片之晶圓W的狀態，可旋轉地加以構成。具體而言，基板載置台10係加以連結於將圓板中心附近作為旋轉軸之旋轉驅動機構12，而成為呈經由其旋轉驅動機構12而加以旋轉驅動。旋轉驅動機構12係考慮例如，具備可旋轉地支持基板載置台10之旋轉軸承，或由電洞馬達所代表之驅動源等而構成者。
然而，在此係舉例可旋轉地加以構成基板載置台10之情況，但如可使基板載置台10上之各晶圓W與後述之卡匣頭20之相對位置移動，而呈使卡匣頭20旋轉地構成亦可。如可旋轉地構成基板載置台10，與使卡匣頭20旋轉的情況不同，可抑制後述之氣體配管等之構成複雜化。對此，如作為呈使卡匣頭20旋轉，比較於使基板載置台10旋轉的情況，可抑制作用於晶圓W之慣性力矩，而可增大旋轉速度者。
(卡匣頭)
另外，在處理容器的內部中，對於基板載置台10之上方側係加以設置有卡匣頭20。卡匣頭20係對於基板載置台10上之晶圓W而言，從此上方側，供給各種氣體(原料氣體，反應氣體或清洗氣體)之同時，為了將所供給之各種氣體排氣至上方側之構成。
為了進行各種氣體之上方供給/上方排氣，卡匣頭20係具備形成為圓板狀之天頂部21，和自天頂部21之外周端緣部分，朝向下方側延伸之圓筒狀的外筒部22，和加以配置於外筒部22內側之圓筒狀的內筒部23，和對應於基板載置台10之旋轉軸而加以配置之圓筒狀之中心筒部24，和加以設置於在內筒部23與中心筒部24之間的天頂部21之下方側的複數之氣體供給單元25而加以構成。並且，對於外筒部22，係加以設置有與加以形成於該外筒部22與內筒部23之間的空間連通之排氣用埠26。構成卡匣頭20之天頂部21，外筒部22，內筒部23，各氣體供給單元25及排氣用埠26係均例如，經由鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等之金屬材料而加以形成。
然而，在圖例中，舉例加以設置有十二個之氣體供給單元25於卡匣頭20的情況，而氣體供給單元25之設置數係不限於此等，而如為考慮對於晶圓W所供給之氣體種的數或處理產出量等而加以作適宜設定者即可。例如，對於成為處理對象之晶圓W而言，如詳細後述地，如為進行原料氣體供給工程，清洗工程，反應氣體 供給工程，清洗工程作為1循環之成膜處理之情況，如加以設置對應於各工程而相當於四的倍數的數量之氣體供給單元25即可。但，對於為了謀求處理產出量之提升，設置總數為多者為佳。
(氣體供給單元)
在此，對於在卡匣頭20之各氣體供給單元25，更詳細地加以說明。
氣體供給單元25係為了形成對於晶圓W而言，進行各種氣體的上方供給/上方排氣時之氣體流路的構成。因此，氣體供給單元25係如圖3(a)所示，具有加以形成為長方體狀之第一構件251，和加以形成為板狀而著設於第一構件251下側之第二構件252。第二構件252係具有較第一構件251之平面形狀為寬度寬之平面形狀。具體而言，例如，對於平面形狀為長方形狀之第一構件251而言，第二構件252之平面形狀係加以形成為第一構件251之長度方向的一端緣側為窄，朝向於另一端緣側而擴散的扇狀或台形狀。由具有如此之第一構件251及第二構件252者，氣體供給單元25係如圖3(b)所示，自第一構件251之長度方向之一端緣側而視時，於第一構件251與第二構件252之間，加以構成有角部251a，側面形狀則成為朝向於上方而突出之凸形狀。
另外，氣體供給單元25係如圖3(a)及(b)所示地，例如，具有平面長方形狀之貫通孔所成之 氣體供給路徑253。氣體供給路徑253係成貫通第一構件251及第二構件252地加以穿設，成為對於晶圓W而言，自上方側供給氣體時之氣體流路者。也就是，氣體供給單元25係具有成為氣體流路之氣體供給路徑253，和呈圍繞其氣體供給路徑253之上方側部分地加以配置之第一構件251，和呈圍繞其氣體供給路徑253之下方側部分地加以配置之第二構件252而加以構成。然而，第一構件251及氣體供給路徑253係未必須要為平面長方形狀，而加以形成為其他平面形狀(例如，長圓狀或扇型狀)亦可。
如此所構成之氣體供給單元25係如圖4所示，複數則呈拉開特定間隔而排列地，加以吊設於卡匣頭20之天頂部21而加以使用。複數之氣體供給單元25係在各第二構件252之下面則與基板載置台10上的晶圓W對向，且與在其基板載置台10之晶圓W之載置面呈成為平行地加以配置。
由如此加以配置者，鄰接之各氣體供給單元25係在各第二構件252之端緣則成為構成為了將對於晶圓W而言所供給之氣體，朝向上方側而排氣之氣體排氣孔254之一部分者。
另外，鄰接之各氣體供給單元25係在各第一構件251之壁面及第二構件252之寬度寬部分之上面則成為構成使通過氣體排氣孔254之氣體滯留之空間的排氣緩衝室255之一部分者。更詳細係排氣緩衝室255的天頂面係經由卡匣頭20之天頂部21而加以構成。排氣緩衝室 255的底面係經由在鄰接之各氣體供給單元25之第二構件252上面加以構成。排氣緩衝室255的側壁面係經由在鄰接之各氣體供給單元25之第一構件251之壁面，和卡匣頭20之內筒部23及中心筒部24而加以構成。
然而，對於構成排氣緩衝室255的側壁面之內筒部23的部分，係如圖5所示，將排氣緩衝室255，與加以形成於外筒部22與內筒部23之間的空間連通之排氣孔231則作為對應各排氣緩衝室255而加以設置者。
但卡匣頭20之天頂部21係如既已說明地，加以形成為圓板狀。因此，加以吊設於天頂部21之複數之氣體供給單元25係如圖6所示，自基板載置台10之旋轉中心側，朝向外周側而各自加以配置為放射狀。由作為如此構成者，各自則成為沿著基板載置台10之旋轉周方向而排列者。
各氣體供給單元25則加以配置為放射狀時，從在各第一構件251之平面形狀則為長方形狀者，經由其第一構件251而加以規定側壁面之排氣緩衝室255係成為具有自基板載置台10之旋轉中心側，朝向外周側而擴散之平面形狀者。也就是，排氣緩衝室255係在基板載置台10之旋轉周方向的大小，則呈自內周側，朝向於外周側徐緩擴散地加以形成。
另外，各氣體供給單元25係扇狀或台形狀之第二構件252則呈自基板載置台10之旋轉中心側，朝向外周側而擴散地加以配置。伴隨於此，對於包含第二構件 252之端緣而加以構成之氣體排氣孔254，亦成為具有自基板載置台10之旋轉中心側，朝向外周側而擴散之平面形狀者。
但，氣體排氣孔254係未必自旋轉中心側，朝向於外周側而擴散之平面形狀，而如圖7所示，自旋轉中心側，對於外周側，實質上加以形成為同一寬度之縫隙狀者亦可。作為如此之構造時，自處理室之中心至外周，可將在縫隙之排氣傳導作為一定者。隨之，如後述，在設定排氣效率時，因未考慮排氣孔254之傳導，而僅調整排氣緩衝室255之構造即可之故，而有容易調整處理空間全體之排氣效率的利點。
(氣體供給/排氣系統)
對於具備如以上之氣體供給單元25所構成之卡匣頭20，係為了對於基板載置台10上之晶圓W而言進行各種氣體的上方供給/上方排氣，而如圖8所示，加以連接有以下所述之氣體供給/排氣系統。
(處理氣體供給部)
對於構成卡匣頭20之複數的氣體供給單元25之中之至少一個之氣體供給單元25a，係加以連接原料氣體供給管311於在其氣體供給單元25a之氣體供給路徑253。對於原料氣體供給管311係自上流方向依序，加以設置有原料氣體供給源312，流量控制器(流量控制部)之流量控 制器(MFC)313，及開關閥的閥314。經由如此之構成，加以連接原料氣體供給管311之氣體供給單元25a的氣體供給路徑253係自基板載置台10之上方側，供給原料氣體至晶圓W之面上。將加以連接於此原料氣體供給管311之氣體供給單元25a，稱為「原料氣體供給單元」。也就是，原料氣體供給單元25a係加以配置於基板載置台10之上方，自基板載置台10之上方側供給原料氣體至基板W之面上。
原料氣體係對於晶圓W而言供給之處理氣體之一，例如，使包含鈦(Ti)元素之金屬液體原料之TiCl4(Titanium Tetrachloride)氣化所得到之原料氣體(即，TiCl4氣體)。原料氣體係在常溫常壓為固體，液體或氣體之任一均可。原料氣體在常溫常壓為液體之情況，係如於原料氣體供給源312與MFC313之間，設置未圖示之氣化器即可。在此係作為氣體而加以說明。
然而，對於原料氣體供給管311係加以連接為了供給作為原料氣體之載氣而作用之非活性氣體的未圖示之氣體供給系統亦可。作為載氣而作用之非活性氣體係具體而言，例如，可使用氮(N2)氣者。另外，除了N2氣體以外，例如，亦可使用氦(He)氣，氖(Ne)氣，氬(Ar)氣等之稀有氣體。
另外，對於夾持加以連接有原料氣體供給管311之氣體供給單元25a與一個之氣體供給單元25c而排列之其他的氣體供給單元25b，係於其氣體供給單元25b 之氣體供給路徑253，加以連接反應氣體供給管321。對於反應氣體供給管321係自上流方向依序，加以設置有反應氣體供給源322，流量控制器(流量控制部)之流量控制器(MFC)323，及開關閥的閥324。經由如此之構成，加以連接反應氣體供給管321之氣體供給單元25b的氣體供給路徑253係自基板載置台10之上方側，供給反應氣體至晶圓W之面上。將加以連接於此反應氣體供給管321之氣體供給單元25b，稱為「反應氣體供給單元」。也就是，反應氣體供給單元25b係加以配置於基板載置台10之上方，自基板載置台10之上方側供給反應氣體至基板W之面上。
然而，在本說明中，彙整「原料氣體供給單元」與「反應氣體供給單元」，而稱為「處理氣體供給單元」亦可。另外，彙整「原料氣體供給單元」與「反應氣體供給單元」之任一，而稱為「處理氣體供給單元」亦可。
反應氣體係對於晶圓W而言供給之處理氣體之其他之一，例如，加以使用氨(NH3)氣。
然而，對於反應氣體供給管321係加以連接為了供給作為反應氣體之載氣或稀釋氣體而作用之非活性氣體的未圖示之氣體供給系統亦可。作為載氣或稀釋氣體而作用之非活性氣體係具體而言，例如，考慮使用N2氣體者，但N2氣體以外，例如，亦可使用He氣體、Ne氣體、Ar氣體等之稀有氣體。
另外，對於加以連接有反應氣體供給管321之氣體供給單元25b，係加以設置後述詳述之電漿生成部40。電漿生成部40係為了將通過在氣體供給單元25b之氣體供給路徑253的反應氣體，作為電漿狀態者。
主要，經由原料氣體供給管311，原料氣體供給源312，MFC313，閥314，及加以連接原料氣體供給管311之氣體供給單元25a之氣體供給路徑253，以及反應氣體供給管321，反應氣體供給源322，MFC323，閥324，及加以連接反應氣體供給管321之氣體供給單元25b的氣體供給路徑253之時，加以構成處理氣體供給部。
(非活性氣體供給部)
對於介入存在於加以連接原料氣體供給管311之氣體供給單元25a與加以連接反應氣體供給管321之氣體供給單元25b之間的氣體供給單元25c，係於在其氣體供給單元25c之氣體供給路徑253，加以連接非活性氣體供給管331。對於非活性氣體供給管331係自上流方向依序，加以設置有非活性氣體供給源332，流量控制器(流量控制部)之流量控制器(MFC)333，及開關閥的閥334。經由如此之構成，加以連接非活性氣體供給管331之氣體供給單元25c的氣體供給路徑253係再加以連接原料氣體供給管311之氣體供給單元25a及加以連接反應氣體供給管321之氣體供給單元25b之各側方，自基板載置台10之 上方側供給非活性氣體於晶圓W面上。將加以連接於此非活性氣體供給管331之氣體供給單元25c，稱為「非活性氣體供給單元」。也就是，非活性氣體供給單元25c係加以配置於原料氣體供給單元25a或反應氣體供給單元25b之側方，自基板載置台10之上方側供給非活性氣體於基板W面上。
非活性氣體係原料氣體與反應氣體則呈未在晶圓W的面上混在地，作為封閉晶圓W上面與氣體供給單元25c之下面之間的空間的氣封而作用者。具體而言，例如，可使用N2氣體者。另外，除了N2氣體以外，例如，亦可使用He氣體，Ne氣體，Ar氣體等之稀有氣體。
主要，經由非活性氣體供給管331，非活性氣體供給源332，MFC333，閥334，及加以連接非活性氣體供給管331之氣體供給單元25c的氣體供給路徑253之時，而加以構成非活性氣體供給部。
(氣體排氣部)
對於加以設置於卡匣頭20之排氣用埠26，係加以連接氣體排氣管341。對於氣體排氣管341係加以設置有閥342。另外，在氣體排氣管341中，對於閥342之下流側，係加以設置有將卡匣頭20之外筒部22的內側空間控制為特定壓力之壓力控制器343。更且，在氣體排氣管341中，對於壓力控制器343之下流側係加以設置真空幫 浦344。
經由如此之構成，自卡匣頭20之排氣用埠26係進行對於外筒部22之內側空間而言之排氣。此時，對於卡匣頭20之內筒部23係加以設置有排氣孔231，而內筒部23內側(即，排氣緩衝室255)與外側(即，加以形成於外筒部22與內筒部23之間的空間)則連通。因此，當進行自排氣用埠26的排氣時，在排氣緩衝室255內中，產生有朝向於加以設置有排氣孔231側(即，基板載置載台10之外周側)之氣體流的同時，自氣體排氣孔254朝向排氣緩衝室255內(即，自氣體排氣孔254朝向上方側)的氣流則產生。經由此，經由處理氣體供給部或非活性氣體供給部而加以供給至晶圓W的面上之氣體(即，原料氣體，反應氣體或非活性氣體)，係成為通過加以形成於各氣體供給單元25之間的氣體排氣孔254及排氣緩衝室255加以排氣至晶圓W之上方側，更且自排氣緩衝室255內通過排氣孔231及排氣用埠26而加以排氣至卡匣頭20的外方者。
主要，經由加以形成於各氣體供給單元25之間的氣體排氣孔254及排氣緩衝室255，以及排氣孔231，排氣用埠26，氣體排氣管341，閥342，壓力控制器343，真空幫浦344之時，而加以構成氣體排氣部。
(電漿生成部)
電漿生成部40係為了將通過在氣體供給單元25b之 氣體供給路徑253的反應氣體，作為電漿狀態之作為ICP線圈而發揮機能者。
為了將反應氣體作為電漿狀態，而電漿生成部40係如圖9所示，於在氣體供給單元25b之氣體供給路徑253內，具有欲作為電漿狀態之反應氣體所通過的成為流路之電漿生成室410之同時，於在氣體供給單元25b之第一構件251之外周，具有經由呈圍繞電漿生成室410地加以配置之的導體而加以構成之電漿產生導體420。也就是，流動在電漿生成室410內之反應氣體係成為通過經由電漿產生導體420所形成之環狀體的環內者。電漿產生導體420則呈未加已暴露於環境，加以設置未圖示的蓋體於周圍。在此係說明的方便上省略。
電漿產生導體420係具有：經由例如銅(Cu)、鎳(Ni)、鐵(Fe)等之導電材料所形成，沿著在電漿生成室410內之反應氣體的主流方向而延伸之複數的主導體部421，和電性連接主導體部421彼此之連接導體部422。也就是，對於構成電漿產生導體420之導體，係包含有成為主導體部421之導體部分，和成為連接導體部422之導體部分。
複數之主導體部421係構成在氣體供給單元25b之第一構件251與第二構件252之間的角部251a的邊則沿著延伸方向，各自成排列地加以配置。也就是，複數之主導體部421係成為從基板載置載台10之旋轉中心側朝向外周側，各自成排列地加以配置者。然而，此等主 導體部421係各自則作為形成為略同一長度者。
另外，連接導體部422係有加以配置於連接主導體部421之下端彼此之位置者，和加以配置於連接主導體部421之上端彼此之位置者。
由具有如此之主導體部421及連接導體部422者，電漿產生導體420係成為呈圍繞電漿生成室410地，加以配置成導體則擺動於在電漿生成室410內之氣體的主流方向之波形狀者。波形狀之波長(循環)及波高(振幅)係未特別加以限定於此者，而如考慮在氣體供給單元25b之第一構件251的尺寸，或作為呈發生於其之第一構件251之電漿生成室410內之磁場的強度等，而作為適宜決定者即可。
複數之主導體部421之中，成為位置於電漿產生導體420之導體端者之一，具體而言係例如對於配置於在氣體供給單元25b之第一構件251的外周側面之一個的主導體部421，係加以連接有為了賦予電力至電漿產生導體420之輸入用導體431。
另外，複數之主導體部421之中，成為位置於電漿產生導體420之導體端者之另一，具體而言係例如對於配置於在氣體供給單元25b之第一構件251的外周側面之另一個的主導體部421，係加以連接有為了取出賦予至電漿產生導體420之電力的輸出用導體432。
如此，輸入用導體431及輸出用導體432係直接連接於構成電漿產生導體420之主導體部421。因 此，對於輸入用導體431及輸出用導體432係可自主導體部421保持朝向於上方側而配置者，即可未確保與第一構件251的外周側面的間隔而呈沿著該外周側面地配置者。
如此之輸入用導體431及輸出用導體432之中，對於輸入用導體431係加以連接有RF感測器433，高頻率電源434及頻率整合器435。
高頻率電源434係通過輸入用導體431而供給高頻率電力至電漿產生導體420者。
RF感測器433係加以設置於高頻率電源434之輸出側。RF感測器433係監視所供給之高頻率的進行波或反射波之資訊。經由RF感測器433所監視之反射波電力係加以輸入至頻率整合器435。
頻率整合器435係依據由RF感測器433所監視之反射波的資訊，反射波則呈成為最小地，控制高頻率電源434所供給之高頻率電力的頻率數者。
也就是，RF感測器433，高頻率電源434及頻率整合器435係作為進行對於電漿產生導體420之電力供給之供電部而發揮機能。
另外，輸入用導體431及輸出用導體432係各端緣則加以電性接地。隨之，電漿產生導體420係具備電性接地之接地部於兩端，且成為具備進行電力供給之供電部於各接地部之間者。
電漿生成部40係主要具有：電漿生成室410，電漿產生導體420，輸入用導體431及輸出用導體 432，以及，自RF感測器433，高頻率電源434及頻率整合器435所構成之供電部而加以構成。
在如以上構成之電漿生成部40中，如詳細後述，由對於電漿產生導體420而言，藉由輸入用導體431及輸出用導體432而施加高頻率的電流者，成為呈使磁場產生於電漿生成室410內，經由此而將通過電漿生成室410內之反應氣體作為電漿狀態。經由此，對於氣體供給單元25b之下方側空間，係成為加以供給有電漿狀態之反應氣體者。
(控制器)
另外，圖2所示，有關第一實施形態之基板處理裝置係具有控制該基板處理裝置之各部的動作之控制器50。控制器50係至少具有演算部501及記憶部502。控制器50係加以連接於上述之各構成，因應上位控制器或使用者之指示而自記憶部502叫出程式或方法，因應其內容而控制各構成之動作。具體而言，控制器50係控制加熱器11，旋轉驅動機構12，RF感測器433，高頻率電源434，頻率整合器435，MFC313~333，閥314~334，壓力控制器343，真空幫浦344等之動作。
然而，控制器50係作為專用的電腦而構成亦可，而亦可作為泛用的電腦而構成。例如，準備收納上述程式的外部記憶裝置(例如，磁帶，可撓式磁碟或硬碟等之磁碟，CD或DVD等之光碟，MO等之光磁碟，USB記 憶體或記憶卡等之半導體記憶體)41，經由使用其外部記憶裝置51而安裝程式於泛用的電腦之時，可構成有關本實施形態之控制器50。
另外，為了供給程式於電腦的手段係不限於藉由外部記憶裝置51而供給之情況。例如，使用網路或專用線路等之通訊手段，作為呈未藉由外部記憶裝置51而供給程式亦可。然而，記憶部502或外部記憶裝置51係作為電腦可讀取之記憶媒體而加以構成。以下，亦有總稱此等而單稱作記錄媒體。然而，使用在本說明書稱為記憶媒體語言之情況，係有包含僅記憶部502單體之情況，包含僅外部記憶裝置51單體之情況，或包含其雙方之情況。
(3)基板處理工程
接著，作為半導體裝置之製造方法之一工程，對於使用有關第一實施形態之基板處理裝置，形成薄膜於晶圓W上之工程加以說明。然而，在以下的說明中，構成基板處理裝置之各部的動作係經由控制器50而加以控制。
在此係對於使用作為原料氣體(第一處理氣體)而使TiCl4氣化所得到之TiCl4氣體，而作為反應氣體(第二處理氣體)而使用NH3氣體，經由交互供給此等而於晶圓W上，作為金屬薄膜而形成TiN膜的例加以說明。
(在基板處理工程的基本的處理動作)
首先，對於在形成薄膜於晶圓W上之基板處理工程的基本的處理動作加以說明。
圖10係顯示有關本發明之第一實施形態之基板處理工程的流程圖。
(基板搬入工程：S101)
在有關第一實施形態之基板處理裝置中，首先，作為基板搬入工程(S101)，開啟處理容器之基板搬出入口，使用未圖示之晶圓移載機而搬入複數片(例如，五片)的晶圓W於處理容器內，排列載置於基板載置台10上。並且，使晶圓移載機退避至處理容器之外，關閉基板搬出入口而密閉處理容器內。
(壓力溫度調整工程：S102)
基板搬入工程(S101)之後係接著，進行壓力溫度調整工程(S102)。在壓力溫度調整工程(S102)中，在基板搬入工程(S101)密閉處理容器內之後，使加以連接於處理容器之未圖示的氣體排氣系統作動，而處理容器內則呈成為特定壓力地加以控制。特定壓力係在後述之成膜工程(S103)中可形成TiN膜之處理壓力，例如，對於晶圓W而言供給之原料氣體則為未自我分解的程度之處理壓力。具體而言，處理壓力係考慮作為50~5000Pa者。此處理壓力係成為亦加以維持在後述之成膜工程(S103) 者。
另外，在壓力溫度調整工程(S102)中，供給電力至埋入於基板載置台10內部之加熱器11，而晶圓W表面則呈成為特定溫度地加以控制。此時，加熱器11的溫度係依據經由未圖示之溫度感測器而加以檢出的溫度資訊，經由控制對於加熱器11之通電情況而加以調整。特定溫度係在後述之成膜工程(S103)中可形成TiN膜之處理溫度，例如，對於晶圓W而言供給之原料氣體則為未自我分解的程度之處理溫度。具體而言，處理溫度係考慮作為室溫以上500℃以下、而理想為室溫以上400℃以下者。此處理溫度係成為亦加以維持在後述之成膜工程(S103)者。
(成膜工程：S103)
壓力溫度調整工程(S102)之後係接著，進行成膜工程(S103)。作為在成膜工程(S103)所進行之處理動作，大致上分為有相對位置移動處理動作，和氣體供給排氣處理動作。然而，對於相對位置移動處理動作及氣體供給排氣處理動作，係詳細後述之。
(基板搬出工程：S104)
如以上之成膜工程(S103)之後係接著，進行基板搬出工程(S104)。在基板搬出工程(S104)中，以與既已說明之基板搬入工程(S101)之情況相反的步驟，使用晶 圓移載機而將處理完成之晶圓W搬出至處理容器外。
(處理次數判定工程：S105)
晶圓W之搬出後，控制器50係判定基板搬入工程(S101)，壓力溫度調整工程(S102)，成膜工程(S103)及基板搬出工程(S104)之一連串的各工程之實施次數是否到達特定之次數(S105)。當判定為未到達至特定的次數時，接著開始作為待機之晶圓W的處理之故，移動至基板搬入工程(S101)。另外，當判定為到達至特定的次數時，因應必要而進行對於處理容器內等而言之清淨工程之後，結束一連串之各工程。然而，對於清淨工程，係可利用公知技術而進行之故，在此係省略其說明。
(相對位置移動處理動作)
接著，對於在成膜工程(S103)進行之相對位置移動處理動作加以說明。相對位置移動處理動作係使基板載置台10旋轉，使加以載置於其基板載置台10上的各晶圓W與卡匣頭20之相對位置移動的處理動作。
圖11係顯示在圖10之成膜工程進行之相對位置移動處理動作之詳細的流程圖。
在成膜工程(S103)進行之相對位置移動處理動作中，首先，由經由旋轉驅動機構12而旋轉驅動基板載置台10者，開始基板載置台10與卡匣頭20之相對 位置移動(S201)。經由此，加以載置於基板載置台10之各晶圓W係成為依序通過構成卡匣頭20之各氣體供給單元25之下方側者。
此時，在卡匣頭20中，係加以開始後述詳述之氣體供給排氣處理動作。經由此，成為自在某個氣體供給單元25a之氣體供給路徑253係加以供給原料氣體(TiCl4氣體)，再自夾持其氣體供給單元25a與一個之氣體供給單元25c而排列之另一之氣體供給單元25b之氣體供給路徑253係加以供給電漿狀態之反應氣體(NH3氣體)者。以下，將包含供給原料氣體之氣體供給路徑253而加以構成之處理氣體供給部，稱為「原料氣體供給部」，而將包含供給反應氣體之氣體供給路徑253而加以構成之處理氣體供給部，稱為「反應氣體供給部」。
在此，當著眼於某一個晶圓W時，基板載置台10則開始旋轉時，其晶圓W係通過在原料氣體供給部之氣體供給路徑253之下方(S202)。此時，自其氣體供給路徑253係對於晶圓W之面上而言，加以供給原料氣體(TiCl4氣體)。所供給之原料氣體係加以附著於晶圓W上，形成原料氣體含有層。然而，晶圓W則通過原料氣體供給部之氣體供給路徑253之下方時之通過時間，即原料氣體的供給時間係例如，呈成為0.1~20秒地加以調整。
當通過原料氣體供給部之氣體供給路徑253之下方時，晶圓W係在通過供給非活性氣體(N2氣體) 之氣體供給單元25c之下方之後，接著，通過在反應氣體供給部之氣體供給路徑253之下方(S203)。此時，自其氣體供給路徑253係對於晶圓W之面上而言，加以供給電漿狀態之反應氣體(NH3氣體)。電漿狀態之反應氣體係均一地加以供給至晶圓W的面上，與吸附於晶圓W上之原料氣體含有層反應，生成TiN膜於晶圓W上。然而，晶圓W則通過反應氣體供給部之氣體供給路徑253之下方時之通過時間，即反應氣體的供給時間係例如，呈成為0.1~20秒地加以調整。
將如以上之原料氣體供給部之氣體供給路徑253之下方的通過動作及反應氣體供給部之氣體供給路徑253之下方的通過動作，作為1循環，而控制器50係判定是否實施特定次數(n循環)此循環(S204)。當實施特定次數此循環時，對於晶圓W上係加以形成所期望膜厚之氮化鈦(TiN)膜。也就是，在成膜工程(S103)中，經由進行相對位置移動處理動作之時，進行反覆對於晶圓W而言交互供給不同的處理氣體之工程的循環處理動作。另外，在成膜工程(S103)中，由進行加以載置於基板載置台10之各晶圓W的各循環處理動作者，對於各晶圓W而言同時並行地形成TiN膜。
並且，當結束特定次數之循環處理動作時，控制器50係結束經由旋轉驅動機構12之基板載置台10的旋轉驅動，停止基板載置台10與卡匣頭20之相對位置移動(S205)。經由此，相對位置移動處理動作則成為結 束者。然而，當結束特定次數之循環處理動作時，對於氣體供給排氣處理動作亦成為結束者。
(氣體供給排氣處理動作)
接著，對於在成膜工程(S103)進行之氣體供給排氣處理動作加以說明。氣體供給排氣處理動作係對於基板載置台10上的晶圓W而言，進行各種氣體之上方供給/上方排氣之處理動作。
圖12係顯示在圖10之成膜工程進行之氣體供給排氣處理動作之詳細的流程圖。
在成膜工程(S103)進行之氣體供給排氣處理動作中，首先，開始氣體排氣工程(S301)。在氣體排氣工程(S301)中，使真空幫浦344作動之同時，將閥342作為開狀態。並且，經由壓力控制器343，加以形成於各氣體供給單元25之間的氣體排氣孔254之下方空間的壓力則呈成為特定壓力地加以控制。特定壓力係作為較各氣體供給單元25之下方空間的壓力為低壓者。經由此，在氣體排氣工程(S301)中，成為將各氣體供給單元25之下方空間的氣體，通過氣體排氣孔254，排氣緩衝室255，排氣孔231，內筒部23與外筒部22之間的空間，及排氣用埠26，排氣至卡匣頭20之外方者。
氣體排氣工程(S301)之開始後係接著，開始非活性氣體供給工程(S302)。在非活性氣體供給工程(S302)中，將在非活性氣體供給管331的閥334作為開 狀態之同時，流量則呈成為特定流量地調整MFC333者，通過加以連接有其非活性氣體供給管331之氣體供給單元25c之氣體供給路徑253，自基板載置台10之上方側，供給非活性氣體(N2氣體)於晶圓W之面上。非活性氣體之供給流量係例如，100~10000sccm。
當進行如此之非活性氣體供給工程(S302)時，自氣體供給單元25c之氣體供給路徑253所噴出的非活性氣體(N2氣體)係在氣體供給單元25c之第二構件252之下面則從與基板載置台10上之晶圓W為平行之情況，均等地擴散於第二構件252之下面與晶圓W之上面之間的空間。並且，從既已開始氣體排氣工程(S301)之情況，擴散於第二構件252之下面與晶圓W之上面之間的空間的非活性氣體(N2氣體)係自位置於其第二構件252之端緣的氣體排氣孔254，朝向至晶圓W之上方側加以排氣。經由此，成為對於加以連接有非活性氣體供給管331之氣體供給單元25c之下方空間，係加以形成經由非活性氣體之氣簾者。
非活性氣體供給工程(S302)之開始後係接著，開始原料氣體供給工程(S303)及反應氣體供給工程(S304)。
在原料氣體供給工程(S303)時，使原料(TiCl4)氣化而生成(預備氣化)原料氣體(即TiCl4氣體)。原料氣體之預備氣化係與既已說明之基板搬入工程(S101)或壓力溫度調整工程(S102)等並行進行亦可。 對於安定生成原料氣體，係需要特定時間之故。
並且，在生成原料氣體之後，在原料氣體供給工程(S303)中，將在其原料氣體供給管311的閥314作為開狀態之同時，流量則呈成為特定流量地調整MFC313者，通過加以連接有其原料氣體供給管311之氣體供給單元25a之氣體供給路徑253，自基板載置台10之上方側，供給原料氣體(即TiCl4氣體)於晶圓W之面上。原料氣體之供給流量係例如，10~3000sccm。
此時，作為原料氣體之載氣，供給非活性氣體(N2氣體)亦可。此情況之非活性氣體之供給流量係例如，10~5000sccm。
當進行如此之原料氣體供給工程(S303)時，自氣體供給單元25a之氣體供給路徑253所噴出的原料氣體(即TiCl4氣體)係在氣體供給單元25a之第二構件252之下面則從與基板載置台10上之晶圓W為平行之情況，均等地擴散於第二構件252之下面與晶圓W之上面之間的空間。並且，從既已開始氣體排氣工程(S301)之情況，擴散於第二構件252之下面與晶圓W之上面之間的空間的原料氣體(TiCl4氣體)係自位置於其第二構件252之端緣的氣體排氣孔254，朝向至晶圓W之上方側加以排氣。並且，此時，對於鄰接之氣體供給單元25c的下方空間，係經由非活性氣體供給工程(S302)之開始，加以形成非活性氣體的氣簾。因此，擴散於氣體供給單元25a之下方空間的原料氣體係未有漏出於鄰接之氣體供給 單元25c的下方空間者。
另外，在原料氣體供給工程(S303)中，將對於晶圓W而言供給之原料氣體，自氣體排氣孔254朝向於上方側而排氣。此時，通過氣體排氣孔254之原料氣體係流入至排氣緩衝室255，擴散於其排氣緩衝室255內。也就是，供給至晶圓W上之原料氣體係成為通過氣體排氣孔254及排氣緩衝室255，歷經在其排氣緩衝室255內之滯留而加以排氣者。因此，即使對於因氣體排氣孔254之平面形狀引起而原料氣體通過氣體排氣孔254時之流動阻抗，在內外周產生有差之情況，由一時地使應排氣於排氣緩衝室255內之原料氣體滯留者，在氣體供給單元25c的下方空間中，係可緩和因流動阻抗的差引起之在內外周的壓力差者。也就是，可抑制因在內外周之壓力差引起之對於晶圓W之在氣體暴露量的內外周之偏差，作為其結果，成為呈可均一地處理晶圓W之面內者。
另一方面，在與原料氣體供給工程(S303)並行之反應氣體供給工程(S304)中，將在反應氣體供給管321的閥324作為開狀態之同時，流量則呈成為特定流量地調整MFC323。經由如此作為者，通過加以連接其反應氣體供給管321之氣體供給單元25b的氣體供給路徑253，自基板載置台10之上方側，供給反應氣體(NH3氣體)至晶圓W之面上。反應氣體(NH3氣體)之供給流量係例如，10~10000sccm。
此時，作為反應氣體之載氣或稀釋氣體，供 給非活性氣體(N2氣體)亦可。此情況之非活性氣體之供給流量係例如，10~5000sccm。
更且，在反應氣體供給工程(S304)中，通過氣體供給路徑253而供給至晶圓W之面上的反應氣體(NH3氣體)作為電漿狀態。
具體而言，藉由輸入用導體431及輸出用導體432，對於電漿產生導體420而言，以RF感測器433進行監視同時，自高頻率電源434及頻率整合器435施加高頻率之電流。當施加電流時，對於電漿產生導體420之周圍係產生有磁場。
此時，電漿產生導體420係呈圍繞電漿生成室410地加以配置之同時，具有複數之主導體部421而加以構成。也就是，對於電漿生成室410之周圍係呈均等排列地有加以配置複數之主導體部421。因此，當施加電流於電漿產生導體420而於其周圍使磁場產生時，在電漿生成室410內中，在加以配置有複數之主導體部421之範圍的範圍內，加以形成有合成經由各主導體部421之磁場的合成磁場。
當反應氣體則通過在加以形成有合成磁場之電漿生成室410內時，其反應氣體係經由合成磁場而加以激發而成為電漿狀態。
由如此作為，在反應氣體供給工程(S304)中，通過加以形成於氣體供給單元25b之氣體供給路徑253內的電漿生成室410之反應氣體(NH3氣體)作為電漿狀態。經 由此，對於氣體供給單元25b之下方側空間，係成為加以供給有電漿狀態之反應氣體(NH3氣體)者。
然而，在反應氣體供給工程(S304)中，因呈圍繞電漿生成室410地使用均等排列之複數的主導體部421而將反應氣體作為電漿狀態之故，在電漿生成室410內所產生之電漿則未有成為不均一者。並且，因成為經由利用形成於電漿生成室410內之合成磁場的電感耦合方式，作為電漿狀態者之故，成為可容易地實現得到高密度電漿者。
當進行如此之反應氣體供給工程(S304)時，自氣體供給單元25b之氣體供給路徑253所噴出之電漿狀態的反應氣體(NH3氣體)係在氣體供給單元25b之第二構件252之下面則從與基板載置台10上之晶圓W為平行之情況，均等地擴散於第二構件252之下面與晶圓W之上面之間的空間。並且，從既已開始氣體排氣工程(S301)之情況，擴散於第二構件252之下面與晶圓W之上面之間的空間的電漿狀態的反應氣體(NH3氣體)係自位置於其第二構件252之端緣的氣體排氣孔254，朝向至晶圓W之上方側加以排氣。並且，此時，對於鄰接之氣體供給單元25c的下方空間，係經由非活性氣體供給工程(S302)之開始，加以形成非活性氣體的氣簾。因此，擴散於氣體供給單元25b之下方空間的電漿狀態的反應氣體係未有漏出於鄰接之氣體供給單元25c的下方空間者。
另外，在反應氣體供給工程(S304)中，將對於晶圓W而言供給之電漿狀態的反應氣體，自氣體排 氣孔254朝向於上方側而排氣。此時，通過氣體排氣孔254之電漿狀態的反應氣體係流入至排氣緩衝室255，擴散於其排氣緩衝室255內。也就是，供給至晶圓W上之反應氣體係成為通過氣體排氣孔254及排氣緩衝室255，歷經在其排氣緩衝室255內之滯留而加以排氣者。因此，即使對於因氣體排氣孔254之平面形狀引起而反應氣體通過氣體排氣孔254時之流動阻抗，在內外周產生有差之情況，由一時地使欲排氣於排氣緩衝室255內之反應氣體滯留者，在氣體供給單元25c的下方空間中，係可緩和因流動阻抗的差引起之在內外周的壓力差者。也就是，可抑制因在內外周之壓力差引起之對於晶圓W之在氣體暴露量的內外周之偏差，作為其結果，成為呈可均一地處理晶圓W之面內者。
並且，如為排氣緩衝室255，比較於未有該排氣緩衝室255之情況，可提高自氣體排氣孔254之排氣效率。並且，成為呈有效率地加以排出在氣體供給單元25之下方的空間256所生成之反應阻礙物(例如，氯化氨)等之副生成物。也就是，如為設置排氣緩衝室255之情況，因有效率地加以排出反應阻礙物等之故，可抑制對於晶圓W上之再附著等，而加以謀求經由此而形成於晶圓W上之膜的膜質改善。
上述之各工程(S301~S304)係作為在成膜工程(S103)之間，並行進行者。但，其開始時間係為了經由非活性氣體之密封性提升，而考慮以上述之順序加以 進行者，但未必限定於此者，而亦可同時開始各工程(S301~S304)。
由並行進行上述之各工程(S301~S304)者，在成膜工程(S103)中，加以載置於基板載置台10之各晶圓W則成為各依序通過供給原料氣體(TiCl4氣體)之氣體供給單元25a之下方空間，和供給電漿狀態的反應氣體(NH3氣體)之氣體供給單元25b之下方空間者。並且，對於供給原料氣體之氣體供給單元25a與供給反應氣體之氣體供給單元25b之間係從介入存在供給非活性氣體(N2氣體)之氣體供給單元25c之情況，亦未有介入存在有對於各晶圓W而言供給之原料氣體與反應氣體者。
對於結束氣體供給排氣處理動作時，首先，結束原料氣體供給工程之同時(S305)、結束反應氣體供給工程(S306)。並且，結束非活性氣體供給工程之後(S307)、結束氣體排氣工程(S308)。但，對於各工程(S305~S308)之結束時間，亦與上述之開始時間同樣，在不同之時間而結束各自亦可，而亦可同時結束。
(4)在第一實施形態之效果
如根據第一實施形態，可得到以下所示之一或複數之效果。
(a)如根據第一實施形態，從於氣體供給單元25b加以設置電漿生成部40之情況，在反應氣體供給 工程(S304)中，可供給電漿狀態之反應氣體於晶圓W面上者。隨之，對於在成膜工程(S103)時，比較於未將反應氣體作為電漿狀態之情況，可提高對於吸附於晶圓W上之原料氣體含有層而言之反應氣體的反應效率者，可效率佳地進行對於其晶圓W之面上的成膜。
(b)另外，如根據第一實施形態，為了將反應氣體作為電漿狀態之電漿生成部40則具有呈圍繞成為反應氣體之流路的電漿生成室410地加以配置之電漿產生導體420而加以構成。並且，電漿產生導體420係具有：沿著在電漿生成室410內之氣體主流方向而延伸之複數的主導體部421，和電性連接主導體部421彼此之連接導體部422。也就是，電漿產生導體420係呈圍繞電漿生成室410地加以配置之同時，呈於其電漿生成室410周圍排列配置複數之主導體部421地加以構成。
如為如此構成之電漿生成部40，由自成為位置於電漿產生導體420之導體端者之主導體部421保持朝向於上方側，配置輸入用導體431及輸出用導體432，使用此等輸入用導體431及輸出用導體432而賦予高頻率電力至電漿產生導體420者，成為可將反應氣體作為電漿狀態者。因此，如根據第一實施形態，對於在輸入用導體431及輸出用導體432之配置時，無須確保與第一構件251之外周側面的間隔。即，比較於使用比較例之ICP線圈(參照圖1(b))之情況，成為可容易地作為省空間化之實現。此情況係特別是在原料氣體供給單元25a，非 活性氣體供給單元25c，反應氣體供給單元25b及非活性氣體供給單元25c則呈依序地鄰接地加以配置之枚葉式的基板處理裝置中，作為呈可以省空間而配置電漿生成部40之故而非常有用。
更且，如根據第一實施形態，經由在加以配置在電漿產生導體420之主導體部421之範圍的範圍內中加以形成之合成磁場的影響，流動在電漿生成室410內之反應氣體則成為電漿狀態。也就是，對於流動在電漿生成室410內之反應氣體而言，在相當於主導體部421之長度部分之範圍之範圍內中，係帶來合成磁場之影響。因此，例如，呈圍繞電漿生成室410地加以配置導體，但比較於未具有主導體部421而不過為加以配置為單純之環狀的構成情況時，成為可實現對於反應氣體而言確實地作為電漿狀態者。
並且，對於形成合成磁場之電漿產生導體420，如呈圍繞電漿生成室410地均等地配置複數之主導體部421，亦未有在電漿生成室410內所產生之電漿成為不均一者。
更且，在第一實施形態中，因成為經由利用形成於電漿生成室410內之合成磁場的電感耦合方式，將反應氣體作為電漿狀態者之故，成為可容易地實現得到高密度電漿者。
如以上，如根據在第一實施形態，由將電漿產生導體420作為與比較例之構成不同之新穎構成者，可維持高電漿密度之同時，以省空間進行將反應氣體作為電 漿狀態者。
(c)另外，如根據第一實施形態，圍繞電漿生成室410之電漿產生導體420則加以配置成偏向於在電漿生成室410內之氣體的主流方向的波形狀。也就是，電漿產生導體420係遍佈於電漿生成室410全周，而波形狀則呈連續地加以配置之同時，在第一構件251之外周側面，加以連接於各輸入用導體431及輸出用導體432。因此，即使呈圍繞電漿生成室410地配置電漿產生導體420之情況，對於輸入用導體431及輸出用導體432係如各一個設置於第一構件251之外周側面即可，而可抑制電漿生成部40之構成產生複雜化者。
<本發明的第二實施形態>
接著，對於本發明的第二實施形態，參照圖面同時加以說明。但，在此係主要對於與上述之第一實施形態之不同點加以說明，而對於其他的點之說明係省略之。
(有關第二實施形態之基板處理裝置的構成)
有關第二實施形態之基板處理裝置係電漿生成部40之構成則與第一實施形態之情況不同。
圖13係顯示有關第二實施形態之電漿生成部(ICP線圈)的概略構成例的模式圖。圖例係與圖1同樣地模式性顯示在第二實施形態中，作為ICP線圈而發揮機能之電漿生成部40的概略構成之概要。然而，在此係為 了簡素化說明而使用模式性的圖，但在第二實施形態中，對於構成基板處理裝置之情況，係電漿生成部40係加以設置於氣體供給單元25b而所使用(參照圖9)。
在此所說明之電漿生成部40係為了控制流動在電漿生成室410內之反應氣體的流動方向，而加以設置複數之隔板411於該電漿生成室410內。各隔板411係均平面視時之形狀則經由例如半圓狀的板狀構件而加以構成。並且，在各隔板411之圓弧部分則朝向相互不同之方向同時，各隔板411則呈以特定間隔而沿著電漿生成室410內之氣體主流方向排列地，加以配置於該電漿生成室410內。
在如此構成之電漿生成部40中，在電漿生成室410內之反應氣體的流動則經由隔板411所遮蔽而作為蛇行。經由此，反應氣體係成為接近於電漿生成室410之內壁面同時，流動在該電漿生成室410內者。此時，在電漿生成室410內中，經由電漿產生導體420而加以形成磁場。此磁場係從電漿產生導體420則呈圍繞電漿生成室410地加以配置之情況，成為越接近電漿生成室410之內壁面而越強者。隨之，經由隔板411而加以控制流動方向之反應氣體係成為在電漿生成室410內流動在磁場比較強之範圍同時，作為成電漿狀態者，作為其結果，比較於未有隔板411之情況時，電漿密度則變高。
然而，將隔板411稱為蛇行構造亦可。另外，彙整複數之隔板411而亦稱為蛇行部。
在此係舉例加以形成隔板411為半圓狀之情況，但如為可控制在電漿生成室410內之反應氣體的流動方向者，其形狀則並無特別加以限定者。例如，與氣流對向的面則朝向下流側而成為傾斜之構造亦可。當作為如此之構造時，因可減少電漿與蛇行構造之間的衝突次數之故，可更確實地維持密度高之電漿者。另外，對於在電漿生成室410內之隔板411的數量，亦全部同樣，並無特別加以限定者。
(在第二實施形態之效果)
如根據第二實施形態，可得到以下所示之效果。
(d)如根據第二實施形態，由具有隔板411於電漿生成室410內者，成為可控制流動在電漿生成室410內之反應氣體的流動方向，將反應氣體接近於電漿產生導體420同時而流動者。隨之，當比較於未有隔板411之情況時，成為可實現提高反應氣體的電漿密度者。
<本發明的第三實施形態>
接著，對於本發明的第三實施形態，參照圖面同時加以說明。但，在此係亦主要對於與上述之第一實施形態之不同點加以說明，而對於其他的點之說明係省略之。
(有關第三實施形態之基板處理裝置的構成)
有關第三實施形態之基板處理裝置係在電漿生成部 40之電漿產生導體420a之構成則與第一實施形態之情況不同。
(構成之概要)
圖14係顯示有關第三實施形態之電漿生成部(ICP線圈)的概略構成例的模式圖。圖例係與圖1同樣地模式性顯示在第三實施形態中，作為ICP線圈而發揮機能之電漿生成部40的概略構成之概要。然而，在此係為了簡素化說明而使用模式性的圖，但在第三實施形態中，對於構成基板處理裝置之情況，係電漿生成部40係加以設置於氣體供給單元25b而所使用(參照圖9)。
在此所說明之電漿產生導體420a係與第一實施形態之情況同樣地，加以配置為偏向於電漿生成室410內之氣體主流方向的波形狀，但與第一實施形態之情況不同，各主導體部421之長度則根據場所而有所不同。也就是，第一實施形態之情況係各主導體部421則加以形成為略同一之長度，但在第三實施形態之電漿產生導體420a係如圖14(a)所示，具有：主導體部421為長而波形狀的波高(振幅)為大小為A之範圍部分425，和主導體部421為短而波形狀的波高(振幅)為大小為B之範圍部分426而加以構成。
在如此構成之電漿生成部40中，對於反應氣體通過在電漿生成室410內時之該反應氣體而言之磁場暴露量(通過時間或通過距離等)，則在主導體部421為長 之範圍部分425之附近與主導體部421為短之範圍部分426之附近而作為不同。因此，對於在電漿生成室410內作為成電漿狀態之反應氣體之電漿密度，亦成為產生通過主導體部421為長之範圍部分425之附近時，電漿密度為高，而通過主導體部421為短之範圍部分426之附近時，電漿密度為低之不同者。此情況係換言之，意味由將各主導體部421之長度，並非一律而根據場所而作為不同者，對於場所別可控制反應氣體之電漿密度之高低者。
然而，在圖14(a)所示的例中，舉出：電漿產生導體420a之範圍部分425與範圍部分426則將波形狀的下側作為基準而加以配置之情況，即，波形狀之下端側則呈一致地加以配置各範圍部分425，426之情況。如此，如加以構成電漿產生導體420a，因成為對於範圍部分426亦在接近於晶圓W側使磁場產生者之故，在將供給至晶圓W之反應氣體作為電漿狀態上係為佳。但電漿產生導體420a係並非加以限定於如此構成者，而如圖14(b)所示，各範圍部分425，426則將波形狀之上側作為基準而加以配置者亦可。
(構成之具體例)
在此，對於在第三實施形態之電漿產生導體420a的構成，更具體地加以說明。
在第三實施形態中，複數之氣體供給單元25係亦自基板載置台10之旋轉中心側，朝向外周側而加以 配置成放射狀。對於在其中之氣體供給單元25b之第一構件251，係呈構成電漿產生導體420a之複數的主導體部421則沿著構成氣體供給單元25b之角部251a的邊，自基板載置台10之旋轉中心側，朝向外周側排列地加以配置。
但，氣體供給單元25b之氣體供給路徑253係其平面形狀則並非特定加以限定者，另外，對於氣體供給路徑253而言之反應氣體供給管321之連接處，亦無特別加以限定者。因此，在氣體供給單元25b中，有經由氣體供給路徑253之平面形狀或反應氣體供給管321之連接處之位置等，而於電漿生成室410內產生有容易集中反應氣體處與不易集中處者。如此之反應氣體之分布不均係依據氣體供給路徑253之平面形狀或反應氣體供給管321之連接處之位置等，而可預測其產生形態者。
具體而言，例如，氣體供給路徑253之平面形狀則如為朝向基板載置台10之外周側而擴散的扇型狀，在氣體傳導之影響，會引起基板載置台10之旋轉中心側係不易集中反應氣體，而基板載置台10之外周側係容易集中反應氣體者。另外，例如，氣體供給路徑253之平面形狀即使為長方形狀，亦會引起氣體供給路徑253之平面形狀的中央附近係容易集中反應氣體，而該平面形狀之端緣附近(壁面附近)係不易集中反應氣體者。
對此，如為在第三實施形態之電漿產生導體420a，即使於電漿生成室410內產生有反應氣體的分布不 均，亦成為可實現因應所預測之不均的產生形態，呈對應於容易集中反應氣體處地，配置主導體部421為長，波形狀的波高(振幅)大小為A之範圍部分425，而呈對應於不易集中反應氣體處(例如，電漿生成室410之外周端緣側)地配置主導體部421為短，波形狀的波高(振幅)大小為B之範圍部分426者。
具體而言，例如，如為於基板載置台10之旋轉中心側不易集中反應氣體，而其外周側係容易集中反應氣體之情況，於該旋轉中心側配置主導體部421為長，波形狀的波高(振幅)大小為A之範圍部分425，而於該外周側配置主導體部421為短，波形狀的波高(振幅)大小為B之範圍部分426。也就是，主導體部421之長度係基板載置台10之旋轉中心側則較外周側為短地加以構成。如此，如配置各範圍部分425，426，成為呈將在基板載置台10之旋轉中心側的電漿密度，作為較外周側之電漿密度為低地，加以構成電漿生成部40者。
另外，例如，如為氣體供給路徑253之平面形狀的中央附近係容易集中反應氣體，而該平面形狀之端緣附近(壁面附近)係不易集中反應氣體之情況，於包含構成氣體供給單元25b之角部251a的邊之中點的範圍之範圍(即，電漿生成室410之中央附近)，配置主導體部421為長，波形狀的波高(振幅)大小為A之範圍部分425，而於包含該邊的端緣之範圍的範圍(即，電漿生成室410之端緣附近)，配置主導體部421為短，波形狀的波高 (振幅)大小為B之範圍部分426。也就是，主導體部421之長度係電漿生成室410之中央附近則較端緣側為長地加以構成。如此，如配置各範圍部分425，426，成為呈將在電漿生成室410之中央附近的電漿密度，作為較端緣側之電漿密度為高地，加以構成電漿生成部40者。
隨之，如根據在第三實施形態之電漿生成部40，即使為會產生反應氣體之分布不均於電漿生成室410內之情況，因亦可提高容易集中反應氣體處之電漿密度，降低不易集中反應氣體處之電漿密度之故，成為加以抑制在電漿生成室410內所產生的電漿則成為不均一者。
(其他的構成例)
在以上的說明中，舉例過因應是否容易集中反應氣體在電漿生成室410內而配置電漿產生導體420a之各範圍部分425，426之情況，但各範圍部分425，426之配置則並未加以限定於此者。
圖15係顯示有關第三實施形態之電漿生成部之其他構成例的模式圖。圖例係對於在第三實施形態之其他構成例的電漿產生導體420b及基板載置台10，模式性地顯示其平面形狀。
圖例之電漿產生導體420b係呈圍繞在氣體供給單元25b之第一構件251之外周地，具有延伸於基板載置台10之口徑方向的長圓狀之平面形狀。
在如此構成之電漿產生導體420b中，長圓狀 之短方向的寬度變窄時，於位置在長圓狀之長度方向的兩端附近的圓弧部分(在圖中的C部分)，有集中電漿者。在兩端附近的圓弧部分，有急峻地加以折返有電漿產生導體420b之故。
從此情況，平面形狀為長圓狀的情況，對於電漿產生導體420b係於兩端附近的圓弧部分，配置主導體部421為短，波形狀的波高(振幅)大小為B之範圍部分426，而於除此以外之部分(即，構成長圓之直線邊的部分)，配置主導體部421為長，波形狀的波高(振幅)大小為A之範圍部分425。如作為如此，經由降低在兩端附近的圓弧部分之電漿密度之時，可抑制對於該兩端附近的電漿集中者，經由此，成為呈可確保在基板載置台10之口徑方向的電漿之均一性。
然而，對於電漿產生導體420b之平面形狀為延伸於基板載置台10之口徑方向的長圓狀之情況，係基板載置台10上之晶圓W則呈未通過其長圓狀的圓弧部分(在圖中之C部分)下方地，構築電漿產生導體420b與基板載置台10之關係者為佳。假設即使產生有在圓弧部分(在圖中之C部分)之電漿集中，亦作為呈其影響未波及到基板載置台10上之晶圓W之故。
(又其他的構成例)
另外，在以上的說明中，舉例過將電漿產生導體420a，420b區分為主導體部421為長之範圍部分425與 主導體部421為短之範圍部分426之二個情況，但為了對於場所別而控制反應氣體的電漿密度之高低，係加以區分為三個以上之範圍部分亦可。
圖16係顯示有關第三實施形態之電漿生成部之又其他構成例的模式圖。圖例係對於在第三實施形態之又其他構成例的電漿產生導體420c及基板載置台10，模式性地顯示其平面形狀。
圖例之電漿產生導體420c係呈圍繞在氣體供給單元25b之第一構件251之外周地，具有圓形之平面形狀。
在如此構成之電漿產生導體420c中，基板載置台10上之晶圓W則通過其下方時，在圓形狀的電漿產生導體420c之內周側與外周側與在此等的中間，於晶圓W之通過距離產生有不同。如此之通過距離的不同係有招致對於晶圓W而言之成膜處理的不均一之虞。
從此情況，平面形狀為圓形之情況，對於電漿產生導體420c係區分為三個以上的範圍部分，分配各範圍部分於各內周側與外周側與此等之中間，作為在此等各範圍部分，主導體部421之長度則呈不同。如作為成如此，成為可將電漿密度作為內周側<中間<外周側者，經由此不論晶圓W之通過距離的不同，而成為呈可確保對於晶圓W而言之電漿的均一性。
(在第三實施形態之效果)
如根據第三實施形態，可得到以下所示之效果。
(e)如根據第三實施形態，對於加以配置於偏向於電漿生成室410內的氣體主流方向之波形狀的電漿產生導體420a，420b，420c，各主導體部421之長度則根據場所而有所不同。因此，例如，成為可實現於容易集中反應氣體處，配置主導體部421為長，波形狀的波高(振幅)大小為A之範圍部分425，而於不易集中反應氣體處，配置主導體部421為短，波形狀的波高(振幅)大小為B之範圍部分426者。經由此，對於場所別而控制反應氣體之電漿密度的高低，成為呈可抑制在電漿生成室410內所產生的電漿成為不均一者。
(f)特別是如根據第三實施形態，適用於氣體供給單元25則自基板載置台10之旋轉中心側朝向於外周側而加以配置成放射狀的多枚葉式之基板處理裝置而非常有用。原因是在供給反應氣體於晶圓W之氣體供給單元25b中，例如，即使為不易集中反應氣體於基板載置台10之旋轉中心側，而於外周側容易集中反應氣體之情況，亦可將旋轉中心側之電漿密度作為較外周側之電漿密度為低者之故。可抑制經由此而在電漿生成室410內所產生之電漿則成為不均一，而謀求對於晶圓W而言之成膜處理的面內均一性的提升者。
<本發明的第四實施形態>
接著，對於本發明的第四實施形態，參照圖面同時加以說明。但，在此係亦主要對於與上述之第一實施形態~ 第三實施形態之不同點加以說明，而對於其他的點之說明係省略之。
(有關第四實施形態之基板處理裝置的構成)
有關第四實施形態之基板處理裝置係在電漿生成部40之電漿產生導體420d之構成則與第一~第三實施形態之情況不同。
圖17係顯示在有關第四實施形態之基板處理裝置所使用之電漿生成部(ICP線圈)的構成例之模式圖。圖例係與圖1同樣地模式性顯示在第四實施形態中，作為ICP線圈而發揮機能之電漿生成部40的概略構成之概要。然而，在此係為了簡素化說明而使用模式性的圖，但在第四實施形態中，對於構成基板處理裝置之情況，係電漿生成部40係加以設置於氣體供給單元25b而所使用(參照圖9)。
如圖17(a)所示，在此所說明之電漿產生導體420d係與第一實施形態之情況同樣地，呈排列有複數之主導體部421地加以配置，而加以構成電漿產生導體420，但與第一實施形態之情況不同，連接導體部422則僅於連接主導體部421之下端彼此之位置加以配置。也就是，在第四實施形態之電漿產生導體420d係於連接主導體部421之上端彼此之位置，未具備連接導體部422，而成為將第一實施形態情況之波形狀分割為複數之U字型形狀部分的構造，即，具有複數對經由連接導體部422所連 接之主導體部421的對之構造。然而，各U字型形狀部分的高度，寬度及配置間距係未特別加以限定者，考慮在氣體供給單元25b之第一構件251的大小，或作為呈產生於第一構件251之電漿生成室410內之磁場的強度等，如為加以適宜決定者即可。
構成U字型形狀部分之一對的主導體部421之中，對於一方的主導體部421，係加以連接為了賦予電力之輸入用導體431。
另外，對於另一方的主導體部421係加以連接有為了取出所賦予之電力的輸出用導體432。也就是，對於各U字型形狀部分，係各加以連接輸入用導體431與輸出用導體432。
在此構成之電漿產生導體420d中，亦成為藉由各U字型形狀部分之各輸入用導體431與輸出用導體432而賦予電力時，產生磁場於電漿生成室410內，通過其電漿生成室410內之反應氣體則成為電漿狀態。
此時，電漿產生導體420d係為加以分割為複數之U字型形狀部分，各U字型形狀部分則成為加以配置於個別者之故，可將至基板載置台10為止之距離，容易地控制於各U字型形狀部分別者。另外，在於電漿產生導體420d產生故障等之障礙情況，因亦可僅交換有障礙之U字型形狀部分而對應者之故，亦可謀求維護之容易化。
更且，如為將電漿產生導體420d加以分割為 複數之U字型形狀部分的構造，由連接不同之電力供給系統或電力控制系統於各U字型形狀部分之各自者，成為呈個別地進行電力供給至各U字型形狀部分之各自。也就是，由個別地控制賦予至各U字型形狀部分之電力者，在電漿產生導體420d之複數的主導體部421之長度為同樣之情況，亦可使各U字型形狀部之附近的電漿密度作為可變者。並且，例如，如第三實施形態，比較於使主導體部421之長度作為不同之情況時，成為可容易地實現精緻且柔軟地控制電漿密度。
但，對於構成電漿產生導體420d之各主導體部421之長度，如圖17(b)所示，對於各U字型形狀部分別，作為呈不同亦可。如為如此作為，與第三實施形態之情況同樣地，成為呈可經由主導體部421之長度而控制電漿密度。並且，因經由主導體部421之長度而調整電漿密度之故，未必對於各U字型形狀部分各自而言，個別地進行電力供給，而對於各自供給同樣的電力亦可。因此，比較於個別地進行電力供給至各U字型形狀部分之情況時，可抑制電力供給系統或電力控制系統之構成成為複雜化者。
(在第四實施形態之效果)
如根據第四實施形態，可得到以下所示之效果。
(g)如根據第四實施形態，對於電漿產生導體420d，連接導體部422則僅於連接主導體部421之下 端彼此之位置加以配置，成為複數對具有經由連接導體部422所連接之主導體部421的對之構造。也就是，電漿產生導體420d則成為加以分割為複數之U字型形狀部分之構造。因此，成為可個別地配置各U字型形狀部分者，當比較於第一實施形態~第三實施形態之情況時，可提高電漿產生導體420d之配置的自由度，另外，亦可謀求維護的容易化。更且，對於場所別地控制反應氣體的電漿密度的高底，亦可容易地對應者，可抑制經由此而在電漿生成室410內所產生的電漿則成為不均一者，而可謀求對於晶圓W而言之成膜處理的面內均一性的提升者。
<本發明的第五實施形態>
接著，對於本發明的第五實施形態，參照圖面同時加以說明。但，在此係亦主要對於與上述之第一實施形態~第四實施形態之不同點加以說明，而對於其他的點之說明係省略之。
(有關第五實施形態之基板處理裝置的構成)
有關第五實施形態之基板處理裝置係電漿生成部40之構成則與第一實施形態~第四實施形態之情況不同。
圖18係顯示在有關第五實施形態之基板處理裝置所使用之電漿生成部(ICP線圈)的概略構成例之側剖面圖。然而，在此係為了簡素化說明而使用顯示電漿生成部40之側剖面之模式性的圖，但在第五實施形態中， 對於構成基板處理裝置之情況，係電漿生成部40係加以設置於氣體供給單元25b而所使用(參照圖9)。
圖例之電漿生成部40係具有呈圍繞流動有反應氣體之電漿生成室410地加以配置之電漿產生導體420e。電漿產生導體420e係具有：沿著在電漿生成室410內之反應氣體的主流方向而延伸之複數的主導體部421，和電性連接主導體部421彼此之連接導體部422。此點係與上述第一實施形態~第四實施形態之情況同樣。
但，在此說明之電漿產生導體420e係與第一實施形態~第四實施形態之情況不同，例如，經由銅(Cu)、鎳(Ni)、鐵(Fe)等之導電材料而加以形成為管狀，呈流動冷卻水於管內地加以構成。當流動冷卻水於電漿產生導體420e之管內時，成為經由此而加以調整電漿產生導體420e之溫度。也就是，在第五實施形態之電漿產生導體420e係具有作為調整該電漿產生導體420e的溫度之溫度調整部之機能。
另外，電漿產生導體420e係加以配置於密封空間441內。並且，對於密封空間441內係呈供給非活性氣體地加以構成。作為非活性氣體係考慮使用N2氣體者，但亦可使用He氣體、Ne氣體、Ar氣體等。對於自密封空間441內之非活性氣體的排氣路徑，係加以設置計測非活性氣體溫度之溫度感應器442。
在如此構成之電漿生成部40中，對於在將流動在電漿生成室410內之反應氣體作為電漿狀態時，以溫 度感應器442而計測自密封空間441內所排氣之非活性氣體的溫度，監控密封空間441內之電漿產生導體420e之溫度。並且，將監控的結果為基礎而流動冷卻水於電漿產生導體420e之管內而調整溫度，而電漿產生導體420e的溫度則作為呈成為特定的溫度範圍內。也就是，在第五實施形態之電漿生成部40中，依據電漿產生導體420e之溫度監控的結果，進行反饋控制，將該電漿產生導體420e之溫度作為呈保持為特定之溫度範圍內。
如進行反饋控制而將電漿產生導體420e之溫度作為呈保持為特定之溫度範圍內，可抑制在電漿產生導體420e之電性阻抗的變動者。隨之，對於電漿密度之變動亦可控制，可抑制經由此而在電漿生成室410內所產生之電漿則成為不均一，而謀求對於晶圓W而言之成膜處理的面內均一性的提升者。
另外，對於為了進行反饋控制，而例如於對於晶圓W上而言之成膜處理的膜厚產生有變動之情況，係當作於電漿產生導體420e產生有何種之不良狀況者，而判斷為維護時期之情況亦成為可實現。
然而，在以上的說明中，舉例過流動冷卻水於電漿產生導體420e之管內而調整該電漿產生導體420e之溫度的情況，但溫度調整部則不限定於此等，而亦可經由其他的構成者。作為其他的構成，係例如，可舉出利用流動在電漿產生導體420e周圍的氣體而進行溫度調整者。
對於流動在電漿產生導體420e周圍之氣體，係如上述使用非活性氣體，在抑制電漿產生導體420e之表面狀態的變化(例如，氧化)的點為佳，但未必加以限定於非活性氣體，而作為呈使用其他氣體亦可。
另外，在以上的說明中，舉例過呈將在電漿生成室410內作成電漿狀態之反應氣體，供給至基板載置台10上的基板W地加以構成之情況，但例如，設置電漿遮蔽板(但不圖示)於電漿生成室410之出口部分443，作為呈所謂遠距離電漿亦可。如作為如此構成，成為可供給中性的自由基。
(在第五實施形態之效果)
如根據第五實施形態，可得到以下所示之效果。
(h)如根據第五實施形態，因具有作為調整電漿產生導體420e之溫度的溫度調整部之機能之故，而可作為呈將該電漿產生導體420e之溫度保持為特定之溫度範圍內者。隨之，可抑制因電漿產生導體420e之溫度變動引起之電性阻抗的變動，而經由此對於電漿密度之變動亦可抑制。也就是，由抑制電漿產生導體420e之溫度變動者，可抑制在電漿生成室410內所產生之電漿則成為不均一，而謀求對於晶圓W而言之成膜處理的面內均一性的提升者。
<本發明之其他的實施形態>
以上，具體地說明本發明之實施形態，本發明係不限定於上述之各實施形態，可在不脫離其內容的範圍作種種變更。
例如，在上述的各實施形態中，對於氣體供給單元25b加以設置電漿生成部40，舉例過電漿生成部40則將氣體供給單元25b則對於晶圓W而言所供給之反應氣體作為電漿狀態的情況，但本發明則未加以限定於此者。即，本發明係未加以限定於反應氣體，而即使為其他的氣體，亦可適用於將該氣體作為電漿狀態之情況者。
另外，例如，在上述之各實施形態中，舉例過由使基板載置台10或卡匣頭20旋轉者，使基板載置台10上的各晶圓W與卡匣頭20之相對位置移動之情況，但本發明則未加以限定於此者。即，本發明係如為使基板載置台10上的各晶圓W與卡匣頭20之相對位置移動者，未必須要為在各實施形態所說明之旋轉驅動式者。例如，即使為利用輸送帶等之直動式者，亦可完全同樣地適用。
另外，例如，在上述之各實施形態中，作成呈設置非活性氣體供給單元25c於原料氣體供給單元25a與反應氣體供給單元25b之間而構成，但本發明並未限定於此者。例如，於二個反應氣體供給單元25b之間，設置非活性氣體供給單元25c亦可。此情況，取代原料氣體供給單元25a，而自晶圓上方以外處，設置供給氣體之供給構造而供給原料氣體於處理室亦可。例如，於處理室中央設置原料氣體供給孔，而自處理室中央供給原料氣體亦 可。
另外，例如，在上述之各實施形態中，作成呈設置非活性氣體供給單元25c於原料氣體供給單元25a與反應氣體供給單元25b之間而構成，但本發明並未限定於此者。例如，於二個原料氣體供給單元25a之間，設置非活性氣體供給單元25c亦可。此情況，取代反應氣體供給單元25c，而自晶圓上方以外處，設置供給氣體之供給構造而供給反應氣體於處理室亦可。例如，於處理室中央設置反應氣體供給孔，而自處理室中央供給反應氣體亦可。
另外，例如，在上述之各實施形態中，舉例過作為基板處理裝置所進行之成膜處理，作為原料氣體(第一處理氣體)而使用TiCl4氣體，作為反應氣體(第二處理氣體)而使用NH3氣體，經由交互供給此等而形成TiN膜於晶圓W上之情況，但本發明則未加以限定於此者。即，使用於成膜處理之處理氣體係未加以限定於TiCl4氣體或NH3氣體等者，而使用其他種類的氣體而形成其他種類之薄膜亦可。更且，即使為使用3種類以上的處理氣體之情況，如為交互地供給此等而進行成膜處理，可適用本發明。
另外，例如，在上述之各實施形態中，舉例過作為基板處理裝置所進行之處理而成膜處理，但本發明則未加以限定於此等者。即，除成膜處理之外，亦可為形成氧化膜，氮化膜之處理，形成含有金屬的膜之處理。另 外，不問基板處理之具體的內容，不僅成膜處理，而可對於退火處理，氧化處理，氮化處理，擴散處理，光微影處理等之其他的基板處理亦最佳地適用。更且，本發明係除其他的基板處理裝置，例如，亦可對於退火處理裝置，氧化處理裝置，氮化處理裝置，曝光裝置，塗佈裝置，乾燥裝置，加熱裝置，利用電漿之處理裝置等其他的基板處理裝置最佳地適用。另外，本發明係亦可混入存在有此等裝置。另外，可將某個實施形態之構成的一部分置換為其他的實施形態之構成者，另外，亦可對於某個實施形態之構成加上其他的實施形態之構成者。另外，對於各實施形態之構成的一部分，亦可作為其他的追加，削除，置換者。
<本發明之理想的形態>
於以下，對於本發明之理想的形態加以附記。
[附記1]
如根據本發明之一形態，加以提供：具有加以載置基板之基板載置台，和內包前述基板載置台之處理室，和進行對於前述處理室內之氣體供給的氣體供給部，和將前述氣體供給部所供給至前述處理室內之氣體作為電漿狀態之電漿生成部；前述電漿生成部係具有：成為前述氣體供給部所供給至前述處理室內之氣體的流路之電漿生成室， 和經由呈圍繞前述電漿生成室地加以配置之導體而加以構成之電漿產生導體；前述電漿產生導體係具有：沿著在前述電漿生成室內的氣體之主流方向而延伸之複數的主導體部，和電性連接前述主導體部彼此之連接導體部的基板處理裝置。
[附記2]
理想係加以提供附記1所記載之基板處理裝置，其中，前述連接導體部係至少加以配置於連接前述主導體部之下端彼此之位置者。
[附記3]
理想係加以提供附記1或附記2所記載之基板處理裝置，其中，前述電漿產生導體係由具有前述主導體部及前述連接導體部者，前述導體則加以配置成偏向於在前述電漿生成室內之氣體的主流方向之波形狀者。
[附記4]
理想係加以提供附記3所記載之基板處理裝置，其中，對於前述主導體部之中之一，係加以連接為了賦予電力於前述電漿產生導體之輸入用導體，對於前述主導體部之中之其他一，係加以連接為了取 出賦予於前述電漿產生導體之電力之輸出用導體。
[附記5]
理想係加以提供附記1或附載2所記載之基板處理裝置，其中，前述電漿產生導體係複數對具有經由前述連接導體部所連接之前述主導體部的對。
[附記6]
理想係加以提供附記5所記載之基板處理裝置，其中，對於構成前述對之一方的前述主導體部，係加以連接為了賦予電力至前述電漿產生導體之輸入用導體，對於構成前述對之另一方之前述主導體部，係加以連接為了取出賦予於前述電漿產生導體之電力之輸出用導體。
[附記7]
理想係加以提供附記5所記載之基板處理裝置，其中，加以連接於前述複數對之各前述輸入用導體則藉由輸入共通線而加以連接於電源，加以連接於前述複數對之各前述輸出用導體則藉由輸出共通線而加以連接於前述電源。
[附記8]
理想係加以提供附記1至附記7所記載之基板處理裝置，其中， 前述電漿生成室係具有流動在該電漿生成室內之氣體的流動方向之蛇行構造。
[附記9]
理想係加以提供附記1至附記8任一項所記載之基板處理裝置，其中，前述基板載置台係可在複數之基板則呈排列為圓周狀地加以配置之狀態旋轉地加以構成，前述處理室及前述氣體供給部係對於旋轉之各前述基板載置台上之各基板而言，呈依序加以供給在前述電漿生成部作成電漿狀態之氣體，在前述電漿生成部之前述電漿產生導體係自前述基板載置台之旋轉中心側，朝向外周側，呈排列複數之前述主導體部地加以配置而構成者。
[附記10]
理想係加以提供附記9所記載之基板處理裝置，其中，呈自前述基板載置台之旋轉中心側朝向外周側排列地加以配置之各主導體部，係沿著前述電漿生成室內之氣體主流方向的長度則經由配置場所而有所差異者。
[附記11]
理想係加以提供附記9或附記10所記載之基板處理裝置，其中，前述電漿生成部係呈將前述旋轉中心側的電漿密度，作為較前述外周側的電漿密度為低地加以構成。
[附記12]
理想係加以提供附記10或附記11所記載之基板處理裝置，其中，前述主導體部之長度係前述旋轉中心側則較前述外周側為短地加以構成。
[附記13]
理想係加以提供附記1至附記12任一項所記載之基板處理裝置，其中，具有調整前述電漿產生導體之溫度的溫度調整部。
[附記14]
如根據本發明之有其他的一形態，一種半導體裝置之製造方法，其中，加以提供：具有載置基板於內包於處理室之基板載置台上的基板載置工程，和經由呈圍繞成為供給至前述處理室內之氣體的流路之電漿生成室地加以配置之導體而加以構成之同時，使用具有作為該導體，沿著在前述電漿生成室內之氣體的主流方向而延伸之複數的主導體部，和電性連接前述主導體部彼此之連接導體部之電漿產生導體，將流動在前述電漿生成室內之氣體作為電漿狀態之電漿生成工程，和對於前述基板載置台上之前述基板而言，供給使用前述電漿產生導體，而作成電漿狀態之氣體的氣體供給工程之半導體裝置之製造方法。
[附記15]
如根據本發明之有其他的一形態，一種程式，其中，加以提供：由電腦執行載置基板於內包於處理室之基板載置台上的基板載置工程，和經由呈圍繞成為供給至前述處理室內之氣體的流路之電漿生成室地加以配置之導體而加以構成之同時，使用具有作為該導體，沿著在前述電漿生成室內之氣體的主流方向而延伸之複數的主導體部，和電性連接前述主導體部彼此之連接導體部之電漿產生導體，將流動在前述電漿生成室內之氣體作為電漿狀態之電漿生成工程，和對於前述基板載置台上之前述基板而言，供給使用前述電漿產生導體，而作成電漿狀態之氣體的氣體供給工程之程式。
[附記16]
如根據本發明之有其他的一形態，一種記錄媒體，其中，理想係加以提供：記錄由電腦執行載置基板於內包於處理室之基板載置台上的基板載置工程，和經由呈圍繞成為供給至前述處理室內之氣體的流路之電漿生成室地加以配置之導體而加以構成之同時，使用具有作為該導體，沿著在前述電漿生成室內之氣體的主流方向而延伸之複數的主導體部，和電性連接前述主導體部彼此之連接導體部之電漿產生導體，將流動在前述電漿生 成室內之氣體作為電漿狀態之電漿生成工程，和對於前述基板載置台上之前述基板而言，供給使用前述電漿產生導體，而作成電漿狀態之氣體的氣體供給工程之程式的記錄媒體。
40‧‧‧電漿生成部
410‧‧‧電漿生成室
420‧‧‧電漿產生導體
421‧‧‧主導體部
422‧‧‧連接導體部
431‧‧‧輸入用導體
432‧‧‧輸出用導體
451‧‧‧線圈
452‧‧‧導體
S‧‧‧間隔
W‧‧‧晶圓(基板)

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為具有：複數之基板排列成圓周狀，在載置之狀態下構成可旋轉之基板載置台，和內包前述基板載置台之處理室，和進行對於前述處理室內之氣體供給的氣體供給部，和將前述氣體供給部所供給至前述處理室內之氣體作為電漿狀態之電漿生成部，前述電漿生成部係具有：成為前述氣體供給部所供給至前述處理室內之氣體的流路之電漿生成室，和經由呈圍繞前述電漿生成室地加以配置之導體而加以構成之電漿產生導體，和為供予電力至前述電漿產生導體的輸入用導體，和為取出供予前述電漿產生導體之電力的輸出用導體；前述電漿產生導體係具有：沿著在前述電漿生成室內的氣體之主流方向而延伸之複數的主導體部，和電性連接前述主導體部彼此之連接導體部，前述輸入用導體及前述輸出用導體係各別連接於其他之前述主導體部之同時，沿著該主導體部所延伸之方向，從該主導體部直接各上方側配置連接，前述處理室及前述氣體供給部係對於旋轉之各前述基板載 置台上之各基板而言，在前述電漿生成部依序供給成為電漿狀態之氣體而構成，前述電漿生成部之前述電漿產生導體係自前述基板載置台之旋轉中心側，朝向外周側，排列複數之前述主導體部加以配置而構成的同時，自前述基板載置台之旋轉中心側朝向外周側加以排列配置之各主導體部，係沿著前述電漿生成室內之氣體主流方向的長度為因應配置場所而不同地構成者。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理裝置，其中，前述電漿產生導體係具有配置於至少連接前述主導體部之下端彼此之位置之前述連接導體，前述導體係配置成偏向前述電漿生成室內之氣體之主流方向的波形狀，或配置具有複數對經由前述連接導體部所連接之前述主導體部之對的U字型形狀部分。
  3. 如申請專利範圍第2項記載之基板處理裝置，其中，前述電漿產生導體係藉由具有配置於連接前述主導體部之下端彼此之位置的前述連接導體部、和記置於連接前述主導體部之上端彼此之位置的前述連接導體部，前述導體則配置成偏向於在前述電漿生成室內之氣體的主流方向之波形狀者。
  4. 如申請專利範圍第3項記載之基板處理裝置，其中，位置於前述電漿產生導體之導體端所成一個之前述主導體部中，連接前述輸入用導體，位置於前述電漿產生導體之導體端所成另一個之前述主導 體部中，連接前述輸出用導體。
  5. 如申請專利範圍第2項記載之基板處理裝置，其中，前述電漿產生導體係藉由具有僅配置連接前述主導體部之下端彼此之位置的前述連接導體部，具有複數經由前述連接導體部所連接之前述主導體部對的U字型形狀部分。
  6. 如申請專利範圍第2項記載之基板處理裝置，其中，具有配置前述電漿產生導體而構成之密封空間、和於前述密封空間內供給非活性氣體，利用流動在前述電漿產生導體之周圍之前述非活性氣體，調整前述電漿產生導體之溫度的溫度調整部。
  7. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理裝置，其中，前述電漿產生導體係藉由具有配置於連接前述主導體部之下端彼此之位置的前述連接導體部、和配置於連接前述主導體部之上端彼此之位置的前述連接導體部，前述導體則配置成偏向於在前述電漿生成室內之氣體的主流方向之波形狀者。
  8. 如申請專利範圍第7項記載之基板處理裝置，其中，於前述主導體部中之一個，連接為供予電力至前述電漿產生導體的輸入用導體，於前述主導體部中之另一個，連接為取出供予前述電漿產生導體之電力的輸出用導體。
  9. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理裝置，其中，前述電漿產生導體係藉由具有僅配置於連接前述主豪 體部之下端彼此之位置的前述連接導體部，複數具有經由前述連接導體部所連接之前述主導體部的對之U字型形狀部分。
  10. 如申請專利範圍第9項記載之基板處理裝置，其中，於構成前述U字型形狀部分之一方的前述主導體部，係連接前述輸入用導體，於構成前述U字型形狀部分之另一方的前述主導體部，係連接前述輸出用導體。
  11. 如申請專利範圍第9項記載之基板處理裝置，其中，連接於前述複數之前述U字型形狀部分之各前述輸入用導體則藉由輸入共通線，連接於電源，連接於前述複數之前述U字型形狀部分之各前述輸出用導體則藉由輸出共通線，連接於前述電源。
  12. 如申請專利範圍第9項記載之基板處理裝置，其中，具有配置前述電漿產生導體而構成之密封空間、和於前述密封空間內供給非活性氣體，利用流動在前述電漿產生導體之周圍之前述非活性氣體，調整前述電漿產生導體之溫度的溫度調整部。
  13. 如申請專利範圍第1項記載之基板處理裝置，其中，前述電漿生成部係前述旋轉中心側相較於前述外周側，前述主導體部之長度較短而構成，令前述旋轉中心側的電漿密度，較前述外周側的電漿密度為低而構成。
  14. 如申請專利範圍第13項記載之基板處理裝置，其中，前述電漿生成室係具有抑制流動在該電漿生成室內 之氣體的流動方向之蛇行構造。
  15. 如申請專利範圍第13項記載之基板處理裝置，其中，前述電漿生成部係前述旋轉中心側相較於前述外周側，前述主導體部之長度較短而構成，令前述旋轉中心側的電漿密度，較前述外周側的電漿密度為低而構成。
  16. 如申請專利範圍第13項記載之基板處理裝置，其中，具有配置前述電漿產生導體而構成之密封空間、和於前述密封空間內供給非活性氣體，利用流動在前述電漿產生導體之周圍之前述非活性氣體，調整前述電漿產生導體之溫度的溫度調整部。
  17. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為具有：在內包於處理室，構成呈可旋轉之基板載置台上，複數之基板排列成圓周狀而載置的基板載置工程，和經由呈圍繞成為供給至前述處理室內之氣體的流路之電漿生成室地加以配置之導體而加以構成之同時，使用具有作為該導體，沿著在前述電漿生成室內之氣體的主流方向而延伸之複數的主導體部，和電性連接前述主導體部彼此之連接導體部之電漿產生導體，將流動在前述電漿生成室內之氣體作為電漿狀態之電漿生成工程，和對於旋轉之前述基板載置台上之各個基板，使用前述電漿產生導體，順序供給成為電漿狀態之氣體的氣體供給工程；前述電漿生成工程中，做為前述電線產生導體，使用自前述基板載置台之旋轉中 心側朝向外周側，排列複數之前述主導體部而配置構成的同時，自前述基板載置台之旋轉中心側朝向外周側排列之各主導體部係沿著前述電漿生成室內之氣體主流方向的長度為因應配置場所而不同地構成者；藉由自連接於前述電漿產生導體之輸入用導體，向前述電漿產生導體供予電力，自連接於前述電漿產生導體之輸出用導體，取出供予前述電漿產生導體之電力，將流動在前述電漿產生室內之氣體成為電漿狀態；做為前述輸入用導體及前述輸出用導體，使用各別連接於其他之前述主導體部的同時，沿著該主導體部所延伸之方向，自該主導體部直接向上方側而配置連接者。
  18. 一種程式，其特徵為經由電腦將在內包於處理室，構成呈可旋轉之基板載置台上，複數之基板排列成圓周狀而載置的基板載置工程，和經由呈圍繞成為供給至前述處理室內之氣體的流路之電漿生成室地加以配置之導體而加以構成之同時，使用具有作為該導體，沿著在前述電漿生成室內之氣體的主流方向而延伸之複數的主導體部，和電性連接前述主導體部彼此之連接導體部之電漿產生導體，將流動在前述電漿生成室內之氣體作為電漿狀態之電漿生成工程，和對於旋轉之前述基板載置台上之各個基板，使用前述電漿產生導體，順序供給成為電漿狀態之氣體的氣體供給工程，執行於基板處理裝置之同時； 將前述電漿生成工程，做為前述電線產生導體，使用自前述基板載置台之旋轉中心側朝向外周側，排列複數之前述主導體部而配置構成的同時，自前述基板載置台之旋轉中心側朝向外周側排列之各主導體部係沿著前述電漿生成室內之氣體主流方向的長度為因應配置場所而不同地構成者；藉由自連接於前述電漿產生導體之輸入用導體，向前述電漿產生導體供予電力，自連接於前述電漿產生導體之輸出用導體，取出供予前述電漿產生導體之電力，將流動在前述電漿產生室內之氣體成為電漿狀態；做為前述輸入用導體及前述輸出用導體，使用各別連接於其他之前述主導體部的同時，沿著該主導體部所延伸之方向，自該主導體部直接向上方側而配置連接者，執行於前述基板處理裝置。
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