TWI601596B - 線鋸裝置及工件的切斷方法 - Google Patents

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太田慎二
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Description

線鋸裝置及工件的切斷方法
本發明係有關於線鋸裝置及工件的切斷方法，特別有關於在工件切斷步驟的中盤階段也能夠有效率地捕捉漿料，提升切出來的工件的表面品質。
作為半導體裝置的基板使用的晶圓是將矽或化合物半導體等組成的晶棒切薄，再經過平面刷磨步驟、蝕刻步驟以及鏡面研磨步驟後加以洗淨而得。包括晶棒，本說明書中將以線鋸裝置切斷的對象物稱為「工件」。
一般來說，將工件切薄成晶圓狀的線鋸裝置包括：至少一條線，緊拉設置成可移動於將切斷對象的工件橫切的方向上；工件保持部，保持工件同時使工件相對線移動；漿料供給部，從線的移動方向的上流側供給用以切斷工件的漿料至線上。在這個線鋸裝置中，一邊從漿料供給部供給漿料到線上，一邊將被工件保持部保持住的工件壓在高速移動的線上，藉此能將工件切成晶圓。
工件切斷步驟的初期階段，從漿料供給部供給至線上的漿料的一部分會流進工件的切口內而對切斷有所貢獻，剩下的對切斷沒有貢獻而落下到線的下方。然後，到了工 件切斷步驟的中盤階段以後，因為工件是圓柱狀，所以初期階段落下後沒有對切斷沒有貢獻的漿料會沿著工件的傾斜面往上方飛散，而落到工件的表面或工件保持部上。
漿料落到工件或工件保持部的話，工件或工件保持部因過度冷卻而收縮，會有損害切出來的工件的奈米形貌(Nanotopography)或彎曲(Warp)等的切斷面的起伏形狀指標的問題。這個切斷面的起伏成份的增加要在之後進行的刷磨或研磨步驟完全矯正是相當困難的，因此會對最終產品的晶圓的形狀品質有極大影響。
因此，作為解決上述問題的技術，專利文獻1提出了一種線鋸裝置，具有與工件接觸並捕集飛散到上方的漿料的漿料補集部。第1圖顯示專利文獻1記載的線鋸裝置。圖示的線鋸裝置100中，符號11表示線，12表示工件保持部，13表示漿料供給部，W表示工件。然後，漿料捕集部14為了避免與線11等接觸，會設置在遠離線11的工件W的上方的工件保持部12。
專利文獻1：日本特許第4958463號公報
第2圖顯示使用第1圖所示的線鋸裝置100的工件W的切斷步驟，(a)顯示初期階段，(b)顯示中盤階段，(c)顯示終盤階段。又，圖中的箭頭表示對切斷沒有貢獻的漿料的流動方向。另外，雖然線11是來回運動，但第2圖中顯示從紙面右側往左側移動的狀態。配置於工件W的右側的漿料供給部13向線11供給漿料。如第2(a)圖所示，在工件切斷步驟的初期階段，對切斷沒有貢獻的漿料會落下到裝置下方。對此，如第 2(b)圖所示，當到了工件切斷步驟的中盤階段，對切斷沒有貢獻的漿料會沿著工件的傾斜面而往上方飛散。
然而，如上所述，線鋸裝置100中的漿料捕集部14配置於遠離線11的工件W的上方，因此如第2(c)圖所示，儘管在工件切斷步驟的終排階段能夠捕集飛散的漿料，但在工件切斷步驟的中盤階段無法充分地捕集飛散的漿料。結果仍然存在切出來的工件W的形狀品質低下的問題。
因此，本發明的目的是提供一種線鋸裝置及工件的切斷方法，即使在工件切斷步驟的中盤階段也能夠有效率地捕集飛散的漿料，提升切出來的工件的形狀品質。
本發明人認真地檢討上述問題的解決方法。如上所述，專利文獻1記載的線鋸裝置100中，捕集構件設置在比工件W的上端更高許多的位置，因此在工件切斷步驟的中盤階段無法回收飛散的漿料，造成切出的工件W的形狀品質的下降。
本發明人認真檢討著如何有效率地捕集在工件切斷步驟的中盤階段以後飛散的漿料，結果找出將漿料捕集部設計成鄰接工件W配置的狀態下可隨工件W移動的構造是最有效的。
然而，如果使漿料捕集部在鄰接工件W配置的狀態下隨著工件W移動的話，在工件切斷步驟的終盤階段，漿料捕集部會與線11接觸，而造成的新的問題。因此，本發明人認真檢討著如何在工件切斷步驟的終盤階段防止漿料捕集部接觸線11的方法，結果想出將漿料捕集部設計成可相對於工件W後退來防止與線11接觸的構造，進而完成了本發明。
也就是本發明的主要構成如下。(1)一種線鋸裝置，包括：至少一條線，緊拉設置成可移動於將切斷對象的工件橫切的方向上；工件保持部，保持該工件同時使該工件相對該線移動；漿料供給部，從該線的移動方向的上流側供給用以切斷該工件的漿料至該線上；以及漿料捕集部，捕集與該工件接觸而飛散的該漿料，其中該漿料補集部能夠在鄰接該工件配置的狀態下隨著該工件移動，並且可相對於該工件後退以防止與該線接觸。
(2)如(1)所述之線鋸裝置，其中該漿料捕集部的最內側最下端與該工件的表面之間的最小間隙在10mm以上50mm以下。
(3)如(1)或(2)所述之線鋸裝置，其中該漿料捕集部與該工件之間的鉛直方向的距離的最小值在5mm以上60mm以下。
(4)如(1)至(3)任一項所述之線鋸裝置，其中該漿料捕集部以可在鉛直方向滑動的方式安裝於該工件保持部。
(5)如(1)至(4)任一項所述之線鋸裝置，其中該漿料捕集部具有收容該飛散的漿料的接收皿、以及支持該接收皿的支持構件，其中該支持構件以可在鉛直方向滑動的方式安裝於該工件保持部。
(6)如(5)所述之線鋸裝置，其中該漿料捕集部的最內側最下端部在鉛直方向上配置在該工件的鉛直方向的上端與該工件的中心之間，在水平方向上配置在該工件的水 平方向的端部與該工件的中心之間。
(7)如(5)或(6)所述之線鋸裝置，其中該接收皿朝向該工件的徑方向內側水平延伸或向上傾斜。
(8)如(6)或(7)所述之線鋸裝置，其中該接收皿相對於水平方向的傾斜角度在0°以上70°以下。
(9)如(1)至(8)任一項所述之線鋸裝置，更包括：可動控制部，配置於該漿料捕集部與該線之間，防止該漿料捕集部接觸到該線。
(10)如(9)所述之線鋸裝置，其中該可動控制部安裝於該漿料供給部。
(11)一種工件的切斷方法，包括：一邊使至少一條線移動於將切斷對象的工件橫切的方向上，一邊對該線供給漿料；以及使保持該工件的工件保持部相對於線移動，將工件往該線壓來切削該工件，從該工件切出晶圓，其中該工件相對於該線的移動時，讓用以捕集與該工件接觸而飛散的該漿料的漿料捕集部，在鄰接該工件配置的狀態下跟隨該工件移動，當該漿料捕集部與該線之間的鉛直方向的距離到達既定值的情況下，使該漿料捕集部相對於該工件後退。
(12)如(11)所述之工件的切斷方法，其中該工件相對於該線的移動時，使該漿料捕集部的最內側最下端與該工件的表面之間的最小間隙在10mm以上50mm以下。
(13)如(11)或(12)所述之工件的切斷方法，其中該既定值在5mm以上60mm以下。
(14)如(11)至(13)任一項所述之工件的切 斷方法，將該漿料捕集部以收容該飛散的漿料的接收皿、以及支持該接收皿的支持構件構成，其中該工件相對於該線移動時，使該漿料捕集部的最內側最下端部在鉛直方向上配置在該工件的鉛直方向的上端與該工件的中心之間，在水平方向上配置在該工件的水平方向的端部與該工件的中心之間。
根據本發明，即使在工件切斷步驟的中盤階段也能夠有效率地捕集飛散的漿料，提升切出來的工件的形狀品質。
1、100‧‧‧線鋸裝置
11‧‧‧線
12‧‧‧工件保持部
13‧‧‧漿料供給部
14、24‧‧‧漿料捕集部
24a‧‧‧接收皿
24b‧‧‧支持構件
25‧‧‧可動支持部
26‧‧‧導引構件
26a‧‧‧導引板
W‧‧‧工件
B‧‧‧插銷
H‧‧‧長孔
第1圖係顯示習知的線鋸。
第2圖係顯示使用第1圖所示的線鋸裝置的工件切斷步驟。
第3圖係顯示本發明的實施型態的線鋸裝置。
第4圖係顯示使用第3圖所示的線鋸裝置的工件切斷步驟。
第5圖係顯示晶圓的奈米形貌指數。
第6圖係顯示工件與漿料補給部的接收皿之間的最小間隙與晶圓的奈米形貌之間的關係。
(線鋸裝置)
以下，參照圖式說明本發明的實施型態。本發明的線鋸裝置包括：至少一條線，緊拉設置成可移動於將切斷對象的工件橫切的方向上；工件保持部，保持工件同時使工件相對線移動；漿料供給部，從線的移動方向的上流側供給用以切斷該工件的漿料至線上；漿料捕集部，捕集與工件接觸而飛散 的漿料。在此，重要的是，漿料捕集部會做成在鄰接工件配置的狀態下能夠隨著工件移動，且可以相對於工件後退來避免與工件接觸。
本發明的特徵在於線鋸裝置中的漿料捕集部的構造，漿料捕集部以外的構造能夠與習知相同，並沒有特別限制。以下將適合的實施型態作為例子，詳細地說明本發明的線鋸裝置。
第3圖係顯示本發明的實施型態的線鋸裝置，(a)顯示正面圖，(b)顯示側視圖。第3圖中與第1圖相同的構造會標示相同的符號。第3(a)圖所示的線鋸裝置1包括：至少一條線11，緊拉設置成可移動於將切斷對象的工件W橫切的方向上；工件保持部12，保持工件W同時使工件W相對線11移動；漿料供給部13，從線11的移動方向的上流側供給用以切斷工件W的漿料至線11上；漿料捕集部24，捕集與工件W接觸而飛散的漿料；可動控制部52，防止漿料捕集部24與線11接觸。
漿料捕集部24具有捕集飛散的漿料的接收皿24a、支持該接收皿24a的支持構件24b。如第3(b)圖所示，支持構件24b設置有延伸於鉛直方向的長孔H。又，如第3(a)圖所示，工件保持部12的側面設置有由2片導引板26a夾住空隙對向配置而成的導引構件26。然後，漿料捕集部24的支持構件24b插入2片的導引板26a之間，貫穿導引板26a的插銷B穿過長孔H，以可滑動於鉛直方向的方式安裝於導引構件26，也就是工件保持部12上。
漿料捕集部24的可滑動範圍是由長孔H的長度來 決定，但此長孔的長度是根據漿料捕集部24與工件W的相對位置，或者是可動控制部25的位置而適當地設定，使漿料捕集部24不與線11接觸。線鋸裝置1不動作時，以及動作時漿料捕集部24沒有接觸可動控制部25的情況下，漿料捕集部24會因為本身的重量而位於可滑動範圍的最下端。
藉由以上述的方式將漿料捕集部24安裝到工件保持部12，能夠廢棄使漿料捕集部24隨著工件移動的機構，能夠使裝置小型化以減低裝置成本。
當工件W藉由工件保持部12而相對於線11移動時，漿料捕集部24會跟著移動，可動控制部25是用來防止漿料捕集部24與線11接觸而設置於線11的上方既定位置。此可動控制部25能夠使用例如適當的材料形成的板狀的構件。
第3圖所示的裝置1中，可動控制部25安裝於漿料供給部13，藉由這個構造，能夠廢除用來支持可動控制部25的構件等，因此能夠將裝置小型化而減低裝置成本。
漿料捕集部24鄰接工件W配置。本發明中，「漿料捕集部鄰接工件配置的狀態」是指漿料捕集部24的最內側最下端部(第3圖中，接收皿24a的端部U)在鉛直方向上配置於工件W的鉛直方向的上端T與工件W的中心O之間，且在水平方向上配置於工件W的水平方向的端部E與工件W的中心O之間的狀態。
然後，漿料捕集部24構成在鄰接工件W配置的狀態下可跟隨工件W移動。本發明中，「可跟隨工件移動」是指可在保持與工件W的相對位置關係的狀態下移動。例如，當工件 W藉由工件保持部12往延長方向下方移動時，漿料捕集部24能夠在保持與工件W的相對關係的狀態下往鉛直方向下方移動。第3圖所示的裝置1中，漿料捕集部24安裝於工件保持部12，所以在鄰接工件W配置的狀態下能夠跟隨工件W移動。
漿料捕集部24在鄰接工件W配置的狀態下能夠跟隨工件W移動的話，在工件切斷步驟中的中盤階段與工件W接觸的漿料會通過漿料捕集部24與工件W的表面之間的間隙往上方飛散，因此漿料捕集部24能夠有效率地捕集這些漿料。結果，在工件切斷步驟中盤階段以後，能夠抑制漿料落到工件上來防止工件W過冷卻，進而抑制切出來的工件W的起伏，提升工件W的形狀品質。
然而，因為漿料捕集部24位於比工件W的上端低的位置，所以當漿料捕集部24鄰接工件W配置的狀態下，利用工件保持部12讓工件W往鉛直方向下方移動的話，在工件切斷步驟的終盤階段，隨著工件W移動的漿料捕集部24會與線11接觸。因此，設計了漿料捕集部24能夠相對於工件W後退，來防止漿料捕集部24與線11接觸的構造。
第3圖例示的線鋸裝置1中，在線11的鉛直方向上方的既定位置，設置了防止漿料捕集部24往鉛直方向下方移動的可動控制部25。當工件切斷步驟中，隨著工件W往鉛直方向下方移動的漿料捕集部24的下端接觸到可動控制部25，漿料捕集部24的支持構件24b會在設置於工件保持部12的導引構件26內往鉛直方向上方滑動，使得漿料捕集部24相對於工件W後退。這樣一來，就能夠防止漿料捕集部24與線11接觸。
第3圖所示的裝置1中，漿料捕集部24的最內側最下端U與工件W的表面之間的距離最小值，也就是漿料捕集部24位於導引構件26的可滑動範圍的最下端時的漿料捕集部24的最內側最下端U與工件W的表面之間的最小間隙，在10mm以上50mm以下為佳。藉此，如後述的實施例所示，能夠將切出來的工件的奈米形貌保持在最小範圍。
又，漿料捕集部24與線11之間的鉛直方向的距離最小值(線鋸裝置1中，線11至可動控制部25的高度)只要能夠防止漿料捕集部24與線11接觸的話並無特別限制，但設定成5mm以上為佳。又，超過60mm的話，在工件切斷步驟的早期階段，漿料捕集部24相對地遠離工件W，會造成往上方飛散的漿料的捕集效率降低，因此設定在60mm以下為佳。
漿料捕集部24的下面(線鋸裝置1中接收皿24a的下面)即使平行於水平方向(也就是接收皿24a相對於水平方向的傾斜角度是0°)也能夠捕集漿料，但如第3圖所示，朝向工件W的徑方向內側往上方傾斜為佳。藉此，能夠將沿著工件W的表面往上方飛散的漿料，有效地導引到工件W與漿料捕集部24之間的間隙，提升漿料的捕集效率。
在這個情況下，接收皿24a相對於水平方向的傾斜角度比0°大但在70°以下為佳。藉此，能夠將往上方飛散的漿料的捕集效果提高到最大限度。
漿料捕集部24如第3圖所示的裝置1，以可滑動於鉛直方向的方式安裝於工件保持部12為佳。藉此，不需要另外準備使漿料捕集部24跟著工件W移動的裝置或者是使其相對 於工件W移動的裝置，能夠減低裝置成本。
第4圖係顯示使用第3圖所示的線鋸裝置1的工件W的切斷步驟。(a)顯示初期階段，(b)顯示中盤階段，(c)顯示終盤階段。又，圖中的箭頭表示對切斷沒有貢獻的漿料的流動方向。另外，第4圖中顯示線11從紙面右側往左側移動的狀態。配置於工件W的右側的漿料供給部13向線11供給漿料。首先，如第4(a)圖所示，在工件切斷步驟的初期階段，與第1圖所示的裝置100相同，對切斷沒有貢獻的漿料會落下到裝置下方。
對此，如第4(b)圖所示，當到了工件切斷步驟的中盤階段以後，對切斷沒有貢獻的漿料會沿著工件的傾斜面而往上方飛散，但本發明的線鋸裝置1中，漿料捕集部24鄰接工件W配置的狀態下會隨著工件W移動，因此在工件切斷步驟的中盤階段以後往上方飛散的漿料會被漿料捕集部24有效地捕集。
之後，剛好進入工件切斷步驟的終盤，漿料捕集部24的下端接觸到可動控制部25的話，漿料捕集部24的支持構件24b會在設置於工件保持部12的導引構件26內往鉛直方向上方滑動，漿料捕集部24會相對於工件W後退。藉此，漿料捕集部24雖在裝置內往上方移動，但在工件切斷步驟的終盤階段，因為漿料會到達裝置1的上方，所以如第4(c)圖所示，飛散的漿料會被漿料捕集部24充分地回收。
這樣一來，藉由本發明的線鋸裝置，即使在工件切斷步驟的中盤階段，也能夠有效率地捕集漿料，提升切出來 的工件的形狀品質。
另外，第3圖所示的裝置1只不過是合適的裝置的一例，能夠做各式各樣的變更。例如，能夠不將漿料捕集部24安裝於工件保持部12，而設置於其他的支持體，並且使漿料捕集部24能夠在鉛直方向上移動。
(工件的切斷方法)
接著，說明本發明的工件的切斷方法。本發明的工件的切斷方法是讓至少一條線在切斷對象的工件的橫切方向上移動，供給漿料至該線，使保持工件的工件保持部相對線移動，將工件往線上推來進行切割，從工件切割出晶圓。
本發明中，重要的是，上述工件W相對於線11的移動的進行時，會一邊讓漿料捕集部24(捕集與工件W接觸而飛散的漿料)在鄰接工件W而配置的狀態下跟隨著工件W移動。藉此，在工件切斷步驟的中盤階段，與工件W接觸的漿料會通過漿料捕集部24與工件W的表面之間的間隙往上方飛散，因此漿料捕集部24能夠更有效率地進行捕集。結果，工件切斷步驟的中盤階段以後，能夠抑制漿料落到工件上來防止工件W過冷卻，進而抑制切出來的工件W的起伏，提升工件W的形狀品質。
又，伴隨上述工件W相對於線11的移動，當漿料捕集部24與線之間的鉛直方向的距離到達既定值的情況下，會讓漿料捕集部相對於工件後退。藉此，能夠防止漿料捕集部24與線11的接觸。
工件W相對於線11的移動時，將漿料捕集部24的最內側最下端U與工件W的表面之間的最小間隙設定在10mm以 上50mm以下為佳。藉此，能夠將切出來的工件W的形貌保持在最小範圍，這點如先前所述。
又，上述既定值在5mm以上60mm以下為佳。藉此，在工件切斷步驟的早期階段，不會讓漿料捕集部24相對遠離工件W而造成往上飛散的漿料的捕集效率的改善效果下降，就能夠切斷工件，這點如先前所述。
又，將漿料捕集部24製作成具有收容飛散的漿料的接收皿24a與支持該接收皿24a的支持構件24b的構造，工件W相對於線11的移動時，將漿料捕集部24的最內側最下端部U配置成垂直方向上在工件W的鉛直方向的上端T與工件W的中心O之間，水平方向上在工件W的水平方向的端部E與工件W的中心O之間為佳。藉此，能夠在工件的切斷步驟的中盤階段以後有效率地捕集漿料。
[實施例]
以下說明本發明的實施例，但並不限定於此。
(發明例)
使用第3圖所示的本發明的線鋸裝置1，將作為工件W的矽單結晶棒(直徑300mm、長度300mm)切成厚度0.8~0.9mm的晶圓。在此，線鋸裝置1中的漿料捕集部24是由金屬或樹脂板等的構件組成的接收皿24a以及支持構件24b構成。接收皿24a的水平方向的寬度是50mm，高度是25mm，相對於水平方向傾斜32°。然後，接收皿24a與工件W之間的最小間隙設定為22mm。
又，將SUS組成的可動控制部25安裝到在鉛直方向 上與漿料供給部13的線12距離5mm的位置。其他的切斷條線如以下表1所示。
(比較例)
使用第1圖所示的線鋸裝置100進行與發明例相同的實驗。裝置100中，漿料捕集部14在工件側的前端部下端與工件之間的距離為75mm。除此之外的切斷條件全部與發明例相同。
<奈米形貌的評價>
奈米形貌是表示晶圓的表面起伏成份的指標之一，顯示了數10mm的空間波長領域中的微小凹凸的大小的指標，即Peak Valley值。數值越大起伏越大，表示表面起伏形狀急峻。對於發明例及比較例中獲得的晶圓，使用Raytex公司製的Dynasearch，評價晶圓表面的奈米形貌。
第5圖顯示晶圓的奈米形貌指數，在這個圖中，「奈米形貌指數」表示以比較例的全部晶圓的奈米形貌的平均值為1時，比較例、發明例所獲得的奈米形貌的值。橫軸將工件的 新線供給側設為0%，另一端設定為100%，描繪出每間隔10%的各個位置的晶圓奈米形貌值。發明例及比較例兩者的晶圓評價數為11。從第5圖可知，特別是在工件的兩端，奈米形貌的惡化受到抑制。
第6圖顯示使用第3圖所示的裝置1，矽單結晶晶棒(工件W)與漿料捕集部24的接收皿24a之間的最小間隙和晶圓的奈米形貌的關係。本圖是將習知技術獲得的比較例設定為75mm，並調整發明例的接收皿與工件之間的最小間隙而得。從圖中可知當漿料捕集部24的最內側最下端U與矽單結晶棒的表面之間的最小間隙在10mm以上50mm以下的情況下，奈米形貌值最小。
根據本發明，在工件的切斷步驟的中盤階段，能夠有效率地回收沿著工件的表面往上方飛散的漿料，提升切出來的工件的表面品質，因此對半導體產業極有助益。
1‧‧‧線鋸裝置
11‧‧‧線
12‧‧‧工件保持部
13‧‧‧漿料供給部
24‧‧‧漿料捕集部
24a‧‧‧接收皿
24b‧‧‧支持構件
25‧‧‧可動支持部
26‧‧‧導引構件
26a‧‧‧導引板
W‧‧‧工件
B‧‧‧插銷
H‧‧‧長孔

Claims (14)

  1. 一種線鋸裝置，包括：至少一條線，緊拉設置成可移動於將切斷對象的工件橫切的方向上；工件保持部，保持該工件同時使該工件相對該線移動；漿料供給部，從該線的移動方向的上流側供給用以切斷該工件的漿料至該線上；以及漿料捕集部，捕集與該工件接觸而飛散的漿料，其中該漿料補集部能夠在鄰接該工件配置的狀態下隨著該工件移動，並且可相對於該工件後退以防止與該線接觸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之線鋸裝置，其中該漿料捕集部的最內側最下端與該工件的表面之間的最小間隙在10mm以上50mm以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之線鋸裝置，其中該漿料捕集部與該線之間的鉛直方向的距離的最小值在5mm以上60mm以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之線鋸裝置，其中該漿料捕集部以可在鉛直方向滑動的方式安裝於該工件保持部。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之線鋸裝置，其中該漿料捕集部具有收容該飛散的漿料的接收皿、以及支持該接收皿的支持構件，其中該支持構件以可在鉛直方向滑動的方式安裝於該工件保持部。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之線鋸裝置，其中該漿料捕集部的最內側最下端部在鉛直方向上配置在該工件的鉛直方向 的上端與該工件的中心之間，在水平方向上配置在該工件的水平方向的端部與該工件的中心之間。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之線鋸裝置，其中該接收皿朝向該工件的徑方向內側水平延伸或向上傾斜。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之線鋸裝置，其中該接收皿相對於水平方向的傾斜角度在0°以上70°以下。
  9. 如申請專利範圍第1或2項所述之線鋸裝置，更包括：可動控制部，配置於該漿料捕集部與該線之間，防止該漿料捕集部接觸到該線。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之線鋸裝置，其中該可動控制部安裝於該漿料供給部。
  11. 一種工件的切斷方法，包括：一邊使至少一條線移動於將切斷對象的工件橫切的方向上，一邊對該線供給漿料；以及使保持該工件的工件保持部相對於線移動，將工件往該線壓來切削該工件，從該工件切出晶圓，其中該工件相對於該線的移動時，讓用以捕集與該工件接觸而飛散的該漿料的漿料捕集部，在鄰接該工件配置的狀態下跟隨該工件移動，當該漿料捕集部與該線之間的鉛直方向的距離到達既定值的情況下，使該漿料捕集部相對於該工件後退。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之工件的切斷方法，其中該工件相對於該線的移動時，使該漿料捕集部的最內側最下端與該工件的表面之間的最小間隙在10mm以上50mm以下。
  13. 如申請專利範圍第11或12項所述之工件的切斷方法，其中該既定值在5mm以上60mm以下。
  14. 如申請專利範圍第11或12項所述之工件的切斷方法，將該漿料捕集部以收容該飛散的漿料的接收皿、以及支持該接收皿的支持構件構成，其中該工件相對於該線移動時，使該漿料捕集部的最內側最下端部在鉛直方向上配置在該工件的鉛直方向的上端與該工件的中心之間，在水平方向上配置在該工件的水平方向的端部與該工件的中心之間。
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