TWI595115B - 非接觸式反應裝置及具有該非接觸式反應裝置的奈米晶生產系統 - Google Patents

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TWI595115B
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Description

非接觸式反應裝置及具有該非接觸式反應裝置的奈米晶生產系統
本發明係關於奈米晶體之技術領域，尤指用以生產奈米晶的一種非接觸式反應裝置及具有該非接觸式反應裝置的奈米晶生產系統。
量子點(Quantum Dot, QD)是一種奈米晶體(Nanocrystal)半導體材料，係由II-VI族、III-V族或IV-VI族元素組成。硫化鋅(ZnS)，一種寬能矽的半導體且其具有極性表面、高熱穩定性與高電子遷移率等優良性質，係為最早被發現的奈米晶半導體材料。除了硫化鋅奈米晶(或稱量子點)以外，習知的量子點還包括：硒化鎘(CdSe)、硫化鉛(PbS)、以及磷化銦(InP)。量子點主要應用於生命科學、電子、光電、光學、太陽能等領域。
研究發現，量子點的組成元素、外圍吸附物質、與粒徑皆會影響其吸收與放射光波長。基於這個理由，可經由選擇組成元素、調整粒徑、或變更外圍吸附物質與摻雜物等方法，製造出能夠吸收/放射不同波長的複合式量子點。例如，摻雜銅之硒化鋅(ZnSe)量子點、硒化鎘/硫化鋅之核殼結構量子點(CdSe/ZnS core-shell QD)等。舉例而言，美國專利號: US7192850係揭示一種量子點的摻雜方法，該方法係包括以下步驟：  步驟(a)：提供包含II族元素之一第一前驅物溶液與包含VI族元素之一第二前驅物溶液，其中，所述II族元素可以為鋅(Zn)、鎘(Cd)、或汞(Hg)； 步驟(b)：加熱並混合該第一前驅物溶液與該第二前驅物溶液，以形成複數個量子點晶核分散於一熔融之混合液；以及 步驟(c)：將包含VI族元素之一第三前驅物溶液與包含至少一雜質之一第四前驅物溶液，於固定間隔時間交替輪流注入該混合液之中；其中，所述雜質可以為過渡金屬或鹵素族元素，且所述VI族元素可以為氧(O)、硫(S)、硒(Se)、或碲(Te)。
為了提高量子點的產量與產率，量子點製造商通常會利用一反應器完成上述步驟(a)至步驟(c)的生產流程。請參閱圖1，為習知的反應器的剖視圖。如圖1所示，習知的反應器1’係主要包括：一反應槽11’與一加熱器12’；其中，一攪拌器13’係置於該反應槽11’內，並由一外驅動控制器控制其攪拌葉片131’之轉速。值得注意的是，習知技術通常利用一深入管14’將前驅物溶液注入攪拌葉片131’周圍切線力最大處，以達迅速混合與均勻之效果。然而，深入管14’為一種「接觸式」裝置，使得前驅物溶液或者前驅物之溶劑(例如：TOP(Tri-n-octylphosphine, 三正辛基氧膦))容易殘留於反應槽11’及深入管14’的內壁，進而成為下一次量子點生產流程的汙染源。
因此，有鑑於習知的奈米晶體生產設備於實務製程中顯示出明顯的缺陷，本案之發明人於是嘗試著設計出用以生產奈米晶的一種非接觸式反應裝置及具有該非接觸式反應裝置的奈米晶生產系統。
本發明之主要目的在於提供一種非接觸式反應裝置及具有該非接觸式反應裝置的奈米晶生產系統。不同於習知技術利用深入管將前驅物溶液注入反應槽之中，本發明係以經特別尺寸設計的一反應主體、複數個注射模組、一攪拌模組、一熱交換模組、以及一電動閘閥模組組成一非接觸式反應裝置。使用此非接觸式反應裝置進行奈米晶生產流程時，係可以藉由電動閘閥模組之控制，進而促使不同的注射模組基於不同的注射壓力將至少一種的前驅物溶液注入至該反應空間之內的一特定位置；此時，搭配以一驅動控制器控制該攪拌模組以一特定速度轉動，係可使得被注入的前驅物溶液與容置於該反應主體的反應空間之內的一待反應溶液能夠快速地均勻混合成一混合溶液，藉以加快奈米晶的生成速率。
為了達成上述本發明之主要目的，本案之發明人係提供所述非接觸式反應裝置之一實施例，其構成上係包括：   一反應主體，係具有一反應空間：   複數個注射模組，係設於該反應主體的上方，且每個注射模組的一噴嘴係位於容置於該反應空間之內的一待反應溶液的一液面的特定位置上方；   一攪拌模組，係電性連接至一外部驅動控制器，且其至少一攪拌葉片單元係置於該反應空間之內；   一熱交換模組，係結合至該反應主體的外壁，並具有一熱交換通道、連通該熱交換通道的一流體輸入埠、與連通該熱交換通道的一流體輸出埠；其中，具有一特定溫度的一流體可經由該流體輸入埠通入該熱交換通道，進以與該反應主體進行一熱交換程序，且該流體可經由該流體輸出埠自該熱交換通道之流出；以及   一電動閘閥模組，係連接至該複數個注射模組；其中，藉由該電動閘閥模組之控制，使得每一個注射模組能夠基於一特定注射壓力將一種或一種以上的前驅物溶液注入至該反應空間之內的一特定位置，使得所述前驅物溶液能夠迅速地與該待反應溶液均勻混合。
並且，為了達成上述本發明之主要目的，本案之發明人係提供所述奈米晶生產系統之一實施例，其構成上係包括：   複數個前驅物容置器，係容置多種前驅物溶液；   一非接觸式反應裝置，係包括： 一反應主體，係具有一反應空間； 複數個注射模組，係分別連接至該複數個前驅物容置器，並設於該反應主體的上方，且每個注射模組的一噴嘴係位於容置於該反應空間之內的一待反應溶液的一液面的上方； 一攪拌模組，係電性連接至一外部驅動控制器，且其一攪拌葉片單元係置於該反應空間之內； 一熱交換模組，係結合至該反應主體的外壁，並具有一熱交換通道、連通該熱交換通道的一輸入埠、與連通該熱交換通道的一輸出埠；其中，具有一特定溫度的一流體可經由該輸入埠通入該熱交換通道，進以與該反應主體進行一熱交換程序，且該流體可經由該輸出埠自該熱交換通道之流出；及 一電動閘閥模組，係連接至該複數個注射模組；其中，藉由該電動閘閥模組之控制，使得每一個注射模組能夠基於一特定注射壓力將一種或一種以上的前驅物溶液注入至該反應空間之內的一特定位置，使得所述前驅物溶液能夠迅速地與該待反應溶液均勻混合；   一收集器，係連接至該反應主體所具有的一輸出埠，用以收集藉由該待反應溶液與所述前驅物溶液完成一反應程序所生成的複數個奈米晶體；   一離心器，係連接該收集器，用以將該待反應溶液與所述前驅物溶液所混成的一混合溶液予以離心，藉以沉澱該複數個奈米晶體；以及   一儲存器，係連接至該離心器，用以收集並儲存該複數個奈米晶體。
為了能夠更清楚地描述本發明所提出之一種非接觸式反應裝置及具有該非接觸式反應裝置的奈米晶生產系統，以下將配合圖式，詳盡說明本發明之較佳實施例。
首先介紹本發明之非接觸式反應裝置。請參閱圖2，係顯示本發明之非接觸式反應裝置的剖視圖。如圖2所示，所述非接觸式反應裝置1係主要包括：具有一反應空間101的一反應主體10、複數個注射模組12、一攪拌模組11、一熱交換模組13、以及一電動閘閥模組19。其中，該複數個注射模組12係連接至該電動閘閥模組19並設於該反應主體10上方，且每個注射模組12的一噴嘴係位於容置於該反應空間101之內的一待反應溶液3的一液面31的上方；其中，該待反應溶液3可以是例如一前驅物溶液。特別地，藉由該電動閘閥模組19之控制，不同的注射模組12能夠基於不同的注射壓力將一種或一種以上的前驅物溶液注入至該反應空間101之內的一特定位置。其中，該注射壓力通常介於0Mpa至3Mpa之間，該特定位置的數值則介於該反應空間101的深度的1/4至該反應空間101的深度的3/4。
另一方面，該攪拌模組11係電性連接至一外部驅動控制器，且其至少一攪拌葉片單元111係置於該反應空間101之內。於本發明中，係以一驅動控制器控制該攪拌葉片單元111以一特定速度轉動，藉以使得被注入的前驅物溶液與容置於該反應空間101之內的一待反應溶液3能夠快速地均勻混合成一混合溶液。值得說明的，本發明特別將複數個導流件(baffle)16置於該反應主體10之中；如此設計，當所述前驅物溶液經由該注射模組12注入至該反應空間101之內以後，該導流件16係能夠引導注入至該反應空間101之中的前驅物溶液，避免前驅物溶液因高壓注射之故而部分殘留於該反應主體10之內壁。除此之外，為了避免該注射模組12執行溶液注射程序時，其內部的前驅物溶液受到該反應空間101之中的氣體的影響或汙染，本發明又特別地以至少一保護腔體17容置該複數個注射模組12，並於該保護腔體17內通有一正壓惰性氣體，例如氬氣。
如熟悉奈米晶(Nanocrystal)合成與製造的工程師所習知的，於奈米晶的生產過程中，必須交替地對該混合溶液進行升溫與降溫。基於這個理由，本發明特別將熱交換模組13結合至該反應主體10的外壁。如圖2所示，該熱交換模組13係具有一熱交換通道131、連通該熱交換通道131的一流體輸入埠132、與連通該熱交換通道131的一流體輸出埠133。如此設置，工程師可以藉由將一高溫流體通入該流體輸入埠132的方式，使得該高溫流體於該熱交換通道131之中對該反應主體10進行加熱。相反地，工程師也可以藉由將一低溫流體通入該流體輸入埠132的方式，使得該低溫流體於該熱交換通道131之中對該反應主體10進行降溫。
為了更加清楚地說明本發明之非接觸式反應裝置1於奈米晶生產實務上的高度實用性，以下係藉由說明一複合式量子點的製造流程的方式加以凸顯之。該複合式量子點的製造流程如下：  步驟(1)：將含有鋅(Zn)與鎘(Cd)的一第一前驅物溶液置入反應主體10的反應空間101之中，並利用熱交換模組13將該前驅物溶液的溫度升高至260 oC； 步驟(2)：利用該注射模組12將含有硒(Se)與硫(S)的一第二前驅物溶液注入該反應空間101之中，使得該第一前驅物溶液與該第二前驅物溶液進行第一階段反應； 步驟(3)：利用熱交換模組13將該第一前驅物溶液與該第二前驅物溶液的溫度升高至320 oC，使得該第一前驅物溶液與該第二前驅物溶液進行第二階段反應； 步驟(4)：利用熱交換模組13將該第一前驅物溶液與該第二前驅物溶液之一混合溶液的溫度冷卻至160 oC，並令該混合溶液的溫度維持在160 oC； 步驟(5)：利用熱交換模組13進一步地冷卻該混合溶液的溫度，並透過該反應主體10所具有的一輸出埠103輸出該混合溶液； 步驟(6)：接著，以一有機溶液(例如甲苯與乙醇)流洗該混合溶液，進而生成複數個奈米晶體(Nanocrystal)，此奈米晶體為ZnSe/Zn xCd 1-xSe yS 1-y/ZnS。
於此，必須補充說明的是，雖然示意圖並沒有特別顯示溫度感測器或元件，然而本發明係透過設置於反應主體10之中的一溫度感測器以監控並回報該反應空間101內的一溶液溫度，進而能夠精確地將所述溶液溫度升溫或降溫至一目標溫度。並且，如圖2所示，本發明更於該非接觸式反應裝置1之中增設了一噴霧式降溫模組14，其係面對於該反應主體10的外壁，用以於該第二階段反應結束之時向該反應主體10的外壁噴灑一降溫介質，藉此方式達到快降溫速度之目的。此外，除了利用噴霧式降溫模組14達成快速降溫之目的外，本發明又同時於該非接觸式反應裝置1之中增設了一注入式降溫模組15，其係具有面對於該液面31的上方的一注入管151，用以於該第二階段反應結束之時向該反應空間101注入一降溫介質；例如：低溫的洗滌液或低溫的離心液。
必須特別說明的是，即使上述步驟(1)至步驟(6)的製造流程僅包含1次前驅物溶液注射流程，然而並不是指所有的量子點製造流程都僅僅包含1次的前驅物溶液注射。舉例而言，於美國專利號：US7192850所揭示的ZnSe/I/ZnSe/ZnS量子點製造方法中，其為了形成多層殼層以包覆ZnSe量子點，是以將含有硒(Se)的三正辛基氧膦溶液與含有碘(I 2)的三正辛基氧膦溶液交替地注入生成有複數個ZnSe量子點的混合液之中，其中所述交替注入程序係以1次/分的頻率重複執行3次。
另一方面，雖然示意圖並沒有特別顯示樣品採集單元，然而於工程師使用本發明之非接觸式反應裝置1嘗試地合成其他具多層殼層的奈米晶之時，工程師也可以在合成的過程中藉由將一樣品採集模組的一樣品採集管深入該反應空間101之中的方式，以取出奈米晶之半成品或成品加以分析；一旦發現殼層數不足者，則可以再注入其它前驅物溶液進入反應空間101之中，以補足殼層數。
如此，上述說明係已清楚、完整地介紹本發明之非接觸式反應裝置1的構成及其實務上的應用方式。然而，為了使得此非接觸式反應裝置1發揮最大之功效，必須對於反應主體10的尺寸加以設計。請參閱圖3所示之反應主體的剖視圖。如圖2與圖3所示，為了詳細說明並標示該反應主體10的每一個關鍵尺寸，圖3的剖視圖之中僅有標示尺寸符號而並未標示元件符號；並且，圖3之中所標示的尺寸符號係整理於下表(1)之中。 表(1) <TABLE border="1" borderColor="#000000" width="_0002"><TBODY><tr><td> 尺寸符號 </td><td> 描述 </td></tr><tr><td> T </td><td> 反應主體10之橫向寬度(lateral width) </td></tr><tr><td> Z </td><td> 液面31至該反應空間101底部的距離，亦可解釋為該反應空間101的深度 </td></tr><tr><td> B </td><td> 導流件(baffle)之長度 </td></tr><tr><td> D </td><td> 攪拌葉片單元111的直徑 </td></tr><tr><td> C<sub>1</sub></td><td> 最底部的攪拌葉片單元111與該反應空間101底部的距離 </td></tr><tr><td> C<sub>2</sub></td><td> 相鄰兩個攪拌葉片單元111的距離 </td></tr></TBODY></TABLE>
為了使得本發明之非接觸式反應裝置1發揮最大之功效，必須對於反應主體10的尺寸加以設計，使其符合如表(2)記載之相關尺寸規定。 表(2) <TABLE border="1" borderColor="#000000" width="_0003"><TBODY><tr><td> 尺寸符號 </td><td> 尺寸規定 </td></tr><tr><td> T </td><td> 1. B/T=1/10－1/12 2. 導流件的數目為4 3. D=(1/2~1/4)T 4. C<sub>1</sub>=(1/3)T 5. C<sub>2</sub>=D </td></tr><tr><td> Z </td></tr><tr><td> B </td></tr><tr><td> D </td></tr><tr><td> C<sub>1</sub></td></tr><tr><td> C<sub>2</sub></td></tr></TBODY></TABLE>
另一方面，本發明之非接觸式反應裝置也可以被進一步地整合為一自動化的奈米晶生產系統。請參閱圖4，係顯示一個奈米晶生產系統的架構圖。如圖4所示，所述奈米晶生產系統2係包括：複數個前驅物容置器21、如圖2所揭示的非接觸式反應裝置1、一收集器22、一離心器23、以及一儲存器24。
使用圖2所示的非接觸式反應裝置1以及圖4所示的奈米晶生產系統2進行自動式批次奈米晶生產流程之時，該複數個前驅物容置器21會首先地將多種前驅物溶液輸送至該複數個注射模組12。繼續地，在最簡單的情況下，非接觸式反應裝置1會依序地完成如前述步驟(1)至步驟(5)之量子點製造流程。接著，於步驟(6)之中，可以利用一流洗模組(未圖示)以一有機溶液(例如甲苯與乙醇)流洗該混合溶液，進而生成複數個奈米晶體。最終，含有複數個奈米晶體的溶液便接著會通過反應主體10所具有的一輸出埠103輸出至該收集器22。
在一般的情況下，收集器22會將含有複數個奈米晶體的溶液進一步送至該離心器23，以利用該離心器23沉澱該複數個奈米晶體。最後，奈米晶體的成品被送至儲存器24加以儲存。值得說明的是，為了提升奈米晶體之純度，可以增設一減壓濃縮器25於該離心器23與該儲存器24之間，用以將殘留於該奈米晶體之上的有機溶劑移除。
如此，上述係已完整且清楚地說明本發明之非接觸式反應裝置及具有該非接觸式反應裝置的奈米晶生產系統；並且，經由上述可以得知本發明係具有下列之優點：
(1)不同於習知技術利用深入管14’(如圖1所示)將前驅物溶液注入反應槽11’之中，本發明係以經特別尺寸設計的一反應主體10、複數個注射模組12、一攪拌模組11、一熱交換模組13、以及一電動閘閥模組19組成一非接觸式反應裝置1；並且，使用此非接觸式反應裝置1進行奈米晶生產流程時，係可以藉由電動閘閥模組19之控制，進而促使不同的注射模組12基於不同的注射壓力將一種或一種以上的前驅物溶液注入至該反應空間101之內的一特定位置；此時，搭配以一驅動控制器控制該攪拌模組11以一特定速度轉動，係可使得被注入的前驅物溶液與容置於該反應主體10的反應空間101之內的一待反應溶液3能夠快速地均勻混合成一混合溶液，藉以加快奈米晶的生成速率。
必須加以強調的是，上述之詳細說明係針對本發明可行實施例之具體說明，惟該實施例並非用以限制本發明之專利範圍，凡未脫離本發明技藝精神所為之等效實施或變更，均應包含於本案之專利範圍中。
＜本發明＞
1‧‧‧非接觸式反應裝置
101‧‧‧反應空間
10‧‧‧反應主體
12‧‧‧注射模組
11‧‧‧攪拌模組
13‧‧‧熱交換模組
19‧‧‧電動閘閥模組
3‧‧‧待反應溶液
31‧‧‧液面
111‧‧‧攪拌葉片單元
16‧‧‧導流件
17‧‧‧保護腔體
131‧‧‧熱交換通道
132‧‧‧流體輸入埠
133‧‧‧流體輸出埠
14‧‧‧噴霧式降溫模組
15‧‧‧注入式降溫模組
103‧‧‧輸出埠
151‧‧‧注入管
T‧‧‧尺寸符號
Z‧‧‧尺寸符號
B‧‧‧尺寸符號
D‧‧‧尺寸符號
C1‧‧‧尺寸符號
C2‧‧‧尺寸符號
2‧‧‧奈米晶生產系統
21‧‧‧前驅物容置器
22‧‧‧收集器
23‧‧‧離心器
24‧‧‧儲存器
25‧‧‧減壓濃縮器
＜習知＞
1’‧‧‧反應器
11’‧‧‧反應槽
12’‧‧‧加熱器
13’‧‧‧攪拌器
131’‧‧‧攪拌葉片
14’‧‧‧深入管
圖1係顯示習知的反應器的剖視圖； 圖2係顯示本發明之非接觸式反應裝置的剖視圖； 圖3係顯示反應主體的剖視圖； 圖4係顯示一個奈米晶生產系統的架構圖。
1‧‧‧非接觸式反應裝置
101‧‧‧反應空間
10‧‧‧反應主體
12‧‧‧注射模組
11‧‧‧攪拌模組
13‧‧‧熱交換模組
19‧‧‧電動閘閥模組
3‧‧‧待反應溶液
31‧‧‧液面
111‧‧‧攪拌葉片單元
16‧‧‧導流件
17‧‧‧保護腔體
131‧‧‧熱交換通道
132‧‧‧流體輸入埠
133‧‧‧流體輸出埠
14‧‧‧噴霧式降溫模組
15‧‧‧注入式降溫模組
103‧‧‧輸出埠
151‧‧‧注入管

Claims (19)

  1. 一種非接觸式反應裝置，係包括：一反應主體，係具有一反應空間；複數個注射模組，係設於該反應主體的上方，且每個注射模組的一噴嘴係位於容置於該反應空間之內的一待反應溶液的一液面的上方；至少一保護腔體，係用以將該複數個注射模組容置於其內部，且該保護腔體內係通有一正壓惰性氣體；一攪拌模組，係電性連接至一外部驅動控制器，且其至少一攪拌葉片單元係置於該反應空間之內；一熱交換模組，係結合至該反應主體的外壁，並具有一熱交換通道、連通該熱交換通道的一流體輸入埠、與連通該熱交換通道的一流體輸出埠；其中，具有一特定溫度的一流體可經由該流體輸入埠通入該熱交換通道，進以與該反應主體進行一熱交換程序，且該流體可經由該流體輸出埠自該熱交換通道之流出；以及一電動閘閥模組，係連接至該複數個注射模組；其中，藉由該電動閘閥模組之控制，使得每一個注射模組能夠基於一特定注射壓力將一種或一種以上的前驅物溶液注入至該反應空間之內的一特定位置，使得所述前驅物溶液能夠迅速地與該待反應溶液均勻混合。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之非接觸式反應裝置，更包括：一噴霧式降溫模組，係面對於該反應主體的外壁，用以於該待反應溶液與所述前驅物溶液之一反應程序結束之時，向該反應主體的外壁噴灑一降溫介質。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之非接觸式反應裝置，更包括：一注入式降溫模組，係具有一注入管面對於該待反應溶液之該液面的上方，用以於該待反應溶液與所述前驅物溶液之一反應程序結束之時，向該反應空間注入一降溫介質。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之非接觸式反應裝置，更包括：一樣品採集模組，係具有一樣品採集管，且該樣品採集管係深入該反應空間之中；及一溫度感測器，係置於該反應主體之中，用以感測該反應空間內的一溶液溫度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之非接觸式反應裝置，其中，複數個導流件係置於該反應主體之中，用以引導注入該反應空間之中的該前驅物溶液。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之非接觸式反應裝置，其中，藉由該待反應溶液與所述前驅物溶液完成一反應程序所生成的複數個奈米晶體係透過該反應主體所具有的一輸出埠而被輸出。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之非接觸式反應裝置，其中，該特定注射壓力係介於0Mpa至3Mpa之間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之非接觸式反應裝置，其中，所述特定位置為該反應空間的1/4~3/4深度。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之非接觸式反應裝置，其中，該攪拌模組之該攪拌葉片單元的轉速係由一外驅動控制器所控制。
  10. 一種奈米晶生產系統，係包括：複數個前驅物容置器，係容置多種前驅物溶液；一非接觸式反應裝置，係包括：一反應主體，係具有一反應空間；複數個注射模組，係分別連接至該複數個前驅物容置器，並設於該反應主體的上方，且每個注射模組的一噴嘴係位於容置於該反應空間之內的一待反應溶液的一液面的上方；至少一保護腔體，係用以將該複數個注射模組容置於其內部，且該保護腔體內係通有一正壓惰性氣體； 一攪拌模組，係電性連接至一外部驅動控制器，且其一攪拌葉片單元係置於該反應空間之內；一熱交換模組，係結合至該反應主體的外壁，並具有一熱交換通道、連通該熱交換通道的一輸入埠、與連通該熱交換通道的一輸出埠；其中，具有一特定溫度的一流體可經由該輸入埠通入該熱交換通道，進以與該反應主體進行一熱交換程序，且該流體可經由該輸出埠自該熱交換通道之流出；及一電動閘閥模組，係連接至該複數個注射模組；其中，藉由該電動閘閥模組之控制，使得每一個注射模組能夠基於一特定注射壓力將一種或一種以上的前驅物溶液注入至該反應空間之內的一特定位置，使得所述前驅物溶液能夠迅速地與該待反應溶液均勻混合；一收集器，係連接至該反應主體所具有的一輸出埠，用以收集藉由該待反應溶液與所述前驅物溶液完成一反應程序所生成的複數個奈米晶體；一離心器，係連接該收集器，用以將該待反應溶液與所述前驅物溶液所混成的一混合溶液予以離心，藉以沉澱該複數個奈米晶體；以及一儲存器，係連接至該離心器，用以收集並儲存該複數個奈米晶體。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之非接觸式反應裝置，更包括：一噴霧式降溫模組，係面對於該反應主體的外壁，用以於該待反 應溶液與所述前驅物溶液之一反應程序結束之時，向該反應主體的外壁噴灑一降溫介質。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之非接觸式反應裝置，更包括：一注入式降溫模組，係具有一注入管面對於該待反應溶液之該液面的上方，用以於該待反應溶液與所述前驅物溶液之一反應程序結束之時，向該反應空間注入一降溫介質。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之非接觸式反應裝置，更包括：一樣品採集模組，係具有一樣品採集管，且該樣品採集管係深入該反應空間之中；及一溫度感測器，係置於該反應主體之中，用以感測該反應空間內的一溶液溫度。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之非接觸式反應裝置，其中，複數個導流件係置於該反應主體之中，用以引導注入該反應空間之中的該前驅物溶液。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之非接觸式反應裝置，更包括：一減壓濃縮器，係連接於該離心器與該儲存器之間，用以將殘留於該複數個奈米晶體之上的有機溶劑移除。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之非接觸式反應裝置，其中，藉由該待反應溶液與所述前驅物溶液完成一反應程序所生成的複數個奈米晶體係透過該反應主體所具有的一成品輸出埠而被輸出。
  17. 如申請專利範圍第10項所述之非接觸式反應裝置，其中，該特定注射壓力係介於0Mpa至3Mpa之間。
  18. 如申請專利範圍第10項所述之非接觸式反應裝置，其中，所述特定位置為該反應空間的1/4~3/4深度。
  19. 如申請專利範圍第10項所述之非接觸式反應裝置，其中，該攪拌模組之該攪拌葉片單元的轉速係由一外驅動控制器所控制。
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