TWI594670B - 聚醯亞胺膜及其聚醯亞胺積層板 - Google Patents

Description

聚醯亞胺膜及其聚醯亞胺積層板

本發明是關於一種聚醯亞胺膜，特別是關於一種包含氧化鋰鐵磷之聚醯亞胺膜及其聚醯亞胺積層板。

聚醯亞胺(polyimide，PI)是一種具有高機械強度、耐高溫並且絕緣的高分子材料，如今已成為製作軟性印刷電路板(Flexible Printed Circuit，FPC)的重要材料。舉例來說，業界在製造印刷電路板時，會在軟性銅箔基板(Flexible Copper Clad Laminate，FCCL)上設計所要的電路，然後再將具有黏著劑的聚醯亞胺膜覆蓋在軟性銅箔基板上，以作成聚醯亞胺覆銅的軟性銅箔基板。由於印刷電路板是現在各式電子產品中的重要元件，因此，聚醯亞胺膜已成為製造各式電子產品時不可或缺的材料。

由於民生消費性電子產品的競爭激烈，而使得各種電子產品的造型、顏色皆是消費者的訴求重點。隨著手機、筆電等捲起了一股黑色流行旋風，擁有黑色外觀的電子產品也成為了流行的代名詞。另一方面，隨著科技的發展，各種電子產品的設計也越趨複雜，由於印刷電路板上的電路設計攸關著各種電子產品的效能，因而成為了各界極欲保護的重點。以聚醯亞胺覆銅的軟性銅箔基板來說，其銅箔基板上的聚醯亞胺膜通常是黃色系， 或者是其他具有高度透光性的顏色。這使得聚醯亞胺覆銅的軟性銅箔基板容易因為聚醯亞胺膜的透光性，而使得印刷電路板上線路層的電路設計被解讀甚至被抄襲，進而影響產品之市場銷售與公司營運。

因此，如何設計一種聚醯亞胺膜，以解決先前技術中，電路設計容易因為聚醯亞胺膜的透光性而被解讀的問題，就成為了研究人員需要解決的問題。

鑒於以上的問題，本發明是關於一種包含氧化鋰鐵磷之聚醯亞胺膜及其聚醯亞胺積層板，藉以解決先前技術中電路設計容易因為聚醯亞胺膜的透光性而被解讀的問題。

本發明一實施例所揭露的聚醯亞胺膜，包含一聚醯亞胺以及一氧化鋰鐵磷(LiFe_xM_yPO_z，lithium iron phosphate oxide)。氧化鋰鐵磷在聚醯亞胺膜中所佔的重量百分比為1wt%至49wt%。

本發明一實施例所揭露的聚醯亞胺積層板，包含一基材以及一聚醯亞胺膜。聚醯亞胺膜覆蓋基材。

根據上述本發明實施例所揭露的聚醯亞胺膜及其聚醯亞胺積層板，由於聚醯亞胺膜包含了氧化鋰鐵磷，因而可製成黑色的聚醯亞胺膜及其聚醯亞胺積層板。如此一來，聚醯亞胺膜可保護其所覆蓋之基材上的電路設計，解決了先前技術中電路設計容易因為聚醯亞胺膜的透光性而被解讀的問題。

以上之關於本發明內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。

10‧‧‧基材

20‧‧‧聚醯亞胺膜

第1圖為根據本發明之聚醯亞胺膜製作方法之流程圖。

第2圖為根據本發明之聚醯亞胺積層板製作方法之流程圖。

第3圖為根據本發明一實施例所揭露之聚醯亞胺積層板之示意圖。

以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。

請參閱第1圖，第1圖為根據本發明之聚醯亞胺膜製作方法之流程圖。

首先，將一氧化鋰鐵磷加入一溶劑(S101)。

詳細來說，將重量百分比為1wt%至49wt%，粒徑尺寸為0.1微米(micrometer，μm)至10微米的氧化鋰鐵磷(LiFexMyPOz，lithium iron phosphate oxide)加入溶劑中，並透過 攪拌或研磨製程使氧化鋰鐵磷分散在溶劑中以形成一分散溶液(dispersion liquid)。其中，溶劑可以為二甲基甲醯胺(N,N-Dimethyl formamide，DMF)、二甲基乙醯胺(Dimethylacetamide，DMAc)、二甲基亞碸(Dimethyl sulfoxide，DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone，NMP)、γ-丁內酯(gamma-Butyrolactone，GBL)及其衍生物，但並不以此為限。

在本發明部分實施例中，氧化鋰鐵磷在聚醯亞胺膜中所佔的重量百分比為1wt%至49wt%。換句話說，氧化鋰鐵磷的重量百分比係介於1wt%至49wt%之間，而氧化鋰鐵磷之重量百分比係以所製成之聚醯亞胺膜之總重為基進。在本發明部分實施例中，氧化鋰鐵磷之重量百分比介於5wt%至35wt%之間。在本發明部分實施例中，氧化鋰鐵磷之重量百分比介於10wt%至30wt%之間。須注意的是，如果氧化鋰鐵磷的重量百分比大於49wt%，由於氧化鋰鐵磷在溶液中所佔的比例過高，將使得製成的聚醯亞胺膜中的氧化鋰鐵磷分散不均勻，因而降低了所製成之聚醯亞胺膜的品質。然而，如果氧化鋰鐵磷的重量百分比小於1wt%，聚醯亞胺膜之顏色將無法轉變為黑色，且透光度與100wt%之聚醯亞胺膜相較之下無明顯差異，因而難以用來保護電路之設計。

在本發明部分實施例中，氧化鋰鐵磷之粒徑為0.1微米(micrometer，μm)至10微米。在本發明部分其他實施例中，氧化鋰鐵磷之粒徑為0.5微米至6微米。詳細來說，如果氧化鋰鐵 磷之粒徑大於10微米，所製成之聚醯亞胺膜的表面因為氧化鋰鐵磷之粒徑過大而過於粗糙，因而不適合使用在印刷電路板相關的電子產品中。反之，若氧化鋰鐵磷之粒徑小於0.1微米，氧化鋰鐵磷彼此之間容易聚集，造成製成的聚醯亞胺膜中的氧化鋰鐵磷分布不均勻。此外，粒徑過小的氧化鋰鐵磷在製造聚醯亞胺膜時，將使聚醯亞胺膜的控制難度增加。

此外，在本發明部分實施例中，還可於分散溶液中加入一碳材，以進一步提升所製成之聚醯亞胺膜的黑色程度與遮光性。碳材為由石油、木炭或其他有機化合物完全燃燒或者不完全燃燒後所得到的產物。舉例來說，碳材可以為碳黑、碳灰、石墨、碳球、碳管、石墨烯或上述之組合，但並不以此為限。藉由加入碳材，聚醯亞胺膜的黑色程度與遮光性得到提升，進而使聚醯亞胺膜對電路設計的保護能力提升。

此外，在本發明部分實施例中，還可於分散溶液中加入一無機顆粒，以進一步改善所製成之聚醯亞胺膜的物性，例如提升聚醯亞胺膜的硬度、模數、尺寸安定性及降低聚醯亞胺膜的熱膨脹係數等。無機顆粒可以為雲母粉、二氧化矽粉、滑石粉、陶瓷粉、黏土粉、二氧化鈦、高嶺土、矽膠燒結粉末、碳化矽、硫酸鋇、氮化硼、氧化鋁、氮化鋁或上述之組合，但不以此為限。藉由加入無機顆粒，聚醯亞胺膜的透光性及光澤度下降，進而使聚醯亞胺膜對電路設計的保護能力提升。

為了使氧化鋰鐵磷、碳材或無機顆粒在溶液中混合 均勻，並且減少所需的混合時間，可以20赫茲(Hertz，Hz)至100赫茲之頻率來快速攪拌溶液，加速氧化鋰鐵磷、碳材或無機顆粒分散於溶液中。此外，亦可藉由研磨的方法來加速氧化鋰鐵磷、碳材或無機顆粒分散於溶液中。

接著，在溶液中加入一二胺單體，並且使二胺單體溶解於溶液中(S102)。

詳細來說，在分散溶液中加入二胺單體，並且透過攪拌或研磨的方式使二胺單體均勻溶解於分散溶液中。二胺單體為對苯二胺(1,4-diamino benzene)、間苯二胺(1,3-diamino benzene)、4,4’-二胺基二苯醚(4,4’-oxydianiline)、3,4-二胺基二苯醚(3,4-oxydianiline)、4,4’-二胺基二苯烷(4,4’-methylene dianiline)、二對苯二胺(N,N-Diphenylethylenediamine)、二胺基二苯酮(diaminobenzophenone)、二胺二苯基碸(diamino diphenyl sulfone)、二萘二胺(1,5-naphthalene diamine)、二胺基二苯硫醚(4,4-diamino diphenyl sulfide)、1,3-二(3-胺基酚氧基)苯(1,3-Bis(3-aminophenoxy)benzene)、1,4-二(4-胺基酚氧基)苯(1,4-Bis(4-aminophenoxy)benzene)、1,3-二(4-胺基酚氧基)苯(1,3-Bis(4-aminophenoxy)benzene)、2,2-二[4-(4-胺基酚氧基)苯基]丙烷(2,2-Bis[4-(4-amino phenoxy)phenyl]propane)、4,4’-二(4-胺基酚氧基)聯苯(4,4’-bis-(4-aminophenoxy)biphenyl)、4,4’-二(3-胺基酚氧基)聯苯(4,4’-bis-(3-aminophenoxy)biphenyl)、1,3-二丙胺基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷 (1,3-Bis(3-aminopropyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane)、1,3-二丙胺基-1,1,3,3-四苯基二矽氧烷(1,3-Bis(3-arminopropyl)-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane)、1,3-二丙胺基-1,1-二甲基-3,3-二苯基二矽氧烷(1,3-Bis(aminopropyl)-diimethyldiphenyldisiloxane)或上述之組合。

接著，在溶液中加入一四羧酸二酐單體(S103)。

詳細來說，在溶解有二胺單體的分散溶液中加入四羧酸二酐單體，使四羧酸二酐單體與二胺單體聚合成一聚醯胺酸。四羧酸二酐單體為1,2,4,5-苯四甲酸二酐(1,2,4,5-Benzene tetracarboxylic dianhydride)、聯苯四羧酸二酐(3,3’,4,4’-Biphenyl tetracarboxylic dian hydride)、二苯醚四酸二酐(4,4’-Oxydiphthalic anhydride)、二苯酮四羧酸二酐(Benzophenone tetracarboxylic dianhydride)、二苯基碸四羧酸二酐(3,3',4,4'-diphenyl sulfonetetracarboxylic dianhydride)、萘基四酸二酐(1,2,5,6-naphthalene tetracarboxylic dianhydride)、萘二酸酐(Naphthalenetetracarboxylic Dianhydride)、二-(3，4-苯二甲酸酐)二甲基矽烷(bis(3,4-dicarboxyphenyl)dimethylsilane dianhydride)、1，3-二(3，4-二羧基苯基)-1，1，3，3一四甲基二矽氧烷二酐(1,3-bis(4'-phthalic anhydride)-tetrarmethyldisiloxane)或上述之組合。

如此一來，分散溶液中包含了聚醯胺酸、氧化鋰鐵 磷、碳粉以及無機顆粒。此時，分散溶液的黏度為100泊(poise，ps)至1000泊(即為10,000cps至100,000cps)。

接著，乾燥溶液以形成一聚醯胺酸膜(S104)。

詳細來說，是將分散溶液塗佈於一承載材上，接著將塗佈有分散溶液的承載材放置於120℃至200℃的高溫環境中進行加熱乾燥，使分散溶液中的溶劑受熱氣化而離開分散溶液，並且使分散溶液中未被氣化的成分形成聚醯胺酸膜。換句話說，當分散溶液中的溶劑受熱揮發，殘留的聚醯胺酸與氧化鋰鐵磷則形成聚醯胺酸膜。在本發明部分實施例中，分散溶液包含聚醯胺酸、氧化鋰鐵磷、碳粉以及無機顆粒，當分散溶液中的溶劑受熱揮發，殘留的聚醯胺酸、氧化鋰鐵磷、碳粉以及無機顆粒則形成聚醯胺酸膜。承載材的種類可以為板體或者是連續的帶體。加熱乾燥溫度匹配於溶劑的沸點。在本發明部分實施例中，加熱乾燥的溫度為120℃至200℃，但並不以此為限。

最後，加熱聚醯胺酸膜以形成一聚醯亞胺膜(S105)。

詳細來說，將聚醯胺酸膜放置於比加熱乾燥溫度更高溫的環境中，使聚醯胺酸膜在270℃至400℃下進行亞醯胺化(imidization)反應而形成聚醯亞胺膜。形成之聚醯亞胺膜可以是裸膜型態，或者可視使用者之需求，將聚醯亞胺膜配置於其他基材上來進行使用。其中，反應的溫度越高，亞醯胺化反應的反應速度越快，製備聚醯亞胺膜所需的時間越短。然而，若是反應的溫度過高，則可能會破壞聚醯亞胺膜中原子之間的鍵結，使得聚醯 亞胺因為高溫而降解(degradation)。在本發明部分實施例中，反應的溫度為270℃至400℃，但並不以此為限。此外，使用者可根據需求來調整聚醯亞胺膜的厚度。須注意的是，聚醯亞胺膜之厚度應大於氧化鋰鐵磷之粒徑。在本發明部分實施例中，聚醯亞胺膜之厚度為12微米至250微米，但不以此為限。

以下將藉由實施例一至實施例六以及比較例一、二進行更詳細的說明。請參閱表一，表一為依據第1圖之實施例所製備之聚醯亞胺膜之成分組成及其相關檢測。其中，相關檢測係以膜厚為50μm之聚醯亞胺膜做為檢測樣品。

依照實施例一至實施例六的成分比例製成之聚醯亞胺膜均為黑色，因此適合使用在印刷電路板上以保護電路設計。

在實施例一至實施例六之聚醯亞胺膜的表面電阻均大於等於10¹³Ω，而體積電阻均大於等於10¹³Ω‧cm³，因此實施例一至實施例六之聚醯亞胺膜具有良好的絕緣性質。

實施例一至實施例六的聚醯亞胺膜的耐電壓均大於等於1.1kV/mil(kV/mm)。也就是說，這些聚醯亞胺膜在電壓低於1.1kV/mil時，不會發生崩潰分解。一般高頻線路的印刷電路板係在大於0.2kV/mil的條件下運作。添加氧化鋰鐵磷的聚醯亞胺膜在電壓低於1.1kV/mil時，不會因為高壓而崩潰分解，因此符合對高頻線路的印刷電路板的要求。實施例一、實施例二、實施例四及實施例五的聚醯亞胺膜，其耐電壓係大於等於1.6kV/mil。實施例一、實施例二及實施例四的聚醯亞胺膜，其耐電壓係大於等於2.1kV/mil。實施例二及實施例四的聚醯亞胺膜，其耐電壓係大於等於2.9kV/mil。

就聚醯亞胺膜的透光度來說，實施例一至實施例六 的聚醯亞胺膜的透光度均小於等於20%。表示包含有氧化鋰鐵磷的聚醯亞胺膜具有良好的遮光效果，因此在保護電路設計上可產生良好的效果。實施例二至實施例六的聚醯亞胺膜的透光度均小於等於9%。實施例三至實施例六的聚醯亞胺膜的透光度為0%。

一般來說，物體表面的60°光澤度越小，表示由物體表面所反射出的光線越少。實施例一至實施例六的聚醯亞胺膜的60°光澤度均小於等於65 GU，表示包含有氧化鋰鐵磷的聚醯亞胺膜表面具有低光線反射量。實施例一至實施例五的聚醯亞胺膜的60°光澤度均小於等於42 GU。實施例二至實施例五的聚醯亞胺膜的60°光澤度均小於等於27 GU。實施例二至實施例四的聚醯亞胺膜的60°光澤度均小於等於23 GU。

整體而言，包含氧化鋰鐵磷的聚醯亞胺膜是黑色的薄膜，可用以保護電路之設計。並且，包含氧化鋰鐵磷的聚醯亞胺膜具有高表面電阻與高體積電阻，因此具有良好的絕緣性。此外，包含氧化鋰鐵磷的聚醯亞胺膜還具有高耐電壓，因而可承受覆蓋有包含氧化鋰鐵磷的聚醯亞胺膜的印刷電路板在較高之電壓下進行操作。同時，包含氧化鋰鐵磷的聚醯亞胺膜的透光度與光澤度較低，表示包含氧化鋰鐵磷的聚醯亞胺膜具有較佳之保護電路設計的效果。此外，由於氧化鋰鐵磷的分子量大，因此包含氧化鋰鐵磷的聚醯亞胺膜在電路設計的製程中，對聚醯亞胺膜進行電漿、雷射等表面處理時，氧化鋰鐵磷不易因被雷射或電漿激發而從聚醯亞胺膜析出或氣化，造成對產品或是製造設備的污染。

接著請參閱表二，表二為未添加氧化鋰鐵磷之聚醯亞胺膜之組成及其相關檢測。其中，相關檢測係以膜厚為50μm之聚醯亞胺膜做為檢測樣品。

在比較例一中，由於未添加氧化鋰鐵磷，因此所製成之聚醯亞胺膜為橘色。如此一來，無法達到本發明實施例中黑色聚醯亞胺膜所具有之保密功效，因而不適合用於電路設計之保護。在比較例二中，雖然加入碳黑可製造出黑色的聚醯亞胺膜，然而卻也大幅降低了聚醯亞胺膜的耐電壓(0.2kV/mil)。如此一 來，聚醯亞胺膜容易因為耐電壓過低而崩潰分解，也不適合使用在印刷電路板上。此外，由於碳黑的分子量小，因此包含大量碳黑之聚醯亞胺膜在進行電漿、雷射等表面處理時，碳黑容易被雷射激發而析出或氣化，造成對產品或是製造設備的污染。

接下來請參閱第2圖及第3圖，第2圖為根據本發明之聚醯亞胺積層板製作方法之流程圖。第3圖為根據本發明一實施例所揭露之聚醯亞胺積層板之示意圖。其中，步驟S201至S203與第1圖之步驟S101至S103相同或相似，故在此便不再贅述。

將溶液塗佈於一基材上，並且加熱移除溶劑(S204)。

詳細來說，在四羧酸二酐單體與二胺單體聚合成聚醯胺酸以後，將包含聚醯胺酸的分散溶液塗佈於一基材10上，並且以120℃至200℃的加熱乾燥溫度進行加熱乾燥以移除溶劑。如此一來，即在基材10上形成了一聚醯胺酸膜。基材10可以為一金屬基板，金屬基板之材質係選自銅、鈀、鋁、鐵、鎳或其所構成之群組，但不以此為限。在本發明部分實施例中，所使用之基材10為銅箔。須注意的是，基材10的熔點應匹配乾燥的溫度，以避免基材10因為乾燥的溫度過高而隨之液化。

最後，加熱聚醯胺酸膜以形成一聚醯亞胺膜(S205)。

詳細來說，是將基材10放置於比加熱乾燥溫度更高溫的環境中，以270℃至400℃的反應溫度使聚醯胺酸膜進行亞醯胺化反應而在基材10的表面形成聚醯亞胺膜20。透過此方式製 備的聚醯亞胺膜20覆蓋基材10的表面。如此一來，即完成了第3圖中所示的聚醯亞胺積層板之製備。值得注意的是，基材10的熔點也應匹配進行亞醯胺化反應之反應溫度，以避免基材10因為反應溫度過高而隨之液化。

此外，在將包含聚醯胺酸的溶液塗佈於一基材10上時，由於包含聚醯胺酸的溶液為液態，因而可滲入基材10的表面空隙中。如此一來，聚醯胺酸之間經由高溫加熱形成高分子鍵結以形成聚醯胺酸膜，並且亞醯胺化形成聚醯亞胺膜20之後，聚醯亞胺膜20與基材10間的空隙較少。亦即是，聚醯亞胺膜20與基材10間的接觸面積較大。因此，藉由聚醯胺酸膜20與基材10之間相互吸引，使得聚醯胺酸膜20與基材10之間具有很好的接著力。在本發明部分實施例中，銅箔所形成的基材10與聚醯亞胺膜20之間的接著強度大於或等於0.7公斤/平方公分。如此一來，聚醯亞胺膜20與基材10之間不須透過黏著劑即可相互結合(例如：可製成無膠式的覆銅基層板)，而不會出現使用時聚醯亞胺膜20自基材10脫落的問題。此外，聚醯亞胺膜與基材之間不須透過黏著劑而直接接合的製程較使用黏著劑進行接合的製程簡單，並可避免黏著劑影響聚醯亞胺膜的物理或化學性質。

接下來請參閱表三，表三為依據第2圖之製程方式製備聚醯亞胺積層板之實施例以及未添加氧化鋰鐵磷之聚醯亞胺積層板之比較例的成分組成及其相關檢測。相關檢測係以膜厚為50μm之聚醯亞胺膜做為檢測樣品。接著強度的測試方法為 IPC-TM-650；Method 2.4.9。尺寸安定性的測試方法為IPC-TM-650；Method 2.2.4。

依據第2圖之製程方式所製成實施例七至實施例十之聚醯亞胺積層板，其接著強度均大於等於0.7kg/cm²。實施例七至實施例九之聚醯亞胺積層板的接著強度均大於等於1.0kg/cm²。實施例八之聚醯亞胺積層板的接著強度為1.25kg/cm²。

此外，實施例七至實施例十之聚醯亞胺積層板的尺寸安定性均小於等於0.07%。實施例八與實施例九之聚醯亞胺積層板的尺寸安定性均小於等於0.06%。實施例八之聚醯亞胺積層板的尺寸安定性為0.04%。尺寸安定性代表在加工製作時聚醯亞胺積層板的尺寸大小變化之比率。本發明之聚醯亞胺積層板的尺寸安定性均小於等於0.07%。因此，在進行聚醯亞胺積層板之後續加工時，聚醯亞胺積層板的尺寸變化較小而降低了後續加工的難度。

根據上述本發明所揭露的聚醯亞胺膜及其聚醯亞胺積層板，由於聚醯亞胺膜包含了氧化鋰鐵磷，因而可製成黑色的聚醯亞胺膜及其聚醯亞胺積層板。黑色的聚醯亞胺膜可保護其所覆蓋之基材上的電路設計，解決了先前技術中電路設計容易因為聚醯亞胺膜的透光性而被解讀的問題。

此外，由於聚醯亞胺膜包含了氧化鋰鐵磷，因此其本身及其所製成的醯亞胺積層板具有較高的耐電壓。如此一來，施加電壓時，聚醯亞胺膜因為電壓而崩潰分解的問題得到解決。

此外，在部分的實施例中，聚醯亞胺膜還包含碳材，碳材可協助強化聚醯亞胺膜黑色的程度，亦即是強化聚醯亞胺膜的不透明程度，進而提升聚醯亞胺膜保護電路設計的能力。

此外，在部分的實施例中，聚醯亞胺膜還包含無機顆粒。因此，聚醯亞胺膜的透光性被降低，進而提升聚醯亞胺膜保護電路設計的能力。再者，包含無機顆粒的聚醯亞胺膜因散射 光減少，導致膜面的光澤度下降而使質感增加。

雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧基材

20‧‧‧聚醯亞胺膜

Claims (15)

1. 一種聚醯亞胺膜，包含：一聚醯亞胺；以及一氧化鋰鐵磷，該氧化鋰鐵磷在該聚醯亞胺膜中所佔的重量百分比為1wt%至49wt%。
2. 如請求項1之聚醯亞胺膜，其中該氧化鋰鐵磷在該聚醯亞胺膜中所佔的重量百分比為5wt%至35wt%。
3. 如請求項2之聚醯亞胺膜，其中該氧化鋰鐵磷在該聚醯亞胺膜中所佔的重量百分比為10wt%至30wt%。
4. 如請求項1之聚醯亞胺膜，其中該氧化鋰鐵磷的粒徑為0.1微米至10微米。
5. 如請求項4之聚醯亞胺膜，其中該氧化鋰鐵磷的粒徑為0.5微米至6微米。
6. 如請求項1之聚醯亞胺膜，更包含一碳材，該碳材係選自碳黑、碳灰、石墨、碳球、碳管、石墨烯及其所構成的群組。
7. 如請求項1之聚醯亞胺膜，更包含一無機顆粒，該無機顆粒係選自雲母粉、二氧化矽粉、滑石粉、陶瓷粉、黏土粉、二氧化鈦、高嶺土、矽膠燒結粉末、碳化矽、硫酸鋇、氮化硼、氧化鋁、氮化鋁及其所構成的群組。
8. 如請求項1之聚醯亞胺膜，其中該聚醯亞胺膜的厚度為12微米至250微米。
9. 如請求項1之聚醯亞胺膜，其中該聚醯亞胺膜的透光度小於或等於20%。
10. 如請求項1之聚醯亞胺膜，其中該聚醯亞胺膜的耐電壓大於或等於1.2KV/mil。
11. 如請求項1之聚醯亞胺膜，其中該聚醯亞胺膜之60°光澤度小於或等於70 GU。
12. 一種聚醯亞胺積層板，包含：一基材；以及如請求項1所述之一聚醯亞胺膜，該聚醯亞胺膜覆蓋該基材。
13. 如請求項12之聚醯亞胺積層板，其中該基材為一金屬基板。
14. 如請求項13之聚醯亞胺積層板，其中該金屬基板的材質係選自銅、鈀、鋁、鐵、鎳及其所構成的群組。
15. 如請求項12之聚醯亞胺積層板，其中該基材與該聚醯亞胺膜之間的接著強度大於或等於0.6公斤/平方公分。