TWI591865B - Ｌｅｄ用散熱基板 - Google Patents

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Description

LED用散熱基板
本發明係關於一種LED用散熱基板。特別是關於一種薄、可折疊且可三維加工的LED用散熱基板。
近來年由於耗電減少、壽命增長，故將LED(發光二極體)作為光源使用的LED照明裝置之需求係急速地擴展。然而，LED於照明時發熱，藉由該發熱而令LED成為高溫時，LED的發光效率明顯降低，而且，也會影響LED的壽命。特別是因為高輸出‧高亮度的LED在照明時的發熱量變得更大，故令LED的熱散發，抑制LED的溫度上升變得更為重要。
因此，安裝LED的基板，係使用散熱性佳的散熱基板，一般而言，係使用在作為絕緣層的環氧樹脂膜之一面疊層銅箔，並於相反側的面疊層鋁箔的散熱基板。但是，使用環氧樹脂膜時，需要使用自耐電壓面1mm左右，最少亦有100μm左右之厚度者。再者，由於如前述一樣厚的環氧樹脂膜，其熱阻大，故欲得到充分的散熱性，需要大量添加熱傳導率高的氧化鋁等之無機填料而將熱阻減低。然而，大量添加如前述之無機填料的LED用散熱基板，其加工性差，在機械加工時有填料飛散於周圍的問題。再者，該LED用散熱基板，不可折疊，且無法三維加工。由於只要可三維加工，電路設計的自由度將提升，故需要具有良好的撓曲特性之LED用散熱基板。
專利文獻1中，係揭示一種LED照明裝置，係為具備基板本體、1或多數個表面安裝型的LED、導電電路的LED照明裝置，其中，該基板本體，令使用聚醯亞胺的熱可塑性耐熱膜成形為預定的三維形狀；該LED，設置於該基板本體的預定位置；該導電電路，設置於該基板本體的表面或背面之其中一面，將該LED連接至外部電路，並將其點亮；該LED照明裝置，其特徵為在與基板本體的導電電路相反的面，形成由金屬構成的散熱層。
另一方面，專利文獻2中，作為熱傳導性佳的覆銅板，係揭示一種熱對策覆銅板，在多層聚醯亞胺膜的一面疊層銅箔，並於另一面疊層熱傳導性良好的金屬板或陶瓷板而構成，其中，該多層聚醯亞胺膜，在低熱膨脹性的基體聚醯亞胺(X)層的雙面疊層單一化具有特定醯亞胺單元的薄層聚醯亞胺(Y)而構成，而作為熱傳導性佳的金屬板，可舉出厚度5μm～2mm的鋁板。
再者，專利文獻3中，係揭示一種用於LED之安裝及相互連接的疊層物，在基板上包含銅或鋁的金屬層、鄰接該金屬層的聚醯亞胺層或黏接劑層、銅箔層、液體或膜之焊接遮罩層。
[習知技術文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-293692號公報
[專利文獻2]日本特開2003-71982號公報
[專利文獻3]國際公開第2009/073670號公報
本發明之目的在於提供一種可三維加工的LED用散熱基板，具有優異的散熱性及耐電壓性，很薄，而且具有良好的撓曲特性。
本發明係關於以下事項。
1.一種LED用散熱基板，係為在聚醯亞胺膜的一面疊層銅箔或銅合金箔，並於相反側的面疊層鋁箔或鋁合金箔的LED用散熱基板，其特徵在於：銅箔或銅合金箔的表面與鋁箔或鋁合金箔的表面之間的熱阻為1.8℃/W以下。
2.如第1項記載之LED用散熱基板，其中，該鋁箔或鋁合金箔未經陽極氧化處理(氧化鋁膜處理)。
3.如第1或2項記載之LED用散熱基板，其中，該聚醯亞胺膜的厚度為3～25μm。
4.如第1～3項中任一項記載之LED用散熱基板，其中，該聚醯亞胺膜之與銅箔或銅合金箔之接合面、以及與鋁箔或鋁合金箔之接合面為熱壓接性的聚醯亞胺層。
5.如第4項之LED用散熱基板，其中，該聚醯亞胺膜為在耐熱性的聚醯亞胺層之雙面疊層熱壓接性的聚醯亞胺層者。
6.如第1～5項中任一項之LED用散熱基板，其中，該銅箔或銅合金箔的厚度為9～200μm，該鋁箔或鋁合金箔的厚度200μm～1mm。
7.如第1～6項中任一項之LED用散熱基板，其中，該聚醯亞胺膜、該銅箔或銅合金箔、該鋁箔或鋁合金箔係藉由加壓加熱成形裝置而貼合。
在此之銅箔或銅合金箔的表面與鋁箔或鋁合金箔的表面之間的熱阻(亦稱為銅箔與鋁箔之間的熱阻)，通常係成為與聚醯亞胺膜之熱阻相同的數值。
本發明之LED用散熱基板，係為在厚度薄之聚醯亞胺膜的一面疊層銅箔或銅合金箔，並於相反側的面疊層鋁箔或鋁合金箔者，且銅箔或銅合金箔的表面與鋁箔或鋁合金箔的表面之間的熱阻為1.8℃/W以下。如前述之LED用散熱基板，係為習知未有者，很薄，具有良好的撓曲特性，並具有優異的散熱性及耐電壓性。
聚醯亞胺膜，由於其絕緣性優異，故令厚度變薄亦可得到足夠的耐電壓。然後，由於可將聚醯亞胺膜變得非常薄，故本發明之LED用散熱基板，總厚度小，熱阻低，具有良好的散熱性，機械加工性佳，且具有良好的撓曲特性，並可三維加工。本發明之LED用散熱基板，可藉由量產性佳的連續式(Roll-to-Roll)方式而製造。
鋁箔或鋁合金箔，一般而言，以提高黏著性為目的，係予以陽極氧化處理(氧化鋁膜處理)。但是，由於予以陽極氧化處理的鋁箔或鋁合金箔，例如在表面具有4μm之厚度、比較硬的氧化皮膜，故使用其時，LED用散熱基板之撓曲特性將下降。本發明中，使用未經陽極氧化處理的鋁箔或鋁合金箔較為理想。
本發明之LED用散熱基板，係為在聚醯亞胺膜的一面疊層銅箔或銅合金箔，並於相反側的面疊層鋁箔或鋁合金箔者，且銅箔或銅合金箔的表面與鋁箔或鋁合金箔的表面之間的熱阻為1.8℃/W以下。銅箔或銅合金箔的表面與鋁箔或鋁合金箔的表面之間的熱阻較理想之樣態為1.2℃/W以下，更理想之樣態為0.8℃/W以下，而最理想之樣態為0.6℃/W以下。
銅箔或銅合金箔的表面與鋁箔或鋁合金箔的表面之間的熱阻之下限值並無特別限定，例如較理想之樣態為0.1℃/W以上，更理想之樣態為0.15℃/W以上，而最理想之樣態為0.2℃/W以上。
本發明中，未使用黏接劑等，在聚醯亞胺膜直接疊層銅箔或銅合金箔、以及鋁箔或鋁合金箔較為理想。因此，聚醯亞胺膜之與銅箔或銅合金箔之接合面、以及與鋁箔或鋁合金箔之接合面較理想之樣態為：與該等金屬之黏著性佳的聚醯亞胺層，而更理想之樣態為：與該等金屬之黏著性佳之熱壓接性的聚醯亞胺層。聚醯亞胺膜，可為與該等金屬之黏著性佳之單層的聚醯亞胺膜，且尤可為與該等金屬之黏著性佳的單層之熱壓接性的聚醯亞胺膜，亦可為在耐熱性的聚醯亞胺層之雙面疊層與該等金屬之黏著性佳的聚醯亞胺層者，且尤可為在耐熱性的聚醯亞胺層之雙面疊層與該等金屬之黏著性佳之熱壓接性的聚醯亞胺層者。根據機械特性佳的觀點，在耐熱性的聚醯亞胺層之雙面疊層與該等金屬之黏著性佳的聚醯亞胺層較為理想，而更理想之樣態為疊層熱壓接性的聚醯亞胺層。
本發明中，聚醯亞胺膜，只要在LED用散熱基板之製造後成為聚醯亞胺膜即可，而本發明的LED用散熱基板，並非限定於在聚醯亞胺膜疊層銅箔或銅合金箔與鋁箔或鋁合金箔而製造者。例如，可將聚醯胺酸等之聚醯亞胺前驅物的溶液澆鑄塗佈於銅箔或銅合金箔上，予以熱處理‧醯亞胺化而成為聚醯亞胺膜，並藉由熱壓接等而將鋁箔或鋁合金箔疊層於該聚醯亞胺膜，製造本發明的LED用散熱基板。
以下敘述關於聚醯亞胺膜及LED用散熱基板的製造方法。
本發明中使用的銅箔或銅合金箔並無特別限定，但可適當地使用銅箔，特別是壓延銅箔或電解銅箔。
銅箔或銅合金箔的厚度為9～200μm較為理想，而18～200μm更為理想。再者，亦有厚度為35～80μm之銅箔或銅合金箔較為理想的情況。一般而言，銅箔或銅合金箔的厚度厚者係適於高電流用途。
銅箔或銅合金箔，表示表面粗糙度的Rz較理想之樣態為3μm以下，更理想之樣態為2μm以下，而最理想之樣態為0.5～1.5μm。當Rz過小時，亦可將銅箔或銅合金箔的表面予以表面處理而使用。
如前述之銅箔，可舉出壓延銅箔、電解銅箔、或是該等之銅合金箔，且尤以壓延銅箔較為理想。
本發明中使用的鋁箔或鋁合金箔並無特別限定，鋁合金箔，只要為將鋁作為主成分之與其他金屬的合金即可。鋁合金箔，例如可舉出將鎂作為主要添加物質的鋁合金(Al-Mg系合金)，例如JIS5052合金等之JIS5000系。
本發明中，由於至少包含鋁與鎂的鋁合金箔具有良好的撓曲特性，故較為理想。
Al-Mg系合金，無論是何種組成者均可使用，而由於鎂含量為1.5～5質量%者，更理想之樣態為2～3質量%者，其強度佳，故較為理想。
如前述，由於可得到具有良好的撓曲特性，且加工性佳的LED用散熱基板，故使用未經陽極氧化處理、或陽極氧化處理層薄(例如未滿4μm，再者為3μm以下，特別是2μm以下)的鋁箔或鋁合金箔較為理想，而最理想之樣態為使用未經陽極氧化處理的鋁箔或鋁合金箔。又，使用未經陽極氧化處理、或陽極氧化處理層薄的鋁箔或鋁合金箔的話，可得到優異的耐撓曲性，且更藉由熱壓接而貼合於聚醯亞胺膜時，不易造成外觀不佳。
再者，亦可使用施以使用含有界面活性劑的鹼性電解液之交流電解處理(KO處理)的鋁箔或鋁合金箔，例如Furukawa-SkyAluminumCorp.製：KO處理板，但較理想之樣態為使用未施以KO處理的鋁箔或鋁合金箔。
鋁箔或鋁合金箔，其與聚醯亞胺膜疊層側的表面，亦可予以陽極氧化處理(亦稱為氧化鋁膜處理、或是硫酸氧化鋁膜處理)、或KO處理，但根據耐熱性與折疊性的觀點，較理想之樣態為使用未經陽極氧化處理、或KO處理的鋁箔或鋁合金箔。
鋁箔或鋁合金箔之與聚醯亞胺膜貼合的表面，為了去除因為鋁箔或鋁合金箔之製造而附著的油分，係以有機溶劑處理較為理想。
鋁箔或鋁合金箔的厚度較理想之樣態為200μm～1mm，更理想之樣態為250～500μm，而最理想之樣態為300～400μm。一般而言，鋁箔或鋁合金箔的厚度薄者係適於折疊用途。
本發明中，可在鋁箔或鋁合金箔接合散熱片(heatsink)而使其散熱，而可焊接的鋁箔或鋁合金箔，例如，藉由使用東洋鋼鈑股份有限公司製：SAPlate而可直接焊接。
本發明中，在聚醯亞胺膜與金屬箔(銅箔、鋁箔)鄰接側具有熱壓接性層時，該熱壓接性層的厚度，較理想之樣態為金屬箔之與聚醯亞胺膜的黏接面之表面粗糙度(Rzjis)以上。熱壓接性層的厚度未滿金屬箔之表面粗糙度(Rzjis)時，得到的LED用散熱基板之聚醯亞胺膜與金屬箔的剝離強度，根據環境而有不均勻變多的情況。
接著，以下說明聚醯亞胺膜。
聚醯亞胺膜，並無特別限定，只要是與銅箔或鋁箔黏著性佳，較理想之樣態為熱壓接性，可蝕刻疊層銅箔等之金屬箔，且耐熱性、電絕緣性或撓曲性佳者即可。再者，只要是視需要可充分地支撐金屬箔者即可，亦可為不受到視需要而用以去除在形成金屬配線時使用之光阻層的顯影液或剝離液極大影響者。
聚醯亞胺膜，可使用單層、或疊層2層以上之多層膜、薄片、板之形狀者。
聚醯亞胺膜，可舉出宇部興產股份有限公司製「UPILEX(VT)」(商品名)等，但並非限定於此。
聚醯亞胺膜的厚度，並無特別限定，但只要可得到足夠的電絕緣性能，越薄越好，較理想之樣態為3～50μm，更理想之樣態為4～35μm，更加理想之樣態為5～25μm，特別理想之樣態為7～15μm，而最理想之樣態為9～15μm。
聚醯亞胺膜的厚度，根據耐焊性的觀點，較理想之樣態為4～15μm，而更理想之樣態為7～12.5μm，再者，根據耐焊性與熱阻的觀點，較理想之樣態為9～15μm。
本發明中，可使用基板之至少一面經利用電暈放電處理、電漿處理、化學粗面化處理、物理粗面化處理、矽烷偶合劑等之表面處理劑的表面處理等之表面處理的聚醯亞胺膜。單層之熱壓接性的聚醯亞胺膜之情況、或將膜之熱壓接性的聚醯亞胺膜直接與金屬貼合的情況，通常不需要進行利用表面處理劑的表面處理。
用於聚醯亞胺膜之表面處理的矽烷偶合劑，以最一般的胺基官能性矽烷偶合劑、環氧基官能性矽烷偶合劑為例，可使用巰基官能性矽烷偶合劑、烯烴基官能性矽烷偶合劑、丙烯基官能性矽烷偶合劑等各種物質。
矽烷偶合劑，具體而言，可舉出乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基參(2-甲氧乙氧基)矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、4-環氧丙基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三氮雜苯矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。聚醯亞胺膜的表面處理劑，較理想之樣態為胺基矽烷系、環氧基矽烷系等之矽烷偶合劑。
又，代替矽烷偶合劑，即令藉由鈦酸鹽系偶合劑、或鋯酸鹽系偶合劑處理的情況時，亦可得到同樣的效果。
再者，利用矽烷偶合劑的表面處理係可依照公知的方法而實施。
以矽烷偶合劑等之表面處理劑予以處理(表面處理)，係指在聚醯亞胺膜之表面，表面處理劑可為維持原本狀態而被包含的情況，或是，亦可為在聚醯亞胺或聚醯亞胺前驅物、或是該等之有機溶液中，例如以藉由320～550℃之加熱而產生化學變化等之狀態而被包含的情況。
聚醯亞胺膜，在基板之剛性小等難以處理的情況下，可於基板的背面貼附在下一步驟可剝離的具有剛性之膜或基板而使用。
本發明中，聚醯亞胺膜，在具有耐熱性的層(Sa1)與該具有耐熱性的層之雙面，可使用包含內具黏接劑層之具有熱壓接性及/或黏接性的層(Sa2)之2層以上之多層之具有熱壓接性及/或黏接性者。該層構成之一例，可舉出Sa2/Sa1/Sa2、Sa2/Sa1/Sa2/Sa1/Sa2等。再者，亦可使用具有熱壓接性之層(Sa2)單層的聚醯亞胺膜。
聚醯亞胺膜之具有熱壓接性及/或黏接性的層(Sa2)，係使用於與金屬箔之貼合。該具有熱壓接性及/或黏接性的層(Sa2)，係為選自於具有熱壓接性之層及具有黏接性之層的層。
2層以上之具有熱壓接性及/或黏接性之多層的聚醯亞胺膜中，具有耐熱性的層(Sa1)與具有熱壓接性及/或黏接性的層(Sa2)之厚度可適當選擇。但是，本發明中，如前述，最外層之具有熱壓接性及/或黏接性的層(Sa2)的厚度，較理想之樣態為金屬箔之與聚醯亞胺膜的黏接面之表面粗糙度(Rzjis)以上，更理想之樣態為0.5μm以上，更加理想之樣態為1μm以上，最理想之樣態為定為2μm以上之範圍。再者，具有熱壓接性及/或黏接性的層(Sa2)之厚度，較理想之樣態為3μm以下。
本發明之LED用散熱基板，係為疊層銅箔或銅合金箔、聚醯亞胺膜(聚醯亞胺層)、鋁箔或鋁合金箔者，而根據其製造方法，並非限定於此。
LED用散熱基板，可使用在聚醯亞胺膜的一面直接疊層銅箔或銅合金箔，並於相反側的面直接疊層鋁箔或鋁合金箔者，或是透過黏接劑(熱壓接性材料)，藉由加熱及/或加壓而疊層者。再者，在銅箔或銅合金箔、以及鋁箔或鋁合金箔塗佈成為熱壓接性聚醯亞胺層的聚醯亞胺溶液或聚醯亞胺前驅物溶液(聚醯胺酸溶液等)，視需要而加熱乾燥‧醯亞胺化，且亦可使用藉由將前述與聚醯亞胺膜加熱或加壓等疊層而得者。在銅箔或銅合金箔塗佈成為熱壓接性聚醯亞胺層的聚醯亞胺溶液或聚醯亞胺前驅物溶液(聚醯胺酸溶液等)，視需要而加熱乾燥‧醯亞胺化，接著，亦可於前述使用藉由將鋁箔或鋁合金箔加熱或加壓等疊層而得者。
聚醯亞胺膜與金屬箔(銅箔、鋁箔)直接疊層較為理想，但聚醯亞胺膜的表面與金屬箔，即令進行加壓、加熱或加壓加熱，壓接性亦低時，係將聚醯亞胺膜與金屬箔透過黏接劑而疊層較為理想。
在聚醯亞胺膜或金屬箔塗佈黏接性或熱壓接性的有機材料或樹脂、或是塗佈聚醯亞胺膜用的樹脂時，其塗佈可藉由輥塗佈機(rollcoater)、狹縫式塗佈機(slitcoater)、雙輥筒塗佈機(commacoater)等，一般所使用的方法而實施。
將含有黏接劑層或熱壓接性樹脂層的金屬箔與聚醯亞胺膜疊層時、或是將金屬箔與含有黏接劑層或熱壓接性樹脂層的聚醯亞胺膜疊層時，可使用加熱裝置、加壓裝置或是加壓加熱裝置將該等疊層。加熱條件及加壓條件，視使用的材料而適當選擇較為理想。再者，金屬箔與聚醯亞胺膜之疊層只要可連續或批次進行即可，並無特別限定，但使用滾壓疊層(rolllaminate)或雙帶擠壓等連續進行較為理想。
聚醯亞胺膜，可適當地使用耐熱性、電絕緣性等佳的聚醯亞胺膜。
聚醯亞胺膜，可使用單層的聚醯亞胺膜，亦可使用疊層2層以上之聚醯亞胺的聚醯亞胺膜。再者，聚醯亞胺的種類亦無特別限定。
聚醯亞胺膜，可藉由公知的方法製造。例如，單層的聚醯亞胺膜，可藉由以下等方法而得之。
(1)將作為聚醯亞胺之前驅物的聚醯胺酸溶液澆鑄或塗佈於支撐體上，將其醯亞胺化的方法；
(2)將聚醯亞胺溶液澆鑄或塗佈於支撐體上，並視需要而加熱的方法。
2層以上的聚醯亞胺膜，可藉由以下等方法而得之。
(3)將作為聚醯亞胺之前驅物的聚醯胺酸溶液澆鑄或塗佈於支撐體上，而且，在該聚醯胺酸層的頂面，依序地澆鑄或塗佈作為第2層以上的聚醯亞胺之前驅物的聚醯胺酸溶液，將其醯亞胺化的方法；
(4)將作為第2層以上的聚醯亞胺之前驅物的聚醯胺酸溶液同時澆鑄或塗佈於支撐體上，將其醯亞胺化的方法；
(5)將聚醯胺酸溶液澆鑄或塗佈於支撐體上，而且，在該聚醯胺酸層的頂面，依序地澆鑄或塗佈第2層以上的聚醯亞胺溶液，並視需要而加熱的方法；
(6)將第2層以上的聚醯亞胺溶液同時澆鑄或塗佈於支撐體上，並視需要而加熱的方法；
(7)將以該(1)～(6)得到之2片以上的聚醯亞胺膜直接或透過黏接劑而疊層的方法。
再者，亦可將LED用散熱基板的銅箔或銅合金箔、鋁箔或鋁合金箔作為支撐體，在其上方直接形成聚醯亞胺膜。
聚醯亞胺膜，尤能適用在耐熱性聚醯亞胺層(S1)的雙面含有熱壓接性聚醯亞胺層(S2)之3層以上之具有熱壓接性的聚醯亞胺膜。該多層聚醯亞胺膜的層構成之一例，可舉出S2/S1/S2、S2/S1/S2/S1/S2等。再者，亦可使用熱壓接性聚醯亞胺層(S2)單層的聚醯亞胺膜。
具有熱壓接性的聚醯亞胺膜中，耐熱性聚醯亞胺層(S1)與熱壓接性聚醯亞胺層(S2)的厚度可適當選擇。但是，本發明中，如前述，最外層之熱壓接性聚醯亞胺層(S2)的厚度，較理想之樣態為金屬箔之與聚醯亞胺膜的黏接面之表面粗糙度(Rzjis)以上，而在耐熱性聚醯亞胺層(S1)的雙面含有熱壓接性聚醯亞胺層(S2)的聚醯亞胺膜時，最外層之熱壓接性聚醯亞胺層(S2)的厚度，只要可得到藉由與銅箔或鋁箔熱壓接而產生之足夠的黏著性即可，較理想之樣態為0.5～10μm，更理想之樣態為1～7μm，更加理想之樣態為2～5μm的範圍。再者，熱壓接性聚醯亞胺層(S2)的厚度，較理想之樣態為3μm以下。
藉由在耐熱性聚醯亞胺層(S1)的雙面設置厚度大致相同的熱壓接性聚醯亞胺層(S2)，而可抑制捲曲。
具有熱壓接性的聚醯亞胺膜中，作為耐熱性聚醯亞胺層(S1)的耐熱性聚醯亞胺，可使用具有下述特徵(1)～(4)之至少一種者，特別是具有下述特徵(1)～(4)之至少兩種者((1)與(2)、(1)與(3)、(2)與(3)之組合等)，且尤能適用具有下述特徵之全部者。
(1)在單獨之聚醯亞胺膜的情況中，玻璃轉化溫度為300℃以上，而較理想之樣態為玻璃轉化溫度為330℃以上，更理想之樣態為不可能確認者。
(2)在單獨之聚醯亞胺膜的情況中，線膨脹係數(50～200℃)(MD)為近似於在聚醯亞胺膜疊層銅箔等之金屬箔的熱膨張係數者。具體而言，聚醯亞胺膜的熱膨張係數較理想之樣態為5×10-6～28×10-6cm/cm/℃，而更理想之樣態為9×10-6～20×10-6cm/cm/℃，更加理想之樣態為12×10-6～18×10-6cm/cm/℃。
(3)在單獨之聚醯亞胺膜的情況中，拉伸彈性係數(MD、ASTM-D882)為300kg/mm2以上，而較理想之樣態為500kg/mm2以上，更理想之樣態為700kg/mm2以上者。
(4)較理想之樣態為熱收縮率為0.05%以下者。
耐熱性聚醯亞胺層(S1)，可使用由下述成分所合成的聚醯亞胺，該等成分包含：將選自於3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)、苯均四酸二酐(PMDA)、以及3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)之成分作為主成分的酸成分；以及將選自於對苯二胺(PPD)及4,4’-二胺基二苯醚(DADE)之成分作為主成分的二胺成分。4,4’-二胺基二苯醚(DADE)，可將一部分或全部以3,4’-二胺基二苯醚(DADE)取代。
耐熱性聚醯亞胺層(S1)，例如，以下的聚醯亞胺較為理想。
(1)由3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)與對苯二胺(PPD)所製造的聚醯亞胺，以及根據情況更進一步與4,4’-二胺基二苯醚(DADE)所製造的聚醯亞胺。該情況中，PPD/DADE(莫耳比)為100/0～85/15較為理想。
(2)由3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)及苯均四酸二酐(PMDA)與對苯二胺(PPD)及4,4’-二胺基二苯醚(DADE)所製造的聚醯亞胺。該情況中，BPDA/PMDA(莫耳比)為15/85～85/15，而PPD/DADE(莫耳比)為90/10～10/90較為理想。
(3)由苯均四酸二酐(PMDA)與對苯二胺(PPD)及4，4’-二胺基二苯醚(DADE)所製造的聚醯亞胺。該情況中，DADE/PPD(莫耳比)為90/10～10/90較為理想。
(4)由3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)及苯均四酸二酐(PMDA)與對苯二胺(PPD)及4,4’-二胺基二苯醚(DADE)所製造的聚醯亞胺。該情況中，BTDA/PMDA(莫耳比)為20/80～90/10，而PPD/DADE(莫耳比)為30/70～90/10較為理想。
再者，在不損及耐熱性聚醯亞胺之物性的範圍內，亦可使用其他四羧酸二酐或二胺。
耐熱性聚醯亞胺層(S1層)的耐熱性聚醯亞胺之合成，根據最後各成分的比例於該範圍內，即令藉由無規聚合或嵌段聚合之任一種的方法，亦可達成。再者，即令藉由預先合成2種類的聚醯胺酸，將該聚醯胺酸溶液混合後，在反應條件下混合而作為均勻溶液的方法，亦可達成。
耐熱性聚醯亞胺，可如下述而予以製造。首先，使用前述各成分，令二胺成分與酸成分(四羧酸二酐)之大致上等莫耳量於有機溶劑中反應，作為聚醯胺酸的溶液。聚醯胺酸的溶液，只要保持於均勻的溶液狀態，其一部分亦可被醯亞胺化。然後，藉由將該聚醯胺酸的溶液作為摻雜液使用，形成該摻雜液的膜後，加熱該膜，令溶劑自膜蒸發而去除，同時令聚醯胺酸醯亞胺環化而可製造耐熱性聚醯亞胺。
本發明中，在耐熱性聚醯亞胺之摻雜液的膜上疊層熱壓接性聚醯亞胺之摻雜液的膜後，可同時將雙方醯亞胺化。本發明中，將耐熱性聚醯亞胺之摻雜液與熱壓接性聚醯亞胺之摻雜液共擠壓，並將耐熱性聚醯亞胺之摻雜液的膜與熱壓接性聚醯亞胺之摻雜液的膜疊層後，可同時將雙方醯亞胺化。以下係敘述本方法。
另一方面，熱壓接性聚醯亞胺層(S2)的熱壓接性聚醯亞胺為(1)具有與金屬箔之熱壓接性的聚醯亞胺。該熱壓接性聚醯亞胺，較理想之樣態為在熱壓接性聚醯亞胺之玻璃轉化溫度以上至400℃以下的溫度，可與金屬箔疊層之具有熱壓接性的聚醯亞胺。
熱壓接性聚醯亞胺層(S2)之熱壓接性聚醯亞胺，更具有以下特徵(2)～(5)之至少一種較為理想。
(2)金屬箔與聚醯亞胺(S2)的剝離強度為0.7N/mm以上，即令以150℃加熱處理168小時後，剝離強度的保持率亦為90%以上，甚至為95%以上，最佳為100%以上。
(3)玻璃轉化溫度為130～330℃。
(4)拉伸彈性係數為100～700Kg/mm2。
(5)線膨脹係數(50～200℃)(MD)為13～30×10-6cm/cm/℃。
熱壓接性聚醯亞胺層(S2)的熱壓接性聚醯亞胺，可選自於種種公知的熱可塑性聚醯亞胺。例如，可使用由以下成分所合成的聚醯亞胺。
該等成分包含：含有選自於2,3,3’,4’-聯苯四羧酸二酐(a-BPDA)、3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)、苯均四酸二酐(PMDA)、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)、3,3’,4,4’-二苯碸四羧酸二酐、4,4’-氧雙鄰苯二甲酸二酐(ODPA)、p-伸苯基雙(苯偏三酸單酯酐)、3,3’,4,4’-乙二醇二苯甲酸酯四羧酸二酐等之成分的酸成分，而較理想之樣態為將該等作為主成分而包含的酸成分；以及含有選自於1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]丙烷、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]碸等之至少在主鏈具有3個苯環的二胺成分，而較理想之樣態為將該等作為主成分而包含，且視需要可更包含在主鏈具有1個或2個苯環的二胺成分。
熱壓接性聚醯亞胺，尤能適用由選自於2,3,3’,4’-聯苯四羧酸二酐(a-BPDA)、3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)、苯均四酸二酐(PMDA)、及3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)的酸成分，與選自於1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、及2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷的二胺成分所合成的聚醯亞胺。該熱壓接性聚醯亞胺，視需要可包含在主鏈具有1個或2個苯環的二胺成分、或前述以外的二胺成分及酸成分。
熱壓接性聚醯亞胺，特別是由包含1,3-雙(4-胺基苯氧基苯)(以下亦有簡稱為TPER的情況)80莫耳%以上的二胺成分與3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)以及/或是2,3,3’,4’-聯苯四羧酸二酐(a-BPDA)所製造的聚醯亞胺較為理想。該情況中，s-BPDA/a-BPDA(莫耳比)為100/0～5/95較為理想。再者，在不損及熱壓接性聚醯亞胺之物性的範圍內，亦可以其他的四羧酸二酐取代，例如2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐或2,3,6,7-萘四羧酸二酐等。
熱壓接性聚醯亞胺，可如下述而予以製造。首先，令前述各成分於有機溶劑中約100℃以下，特別是20～60℃的溫度反應，且視情況而與其他四羧酸二酐及其他二胺於有機溶劑中反應，作為聚醯胺酸的溶液。然後，將該聚醯胺酸的溶液作為摻雜液使用，形成該摻雜液的膜後，加熱該膜，令溶劑自膜蒸發而去除，同時將聚醯胺酸醯亞胺環化而可製造熱壓接性聚醯亞胺。
再者，將如前述而予以製造之聚醯胺酸的溶液加熱為150～250℃，且添加醯亞胺化劑，於150℃以下，特別是15～50℃的溫度反應，將其醯亞胺環化後，令溶劑蒸發，或是於不良溶劑中析出成為粉末，之後，藉由將該粉末溶解於有機溶劑而可得到熱壓接性聚醯亞胺的有機溶劑溶液。
為了得到熱壓接性聚醯亞胺，該有機溶劑中之二胺(作為胺基的莫耳數)的使用量作為相對於酸酐之總莫耳數(作為四羧酸二酐與二羧酸酐的酸酐基之總莫耳數)的比，較理想之樣態為0.95～1.0，更理想之樣態為0.98～1.0，而最理想之樣態為0.99～1.0。使用二羧酸酐而反應時，該使用量作為相對於四羧酸二酐的酸酐基之莫耳量的比，可為0.05以下之類的比例。
熱壓接性聚醯亞胺的製造中，當得到之聚醯胺酸的分子量小時，與金屬箔之疊層體，亦即本發明之LED用散熱基板的黏接強度有下降的情況。
再者，以限制聚醯胺酸的凝膠化為目的，可於聚醯胺酸聚合時，相對於固體成分(聚合物)濃度，於0.01～1重量%的範圍內添加磷系穩定劑，例如亞磷酸三苯酯、磷酸三苯酯等。
又，以促進醯亞胺化為目的，可於摻雜液中添加鹼性有機化合物。例如，可將咪唑、2-甲基咪唑、1，2-二甲基咪唑、2-苯基咪唑、苯并咪唑、異喹啉、取代吡啶等，相對於聚醯胺酸，以0.05～10重量%，特別是0.1～2重量%的比例添加。由於以較低溫形成聚醯亞胺膜，故為了避免醯亞胺化不足而可使用該等。
再者，以黏接強度的穩定化為目的，亦可於熱壓接性聚醯亞胺用聚醯胺酸溶液添加有機鋁化合物、無機鋁化合物或有機錫化合物。例如，可將氫氧化鋁、三乙醯丙酮鋁等，相對於聚醯胺酸，以鋁金屬為1ppm以上，特別是1～1000ppm的比例添加。
在由酸成分及二胺成分製造聚醯胺酸時使用的有機溶劑，即令對於耐熱性聚醯亞胺及熱壓接性聚醯亞胺中之任一情況，亦可舉出N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、二甲亞碸、六甲基磷醯胺、N-甲基己內醯胺、甲酚類等。該等有機溶劑可單獨使用，亦可並用2種以上。
耐熱性聚醯亞胺及熱壓接性聚醯亞胺，為了包覆胺末端，可使用二羧酸酐，例如，可使用鄰苯二甲酸酐及其取代物、六氫鄰苯二甲酸酐及其取代物、琥珀酸酐及其取代物等，特別是可使用鄰苯二甲酸酐。
在耐熱性聚醯亞胺層(S1)的一面或雙面含有熱壓接性聚醯亞胺層(S2)之具有熱壓接性的聚醯亞胺膜，較理想之樣態為可藉由以下方法而得之。
(i)藉由共擠製-澆鑄製膜法(亦僅稱為共擠製法。)，將耐熱性聚醯亞胺(S1)之摻雜液與熱壓接性聚醯亞胺(S2)之摻雜液疊層為膜狀，並澆鑄於支撐體上，將其乾燥、醯亞胺化而得到多層聚醯亞胺膜的方法；或是
(ii)將耐熱性聚醯亞胺(S1)之摻雜液澆鑄塗佈於支撐體上，並在乾燥的自支撐性膜(凝膠膜)的一面或雙面塗佈熱壓接性聚醯亞胺(S2)之摻雜液，將其乾燥、醯亞胺化而得到多層聚醯亞胺膜的方法。
共擠製法，可使用記載於日本特開平3-180343號公報(日本特公平7-102661號公報)的方法。
以下表示在雙面具有熱壓接性的3層之聚醯亞胺膜的製造之一例。
將耐熱性聚醯亞胺(S1)的聚醯胺酸溶液與熱壓接性聚醯亞胺(S2)的聚醯胺酸溶液，藉由三層共擠製法，供給至三層擠製成形用模，澆鑄於不鏽鋼鏡面、皮帶面等之支撐體上，並澆鑄塗佈於支撐體面上，俾使耐熱性聚醯亞胺層(S1層)的厚度為4～45μm，其兩側之熱壓接性聚醯亞胺層(S2層)的厚度之總和為1～20μm。然後，於100～200℃將該澆鑄膜乾燥，得到作為半硬化狀態或是之前的乾燥狀態之自支撐性膜的聚醯亞胺膜(A)。
此時，在超過200℃的高溫處理澆鑄膜時，於具有熱壓接性的聚醯亞胺膜之製造中，有導致黏接性下降的傾向。該半硬化狀態或是在這之前的乾燥狀態，係指藉由加熱以及/或是化學醯亞胺化而使膜為自支撐性的狀態。
自支撐性膜的聚醯亞胺膜(A)，溶劑及生成水分較理想之樣態為殘留約25～60質量%，而最理想之樣態為30～50質量%。將該自支撐性膜升溫至乾燥‧醯亞胺化溫度之際，在較短時間內升溫較為理想，例如，以10℃/分以上的升溫速度升溫較為理想。
藉由在進行乾燥‧醯亞胺化之際，對於自支撐性膜增加施予的張力，而可將最後得到之聚醯亞胺膜(A)的線膨脹係數變小。
例如，繼續用以得到前述之自支撐性膜的乾燥步驟，連續或間斷地，在將自支撐性膜之至少一對的兩端緣與自支撐性膜同時藉由可移動的固定裝置等固定的狀態，於較該乾燥溫度高的溫度，較理想之樣態為200～550℃的範圍內，更理想之樣態為300～500℃的範圍內之高溫，進行乾燥及熱處理自支撐性膜1～100分鐘較為理想，而最理想之樣態為1～10分鐘。俾使最後得到的聚醯亞胺膜中之由有機溶劑及生成水等組成的揮發物之含量較理想之樣態為1重量%以下，充分地將溶劑等自自支撐性膜除去，同時充分地進行構成該膜之聚合物的醯亞胺化，而可形成在雙面具有熱壓接性的聚醯亞胺膜。
該自支撐性膜的固定裝置，例如，沿著連續或間斷地供給之自支撐性膜的縱向之兩側緣，設置一對以等間隔具備多個銷或是夾持裝置等之皮帶狀或鏈狀者，且與該膜之移動一起連續或間斷地移動，同時可固定該膜的裝置較為理想。再者，該自支撐性膜的固定裝置，亦可為可令熱處理中的膜於寬方向或縱向以適當的拉伸率或收縮率(最理想之樣態為0.5～5%左右的伸縮倍率)伸縮的裝置。
再者，將該步驟中製造之在雙面具有熱壓接性的聚醯亞胺膜再度於較理想之樣態為4N以下的低張力下，最理想之樣態為3N以下、或是無張力下，在100～400℃的溫度，藉由熱處理較理想之樣態為0.1～30分鐘，而可得到尺寸穩定性尤佳之在雙面具有熱壓接性的聚醯亞胺膜。
又，製造的長條之在雙面具有熱壓接性的聚醯亞胺膜，可以適當公知的方法捲取為卷狀。
此時，將聚醯亞胺膜之澆鑄的摻雜液與支撐體鄰接側的膜表面定為B面，將澆鑄的摻雜液與支撐體未鄰接側(空氣側)的膜表面定為A面。
接著，聚醯亞胺膜，特別說明使用在如前述之耐熱性聚醯亞胺層(S1)的雙面含有熱壓接性聚醯亞胺層(S2)的聚醯亞胺膜之LED用散熱基板的製造方法。
LED用散熱基板，例如，在該耐熱性聚醯亞胺(S1)的雙面，直接或透過黏接劑，將金屬箔疊層，亦即將銅箔或銅合金箔、鋁箔或鋁合金箔疊層，而可製造。
LED用散熱基板，較理想之樣態為：使用前述之在雙面含有熱壓接性聚醯亞胺層(S2)的聚醯亞胺膜，將熱壓接性聚醯亞胺層(S2)與金屬箔直接疊層，亦即與銅箔或銅合金箔、鋁箔或鋁合金箔直接疊層，而可製造。
LED用散熱基板，根據剝離強度的觀點，更理想之樣態為：使用前述之在雙面含有熱壓接性聚醯亞胺層(S2)的聚醯亞胺膜，在熱壓接性聚醯亞胺層(S2)的膜表面(A面側)直接疊層銅箔或銅合金箔，並於熱壓接性聚醯亞胺層(S2)的膜表面(B面側)直接疊層鋁箔或鋁合金箔而製造。
作為在具有熱壓接性的聚醯亞胺膜之雙面疊層金屬箔之LED用散熱基板的製造方法之一例，可舉出以下方法。詳言之：
1)將長條狀的金屬箔(銅箔或銅合金箔)、長條狀之具有熱壓接性的聚醯亞胺膜、長條狀的金屬箔(鋁箔或鋁合金箔)依照該順序重疊3片，並送至加熱壓接裝置(加熱加壓裝置)。此時，使用熱風供給裝置或紅外線加熱機等之預熱器，較理想之樣態為在緊接於導入前的沿線，於150～250℃左右，特別是高於150℃且為250℃以下的溫度，預熱2～120秒鐘左右較為理想。
2)使用一對的壓接滾軋或雙帶擠壓，在該加熱壓接區域的溫度為較聚醯亞胺(S2)的玻璃轉化溫度高20℃以上之溫度至400℃的溫度範圍，特別是在較聚醯亞胺(S2)的玻璃轉化溫度高30℃以上之溫度至400℃的溫度範圍，將金屬箔/聚醯亞胺/金屬箔之3片重疊於加壓下熱壓接。
3)特別是在雙帶擠壓時，陸續於冷卻區域在加壓下冷卻，較理想之樣態為冷卻至較聚醯亞胺(S2)之玻璃轉化溫度低20℃以上的溫度，特別是冷卻至低30℃以上的溫度，在聚醯亞胺膜的雙面疊層金屬箔，將其捲取為卷狀。
根據前述而可製造卷狀的LED用散熱基板。
該製造方法中，藉由於熱壓接前預熱，而防止因為包含於聚醯亞胺的水分等、熱壓接後之疊層體的發泡之外觀不佳的產生，並可防止電子電路形成時之焊接浴浸漬時之發泡，且根據其而可防止產品產率之惡化。再者，將熱壓接裝置整體設置於爐中的方法亦可考慮，但由於熱壓接裝置被實質限定於如小型之類者，LED用散熱基板的形狀受到限制，故並不實用。又，即令在外形進行預熱處理，至疊層之前聚醯亞胺亦再度吸濕，而難於避免因熱壓接後的疊層體之發泡產生的外觀不佳、焊接耐熱性之下降。
雙帶擠壓，係為可在加壓下進行高溫加熱-冷卻者，而使用加熱介質的液壓式者較為理想。
將在雙面具有熱壓接性的聚醯亞胺膜與金屬箔，使用雙帶擠壓，藉由於加壓下熱壓接-冷卻並疊層，而可適當地將收取速度定為1m/分以上，並且，可得到長條且寬為約400mm以上，特別是約500mm以上之寬廣之接合強度大，而且在金屬箔表面不會有皺褶之外觀良好的金屬箔疊層聚醯亞胺膜(LED用散熱基板)。
為了量產產品外觀良好的LED用散熱基板，供給熱壓接性聚醯亞胺膜與金屬箔之組合1組以上，同時在最外層的兩側與皮帶之間插入保護材(亦即保護材2片)，在加壓下熱壓接-冷卻而疊層較為理想。保護材，只要是非熱壓接性且表面平滑性良好者即可，不論材質均可使用，例如，金屬箔，且尤可舉出銅箔、不鏽鋼箔、鋁箔、高耐熱性聚醯亞胺膜(宇部興產股份有限公司製、UPILEX S)等之厚度5～125μm左右者。
如前述而得到的LED用散熱基板，依照公知的方法，藉由蝕刻而部分地去除銅箔或銅合金箔，形成金屬配線，並於形成金屬配線側安裝LED晶片。本發明的LED用散熱基板，散熱性佳，即令在LED照明裝置、LED背光用、基板搭載很多的LED，亦可抑制LED之溫度上昇、發光效率之下降。
[實施例]
以下根據實施例而更詳細地說明本發明，但本發明並非限定於該等實施例。
(評價方法)
(1)剝離強度：依據JIS‧C5016，以90°、寬5mm的條件測定聚醯亞胺膜與鋁箔之間的剝離強度。測定試料，係使用剝除銅箔之聚醯亞胺/鋁箔的疊層體。剝離強度之測定，係實施無任何處理的初期、濕熱處理後(85℃‧85%Rh‧1000小時後)、以及焊接耐熱260℃‧30秒處理後之3項。
(2)焊接耐熱性：依據JIS‧C6481實施。測定試料，係使用將銅箔蝕刻去除之聚醯亞胺/鋁箔的疊層體。焊接耐熱性之評價，以250℃或270℃、30秒鐘的條件實施，耐熱處理後藉由目視而觀察疊層體的聚醯亞胺膜側有無發泡。
○：無發泡，×：有發泡。
(3)彎曲加工性：測定試料，係使用銅箔/聚醯亞胺/鋁箔的疊層體。將疊層體折疊成外徑約1.0mm、內徑約0.6mm。之後，還原折疊部分，以目視觀察鋁箔的折疊部有無產生裂縫。折疊，係實施銅箔面成為外側的情況與銅箔面成為內側的情況之兩種類。
○：無裂縫，×：有裂縫。
(參考例1：耐熱性聚醯亞胺S1用摻雜液之製造)
在N-甲基-2-吡咯啶酮中將對苯二胺(PPD)與3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)以1000：998莫耳比加入，俾使單體濃度成為18%(重量%、以下相同)，於50℃反應3小時。得到的聚醯胺酸溶液之25℃之溶液黏度，約1680泊(黏度單位)。
(參考例2：熱壓接性聚醯亞胺S2用摻雜液之製造)
在N-甲基-2-吡咯啶酮中將1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯(TPE-R)與2,3,3’,4’-聯苯四羧酸二酐(a-BPDA)及3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)以1000：200：800的莫耳比加入，俾使單體濃度成為18%，並且相對於單體重量，加入三苯基磷酸酯0.5重量%，於40℃反應3小時。得到的聚醯胺酸溶液之25℃之溶液黏度，約1680泊。
(參考例3、4：熱壓接性多層聚醯亞胺膜A1、A2之製造)
使用設有三層擠製成形用模(多歧管型模)的製膜裝置，改變三層擠製模之厚度，將以參考例1及參考例2得到的聚醯胺酸溶液澆鑄於金屬製支撐體上，以140℃的熱風連續地乾燥後，剝離而形成自支撐性膜。將自該支撐體剝離的自支撐性膜，以加熱爐自150℃緩慢地升溫至450℃為止，並進行溶劑之去除、醯亞胺化，製造厚度不同的2種類之長條狀的三層聚醯亞胺膜，將其捲取為卷狀。
評價得到的三層聚醯亞胺膜(層構成：S2/S1/S2)之特性的結果係示於此。
(熱壓接性多層聚醯亞胺膜A1)
‧厚度構成：2.5μm/7.5μm/2.5μm(合計12.5μm)。
‧S2層的玻璃轉化溫度：240℃。
‧S1層的玻璃轉化溫度：在300℃以上，無法確認明確的溫度。
‧線膨脹係數(50～200℃)：MD19ppm/℃，TD18ppm/℃。
‧機械特性(測試方法：ASTM‧D882)
1)抗拉強度：MD,TD各520MPa、
2)拉伸率：MD,TD各90%、
3)拉伸彈性係數：MD,TD各7200MPa。
‧電特性(測試方法：ASTM‧D149)
1)崩潰電壓(breakdownvoltage)：4.9kV。
(熱壓接性多層聚醯亞胺膜A2)
‧厚度構成：4μm/17μm/4μm(合計25μm)。
‧S2層的玻璃轉化溫度：240℃。
‧S1層的玻璃轉化溫度：在300℃以上，無法確認明確的溫度。
‧線膨脹係數(50～200℃)：MD19ppm/℃，TD18ppm/℃。
‧機械特性(測試方法：ASTM‧D882)
1)抗拉強度：MD,TD各520MPa、
2)拉伸率：MD,TD各100%、
3)拉伸彈性係數：MD,TD各7200MPa。
‧電特性(測試方法：ASTM‧D149)
1)崩潰電壓：7.1kV。
該熱壓接性多層聚醯亞胺膜(A1、A2)為厚度12.5μm與25μm，較習知用於一般的LED用散熱基板之環氧樹脂膜(厚度：1.2mm)更薄，但電絕緣性係為相同。
以下的實施例中，係於聚醯亞胺膜的A面側疊層銅箔，並於聚醯亞胺膜的B面側疊層鋁箔。
鋁箔，為了去除附著於表面的油分，係使用以有機溶劑處理者。
(實施例1～3)
(LED用散熱基板之製造)
在緊接於雙帶擠壓前之沿線(in-line)以200℃的熱風加熱30秒鐘而預熱的3層聚醯亞胺膜A2之一面(A面)疊層電解銅箔(厚度：18μm、Rz=0.6μm)，並於相反側的面(B面)疊層如表1所示之無處理或經表面處理的Al-Mg合金箔(Furukawa-SkyAluminumCorp.製，A5052-H34、厚度：300μm)，且將該聚醯亞胺膜A2送至加熱區域(最高加熱溫度：330℃)，接著送至冷卻區域(最低冷卻溫度：180℃)，在壓接壓力：3.9MPa、壓接時間2分鐘，連續地熱壓接-冷卻而疊層，製造LED用散熱基板(寬：540mm、長：30m)，並捲取為卷狀。表2表示評價得到之LED用散熱基板的剝離強度、焊接耐熱性及彎曲加工性的結果。焊接耐熱性的評價係於250℃實施。
(實施例4～5)
(LED用散熱基板之製造)
在緊接於雙帶擠壓前之沿線以200℃的熱風加熱30秒鐘而預熱的3層聚醯亞胺膜之一面(A面)疊層壓延銅箔(厚度：35μm、粗糙化等級、Rz=1.2μm)，並於相反側的面(B面)疊層無處理的Al-Mg合金箔(Furukawa-SkyAluminumCorp.製，A5052-H34、厚度：300μm)，且將該聚醯亞胺膜送至加熱區域(最高加熱溫度：330℃)，接著送至冷卻區域(最低冷卻溫度：180℃)，在壓接壓力：3.9MPa、壓接時間2分鐘，連續地熱壓接-冷卻而疊層，製造LED用散熱基板(寬：540mm、長：30m)，並捲取為卷狀。表3表示評價得到之LED用散熱基板的剝離強度、焊接耐熱性及彎曲加工性的結果。焊接耐熱性的評價係於250℃與270℃實施。
(熱阻之評價)
藉由如下述的方法，評價以實施例4及實施例5製造之LED用散熱基板的熱阻。
首先，將製造的LED用散熱基板切割成1cm×1.5cm的尺寸。接著，在具有10cm×10cm之面積之銅製的水冷板與LED用散熱基板之鋁箔側塗佈很薄的熱傳導性潤滑脂，將兩者貼附。之後，在LED用散熱基板之銅箔側與一邊之側面為1cm×1.5cm的電晶體(2SC3258)塗佈很薄的熱傳導性潤滑脂，並將兩者貼附。為了測定電晶體與LED用散熱基板之界面的電晶體側之最表面的溫度Th、及水冷板與LED用散熱基板之銅箔的接觸部之水冷板側之最表面的溫度Tl，預先在電晶體與水冷板之表面設置用以插入細熱電偶的溝。
使用如前述而予以製造的LED用散熱基板，並安裝電晶體/銅箔/聚醯亞胺膜/Al-Mg合金箔/水冷板與細熱電偶。
接著，在電晶體施加5～35W的電力P，等待熱電偶之指示穩定，測定Th、Tl。
熱阻Rth係由下述式算出。
Rth=(Th-Tl)/P-2×Rg
在此之Rg為熱傳導性潤滑脂1層分的熱阻(0.35℃/W)。
如前述而求得以實施例4製造的LED散熱基板之熱阻為0.22℃/W，且為非常良好的熱阻。再者，求得以實施例5製造的LED散熱基板之熱阻為0.58℃/W，且為良好的熱阻。
(實施例6)
(LED用散熱基板之製造)
在緊接於雙帶擠壓前之沿線以200℃的熱風加熱30秒鐘而預熱的3層聚醯亞胺膜A1之一面疊層電解銅箔(厚度：18μm)，並於相反側的面疊層Al-Mg合金箔(Furukawa-SkyAluminum Corp.製，JIS5052-H32(A5052-H32)、厚度：300μm)，且將該聚醯亞胺膜A1送至加熱區域(最高加熱溫度：330℃)，接著送至冷卻區域(最低冷卻溫度：180℃)，在壓接壓力：3.9MPa、壓接時間2分鐘，連續地熱壓接-冷卻而疊層，製造LED用散熱基板(寬：540mm、長：30m)，並捲取為卷狀。得到的LED用散熱基板為銅箔/聚醯亞胺膜A1/Al-Mg合金箔的雙面金屬箔疊層體，且相對於習知一般的LED用散熱基板不可折疊，可折疊並具有良好的撓曲特性。
(熱阻之評價)
藉由與實施例4相同的方法而評價以實施例6製造之LED用散熱基板的熱阻。熱阻為0.24℃/W，且為良好的熱阻。
[產業上利用性]
如前述，根據本發明，可得到可三維加工的LED用散熱基板，具有優異的散熱性及耐電壓性，很薄，而且具有良好的撓曲特性，例如朝內側折疊，朝外側折疊。

Claims (4)

  1. 一種LED用散熱基板，在聚醯亞胺膜的一面疊層銅箔或銅合金箔，並於相反側的面疊層鋁箔或鋁合金箔，其特徵在於：於1cm×1.5cm尺寸下所測定之銅箔或銅合金箔的表面與鋁箔或鋁合金箔的表面之間的熱阻為1.8℃/W以下，該鋁箔或鋁合金箔未經陽極氧化處理(氧化鋁膜處理)；該聚醯亞胺膜之與銅箔或銅合金箔之接合面、以及與鋁箔或鋁合金箔之接合面，為熱壓接性的聚醯亞胺層，且將銅箔或銅合金箔及鋁箔或鋁合金箔直接疊層於聚醯亞胺膜，且該聚醯亞胺膜為在耐熱性的聚醯亞胺層之雙面疊層熱壓接性的聚醯亞胺層者。
  2. 如申請專利範圍第1項之LED用散熱基板，其中，該聚醯亞胺膜的厚度為3~25μm。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之LED用散熱基板，其中，該銅箔或銅合金箔的厚度為9~200μm，該鋁箔或鋁合金箔的厚度200μm~1mm。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之LED用散熱基板，其中，該聚醯亞胺膜、該銅箔或銅合金箔、該鋁箔或鋁合金箔係藉由加壓加熱成形裝置而貼合。
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