TWI588021B - 工作件之貼附方法以及工作件之貼附裝置 - Google Patents

工作件之貼附方法以及工作件之貼附裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI588021B
TWI588021B TW101140634A TW101140634A TWI588021B TW I588021 B TWI588021 B TW I588021B TW 101140634 A TW101140634 A TW 101140634A TW 101140634 A TW101140634 A TW 101140634A TW I588021 B TWI588021 B TW I588021B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pressing
plate
work piece
head
temperature
Prior art date
Application number
TW101140634A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201323214A (zh
Inventor
小布施敦史
寺澤光子
Original Assignee
不二越機械工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 不二越機械工業股份有限公司 filed Critical 不二越機械工業股份有限公司
Publication of TW201323214A publication Critical patent/TW201323214A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI588021B publication Critical patent/TWI588021B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B30—PRESSES
    • B30B—PRESSES IN GENERAL
    • B30B15/00—Details of, or accessories for, presses; Auxiliary measures in connection with pressing
    • B30B15/34—Heating or cooling presses or parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

工作件之貼附方法以及工作件之貼附裝置
本發明係關於一種將工作件貼附於一板盤之方法，該工作件將會設置於一研磨裝置並受到該研磨裝置研磨，以及一種實行該方法之工作件貼附裝置。
當對工作件(例如：矽晶片)的一面進行研磨時，會將預定數目的工作件貼附於一板盤，該板盤係以將要研磨之工作件表面面對一研磨板之研磨布之形態被設置於一研磨裝置，使該研磨板轉動，並供給漿料，以便研磨各工作件之表面。
日本專利特許公開申請案第5-82493號係揭示一種將數件工作件貼附於一板盤之習知技術。
在此技術中，一包含加熱器之加熱桌被預先加熱到一預定溫度，接著將一板盤裝載到該加熱桌以便加熱該板盤。
然後，將一黏合劑施加於將要貼附工作件之板盤的預定部分。
將各工作件分別裝載到黏合劑已經熔化之上述預定部分。
然後，該已經以黏合劑設置工作件之板盤，被裝載到一鄰近該加熱桌且包含一冷卻機構之押壓桌。
一設置於該押壓桌上方且能夠上下移動之押壓 頭，向下移動在該押壓頭和押壓桌之間押壓該工作件和板盤，以便使該工作件被押壓至該板盤上並且使黏合劑散佈。另外，將冷卻水供給該押壓桌之冷卻機構，以便冷卻該板盤和黏合劑，使得黏合劑固化，而使該工作件貼附於該板盤。
在上述日本專利特許公開申請案第5-82493號之習知技術中，預定數目之工作件經由使用黏合劑而被設置於一板盤，該工作件和板盤被押壓在該押壓頭和押壓桌之間，以便同一時間將該工作件貼附於該板盤。
預先調整該押壓頭之一加壓面，使其與該押壓桌平行。
然而，揭示於該日本專利特許公開申請案第5-82493號之技術有以下缺點。
亦即，在籌備階段中將要研磨的各工作件的厚度並非恆定。當透過押壓頭使各工作件同時被押壓到板盤之表面，其中該押壓頭的加壓面與該板盤的表面(押壓桌之表面)之間的間隙是恆定的。在貼附厚的工作件的情況，突出工作件之黏合劑的量會增多，因此將會以薄的黏合劑層貼附該工作件。另一方面，在貼附薄的工作件的情況，突出之黏合劑的量減少，因此將會以厚的黏合劑層貼附該工作件。如果透過一研磨裝置研磨該工作件，在上述狀態下，將無法解決研磨工作件之厚度不一致的問題。
舉例而言，當有氮化物半導體層形成(例如：氮化鎵(GaN))之藍寶石基板被當作工作件貼附時，如果是厚的藍寶石基板，例如大約900微米(μm)，此厚度經過研磨而大大減少，直到達到，例如，大約100微米。若一藍寶石基板具有900微米的厚度，另一個藍寶石基板，具有920微米的厚度，經過研磨減少變為800微米，其中一藍寶石基板的厚度經過研磨變成100微米，而另一藍寶石基板的厚度經過研磨變成120微米。因此，無法解決工作件厚度差異的問題，還會增加差異。
將經過磊晶成長之氮化物半導體層(例如：氮化鎵(GaN))所產生之工作件貼附於藍寶石基板，其中各工作件係由兩個具有不同熱膨脹係數的層構成，因此該工作件很容易向藍寶石基板側彎曲。經由透過該押壓頭押壓藍寶石基板，可以消彌彎曲的問題。然而，如果藍寶石基板的厚度並不恆定，對於各藍寶石基板消除彎曲的程度將有所不同。此外，要完全消除薄的寶石基板的彎曲並不容易。
因此，本發明之一目的在提供一種貼附工作件之方法及一種能夠解決上述習知技術問題之工作件貼附裝置。亦即，藉由本發明之貼附工作件方法及裝置，各工作件將具有相同厚度。
為了達成上述目的，本發明具有以下結構。
即，以一工作件貼附裝置實行本發明之方法，其中之裝置包括：一押壓桌；及數個設置於該押壓桌上方且能夠單獨移動靠近和遠離該押壓桌之押壓頭。
該押壓桌和押壓頭以一黏合劑將工作件押壓及貼附於一板盤，且該方法包括以下步驟：經由各押壓頭以恆壓將一工作件押壓至該板盤，並將該工作件貼附於該板盤上。
較佳情況下，該方法包括以下步驟：將該已加熱至預定溫度之板盤傳送至該押壓桌，或加熱該押壓桌上之板盤直到達到預定溫度；將黏合劑施加於以預定溫度加熱之板盤上；設置該工作件至加熱、熔化之黏合劑上；移動各押壓頭朝該押壓桌移動，在恆壓、規定時間下將一工作件押壓於該板盤上；在該工作件受到該押壓頭押壓的狀態下經由冷卻與固化該黏合劑將該工作件貼附在該板盤；及將各已貼附工作件之押壓頭移離該押壓桌，以便由該押壓桌取出該板盤。
另一個方法係以一工作件貼附裝置實行，該裝置包括：一包含一加熱機構和一冷卻機構之押壓桌；及數個設置於該押壓桌上方且能夠單獨移動靠近和遠離該押壓桌之押壓頭， 該押壓桌和該押壓頭以一黏合劑將工作件押壓及貼附於一板盤，且該方法包括以下步驟：將該已加熱至預定溫度之板盤傳送至該押壓桌，或加熱該押壓桌上之板盤直到達到預定溫度；將黏合劑施加於該加熱到預定溫度之板盤之一預定部分；將該工作件設置於加熱、熔化之黏合劑上；將該押壓頭加熱到預定溫度；朝該押壓桌移動各押壓頭，以便以預定時間、恆壓押壓一工作件至該板盤；在該工作件受到該押壓頭押壓的狀態下經由以該冷卻機構冷卻該押壓桌和該板盤及固化該黏合劑將該工作件貼附在該板盤；及將各押壓頭移離該押壓桌，以便將該已貼附工作件之板盤由該押壓桌取出。
較佳情況下，在貼附工作件之步驟中，並偵測該押壓頭之溫度，及在確定該押壓頭之溫度低於預定溫度時，停止該押壓頭之押壓動作。
較佳情況下，使該板盤在一包含一加熱器且與該押壓桌分離之加熱桌上預先加熱，且使該已加熱之板盤傳送到該押壓桌。
該押壓頭可接觸到該押壓桌，以便該押壓頭加熱 到預定溫度。
各押壓頭可經由一內置加熱器加熱，直到達到預定溫度。
各押壓頭可相對於一球軸承旋轉，且各押壓頭旋轉而跟隨該板盤之表面，以便押壓該工作件。
可以將其上形成一氮化物半導體層之藍寶石基板，以該氮化物半導體層面對該板盤的形式貼附於該板盤作為工作件。
本發明之工作件貼附裝置包括：一押壓桌；及數個押壓頭，係設置於該押壓桌上方，且能夠單獨移動靠近和遠離該押壓桌，其中該押壓桌和該押壓頭係以一黏合劑將工作件押壓及貼附於一板盤，且各押壓頭以一恆壓將一工作件押壓至該板盤。
較佳情況下，該押壓頭係連接一常見的空氣供應源，以至工作件可以經由恆壓被押壓到該板盤上。
較佳情況下，該押壓桌包含一加熱機構和一冷卻機構，且將該押壓桌和押壓頭加熱，使工作件押壓至已施加、塗佈黏合劑之板盤，接著經由冷卻機構將該押壓桌和板盤冷卻，以便固化該黏合劑並使工作件貼附於該板盤。
較佳情況下，該工作件貼附裝置又包括一用以偵測該押壓頭之溫度的溫度偵測件，該溫度偵測件偵測該押壓頭之溫度，同時冷卻該押壓桌以固化該黏合劑，且在確定該押壓頭之溫度低於預定溫度時，停止該押壓頭之押壓動作。
較佳情況下，該溫度偵測件係偵測位於接近押壓工作件之一加壓面之部分押壓頭的溫度。
較佳情況下，該押壓頭接觸到該押壓桌，以便將押壓頭加熱到預定溫度。
較佳情況下，各押壓頭包含一加熱機構和一冷卻機構，以便各押壓頭經由自身的加熱和冷卻機構加熱和冷卻。
較佳情況下，該工作件貼附裝置又包括一加熱桌，係包含一加熱器並與該押壓桌分離，該板盤在該加熱桌上預先加熱，接著被加熱之板盤被傳送到該押壓桌。
較佳情況下，該冷卻機構係內嵌於部分的押壓桌中，位於靠近裝設有板盤之表面。
較佳情況下，該工作件之貼附裝置又包括一溫度偵測件，係用以偵測裝設於該加熱桌、押壓桌之板盤的溫度。
藉由本發明，該押壓頭可以相同壓力獨立押壓工作件。即使工作件的厚度各不相同，多餘的黏合劑可 以突出工作件，在貼附工作件時，黏合劑層可以具有均勻的厚度。因此，工作件可經過研磨而具有相同的厚度。
茲將參照附加圖示詳細說明本發明之各較佳具體實施例。
以一工作件貼附裝置實行本發明方法，該裝置包括：一押壓桌；及數個設置於該押壓桌上方且能夠單獨移動靠近和遠離該押壓桌之押壓頭。該押壓桌和押壓頭用一黏合劑將工作件押壓及貼附於一板盤。所述方法之特徵在於，各押壓頭以恆壓將一工作件押壓及貼附於該板盤。
在此方法中，該已預先加熱到一預定溫度之板盤被傳送到該押壓桌，或者該板盤被傳送到該押壓桌然後在該押壓桌上被加熱到預定溫度。
將黏合劑施加於該已加熱到預定溫度之板盤之預定部分。
將該工作件設置於加熱、熔化之黏合劑上。
朝該押壓桌移動各押壓頭，以便以預定時間、恆壓將相對應的工作件押壓至該板盤。
然後，在該工作件受到該押壓頭押壓的狀態下經由冷卻與固化該黏合劑將該工作件貼附在該板盤上。
接著，從該押壓桌將各押壓頭移離，以便從該押 壓桌將已貼附工作件之板盤取出。經由實行上述步驟，即完成貼附工作件的操作。
實行上述方法之工作件貼附裝置包括：一押壓桌；及數個設置於該押壓桌上方且能夠單獨移動靠近和遠離該押壓桌之押壓頭。該押壓桌和該押壓頭係以一黏合劑將工作件押壓及貼附於一板盤，且各押壓頭係以恆壓將工作件押壓至該板盤。茲將詳細說明此工作件之貼附裝置。
在本發明之一具體實施例，係將數件工作件貼附於一板盤，該押壓頭的數目等同於該工作件之數目，各押壓頭係各自押壓相對應的工作件。各押壓頭分別以恆壓將各工作件押壓至該板盤，以便使各工作件貼附於該板盤。經由該押壓頭以恆壓各自將工作件押壓至該板盤，多餘的黏合劑可以突出該工作件，在貼附工作件時，各黏合劑層可以有均勻的厚度。亦即，即使工作件的厚度各不相同，用於工作件之各黏合劑層可具有均勻一致的厚度。
然而，如果工作件的厚度各有不同，從該板盤貼附工作件之高度必定有所差異。
然而，當已貼附工作件之板盤被裝載在一研磨裝置之研磨板上，在該工作件面對一研磨布之狀態下研磨該工作件，即有愈多的工作件被研磨地更多。因此，最後經過研磨之各工作件皆有一致的水平。
當貼附彎曲的工作件(例如：藍寶石基板)，各藍 寶石基板分別以恆壓受到各押壓頭押壓，以至其翹曲可以獲得一致的矯正。藉由以更正狀態研磨各藍寶石基板。即使該藍寶石基板之厚度各不相同，如上所述，各藍寶石基板所研磨的量亦不盡相同。因此，最終該藍寶石基板之厚度和翹曲矯正可以保持一致。
順便一提，已知有各式各樣的黏合劑。一般使用加熱熔解及冷卻固化的臘來作為黏合劑。
在使用臘作為黏合劑之情況，需要加熱臘的步驟及冷卻臘的步驟。
可以進行如日本專利特許公開申請案第5-82493號所述對於臘(黏合劑)之加熱和冷卻。
即，一包含一加熱器之加熱桌被加熱到一預定溫度，接著所述板盤被傳送到該加熱桌，以便加熱該板盤。
然後，將黏合劑施加於該受熱且將貼附工作件之板盤的預定部分。
該工作件分別被設置於加熱、熔化之黏合劑上。
已裝載工作件之板盤被傳送到鄰近該加熱桌並包含一冷卻機構之押壓桌。
設置在該押壓桌上方之各押壓頭，能夠各自上下移動，且朝該押壓桌移動，以便將對應之一工作件押壓至介於該押壓頭和押壓桌之間的板盤上。藉由此動作，即可塗佈該黏合劑。同時，將冷卻水供給該押壓桌之冷卻機構，以便冷卻該板盤和黏合劑。因此，將 會固化黏合劑，可使工作件貼附於該板盤上。
在上述方法中，已在加熱桌加熱之板盤被傳送到押壓桌，該板盤的熱能亦被傳導到該押壓桌。當該押壓頭接觸到該工作件，熱能亦被傳導到該押壓頭。另外，冷卻水在此狀態下供給到該押壓桌以至降低該黏合劑之溫度。因此，當使用某些黏合劑時，黏合劑有可能在散佈之前固化，使得各黏合劑層之厚度改變。
茲將詳細說明能夠解決上述問題之貼附工作件的方法及該工作件之貼附裝置。
第1圖為該工作件貼附裝置之前視圖，第2圖為押壓桌18之局部剖視圖，第3圖為板盤22之平面圖。
在第1圖中，第一階段12包含一加熱桌14，分別包含該押壓桌18之第二階段16a、16b，係鄰近第一階段12。
加熱桌14包含一第一加熱器(圖中未顯示)，且藉由支撐構件21被水平固定於一框架20。將要貼附該工作件23之板盤22被傳送到該加熱桌14。
一定位圓筒24係設置於該加熱桌14下方，並具有三個與一桿件連接之定位銷25(第1圖係顯示二個定位銷)。該等定位銷25係垂直穿過在該加熱桌14形成之各貫通孔26，並且可以突出和縮入該加熱桌14之上表面。該板盤22具有三個分別與各定位銷25(見第3圖)對應之貫通孔。
在此具體實施例，係手動將該板盤22設定於該加 熱桌14。該板盤22係以該定位銷25被插入該貫通孔27之狀態被設定於該加熱桌14，以便該板盤22可以正確地定位於該加熱桌14。在該板盤22上形成指示工作件23貼附位置的記號。在此具體實施例，如第3圖所示，分別沿著各工作件23之外邊緣形成之圓形槽23a係形成作為所述記號。藉由將各工作件23放至圓形槽23a圈住之區域，可將各工作件23正確的定位於該板盤22上。當貼附各工作件23，突出該工作件23之多餘黏合劑會流入該圓形槽23a。
一用以偵測經由該第一加熱器加熱之加熱桌14溫度的溫度偵測件(圖中未顯示)，係設置於該加熱桌14。該第一加熱器係受到一控制件45之控制，以便將該溫度偵測件偵測之溫度維持在一預定溫度範圍內。
一紅外線溫度感測器(溫度偵測件)28係設置於該加熱桌14上方。該紅外線溫度感測器28係偵測設於該加熱桌14上之板盤22表面的溫度。
第二階段16a、16b之各押壓桌18係經由該支撐構件30被水平支撐於框架。如第2圖所示，各押壓桌18包含一第二加熱器31和一冷卻機構32，冷卻水係供給到該冷卻機構32。一個能循環該冷卻水之外罩32a，係比第二加熱器31更接近該押壓桌18之表面，使得該押壓桌18上之板盤22得以迅速冷卻。
第1圖係顯示一用於冷卻該冷卻水之冷卻機構之電路。已調整過溫度之冷卻水經由連接端口36被供 給到一水箱(圖中未顯示)並且儲存於該水箱。圖號37代表冷卻水之一向外電路；圖號38代表冷卻水之一返回電路。冷卻水通過該押壓桌18之外罩32a，然後由一排出口39排出。需注意的是，電路中的冷卻水可以經由打開一個閥(圖中未顯示)透過漏極電路40排出。
各包含該定位圓筒24和三個定位銷25之定位機構，分別設置於第二階段16a、16b，以便正確定位由該加14以及第一階段12傳送之板盤22。
各押壓桌18包含一溫度偵測件(圖中未顯示)，用已偵測受到第二加熱器31加熱之押壓桌18的溫度。該第二加熱器31受到該控制件45之控制，以便將經由該溫度偵測件偵測之溫度維持在一預定溫度範圍內。
數個押壓頭42係設置於各押壓桌18之上方，並且可各自上下移動(移近和移離該押壓桌18)。三個押壓頭42係為第二階段16a所設置；五個押壓頭42係第二階段16b所設置(第1圖係顯示其中三個)。在第二階段16a，三件比較大的工作件23被貼附於一板盤22。另一方面，在第二階段16b，五個比較小的工作件23亦貼附於一板盤22。
各押壓頭42被分別附加於氣缸單元(驅動件)44之桿件下端，其係由框架20所支撐，並且得以上下移動。各押壓頭42可以一加壓面與該押壓桌18平行配置之形態固定於該桿件之下端。另外，各押壓頭42可以相對於一設置於該桿件下端之球軸承(圖中未顯示) 旋轉，以跟隨該押壓桌18之傾斜表面(要被押壓之工作件23表面)。需注意的是，舉例而言，也許可使用一用以偵測一個押壓力之壓力分佈的片狀觸覺感測器或壓敏紙(圖中未顯示)，以調整該押壓頭42之傾斜角度，因此該押壓頭42之加壓面可以變成與該押壓桌18之表面平行。
板盤22在該加熱桌14上經過加熱，將黏合劑施加於經過預定溫度加熱之板盤22的預定部分，接著將工作件23設置於加熱、熔化之黏合劑上，然後以恆壓(押壓力)將該板盤22上的工作件23押壓於該押壓頭42和押壓桌18之間。
為了由該押壓頭42以恆壓押壓該工作件23，該氣缸單元44之上腔體係連接一常見的空氣供應源(圖中未顯示)。另外，該氣缸單元44之上腔體也許藉由一調節器(圖中未顯示)連接一單獨的空氣壓力源，以便該調節器產生相同壓力。
各押壓頭42包含一溫度偵測部46，例如電熱偶。該熱電偶46之下端延伸到該押壓頭42之下部(該部分靠近押壓工作件23之加壓面)，以便偵測該押壓頭42下部的溫度。
該工作件之貼附裝置10具有上述結構。
茲將說明使用所述工作件貼附裝置10來進行此具體實施例的方法。
在第一階段12中，加熱桌14經由第一加熱器已經 預先加熱至預定溫度(例如：攝氏120-125度)。該加熱桌14之溫度係經由該溫度偵測件偵測，並維持在所預定之溫度範圍內。
然後，藉由該定位銷25，將該板盤22定位於已以預定溫度加熱之加熱桌14。此具體實施例係手動傳送該板盤22，並將該板盤22設置於加熱桌14。經由從該加熱桌14傳導的熱將該板盤22加熱到一預定溫度(例如：攝氏110度)。可經由該紅外線溫度感測器28偵測該板盤22之溫度。
當該板盤22之溫度達到預定溫度，規定量的黏合劑被施加到該板盤22的規定部分(工作件貼附部分)。可手動或由一供給裝置自動施加黏合劑。由於該板盤22已經預先以預定溫度加熱，所施加的黏合劑會被熔化。
在各第二階段16a、16b，係開啟第二加熱器31，以便將該押壓桌18加熱到預定溫度(例如：攝氏120~125度)。該押壓桌18之溫度係經由該溫度偵測件偵測，並且維持在所預定的溫度範圍內。需注意的是，已經停止將冷卻水供給該冷卻機構32，以便該冷卻水亦受到加熱。經由將該冷卻水加熱，熱亦從冷卻水傳導，因此可以均勻地加熱該押壓桌18。
在此操作中，各押壓頭42係向下移動直到接觸該押壓桌18，以便經由熱傳導使該押壓頭42加熱到一預定溫度(例如：攝氏110度)。該押壓頭42的溫度可 藉由熱電偶46偵測。
當押壓頭42之溫度達到預定溫度，該壓押頭42係向上移離該押壓桌18，接著，已在該加熱捉14加熱且裝載工作件23之板盤22，被傳送並設置於該押壓桌18上。
其後，朝該押壓桌18向下移動該押壓頭42，在規定時間內(例如：1分鐘)使該板盤22和工作件23被押壓於該已在預定溫度加熱之押壓頭42和該押壓桌18之間。由於該工作件23受到在預定溫度之押壓頭42和押壓桌18押壓，該黏合劑被充分以均勻厚度形式地散佈。尤其，在此具體實施例，該押壓頭42如上所述以恆壓單獨押壓該工作件23。即使該工作件23的厚度各不相同，多餘的黏合劑經由押壓該工作件23而突出該工作件23。因此，可使黏合劑層的厚度一致。
如上所述，即使工作件23之厚度不同，可藉由厚度一致之黏合劑層貼附該工作件23。因此，如上所述，可研磨該工作件使其具有相同厚度。需注意的是，在各押壓頭42可相對一球軸承旋轉之情況，而依循該押壓桌18傾斜的表面(要被押壓之工作件23的表面)，即使各工作件23形成時呈錐狀，並具有不同厚度，可藉由使工作件23之下表面與該板盤22之表面平行，使用厚度一致之黏合劑層貼附該工作件23，使得該工作件23可以被研磨均勻。
在該押壓頭42以預定時間押壓該工作件23後，關 掉第二加熱器31，將冷卻水供給該冷卻機構32以冷卻該押壓桌18。另外，經由熱傳導使該板盤22和押壓頭42冷卻。經由此冷卻步驟，黏合劑固化，且該工作件23被貼附於該板盤22上。
在冷卻步驟中，經由該熱電偶46偵測該押壓頭42之溫度。當偵測到之各押壓頭42的溫度降至預定溫度(例如：攝氏35度)，將該押壓頭42向上移動以便將已完全貼附該工作件23之板盤22從該押壓桌18取出。
使用該押壓頭42押壓該工作件23可以只依據押壓時間進行控制。然而，當如上述般使該押壓頭42的溫度降至預定溫度，經由偵測該押壓頭42之溫度及完成押壓步驟，可確保黏合劑固化。亦即，當距離該押壓桌18最遠之押壓頭42的溫度降到該預定溫度，即停止該押壓頭42之押壓動作，以便確保黏合劑固化。
需注意的是，該加熱桌14、板盤22、押壓桌18、及押壓頭42之預定溫度並不限於上述實例。可以依據黏合劑的型式等等隨意選用。
在上述具體實施例中，施加黏合劑以及將工作件23裝載於黏合劑皆是在加熱桌14上進行。然而，在某些情況，只有在加熱桌14上加熱板盤22，而只有在將經過加熱之板盤22設定在押壓桌18上之後，才要在押壓桌18上施加黏合劑及裝載工作件23。
在此具體實施例，該工作件並不限於，例如，矽晶片。舉例而言，可以將形成氮化物半導體(例如： 氮化鎵(GaN))層之藍寶石基板、碳化矽(SiC)基板等貼附作為工作件。
在工作件為藍寶石基板之情況，該基板上的氮化物半導體(例如：氮化鎵(GaN))層為晶磊成長，各工作件是由兩個具有不同熱膨脹係數的層構成，以至能輕易彎曲該工作件。因此，在此具體實施例，將該工作件押壓在該已在預定時間、經過預定溫度加熱之板盤22和該押壓頭42之間，因此該工作件在黏合劑熔化之狀態被押壓，直到彎曲矯正。接著，實行冷卻步驟。經由使用該押壓頭42押壓該工作件，直到如上述般所偵測之該押壓頭42的溫度降到預定溫度，如此可確保黏合劑固化且防止彎曲再度發生。因此，可以直接了當的以厚度一致的黏合劑層貼附該工作件。需注意的是，當研磨藍寶石基板，各藍寶石基板應該以氮化物半導體層面對該板盤22之形態貼附於該板盤22。
需注意的是，在上述具體實施例，係在該裝置10設置二個第二階段16a、16b。第二階段的數目可以為1個、3個、或更多個。各階段押壓頭42之數量亦不受限。在該階段或階段之間輸送該板盤22，可由一習知輸送裝置自動進行。
在第4圖所示之一具體實施例，係設置一第一階段12和一第二階段16。需注意的是，第1圖所示之具體實施例所說明的各結構元件被賦予相同的圖號，因此將省略相關說明。
在上述具體實施例中，各押壓頭42可以換為第5圖所示的一個例子。第5圖為押壓頭42之剖面圖。
在第5圖所示之例子中，該押壓頭42包含一第三加熱器47和一冷卻機構48。該第三加熱器47經由一繞性電線(圖中未顯示)電性連接一電源(圖中未顯示)，該冷卻機構48經由一伸縮管(圖中未顯示)連接一供水源(圖中未顯示)。
在此實例中，各押壓頭42可經由該第三加熱器47加熱，以便可以順利進行該押壓頭42之加熱。當黏合劑固化，將第三加熱器47關掉，並將冷卻水供給冷卻機構48，以便可以順利進行該押壓頭42之冷卻。因此，可以縮短貼附工作件之間隔時間。這些動作皆由控制件45進行控制。
需注意的是，各押壓頭42可以只包含該第三加熱器47，而省略該冷卻機構48。
第6圖為本發明之工作件貼附裝置之另一具體實施例的前視圖，需注意的是，第1圖所示之具體實施例所說明的各結構元件被賦予相同的圖號，因此將省略相關說明。
在此具體實施例，茲省略第一階段12，只有在該裝置10中設置第二階段16。第二階段16之押壓桌18包含該加熱器31和冷卻機構32，以及第2圖所示之實例。從加熱該板盤22到貼附工作件23之所有步驟皆在押壓桌18上進行。
茲將說明第6圖所示之工作件貼附裝置10之實行方法。
首先，開啟押壓桌18之加熱器31，將該押壓桌18加熱到預定溫度(例如：攝氏120~125度)。
將押壓頭42向下移動直到接觸該押壓桌18，接著經由該押壓桌18之熱度使該押壓頭42加熱到預定溫度(例如：攝氏110度)。
當該押壓頭42之溫度上升至預定溫度，該押壓頭42係向上移動以便打開該押壓桌18。
然後，將該板盤22正確地放置在該押壓桌18上，並經由該押壓桌18之熱度將該板盤22加熱到預定溫度(例如：攝氏110度)。較佳情況下，該板盤22之溫度係藉由一紅外線溫度感測器(圖中未顯示)偵測。
當該板盤22之溫度達到預定溫度，一預訂量的黏合劑被施加到該板盤22之預定部分並且熔化。
一旦該黏合劑熔化，該工作件23隨即被固定在該黏合劑上。
然後，將該押壓頭42向下朝該押壓桌18移動，在規定時間內(例如：1分鐘)使該板盤22和工作件23押壓至該已在預定溫度加熱之押壓頭42和該壓押桌18之間。由於該工作件23受到在預定溫度加熱之押壓頭42和押壓桌18押壓，黏合劑被充分、以均勻厚度形式散佈。尤其，在此具體實施例，該押壓頭42亦如上述般以恆壓單獨押壓該工作件23。即使該工作件23的 厚度各不相同，多餘的黏合劑經由押壓該工作件23而突出該工作件23。因此，可使黏合劑層的厚度一致。
如上所述，即使工作件23的厚度各不相同，可以藉由厚度均勻之黏合劑層貼附該工作件23。因此，如上所述，可研磨各工作件使其具有相同厚度。
在該押壓頭42押壓該工作件23預定的時間後，關掉第二加熱器31，將冷卻水供給該冷卻機構32以冷卻該押壓桌18。另外，經由熱傳導使該板盤22和押壓頭42冷卻。經由此冷卻步驟，黏合劑固化，且該工作件23被貼附於該板盤22上。
在冷卻步驟中，經由該熱電偶46來偵測該押壓頭42之溫度。當所偵測之各押壓頭42的溫度降至預定溫度(例如：攝氏35度)，使該押壓頭42向上移動，以便將已完全貼附工作件23之板盤22從該押壓桌18取出。
經由該押壓頭42來押壓該工作件23可只是依據押壓時間來進行控制。然而，當如上述般使該押壓頭42的溫度降至預定溫度，經由偵測該押壓頭42之溫度及完成押壓步驟，可確保黏合劑固化。亦即，當距離該押壓桌18最遠之押壓頭42的溫度降到該預定溫度，即停止該押壓頭42之押壓動作，以便確保黏合劑固化。
同樣在此具體實施例，各押壓頭42可包含該加熱器47和該冷卻機構48，以及第5圖所示之實例。在此情況下，各押壓頭42可直接經由第三加熱器47加熱， 因此可順利進行該押壓頭42之加熱。當黏合劑受到固化，則關掉第三加熱器47，並將冷卻水供給該冷卻機構48，以便可順利進行該押壓頭42之冷卻。因此，可以縮短貼附工作件之間隔時間。
在冷卻各押壓頭42之情況，押壓操作之完成係取決於該板盤22之溫度，而非偵測該押壓頭42之溫度。
需注意的是，在此情況下，各押壓頭42可能只包含該第三加熱器，而省略該冷卻機構。
在此描述之所有示例和條件語言是為幫助讀者理解此發明和由發明人貢獻以促進本領域的概念，都將被解釋為不限於這些具體引用的示例和條件，亦非反映本說明書中的這些示例的組織與本發明的優勢和劣勢。雖然本發明之各實施例說明僅用以作為圖示說明，熟習該項技術者應知悉各種修改、增加、及替代而沒有偏離本發明的範圍與精神皆有可能。
10‧‧‧工作件貼附裝置
12‧‧‧第一層
14‧‧‧加熱板
16、16a、16b‧‧‧第二層
18‧‧‧按壓板
20‧‧‧框架
21‧‧‧支持部
22‧‧‧平台
23‧‧‧工作件
23a‧‧‧凹槽
24‧‧‧方位圓柱
25‧‧‧方位栓
26、27‧‧‧穿孔
28‧‧‧溫度計測器
30‧‧‧支持部
31‧‧‧第二加熱板
32‧‧‧冷卻機構
32a‧‧‧封套
36‧‧‧連接口
37、38‧‧‧記號
39‧‧‧排出口
40‧‧‧排水迴路
42‧‧‧按壓頭
44‧‧‧滾筒單元
45‧‧‧控制部
46‧‧‧溫度偵測部
47‧‧‧第三加熱板
48‧‧‧冷卻機構
第1圖係一工作件貼附裝置之前視圖。
第2圖係一押壓桌之局部剖視圖。
第3圖係一板盤之解說圖。
第4圖係一包含第一和第二階段之工作件貼附裝置之前視圖。
第5圖係一押壓頭之另一實例之剖面圖。
第6圖係該工作件之貼附裝置之另一具體實施例之前視圖。
10‧‧‧工作件貼附裝置
12‧‧‧第一層
14‧‧‧加熱板
16a、16b‧‧‧第二層
18‧‧‧按壓板
20‧‧‧框架
21‧‧‧支持部
22‧‧‧平台
23‧‧‧工作件
23a‧‧‧凹槽
24‧‧‧方位圓柱
25‧‧‧方位栓
26、27‧‧‧穿孔
28‧‧‧溫度計測器
30‧‧‧支持部
31‧‧‧第二加熱板
32‧‧‧冷卻機構
32a‧‧‧封套
36‧‧‧連接口
37、38‧‧‧記號
39‧‧‧排出口
40‧‧‧排水迴路
42‧‧‧按壓頭
44‧‧‧滾筒單元
45‧‧‧控制部
46‧‧‧溫度偵測部

Claims (15)

  1. 一種在一工作件貼附裝置貼附工作件之方法，該裝置具備：一押壓桌，包含一加熱機構和一冷卻機構；及數個押壓頭，係設置於該押壓桌上方，且能夠單獨移動靠近和遠離該押壓桌；其中該押壓桌和押壓頭以一黏合劑將工作件押壓並貼附於一板盤上；所述工作件貼附方法包含以下步驟：將該已加熱至預定溫度之板盤傳送至該押壓桌上，或將該板盤傳送至押壓桌上並於該押壓桌上加熱板盤直到達到預定溫度；將黏合劑施加於該加熱到預定溫度之板盤之一預定部分；將該工作件設置於被加熱、熔化之黏合劑上；加熱該押壓頭直到達到預定溫度；朝該押壓桌移動各押壓頭，以便以預定時間、相同壓力押壓一工作件至該板盤；在該工作件受到該押壓頭押壓的狀態下，經由該冷卻機構冷卻該押壓桌和板盤，並固化該黏合劑將該工作件貼附於該板盤上；及將各押壓頭移離該押壓桌，以便將已貼附工作件之板盤由該押壓桌取出； 其中，所述以各押壓頭押壓工作件並將工作件貼附於板盤上時，偵測該押壓頭之溫度，且在確定該押壓頭之溫度低於預定溫度時，停止該押壓頭之押壓動作。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該板盤在另一包含一加熱器且與該押壓桌分離之加熱桌上預先加熱，且該已加熱之板盤並被傳送到該押壓桌上。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該押壓頭接觸到該押壓桌，以便使該押壓頭加熱到預定溫度。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中各押壓頭經由一內置的加熱器加熱，直到達到預定溫度。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中各押壓頭可相對於一球軸承旋轉，且各押壓頭旋轉而跟隨該板盤之表面，以便押壓該工作件。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中形成一氮化物半導體層之藍寶石基板，以該氮化物半導體層面對該板盤之形式作為工作件被貼附於該板盤。
  7. 一種工作件貼附裝置，具備：一押壓桌；及多數個押壓頭，係設置於該押壓桌上方，且能夠單獨移動靠近和遠離該押壓桌；其中該押壓桌和押壓頭以一黏合劑將工作件押壓並貼附於一板盤上，且 各押壓頭以相同壓力將一工作件押壓於一板盤上；所述押壓桌具有一加熱機構與一冷卻機構；並有一偵測所述押壓頭溫度之溫度偵測部；而其操作係：將所述押壓桌與所述押壓頭加熱，藉由塗佈在板盤上的黏合劑將工作件押壓並使黏合劑擴張，其後，經由以冷卻機構，冷卻該押壓桌和板盤，並固化該黏合劑，將該工作件貼附於該板盤上，在此期間，以所述溫度偵測部偵測所述押壓頭之溫度，且在確定該押壓頭之溫度低於預定溫度時，停止該押壓頭之押壓動作。
  8. 如申請專利範圍第7項之工作件貼附裝置，其中該押壓頭係連接一常見的空氣供應源。
  9. 如申請專利範圍第7項之工作件貼附裝置，其中該溫度偵測件所偵測之一部分押壓頭之溫度，係位於靠近一用以押壓該工作件之加壓面。
  10. 如申請專利範圍第7項之工作件貼附裝置，其中該押壓頭接觸到該押壓桌，以便將該押壓頭加熱到預定溫度。
  11. 如申請專利範圍第7項之工作件貼附裝置，其中各押壓頭包含一加熱機構和一冷卻機構。
  12. 如申請專利範圍第7項之工作件貼附裝置，其又 包括一包含一加熱器之加熱桌，該加熱桌係與該押壓桌分離，其中該板盤預先在該加熱桌上加熱，然後該已加熱之板盤被傳送至該押壓桌上。
  13. 如申請專利範圍第7項之工作件貼附裝置，其中該冷卻機構係內嵌於一部分之押壓桌中，位於靠近裝設有板盤之表面。
  14. 如申請專利範圍第12項之工作件貼附裝置，其又包括一溫度偵測部，係用以偵測裝設於該加熱桌之板盤的溫度。
  15. 如申請專利範圍第12項之工作件貼附裝置，其又包括一用以偵測該押壓桌和該加熱桌之溫度的溫度偵測部。
TW101140634A 2011-12-06 2012-11-02 工作件之貼附方法以及工作件之貼附裝置 TWI588021B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011266976A JP5988192B2 (ja) 2011-12-06 2011-12-06 ワーク貼着方法およびワーク貼着装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201323214A TW201323214A (zh) 2013-06-16
TWI588021B true TWI588021B (zh) 2017-06-21

Family

ID=48523156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101140634A TWI588021B (zh) 2011-12-06 2012-11-02 工作件之貼附方法以及工作件之貼附裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130139949A1 (zh)
JP (1) JP5988192B2 (zh)
KR (1) KR102017896B1 (zh)
CN (1) CN103144029B (zh)
TW (1) TWI588021B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103273719B (zh) * 2013-06-07 2015-09-09 无锡隆盛科技股份有限公司 氧传感器芯片叠压装置
CN105538689B (zh) * 2016-01-15 2018-09-11 苏州富强科技有限公司 加热保压模块
CN106002826B (zh) * 2016-07-11 2018-04-10 京东方科技集团股份有限公司 灯条组装装置以及利用其进行灯条组装的方法
US10730276B2 (en) 2017-01-17 2020-08-04 Maven Optronics Co., Ltd. System and method for vacuum film lamination
TWI650238B (zh) * 2017-01-17 2019-02-11 行家光電股份有限公司 真空貼膜裝置及方法
CN107457667A (zh) * 2017-09-03 2017-12-12 湖北天宝光电科技有限公司 蓝宝石手表镜片的加工治具和方法
DE102017122701A1 (de) * 2017-09-29 2019-04-04 Homag Gmbh Beschichtungsvorrichtung sowie Beschichtungsverfahren
CN108417596B (zh) * 2018-04-12 2024-07-26 重庆港宇高科技开发有限公司 取传感器光窗的装置及工艺
CN112405168A (zh) * 2020-11-20 2021-02-26 重庆重玻节能玻璃有限公司 夹胶玻璃生产线

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0582493A (ja) * 1991-03-11 1993-04-02 Hitachi Ltd ウエハ接着装置およびその装置を用いたウエハの接着方法
CN1217387C (zh) * 2000-10-26 2005-08-31 信越半导体株式会社 单晶片的制造方法及研磨装置以及单晶片
US20090291527A1 (en) * 2007-05-04 2009-11-26 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor Package Having Through-Hole Vias on Saw Streets Formed with Partial Saw

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0236066A (ja) * 1988-07-27 1990-02-06 Hitachi Ltd 研磨布および研磨装置
JP2531825B2 (ja) * 1990-03-29 1996-09-04 住友シチックス株式会社 ウエ―ハの接着方法及び該方法に用いる装置
JP2974192B2 (ja) * 1992-04-10 1999-11-08 新東工業株式会社 ウエハーと取付け板の接着設備
JPH0911118A (ja) * 1995-06-29 1997-01-14 Hitachi Ltd 研磨装置
JP3846007B2 (ja) * 1998-01-30 2006-11-15 株式会社Ｓｕｍｃｏ ウェーハ減圧接着装置
JP2000183138A (ja) * 1998-12-14 2000-06-30 Japan Aviation Electronics Industry Ltd ワックス接合治具
JP2004063880A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Komatsu Electronic Metals Co Ltd ウェーハ接着装置およびウェーハ接着方法
US8278142B2 (en) * 2008-05-22 2012-10-02 Texas Instruments Incorporated Combined metallic bonding and molding for electronic assemblies including void-reduced underfill
CN102130025B (zh) * 2009-11-16 2015-03-11 三星电子株式会社 晶片及其处理方法和制造半导体装置的方法
US8115260B2 (en) * 2010-01-06 2012-02-14 Fairchild Semiconductor Corporation Wafer level stack die package

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0582493A (ja) * 1991-03-11 1993-04-02 Hitachi Ltd ウエハ接着装置およびその装置を用いたウエハの接着方法
CN1217387C (zh) * 2000-10-26 2005-08-31 信越半导体株式会社 单晶片的制造方法及研磨装置以及单晶片
US20090291527A1 (en) * 2007-05-04 2009-11-26 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor Package Having Through-Hole Vias on Saw Streets Formed with Partial Saw

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013120783A (ja) 2013-06-17
JP5988192B2 (ja) 2016-09-07
US20130139949A1 (en) 2013-06-06
TW201323214A (zh) 2013-06-16
CN103144029B (zh) 2017-07-07
CN103144029A (zh) 2013-06-12
KR20130063463A (ko) 2013-06-14
KR102017896B1 (ko) 2019-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI588021B (zh) 工作件之貼附方法以及工作件之貼附裝置
TWI451502B (zh) 半導體晶圓之保護帶貼附方法及其裝置
TWI728106B (zh) 膠帶剝離裝置
KR101857817B1 (ko) 워크 부착 방법 및 워크 부착 장치
KR100826862B1 (ko) 접합 방법 및 접합 장치
JP6276988B2 (ja) 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置
JP5797623B2 (ja) 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置
KR20170047490A (ko) 레이저를 이용한 반도체 본딩장치
JP2014231185A (ja) 樹脂モールド装置および樹脂モールド方法
JP2006116454A (ja) スリットコート式塗布装置及びスリットコート式塗布方法
JP2009248392A (ja) スクリーン印刷方法及び基板温度調節機能付きスクリーン印刷装置
TWI717750B (zh) 用於覆晶雷射接合之系統
JP2004047670A (ja) フリップチップ実装方法及びフリップチップ実装装置
US7028397B2 (en) Method of attaching a semiconductor chip to a chip mounting substrate
KR100566145B1 (ko) 폴리싱헤드에 배킹막을 장착시키기 위한 장치 및 방법
JPH078130Y2 (ja) ＧａＡｓウェハの貼付装置
JP5628583B2 (ja) 熱転写機及び熱転写方法
KR101495894B1 (ko) 가죽과 스폰지의 라미네이팅 장치
JP7187761B2 (ja) 加温装置及び加温方法
JP2002240148A (ja) 樹脂板表面の鏡面加工装置
JPS59124564A (ja) ウェーハ固定用ワックス張り具およびこれを用いたウェーハのワックス付け方法
JP2006187983A (ja) 長尺ラミネートシート及びラミネートシートの製造方法
JPH04273454A (ja) ボンディング工具
KR20090078681A (ko) 반도체 웨이퍼 연마용 러버척의 제조방법