TWI582463B - Ｅｕｖ反射鏡、包含ｅｕｖ反射鏡之光學系統以及操作包含ｅｕｖ反射鏡之光學系統的方法 - Google Patents

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Description

EUV反射鏡、包含EUV反射鏡之光學系統以及操作包含EUV反射鏡之光學系統的方法
本發明有關EUV反射鏡配置、包含EUV反射鏡配置的光學系統、及之操作光學系統的方法。一個較佳應用領域是EUV微影。其他應用領域在EUV顯微學(EUV microscopy)及EUV遮罩量測學(EUV mask metrology)中。
時下盛行的微影投影曝光方法用於生產半導體組件及其他精細結構化的組件。在此例中，利用載有或形成要成像之結構的圖案(pattern)(如，一層半導體組件的線圖案)的遮罩(mask)(光罩(reticle))或其他圖案化裝置。在投影曝光設備中，圖案定位在照射系統(illumination system)及投影透鏡(projection lens)之間而在投影透鏡之物體表面(object surface)區域中，及用照射系統提供的照射輻射加以照射圖案。被圖案所更改的輻射作為投影輻射穿過投影透鏡，該投影透鏡將圖案成像於要曝光的基板(substrate)上，該基板塗布有輻射敏感層(radiation-sensitive layer)。
借助照射系統照射圖案，照射系統將來自主要輻射源之輻射形成照射輻射，該照射輻射被引導於圖案上，及其特徵為特定照射參數， 及在已定義之形式及大小的照射場(illumination field)內撞擊(impinge)在圖案上。在照射場內，應出現預定的局部強度分布(local intensity distribution)，一般預計此分布應儘可能一致。
一般而言，取決於要成像的結構類型，使用不同的照射模式(所謂的「照射設定」)，其特徵為照射輻射在照射系統之光瞳表面(pupil surface)中的不同局部強度分布。藉此可在照射場中預先決定特定照射角分布或角空間中撞擊強度的特定分布。
為了能夠生產更精細的結構，已想盡各種方法。舉例而言，藉由擴大投影透鏡的影像側數值孔徑(image-side numerical aperture，NA)，可增加投影透鏡的解析度能力(resolution capability)。另一方法在於採用較短波長的電磁輻射。
如果嘗試藉由增加數值孔徑來改良解析度，則可因可達到的焦深(depth of focus，DOF)隨著數值孔徑增加而降低而發生問題。這是不利的，因為例如為了要結構化之基板之可達到的平坦度及機械公差等理由，需要焦深量級為至少0.1nm。
因此之故，尤其已開發以中等數值孔徑操作的光學系統，且其實質上利用極紫外線範圍(EUV)中所用電磁輻射的短波長(尤其具有5nm及30nm間之範圍中的操作波長)增加解析能力。對於具有操作波長約略13.5nm的EUV微影而言，例如給定影像側數值孔徑NA=0.3，理論上可達到量級為0.03μm的解析度以及量級約0.15μm的典型焦深。
極紫外線範圍的輻射無法借助折射光學元件加以聚焦或引導，因為短波長被較高波長下可穿透的已知光學材料所吸收。因此，在EUV微影中使用反射鏡系統。對EUV範圍的輻射具有反射效應(reflective effect)的反射鏡(EUV反射鏡)通常具有基板，其上塗覆多層配置(multilayer arrangement)，該多層配置對極紫外線(extreme ultraviolet，EUV)範圍的輻射具有反射效應及具有包含交替低折射率及高折射率層材料的大量層對(layer pair)。EUV反射鏡的層對通常以層材料組合鉬/矽(Mo/Si)或釕/矽(Ru/Si)構成。
為了確保微影成像的最佳可能一致性，一般盡力在照射系統所照射的照射場中產生儘可能一致的強度分布。此外，通常盡力在照射系統的光瞳表面中使針對特定曝光所要之照射光線的局部強度分布儘可能精確地接近所要空間強度分布，或儘量降低與所要空間強度分布的偏差。不僅在微影光學系統交貨時就必須符合這些需求，而且必須在光學系統的整個使用期間保持這些需求明顯不變。雖然在交貨時，可能的偏差實質上起因於設計殘差值及製造錯誤，但使用期間的變更通常實質上因老化現象造成。
在使用深紫外光(deep ultraviolet，DUV)或非常深紫外光(very deep ultraviolet，VUV)範圍之紫外光的微影光學系統中，可能出現的不一致性一般可由可驅動的機械補償器(compensator)補償(請參見如，US 2008/113281 A1或US 7,545,585 B2)。
在EUV微影光學系統中，尤其為了幾何之故，要實現此類補償器明顯比較困難。舉例而言，與投影透鏡的物體平面(object plane)光學共軛及其中可以簡單的方式校正場均勻性的自由進入中間場平面(freely accessible intermediate field plane)通常不存在。WO 2010/049020 A1揭示在EUV照射系統的照射場中校正照射強度分布(illumination intensity distribution)及照射角分布(illumination angle distribution)的可能性。其他校正裝置揭示於US 2003/0063266 A1、EP 1 349 009 A2、US 2008/0165925 A1或WO 2009/135576 A1中。
本發明因應的問題是提供EUV反射鏡配置及配備該EUV 反射鏡配置且可在微影投影曝光設備中使用的光學系統，例如以在投影曝光設備的整個使用期期間，確保場中及光瞳中有關預定分布之照射強度的高保真度(fidelity)及穩定性，及因此確保微影成像品質。
為了解決這個問題，本發明提供一種EUV反射鏡配置。另外提供一種包含EUV反射鏡配置的光學系統，及一種操作該光學系統的方法。
提供一種EUV反射鏡配置，包含多個反射鏡元件。該等反射鏡元件彼此並排配置並共同形成該反射鏡配置之一鏡面。每個反射鏡元件具有一基板及塗覆在該基板上且對極紫外線範圍之輻射具有反射效應的一多層配置。該多層配置包含多個層對，其具有由一高折射率層材料及一低折射率層材料構成之交替層。此EUV反射鏡配置特徵在於該多層配置具有一活性層，其配置在一輻射進入表面及該基板之間且由一壓電活性層材料組成，可利用電場的作用更改該活性層的層厚度；以及對於每個活性層，供應一電極配置以產生對該活性層起作用的電場。
另外提供一種光學系統，包含至少一個所述之EUV反射鏡配置。
另外提供一種操作一光學系統的方法，該光學系統包含至少一個所述之EUV反射鏡配置。藉由選擇性驅動反射鏡元件之個別或所有活性層，以位置相依的方式改變在該EUV反射鏡配置之鏡面上的局部反射率分布。
有利的發展如隨附申請專利範圍中所明確說明。申請專利範圍的措辭在「實施方式」的內容中以引用方式併入。
該EUV反射鏡配置具有彼此並排配置及共同形成反射鏡配置之鏡面(mirror surface)的多個反射鏡元件。在此例中，反射鏡元件的元件鏡面形成總鏡面的一小部分。反射鏡元件可以實質上填滿表面積、完全填滿表面積或彼此相隔某個距離的方式，彼此例如成列與行並排配置。反射 鏡元件可以是可在載體結構(carrier structure)上彼此分開及視需要以間隙分開的方式安裝的反射鏡元件。
反射鏡元件亦可具有共同基板，及多層配置在整個可用區域上亦可具有連續層。在此例中，電極配置(electrode arrangement)可具有一或複數個結構化電極(structured electrode)，以便能夠將預定強度的電場施加至活性層(active layer)之指派給彼此獨立之個別反射鏡元件的區域。
多層配置具有多個層對，其各包含由相對高折射率層材料構成的一層及由低折射率層材料(相對於高折射率層材料)構成的一層。此層對又可稱為「雙重層(double layer)」或「雙層(bilayer)」。具有大量層對的層配置以「分散式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector)」的方式發揮作用。在此例中，層配置模擬一種晶體，由具有折射率較低實部(real part)的材料層形成該晶體導致布拉格反射的晶格平面。層對的最佳週期厚度由預定波長及預定入射角(範圍)的布拉格方程式決定，且一般在1nm及10nm之間。
除了由相對高折射率及相對低折射率材料構成的兩層之外，層對亦可分別具有一或複數個另外層，例如減少相鄰層間互相擴散的內插障壁層(interposed barrier layer)。
反射鏡元件的多層配置具有至少一個活性層，其配置在輻射進入表面(radiation entrance surface)及基板之間並由壓電活性層材料(piezoelectrically active layer material)組成。由於活性層材料之此材料性質，藉由施加電壓，可更改活性層的層厚度。對於每個活性層，供應一電極配置以產生對該活性層起作用的電場。藉此可視需要使反射鏡元件的活性層彼此獨立地活性化，並因此更改其層厚度。其結果為，可在鏡面上局部不同地影響EUV反射鏡配置的反射性質。
此乃利用反向壓電效應，其中活性層材料在電場的作用下可逆地變形。在此例中，結晶活性層材料並未經歷相位變換(phase transformation)，只是不導電活性層材料之晶體結構中的正負電荷重心 (charge centroid)發生位移而已。
電極配置的一個電極可與活性層為觸碰式接觸(touching contact)。亦可在離要影響的活性層的某個距離處配置一或複數個電極，只要電場可滲透填充材料或無材料的間隙直到活性層。結果，一或複數個層的層配置亦可座落在電極及活性層之間。尤其，為了產生電場，可在遠離基板的外層層配置及接近基板的內層層配置之間施加電壓，其中大量層對分別座落在電極層及活性層之間。
在此例中，影響的橫向解析度(lateral resolution)(空間解析度(spatial resolution))取決於個別反射鏡元件之元件鏡面的橫向尺寸。取決於應用，橫向尺寸如可在一或複數個公釐或公分的範圍中。同樣也可能有較小的橫向尺寸，如，在1μm及900μm之間。可在反射鏡配置的鏡面中提供超過10個、超過100個或超過1000個可彼此獨立驅動的反射鏡元件。提供10個以下，例如只提供兩個、三個或四個可分開驅動的反射鏡元件，亦可滿足需要。這如可用於對準目的(alignment purpose)或校準目的(calibration purpose)。
可將至少一個活性層整合至多層配置中，可藉由電驅動指派的電極配置，以有目標的方式(targeted manner)更改該至少一個活性層的層厚度。
關於多層配置的層對，有各種可能性來配置至少一個活性層。
在一些具體實施例中，多層配置具有：一第一層群組(layer group)，其配置在輻射進入表面及活性層之間且具有第一數目N1個層對；及一第二層群組，其配置在活性層及基板之間且具有第二數目N2個層對，其中第一層群組及第二層群組之層對數目N1及N2係被選擇致使對於撞擊在輻射進入表面上之輻射的至少一個入射角，第一層群組傳輸入射輻射的一部分通過活性層到達第二層群組，及由多層配置反射的輻射含有由第一 層群組反射的第一部分及由第二層群組反射的第二部分。
一般而言，第一及第二層群組各具有複數個層對，如，各具有10個或10個以上、或15個或15個以上的層對。
在此例中，遠離基板的第一層群組及接近基板的第二層群組均促成反射鏡元件的總反射率。利用內插的活性層，可藉由施加外部電壓，更改在層群組之間的距離(垂直於層表面來測量)。較佳挑選第一層群組的層構造，致使對於所考慮的入射角或入射角範圍，發生在第一層群組內的個別介面處反射之輻射部分(分波)的相長干涉(constructive interference)。同樣的道理一樣對應地較佳適用於第二層群組的各層。內插的活性層在第一層群組反射的輻射部分及在第二層群組反射的輻射部分之間引入光學路徑長度差(optical path length difference)或相移(phase shift)。藉由施加外部電壓，可以連續可變的方式改變相移的程度。
舉例而言，如果在沒有電場情況下所引入的相移實質上是一個波長或電磁輻射波長的整數倍，則反射輻射的第一部分及第二部分互相相長干涉，致使反射鏡元件的總反射率可落在適用於入射角範圍之最大可能反射率的範圍中。相反地，如果設定活性層的層厚度致使在第一及第二部分之間的相移係在一個半波長的範圍中或在三個半波長的範圍中等，則在第一部分及第二部分之間發生相消干涉(destructive interference)，致使得自第一部分及第二部分的總反射率低於層群組最大可能的最大反射率。
舉例而言，如果光學路徑長度在單次通過活性層後的變更是操作波長的四分之一，及如果活性層以如此的方式定位在合適深度致使第一及第二部分具有實質上相同強度，則可實質上完全抑制反射。在這些極端之間(反射鏡元件的最大反射率及反射鏡元件之反射的完全抑制)，出現許多變化，這將結合例示性具體實施例來詳細解說。
在第一及第二層群組之間整合的活性層以整合之Fabry-Perot干涉計(integrated Fabry-Perot interferometer)(標準具(etalon))的方 式發揮作用，其中在其介面之間的電可調整距離(electrically adjustable distance)具有反射效應。
在許多情形中，不必或不需要改變反射鏡元件在最大反射及完全抑制反射之間的反射率。如果反射鏡元件的反射度僅改變最大值20%或最大值10%，通常已經足夠。在一些具體實施例中，在沒有電場情況下的活性層具有層厚度(layer thickness)致使對於入射輻射的參考入射角，可藉由施加電場，將多層配置的反射率更改最大值20%，尤其更改最大值10%。
較佳是，在各具有複數個層對的兩個相鄰層群組之間精確地提供一個活性層。可藉此使尤其因製造公差形成錯誤塗層的風險維持較小。再者，這在輻射的傳輸及吸收部分之間僅導致較低複雜性。然而，多層配置亦可具有多於一個活性層配置在具有複數個層對的兩個相鄰層群組之間，且用於控制在這些層群組之輻射的反射部分之間的相移。舉例而言，可提供兩個或三個此類活性層，具有複數個層對的層群組同樣可座落在其間。
針對此整合的活性層以選擇活性層材料時，應考慮確保層材料一方面對於要傳輸至第二層群組的輻射僅具有相對較低吸收，及另一方面使層厚度有足夠大的「擺動(swing)」以控制相移。在一些具體實施例中，活性層材料實質上由鈦酸鋇(BaTiO3)組成。
一般而言，對於壓電活性層，偏愛的層材料如下：在挑選的EUV波長範圍中，具有相對較低吸收(低消光係數(extinction coefficient)或複折射率的虛部(imaginary part))，且同時呈現出相對較大的壓電效應，以便能夠在層厚度上產生足夠大的變更。壓電活性層材料可以是具有鈣鈦礦結構(perovskite structure)的材料，其展現出相對較大的壓電效應。尤其，壓電活性層材料可選自以下群組：Ba(Sr,Zr)TiO3、Bi(Al,Fe)O3、(Bi,Ga)O3、(Bi,Sc)O3、CdS、(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3、Pb(Cd,Co,Fe,In,Mg,Ni,Sc,Yb,Zn,Zr)(Nb,W,Ta,Ti)O3、ZnO、ZnS，或含有此群組之至少一個材料以結合至少一個其他材料。在此例中，標記法(A,B)代表類型A的一個元素或離子或類型 B的一個元素或離子可出現在晶體結構的特定晶格位置中。
在其他具體實施例中，多層配置具有由壓電活性層材料構成的多個活性層，其中活性層分別與由非壓電活性層材料構成的層交替配置。在此例中，配置在活性層之間的層較佳由導電層材料組成，致使這些層可同時用作分別配置在其間之活性層的電極層。與非活性層材料相比，活性層材料可以是相對較高折射率或相對較低折射率的層材料。可有利地使用具有相對較高吸收的活性層材料作為吸收層(absorber layer)。
在此組態中，藉由施加電場至活性層，可視需要產生多層配置內層週期(layer period)的連續可變變動。在此例中，層週期代表垂直於層對的接壤外側介面之間的層表面所測量的距離。由於針對給定操作波長及給定入射角，僅特定的層週期導致完全相長干涉及因而導致最大反射度，藉由改變層週期，可在操作波長下，以連續可變的方式更改反射鏡元件之多層配置的反射率。此外，所反射輻射的相位受到影響，致使亦可能出現空間解析波前影響(spatially resolving wavefront influencing)。
亦可使用層週期的失諧(detuning)或變更(changing)，針對可能與所要值偏差的中央波長，來調適(adapt)反射率，致使可執行例如整體光學系統之來源光譜或光譜傳輸之變動的補償。作為補充或替代，亦可針對在反射鏡上所要或非所要更改入射角來進行調適。
在包含由壓電活性層材料構成之多個活性層並與由非壓電活性層材料構成的非活性層交替配置的具體實施例中，亦可產生非週期性的層結構。為此目的，由導電、非壓電活性層材料形成的個別非活性層可連接至電壓源的個別輸出，使得可視需要不同地設定電場影響不同活性層的場強度。取決於施加至每對電極的電壓，可獲得不同厚度的活性層。可獲得寬頻譜反射率響應(broadband spectral reflectivity response)。
在具有多個活性層的多層配置中，應特別考慮確保活性層材料對於使用的輻射具有較低吸收。在此關聯中，已證實活性層材料主要或 專門由類型(Li,Na,K)(Nb,Ti)O3的陶瓷材料組成是有利的。此類材料如說明於EP 2 050 726 A2中。從健康的觀點來看，這些材料亦很有利，因為這些材料不含鉛(Pb)。
尤其，活性層材料可含有以下群組的材料或由其組成：鈮酸鉀(potassium niobate)(KNbO3)、鈮酸鋰(lithium niobate)(LiNbO3)、PbNb2O6及鈮酸鈉鉀(sodium potassium niobate)(Na0.9K0.1NbO3)或這些材料的組合。這些材料尤其因EUV範圍中特別低的吸收而著名。
亦可設計EUV反射鏡配置致使實質上在不影響反射率之局部分布的情況下，對撞擊輻射的波前進行空間解析相位校正(spatially resolving phase correction)。尤其，可使用此類具體實施例作為EUV投影透鏡中的反射鏡。在此類型的一些具體實施例中，多層配置具有第三層群組，其配置在輻射進入表面及活性層之間且具有第三數目N3個層對，其中第三數目N3被選擇致使對於撞擊在輻射進入表面上之輻射的至少一個入射角，第三層群組在入射輻射到達活性層之前實質上完全反射或吸收入射輻射。舉例而言，可提供至少20個、至少30個或至少40個層對。通常，存在少於70個或少於60個層對。
在此例中，反射鏡元件的反射率(或反射度(degree of reflection))事實上專門由第三層群組的層構造決定。這可藉由不傾斜且垂直於整個層表面施加電壓，借助活性層相對於基板來上升或降低。
層對之個別層及視需要還有活性層的層厚度一般屬於幾奈米的量級。在較佳具體實施例中，為了儘量減少介面粗糙度對反射鏡元件之光學效應的影響，規定借助脈衝雷射沈積(pulsed laser deposition，PLD)塗覆活性層及/或可能的電極層，致使活性層及/或電極層存在作為PLD層。借助脈衝雷射沈積，可以生產具有極少表面粗糙度的極薄層。視需要，亦可生產具有高壓電係數的單晶壓電層材料，其表面因而可在無拋光的情況下用作另外層的接觸表面。
較佳是，尤其借助脈衝雷射沈積，至少將塗覆活性層於其上的那一層生產作為結晶(不是非晶)層。此舉促進活性層的晶體生長。在有利的情形中，活性層相對於位於其下之結晶層作磊晶生長。在一些具體實施例中，位在基板及活性層之間的大多數或所有層均為結晶。
在一些具體實施例中，反射鏡元件的電極配置具有第一電極層及第二電極層，及活性層配置在電極層之間。可藉此達到的作用是電場實質上垂直於層表面滲透活性層，結果可特別有效地變更層厚度。電極層可由金屬層材料組成或由例如矽的半金屬組成。由矽構成的電極層例如可與由壓電活性層材料構成的活性層交替配置。
電極層可由單層組成，或可包含複數個堆疊在彼此頂部上的單層，以形成層堆疊(layer stack)(或多層)。
在包含橫向結構化層電極(laterally structured layer electrode)的一些具體實施例中，電極配置包含與結構化層電極相對的共同電極，共同電極在複數個反射鏡元件或所有反射鏡元件上延伸。當連接至電壓源時，共同電極可用作配置在活性層之與其相對的另一側上之每個電極段(electrode segment)的共同參考電位。電極段可設定成不同的電壓值，以便以局部改變的方式調整活性層的厚度。
共同電極可形成在活性層的基板側(substrate side)上。在一些具體實施例中，共同電極形成於活性層的輻射入射側(radiation incidence side)上，即，與基板相對。在此例中，有利的是共同電極包含複數個在彼此頂部上堆疊的單層，以形成層堆疊或多層。可獲得反射鏡配置的平滑未中斷的反射表面。
在某些情況中，已證實電極層由導電陶瓷材料(例如SrRuO3或氮化鋁(AlN))組成是有利的。使用導電陶瓷材料作為電極材料以及陶瓷活性層材料允許電極層及活性層材料間之介面處的晶格失配(lattice mismatch)維持較小，結果介面區域中的層應力(layer stress)及因此層脫落(layer detachment)的風險可維持較低，因而可改良層配置的使用期。
本發明亦有關一種包含至少一個EUV反射鏡配置的光學系統。該光學系統尤其可以是微影投影曝光設備的照射系統。EUV反射鏡配置可配置在照射系統在光源及被照射之照射場之間的光束路徑(beam path)中，並在一場平面(field plane)中或接近該場平面，該場平面以相對於照射場之平面光學共軛的方式座落。在此例中，EUV反射鏡配置可用作場琢面反射鏡(field facet mirror)。作為補充或替代，EUV反射鏡配置可配置在照射系統之光瞳平面(pupil plane)的區域中，也就是說，在以相對於照射場平面進行傅立葉變換的方式座落之平面的區域中。在此例中，EUV反射鏡配置可用作光瞳琢面反射鏡(pupil facet mirror)。該光學系統亦可以是微影投影曝光設備的投影透鏡。
在操作包含至少一個此類型之EUV反射鏡配置之光學系統的方法中，藉由選擇性驅動個別或所有活性層，可以位置相依的方式(location-dependent manner)改變在EUV反射鏡配置之鏡面上的局部反射率分布(local reflectivity distribution)。如果EUV反射鏡配置在此例中配置在光學系統之場平面的區域中，則可藉此影響該場平面中及在與其光學共軛的場平面中的照射強度分布。在配置在光瞳平面之區域的情況中，藉由局部變更反射率，可以角度相依的方式(angle-dependent manner)更改照射場中的照射強度分布。
以上及其他特徵不僅在申請專利範圍中出現且亦在「實施方式」及「圖式簡單說明」中出現，其中個別特徵可在每個情況中利用個別特徵來實現，或以本發明具體實施例及其他領域中之子組合的形式實現為複數個特徵，並可構成有利且原本即受保護的具體實施例。例示性具體實施例將在圖式中圖解及在下文中詳細解說。
100‧‧‧EUV反射鏡配置
110、111、112‧‧‧反射鏡元件
115‧‧‧鏡面
120‧‧‧基板
130‧‧‧多層配置
131‧‧‧第一層群組
132‧‧‧第二層群組
134‧‧‧較厚層
135‧‧‧層對(雙層)
136‧‧‧較薄層
137‧‧‧帽蓋層
140‧‧‧活性層
142‧‧‧第一電極層
143‧‧‧第二電極層
145‧‧‧電壓源
700‧‧‧EUV反射鏡配置
800‧‧‧EUV反射鏡配置
810、811、812‧‧‧反射鏡元件
820‧‧‧基板
830‧‧‧多層配置
835‧‧‧層對
836‧‧‧較薄層/非活性層/電極層
840‧‧‧較厚層/活性層
845‧‧‧電壓源
900‧‧‧EUV反射鏡配置
910、911、912‧‧‧反射鏡元件
920‧‧‧基板
930‧‧‧多層配置
933‧‧‧第三層群組
934‧‧‧較厚間隔物層
935‧‧‧層對
936‧‧‧較薄吸收層
940‧‧‧活性層
942‧‧‧電極層
943‧‧‧電極層
945‧‧‧電壓源
1000‧‧‧反射鏡配置
1010、1011、1012‧‧‧反射鏡元件
1020‧‧‧基板
1030‧‧‧多層配置
1031‧‧‧第一層群組
1032‧‧‧第二層群組
1040‧‧‧活性層
1042‧‧‧結構化電極
1042A‧‧‧電極段
1042B‧‧‧電極段
1043‧‧‧第二電極層
1044‧‧‧絕緣區段
1045‧‧‧電壓源
1050‧‧‧結構化電極
1050A、1050B‧‧‧電極段
1060‧‧‧結構化電極
1060A、1060B‧‧‧電極段
1064‧‧‧絕緣區域
1100‧‧‧EUV微影投影曝光設備
1110‧‧‧照射系統
1112‧‧‧混合單元
1114‧‧‧主要輻射源
1115‧‧‧收集器
1116‧‧‧望遠鏡光學單元
1118‧‧‧場成形反射鏡
1120‧‧‧物體表面
1121‧‧‧輻射
1122‧‧‧中間焦平面
1130‧‧‧投影透鏡
1150‧‧‧物體平面
1152‧‧‧物體場/照射場
1153‧‧‧場一致性感測器
1160‧‧‧影像表面
1162‧‧‧影像場
1170‧‧‧第一琢面反射鏡
1172‧‧‧照射系統的平面
1180‧‧‧第二琢面反射鏡
1182‧‧‧光瞳平面
1183‧‧‧光瞳強度感測器
1190‧‧‧控制裝置
1200‧‧‧EUV反射鏡配置
1210、1211、1212‧‧‧反射鏡元件
1220‧‧‧基板
1240‧‧‧活性層
1242‧‧‧第一層群組
1243‧‧‧第二層群組
1243A、1243B、1243C‧‧‧較小部分
1245‧‧‧電壓源
1300‧‧‧EUV反射鏡配置
1320‧‧‧基板
1336‧‧‧相對較薄層
1340‧‧‧活性層
A1‧‧‧第一部分
A2‧‧‧第二部分
KP‧‧‧接觸點
KP1‧‧‧第一接觸點
KP2‧‧‧第二接觸點
N1‧‧‧第一數目
N2‧‧‧第二數目
P‧‧‧週期性長度
R‧‧‧反射率
R1‧‧‧第一區域
R2‧‧‧第二區域
R3‧‧‧第三區域
T‧‧‧透射率
U1、U2、Un-1‧‧‧電壓值
z‧‧‧層厚度
△R‧‧‧設定範圍
△z‧‧‧層厚度變動/層厚度的變更
圖1以局部斷面顯示EUV反射鏡配置之具體實施例的示意傾斜透視圖；圖2顯示解釋活性層之層厚度對整個層配置的反射率R及透射率T的影響的曲線圖；圖3顯示有關活性層的層厚度增加時遠離基板之第一層群組中層對數目對反射率輪廓之影響的曲線圖；圖4A顯示有關在反射率最大值區域中隨著最接近基板之第二層群組中層對數目增加和第一層群組中的恆定層對數目之反射率輪廓的曲線圖；圖4B顯示有關第一反射率最大值區域中之反射率輪廓的曲線圖；圖5顯示反射最大值區域中之反射率輪廓的曲線圖，在此情況中，給定層厚度變動△z為0.127nm，可以獲得反射率設定範圍△R約2.5%；圖6顯示多層配置之反射率及透射輪廓的曲線圖，該多層配置可用作可以可變方式設定透射的分光器；圖7示意性顯示EUV層配置具有活性化及非活性化反射鏡元件的部分；圖8以局部斷面顯示EUV反射鏡配置之另一具體實施例的示意傾斜透視圖；圖9以局部斷面顯示EUV反射鏡配置之另一具體實施例的示意傾斜透視圖；圖10以圖10A、10B及10C顯示結構化層電極的不同具體實施例；圖11顯示具有分別用作場琢面反射鏡及光瞳琢面反射鏡之EUV反射鏡配置之具體實施例之EUV微影投影曝光設備的光學組件； 圖12顯示包含結構化電極的具體實施例，其包含在活性層之基板側上的多個多層電極段及跨活性層之輻射入射側上之多個反射鏡元件延伸的連續電極；及圖13顯示包含可個別控制之多個活性層的具體實施例。
圖1以局部斷面顯示EUV反射鏡配置100之具體實施例的示意傾斜透視圖。反射鏡配置具有多個反射鏡元件110、111、112，在此實例中，該等反射鏡元件彼此並排配置且各具有矩形橫截面。每個反射鏡元件可定名為個別反射鏡及具有矩形元件鏡面，其中該等元件鏡面彼此鄰接且大部分沒有任何空隙或位在彼此旁邊而有間隙，且共同形成反射鏡配置的鏡面115。鏡面整體可為平坦(平面反射鏡)或彎曲(如，凸面反射鏡、凹面反射鏡、圓柱形反射鏡等)。
將以反射鏡元件110為基礎，詳細解說反射鏡元件的構造。每個反射鏡元件具有基板120，其可由例如金屬、矽、玻璃、陶瓷材料、玻璃陶瓷或複合材料組成。在以高精度的平滑方式處理的基板表面上，利用合適的塗布技術塗覆對極紫外線範圍的輻射具有反射效應的多層配置130。為生產部分或所有個別層，可以使用如磁控濺鍍(magnetron sputtering)、電子束濺鍍(electron beam sputtering)或離子束濺鍍(ion beam sputtering)。如果需要結晶層結構，亦可例如利用脈衝層沈積(PLD)進行塗布。
多層配置具有多個層對(雙層)135，其各具有以下層材料的交替塗覆層(alternately applied layer)：具有折射率之較高實部的層材料(又稱為「間隔物(spacer)」)，及與前者相對具有折射率之較低實部的層材料(又稱為「吸收體」)。在此實例中，包含鉬(Mo)作為吸收體材料的相對較薄層136和與其相對之包含矽(Si)作為間隔物材料的較厚層134交替塗覆。層對亦可含有至少一個另外層，尤其是一內插障壁層，其可由如C、B4C、SixNy、SiC 或包含該等材料之一者的合成物組成，並用來防止介面處的互相擴散。藉此可確保包括低輻射負載的永久鮮明界定介面。
層對係分成兩個層群組。遠離基板且接近表面的第一層群組131具有第一數目N1個層對135。在此實例中，在第一層群組及遠離基板的輻射進入表面之間還塗覆用於保護位於其下之層的帽蓋層137。帽蓋層可由如釕、銠、金、鈀、SixNy或SiC組成或含有該等材料之一者。帽蓋層的自由表面(free surface)形成輻射進入表面。
接近基板的第二層群組132具有第二數目N2個層對135。此第二層群組可直接塗覆至基板表面，但亦可提供例如用作平滑層(smoothing layer)的單層或多層中間層。較佳將第二層群組接近基板的諸層尤其利用脈衝雷射沈積(PLD)生產為結晶層。
由壓電活性層材料構成的個別活性層140配置在第一層群組131及第二層群組132之間。可藉由施加電場至活性層材料，更改活性層的層厚度z。為此目的，直接接觸活性層，第一電極層142配置在該活性層及第一層群組之間，及第二電極層143配置在活性層及第二層群組之間。與活性層材料表面接觸的電極層由導電層材料組成，並藉由導電連接而連接至可切換或可調節電壓源145。可以取決於電壓源產生之電壓在最小值zmin(在沒有電場的情況下)及最大值zmax之間連續可變的方式，改變層厚度z。
針對每個反射鏡元件提供對應的電極配置。電極配置可彼此獨立驅動，致使對於每個反射鏡元件，可藉由獨立於其他反射鏡元件的活性層而施加電壓，更改其活性層的層厚度。
第一層群組131及第二層群組132在關於間隔物及吸收層的層厚度上均設計成其對入射角範圍具有反射效應，反射鏡配置係用於以該入射角範圍操作。在此例中，接近表面之第一層群組131之層對的第一數目N1係挑選致使該層群組利用布拉格反射，在鏡面處僅反射輻射入射的一 部分，而入射輻射的另一部分則傳輸通過活性層140到達第二層群組132。第二層群組之層對的第二數目N2係挑選致使傳輸至第二層群組的該部分事實上完全由第二層群組反射(及視需要，部分吸收)。
由第二層群組132反射的部分被往回反射通過活性層並通過第一層群組。因此，由層配置反射的輻射整體含有由第一層群組反射的第一部分及由第二層群組反射的第二部分。在此例中，多層配置的所得總反射率(也就是說，反射及入射強度之間的比率，以反射度或反射率R表示)由在第一層群組131反射的分波及第二層群組132反射的分波之間的干涉決定。在此例中，可針對每個反射鏡元件，藉由更改活性層的層厚度，分開更改干涉的類型及程度，致使在預定設定限制內，可以更改在相消干涉及相長干涉的部分之間的加權(weighting)。在此例中，由在下方第二層群組132反射的分波及上方第一層群組131反射的分波之間的光學角長差異(optical angular length difference)(相位差(phase difference))決定干涉程度。下文將以計算的例示性具體實施例為基礎，詳細解說此基本原則。
在計算的例示性具體實施例中，使用鈦酸鋇(BaTiO3)作為活性層140的活性層材料。第一電極142及第二電極143分別以由SrRuO3構成的層形成。此導電陶瓷材料展現出與鈦酸鋇接觸的相對極少晶格失配。或者，可使用例如氮化鋁(AlN)或某個其他導電材料，例如金屬材料。如所提到的，層對135由作為吸收體材料的鉬及作為間隔物材料的矽組成。
至少在基板側上的下方電極層143係存在作為結晶層；其尤其可利用脈衝雷射沈積(PLD)生產。晶體表面因而可用作生長活性層的支撐物，活性層同樣是利用PLD塗覆的結晶層。由於較小晶格失配，視需要可在單晶下方電極層上磊晶生長單晶活性層。
取決於活性層的層厚度及用來生產活性層的塗布方法，活性層表面可相對較粗糙。為了改良後續層的生長條件，可以將如由非晶矽構成的平滑層塗覆至活性層，在塗覆下一層之前，該平滑層的表面接著可利 用離子束拋光成平滑表面。該平滑層可用作電極層。
為了示範活性材料之層厚度z的效應，下文提出針對操作波長λ=13.5nm的EUV輻射及法線輻射入射(入射角AOI=0°)計算的實例。在此例中，術語「入射角」代表光線入射方向及光線撞擊在反射鏡上之點處的反射鏡表面的法線之間的角度。起始結構將由第一層群組131中10個Mo/Si層對(即，N1=10)及第二層群組132中同樣10個Mo/Si層對(即，N2=10)組成。給定Mo層為2.76nm及Si層為4.14nm的層厚度，這導致層對堆疊的週期性長度d=6.9nm。電極層142、143的層厚度各為2.76nm。活性層的層厚度z可變。
為了解釋層厚度對整個層配置之反射率R及透射率T的影響，圖2顯示圖解反射率R及透射率T隨著以上實例的層厚度z[nm]變化的對應曲線圖。取決於層厚度z及藉此在由層群組反射的輻射部分之間造成的相位差，因層厚度z增加而發生週期性變更，如此引起曲線中的最大值(峰值)及最小值(谷值)，其中透射T的最大值自然落在反射率R之最小值的區域中。
現在可針對各種目標規定來定義層厚度z。在以水平虛線劃定界限的第一區域R1中，在層厚度約略5nm及約略12nm的情況中，分別有最大反射率R的區域。在這些區域中，由於反射率曲線的較小梯度(gradient)，對於給定的層厚度變動△z，總反射率變動出現僅相對較小的設定範圍(調諧範圍(tuning range))。位在下方的第二區域R2涵蓋分別在反射率最大值之左邊及右邊之反射率曲線的相對高梯度的區域。對於活性層的給定層厚度變動△z，此處總反射率出現特別大的設定範圍△R(參見圖5)，但反射率的絕對值稍微小於最大反射率的區域(區域R1)中。第三區域R3標明層配置之最小反射率及對應之最大透射的區域。如果選好活性層之對應的層厚度，則亦可使用層配置作為在反射率及透射之間具有可設定比率的分光器層(beam splitter layer)。
現將參考圖3解釋層厚度z增加時遠離基板之第一層群組131中層對數目對反射率輪廓(reflectivity profile)的影響。就此點而言，圖3顯示第一反射率最大值的區域(在層厚度z約略5nm的情況中)，其中第二數目N2=10保持恆定，及接近表面之第一層群組中層對的第一數目N1在N1=10及N1=25之間改變。可以看出在第一反射率最大值之區域中的最大反射率隨著N1增加從約0.6增加至約0.72，及在相鄰反射率最小值之區域中的凹陷變得比較淺，致使反射率在N1=25的層厚度上僅在R=0.6及R=0.72之間改變。
參考圖4A示範給定第一層群組之恆定數目N1=10的層對下，在反射率最大值之區域中的反射率輪廓如何隨著最接近基板之第二層群組132中的層對數目增加而表現。隨著最接近基板之第二層群組中的層對數目增加，最大反射率在反射率最大值的區域中從約0.6增加至約0.7，而在鄰接反射率最小值之區域(約z=1.5nm及z=8.4nm)中的反射率降低卻增加。
從這點可以明白，有許多成對的第一及第二層群組(對應於第一數目N1及第二數目N2)在絕對反射率最大值的附近產生高反射率。以這些曲線為基礎，可以分別選擇第一及第二數目N1及N2的配對，因而允許活性層之改變的層厚度z結合相對較高總反射率的較大設定範圍。
請注意，最大反射率無法藉由較大的層對數目而任意增加。而是，如在Mo/Si層對的情況中，經驗顯示在約50層對時將出現飽和。在例示性計算中，最大的層對數目(N1+N2)限制在48，因為較大的層數很難對整體表現造成任何明顯變更。
設定範圍(調諧範圍)主要由壓電活性層材料的彈性及屈服應力(yield stress)決定。當超過屈服應力(σy)時，層材料便會發生不可逆的變形。屈服應力與材料的彈性(以彈性模數E描述，稱為「楊氏模數」)及材料的尺寸變更或變形有關，其中應變ε用作正規化測度(normalized measure)。 在無材料塑性變形下可能發生之層厚度的尺寸變更(應變)(εmax=△z/z)、屈服應力及彈性模數之間的關係給定為εmax=σy/E。在此例中，z是初始層厚度及△z是層厚度的變更。壓電材料的屈服應力通常在1%及5%之間，而BaTiO3的屈服應力約4.8%(R.F.Cook、C.J.Fairbanks、B.R.Lawn及Y.-W.Mai“Crack Resistance by Interfacial Bridging：Its Role in Determining Strength Characteristics”，J.Mater Res.，2，345-356(1987))。
此外，將以zmin描述活性層在層膨脹前的層厚度及以△z描述層厚度的變更。取決於將反射率最大值的哪一側用作考慮最佳化程序的基礎，應以zmax=zmin+△z給定壓電材料在設定範圍的最小反射率及設定範圍的最大反射率的厚度。使用此資訊及BaTiO3的屈服應力(σy=△z/zmin)，可以計算zmin、zmax及△z。舉例而言，如果所要的最大反射率設定為Rmax=72%，及層對數目(N1或N2)限制為48，獲得表1中所示前五個反射最大值(峰值1至峰值5)的值。在此例中，N1=N1及N2=N2成立。
值zmin、zmax及△z在表1、2及3中分別以單位10-10m或0.1nm指示(對應於習用但一般不再使用的長度單位Å(埃))。
在第一反射最大值之區域中(在層厚度z約5nm的情況中)的一個適當解決方案如圖4B所示，其中此處Rmax=72%、N1=16及N2=16。
如果預計使層構造針對反射率的最大設定範圍並結合相對較高反射率進行最佳化，則較佳採用圖2在第二區域R2中的範圍。在此範圍中，可以達到活性層的較大設定範圍並結合相對較小尺寸變更(層厚度變更)，在此並無法達到最大反射率。然而，例如，如果最小反射率限制在65%，則例如可在第一反射最大值的區域中獲得N1=18及N2=28之特別大的設定範圍。在第一反射最大值之區域中的最佳化結果匯整在表2中。
尤其可以看出活性層的較大絕對層厚度(對應於第二、第三、第四等反射率最大值)實現較大層厚度擺動△z，及因此實現反射率的較大設定範圍△R。可以挑選針對活性層之吸收的合適折衷。
圖5顯示在N1=18及N2=28之第一反射最大值之區域中的反射率輪廓。可從表2看出在此區域中，可在給定層厚度變動△z為0.127nm下，獲得反射率設定範圍△R約2.5%。
在一具體實施例中，尤其以下條件中的至少一個可成立：
(1)10<N1<30
(2)15<N2<50
(3)30<(N1+N2)<70及N1>10及N2>10
(4)N1N2
(5)z2nm
(6)z35nm
(7)△z0.1nm
(8)0.15nm△z2nm
最後，亦將參考圖6解說所述類型的多層配置亦可用作具有以可變方式設定之透射的物理分光器。圖2中具有相對較大透射值的第三區域R3特別適於此應用。舉例而言，圖6顯示在層厚度z1.2nm的情況中，在第二局部透射最大值(對應於第一反射率最小值)周圍的區域。此處同樣針對入射角AOI=0°執行計算。對約略45°的入射角範圍(較適於此應用)亦出現對應的結果。在所考慮的範圍中，為了計算的目的，將最小透射設定為30%，及在此等級以上改變透射率。表3指示N1=8及N2=8的例示值。在此例中，Tzmin及Rzmin分別是最小層厚度zmin的透射及反射率，及Tzmax及Rzmax是最大層厚度zmax的對應值。
表3
參考圖7示意性顯示EUV反射鏡配置700的作用，該EUV反射鏡配置包含複數個反射鏡元件，其多層配置在接近表面的第一層群組131及接近基板的第二層群組132之間各具有整合的壓電活性層140。連續層對的週期性將各針對使用的入射角AOI進行調適，致使最大反射率分別出現在第一層群組內及第二層群組內。此外，活性層140在沒有電場下的層厚度z將設定尺寸致使在來自第二層群組的第二部分A2及來自第一層群組的第一部分A1之間出現全相長干涉。在此實例中，在左邊顯示的反射鏡元件中，這導致在反射率最大值附近的總反射率(見上方曲線圖)。以從鏡面出現的光線的箭頭長度表示反射輻射的最終強度。
如果其目的因此在於設定整個鏡面上之反射率的位置相依變動，可將不同大小的電壓施加至個別反射鏡元件的活性層，致使在個別反射鏡元件內建立活性層的不同層厚度。在此實例中，藉由施加電壓至右邊反射鏡元件的活性層，導致層厚度增加△z。與全相長干涉的情況(左邊)相比，這因而導致來自第一層群組(部分A1)的分波及來自第二層群組(部分A2)的分波之間的相移，致使發生部分相消干涉。因此，在此實例中，反射總強度降低△R(見上方曲線圖)，這以出現光線的相對較短箭頭來圖解。
應提到的是，每個反射鏡元件可具有活性層的不同操作點或不同標稱層厚度(nominal layer thickness)。層元件亦可具有在群組中相同但在兩個或更多群組之間有所不同的層厚度。
圖8以傾斜透視圖及局部斷面示意性顯示根據另一具體實施例的EUV反射鏡配置800。此EUV反射鏡配置亦具有大量反射鏡元件 810、811、812，其彼此成列與行並排配置，致使其個別元件鏡面整體形成反射鏡配置的總鏡面。以舉例方式詳細解說反射鏡元件810的層構造。利用合適的塗布技術，將多層配置830塗覆在基板820上。在其厚度的大部分上，此多層配置具有包含多個層對835的嚴格週期性構造，其中每個層對具有：相對較薄層836，由具有折射率之相對較低實部的層材料構成；及較厚層840，由具有折射率之相對較高實部的層材料構成。
較厚層840各由相同壓電活性層材料組成，並因此形成其層厚度可以電場作用更改的活性層。較薄層836各由導電材料組成。相鄰層836分別包圍個別活性層840並用作座落在其間之活性層的電極層，以產生在相鄰層836之間施加電壓的電場，該電場垂直於層表面滲透座落在其間的活性層840。電極層836交替連接至可切換DC電壓源845的相應極，該電壓源具有以可變方式設定的電壓。
在此實例中，由非導電活性層840及導電電極層836之序列形成的週期性配置具有對應於層對835的層厚度的週期性長度P。藉由施加電壓至電極層，可以連續可變的方式更改週期性長度，因為活性層的層厚度z係以取決於施加電壓的方式變更。
由於層週期P因施加電壓的反應而變動，因此可在操作波長下影響受影響反射鏡元件的反射率。以聯合布拉格方程式的方式，亦可藉由稍微失諧的操作波長及/或入射角來補償反射率變更。再者，由於整個層堆疊的絕對厚度，也就是說，在基板及個別反射鏡元件的元件鏡面之間的距離，在活性層的層厚度增加的情況中增加，亦影響撞擊在鏡面上之輻射的波前，因為舉例而言，在元件鏡面上升時，由元件鏡面反射之輻射的光學路徑整體縮短。藉此可相對於相鄰非活性化元件鏡面或上升至不同程度的元件鏡面引入相移。因此可同時使用此具體實施例以空間解析影響波前及空間解析影響反射率。
在此具體實施例中，因為活性層材料的整體相對較大厚度為 輻射所穿越，應使用具有低吸收係數(複折射率的虛部)的材料作為活性層材料。
層對835的數目例如可在10及70之間。
在圖9之EUV反射鏡配置900的具體實施例中，反射鏡元件910、911、912同樣實質上以填滿表面積的方式彼此成列與行並排配置，致使其矩形元件鏡面整體形成反射鏡配置的鏡面。可反射EUV輻射之多層配置930的層構造係設計成可將EUV反射鏡配置整體用作波前校正裝置(wavefront correction device)，其以空間解析方式起作用，不會因為不同的操作模式而出現反射率的不同空間分布。為此目的，此多層配置從鏡面開始首先具有第三層群組933，其由第三數目N3個相同類型的層對935組成。每個層對(雙層)具有由鉬構成的較薄吸收層936及由矽構成的較厚間隔物層934。層對935的數目N3被挑選致使週期性堆疊反射輻射進入表面的整個輻射入射(或吸收其相對較小部分)。舉例而言，為此目的，提供在40個及50個之間的層對935。以取決於發生之入射角範圍及操作波長的方式挑選層對的週期，致使根據布拉格方程式發生最大或幾乎最大反射率。
由壓電活性層材料構成的活性層940座落在第三層群組933及基板920之間。電極層942及943分別配置在活性層的頂側及底側，其中接近基板的電極層943可直接配置在基板920上，或在其他具體實施例中，配置在位於其間的中間層上。電極層942、943連接至可切換DC電壓源945，利用該電壓源，可視需要將預定大小的DC電壓施加在電極層之間，致使電場滲透壓電活性層940，及其層厚度z以取決於施加電壓的方式變更。
活性層940及其鄰接的電極層943、942各利用脈衝雷射沈積(PLD)塗覆。在對應方法實施下，可將諸層塗覆為單晶層，致使後續塗覆Mo/Si層對的上方電極層942的表面具有如此之低的粗糙度，致使可免除後續拋光。
參考圖10A至10C解釋在反射鏡配置的構造中使用結構化電極的一些變化。圖10A以傾斜透視圖顯示反射鏡配置1000之三個橫截面矩形反射鏡元件1010、1011、1012的示意圖，該等反射鏡元件例如可用作EUV投影曝光設備(參見圖11)之照射系統的場平面區域中的場琢面反射鏡。詳細圖解了反射鏡元件1010的層構造。以類似於圖1之配置的方式，將由許多個別層構成的多層配置1030塗覆至基板1020。由壓電活性結晶層材料構成的個別活性層1040配置在座落在輻射進入表面附近的第一層群組1031及接近基板的第二層群組1032之間。兩個層群組各以合適的層週期由複數個(如，在10及30之間)層對組成，且其本身各對穿透的EUV輻射具有反射效應。利用活性層1040之可以電更改的層厚度z，可以設定特定的相移，可針對在由第二層群組1032反射的第二部分及由第一層群組1031反射的第一部分之間的相移程度連續可變地設定相移。
驅動活性層的電極配置具有基板側第二電極層1043，其在反射鏡元件的整個橫截面上連續並連接至可設定DC電壓源1045的一極。配置在活性層1040之相對表面上的第一電極層1042係設計為結構化層電極，且細分成複數個電極段1042A、1042B，該等電極段彼此並排座落且彼此電絕緣。每個電極段僅覆蓋反射鏡元件總橫截面面積的一小部分，如，僅覆蓋小於50%、小於40%、小於30%、小於20%或小於10%。一般而言，個別電極段的面積係結構化層電極總面積的至少1%或至少5%。由非導電層材料構成的較窄絕緣區段1044分別座落在相鄰電極段之間。絕緣區域各對著反射鏡元件的長邊(x方向)及短邊(y方向)傾斜延伸。也可以使用其他定向。
可借助例如微影方法生產結構化電極1042。
每個電極段經由分開的電線連接至DC電壓源1045的另一極，並可與其他電極段獨立地被置於相對於連續第二電極層1043的合適電位。一般而言，每個電極段均有分開的可切換或連續可變設定的DC電壓 源。
借助結構化電極，可以位置相依的方式更改活性層1040的層厚度，以產生在x方向上延伸的層厚度輪廓。根據在x方向中改變的層厚度，因而建立在x方向中局部改變之反射輻射部分的相移，致使其結果為此個別反射鏡元件的反射率R亦可在x方向中以位置相依的方式設定及改變。在反射鏡配置上方顯示的示意曲線圖顯示在左邊電極段之區域中的總反射率R比在相對較窄側的區域中高，其中過渡區域座落在其間。
在此反射鏡配置1000的情況中，因此不僅可在各情況中個別地控制個別反射鏡元件1010、1011、1012的反射率等級，且亦可在每個個別反射鏡元件內隨著改變的局部反射率R設定所要輪廓。結果，個別反射鏡元件繼而形成具有兩個或多個可個別設定其反射率之反射鏡元件的EUV反射鏡配置，其中電極段1042A、1042B的形狀及大小決定該等反射鏡元件的形狀及大小。
圖10B及10C示意性顯示結構化層電極的其他結構化幾何形狀，其可在個別反射鏡元件或配備複數個反射鏡元件之反射鏡配置的反射鏡元件的具體實施例中使用。可在橫截面為圓形的反射鏡元件中使用整體圓形結構化電極1050且結合同樣圓形但未細分成段的反電極。在此實例中，結構化電極具有十二個相同形狀及大小且可個別驅動的電極段1050A、1050B，每個電極段覆蓋約30°的角範圍。在電極段的自由外緣，各提供連接至電壓源之電連接的接觸點KP。例如可在投影透鏡的個別反射鏡上提供此結構化電極配置，以設定鏡面處反射率及/或反射相位之徑向對稱非一致分布，其中反射行為在各情況中在方位角方向(圓周方向)中改變，及可以有目標的方式設定此變動。舉例而言，可以設定具有雙重(two-fold)、三重、四重或六重方位角對稱性的局部反射率分布。
圖10C的結構化電極1060具有多個電極段1060A、1060B，其彼此電絕緣且覆蓋反射鏡元件的圓形面積，其間相隔一小段距離。取代 方形電極段的方格配置，舉例而言，亦可提供其他多邊形形狀，例如三角形或六邊形。在活性層另一側上的反電極(未顯示)是連續的，也就是說，未細分成段。由電絕緣材料構成且在不同方向上延伸的絕緣區域1064配置在相應方形電極段之間。這些鄰接電極配置之圓形外緣的電極段可經由對應的第一接觸點KP1，從外側橫向直接接觸連接。對結構化電極層外側沒有連接的內部電極段經由窄線(narrow line)(以電絕緣方式在絕緣區域1064內的兩側上延伸)接觸連接至分別與其建立接觸的電極段及接觸連接至第二接觸點KP2。藉此可將每個電極段與其他電極段分開且獨立地相對於反電極(未顯示)置於特定電位，並藉此將活性層的層厚度設定於相關聯的層範圍中。
借助壓電活性層在反射鏡配置總鏡面上及/或在個別反射鏡元件的表面上對反射率輪廓進行空間解析設定的EUV反射鏡配置可使用於各種任務。以下提出在EUV微影投影曝光設備之照射系統的背景中的可能功用。
圖11顯示EUV微影投影曝光設備1100的光學組件，以配置在投影透鏡之物體表面1150區域中之反射圖案化裝置或遮罩之圖案的至少一個影像，曝光配置在投影透鏡1130之影像表面1160區域中的輻射敏感基板(radiation-sensitive substrate)。
該設備以來自主要輻射源1114的輻射進行操作。照射系統1110用於接收主要輻射源的輻射，及用於使引導於圖案上的照射輻射成形。投影透鏡1130用於將圖案結構成像於光敏基板上。
主要輻射源1114尤其可以是雷射電漿源或氣體放電源或基於同步加速器的輻射源。此類輻射源產生在EUV範圍中的輻射1120，尤其具有在5nm及30nm之間的波長。為了使照射系統及投影透鏡能夠在此波長範圍中操作，使用可反射EUV輻射的組件建構照射系統及投影透鏡。
利用收集器(collector)1115收集從輻射源1114出現的輻射 1120，並將其引導至照射系統1110中。在此例中，輻射通過中間焦平面(intermediate focal plane)1122，於其中可提供分開非所要輻射部分的裝置。照射系統包含混合單元(mixing unit)1112、望遠鏡光學單元(telescope optical unit)1116及場成形反射鏡(field shaping mirror)1118。照射系統使輻射成形，並因此照射座落在投影透鏡1130之物體平面1150中或在其附近的照射場。在此例中，照射場的形狀及大小決定物體平面1150中有效使用物體場(effectively used object field)的形狀及大小。
反射光罩或某個其他反射圖案化裝置在設備操作期間配置在物體平面1150中。在此例中，投影透鏡具有六個反射鏡，並將圖案化裝置的圖案成像至影像平面中，要曝光的基板(如，半導體晶圓)配置在影像平面中。
混合單元1112實質上由兩個琢面反射鏡1170、1180組成。第一琢面反射鏡1170配置在照射系統之與物體平面1150光學共軛的平面1172中。第一琢面反射鏡因此亦定名為「場琢面反射鏡」。第二琢面反射鏡1180配置在照射系統之與投影透鏡光瞳平面光學共軛的光瞳平面1182中。第二琢面反射鏡因此亦定名為「光瞳琢面反射鏡」。
借助光瞳琢面反射鏡1180及成像光學總成(其布置在光束路徑下游，並包含望遠鏡光學單元1116及切線入射(grazing incidence)場成形反射鏡1118)，第一琢面反射鏡1170的個別鏡射琢面(個別反射鏡)成像於物體場1152中。
一方面利用場琢面反射鏡1170的琢面，及另一方面利用光瞳琢面反射鏡1180的琢面，來自輻射源的輻射束被分成複數個照射通道(illumination channel)，其中每個照射通道被精確地指派一對包含場琢面及光瞳琢面的琢面。其後的組件將所有照射通道的輻射導引至物體場1152。
場琢面反射鏡處的空間(局部)照射強度分布決定物體場中 的局部照射強度分布。光瞳琢面反射鏡1180處的空間(局部)照射強度分布決定物體場中的照射角強度分布(illumination angle intensity distribution)。
具有類似基本構造的EUV投影曝光設備如請見WO 2009/100856 A1或WO 2010/049020 A1，其揭示內容以引用方式併入本說明的內容中。
在顯示的具體實施例中，可利用個別場琢面及光瞳琢面的反射率來影響通道相依透射(channel-dependent transmission)及因此影響能量照射角分布(energetic illumination angle distribution)。可以場琢面反射率的位置相依變動影響物體場中的空間照射強度分布。
每個琢面反射鏡1170、1180均為具有多個個別反射鏡元件的EUV反射鏡配置。其鏡射前表面定名為「元件鏡面」並形成琢面反射鏡的琢面(鏡面)。
場琢面反射鏡1170及光瞳琢面反射鏡1180以圖1所示EUV反射鏡配置100的方式加以建構。每個反射鏡元件因此具有多層配置，其中座落在兩個電極層之間的個別壓電活性層配置在接近基板的第二層群組及接近表面的第一層群組之間。電極層電連接至控制裝置1190，該裝置組態用於視需要選擇性施加電壓至與個別活性層相關聯的電極對，以改變層厚度。這可對每個反射鏡元件分開地且獨立於其他反射鏡元件地進行，致使可在相關的琢面反射鏡處設定層厚度變動的不同局部分布及因此設定不同的局部反射率分布。
可使用準確控制琢面反射鏡之局部反射率的可能性，藉由照射系統及照射場中的光瞳控制照射強度分布。如果在一或多個照射通道中，以電驅動更改相關聯場琢面的反射率及/或相關聯光瞳琢面的反射率，則可以有目標的方式在特定設定範圍內更改該照射通道的照射強度。由於這可以針對複數個及視需要所有照射通道獨立於其他照射通道來進行，故可實現利用光瞳進行照射強度分布的可控制操縱器，以在照射場中以取決於照 射角的方式精確地提供所要的強度分布。
場琢面反射鏡亦可具有以結構化電極建構的反射鏡元件，及其因此能對每個個別反射鏡元件的反射率進行位置相依設定(參見圖10)。在此具體實施例中，由於可以位置獨立的方式控制場琢面反射鏡1170在個別琢面內的反射率，因此可以位置相依的方式使與其光學共軛的照射場1152中的局部照射強度分布大致接近所要照射強度分布。以此方式，可準確設定場一致性的所要值。
在影像場1162中，疊加個別場琢面的影像。其長邊平行於x方向(交叉掃描方向)延伸，而短邊則平行於y方向延伸，y方向對應於掃描器系統的掃描方向。藉由絕緣區段1044(圖10A)的傾角所達到的是，其進入影像平面中的投影既非平行且非垂直於掃描方向延伸，而是對著掃描方向傾斜。在掃描程序期間，在掃描程序中在y方向上整合的效應出現在影像場中，致使可能的絕緣區段假影事實上不會在影像場中顯現。
因此實現在照射系統之光瞳及場中的強度分布的完全可程式之「中性濾光器(neutral filter)」。在此例中，可控制中性濾光器的橫向解析度由可彼此分開驅動之反射鏡元件的橫向程度決定，或由所照射橫截面上的反射鏡元件數目決定。
在此具體實施例中，照射場1152中的照射強度分布由場一致性感測器1153監測，及光瞳表面中的照射強度分布利用光瞳強度感測器1183監測。與示意圖不同的是，這些感測器可座落在投影透鏡之影像平面的區域中。這些感測器連接至控制裝置1190，其基於感測器信號，控制在個別壓電活性層的電極層之間的電壓，並因此控制琢面反射鏡的局部反射率分布。由此控制迴路永久確保在照射系統之光瞳及場中之重要照射參數的較大準確性。
現參考圖12及13解說的其他具體實施例利用由EUV多層反射鏡包括至少一個由壓電活性層材料製成之活性層的特定層結構提供的 一些性質。首先，EUV多層配置中的單層或層堆疊通常呈現出顯著的導電率，特定電阻通常在約3 x 10-6Ω x cm的範圍中。因此，可利用多層配置的諸層作為接觸層(contact layer)，如上文一些具體實施例中所解說。其次，利用電場使壓電活性材料活性化，使得不需要在電極及壓電活性材料之間建立導電接觸。
圖12所示具體實施例的EUV反射鏡配置1200包含基板1220、形成於基板上的第二層群組1243、形成於第二層群組1243上以壓電活性層材料製成的活性層1240、及在反射鏡配置的輻射入射側上形成於活性層1240上的第一層群組1242。每個層群組可由交替的高折射率材料及低折射率材料的多個層對(諸如Mo/Si對或Ru/Si對)組成。第二層群組1243在橫向上細分成較小部分1243A、1243B、1243C，每個較小部分界定反射鏡元件1210、1211、1212等的橫向尺寸。在第二層群組的直接相鄰較小部分之間形成的內插絕緣區段1244使層群組的相鄰較小部分彼此在電氣上分開。每個較小部分形成一段結構化電極。
與此相反，第一層群組1242的諸層在反射鏡配置的整個可用橫截面上連續延伸(沒有中斷)。此具體實施例利用以下事實：形成多層配置中之層對的層材料具有充分的導電性，使得可使用層群組作為跨活性層1240提供所需電場的電極。為此目的，第一層群組1242在輻射入射側上的部分或所有個別層電連接至電壓源1245的一個輸出。每個較小部分1243A至1243C透過基板1220電連接至電壓源1245之分開的輸出。在此電路系統中，第一層群組1242用作反射鏡配置中多個反射鏡元件之每個單一反射鏡的共同電極。可在活性層1240相對側上的共同電極1242及個別電極段1243A、1243B、1243C的參考電位之間設定個別電壓值U1、U2及/或U3。
顯示在具體實施例中的反射鏡配置1200可以如下製造程序製造。在第一步驟，在基板上形成第二層群組1243的諸層作為連續層。在第二步驟，利用諸如微影程序的合適程序將層配置結構化，以在橫向上使 諸層分段及以任何所要幾何形狀提供形成絕緣區段1244之絕緣材料的空間，使得可形成具有所要形狀(例如正方形、六角形、三角形等)的較小部分。接著可以合適程序插入絕緣材料。其後，可利用合適程序在輻射入射側上形成所有後續層，作為在反射鏡配置之整個可用區域上延伸的連續層。可藉由後續塗層使得在形成結構化第二層群組1243後出現在自由表面上的任何殘餘結構粗糙度變平，因此可獲得具有均勻性質的較大可用區域。注意，使用跨整個可用區域延伸的連續層群組(第一層群組1242)作為共同電極層有助於減少電連接個別反射鏡元件所需電接觸的數目。
反射鏡配置的層結構可包括參考圖12所提諸層的額外層。例如，可視需要在電極層群組1242、1243及壓電活性層1240之間形成一或多個以電絕緣材料製成的絕緣層。
在以上圖8所示具體實施例的變化中，夾有內插活性層的每一對電極層連接至相同DC電壓源845，藉此允許以相同的相對量同步調整活性層的個別厚度。類似於由圖12中的第一層群組1242形成的共同第一電極，使用提供共同參考電位的共同參考電極，可達到類似結果。在此配置中，活性層為串聯電連接。如果電場的場強度跨所有壓電層均足夠強，則此配置將正確運作。
可將圖13之EUV反射鏡配置1300的具體實施例視為圖8所示具體實施例的變化。在形成於基板1320上的層結構中，以壓電材料製成的活性層1340與以具有折射率實部(小於形成較厚活性層1340之壓電材料的折射率實部)之材料製成的內插相對較薄層1336交替配置。較薄層1336導電並用作影響內插電極層對之間的相應活性層1340的電極層。
在圖8具體實施例的相鄰電子層之間施加相同電壓時，圖13所示電連接的變化允許個別地調整每個活性層1340的厚度。為此目的，包圍每個個別活性層1340的電極層1336電連接至電壓源的個別輸出，使得可獨立於在其他活性層上起作用的場強度，設定影響每個活性層1340的 電場強度。結果，每個活性層1340的厚度可個別地設定，並可與層堆疊中其他活性層的厚度不同。取決於在相鄰電極層之間設定的個別電壓U1,U2,...,Un-1，層結構可與嚴格週期性序列的層相異，使得個別反射鏡元件可對較廣範圍的入射角呈現出相對較高反射率。換句話說，可獲得EUV反射鏡配置的光譜寬頻響應，及藉由分開設定電極對的個別電壓，可調整在最大反射率及充分寬頻響應之間的合適折衷。
在圖9所示具體實施例的變化中，可以類似於圖12所示構造的方式，由第三層群組933形成的單一連續頂部電極取代在活性層940的光入射側上形成的個別電極942。換句話說，在基板側上的個別電極943可如所示形成，並利用類似於圖12所示的絕緣區段與橫向相鄰電極分開。亦可藉由以導電材料製成的單一電極層取代圖12中的個別多層電極1243A至1243C，而獲得類似層。
可從圖10A的具體實施例引申出在此未詳細顯示的另一具體實施例，圖10A的具體實施例包含在活性層1040之一側上的結構化電極1042。如上文所討論，結構化電極1042細分成合適數目的個別電極段1042A、1042B，其在橫向上藉由絕緣區段1040分開且其彼此電絕緣。藉由直接在結構化電極上形成連續絕緣層，可達成電絕緣。
在圖10A所示具體實施例的變化中，結構化電極形成於活性層的基板側上，並類似於圖12所示的方式連接至電壓源的個別輸出。可以類似於圖12的共同電極1242顯示的方式，在活性層的相對側上提供所有個別反射鏡元件共用的共同參考電極。
已基於例示性具體實施例解說在微影投影曝光設備的照射系統中之EUV反射鏡配置的一些可能功用。作為補充或替代，亦可規定根據EUV反射鏡配置之一具體實施例，決定照射系統之望遠鏡光學單元1116的至少一個反射鏡及/或投影透鏡1130的至少一個反射鏡。
EUV反射鏡配置的總鏡面可以平面反射鏡的方式變平坦。 亦可以凸面或凹面彎曲鏡面設計EUV反射鏡配置。在這些實例中，個別鏡面在各情況中為平面表面。但這並非必要條件。反射鏡元件的個別或所有個別鏡面亦可為凸面或凹面彎曲。
在例示性具體實施例中，在各情況中界定EUV反射鏡配置之個別鏡面的相對定向(relative orientation)，其中活性層之層厚度的電感應變更僅導致該鏡面相對於基板上升或降低。另外，EUV反射鏡配置的個別或所有反射鏡元件亦可借助獨立致動器而相對於彼此傾斜，以有目標的方式更改反射輻射的照射角分布(如，參見WO 2009/100856 A1)。
可針對所要應用，調適個別反射鏡元件的形狀。舉例而言，如果預計使用EUV反射鏡配置作為場琢面反射鏡，個別鏡面可以是具有預定長寬比的矩形或為拱形彎曲。在EUV反射鏡配置預計用作光瞳琢面反射鏡的情況中，除了多邊形橫截面，亦可使用圓形橫截面的個別反射鏡元件。
可針對所要進行的應用，調適多層配置在連續層對區域中的層構造。如果相對較小入射角範圍需要使用較高的最大反射率，則有利的是使用全週期性序列的層對。相反地，如果需要角空間的寬頻組態及/或光譜寬頻組態，亦可結合不同週期的層對(如參見DE 101 55 711 B4或WO 2010/118928 A1)。為了減少反射率對入射角的相依性，原則上，層配置亦可以US 7,382,527 B2中揭示的方式建構。尤其，可對多層配置的層對提供不同材料配對。
原則上，亦可在僅具有單一反射鏡元件的反射鏡中提供所描述多層配置的層構造。藉此如利用以電感應的方式變更層配置的層週期，可針對稍微不同的中央波長進行調適及/或針對變更的入射角進行調適。再者，可調適全域強度或劑量。
當使用結構化層電極(如見圖10)時，可以位置相依的方式控制撞擊在個別反射鏡元件上之輻射的反射率及/或相位。
本發明的具體實施例不只可使用於投影微影光學系統。舉例而言，可在X光顯微學的領域中使用，特別可在EUV遮罩量測學的領域中使用。舉例而言，可在航空影像監控系統(Aerial Image Monitoring System，AIMS)、光化圖案化遮罩檢測系統(Actinic Patterned Mask Inspection System，APMI)或光化基底檢測系統(Actinic Blank Inspection System，ABI)中使用一或多個反射鏡配置。EUV AIMS系統的透鏡如揭示於國際公開案WO 2011/012267 A1及WO 2011/012266 A1。同樣亦可設想在EUV系統量測學中的應用，如，光化系統干涉計(actinic system interferometer)。另外可設想在EUV天文學的領域中及針對同步加速器系統或FEL射束線(FEL=Free Electron Laser)中之光學總成的應用。
例示性具體實施例係組態用於13.5nm的中央波長。其他例示性具體實施例可針對其他波長(波長範圍)(例如約6.8nm的中央波長)最佳化。在此例中，尤其，層對之交替層亦可使用其他層材料，如，La/B4C的組合。在較短中央波長的情況中，與上述實例相比，有利的是增加層群組中層對的數目。
100‧‧‧EUV反射鏡配置
110、111、112‧‧‧反射鏡元件
115‧‧‧鏡面
120‧‧‧基板
130‧‧‧多層配置
131‧‧‧第一層群組
132‧‧‧第二層群組
134‧‧‧較厚層
135‧‧‧層對(雙層)
136‧‧‧相對較薄層
137‧‧‧帽蓋層
140‧‧‧活性層
142‧‧‧第一電極層
143‧‧‧第二電極層
145‧‧‧電壓源
z‧‧‧層厚度

Claims (22)

  1. 一種EUV反射鏡，包含一反射鏡元件，形成該反射鏡之一鏡面；該反射鏡元件包含一基板及塗覆在該基板上的一多層配置，該多層配置對極紫外線範圍之輻射具有反射效應且包含多個層對，其具有由一高折射率層材料及一低折射率層材料構成之交替層；該多層配置包含一活性層，其配置在一輻射進入表面及該基板之間且由一壓電活性層材料組成，可利用電場的作用更改該活性層的層厚度；以及一電極配置以產生對該活性層起作用的該電場；其中用於驅動該活性層的該電極配置具有一電極層，其設計為一結構化層電極且細分成複數個電極段，該複數個電極段彼此並排且彼此電絕緣，其中該等電極段之各者僅覆蓋該反射鏡元件之總橫截面面積的一小部分。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之EUV反射鏡，其中該等電極段之各者覆蓋少於該結構化層電極的總面積的50%且大於該結構化層電極的總面積的1%。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之EUV反射鏡，其中該電極配置包含一共同電極與該結構化層電極相對，該共同電極在該反射鏡元件的該複數個電極段其中一些電極段或所有電極段之上延伸。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之EUV反射鏡，其中該共同電極形成在該活性層的一輻射入射側上，與該活性層的一基板側相對。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之EUV反射鏡，其中配置在該輻射入射側 上的該共同電極包含複數個堆疊在彼此頂部上的單層，以形成一多層。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之EUV反射鏡，其中該反射鏡元件在橫截面上為圓形且該結構化層電極為一整體圓形結構化層電極，其細分成的該等電極段各覆蓋一預先定義的角範圍，藉此該反射鏡元件之一反射行為在方位角方向中，亦即圓周方向中，以有目標的方式改變。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之EUV反射鏡，其中該結構化層電極具有複數個多邊形電極段於一方格配置。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所述之EUV反射鏡，其中該多層配置具有：一第一層群組，其配置在該輻射進入表面及該活性層之間且具有第一數目N1個層對；及一第二層群組，其配置在該活性層及該基板之間且具有第二數目N2個層對，其中該第一層群組及該第二層群組之層對的數目N1及N2被選擇致使對於撞擊在該輻射進入表面之輻射的至少一個入射角，該第一層群組傳輸入射輻射的一部分通過活性層到達該第二層群組，及由該多層配置反射的輻射含有由該第一層群組反射的一第一部分及由該第二層群組反射的一第二部分。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之EUV反射鏡，其中該活性層在沒有電場的情況下具有一層厚度致使對於入射輻射的參考入射角，可藉由施加電場，將該多層配置的反射率更改最大值20%。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之EUV反射鏡，其中該壓電活性層材料實質上由鈦酸鋇(BaTiO3)組成。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之EUV反射鏡，其中以下條件中至少一個成立：(1)10<N1<30(2)15<N2<50(3)30<(N1+N2)<70及N1>10及N2>10(4)N1N2(5)z2nm(6)z35nm(7)△z0.1nm(8)0.15nm△z2nm，其中z是該活性層的層厚度，及△z是電場作用所造成的層厚度變更。
  12. 如申請專利範圍第1或2項所述之EUV反射鏡，其中該多層配置具有多個由一壓電活性層材料構成的活性層，其中該等活性層分別與非活性層交替配置。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之EUV反射鏡，其中該活性層材料主要由類型(Li,Na,K)(Nb,Ti)O3之一陶瓷材料組成，其中該活性層材料較佳選自以下群組：鈮酸鉀(KNbO3)、鈮酸鋰(LiNbO3)、PbNb2O6及鈮酸鈉鉀(Na0.9K0.1NbO3)。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之EUV反射鏡，其中由導電、非壓電活性層材料形成的該等個別非活性層連接至一電壓源的個別輸出，使得可不同地設定影響不同活性層的電場場強度。
  15. 如申請專利範圍第1或2項所述之EUV反射鏡，其中該多層配置具有 一第三層群組，其配置在該輻射進入表面及該活性層之間且具有第三數目N3個層對，其中第三數目N3被選擇致使對於撞擊在該輻射進入表面之輻射的至少一個入射角，該第三層群組在入射輻射到達該活性層之前反射或吸收該入射輻射，其中第三數目N3較佳在10及70之間。
  16. 如申請專利範圍第1或2項所述之EUV反射鏡，其中該電極配置具有一第一電極層及一第二電極層，及該活性層配置在該等電極層之間。
  17. 如申請專利範圍第1或2項所述之EUV反射鏡，其中該活性層係利用脈衝雷射沈積塗覆的一PLD層。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之EUV反射鏡，其中至少一個電極層係利用脈衝雷射沈積塗覆的一PLD層，及/或其中一電極層由一導電陶瓷材料，尤其是SrRuO3或AlN，所組成。
  19. 如申請專利範圍第1或2項所述之EUV反射鏡，其中該壓電活性層材料選自以下群組：Ba(Sr,Zr)TiO3、Bi(Al,Fe)O3、(Bi,Ga)O3、(Bi,Sc)O3、CdS、(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3、Pb(Cd,Co,Fe,In,Mg,Ni,Sc,Yb,Zn,Zr)(Nb,W,Ta,Ti)O3、ZnO、ZnS，或含有此群組之至少一個材料以結合至少一個其他材料。
  20. 一種光學系統，包含至少一個如申請專利範圍第1至19項中任一項所述之EUV反射鏡。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之光學系統，其中該光學系統係微影投影曝光設備之一照射系統或一投影透鏡。
  22. 一種操作一光學系統的方法，該光學系統包含至少一個如申請專利範圍第1至19項中任一項所述之EUV反射鏡，其中藉由以該結構化層電極之對應之該等電極段來選擇性驅動該活性層之個別或所有部分，以位置相依的方式改變在該反射鏡元件之該鏡面上的局部反射率分布。
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