CN110632754B

CN110632754B - 一种线型微机械双向扭转镜阵列及其制作方法

Info

Publication number: CN110632754B
Application number: CN201910867258.4A
Authority: CN
Inventors: 虞益挺; 肖星辰; 董雪; 潘一宁; 苑伟政
Original assignee: Northwestern Polytechnical University
Current assignee: Northwestern Polytechnical University
Priority date: 2019-09-12
Filing date: 2019-09-12
Publication date: 2023-06-20
Anticipated expiration: 2039-09-12
Also published as: CN110632754A

Abstract

本发明公开了一种线型微机械双向扭转镜阵列及其制作方法，属于微光机电系统领域。该阵列的每组微镜单元主要包括一个镀有金属反射层8的微镜反射梁6和一个扭转支点3，两者形成为一体化结构，扭转支点3置于反射梁6下方的中线位置处，且贯穿整个微镜反射梁6的长度方向；微镜反射梁6通过其两端的微镜支撑结构9置于基底1上，且所述扭转支点3与基底1之间存在间隙。该扭转镜阵列可实现单一维度的偏转角度双向连续变化,具有高镜面填充率，工艺流程简单，其扭转支点与微镜反射梁一体化结构，提高了微镜单元偏转角度和偏转均匀性，保证了入射光线与法线所决定的平面与反射镜元阵列方向平行，改善了微镜在光学系统中的光场匹配特性。

Description

一种线型微机械双向扭转镜阵列及其制作方法

所属领域

本发明属于微光机电系统领域，主要涉及微机电系统技术、微加工技术、光学反射技术等。

现有技术

作为一种重要的微光机电系统(Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems，MEOMS)器件，微镜在光纤通讯、投影显示、数据存储、精密测量、医疗成像和生物技术等国防和民用领域都有着广泛的应用，尤其是随着美国TI(Texas Instruments)公司的数字微镜器件(digital micromirror devices，DMD)在数字投影仪等商业领域的成功应用，微镜已逐渐成为MEMS领域的一个研究热点。尽管微镜的结构形式、制作材料、加工方法、扭转方式与应用领域千差万别，但是，微镜的驱动方式不外乎压电驱动、电磁驱动、电热驱动和静电驱动四种类型。电磁型微镜扫描范围大，频率高，但需外加磁场，整体体积大。压电型微镜驱动力大，但扫描范围小。热电型微镜驱动响应慢，频率低。而静电型微镜的研究比较早，且技术成熟，因为其驱动方式简单、加工制造容易以及功率消耗比较小，所以静电驱动方式在微镜的研究中得到了最为广泛的应用。

通过文献检索发现，TI公司早在1986年提出了DMD结构(US patent4615595(1986.10.7))，其由许多小型铝制反射镜、CMOS静态存储器、寻址电极、偏置电极、轭架、铰链等组成。DMD是微机电系统领域的重要器件，采用CMOS工艺制造微镜阵列并集成在CMOS存储器上面，在数字驱动信号的控制下能够迅速改变偏转角度，从而改变入射光的出射方向。微镜的转动是由微镜本身与下面的存储单元之间的电压差所产生的静电吸引来完成。当存储器单元处于“开”即“1”状态时，微镜转到+10°；当存储器单元处于“关”即“0”状态时，微镜转到-10°。2013年，上海交通大学提出了一种全铝型静电驱动微镜(CN 103336363A(2013.06.06))，包括微镜、支柱和下电极，通过静电驱动，可以实现绕反射镜元表面对角线连续偏转。上述微镜，主要有以下几点不足：多层结构导致制作工艺复杂，价格昂贵；像素型微镜阵列有效光学反射面积小；反射镜元表面不是沿垂直于阵列方向的轴偏转，使得后续光路设计变得复杂，在光学系统中的光场匹配特性较差。

发明内容

发明目的

针对现有技术中存在的问题，即多层结构导致制作工艺复杂和价格昂贵；有效光学面积小；在光学系统中的光场匹配性差，本发明提出了一种新型的线型微机械双向扭转镜及其阵列的加工方法，旨在通过采用复杂接触状况下的跨尺度反射镜特殊结构设计，提高微镜的有效光学反射面积以及镜面填充率；简化微镜制备工艺流程，降低加工成本；改善微镜在光学系统中的光场匹配特性，简化光学系统光路设计，促进光学系统小型化发展。

技术方案

本发明提出的线型微机械双向扭转镜阵列的结构参阅图1，采用静电驱动方式。所述线型微机械静电驱动双向扭转镜主要包括基底1和置于基底1上的N组微镜单元，每组微镜单元主要包括一个微镜反射梁6和一个扭转支点3，所述扭转支点3置于反射梁6下方的中线位置处，且贯穿整个微镜反射梁6的长度方向；所述微镜反射梁6和扭转支点3为一体化结构，通过微镜反射梁6两端的微镜支撑结构9与锚点10相连，使得所述微镜单元悬置于基底1上；且所述扭转支点3与基底1之间存在间隙；微镜反射梁6上镀有金属反射层8。

由于每组微镜单元的反射梁6均被扭转支点3沿宽度方向分为两部分，基底1上与上述每组微镜单元两部分对应位置处分别布有第一下电极2和第二下电极4；第一下电极2与相应的反射梁6之间施加有第一驱动电压源5，第二下电极4与相应的反射梁6之间施加有第二驱动电压源7；所述第一驱动电压源5或第二驱动电压源7提供每组微镜单元双向扭转时所需要的驱动电压。

进一步的，所述的基底1材料为玻璃、硅等。

进一步的，所述的微镜反射梁6材料为硅。

进一步的，所述的第一下电极2和第二下电极4材料为金、铝等。

进一步的，所述的金属反射层8材料为金、银、铝等。

进一步的，所述的微镜支撑结构9可根据需要设计成直梁、折叠梁等。

进一步的，所述的电压源5、电压源7可以为直流或交流电压源。

本发明的基本工作原理是：参阅图2(a)，当驱动电压V_i1接通时，第i组微镜单元的扭转支点3和微镜反射梁6在静电力作用下向下运动；当扭转支点3与基底接触之后，微镜反射梁6开始绕接触点逆时针扭转，产生扭转角θ₁；当驱动电压V_j1接通时，第j组微镜单元的扭转支点3和微镜反射梁6在静电力作用下向下运动；当扭转支点3与基底1接触之后，微镜反射梁6开始绕接触点逆时针扭转，产生扭转角θ₂；当第i组微镜单元的驱动电压V_i1与第j组微镜单元的驱动电压V_j1相等时，第i组和第j组微镜反射梁6产生的扭转角相等，即θ₁＝θ₂。

参阅图2(b)，当第i组微镜单元的驱动电压V_i1与第j组微镜单元的驱动电压V_j1不相等时，第i组和第j组微镜反射梁6产生的扭转角不相等，即θ₁≠θ₂；从而实现更加复杂的空间光调制。

参阅图2(c)，当驱动电压V_i2接通时，第i组微镜单元的扭转支点3和微镜反射梁6在静电力作用下向下运动；当扭转支点3与基底1接触之后，微镜反射梁6开始绕接触点顺时针扭转，产生扭转角θ₃；当驱动电压V_j2接通时，第j组微镜单元的扭转支点3和微镜反射梁6在静电力作用下向下运动；当扭转支点3与基底1接触之后，反射梁5开始绕接触点顺时针扭转，产生扭转角θ₄；当第i组微镜单元的驱动电压V_i2与第j组微镜单元的驱动电压V_j2相等时，第i组和第j组微镜反射梁6产生的扭转角相等，即θ₃＝θ₄。

参阅图2(d)，当第i组微镜单元的驱动电压V_i2与第j组微镜单元的驱动电压V_j2不相等时，第i组和第j组微镜反射梁6产生的扭转角不相等，即θ₃≠θ₄；从而实现更加复杂的空间光调制。

参阅图3，本发明提出的用于线型微机械双向扭转镜阵列的第一种制备工艺包括如下基本步骤:

步骤1：参阅图3(a)，将基底1置于沉积设备中，在基底1上沉积金属薄膜11、12。

进一步的，所述的沉积设备可以选择为电子束蒸镀机、磁控溅射镀膜机等。

步骤2：参阅图3(b)，利用湿法腐蚀工艺制作下电极2和下电极4。

进一步的，所述的湿法腐蚀工艺是采用金属刻蚀液将相关的金属薄膜图形化。

步骤3：参阅图3(c)，根据微镜偏转角度以及驱动电压的要求，在微镜反射梁材料13上刻蚀得到一定高度的扭转支点3和锚点10。

进一步的，所述的刻蚀工艺可以选为感应耦合等离子体刻蚀工艺、反应离子刻蚀工艺等。

进一步的，所述的扭转支点的高度、微镜单元的厚度和宽度是由微镜偏转角度和驱动电压大小决定。

步骤4：晶片清洗。

步骤5：参阅图3(d)，将微镜反射梁材料13和基底1通过MEMS工艺键合在一起。

进一步的，所述的MEMS工艺可以选择为共晶键合、阳极键合等。

步骤6：参阅图3(f)，根据微镜驱动电压大小，利用MEMS工艺将微镜反射梁材料13减薄至所需厚度。

进一步的，微镜反射梁材料减薄的厚度与微镜单元驱动电压大小有关。

进一步的，所述的MEMS工艺可以选择为化学机械抛光工艺、硅的湿法腐蚀工艺、感应耦合等离子体刻蚀工艺等。

步骤7：参阅图3(g)，在被减薄的微镜反射梁材料13上沉积一层金属薄膜，并利用MEMS刻蚀工艺完成金属反射层8的制作。

进一步的，所述的MEMS刻蚀工艺可以选择为金属的湿法腐蚀、金属的干法腐蚀。

步骤8：参阅图3(h)，以金属反射层为掩膜，在微镜反射梁材料13上通过干法刻蚀工艺制作微镜反射梁6。

进一步的，所述的干法刻蚀工艺可以采用感应耦合等离子体刻蚀工艺、反应离子刻蚀工艺。

参阅图4，本发明提出的用于线型微机械双向扭转镜阵列的第二种制备工艺包括如下基本步骤:

步骤1：参阅图4(a)，在基底1上利用MEMS工艺刻蚀一定深度的浅槽17。

进一步的，所述的MEMS刻蚀工艺可以选择为反应离子刻蚀工艺、感应耦合等离子体刻蚀工艺等。

步骤2：参阅图4(b)，在被刻蚀有浅槽的基底1上沉积金属薄膜18、19。

步骤3：参阅图4(c)，利用湿法腐蚀工艺完成下电极2和下电极4制作。

步骤4：参阅图4(d)，根据微镜偏转角度以及驱动电压的要求，在微镜反射梁材料13上刻蚀得到一定高度的扭转支点3和锚点10。

进一步的，所述的刻蚀工艺采用感应耦合等离子体刻蚀工艺。

步骤4：晶片清洗。

步骤5：参阅图4(e)，将微镜反射梁材料13和基底1通过MEMS工艺键合在一起。

步骤6：参阅图4(g)，根据微镜驱动电压大小的需要，利用MEMS工艺将微镜反射梁材料13减薄至所需厚度。

进一步的，所述的微镜反射梁材料被减薄厚度与微镜单元所需驱动电压的大小有关。

进一步的，所述的MEMS工艺可以为化学机械抛光工艺、硅的湿法腐蚀工艺、感应耦合等离子体刻蚀工艺等。

步骤7：参阅图4(h)，在被减薄的微镜反射梁材料13上沉积一层金属薄膜，并利用MEMS刻蚀工艺完成金属反射层8的制作。

步骤8：参阅图4(i)，以金属反射层为掩膜，在微镜反射梁材料13上通过干法刻蚀工艺制作微镜反射梁6。

进一步的，所述的干法刻蚀工艺可以采用感应耦合等离子体刻蚀工艺、反应离子刻蚀工艺等。

有益效果

本发明提出的线型微机械双向扭转镜阵列通过采用复杂接触状况下的跨尺度反射镜结构，不仅提高了微镜阵列的镜面填充率，而且简化了微镜的工艺流程，降低了加工成本；与像素型微镜阵列相比，其有效光学反射面积也将增加。其次本发明提出的扭转支点与微镜反射梁一体化结构，提高了微镜单元偏转角度和偏转均匀性。同时本发明中的微镜能够实现反射镜元表面沿垂直于阵列方向的轴双向扭转，保证了入射光线与法线所决定的平面与反射镜元阵列方向平行，改善了微镜在光学系统中的光场匹配特性，极大程度上简化了后续系统光路的设计和搭建，有利于整个光学系统的小型化。除此之外，本发明提出的线型微机械双向扭转镜阵列还可以实现单一维度的偏转角度双向连续变化，进而实现更加复杂的空间光调制，单一维度扫描的工作方式也将会提高光学系统的成像速率，本发明将促进线型微机械双向扭转镜阵列在实际光学系统中的广泛应用。

附图说明

图1是实施例1中线型微机械双向扭转镜阵列结构示意图；

图2是实施例1中线型微机械双向扭转镜阵列结构剖视图；

图3是实施例1中线型微机械双向扭转镜阵列工作原理示意图；

图4是实施例1中线型微机械双向扭转镜阵列制备工艺示意图；

图5是实施例2中线型微机械双向扭转镜阵列制备工艺示意图；

图6是实施例中所用微镜材料SOI硅片的结构示意图。

其中：1-基底；2-第一下电极；3-扭转支点；4-第二下电极；5-第一驱动电压源；6-微镜反射梁；7-第二驱动电压源；8-金属反射层；9-微镜支撑结构；10-锚点；11-第一铬膜；12-第一金膜；13-SOI硅片；14-SOI硅片衬底层；15-SOI硅片埋氧层；16-SOI硅片器件层；17-浅槽；18-第二铬膜；19-第二金膜。

具体实施方式

下面结合附图，通过实例对本发明做进一步说明：

实施例1

本实施例中的线型微机械静电驱动双向扭转镜主要包括基底1和置于基底1上的60组微镜单元，微镜单元之间的间距为2μm，每组微镜单元主要包括一个3000×50μm²微镜反射梁6和一个扭转支点3，所述扭转支点3置于微镜反射梁6下方的中线位置处，且贯穿整个微镜反射梁6的长度方向；所述微镜反射梁6和扭转支点3为一体化结构，通过微镜反射梁6两端的微镜支撑结构9与锚点10相连，使得所述微镜单元悬置于基底1上，且所述扭转支点3与基底1之间存在500nm的间隙；微镜反射梁6上沉积有15nm厚的第一铬膜和200nm厚的第一金膜作为金属反射层8。

由于每组微镜单元的微镜反射梁6均被扭转支点3沿宽度方向分为两部分，基底1上与上述每组微镜单元两部分对应位置处布有第一下电极2和第二下电极4；第一下电极2与相应的微镜反射梁6之间施加有第一驱动电压源5，第二下电极4与相应的微镜反射梁6之间施加有第二驱动电压源7；所述第一驱动电压源5或第二驱动电压源7提供每组微镜单元双向扭转时所需要的驱动电压。第一驱动电压源5或第二驱动电压源7为直流电源。

进一步的，所述的基底1材料为玻璃。

进一步的，所述的微镜反射梁6材料为硅。

进一步的，所述的微镜支撑结构9设计成折叠梁。

进一步的，所述的第一下电极2和第二下电极4材料为金。

进一步的，所述的金属反射层8为金。

参阅图4，本发明提出的用于线型微机械双向扭转镜阵列的第一种制备工艺包括如下基本步骤:

步骤1：参阅图4(a)，将基底1至于电子束蒸镀机中，蒸镀15nm厚的第二铬膜18，作为粘附层；在第二铬膜上再蒸镀50nm厚的第二金膜19。示例性地，基底1为BF33玻璃片。

步骤2：参阅图4(b)，在蒸镀完成的基底1上通过湿法腐蚀工艺制作第一下电极2和第二下电极4。

进一步，所述湿法腐蚀工艺是利用金、铬刻蚀液分别将金膜和铬膜图形化。

步骤3：参阅图4(c)，根据微镜偏转角度和所需驱动电压大小，在SOI硅片器件层16上采用感应耦合等离子体刻蚀工艺得到12μm高的扭转支点3和锚点10。

步骤4：晶片清洗。将SOI硅片13用10:1的稀氢氟酸漂洗15s，再用H₂SO₄：H₂O₂＝4:1溶液漂洗10分钟，清洗后用去离子水漂洗，氮气吹干。基底1用H₂SO₄：H₂O₂＝4:1溶液漂洗10分钟，清洗后用去离子水漂洗，氮气吹干。本实施例中所用微镜材料SOI硅片13的结构如图6所示。

步骤5：参阅图4(d)，将SOI硅片器件层16和基底1通过MEMS工艺键合在一起。

进一步的，所述的键合工艺选择为静电热键合。

进一步的，所述的静电热键合是先硅-玻阳极键合再金-硅共晶键合。

步骤6：参阅图4(e)，利用MEMS减薄工艺将SOI硅片衬底层14和SOI硅片埋氧层15全部去除。

进一步的，所述的MEMS减薄工艺选为先化学机械抛光再感应耦合等离子体刻蚀。

进一步的，所述的化学机械抛光将SOI硅片衬底层14减至100μm，然后再利用感应耦合等离子体刻蚀工艺将剩余的SOI硅片衬底层14和SOI硅片埋氧层15去除。

步骤7：参阅图4(f)，将上述减薄完成的整片置于反应离子刻蚀机中，利用反应离子刻蚀工艺去除SOI硅片埋氧层15。

步骤8：参阅图4(g)，在SOI硅片器件层16上利用电子束蒸镀工艺沉积15nm厚的第一铬膜11和200nm的第一金膜12，并利用MEMS湿法腐蚀制作完成金属反射层8。

步骤9：参阅图4(h)，以金属反射层为掩膜，在SOI硅片器件层上通过感应耦合等离子体刻蚀形成微镜反射梁6。

实施例2

本实施例中的线型微机械静电驱动双向扭转镜主要包括基底1和置于基底1上的30组微镜单元，微镜单元之间的间距为3μm，每组微镜单元主要包括一个5000×100μm²微镜反射梁6和一个扭转支点3、所述扭转支点3置于反射梁6下方的中线位置处，且贯穿整个微镜反射梁6的长度方向；所述微镜反射梁6和扭转支点3为一体化结构，通过微镜反射梁6两端的微镜支撑结构9与锚点10相连，使得所述微镜单元悬置于基底1上，且所述扭转支点3与基底1之间存在200nm间隙；微镜反射梁6上沉积有10nm厚的铬膜和150nm厚的金膜作为金属反射层8。

由于每组微镜单元的微镜反射梁6均被扭转支点3沿宽度方向分为两部分，基底1上与上述每组微镜单元两部分对应位置处布有第一下电极2和第二下电极4；第一下电极2与相应的微镜反射梁6之间施加有第一驱动电压源5，第二下电极4与相应的微镜反射梁6之间施加有第二驱动电压源7；所述第一驱动电压源5或第二驱动电压源7提供每组微镜单元双向扭转时所需要的驱动电压。第一驱动电压源5或第二驱动电压源7为交流电源。

进一步的，所述的基底1材料为硅等。

进一步的，所述的微镜反射梁6材料为硅。

进一步的，所述的微镜支撑结构9设计成直梁。

进一步的，所述的第一下电极2和第二下电极4材料为铝。

进一步的，所述的金属反射层8为银。

参阅图5，本发明提出的用于线型微机械双向扭转镜阵列的第二种制备工艺包括如下基本步骤:

步骤1：参阅图5(a)，在基底1上利用反应离子刻蚀工艺制作出500nm深的浅槽17。示例性地，基底1为BF33玻璃片。

步骤2：参阅图5(b)，将基底1置于磁控溅射机中，溅射15nm厚的第二铬膜18，作为粘附层；在第二铬膜上再溅射50nm厚的第二金膜19。

步骤3：参阅图5(c)，在蒸镀完成的基底1上通过湿法腐蚀工艺制作第一下电极2和第二下电极4。

步骤4：参阅图5(d)，根据微镜偏转角度和所需驱动电压大小的要求，在SOI硅片器件层16上采用感应耦合等离子体刻蚀工艺得到12μm高的扭转支点3和锚点10。

步骤5：晶片清洗。将SOI硅片13用10:1的稀氢氟酸漂洗15s，再用H₂SO₄：H₂O₂＝4:1溶液漂洗10分钟，清洗后用去离子水漂洗，氮气吹干。基底1用H₂SO₄：H₂O₂＝4:1溶液漂洗10分钟，清洗后用去离子水漂洗，氮气吹干。

步骤6：参阅图5(e)，将SOI硅片器件层16和基底1通过MEMS工艺键合在一起。

进一步的，所述的键合工艺选择为硅-玻阳极键合。

步骤7：参阅图5(f)，利用MEMS减薄工艺将SOI硅片衬底层14全部去除。

进一步的，所述MEMS减薄工艺选为硅的湿法腐蚀工艺。

进一步的，所述硅的湿法腐蚀工艺是将键合整片利用单面腐蚀夹具固定，置于25％的TMAH溶液中，80℃水浴加热，SOI硅片埋氧层15作为腐蚀自停止层。

步骤8：参阅图5(g)，将上述减薄完成的整片置于单面腐蚀夹具中，利用5:1的稀氢氟酸漂洗30s,将SOI硅片埋氧层15完全去除，再用去离子水漂洗，放热板上烘干。

步骤9：参阅图5(h)，在SOI硅片器件层16上利用电子束蒸镀工艺沉积10nm厚的第一铬膜11和150nm厚的第一金膜12，并利用MEMS湿法腐蚀制作完成金属反射层8。

步骤10：参阅图5(i)，以金属反射层为掩膜，在SOI硅片器件层上通过感应耦合等离子体刻蚀形成微镜反射梁6。

Claims

1.一种线型微机械双向扭转镜阵列的制备工艺，所述线型微机械双向扭转镜阵列主要包括基底（1）和置于基底（1）上的N组微镜单元，每组微镜单元包括一个微镜反射梁（6）和一个扭转支点（3），所述线型微机械双向扭转镜为跨尺度反射镜，实现所述微镜反射梁（6）的尺寸为3000×50μm²或5000×100μm²，所述扭转支点（3）置于微镜反射梁（6）下方的中线位置处，且贯穿整个微镜反射梁（6）的长度方向；所述微镜反射梁（6）和扭转支点（3）为一体化结构，通过微镜反射梁（6）两端的微镜支撑结构（9）与锚点（10）相连，使得所述微镜单元悬置于基底（1）上；且所述扭转支点（3）与基底（1）之间存在间隙；微镜反射梁（6）上镀有金属反射层（8）；每组微镜单元的微镜反射梁（6）均被扭转支点（3）沿宽度方向分为两部分，所述基底（1）朝向所述微镜反射梁（6）的一面设有三个浅槽（17），三个浅槽（17）之间不贯通，利用未被刻蚀的基底（1）材料间隔开；中间的浅槽（17）位于所述扭转支点（3）的下方，其余两个浅槽（17）分别位于与上述每组微镜单元两部分对应位置处，且不延伸出所述微镜反射梁（6）外，用于放置第一下电极（2）和第二下电极（4），使得第一下电极（2）和第二下电极（4）之间利用未被刻蚀的基底（1）材料间隔开；所述第一下电极（2）和所述第二下电极（4）的表面不高于所述基底（1）的表面；第一下电极（2）与相应的微镜反射梁（6）之间施加有第一驱动电压源（5），第二下电极（4）与相应的微镜反射梁（6）之间施加有第二驱动电压源（7）；所述第一驱动电压源（5）或第二驱动电压源（7）提供每组微镜单元双向扭转时所需要的驱动电压；所述浅槽（17）的深度为500nm；

所述金属反射层（8）为150nm厚的第一金膜（12），所述第一金膜（12）与所述微镜反射梁（6）之间设有10nm厚的第一铬膜（11）；

所述第一下电极（2）和所述第二下电极（4）为50nm厚的第二金膜（19），所述第二金膜（19）和所述基底（1）之间设有15nm厚的第二铬膜（18），所述第二铬膜（18）作为粘附层；

其特征在于，包括如下步骤:

步骤1：在基底（1）上利用MEMS工艺刻蚀三个500nm深的浅槽（17），三个浅槽（17）之间不贯通，利用未被刻蚀的基底（1）材料间隔开；

步骤2：在被刻蚀有浅槽的基底（1）上先沉积15nm厚的第二铬膜（18），之后沉积50nm厚的第二金膜（19）；

步骤3：利用湿法腐蚀工艺完成；第一下电极（2）和第二下电极（4）制作；

步骤4：在微镜材料SOI硅片的SOI硅片器件层（16）上刻蚀得到扭转支点（3）和锚点（10），得到微镜反射梁材料；

步骤5：将微镜反射梁材料和基底（1）通过MEMS工艺键合在一起；

步骤6：利用MEMS减薄工艺将SOI硅片衬底层（14）全部去除，所述MEMS减薄工艺为硅的湿法腐蚀工艺，所述硅的湿法腐蚀工艺是将键合整片利用单面腐蚀夹具固定，置于25%的TMAH溶液中，80℃水浴加热；

步骤7：将上述减薄完成的整片置于单面腐蚀夹具中，利用5:1的稀氢氟酸漂洗30s,将SOI硅片埋氧层（15）完全去除，再用去离子水漂洗，烘干；

步骤8：在被减薄的微镜反射梁材料上沉积10nm厚的第一铬膜（11）和150nm厚的第一金膜（12），并利用MEMS刻蚀工艺完成金属反射层（8）的制作；

步骤9：以金属反射层为掩膜，在微镜反射梁材料上通过干法刻蚀工艺制作微镜反射梁（6）。