TWI580458B - Neutron capture therapy device and nuclear conversion device - Google Patents

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TWI580458B
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Description

中子捕捉療法裝置及核轉換裝置
本發明係有關一種對被照射體照射中子束之中子捕捉療法裝置及核轉換裝置。
以往，作為在照射中子束來殺滅癌細胞之中子捕捉療法中使用之裝置，已知有專利文獻1中記載之裝置。專利文獻1中記載之中子捕捉療法裝置具備有：加速器，射出帶電粒子束；靶，藉由被照射帶電粒子束，產生中子束；及射束傳輸線路，向靶傳輸加速器射出之帶電粒子束。
(先前技術文獻) (專利文獻)
專利文獻1：國際公開WO2012/014671號說明書
上述專利文獻1中記載之中子捕捉療法裝置中，藉由電流表檢測照射於靶之帶電粒子束的總量，但是存在無法檢測帶電粒子束相對於靶之照射位置是否正常之問題。
又，與質子束治療裝置相比，中子捕捉療法中使用之帶電粒子束的電流值非常高。因此，若將在質子束治療裝置等所使用之線柵式射束位置監視器適用於中子捕捉療法裝置中，則可能會導致射束位置監視器因暴露於高電流值的帶電粒子束而劣化。因此，很難在中子捕捉療法裝置中利用該種射束位置監視器。
因此，本發明的目的為提供一種能夠檢測帶電粒子束相對於靶之照射位置是否正常之中子捕捉療法裝置及核轉換裝置。
為了解決上述課題，本發明之中子捕捉療法裝置具備：加速器，射出帶電粒子束；靶，受到帶電粒子束的照射而產生中子束；射束傳輸線路，向靶傳輸從加速器射出之帶電粒子束；及電流檢測部，檢測帶電粒子束的電流值；電流檢測部在射束傳輸線路的內部以與射束傳輸線路的內壁絕緣之狀態沿著內壁設置。
並且，本發明之核轉換裝置具備：加速器，射出帶電粒子束；靶，受到帶電粒子束的照射，藉由核散裂反應產生特定的原子核或中子；射束傳輸線路，向靶傳輸從加速器射出之帶電粒子束；及電流檢測部，檢測帶電粒子束的電流值；電流檢測部在射束傳輸線路的內部以與射束傳輸線路的內壁絕緣之狀態沿著內壁設置。
本發明之中子捕捉療法裝置及核轉換裝置中，檢測帶 電粒子束的電流值之電流檢測部，係在射束傳輸線路的內部以與射束傳輸線路的內壁絕緣之狀態沿著內壁設置，因此能夠檢測靠近該內壁的低電流區域之帶電粒子束的電流值。因此，電流檢測部不易暴露於高電流區域中的帶電粒子束，劣化得到抑制。因此，依據該種電流檢測部檢測出之電流值，能夠檢測帶電粒子束對於靶之照射位置是否正常。
本發明之中子捕捉療法裝置中，電流檢測部可形成為環狀。此時，藉由環狀的簡單結構的電流檢測部，能夠檢測低電流區域的帶電粒子束的微小電流值，該低電流區域係圍繞高電流區域之帶電粒子束者。
又，本發明之中子捕捉療法裝置中，電流檢測部可沿著內壁設置有複數個。此時，能夠藉由複數個電流檢測部檢測帶電粒子束的電流值。因此，依據各電流檢測部檢測出之電流值，得知異常狀態下的帶電粒子束與哪一個電流檢測部接觸。藉此，能夠獲得異常狀態下的帶電粒子束射向哪一個電流檢測部的位置有關之資訊。
又，本發明之中子捕捉療法裝置中，電流檢測部可設置成從射束傳輸線路的內壁側向射束傳輸線路的內部突出。此時，沿著射束傳輸線路的內壁之電流檢測部，係設置成從該內壁側向射束傳輸線路的內部突出，因此能夠適宜地檢測低電流區域的帶電粒子束的微小電流值，該低電流區域係圍繞高電流區域之帶電粒子束者。
本發明之中子捕捉療法裝置中，還可具備控制部，其 依據電流檢測部檢測出之電流值的大小，控制帶電粒子束的照射。此時，能夠以帶電粒子束對於靶之照射位置正常時電流檢測部所檢測出之電流值作為基準電流值，在檢測出小於該基準電流值的下限值以下的電流值或大於該基準電流值的上限值以上的電流值時，視作帶電粒子束對於靶之照射位置異常，藉由控制部控制帶電粒子束的照射。
依本發明，能夠提供一種能夠檢測帶電粒子束是否照射到靶的正常位置之中子捕捉療法裝置及核轉換裝置。
1A、1B‧‧‧中子捕捉療法裝置
10‧‧‧加速器
48‧‧‧射束傳輸線路
48a‧‧‧內壁
60‧‧‧電流檢測部
102‧‧‧控制部
P‧‧‧帶電粒子束
N‧‧‧中子束
T‧‧‧靶
第1圖係表示第1實施形態的中子捕捉療法裝置的構成之圖。
第2圖係表示第1圖的中子捕捉療法裝置中的中子束生成部之概略立體圖。
第3圖係表示第2圖所示之電流檢測部的概略構成之側剖面圖。
第4圖係沿著第3圖所示之IV-IV線之橫剖面圖。
第5圖係表示第2圖所示之電流檢測部的安裝結構的一例之側剖面圖。
第6圖係表示帶電粒子束相對於靶之照射位置的異常狀態之模式圖。
第7圖係第2實施形態之中子捕捉療法裝置所具備之 電流檢測部的與第4圖對應之橫剖面圖。
以下，參閱附圖對本發明之中子捕捉療法裝置的實施形態進行說明。另外，以下說明中，對相同或相應要素賦予相同符號，並省略重複說明。
(第1實施形態)
首先，利用第1圖及第2圖對第1實施形態之中子捕捉療法裝置的概要進行說明。本實施形態之中子捕捉療法裝置例如為利用硼中子捕捉療法來進行癌症治療之中子捕捉療法裝置。如第1圖及第2圖所示，中子捕捉療法裝置1A向注射有硼(10B)之患者等被照射體40照射中子束N。
中子捕捉療法裝置1A具備加速器10。加速器10是使質子等帶電粒子加速來生成質子束(質子射束)以作為帶電粒子束P之加速器。本實施形態中，作為加速器10採用回旋加速器。加速器10例如具有生成射束半徑為40mm、60kW(=30MeV×2mA)之帶電粒子束P之能力。另外，作為加速器10，可使用同步加速器、同步回旋加速器或直線加速器等其他加速器來代替回旋加速器。
從加速器10射出之帶電粒子束P依次通過水平型轉向器12、四向切割器14、水平垂直型轉向器16、四極電磁鐵18、19、20、90度偏轉電磁鐵22、四極電磁鐵24、 水平垂直型轉向器26、四極電磁鐵28、四向切割器30、電流監視器32、帶電粒子束掃描部34，引導至中子束生成部36。該帶電粒子束P在中子束生成部36中照射於靶T，藉此產生中子束N。中子束N照射到治療台38上的被照射體40。
水平型轉向器12、水平垂直型轉向器16、26例如使用電磁鐵來抑制帶電粒子束P的射束的發散。同樣地，四極電磁鐵18、19、20、24、28例如使用電磁鐵進行帶電粒子束P的射束軸調整。四向切割器14、30藉由切掉端部的射束來進行帶電粒子束P的射束整形。
90度偏轉電磁鐵22對帶電粒子束P的行進方向進行90度偏轉。另外，90度偏轉電磁鐵22上設置有切換部42，能夠藉由切換部42使帶電粒子束P離開正規軌道來引導至射束收集器44。射束收集器44在治療前等進行帶電粒子束P的輸出確認。
電流監視器32即時測定照射於靶T之帶電粒子束P的電流值(亦即，電荷、照射劑量率)。作為電流監視器32，係使用不會對帶電粒子束P帶來影響就能夠測定電流之非破壞型DCCT(DC Current Transformer)。該電流監視器32上連接有控制器100。另外，“劑量率”表示每單位時間的劑量(下同)。
控制器100包含控制部102及顯示部104而構成。控制部102依據電流監視器32測定出之帶電粒子束P的電流值求出中子束N的照射劑量，並依據該照射劑量控制中 子射束N的照射，例如由CPU、ROM及RAM等構成。顯示部104顯示由控制部102求出之中子束N的照射劑量，例如使用顯示器或監視器。
帶電粒子束掃描部34掃描帶電粒子束P，並進行帶電粒子束P相對於靶T之照射控制。其中，帶電粒子束掃描部34例如控制帶電粒子束P相對於靶T之照射位置或帶電粒子束P的射束束徑等。藉由帶電粒子束掃描部34，帶電粒子束P進行擺動動作，或者帶電粒子束P的射束束徑變大，藉此靶T上的帶電粒子束P的照射區域變寬。另外，擺動動作是指如下動作，亦即，使一定射束束徑的帶電粒子束P的射束軸週期性地移動，藉由該週期性的移動擴大帶電粒子束P相對於靶T之照射面積。
如第2圖所示，中子束生成部36藉由將帶電粒子束P照射於靶T來產生中子束N，經由準直器46射出該中子束N。中子束生成部36由如下構件構成：靶T，配置於傳輸帶電粒子束P之射束傳輸線路48的下游端部；減速構件50，使在靶T中產生之中子束N減速；及屏蔽體52，設置成覆蓋靶及減速構件。
靶T受到帶電粒子束P的照射來產生中子束N。其中，靶T例如由鈹(Be)形成，呈直徑為160mm之圓板狀。減速構件50使中子束N的能量減速，例如設為由複數個不同材料構成之層疊結構。屏蔽體52屏蔽所產生之中子束N及隨著該中子束N的產生而產生之γ射線等向外部放出，且安裝於地面54。另外，靶T不限於固體 (板狀)，亦可以是液體。
如第2圖所示，本實施形態之中子捕捉療法裝置1A中，在射束傳輸線路48的內部具備檢測帶電粒子束P的電流值之電流檢測部60。電流檢測部60，係在射束傳輸線路48的內部，配設於帶電粒子束掃描部34與中子束生成部36之間的位置。於電流檢測部60例如經由配線連接有示波器。示波器顯示與藉由電流檢測部60檢測出之電流值對應之波形。依據該示波器的波形，觀測電流檢測部60檢測出之電流值。
電流檢測部60連接於上述控制部102。控制部102依據電流檢測部60檢測出之帶電粒子束P的電流值控制帶電粒子束P的照射。另外，控制部102的具體控制方法如後述。
接著，參閱第3圖及第4圖對電流檢測部60的構成進行詳細說明。第3圖係表示第2圖所示之電流檢測部60的概略構成之側剖面圖。第4圖係沿著第3圖所示之IV-IV線之橫剖面圖。如第3圖及第4圖所示，電流檢測部60沿著內壁48a形成為環狀。
電流檢測部60以大致一定寬度沿著內壁48a的周方向延伸，具有以與內壁48a的曲率大致相同的曲率彎曲之外周面及內周面。電流檢測部60在從射束傳輸線路48的軸向觀察時在內壁48a的內側呈環狀(參閱第4圖)。本實施形態中，內壁48a為圓筒狀的形狀，因此電流檢測部60形成為正圓形。電流檢測部60在射束傳輸線路48的 徑向上的中央側區域具有開口部60a，以作為供高電流的帶電粒子束通過之開口。
電流檢測部60的內徑例如為14~17cm，電流檢測部60的外徑例如為16~19cm。電流檢測部60在射束傳輸線路48內例如配置於距靶T有35cm左右之位置。
電流檢測部60藉由與帶電粒子束P接觸來檢測帶電粒子束P的電流。電流檢測部60具有導電性且由不易熔融於熱之物質形成。例如，電流檢測部60由石墨等碳材料或純銅等形成。
其中，如第3圖所示，通過射束傳輸線路48的內部之帶電粒子束P的分佈，係包含電流值(照射劑量率)較大的高電流區域R1及電流值(照射劑量率)較小的低電流區域R2。低電流區域R2是圍繞高電流區域R1之周圍，且當帶電粒子束P相對於靶T之照射位置為正常狀態時，係比高電流區域R1更靠近內壁48a的區域。
高電流區域R1例如為1~1.5mA左右的電流值的區域。低電流區域R2例如為2~3μA左右的電流值區域。亦即，低電流區域R2是高電流區域R1的電流值的例如約0.2%左右的大小的電流值區域。
電流檢測部60設置成從內壁48a側向射束傳輸線路48的內部突出。亦即，電流檢測部60的內徑設定為至少小於內壁48a的內徑，藉此構成為電流檢測部60沿著射束傳輸線路48向內軸側突出。藉此，構成為電流檢測部60的環狀端面以作為帶電粒子束P的檢測面而露出於射 束傳輸線路48內的狀態配置。
電流檢測部60形成為，在帶電粒子束P相對於靶T之照射位置正常之狀態下，與低電流區域R2的帶電粒子束P接觸。電流檢測部60藉由與低電流區域R2的帶電粒子束P接觸，來檢測該帶電粒子束P的微小的電流值。
例如形成為，帶電粒子束P相對於靶T之照射位置正常之狀態下，藉由帶電粒子束掃描部34擴大帶電粒子束P的射束束徑時，電流檢測部60在電流檢測部60的周方向的任意位置始終與低電流區域R2的帶電粒子束P接觸。並且形成為，帶電粒子束P相對於靶T之照射位置正常之狀態下，藉由帶電粒子束掃描部34，帶電粒子束P進行擺動動作時，電流檢測部60在電流檢測部60的周方向的任一位置與低電流區域R2的帶電粒子束P接觸。
電流檢測部60形成為，在帶電粒子束P相對於靶T之照射位置正常之狀態下，不與高電流區域R1的帶電粒子束P相接。帶電粒子束P相對於靶T之照射位置正常之狀態下，高電流區域R1的帶電粒子束P係通過電流檢測部60的開口部60a內部。
接著，參閱第5圖對電流檢測部60的安裝結構的一例進行說明。第5圖係表示第2圖所示電流檢測部60的安裝結構的一例之側剖面圖。如第5圖所示，電流檢測部60經由絕緣構件5安裝於形成在射束傳輸線路48的內壁48a之突部48b。電流檢測部60以在與突部48b之間夾著絕緣構件5之狀態藉由螺釘3安裝於突部48b。亦即，電 流檢測部60以與射束傳輸線路48的內壁48a絕緣之狀態設置。電流檢測部60與突部48b的固定部位在從射束傳輸部48所延伸之方向觀察時，分別隔開間隔而設置有複數個。另外，內壁48a與電流檢測部60的外周面為了使內壁48a與電流檢測部60絕緣而分開。
接著，對控制部102依據電流檢測部60檢測出之電流值進行之控制方法進行詳細說明。
首先，參閱第3圖，對帶電粒子束P相對於靶T之照射位置為正常狀態之情況進行說明。如第3圖所示，帶電粒子束P相對於靶T之照射位置正常之狀態下，電流檢測部60與低電流區域R2的帶電粒子束P呈接觸。藉此，電流檢測部60檢測該帶電粒子束P的微小電流值(例如，2μA)。
控制部102在藉由電流檢測部60檢測到該種正常狀態下的電流值(以下，亦稱為基準電流值)時，控制成以此狀態繼續照射帶電粒子束P。
接著，參閱第6圖對帶電粒子束P相對於靶T之照射位置為異常狀態之情況進行說明。第6圖係表示帶電粒子束P相對於靶T之照射位置異常之狀態之模式圖。
如第6圖(a)所示，例如由於四極電磁鐵18、19、20、24、28或帶電粒子束掃描部34的不良情況等，帶電粒子束P的射束束徑未正常擴展時，或帶電粒子束P的擺動動作未正常發揮功能時，電流檢測部60無法與低電流區域R2的帶電粒子束P接觸。如此則，電流檢測部60檢 測出之電流值成為小於基準電流值的下限值(例如，1μA~0μA)以下的值。
如第6圖(b)所示，例如由於水平型轉向器12、水平垂直型轉向器16、26、四極電磁鐵18、19、20、24、28、90度偏轉電磁鐵22或帶電粒子束掃描部34的不良情況等，帶電粒子束P的射束軸偏離正常情況下的射束軸A1而變成射束軸A2時，會導致高電流區域R1的帶電粒子束P的一部份與電流檢測部60接觸。如此則，電流檢測部60檢測出之電流值成為大於基準電流值的上限值(例如，5μA)以上的值。
當藉由電流檢測部60檢測出如第6圖(a)及(b)的異常狀態的電流值時，控制部102依據該電流值，停止帶電粒子束P的照射。具體而言，如第6圖(a)的情況，在幾乎檢測不出電流值時，控制部102視作帶電粒子束P相對於靶T之照射位置為異常狀態，從而停止帶電粒子束P的照射。並且，如第6圖(b)的情況，在檢測出之電流值的大小成為大於基準電流值的上限值以上時，控制部102視作帶電粒子束P相對於靶T之照射位置為異常狀態，從而停止帶電粒子束P的照射。
另外，控制部102例如藉由控制產生帶電粒子束P之加速器10內的射束選擇器(未圖示)來停止帶電粒子束P的照射。並且，控制部102不僅停止帶電粒子束P的照射，例如還可依據異常狀態的電流值進行反饋控制，以使帶電粒子束P相對於靶T之照射位置變成正常狀態。
接著，對本實施形態之中子捕捉療法裝置1A的作用效果進行說明。
習知中子捕捉療法裝置中，藉由電流表檢測照射於靶之帶電粒子束的總量，但是存在無法檢測帶電粒子束相對於靶之照射位置是否正常之問題。
因此，例如有可能在帶電粒子束因擴展照射區域之電磁鐵的不良情況等而集中於靶的中央部時，無法檢測該異常，而導致直接超過靶的熱性極限。並且，有可能在帶電粒子束的行進方向因射束傳輸用電磁鐵的不良情況等而偏離時，無法檢測該異常，對形成射束傳輸線路之真空管持續照射帶電粒子束，而導致真空管因熱而融化。
並且，中子捕捉療法中採用之帶電粒子束的電流值與質子束治療裝置相比，非常高。因此，若將例如在質子束治療裝置等中使用之線柵式射束位置監視器適用於中子捕捉療法裝置中，則有可能使射束位置監視器暴露於高電流值的帶電粒子束而導致劣化。因此，很難在中子捕捉療法裝置中利用該種射束位置監視器。
而依本實施形態之中子捕捉療法裝置1A，檢測帶電粒子束P的電流值之電流檢測部60，係在射束傳輸線路48的內部以與射束傳輸線路48的內壁48a絕緣之狀態沿著內壁48a設置，因此能夠檢測靠近該內壁48a之低電流區域R2中的帶電粒子束P的電流值。因此，電流檢測部60不易暴露於高電流區域R1中的帶電粒子束P，劣化得到抑制。因此，依據該種電流檢測部60檢測出之電流 值，能夠檢測帶電粒子束P相對於靶T之照射位置是否正常。
通常，中子捕捉療法裝置中採用之帶電粒子束的電流值極高，但依本實施形態之中子捕捉療法裝置1A，電流檢測部60沿著射束傳輸線路48的內壁48a設置，因此能夠檢測低電流區域R2的帶電粒子束P的微小電流值，該低電流區域R2係圍繞高電流區域R1之帶電粒子束P者，並能夠有效地抑制由於電流檢測部60暴露於高電流區域R1的帶電粒子束P引起之電流檢測部60的劣化。
中子捕捉療法裝置1A中，能夠藉由環狀的簡單結構的電流檢測部60，檢測圍繞高電流區域R1之帶電粒子束P的低電流區域R2的帶電粒子束P的微小電流值。
中子捕捉療法裝置1A中，由於沿著射束傳輸線路48的內壁48a之電流檢測部60，係設置成從該內壁48a側向射束傳輸線路48的內部突出，因此適合檢測圍繞高電流區域R1之帶電粒子束P的低電流區域R2的帶電粒子束P的微小電流值。
而且，中子捕捉療法裝置1A中，控制部102依據電流檢測部60檢測出之電流值的大小來控制帶電粒子束P的照射。因此，將帶電粒子束P相對於靶T之照射位置正常時電流檢測部60所檢測出之電流值作為基準電流值，當檢測出小於該基準電流值的下限值以下的電流值或大於該基準電流值的上限值以上的電流值時，視作帶電粒子束P相對於靶T之照射位置異常，能夠藉由控制部102控制 帶電粒子束P的照射。
另外，通常在擺動動作時，能夠獲得帶電粒子束P照射於沿著射束傳輸線路48的周方向之哪一位置的周方向上的照射位置資訊。因此，因擺動動作的異常而檢測出照射位置的異常狀態時，使電流檢測部60檢測出之電流值與基於擺動動作的周方向上的照射位置資訊同步，如此則在表示異常狀態之電流值時，可以獲得帶電粒子束P照射於沿著射束傳輸線路48的周方向之哪一位置之資訊。
(第2實施形態)
接著，對第2實施形態之中子捕捉療法裝置的構成進行說明。本實施形態的說明中，主要針對與上述第1實施形態的不同點進行說明。
本實施形態之中子捕捉療法裝置1B與第1實施形態同樣地具備有加速器10、靶T及射束傳輸線路48(參閱第1圖)。該中子捕捉療法裝置1B具備複數個電流檢測部，在這一點上與第1實施形態之中子捕捉療法裝置1A不同。以下，參閱第7圖對本實施形態之電流檢測部的構成進行說明。第7圖係第2實施形態之中子捕捉療法裝置1B所具備之電流檢測部的與第4圖對應之橫剖面圖。
如第7圖所示，第2實施形態之中子捕捉療法裝置1B例如具備沿著內壁48a之4個電流檢測部61。各電流檢測部61之間分別藉由絕緣構件5絕緣。各電流檢測部61檢測各自接觸之低電流區域R2的帶電粒子束P的電流 值。
以上，本實施形態之中子捕捉療法裝置1B中，與上述第1實施形態同樣地，能夠依據所檢測出之電流值檢測帶電粒子束P相對於靶T之照射位置是否正常。
而且，依中子捕捉療法裝置1B，能夠藉由複數個電流檢測部61檢測帶電粒子束P的電流值。因此，依據各電流檢測部61檢測出之電流值，得知處於異常狀態之帶電粒子束P與哪一個電流檢測部61接觸。藉此，能夠獲得處於異常狀態之帶電粒子束P射向任一個電流流檢測部61的位置之資訊。
以上，對本實施形態的優選實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，可在不改變各申請專利範圍中記載之宗旨的範圍內進行變形或適用於其他裝置。
上述實施形態中設為，藉由控制部102進行帶電粒子束P相對於靶T之照射位置為異常狀態時的控制，但是並不限於此。例如，亦可設為依據示波器的波形觀測電流檢測部60、61檢測出之電流值的中子捕捉療法裝置1A、1B的操作者，在觀測到異常狀態的電流值時同時停止帶電粒子束P的照射等。
上述實施形態中，對中子捕捉療法裝置1A、1B進行了敘述，但是可以是放射性同位素製造裝置、利用核散裂反應之核轉換裝置，以代替中子捕捉療法裝置。此時，核轉換裝置與中子捕捉療法裝置1A、1B同樣地，具備：加速器10，射出帶電粒子束P；靶T，受到帶電粒子束P的 照射，藉由核散裂反應產生各種原子核或中子；射束傳輸線路48，傳輸從加速器10射出之帶電粒子束P；及電流檢測部60，檢測帶電粒子束P的電流值；電流檢測部60在射束傳輸線路48的內部以與內壁48a絕緣之狀態沿著內壁48a設置。
48‧‧‧射束傳輸線路
48a‧‧‧內壁
60‧‧‧電流檢測部
60a‧‧‧開口部
P‧‧‧帶電粒子束
R1‧‧‧高電流區域
R2‧‧‧低電流區域

Claims (6)

  1. 一種中子捕捉療法裝置，具備：加速器，射出帶電粒子束；靶，受到前述帶電粒子束的照射而產生中子束；射束傳輸線路，向前述靶傳輸從前述加速器射出之前述帶電粒子束；及電流檢測部，檢測前述帶電粒子束的電流值，前述靶配設於前述射束傳輸線路的下游端部：前述電流檢測部，係在前述射束傳輸線路內部，以與前述靶及前述射束傳輸線路的內壁絕緣之狀態沿著前述內壁設置；藉由與前述帶電粒子束接觸來測定所接觸的前述帶電粒子束之電流。
  2. 如申請專利範圍第1項之中子捕捉療法裝置，其中，前述電流檢測部形成為環狀。
  3. 如申請專利範圍第1項之中子捕捉療法裝置，其中，前述電流檢測部沿著前述內壁設置有複數個。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之中子捕捉療法裝置，其中，前述電流檢測部設置成從前述射束傳輸線路的前述內壁側向前述射束傳輸線路的內部突出。
  5. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之中子捕捉療 法裝置，其中，另具備控制部，其依據前述電流檢測部檢測之電流值的大小，控制前述帶電粒子束的照射。
  6. 一種核轉換裝置，具備：加速器，射出帶電粒子束；靶，受到前述帶電粒子束的照射，藉由核散裂反應產生特定的原子核或中子；射束傳輸線路，向前述靶傳輸從前述加速器射出之前述帶電粒子束；及電流檢測部，檢測前述帶電粒子束的電流值；前述靶配設於前述射束傳輸線路的下游端部：前述電流檢測部，係在前述射束傳輸線路的內部，以與前述靶及前述射束傳輸線路的內壁絕緣之狀態沿著前述內壁設置；藉由與前述帶電粒子束接觸來測定所接觸的前述帶電粒子束之電流。
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