TWI579652B - 干涉儀、微影設備、和製造物品的方法 - Google Patents

干涉儀、微影設備、和製造物品的方法 Download PDF

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Description

干涉儀、微影設備、和製造物品的方法
本發明有關干涉儀、微影設備、及製造物品的方法。
使用白光干涉儀之表面形狀測量設備將藉由光源所放射的白光用分光器分開成二光束，並造成該二光束傾斜地入射在待偵測之物體及參考表面上。該測量設備藉由分光器重疊分別藉由該物體及參考表面所反射之測量光及參考光。在此之後，該測量設備偵測用於藉由影像感測器所取得的干涉光之峰值位置，並測量該物體的表面位置。藉由對白光干涉之信號所特有的短同調性長度之二效應、及該基板表面藉由傾斜入射的高反射率，使用該白光干涉儀之表面形狀測量設備能抑制源自該基板上之薄膜厚度不均勻或藉由圖案所造成的前與後表面間之干涉的測量誤差。美國專利申請案公告第2007/0086013號揭示使用光譜白光干涉儀之表面形狀測量設備。
藉由使用光譜儀及二維影像感測器，於美國專利申請 案公告第2007/0086013號中所揭示之測量設備取得一信號，該信號藉由自待偵測物體行進之測量光與由參考表面行進的參考光間之干涉所獲得。經由該光譜儀從該二維影像感測器所獲得之光譜信號係藉由算術機制所傅立葉轉換。於該時域中所取得之白光干涉信號的峰值位置被偵測，以測量該基板之表面位置。因此，於美國專利申請案公告第2007/0086013號中所揭示之測量設備可迅速地測量表面形狀，而沒有在該X-Y平面上之每一測量點於該Z方向中掃描待偵測的物體。
然而，大致上，使用具有短同調性長度之白光干涉儀的表面形狀測量設備具有低空間同調性及狹窄測量範圍之問題。該空間同調性意指在沿著該光軸的截面上之同調性。除了該空間同調性以外，該同調性包含時間同調性。該空間同調性代表在沿著該光軸的截面上之同調性，反之該時間同調性代表該光軸方向中、亦即干涉光學路徑長度的範圍之同調性。待藉由本發明所解決的問題係針對該空間同調性。於傾斜入射干涉儀中，如果待偵測的物體之位置在高度的方向中移位，測量光相對於參考光原則上在沿著該光軸的截面上移位，產生一位置移位(在下文被稱為直立移位)。當低同調性光源、諸如鹵素光源或白光LED被使用時，該空間同調性由於測量光相對於參考光之直立移位而減少。隨著對比中之減少，該測量準確性下降。
為抑制該空間同調性隨著測量光相對於參考光的直立移位而減少，有一將具有低數值孔徑之孔徑光闌配置在該 光瞳位置的方法。具有該低數值孔徑之孔徑光闌被配置，以增加點像之模糊數量，並增加參考光及測量光彼此重疊在該影像平面上之面積。這可抑制空間同調性隨著測量光相對於參考光的直立移位中之減少。然而，當具有該低數值孔徑的孔徑光闌被配置時，該信號強度減少，且該測量準確性隨著該信號的S/N比中之減少而下降。如此，當空間同調性隨著測量光相對於參考光的直立移位而減少時，由於信號強度中之減少，該傾斜入射白光干涉儀有該測量準確性下降的問題被抑制。
美國專利申請案公告第2007/0056013號揭示一裝置，其中具有長方形孔之孔徑光闌被配置在光譜白光干涉儀中之光瞳位置。然而，此文獻未敘述該長方形孔之較短側面方向及該入射表面與光束截面之相交線的方向間之關係、及波長解析度之方向、及該入射表面與該光譜儀中的光束截面之相交線的方向間之關係。這些關係對在該光譜白光干涉儀中施行高準確性測量係很重要的。因此，美國專利申請案公告第2007/0086013號中之敘述的內容係不足以在高準確性測量待偵測物體之表面形狀。
本發明提供干涉儀，其在高準確性測量待偵測物體。
本發明提供干涉儀，包括：光學系統，被建構來藉由分開來自光源之光、及組合藉由用參考表面反射該分開光的一光束所產生之參考光來產生干涉光，與藉由造成該分 開光之另一光束傾斜地入射在待偵測的物體上及藉由該物體反射該另一光束所產生之測量光；偵測器，被建構來偵測藉由該光學系統所產生的干涉光；及光學構件，被建構來在該偵測器偵測來自該光源的光之前，對來自該光源的光給與空間同調性，其中該光學構件在第二方向中給與比於第一方向中較高的空間同調性，該第二方向用作入射在該光學構件上之光的光束之截面與一平面之相交的線之方向，該平面包含來自該光源而在被該光學系統所分開之前的光、該參考光、該測量光、及該干涉光之光學路徑，且該第一方向垂直於該平面。
本發明的進一步特色將參考所附圖面由示範實施例之以下敘述變得明顯。
1‧‧‧光源
2a‧‧‧分光器
2b‧‧‧分光器
3‧‧‧基板
4‧‧‧參考表面
11‧‧‧聚光透鏡
12‧‧‧透鏡
12a‧‧‧透鏡
12b‧‧‧透鏡
12c‧‧‧透鏡
13a‧‧‧透鏡
13b‧‧‧透鏡
16‧‧‧成像光學系統
22‧‧‧成像光學系統
30‧‧‧傳輸狹縫板
31‧‧‧光罩
32‧‧‧投射光學系統
39‧‧‧參考板
50‧‧‧光譜儀
56‧‧‧入射狹縫
57‧‧‧光譜單元
58‧‧‧影像感測器
81‧‧‧干涉儀
100‧‧‧孔徑光闌
101‧‧‧透鏡
200‧‧‧干涉儀
400‧‧‧處理器
800‧‧‧光源單元
801‧‧‧照明光學系統
1100‧‧‧控制單元
RS‧‧‧光罩載台
WS‧‧‧基板載台
圖1係一視圖，顯示根據該第一實施例之干涉儀的配置；圖2係一視圖，顯示該干涉儀中之信號處理方法；圖3係一視圖，顯示該空間同調性及該數值孔徑間之關係；圖4係一視圖，顯示在圖1中之Y-Z平面上的配置；圖5係一視圖，顯示孔徑光闌之效應；圖6係一視圖，顯示該孔徑光闌之旋轉式移位的影響；圖7係一視圖，顯示根據該第二實施例之干涉儀的配 置；圖8係一視圖，顯示根據該第二實施例之干涉儀的配置；圖9A至9C係視圖，顯示使用根據該第三實施例的干涉儀之測量的範例；圖10係一視圖，顯示根據該第四實施例的曝光設備之配置；及圖11係流程圖，顯示藉由該曝光設備之測量及曝光的順序。
本發明之實施例現在將參考所附圖面被敘述。於該等圖面中，相同的參考數字標示相同之零件，且其重復敘述將被省略。在以下實施例中所敘述的白光及藉由白光光源所放射之光意指具有寬頻波長的光，且未總是被限制於該可見區域中之光(400至800奈米)。不用說，本發明係適用於譬如甚至使用在該近紅外線波長帶中之光(譬如，SLD)的光學同調斷層掃瞄(OCT)。
〔第一實施例〕
圖1係概要視圖，顯示本發明的第一實施例中之干涉儀200的配置，其測量待偵測物體之表面形狀。該第一實施例將說明一案例，其中孔徑光闌100被使用於產生空間同調性。該干涉儀200係偵測基板(晶圓)3的位置之設 備，該基板用作待於高度的方向(Z方向)中偵測之物體，同時於一方向(Y方向)中掃描該基板3。該干涉儀200包含光源1，其係藉由鹵素燈或LED所構成(包含白光LED)及放射寬頻光(白光)；透鏡13a；該孔徑光闌100；分光器2a；參考表面4；透鏡13b；及光譜儀50。該干涉儀200亦包含二維影像感測器(偵測器)58及處理器400，該處理器處理藉由該二維影像感測器58所偵測的干涉光之電信號。
該個別組合元件及該實施例的功能將被說明。於圖1中，藉由該光源1所放射之寬頻光通過該孔徑光闌100，且藉由該分光器2a被分成幾乎相同光量的二光束。一光束係傾斜地入射在該參考表面4上，且另一光束係傾斜地入射在該基板3上。分光器2b組合藉由該基板3所反射之測量光及藉由該參考表面4所反射的參考光。該光譜儀50及二維影像感測器58接收所產生之干涉光。該光譜儀50係藉由入射狹縫56、光譜單元57(譬如，繞射光柵)、及成像光學系統16(鏡片光學系統)所構成。該光譜儀50造成已通過該入射狹縫56的光入射在該繞射光柵57上。藉由使用該繞射光柵57，該光譜儀50在該入射狹縫56之較短側面方向中對於每一波長繞射干涉光一次，獲得在空間解析度的方向中具有一展開及在波長解析度之方向中具有一展開的光譜信號。該二維影像感測器58接收該光譜信號當作一維位置資訊及波長資訊。
例如，當測量塗覆以諸如抗蝕劑之半透明薄膜的基板 3上之抗蝕劑的上表面之形狀時，相對於該基板3的入射角可被設定為等於或大於該抗蝕劑之布魯斯特角，以便增加該抗蝕劑的上表面之反射率。譬如，入射角θin可被設定為等於或大於60°。這是因為當該入射角增加時，譬如藉由該上表面所反射的光之強度變得相當強烈。譬如，當約數百奈米的薄膜(譬如，抗蝕劑)係沈積在該基板3上時，藉由該光接收系統所接收之光含有藉由該抗蝕劑的上表面所反射之光及藉由該抗蝕劑的下表面所反射之光。
當作測量藉由該抗蝕劑的上表面所反射之光及藉由該抗蝕劑的下表面所反射之光的方法，提出有一增加相對於該基板3之入射角的方法，以增加該抗蝕劑的上表面上之反射率。依據此方法，藉由該抗蝕劑的上表面所反射之光可被偵測為比藉由該抗蝕劑的下表面所反射之光較強烈。這具有一特別效應，尤其當光係在等於或大於該布魯斯特角(亦被稱為偏轉角)的入射角入射在該基板3上之薄膜上時。此特別效應將在下面被說明。該p偏振光分量之光具有一特色，其中在該布魯斯特角的邊界之相位移位達π。譬如，當該抗蝕劑的折射率係1.5時，在該空氣/抗蝕劑界面之布魯斯特角係56.3°。當該基板係由Si所製成且該折射率係3.8時，在該抗蝕劑/基板界面的布魯斯特角係68.5°。譬如，當該入射角係60°時，藉由使用斯奈爾定律，相對於該基板3來自該抗蝕劑之入射角係35°，其係比在該抗蝕劑/基板界面的布魯斯特角較小。再者，甚至當該入射角被設定為89°且光係於一幾乎平行於該基板 3之入射角入射在該基板3上時，相對於該基板3來自該抗蝕劑的入射角係41°，其係亦比在該抗蝕劑/基板界面之布魯斯特角較小。
因此，當p偏振光分量的光係在一等於或大於該空氣/抗蝕劑界面之入射角的入射角入射時，在藉由該抗蝕劑的上表面所反射之光及藉由該抗蝕劑/基板界面所反射的光間之相位移位達π。相反地，該s偏振光分量之光的相位在該布魯斯特角之前及之後不會改變。其結果是，於該p偏振光及該s偏振光之間，藉由在該抗蝕劑/基板界面所反射的光所產生之干涉光的相位移位達π。當未偏振光被使用時，該干涉光係藉由該p偏振光之干涉光及該s偏振光的干涉光之加總所給與。如此，藉由在該抗蝕劑/基板界面所反射的光所產生之干涉光被取消，導致一低對比信號。比較於藉由該抗蝕劑的上表面所反射之光所產生的干涉光，藉由在該抗蝕劑/基板界面所反射的光所產生之干涉光變成一較低對比的信號。因此，該抗蝕劑的上表面之形狀測量的準確性被改善。在此時，如果光係在該抗蝕劑之布魯斯特角入射，藉由該抗蝕劑的上表面所反射之p偏振光消失，故該入射角能被增加，以至少係等於或大於60°。對於細節，看日本專利特許公開申請案第2009-204512號。
400奈米至800奈米的波長係可使用當作該光源1之波長帶。然而，該光源1的波長帶不被限制於此範圍，且100奈米或更多之波長帶係可使用的。當抗蝕劑被形成在 該基板3上時，該基板3係不以等於紫外光或比紫外光較短的波長(350奈米)之光照射，以便防止該抗蝕劑的曝光。該分光器2a可為一立方分光器，其中一薄膜、諸如金屬薄膜或介電多層式薄膜被用作分開薄膜；或薄膜分光器，其由與約1微米至10微米般薄的薄膜(材料為SiC、SiN等)所形成。
該參考表面4可為具有約5奈米至20奈米之輪廓不均勻度的玻璃平面鏡。當抗蝕劑被形成在該基板材料上時，其折射率幾乎等於該抗蝕劑薄膜之折射率的諸如SiO2、SiN、或SIC之材料係可使用當作該參考表面4的基板及該基板上之薄膜。既然白光干涉中之同調性長度係與數微米般短，具有數微米或更多的厚度之基板能被使用於該參考表面4，以便防止藉由該下表面所反射的光之干涉。另一選擇係，基板係想要地被使用，其折射率幾乎等於待測量的基板上之薄膜的折射率之薄膜被沈積在該基板上，以具有數微米或更多的厚度。
該第一實施例中之光譜儀50可為一般的策-特二氏型。纖維係可使用當作用於將干涉光導引至該光譜儀50之另一配置。藉由在該纖維之入射端將干涉光形成為影像、及將由該纖維的出口端顯現之光導引至該光譜儀50，該二維影像感測器58可取得光譜信號。於該第一實施例中，當作該光譜單元57，色散稜鏡可代替該繞射光柵被使用。當該色散稜鏡被使用時，傳輸狹縫板等被使用，以界定藉由該光源1所放射之光的測量範圍，且該表 面位置能在高準確性下被測量。
該透鏡13a具有將該光源1成像在該基板3上之功能。該透鏡13b具有再次於該二維影像感測器58上形成該光源影像的功能，該光源影像已經過該透鏡13a被投射在該基板3上。該等透鏡13a及13b可為藉由反射鏡所構成。
譬如，二維電荷耦合元件(CCD)被使用當作該二維影像感測器58。該二維CCD藉由傳送與讀出用光電二極體的光電動勢所產生之電荷而獲得影像資訊。取決於該電荷傳送方法，行間傳送型及幀傳送型被得知。對於這些型式，具有高S/N比之信號的幀傳送讀出電路被採用於該第一實施例中，其中光譜測量被施行，因為該孔徑比率及靈敏度為高的。於該幀傳送二維CCD中，所接收之光係當作電荷累積在個別像素中，且接著所有該等電荷被傳送及讀出，終止一幀的讀出。當該基板3之表面形狀被該光譜方法所測量時，其想要的是譬如配置一傳輸狹縫板30，以致該狹縫之較長側面方向變成該X方向，並於該Y方向中掃描基板載台WS。該基板3於高度的方向(Z方向)中之位置可藉由使用該二維影像感測器58取得該範圍中之光譜信號而被偵測，該基板載台WS在該範圍中運動直至一幀的影像感測之末端。當測量係在該基板3的整個區域中施行時，於預定方向(Y方向)中掃描該基板載台WS、及在垂直於該掃描方向之方向(X方向)中步進該基板載台WS達△X的操作被反複地施行。當作該二維 影像感測器，複數一維線感測器可被配置在空間解析度的方向(X方向)中，以接收干涉光當作一維位置資訊(X方向)及波長資訊，並於高度之方向(Z方向)中偵測該基板3的位置，而代替使用該二維CCD。
隨後，處理藉由該二維影像感測器58所接收之干涉信號以獲得該基板3的形狀之方法將被說明。於圖2中，2A顯示藉由該二維影像感測器58所接收的光譜信號之範例。該橫坐標代表該波數，且該縱坐標代表該光線強度輸出。藉由使用該光譜儀50繞射用於每一波長的干涉光，該二維影像感測器58偵測藉由將參考光及測量光間之光學路徑長度差轉換成頻差所獲得的光譜信號。該處理器400在該光譜信號上施行傅立葉轉換，以將該信號由該頻域轉換成該真實空間域，並接著擷取一實部(於圖2中之2B)。於圖2的2B中，該橫坐標代表對應於該基板之高度(Z軸方向)的方向之測量值，且該縱坐標代表來自該二維影像感測器58的光線強度輸出。當該同調性長度的範圍中之光學路徑長度差Z0存在於參考光及測量光之間時，白光干涉信號於該Z方向中沿著該橫坐標顯現在Z=0及Z=±Z0的位置。該等最大峰值位置間之間隔係等同於參考光及測量光間之光學路徑長度差。藉由偵測該峰值位置Z=Z0，該基板3的表面高度資訊被取得(特定方法)。
於圖2中，2C係曲線圖，顯示白光干涉信號在Z=Z0的位置之擷取，且此曲線圖亦被稱為干涉圖。該白光干涉信號之信號峰值的位置被計算，且在該Z方向中之對應測 量值用作該像素中的高度測量值。於該信號峰值位置之計算中，對一曲線的逼近(譬如，二次函數)係基於該信號峰值位置及在數個前面及後繼點之資料來施行。這使其可能沿著用作圖2的2C中之橫坐標的Z軸在取樣節距Zp的1/10或更少之解析度下計算一峰值位置。當作偵測峰值位置的方法，於USP5,398,113中所揭示之熟知技術的FDA(頻域分析)係亦可用的。於該FDA方法中，白光干涉信號之峰值位置係藉由使用該傅立葉光譜之相位梯度所獲得。於使用該白光干涉儀的測量中，決定該解析度之關鍵係如何獲得該白光干涉信號之精確峰值位置。如此，除了該FDA方法以外，數個條紋分析方法已被提出，如習知技術，包含跨相方法，及藉由相移方法或傅立葉轉換方法獲得白光干涉條紋的包絡線、及由該條紋對比之最大位置獲得峰值位置的方法。這些方法係可適用於該第一實施例。
以此方式，該處理器400處理該二維影像感測器58上之光譜信號，該等光譜信號對應於圖1中的基板3之X方向，並可在該基板上之Y方向中的給定位置立刻獲得延伸在該X方向中的狹縫上之高度資訊。藉由用載台(未示出)在該Y方向中以恆定速率掃描該基板3，該處理器400可於該Y方向中在藉由該二維影像感測器58的幀率所決定之測量節距測量該基板3的表面形狀。該X方向中之可同時測量的區域係藉由該透鏡13b之成像放大率及該二維影像感測器58的尺寸所決定。該基板3係按照用作 待偵測物體的基板3之尺寸藉由X載台(未示出)於該X方向中步進達該偵測區域的數量，且接著該基板3在該Y方向中被掃描。藉由重複此操作，該處理器400能獲得該基板3之整個表面的高度資訊。
該空間同調性及該孔徑光闌100間之關係將被敘述，其係本發明的特色。首先，空間同調性中之減少將被說明。圖3係一視圖，顯示該孔徑光闌100的數值孔徑及該空間同調性間之關係。於圖3中，藉由該光源1所放射的光係經過該透鏡13a投射在該基板3及參考表面4上，且於該二維影像感測器58上經過該透鏡13b形成一在該基板3上之影像及一在該參考表面4上的影像。當該基板3係於該Z方向中位移達dz時，測量光相對於參考光在該二維影像感測器58上之位移數量Z1能被給與如下：Z1=2dz．sin(θin)...(1)
在此θin係該基板3上之入射角。用於記述方便，該成像光學系統13a及13b的成像放大率為1。用於圖3中之測量光，僅只一主要射束被顯示。
該低同調性光源1可被當作一組點光源。藉由一點光源所放射的光被分成參考光及測量光，且僅只當這些點像彼此重疊時，光之干涉發生。在該透鏡13b的成像位置之點像強度分佈I(r)係於該孔徑光闌的圓形孔之弗朗荷費繞射中的強度分佈。讓NA為該孔徑光闌100之數值孔 徑，該強度分佈I(r)能被給與如下：I(r)=[2J1{(2π/λ)NAr}/{(2π/λ)NAr}]2...(2)
在此r係該影像平面上之半徑，λ係該波長，且J1係該第一類的一階貝塞爾函數。方程式(1)係將該峰值強度標準化至1之方程式。再者，繞射影像之強度第一次變成0的r之值r0被給與如下：r0=0.61λ/NA...(3)
方程式(3)代表該愛里斑(愛里影像)的半徑。如果測量光相對於參考光之位移數量Z1超過該愛里斑的直徑，參考光及測量光之點像不會彼此重疊，且光之干涉不會發生。干涉發生的條件式公式係藉由使用方程式(1)及(3)所給與：NA0.61λ/{sin(θin)dz}...(4)
公式(4)係干涉發生之條件。然而，甚至於此範圍中，在該光束截面上之測量光相對於參考光的位置移位隨著該基板3於該高度方向中之位移而發生，並減少該空間同調性。空間同調性中的減少導致低信號對比及該信號之低S/N比。考慮此，公式(5)係亦可使用當作條件公 式，其中在該光束截面上之測量光相對於參考光的位置移位變得等同於該愛里斑之半徑：NA0.305λ/{sin(θin)dz}...(5)
於該傾斜入射干涉儀中，滿足公式(4)或(5)的數值孔徑NA需要被設定，以便隨著該基板3於該Z方向中之位置變化而抑制空間同調性中之減少。於公式(4)及(5)中，當被建構來放射寬頻光的光源被使用時，該中心波長λc被設定為λ(λ=λc)。當該干涉儀200之測量範圍被設計為±Zr時，該數值孔徑NA被決定，以滿足公式(4')或(5')，其中Zr被替代進入公式(4)或(5)中之dz：NA0.61λc/{Zr．sinθin}...(4')
NA0.305λc/{Zr．sinθin}...(5')
圖3顯示在該空間同調性為低的模式(高NA)及其為高的模式(低NA)間之點像強度分佈的比較。用於高NA，該點像強度函數之峰值強度係相當高的，但該半徑係小的。如此，測量光及參考光彼此重疊之範圍係狹窄的，且該空間同調性減少。對照之下，用於低NA，該點像之模糊數量係大的，且測量光及參考光彼此重疊之範圍係寬廣的。因此，用於低NA，空間同調性中之減少能被 抑制，並獲得寬廣之Z範圍(高度範圍)。然而，既然該NA係低的，該點像分佈函數之峰值強度減少，且該測量準確性下降。對於低NA的測量準確性下降，因為當該信號強度減少時，其輕易地被該二維影像感測器之暗電流雜訊、讀出雜訊、或拍攝雜訊所影響。
該實施例採用光學系統(空間同調性產生器)，其在彼此垂直之第一及第二方向中於該光學系統的光束截面上給與不同的空間同調性。藉由使用該空間同調性產生器，該實施例隨著該物體3於高度方向中之位移抑制空間同調性中的減少，並取得一高對比、高亮度之干涉信號。該第一實施例使用該孔徑光闌100當作該空間同調性產生器。該第一實施例將敘述一案例，其中譬如在該光束截面上於彼此垂直的二方向中具有不同長度(內徑)之長方形狹縫孔被用作該孔徑光闌100。
具有長方形孔的孔徑光闌100之定向被設定，以致該孔徑光闌100的孔之較短側面方向與該入射表面及該物體3上之光束截面的相交線之方向重合。該光譜單元57被配置，以致該入射表面及該光束截面的相交線之方向與波長解析度的方向重合。該傾斜入射干涉儀中之長方形狹縫孔100的定向將被敘述。
代表該孔徑光闌100之定向，該入射表面及該光束截面的相交線之方向將被說明。圖4顯示圖1中的干涉儀200在該Y-Z平面上之配置。該入射表面意指包含入射光及在該基板3上之反射光的平面，且代表圖4中之Y-Z平 面。該入射表面亦係包含寬頻光、參考光、測量光、及干預光的光學路徑之平面。該光束截面意指垂直於一光束的平面，且代表用於該傾斜入射干涉儀中之入射光及該基板3上之反射光的光束截面之不同平面。於圖4中，當藉由該光源1所放射之光係入射在該基板3上時的光軸方向被界定為I1方向，且垂直於該光軸方向及X方向之方向被界定為I2方向。該I2方向係等同於由該Y-Z平面上之Y方向旋轉達該入射角θin的方向。當藉由該光源1所放射之光係入射在該基板3上時，該光束截面用作藉由該I2方向及X方向所界定的I2-X平面。因此，該入射表面(Y-Z平面)及光束截面(I2-X平面)之相交線的方向(第二方向)意指該I2方向。這亦應用於一案例，其中藉由該基板3所反射之光被導引至該光譜儀50。該光軸方向被界定為I1'方向，且垂直於該光軸方向及X方向之方向被界定為I2'方向。然後，該I2'方向係等同於由該Y-Z平面上之Y方向旋轉達該入射角(180°-θin)的方向。該入射表面及該光束截面的相交線之方向意指該I2'方向，用作該Y-Z平面及I2'-X平面的相交線之方向。
隨後，該孔徑光闌100之孔的較短側面之方向、及該入射表面與該光束截面的相交線之方向(I2方向)間之關係將被解釋。當該基板3之位置於高度的方向(Z方向)中移位時，在圖4的干涉儀200中，直立移位係在藉由該分光器2b所重疊的參考光及測量光間之I2'方向中產生，如此減少該空間同調性。當該孔徑光闌100之孔的較短側 面方向被造成和該入射表面與光束截面的相交線之方向(I2方向)重合時，藉由該分光器2b所重疊的參考光及測量光之影像的模糊數量於該I2方向中增加，而增加二影像彼此重疊之面積。這隨著該基板3於高度的方向中之位移而抑制空間同調性中之減少。該孔徑光闌100之長方形孔的較長側面方向係平行於一方向、亦即垂直於該光束截面上之孔的較短側面方向之X方向(第一方向)。隨著該基板3於高度的方向中之位移，既然參考光及測量光的影像移位不會發生在該X方向中，低空間同調性沒關係。當該孔徑光闌100之孔的較長側面方向被設定為平行於該X方向時，於寬廣範圍中之光束能基於高數值孔徑而被捕捉。亦即，該二維影像感測器58能接收高信號強度的干涉光。因此，藉由將該孔徑光闌100之孔的較短側面方向設定為平行於該入射表面與光束截面的相交線之方向(I2方向)，該二維影像感測器58能取得高對比、高亮度的干涉信號。
相反地，當該孔徑光闌100之孔的較長側面方向被設定為平行於該入射表面與光束截面的相交線之方向(I2方向)時，藉由該分光器2b所重疊的參考光及測量光之影像的模糊數量於該X方向中比於該I2'方向中變得較大。既然參考光及測量光在該I2'方向中之影像的模糊數量係小的，且藉由這些影像彼此重疊之面積係小的，該空間同調性隨著該基板3於高度的方向中之位移而減少。再者，如果該孔徑光闌100之孔的較短側面方向被造成與該X方 向重合，而在該X方向中沒有發生參考光及測量光間之直立移位，該數值孔徑及信號強度減少。如此，如果該孔徑光闌100之孔的較長側面方向被造成和該入射表面與光束截面的相交線之方向(I2方向)重合，沒有高對比干涉信號能夠被取得。
由此，該孔徑光闌100之孔的較短側面方向被造成和該入射表面與光束截面的相交線之方向(I2方向)重合。雖然抑制空間同調性中之減少，伴隨該孔徑光闌的配置之信號強度中的減少被抑制，且高準確性測量能被施行。至於該孔徑光闌100之孔的較短側面方向，其想要的是設定一滿足公式(4)或(5)之數值孔徑。
其次，波長解析度之方向、及該光譜單元57中的入射表面與光束截面之相交線的方向(I2'方向)間之關係將被說明。於該傾斜入射干涉儀中，當該光譜單元57中的入射表面與光束截面之相交線的方向被造成與波長解析度之方向重合時，該光譜單元57的空間解析度之方向與垂直於該基板3上之入射表面的方向(X方向)重合。至於空間解析度之方向，該基板3的影像可為集中焦點在該二維影像感測器58之光接收表面上。在垂直於該基板3上之入射表面的方向(X方向)中之每一區域中，高度的方向(Z方向)中之位置係自藉由該二維影像感測器58所取得之光譜信號而獲得。
對照之下，當該光譜單元57中的入射表面與光束截面之相交線的方向被造成與空間解析度之方向重合時，由 於傾斜入射的原理，該二維影像感測器58的表面上之基板3的影像不能在空間解析度之方向中被集中焦點於該光譜單元57的整個影像平面中。為藉由造成該光譜單元57中的入射表面與光束截面之相交線的方向與空間解析度之方向重合來施行高準確性測量，該焦點需要在該整個影像平面中藉由使用防反射光學系統而被調整，而該防反射光學系統滿足防反射條件。
然而，該防反射光學系統之應用具有一缺點，其中該光學系統的配置變得複雜化，且該光學系統輕易地被諸如震動之擾動所影響。為於該傾斜入射干涉儀中施行高準確性測量，該光譜單元57中的入射表面與光束截面之相交線的方向被造成與波長解析度之方向重合。至於具有長方形孔的孔徑光闌100之定向，該孔徑光闌100被配置，以致該孔徑光闌100的孔之較短側面方向和該入射表面與光束截面之相交線的方向(I2方向)重合，且該光譜單元57中的入射表面與光束截面之相交線的方向(I2'方向)與波長解析度之方向重合。
隨後，根據該第一實施例的光學系統中之孔徑光闌100的安裝位置將被說明。如圖1所示，該孔徑光闌100可被配置在照明光學系統之光瞳位置或接近該照明光學系統的光瞳位置，該照明光學系統以藉由該光源1所放射之光來照明該基板3及參考表面4。該孔徑光闌100亦可被配置靠近光接收光學系統的光瞳位置。然而，當該孔徑光闌100被配置靠近該光接收光學系統之光瞳位置時，由於 該測量光及參考光的光束之間源自該基板3及參考表面4的傾斜之角移位，該孔徑光闌100有時候阻斷部份測量光及參考光的光束。於此案例中，藉由該二維影像感測器58所接收之干涉光的信號強度減少，且在該二維影像感測器58之暗電流雜訊、讀出雜訊、或拍攝雜訊的影響之下，該測量準確性下降。為防止此點，於該第一實施例中，該孔徑光闌100被配置靠近該照明光學系統之光瞳位置。當藉由該測量光及參考光的光束之間源自該基板3及參考表面4的傾斜之角移位的信號強度中之減少係小到可以忽略不計時，該孔徑光闌100可被配置靠近該光接收光學系統的光瞳位置，其將分別由該基板3及參考表面4行進之測量光及參考光導引至該光譜儀50。
其次，於該第一實施例中之長方形孔徑光闌100的效應將被敘述。圖5係一概要視圖，顯示當該基板3係在高度之方向中位移時，參考光及測量光的影像係入射在該光譜儀50上。於圖5中，5A顯示沒有孔徑光闌被配置之案例，5B顯示具有圓形孔的孔徑光闌被配置之案例，及5C顯示具有長方形孔的孔徑光闌被配置之案例。該光譜儀50的光接收區域被設定靠近參考光的中心位置，在此該光接收區域不被該基板3於高度的方向中之位移所影響。當該基板3係在高度的方向中位移時，參考光及測量光間之直立移位發生該光譜單元57中的入射表面與光束截面之相交線的方向(I2'方向)中，藉此減少該空間同調性。於圖5之5A中，由於該直立移位，該參考光及測量光不 會彼此重疊，且不會互相干涉。於5B中，其中具有該圓形孔的孔徑光闌被配置，點像之模糊數量增加，以抑制參考光及測量光間之空間同調性中的減少，但該信號強度由於低數值孔徑而減少。該測量準確性變得輕易地受該二維影像感測器58之暗電流雜訊、讀出雜訊、或拍攝雜訊所影響，且該測量準確性下降。於5C中，其中具有該長方形孔的孔徑光闌被使用，點像之模糊數量係僅只在該I2'方向中增加，其中參考光及測量光間之直立移位發生。雖然抑制信號強度中的減少，空間同調性中之減少亦被抑制。據此，高對比干涉信號能被取得。
本發明目標在於隨著該基板3於高度的方向中之位移來抑制空間同調性中的減少，並取得高對比干涉信號。至於該孔徑光闌100之較短側面方向與該入射表面及光束截面之相交線的方向間之關係，及波長解析度之方向與該光譜單元57中的入射表面及光束截面之相交線的方向間之關係，皆已在該第一實施例中被敘述，如果充分高的測量準確性被獲得，這些方向不須總是彼此重合。亦即，縱使該光束截面上之旋轉式移位或相對於該光軸方向的角移位輕微地發生，測量能被施行。於圖6中，6A至6C係當在該孔徑光闌100中之光束截面上發生旋轉式移位時的概要視圖。於圖6中，6D至6F係當該光軸方向中之角移位發生在該I1-I2平面中時的概要視圖。當旋轉式移位dθ發生在該光束截面上時，於該I2方向及X方向中之有效數值孔徑按照該dθ的量值變化。亦即，讓dθ為來自該I2方向 之旋轉式移位，dAX>dBX>dCX的關係在該X方向中被滿足，且dA12<dB12<dC12在該I2方向中被滿足。當dθ增加時，該I2方向中之數值孔徑增加，且該X方向中的數值孔徑減少。於圖6中，當dθ係等於或大於±45°時，該孔徑光闌100於該X方向中之數值孔徑變得低於在該I2方向中者。在此時，該孔徑光闌100的較長側面方向係等同於該入射表面與光束截面的相交線之方向(I2方向)。沒有高對比干涉信號能被取得，且該測量準確性下降。因此，只要所請求的測量準確性及信號強度被滿足，該光束截面上之孔徑光闌100的旋轉式移位dθ被允許。
隨後，該孔徑光闌100相對於該光軸方向之角移位將參考圖6的6D至6F被說明。於圖6中，6D至6F係當在該I1-I2平面上之角移位dφ發生時的概要視圖。當相對於該光軸方向的入射表面上之角移位dφ增加時，該I2方向中之有效數值孔徑減少(dDI1<dEI1<dFI1)。如果該孔徑光闌100中之入射表面與光束截面的相交線之方向(I2方向)中的數值孔徑變得低於滿足公式(4)或(5)之數值孔徑，該干涉信號的信號強度及對比減少。為此緣故，相對於該光軸方向的入射表面上之角移位dφ被允許，只要所請求的測量準確性及信號強度被滿足。注意相對於該光軸方向的入射表面上之角移位已被敘述。這亦應用至異於該入射表面的表面(未示出)。
至於該光譜儀50，該光束截面上之旋轉式移位及相對於該光軸方向的角移位被考慮發生。於此案例中，用於 該基板3上之測量區域的測量準確性下降。因此，該光束截面上之光譜儀50的旋轉式移位及相對於該光軸方向之角移位被允許，只要所請求的測量準確性及信號強度於該測量區域中被滿足。該第一實施例至目前為止已說明一案例，其中該孔徑光闌100使用長方形狹縫孔。然而，該孔徑光闌100的形狀不被限制於此，且譬如橢圓形孔可被使用。
根據該第一實施例，在該光學系統之光束截面上於彼此垂直的二方向中具有不同數值孔徑之孔徑光闌100被配置。當抑制信號強度中的減少時，空間同調性中之減少被抑制，且高對比、高亮度干涉信號能被取得。隨著此，該物體3之表面形狀能於高準確性被測量。該第一實施例可提供一能夠取得高對比、高亮度干涉信號的干涉儀、及一能夠正確地測量待偵測物體之表面形狀的干涉儀。
〔第二實施例〕
圖7係概要視圖，顯示該第二實施例中之干涉儀200的配置。該第二實施例將說明一案例，其中圓柱形透鏡101被用作空間同調性產生器。該干涉儀200測量用作高度的方向(Z方向)中之待偵測物體的基板(晶圓)3之位置。該干涉儀200包含放射白光的光源1、聚光透鏡11、傳輸狹縫板30、分光器2a及2b、參考表面4、透鏡12、該圓柱形透鏡101、光譜儀50、二維影像感測器58、及處理器400。注意該透鏡12代表圖7所示之三個 透鏡12a、12b、及12c。
該等個別組合元件的功能將在下面被說明。藉由該光源1所放射之光被該聚光透鏡11所聚光，通過藉由該傳輸狹縫板30與該等透鏡12a及12b所構成的成像光學系統22，且係藉由該分光器2a所分岔。該等被分岔的光束係分別入射在該基板3及參考表面4上。藉由該基板3所反射之測量光及藉由該參考表面4所反射的參考光係藉由該分光器2b所重疊。該被重疊之光通過該透鏡12c及圓柱形透鏡101，且被導引至該光譜儀50。該光譜儀50係藉由入射狹縫56、光譜單元57(譬如，繞射光柵)、及成像光學系統16(鏡片光學系統)所構成。該光譜儀50造成已通過該圓柱形透鏡101及入射狹縫56的光被入射在該繞射光柵57上。對於該入射狹縫56的較短側面方向中之每一波長，該繞射光柵57繞射干涉光一次，獲得在空間解析度之方向中具有一展開及在波長解析度的方向中具有一展開之光譜信號。該二維影像感測器58接收該光譜信號當作一維位置資訊及波長資訊。
該第一實施例中之敘述的內容係可直接地適用於該光源1、該等分光器2a與2b、測量光與參考光之入射角、及該第二實施例中的二維影像感測器58，且其敘述將不被重複。於該第二實施例中，該成像光學系統22在該基板3及該參考表面4上形成已通過該傳輸狹縫板30的狹縫影像。於該第二實施例中，該傳輸狹縫板30被安裝，因為其能夠在高準確性藉由確保該光量、阻斷雜散光、及 界定該測量範圍施行表面位置測量。該基板3係以藉由該光源1經過該傳輸狹縫板30所放射之白光照明，而當作一狹縫影像(譬如，長方形、弧形、或六角形照明區域)。
該第一實施例中之敘述的內容係可直接地適用於該處理器400，其藉由處理用該二維影像感測器58所接收之光譜信號而獲得該基板3的形狀，且其敘述將不被重複。於該第二實施例中，隨著該物體3於高度的方向中之位置移位的空間同調性中之減少被抑制，以在該光學系統之光束截面上於彼此垂直的第一及第二方向中，藉由使用具有不同折射能力的光學構件來獲得高對比、高亮度的干涉信號。該第二實施例採用該圓柱形透鏡101當作該空間同調性產生器，該圓柱形透鏡101具有一方向，其中該圓柱形透鏡101在該光束截面上於彼此垂直之二方向中具有折射能力；及一方向，其中該圓柱形透鏡不具有折射能力。
該圓柱形透鏡101被配置，以致該圓柱形透鏡101不具有折射能力的方向與該入射表面及光束截面之相交線的方向重合，且該光譜單元57中之入射表面及光束截面的相交線之方向與波長解析度的方向重合。當該圓柱形透鏡101被使用時之配置將被敘述。至於波長解析度之方向、及該光譜單元57中的入射表面及光束截面之相交線的方向間之關係，這些方向被造成彼此重合，用於該第一實施例中所敘述之理由。
首先，該入射表面及光束截面之相交線的方向將被說 明，其代表該圓柱形透鏡101之定向。該入射表面意指一包含入射光及反射光的平面，且代表圖7中之Y-Z平面。該光束截面意指垂直於光束的平面，且代表用於入射光及該傾斜入射干涉儀中之基板3上的反射光之光束截面的不同平面。於圖7中，在藉由該基板3所反射之後，被導引至該光譜儀50的光之光軸方向被界定為I1'方向。垂直於該光軸方向及X方向的方向被界定為I2'方向中。該I2'方向係等同於由該Y-Z平面上之Y方向旋轉達該入射角(180°-θin)的方向。因此，該光束截面指示藉由該I2'方向及X方向所界定之I2'-X平面。該入射表面與該光束截面的相交線之方向係該Y-Z平面與I2'-X平面的相交線之方向，且意指該I2'方向。
於該傾斜入射干涉儀中，參考光及測量光間之直立移位隨著該基板3於高度的方向中之位移發生在該I1'-I2'平面上。如此，相對於參考光的角移位發生在入射於該圓柱形透鏡101上之測量光中。圖8顯示當該圓柱形透鏡101不具有折射能力的方向與該入射表面及該光束截面的相交線之方向(I2'方向)重合時，該圓柱形透鏡101、光譜儀50、及二維影像感測器58在該I1'-I2'平面及該X-I1'平面上的配置。於此案例中，該基板3及參考表面4未被成像在該I1'-I2'平面上之入射狹縫56上，且模糊的點像被形成。其結果是，該參考光及測量光彼此重疊的面積增加，且空間同調性隨著該基板3於該Z方向中之位移的減少能被抑制。如果該圓柱形透鏡101具有折射能力的方向被造 成與該X方向重合，被形成在該基板3上之狹縫影像係經過該X-I1'平面上的透鏡12c及圓柱形透鏡101形成在該入射狹縫56上。在該X-I1'平面上，縱使該基板3係於該Z方向中位移，參考光及測量光之間沒有直立移位發生。如此，具有高空間同調性的干涉光能夠在該基板3及入射狹縫56具有一成像關係之狀態中被接收。當該圓柱形透鏡101不具有折射能力的方向被造成與該入射表面及該光束截面的相交線之方向(I2'方向)重合時，高對比、高亮度干涉信號能被取得。
對照之下，當該圓柱形透鏡101具有折射能力的方向被造成與該入射表面及該光束截面的相交線之方向(I2'方向)重合時，藉由該分光器2b所重疊的參考光及測量光係於點像模糊之狀態中入射在該X-I1'平面上。在該X-I1'平面上，沒有參考光及測量光間之直立移位發生，故該信號強度減少，而該空間同調性保持未改變。在發生參考光及測量光間之直立移位的I1'-I2'平面上，該基板3及入射狹縫56具有一成像關係，且該空間同調性隨著基板3於高度的方向中之位移而減少。為此緣故，如果該圓柱形透鏡101具有折射能力的方向被造成與該入射表面及該光束截面的相交線之方向(I2'方向)重合，沒有高對比、高亮度干涉信號可被取得。
藉由造成該圓柱形透鏡101不具有折射能力的方向與該入射表面及該光束截面的相交線之方向重合，空間同調性中的減少能被抑制，以於該傾斜入射干涉儀中施行高準 確性測量。根據該實施例之光學系統使用該圓柱形透鏡101，且該基板3及參考表面4不於發生測量光的直立移位之方向中被成像在該入射狹縫56及二維影像感測器58上。該重疊面積係增加，以抑制空間同調性中的減少。
於該實施例中，該圓柱形透鏡101被配置在光接收光學系統中，如圖7所示。然而，該圓柱形透鏡101亦可被配置在一位置，在此該透鏡12b被配置在圖7中之照明光學系統中。於此案例中，該基板3及參考表面4上之傳輸狹縫板30的狹縫影像未形成在參考光及測量光之影像移位方向中。在該影像移位方向中的參考光及測量光被反射之後，其光束直徑增加，直至該參考光及測量光抵達該光接收光學系統的透鏡12c。對應於該加寬之光束的大光接收光學系統(譬如，該透鏡12c)需要被配置。該干涉儀可因此藉由將該圓柱形透鏡101配置在光接收光學系統中而被減縮尺寸，如圖7中所示。該實施例已說明一案例，其中該圓柱形透鏡101被用作具有折射能力之光學構件。然而，具有折射能力的光學構件之形式不被限制於此。除了該圓柱形透鏡以外，例如，復曲面透鏡係可使用的。
根據該第二實施例，於該光束截面上彼此垂直之第一及第二方向中具有不同折射能力的光學構件被配置，以抑制空間同調性中之減少。其結果是，高對比、高亮度干涉信號能夠在干涉測量中被取得。伴隨此，待偵測物體的表面形狀可於高準確性下被測量。該第二實施例能提供一干涉儀，其能夠取得高對比、高亮度之干涉信號，且正確地 測量待偵測物體的表面形狀。
〔第三實施例〕
測量薄膜厚度之干涉儀將被說明當作本發明的第三實施例。該第一實施例已例示該干涉儀，其測量晶圓之表面形狀(高度)。該第三實施例將敘述一干涉儀，其測量晶圓上所形成的半透明薄膜之薄膜厚度。圖9A顯示藉由在矽基板上形成SiO2薄膜(1.5微米)所獲得的晶圓之結構的範例，並當作待偵測之物體。當作該第三實施例中之設備的配置，在該第一或第二實施例中所敘述之干涉儀200被直接地應用，且其敘述將不被重複。
圖9B顯示當該物體係藉由在矽基板上形成SiO2薄膜(1.5微米)所獲得的樣本時所取得之光譜信號的範例。圖9C顯示藉由在圖9B中所顯示之光譜信號上施行圖2中所顯示的信號處理所取得之白光干涉信號。圖9C中之白光干涉信號具有二峰值T'及B'。如圖9A中所顯示，這些峰值位置對應於Z位置T'，在此藉由該SiO2表面所反射之光T與參考光的光學路徑長度差彼此重合；及Z位置B'，在此於SiO2及該Si基板間之界面所反射之光B與參考光的光學路徑長度差彼此重合。讓n為SiO2之折射率，且d係該薄膜厚度，該反射光T及該反射光B間之光學路徑長度差係藉由2ndcosθ所表示。讓θ為在該空氣/SiO2界面的折射角，且θin為該入射角，方程式(6)之關係係基於斯奈爾定律所建立： sinθ=nsinθin...(6)
相反地，隨著晶圓3的位移之光學路徑長度差係藉由2(B'-T')cosθin所表示。由該關係，其中該二光學路徑長度差係彼此相等，該薄膜厚度d被給與如下：d=(B'-T')cosθin/ncosθ...(7)
注意該等位置B'及T'能在高準確性藉由使用一方法(諸如基於二次函數的配適)而被獲得，如在該第一實施例中所敘述。藉由基板載台WS於該Y方向中之恆定速率掃描，該晶圓3上的半透明薄膜之薄膜厚度能被測量，且該晶圓表面上的薄膜厚度分佈等可被測量。
再者，於該第三實施例中測量薄膜厚度之干涉儀能使用傾斜入射白光干涉儀。用於直立入射(入射角θ=90°)，其係難以測量半透明薄膜的上表面位置，因為該半透明薄膜的上表面上之光的反射率係低至約數%。當該入射角增加時，藉由該半透明薄膜的上表面所反射之光的強度相對地增加。以此特色，其想要的是藉由相對於該半透明薄膜的上表面增加該入射角來增加光之反射率，及由該半透明薄膜的上及下表面之位置獲得一薄膜厚度。
〔第四實施例〕
圖10係一方塊圖，顯示包含根據本發明測量表面形狀之干涉儀200的曝光設備。如圖10中所示，該曝光設備包含光源單元800、光罩31被放置在其上之光罩載台RS、投射光學系統32、固持晶圓(基板)3的晶圓載台(基板載台)WS、及被配置在該晶圓載台WS上之參考板39。此外，該曝光設備包含測量表面形狀的干涉儀200。該第一或第二實施例係適用於該干涉儀200。控制單元1100包含CPU及記憶體，被電連接至該光源單元800、該光罩載台RS、用作基板載台之晶圓載台WS、及該干涉儀200，且控制該曝光設備的操作。於該實施例中，該控制單元1100能施行該干涉儀200中之晶圓3的表面位置測量值之計算及控制、與當偵測一表面位置時的測量值之修改計算及控制。注意根據本發明的干涉儀200能被使用於測量異於該曝光設備之微影設備、諸如帶電荷粒子束描繪設備或壓印設備中的晶圓3之表面形狀。
該照明系統照明該光罩31，待轉印的電路圖案係形成在該光罩上。該照明系統包含該光源單元800及照明光學系統801。該光源單元800使用譬如雷射。該雷射可為具有約193奈米波長之ArF準分子雷射、或具有約248奈米波長的KrF準分子雷射。然而，光源之型式不被限制於該準分子雷射。更明確地是，具有約157奈米波長之F2雷射或具有20奈米或更少的波長之EUV(極紫外)光可被使用。
該照明光學系統801係一光學系統，其藉由使用該光 源單元800所放射之光束來照明一待照明的表面。於該實施例中，該照明光學系統801將光束塑形成預定最佳形狀之曝光狹縫，並照明該光罩31。該照明光學系統801包含透鏡、鏡片、光學積分器、光闌、與類似者等。譬如，聚光透鏡、複眼透鏡、孔徑光闌、聚光透鏡、狹縫、及成像光學系統被以所指名的順序配置。
用作原件之光罩31係由譬如石英所製成。待轉印的電路圖案係形成在該光罩31上，且該光罩31被該光罩載台RS所支撐及驅動。由該光罩31行進之繞射光通過該投射光學系統32及被投射在該晶圓3上。該光罩31及晶圓3被配置於光學共軛關係中。該光罩31及晶圓3在對應於縮小倍率的速度比下被掃描，藉此將該光罩31之圖案轉印至該晶圓3上。注意該曝光設備包含光傾斜入射系統(未示出)的光罩偵測器。該光罩偵測器偵測該光罩31之位置，且該光罩31被配置在預定位置。
該光罩載台RS經由光罩夾頭(未示出)支撐該光罩31，且被連接至運動機件(未示出)。該運動機件係藉由線性馬達等所構成，並可藉由在該X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、及繞著該等個別軸心的旋轉方向中驅動該光罩載台RS來運動該光罩31。
該投射光學系統32具有將由該物體平面行進之光束投射在該影像平面上的功能。於該實施例中，該投射光學系統32將已通過該光罩31上所形成之圖案的繞射光投射至該晶圓3上。該投射光學系統32能使用藉由複數透鏡 元件所構成之光學系統、包含複數透鏡元件及至少一凹鏡的光學系統(折射反射光學系統)、包含複數透鏡元件與繞射光學元件、諸如至少一開諾全息照片之光學系統等。
用作待處理的物體之光阻被應用在用作基板的晶圓3上。於該實施例中，該晶圓3係亦一待偵測物體，其表面位置被該干涉儀200所偵測。於另一實施例中，該晶圓3被以液晶基板或另一基板所替換。
該晶圓載台WS藉由晶圓夾頭(未示出)支撐該晶圓3。類似於該光罩載台RS，該晶圓載台WS使用線性馬達，以於該X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、及繞著該等個別軸心的旋轉方向中運動該晶圓3。譬如，6軸心雷射干涉儀81等監視該光罩載台RS及晶圓載台WS之位置，且該光罩載台RS及晶圓載台WS係在預定速度比下驅動。
該晶圓3的表面位置之測量點(焦點)將被說明。於該實施例中，當於該掃描方向(Y方向)中在該晶圓3的整個區域中掃描該晶圓載台WS時，該干涉儀200測量晶圓表面位置，且該載台WS係在垂直於該掃描方向之方向(X方向)中步進式運動達△X。隨後，該晶圓3的表面位置係在該掃描方向中測量。藉由重複此操作，該晶圓之整個表面的形狀測量被施行。為增加該產量，複數干涉儀200可被用來同時測量該晶圓上之不同點的表面位置。其係亦可能造成光束入射在該晶圓上之複數測量點上，將該等個別光束導引至個別感測器，及由該等不同位置的多組 高度測量資訊計算待曝光之表面的傾斜。
其次，使用本發明之具有該上面配置的曝光設備之曝光方法將被詳細地說明。圖11係流程圖，顯示當根據該實施例的曝光設備被使用時，該曝光方法之整個順序。首先，於步驟S1中，該晶圓3被載入該設備。於步驟S101中，晶圓對齊係在該晶圓3上施行。於晶圓對齊中，該晶圓上之記號的位置被對齊示波器(未示出)所偵測，以相對於該曝光設備對齊該晶圓3之X-Y平面。然後，於步驟S102中，該干涉儀200測量該晶圓3上之預定部份的表面位置，且該晶圓3之表面形狀資料被儲存在該曝光設備中。於步驟S102中，該晶圓載台WS由低於該干涉儀200的位置運動該晶圓3，以致該第一曝光拍攝係位在低於該投射光學系統32之曝光位置。同時，該曝光設備的控制單元1100基於該晶圓3之表面形狀資料建立該第一曝光拍攝之表面位置資料當作該表面位置測量結果，並計算離該曝光成像平面的移位數量。用於幾乎每一曝光狹縫，藉由在該Z方向及傾斜方向中基於離該曝光成像平面之移位數量驅動載台，於高度之方向中對該晶圓表面之位置的調整操作被施行。在步驟S103中，基於在步驟S102中的測量結果來執行聚焦和傾斜修改。
於步驟S104中，該晶圓載台WS於該Y方向中之曝光及掃描被施行。在曝光該第一曝光拍攝的終止之後，其係於步驟S105中決定是否有未曝光拍攝。如果有未曝光拍攝，該製程返回至步驟S102。類似於該第一曝光拍攝，該處理器400建立該下一曝光拍攝的表面位置資料。 曝光被執行，同時藉由在該Z方向及傾斜方向中驅動載台來對於幾乎每一曝光狹縫施行該晶圓表面於高度的方向中之形狀的調整操作。於步驟S105中，其係決定是否有一拍攝將被曝光(亦即，未曝光的拍攝)。該上述操作被重複，直至所有拍攝被曝光。在曝光所有曝光拍攝的終止之後，該晶圓3係於步驟S106中被恢復，且該製程終止。
該晶圓載台WS不被限制於單一載台，並可為包含二工作站之所謂的雙載台配置，亦即，一施行曝光處理之曝光站及一施行測量處理、諸如該晶圓3的對齊及該表面位置之測量的測量站。於該雙載台曝光設備中，該二載台係在該曝光站及該測量站之間交錯。於此案例中，該干涉儀200被配置在該測量站側面上。
既然複雜的電路圖案、劃線、與類似者等藉由該曝光設備存在用作待測量或處理之基板的晶圓上，該反射率分佈、局部傾斜等之發生比率係高的。如此，使用能夠減少藉由該反射率分佈或局部傾斜所產生的測量誤差之白光干涉儀的高準確性表面位置之測量係一重要的技術。為在高準確性下藉由使用該白光干涉儀迅速地測量表面形狀，本發明關於參考光及測量光間之同調性的效應係顯著的。如果該晶圓表面之形狀可在高準確性被迅速地測量，最佳曝光表面及晶圓表面的聚焦準確性係增加。這導致半導體元件之高效能及高製造產出。
該實施例已僅只敘述一情況，其中本發明被應用當作該曝光設備中之干涉儀200。然而，本發明不被限制於該 干涉儀200，並可被應用當作焦點校準設備，其施行該干涉儀200的焦點校準。該焦點校準設備能藉由使用該空間同調性產生器(如於該干涉儀200中)在高準確性測量該表面位置來施行焦點校準。
根據該第四實施例，參考光及測量光間之空間同調性中的減少係藉由使用該空間同調性產生器所抑制，該空間同調性產生器在該光束截面上的彼此垂直之第一及第二方向中具有不同的空間同調性。其結果是，高對比、高亮度干涉信號能在干涉測量中被獲得。伴隨此，基板之表面位置能在高準確性下被測量。該第四實施例可提供一曝光設備，其在小焦點深度施行高焦點準確性及增加該產出。
雖然本發明之實施例已被敘述，本發明不被限制於這些實施例，且被寬廣地應於至光譜傾斜入射白光干涉儀，其造成光傾斜地入射在待偵測的物體上，並基於所取得之光譜干涉信號來取得該物體的物理資訊、化學資訊、及光學資訊。
〔製造物品的方法〕
根據本發明之實施例，製造物品的方法係適於製造諸如微裝置(譬如，半導體裝置)或具有微結構之元件的物品。該製造方法包含藉由使用微影設備在基板上形成圖案之步驟。再者，該製造方法包含處理該圖案形成基板之其他熟知的步驟(譬如，氧化、沈積、蒸氣沈積、加入摻雜劑、平面化、蝕刻、抗蝕劑移除、切丁、接合、及封 裝)。在該物品之性能、品質、生產力、及生產成本的至少一者中，根據該實施例製造物品的方法係優於傳統方法。
雖然本發明已參考示範實施例被敘述，其將被了解本發明不被限制於所揭示之示範實施例。以下申請專利的範圍被給與該最寬廣之解釋，以便涵括所有此等修改及同等結構與功能。
1‧‧‧光源
2a‧‧‧分光器
2b‧‧‧分光器
3‧‧‧基板
4‧‧‧參考表面
13a‧‧‧透鏡
13b‧‧‧透鏡
16‧‧‧成像光學系統
50‧‧‧光譜儀
56‧‧‧入射狹縫
57‧‧‧光譜單元
58‧‧‧影像感測器
100‧‧‧孔徑光闌
200‧‧‧干涉儀
400‧‧‧處理器

Claims (19)

  1. 一種干涉儀，包括：光學系統，被建構來藉由分開來自光源之光、及組合藉由用參考表面反射該分開光的一光束所產生之參考光來產生干涉光，與藉由造成該分開光之另一光束傾斜地入射在待偵測的物體上及藉由該物體反射該另一光束所產生之測量光；偵測器，被建構來偵測藉由該光學系統所產生的干涉光；光學構件，被建構來在該偵測器偵測來自該光源的光之前，對來自該光源的光給與空間同調性；及光譜單元，被建構來散布藉由該光學系統所產生的干涉光，其中該光學構件在第二方向中給與比於第一方向中較高的空間同調性，該第二方向用作入射在該光學構件上之光的光束之截面與一平面之相交的線之方向，該平面包含來自該光源而在被該光學系統所分開之前的光、該參考光、該測量光、及該干涉光之光學路徑，且該第一方向垂直於該平面，及該光譜單元使波長解析度之方向平行於該第二方向。
  2. 如申請專利範圍第1項之干涉儀，其中該光學構件包含一孔徑光闌，其被建構來在該第一方向及該第二方向中形成具有不同長度的孔。
  3. 如申請專利範圍第2項之干涉儀，其中該光學系 統的孔徑光闌被配置在照明光學系統之光瞳位置，而該照明光學系統被建構來造成該光由該光源入射在該物體上。
  4. 如申請專利範圍第2項之干涉儀，其中該光學系統被建構來藉由分開寬頻光來產生干涉光，其中讓λc為該寬頻光的中心波長，θin係相對於該物體之入射角，及Zr係該物體在該第二方向中的測量範圍，藉由該孔徑光闌之孔的較短側面方向所決定之數值孔徑NA滿足NA0.61λc/(Zr．sinθin)。
  5. 如申請專利範圍第2項之干涉儀，其中該光學系統被建構來藉由分開寬頻光來產生干涉光，其中讓λc為該寬頻光的中心波長，θin係相對於該物體之入射角，及Zr係該物體在該第二方向中的測量範圍，藉由該孔徑光闌之孔的較短側面方向所決定之數值孔徑NA滿足NA0.305λc/(Zr．sinθin)。
  6. 如申請專利範圍第1項之干涉儀，其中該光學構件在該第一方向及該第二方向中具有不同的折射能力。
  7. 如申請專利範圍第6項之干涉儀，其中該光學構件包含圓柱形透鏡。
  8. 如申請專利範圍第6項之干涉儀，其中該光學系統的光學構件被配置於光接收光學系統中，該光接收光學系統被建構來將該測量光及該參考光導引至該偵測器。
  9. 如申請專利範圍第1項之干涉儀，其中該光譜單元包含繞射光柵及色散稜鏡的其中一者。
  10. 如申請專利範圍第1項之干涉儀，其中該偵測器 包含二維影像感測器。
  11. 如申請專利範圍第10項之干涉儀，另包括：載台，被建構來運動同時支撐該物體；及控制單元，被建構來控制該載台，其中該控制單元控制該載台，以於該二維影像感測器的一圖框之影像感測期間運動該物體。
  12. 如申請專利範圍第1項之干涉儀，其中來自該光源的光相對於該物體之入射角係不小於60°。
  13. 如申請專利範圍第1項之干涉儀，其中該干涉儀測量該物體的表面形狀。
  14. 如申請專利範圍第1項之干涉儀，其中該物體包含一基板，半透明薄膜被形成該基板上，且該干涉儀測量該半透明薄膜的薄膜厚度。
  15. 如申請專利範圍第1項之干涉儀，其中該光學系統被建構來藉由分開寬頻光來產生干涉光。
  16. 如申請專利範圍第1項之干涉儀，其中該光包含白光。
  17. 一種微影設備，其在基板上形成一圖案，該設備包括：基板載台，被建構來固持該基板；及干涉儀，被建構來測量藉由該基板載台所固持之基板的表面形狀，該干涉儀包含：光學系統，被建構來藉由分開來自光源之光、及組合 藉由用參考表面反射該分開光的一光束所產生之參考光來產生干涉光，與藉由造成該分開光之另一光束傾斜地入射在待偵測的物體上及藉由該物體反射該另一光束所產生之測量光；偵測器，被建構來偵測藉由該光學系統所產生的干涉光；光學構件，被建構來在該偵測器偵測來自該光源的光之前，對來自該光源的光給與空間同調性；及光譜單元，被建構來散布藉由該光學系統所產生的干涉光，其中該光學構件在第二方向中給與比於第一方向中較高的空間同調性，該第二方向用作入射在該光學構件上之光的光束之截面與一平面之相交的線之方向，該平面包含來自該光源而在被該光學系統所分開之前的光、該參考光、該測量光、及該干涉光之光學路徑，且該第一方向垂直於該平面，及該光譜單元使波長解析度之方向平行於該第二方向。
  18. 如申請專利範圍第17項之微影設備，其中該微影設備包含一曝光設備，該曝光設備包含一被建構來施行測量基板之測量處理的測量站、及一被建構來在已遭受該測量處理之基板上施行曝光處理的曝光站，且該干涉儀被配置在該測量站中。
  19. 一種製造物品的方法，該方法包括：藉由使用微影設備在基板上形成一圖案；及 處理該基板，該圖案已被形成在該基板上，以製造該物品，該微影設備包括：基板載台，被建構來固持該基板；及干涉儀，被建構來測量藉由該基板載台所固持之基板的表面形狀，該干涉儀包含：光學系統，被建構來藉由分開來自光源之光、及組合藉由用參考表面反射該分開光的一光束所產生之參考光來產生干涉光，與藉由造成該分開光之另一光束傾斜地入射在待偵測的物體上及藉由該物體反射該另一光束所產生之測量光；偵測器，被建構來偵測藉由該光學系統所產生的干涉光；光學構件，被建構來在該偵測器偵測來自該光源的光之前，對來自該光源的光給與空間同調性；及光譜單元，被建構來散布藉由該光學系統所產生的干涉光，其中該光學構件在第二方向中給與比於第一方向中較高的空間同調性，該第二方向用作入射在該光學構件上之光的光束之截面與一平面之相交的線之方向，該平面包含來自該光源而在被該光學系統所分開之前的光、該參考光、該測量光、及該干涉光之光學路徑，且該第一方向垂直於該平面，及 該光譜單元使波長解析度之方向平行於該第二方向。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6449310B2 (ja) 2014-01-18 2019-01-09 デイライト ソリューションズ、インコーポレイテッド 低ノイズ分光画像化システム
US11803044B2 (en) 2014-01-18 2023-10-31 Daylight Solutions, Inc. Low-noise spectroscopic imaging system with steerable substantially coherent illumination
US10437033B2 (en) 2014-01-18 2019-10-08 Daylight Solutions, Inc. Modulating spectroscopic imaging system using substantially coherent illumination
EP2966489A1 (de) * 2014-06-30 2016-01-13 Carl Zeiss SMT GmbH Beleuchtungsoptik sowie abbildende optik für ein metrologiesystem für die untersuchung eines objekts mit euv-beleuchtungs- und abbildungslicht sowie metrologiesystem mit einer derartigen beleuchtungsoptik bzw. einer derartigen abbildungsoptik
CN112068406A (zh) * 2015-02-23 2020-12-11 株式会社尼康 测量装置、光刻系统、以及组件制造方法
EP3264180B1 (en) 2015-02-23 2020-01-08 Nikon Corporation Substrate processing system and substrate processing method, and device manufacturing method
CN111290221B (zh) 2015-02-23 2023-07-28 株式会社尼康 测量装置、光刻系统、曝光装置、测量方法、曝光方法以及元件制造方法
EP3309616A1 (en) * 2016-10-14 2018-04-18 ASML Netherlands B.V. Method of inspecting a substrate, metrology apparatus, and lithographic system
JP6818501B2 (ja) * 2016-10-19 2021-01-20 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品製造方法
JP2020060690A (ja) * 2018-10-10 2020-04-16 ウシオ電機株式会社 光照射方法、機能素子の製造方法および光照射装置
US11162897B2 (en) * 2019-05-15 2021-11-02 Onto Innovation Inc. Optical metrology device using numerical aperture reduction
JP2023537992A (ja) * 2020-08-18 2023-09-06 ザイゴ コーポレーション 可変ズーム撮像装置
KR102492803B1 (ko) * 2022-04-19 2023-01-31 (주)오로스테크놀로지 조리개를 이용하여 입사 각도 또는 개구수를 조절하는 편광 분석 장치 및 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070086013A1 (en) * 2005-10-11 2007-04-19 Zygo Corporation Interferometry method and system including spectral decomposition
US20090225327A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-10 Canon Kabushiki Kaisha Position measurement apparatus, position measurement method, and exposure apparatus
US20120307258A1 (en) * 2010-01-22 2012-12-06 Universitaet Stuttgart Method and arrangement for robust interferometry

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5398113A (en) 1993-02-08 1995-03-14 Zygo Corporation Method and apparatus for surface topography measurement by spatial-frequency analysis of interferograms
JP3685667B2 (ja) * 1999-10-27 2005-08-24 株式会社日立製作所 立体形状検出方法及び装置、並びに検査方法及び装置
US7884947B2 (en) 2005-01-20 2011-02-08 Zygo Corporation Interferometry for determining characteristics of an object surface, with spatially coherent illumination
JP5084558B2 (ja) 2008-02-28 2012-11-28 キヤノン株式会社 表面形状計測装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP5787483B2 (ja) * 2010-01-16 2015-09-30 キヤノン株式会社 計測装置及び露光装置
JP2013024747A (ja) * 2011-07-21 2013-02-04 Canon Inc 計測装置、露光装置およびデバイス製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070086013A1 (en) * 2005-10-11 2007-04-19 Zygo Corporation Interferometry method and system including spectral decomposition
US20090225327A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-10 Canon Kabushiki Kaisha Position measurement apparatus, position measurement method, and exposure apparatus
US20120307258A1 (en) * 2010-01-22 2012-12-06 Universitaet Stuttgart Method and arrangement for robust interferometry

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Publication number Publication date
KR20150011313A (ko) 2015-01-30
KR101790830B1 (ko) 2017-10-26
US20150022796A1 (en) 2015-01-22
TW201504771A (zh) 2015-02-01
US9625836B2 (en) 2017-04-18
JP6271896B2 (ja) 2018-01-31
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