TWI578482B - 導電性膜、具備該導電性膜的顯示裝置以及導電性膜的配線圖案的決定方法 - Google Patents

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Description

導電性膜、具備該導電性膜的顯示裝置以及導電性膜的配線圖案的決定方法
本發明是有關於一種導電性膜(conductive film)、具備該導電性膜的顯示裝置(display device)以及導電性膜的圖案的決定方法。
作為設置於顯示裝置(以下,亦稱為顯示器(display))的顯示單元(display unit)上的導電性膜,例如可列舉電磁波屏蔽(electromagnetic wave shield)用導電性膜、或觸控面板(touch panel)用的導電性膜等(例如,參照專利文獻1及專利文獻2)。
於本案申請人的申請所涉及的專利文獻1中,揭示有如下情形:自動選定藉由第2圖案資料(pattern data)生成的第2圖案,該第2圖案資料是例如顯示器的畫素排列圖案(例如,黑矩陣(black matrix)(以下,亦稱為BM)圖案)等第1圖案、與例如電磁波屏蔽圖案等第2圖案的各自的圖案資料的二維傅立葉光譜(二維高速傅立葉變換光譜(2DFFTSp,Two Dimensional Fast Fourier Transform spectrum))的光譜峰值(Spectrum Peak)間的相對距離超過規定的空間頻率(space frequency)、例如超過8cm-1
再者,於專利文獻1中,亦揭示有如下情形:於上述相對距離未超過規定的空間頻率的情形時,重複進行使第2圖案資料的旋轉角度、間距(pitch)、圖案寬度中的任一個以上變化而生成新的第2圖案資料的處理,直至上述相對距離超過規定的空間頻率為止。
以此方式,專利文獻1可自動選定如下的電磁波屏蔽圖案:可抑止亂真紋(Moire)的產生,亦可避免表面電阻率(surface resistivity)的增大或透明性的劣化。
另一方面,於本案申請人的申請所涉及的專利文獻2中,作為具有包括複數個多邊形狀的網格(mesh)的網格圖案的透明導電膜,揭示有以如下方式形成有網格圖案的透明導電膜:關於各網格的重心光譜,使比規定的空間頻率(例如人的視覺響應特性相當於最大響應的5%的空間頻率)高的空間頻帶(spatial frequency band)側的平均強度,變得大於比規定的空間頻率低的空間頻帶側的平均強度。
以此方式,專利文獻2可提供如下的透明導電膜:其可降低由圖案引起的雜訊(noise)粒狀感,可大幅提高觀察對象物的視辨性,並且於裁斷後,亦具有穩定的通電性能。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-117683號公報
[專利文獻2]日本專利特開2011-216379號公報
另外,專利文獻1為如下的技術:於生成導電性膜的配線圖案時,僅根據顯示器的黑矩陣(BM,black matrix)/配線圖案的頻率資訊來控制亂真紋頻率,從而提供視辨性優異的配線圖案,但僅依存於頻率來判定視辨出/無法視辨出亂真紋,故於專利文獻1中,存在如下問題:即便於判定為無法視辨出亂真紋的頻率的情形時,由於人對亂真紋的察覺不僅受頻率的影響,而且亦受強度的影響,故亦存在因強度而視辨出亂真紋的情形,從而無法充分地提高亂真紋的視辨性。特別是,於將專利文獻1所揭示的技術應用於觸控面板用導電性膜的情形時,由於藉由人的手指等按壓,故於黑矩陣/配線圖案間產生輕微的應變,從而亦有助長因強度而視辨出亂真紋的問題,且有亂真紋的視辨性未充分提高的問題。
又,於專利文獻2中,存在如下問題:關於透明導電膜的網格圖案的各網格的重心光譜,使人的視覺的響應特性急劇地下降的比規定的空間頻率高的中空間頻帶~高空間頻帶的平均強度,高於人的視覺的響應特性高的低空間頻帶的平均強度,藉此減少人視覺上感覺到的雜訊感,但這樣僅僅是謀求透明導電膜的網格圖案本身的雜訊感的減少,無法抑制產生於顯示器的黑矩陣圖案與透明導電膜的網格圖案之間的亂真紋,從而不會提高亂真 紋的視辨性。
本發明的目的在於提供一種消除上述先前技術的問題點,可抑止亂真紋的產生,從而可大幅提高視辨性的導電性膜、具備該導電性膜的顯示裝置以及導電性膜的圖案的決定方法。
特別是,本發明的目的在於提供一種導電性膜、具備該導電性膜的顯示裝置以及導電性膜的圖案的決定方法,該導電性膜於將具有配線的透明導電性膜用作觸控面板用電極的情形時,可抑止於將導電性膜重疊於顯示裝置的顯示單元的黑矩陣而進行視辨時產生成為較大的畫質阻礙的亂真紋,從而可大幅提高觸控面板上的顯示的視辨性。
為了達成上述目的,本發明的第1形態的導電性膜是設置於顯示裝置的顯示單元上者,其特徵在於包括:透明基體;及導電部,形成於透明基體的至少一面,且包含複數個金屬細線,而且導電部具有配線圖案,上述配線圖案是藉由複數個金屬細線形成為網格狀,且排列有複數個開口部,配線圖案重疊於顯示單元的畫素排列圖案,相對於如下亂真紋的頻率及強度,而配線圖案的亂真紋的頻率進入根據視覺響應特性而決定的規定的頻率範圍內的亂真紋的強度的和為規定值以下,上述亂真紋的頻率及強度是使人的視覺響應特性作用於亂真紋的頻率資訊及強度資訊而獲得,上述亂真紋的頻率資訊及強度資訊是分別根據上述配線圖案的透射率圖像資料的二維傅立葉光譜的複數個光譜峰值的峰值頻率及峰值強度、與畫素排列圖案的透射率圖像資料的二維傅立葉光譜的複數個光譜峰值的峰值頻率及峰值強度而算出。
為了達成上述目的,本發明的第2形態的顯示裝置的特徵在於包括:顯示單元;及如上述第1形態所述的導電性膜,設置於上述顯示單元上。
又,為了達成上述目的,本發明的第3形態的導電性膜的配線圖案的決定方法是設置於顯示裝置的顯示單元上且具有配線圖案的導電性膜的配線圖案的決定方法,上述配線圖案是藉由複數個金屬細線形成為網格狀,且排列有複數個開口部,上述導電性膜的配線圖案的決定方法的特徵在於:獲得配線圖案的透射率圖像資料、與重疊有配線圖案的顯示單元的畫素排列圖案的透射率圖像資料,對配線圖案的透射率圖像資料、及畫素排列圖案的透射率圖像資料進行二維傅立葉變換,算出配線圖案的透射率圖像資料的二維傅立葉光譜的複數個光譜峰值的峰值頻率及峰值強度、與畫素排列圖案的透射率圖像資料的二維傅立葉光譜的複數個光譜峰值的峰值頻率及峰值強度,分別根據以此方式算出的配線圖案的峰值頻率及峰值強度、與畫素排列圖案的峰值頻率及峰值強度,而算出亂真紋的頻率資訊及強度資訊,使人的視覺響應特性作用於所獲得的亂真紋的頻率資訊及強度資訊而算出亂真紋的頻率及強度,針對所獲得的亂真紋的頻率及強度,將亂真紋的頻率進入根據視覺響應特性而決定的規定的頻率範圍的亂真紋的強度的和與規定值進行比較,於亂真紋的強度的和為規定值以下時,將配線圖案設定為導電性膜的配線圖案,而於亂真紋的強度的和超過規定值時,將配線圖案的透射率圖像資料變更為新的配線圖案的透射率圖像資料,重複如下各步驟直至亂真紋的強度的和成為規定值以下:進行峰值頻率及峰值強度的算出;進行亂 真紋的頻率資訊及強度資訊的算出;進行亂真紋的頻率及強度的算出;及進行亂真紋的強度的和與規定值的比較。
較佳為,於上述第1形態、第2形態及第3形態中,規定的頻率範圍中,亂真紋的頻率為3週期/毫米(mm)以下,對亂真紋的頻率為3週期/毫米以下的配線圖案賦予最佳化的序列,且於不對於亂真紋的頻率為1.8週期/毫米以下時亂真紋的強度以常用對數計為-5以上的配線圖案、以及於亂真紋的頻率為超過1.8週期/毫米且3週期/毫米以下時亂真紋的強度以常用對數計為-3.7以上的配線圖案賦予最佳化的序列的條件下,賦予有最佳化的序列的配線圖案的亂真紋的強度的和以常用對數計為0以下。
又,較佳為,亂真紋的頻率資訊是以配線圖案的峰值頻率與畫素排列圖案的峰值頻率的差分來賦予,亂真紋的強度資訊是以配線圖案的峰值強度與畫素排列圖案的峰值強度的積來賦予。
又,較佳為,亂真紋的頻率及強度是藉由將作為視覺響應特性的視覺傳遞函數與亂真紋的頻率資訊及強度資訊進行卷積積分而求出,又,較佳為,視覺傳遞函數是以杜利肖(Dooly-Shaw)函數為基礎,且消除低頻分量的感度的衰減的函數。
又,較佳為,峰值強度為峰值位置周邊的複數個畫素內的強度的平均值,又,該峰值強度較佳為以配線圖案及畫素排列圖案的透射率圖像資料進行標準化而得者。
又,較佳為,畫素排列圖案為黑矩陣圖案。
又,較佳為,作為亂真紋的頻率資訊,求出配線圖案的峰值頻率與畫素排列圖案的峰值頻率的峰值頻率彼此的差分;作為亂真紋的強度資訊,求出配線圖案的峰值強度與畫素排列圖案的峰 值強度的兩組向量(vector)強度的積。
如以上說明,根據本發明,可抑止亂真紋的產生,從而可大幅提高視辨性。
即,於本發明中,根據藉由顯示裝置的畫素排列圖案及導電性膜的配線圖案的頻率解析獲得的亂真紋頻率/強度,而算出亂真紋的頻率/強度,從而對所算出的亂真紋的強度/頻率進行數值限定,以使視辨性優異,因此可消除因亂真紋的產生所引起的畫質阻礙,從而獲得優異的視辨性。
特別是,根據本發明,於將導電性膜用作觸控面板用電極的情形時,可抑止將導電性膜重疊於顯示裝置的顯示單元的黑矩陣而進行視辨時的成為較大的畫質阻礙的亂真紋,從而可大幅提高觸控面板上的顯示的視辨性。
10、11、60‧‧‧導電性膜
12‧‧‧透明基體
14‧‧‧金屬細線
16、16a、16b‧‧‧導電部
18、18a、18b、56‧‧‧接著層
20、20a、20b‧‧‧保護層
22‧‧‧開口部
24、62‧‧‧配線圖案
26‧‧‧虛設電極部
30‧‧‧顯示單元
32、32r、32g、32b‧‧‧畫素
34‧‧‧黑矩陣
36‧‧‧以陰影表示的區域
38‧‧‧黑矩陣圖案
40‧‧‧顯示裝置
42‧‧‧輸入面
44‧‧‧觸控面板
46‧‧‧框體
48‧‧‧蓋構件
50‧‧‧電纜
52‧‧‧撓性基板
54‧‧‧檢測控制部
58‧‧‧接觸體
P‧‧‧峰值
Pv‧‧‧垂直畫素間距
Ph‧‧‧水平畫素間距
S10、S12、S14、S16、S18、S20、S22、S24‧‧‧步驟
Z1、Z2‧‧‧箭頭
圖1是示意性地表示本發明的第1實施方式的導電性膜的一例的平面圖。
圖2是圖1所示的導電性膜的示意性的局部剖面圖。
圖3是本發明的第2實施方式的導電性膜的一例的示意性的局部剖面圖。
圖4是表示應用本發明的導電性膜的顯示單元的一部分的畫素排列圖案的一例的概略說明圖。
圖5是組裝有圖3所示的導電性膜的顯示裝置的一實施例的 概略剖面圖。
圖6是表示本發明的導電性膜的配線圖案的決定方法的一例的流程圖。
圖7中的(A)是表示應用本發明的導電性膜的顯示單元的畫素排列圖案的一例的概略說明圖,(B)是表示重疊於(A)的畫素排列圖案的導電性膜的配線圖案的一例的概略說明圖,(C)是(A)的畫素排列圖案的局部放大圖。
圖8是表示於圖6所示的配線圖案的決定方法的透射圖像資料的創建中進行的翻轉處理的一例的概略說明圖。
圖9中的(A)及(B)分別是表示圖7中的(A)所示的畫素排列圖案、及圖7中的(B)所示的配線圖案的各透射率圖像資料的二維傅立葉光譜的強度特性的圖。
圖10是表示圖7中的(A)所示的顯示單元的畫素排列圖案的頻率峰值位置的圖表。
圖11中的(A)及(B)分別是以曲線表示二維傅立葉光譜的強度特性的一例的圖表、及以柱表示二維傅立葉光譜的強度特性的一例的柱表(bar graph)。
圖12是示意性地表示藉由圖7中的(A)所示的畫素排列圖案與圖7中的(B)所示的配線圖案的干涉而產生的亂真紋頻率資訊及亂真紋的強度資訊的概略說明圖。
圖13是表示人的標準視覺響應特性的一例的圖表。
以下,參照隨附圖式所示的較佳的實施方式,詳細地對 本發明的導電性膜及導電性膜的圖案的決定方法進行說明。
以下,對於本發明的導電性膜,以觸控面板用導電性膜為代表例進行說明,但本發明並不限定於此,只要為設置於液晶顯示器(LCD:Liquid Crystal Display)、電漿顯示器(PDP:Plasma Display Panel)、有機電致發光顯示器(OELD:Organic Electro Luminescence Display)、或無機電致發光顯示器(Inorganic Electro Luminescence Display)等顯示裝置的顯示單元上的導電性膜,則無論為何者均可,例如當然亦可為電磁波屏蔽用導電性膜等。
圖1及圖2分別是示意性地表示本發明的第1實施方式的導電性膜的一例的平面圖、及其示意性的局部剖面圖。
如該等圖所示,本實施方式的導電性膜10為設置於顯示裝置的顯示單元上者,且為具有如下配線圖案的導電性膜,該配線圖案相對於顯示單元的黑矩陣(BM:Black Matrix),於抑止亂真紋的產生的方面優異,特別是於重疊於黑矩陣圖案時,相對於黑矩陣圖案,於亂真紋的視辨性的方面得到最佳化,且該導電性膜10具有:透明基體12;導電部16,形成於透明基體12的一面(於圖2中為上側的面),且包含複數個金屬製的細線(以下,稱為金屬細線)14;保護層20,以被覆金屬細線14的方式,隔著接著層18而接著於導電部16的大致整個面上。
透明基體12包含具有絕緣性且透光性高的材料,例如可列舉樹脂、玻璃、矽等材料。作為樹脂,例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET,Polyethylene Terephthalate)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,Polymethyl methacrylate)、聚丙烯(PP,polypropylene)、聚苯乙烯(PS,polystyrene)等。
導電部16具有:金屬細線14;及配線圖案24,利用鄰接的金屬細線14間的開口部22形成網格形狀。金屬細線14只要為導電性高的金屬製的細線,則無特別限制,例如可列舉包含金(Au)、銀(Ag)或銅(Cu)的線材等者。金屬細線14的線寬就視辨性的方面而言細則較佳,但例如只要為30μm以下即可。再者,於觸控面板用途中,金屬細線14的線寬較佳為0.1μm以上、15μm以下,更佳為1μm以上、9μm以下,進而佳為2μm以上、7μm以下。
詳細而言,導電部16具有將複數個金屬細線14排列成網格狀的配線圖案24。於圖示例中,開口部22的網格形狀為菱形,但本發明並不限定於此,只要可構成相對於下述的規定的黑矩陣圖案而亂真紋視辨性得到最佳化的配線圖案24,且只要為具有至少3邊的多邊形狀,則無論為哪種均可,又,可為相同的網格形狀,亦可為不同的網格形狀,例如可列舉:正三角形、等腰三角形等三角形;或正方形、長方形等四邊形(矩形);或五邊形;或六邊形等相同或不同的多邊形等。即,只要為相對於規定的黑矩陣圖案而亂真紋視辨性得到最佳化的配線圖案,則可為藉由具有規則性的開口部22的排列而構成的配線圖案,亦可為藉由不同的形狀的開口部22的排列而無規化的配線圖案。
作為接著層18的材料,可列舉濕式層壓(wet laminate)接著劑、乾式層壓(dry laminate)接著劑、或熱熔(hot melt)接著劑等。
保護層20是與透明基體12相同地,包含含有樹脂、玻璃、矽的透光性高的材料。較佳為,保護層20的折射率n1為與透明 基體12的折射率n0相等、或接近該透明基體12的折射率n0的值。於該情形時,透明基體12相對於保護層20的相對折射率nr1成為接近1的值。
此處,本說明書中的折射率是指對波長589.3nm(鈉的D線)的光的折射率,例如於樹脂中,以作為國際標準規格之國際標準化組織(ISO,International Organization for Standardization)14782:1999(與日本工業標準(JIS,Japanese Industrial Standard)K7105對應)定義。又,透明基體12相對於保護層20的相對折射率nr1是以nr1=(n1/n0)定義。此處,相對折射率nr1只要處於0.86以上、1.15以下的範圍內即可,更佳為0.91以上、1.08以下。
將相對折射率nr1的範圍限定於該範圍內來控制透明基體12與保護層20的構件間的光的透射率,藉此可進而提高並改善亂真紋的視辨性。
上述的第1實施方式的導電性膜10為僅於透明基體12的一面具有導電部16者,但本發明並不限定於此,亦可為於透明基體12的兩面具有導電部者。
圖3是表示本發明的第2實施方式的導電性膜的一例的示意性的局部剖面圖。再者,圖3所示的本第2實施方式的導電性膜的平面圖,與圖1所示的本第1實施方式的導電性膜的平面圖相同,因此於此處省略。
如該圖3所示,本第2實施方式的導電性膜11具有:第1導電部16a及虛設(dummy)電極部26,形成於透明基體12的一(圖3的上側)面上;第2導電部16b,形成於透明基體12 的另一(圖3的下側)面上;第1保護層20a,其隔著第1接著層18a而接著於第1導電部16a及虛設電極部26的大致整個面上;及第2保護層20b,其隔著第2接著層18b而接著於第2導電部16b的大致整個面上。
於導電性膜11中,第1導電部16a及虛設電極部26分別包含複數個金屬細線14,且一同形成於透明基體12的一(圖3的上側)面上,第2導電部16b包含複數個金屬細線14,且形成於透明基體12的另一(圖3的下側)面上。此處,虛設電極部26是與第1導電部16a相同地,形成於透明基體12的一(圖3的上側)面上,但如圖示例般,包含相同地排列於如下位置的複數個金屬細線14,該位置與形成於另一(圖3的下側)面上的第2導電部16b的複數個金屬細線14對應。
虛設電極部26與第1導電部16a隔開規定間隔而配置,且處於與第1導電部16a電性絕緣的狀態下。
於本實施方式的導電性膜11中,在透明基體12的一(圖3的上側)面上,形成有包含複數個金屬細線14的虛設電極部26,該複數個金屬細線14與形成於透明基體12的另一(圖3的下側)面上的第2導電部16b的複數個金屬細線14對應,因此可控制透明基體12的一(圖3的上側)面上的因金屬細線所引起的散射,從而可改善電極視辨性。
此處,第1導電部16a及虛設電極部26具有:金屬細線14;及配線圖案24,利用開口部22形成網格狀。又,第2導電部16b是與第1導電部16a相同地,具有:金屬細線14;及配線圖案24,利用開口部22形成網格狀。如上所述,透明基體12 包含絕緣性材料,第2導電部16b處於與第1導電部16a及虛設電極部26電性絕緣的狀態下。
再者,第1導電部16a、第2導電部16b及虛設電極部26,可分別由與圖2所示的導電性膜10的導電部16相同的材料相同地形成。
第1保護層20a以被覆第1導電部16a及虛設電極部26的各自的金屬細線14的方式,藉由第1接著層18a而接著於第1導電部16a及虛設電極部26的大致整個面上。
又,第2保護層20b以被覆第2導電部16b的金屬細線14的方式,藉由第2接著層18b而接著於第2導電部16b的大致整個面上。
此處,第1接著層18a及第2接著層18b,可分別由與圖2所示的導電性膜10的接著層18相同的材料相同地形成,但第1接著層18a的材質與第2接著層18b的材質可相同,亦可不同。
又,第1保護層20a及第2保護層20b,可分別由與圖2所示的導電性膜10的保護層20相同的材料相同地形成,但第1保護層20a的材質與第2保護層20b的材質可相同,亦可不同。
第1保護層20a的折射率n2、及第2保護層20b的折射率n3均與上述第1實施方式的導電膜10的保護層20相同地,為與透明基體12的折射率n0相等、或接近該透明基體12的折射率n0的值。於該情形時,透明基體12相對於第1保護層20a的相對折射率nr2、及透明基體12相對於第2保護層20b的相對折射率nr3均為接近1的值。此處,折射率及相對折射率的定義與上述第1實施方式的定義相同。因此,透明基體12相對於第1保護層20a 的相對折射率nr2以nr2=(n2/n0)定義,透明基體12相對於第2保護層20b的相對折射率nr3以nr3=(n3/n0)定義。
此處,相對折射率nr2及相對折射率nr3與上述相對折射率nr1相同地,只要處於0.86以上、1.15以下的範圍內即可,更佳為0.91以上、1.08以下。
再者,藉由將相對折射率nr2、及相對折射率nr3的範圍限定於該範圍內,可與相對折射率nr1的範圍的限定相同地,進而提高亂真紋的視辨性。
上述本發明的第1實施方式的導電性膜10及第2實施方式的導電性膜11,例如應用於在圖4中示意性地表示一部分的顯示單元30(顯示部)的觸控面板,且具有配線圖案,該配線圖案於相對於顯示單元30的畫素排列圖案、即黑矩陣(以下,亦稱為BM)圖案而於亂真紋視辨性的方面得到最佳化。再者,於本發明中,所謂相對於黑矩陣(畫素排列)圖案而於亂真紋視辨性的方面得到最佳化的配線圖案是指,相對於規定的黑矩陣圖案而人的視覺不會察覺到亂真紋的1個或2個以上的一群配線圖案。再者,於本發明中,在經最佳化的2個以上的一群配線圖案中,可自最不會察覺到的配線圖案至難以察覺到的配線圖案賦予序列,從而亦可決定最不會察覺到亂真紋的一個配線圖案。
再者,以下對配線圖案相對於規定的黑矩陣圖案的亂真紋視辨性的最佳化進行敍述。
本發明的導電性膜基本上如上所述般構成。
圖4是示意性地表示應用本發明的導電性膜的顯示單元的一部分的畫素排列圖案的一例的概略說明圖。
如於圖4中表示其一部分般,於顯示單元30中,複數個畫素32排列成矩陣(Matrix)狀而構成規定的畫素排列圖案。一個畫素32是三個副畫素(紅色副畫素32r、綠色副畫素32g及藍色副畫素32b)排列於水平方向上而構成。一個副畫素呈於垂直方向上縱長的長方形狀。畫素32的水平方向的排列間距(水平畫素間距Ph)與畫素32的垂直方向的排列間距(垂直畫素間距Pv)大致相同。即,由一個畫素32與包圍該一個畫素32的黑矩陣(黑矩陣)34(圖案材)構成的形狀(參照以陰影表示的區域36)呈正方形。又,一個畫素32的縱橫比(aspect ratio)並非為1,而成為水平方向(橫向)的長度>垂直方向(縱向)的長度。
如根據圖4可明確,由複數個畫素32的各個副畫素32r、副畫素32g及副畫素32b構成的畫素排列圖案,藉由分別包圍該等副畫素32r、副畫素32g及副畫素32b的黑矩陣34的黑矩陣圖案38而規定,於重疊顯示單元30與導電性膜10或導電性膜11時產生的亂真紋,是藉由顯示單元30的黑矩陣34的黑矩陣圖案38與導電性膜10或導電性膜11的配線圖案24的干涉而產生,因此嚴格而言,黑矩陣圖案38為畫素排列圖案的反轉圖案,但於此處作為表示相同的圖案者來處理。
例如,於在具有由上述的黑矩陣34構成的黑矩陣圖案38的顯示單元30的顯示面板上,配置導電性膜10或導電性膜11的情形時,導電性膜11的配線圖案24相對於黑矩陣圖案38(畫素排列圖案)而於亂真紋視辨性的方面得到最佳化,因此幾乎不存在畫素32的排列週期、與導電性膜10或導電性膜11的金屬細線14的配線排列之間的空間頻率的干涉,從而抑制亂真紋的產生。
再者,圖4所示的顯示單元30亦可由液晶面板、電漿面板、有機電致發光(electroluminescence)面板、無機電致發光面板等顯示面板構成。
其次,一面參照圖5,一面對組裝有本發明的導電性膜的顯示裝置進行說明。於圖5中,作為顯示裝置40,列舉組裝有本發明的第2實施方式的導電性膜11的投影型靜電電容方式的觸控面板為代表例而進行說明,但本發明當然不限定於此。
如圖5所示,顯示裝置40具有:顯示單元30(參照圖4),可顯示彩色(color)圖像及/或單色(monochrome)圖像;觸控面板44,檢測來自輸入面42(箭頭Z1方向側)的接觸位置;及框體46,收容顯示單元30及觸控面板44。使用者可經由設置於框體46的一面(箭頭Z1方向側)上的大的開口部而向觸控面板44存取(access)。
觸控面板44除上述的導電性膜11(參照圖1及圖3)外,還包括:蓋(cover)構件48,積層於導電性膜11的一面(箭頭Z1方向側);撓性基板(flexible substrate)52,經由電纜(cable)50而電性連接於導電性膜11;及檢測控制部54,配置於撓性基板52上。
於顯示單元30的一面(箭頭Z1方向側)上,隔著接著層56而接著有導電性膜11。導電性膜11是使另一主表面側(第2導電部16b側)對向於顯示單元30而配置於顯示畫面上。
蓋構件48藉由被覆導電性膜11的一面而發揮作為輸入面42的功能。又,藉由防止利用接觸體58(例如,手指或手寫筆(stylus pen))進行的直接接觸,而可抑止產生擦痕、或附著灰塵 等,從而可使導電性膜11的導電性穩定。
蓋構件48的材質例如亦可為玻璃、樹脂膜。亦可於以氧化矽等塗佈(coat)蓋構件48的一面(箭頭Z2方向側)的狀態下,使蓋構件48密接於導電性膜11的一面(箭頭Z1方向側)。又,為了防止因刮擦等所引起的損傷,亦可貼合導電性膜11及蓋構件48而構成。
撓性基板52為具有可撓性的電子基板。於本圖示例中,固定於框體46的側面內壁,但設置位置亦可進行各種變更。檢測控制部54構成電子電路,於使作為導體的接觸體58接觸(或接近)於輸入面42時,捕捉接觸體58與導電性膜11之間的靜電電容的變化來檢測該接觸體58的接觸位置(或近接位置)。
應用本發明的導電性膜的顯示裝置基本上如上所述般構成。
其次,對本發明中導電性膜的配線圖案相對於顯示裝置的規定的黑矩陣圖案的亂真紋視辨性的評估、及最佳化的順序進行說明。即,對在本發明的導電性膜中,決定相對於顯示裝置的規定的黑矩陣圖案,而以亂真紋不會被人的視覺察覺到的方式得到最佳化的配線圖案的順序進行說明。
圖6是表示本發明的導電性膜的配線圖案的決定方法的一例的流程圖。
本發明的導電性膜的配線圖案的決定方法為如下方法:根據藉由顯示裝置的顯示單元的黑矩陣(畫素排列)圖案、與導電性膜的配線圖案的使用高速傅立葉變換(FFT,Fast Fourier Transform)的頻率解析所獲得的峰值頻率/強度,而算出亂真紋的頻率/強度,另一方面,經驗性地決定無法視辨的亂真紋的頻率/ 強度,所算出的亂真紋的強度/頻率中,將滿足該等條件的配線圖案決定為以無法視辨出亂真紋的方式得到最佳化的配線圖案。於該本發明的方法中,對於亂真紋的頻率/強度,通常利用FFT,但根據利用方法的不同,對象物的頻率/強度會大幅變化,故規定以下的順序。
於本發明的方法中,首先,作為順序1,創建黑矩陣圖案及配線圖案的透射率圖像資料。即,如圖6所示,於步驟S10中,創建獲得圖5所示的顯示裝置40的顯示單元30的黑矩陣圖案38(黑矩陣34)(參照圖4)的透射率圖像資料、與導電性膜60的配線圖案62(金屬細線14)(參照圖7中的(B))的透射率圖像資料。再者,於預先準備或者儲存有黑矩陣圖案38的透射率圖像資料、與配線圖案62的透射率圖像資料的情形時,亦可自所準備或者儲存的透射率圖像資料中獲得。
例如,如圖7中的(A)及其局部放大圖即圖7中的(C)所示,顯示單元30的黑矩陣圖案38可設為每1畫素32均包含RGB的三色副畫素32r、副畫素32g及副畫素32b的圖案,但於利用單色(例如僅利用G通道(channel)的副畫素32g)時,R通道及B通道的透射率圖像資料較佳為設為0。於本發明中,作為黑矩陣34的圖像資料、即黑矩陣圖案38的透射率圖像資料,並不限定於如圖7中的(C)所示般具有黑矩陣34的長方形的開口(副畫素32r、副畫素32g及副畫素32b)者,只要為可使用的黑矩陣圖案,則可為不具有黑矩陣34的長方形的開口者,且亦可指定使用具有任意的黑矩陣開口的黑矩陣圖案。例如,不限定於單純的矩形狀者,亦可為包含具有缺口的長方形的開口者、具有以 規定角度彎折的帶狀的開口者、具有彎曲的帶狀的開口者、或具有鉤狀的開口者。
另一方面,例如,如圖7中的(B)所示,導電性膜60的配線圖案62可設為成為配線的金屬細線14傾斜45°[deg]的正方格子。
再者,此處規定黑矩陣圖案38及配線圖案62的透射率圖像資料的尺寸,例如設為4096(畫素)×4096(畫素)。又,為了防止或者減少下述的順序2的FFT處理時的週期的偽訊(artifact),黑矩陣圖案38及配線圖案62的各圖像較佳為如圖8所示般於全方向(8方向)上進行翻轉(flip)處理。進行翻轉處理後的新的圖像尺寸,較佳為設為圖8中的以點劃線包圍的相當於四個圖像的區域內的圖像(一邊為8192(畫素)=4096(畫素)×2)。
其次,作為順序2,對在順序1中創建的透射率圖像資料進行二維高速傅立葉變換(2DFFT(基底2))。即,如圖6所示,於步驟S12中,對在步驟S10中創建的黑矩陣圖案38及配線圖案62的各透射率圖像資料進行2DFFT(基底2)處理,算出黑矩陣圖案38及配線圖案62的各透射率圖像資料的二維傅立葉光譜的複數個光譜峰值的峰值頻率及峰值強度。此處,峰值強度是作為絕對值來處理。
此處,圖9中的(A)及圖9中的(B)分別是表示黑矩陣圖案38及配線圖案62的各透射率圖像資料的二維傅立葉光譜的強度特性的圖。
再者,於圖9中的(A)及圖9中的(B)中,白色部分強度高,且表示光譜峰值,因此根據圖9中的(A)及圖9中的(B) 所示的結果,針對黑矩陣圖案38及配線圖案62的各自,算出各光譜峰值的峰值頻率及峰值強度。即,分別示於圖9中的(A)及圖9中的(B)中的黑矩陣圖案38及配線圖案62的二維傅立葉光譜的強度特性中的光譜峰值的頻率座標上的位置、即峰值位置表示峰值頻率,該峰值位置上的二維傅立葉光譜的強度成為峰值強度。
此處,黑矩陣圖案38及配線圖案62的各光譜峰值的峰值的頻率及強度是以下述方式算出而獲得。
首先,於峰值頻率的獲得中,峰值的算出是根據黑矩陣圖案38及配線圖案62的基本頻率而求出頻率峰值。其原因在於,進行二維傅立葉變換處理的透射率圖像資料為離散值,故峰值頻率依存於圖像尺寸的倒數。如圖10所示,頻率峰值位置能夠以獨立的二維基本頻率向量分量a橫號(bar)及b橫號為基礎而組合表示。因此,獲得的峰值位置當然成為格子狀。再者,圖10是表示黑矩陣圖案38的情形時的頻率峰值位置的圖表,亦可相同地求出配線圖案62。
另一方面,於峰值強度的獲得中,在上述峰值頻率的獲得中求出峰值位置,故獲得峰值位置具有的二維傅立葉光譜的強度(絕對值)。此時,將數位資料(digital data)進行FFT處理,因此具有峰值位置跨及複數個畫素(pixel)的情況(case)。例如,於以圖11中的(A)所示的曲線(類比(analog)值)表示二維傅立葉光譜的強度(Sp)特性時,以圖11中的(B)所示的柱表(數位值)表示經數位處理的相同的二維傅立葉光譜的強度特性,但圖11中的(A)所示的二維傅立葉光譜的強度的峰值P, 於對應的圖11中的(B)中跨及2個畫素。因此,較佳為,於獲得存在於峰值位置的強度時,將包含峰值位置周邊的複數個畫素的區域內的複數個畫素的光譜強度自上位起複數個點(例如5×5畫素的區域內的畫素的光譜強度自上位起5點)的平均值設為峰值強度(絕對值)。
此處,較佳為,所獲得的峰值強度以圖像尺寸進行標準化。於上述例中,較佳為以8192×8192標準化(巴色伐定理(Parseval's Theorem))。
其次,作為順序3,進行亂真紋的頻率資訊及強度資訊的算出。即,如圖6所示,於步驟S14中,根據於步驟S12中所算出的黑矩陣圖案38及配線圖案62的2個二維傅立葉光譜的峰值頻率及峰值強度,分別算出亂真紋的頻率資訊及強度資訊。再者,此處峰值強度及亂真紋強度資訊亦作為絕對值來處理。
於實際空間中,亂真紋原本是因配線圖案62與黑矩陣圖案38的透射率圖像資料的相乘所引起的,故於頻率空間中,進行兩者的卷積積分(卷積(convolution))。然而,於步驟S12中,已算出黑矩陣圖案38及配線圖案62的2個二維傅立葉光譜的峰值頻率及峰值強度,因此可求出兩者的各自的頻率峰值彼此的差分(差的絕對值),將所求出的差分設為亂真紋的頻率資訊,求出組合有兩者的兩組向量強度的積,並將所求出的積設為亂真紋的強度資訊(絕對值)。
此處,分別示於圖9中的(A)及圖9中的(B)的黑矩陣圖案38、及配線圖案62的兩者的二維傅立葉光譜的強度特性的各自的頻率峰值彼此的差分,於重疊兩者的二維傅立葉光譜的強 度特性而獲得的強度特性中,相當於兩者的各自的頻率峰值的頻率座標上的峰值位置間的相對距離。
再者,黑矩陣圖案38及配線圖案62的2個二維傅立葉光譜的光譜峰值分別存在複數個,因此亦求出複數個作為其相對距離的值的頻率峰值彼此的差分(即亂真紋的頻率資訊)。因此,若2個二維傅立葉光譜存在多個光譜峰值,則求出的亂真紋的頻率資訊亦變為多個,從而於計算處理中花費時間。於此種情形時,亦可預先於2個二維傅立葉光譜的光譜峰值中,分別僅選定峰值強度強者。於該情形時,僅求出所選定的峰值彼此的差分,因此可縮短計算時間。
將以此方式求出的亂真紋頻率資訊及亂真紋的強度資訊示於圖12。圖12是示意性地表示因圖7中的(A)所示的畫素排列圖案、與圖7中的(B)所示的配線圖案的干涉而產生的亂真紋的頻率資訊及亂真紋的強度資訊的概略說明圖,亦可稱為圖9中的(A)及圖9中的(B)所示的二維傅立葉光譜的強度特性的卷積積分的結果。
於圖12中,亂真紋的頻率資訊藉由縱橫軸的位置表示,亂真紋的強度資訊以灰階(gray)(無彩色)濃淡表示,且呈現如下狀況:顏色越濃則亂真紋的強度資訊越小,顏色越淺(即越白)則亂真紋的強度資訊越大。
其次,作為順序4,進行亂真紋的視辨極限值的判定。具體而言,首先如圖6所示,於步驟S16中,使圖13所示的人的標準視覺響應特性作用於(即乘以)步驟S14中所獲得的亂真紋的頻率資訊及強度資訊(絕對值),而算出亂真紋的頻率及強度(絕 對值)。即,使表示圖13所示的人的標準視覺響應特性的一例的視覺傳遞函數(VTF;Visual Transfer Function)、與所獲得的亂真紋的頻率/強度資訊進行卷積。該視覺傳遞函數為以杜利肖(Dooley Shaw)函數為基礎,且消除低頻分量的感度的衰減的函數。
於本實施方式中,作為人的標準視覺響應特性,使用明視狀態下且觀察距離為300mm的杜利肖函數。杜利肖函數是視覺傳遞函數(VTF)的一種,且是模擬人的標準視覺響應特性的代表性函數。具體而言,相當於亮度的對比率(Contrast Ratio)特性的平方值。再者,圖表的橫軸為空間頻率(單位:週期(cycle)/毫米),縱軸為VTF的值(單位為無因次(dimensionless))。
若將觀察距離設為300mm,則存在如下傾向:於0週期/毫米~1.0週期/毫米的範圍內,VTF的值為固定(等於1),且伴隨空間頻率變高而VTF的值逐漸減少。即,該函數是作為阻斷中空間頻帶~高空間頻帶的低通濾波器(Lowpass Filter)而發揮功能。
再者,實際的人的視覺響應特性成為0週期/毫米附近且小於1的值,具有所謂的帶低通濾波器的特性。然而,於本實施方式中,如圖13所例示,即便為極其低的空間頻帶,亦可藉由使VTF的值為1而消除低頻分量的感度的衰減。藉此,獲得抑制因配線圖案62的重複配置所引起的週期性的效果。
其次,如圖6所示,於步驟S18中,對步驟S16中所獲得的亂真紋的頻率及強度(絕對值),求出該亂真紋的頻率進入根據標準視覺響應特性而決定的規定的頻率範圍的亂真紋的強度(絕對值)的和。即,將VTF卷積後進行積分,對亂真紋頻率/ 強度賦予用於為了最佳化的序列。再者,此處為了配合視覺感度,而將VTF進行卷積積分(步驟S18)後變換為濃度,且對強度使用常用對數。進而,為了有效地賦予亂真紋視辨性的序列,經驗性地設定如下的條件。即,此時的亂真紋的強度使用變換為濃度者。對於成為賦予序列的對象的圖案:
1.僅使用亂真紋的空間頻率為3週期/毫米以內的資料來賦予序列。
2.於空間頻率為1.8週期/毫米以下時,不對亂真紋的強度為-5以上的圖案賦予序列。
3.於空間頻率為1.8週期/毫米~3週期/毫米時,不對亂真紋的強度為-3.7以上的圖案賦予序列。
於該等條件下,亂真紋的強度的和越小越好,將亂真紋的強度的和以常用對數計為0以下(以真數計為1以下)的配線圖案62設定為本發明的經最佳化的配線圖案24。當然,於獲得複數個經最佳化的配線圖案24的情形時,亂真紋的強度的和較小者成為最佳的配線圖案24,對複數個經最佳化的配線圖案24賦予序列。
再者,對於多個配線圖案62,以模擬取樣(sample)及實際取樣求出亂真紋的強度的和,3名研究人員對配線圖案62與亂真紋的強度的和進行評估時,若亂真紋的強度的和以常用對數計為-4以下(以真數計為10-4以下),則即便於官能評估中,亦完全未視辨出亂真紋而為(++);若該強度的和以常用對數計為超過-4且-2.5以下(以真數計為超過10-4且10-2.5以下)時,在官能評估中, 幾乎無法視辨出亂真紋而為良(+);若該強度的和以常用對數計為超過-2.5且0以下(以真數計為超過10-2.5且1以下)時,在官能評估中,視辨出微量的亂真紋而為不會引起注意的程度,從而為可(+-);若該強度的和以常用對數計為超過0(以真數計為超過1),則在官能評估中,視辨出亂真紋而為不合格(無法使用)。
因此,於本發明中,將亂真紋的強度的和限定於以常用對數計為0以下(以真數計為1以下)。
其次,如圖6所示,於步驟S20中,將步驟S18中求出的亂真紋的強度的和與規定值進行比較,來判定亂真紋的強度的和是否為規定值(例如0以下)。
其結果,於亂真紋的強度的和超過規定值的情形時,移至步驟S22而將配線圖案62的透射率圖像資料更新為新的配線圖案的透射率圖像資料,並返回至步驟S12。
此處,更新的新的配線圖案可為預先準備者,亦可為新創建者。再者,於新創建的情形時,可使配線圖案的透射率圖像資料的旋轉角度、間距、圖案寬度中的任一個以上變化,亦可變更配線圖案的開口部的形狀或尺寸。進而,亦可使該等具有無規性。
此後,重複如下各步驟直至亂真紋的強度的和成為規定值以下:步驟S12,進行峰值頻率及峰值強度的算出;步驟S14,進行亂真紋的頻率資訊及強度資訊的算出;步驟S16,進行亂真紋的頻率及強度的算出;步驟S18,進行亂真紋的強度的和的算出;步驟S20,進行亂真紋的強度的和與規定值的比較;及步驟S22,進行配線圖案的透射率圖像資料的更新。
另一方面,於亂真紋的強度的和為規定值以下的情形 時,移至步驟S24而將配線圖案62決定為最佳化配線圖案,且設定為本發明的導電性膜10或導電性膜11的配線圖案24。
以此方式,本發明的導電性膜的配線圖案的決定方法結束,從而可製作如下的本發明的導電性膜,該導電性膜即便重疊於顯示裝置的顯示單元的黑矩陣圖案,亦可抑止亂真紋的產生,且具有亂真紋的視辨性優異的經最佳化的配線圖案。
以上,列舉各種實施方式及實施例,對本發明的導電性膜、具備該導電性膜的顯示裝置以及導電性膜的圖案的決定方法進行了說明,但本發明並不限定於上述實施方式及實施例,當然,只要不脫離本發明的主旨,則亦可進行各種改良或設計的變更。
S10、S12、S14、S16、S18、S20、S22、S24‧‧‧步驟

Claims (11)

  1. 一種導電性膜,設置於顯示裝置的顯示單元上,其特徵在於包括:透明基體;以及導電部,形成於上述透明基體的至少一面,且包含複數個金屬細線,且上述導電部包括配線圖案,上述配線圖案是藉由上述複數個金屬細線形成為網格狀,且排列有複數個開口部,上述配線圖案重疊於上述顯示單元的畫素排列圖案上,相對於亂真紋的頻率及強度,而上述配線圖案的上述亂真紋的頻率進入根據視覺響應特性而決定的規定的頻率範圍內的上述亂真紋的強度的和為規定值以下,上述亂真紋的頻率及強度是使人的上述視覺響應特性作用於上述亂真紋的頻率資訊及強度資訊而獲得,上述亂真紋的頻率資訊及強度資訊是分別根據上述配線圖案的透射率圖像資料的二維傅立葉光譜的複數個光譜峰值的峰值頻率及峰值強度、與上述畫素排列圖案的透射率圖像資料的二維傅立葉光譜的複數個光譜峰值的峰值頻率及峰值強度而算出,上述規定的頻率範圍中,上述亂真紋的頻率為3週期/毫米以下,對上述亂真紋的頻率為3週期/毫米以下的上述配線圖案賦予最佳化的序列,且於不對於上述亂真紋的頻率為1.8週期/毫米以下時上述亂真紋的強度以常用對數計為-5以上的上述配線圖案、以及於上述亂真紋的頻率為超過1.8週期/毫米且3週期/毫米以下時上述亂真紋的強度以常用對數計為-3.7以上的上述配線圖案賦 予上述最佳化的序列的條件下,賦予有上述最佳化的序列的上述配線圖案的上述亂真紋的強度的和以常用對數計為0以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的導電性膜,其中上述亂真紋的頻率資訊是以上述配線圖案的上述峰值頻率與上述畫素排列圖案的上述峰值頻率的差分來賦予;上述亂真紋的強度資訊是以上述配線圖案的上述峰值強度與上述畫素排列圖案的上述峰值強度的積來賦予。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的導電性膜,其中上述亂真紋的頻率及強度,藉由將作為上述視覺響應特性的視覺傳遞函數與上述亂真紋的頻率資訊及強度資訊進行卷積積分而求出。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的導電性膜,其中上述視覺傳遞函數是以杜利肖函數為基礎,且消除低頻分量的感度的衰減的函數。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的導電性膜,其中上述峰值強度為上述峰值位置周邊的複數個畫素內的強度的平均值。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的導電性膜,其中上述峰值強度是以上述配線圖案及上述畫素排列圖案的上述透射率圖像資料進行標準化而得者。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的導電性膜,其中上述畫素排列圖案為黑矩陣圖案。
  8. 一種顯示裝置,其特徵在於包括:顯示單元;以及 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的導電性膜,設置於上述顯示單元上。
  9. 一種導電性膜的配線圖案的決定方法,上述導電性膜設置於顯示裝置的顯示單元上,且包括配線圖案,上述配線圖案藉由複數個金屬細線形成為網格狀,且排列有複數個開口部,上述導電性膜的配線圖案的決定方法的特徵在於:獲得上述配線圖案的透射率圖像資料、與重疊有上述配線圖案的上述顯示單元的畫素排列圖案的透射率圖像資料,對上述配線圖案的透射率圖像資料及上述畫素排列圖案的透射率圖像資料進行二維傅立葉變換,算出上述配線圖案的透射率圖像資料的二維傅立葉光譜的複數個光譜峰值的峰值頻率及峰值強度、與上述畫素排列圖案的透射率圖像資料的二維傅立葉光譜的複數個光譜峰值的峰值頻率及峰值強度,分別根據以此方式算出的上述配線圖案的上述峰值頻率及上述峰值強度、與上述畫素排列圖案的上述峰值頻率及上述峰值強度,而算出亂真紋的頻率資訊及強度資訊,使人的視覺響應特性作用於所獲得的上述亂真紋的頻率資訊及強度資訊而算出亂真紋的頻率及強度,針對所獲得的上述亂真紋的頻率及強度,將上述亂真紋的頻率進入根據上述視覺響應特性而決定的規定的頻率範圍內的上述亂真紋的強度的和與規定值進行比較,於上述亂真紋的強度的和為上述規定值以下時,將上述配線圖案設定為上述導電性膜的配線圖案,於上述亂真紋的強度的和超過上述規定值時,將上述配線圖案的透射率圖像資料變更為新 的配線圖案的透射率圖像資料,重複下述各步驟直至上述亂真紋的強度的和成為上述規定值以下:進行上述峰值頻率及峰值強度的算出;進行上述亂真紋的頻率資訊及強度資訊的算出;進行上述亂真紋的頻率及強度的算出;以及進行上述亂真紋的強度的和與規定值的比較。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的導電性膜的配線圖案的決定方法,其中上述規定的頻率範圍中,上述亂真紋的頻率為3週期/毫米以下,對上述亂真紋的頻率為3週期/毫米以下的上述配線圖案賦予最佳化的序列,且於不對於上述亂真紋的頻率為1.8週期/毫米以下時上述亂真紋的強度以常用對數計為-5以上的上述配線圖案、以及於上述亂真紋的頻率為超過1.8週期/毫米且3週期/毫米以下時上述亂真紋的強度以常用對數計為-3.7以上的上述配線圖案賦予上述最佳化的序列的條件下,賦予有上述最佳化的序列的上述配線圖案的上述亂真紋的強度的和以常用對數計為0以下。
  11. 如申請專利範圍第9項或第10項所述的導電性膜的配線圖案的決定方法,其中作為上述亂真紋的頻率資訊,求出上述配線圖案的上述峰值頻率與上述畫素排列圖案的上述峰值頻率的峰值頻率彼此的差分;作為上述亂真紋的強度資訊,求出上述配線圖案的上述峰值強度與上述畫素排列圖案的上述峰值強度的兩組向量強度的積。
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