TWI578367B - 用於多束帶電粒子微影系統之裝置 - Google Patents

Description

用於多束帶電粒子微影系統之裝置

本發明是有關於一種用於多束帶電粒子微影系統之裝置。

近年來，半導體積體電路產業已經經歷了快速的成長。隨著積體電路在材料與設計上的技術進步，新一代的積體電路相較於前一代皆具有較小的尺寸與較複雜的電路。在積體電路演變的歷程中，功能密度(即在每片晶片上互相連接之電子元件數量)已經隨著特徵尺寸(即藉由製程可以製造的最小部件或最小線寬)的遞減而逐漸增加。前述之微型化基本上提供如增加生產效率與降低成本等好處，但微型化亦使積體電路之製程的複雜度增加。

其中，多束帶電粒子微影系統為可以縮小半導體之特徵尺寸的高潛力系統。在一個多束帶電粒子微影系統中，帶電粒子束為由帶電粒子源產生，接著再被切分成多個粒子束(或稱多個子束)。每個子束通過電光透鏡系統(Electro-optical Lens System)，且依照積體電路的設計圖案撞擊目標，因而將積體電路的設計圖案轉換至目標上。在此 系統中，其較低的帶電粒子束發送率(Transmission Efficiency)為當前相關領域亟需改進的目標。

根據本發明一實施方式，一種用於多束帶電粒子微影系統之裝置包含平台、粒子投射源(Radiation Source)以及複數個帶電粒子雙合透鏡(Charged Particle Doublet)。粒子投射源用以製造子束。平台用以固定基板且使基板與粒子投射源的輸出產生相對運動。帶電粒子雙合透鏡分別具有第一開口，且分別用以縮小入射第一開口的子束，因而產生朝向平台的縮小子束。

根據本發明另一實施方式，一種用於多束帶電粒子微影系統之裝置包含帶電粒子雙合透鏡與帶電粒子透鏡。帶電粒子雙合透鏡具有第一開口，且用以允許子束通過且縮小入射帶電粒子雙合透鏡的子束。帶電粒子透鏡具有第二開口，第二開口在軸向上與第一開口對齊，且帶電粒子透鏡具有開啟狀態與關閉狀態，在開啟狀態時縮小之子束可以通過特定路徑，在關閉狀態時縮小之子束無法通過特定路徑。

根據本發明又一實施方式，一種多束帶電粒子微影系統，包含粒子投射系統(Illumination System)與電光管(Electro-Optical Column)。粒子投射系統用以產生基本上為遠心(Telecentric)之第一帶電粒子束。電光管包含複數個雙合透鏡，每個雙合透鏡包含第一開口，且用以縮小通 過第一開口的部份第一帶電粒子束，因而產生基本上為遠心之縮小子束。

100‧‧‧多束帶電粒子微影系統

102‧‧‧粒子投射系統

104‧‧‧電光管

106a‧‧‧帶電粒子束

106b‧‧‧子束

106b’‧‧‧縮小子束

108‧‧‧平台

110‧‧‧基板

112‧‧‧光阻膜

114‧‧‧真空腔

116‧‧‧電光路徑

118‧‧‧板體

120‧‧‧抑制件

122、132、144‧‧‧開口

124‧‧‧抑制元件

130‧‧‧電光雙合透鏡

134、136‧‧‧帶電粒子透鏡

140a、140b、140c、140d、140e、140f‧‧‧板體

142‧‧‧空間

D1、D2、D3、W‧‧‧尺寸

以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

第1圖繪示依照本發明一實施方式之多束帶電粒子微影系統的示意圖。

第2圖繪示第1圖的多束帶電粒子微影系統之部份元件的示意圖。

第3圖繪示依照本發明一實施方式之帶電粒子雙合透鏡的示意圖。

第4A圖與第4B圖繪示依照本發明一實施方式之電光路徑(Electro-optical Path)的上視圖。

以下將以圖式及不同實施方式或範例清楚說明本發明之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本發明之實施方式後，當可由本發明所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本發明之精神與範圍。舉例來說，當一元件被稱為『連接』或『耦接』至另一元件時，它可以為直接連接或耦接至另一元件，又或是其中有一額外元件存在。另外，本發明不同實施方式可能使用相同代號或代碼 來標示元件，此乃為了方便說明，而不代表不同實施方式間具有特殊關聯性。

此外，相對詞彙，如『下』或『底部』與『上』或『頂部』，用來描述文中在附圖中所示的一元件與另一元件之關係。相對詞彙是用來描述裝置在附圖中所描述之外的不同方位是可以被理解的。例如，如果一附圖中的裝置被翻轉，元件將會被描述原為位於其它元件之『下』側將被定向為位於其他元件之『上』側。例示性的詞彙『下』，根據附圖的特定方位可以包含『下』和『上』兩種方位。同樣地，如果一附圖中的裝置被翻轉，元件將會被描述原為位於其它元件之『下方』或『之下』將被定向為位於其他元件上之『上方』。例示性的詞彙『下方』或『之下』，可以包含『上方』和『上方』兩種方位。

本發明不同實施方式主要與多束帶電粒子微影系統相關，特別是與多束帶電粒子微影系統中的圖案定義系統有關。於本發明不同實施方式中，圖案定義系統包含帶電粒子抑制件，例如帶電粒子導流板，所組成之陣列以及帶電粒子雙合透鏡(Charged Particle Doublet)所組成之陣列，其中每個帶電粒子雙合透鏡皆分別對應於每個抑制件。帶電粒子束基本上為遠心(Telecentric)，即平行行進，且廣泛分佈。若以入射之帶電粒子束的方向為準，雙合透鏡為設置於抑制件之前方。每個雙合透鏡具有第一開口，其允許部份之帶電粒子束(以下稱之為子束)通過。每個雙合透鏡亦用以在子束入射雙合透鏡時縮小子束，亦即將 子束壓縮為更窄的子束，但基本上仍維持其為遠心的特性。每個相對應之抑制件具有第二開口，其接收縮小子束並且允許此子束在某些情況下通過。換句話說，每個抑制件具有開啟狀態與關閉狀態，在開啟狀態時縮小子束可以通過特定路徑而到達目標，在關閉狀態時縮小子束無法通過特定路徑。依照積體電路的設計圖案，控制抑制件所組成之陣列，於是圖案定義系統可以將積體電路的設計圖案轉換至目標。在不同實施方式中，雙合透鏡的第一開口較抑制件的第二開口大，因而得以允許較多充電粒子通過。於是，多束帶電粒子微影系統的粒子束效率得以提升。

第1圖繪示依照本發明一實施方式之多束帶電粒子微影系統100的示意圖。如第1圖所繪示，多束帶電粒子微影系統100包含粒子投射系統(Illumination System)102、電光管(Electro-Optical Column)104以及平台108。粒子投射系統102用以產生基本上為遠心且廣泛分佈的帶電粒子束106a。電光管104用以使部份之帶電粒子束106a在某些情情況下通過，因而產生個別之子束106b。平台108用以承載一目標。在本實施方式中，目標為基板110(即晶圓)，其表面塗有光阻膜112。多束帶電粒子微影系統100更包含真空腔114，其容置多束帶電粒子微影系統100的前述元件。在操作時，子束106b撞擊光阻膜112，因而使光阻膜112形成所欲之圖案。應了解到，以上所舉之多束帶電粒子微影系統100的具體實施方式僅為例示，並非用以限制本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識 者，應視實際需要，彈性選擇多束帶電粒子微影系統100的具體實施方式。本發明不同實施方式的主要設計在於電光管104，然而以下仍簡短介紹多束帶電粒子微影系統100的各個元件，以方便了解本發明不同實施方式的相關概念。

如第1圖所繪示，粒子投射系統102包含粒子源，其發射帶電粒子，例如電子或離子。具體而言，電子可藉由加熱導體材料至足夠高的溫度，因而使電子具有足夠高的能量，以克服功函數屏障而脫離此導體材料(熱電子源)。電子亦可藉由施加足夠強之電場於導體材料，因而使電子可以穿隧通過導體材料的功函數屏障(場發射源)。另一方面，粒子源可從氣體，例如氫、氦、碳、氮、氧、氖、氬、氪和氙，產生正電離子或負電離子。帶電粒子的動能通常為數個keV，舉例來說，帶電粒子的動能可為5至10keV。粒子投射系統102更包含電光會聚透鏡系統(Electro-optical Condenser Lens System)，其將帶電粒子以一點作為發射源的發散行進模式轉換為基本上為遠心，即平行行進，且廣泛分佈的帶電粒子束106a。帶電粒子束106a作為多束帶電粒子微影系統100的微影粒子束，且帶電粒子束106a射入電光管104。

電光管104，其細部特徵會在之後的段落中進一步介紹，包含複數個面對粒子投射系統102的第一開口。在不同實施方式中，第一開口的形狀可為矩形或圓形，且可排列成行與列，例如以方形網格或以棋盤的方式排列。在其他實施方式中，第一開口可以蜂窩狀網格的方式排列。 部份之帶電粒子束106a通過第一開口，因而形成個別之子束106b。於一實施方式中，電光管104更包含圖案定義系統，其包含複數個電光路徑(Electro-optical Path)116。在不同實施方式中，每個電光路徑116包含一或多個開口、一或多個軸向對齊的電光透鏡(Electro-optical Lens)或者其組合，以定義子束106b可通過之路徑。於一實施方式中，電光管104的第一開口結合或合併至電光路徑116。此外，每個電光路徑116用以允許子束106b在某些情況下通過，因而得以調節子束106b。前述調節可藉由使電光路徑116具有開啟狀態與關閉狀態而達成，在開啟狀態時對應之子束106b可以通過而撞擊光阻膜112，在關閉狀態時對應之子束106b無法通過，因而無法撞擊光阻膜112。依照圖案，例如積體電路的布局，來調節子束106b，電光管104可以將圖案轉移至光阻膜112。一般來說，並非所有的帶電粒子束106a皆通過電光路徑116。沒有通過任一電光路徑116的帶電粒子束106a將在多束帶電粒子微影系統100中被吸收，且被多束帶電粒子微影系統100丟棄，因而造成資源的浪費。本發明不同實施方式用以提升電光管104的效率(於是亦提升多束帶電粒子微影系統100的效率)。電光管104可包含在電光路徑116之後設置的額外透鏡系統，以在子束106b到達光阻膜112之前縮小子束106b。在一實施方式中，這個額外的透鏡系統可以縮小子束106b約200倍。

平台108包含複數個馬達、滾柱導軌以及桌台。平台108固定基板110於其上，且在曝光操作時提供基板110在垂直方向與水平方向上準確的定位與移動。基板110可藉由真空壓差、電力吸頭或其他適當方法固定。多束帶電粒子微影系統100更可包含運輸單元，其承載或卸載基板110。真空腔114提供良好的真空環境，以確保帶電粒子束106a、子束106b得以順暢地移動，進而得以有效曝光光阻膜112。

基板110可為晶圓基板、光罩基板或其他適合基板。舉例來說，基板110可包含矽晶圓。另外，基板110可包含其他半導體元素，例如鍺。基板110可包含半導體化合物，例如碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦以及銻化銦，基板110可包含半導體合金，例如矽鍺、砷磷化鎵、砷化鋁銦、砷化鋁鎵、砷化鎵銦、磷化鎵銦以及砷磷化鎵銦。基板110可包含絕緣層覆矽(SOI)，基板110亦可被施加應力或壓力，以提升性能。基板110可包含磊晶區、絕緣區、摻雜區、或者可包含一或多個半導體裝置或其所組成的部分。基板110可包含導體層、非導體層、或者其他適合的結構或特徵。於另一實施方式中，基板110為光罩基板，其包含低熱膨脹材質，例如石英、矽、碳化矽、氧化矽與氧化鈦的化合物。進一步來說，基板110可為用來進行深紫外線(Deep Ultraviolet，DUV)曝光的光罩基板、用來進行極紫外線(Extreme Ultraviolet，EUV)曝光的光罩基板或其他可能的光罩基板。

光阻膜112為由對於充電粒子子束106b敏感之材質構成。於一實施方式中，藉由旋轉塗佈將液態聚合材料塗於基板110上，並且在烘烤後形成光阻膜112。光阻膜112可為正光阻或負光阻。當光阻膜112為正光阻時，光阻膜112被子束106b撞擊(或稱曝光)的部份變為在顯影液中可溶，而沒被子束106b撞擊的部份仍維持在顯影液中不可溶。負光阻的表現與前述描述正好相反。光阻膜112在多束帶電粒子微影系統100中進行曝光後。光阻膜112將被移至另一製造單元(未繪示)，然後進行顯影而移除被曝光的部份(對於負光阻則是移除未被曝光的部份)，進而形成光阻圖案。接著，使用此光阻圖案作為蝕刻掩膜，蝕刻形成圖案於基板110上或基板110中。

第2圖繪示依照本發明一實施方式之多束帶電粒子微影系統100之部份元件的示意圖。具體而言，第2圖繪示依照本發明一實施方式之電光路徑116的示意圖。第2圖亦繪示部份通過電光路徑116的帶電粒子束106a。如第2圖所繪示，電光路徑116包含板體118，其被由粒子投射系統102(見第1圖)所產生之遠心且廣泛分佈之帶電粒子束106a撞擊。板體118包含開口132，部份之帶電粒子束106a通過開口132而成為子束106b，其他部份之帶電粒子束106a被板體118阻擋而被捨棄(不再被用於微影曝光)。板體118具有足夠的厚度，因而得以將入射之帶電粒子束106a所產生之熱負荷耗散。若從上方觀之(以帶電粒子束106a的行進方向為準)，板體118可為圓形、矩形或其他適 合之形狀，而開口132之形狀可與板體118相同或不同。另外，若從上方觀之，板體118具有尺寸W，且開口132具有尺寸D1。尺寸W、D1可為，舉例來說，圓形的直徑或矩形的邊長。於本發明中，粒子束效率E定義為開口132之開口面積與從上方觀之板體118之總面積的比值，其將正比於(D1/W)²。多束帶電粒子微影系統100的其中一個功用就是要提升粒子束效率E。

如第2圖所繪示，電光路徑116更包含抑制件120，其可開啟或關閉電光路徑116。抑制件120包含具有可允許子束通過之開口122的板體。抑制件120更包含抑制元件124(亦可稱為開關元件或偏折元件)。於一實施方式中，抑制元件124為可控制的帶電粒子透鏡，例如可處於帶電或不帶電狀態的電極。進一步來說，當抑制元件124處於不帶電的狀態，子束106b可以通過一特定路徑而到達目標，例如第1圖的光阻膜112。當抑制元件124為處於帶電的狀態，子束106b將會偏離此特定路徑，因而無法到達目標。抑制件120，包含抑制元件124與相關控制電路，其材質可為半導體材質。另外，抑制件120可包含單一或多個板體。

開口122具有尺寸D2，且開口122、132可具有相同形狀，舉例來說，開口122、132皆為圓形。基本上尺寸D2儘可能地越小越好，因為其直接正比於將被曝光之圖案的畫素大小。另外，若開口122為較小，需要用來關閉電光路徑116的電壓也會較小。然而，在實際的抑制 件設計中，有數個因素限制了開口122的尺寸下限，其中一個因素為目標的曝光時間為反比於撞擊目標的子束所產生的電流密度，而電流密度為由通過開口122的電流之流量決定，其正比於開口122的面積。因此，較小的開口122通常會導致較長的曝光時間。另一個因素為抑制件120因為帶電粒子所產生之相關要求。因為抑制件120通常包含精密的控制電路，因此若讓子束通過開口122的中央部份，將能避免抑制件的其他部份遭受撞擊，不然的話，帶有高能量的子束可能會影響抑制件120的功能，且可能簡短抑制件120的使用壽命。另外，靠近開口122之邊緣的帶電粒子會被偏折，因而使其無法被有效抑制。因此，開口122最好要比通過開口122之子束的足跡(Footprint)還大。在一般電光管的設計中，前述要求通常為藉由設置一或多個開口，例如開口132，於開口122的前方(以帶電粒子束106a、子束106b的行進方向為準)，而開口132小於開口122。然而，前述設計將會降低粒子束效率E，本發明不同實施方式便是為了解決此問題。

如第2圖所繪示，電光路徑116更包含兩個電光透鏡(Electro-optical Lenses)134、136，或稱帶電粒子透鏡(Charged Particle Lenses)，其在軸向上互相對齊而形成電光雙合透鏡(Electro-optical Doublet)130。電光雙合透鏡130接收基本上為遠心之子束106b後產生縮小子束106b’。相較於子束106b，縮小子束106b’具有較小的足跡，且縮小子束106b’基本上仍為遠心。因為縮 小子束106b’通過開口122的中央部份，抑制件120因為帶電粒子所產生之相關要求也就滿足了。帶電粒子透鏡134設置於帶電粒子透鏡136的前方(以子束106b的行進方向為準)。具體而言，帶電粒子透鏡134聚焦子束106b，且帶電粒子透鏡136準直(collimate)聚焦之子束，因而產生縮小子束106b’。於一實施方式中，帶電粒子透鏡134、136皆為帶電粒子會聚透鏡。於另一實施方式中，帶電粒子透鏡134為帶電粒子會聚透鏡，帶電粒子透鏡136為帶電粒子發散透鏡。在本實施方式中，因為電光雙合透鏡130的縮小功能，開口132的尺寸D1可以大於開口122的尺寸D2，同時仍能滿足抑制件120因為帶電粒子所產生之相關要求。於是，粒子束效率E得以有效增加。在此同時，因為相較於子束106b，子束106b’具有較高的電流密度，多束帶電粒子微影系統100(見第1圖)的工作效率得以有效提升。具體而言，尺寸D1之大小可為約10至100μm，例如20至30μm，尺寸D2之大小可為約5至10μm。進一步來說，粒子束效率E可以提升10倍以上。

第3圖繪示依照本發明一實施方式之電光雙合透鏡130的示意圖。如第3圖所繪示，電光雙合透鏡130包含六個板體140a~140f，板體140a~140f互相堆疊，並且在每兩個板體之間具有空間142。板體140a可與板體118(見第2圖)結合或合併。板體140a~140f分別具有一通孔或開口144，且這些開口144在軸向上互相對齊，因而使入射開口144的子束106b得以通過。開口144可具有 尺寸D3，其可為10至100μm，例如20至30μm。在本實施方式中，開口144具有與開口132(見第2圖)相同的尺寸，但並不限於此，在其他實施方式中，開口132、144可具有不同的尺寸。板體140a~140f可具有相同的形狀、尺寸與材質，舉例來說，板體140a~140f的形狀皆為矩形，厚度約為10至100μm，且其邊長約為10至100mm。或者，板體140a~140f的形狀皆為平行四邊形。又舉例來說，板體140a~140f之材質為導體，例如銅或鋁。再舉例來說，在子束106b行進的方向上，空間142的長度約為100至1000μm。具體而言，空間142(不包含作為開口144的區域)可填滿絕緣材質，例如陶瓷或氧化矽。因為其耐用、高強度與容易製造的特性，陶瓷非常適合用來絕緣板體140a~140f。另外，其中一種製造電光雙合透鏡130的方法為先將六個形狀為矩形的金屬板體互相堆疊，並且讓絕緣材質設置於其間，接著再將堆疊好的結構開一個通孔而形成開口144。亦可使用半導體組裝製程中的一些製程來形成電光雙合透鏡130。

如第3圖所繪示，板體140a~140c用以形成帶電粒子透鏡134，而板體140d~140f用以形成帶電粒子透鏡136，其中帶電粒子透鏡134、136皆為會聚透鏡。具體而言，板體140a~140f為導體板，且施加適當電壓於每個板體140a~140f，其電壓大小端視子束106b的能量大小而定。於一實施方式中，開口144為約20至30μm，且子束106b的動能為約5keV，板體140a、140c、140d、 140f皆為接地(即電壓為0伏特)，且施加板體140b +4k伏特的電壓，施加板體140e -4k伏特的電壓。在此架構下，電光雙合透鏡130將產生縮小子束106b’，其具有動能5keV，且具有足夠小的足跡，因而得以通過抑制件120(見第2圖)的開口122(其大小約為5至10μm)。

雖然在第3圖中，電光雙合透鏡130具有六個板體，但是並不限於此。在其他實施方式中，電光雙合透鏡130可以具有不同數量的板體。舉例來說，電光雙合透鏡130可以具有五個板體，其中帶電粒子透鏡134、136共用一個接地板體。或者，雙合透鏡可以具有四個板體，其中帶電粒子透鏡134、136分別由兩個板體形成。此外，板體140a~140f可具有相同或不同的材質、尺寸或形狀。每個板體140a~140f的開口144可具有相同或不同的尺寸或形狀，且位於相鄰之板體之間的空間142可具有相同或不同的尺寸。在一些其他的實施方式中，可以使用除了板體以外的結構來形成電光雙合透鏡130。

第4A圖繪示依照本發明一實施方式之電光管104(見第1圖)中電光路徑116的上視圖。如第4A圖所繪示，每個電光路徑116包含位於多個板體之頂端且形狀為方形之板體140a與對於多個開口之頂端且形狀為圓形之開口144。電光路徑116設置於9X9的方形網格中。具體而言，電光路徑116的形成方法為藉由將複數個板體互相堆疊且在堆疊之板體上鑽孔而形成開口144。進一步來說，電光路徑116共用這些板體。

第4B圖繪示依照本發明另一實施方式之電光管104(見第1圖)中電光路徑116的上視圖。如第4B圖所繪示，每個電光路徑116包含位於多個板體之頂端且形狀為方形之板體140a與位於多個開口之頂端且形狀為圓形之開口144。另外，電光路徑116設置於6X8的棋盤中。應了解到，第4A圖與第4B圖中電光路徑116的結構僅為例示，並非用以限制本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇電光路徑116的結構。

本發明不同實施方式中多束帶電粒子微影系統的電光柱或多束帶電粒子微影系統可具有高粒子束效率。具體而言，藉由設置帶電粒子雙合透鏡於電光管的前端，於是即使抑制件部份具有狹窄的開口，電光管仍得以允許更多的帶電粒子通過，而這將有效縮短多束帶電粒子微影系統的目標曝光時間，因而提升其工作效率。另外，這也會減少粒子投射系統的能量要求，因而有效降低多束帶電粒子微影系統的成本。此外，多束帶電粒子微影系統可藉由習知之半導體組裝製程製造且可藉由替換習知之多束帶電粒子微影系統的部份元件製造。

根據本發明一實施方式，一種裝置，使用於多束帶電粒子微影系統，裝置包含複數個帶電粒子雙合透鏡。帶電粒子雙合透鏡分別具有第一開口，且分別用以縮小入射第一開口的子束，因而產生縮小子束。具體而言，裝置更包含複數個帶電粒子透鏡，分別具有第二開口，分別用以對應每個帶電粒子雙合透鏡，且分別用以接收自每個帶電 粒子雙合透鏡而來的縮小子束，帶電粒子透鏡分別具有開啟狀態與關閉狀態，在開啟狀態時縮小子束可以通過特定路徑，在關閉狀態時縮小子束無法通過特定路徑。

根據本發明另一實施方式，一種裝置，使用於多束帶電粒子微影系統，裝置包含帶電粒子雙合透鏡與帶電粒子透鏡。帶電粒子雙合透鏡具有第一開口，且用以允許子束通過且縮小入射帶電粒子雙合透鏡的子束。帶電粒子透鏡具有第二開口，第二開口在軸向上與第一開口對齊，且帶電粒子透鏡具有開啟狀態與關閉狀態，在開啟狀態時縮小之子束可以通過特定路徑，在關閉狀態時縮小之子束無法通過特定路徑。

根據本發明又一實施方式，一種多束帶電粒子微影系統，包含粒子投射系統與電光管。粒子投射系統用以產生基本上為遠心之第一帶電粒子束。電光管包含複數個雙合透鏡，每個雙合透鏡包含第一開口，且用以縮小通過第一開口的部份第一帶電粒子束，因而產生基本上為遠心之縮小子束。電光管更包含複數個抑制件分別對應於每個雙合透鏡，每個抑制件分別包含第二開口，且用以接收自對應之雙合透鏡而來之縮小子束，且每個抑制件具有開啟狀態與關閉狀態，在開啟狀態時縮小子束可以通過特定路徑，在關閉狀態時縮小子束無法通過特定路徑。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明 之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

104‧‧‧電光管

106a‧‧‧帶電粒子束

106b‧‧‧子束

106b’‧‧‧縮小子束

116‧‧‧電光路徑

118‧‧‧板體

120‧‧‧抑制件

122、132‧‧‧開口

124‧‧‧抑制元件

130‧‧‧電光雙合透鏡

134、136‧‧‧帶電粒子透鏡

D1、D2、W‧‧‧尺寸

Claims (8)

1. 一種用於多束帶電粒子微影系統之裝置，包含：一粒子投射源(Radiation Source)用以製造一子束；一平台，用以固定一基板且使該基板與該粒子投射源的一輸出產生相對運動；複數個帶電粒子雙合透鏡(Charged Particle Doublet)，分別具有一第一開口，且分別用以縮小入射該第一開口的該子束，因而產生朝向該平台的一縮小子束；以及複數個帶電粒子透鏡，分別具有一第二開口，分別用以對應每個該些帶電粒子雙合透鏡，且分別用以接收自每個該些帶電粒子雙合透鏡而來的該縮小子束，該些帶電粒子透鏡分別具有一開啟狀態與一關閉狀態，在該開啟狀態時該縮小子束可以通過一特定路徑而朝向該平台行進，在該關閉狀態時該縮小子束無法通過該特定路徑，其中每個該些帶電粒子雙合透鏡的該第一開口較相對應之該帶電粒子透鏡的該第二開口大。
2. 如請求項1所述之用於多束帶電粒子微影系統之裝置，其中每個該些帶電粒子雙合透鏡包含兩個帶電粒子會聚透鏡。
3. 如請求項1所述之用於多束帶電粒子微影系統之裝置，其中該些帶電粒子雙合透鏡包含複數個板體。
4. 如請求項3所述之用於多束帶電粒子微影系統之裝置，其中每個該些帶電粒子雙合透鏡的該第一開口為貫穿該些板體的一開孔。
5. 如請求項3所述之用於多束帶電粒子微影系統之裝置，其中該些板體之材質為導體。
6. 一種用於多束帶電粒子微影系統之裝置，包含：一帶電粒子雙合透鏡，具有一第一開口，且用以允許一子束通過且縮小入射該帶電粒子雙合透鏡的該子束；以及一帶電粒子透鏡，具有一第二開口，該第二開口在軸向上與該第一開口對齊，且該帶電粒子透鏡具有一開啟狀態與一關閉狀態，在該開啟狀態時縮小之該子束可以通過一特定路徑，在該關閉狀態時縮小之該子束無法通過該特定路徑，其中該帶電粒子雙合透鏡的該第一開口較該帶電粒子透鏡的該第二開口大。
7. 一種多束帶電粒子微影系統，包含：一粒子投射系統(Illumination System)，用以產生基本上為遠心(Telecentric)之一第一帶電粒子束；以及一電光管(Electro-Optical Column)，其中該電光管包含複數個雙合透鏡，每個雙合透鏡包含一第一開口，且用以 縮小通過該第一開口的部份該第一帶電粒子束，因而產生基本上為遠心之一縮小子束。
8. 如請求項7所述之多束帶電粒子微影系統，其中該電光管更包含複數個抑制件分別對應於每個該些雙合透鏡，每個該些抑制件分別包含一第二開口，且用以接收自對應之該雙合透鏡而來之該縮小子束，且每個該些抑制件具有一開啟狀態與一關閉狀態，在該開啟狀態時該縮小子束可以通過一特定路徑，在該關閉狀態時該縮小子束無法通過該特定路徑。