TW202034383A - 產生佈局圖案的方法 - Google Patents

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台灣積體電路製造股份有限公司
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Abstract

一種產生佈圖案的方法，包括當在由帶電粒子束直接地曝露在能量敏感的材料上的佈局圖案的一或多個特徵時，決定第一能量密度，第一能量密度間接地曝露在能量敏感的材料上的佈局圖案的一或多個特徵中的第一特徵。此方法也包括當由帶電粒子束直接地曝露第一特徵時，調整曝露第一特徵的第二能量密度。第一特徵的總能量密度，包含來自間接曝露的第一能量密度和來自直接曝露的第二能量密度的總合，第一特徵的總能量密度維持在大約一閾值能量級，以完全地曝露在能量敏感的材料中的第一特徵。

Description

產生佈局圖案的方法
本揭示內容大致上係關於帶電粒子的微影系統和方法。
微影用於圖案化由阻劑材料所覆蓋的半導體晶圓的表面。對於選擇性的製程，例如蝕刻、材料沉積、佈植、或類似者，將阻劑材料圖案化，使得部分的阻劑材料可被選擇性地移除，以曝露在下方的半導體晶圓的區域。光微影利用光能，包括紫外光或X射線，選擇性曝露阻劑材料。或者，帶電粒子束，例如電子束和離子束，已經用於高解析度微影的阻劑曝露。
進入正被曝露的阻劑材料的一些電子或離子可能散射(scattered)在周圍並進入相鄰的區域中。散射可能導致電子或離子進入正被直接地曝露的阻劑材料之外的區域中的阻劑材料。散射可能導致與正被直接地曝露的阻劑材料鄰近的區域的間接曝露。因此，在電子束或離子束能量傳送過程中，需要調整傳送到阻劑材料的能量的曝露時間和量 值，使得阻劑的選定的位置被完全地曝露，而相鄰的區域沒有被明顯地曝露。
本揭示內容之一態樣提供了一種產生一佈局圖案的方法，包含：當由一帶電粒子束直接地曝露在一能量敏感的材料中的一佈局圖案的一或多個特徵時，決定一第一能量密度，該第一能量密度間接地曝露到該能量敏感的材料上的該佈局圖案的所述一或多個特徵中的一第一特徵；以及當由該帶電粒子束直接地曝露該第一特徵時，調整曝露到該第一特徵的一第二能量密度，使得由該第一特徵接收的一總能量密度是來自間接曝露的該第一能量密度和來自直接曝露的該第二能量密度，並且將該總能量密度維持在大約一閾值能量級，以完全地曝露在該能量敏感的材料中的該第一特徵。
100‧‧‧電子束微影術系統
102‧‧‧電子源
104‧‧‧束形成單元
106‧‧‧聚焦透鏡
108‧‧‧快門偏轉器單元
109‧‧‧聚焦透鏡
110‧‧‧平台
111‧‧‧暗條
112‧‧‧佈局圖案
112A‧‧‧佈局圖案
112B‧‧‧佈局圖案
112C‧‧‧佈局圖案
113‧‧‧密集區域
114‧‧‧暗條
114A‧‧‧分散區域
114B‧‧‧分散區域
115‧‧‧中央暗條
116‧‧‧亮條
120‧‧‧半導體晶圓
122‧‧‧Y方向
124‧‧‧X方向
126‧‧‧邊緣部分
128‧‧‧中間部分
130‧‧‧電子發射
132‧‧‧電子束
134‧‧‧電子束
135‧‧‧控制器
204‧‧‧座標
205‧‧‧高度
206‧‧‧座標
207‧‧‧座標
209‧‧‧能量密度函數
210‧‧‧閾值能量級
215‧‧‧能量密度
216‧‧‧區域
217‧‧‧總能量密度
218‧‧‧區域
219‧‧‧能量密度
220‧‧‧能量級
225‧‧‧包絡線
226‧‧‧關鍵尺寸
228‧‧‧寬度
236‧‧‧關鍵尺寸
238‧‧‧寬度
304‧‧‧座標
305‧‧‧高度
306‧‧‧座標
307‧‧‧座標
309‧‧‧能量密度函數
310‧‧‧閾值能量級
315‧‧‧能量密度
317‧‧‧總能量密度
319‧‧‧能量密度
320‧‧‧能量級
325‧‧‧包絡線
326‧‧‧關鍵尺寸
328‧‧‧寬度
330‧‧‧座標
335‧‧‧包絡線
336‧‧‧關鍵尺寸
338‧‧‧寬度
404‧‧‧座標
405‧‧‧高度
406‧‧‧座標
407‧‧‧座標
409‧‧‧能量密度函數
410‧‧‧閾值能量級
415‧‧‧能量密度
417‧‧‧能量密度
419‧‧‧能量密度
425‧‧‧包絡線
426‧‧‧關鍵尺寸
428‧‧‧寬度
435‧‧‧包絡線
436‧‧‧關鍵尺寸
438‧‧‧寬度
704‧‧‧座標
705‧‧‧高度
706‧‧‧座標
707‧‧‧座標
709‧‧‧能量密度函數
710‧‧‧閾值能量級
715‧‧‧能量密度
717‧‧‧能量密度
719‧‧‧箭頭
725‧‧‧包絡線
726‧‧‧關鍵尺寸
727‧‧‧包絡線
728‧‧‧寬度
735‧‧‧包絡線
736‧‧‧關鍵尺寸
737‧‧‧包絡線
738‧‧‧寬度
800‧‧‧控制系統
802‧‧‧平台控制器
804‧‧‧帶電粒子快門控制器
806‧‧‧電粒子束源控制器
808‧‧‧帶電粒子束偏轉器控制器
809‧‧‧透鏡控制器
810‧‧‧佈局圖案
812‧‧‧編排
814‧‧‧電子束資訊
820‧‧‧阻劑材料資訊
830‧‧‧分析器模組
840‧‧‧主控制器
900‧‧‧流程
910‧‧‧操作
920‧‧‧操作
930‧‧‧操作
940‧‧‧操作
950‧‧‧操作
1000‧‧‧電腦系統
1001‧‧‧電腦
1002‧‧‧鍵盤
1003‧‧‧滑鼠
1004‧‧‧監視器
1005‧‧‧驅動器
1006‧‧‧磁碟驅動器
1011‧‧‧處理器
1012‧‧‧唯讀記憶體
1013‧‧‧隨機存取記憶體
1014‧‧‧硬碟
1015‧‧‧匯流排
1021‧‧‧光碟
1022‧‧‧磁碟
E‧‧‧能量
ED‧‧‧能量密度
本揭示內容在結合附圖閱讀以下詳細說明時得以最清晰地理解。應注意的是，依據產業中的標準實務，各種特徵並非按比例繪製，且僅用於說明的目的。事實上，各種特徵的尺寸可任意增大或減小，以便於論述明晰。
第1A圖和第1B圖示出電子束微影系統的示意圖。
第2A圖和第2B圖繪示根據本揭示內容的一些實施方式將由電子束微影系統在阻劑材料上產生的佈局圖案。
第3A圖、第3B圖、和第3C圖分別地示出由電子束微影系統產生的阻劑的佈局圖案的截面視圖、由電子束微影系統傳送到阻劑材料的能量密度，和由電子束微影系統傳送到阻劑材料的能量密度的曲線圖。
第4A圖、第4B圖、和第4C圖分別地示出根據本揭示內容的一些實施方式的由電子束微影系統產生的阻劑的佈局圖案的截面視圖、由電子束微影系統傳送到阻劑材料的能量密度，和由電子束微影系統傳送到阻劑材料的能量密度的曲線圖。
第5A圖、第5B圖、和第5C圖分別地示出根據本揭示內容的一些實施方式的由電子束微影系統產生的阻劑的佈局圖案的截面視圖、由電子束微影系統傳送到阻劑材料的能量密度，和由電子束微影系統傳送到阻劑材料的能量密度的曲線圖。
第6圖繪示根據本揭示內容的一些實施方式的將由電子束微影系統在阻劑材料上產生的佈局圖案。
第7A圖、第7B圖、和第7C圖分別地示出根據本揭示內容的一些實施方式的由電子束微影系統產生的阻劑的佈局圖案的截面視圖、由電子束微影系統傳送到阻劑材料的能量密度，和由電子束微影系統傳送到阻劑材料的能量密度的曲線圖。
第8圖示出根據本揭示內容的一些實施方式的控制系統，用於控制由電子束傳送到在晶圓上的阻劑材料的能量的量值，以在晶圓上產生佈局圖案。
第9圖繪示根據本揭示內容的一些實施方式的示例性製程的流程圖，此流程圖用於控制由電子束傳送到在晶圓上的阻劑材料的能量的量值，以在晶圓上產生佈局圖案。
第10A圖和第10B圖繪示根據本揭示內容的一些實施方式的一設備，此設備用於控制由電子束傳送到在晶圓上的阻劑材料的能量的量值，以在晶圓上產生佈局圖案。
之後揭示內容提供眾多不同實施方式或實施例，以用於實施所提供的主題的不同特徵。以下描述組件和配置的特定實施例以簡化本揭示內容。當然，此僅係實例，並非意欲限制。例如，在隨後的描述中，第二特徵形成在第一特徵上方或之上，可能包括其中第一和第二特徵形成直接接觸的實施方式，並且還可能包括在介於第一和第二特徵之間可能形成附加的特徵，因此第一和第二特徵不為直接接觸的實施方式。此外，本揭示內容可在各個實施例中重複參考編號和/或字母。此重複係以簡單與明晰為目的，且其自身並不是規定本文論述的各種實施方式和/或配置之間的關係。
而且，本文可能使用諸如「在...之下」、「在...下方」、「下部」、「在...之上」、「上部」等等空間相對 用語以便於描述，以描述一個元件或特徵與另一個(或更多個)元件或特徵的關係，如圖式中所示。除圖式中繪示的定向之外，空間相對用語意欲包括裝置在使用或操作中的不同定向。設備可能以其他方式定向(旋轉90度或其他定向)，且可由此同樣理解本文所使用的空間相對描述詞。此外，用語「由...製成」可指「包含」或「由...組成」。在本揭示內容中，詞語「A、B、C中的其中一者」表示「A、B、C、A和B、A和C、B和C，或A、B和C」，除非另有說明，否則並不表示來自A中的一個元件、來自B中的一個元件、和來自C中的一個元件。
本揭示內容大致上係關於帶電粒子的微影系統和方法，例如，電子束和離子束的微影系統和方法。更具體而言，本揭示內容係關於設備和方法，其用於分析和控制將在例如半導體晶圓的工件上的能量敏感材料(例如阻劑材料)中產生的佈局圖案，以及避免和/或減少在工件上佈局圖案的關鍵尺寸(critical dimension，CD)的不均勻性。
在阻劑材料是正性阻劑材料的情況下，阻劑材料被帶電粒子束降解，使得藉由隨後施加此阻劑材料的顯影劑，在完全地曝露於帶電粒子束的區域中，此阻劑材料將會溶解，從而在未被曝露的區域中留下阻劑材料。在阻劑材料是負性阻劑的情況下，由帶電粒子束強化了阻劑材料(聚合或者交聯)，並且顯影劑將會溶解未被曝露的區域，並且在被完全地曝露的區域中留下塗層。此外，當由電子束或離子束傳送到阻劑材料(例如，傳送到阻劑材料的一單位面積) 的能量超過閾值能量級時，視為阻劑材料(正性或負性)被完全地曝露。當傳送到阻劑材料的能量等於或大於閾值能量級時，對於正性阻劑，基本上降解了阻劑材料，或者對於負性阻劑，基本上強化了阻劑材料。使用電子束是因為電子的低質量允許了在低的功率和高的速度下，電子束的精確控制。電子束微影系統亦是縮小特徵尺寸並且提供比光微影(photolitography)更高解析度的有效方法。離子束微影比電子束微影提供更高的解析度，因為在這個技術中使用的離子比電子重得多，因此比起電子，產生小很多的波長。
在一些實施方式中，直接曝露阻劑材料使得傳送到阻劑材料的總能量超過阻劑閾值能量級，且可藉由從相鄰區域間接曝露阻劑材料來降低。而且，當多於阻劑閾值能量級被傳送到阻劑材料的區域時，散射會導致相鄰的區域的曝露，使得相鄰的區域接收此阻劑閾值能量級。
如所提及的，當由電子束或離子束傳送到阻劑材料的能量(例如傳送到阻劑材料的能量密度)超過閾值能量級時，視為完全地曝露阻劑材料(正性或負性)。在一些實施方式中，藉由顯影劑的運用而溶解完全地曝露的正性阻劑材料，從而將正性阻劑材料從晶圓上移除。未曝露的正性阻劑材料不會由於顯影劑的施加而溶解，因此保留在晶圓上。在一些實施方式中，藉由顯影劑的施加不會溶解完全地曝露的負性阻劑材料，因此，完全曝露的負性阻劑材料保留在晶圓上。然而，未曝露的負性阻劑材料藉由顯影劑的運用而溶解，並從晶圓上移除。
在一些實施方式中，在前向散射過程(forward scattering)中，當電子束進入阻劑材料時，與阻劑材料的電子的一或更多個電子-電子交互作用可使初級電子偏轉一或更多次，從而在阻劑材料中散射電子束。在每個電子-電子交互作用中，前向散射過程可將部分的電子能量轉移到阻劑材料。前向散射過程可將在阻劑材料中的電子散射幾奈米到幾十奈米，因此可將電子束的能量分佈在阻劑材料的幾奈米到幾十奈米。在一些實施方式中，由電子束傳送到阻劑材料的能量，基於高斯概率分佈函數，可散射幾奈米到幾十奈米。在一些實施方式中，一些電子在阻劑材料中並未停止，並穿透在阻劑材料下方的基板。這些電子仍然可藉由散射返回阻劑材料中並引起隨後與阻劑材料的電子-電子交互作用來促進於阻劑材料的曝露。由反向散射的(backscattered)電子所傳送的能量可進一步拓寬電子束散射，並且可進一步分佈由電子束傳送到阻劑材料的能量。
如所論述的，電子束的能量被傳送到阻劑材料的兩個區域：a)藉由將電子束引導到第一區域，電子束能量被直接地傳送到的第一區域，和b)藉由散射被引導到第一區域的電子束，電子束能量被間接地傳送到的第二區域。當完全地曝露第二區域的一些特定的部分(例如與第一區域相鄰的部分)，使得傳送到特定部分的能量超過閾值能量級時，由曝露的特定部分加寬了第一區域。在一些實施方式中，在正性阻劑材料中，加寬曝露的部分會增大佈局圖案的關鍵尺 寸，而在負性阻劑材料中，加寬曝露的部分會減小佈局圖案的關鍵尺寸。
在晶圓上的阻劑材料中產生的佈局圖案可能不均勻，並且可能包括具有多個緊密地堆積特徵的一或更多個密集區域、和具有很少鬆散地堆積特徵的一或更多個分散區域。與在分散區域中的特徵相比，對於在密集區域中的特徵，來自鄰近的區域的阻劑材料的間接曝露更高。而且，與靠近密集區域的邊緣的特徵相比，對於在密集區域的中間的特徵，來自鄰近區域的阻劑材料的間接曝露更高。在一些實施方式中，相同量的電子束能量被直接地傳送到密集區域的特徵，以完全地曝露密集區域的特徵。此外，與第二特徵和靠近密集區域的邊緣的第二特徵的鄰近處相比，在密集區域的中間內的第一特徵和第一特徵的鄰近處接收到更多的間接曝露。當相同量的電子束能量被直接地傳送到密集區域的特徵時，傳送到第一特徵和第一特徵的鄰近處的總能量高於傳送到第二特徵和第二特徵的鄰近處的總能量。因此，在密集區域的中間的特徵與在密集區域的邊緣的特徵之間可能觀察到關鍵尺寸不均勻性，並且在密集區域的中間的完全地曝露的特徵變得比在密集區域的邊緣的完全地曝露的特徵更寬。
當將相同量的電子束能量，例如至少閾值能量級的電子束能量，被直接地傳送到密集區域的特徵和分散區域的特徵時，之後完全地曝露密集區域的特徵和分散區域的特徵。然而，與在分散區域中的第二特徵和第二特徵的鄰近 處相比，在密集區域中的第一特徵和第一特徵的鄰近處接收到更多的間接曝露，並且傳送到第一特徵和第一特徵鄰近處的總能量高於傳送到第二特徵和第二特徵鄰近處的總能量。因此，當將相同量的電子束能量直接地傳送到密集區域的特徵和分散區域的特徵以完全地曝露密集區域和分散區域時，在密集區域的特徵與分散區域的特徵之間可能觀察到關鍵尺寸不均勻性，並且密集區域的完全地曝露的特徵可能變得比分散區域的完全地曝露的特徵更寬。
在一些實施方式中，直接地傳送到阻劑材料的能量的量值由控制系統控制。控制系統基於相鄰於第一特徵的佈局圖案的特徵來調整直接地傳送到在阻劑材料中的第一特徵的能量的量值，使得第一特徵被完全地曝露，但是藉由直接曝露和間接曝露傳送到第一特徵的總能量不超過(例如不顯著超過)閾值能量級。藉由將傳送到阻劑材料的一或更多個特徵的總能量的量值維持在大約閾值級，可在阻劑材料中產生的特徵之間維持關鍵尺寸均勻性。
在一些實施方式中，控制系統接收由電子束將在阻劑材料中產生的佈局圖案。控制系統亦接收阻劑材料資訊和電子束的資訊，例如電子束能量。在一些實施方式中，控制系統計算(例如，模擬)佈局圖案的特徵的間接曝露的量值。之後，控制系統計算要傳送至佈局圖案的每個特徵的直接曝露的量值，使得藉由直接曝露和間接曝露而傳送至佈局圖案的特徵的總能量維持在閾值能量級。在一些實施方式中，控制系統控制電子束微影系統，使得藉由調整電子束能 量和時序(timing)，將計算得出的直接曝露的量值傳送到佈局圖案的每個特徵，使得傳送到每個特徵的能量的總量值維持在閾值能量級。在一些實施方式中，將傳送到特徵的能量的量值決定為每單位面積的能量或能量密度，並且閾值能量級是對於能量密度的閾值。
在本揭示內容中描述的先進的微影製程、方法、和材料可用於眾多應用，包括製造鰭式場效電晶體(fin-type field effect transistor；FinFET)。例如，可圖案化鰭片，以在介於特徵之間產生相對緊密的間隔，本揭示內容非常適用於此應用。此外，可以根據本揭示內容處理在形成鰭式場效電晶體的鰭片中所使用的間隔物(spacer)。
第1A圖和第1B圖示出了電子束微影系統100和150的示意圖，其包括控制器135、電荷粒子源，例如電子源102、一或更多個聚焦透鏡106和109、束形成單元104、和快門偏轉器單元108。電子束微影系統100和150使用基於電子的成像，用於佈局圖案化(layout patterning)。電子束微影系統100和150將佈局圖案轉移到在半導體晶圓120上的電子束敏感的阻劑層。在一些實施方式中，第1A圖和第1B圖的聚焦透鏡106和109是圍繞電子束並具有供電子束穿過的中心開口的磁性圓柱體(例如磁碟)的截面。在一些實施方式中，磁柱的磁場用於聚焦電子束。
在電子束微影系統100中，電子源102提供電子發射130。由電子束形成單元104接收來自電子源102的電 子發射130。束形成單元104產生電子束132。電子束132由一或更多個聚焦透鏡106聚焦。電子束132被快門偏轉器單元108接收。快門偏轉器單元108可打開和關閉電子束。當快門偏轉器單元108打開並且電子束打開時，電子束134離開快門偏轉器單元108，穿過聚焦透鏡109，並且聚焦在半導體晶圓120上，以在半導體晶圓120的阻劑層中產生佈局圖案112。
在一些實施方式中，半導體晶圓120在平台110上，並且控制器135移動平台110，以藉由平台110的移動產生佈局圖案112。在一些實施方式中，電子束微影系統100的快門偏轉器單元108基於佈局圖案來偏轉電子束134，以在半導體晶圓120上產生佈局圖案112。在一些實施方式中，除了平台110的移動之外，快門偏轉器單元108亦偏轉電子束134，以在半導體晶圓120的阻劑材料中產生佈局圖案112。在一些實施方式中，控制器135耦合到電子源102、束形成單元104、快門偏轉器單元108、和平台110。控制器135可控制電子源102，以調整電子束134的強度。在一些實施方式中，控制器135接收佈局圖案，並且藉由控制束形成單元104、快門偏轉器單元108、和平台110，在半導體晶圓120的阻劑材料中產生佈局圖案112。因此，藉由控制電子束132和134的強度、電子束134的偏轉、和/或平台110的移動，電子束微影系統100的控制器135可在半導體晶圓120的阻劑材料中產生佈局圖案112。
在電子束微影系統150中，電子源102提供電子發射130。束形成單元104產生多個電子束132。電子束132由一或更多個聚焦透鏡106聚焦。電子束132被快門偏轉器單元108接收。當快門偏轉器單元108打開並且電子束打開時，多個電子束134離開快門偏轉器單元108，穿過聚焦透鏡109，並且聚焦在半導體晶圓120上，以在半導體晶圓120的阻劑層中產生佈局圖案112。因此，藉由控制多個電子束132和134的強度、多個電子束134的偏轉、和/或平台110的移動，電子束微影系統150的控制器135可在半導體晶圓120的阻劑材料中產生佈局圖案112。在一些實施方式中，多個電子束134由快門偏轉器單元108分開地控制和偏轉。
在一些實施方式中，第1A圖和第1B圖的帶電荷粒子源是離子束源。束形成單元104、聚焦透鏡106和109、和快門偏轉器單元108將離子束聚焦在半導體晶圓120上的阻劑材料上，以在晶圓上產生佈局圖案112。在一些實施方式中，離子束包括氫離子，氫離子比電子重幾百倍。因此，在一些實施方式中，與電子束相比，離子束的能量變得較少散射，並且在阻劑材料內部產生更多局部的衝擊。在一些實施方式中，離子束是一種離子其停止在阻劑材料中並且不穿透在阻劑材料下方的基板，因此不污染在阻劑材料下方的基板和/或不影響基板的晶體結構。在一些實施方式中，對於離子束微影，使用鎵離子或氦離子。
第2A圖和第2B圖繪示了根據本揭示內容的一些實施方式的由帶電粒子束微影系統(例如，電子束微影系 統)在阻劑材料上產生的佈局圖案。第2A圖示出了在Y方向122上延伸並在X方向124上分佈的佈局圖案112A，此佈局圖案112A具有密集區域113，此密集區域113具有多個緊密地堆積特徵，例如七個暗條114，此與第1A圖和第1B圖的佈局圖案112一致。第2B圖示出了佈局圖案112B，其在Y方向122上延伸並在X方向124上分佈，佈局圖案112B並且具有含一個或兩個暗條114的兩個分散區域114A和114B。在一些實施方式中，暗條114是保留在晶圓上的特徵，亮條116是藉由顯影劑的施加而溶解因此從晶圓上移除的位置。因此，對於負性阻劑材料，第1A圖和第1B圖的電子束134聚焦在暗條114上，而對於正性阻劑材料，第1A圖和第1B圖的電子束134聚焦在亮條116上。
在一些實施方式中，對於負性阻劑材料，與分散區域114A和114B的暗條114相比，密集區域113的暗條114接收更多的間接曝露。在一些實施方式中，密集區域113的中央暗條115與密集區域113的其他暗條114相比接收到更多的間接曝露。因此，與中央暗條115鄰近的亮條116的部分可被完全地曝露，並且中央暗條115的關鍵尺寸可變得大於其他暗條114的關鍵尺寸。當在佈局圖案112A的沿X方向124的兩端的暗條114的關鍵尺寸與其他暗條114的關鍵尺寸相比並且與中央暗條115的關鍵尺寸相比具有較小的值時，在密集區域113中沿X方向124可觀察到關鍵尺寸不均勻性。在一些實施方式中，一次曝露特徵的一部分。因此， 當一特徵(例如中央暗條115)在一部分中被曝露時，此中央暗條115的另一部分和其他的暗條114被間接地曝露。
第3A圖、第3B圖、和第3C圖分別地示出了由電子束微影系統產生的阻劑的佈局圖案、由電子束微影系統傳送到阻劑材料的能量密度，和由電子束微影系統傳送到阻劑材料的能量密度的曲線圖。第3A圖示出了晶圓上阻劑材料上的佈局圖案的高度相對於位置的截面視圖。截面視圖在座標207上示出了在X座標204中在區域216處的高度205，並且示出了的區域218處的高度零。此佈局圖案與第2A圖的佈局圖案112A一致。在暗區域(例如區域216)處的佈局圖案的截面視圖是保留在晶圓上的阻劑材料的部分。當在晶圓上產生佈局圖案112時，區域216與第2A圖的暗條114的阻劑材料的截面一致。相反地，在亮區域(例如區域218)處，在阻劑材料中的佈局圖案的截面視圖與第2A圖的亮條116的截面一致，亮條116是從晶圓移除的阻劑材料的一部分。在一些實施方式中，區域216和218的寬度為約0.1奈米至約1000奈米。
第3B圖示出了由電子束微影系統所傳送的能量密度(energy density，ED)相對於位置的關係。第3B圖示出了在座標206上在X座標204的不同的位置處直接地曝露到阻劑材料的能量密度。在一些實施方式中，阻劑材料是負性阻劑材料，並且完全曝露阻劑材料的能量密度(即每單位面積能量)是閾值能量級210，例如閾值能量密度級。在如第3B圖所示出的一些實施方式中，將能量密度函數209 運用到阻劑材料，使得在區域216處，由電子束微影系統100將兩倍於閾值能量級210的能量級220施加到阻劑材料保留在晶圓上的區域216，並且沒有能量被施加到從晶圓移除的阻劑材料的區域218。
第3C圖示出了在阻劑材料中的能量密度的曲線圖。第3C圖示出了在X座標204上不同的位置處的能量密度ED的曲線圖。傳送到阻劑材料的總能量密度217是區域216的間接曝露的能量密度215與直接曝露的能量密度219的總和。間接曝露的能量密度215被區域216接收，因為阻劑材料的其他區域216被直接曝露，而其他區域216的直接曝露被散射在阻劑材料中。因此，間接曝露的能量密度215被接收在區域216和218二者之內。根據在第3B圖中所示的能量密度，因為在區域216中阻劑材料的直接曝露，接收能量密度219。如在第3C圖中所示，在直接地曝露的區域216中的總能量密度顯著地高於閾值能量級210。此外，對於第3A圖的密集佈局圖案，從其他區域(例如相鄰的區域)接收的間接曝露的能量密度215是顯著的。在一些實施方式中，因為間接曝露的額外能量密度215和因為總曝露明顯地超過閾值能量級210，直接地曝露的區域216的關鍵尺寸增大。間接曝露的能量密度215在佈局圖案的中央處較高，因此在佈局圖案的中央處的區域216的關鍵尺寸236大於靠近佈局圖案邊緣的區域216的關鍵尺寸226。相反地，在佈局圖案的中央內的未曝露的區域218的寬度238小於靠近佈局圖案的邊緣的未曝露的區域218的寬度228。因此，在第3C 圖中可觀察到關鍵尺寸不均勻性。傳送到阻劑材料的總能量密度包絡線225是區域216的間接曝露的能量密度215和直接曝露的能量密度的總和。
在一些實施方式中，能量密度函數209是由電子束的電子直接地傳送到阻劑材料的能量的密度。在一些實施方式中，決定藉由直接曝露傳送到阻劑材料的電子束的電子的平均能量。因此，用語能量密度和電子密度可互換地使用，並且表示傳送到阻劑材料的能量的能量密度函數209可替代地表示由電子束傳送到阻劑材料的區域206的電子密度。在一些實施方式中，間接曝露的能量密度215是等式(1)的點擴展函數(point spread function，PSF)與能量密度函數209的疊積(convolution)，其中點擴展函數代表在阻劑材料中電子能量的散射。
Figure 108139570-A0101-12-0016-1
在一些實施例中，當使用正性阻劑時，並且因為移除了曝露的區域216和保留了未直接地曝露的區域218，因此在佈局圖案中央的區域的關鍵尺寸小於在局圖案邊緣處的區域的關鍵尺寸。
如所描述的，當電子束進入阻劑材料時，發生電子散射，直到電子的能量轉移到阻劑材料。在一些實施方式中，進入阻劑區域的電子的交互作用和由於交互作用可能發生的能量散射的概率被模型化為一高斯函數(Gaussian function)。在一些實施方式中，在阻劑材料中電子能量的 散射的點擴展函數是一高斯函數。因此，第3B圖的電子密度的散射可被模型化為高斯函數與第3B圖的能量密度函數209的疊積。在一些實施方式中，如以下的等式(1)所示，點擴展函數的高斯函數具有比能量密度函數209的矩形寬得多的標準偏差σ，因此疊積的結果，即間接曝露的能量密度215，非常類似於高斯函數。在一些實施方式中，前向散射的標準偏差σ約為5奈米(nano-meters)至約50奈米的量級。如以上所提及的，反向散射的電子可進一步拓寬電子束散射，並且由反向散射的電子傳送到阻劑材料的能量可被模型化為具有微米的標準偏差(例如，約1微米至約5微米)的另一個高斯函數，其可有效地提供一致的能量密度。在一些實施方式中，點擴展函數包括兩個高斯函數，以模型化正向散射和反向散射電子二者。
在一些實施方式中，當電子束的電子進入阻劑材料時，此電子是初級電子，此電子與阻劑材料發生交互作用(初級交互作用)，並將電子的一部分能量轉移到阻劑材料。初級交互作用可導致正性阻劑材料的降解或負性阻劑材料的強化，從而曝露阻劑材料。此外，根據等式(1)，初級電子可導致在阻劑材料中散射的二級電子的產生，並且二級電子又可與阻劑材料發生交互作用(二級交互作用)。在一些實施方式中，電子束電子的電子的能量密度函數以n(x)表示，例如，第3B圖的能量密度函數209以n(x)表示。如所提及的，能量密度函數n(x)的一部分藉由初級交互作用曝露阻劑材料，並且初級交互作用的位置遵循n(x)函數。能量密度 函數n(x)的另一部分藉由根據等式(1)在阻劑材料中散射的二級交互作用曝露阻劑材料，因此，二級交互作用的位置可由n(x)與等式(1)的點擴展函數的疊積來表示。在一些實施方式中，轉移到阻劑材料的總能量為位置x的函數，由以下的等式(2)的E(x)表示，其中p1是藉由初級交互作用轉移的電子能量的第一部分，而p2是藉由二級交互作用轉移的電子能量的第二部分，並且疊積運算由(*)表示：
E(x)=p1 n(x)*PSF1+p2 n(x)*PSF2 等式(2)其中PSF1是藉由初級交互作用傳送到阻劑材料的能量的點擴展函數，而PSF2是藉由二級交互作用傳送到阻劑材料的能量的點擴展函數。在一些實施方式中，PSF1和PSF2是概率函數。在一些實施方式中，當電子束的電子最初地與阻劑材料交互作用時，初級交互作用的點擴展函數示出了在位置x中的能量的分佈。因此，初級交互作用的點擴展函數可是非常陡(sharp)的函數，例如，非常陡的高斯函數，使得n(x)與初級交互作用的點擴展函數的疊積與n(x)基本上相同。在一些實施方式中，當電子束的電子在初級交互作用之後，發生包括向前向散射的電子和反向散射的電子兩者的二級交互作用時，二級交互作用的點擴展函數示出了在位置x中能量的分佈。在一些實施方式中，次級交互作用的點擴展函數包括兩個類似於等式(1)的高斯函數，對於電子的前向散射，第一高斯函數具有的標準偏差σ1為幾奈米，例如10奈米；對於反向散射的電子，另一個高斯函數具有的標準偏差σ2為幾微米，例如2微米。因此PSF2可以由以下的等式(3) 表示，其中p是尺度因子(scale factor)，其表示經由反向散射的電子分佈到阻劑材料的能量與經由電子的正向散射分佈到阻劑材料的能量之比率。
Figure 108139570-A0101-12-0019-2
 因此，等式(2)的第一部分是由於直接曝露於電子束，且等式(2)的第二部分是由於間接曝露於電子束。在一些實施方式中，期望轉移到阻劑材料的能量E(x)高於閾值能量級，例如，第3C圖的閾值能量級210，在非零的n(x)的位置處。然而，在n(x)為零的位置處，能量E(x)保持在閾值能量級以下。
第4A圖、第4B圖、和第4C圖分別地示出根據本揭示內容的一些實施方式的由電子束微影系統產生的阻劑的佈局圖案的截面視圖、由電子束微影系統傳送到阻劑材料的能量密度，和由電子束微影系統傳送到阻劑材料的能量密度的曲線圖。第4A圖與第3A圖一致，示出了在晶圓上的阻劑材料上的佈局圖案的高度相對於位置的截面視圖。截面視圖示出了在座標307上了區域216處的高度305，並且示出了在X座標304中的區域218處的高度零。
第4B圖示出了由電子束微影系統傳送的能量密度(energy density，ED)相對於位置的關係。第4B圖示出了在座標306上在X座標304的不同的位置處直接地曝露到阻劑材料的能量密度。在一些實施方式中，阻劑材料是負性阻劑材料，並且完全地曝露阻劑材料的能量密度(即每單 位面積能量)是閾值能量級310。在如第4B圖所示的一些實施方式中，將能量密度函數309應用到阻劑材料，由電子束微影系統100施加到區域216，使得在區域216處其能量級小於能量級320(能量級320是閾值能量級310兩倍)，並且沒有能量被施加到區域218。調整能量密度函數309，使得在佈局圖案的中央處的能量密度函數309比起在靠近佈局圖案的邊緣的能量密度函數較小。與曝露到第3B圖的區域216的能量相比，調整後的能量密度函數309導致直接地曝露到第4B圖的區域216的能量較少。此外，與直接曝露到第4B圖的佈局圖案的靠近邊緣的區域216的能量相比，此調整導致較少的能量直接地曝露到在第4B圖的佈局圖案中央處的區域216。能量密度函數309的頂部能量密度曲線是包絡線335，其藉由電子束的電子而直接地傳送(例如，藉由直接曝露)到區域216的阻劑材料。
第4C圖示出了在阻劑材料中的能量密度的曲線圖。第4C圖示出了在X座標204上不同位置處的能量密度ED的曲線圖。傳送到阻劑材料的總能量密度317是區域216的間接曝露的能量密度315和直接曝露的能量密度319的總和。根據在第3B圖中所示的能量密度函數309，因為在區域216中的阻劑材料的直接曝露，接收到能量密度319，因此，與佈局圖案的邊緣相比，在佈局圖案的中間內的能量密度319較小。如在第4C圖中所示，在被直接地曝露的區域216中的總能量密度顯著地高於閾值能量級310。此外，對於第4A圖的密集佈局圖案，由於來自其他區域(例如相鄰的區 域)的間接曝露而接收到的能量密度315是顯著的。在一些實施方式中，間接曝露的能量密度315是等式(1)與能量密度函數309的疊積。
如在第4C圖中所示，調整直接曝露的能量密度319，使得區域216的總曝露在整個佈局圖案中相等。在一些實施方式中，在區域216處的總曝露是由於間接曝露引起的能量密度315和由於直接曝露引起的能量密度319的總和，其等於能量級320，其是閾值能量級310的兩倍。在一些實施方式中，因為由於間接曝露引起的能量密度315，並且因為總曝露顯著地高於閾值能量級310，因此直接地暴露的區域216的關鍵尺寸增加。間接的曝露的能量密度315在靠近佈局圖案的中央較高，因此直接曝露的能量密度319在佈局圖案的中央較小，使得所有區域216的總曝露是相同的。因此，在佈局圖案中央的區域216的關鍵尺寸336等於在佈局圖案邊緣處的區域216的關鍵尺寸326。而且，在佈局圖案的中央的未曝露的區域218的寬度338等於在佈局圖案的邊緣處的未曝露的區域218的寬度328。因此，儘管與諸如第2B圖的佈局圖案112B的佈局圖案相比，所有區域216的關鍵尺寸都增大了，但是在第4C圖中可能沒有觀察到關鍵尺寸不均勻性。傳送到阻劑材料的總能量密度包絡線325是區域216的間接曝露的能量密度315和直接曝露的能量密度的總和。
第5A圖、第5B圖、和第5C圖分別地示出了根據本揭示內容的一些實施方式的由電子束微影系統產生的 阻劑的佈局圖案截面視圖、由電子束微影系統傳送到阻劑材料的能量密度，和由電子束微影系統傳送到阻劑材料的能量密度的曲線圖。第5A圖與第3A圖和第4A圖一致，示出了在晶圓上阻劑材料上的佈局圖案的高度相對於位置的截面視圖。截面視圖示出了在坐標407上在X坐標404中在區域216處的高度405，並且顯示了在區域218處的高度零。
第5B圖示出了由電子束微影系統傳送的能量密度相對於位置的關係。第5B圖示出了在座標406上在X座標404的不同位置處直接地曝露到阻劑材料的能量密度。在一些實施方式中，阻劑材料是負性阻劑材料，並且完全地曝露阻劑材料的能量密度(即每單位面積能量)的量是閾值能量級410。在如第5B圖所示的一些實施方式中，能量密度函數409被應用到阻劑材料，使得在區域216處，小於閾值能量級410(其是閾值能量級)的能量級由電子束微影系統100施加到區域216，並且沒有能量被施加到區域218。調整能量密度函數409，使得能量密度函數409小於閾值能量級410，並且在佈局圖案的中央處比在佈局圖案的邊緣附近更小。與曝露到第3B圖和第4B圖的區域216的能量相比，調整後的能量密度函數409導致直接地曝露到第5B圖的區域216的能量少得多。此外，與直接地曝露到第5B圖的佈局圖案的邊緣附近的區域216的能量相比，此調整導致更少的能量直接地曝露到在第5B圖的佈局圖案中央處的區域216。頂部能量密度曲線，其是能量密度函數409的包絡線435，由 電子束的電子直接地傳送(例如，藉由直接曝露)到區域216的阻劑材料。
第5C圖示出了在阻劑材料中的能量密度的曲線圖。第5C圖示出了在X座標404上不同的位置處的能量密度ED的曲線圖。傳送到阻劑材料的總能量密度417是區域216間接曝露引起的能量密度415與直接曝露引起的能量密度419的總和。根據在第5B圖所示的能量密度函數409，因為在區域216中的阻劑材料的直接曝露，能量密度419被接收，因此與佈局圖案的邊緣相比，在佈局圖案的中間的能量密度419較小。因為第5B圖的能量密度函數409比起第3B和第4B圖的能量密度函數309和209明顯地較小，例如小約一半，所以間接曝露引起的能量密度415亦比間接曝露的能量密度315和215明顯地較小。在一些實施方式中，間接曝露的能量密度315是等式(1)與能量密度函數409的疊積。傳送到阻劑材料的總能量密度包絡線425是區域216的間接曝露的能量密度415和直接曝露的能量密度的總和。
如在第5B圖中所示，在被直接地曝露的區域216中的總能量密度略小於閾值能量級410，例如閾值能量密度級。此外，對於第5A圖的密集佈局圖案，儘管來自其他區域(例如，相鄰區域)的間接曝露而接收的能量密度415小於能量密度315和215，但能量密度415仍然是相當大的。如在第5B圖中所示，調整直接曝露的能量密度419，使得區域216的總曝露在整個佈局圖案中均等。在一些實施方式中，總曝露能量密度，其是在區域216處間接曝露的能量 密度415與直接曝露的能量密度419的總和，略高於閾值能量級410。在一些實施方式中，因為間接曝露的能量密度415增大，直接地曝露的區域216的關鍵尺寸增大。間接曝露的能量密度415在佈局圖案的中央附近較高，因此直接曝露的能量密度419在佈局圖案的中央較小，使得所有區域216的總曝露相同。因此，在佈局圖案中央的區域216的關鍵尺寸436等於在佈局圖案邊緣處的區域216的關鍵尺寸426。另外，在佈局圖案的中央的未曝露的區域218的寬度438等於在佈局圖案的邊緣處的未曝露的區域218的寬度428。因此，藉由使總曝露維持在略高於閾值能量級410，與諸如第2B圖的佈局圖案112B的佈局圖案相比，關鍵尺寸沒有顯著地增大，並且在第5C圖中可能沒有觀察到關鍵尺寸不均勻性。
第6圖繪示了根據本揭示內容的一些實施方式的將由電子束微影系統在阻劑材料上生成的佈局圖案。第6圖示出了佈局圖案112C，其與第2A圖的佈局112A一致，佈局圖案112C具有暗條111和亮條116。第6圖的暗條111除了中間部分128與第2A圖的暗條114一致之外，還具有附加的邊緣部分126。在一些實施方式中，邊緣部分126的寬度為暗條111的寬度的約1百分比至約20百分比之間，例如，約5百分比。與中間部分128相比，在邊緣部分126中，阻劑材料藉由直接曝露接收較高劑量的電子密度，例如能量密度。在一些實施方式中，邊緣部分的寬度不是一定的值， 並且隨著佈局圖案的不同形狀(例如，暗條111的形狀)而改變。
第7A圖、第7B圖、和第7C圖分別地示出了根據本揭示內容的一些實施方式的由帶電粒子微影系統(例如，電子束微影系統)產生的阻劑的佈局圖案的截面視圖、由電子束微影系統傳送至阻劑材料的能量密度、和由電子束光刻系統傳送至阻劑材料的能量密度的曲線圖。第7A圖與第3A圖、第4A圖、和第5A圖一致，示出了在晶圓上的阻劑材料上的佈局圖案的高度相對於位置的截面視圖。截面視圖在座標707上示出了在X座標704中在區域206處的高度705，和在區域218處的高度零。
第7B圖示出了由電子束微影系統傳送的能量密度相對於位置的關係。第7B圖示出了在座標706上，在X座標704的不同的位置處，直接地暴露到阻劑材料的能量密度。在一些實施方式中，阻劑材料是負性阻劑材料，並且完全地曝露阻劑材料的能量密度(即每單位面積能量)是閾值能量級710。在一些實施方式中，如在第7B圖中所示，對於阻劑材料運用能量密度函數709，使得在區域216處，能量級小於閾值能量級710，閾值能量級710是由電子束微影系統100施加到區域216的中間部分的閾值能量級，並且沒有能量施加到區域218。在區域216的中間部分內的能量密度函數709與在第5B圖的能量密度函數409一致。此外，與在區域216的中間部分相比，在區域216的邊緣部分中的能量密度函數709大約10百分比至大約300百分比。在一些實施 方式中，在邊緣部分處的能量密度函數709不是一致的，並且隨著不同的暗條111而變化。區域216的邊緣部分與第6圖的暗條111的邊緣部分126一致。在區域216的中間部分內的能量密度函數709的頂部能量密度曲線是包絡線735，其與第5B圖的包絡線435一致。此外，與區域216的中間部分相比，在區域216的邊緣部分中的能量密度函數709較高，高於大約10%至大約300百分比，例如100百分比。因此，在區域216的邊緣部分處的能量密度函數709的頂部能量密度曲線是包絡線737，其比包絡線735高大約10百分比至大約300百分比。
第7C圖示出了在阻劑材料中的能量密度的曲線圖。第7C圖示出在X座標上的不同位置處的能量密度ED的曲線圖。傳送到阻劑材料的總能量密度717是區域216的由於間接曝露引起的能量密度715和由於直接曝露而在能量密度715之上在箭頭719的界限之間分佈的能量密度的總和。根據在第7B圖中所示的能量密度函數709，直接曝露在區域216中被接收，並且因此與區域216的邊緣相比，在區域216的中間部分直接曝露較小。在一些實施方式中，間接曝露的能量密度715是等式(1)與能量密度函數709的疊積。傳送到在區域216的中間部分內的阻劑材料的總能量密度包絡線725是在區域216的中間部分的間接曝露的能量密度715和直接曝露的能量密度的總和。此外，傳送到在區域216的邊緣部分中的阻劑材料的總能量密度包絡線727是在區域216的邊緣部分的間接曝露的能量密度715和直接曝露 的能量密度的總和，並且，因此，包絡線727高於包絡線725。
如在第7C圖所示，總曝露能量密度，其是在區域216的邊緣部分處的間接曝露的能量密度715和直接曝露的總和，顯著地高於閾值能量級710。然而，在區域216的中間部分內的總曝露能量密度是大約閾值能量級710。在一些實施方式中，當決定(例如，計算包絡線735)時，也計算區域216的邊緣部分中較高能量密度對間接曝露的能量密度715的影響，以獲得佈局圖案的關鍵尺寸均勻性。
在一些實施方式中，因為間接曝露的能量密度715增加，因此直接曝露的區域216的關鍵尺寸增加。間接曝露的能量密度715在靠近佈局圖案的中央較高，因此區域216的中間部分的直接曝露在佈局圖案的中央較小，使得對於區域216的所有中間部分的總曝露相等。因此，在佈局圖案的中央的區域216的關鍵尺寸736等於在佈局圖案的邊緣處的區域216的關鍵尺寸726。而且，在佈局圖案的中央的未曝露的區域218的寬度738等於在佈局圖案的邊緣處的未曝露的區域218的寬度728。在一些實施方式中，在區域216的邊緣部分處的較高能量密度增加了對比度。與在區域216的邊緣部分處不使用較高的能量密度時相比，在對比度上的增加可提供較低的線邊緣粗糙度(line edge roughness，LER)和更好的關鍵尺寸均勻性。
第8圖示出了根據本揭示內容的一些實施方式的控制系統800，用於控制由電子束傳送到在晶圓上的阻劑 材料的能量的量值，以在晶圓上產生佈局圖案。控制系統800包括彼此耦合的分析器模組830和主控制器840。分析器模組830接收將在晶圓上的阻劑材料上產生的佈局圖案810。分析器模組830亦接收阻劑材料的資訊，例如阻劑材料資訊820和電子束資訊，以在阻劑材料中產生佈局圖案810。分析器可從阻劑材料資訊820接收諸如正性阻劑材料或負性阻劑材料的阻劑材料的類型，和應被傳送到阻劑材料以完全地曝露阻劑材料的能量密度。
在一些實施方式中，主控制器840耦合到帶電粒子束源控制器806，例如電子束源控制器，帶電粒子快門控制器804，例如電子束快門控制器，和帶電粒子束偏轉器控制器808，例如電子束偏轉控制器。在一些實施方式中，分析器模組830經由主控制器840從帶電粒子束源控制器806接收電子束資訊，例如電子束資訊814。在一些實施方式中，返回參看第1A圖和第1B圖，主控制器840和平台控制器802被包括在控制器135中，且帶電粒子快門控制器804和帶電粒子束偏轉器控制器808與快門偏轉器單元108一致。在一些實施方式中，帶電粒子束偏轉器控制器808包括透鏡控制器809，其用於控制聚焦透鏡106和109，並用於將電子束聚焦在晶圓上的阻劑材料上。
在一些實施方式中，電子束資訊814包括電子束的強度，例如由第1A圖的電子源102在半導體晶圓120上的阻劑材料上產生的電子束的強度。在一些實施方式中，電子束的強度，例如第1A圖的電子束134的強度，包括由電子 束傳送到阻劑材料的每單位面積能量。在一些實施方式中，從帶電粒子束源控制器806接收電子束的強度。在一些實施方式中，分析器模組830使用佈局圖案810和阻劑材料資訊820，以決定在晶圓上的阻劑材料的每個位置接收的、用以在晶圓上產生佈局圖案810的能量的量值。之後，分析器模組830使用電子束資訊814，以決定平台移動和電子束偏轉的編排812，以在晶圓上產生佈局圖案。在一些實施方式中，所決定的編排812包括用於平台控制器802、帶電粒子快門控制器804、帶電粒子束源控制器806、和帶電粒子束偏轉器控制器808的一組指令和指令的時序。在一些實施方式中，所決定的編排812包括決定電子束強度的設置，例如電子束的能量、在阻劑材料的每個位置打開或關閉電子束的持續時間、和電子束的軌跡，以在晶圓上產生佈局圖案810。在一些實施方式中並返回參看第5C圖，所決定的編排812藉由閾值能量級410限制傳送到每個直接地曝露的區域的電子束能量密度的量值。藉由限制傳送到每個直接地曝露的區域的電子束能量密度的量，在產生的佈局圖案中維持了關鍵尺寸均勻性，並且限制了相鄰區域的間接曝露。在一些實施方式中，電子束能量密度417的量值以略高於包絡線425來限制，包絡線425其比閾值能量級410高約1%到約10%，例如5%。在一些實施方式中並且參看第7C圖，電子束能量密度717在區域216的中間部分中由包絡線725限制，包絡線725與第5C圖的包絡線425一致。如所討論的，電子束能量密度717在區域216的邊緣部分處具有較高的包 絡線，其高於閾值能量級410約5百分比至50百分比，例如，20百分比。與當在區域216的邊緣部分處不使用較高的能量密度時相比，區域216的邊緣部分的較高的能量密度可能增加對比度，從而可以提供較低的線邊緣粗糙度和更好的關鍵尺寸均勻性。
在一些實施方式中，分析器模組830將決定的編排812發送到主控制器840，以根據決定的編排812來命令帶電粒子束源控制器806、帶電粒子快門控制器804、和帶電粒子束偏轉器控制器808。在一些實施方式中，除了帶電粒子束偏轉器控制器808之外，主控制器840亦耦合到平台控制器802，以移動平台，例如，第1A圖和第1B圖的平台110，並且除了偏轉電子束之外或代替偏轉電子束，平台控制器802移動平台，以平台上的晶圓上產生佈局圖案，晶圓例如在第1A圖和第1B圖的半導體晶圓120。在如第1B圖所示的一些實施方式中，束形成單元104產生多個電子束，並且帶電粒子束偏轉器控制器808控制多個射束，並且同時產生佈局圖案的多個位置，或者同時在晶圓上產生多個佈局圖案。
第9圖示出了根據本揭示內容的一些實施方式的示例性流程900的流程圖，此流程用於控制由電子束傳送到晶圓上的阻劑材料的能量的量值，以在晶圓上產生佈局圖案。在一些實施方式中，流程900由第8圖的控制系統800或第10A圖和第10B圖的電腦系統1000執行。在操作910中，獲得佈局圖案和阻劑材料資訊。阻劑材料資訊可包括阻 劑材料類型，包括正性阻劑材料或負性阻劑材料，和阻劑材料變得完全地曝露的所需的能量密度，例如每單位面積能量。在如上參看第8圖所述的一些實施方式中，控制系統800接收佈局圖案810和阻劑材料資訊820。在一些實施方式中，佈局圖案810和阻劑材料資訊820由分析器模組830接收。在一些實施方式中，如在第2A和第2B圖中所示，佈局圖案包括兩個或更多個特徵，例如暗條114和/或亮條116。
在操作920，決定間接地曝露到佈局圖案的第一特徵的第一能量密度。在一些實施方式中，返回第2A圖，第一特徵是密集區域113的中央暗條115。在一些實施方式中，當帶電粒子(例如第1A圖的電子束134或第1B圖的電子束134)將能量曝露到佈局圖案的其他特徵時，例如，密集區域113的其他暗條114，但不將能量曝露到中央暗條115時，決定(例如，計算或估計)第一能量密度。
在操作930，決定由帶電粒子束直接地曝露到第一特徵的第二能量密度。在一些實施方式中，當帶電粒子(例如第1A圖的電子束134)曝露能量到第一特徵(例如中央暗條115)時，決定(例如計算或估計)第二能量密度。
在操作940，將第一特徵的第一和第二能量密度的總和維持在最低閾值能量級，此閾值能量級完全地曝露了阻劑材料。在一些實施方式中，當佈局圖案的除第一特徵之外的一個或多個特徵直接地暴露於帶電粒子束能量時，間接地接收第一能量密度。在一些實施方式中，當佈局圖案的第一特徵直接地暴露於帶電粒子束能量時，直接地接收第二 能量密度。在一些實施方式中，藉由具有二或多個(例如5個)的電子束的第1B圖的多重射束電子束微影系統150，第一特徵的直接曝露和第一特徵的間接曝露同時地發生。在一些實施方式中，經由電子束微影系統，第一特徵的直接曝露和第一特徵的間接曝露相繼地發生，然而，經由直接和間接的曝露，結合了正性阻劑材料的降解或負性阻劑材料的強化。
在操作950，由帶電粒子束將第一特徵的全部曝露於第二能量密度。如以上所提及的，佈局圖案的第一特徵和佈局圖案的其他特徵可同時地曝露於帶電粒子束。
第10A圖和第10B圖繪示了根據本揭示內容的一些實施方式的一種裝置，用於控制由電子束傳送到晶圓上的阻劑材料的能量的量值，以在晶圓上產生佈局圖案。在一些實施方式中，電腦系統1000用於執行第8圖的模組的功能，包括主控制器840、分析器模組830、平台控制器802、帶電粒子快門控制器804、帶電粒子束源控制器806、和帶電粒子束偏轉器控制器808。在一些實施方式中，電腦系統1000用於執行第9圖的流程900。在一些實施方式中，電腦系統1000用於執行第1A圖和第1B圖的控制器135的功能。如以上所提及的，由電子束傳送到阻劑材料上的第一區域的能量的量值，例如能量密度，包括由電子束的直接曝露到阻劑材料的一或多個曝露區域的第一區域所傳送的能量的量值。此外，由電子束傳送到第一區域的能量的量值包括由間接曝露傳送的能量的量值，使得由其他的曝露的區域的 直接曝露和來自其他曝露的區域的電子束的散射產生了間接曝露。在一些實施例中，電腦系統1000藉由決定藉由直接曝露及間接曝露所傳送的電子束能量的量值來決定(例如模擬)傳送到第一區域的能量的總量值。此外，電腦系統1000可決定傳送到第一區域和其他曝露的區域的能量的總量值，以將傳送的總能量維持在閾值能量級。第10A圖是電腦系統的示意圖，此電腦系統執行用於控制由電子束傳送的能量的裝置的功能。前述實施方式的所有或部分流程、方法和/或操作，可使用電腦硬體及在其上執行的電腦程式來實現。在第10A圖中，電腦系統1000配備有電腦1001，電腦1001包括光碟唯讀記憶體(例如，CD-ROM或DVD-ROM)驅動器1005、和磁碟驅動器1006、鍵盤1002、滑鼠1003、和監視器1004。
第10A圖和第10B圖繪示根據本揭示內容的一些實施方式一設備，其用於控制由電子束傳送到阻劑材料的能量的量值。第10A圖是根據如上所述的一或更多個實施方式的控制由電子束傳送到阻劑材料的能量的量值的流程的電腦系統的示意圖。前述實施方式的所有或部分流程、方法和/或操作可藉由使用電腦硬體和在硬體上執行的電腦程式來實現。操作包括模擬帶電粒子束曝露到阻劑材料和模擬帶電粒子束快門和偏轉器。在第10A圖中，電腦系統1000配備有電腦1001、鍵盤1002、滑鼠1003、和監視器1004，電腦1001包括光碟唯讀記憶體(例如，CD-ROM或DVD-ROM)驅動器1005、磁碟驅動器1006。
第10B圖示出了電腦系統1000的內部配置的圖。在第10B圖中，除了光碟驅動器1005和磁碟驅動器1006之外，電腦1001亦配備有一或更多個處理器1011，如微處理單元(micro processing unit；MPU)、其中儲存有諸如引導程式的程式的唯讀記憶體(read-only memory；ROM)1012、連接到MPU 1011且其中臨時儲存應用程式的命令並提供臨時儲存區域的隨機存取記憶體(random access memory，RAM)1013、儲存應用程式、系統程式和資料的硬碟1014，以及連接MPU 1011、唯讀記憶體1012等的匯流排1015。應注意，電腦1001可包括用於提供到局域網路(LAN)的連接的網卡(圖未示)。
在前述實施方式中，用於使電腦系統1000執行控制系統的功能以控制由電子束傳送至阻劑材料的能量的程式可儲存在光碟1021或磁碟1022中，光碟1021或磁碟1022被插入光碟驅動器1005或磁碟驅動器1006中，並被傳輸到硬碟1014。或者，程式可藉由網路(圖未示)傳輸至電腦1001，並儲存在硬碟1014中。在執行時，程式被載入到RAM 1013中。程式可從光碟1021或磁碟1022載入，或者直接從網路載入。在前述實施方式中，程式不必包括例如作業系統(operating system，OS)或第三方程式來使電腦1001執行控制系統的功能，以用於控制由電子束傳送到阻劑材料的能量的量值。此程式可僅包括命令部分，以在受控模式下調用適當的功能(模組)並獲得期望的結果。
如上所述，當在阻劑材料中產生佈局圖案時，上述實施方式可在佈局圖案的密集區域的特徵與佈局圖案的分散區域的特徵之間產生佈局圖案的均勻的關鍵尺寸。此外，減少了密集區域的完全地曝露的特徵和分散區域的完全地曝露的特徵之曝露的區域到相鄰區域的延伸。
根據本揭示內容的一些實施方式，在阻劑材料上產生佈局圖案的方法，包含：當由帶電粒子束直接曝露在能量敏感的材料中的佈局圖案的一或多個特徵時，決定第一能量密度，第一能量密度間接地曝露到能量敏感的材料上的佈局圖案的所述一或多個特徵中的第一特徵。此方法更包括，當由帶電粒子束直接地曝露第一特徵時，調整曝露到第一特徵的第二能量密度，使得由第一特徵接收的總能量密度是來自間接曝露的第一能量密度和來自直接曝露的第二能量密度。並且將總能量密度維持在大約閾值能量級，以完全地曝露在能量敏感的材料中的第一特徵。在一實施方式中，在決定第一能量密度之前，獲得佈局圖案，此佈局圖案具有在一工件上的能量敏感的材料中將要產生的一或多個特徵。在一實施方式中，第一特徵包含一寬度、一長度、和被一邊緣區域所圍繞的一內部區域。此方法更包含：由帶電粒子束將佈局圖案的第一特徵的內部區域直接地曝露於第二能量密度，以及由帶電粒子束將佈局圖案的第一特徵的邊緣區域直接地曝露於大於第二能量密度的一電子密度。在一實施方式中，邊緣區域的寬度介在0.5奈米至50奈米之間。此方法更包含：在調整第二能量密度之前，獲得能量敏感的材 料的資訊，並且基於能量敏感的材料的所述資訊，將第一特徵的內部區域的總能量密度維持在閾值能量級，以完全地曝露能量敏感的材料。閾值能量級是完全地曝露第一特徵的內部區域的能量敏感的材料的最低的能量密度。此方法也包括用大於第二能量密度的1百分比至1000百分比之間的電子密度來直接曝露第一特徵的邊緣區域。在一實施方式中，佈局圖案的所述一或多個特徵包含至少兩個特徵。此方法更包含：經由將在佈局圖案的所述至少兩個特徵的內部區域內的總能量密度保持在一相同的能量級，來維持介在佈局圖案的所述至少兩個特徵之間的關鍵尺寸(CD)的均勻性，或經由將所述至少兩個特徵的總能量密度維持在大約閾值能量級，來減少佈局圖案的所述至少兩個特徵的在關鍵尺寸上的變化。在一實施方式中，決定第一能量密度更包含：從帶電粒子束在所述一或多個特徵中的直接曝露的一散射中，接收第一能量密度。在一實施方式中，能量敏感的材料是負性能量敏感的材料。此方法更包含：將在能量敏感的材料中的佈局圖案的所述兩個或多個特徵曝露於閾值能量級，以完全地曝露負性能量敏感的材料；以及施加顯影劑，以溶解和移除能量敏感的材料的未曝露的區域。在一實施方式中，能量敏感的材料是正性能量敏感的材料。此方法也包括：將在能量敏感的材料中的佈局圖案的所述兩個或多個特徵曝露於閾值能量級，以完全地曝露正性能量敏感的材料；以及施加顯影劑，以溶解和移除佈局圖案的所述兩個或多個特徵。在一實施方式中，此方法也包括：決定用於打開和關閉帶電粒子 束的一或多個時序(timging)；以及決定帶電粒子束的一或多個偏轉角，以將第一特徵曝露於第二能量密度。在一實施方式中，更包含：經由調整由帶電粒子束直接地傳送到第一特徵的一能量，來調整第二能量密度，和將傳送到第一特徵的第一能量密度和第二能量密度的總和維持在大約閾值能量級。在一實施方式中，更包含：調整由帶電粒子束間接地傳送到佈局圖案的所述一或多個特徵的第一能量密度；調整由帶電粒子束直接地傳送到佈局圖案的所述一或多個特徵的第二能量密度；以及對於每個特徵，將間接地傳送的第一能量密度和直接地傳送的第二能量密度的總和維持在大約閾值能量級。在一實施方式中，此方法更包括：調整由該帶電粒子束直接地傳送到所述一或多個特徵的能量，藉由：調整帶電粒子束強度；以及調整帶電粒子束曝露時間。
根據本揭示內容的一些實施方式，一種產生佈局圖案的方法，包含：獲得佈局圖案，佈圖案包含在一工件上的能量敏感的材料上將要產生的一或多個特徵；獲得能量敏感的材料的資訊。此方法包括當由一帶電粒子束間接地曝露在該能量敏感的材料中的佈局圖案的所述一或多個特徵時，決定第一能量密度，此第一能量密度間接地曝露到在能量敏感的材料中的佈局圖案的所述一或多個特徵中的第一特徵。此方法更包括當由帶電粒子束直接地曝露第一特徵時，決定第一特徵的第二能量密度。維持第一特徵的總能量密度在大約閾值能量級，此總能量密度是來自間接曝露的第一能量密度和來自直接曝露的第二能量密度的總和，閾值能 量級是基於能量敏感的材料的所述資訊，為完全地曝露能量敏感的材料的最低的能量密度。此方法更包括經由帶電粒子束將佈局圖案的第一特徵直接地曝露於第二能量密度。在一實施方式中，更包含：經由調整由帶電粒子束直接地傳送到所述一或多個特徵的一能量，來調整第一能量密度；經由調整由帶電粒子束直接地傳送到第一特徵的一能量，來調整第二能量密度；以及將傳送到第一特徵的第一能量密度和第二能量密度的總和維持在大約閾值能量級。在一實施方式中，更包含：調整由帶電粒子束間接地傳送到佈局圖案的所述一或多個特徵的第一能量密度；調整由帶電粒子束直接地傳送到佈局圖案的所述一或多個特徵的第二能量密度；以及對於每個特徵，將間接地傳送的第一能量密度和直接地傳送的第二能量密度的總和維持在大約閾值能量級。
根據本揭示內容的一些實施方式，一種用於在能量敏感的材料上產生佈局圖案的控制系統，包含：主控制器，和一分析器模組，此分析器模組耦合到主控制器。分析器模組為接收佈局圖案，此佈局圖案包姑一或多個特徵和能量敏感的材料的資訊，由帶電粒子束在一工件上的能量敏感的材料內產生佈局圖案。當由帶電粒子束直接地曝露在該能量敏感的材料中的佈局圖案的一或多個特徵時，分析器模組決定第一能量密度，此第一能量密度間接地曝露到在能量敏感的材料中的佈局圖案的一或多個特徵中的一第一特徵。當由帶電粒子束直接曝露第一特徵時，調整第一特徵的第二能量密度。其中第一特徵的總能量密度是來自間接曝露的第一 能量密度和來自直接曝露的第二能量密度的總和。總能量密度維持在大約閾值能量級，閾值能量級是完全地曝露能量敏感的材料的最低的能量密度。分析器模組也產生一組的指令，其包含一或多個時序和一或多個偏轉角，以供該主控制器控制帶電粒子束，以將佈局圖案的第一特徵直接地曝露於第二能量密度。在一實施方式中，控制系統更包含：帶電粒子束快門控制器，其耦合到主控制器，並且經由從主控器接收的這組指令來打開或關閉一或多個帶電粒子束；和帶電粒子束偏轉器控制器，其耦合到主控制器，且經由從主控制器接收的這組指令來偏轉所述一或多個帶電粒子束的方向。經由打開和關閉所述一或多個帶電粒子束並經由偏轉所述一或多個帶電粒子束的方向，在能量敏感的材料中產生佈局圖案。在一實施方式中，控制系統更包含：平台控制器，其耦合到主控制器，且移動工件的平台。經由打開和關閉所述一或多個帶電粒子束和經由偏轉所述一或多個帶電粒子束的方向，和/或經由移動平台，在能量敏感的材料中產生佈局圖案。在一實施方式中，控制系統更包括：一帶電粒子束源控制器，其耦合到主控制器，並設定一或多個帶電粒子束的強度，帶電粒子束的強度是能量的量值，能量的量值是由帶電粒子束傳送到在能量敏感的材料上以在能量敏感的材料上產生一能量密度。在一實施方式中，控制系統將佈局圖案的一或多個特徵的一關鍵尺寸(CD)維持為一特定的寬度，此特定的寬度在約0.1奈米至約1000奈米的範圍內。
本揭示內容的一些實施方式提供了一種產生一佈局圖案的方法，包含：當由一帶電粒子束直接地曝露在一能量敏感的材料中的一佈局圖案的一或多個特徵時，決定一第一能量密度，該第一能量密度間接地曝露到該能量敏感的材料上的該佈局圖案的所述一或多個特徵中的一第一特徵；以及當由該帶電粒子束直接地曝露該第一特徵時，調整曝露到該第一特徵的一第二能量密度，使得由該第一特徵接收的一總能量密度是來自間接曝露的該第一能量密度和來自直接曝露的該第二能量密度，並且將該總能量密度維持在大約一閾值能量級，以完全地曝露在該能量敏感的材料中的該第一特徵。
在一些實施方式中，更包含：在決定該第一能量密度之前，獲得該佈局圖案，該佈局圖案具有在一工件上的該能量敏感的材料中將要產生的所述一或多個特徵。
在一些實施方式中，其中該第一特徵包含一寬度、一長度、和被一邊緣區域所圍繞的一內部區域，該方法更包含：由該帶電粒子束，將該佈局圖案的該第一特徵的該內部區域直接地曝露於該第二能量密度；以及由該帶電粒子束，將該佈局圖案的該第一特徵的該邊緣區域直接地曝露於大於該第二能量密度的一電子密度。
在一些實施方式中，其中該邊緣區域的一寬度介在0.5奈米至50奈米之間，該方法更包含：在調整該第二能量密度之前，獲得該能量敏感的材料的資訊；基於該能量 敏感的材料的所述資訊，將該第一特徵的該內部區域的該總能量密度維持在該閾值能量級，以完全地曝露該能量敏感的材料，其中該閾值能量級是完全地曝露該第一特徵的該內部區域的該能量敏感的材料的一最低的能量密度。用大於該第二能量密度的1百分比至1000百分比之間的該電子密度來直接曝露該第一特徵的該邊緣區域。
在一些實施方式中，其中該佈局圖案的所述一或多個特徵包含至少兩個特徵，該方法更包含：經由將在該佈局圖案的所述至少兩個特徵的該內部區域內的I該總能量密度維持在一相同的能量級，來維持介在該佈局圖案的所述至少兩個特徵之間的關鍵尺寸(CD)的均勻性；或經由將所述至少兩個特徵的該總能量密度維持在大約該閾值能量級，來減少該佈局圖案的所述至少兩個特徵的在所述關鍵尺寸上的變化。
在一些實施方式中，其中決定該第一能量密度更包含：從該帶電粒子束在所述一或多個特徵中的該直接曝露的一散射中，接收該第一能量密度。
在一些實施方式中，其中該能量敏感的材料是一負性能量敏感的材料，更包含：將在該能量敏感的材料中的該佈局圖案的所述兩個或多個特徵曝露於該閾值能量級，以完全地曝露該負性能量敏感的材料；以及施加一顯影劑，以溶解和移除該能量敏感的材料的未曝露的區域。
在一些實施方式中，其中該能量敏感的材料是一正性能量敏感的材料，更包含：將在該能量敏感的材料中 的該佈局圖案的所述兩個或多個特徵曝露於該閾值能量級，以完全地曝露該正性能量敏感的材料；以及施加一顯影劑，以溶解和移除該佈局圖案的所述兩個或多個特徵。
在一些實施方式中，更包含：決定用於打開和關閉該帶電粒子束的一或多個時序(timings)；以及決定該帶電粒子束的一或多個偏轉角，以將該第一特徵曝露於該第二能量密度。
在一些實施方式中，更包含：經由調整由該帶電粒子束直接地傳送到所述一或多個特徵的一能量，來調整該第一能量密度；經由調整由該帶電粒子束直接地傳送到該第一特徵的一能量，來調整該第二能量密度；將傳送到該第一特徵的該第一能量密度和該第二能量密度的一總和維持在大約該閾值能量級。
在一些實施方式中，更包含：調整由該帶電粒子束間接地傳送到該佈局圖案的所述一或多個特徵的該第一能量密度；調整由該帶電粒子束直接地傳送到該佈局圖案的所述一或多個特徵的該第二能量密度；以及對於每個特徵，將間接地傳送的該第一能量密度和直接地傳送的該第二能量密度的一總和維持在大約該閾值能量級。
在一些實施方式中，更包含：調整由該帶電粒子束直接地傳送到所述一或多個特徵的該能量，藉由：調整一帶電粒子束強度；以及調整一帶電粒子束曝露時間。
本揭示內容的一些實施方式提供了一種產生一佈局圖案的方法，包含：獲得一佈局圖案，其包含在一工件 上的一能量敏感的材料上將要產生的一或多個特徵；獲得該能量敏感的材料的資訊；當由一帶電粒子束間接地曝露在該能量敏感的材料中的該佈局圖案的所述一或多個特徵時，決定一第一能量密度，該第一能量密度間接地曝露到在該能量敏感的材料中的該佈局圖案的所述一或多個特徵中的一第一特徵；當由該帶電粒子束直接地曝露該第一特徵時，決定該第一特徵的一第二能量密度；維持該第一特徵的一總能量密度在大約一閾值能量級，該總能量密度是來自間接曝露的該第一能量密度和來自直接曝露的該第二能量密度的一總和，該閾值能量級是基於該能量敏感的材料的所述資訊，為完全地曝露該能量敏感的材料的一最低的能量密度；以及經由該帶電粒子束將該佈局圖案的該第一特徵直接地曝露於該第二能量密度。
在一些實施方式中，更包含：經由調整由該帶電粒子束直接地傳送到所述一或多個特徵的一能量，來調整該第一能量密度；經由調整由該帶電粒子束直接地傳送到該第一特徵的一能量，來調整該第二能量密度；以及將傳送到該第一特徵的該第一能量密度和該第二能量密度的該總和維持在大約該閾值能量級。
在一些實施方式中，更包含：調整由該帶電粒子束間接地傳送到該佈局圖案的所述一或多個特徵的該第一能量密度；調整由該帶電粒子束直接地傳送到該佈局圖案的所述一或多個特徵的該第二能量密度；以及對於每個特 徵，將間接地傳送的該第一能量密度和直接地傳送的該第二能量密度的一總和維持在大約該閾值能量級。
本揭示內容的一些實施方式提供了一種用於在一能量敏感的材料上產生一佈局圖案的控制系統，包含：主控制器和一分析器模組。分析器模組耦合到該主控制器，其中該分析器模組配置為接收一佈局圖案，該佈局圖案包含一或多個特徵和該能量敏感的材料的資訊，其中由一帶電粒子束在一工件上的該能量敏感的材料內產生該佈局圖案，並且其中該分析器模組配置為：當由該帶電粒子束直接地曝露在該能量敏感的材料中的該佈局圖案的所述一或多個特徵時，決定一第一能量密度，該第一能量密度間接地曝露到在該能量敏感的材料中的該佈局圖案的所述一或多個特徵中的一第一特徵；當由該帶電粒子束直接曝露該第一特徵時，調整該第一特徵的一第二能量密度，其中該第一特徵的一總能量密度是來自間接曝露的該第一能量密度和來自直接曝露的該第二能量密度的一總和，並且該總能量密度維持在大約一閾值能量級，該閾值能量級是完全地曝露該能量敏感的材料的一最低的能量密度；以及產生一組的指令，其包含一或多個時序和一或多個偏轉角，以供該主控制器控制該帶電粒子束，以將該佈局圖案的該第一特徵直接地曝露於該第二能量密度。
在一些實施方式中，控制系統更包含：一帶電粒子束快門控制器，其耦合到該主控制器，並且配置為經由從該主控器接收的該組指令來打開或關閉一或多個帶電粒 子束；一帶電粒子束偏轉器控制器，其耦合到該主控制器，並配置為經由從該主控制器接收的該組指令來偏轉所述一或多個帶電粒子束的一方向；以及其中，經由打開和關閉所述一或多個帶電粒子束並經由偏轉所述一或多個帶電粒子束的該方向，在該能量敏感的材料中產生該佈局圖案。
在一些實施方式中，控制系統更包含：一平台控制器，其耦合到該主控制器，並配置為移動該工件的一平台，其中經由打開和關閉所述一或多個帶電粒子束和經由偏轉所述一或多個帶電粒子束的該方向，和/或經由移動該平台，在該能量敏感的材料中產生該佈局圖案。
在一些實施方式中，控制系統更包含：一帶電粒子束源控制器，其耦合到該主控制器並配置為設定一或多個帶電粒子束的一強度，其中一帶電粒子束的所述強度是一能量的量值，該能量的量值是由該帶電粒子束傳送到在該能量敏感的材料上以在該能量敏感的材料上產生一能量密度。
在一些實施方式中，在控制系統中該控制系統配置為將該佈局圖案的所述一或多個特徵的一關鍵尺寸(CD)維持為一特定的寬度，該特定的寬度在約0.1奈米至約1000奈米的範圍內。
前述內容概述數個實施方式或實施例的特徵，以使得熟習此技術者可理解本揭示內容的態樣。彼等熟習此技術者應理解，其可將本揭示內容用作設計或修飾其他製程與結構的基礎，以實現與本文介紹的實施方式或實施例相同的目的和/或達到相同的優點。彼等熟習此技術者亦應認識 到，這樣的均等構建不脫離本揭示內容的精神與範疇，並且他們可能在不脫離本揭示內容的精神和範疇的情況下，進行各種改變、替換、和變更。
100‧‧‧電子束微影術系統
102‧‧‧電子源
104‧‧‧束形成單元
106‧‧‧聚焦透鏡
108‧‧‧快門偏轉器單元
109‧‧‧聚焦透鏡
110‧‧‧平台
112‧‧‧佈局圖案
120‧‧‧半導體晶圓
130‧‧‧電子發射
132‧‧‧電子束
134‧‧‧電子束
135‧‧‧控制器

Claims (1)

  1. 一種產生一佈局圖案的方法，包含：
    當由一帶電粒子束直接地曝露在一能量敏感的材料中的一佈局圖案的一或多個特徵時，決定一第一能量密度，該第一能量密度間接地曝露到該能量敏感的材料上的該佈局圖案的所述一或多個特徵中的一第一特徵；以及
    當由該帶電粒子束直接地曝露該第一特徵時，調整曝露到該第一特徵的一第二能量密度，使得由該第一特徵接收的一總能量密度是來自間接曝露的該第一能量密度和來自直接曝露的該第二能量密度，並且將該總能量密度維持在大約一閾值能量級，以完全地曝露在該能量敏感的材料中的該第一特徵。
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