TWI577007B - 顯示面板及其製造方法 - Google Patents

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TWI577007B TW102106126A TW102106126A TWI577007B TW I577007 B TWI577007 B TW I577007B TW 102106126 A TW102106126 A TW 102106126A TW 102106126 A TW102106126 A TW 102106126A TW I577007 B TWI577007 B TW I577007B
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朴鎭宇
玄元植
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Description

顯示面板及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年8月31日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0096787號之優先權及效益，其全部內容係於此併入作為參考。
所描述之技術大致係有關於一種設備及其製造方法，更特別的是，係有關於一種顯示面板及其製造方法。
有機發光顯示裝置包含正電極、負電極以及形成在正電極與負電極之間的有機發光層，電子與電洞係在有機發光層中再結合而藉此發光。
而且，有機發光顯示器可包含含有顯示面板以如上所述發光之自發光顯示設備。此自發光顯示面板由於有寬廣視角、快速反應速度、低電力消耗、以及輕薄優點，可具有作為顯示裝置的極好的特性。
另外，用於顯示全部色彩的顯示面板可為了從例如紅色像素、綠色像素與藍色像素之每一不同顏色像素之有機發光層射出波長之光學長度的變化使用光學共振結構。
本實施例係提供一種能夠避免氧氣與濕氣滲透並延長使用壽命的顯示面板及其製造方法。
一些實施例提供一種顯示面板，其包含具有複數個發光區以及敞開以連接相鄰的發光區的連接區的非發光區層；形成於該複數個發光區各個中的有機發光層；形成於發光區與連接區中的對電極；以及形成在對電極上的封裝層。
在一些實施例中，對電極可包含個別地形成在有機發光層上的複數個第一對電極；以及形成在連接區中的第二對電極。
在一些實施例中，封裝層可用低液相線溫度材料形成。
在一些實施例中，低液相線溫度材料可包含錫氟磷酸玻璃、摻雜鎢的錫氟磷酸玻璃、硫系玻璃、碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃與磷酸鹽玻璃的至少一種。
在一些實施例中，錫氟磷酸玻璃可包含20至80重量%的錫(Sn)、2至20重量%的磷(P)、3至20重量%的氧(O)以及10至36重量%的氟(F)。
在一些實施例中，封裝層可具有等於或少於200℃的熔點。在一些實施例中，封裝層可具有在約150℃至約200℃範圍中的熔點。
一些實施例提供一種顯示面板的製造方法，該方法包含形成具有複數個發光區以及敞開以連接相鄰的發光區之連接區的非發光區層；在未形成複數個發光區與連接區的非發光區層上形成封裝層之第二 步驟；在每一發光區中形成有機發光層之第三步驟；以及在發光區與連接區中形成對電極並融化封裝層以密封對電極之第四步驟。
在一些實施例中，第二步驟可包含形成用於阻隔發光區與連接區的光罩之步驟；以及使用光罩圖案化在非發光區層上的封裝層之步驟。
在一些實施例中，封裝層可形成在非發光區層之至少一部分上。
在一些實施例中，第四步驟可包含將非發光區層、封裝層、有機發光層相對於地面傾斜特定角度之步驟。
在一些實施例中，第四步驟可包含以等於或少於200℃的溫度融化封裝層之步驟。
在一些實施例中，對電極可包含個別地形成在有機發光層上的複數個第一對電極；以及用於連接複數個第一對電極的第二對電極。
在一些實施例中，封裝層可用低液相線溫度材料形成。
在一些實施例中，低液相線溫度材料可包含錫氟磷酸玻璃、摻雜鎢的錫氟磷酸玻璃、硫系玻璃、碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃與磷酸鹽玻璃的至少一種。
在一些實施例中，錫氟磷酸玻璃可包含20至80重量%的錫(Sn)、2至20重量%的磷(P)、3至20重量%的氧(O)、以及10至36重量%的氟(F)。
10‧‧‧基板
100‧‧‧非發光區層
100a‧‧‧發光區
100b‧‧‧連接區
110‧‧‧緩衝層
120‧‧‧半導體層
121‧‧‧主動層
121a‧‧‧源極區
121b‧‧‧汲極區
121c‧‧‧通道區
122‧‧‧第一電極
130‧‧‧第一絕緣層
140‧‧‧第一透明導電層
141‧‧‧基底層
143‧‧‧閘極電極
145‧‧‧電容之第二電極
150‧‧‧第一金屬層
150a、150b、150c‧‧‧金屬層
151‧‧‧基底層
151a‧‧‧第一金屬層
153‧‧‧閘極電極
155‧‧‧電容之第二電極
160‧‧‧第二絕緣層
170‧‧‧第三絕緣層
190‧‧‧第二金屬層
191‧‧‧源極電極
193‧‧‧汲極電極
1000‧‧‧顯示面板
200‧‧‧有機發光層
300‧‧‧對電極
310‧‧‧第一對電極
330‧‧‧第二對電極
400‧‧‧封裝層
M1‧‧‧第一光罩
M11、M21、M31、M41、M51‧‧‧光阻隔部
M12、M22、M32、M42、M52‧‧‧透光部
M2‧‧‧第二光罩
M3‧‧‧第三光罩
M4‧‧‧第四光罩
M5‧‧‧第五光罩
P1‧‧‧第一光阻
P2‧‧‧第二光阻
P3‧‧‧第三光阻
P4‧‧‧第四光阻
H1、H2、H3、H4、H5‧‧‧接觸孔
將藉由參考附圖詳細描述例示性實施例使本實施例之以上及其他特性與優勢變成更清楚明顯，其中：第1圖係為根據本實施例的一態樣之顯示面板的剖面圖；以及第2圖至第18圖係為描述在第1圖中繪示之顯示面板的製造方法的圖表。
下文中，將藉由參考附圖詳細解釋實施例之態樣來描述本揭露。本發明可以許多不同形式實現而不應解釋為受本文所提到之實施例限制；相反地，提供此些實施例是為了使本說明書將徹底且完整，且將充分傳遞本發明之概念予本技術領域具有通常知識者。在此所用之用語的目的係為了描述特定實施例而非旨在限制本發明。當在此使用時，除非文中另行明確地表示，否則「一(a)」、「一(an)」、「此(the)」等單數型式亦旨在包含複數型式。應理解的是，當用語“包含(comprises)”及/或“包含(comprising)，”用於說明書中時，係指明所述特性、整數、步驟、操作、元件及/或構件的存在，但是不排除一個或更多之其他特性、整數、步驟、操作、元件、構件及/或及其群組的存在或增添。應理解的是，雖然在此可能使用第一、第二、第三，等等用語來描述不同之元件、構件、區域、層及/或部分，但是這些元件、構件、區域、層及/或部分不應被這些用語所限制。這些用語僅用於分辨一元件、構件、區域、層或部分與另一元件、構件、層或另一部分。
當在此使用時，“及/或”之用語包含相關聯的所列項目之一或多個之任意或所有的結合。當表述如「至少一個(at least one of)」前綴於元件列表時，係修飾整個元件列表而非修飾列表中之個別元件。
第1圖係為根據實施例之顯示面板1000之的剖面圖。
請參閱第1圖，顯示面板1000可包含複數個發光區100a形於其中之非發光區層100。在一些實施例中，非發光區層100可包含敞開(open)以連接發光區100a的連接區(圖中未顯示)。特別地，連接區可形成為非發光區層100中的凹槽。
在一些實施例中，顯示面板1000可包含在每一發光區100a中形成的有機發光層200。
在一些實施例中，顯示面板1000可包含形成在非發光區層100上以連接相鄰的發光區100a的對電極300。在一些實施例中，對電極300可包含個別地形成在有機發光層200上的複數個第一對電極310、以及形成在連接區中的第二對電極330。以下將詳細描述第一對電極310與第二對電極330。
在一些實施例中，第二對電極330可形成在非發光區層100中未形成發光區的連接區中。在一些實施例中，第二對電極330可連接發光區100a中形成的第一對電極310。
在一些實施例中，顯示面板1000可包含形成在對電極300上的封裝層400。在一些實施例中，封裝層400可圖案化並僅貼合在未形成對電極300的部分上，然後可藉由加熱融化以覆蓋對電極300。在一些 實施例中，封裝層400可形成在非發光區層100中未形成發光區100a與連接區的部分上。
在一些實施例中，封裝層400可用低液相線溫度(low liquidus temperature,LLT)的材料形成。在一些實施例中，封裝層400可包含錫氟磷酸玻璃(tin fluorophosphates glass)、摻雜鎢的錫氟磷酸玻璃、硫系玻璃(chalcogenide glass)、碲酸鹽玻璃(tellurite glass)、硼酸鹽玻璃(borate glass)以及磷酸鹽玻璃(phosphate glass)。
在一些實施例中，錫氟磷酸玻璃可包含20至80重量%的錫(Sn)、2至20重量%的磷(P)、3至20重量%的氧(O)、以及10至36重量%的氟(F)。
在一些實施例中，封裝層400可具有等於或少於200℃的熔點。因此，如果封裝層400形成然後融化，可避免由於加熱而對顯示面板1000之構件之損害。
現在將詳細描述顯示面板1000的製造方法。
第2圖至第18圖係為描述在第1圖中繪示之顯示面板的製造方法的圖表。
請參閱第2圖至第18圖，為了製造顯示面板1000，首先可形成非發光區層100。在一些實施例中，緩衝層110與半導體層120可依序地形成在基板10上。
請參閱第2圖，基板10可用含有二氧化矽(SiO2)作為主要成分的透明玻璃材料來形成。在一些實施例中，含有例如二氧化矽及/或氮 化矽(SiNx)的緩衝層110可形成在基板上10以平坦化基板10並防止不純物質之滲透。
在一些實施例中，緩衝層110與半導體層120可使用各種氣相沉積方法來進行氣相沉積，例如電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、常壓化學氣相沉積(APCVD)以及低壓化學氣相沉積(LPCVD)。
在一些實施例中，半導體層120可氣相沉積在緩衝層110上。在一些實施例中，半導體層120可用非晶矽或多晶矽形成。在一些實施例中，多晶矽可透過結晶化非晶矽來形成。結晶化非晶矽的方法包含各種方法，例如快速熱退火法(RTA)、固相結晶(SPC)、準分子雷射退火(ELA)、金屬誘發結晶法(metal induced crystallization,MIC)、金屬誘發側向結晶法(metal induced lateral crystallization,MILC)以及連續側向結晶法(sequential lateral solidification,SLS)。
請參閱第3圖，第一光阻P1係塗佈在半導體層120上，而第一光罩製程係使用含有光阻隔部M11與透光部M12的第一光罩M1來執行。
雖然未顯示在第3圖中，在第一光罩製程之一些實施例中，第一光罩M1可使用曝光裝置(圖中未顯示)而暴露於光下，然後執行一連串製程例如顯影、蝕刻、以及剝離或灰化。
請參閱第4圖，第一光罩製程之結果，半導體層120形成為薄膜電晶體(TFT)之主動層121。在一些實施例中，半導體層120係圖案化為電容之第一電極122，其與主動層121以相同材料形成並與主動層121形成在相同層。
在一些實施例中，蝕刻方法不限於蝕刻對應於第3圖與第4圖所示之透光部M12之部分的正光刻(positive lithography)，亦可使用蝕刻對應於光阻隔部M11之部分的負光刻(negative lithography)。上述原则亦可應用於下列製程。
在一些實施例中，如第5圖所繪示，第一絕緣層130、第一透明導電層140以及第一金屬層150係依序地堆疊在第4圖之結構上。
在一些實施例中，第一絕緣層130可包含二氧化矽、氮化矽等等之單層或多層，且作為薄膜電晶體之閘極絕緣層以及電容之介電層。
在一些實施例中，第一透明導電層140可包含選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)與氧化鋁鋅(AZO)所組成群組中的至少一種材料。
在一些實施例中，第一金屬層150可包含選自鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)與銅(Cu)所組成群組中的至少一種金屬。在一些實施例中，在第5圖所示之第一金屬層150可包含鋁。
在一些實施例中，第一金屬層150可包含複數個金屬層150a、150b與150c。在一些實施例中，鋁可用於在中間形成金屬層150b而鉬係用於形成在頂部與底部的金屬層150a與150c，從而形成鉬/鋁/鉬之三層結構。然而，第一金屬層150並不因此受限制，而可使用各種材料與各種層來形成。
請參閱第6圖，第二光阻P2可塗佈在第一金屬層150上，而第二光罩製程係使用含有光阻隔部M21與透光部M22第二光罩M2來執行。
第二光罩製程之結果，如第7圖所繪示，第一透明導電層140與第一金屬層150係分别地圖案化成像素電極之基底層141與151、薄膜電晶體之閘極電極143與153、以及電容之第二電極145與155。
在一些實施例中，請參閱第8圖，主動層121可藉使用因第二光罩製程而形成的閘極電極143與153作為自我對準式光罩，以摻雜離子雜質。其結果是，主動層121包含摻雜有離子雜質的源極區121a與汲極區121b、以及位於兩者之間的通道區121c。在一些實施例中，可不使用額外光罩，而是使用閘極電極143與153作為自我對準式光罩來形成源極區121a與汲極區121b。
在一些實施例中，如第9圖所繪示，第二絕緣層160與第三光阻P3係塗佈在第二光罩製程形成結果的結構上，而第三光罩製程係使用含有光阻隔部M31與透光部M32的第三光罩M3來執行。
請參閱第10圖，在一些實施例中，第三光罩製程之結果，用於暴露像素電極之基底層141與151的第一開口H1、用於暴露薄膜電晶體之源極區121a與汲極區121b的接觸孔H3與H4、以及用於暴露電容之第二電極145與155的第二開口H5形成在第二絕緣層160中。
在一些實施例中，穿透第二絕緣層160的穿透孔H2亦可在第三光罩製程中形成於第一開口H1與接觸孔H3與H4之間。
在一些實施例中，參閱第11圖，第二金屬層190與第四光阻P4係形成在第10圖之結構上，而第四光罩製程可使用含有光阻隔部M41與透光部M42的第四光罩M4來執行。
在一些實施例中，第二金屬層190可包含選自鋁、鉑、鈀、銀、鎂、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢與銅所組成群組中的至少一種金屬。在一些實施例中，第11圖所示之第二金屬層190可包含鋁。
在一些包含第四光罩製程的實施例中，第二金屬層190之一部分以及可與第二金屬層190用相同材料形成的像素電極之第一金屬層151之一部分在第一開口H1中一起被蝕刻，可暴露出像素電極之第一透明導電層141。在一些實施例中，在第二開口H5中的第二金屬層190之一部分與電容之第二電極155可被一起蝕刻。
在一些實施例中，形成在穿透孔H2以及在第二絕緣層160之接觸孔H3與H4中的第二金屬層190之部分形成源極電極191與汲極電極193。
在一些實施例中，參閱第12圖，源極電極191與汲極電極193係填充在穿透孔H2與接觸孔H3與H4中。在一些實施例中，源極電極191接觸源極區121a以及維持在像素電極上之第一金屬層151a在第二絕緣層160下，而汲極電極193接觸汲極區121b。
之後，如第13圖所繪示，第三絕緣層170可形成在第12圖之結構上，而第五光罩製程可使用含有光阻隔部M51與透光部M52的第 五光罩M5來執行。在一些實施例中，第三絕緣層170可形成為有機絕緣層或無機絕緣層。
請參閱第14A圖與第14B圖，第五光罩製程之結果，像素定義層可形成在源極電極191與汲極電極193上、以及第一透明導電層141之邊緣上。像素定義層露出像素電極之第一透明導電層141。
在一些實施例中，如果像素定義層露出像素電極之第一透明導電層141，則可形成發光區100a。在一些實施例中，發光區100a可形成以部分地敞開。在此，除了100a外，亦可形成連接區100b。在一些實施例中，連接區100b可用與上述形成發光區100a的方法相似的方法來形成。
非發光區層100不限於上述方法而可使用各種方法來形成。例如，雖然在在上述中光罩數量係有限的，但非發光區層100可使用不同數量與不同形式之光罩來形成。
在一些實施例中，參閱第15圖至第17圖，如果發光區可如上所述形成，則封裝層400可形成在非發光區層100上。在一些實施例中，封裝層400可形成在形成複數個發光區100a與連接區100b之非發光區層100上。
請參閱第15A圖至第15C圖，與第1圖之關係如上所述，封裝層400可包含低液相線溫度材料且可在非發光區層100上圖案化。
在一些實施例中，封裝層400可藉使用光罩形成在非發光區層100上。在一些實施例中，當封裝層400形成時，光罩可覆蓋對電極300所形成之部分。
在一些實施例中，當封裝層400圖案化時，封裝層400可使用一般光刻製程來形成。因此，封裝層400可在未形成對電極300之非發光區層100上圖案化。在一些實施例中，封裝層400可形成在未形成發光區100a與連接區100b之非發光區層100上。
在一些實施例中，參閱第16A圖，封裝層400可以各種形式形成在非發光區層100上。在一些實施例中，封裝層400可以條狀形式形成在非發光區層100上。例如，封裝層400可形成在發光區100a之間。
在一些實施例中，參閱第17A圖，除了上述的形式，封裝層400可以島狀形式形成在非發光區層100上。例如，封裝層400可僅形成在發光區100a之間的部分區域上，而封裝層400之圖樣可以特定距離彼此相分隔。
在一些實施例中，參閱第15D圖、第15E圖、第16B圖與第17B圖，有機發光層200與對電極300形成在像素電極上方。在此情形中，有機發光層200可用低分子有機材料或高分子有機材料形成。
在一些實施例中，如果有機發光層200係以低分子有機材料形成，則有機發光層200可包含在中間層中(圖中未顯示)。在一些實施例中，中間層可形成在像素電極與發光區100a上。
作為中間層，相對於有機發光層200，電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)等等可朝向像素電極之方向堆疊，而電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等等係朝向對電極300之方向堆疊。
除了上述層之外，可根據需要而堆疊各種層。在此情形中，可使用各種有機材料例如銅酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯 基-聯苯胺(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine,NPB)、或者三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。
在一些實施例中，如果有機發光層200係以高分子有機材料形成，作為中間層，僅HTL可位在相對於有機發光層200朝向像素電極之方向。在一些實施例中，HTL可用聚-(2,4)-乙烯基-二氧噻吩(poly-(2,4)-ethylene-dihydroxythiophene,PEDOT)或聚苯胺(polyaniline,PANI)形成，並可使用噴墨印刷方法或旋轉塗佈方法形成。在此情形中，可使用聚對苯乙烯(poly-phenylenevinylene,PPV)系與聚芴(polyfluorene)系的高分子有機材料，而色彩圖樣可使用一般方法形成，例如噴墨印刷方法、旋轉塗佈方法或使用雷射之熱轉移印刷方法。
在一些實施例中，根據像素，含有有機發光層200的中間層可藉由變化有機發光層200之厚度或除了有機發光層200外之另一有機發光層(圖中未顯示)之厚度來實現光學共振結構。
下文中，為了說明方便，將代表性地詳細描述不形成中間層的代表性實施例。
在一些實施例中，對電極300可於有機發光層200如上所述形成之後氣相沉積在非發光區層100與發光區100a上以作為共同電極。在一些實施例中，如有關第1圖之描述，對電極300可包含形成在有機發光層200上的第一對電極310、以及形成在封裝層400之圖樣之間的第二對電極330。
在一些實施例中，如果對電極300係如上所述形成，則第一對電極310可形成在有機發光層200上，而第二對電極330可連接第一 對電極310。在一些實施例中，第一對電極310可形成在發光區100a中，而第二對電極330可形成在連接區100b中。在一些實施例中，第二對電極330可形成在未形成封裝層400非發光區層100上，以及連接區100b中。
在一些實施例中，參閱第15D圖，封裝層400如上所述形成之後，發光區100a與連接區100b可塗佈對電極300。在一些實施例中，如以上與第1圖有關的描述，對電極300可塗佈在連接區100b以連接相鄰的發光區100a。
在一些實施例中，參閱第16B圖，封裝層400可如以上關於第16A圖所述以條狀形式形成，然後可形成對電極300。在一些實施例中，對電極300可塗佈在未形成封裝層400之非發光區層100上。
在一些實施例中，對電極300可形成在發光區100a與連接區100b中，且亦可形成靠近未形成封裝層400的發光區100a。
在一些實施例中，對電極300可將相鄰的發光區100a中形成的第一對電極310連接至第二對電極330。在一些實施例中，形成於發光區100a中的第一對電極310可大於發光區100a，因此相鄰的第一對電極可彼此連接。
請參閱第17B圖，如果封裝層400係以島型之形式形成，對電極300亦可形成在未形成封裝層400的非發光區層100上。
在一些實施例中，第一對電極310連接至第二對電極330而形成對電極300，如上所述，在未形成封裝層400的非發光區層100上，相鄰的第一對電極310可彼此連接。
在一些實施例中，像素電極係用作為陽極而對電極300係用作為陰極，或者反過來使用亦可。
在一些實施例中，為了實現光學共振結構，對電極300可形成為含有反射性材料的反射電極，且可作為用以反射從有機發光層200發出之光的反射鏡。在一些實施例中，對電極300可包含選自鋁(Al)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)以及氟化鋰/(LiF/Al)組成群組中的至少一種材料。
在一些實施例中，參閱第15F圖、第16C圖、第17C圖以及第18圖，如果對電極300完全地如上所述形成，顯示面板1000可能會暴露在等於或少於200℃的環境下。在此情形中，如果顯示面板1000如上所述暴露，形成在對電極300上的封裝層400可能會融化。
在一些實施例中，如果顯示面板1000係相對於地面傾斜特定角度，則封裝層400可能會流向對電極300。在一些實施例中，當顯示面板1000係如上所述傾斜特定角度時，顯示面板1000可能會重複地水平地或垂直地旋轉。
在一些實施例中，如果顯示面板1000如上所述移動，封裝層400可能會覆蓋形成於發光區100a中的第一對電極310與第二對電極330之表面。
如果封裝層400係如上所述形成，在封裝層400形成以密封對電極300與有機發光層200之期間，可避免容易因加熱而受損的有機發光層200因為加熱而損壞。
在一些實施例中，在顯示面板1000的製造方法期間，電極300可被簡單地且快速地密封。在一些實施例中，因為使用低液相線溫度材料進行密封，所以可確保的對抗外部衝擊的高可靠性且可增加顯示面板1000之使用壽命。
一些實施例係提供可簡單地且快速密封的對電極。而且，因為使用低液相線溫度材料進行密封，所以可確保的對抗外部衝擊的高可靠性且可增加顯示面板1000之使用壽命。
雖然實施例已藉參考其例示性實施例而特別地顯示及描述，將為此技術領域中的通常知識者理解的是各種可能進行之形式與細節的改變皆未脫離下列的申請專利範圍定義的本實施例之精神與範圍。
100‧‧‧非發光區層
100a‧‧‧發光區
1000‧‧‧顯示面板
200‧‧‧有機發光層
300‧‧‧對電極
310‧‧‧第一對電極
330‧‧‧第二對電極
400‧‧‧封裝層

Claims (16)

  1. 一種顯示面板，包含：一非發光區層，係具有複數個發光區以及敞開以連接相鄰的該複數個發光區的一連接區；一有機發光層，係形成在該複數個發光區各個中；一對電極，係形成在該複數個發光區與該連接區中；以及一封裝層，係形成在該對電極上；其中該封裝層係不連續的且係以一低液相線溫度材料形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該對電極包含：複數個第一對電極，係個別地形成在複數個該有機發光層上；以及一第二對電極，係形成在該連接區中。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該封裝層係以一低液相線溫度材料形成。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示面板，其中該低液相線溫度材料包含一錫氟磷酸玻璃、一摻雜鎢的錫氟磷酸玻璃、一硫系玻璃、一碲酸鹽玻璃、一硼酸鹽玻璃或一磷酸鹽玻璃中的至少一種。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板，其中該低液相線溫度材料包含該錫氟磷酸玻璃，而該錫氟磷酸玻璃包含20至80重量%的錫、2至20重量%的磷、3至20重量%的氧、以及10至36重量%的氟。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該封裝層有等於或少於200℃的一熔點。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該複數個發光區係配置以部分地敞開。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該封裝層係為島型之形式。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該封裝層係為條狀之形式。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該對電極包含選自鋁、鎂、鋰、鈣、氟化鋰/鈣以及氟化鋰/鋁所組成群組中之至少一種。
  11. 一種顯示面板的製造方法，該方法包含：一第一步驟，形成具有複數個發光區以及敞開以連接相鄰的該複數個發光區的一連接區的一非發光區層；一第二步驟，在未形成該複數個發光區與該連接區的該非發光區層上形成一封裝層；一第三步驟，在該複數個發光區各個中形成一有機發光層；以及一第四步驟，在該複數個發光區與該連接區中形成一對電極，並融化該封裝層以密封該對電極；其中該第二步驟包含：形成用於阻隔該複數個發光區與該連接區的一光罩之一步驟；以及 使用該光罩圖案化該非發光區層上的該封裝層之一步驟；其中該第四步驟包含將該非發光區層、該封裝層以及該有機發光層相對於地面傾斜一特定角度之一步驟；其中該封裝層係不連續的且係以一低液相線溫度材料形成。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該封裝層係形成在該非發光區層之至少一部分上。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該第四步驟包含在等於或少於200℃之溫度下融化該封裝層之一步驟。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該對電極包含：複數個第一對電極，係個別地形成在複數個該有機發光層上；以及一第二對電極，係用於連接該複數個第一對電極。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該低液相線溫度材料包含一錫氟磷酸玻璃、一摻雜鎢的錫氟磷酸玻璃、一硫系玻璃、一碲酸鹽玻璃、一硼酸鹽玻璃與一磷酸鹽玻璃中的至少一種。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該錫氟磷酸玻璃包含20至80重量%的錫、2至20重量%的磷、3至20重量%的氧以及10至36重量%的氟。
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