TWI538190B - 有機發光顯示裝置以及其製造方法 - Google Patents

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柳春基
崔埈厚
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Description

有機發光顯示裝置以及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案依35 U.S.C.§119之規定主張稍早於西元2010年8月30日在韓國智慧財產局所申請的申請號為No.10-2010-0084178的優先權效益，其全部內容將完全併入後文參考。
本發明是有關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法，特別是一種具有簡單製造過程與優異顯示品質之有機發光顯示裝置及其製造方法。
有機發光顯示裝置是一種自行發射之顯示裝置，在其中一電壓係運用於一薄膜層，其包含一陽極、一陰極、以及一設置於陽極與陰極間之有機發射層，故電子及電洞在有機發射層重組以發射光束。
因其寬視角、快速回應速度、以及低能源消耗，並同時具有重量輕及體積小，有機發光顯示裝置被視為下一代的顯示裝置。
用以顯示全彩之有機發光顯示裝置係使用一種光學共振結構以變換每一不同像素之有機發射層，像是紅色、綠色、藍色像素所發射光束波長之光學長度。
本發明是有關於一種具有簡單製造過程與優異顯示品質之有機發光顯示裝置及其製造方法。
根據本發明之一態樣，一種有機發光顯示裝置係包含：一薄膜電晶體之一主動層，其係形成於一基板上；一閘極電極，其係形成於主動層活動與第一絕緣層上，且包含第一透明導電層及第一金屬層；源極電極與汲極電極，其係形成於閘極電極及第二絕緣層上，並且包含透過形成於第二絕緣層之一接觸孔洞以連結主動層之第二金屬層、形成於第二金屬層上之第三金屬層、以及形成於第三金屬層上之第二透明導電層；一像素電極，其係形成於第一絕緣傳導層上，並且包含第一透明導電層，第三金屬層以及第二透明導電層；一中介層，其係設置於像素電極上並且包含一有機發射層；以及一反向電極，其係設置以藉由插設中介層於像素電極與反向電極之間而面對像素電極。
第三金屬層可包含一反射材料。
反射材料可包含銀(Ag)。
每一第一透明導電層及第二透明導電層可包含至少選自由氧化銦錫(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、以及氧化鋁鋅(AZO)所組成之群組中至少其中之一。
每一第一金屬層及第二金屬層可包含複合金屬層。
第一金屬層及第二金屬層可包含相同材料。
第一金屬層及第二金屬層可包含鋁(Al)。
在像素電極中，第一透明導電層可具有刻蝕末端，刻蝕末端不同於第三金屬層及第二透明導電層之蝕末端。
第一金屬層可被設置於第一透明導電層之上表面上、第三金屬層之複數個邊表面上、像素電極之第二絕緣層之下方層表面上。
像素電極之第一透明導電層可透過穿透第一金屬層與第二絕緣層之通孔，連結至複數個源極電極與汲極電極其中之一。
有機發光顯示裝置可包含一電容，電容包含與主動層相同材料及形成於同一層之第一電極、以及一第二電極，第二電極係包含第一透明導電層且形成於第一絕緣層上。
電容之第二電極可更包含於第一透明導電層上之第三金屬層及第二透明導電層。
像素電極可為一傳輸反射鏡以部分傳輸與部分反射發射自有機發射層之光束。
反向電極可為一傳輸反射鏡以反射發射自有機發射層之光束。
有機發光顯示裝置可更包含一像素定義層，像素定義層係包圍像素電極之複數個邊緣，並且覆蓋源極電極與汲極電極。
根據本發明之另一態樣，一種製造有機發光顯示裝置之方法係包含：執行一第一遮罩製程，以於一基板上形成一半導體層，並且以形成圖樣於半導體層形成一薄膜電晶體之一主動層；執行一第二遮罩製程，以於主動層上形成一第一絕緣層、一第一透明導電層及一第一金屬層，並且由形成圖樣於第一透明導電層與第一金屬層形成一像素電極之基底層與薄膜電晶體之閘極電極；執行一第三遮罩製程，以於基底層與閘極電極上形成一第二絕緣層，並且藉由圖樣化第二絕緣層形成用以暴露基底層之第一透明導電層之第一孔道、以及用以暴露薄膜電晶體之源極區域與汲極區域之複數個接觸孔洞；執行一第四遮罩製程，以於第一孔道與複數個接觸孔洞中形成一第二金屬層，並且藉由形成圖樣化第二金屬層形成連接於源極區域與汲極區域之源極電極與汲極電極； 以及執行一第五遮罩製程，以於源極電極與汲極電極上形成一第三金屬層與一第二透明導電層，並且藉由圖樣化第三金屬層與第二透明導電層形成像素電極之上方層、以及源極電極與汲極電極之複數個覆蓋層。
該方法更可包含在執行第二遮罩製程後，使用閘極電極作為遮罩以摻雜離子雜質在源極區域與汲極區域之步驟。
第三遮罩製程可包含用以於第二絕緣層上形成第一孔道及複數個接觸孔洞之第一刻蝕程序、以及用以從被第一孔道所暴露之像素電極之基底層移除第一金屬層之第二刻蝕程序。
在第三遮罩製程中，可進一步形成穿透第二絕緣層及基底層之第一金屬層之通孔。
在第四遮罩製程中，源極電極及汲極電極可同時形成於複數個接觸孔洞與通孔中。
該方法可更包含在執行第五遮罩製程後，形成第四絕緣層以暴露像素電極之上方層、以及覆蓋源極與汲極電極之複數個覆蓋層之步驟。
第四絕緣可以一不使用遮罩製程而形成。
該方法可更包含：形成一中介層，其係包含一有機發射層，中介層係位於像素電極之上方層上；以及形成一相反層於中介層上。
第三金屬層可包含反射材料，且像素電極之上方層可為傳輸反射鏡，以部分傳輸與部分反射光束。
在第一遮罩製程中，電容之第一電極可以使用與主動層之相同材質並在同一層上形成，並且在第二遮罩製程中，電容之第二電極可以藉由圖樣化第一透明導電層而形成。
該方法可更包含在執行第三遮罩製程後，摻雜離子雜質於電容之第一電極上之步驟。
10‧‧‧基板
11‧‧‧緩衝層
114、115‧‧‧基底層
115a‧‧‧基底層的一部分
116a‧‧‧第一孔洞
116b‧‧‧通孔
118、119‧‧‧上方層
12‧‧‧半導體層
13‧‧‧第一絕緣層
14‧‧‧第一透明導電層
15‧‧‧第一金屬層
15a、15c‧‧‧鉬層
15b‧‧‧鋁層
16‧‧‧絕緣層
17‧‧‧第二金屬層
17a、17b、17c‧‧‧金屬層
18‧‧‧第三金屬層
19‧‧‧第二透明導電層
20‧‧‧第四絕緣層
21‧‧‧中介層
21a‧‧‧有機發射層
212‧‧‧主動層
212a‧‧‧源極區域
212b‧‧‧汲極區域
212c‧‧‧通道區域
214、215‧‧‧閘極電極
216a、216b‧‧‧接觸孔洞
217a‧‧‧源極電極
217b‧‧‧汲極電極
218a、218b、219a、219b‧‧‧覆蓋層
22‧‧‧反向電極
312‧‧‧第一電極
314、315‧‧‧第二電極
316‧‧‧第二孔洞
M1‧‧‧第一遮罩
M11、M21、M31、M41、M51‧‧‧光阻擋部分
M12、M22、M32、M42、M52‧‧‧光傳送部分
M2‧‧‧第二遮罩
M3‧‧‧第三遮罩
M4‧‧‧第四遮罩
M5‧‧‧第五遮罩
P1‧‧‧第一光阻
P2‧‧‧第二光阻
P3‧‧‧第三光阻
P4‧‧‧第四光阻
P5‧‧‧第五光阻
本發明之更完整評價及其許多伴隨的優點，當考慮關聯的附圖時，將由參照以下詳細的說明，顯而易見的變為更好理解，而相似的參考符號表示了相同或相似的元件，其中：第1至17圖 係為根據本發明一實施例之製造有機發光顯示器之方法之截面圖。第18圖 係為使用第1至17圖之方法所製造的有機發光顯示器之截面圖。
下文中，本發明藉由參照相關附圖說明依本發明實施例而詳細描述。
第1至第17圖係為根據本發明一實施例之製造有機發光顯示裝置方法之截面圖，且第18圖係為第1至第17圖中所描述方法所製造之有機發光顯示裝置之截面圖。
請參閱第1圖，緩衝層11與半導體層12係接續形成於基板10上。
基板10可由主要包含二氧化矽(SiO2)之透明玻璃材料形成，包含二氧化矽(SiO2)及/或氮化矽(SiNx)等之緩衝層11可額外形成於基板10之上，以平坦化基板10及避免不純元素的穿透。
緩衝層11與半導體層12可由各種沉積方式而沉積，例如電漿輔助化學氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、大氣壓化學氣相沉積法(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition，APCVD)、與低壓化學氣相沉積法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)。
半導體層12係沉積於緩衝層11上。半導體層12可由非晶矽或結晶矽(多晶矽)形成。在此情況下，結晶矽可由使用各種方法結晶非晶矽形成，例如快速退火法(Rapid Thermal Annealing，RTA)、固相結晶法(Solid Phase Crystallization，SPC)、準分子雷射退火法(Excimer Laser Annealing，ELA)、金屬誘發結晶法(Metal Induced Crystallization，MIC)、金屬誘發側向結晶法(Metal Induced Lateral Crystallization，MILC)、及連續側向結晶法(Sequential Lateral Solidification，SLS)。
請參閱第2圖，第一光阻P1塗佈於半導體層12上，且第一遮罩製程係由使用第一遮罩M1執行，包含光阻擋部分M11與光傳送部分M12。
雖然第2圖中未顯示，但暴露裝置(未顯示)暴露光於第一遮罩M1，接著執行一系列的程序例如顯影、蝕刻、及去光阻或灰化。
請參閱第3圖，由第一遮罩製程的結果，半導體層12藉由使用與主動層212相同材料而圖樣化為薄膜電晶體之主動層212、以及形成於同層上的電容之第一電極312。
請參閱第4圖，第一絕緣層13、第一透明導電層14、及第一金屬層15接續堆疊於如第3圖所示的結構上。
第一絕緣層13可包含單一層或二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)等的複數層，且作用為薄膜電晶體之閘極絕緣層或電容之電介質層。
第一透明導電層14可包含選自由氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化錫(Zinc Oxide，ZnO)、氧化銦 (Indium Oxide，In2O3)、氧化銦鎵(Indium Gallium Oxide，IGO)、以及氧化鋁鋅(Aluminum Zinc Oxide，AZO)所組成之群組中的至少其一。
第一金屬層15可包含選自由鋁(Aluminum，Al)、鉑(Platinum，Pt)、鈀(Palladium，Pd)、銀(Silver，Ag)、鎂(Magnesium，Mg)、金(Gold，Au)、鎳(Nickel，Ni)、釹(Neodymium，Nd)、銥(Iridium，Ir)、鉻(Chromium，Cr)、鋰(Lithium，Li)、鈣(Calcium，Ca)、鉬(Molybdenum，Mo)、鈦(Titanium，Ti)、鎢(Tungsten，W)、及銅(Copper，Cu)所組成之群組中至少一金屬。在本實施例中，第一金屬層15包含鋁。
進一步的說，第一金屬層15可包含複合金屬層15a、15b與15c。在本實施例中，使用鉬層15a與15c分別形成於鋁層15b之上方與下方(鉬/鋁/鉬)的三層結構。然而，本發明並不僅限於此，且第一金屬層15可由各種材料以各種層數形成。
請參閱第5圖，第二光阻P2塗佈於第一金屬層15上，且第二遮罩製程係由使用包含光阻擋部分M21與光傳送部分M22之第二遮罩M2執行。
請參閱第6圖，由第二遮罩製程的結果，第一透明導電層14與第一金屬層15圖樣化為一像素電極之基底層114與115、薄膜電晶體之閘極電極214與215、及電容之第二電極314與315。
請參閱第7圖，離子雜質藉由使用以執行第二遮罩製程所形成並作為一自動對準遮罩之閘極電極214與215而摻雜於主動層212上。因此，主動層212包含分別摻雜有離子雜質之源極與汲極區域212a與212b、及在源極與汲極區域212a與212b之間的通道區域212c。也就是說，源極與汲極區域212a與212b可分別由作為自動對準遮罩的閘極電極214與215所形成，並不形成一額外光遮。
請參閱第8圖，第二絕緣層16及第三光阻P3係塗佈在由執行第二遮罩製程得到之構造上，且一第三遮罩製程係由使用包含一光阻擋部分M31與一光傳送部分M32之一第三遮罩M3執行。
請參閱第9圖，由第三遮罩製程的結果，暴露像素電極之基底層114與115之一第一孔洞116a、暴露源極與汲極電極212a與212b之薄膜電晶體之分別接觸孔洞216a與216b、及暴露電容之第二電極314與315之一第二孔洞316，係形成於第二絕緣層16中。
第9圖描述了一情形，像素電極中由第一孔洞116a所暴露的大部分基底層115、以及由第二孔洞316所暴露的電容之第二電極315係在蝕刻程序於第二絕緣層16上執行後被蝕刻且移除。
同時，基底層115的一部分115a在像素電極之基底層114上維持於第一孔洞116a與接觸孔洞216a與216b之間，而第二絕緣層16未被移除。貫穿通過第二絕緣層16與基底層115之部分115a之通孔116b也可在第三遮罩製程中被形成。
請參閱第10圖，第二金屬層17係形成於第9圖所示之構造上。
如同第一金屬層15，第二金屬層17可包含選自由鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、及銅(Cu)所組成之群組中的至少一金屬。在本實施例中，如同第一金屬層15，第二金屬層17包含鋁。
同樣地，第二金屬層17可包含複合金屬層17a、17b與17c。在本實施例中，如同第一金屬層15中，使用了鉬層17a與17c分別形成於一鋁層17b之上方與下方(鉬/鋁/鉬)的三層構造。然而，本發明並不僅限於此，且第二金屬層17可由各種材料以各種層數形成。
請參閱第11圖，第四光阻P4塗佈於第二金屬層17上，且第四遮罩製程藉由使用包含光阻擋部分M41與光傳送部分M42之第四遮罩M4執行。
請參閱第12圖，移除像素電極之第一孔洞116a中之部分第二金屬層17、及電容之第二孔洞316，且通孔116b中之部分第二金屬層17及接觸孔洞216a與216b係分別電性連接至像素電極之基底層114、及源極與汲極區域212a與212b，以分別形成源極與汲極電極217a與217b。
請參閱第13圖，從閘極電極215被移除處，離子雜質摻雜於電容之第二電極314上。於是，電容之由圖樣化半導體層12所形成的第一電極312之導電性並可增加，因此增加電容的電容量。
請參閱第14圖，第三金屬層18與第二透明導電層19接續形成於第13圖所示的構造上。
第三金屬層18包含一反射材料，雖然在本實施例中銀作為反射材料使用，本實施例並不僅限於此。也就是說，第三金屬層可包含各種反射材料。
如同第一透明導電層14，第二透明導電層19可包含選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、與氧化鋁鋅(AZO)所組成群組中之至少其一。
請參閱第15圖，第五光阻P5塗佈於第三金屬層18與第二透明導電層19上，且第五遮罩製程係由使用包含光阻擋部分M51與光傳送部分M52之第五遮罩M5執行。
請參閱第16圖，由第五遮罩製程的結果，第三金屬層18與第二透明導電層19係分別圖樣化為像素電極之上方層118與119、覆蓋層218a與219a以遮蓋源極電極217a、及覆蓋層218b與219b以遮蓋汲極電極217b。
由於像素電極之上方層118與119係由圖樣化包含反射材料之第三金屬層18、以及第二透明導電層19所形成，所以藉由控制上方層118的厚度， 部分的光可被傳輸而部分的光可被反射。也就是說，能夠部分傳輸與部分反射光束的像素電極之上方層118與119可被使用為採用光學共振構造之有機發光顯示器之傳輸反射鏡。
在本實施例中，作為傳輸反射鏡的像素電極之上方層118與119於以下分別於以形成閘極電極214與215及像素電極之基底層114與115之第二遮罩製程、以部分蝕刻像素電極之基底層114與115之第三遮罩製程、以及以形成源極與汲極電極217a與217b之第四遮罩製程所形成。也就是說，作為傳輸反射鏡之像素電極的上方層118與119於第五遮罩製程中形成在像素電極之基底層114上，以形成源極與汲極電極217a與217b中分別之覆蓋層218a、219a、218b、及219b。
若作為傳輸反射鏡之像素電極之上方層118與119形成於用以形成閘極電極214與215之第二遮罩製程中，也就是說，若閘極電極214形成為了更包含第三金屬層18與第二透明導電層19時，可增加閘極電極214之總厚度，因此閘極電極214與連接到閘極電極214的接線(未顯示)可能不容易形成。
同時，若上述的傳輸反射鏡形成在以形成像素電極之第一金屬層15下時，傳輸反射鏡可能被腐蝕劑破壞，腐蝕劑係為了移除用以移除在像素電極上形成之第一金屬層15的第三遮罩製程中第一金屬層15。特別的是，如在本實施例中所述，若傳輸反射鏡包含銀且第一金屬層15包含鋁，傳輸反射鏡傳輸反射鏡可被一鋁腐蝕劑嚴重破壞。
進一步的說，在形成分別源極與汲極電極217a與217b之第四遮罩製程中，傳輸反射鏡可能被腐蝕劑破壞，腐蝕劑係為了移除形成於傳輸反射鏡上之第二金屬層17，。特別的是，如在本實施例中所述，若傳輸反射鏡包含銀且第一第二金屬層1517包含鋁時，傳輸反射鏡可被一鋁腐蝕劑嚴重破壞。
然而，根據本實施例，由於傳輸反射鏡的形成係在源極與汲極電極217a與217b分別形成之後，傳輸反射鏡可能不被一腐蝕劑破壞，腐蝕劑係移除為了形成分別之源極與汲極電極217a與217b上之第二金屬層17。於是，形成傳輸反射鏡之材料可自由選擇。
同時，依照本實施例，由於覆蓋層218a、219a、218b、及219b係形成在分別之源極與汲極電極217a與217b，所以源極與汲極電極217a與217b與連接到分別之源極與汲極電極217a與217b的接線(未顯示)可由覆蓋層218a、219a、218b、及219b的厚度變得更薄。於是，可輕易圖樣化接線。更進一步的說，由於接線被覆蓋層218a、219a、218b、及219b保護，所以減少接線的腐蝕，因此可提高產品的壽命。
此外，依照本實施例，由於像素電極作用為傳輸反射鏡，所以反向電極可被形成做為一反射鏡，因此有機發光顯示器可輕易以一光學共振構造形成。依照本實施例，由於光學共振構造可藉由執行五次之遮罩製程形成，故有機發光顯示器可藉由執行少數之遮罩製程而製造。
同時，在第16圖中，雖然電容之第二電極314只包含第一透明導電層14，本實施例並不僅限於此。也就是說，第三金屬層18與第二透明導電層19更可形成於第二電極314上，其係包含第一透明導電層14。
請參閱第17圖，以形成一像素定義層之第四絕緣層20係形成於像素電極之上方層118與119的邊緣並在源極與汲極電極217a與217b之上。像素定義層定義一光發射區域，且藉由增加像素電極之上方層118與119的邊緣到反向電極22之間的距離，避免像素電極(基底層114與上方層118與119)與反向電極22(將描述於之後第18圖)之間的短路，因此避免在像素電極上上方層118與119邊緣之電場集中。
第四絕緣層20可為有機或無機絕緣層。同時，在本實施例中，雖然第四絕緣層20可由使用光罩圖樣化，但第四絕緣層20的形成係使用例如為噴墨印刷法或網印法，以減少遮罩製程的數量。
請參閱第18圖，包含有機發射層21a、反向電極22之中介層21係形成於像素電極之上方層118與119上。
有機發射層21a可由低分子量或高分子量之有機材料形成。
若有機發射層21a係以低分子量有機材料形成時，中介層21可藉由於從有機發射層21a朝向像素電極(基底層114與上方層118與119)之方向堆疊電洞傳輸層(Hole Transport Layer，HTL)與電洞注入層(Hole Injection Layer，HIL)、以及從有機發射層21a到反向電極22的方向堆疊發射層(Emission Layer，EML)與電子傳輸層(Electron Transport Layer，ETL)而形成。此外，如果需要的話，各種層可被堆疊。在此情況下，有機發射層21a可由各種低分子量有機材料形成，例如鈦青素酮(Copper Phthalocyanine，CuPc)、N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine(NPB)、及三-(8-羥基喹啉)鋁(Tris-8-hydroxyquinoline aluminum，Alq3)。
同時，若有機發射層21a係以高分子量有機材料形成時，中介層21僅可在從有機發射層21a朝向像素電極(基底層114與上方層118與119)之方向包含電洞傳輸層。電洞傳輸層可由第一電極312上之聚-(2,4)-乙烯-21二羥基噻吩(poly-(2,4)-ethylene-21 dihydroxy thiophene，PEDOT)或聚苯胺(Polyaniline，PANI)所形成。在此情況下，有機發射層21a可由各種高分子有機材料形成，例如聚對苯乙烯(Poly-phenylenevinylene，PPV)基及聚芴(Polyfluorene，PF)基材料，並使用熟知的方法例如噴墨印刷法、旋轉塗佈法、或熱轉印法使用雷射以形成一彩色圖樣。
包含有機發射層21a之中介層21可藉由改變有機發射層21a的厚度、或在各像素中包含於非有機發射層21a之中介層21中另一有機層(未顯示)的厚度而實現一光學共振構造。
反向電極22係沉積於中介層21上作為一共同電極。依照本實施例之有機發光顯示器，像素電極(基底層114與上方層118與119)係作為陽極使用，且反向電極22可作為陰極使用，反之亦然。
反向電極22可為包含一反射材料之反射電極，以實現光學共振構造。在此情況下，反向電極22可包含選自由鋁、鎂、鋰、鈣、氟化鋰/鈣、及氟化鋰/鋁所組成之族群中的至少其一。
同時，雖然未顯示在第18圖中，為了保護有機發射層21a無外部水分或氧氣，密封元件(未顯示)及吸收物(未顯示)更可形成於反向電極22上。
如上所述，依照本發明一實施例之有機發光顯示器及其製造方式提供了如下的效用。
第一，由於用以形成之傳輸反射鏡第三金屬層與第二透明導電層係在源極與汲極電極形成之後形成，故傳輸反射鏡可避免被腐蝕源極與汲極電極之腐蝕物破壞。
第二，由於用以形成傳輸反射鏡之第三金屬層與第二透明導電層係在源極與汲極電極形成之後形成，故形成傳輸反射鏡之材料可自由選擇。
第三，由於覆蓋層形成在源極與汲極電極上，所以可減少源極與汲極電極的厚度，可避免線路的腐蝕，因此可延長產品的壽命。
第四，包含傳輸反射鏡之有機發光顯示器可藉由執行五次遮罩製程而製造。
雖然本發明參照其例示性實施例具體地顯示及描述，而可被熟悉此技藝者理解的是，任何未脫離本發明之精神與範疇下，可對形式或細節作各種改變，如後附之申請專利範圍所定義。
10‧‧‧基板
11‧‧‧緩衝層
114‧‧‧基底層
118、119‧‧‧上方層
13‧‧‧第一絕緣層
16‧‧‧絕緣層
20‧‧‧第四絕緣層
21‧‧‧中介層
21a‧‧‧有機發射層
212‧‧‧主動層
212a‧‧‧源極區域
212b‧‧‧汲極區域
212c‧‧‧通道區域
214、215‧‧‧閘極電極
217a‧‧‧源極電極
217b‧‧‧汲極電極
218a、218b、219a、219b‧‧‧覆蓋層
22‧‧‧反向電極
312‧‧‧第一電極
314‧‧‧第二電極

Claims (26)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一薄膜電晶體之一主動層，係形成於一基板上；一閘極電極，係形成於該主動層以及一第一絕緣層上，並且包含一第一透明導電層以及一第一金屬層；一源極電極與一汲極電極，係形成於該閘極電極以及一第二絕緣層上，且包含透過形成於該第二絕緣層之一接觸孔洞連結該主動層之一第二金屬層、形成於該第二金屬層上之一第三金屬層、以及形成於該第三金屬層上之一第二透明導電層；一像素電極，係形成於該第一絕緣層上，且包含該第一透明導電層、該第三金屬層以及該第二透明導電層；一中介層，係設置於該像素電極上，並且包含一有機發射層；以及一反向電極，係藉由設置該中介層於該像素電極與該反向電極之間，以面對該像素電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第三金屬層係包含一反射材料。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該反射材料係包含銀(Ag)。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中每一該第一透明導電層及該第二透明導電層包含選自由氧化銦錫(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧 化銦鎵(IGO)、以及氧化鋁鋅(AZO)所組成之群組中至少其一。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中每一該第一金屬層及該第二金屬層包含複合金屬層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一金屬層及該第二金屬層包含相同材料。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一金屬層及該第二金屬層包含鋁(Al)。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中在該像素電極中，該第一透明導電層具有一刻蝕末端，該刻蝕末端不同於該第三金屬層及該第二透明導電層之刻蝕末端。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一金屬層設置於該第一透明導電層之一上表面上、該第三金屬層之複數個邊表面上、以及該像素電極之該第二絕緣層之一下方層表面上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素電極之該第一透明導電層係透過穿透該第一金屬層與該第二絕緣層之一通孔，連結至該源極電極與該汲極電極其中之一。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含一電容，該電容包含與該主動層相同的材料且形成於相同一層之一第一電極、以及一第二電極，該第二電極係包含該第一透明導電層且形成於該第一絕緣層上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該電容之該第二電極更包含於該第一透明導電層上之該第三金屬層及該第二透明導電層。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素電極係為一傳輸反射鏡(transflective mirror)，以部分傳輸並部分反射從該有機發射層發射之光束。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該反向電極係為一傳輸反射鏡，以反射從該有機發射層發射之光束。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含一像素定義層，該像素定義層係包圍該像素電極之複數個邊緣，並且覆蓋該源極電極與該汲極電極。
  16. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法係包含下列步驟：執行一第一遮罩製程，以在一基板上形成一半導體層，並且藉由圖樣化該半導體層形成一薄膜電晶體之一主動層；執行一第二遮罩製程，以在該主動層上形成一第一絕緣層、一第一透明導電層及一第一金屬層，並且藉由圖樣化該第一透明導電層與該第一金屬層形成一像素電極之一基底層與該薄膜電晶體之一閘極電極；執行一第三遮罩製程，以在該基底層與該閘極電極上形成一第二絕緣層，並且藉由圖樣化該第二絕緣層形成用以暴露該基底層之該第一透明導電層之一第一孔道、以及用以暴露該薄膜電晶體之一源極區域與一汲極區域之複數個接觸孔洞；執行一第四遮罩製程，以在該第一孔道與該複數個接觸孔洞中形成一第二金屬層，並且藉由圖樣化該第二金屬層形成連接該源極區域與該汲極區域之一源極電極與一汲極電極；以及執行一第五遮罩製程，以在該源極電極與該汲極電極上形成一第三金屬層與一第二透明導電層，並且藉由圖樣化該第三金 屬層與該第二透明導電層以形成該像素電極之一上方層、以及該源極與汲極電極之複數個覆蓋層。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中在執行該第二遮罩製程後，更包含使用該閘極電極作為遮罩以摻雜離子雜質在該源極區域與該汲極區域之步驟。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第三遮罩製程係包含用以在該第二絕緣層中形成該第一孔道及該複數個接觸孔洞之一第一刻蝕程序、以及用以從被該第一孔道所暴露之該像素電極之該基底層移除該第一金屬層之一第二刻蝕程序。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中在該第三遮罩製程中，進一部形成穿透該第二絕緣層及該基底層之該第一金屬層之一通孔。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中在該第四遮罩製程中，該源極電極及該汲極電極係同時形成於該複數個接觸孔洞與該通孔中。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中在執行該第五遮罩製程後，更包含形成一第四絕緣層，以暴露該像素電極之該上方層、以及覆蓋該源極電極與該汲極電極之該複數個覆蓋層之步驟。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該第四絕緣層係以一不使用遮罩製程被形成。
  23. 如申請專利範圍第16項所述之方法，更包含下列步驟：形成一中介層，係包含一有機發射層，該中介層係位於該像素電極之該上方層上；以及 形成一反向電極於該中介層上。
  24. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第三金屬層包含一反射材料，並且該像素電極之該上方層係為一傳輸反射鏡，以部分傳輸與部分反射光束。
  25. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中在第一遮罩製程中，一電容之一第一電極係以使用與該主動層之相同的材料而形成且與該主動層形成於相同一層，並且其中在該第二遮罩製程中，藉由圖樣化該第一透明導電層以形成該電容之一第二電極。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之方法，其中在執行該第三遮罩製程後，更包含摻雜離子雜質於該電容之該第一電極上之步驟。
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