TWI575963B - 微機電麥克風裝置 - Google Patents

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Description

微機電麥克風裝置
一種微機電麥克風,特別有關於一種確保堅固性及具有對聲音變化的高靈敏性的微機電麥克風裝置。
隨著微機電(Micro Electro Mechanical System,MEMS)製程技術之突破與感測電路的微小化,使得微機電麥克風符合現今消費性電子產品輕薄短小的設計需求,而逐漸取代傳統駐極體麥克風成為消費性電子產品中必備的構件。
一般來說,為了使得微機電麥克風薄膜可達到對聲音具有高靈敏的特性,目前微機電麥克風大多採改變支撐樑(Spring)或微機電麥克風薄膜的結構。以改變支撐樑的結構來說,例如可以是直接控制支撐樑的彈性係數,進而控制微機電麥克風的位移量,以達到對聲音具有高靈敏的特性。而改變微機電麥克風薄膜的結構來說,則是直接在微機電麥克風薄膜上製作若干微結構,使微機電麥克風薄膜對聲音具有高靈敏的特性。
雖然,上述的方式都可使微機電麥克風達到對聲音具有高靈敏的特性,但設計上仍較為複雜,因此,微機電麥克風的設計上仍有改善的空間。
本發明提供一種微機電麥克風裝置,藉以控制微機電麥克風薄膜的彈性係數,並確保微機電麥克風薄膜的堅固性,以及具有對聲音變化的高靈敏性。
本發明所揭露之一種微機電麥克風裝置,包括基板、微機電麥克風薄膜與氧化層。基板具有第一凹陷部。微機電麥克風薄膜位於基板上方且 覆蓋第一凹陷部並定義出第一空腔,微機電麥克風薄膜包括彈性部與結合部。彈性部位於微機電麥克風薄膜的中央位置,且被多個第一溝槽包圍,所述多個第一溝槽彼此分離地沿彈性部的邊緣排列並貫穿彈性部的相對兩面。結合部位於微機電麥克風薄膜的邊緣位置,連接彈性部。氧化層具有第二凹陷部,連接微機電麥克風薄膜的結合部,第二凹陷部暴露出微機電麥克風薄膜。
在一實施例中,基板上具有至少一第三凹陷部,第三凹陷部環繞第一凹陷部。此外,微機電麥克風裝置更包含背板層配置於該氧化層上,背板層具有多個縫隙,透過縫隙與第二凹陷部暴露出部分的微機電麥克風薄膜。另外,微機電麥克風裝置更包含至少一阻擋塊,配置於微機電麥克風薄膜與背板層之間,而阻擋塊與氧化層連接,且位於第二凹陷部內。以及,微機電麥克風裝置更包含鈍化層,鈍化層配置於氧化層上,且鈍化層暴露出部分的背板層。
綜上所述,本發明所揭露之微機電麥克風裝置,藉由於微機電麥克風薄膜的彈性部上設置多個第一溝槽,且這些第一溝槽沿彈性部的周圍依序排列。另外,還可進一步於彈性部上設置多個第二溝槽,第一溝槽將第二溝槽圍繞於內,各第二溝槽分別相鄰於各第一溝槽。如此一來,有效控制微機電麥克風薄膜的彈性係數,並確保微機電麥克風薄膜的堅固性,也可獲得對聲音變化的高靈敏性。
有關本發明的特徵與實作,茲配合圖式作實施例詳細說明如下。
1‧‧‧微機電麥克風裝置
10‧‧‧基板
102‧‧‧第一凹陷部
104‧‧‧第三凹陷部
12、12a~12d‧‧‧微機電麥克風薄膜
122a~122d‧‧‧彈性部
1222a~1222d‧‧‧第一溝槽
1224c~1224d‧‧‧第二溝槽
124a~124d‧‧‧結合部
14‧‧‧氧化層
142‧‧‧第二凹陷部
16‧‧‧背板層
160‧‧‧縫隙
18‧‧‧阻擋塊
20‧‧‧鈍化層
第1圖為本發明之微機電麥克風裝置的剖面示意圖。
第2A圖為本發明之微機電麥克風薄膜的立體示意圖。
第2B圖為本發明之微機電麥克風薄膜的另一立體示意圖。
第2C圖為本發明之微機電麥克風薄膜的又一立體示意圖。
第2D圖為本發明之微機電麥克風薄膜的再一立體示意圖。
第3圖為本發明之微機電麥克風裝置的另一剖面示意圖。
第4圖為本發明之微機電麥克風裝置於示範元件間的距離關係的剖面示意圖。
第5圖為本發明之微機電麥克風裝置的於操作時的剖面示意圖。
以下所列舉的各實施例中,將以相同的標號代表相同或相似的元件。
請一併參考第1圖與第2A圖,第1圖為本發明之微機電麥克風裝置的剖面示意圖,第2A圖為本發明之微機電麥克風薄膜的立體示意圖。如圖所示,微機電麥克風裝置1包括基板10、微機電麥克風薄膜12(第2圖中的12a)、氧化層14、背板層16、阻擋塊18以及鈍化層20。於實務上,微機電麥克風裝置可使用標準化半導體製程(CMOS process)製造出來,但本發明並不以此為限。
基板10具有第一凹陷部102。在本實施例中,第一凹陷部102可以經由半導體製程處理而形成,而此半導體製程處理例如為濕式蝕刻。並且,在形成第一凹陷部102後,於剖面圖上觀之,第一凹陷部102可將基板10區分成左右兩個部分,亦即第一凹陷部102大致上應位於基板的中央位置。在此,本實施例並不限制第一凹陷部102的形狀,於俯視角度觀之,第一凹陷部102可以是圓形、矩形、多邊形或其他可能的幾何形狀。此外,本實施例也不限制第一凹陷部102是否實際將基板10切分開來,從而形成兩個以上的子基板。舉例來說,於俯視角度觀之,當第一凹陷部102將基板10切分開來時,微機電麥克風裝置1中位於基板10上層的元件可以設置在多個子基板之上。
以第2圖的例子來說,微機電麥克風薄膜12配置於基板10上方,設置在氧化層14中,且覆蓋第一凹陷部102。進一步來說,微機電麥克風薄膜12可包括有氧化層(Oxide layer)、多晶矽層(Poly-silicon layer)、接觸層(Contact layer)及保護層(Passivation layer)堆疊而成。於一個微機電麥克風薄膜12的例子中,先在基板10的表面上,形成微機電麥克風薄膜12的氧化層,接著在所述氧化層上,形成微機電麥克風薄膜12的多晶矽層,接著在所述多晶 矽層上,形成微機電麥克風薄膜12的接觸層,最後在所述接觸層上,形成微機電麥克風薄膜12的保護層。
以第2A圖的例子來說,微機電麥克風薄膜12a包括彈性部122a與結合部124a。於實際操作上,彈性部122a受到聲壓時,會向上或向下振動一定程度的位移量。在此,本發明並不限制微機電麥克風薄膜12於氧化層14中的位置,舉例來說,微機電麥克風薄膜1a2也可以置於基板10與氧化層14的邊界上,並同時接觸基板10與氧化層14。
請繼續參考第2A圖,彈性部122a具有多個第一溝槽1222a,且所述多個第一溝槽1222a彼此分離地沿彈性部122a的邊緣排列。在此,第2A圖中的微機電麥克風薄膜12a係以矩形為例,每一個第一溝槽1222a都接近微機電麥克風薄膜12a的側邊,但是仍在微機電麥克風薄膜12a內側。於一個例子中,第一溝槽1222a貫穿彈性部122a的相對兩面(即上表面與下表面)。相較於彈性部122a,結合部124a更接近微機電麥克風薄膜12a的邊緣,大致來說,結合部124a係可定義在微機電麥克風薄膜12a的邊緣至彈性部122a之間。所述結合部124a雖在微機電麥克風薄膜12a的邊緣,但其材料與微機電麥克風薄膜12a的中央位置的材料相同。第一溝槽1222a的寬度與微機電麥克風薄膜12a的寬度比至少小於1:200。
此外,結合部124a於功能上係用以固定微機電麥克風薄膜12a於氧化層14上,故結合部124a至少會接觸氧化層14。當然,隨著微機電麥克風薄膜12a設置位置的改變,例如微機電麥克風薄膜12a置於基板10與氧化層14的邊界時,結合部124a亦有可能同時接觸基板10與氧化層14。在本實施例中,微機電麥克風薄膜12a的形狀是以方形為例,且材料為多晶矽。此外,微機電麥克風薄膜12a的厚度小於0.4微米(μm),且微機電麥克風薄膜12a的長度與寬度小於350微米。第一溝槽1222a與微機電麥克風薄膜12a的寬度比至少小於1:200。並且,第一溝槽1222a的形狀例如為直條狀。當然,於所屬技術領域具有通常知識者可以將第一溝槽1222a的形狀設計成T形、C形、者鋸齒形或者其他可能的形狀,本實施例在此不加以限制。
藉由於微機電麥克風薄膜12a的彈性部122a設置第一溝槽1222a,可使得微機電麥克風薄膜12a可以具有更大的位移量。舉例來說,本實施例的微機電麥克風薄膜12a於聲壓1帕斯卡(Pa)之下,微機電麥克風薄膜12a的位移量可超過100奈米(nm),且微機電麥克風薄膜12的降伏應力(Yield Stress)大約在100帕斯卡(Pa)或小於100帕斯卡(Pa)。如此一來,本實施例可有效控制微機電麥克風薄膜12a的彈性係數,並確保微機電麥克風薄膜12a的堅固性,也可獲得對聲音變化的高靈敏性。
本發明並不限制微機電麥克風薄膜12的形狀與內部結構,以下更列舉微機電麥克風薄膜12其他可能的實施方式。請參考第2B圖,第2B圖為本發明之微機電麥克風薄膜的另一立體示意圖。微機電麥克風薄膜12b包括彈性部122b與結合部124b。微機電麥克風薄膜12b的形狀亦可為圓形,其中彈性部122b具有多個第一溝槽1222b,而第一溝槽1222b沿彈性部122b的周圍依序排列,且彼此相分離。並且,第一溝槽1222b貫穿彈性部122b的相對兩面。當然,本發明並不限制第一溝槽1222b的數量,第2B圖係以4個第一溝槽1222b為例,於所屬技術領域具有通常知識者可視需要自由設計第一溝槽1222b的數量。當然,於所屬技術領域具有通常知識者可以將第一溝槽1222b的形狀設計成T形、C形、者鋸齒形或者其他可能的形狀,本實施例在此不加以限制。
請參考第2C圖所示,第2C圖為本發明之微機電麥克風薄膜的又一立體示意圖。在第2C圖中,微機電麥克風薄膜12c包括彈性部122c與結合部124c。與前述實施例不同的是,彈性部122c具有更多數量的溝槽,且溝槽多層地環繞著彈性部122c的周圍。在此,部分的溝槽與微機電麥克風薄膜12c的側邊平行,本實施例稱之為第一溝槽1222c,而部分的溝槽並不與微機電麥克風薄膜12c的任何一個側邊平行,本實施例稱之為第二溝槽1224c。於實務上,第一溝槽1222c與第二溝槽1224c可以設計於多層溝槽結構中的同一層,且彼此交錯排列。請注意,雖然本實施例繪示了第二溝槽1224c係出現在於多層溝槽結構的內圈,但本發明並不以此為限,第二溝槽1224c也可以設計在多層溝槽結構的最外圈,且與最外圈的第一溝槽1222c交錯排列。
於一個例子中,第一溝槽1222c與第二溝槽1224c分別以對稱的方式設計,例如4個長條形的第二溝槽1224c分別設計於彈性部122c的4個對角上,且第二溝槽1224c互相平行。並且,第一溝槽1222c與第二溝槽1224c的寬度相同。當然,於所屬技術領域具有通常知識者可以將第一溝槽1222c與第二溝槽1224c的形狀設計成T形、C形、者鋸齒形或者其他可能的形狀,本實施例在此不加以限制。這個設計除了仍然可以有效控制微機電麥克風薄膜12c的彈性係數,並確保微機電麥克風薄膜12c的堅固性,也可獲得對聲音變化的高靈敏性之外,更具有的好處在於,在微機電麥克風裝置在進行濕式蝕刻時,可乘受較大之液體流動的容許力。
在前述實施例中,第2C圖之微機電麥克風薄膜12c的形狀是以方形為例,但本發明不限於此,微機電麥克風薄膜12的形狀亦可為圓形,如第2D圖所示,第2D圖為本發明之微機電麥克風薄膜的再一立體示意圖。而第2D圖之微機電麥克風薄膜12d與第2C圖之微機電麥克風薄膜12c的差異在於形狀以及溝槽的設計。在第2D圖中,微機電麥克風薄膜12d仍包括彈性部122d與結合部124d。彈性部122d具有多個不同長短的溝槽,較短的溝槽稱為第一溝槽1222d,而較長的溝槽稱為第二溝槽1224d,第一溝槽1222d與第二溝槽1224d多層地環繞著彈性部122d的周圍。第一溝槽1222d與第二溝槽1224d分別以對稱的方式設計,例如4個弧形的第一溝槽1222d與第二溝槽1224d交錯排列,每一個第一溝槽1222d等長,每一個第二溝槽1224d等長,且第一溝槽1222d與第二溝槽1224d的寬度相同。當然,於所屬技術領域具有通常知識者可以將第一溝槽1222d與第二溝槽1224d的形狀設計成T形、C形、者鋸齒形或者其他可能的形狀,本實施例在此不加以限制。從而第2D圖之微機電麥克風薄膜12d仍可與第2C圖之微機電麥克風薄膜12c具有相同的效果。
請繼續參考第1圖,氧化層14具有第二凹陷部142。氧化層14配置於基板10上,且氧化層14與結合部接觸。從俯視的角度觀之,第二凹陷部142的結構可暴露出微機電麥克風薄膜12。在本實施例中,第二凹陷部142可以經由半導體製程處理而形成,而此半導體製程處理例如為濕式蝕刻。並且, 在形成第二凹陷部142後,於剖面圖上觀之,第二凹陷部151會將氧化層14區分成左右兩個部分,亦即第二凹陷部142大致上應位於氧化層14的中央位置。在此,本實施例並不限制第二凹陷部142的形狀,於俯視角度觀之,第二凹陷部142可以是圓形、矩形、多邊形或其他可能的幾何形狀。此外,本實施例也不限制第二凹陷部142是否實際將氧化層14切分開來,從而形成兩個以上的子氧化層。舉例來說,於俯視角度觀之,當第二凹陷部142將氧化層14切分開來時子氧化層係分散地設置於基板10上。此外,微機電麥克風薄膜12的結合部係固定於氧化層14中,區隔了下方的第一凹陷部102與上方的第二凹陷部142。
背板層16具有多個縫隙160。背板層16接觸氧化層14,於此例子中,背板層16配置於氧化層14中。並且於俯視角度觀之,這些縫隙160與第二凹陷部142暴露出部分的微機電麥克風薄膜12。在本實施例中,縫隙160可以經由半導體製程處理而形成,而此半導體製程處理例如為濕式蝕刻。阻擋塊18配置於微機電麥克風薄膜12與背板層16之間。阻擋塊18與氧化層14連接,且位於第二凹陷部142。鈍化層20配置於氧化層14上,且鈍化層20並不是完整覆蓋住氧化層14上側的表面。也就是說,由俯視的角度觀之,可以透過鈍化層20看到部分的背板層16。於一個例子中,阻擋塊18可以是單一個環狀結構設置於氧化層14中,或者可以設計多個阻擋塊18分散地設置於氧化層14中,本實施例在此不加以限制。
在本實施例中,背板層16、阻擋塊18、鈍化層20都可以經由半導體製程處理而形成,而此半導體製程處理例如為濕式蝕刻。值得注意的是,背板層16、阻擋塊18、鈍化層20並不是必要的結構,若微機電麥克風裝置1沒有背板層16、阻擋塊18或鈍化層20,也能夠實現完整的功能。
於一個例子中,基板10也可以有特殊的設計以增強結構強度。請參考第3圖,第3圖為本發明之微機電麥克風裝置的另一剖面示意圖。如第3圖所示,基板10具有至少一個第三凹陷部104,第三凹陷部104的開口在基板10的底面(相對於設置氧化層14的另一面)且第三凹陷部104可以環繞第一凹陷部102。舉例來說,若從基板10的底面仰視之,第三凹陷部104係位於第一凹 陷部102至基板10的邊緣之間,且第三凹陷部104不與第一凹陷部102互相連通。在此,第三凹陷部104的形狀與第一凹陷部102的形狀沒有一定的關聯性,例如從基板10的底面看入,第一凹陷部102的形狀是圓形,第三凹陷部104的形狀可以是圓形、方形、多邊形或者其他的形狀,只要第三凹陷部104環繞著第一凹陷部102,都應屬於本案第三凹陷部104揭示的範疇。
於另一個例子中,基板10具有多個第三凹陷部104,雖然剖面圖與前一個例子相同,但從基板10的底面仰視之,所述多個第三凹陷部104彼此分離地沿基板10的邊緣排列,且這些第三凹陷部104位於第一凹陷部102至基板10的邊緣之間。當然,本實施例不限制第三凹陷部104的數量與相對關係,所屬技術領域具有通常知識者可自由設計。在此,不論是以一個或多個第三凹陷部104環繞著第一凹陷部102,都可以使基板10藉由第三凹陷部104具有類似彈簧的緩衝特性。因此,在由矽晶圓上對微機電麥克風裝1進行裂片處理時,可有效減少向基板10之左右兩側拉扯的拉伸力(Expansion force),進而避免微機電麥克風裝置1之微機電麥克風薄膜12產生受損、皺摺及結構被破壞等情況,並提升微機電麥克風裝置1的良率。
為了使所屬技術領域具有通常知識者能了解微機電麥克風裝置1的各個元件間的距離關係,請參考第4圖,第4圖為本發明之微機電麥克風裝置於示範元件間的距離關係的剖面示意圖。如第4圖所示,微機電麥克風薄膜12與基板10之間具有第一距離D1,微機電麥克風薄膜12與阻擋塊18之間具有第二距離D2,阻擋塊18與背板層16之間具有第三距離D3,背板層16與鈍化層20之間具有第四距離D4。其中,第一距離D1在0.01至1微米之間,例如為0.05微米或0.1微米。第二距離D2在0.01至1微米之間,例如為0.5或0.8微米。第三距離D3在0.01至1微米之間,例如為0.5或0.8微米,第四距離D4在0.01至1微米之間,例如為0.3或0.5微米。背板層16的縫隙160的長度分別在1至5微米之間,例如為2.5或3微米。此外,微機電麥克風薄膜12與背板層16例如相距第五距離D5,而此第五距離在1至5微米之間,例如為2、2.18、2.5或3微米。微機電麥克風薄膜12的長度與寬度小於350微米。 藉由上述的配置,當微機電麥克風裝置1以濕式蝕刻的方式形成各凹陷部及縫隙時,可有效防止微機電麥克風薄膜12與背板層16之間發生吸附效應(Stiction Effect),以及防止蝕刻液蝕刻掉不應該被蝕刻掉的氧化層14。
此外,當第4圖中的微機電麥克風薄膜12(例如彈性部)受到聲壓時,會向上或向下振動一定程度的位移量。此時請參考第5圖,第5圖為本發明之微機電麥克風裝置的於操作時的剖面示意圖。如第5圖所示,若微機電麥克風薄膜12所受到的聲壓F大於微機電麥克風裝置1所能承受的預設聲壓時,藉由阻擋塊18阻擋微機電麥克風薄膜12與背板層16的接觸,以避免前述的接觸而造成短路現象,使得微機電麥克風裝置1損壞的情況產生。
綜上所述,本發明所揭露之微機電麥克風裝置,藉由於微機電麥克風薄膜的彈性部上設置多個第一溝槽,且這些第一溝槽沿彈性部的周圍依序排列。另外,還可進一步於彈性部上設置多個第二溝槽,第一溝槽將第二溝槽圍繞於內,各第二溝槽分別相鄰於各第一溝槽。如此一來,有效控制微機電麥克風薄膜的彈性係數,並確保微機電麥克風薄膜的堅固性,也可獲得對聲音變化的高靈敏性。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習相像技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧微機電麥克風裝置
10‧‧‧基板
102‧‧‧第一凹陷部
12‧‧‧微機電麥克風薄膜
14‧‧‧氧化層
142‧‧‧第二凹陷部
16‧‧‧背板層
160‧‧‧縫隙
18‧‧‧阻擋塊
20‧‧‧鈍化層

Claims (17)

  1. 一種微機電麥克風裝置,包括:一基板,具有一第一凹陷部,該基板上具有至少一第三凹陷部,該第三凹陷部環繞該第一凹陷部;一微機電麥克風薄膜,位於該基板上方,且覆蓋該第一凹陷部並定義出一第一空腔,該微機電麥克風薄膜包括:一彈性部,位於該微機電麥克風薄膜的中央位置,且被多個第一溝槽包圍,該些第一溝槽彼此分離地沿該彈性部的邊緣排列,且該些第一溝槽貫穿該彈性部的相對兩面;以及一結合部,位於該微機電麥克風薄膜的邊緣位置,連接該彈性部;一氧化層,具有一第二凹陷部,連接該微機電麥克風薄膜的該結合部,該第二凹陷部暴露出至少部分的該微機電麥克風薄膜;一背板層,具有多個縫隙,該背板層配置於該氧化層,透過該些縫隙與該第二凹陷部暴露出部分的該微機電麥克風薄膜;至少一阻擋塊,配置於該微機電麥克風薄膜與該背板層之間,而該阻擋塊與該氧化層連接,且位於該第二凹陷部內;以及一鈍化層,配置於該氧化層上,且該鈍化層暴露出部分的該背板層;其中該微機電麥克風薄膜與該基板之間具有一第一距離,該微機電麥克風薄膜與該阻擋塊之間具有一第二距離,該阻擋塊與該背板層之間具有一第三距離,該背板層與該鈍化層之間具有一第四距離,該第一距離、該第二距離、該第三距離與該第四距離皆在0.01至0.1微米之間。
  2. 如請求項1所述之微機電麥克風裝置,其中該背板層的該些縫隙的長度分別為3微米。
  3. 如請求項1所述之微機電麥克風裝置,其中該微機電麥克風薄膜與該背板層相距一第五距離,該第五距離在為1至3微米之間。
  4. 如請求項1所述之微機電麥克風裝置,其中於平行該基板上下表面的一橫切 面上,該第三凹陷部的面積小於該第一凹陷部的面積。
  5. 一種微機電麥克風裝置,包括:一基板,具有一第一凹陷部;一微機電麥克風薄膜,位於該基板上方,且覆蓋該第一凹陷部並定義出一第一空腔,該微機電麥克風薄膜包括:一彈性部,位於該微機電麥克風薄膜的中央位置,且被多個第一溝槽包圍,該些第一溝槽彼此分離地沿該彈性部的邊緣排列,且該些第一溝槽貫穿該彈性部的相對兩面;以及一結合部,位於該微機電麥克風薄膜的邊緣位置,連接該彈性部;以及一氧化層,具有一第二凹陷部,連接該微機電麥克風薄膜的該結合部,該第二凹陷部暴露出至少部分的該微機電麥克風薄膜;其中該基板上具有多個第三凹陷部,該些第三凹陷部彼此分離地沿該基板的邊緣排列。
  6. 如請求項5所述之微機電麥克風裝置,更包含:一背板層,具有多個縫隙,該背板層配置於該氧化層,透過該些縫隙與該第二凹陷部暴露出部分的該微機電麥克風薄膜。
  7. 如請求項6所述之微機電麥克風裝置,更包含:至少一阻擋塊,配置於該微機電麥克風薄膜與該背板層之間,而該阻擋塊與該氧化層連接,且位於該第二凹陷部內。
  8. 如請求項7所述之微機電麥克風裝置,更包含:一鈍化層,配置於該氧化層上,且該鈍化層暴露出部分的該背板層。
  9. 如請求項8所述之微機電麥克風裝置,其中該微機電麥克風薄膜與該基板之間具有一第一距離,該微機電麥克風薄膜與該阻擋塊之間具有一第二距離,該阻擋塊與該背板層之間具有一第三距離,該背板層與該鈍化層之間具有一第四距離,該第一距離、該第二距離、該第三距離與該第四距離皆在0.01至1微米之間。
  10. 如請求項6所述之微機電麥克風裝置,其中該背板層的該些縫隙的長度分別在1至5微米之間。
  11. 如請求項6所述之微機電麥克風裝置,其中該微機電麥克風薄膜與該背板層相距一第五距離,該第五距離在為1至5微米之間。
  12. 一種微機電麥克風裝置,包括:一基板,具有一第一凹陷部;一微機電麥克風薄膜,位於該基板上方,且覆蓋該第一凹陷部並定義出一第一空腔,該微機電麥克風薄膜包括:一彈性部,位於該微機電麥克風薄膜的中央位置,且被多個第一溝槽包圍,該些第一溝槽彼此分離地沿該彈性部的邊緣排列,且該些第一溝槽貫穿該彈性部的相對兩面;以及一結合部,位於該微機電麥克風薄膜的邊緣位置,連接該彈性部;以及一氧化層,具有一第二凹陷部,連接該微機電麥克風薄膜的該結合部,該第二凹陷部暴露出至少部分的該微機電麥克風薄膜;其中該微機電麥克風薄膜的厚度小於0.4微米。
  13. 如請求項1、請求項5與請求項12任一所述之微機電麥克風裝置,其中該微機電麥克風薄膜的長度與寬度小於350微米。
  14. 如請求項1、請求項5與請求項12任一所述之微機電麥克風裝置,其中該些第一溝槽的寬度與該微機電麥克風薄膜的寬度比至少小於1:200。
  15. 如請求項1、請求項5與請求項12任一所述之微機電麥克風裝置,其中該微機電麥克風薄膜的形狀為圓形或方形。
  16. 如請求項1、請求項5與請求項12任一所述之微機電麥克風裝置,其中該彈性部更具有多個第二溝槽與多個第三溝槽,該些第一溝槽將該些第二溝槽與該些第三溝槽圍繞於內,且該些第二溝槽與該些第三溝槽交錯排列,各該第二溝槽分別相鄰且平行於各該第一溝槽,各該第三溝槽分別位於相鄰之兩個該些第二溝槽之間,且該些第三溝槽兩兩對稱而位於該彈性部的對角。
  17. 如請求項16所述之微機電麥克風裝置,其中該些第一溝槽、該些第二溝槽及該些第三溝槽的形狀為直條狀。
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