TW201725170A - Mems結構及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種結構及其製造方法。該方法包含以下操作。接收一裝置基板，其具有彼此對立的一第一表面與一第二表面。接收一載體基板，其具有彼此對立的一第三表面與一第四表面。在該載體基板的該第三表面與該裝置基板的該第二表面之間，形成一中間層。該裝置基板的該第二表面係附接至該載體基板的該第三表面。自該第一表面薄化該裝置基板。在該裝置基板的該第一表面上方，形成一裝置。自該第四表面圖案化該載體基板與該裝置基板，以於該載體基板、該中間層、以及該裝置基板中，形成一空腔。

Description

MEMS結構及其製造方法
本揭露係關於微機電系統(MEMS)結構及其製造方法。
微機電系統(MEMS)裝置是微尺寸裝置，通常尺寸範圍係自小於1微米至數毫米。MEMS裝置包含形成於基板(例如，晶圓)上的機械元件(固定元件與/或可動元件)以感測物理狀態，例如力、加速度、壓力、溫度或是振動，以及電子元件用以處理電信號。MEMS裝置廣泛用於例如音響系統(acoustic system)、汽車系統(automotive system)、慣性引導系統(inertial guidance system)、家用電器(household appliance)、許多裝置的保護系統之應用中，以及用於許多其他的產業、科學、與工程系統中。 隨著技術進展，由於尺寸與厚度越來越小，MEMS裝置與半導體裝置的設計變得越來越複雜。在此小且薄的裝置中，實施許多製造操作。以微小化規模製造MEMS裝置與半導體裝置變得更加複雜，製造複雜度的增加可能造成缺陷，例如產量下降、晶圓破裂、以及其他問題。
本揭露的一些實施例係提供一種製造結構的方法，其包括接收一裝置基板，其具有彼此對立的一第一表面與第二表面；接收一載體基板，其具有彼此對立的一第三表面與一第四表面；形成一中間層於該載體基板的該第三表面與該裝置基板的該第二表面；附接該裝置基板的該第二表面至該載體基板的該第三表面；自該第一表面薄化該裝置基板；形成一裝置於該裝置基板的該第一表面上方；以及自該第四表面圖案化該載體基板與該裝置基板，以於該載體基板、該中間層、以及該裝置基板中形成一空腔。 本揭露的一些實施例係提供一種製造MEMS結構的方法，其包括接收一基板，其具有一載體基板、一裝置基板、以及插於其間的一中間層，其中該中間層具有複數個凹部；薄化該裝置基板；形成一MEMS裝置於該裝置基板上方，其中該MEMS裝置包括一隔膜、重疊於該隔膜上的一板、以及包圍該薄膜與該板的至少一介電層；蝕刻該基板，以形成暴露該介電層的一空腔；以及蝕刻該介電層的一部分以暴露該隔膜與該板，並且同時蝕刻該中間層的一部分。 本揭露的一些實施例係提供一種MEMS結構，其包括一基板，其具有一第一表面與一第二表面；一板，其位於該基板的該第一表面上方；一隔膜，其位於該基板的該第一表面上方；一空腔，其形成於該基板中並且暴露該板與該隔膜；以及一凸塊，其位於該基板的該第二表面上。
本揭露提供了數個不同的實施方法或實施例，可用於實現本發明的不同特徵。為簡化說明起見，本揭露也同時描述了特定零組件與佈置的範例。請注意提供這些特定範例的目的僅在於示範，而非予以任何限制。舉例而言，在以下說明第一特徵如何在第二特徵上或上方的敘述中，可能會包括某些實施例，其中第一特徵與第二特徵為直接接觸，而敘述中也可能包括其他不同實施例，其中第一特徵與第二特徵中間另有其他特徵，以致於第一特徵與第二特徵並不直接接觸。此外，本揭露中的各種範例可能使用重複的參考數字和/或文字註記，以使文件更加簡單化和明確，這些重複的參考數字與註記不代表不同的實施例與配置之間的關聯性。 另外，本揭露在使用與空間相關的敘述詞彙，如“在...之下”，“低”，“下”，“上方”，“之上”，“下”，“頂”，“底”和類似詞彙時，為便於敘述，其用法均在於描述圖示中一個元件或特徵與另一個（或多個）元件或特徵的相對關係。除了圖示中所顯示的角度方向外，這些空間相對詞彙也用來描述該裝置在使用中以及操作時的可能角度和方向。該裝置的角度方向可能不同（旋轉90度或其它方位），而在本揭露所使用的這些空間相關敘述可以同樣方式加以解釋。 在本文中所使用的“第一”、“第二”、“第三”以及“第四”語詞係描述各種元件、組件、區域、層、以及/或區段，這些元件、組件、區域、層、以及/或區段應不受限於這些語詞。這些語詞可僅用於一元件、組件、區域、層、或區段與另一元件、組件、區域、層、或區段。除非內文中清楚指明，否則當於本文中使用例如“第一”、“第二”、“第三”以及“第四”語詞時，並非意指序列或順序。 在本文中，“裝置基板”一詞係半導體材料或其他材料形成的晶圓或是基板，其上形成裝置，例如半導體裝置、MEMS裝置、或其他裝置。 在本文中，“載體基板”一詞係指由半導體材料或其他材料形成的晶圓或基板作為載體或是支撐體，以於運送或製造過程中攜載或支撐裝置基板。載體基板的尺寸、材料或特性與裝置晶板的尺寸、材料或特性可相同或不同。在一些實施例中，載體基板可重複使用。 在本文中，“附接”一詞係以直接接觸方式或是間接接合方式，結合一物體至另一物體。在直接接觸方式中，該物體係彼此實體接觸。在間接接合方式中，可使用中間層結合該物體。 在本揭露中，提供製造結構的方法。將裝置基板附接至載體基板，而後將裝置基板的厚度薄化至一預定厚度。而後，在薄化的裝置基板上，形成包含MEMS裝置與/或半導體裝置的裝置。該薄化的裝置基板受到載體基板支撐，因而可與標準的半導體製程與設備相容。 圖1係根據本揭露的各方面說明製造結構的方法之流程圖。該方法100始於操作110，在操作110中接收具有彼此對立之第一表面及第二表面的裝置基板。該方法100繼續進行操作120，在操作120中接收具有彼此對立之第三表面及第四表面的載體基板。該方法100繼續進行操130，在操作130中，在載體基板的第三表面與裝置基板的第二表面之間，形成中間層。該方法100繼續進行操作140，在操作140中，裝置基板的第二表面附接至載體基板的第三表面。該方法100繼續進行操作150，其中自第一表面薄化裝置基板。該方法100繼續進行操作160，其中在裝置基板的第一表面上方，形成裝置。該方法100繼續進行操作170，其中自第四表面圖案化載體基板與裝置基板，以於載體基板、中間層以及裝置基板中形成空腔(cavity)。 該方法100僅為一範例，且並非用於限制本揭露超出記載於申請專利範圍的內容。可在方法100之前、期間、以及之後，提供其他操作，以及關於該方法的其他實施例，可替換、排除、或是移動所描述的一些操作。 圖2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G、2H、2I與2J係根據本揭露的一些實施例說明製造結構的各種操作之一的剖面圖。如圖2A與圖1之操作100所示，方法100始於操作110，在操作110中，接收裝置基板10，其具有彼此對立的第一表面101以及第二表面102。裝置基板10係晶圓或基板，其上形成裝置，例如半導體裝置、MEMS裝置或是其他裝置。在一些實施例中，裝置基板10包含半導體基板，例如塊狀半導體基板。塊狀半導體基板包含元素半導體，例如矽或鍺；化合物半導體，例如矽鍺、碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、或砷化銦；或其組合物。在一些實施例中，基板包含多層基板，例如絕緣體上矽(silicon-on-insulator，SOI)基板，其包含底部半導體層、包埋的氧化物層(buried oxide layer，BOX)以及頂部半導體層。在其他的一些實施例中，基板包含絕緣基板，例如玻璃基板、傳導基板、或任何其他合適的基板。 在一些實施例中，裝置基板10係具有標準直徑與厚度的晶圓。例如，裝置基板10係八吋晶圓、十二吋晶圓、或其他尺寸的晶圓。例如，裝置基板10的厚度約725微米，但並不以此為限。 在一些實施例中，可自第二表面102任選地將裝置基板10圖案化以形成凹槽(notch) 120H。可藉由蝕刻、雷射鑽孔、或任何其他圖案化技術，形成凹槽102H。凹槽102H係第二表面102中的一凹部、溝槽、或是凹痕(indent)，並且不穿過裝置基板10。在一些實施例中，凹槽102H位於預定的切割線，裝置基板10沿著該預定的切割線待切割。凹槽102H係用於確保在切割操作(亦稱為單粒化(singulation)操作)過程中，裝置基板10實質沿著凹槽102H被切割而不沿著其他方向破裂。 如圖2B與圖1之操作120所示，方法100繼續進行操作120，在操作120中，接收載體基板20，其具有彼此對立的第三表面203與第四表面204。載體基板20係晶圓或基板作為載體或支撐體，以於運送或製造過程中攜載、支撐、或握持裝置基板10。載體基板20的尺寸、材料或特性與裝置基板10的尺寸、材料或特性可相同或不同。在一些實施例中，載體基板20可重複使用。 在一些實施例中，可自第四表面204任選地圖案化載體基板20，以形成凹槽204H。在一些實施例中，形成對應於凹槽102H的凹槽204H，並且凹槽204H具有與凹槽102H相同的功能性。 如圖2C與圖1之操作130所示，方法100繼續進行操作130，在操作130中，在載體基板20的第三表面203與裝置基板10的第二表面102之間，形成中間層22。在一些實施例中，在附接裝置基板10的第二表面102至載體基板20的第三表面203之前，在載體基板20的第三表面203上方，形成中間層22。在一些其他的實施例中，在附接裝置基板10的第二表面102至載體基板20的第三表面203之前，在裝置基板10的第二表面102上，形成中間層22。在一些實施例中，中間層22係圖案化的中間層，其具有開口22H暴露載體基板20的第三表面203的一部分。在一些其他的實施例中，中間層22未被圖案化，並且實質覆蓋載體基板20的整個第三表面203與裝置基板10的第二表面102。 如圖2D與圖1之操作140所示，方法100繼續進行操作140，在操作140中，裝置基板10的第二表面102附接至載體基板20的第三表面203。例如，藉由熔融接合或任何其他合適的直接或間接接合技術，可接合裝置基板10與載體基板20。在一些實施例中，中間層22係有黏著性的，以及藉由中間層22接合裝置基板10與載體基板20。中間層22係位於裝置基板10與載體基板20之間，並且作為載體基板20與裝置基板10之間的犧牲釋放層。犧牲釋放層係臨時黏附於載體基板20與裝置基板10之間，因而裝置基板10可受到載體基板20支撐並且被薄化至預定厚度，以滿足所欲形成之裝置的需求。在薄化裝置基板10且在裝置基板10上方形成裝置之後，接著將自載體基板20與/或裝置基板10脫離犧牲釋放層。在一些實施例中，中間層22係介電材料，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或任何其他合適的材料。在一些實施例中，中間層22的材料以及載體基板20與裝置基板10的材料具有不同的蝕刻選擇性。 如圖2E與圖1之操作150所示，方法100繼續進行操作150，在操作150中，自第一表面101薄化裝置基板10。在一些實施例中，將裝置基板10薄化至一預定厚度，以符合裝置的需求，該裝置例如欲形成的MEMS裝置。在一些實施例中，薄化的裝置基板10之預定厚度範圍係實質自約50微米至約400微米。若沒有載體基板20，在標準的半導體設備中，難以握持如此薄厚度的裝置基板10，晶圓破裂的風險增加。然而，由於受到載體基板20支撐，裝置基板10係與標準半導體設備與製造可相容。可藉由任何機械與/或化學薄化技術，例如研磨、拋光、或蝕刻，薄化裝置基板10。 如圖2F與圖1之操作160所示，方法100繼續進行操作160，在操作160中，在裝置基板20的第一表面101上方，形成裝置30。裝置30可為MEMS裝置、半導體裝置、電子裝置、機械裝置、主動裝置、被動裝置、其組合、或任何其他的裝置。在一些實施例中，裝置30包含MEMS裝置，例如音響裝置(acoustic device)。在一些實施例中裝置30包含MEMS裝置，例如音響裝置(acoustic device)，以及主動裝置，例如CMOS裝置，用於處理MEMS裝置產生的信號。例如，音響裝置係麥克風裝置或是超音波裝置，其係用於感測聲波並且將聲波轉換為電子信號。 在一些實施例中，在裝置基板10的第一表面101上方形成裝置30包含形成複數個介電層31與傳導層32的薄膜堆疊。介電層31與傳導層32可交替形成。在一些實施例中，傳導層32包含至少一板與隔膜(diaphragm)，且板與隔膜之間由至少一介電層31相隔。在本揭露中，傳導層32包含第一板41、隔膜42、以及第二板43，其中隔膜42插在第一板41與第二板43之間。第一板41與第二板43係作為電極。在一些實施例中，可省略第一板41或第二板43其中之一。隔膜42亦稱為膜(membrane)。 在一些實施例中，隔膜42係傳導性或半傳導性。例如，隔膜42係由半導體材料形成，例如多晶矽或是任何其他合適的半導體材料並且摻雜p型、n型摻質、或具傳導性的類似者。在一些實施例中，隔膜42係由介電材料或以傳導材料覆蓋之半導體材料形成。在一些實施例中，隔膜42包含孔洞42H以調節隔膜42的共振形式與/或防止隔膜42因過大的壓力而破裂。 第一板41與第二板43係傳導性的或是半傳導性的。在一些實施例中，第一板41或第二板43係由半導體材料形成，例如多晶矽與摻雜p型、n型摻質、或具傳導性的類似者。在一些實施例中，第一板41或第二板43係由介電材料或傳導材料覆蓋之半導體材料形成。在一些實施例中，第一板41或第二板43可為單層結構。在一些實施例中，第一板41或第二板43可為多層結構，其包含傳導材料層與至少一絕緣層。例如，多層結構包含氮化矽層與矽層(SiN/Si)的薄膜堆疊，或是氮化矽層、矽層、以及另一氮化矽層(SiN/Si/SiN)的薄膜堆疊。 在一些實施例中，第一板41包含通氣孔41H，以及/或第二板43包含通氣孔43H。通氣孔41H與43H係用於調節隔膜42的共振形式以及/或防止隔膜42因過大的壓力而破裂。 介電層31係用於作為犧牲結構層。犧牲結構層形成用以支撐或包圍包含隔膜42與板的傳導層32，該板例如第一及第二板41與43。犧牲結構層係臨時形成於傳導層32之間，因而在製造過程中，傳導層32可被支撐。而後，移除各個犧牲結構層的一部分，因而隔膜42與第一及第二板41與43的各個之間存在空氣間隙。介電層31的材料包含半導體氧化物(例如氧化矽)、半導體氮化物(例如氮化矽)、半導體氮氧化物(氮氧化矽)、或任何其他合適的介電材料。在一些實施例中，介電層31的材料以及載體基板20與裝置基板10的材料具有不同的蝕刻選擇性。在一些實施例中，介電層31與中間層22可包含相同的介電材料。 在一些實施例中，在薄膜堆疊上方，形成複數個連接墊34與蝕刻停止層36。連接墊34係用於作為裝置30外部或內部的連接部件。在一些實施例中，連接墊34係分別電連接至第一板41與第二板43。連接墊34亦可電連接至另一結構，例如防護環(guard ring)。連接墊34的材料可包含金屬，例如金(Au)、合金，例如鋁銅(AlCu)、或任何其他傳導材料。蝕刻停止層36係用於當蝕刻介電層31時，保護連接墊34免於受到蝕刻或破壞。在一些實施例中，蝕刻停止層36分別覆蓋連接墊34的橫側。 如圖2G與圖1之操作170所示，方法100繼續進行操作170，在操作170中，自第四表面204圖案化載體基板20與裝置基板10，以於載體基板20、中間層22、以及裝置基板10中形成空腔10C(亦稱為背腔室)。在一些實施例中，裝置20包含電容式麥克風裝置或是電容式超音波裝置，以及空腔10C係用於作為共振腔室。可基於不同考量，例如靈敏性、信號與雜訊比、頻率響應以及其他因素，而修改形狀、尺寸與深度。在一些實施例中，空腔10C的側壁係實質垂直於裝置基板10的第二表面102，亦即載體基板20中的空腔10C與裝置基板10中的空腔10C具有相同尺寸。在一些其他的實施例中，空腔10C的側壁係相對於裝置基板10的第二表面102傾斜。例如，裝置基板10中的空腔10C之尺寸小於載體基板20中的空腔10C之尺寸。可藉由蝕刻，例如乾式蝕刻與/或濕式蝕刻，形成空腔10C。在一些實施例中，在相同的蝕刻操作中，蝕刻去除空腔10C所暴露的中間層22。 方法100可繼續進行以下操作。如圖2H所示，經由空腔10C以及經由裝置30的頂部表面(與空腔10C對立的表面)，蝕刻各個介電層31的一部分以懸掛(suspend)隔膜42。在移除該部分的介電層31之後，在隔膜42與板41之間以及隔膜42與第二板43之間，形成空氣間隙。據此，隔膜42係與第一板41及第二板43相隔，因而可相對於第 板41與/或第二板43移動。因此，隔膜42可受到聲壓而共振。在一些實施例中，沿著各個介電層31的該部分，同時蝕刻去除部分的中間層22。在此例子中，中間層22與載體基板20之間的接觸面積減少，因而裝置基板10可輕易地自載體基板20被拾起。 如圖2I所示，載體基板20的第四表面204係附接至薄膜(film)26。在一些實施例中，薄膜26係黏著膜，例如膠帶，其可黏附至載體基板20。在一些實施例中，薄膜26係與載體基板20的第四表面204實質齊平。而後，進行切割操作以沿著切割線切割裝置基板10，因而裝置基板10分為數片，而裝置基板10的各片仍附接至載體基板20而無散落。 在一些實施例中，未沿著裝置基板10切割載體基板20。在一些其他的實施例中，亦沿著裝置基板10切割載體基板20，因而載體基板20被分為數片。在一些實施例中，藉由雷射切割或是任何合適的切割技術，達成裝置基板10與載體基板20的切割。裝置基板10的凹槽102H與載體基板20的凹槽204H係用於在切割操作中防止裝置基板10與載體基板20沿著其他橫向破裂。 如圖2J所示，裝置30與裝置基板10的各片在載體基板20被拾起並且與載體基板20分隔。據此，製造出裝置結構50，例如MEMS結構。在一些實施例中，中間層22或部分的中間層22保留在裝置基板10的第二表面102上，因而在裝置基板10的第二表面102上形成凸塊24。凸塊24的圖案可規則或不規則分佈。 本揭露之製造結構的方法並不限於上述實施例，並且可具有其他不同的實施例。為了簡化說明並且便於比較本揭露的各個實施例，以下實施例中相同的元件以相同的元件符號標示。為了使其更容易比較實施例之間的差異，以下說明將詳述不同實施例之間的相異之處，並且不再冗餘描述相同的特徵。 圖3A、3B與3C係根據本揭露的一些實施例說明製造結構的各種操作之一的剖面圖。如圖3A所示，不同於圖2A-2J的實施例，在附接裝置基板10的第二表面102至載體基板20的第三表面203之前，圖案化中間層22以形成凹部22T。凹部22T係用於預先調節中間層22與載體基板20之間的接觸面積。 如圖3B所示，憑藉凹部22T(未繪示)，隨著蝕刻介電層31，中間層22與載體基板20之間的接觸面積將會減少至所欲之值。據此，中間層22與載體基板20之間的黏附降低至所欲之值以利於後續的脫膜(releasing)操作。而後，在裝置基板10上，形成裝置30。 如圖3C所示，載體基板20的第四表面204附接至薄膜26。接著，進行切割操作以切割裝置基板10，因而裝置基板10分為數片，而裝置基板10的各片仍附接至載體基板20而未散落。裝置30與裝置基板10的各片自載體基板20被拾起並且與載體基板20分隔。據此，製造裝置結構60。在一些實施例中，中間層22或部分的中間層22保留在裝置基板10的第二表面102上，因而在裝置基板10的第二表面102上形成凸塊24。凸塊24的圖案可規則或不規則分佈。 圖4A與4B係根據本揭露的一些實施例說明製造結構的各種操作之一的剖面圖。如圖4A所示，不同於圖2A-2J的實施例，圖案化載體基板20以形成溝槽20A，以及圖案化裝置基板10以形成通路孔10A。溝槽20A與通路孔洞10A一起形成空腔10C，並且溝槽20A的尺寸大於通路孔10A的尺寸。在一些實施例中，藉由多階段蝕刻，形成溝槽20A與通路孔10A，以及各個蝕刻階段可為濕式蝕刻或乾式蝕刻。溝槽20A的側壁可實質垂直於載體基板20的第四表面204或相對於載體基板20的第四表面204傾斜。通路孔10A的側壁可實質垂直於裝置基板10的第二表面102或相對於裝置基板10的第二表面102傾斜。 而後，載體基板20附接至薄膜26。在一些實施例中，薄膜26的一部分附接至載體基板20的第四表面204，以及薄膜26的另一部分附接至裝置基板10的第二表面102。 如圖4B所示，進行切割操作以切割裝置基板10，因而裝置基板10分為數片，而裝置基板10的各片仍附接至載體基板20而未散落。裝置30與裝置基板10的各片自載體基板被拾起，並且與載體基板20分隔。據此，製造裝置結構70。 在本揭露的方法中，裝置結構係受到載體基板支撐，因而可被薄化至預定厚度，滿足一些裝置的需求，例如MEMS裝置與/或半導體裝置。受到載體基板支撐之薄化的裝置基板與標準半導體製程與設備可相同，而不增加破裂風險。 在一例示方面，提供製造結構的方法。該方法包含以下操作。接收具有彼此對立之第一表面與第二表面的裝置基板。接收具有彼此對立之第三表面與第四表面的載體基板。在載體基板的第三表面與裝置基板的第二表面之間，形成中間層。裝置基板的第二表面係附接至載體基板的第三表面。自第一表面薄化裝置基板。在裝置基板的第一表面上方，形成裝置。自第四表面圖案化載體基板與裝置基板，以於載體基板、中間層、以及裝置基板中，形成空腔。 在另一例示方面，提供製造MEMS結構的方法。該方法包含以下操作。提供一基板，其具有載體基板、裝置基板、以及插在其間的中間層。中間層具有複數個凹部。薄化裝置基板。在裝置基板上方，形成MEMS裝置，其中MEMS裝置包括隔膜、重疊於該隔膜的板、以及包圍該隔膜與該板的至少一介電層。蝕刻該基板，以形成暴露該介電層的空腔。蝕刻該介電層的一部分以暴露該隔膜與該板，並且同時蝕刻該中間層的一部分。 在另一方面，提供MEMS結構。MEMS裝置包含基板、板、隔膜、空腔、以及凸塊。該基板具有第一表面與第二表面。該板係位於該基板的第一表面上方。該隔膜係位於基板的第一表面上方。該空腔係形成於基板中並且暴露該板與該隔膜。該凸塊係位於基板的第二表面上。 前述內容概述一些實施方式的特徵，因而熟知此技藝之人士可更加理解本揭露之各方面。熟知此技藝之人士應理解可輕易使用本揭露作為基礎，用於設計或修飾其他製程與結構而實現與本申請案所述之實施例具有相同目的與/或達到相同優點。熟知此技藝之人士亦應理解此均等架構並不脫離本揭露揭示內容的精神與範圍，並且熟知此技藝之人士可進行各種變化、取代與替換，而不脫離本揭露之精神與範圍。
10‧‧‧裝置基板
10A‧‧‧通路孔
10C‧‧‧空腔
20‧‧‧載體基板
20A‧‧‧溝槽
22‧‧‧中間層
22H‧‧‧開口
22T‧‧‧凹部
24‧‧‧凸塊
26‧‧‧薄膜
30‧‧‧裝置
31‧‧‧介電層
32‧‧‧傳導層
34‧‧‧連接墊
36‧‧‧蝕刻停止層
41‧‧‧第一板
41H‧‧‧通氣孔
42‧‧‧隔膜
42H‧‧‧孔洞
43‧‧‧第二板
43H‧‧‧通氣孔
50‧‧‧裝置結構
60‧‧‧裝置結構
70‧‧‧裝置結構
101‧‧‧第一表面
102‧‧‧第二表面
102H‧‧‧凹槽
203‧‧‧第三表面
204‧‧‧第四表面
204H‧‧‧凹槽
為協助讀者達到最佳理解效果，建議在閱讀本揭露時同時參考附件圖示及其詳細文字敘述說明。請注意為遵循業界標準作法，本專利說明書中的圖式不一定按照正確的比例繪製。在某些圖式中，尺寸可能刻意放大或縮小，以協助讀者清楚了解其中的討論內容。 圖1係根據本揭露的各方面說明製造結構的方法之流程圖。 圖2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G、2H、2I與2J係根據本揭露的一些實施例說明製造結構的各種操作之一的剖面圖。 圖3A、3B與3C係根據本揭露的一些實施例說明製造結構的各種操作之一的剖面圖。 圖4A與4B係根據本揭露的一些實施例說明製造結構的各種操作之一的剖面圖。
10‧‧‧裝置基板
10C‧‧‧空腔
20‧‧‧載體基板
24‧‧‧凸塊
26‧‧‧薄膜
30‧‧‧裝置
31‧‧‧介電層
32‧‧‧傳導層
34‧‧‧連接墊
36‧‧‧蝕刻停止層
41‧‧‧第一板
41H‧‧‧通氣孔
42‧‧‧隔膜
42H‧‧‧孔洞
43‧‧‧第二板
43H‧‧‧通氣孔
50‧‧‧裝置結構
101‧‧‧第一表面
102‧‧‧第二表面
203‧‧‧第三表面
204‧‧‧第四表面

Claims (1)

  1. 一種製造結構的方法，其包括： 接收一裝置基板，其具有彼此對立的一第一表面與第二表面； 接收一載體基板，其具有彼此對立的一第三表面與一第四表面； 形成一中間層於該載體基板的該第三表面與該裝置基板的該第二表面； 附接該裝置基板的該第二表面至該載體基板的該第三表面； 自該第一表面薄化該裝置基板； 形成一裝置於該裝置基板的該第一表面上方；以及 自該第四表面圖案化該載體基板與該裝置基板，以於該載體基板、該中間層、以及該裝置基板中形成一空腔。
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