TWI575491B - 顯示裝置及閘極驅動電路之供應電壓的提供方法 - Google Patents

Description

顯示裝置及閘極驅動電路之供應電壓的 提供方法

本案涉及一種電子裝置及方法。具體而言，本案涉及一種顯示裝置及閘極驅動電路之供應電壓的提供方法。

隨著科技的發展，顯示裝置已廣泛地應用在人們的生活當中。

典型的顯示裝置，可包括閘極驅動電路與源極驅動電路。閘極驅動電路用以提供掃描訊號至主動區，以令主動區的像素開啟。源極驅動電路用以提供資料電壓至主動區中開啟的像素，以令主動區中的像素相應於資料電壓進行顯示。

然而，隨顯示裝置的溫度上升，閘極驅動電路中的電晶體的臨界電壓也上升。如此將造成閘極驅動電路中的驅動電流衰減，而不利顯示裝置的正常運作。因此，一種改進手段應當被提出。

本案一實施態樣涉及一種顯示裝置。根據本案一實施例，顯示裝置包括：閘極驅動電路、溫度感測電路、處理電路、以及電源供應電路。閘極驅動電路包括多個第一薄膜電晶體，該些第一薄膜電晶體設置於一基板上。溫度感測電路包括多個第二薄膜電晶體，該些第二薄膜電晶體設置於該基板上，該溫度感測電路用以根據一感測溫度產生一溫度感測訊號。處理電路電性耦接該溫度感測電路，用以根據該溫度感測訊號的頻率輸出至少一調整偏壓。電源供應電路電性耦接該處理電路與該閘極驅動電路，用以相應於該至少一調整偏壓提供至少一供應電壓至該閘極驅動電路。

本案另一實施態樣涉及一種閘極驅動電路之供應電壓的提供方法。根據本案一實施例，該提供方法包括：利用一溫度感測電路，相應於一感測溫度產生一溫度感測訊號；根據該溫度感測訊號的頻率輸出至少一調整偏壓；以及相應於該至少一調整偏壓提供至少一供應電壓至一閘極驅動電路；其中該閘極驅動電路包括多個第一薄膜電晶體，該溫度感測電路，包括多個第二薄膜電晶體，且該些第一薄膜電晶體與該些第二薄膜電晶體設置於同一基板上。

透過應用上述一實施例，即可相應於感測溫度提供供應電壓至閘極驅動電路，以確保閘極驅動電路在溫度變化下的正常運作。

10‧‧‧顯示裝置

20‧‧‧主動區

30‧‧‧源極驅動電路

40‧‧‧閘極驅動電路

50‧‧‧溫度感測電路

60‧‧‧處理電路

70‧‧‧電源供應電路

SBT‧‧‧基板

TCLK1‧‧‧振盪訊號

TCLK2‧‧‧溫度感測訊號

DCLK‧‧‧轉換訊號

RCLK‧‧‧參考時脈訊號

VBS‧‧‧調整偏壓

VSP‧‧‧供應電壓

VCT‧‧‧控制電壓

VREF‧‧‧參考電壓

TRG‧‧‧取樣觸發訊號

TP‧‧‧溫度資料

DCD‧‧‧電壓資料

OSC‧‧‧振盪器

CMP‧‧‧比較器

LSF‧‧‧位準轉換器

FDV‧‧‧除頻器

CNT‧‧‧計數器

CVR‧‧‧轉換器

LT‧‧‧查照表

ROSC‧‧‧參考時脈訊號產生電路

DS‧‧‧顯示元件

DAC‧‧‧數位類比轉換器

AND‧‧‧及閘

INV‧‧‧反相器

TTR‧‧‧薄膜電晶體

EN‧‧‧致能訊號

CTR1-CTR4‧‧‧電晶體

WK1-WK3‧‧‧工作單元

DV1-DV3‧‧‧分壓單元

CP1-CP3‧‧‧電荷幫浦

CO1-CO3‧‧‧電容

C1-C3‧‧‧電容

DN‧‧‧二極體

L1‧‧‧電感

R1-R6‧‧‧電阻

T1-T3‧‧‧電晶體

D1-D6‧‧‧二極體

VFB1-VFB3‧‧‧回授電壓

VBS1-VBS3‧‧‧調整偏壓

AVDD‧‧‧供應電壓

VGH‧‧‧供應電壓

VGL‧‧‧供應電壓

VIN‧‧‧輸入電壓

200‧‧‧方法

S1-S3‧‧‧步驟

W1-W6‧‧‧波形

V1-V9‧‧‧波形

第1圖為根據本案一實施例所繪示的顯示裝置的示意圖；第2圖為根據本案一實施例所繪示的溫度感測電路、處理電路、及其相關元件的具體示意圖；第3圖為根據本案一實施例所繪示的顯示裝置的相關訊號示意圖；第4圖為根據本案一實施例所繪示的溫度感測電路的電路圖；第5圖為根據本案一實施例所繪示的電源供應電路的電路圖；第6圖為根據本發明一實施例所繪示的閘極驅動電路之供應電壓的提供方法的流程圖；第7A圖為根據本發明一實施例所繪示的調整片間差的示意圖；第7B圖為根據本發明一實施例所繪示的振盪訊號的頻率與控制電壓的關係圖；第8A圖為根據本發明一實施例所繪示的轉換訊號的頻率與溫度的關係圖；第8B圖為根據本發明一實施例所繪示的取樣觸發訊號的個數與溫度的關係圖；第8C圖為根據本發明另一實施例所繪示的取樣觸發訊號的個數與溫度的關係圖；第9圖為根據本發明一實施例所繪示的供應電壓與溫度 的關係圖；第10圖為根據本發明一實驗例所繪示的波形圖；第11圖為根據本發明一實驗例所繪示的波形圖。

以下將以圖式及詳細敘述清楚說明本揭示內容之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本揭示內容之實施例後，當可由本揭示內容所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本揭示內容之精神與範圍。

關於本文中所使用之『第一』、『第二』、...等，並非特別指稱次序或順位的意思，亦非用以限定本發明，其僅為了區別以相同技術用語描述的元件或操作。

關於本文中所使用之『電性耦接』，可指二或多個元件相互直接作實體或電性接觸，或是相互間接作實體或電性接觸，而『電性耦接』還可指二或多個元件元件相互操作或動作。

關於本文中所使用之『包含』、『包括』、『具有』、『含有』等等，均為開放性的用語，即意指包含但不限於。

關於本文中所使用之『及/或』，係包括所述事物的任一或全部組合。

關於本文中所使用之方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本案。

關於本文中所使用之用詞(terms)，除有特別註明外，通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭露之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本揭露之用詞將於下或在此說明書的別處討論，以提供本領域技術人員在有關本揭露之描述上額外的引導。

第1圖為根據本案一實施例所繪示的顯示裝置10的示意圖。在本實施例中，顯示裝置10包括基板SBT、主動區20、源極驅動電路30、閘極驅動電路40、溫度感測電路50、處理電路60、以及電源供應電路70。應注意到，在本實施例中，雖以兩個閘極驅動電路與兩個溫度感測電路為例，然閘極驅動電路與溫度感測電路的數量可分別依實際需求改變(例如可皆為一個或分別為其它數量)，故本案不以此為限。

在本實施例中，主動區20、閘極驅動電路40、溫度感測電路50設置於基板SBT上。在本實施例中，溫度感測電路50相應於閘極驅動電路40設置。在一實施例中，溫度感測電路50鄰近於閘極驅動電路40設置。

在本實施例中，源極驅動電路30與閘極驅動電路40電性耦接主動區20。溫度感測電路50電性耦接處理電路60。處理電路60電性耦接電源供應電路70。電源供應電路70電性耦接閘極驅動電路40。

在本實施例中，閘極驅動電路40包括多個第一薄膜電晶體(未繪示)。此些第一薄膜電晶體設置於基板SBT上。溫度感測電路50包括多個第二薄膜電晶體(例如是第4 圖中的第二薄膜電晶體TTR)。此些第二薄膜電晶體設置於基板SBT上。在一些實施例中，此些第一薄膜電晶體與此些第二薄膜電晶體是利用相同或相似的製程形成。在一些實施例中，此些第一薄膜電晶體與此些第二薄膜電晶體可在同一製程中形成。在一些實施例中，此些第一薄膜電晶體與此些第二薄膜電晶體的製程與溫度相依，例如可為非晶矽(a-Si)製程、低溫多晶矽(LTPS)製程、氧化銦鎵鋅(IGZO)製程等。進而，由於溫度感測電路50的元件(例如第二薄膜電晶體)全部或者部分與閘極驅動電路40的元件(例如第一薄膜電晶體)具有相同或者相似的製程形成，且其皆形成於相同基板上，因此，若閘極驅動電路40的元件在運作後產生例如電性偏移，那溫度感測電路50的元件也能夠具有類似的偏移現象。也因如此，溫度感測電路50輸出的溫度感測訊號TCLK2可對應閘極驅動電路40的元件電性偏移而調整，進而控制電源供應電路70的輸出電源，進而相較於以不同製程製作的溫度感測電路50更能對於閘極驅動電路40的元件電性偏移產生補償效果。

在本實施例中，溫度感測電路50用以感測一感測溫度(例如是基板SBT上相應於溫度感測電路50的位置之環境溫度)，並根據此一感測溫度產生溫度感測訊號TCLK2至處理電路60。在一實施例中，溫度感測訊號TCLK2為一時間域溫度感測訊號。處理電路60接收溫度感測訊號TCLK2，並用以根據溫度感測訊號TCLK2的頻率輸出至少一筆調整偏壓VBS至電源供應電路70。電源供應電 路70用以相應於所述至少一筆調整偏壓VBS，提供至少一供應電壓VSP至閘極驅動電路40。

透過上述的設置，電源供應電路70即可相應於溫度感測電路50感測到的感測溫度，提供供應電壓VSP至閘極驅動電路40，以確保閘極驅動電路40在溫度變化下的正常運作。

此外，在一實施例中，處理電路60更用以根據溫度感測訊號TCLK2的頻率提供控制電壓VCT(參照第2圖)至溫度感測電路50，以調整溫度感測訊號TCLK2的頻率。例如，在預設溫度下，若溫度感測訊號TCLK2的頻率不符指定參考頻率，則處理電路60可改變控制電壓VCT的準位，以將溫度感測訊號TCLK2的頻率校正至指定參考頻率(如第7A圖所示)。

藉由如此操作，在出廠時即可將不同的顯示裝置10在相同溫度下的溫度感測訊號TCLK2的頻率校準至相同的指定參考頻率，從而避免片間差異。

以下將參照第2、3圖提供本案一些實施例中的具體細節，然本案並不以此為限。

第2圖為根據本案一實施例所繪示的溫度感測電路50、處理電路60、及其相關元件的具體示意圖。第3圖為根據本案一實施例所繪示的顯示裝置10的相關訊號示意圖。

在本實施例中，溫度感測電路50包括振盪器OSC與比較器CMP。振盪器OSC與比較器CMP彼此電性耦 接。在本實施例中，處理電路60包括除頻器FDV、計數器CNT、轉換器CVR、以及查照表LT。除頻器FDV電性耦接計數器CNT。計數器CNT電性耦接轉換器CVR。轉換器CVR電性耦接查照表LT。在一實施例中，處理電路60可為數位電路，且第2圖中的其餘元件可為類比電路元件，然本案不以此為限。

在本實施例中，振盪器OSC相應於感測溫度(例如是基板SBT上相應於溫度感測電路50的位置之環境溫度)，並根據此一感測溫度輸出振盪訊號TCLK1(參照第3圖)至比較器CMP。比較器CMP接收振盪訊號TCLK1，並將振盪訊號TCLK1與參考電壓VREF進行比較，以產生溫度感測訊號TCLK2(參照第3圖)。在一實施例中，溫度感測訊號TCLK2大致為方波。如此一來，即可將振盪訊號TCLK1失真的振盪波形轉為易於識別的方波。

在本實施例中，比較器CMP可透過位準轉換器LSF輸出轉換訊號DCLK至處理電路60。詳言之，位準轉換器LSF可用以改變溫度感測訊號TCLK2的電壓位準，以將溫度感測訊號TCLK2的電壓位準轉換為處理電路60可接受的電壓位準，以產生轉換訊號DCLK(參照第3圖)。應注意到，在一些實施例中，可適應性省略位準轉換器LSF。亦即，比較器CMP可直接輸出溫度感測訊號TCLK2至處理電路60。

在一實施例中，除頻器FDV可接收溫度感測訊號TCLK2(或轉換訊號DCLK)，並對溫度感測訊號TCLK2 或轉換訊號DCLK進行除頻，以提供除頻後的溫度感測訊號TCLK2(或轉換訊號DCLK)至計數器CNT。應注意到，在本實施例中，雖以除頻器FDV的除頻倍率為1倍進行說明，然而本案不以此為限。其它除頻倍率亦在本案範圍之中。此外，在一些實施例中，除頻器FDV亦可適應性省略。亦即，溫度感測訊號TCLK2(或轉換訊號DCLK)可直接提供至計數器CNT，而不經除頻。

在一實施例中，參考時脈訊號產生電路ROSC可提供參考時脈訊號RCLK(參照第3圖)至計數器CNT。在一實施例中，參考時脈訊號RCLK的頻率大於溫度感測訊號TCLK2(或轉換訊號DCLK)的頻率。在一實施例中，參考時脈訊號RCLK的頻率可大於溫度感測訊號TCLK2(或轉換訊號DCLK)的頻率的一百倍。在一實施例中，參考時脈訊號RCLK的頻率可大於10MHz。在一實施例中，溫度感測訊號TCLK2的頻率可小於100kHz。

在一實施例中，計數器CNT可接收除頻後的溫度感測訊號TCLK2(或轉換訊號DCLK)以及來自於參考時脈訊號產生電路ROSC的參考時脈訊號RCLK，並用以利用參考時脈訊號RCLK對除頻後的溫度感測訊號TCLK2(或轉換訊號DCLK)進行取樣，以取得複數筆取樣觸發訊號TRG(參照第3圖)，其中取樣觸發訊號TRG例如可為脈衝訊號。

舉例而言，當除頻後的溫度感測訊號TCLK2(或轉換訊號DCLK)為高電壓準位且參考時脈訊號RCLK 為正緣觸發時，計數器CNT即產生取樣觸發訊號TRG。

在一實施例中，轉換器CVR用以根據取樣觸發訊號TRG得知除頻後的溫度感測訊號TCLK2(或轉換訊號DCLK)的頻率，並用以根據除頻後的溫度感測訊號TCLK2(或轉換訊號DCLK)的頻率進行查表，以從查照表LT中獲得對應於除頻後的溫度感測訊號TCLK2(或轉換訊號DCLK)的頻率的電壓資料DCD(例如是數位的電壓數值)及溫度資料TP。在一實施例中，查照表LT可預先儲存複數筆分別對應於不同的頻率的溫度資料TP、以及複數筆分別對應於不同的頻率的電壓資料DCD。其中，此些溫度資料TP代表除頻後的溫度感測訊號TCLK2(或轉換訊號DCLK)的頻率所對應的顯示裝置10的溫度(例如58kHz對應25度C、68.6kHz對應50度C)，且此些電壓資料DCD代表除頻後的溫度感測訊號TCLK2(或轉換訊號DCLK)的頻率所對應的至少一調整偏壓及一控制電壓的資訊。

在一實施例中，轉換訊號DCLK與溫度呈正相關(可參照第8A圖)。取樣觸發訊號TRG的個數與溫度呈負相關(可參照第8B圖)。為使對應關係簡化，在查照表LT中轉換訊號DCLK的頻率與對應的顯示裝置10的溫度可呈線性負相關(可參照第8C圖)。

在一實施例中，轉換器CVR可提供所述溫度資料TP至顯示元件DS，以令顯示元件DS顯示溫度資料TP。此外，在一實施例中，轉換器CVR可提供所述電壓資料DCD至數位類比轉換器DAC(數位類比轉換器DAC可整合於處 理電路60之中，但不以此為限)。在一實施例中，數位類比轉換器DAC對電壓資料DCD進行轉換，以產生至少一筆調整偏壓VBS至電源供應電路70，以令電源供應電路70根據此至少一筆調整偏壓VBS輸出至少一筆供應電壓VSP。另外，在一實施例中，數位類比轉換器DAC亦可根據電壓資料DCD產生控制電壓VCT至振盪器OSC，以調整振盪訊號TCLK1、溫度感測訊號TCLK2、及振盪訊號TCLK1的頻率。利用此一控制電壓VCT，即可使不同的顯示裝置10的溫度感測電路50在相同溫度下產生大致相同頻率的溫度感測訊號TCLK2，以校正片間差。

如第3圖所示，利用上述的設置，即可將振盪訊號TCLK1的振盪波轉換為溫度感測訊號TCLK2或轉換訊號DCLK的方波。方波經由參考時脈訊號RCLK取樣，即可得到觸發訊號TRG的脈衝波。

以下將參照第4圖，提供本案一些實施例中的溫度感測電路50的具體細節，然本案並不以此為限。

在本實施例中，振盪器OSC包括複數個反相器INV、及閘AND、以及複數個第二薄膜電晶體TTR。在本實施例中，此些反相器INV彼此電性串聯連接，以相應於溫度感測電路50感測到的感測溫度(例如是基板SBT上相應於溫度感測電路50的位置之環境溫度)輸出振盪訊號TCLK1。

在本實施例，反相器INV可用前述第二薄膜電晶體實現。此些第二薄膜電晶體設置於基板SBT上。在一些 實施例中，此些第一薄膜電晶體與此些第二薄膜電晶體是利用相同或相似的製程形成。在一些實施例中，此些第一薄膜電晶體與此些第二薄膜電晶體可在同一製程中形成。在一些實施例中，此些第一薄膜電晶體與此些第二薄膜電晶體的製程與溫度相依，例如可為非晶矽(a-Si)製程、低溫多晶矽(LTPS)製程、氧化銦鎵鋅(IGZO)製程等。進而，由於反相器INV的元件全部或者部分(例如第二薄膜電晶體)與閘極驅動電路40的元件(例如第一薄膜電晶體)具有相同或者相似的製程形成，且其皆形成於相同基板上，因此，若閘極驅動電路40的元件在運作後產生例如電性偏移，那反相器INV的元件也能夠具有類似的偏移現象。也因如此，溫度感測電路50輸出的振盪訊號TCLK1可對應閘極驅動電路40的元件電性偏移而調整，而控制電源供應電路70的輸出電源，進而相較於以不同製程製作的溫度感測電路50更能對於閘極驅動電路40的元件電性偏移產生補償效果。

在一實施例中，此些串接的反相器INV的最後一級之輸出端電性耦接及閘AND的第一輸入端，及閘AND的第二輸入端電性耦接致能訊號EN，且及閘AND的輸出端電性耦接此些串接的反相器INV的第一級的輸入端。如此一來，此些串接的反相器INV即可根據此一致能訊號EN被致能(enable)或去能(disable)。

在一實施例中，前述第二薄膜電晶體TTR分別電性串聯耦接前述及閘AND與前述反相器INV，且此些第二薄膜電晶體TTR的閘極電性耦接控制電壓VCT，以根據 控制電壓VCT調整振盪訊號TCLK1的頻率。舉例來說，當控制電壓VCT提高時，反相器INV的驅動電流也相應提高，如此將使振盪訊號TCLK1的頻率上升。相反地，當控制電壓VCT降低時，反相器INV的驅動電流也相應降低，如此將使振盪訊號TCLK1的頻率下降。控制電壓VCT與振盪訊號TCLK1的頻率之關係可參照第7B圖。藉由控制控制電壓VCT的準位，可避免不同顯示裝置10之間的片間差異。

應注意到，在本實施例中，雖以4個反相器INV及5個第二薄膜電晶體TTR為例進行說明，然而其它數量的反相器INV與第二薄膜電晶體TTR亦在本案範圍之中。

在本實施例中，比較器CMP可包括電晶體CTR1-CTR4。電晶體CTR1與電晶體CTR2電性串聯耦接。電晶體CTR3與電晶體CTR4電性串聯耦接。電晶體CTR1與電晶體CTR3的閘極端電性耦接振盪訊號TCLK1。電晶體CTR4的閘極端電性耦接於電晶體CTR1與電晶體CTR2之間的節點。電晶體CTR3與電晶體CTR4之間的節點用以輸出溫度感測訊號TCLK2。

藉由以上的設置，即可使溫度感測電路50根據基板SBT上相應於振盪器OSC的位置之環境溫度，輸出溫度感測訊號TCLK2。

以下將參照第5圖，提供本案一些實施例中的電源供應電路70的具體細節，然本案並不以此為限。

在本實施例中，電源供應電路70可包括分壓單元DV1-DV3、工作單元WK1-WK3、電晶體T1-T3、電感 L1、電容CO1-CO3、電荷幫浦CP1-CP3、二極體DN。

在本實施例中，工作單元WK1電性耦接電晶體T1的閘極端與分壓單元DV1，並接收參考時脈訊號RCLK。電感L1電性耦接於輸入電壓VIN與電晶體T1之間。電晶體T1的第一端透過二極體DN電性耦接電容CO1的第一端與分壓單元DV1，且電晶體T1的第二端接地。電容CO1電性耦接於前述至少一供應電壓VSP中的一供應電壓AVDD與地之間，用以保持供應電壓AVDD。電荷幫浦CP1分別電性耦接電晶體T1的第一端、電容CO1的第一端、與電晶體T2的第一端。電荷幫浦CP2分別電性耦接電晶體T1的第一端、電晶體T2的第二端、分壓單元DV2、以及電容CO2的第一端。電容CO2電性耦接於前述至少一供應電壓VSP中的一供應電壓VGH與地之間，用以保持供應電壓VGH。工作單元WK2電性耦接電晶體T2的閘極端與分壓單元DV2。電荷幫浦CP3分別電性耦接電晶體T1的第一端。與電晶體T3的第一端。電晶體T3的第二端電性耦接分壓單元DV3與電容CO3的第一端。電容CO3電性耦接於前述至少一供應電壓VSP中的一供應電壓VGL與地之間，用以保持供應電壓VGL。工作單元WK3電性耦接電晶體T3的閘極端與分壓單元DV3。

在本實施例中，分壓單元DV1包括彼此電性串聯耦接的電阻R1、R2，其中電阻R1的一端電性耦接供應電壓AVDD，電阻R1的另一端電性耦接電阻R2的一端與工作單元WK1，電阻R2的另一端接地。分壓單元DV2包括彼此 電性串聯耦接的電阻R3、R4，其中電阻R3的一端電性耦接供應電壓VGH，電阻R3的另一端電性耦接電阻R4的一端與工作單元WK2，電阻R4的另一端接地。分壓單元DV3包括彼此電性串聯耦接的電阻R5、R6，其中電阻R5的一端電性耦接供應電壓VGL，電阻R5的另一端電性耦接電阻R6的一端與工作單元WK3，電阻R6的另一端接地。

在本實施例中，電荷幫浦CP1包括電容C1與二極體D1、D2。電容C1的一端電性耦接二極體D1的陰極端與二極體D2的陽極端，電容C1的另一端電性耦接電晶體T1的第一端，二極體D1的陽極端電性耦接供應電壓AVDD，二極體D2的陰極端電性耦接電晶體T2的第一端。電荷幫浦CP2包括電容C2與二極體D3、D4。電容C2的一端電性耦接二極體D3的陰極端與二極體D4的陽極端，電容C2的另一端電性耦接電晶體T1的第一端，二極體D3的陽極端電性耦接電晶體T2的第二端，二極體D4的陰極端電性耦接供應電壓VGH。電荷幫浦CP3包括電容C3與二極體D5、D6。電容C3的一端電性耦接二極體D5的陽極端與二極體D6的陰極端，電容C3的另一端電性耦接電晶體T1的第一端，二極體D5的陰極端接地，二極體D6的陽極端電性耦接電晶體T3的第一端。

在本實施例中，電阻R2、R4、R6為可調電阻。電阻R2、R4、R6分別相應於前述至少一調整偏壓VBS中的VBS1、VBS2、VBS3改變其電阻值。本領域人士當可理解，在不同實施例中，亦可改用電阻R1、R3、R5為可調電阻， 且以下實施例將相應改變。

在本實施例中，分壓單元DV1用以相應於調整偏壓VBS1，對供應電壓AVDD進行分壓，以產生回授電壓VFB1至工作單元WK1。工作單元WK1相應於回授電壓VFB1控制電晶體T1，以調整供應電壓AVDD。

在本實施例中，電荷幫浦CP1、CP2用以相應於供應電壓AVDD輸出供應電壓VGH，電荷幫浦數量可依實際需求改變(例如可皆為一個或其它數量)。分壓單元DV2用以相應於調整偏壓VBS2，對供應電壓VGH進行分壓，以產生回授電壓VFB2至工作單元WK2。工作單元WK2相應於回授電壓VFB2控制電晶體T2，以調整供應電壓VGH。

在本實施例中，電荷幫浦CP3用以相應於供應電壓GND，輸出工作電壓至電晶體T3的第一端，電荷幫浦數量可依實際需求改變(例如可皆為一個或其它數量)。分壓單元DV3用以相應於調整偏壓VBS3，對供應電壓VGL進行分壓，以產生回授電壓VFB3至工作單元WK3。工作單元WK3相應於回授電壓VFB3控制電晶體T3，以利用來自電荷幫浦CP3的工作電壓調整供應電壓VGL。

透過上述的設置，電源供應電路70即可相應於所述的調整偏壓VBS1、VBS2、VBS3，提供供應電壓AVDD、VGH、VGL至閘極驅動電路40，以確保閘極驅動電路40在溫度變化下的正常運作。

此外，由於供應電壓AVDD、VGH、vGL是根據查表取得的調整偏壓VBS1、VBS2、VBS3產生，故 供應電壓AVDD、VGH、VGL的數值可依需求自由設計，而不受其它限制(參照第9圖)。

第6圖為根據本發明一實施例所繪示的閘極驅動電路之供應電壓的提供方法200的流程圖。

應注意到，供應電壓的提供方法200可應用於相同或相似於第1圖中所示結構之顯示裝置。而為使敘述簡單，以下將根據本發明一實施例，以第1圖中的顯示裝置10為例進行對供應電壓的提供方法200敘述，然本發明不以此應用為限。

另外，應瞭解到，在本實施方式中所提及的供應電壓的提供方法200的步驟，除特別敘明其順序者外，均可依實際需要調整其前後順序，甚至可同時或部分同時執行。

再者，在不同實施例中，此些步驟亦可適應性地增加、置換、及/或省略。

在本實施例中，閘極驅動電路之供應電壓的提供方法200包括以下步驟。

在步驟S1中，利用溫度感測電路50，相應於溫度感測電路50感測到的感測溫度(例如是基板SBT上相應於溫度感測電路50的位置之環境溫度)，產生溫度感測訊號TCLK2。此一步驟的具體細節可參考前述段落，在此不贅述。

在步驟S2中，利用處理電路60，根據溫度感測訊號TCLK2的頻率輸出至少一調整偏壓VBS。此一步驟的 具體細節可參考前述段落，在此不贅述。

在步驟S3中，利用電源供應電路70，相應於所述至少一調整偏壓VBS提供至少一供應電壓VSP至閘極驅動電路40。此一步驟的具體細節可參考前述段落，在此不贅述。

透過上述的設置，電源供應電路70即可相應於溫度感測電路50感測到的感測溫度，提供供應電壓VSP至閘極驅動電路40，以確保閘極驅動電路40在溫度變化下的正常運作。

第10圖為根據本發明一實驗例所繪示的波形圖。在本實施例中，波形W1代表在攝氏-25度時的振盪訊號TCLK1的波形，波形W2代表在攝氏-25度時的溫度感測訊號TCLK2的波形，波形W3代表在攝氏+25度時的振盪訊號TCLK1的波形，波形W4代表在攝氏+25度時的溫度感測訊號TCLK2的波形，波形W5代表在攝氏+80度時的振盪訊號TCLK1的波形，波形W6代表在攝氏+80度時的溫度感測訊號TCLK2的波形。

第11圖為根據本發明一實驗例所繪示的波形圖。在本實施例中，波形V1代表在攝氏-25度時的轉換訊號DCLK的波形，波形V2代表在攝氏-25度時除頻後的轉換訊號DCLK的波形，波形V3代表在攝氏-25度時取樣觸發訊號TRG的個數，波形V4代表在攝氏+25度時的轉換訊號DCLK的波形，波形V5代表在攝氏+25度時除頻後的轉換訊號DCLK的波形，波形V6代表在攝氏+25度時取樣觸發訊號 TRG的個數，波形V7代表在攝氏+80度時的轉換訊號DCLK的波形，波形V8代表在攝氏+80度時除頻後的轉換訊號DCLK的波形，波形V9代表在攝氏+80度時取樣觸發訊號TRG的個數。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧顯示裝置

20‧‧‧主動區

30‧‧‧源極驅動電路

40‧‧‧閘極驅動電路

50‧‧‧溫度感測電路

60‧‧‧處理電路

70‧‧‧電源供應電路

SBT‧‧‧基板

TCLK2‧‧‧溫度感測訊號

VBS‧‧‧調整偏壓

VSP‧‧‧供應電壓

Claims (10)

1. 一種顯示裝置，包括：一閘極驅動電路，包括多個第一薄膜電晶體，該些第一薄膜電晶體設置於一基板上；一溫度感測電路，包括多個第二薄膜電晶體，該些第二薄膜電晶體設置於該基板上，該溫度感測電路用以根據一感測溫度產生一溫度感測訊號；一處理電路，電性耦接該溫度感測電路，用以根據該溫度感測訊號的頻率輸出至少一調整偏壓，其中該處理電路用以根據該溫度感測訊號提供一控制電壓，且該處理電路更用以提供該控制電壓至該溫度感測電路，進而調整該溫度感測訊號的頻率；以及一電源供應電路，電性耦接該處理電路與該閘極驅動電路，用以相應於該至少一調整偏壓提供至少一供應電壓至該閘極驅動電路。
2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該處理電路用以根據該溫度感測訊號的頻率進行查表，以獲得該至少一調整偏壓。
3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該溫度感測電路包括：一振盪器，包括複數個反相器以及一及閘，該些反相器彼此串接，以相應於該感測溫度輸出一振盪訊號；以及 所述該些第二薄膜電晶體，其中該些第二薄膜電晶體分別電性串聯耦接該及閘以及該些反相器，用以根據該控制電壓調整該振盪訊號的頻率。
4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該處理電路包括：一計數器，用以接收一參考時脈訊號以及該溫度感測訊號，並用以利用該參考時脈訊號對該溫度感測訊號進行取樣，以取得複數筆取樣觸發訊號；以及一轉換器，用以根據該些取樣觸發訊號得知該溫度感測訊號的頻率，並用以根據該溫度感測訊號的頻率進行查表，以獲得對應於該溫度感測訊號的頻率的該至少一調整偏壓。
5. 如請求項1至4任一項所述之顯示裝置，其中該電源供應電路包括：一第一分壓單元，用以相應於該至少一調整偏壓中的一第一調整偏壓，對該至少一供應電壓中的一第一供應電壓進行分壓，以產生一第一回授電壓；一第一電晶體，電性耦接該第一分壓單元；以及一第一工作單元，電性耦接該第一電晶體以及該第一分壓單元，用以相應於該第一回授電壓，控制該第一電晶體，以調整該第一供應電壓。
6. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該第一分壓單元更包括一可調電阻，該第一調整偏壓用以調整該可調電阻的一電阻值。
7. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該電源供應電路更包括：一第二電晶體；至少一電荷幫浦，電性耦接該第二電晶體，該至少一電荷幫浦用以相應於該第一供應電壓，輸出該至少一供應電壓中的一第二供應電壓；一第二分壓單元，電性耦接用以輸出該第二供應電壓的一第二供應電壓輸出端，用以相應於該至少一調整偏壓中的一第二調整偏壓，對該第二供應電壓進行分壓，以產生一第二回授電壓；以及一第二工作單元，電性耦接該第二分壓單元以及該第二電晶體，該第二工作單元用以相應於該第二回授電壓，控制該第二電晶體，以調整該第二供應電壓。
8. 一種閘極驅動電路之供應電壓的提供方法，包括：利用一溫度感測電路，相應於一感測溫度產生一溫度感測訊號；根據該溫度感測訊號的頻率輸出至少一調整偏壓；以及 相應於該至少一調整偏壓提供至少一供應電壓至一閘極驅動電路；其中更包括：根據該溫度感測訊號提供一控制電壓；以及提供該控制電壓至該溫度感測電路，以調整該溫度感測訊號的頻率，其中該閘極驅動電路包括多個第一薄膜電晶體，該溫度感測電路，包括多個第二薄膜電晶體，且該些第一薄膜電晶體與該些第二薄膜電晶體設置於同一基板上。
9. 一種顯示裝置，包括：一閘極驅動電路，包括多個第一薄膜電晶體，該些第一薄膜電晶體設置於一基板上；一溫度感測電路，包括多個第二薄膜電晶體，該些第二薄膜電晶體設置於該基板上，該溫度感測電路用以根據一感測溫度產生一溫度感測訊號；一處理電路，電性耦接該溫度感測電路，用以根據該溫度感測訊號的頻率輸出至少一調整偏壓；以及一電源供應電路，電性耦接該處理電路與該閘極驅動電路，用以相應於該至少一調整偏壓提供至少一供應電壓至該閘極驅動電路，其中該處理電路更包括：一計數器，用以接收一參考時脈訊號以及該溫度感測訊號，並用以利用該參考時脈訊號對該溫度感 測訊號進行取樣，以取得複數筆取樣觸發訊號；以及一轉換器，用以根據該些取樣觸發訊號得知該溫度感測訊號的頻率，並用以根據該溫度感測訊號的頻率進行查表，以獲得對應於該溫度感測訊號的頻率的該至少一調整偏壓。
10. 一種顯示裝置，包括：一閘極驅動電路，包括多個第一薄膜電晶體，該些第一薄膜電晶體設置於一基板上；一溫度感測電路，包括多個第二薄膜電晶體，該些第二薄膜電晶體設置於該基板上，該溫度感測電路用以根據一感測溫度產生一溫度感測訊號；一處理電路，電性耦接該溫度感測電路，用以根據該溫度感測訊號的頻率輸出至少一調整偏壓，其中該處理電路用以根據該溫度感測訊號的頻率進行查表，以獲得該至少一調整偏壓；以及一電源供應電路，電性耦接該處理電路與該閘極驅動電路，用以相應於該至少一調整偏壓提供至少一供應電壓至該閘極驅動電路。