TWI671731B - 電壓補償電路、顯示裝置以及電壓補償方法 - Google Patents

Abstract

一種電壓補償電路應用於具有複數畫素電路之顯示裝置。電壓補償電路包含第一開關電路、第二開關電路以及匹配電路。第一開關電路設置於印刷電路板上，電性連接至接地端及輸出端，用以接收控制訊號以及資料訊號。第二開關電路設置於印刷電路板上，電性連接至第一開關電路及第一節點，用以接收控制訊號、資料訊號以及閘極訊號。匹配電路，設置於玻璃基板上，電性連接至第一開關電路、第一節點及參考電壓，用以根據工作電壓輸出補償電壓，補償電壓用以調整畫素電路的共同電壓。

Description

電壓補償電路、顯示裝置以及電壓補償 方法

本揭示文件有關一種電壓補償電路、電壓補償方法以及顯示裝置，尤指一種利用測試元件偵測薄膜電晶體老化狀況的電壓補償電路、電壓補償方法以及顯示裝置。

非晶矽薄膜電晶體(Amorphous silicon thin film transistors，a-Si TFT)相較於低溫多晶矽薄膜電晶體(low temperature poly-silicon thin film transistor，LTPS TFT)，非晶矽薄膜電晶體的產能大、生產的製程較短、成本也較低。然而，非晶矽薄膜電晶體容易隨著使用時間老化，因此容易導致液晶顯示器在長時間使用後可能會有閃爍或是影像殘留等問題出現。

本發明提供一種電壓補償電路、電壓補償方法以及顯示裝置，其主要係利用在玻璃基板上設置測試電晶 體來模擬畫素電路的老化程度，再利用補償電路偵測測試電晶體的臨界電壓後，根據測試電晶體的臨界電壓調整共同電壓，達到根據電晶體當下老化程度即時對共同電壓補償的功效。

本案之第一態樣是在提供一種電壓補償電路，應用於具有複數畫素電路之顯示裝置。電壓補償電路包含第一開關電路、第二開關電路以及匹配電路。第一開關電路設置於印刷電路板上，電性連接至接地端及輸出端，用以接收控制訊號以及資料訊號。第二開關電路設置於印刷電路板上，電性連接至第一開關電路及第一節點，用以接收控制訊號、資料訊號以及閘極訊號。匹配電路，設置於玻璃基板上，電性連接至第一開關電路、第一節點及參考電壓，用以根據工作電壓輸出補償電壓，補償電壓用以調整畫素電路的共同電壓。

本案之第二態樣是在提供一種顯示裝置。顯示裝置包含畫素電路、電壓產生單元以及電壓補償電路。畫素電路設置于玻璃基板。電壓產生單元電性耦接至畫素電路，用以產生共同電壓，並將共同電壓輸入至畫素電路。電壓補償電路電性耦接至電壓產生單元，電壓補償電路包含：第一開關電路、第二開關電路以及匹配電路。第一開關電路設置於印刷電路板上，電性連接至接地端及輸出端，用以接收控制訊號以及資料訊號。第二開關電路設置於印刷電路板上，電性連接至第一開關電路及第一節點，用以接收控制訊號、資料訊號以及閘極訊號。匹配電路設 置於玻璃基板上，電性連接至第一開關電路、第一節點及參考電壓，用以根據工作電壓輸出補償電壓，補償電壓用以調整畫素電路的共同電壓。

本案之第三態樣是在提供一種電壓補償方法，適用於顯示裝置，顯示裝置包含匹配電路以及電壓補償電路，該電壓補償方法包含以下步驟：電壓補償電路接收控制訊號、資料訊號以及閘極訊號；當控制訊號為禁能準位時，電壓補償電路輸出資料訊號及閘極訊號至匹配電路；以及當控制訊號為致能準位時，電壓補償電路根據工作電壓產生補償電壓，並將補償電壓輸出至電壓產生單元。

本揭露之電壓補償電路、電壓補償方法以及顯示裝置可在玻璃基板上設置測試電晶體來模擬畫素電路的老化程度，再利用補償電路偵測測試電晶體的臨界電壓後，根據測試電晶體的臨界電壓調整共同電壓，達到根據電晶體當下老化程度即時對共同電壓補償的功效。

100‧‧‧顯示裝置

110‧‧‧源極驅動電路

120‧‧‧閘極驅動電路

130‧‧‧電壓產生單元

140‧‧‧電壓補償電路

141‧‧‧第一開關電路

142‧‧‧第二開關電路

143‧‧‧匹配電路

150‧‧‧畫素電路

400‧‧‧電壓補償方法

G‧‧‧玻璃基板

AA‧‧‧主動區

OUT‧‧‧輸出端

CTS‧‧‧控制訊號

DDS‧‧‧資料訊號

DGS‧‧‧閘極訊號

Vref‧‧‧參考電壓

VDD‧‧‧工作電壓

Vcom‧‧‧共同電壓

T1~T6‧‧‧開關

DT‧‧‧電晶體

C1、C2‧‧‧電容

R‧‧‧電阻

N1、N2‧‧‧節點

S410~S440‧‧‧步驟

為讓揭示文件之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖為根據本揭示文件一實施例的顯示裝置的示意圖；第2圖為根據本揭示文件一實施例的電壓補償電路的示意圖；第3圖為根據本揭示文件一實施例的電壓補償電路的 電路圖；以及第4圖為根據本揭示文件一實施例的電壓補償方法的流程圖。

以下將配合相關圖式來說明本發明的實施例。在圖式中，相同的標號表示相同或類似的元件或方法流程。

請參閱第1圖。第1圖為根據本揭示文件一實施例的顯示裝置100的示意圖。如第1圖所繪示，顯示裝置100包含源極驅動電路110、閘極驅動電路120、電壓產生單元130、電壓補償電路140以及畫素電路150。畫素電路150係設置於玻璃基板G上的主動區AA。電壓產生單元130電性耦接至畫素電路150，用以產生共同電壓Vcom，並將共同電壓Vcom輸入至畫素電路150。電壓補償電路140電性耦接至電壓產生單元130，電壓補償電路140的部分電路設置於玻璃基板G上，另一部分的電路則是設置於印刷電路板上。

於一實施例中，電壓補償電路140可以在主動區AA的四周設置，以偵測不同區域畫素電路150的老化情況。於另一實施例中，如果受限於顯示裝置100的空間限制，也可以僅在主動區AA周圍的一角落設置。

請參閱第2圖。第2圖為根據本揭示文件一實施例的電壓補償電路140的示意圖。如第2圖所繪示，電壓補償電路140包含第一開關電路141、第二開關電路142、匹 配電路143以及電容C1。第一開關電路141設置於印刷電路板上，電性連接至接地端及輸出端OUT，用以接收控制訊號CTS以及資料訊號DDS。第二開關電路142設置於印刷電路板上，電性連接至第一開關電路141，用以接收控制訊號CTS、資料訊號DDS以及閘極訊號DGS。匹配電路143設置於玻璃基板G上，電性連接至第一開關電路141、參考電壓Vref，用以根據工作電壓VDD輸出補償電壓，補償電壓用以調整畫素電路150的共同電壓Vcom。電容C1電性連接至第一開關電路141、輸出端OUT及接地端。

於一實施例中，閘極驅動電路120中前三級或最後三級的閘極訊號為假性閘極訊號(Dummy gate signal)，以及源極驅動電路110中前三級或最後三級的資料訊號為假性資料訊號(Dummy data signal)，因此電壓補償電路140可利用假性閘極訊號以及假性資料訊號作為電壓補償電路140接收到的閘極訊號DGS以及資料訊號DDS，來模擬畫素電路150的老化狀況。

請參閱第3圖。第3圖為根據本揭示文件一實施例的電壓補償電路140的電路圖。如第3圖所繪示，第一開關電路141包含開關T1、T2、T3及T4以及電阻R。開關T1的第一端電性連接至輸出端OUT，開關T1的第二端電性連接至節點N2，開關T1的控制端用以接收控制訊號CTS。開關T2的第一端電性連接至節點N2，開關T2的控制端用以接收控制訊號CTS。開關T3的第一端電性連接至開關T2的第二端以及節點N1，開關T3的控制端用以接收控制訊號 CTS。開關T4的第一端電性連接至匹配電路143，開關T4的第二端電性連接至接地端，開關T4的控制端用以接收控制訊號CTS。電阻R的第一端電性連接至節點N2，電阻R的第二端電性連接至工作電壓VDD。

請繼續參考第3圖，第二開關電路142包含開關T5及T6。開關T5的第一端用以接收閘極訊號DGS，開關T5的第二端電性連接至節點N1，開關T5的控制端用以接收控制訊號CTS。開關T6的第一端電性連接至開關T3的第二端，開關T6的第二端電性用以接收資料訊號DDS，開關T6的控制端用以接收控制訊號CTS。

請繼續參考第3圖，匹配電路143包含電晶體DT以及電容C2。電晶體DT的第一端電性連接至開關T3的第二端，電晶體DT的控制端電性連接至節點N1。電容C2的第一端電性連接至電晶體DT的第二端，電容C2的第二端電性連接至參考電壓Vref。電容C2係用以模擬畫素電路中的液晶電容及儲存電容。

於一實施例中，電晶體DT可以實施為N型非晶矽(amorphous silicon)薄膜電晶體，開關T1~T4可以實施為N型金氧半電晶體，開關T5、T6可以實施為P型金氧半電晶體，但本實施例並不以此為限。例如，開關T1~T4也可以實施為P型金氧半電晶體，開關T5、T6可以實施為N型金氧半電晶體，在此情況下，開關T1~T6的致能位準也會隨著實施元件不同而有差異。

接著，電壓補償電路140的操作方式請參考第4 圖。第4圖為根據本揭示文件一實施例的電壓補償方法400的流程圖。如第4圖所繪示，電壓補償方法400首先執行步驟S410電壓補償電路140接收控制訊號CTS、資料訊號DDS以及閘極訊號DGS。於一實施例中，控制訊號CTS係用以控制電壓補償電路140中開關T1~T6的導通及關閉，電壓補償電路140通常是操作於遮沒(blanking)時段，控制訊號CTS可以經由自動或手動控制，舉例而言，控制訊號CTS可以設定為經過一段時間或是多少幀後開啟一次。

接著，電壓補償方法400執行步驟S420當控制訊號CTS為禁能準位時，電壓補償電路140輸出資料訊號DDS及閘極訊號DGS至匹配電路143。於一實施例中，當控制訊號CTS為禁能準位時，會讓開關T1~T4為關閉狀態，而開關T5、T6為導通狀態，使得電晶體DT的控制端接收到閘極訊號DGS，電晶體DT的第一端接收到資料訊號DDS，使得電晶體DT在畫素電路150作動的過程中，可以模擬主動區AA中的畫素電路150，隨著畫素電路150一起老化。

接著，電壓補償方法400執行步驟S430當控制訊號CTS為致能準位時，電壓補償電路140根據工作電壓VDD產生補償電壓，並將補償電壓輸出至電壓產生單元130。於一實施例中，當控制訊號CTS為致能準位時，會讓開關T1~T4為導通狀態，而開關T5、T6為關閉狀態。在此情況下，電晶體DT的閘極與源極互相連接，因此電晶體DT為二極體連接形式的電晶體(diode connected)，使得電晶 體DT根據工作電壓VDD讀出電晶體DT的臨界電壓以產生補償電壓。

接著，電壓補償方法400執行步驟S440電壓產生單元130利用補償電壓配合查找表及電壓演算的其中之一調整共同電壓，接著將共同電壓輸入至畫素電路150。於一實施例中，在電壓補償電路140讀出電晶體DT的臨界電壓後，可以根據查找表(Look up table，LUT)來調整共同電壓Vcom。於另一實施例中，也可以將當前偵測到的電晶體DT的臨界電壓與出廠時的電晶體DT的臨界電壓相互比較，兩者的差值乘上一個權重值後得到的補償電壓值再與共同電壓Vcom相加可以得到調整後的共同電壓Vcom。然而，共同電壓Vcom的調整方法可以有很多種，本揭露並不限於此。

綜上所述，本揭露之電壓補償電路、電壓補償方法以及顯示裝置可在玻璃基板上設置測試電晶體來模擬畫素電路的老化程度，利用前三級或最後三級的假性閘極訊號以及假性資料訊號讓測試電晶體可以和主動區中的畫素電路同步老化，再利用補償電路偵測測試電晶體的臨界電壓後，根據測試電晶體的臨界電壓調整共同電壓，達到根據電晶體當下老化程度即時對共同電壓補償的功效。

在說明書及申請專利範圍中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。然而，所屬技術領域中具有通常知識者應可理解，同樣的元件可能會用不同的名詞來稱呼。說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異做為區分元件的方 式，而是以元件在功能上的差異來做為區分的基準。在說明書及申請專利範圍所提及的「包含」為開放式的用語，故應解釋成「包含但不限定於」。另外，「耦接」在此包含任何直接及間接的連接手段。因此，若文中描述第一元件耦接於第二元件，則代表第一元件可通過電性連接或無線傳輸、光學傳輸等信號連接方式而直接地連接於第二元件，或者通過其他元件或連接手段間接地電性或信號連接至該第二元件。

另外，除非說明書中特別指明，否則任何單數格的用語都同時包含複數格的涵義。

以上僅為本發明的較佳實施例，凡依本發明請求項所做的均等變化與修飾，皆應屬本發明的涵蓋範圍。

Claims (14)

1. 一種電壓補償電路，應用於一具有複數畫素電路之顯示裝置，包含：一第一開關電路，設置於一印刷電路板上，電性連接至一接地端及一輸出端，用以接收一控制訊號以及一資料訊號；一第二開關電路，設置於該印刷電路板上，電性連接至該第一開關電路及一第一節點，用以接收該控制訊號、該資料訊號以及一閘極訊號；以及一匹配電路，設置於一玻璃基板上，電性連接至該第一開關電路、該第一節點及一參考電壓，用以根據一工作電壓輸出一補償電壓，該補償電壓用以調整該些畫素電路的一共同電壓。
2. 如請求項1的電壓補償電路，更包含：一電容，電性連接至該第一開關電路、該輸出端及該接地端。
3. 如請求項1的電壓補償電路，其中，該第一開關電路，更包含：一第一開關，具有一第一端、一第二端以及一第一控制端，該第一端電性連接至該輸出端，該第二端電性連接至一第二節點，該第一控制端用以接收該控制訊號；一第二開關，具有一第三端、一第四端以及一第二控制端，該第三端電性連接至該第二節點，該第二控制端用以接收該控制訊號；一第三開關，具有一第五端、一第六端以及一第三控制端，該第五端電性連接至該第四端、該第二開關電路以及該匹配電路，該第三控制端用以接收該控制訊號；一第四開關，具有一第七端、一第八端以及一第四控制端，該第七端電性連接至該匹配電路，該第八端電性連接至該接地端，該第四控制端用以接收該控制訊號；以及一電阻，具有一第九端以及一第十端，該第九端電性連接至該第二節點，該第十端電性連接至該工作電壓。
4. 如請求項3的電壓補償電路，其中，該第一開關、該第二開關、該第三開關以及該第四開關為N型金氧半電晶體。
5. 如請求項1的電壓補償電路，其中，該第二開關電路，更包含：一第五開關，具有一第一端、一第二端以及一第一控制端，該第一端用以接收該閘極訊號，該第二端電性連接至該第一節點，該第一控制端用以接收該控制訊號；以及一第六開關，具有一第三端、一第四端以及一第二控制端，該第三端電性連接至該第一開關電路，該第四端用以接收該資料訊號，該第二控制端用以接收該控制訊號。
6. 如請求項5所述的電壓補償電路，其中，該第五開關以及該第六開關為P型金氧半電晶體。
7. 如請求項1的電壓補償電路，其中，該匹配電路，更包含：一電晶體，具有一第一端、一第二端以及一第一控制端，該第一端電性連接至該第一開關電路，該第一控制端電性連接至該第一節點；以及一第二電容，具有一第三端以及一第四端，該第三端電性連接至該第二端，該第四端電性連接至該參考電壓。
8. 如請求項1所述的電壓補償電路，其中當該控制訊號為一禁能準位時，該第一開關電路為關閉狀態，該第二開關電路為導通狀態，使得該匹配電路接收該資料訊號及該閘極訊號。
9. 如請求項1的電壓補償電路，其中當該控制訊號為一致能準位時，該第一開關電路為導通狀態，該第二開關電路為關閉狀態，使得該匹配電路根據該工作電壓產生該補償電壓，並將該補償電壓輸出至一電壓產生單元。
10. 如請求項9所述的電壓補償電路，其中該電壓產生單元利用該補償電壓配合一查找表及一電壓演算的其中之一調整該共同電壓。
11. 一種顯示裝置，包含：一畫素電路設置於一玻璃基板；一電壓產生單元，電性耦接至該畫素電路，用以產生一共同電壓，並將該共同電壓輸入至該畫素電路；以及一電壓補償電路，電性耦接至該電壓產生單元，該電壓補償電路包含：一第一開關電路，設置於一印刷電路板上，電性連接至一接地端及一輸出端，用以接收一控制訊號以及一資料訊號；一第二開關電路，設置於該印刷電路板上，電性連接至該第一開關電路及一第一節點，用以接收該控制訊號、該資料訊號以及一閘極訊號；以及一匹配電路，設置於該玻璃基板上，電性連接至該第一開關電路、該第一節點及一參考電壓，用以根據一工作電壓輸出一補償電壓，該補償電壓用以調整該畫素電路的該共同電壓。
12. 一種電壓補償方法，適用於一顯示裝置，該顯示裝置包含一匹配電路以及一電壓補償電路，該電壓補償方法包含：該電壓補償電路接收一控制訊號、一資料訊號以及一閘極訊號；當該控制訊號為一禁能準位時，該電壓補償電路輸出該資料訊號及該閘極訊號至該匹配電路；以及當該控制訊號為一致能準位時，該電壓補償電路根據一工作電壓產生一補償電壓，並將該補償電壓輸出至一電壓產生單元。
13. 如請求項12所述的電壓補償方法，更包含：該電壓產生單元利用該補償電壓配合一查找表及一電壓演算的其中之一調整一共同電壓；以及將該共同電壓輸入至一畫素電路。
14. 如請求項12所述的電壓補償方法，其中當該控制訊號為該致能準位時，該電壓補償電路輸出該工作電壓至該匹配電路，該匹配電路根據該工作電壓產生該補償電壓。