TWI569053B - 偏光板的製造方法、偏光板及影像顯示器 - Google Patents

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TWI569053B
TWI569053B TW104120247A TW104120247A TWI569053B TW I569053 B TWI569053 B TW I569053B TW 104120247 A TW104120247 A TW 104120247A TW 104120247 A TW104120247 A TW 104120247A TW I569053 B TWI569053 B TW I569053B
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南星鉉
羅鈞日
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Description

偏光板的製造方法、偏光板及影像顯示器
本申請案主張於2014年9月26日及2014年6月30日遞交韓國智慧財產局的韓國專利申請案第10-2014-0129209號及韓國專利申請案第10-2014-0080490號的優先權及權益，所述申請案的整個內容以引用的方式併入本文中。
本說明書是有關於一種偏光板的製造方法以及偏光板。
液晶顯示器為藉由液晶的切換效應視覺化偏光的顯示器，且用於範圍介於小及中等顯示器(諸如腕錶、電子計算器以及行動電話)至大尺寸TV的各種類別。
最近，通常在強調便攜性或行動性的小及中等顯示設備或筆記型PC中安裝諸如攝影機及視訊通話的各種功能，且為了執行上述功能，最近發佈的液晶顯示器具有其中攝影機透鏡曝露於外部的結構。
然而，在液晶顯示器中，偏光器或偏光板應確實地附著於液晶單元的外表面上，但存在問題，因為在此製程中，偏光器或偏光板覆蓋曝露於外部的攝影機透鏡，使得透鏡的可見度歸因於偏光板的固有透射率（其小於50%）而減少。
為了解決此問題，當偏光板附著時，使用藉由利用諸如沖孔及切割的方法來穿孔而移除偏光板的覆蓋攝影機透鏡的部分的物理移除方法及/或藉由在偏光板的覆蓋透鏡的部分中使用碘離子化學材料執行分離或漂白的化學移除方法，但存在缺點，因為透鏡變得被損壞或被污染且難以精確控制移除區。
因此，需要與應用於具有其中攝影機透鏡曝露於外部的結構的顯示設備的偏光板的製造方法有關的研究。 [先前技術文件] [專利文件]
日本專利特許公開申請案第2003-121644號
[技術問題]
本說明書已致力於提供偏光板的製造方法以及偏光板。 [技術解決方案]
本說明書的例示性實施例提供偏光板的製造方法，所述方法包含：提供以碘及雙色染料中的至少一或多者染色的聚乙烯醇類偏光器；在偏光器的一表面上提供保護薄膜及離型薄膜；以及藉由使脫色溶液與偏光器的另一表面局部接觸而形成至少一個消偏光區，其中離型薄膜提供於保護薄膜的與面向偏光器的表面對置的表面上，所述消偏光區在400奈米至800奈米的範圍內的波長帶處具有80%或大於80%的單一透射率以及10%或小於10%的偏光度，且消偏光區的最大下垂深度為10微米或小於10微米。
本說明書的另一例示性實施例提供偏光板，所述偏光板包含：以碘及雙色染料中的至少一或多者染色的聚乙烯醇類偏光器；以及提供於聚乙烯醇類偏光器的至少一個表面上的保護薄膜，其中聚乙烯醇類偏光器具有至少一個消偏光區，所述消偏光區在400奈米至800奈米範圍內的波長帶處具有80%或大於80%的單一透射率以及10%或小於10%的偏光度，且消偏光區的最大下垂深度為10微米或小於10微米。
本說明書的又一個例示性實施例提供影像顯示器，所述影像顯示器包含：顯示面板；以及偏光板，其附著於所述顯示面板的一表面或兩個表面上。 [有利效應]
在根據本說明書的例示性實施例的偏光板的製造方法中，可藉由在脫色製程中抑制偏光器吸收濕氣而膨脹的現象及因此最小化精細皺折而提供其中消偏光區的表面粗糙度及濁度為極佳的偏光板。
另外，在根據本說明書的例示性實施例的偏光板的製造方法中，可藉由最小化偏光器在脫色製程中在保護薄膜的方向上的下垂而提供具有改良外觀的偏光板。
另外，在根據本說明書的例示性實施例的偏光板的製造方法中，可藉由最小化偏光器在脫色製程中在保護薄膜的方向上的下垂以在偏光器的表面上均勻塗覆黏著劑而減少在保護薄膜附著至偏光器時的缺陷比。
在根據本說明書的例示性實施例的偏光板中，可藉由最小化消偏光區的最大下垂深度在其中攝影機模組裝備於消偏光區中的狀況下實施鮮明的影像品質。
另外，在根據本說明書的例示性實施例的偏光板中，由於在消偏光區中的發生彎曲的現象較不常見，因此可最小化偏光板的外觀損壞現象。
在根據本說明書的例示性實施例的偏光板中，可藉由最小化消偏光區的扭曲現象而展現極佳效能。
[最佳模式]
在本發明書中，應理解，當元件被稱作位於另一元件「上」時，所述元件可直接在所述另一元件上或在所述兩個元件之間亦可存在插入元件。
在本發明書中，除非明確地描述為相反情況，否則「包括（comprise）」一詞及其變化形式（諸如「comprises」或「comprising」）應理解為暗示包含所陳述的元件，但不排除任何其他元件。
在下文中，將更詳細描述本說明書。
在先前技術中的偏光板的狀況下，由於偏光板的整個區是以碘及/或雙色染料染色，因此偏光板具有暗黑色色彩，且因此，存在問題，因為難以提供各種色彩給顯示裝置，且特定言之，在偏光板位於諸如攝影機的部件上的狀況下，光量的50%或大於50%由偏光板吸收而減少了攝影機透鏡的可見度。
為了解決問題，藉由諸如沖孔及切割的方法在偏光板的部分中穿孔（開孔）而以物理方式移除偏光板的覆蓋攝影機透鏡的一部分的方法已被商業化。
然而，上述物理方法降級影像顯示器的外觀，且偏光板可歸因於穿孔的製程的特性而被損壞。同時，為了防止諸如偏光板撕裂的損壞，偏光板的開孔部分應形成於充分遠離拐角的區中，且因此，存在問題，因為當應用偏光板時，影像顯示器的帶槽框部分被相對加寬而偏離用於實施大螢幕的影像顯示器的當前窄帶槽框設計趨勢。另外，存在問題，因為如上文所描述，在偏光板的開孔部分中裝備攝影機模組的狀況下，由於攝影機透鏡曝露於外部，因此當攝影機透鏡長時期使用時攝影機透鏡容易污染且損壞。
為了解決上述物理方法的問題，提議化學方法，但存在問題，因為由於歸因於所使用化學材料的擴散而難以在所要部分的偏光器中執行碘的精確分離，因此難以控制消偏光區且難以在附著了保護薄膜的偏光板的狀態下應用化學方法。
因此，本說明書提供化學方法，其中孔並未以物理方式被穿透，外觀未被損壞，且可僅藉由簡單製程移除偏光。特定言之，提供化學方法，其中出現在消偏光區中的精細皺折及表面粗糙度被抑制以減少濁度且消偏光區中的彎曲現象被最小化。
本發明者發現在其中脫色溶液與以碘及/或雙色染料染色的聚乙烯醇類偏光器的一些區域選擇性接觸以局部形成消偏光區的狀況下，不同於諸如沖孔及切割的物理移除方法，並未形成開孔，且消偏光區的精細皺折可藉由將保護薄膜及離型薄膜層壓於偏光器的一表面上及接著執行脫色製程以抑制偏光器的膨脹現象而最小化。
一般而言，在其中脫色溶液與未層壓有保護薄膜的聚乙烯醇類偏光器直接接觸的狀況下，歸因於濕氣而出現偏光器的膨脹現象，且因此皺折可形成於消偏光區及其周圍區中。在此狀況下，消偏光區的表面粗糙度增加而增大濁度，且因此難以充分保證偏光板的外觀及位於消偏光區中的攝影機的可見度。此外，在其中保護薄膜在沒有離型薄膜的情況下層壓於偏光器的一表面上且接著局部脫色偏光器的狀況下，由於保護薄膜與偏光器彼此黏著，因此膨脹現象及皺折的產生可在某種程度上被抑制，但難以僅藉由保護薄膜而抑制根據偏光器的收縮力的下垂現象。因此，本發明者發現在其中離型薄膜提供於保護薄膜上的狀況下，當偏光器被脫色時根據偏光器的收縮力的下垂現象可大大地被改良。特定言之，本發明者發現由偏光器的膨脹所引起的MD收縮造成的下垂現象可藉由將離型薄膜層壓於保護薄膜的一表面上且接著執行脫色製程而被最小化。
如上文所描述，皺折的產生可藉由在接觸脫色溶液之前層壓保護薄膜而抑制，但歸因於拉長偏光器的膨脹，當執行脫色製程時，會發生保護薄膜及偏光器由於偏光器的收縮力而朝向保護薄膜下垂的下垂。參看圖1考慮描述，當脫色溶液與偏光器接觸時，拉長偏光器收縮，且因此，保護薄膜承受收縮的力得以產生，且因此，會發生偏光器及保護薄膜朝向保護薄膜中凸地下垂的下垂。因此，類似於根據本說明書的例示性實施例的偏光板的製造方法，在接觸脫色劑之前，離型薄膜可層壓於保護薄膜的表面上以增大承受偏光器收縮的力及因此抑制下垂的出現，所述表面與面向偏光器的表面對置。
本說明書提供其中消偏光區的外觀得以改良的偏光器，以及所述偏光器的製造方法。
本說明書的例示性實施例提供一種偏光板的製造方法，所述方法包含：提供以碘及雙色染料中的至少一或多者染色的聚乙烯醇類偏光器；在偏光器的一表面上提供保護薄膜及離型薄膜；以及藉由使脫色溶液與偏光器的另一表面局部接觸而形成至少一個消偏光區，其中離型薄膜提供於保護薄膜的與面向所述偏光器的表面對置的表面上，所述消偏光區在400奈米至800奈米的範圍內的波長帶處具有80%或大於80%的單一透射率以及10%或小於10%的偏光度，且消偏光區的最大下垂深度為10微米或小於10微米。
在本說明書中，「供應」可意謂「層壓」。
在本說明書中，「單一透射率」是由偏光板的吸收軸的透射率與透射軸的透射率的平均值表示。另外，本說明書的「單一透射率」及「偏光度」為藉由使用由JASCO公司製造的V-7100型量測的值。
根據根據本說明書的例示性實施例的製造方法，即使執行了用於形成具有預定區域或大於預定區域的消偏光區的脫色製程，在消偏光區中的最大下垂深度仍可經調整至10微米或小於10微米。
根據本說明書的例示性實施例，消偏光區的最大下垂深度可為8微米或小於8微米，7微米或小於7微米，或6微米或小於6微米。
下文中，將更特定地描述根據本說明書的例示性實施例的製造方法的每一步驟。
聚乙烯醇類偏光器可經由對應技術領域中熟知的PVA偏光器的製造方法製造，或可藉由購買市場上可獲得的聚乙烯醇類偏光器而使用。
提供聚乙烯醇類偏光器的步驟可（例如）經由以碘及/或雙色染料染色聚乙烯醇類聚合物膜的染色步驟、交聯聚乙烯醇類薄膜與染料的交聯步驟，以及拉長聚乙烯醇類薄膜的拉長步驟而執行，但所述步驟不限於此。
首先，染色步驟經組態以將碘分子及/或雙色染料染色於聚乙烯醇類薄膜上，且碘分子及/或雙色染料分子可吸收在偏光器的拉長方向上振動的光並允許在垂直方向上振動的光通過，因此獲得具有預定振動方向的偏振。在此狀況下，染色可（例如）藉由將聚乙烯醇類薄膜浸漬於包含碘溶液及/或含有雙色染料的溶液的處理浴槽中而執行。
在此狀況下，水通常用作用於染色步驟的溶液中的溶劑，但可適量添加與水有相容性的有機溶劑。同時，可以溶劑的100重量份計的0.06重量份至0.25重量份的含量使用碘及/或雙色染料。在諸如碘的雙色材料的含量在上述範圍中的狀況下，在拉長之後製造的偏光器的透射率可滿足40.0%至47.0%的範圍。
同時，在碘用作雙色材料的狀況下，為了改良染色效率，較佳地進一步含有諸如碘化物化合物的補充劑，且可以溶劑的100重量份計的0.3重量份至2.5重量份的比率使用補充劑。在此狀況下，因為碘對水的溶解度為低，因此添加諸如碘化物化合物的補充劑以便增大碘對水的溶解度。同時，較佳地碘與碘化物化合物的混合比率以重量計為約1:5至1:10。
可添加的碘化物化合物的特定實例可包含碘化鉀、碘化鋰、碘化鋅、碘化鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦、其混合物或類似者，但不限於此。
同時，較佳地處理浴槽的溫度維持於約25℃至40℃。在其中處理浴槽的溫度小於25℃的狀況下，染色效率可減少，且在其中處理浴槽的溫度大於40℃的狀況下，碘的大量昇華可出現而增大碘的使用量。
在此狀況下，較佳地聚乙烯醇類薄膜在處理浴槽中的浸漬時間為約30秒至120秒。此是因為在浸漬時間小於30秒的狀況下，不可在聚乙烯醇類薄膜上均勻地執行染色，且在浸漬時間大於120秒的狀況下，染色飽和，且因此不再需要浸漬。
同時，交聯步驟經組態以在聚乙烯醇聚合物基質上吸附碘及/或雙色染料，且通常使用用於藉由在包含硼酸水溶液及類似者的交聯浴槽中沈積聚乙烯醇類薄膜而執行交聯步驟的沈積方法，但所述方法不限於此，且交聯步驟可藉由用於在聚乙烯醇類薄膜上塗覆或噴灑包含交聯劑的溶液的塗覆方法或噴灑方法來執行。
在此狀況下，水通常用作用於交聯浴槽的溶液中的溶劑，但可適量添加與水有相容性的有機溶劑，且交聯劑可以溶劑的100重量份計的0.5重量份至5.0重量份的量添加。在此狀況下，在以小於0.5重量份的量含有交聯劑的狀況下，交聯在聚乙烯醇類薄膜中是不足的，且因此聚乙烯醇類薄膜在水中的強度可減少，且在所述量大於5.0重量份的狀況下，形成過多交聯，且因此聚乙烯醇類薄膜的拉長性質可惡化。交聯劑的特定實例可包含諸如硼酸及硼砂的硼化合物、乙二醛、戊二醛及其類似者，且可單獨使用或可組合使用。然而，實例並不限於此。
同時，交聯浴槽的溫度取決於交聯劑的量及拉長比率且不限於此，但一般而言，較佳地溫度為45℃至60℃。一般而言，若交聯劑的量增加，為了改良聚乙烯醇類薄膜的鏈的遷移率，將交聯浴槽的溫度調整至高溫條件，且若交聯劑的量較小，則將交聯浴槽的溫度調整至相對低溫條件。然而，由於根據本說明書的例示性實施例的偏光板的製造方法是執行五倍或大於五倍拉長的製程，因此為了改良聚乙烯醇類薄膜的拉長性質，交聯浴槽的溫度應維持於45℃或大於45℃。同時，較佳地聚乙烯醇類薄膜在交聯浴槽中的浸漬時間為約30秒至120秒。此是因為在浸漬時間小於30秒的狀況下，不可在聚乙烯醇類薄膜上均勻地執行交聯，且在浸漬時間大於120秒的狀況下，交聯飽和，且因此不再需要浸漬。
同時，拉長步驟中的拉長經組態以在預定方向上對準聚乙烯醇類薄膜的聚合物鏈，且拉長方法可分類成濕式拉長方法及乾式拉長方法，乾式拉長方法分類成輥間拉長方法、加熱輥拉長方法、壓縮拉長方法、拉幅機拉長方法及其類似者，且濕式拉長方法分類成拉幅機拉長方法、輥間拉長方法及其類似者。
在此狀況下，較佳地在拉長步驟中，聚乙烯醇類薄膜是以4倍至10倍的拉長比率拉長。原因為聚乙烯醇類薄膜的聚合物鏈應被對準以便為聚乙烯醇類薄膜提供偏光效能，且所述鏈可在小於4倍的拉長比率下不充分地對準，且聚乙烯醇類薄膜的鏈可在大於10倍的拉長比率下切斷。
在此狀況下，較佳地拉長是在45℃至60℃的拉長溫度下被執行。此是因為拉長溫度可取決於交聯劑的含量，聚乙烯醇類薄膜的鏈的遷移率可在小於45℃的溫度下減少而減少拉長效率，且在溫度大於60℃的狀況下，聚乙烯醇類薄膜可軟化而使強度變弱。同時，拉長步驟可與染色步驟或交聯步驟同時執行或與染色步驟或交聯步驟分開地執行。
同時，拉長可僅對聚乙烯醇類薄膜執行，或可藉由在聚乙烯醇類薄膜上層壓基底薄膜，且接著共同拉長聚乙烯醇類薄膜及基底薄膜的方法而執行。在後一情況中，在具有小厚度的聚乙烯醇類薄膜（例如，60微米或小於60微米的PVA薄膜）被拉長的狀況下，在拉長製程中，可使用拉長以便防止聚乙烯醇類薄膜破裂，且可使用拉長以便製造10微米或小於10微米的薄PVA偏光器。
在此狀況下，作為基底薄膜，可使用在20℃至85℃的溫度條件下具有5倍或大於5倍的最大拉長放大率的聚合物膜，且可使用（例如）高密度聚乙烯薄膜、聚胺基甲酸酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚烯烴薄膜、酯類薄膜、低密度聚乙烯薄膜、高密度聚乙烯及低密度聚乙烯共擠壓薄膜、高密度聚乙烯中含有乙烯乙酸乙烯酯的共聚物樹脂薄膜、丙烯酸薄膜、聚對苯二甲酸伸乙酯薄膜、聚乙烯醇類薄膜、纖維素類薄膜以及類似者。同時，最大拉長放大率意謂即將出現斷裂之前的拉長放大率。
另外，基底薄膜及聚乙烯醇類薄膜的層壓方法不受特別限制。舉例而言，基底薄膜及聚乙烯醇類薄膜可經由黏著劑或黏性劑層壓，或可藉由其中聚乙烯醇類薄膜在沒有單獨媒質的情況下設定於基底薄膜上的模式層壓。另外，層壓可藉由共同擠壓形成基底薄膜的樹脂與形成聚乙烯醇類薄膜的樹脂的方法而執行，或可藉由在基底薄膜上塗覆聚乙烯醇類樹脂的方法而執行。
同時，基底薄膜可自偏光器消除且在拉長完成之後被移除，但可不被移除而是經歷下一步驟。在此狀況下，基底薄膜可用作下文將描述的偏光器保護薄膜及類似者。
接下來，若聚乙烯醇類偏光器是經由上述方法製備，則執行在聚乙烯醇類偏光器的一表面上提供保護薄膜及離型薄膜的步驟。
提供保護薄膜及離型薄膜的步驟可藉由在保護薄膜的一表面上提供離型薄膜且接著在保護薄膜的表面（在所述表面上不提供離型薄膜）上提供偏光器的方法，或在偏光器的一表面上提供保護薄膜且接著在保護薄膜的表面（所述表面與面向偏光器的表面對置）上提供離型薄膜的方法而執行。
離型薄膜可提供於保護薄膜的表面上，所述表面與面向偏光器的表面對置。特定言之，偏光器/保護薄膜/離型薄膜的層壓結構可藉由提供保護薄膜及離型薄膜的步驟而形成。
由於保護薄膜及離型薄膜用以防止外部形狀的變形（諸如，在形成消偏光區的步驟中偏光器的收縮），因此提供保護薄膜及離型薄膜的步驟可在形成消偏光區的步驟之前執行。
在此狀況下，保護薄膜為具有極小厚度的用於保護偏光器的薄膜，且指附著於偏光器的一表面上的透明薄膜，且可使用具有極佳機械強度、熱穩定性、濕氣阻擋性質以及各向同性的薄膜。舉例而言，可使用諸如三乙醯纖維素（triacetyl cellulose；TAC）的乙酸酯類樹脂薄膜，及聚酯類、聚醚碸類、聚碳酸酯類、聚醯胺類、聚醯亞胺類、聚烯烴類、環烯類、聚胺基甲酸酯類以及丙烯醯基類樹脂薄膜及其類似者，但保護薄膜不限於此。
另外，保護薄膜可為可被賦予諸如延遲的補償功能的各向同性薄膜或各向異性薄膜，且保護薄膜可經構成為一薄膜或可藉由附著兩個或多於兩個薄膜而構成。另外，保護薄膜可為非拉長薄膜或單向地或雙向地拉長薄膜，且保護薄膜的厚度通常可為1微米至500微米且較佳地為1微米至300微米。
在此狀況下，保護薄膜至聚乙烯醇類偏光器的黏著力可較佳地為1 N/2 cm或大於1 N/2 cm且更佳為2 N/2 cm或大於2 N/2 cm。特定言之，上述黏著力意謂在保護薄膜附著於以碘及雙色染料中的至少一或多者染色的聚乙烯醇類偏光器上之後藉由使用質構分析儀（texture analyzer）藉由90°剝離力量測的黏著力。在其中黏著力滿足上述範圍的狀況下，保護薄膜及聚乙烯醇類偏光器的膨脹可被抑制，且在製造製程中，捲曲及缺陷的出現可被最小化。
同時，在將保護薄膜層壓於聚乙烯醇類偏光器的一表面上的步驟中，保護薄膜附著於偏光器上，且附著可藉由使用黏著劑而執行。在此狀況下，附著可經由對應技術領域中已知的薄膜層壓方法而執行，且例如附著可藉由使用對應技術領域中已知的黏著劑（舉例而言，諸如聚乙烯醇類黏著劑的水基黏著劑、諸如胺基甲酸酯類黏著劑的熱固性黏著劑、諸如環氧樹脂類黏著劑的光陽離子可固化黏著劑，以及諸如丙烯醯基類黏著劑的光自由基可固化黏著劑）而執行。
在於保護薄膜的表面（所述表面與面向偏光器的表面對置）上提供離型薄膜的步驟中，離型薄膜黏著於保護薄膜上，且附著可藉由使用黏性劑而執行。黏性劑可為壓敏黏著劑（pressure sensitive adhesive；PSA）。另外，根據本說明書的例示性實施例，上述離型薄膜可為具有黏性力的離型薄膜。亦即，保護薄膜及離型薄膜類似於一薄膜而提供於偏光器的一表面上。亦即，如上文所描述，離型薄膜經塗覆以便增大承受偏光器收縮的力，且因此，離型薄膜可抑制下垂的出現。
根據本說明書的例示性實施例，離型薄膜可具有6000 N或大於6000 N的拉伸強度。另外，根據本說明書的例示性實施例，離型薄膜可具有6500 N或大於6500 N的拉伸強度。另外，根據本說明書的例示性實施例，離型薄膜可具有7000 N或大於7000 N或7200 N或大於7200 N的拉伸強度。
在其中離型薄膜具有6000 N或大於6000 N的拉伸強度的狀況下，在形成消偏光區的步驟中，可有效抑制偏光器在保護薄膜的方向上的下垂。特定言之，在其中離型薄膜具有6000 N或大於6000 N的拉伸強度的狀況下，當偏光器收縮時，可有效防止保護薄膜連同偏光器的收縮。
在其中離型薄膜具有6000 N或大於6000 N的拉伸強度的狀況下，消偏光區中的最大下垂深度可經調整至10微米或小於10微米。
拉伸強度意謂經由以下等式1獲得的值。 [等式1] 拉伸強度（N）=模數（N/mm2 ）×離型薄膜的厚度（mm）×離型薄膜的寬度（mm）
在本說明書中，模數（楊氏模數）指藉由固定根據JIS-K6251-1標準製備的樣本的兩端且接著在垂直於離型薄膜的厚度方向的方向中施加力以根據應變量測每單位面積的應力而獲得的值，且在此狀況下，可使用例如拉伸強度測試儀（Zwick/Roell Z010 UTM）及類似者作為量測設備。
離型薄膜的拉伸強度可藉由改變離型薄膜的厚度而調整。根據離型薄膜的厚度的拉伸強度的變化的程度可根據離型薄膜的材料而改變。然而，用於調整離型薄膜的拉伸強度的方法不限於此。
離型薄膜至保護薄膜的黏性力可較佳地為0.1 N/2 cm至10 N/2 cm，且更佳地為0.5 N/2 cm至5 N/2 cm。存在優點，因為若離型薄膜的黏性力為0.1 N/2 cm或大於0.1 N/2 cm，則保護薄膜的變形力可有效轉移至離型薄膜以保證對下垂的抑制效應，且在離型薄膜的黏性力為10 N/2 cm或小於10 N/2 cm的狀況下，離型薄膜可有效地自最終產物剝離。
保護薄膜及離型薄膜可為均勻或異質。
除與黏性劑及黏性力有關的描述以外，與保護薄膜有關的上述描述可應用於離型薄膜。
接下來，如上文所描述，形成至少一個消偏光區的步驟是藉由使脫色溶液與偏光器的包含保護薄膜及離型薄膜的另一表面局部接觸而執行。
經由形成消偏光區的步驟，消偏光區在400奈米至800奈米範圍內的波長帶處具有80%或大於80%的單一透射率及10%或小於10%的偏光度。
消偏光區可連續地形成於偏光器的不需要偏光效應的一區中。特定言之，消偏光區可為攝影機模組所位於的偏光器的區。
根據本說明書的例示性實施例，至少一個消偏光區的面積可為0.5平方毫米或大於0.5平方毫米及500平方毫米或小於500平方毫米。
在其中脫色溶液與偏光器接觸以形成消偏光區的狀況下，根據偏光器的外觀的扭曲的最大下垂深度可隨著消偏光區的面積增加而增加。然而，在根據本說明書的例示性實施例的製造方法中，即使消偏光區的面積為0.5平方毫米或大於0.5平方毫米及500平方毫米或小於500平方毫米，仍可提供離型薄膜以將最大下垂深度抑制至10微米或小於10微米。
在此狀況下，偏光器的另一表面指其中不提供保護薄膜及離型薄膜的對置表面。亦即，由於脫色溶液應與聚乙烯醇類偏光器直接接觸，而不與保護薄膜及離型薄膜直接接觸，因此本發明步驟應在偏光器的另一表面上執行。
根據本說明書的例示性實施例，可以基於整個偏光板的0.005%至40%的比率形成消偏光區。
同時，脫色溶液主要包含可脫色碘及/或雙色染料的脫色劑以及溶劑。脫色劑不受特別限制，只要脫色劑可脫色在偏光器上染色的碘及/或雙色染料便可。根據本說明書的例示性實施例，脫色溶液可包含由下列各者所構成的族群中選出的一種或多種脫色劑：氫氧化鈉（NaOH）、硫氫化鈉（NaSH）、疊氮化鈉（NaN3 ）、氫氧化鉀（KOH）、硫氫化鉀（KSH）以及硫代硫酸鉀（KS2 O3 ）。
脫色溶液可包含1wt%至30wt%含量的脫色劑。
較佳地諸如蒸餾水的水用作溶劑。另外，可使用另外與醇類溶劑混合的溶劑。舉例而言，可使用與甲醇、乙醇、丁醇、異丙醇或類似者混合的溶劑，但溶劑不限於此。
同時，脫色溶液中的脫色劑的含量可根據脫色製程中的接觸時間而改變，但可以脫色溶液的總重量計較佳約1 wt%至30 wt%且更佳約5 wt%至15 wt%的含量包含脫色劑。在其中脫色劑的含量小於1 wt%的狀況下，脫色並未被執行或脫色在數十分鐘或大於數十分鐘的時間內執行，且因此難以實質上應用脫色劑，且在其含量大於30 wt%的狀況下，由於脫色溶液並非容易地擴散至偏光器中，因此脫色效率的增量不顯著，且因此經濟可行性減少。
另外，根據本說明書的例示性實施例，脫色溶液的pH值可為11至14。較佳地，pH值可為pH值13至14。脫色劑為強鹼性化合物且應具有足以破壞與聚乙烯醇形成交聯鍵的硼酸的強鹼性性質，且在其中pH值滿足上述範圍的狀況下，脫色可很好出現。舉例而言，作為分解（脫色）碘以保證透明度（碘鐘反應）的溶液，硫代硫酸鈉（pH值7）可引起通常碘化合物水溶液脫色，但即使長時期（10小時）接觸仍不引起實際偏光器（PVA）脫色。亦即，此指在碘被分解之前硼酸的交聯鍵需要歸因於強鹼而被破壞。
同時，較佳地在10℃至70℃下的脫色溶液中持續1秒至60秒執行形成消偏光區的步驟。可存在問題，因為在脫色溶液的溫度及浸漬時間偏離上述數值範圍的狀況下，偏光器的膨脹及脫水收縮由於脫色溶液而出現，且因此發生偏光器的彎曲或甚至在非所要區中發生脫色。
同時，在本說明書中，藉由使脫色溶液與偏光器接觸而形成消偏光區的步驟可藉由使用印刷裝置及類似者而執行。根據本說明書的例示性實施例，形成消偏光區的步驟可藉由施配器、噴墨或凹版印刷方法而執行。施配器或噴墨方法為其中脫色劑塗覆於所要局部部分上或以具有所要形狀的圖案塗覆的非接觸型印刷方法，而凹版印刷方法為接觸型印刷方法。
更特定而言，考慮到執行連續製程的容易度，較佳地上述裝置為藉由噴墨標記方法、凹版印刷方法或類似者執行印刷的裝置。在此狀況下，噴墨標記方法指以其中油墨液滴經由噴墨噴嘴滴於待印刷的目標（PVA偏光器）上的模式執行的印刷方法，且凹版印刷方法指以其中油墨填充於上面雕刻有待印刷的形狀的印刷輥中，經由刮漿刀及類似者而移除除雕刻部分以外的區的油墨以允許油墨僅保留在雕刻部分中，且填充於雕刻部分中的油墨接著藉由使用轉印輥而轉印於待印刷的目標（PVA偏光器）上的模式執行的印刷方法。
另外，在本說明書中，藉由使脫色溶液與偏光器接觸而形成消偏光區的步驟可藉由使用浸漬方法而執行。特定言之，在浸漬方法中，在遮罩層形成於偏光器的一表面上之後，包含保護薄膜及離型薄膜的偏光器可浸漬於脫色溶液中。
根據本說明書的例示性實施例，方法可進一步包含在形成消偏光區的步驟之前，在偏光器的另一表面上形成包含至少一個或多個開孔部分的遮罩層。在此狀況下，遮罩層可由遮罩薄膜或塗層形成。
根據本說明書的例示性實施例，形成遮罩層的步驟可在提供保護薄膜及離型薄膜的步驟之前執行。
存在優點，因為在其中在形成消偏光區的步驟之前執行形成遮罩層的步驟的狀況下，由於不需要消偏光的部分（亦即，不需要脫色的部分）未由遮罩層覆蓋，因此在捲對捲製程中的缺陷出現比可減少，且由於聚乙烯醇類偏光器及遮罩層經層壓，因此製程速度並未受限。
若其中形成包含開孔部分的遮罩層的偏光器浸漬在脫色溶液中，則脫色溶液經由開孔部分與聚乙烯醇類偏光器接觸，且因此脫色部分地僅出現在對應於開孔部分區的部分中。
根據另一例示性實施例，在其中遮罩薄膜用作遮罩層的狀況下，形成遮罩層的步驟可包含：在遮罩薄膜中形成開孔部分；以及將遮罩薄膜附著於偏光器的另一表面上。
特定言之，在形成遮罩層的步驟中，開孔部分可形成於遮罩薄膜的至少一個區中，且遮罩薄膜可附著於偏光器的另一表面上。另外，在形成遮罩層的步驟中，塗層可形成於偏光器的另一表面上，且塗層的至少一個區可經選擇性地移除以形成開孔部分。
在此狀況下，作為遮罩薄膜，可使用烯烴類薄膜，諸如聚乙烯（polyethylene；PE）、聚丙烯（polypropylene；PP）以及聚對苯二甲酸伸乙酯（polyethylene terephthalate；PET）；或乙酸乙烯酯類膜，諸如乙烯乙酸乙烯酯（ethylene vinyl acetate；EVA）及聚乙酸乙烯酯，但遮罩薄膜不限於此。另外，遮罩薄膜的厚度可為約10微米至100微米且較佳為約10微米至70微米，但不限於此。
在遮罩薄膜中形成開孔部分的步驟不受特別限制，且可經由對應技術領域中熟知的薄膜開孔方法（例如，沖模處理、刀處理、雷射處理及其類似者）而執行。
根據本說明書的例示性實施例，形成開孔部分的步驟可經由雷射處理而執行。雷射處理可藉由使用對應技術領域中大體已知的雷射處理裝置而執行，但不受特別限制。諸如雷射裝置的種類、功率以及雷射脈衝重複率的雷射處理條件可根據薄膜的材料或厚度、開孔部分的形狀及其類似者而改變，且考慮上述事項，一般熟習此項技術者可適當地選擇雷射製程條件。舉例而言，在其中具有30微米至100微米厚度的聚烯烴薄膜用作遮罩薄膜的狀況下，可藉由使用具有約9微米至11微米的中心波長的二氧化碳（CO2 ）雷射裝置、具有約300奈米至400奈米的中心波長的UV裝置或類似者而形成開孔部分，且在此狀況下，雷射裝置的最大平均功率可為約0.1瓦特至30瓦特且其脈衝重複率可為約0 kHz至50 kHz，但雷射裝置不限於此。
形成開孔部分的步驟可在將遮罩薄膜附著於偏光器的另一表面上的步驟之前或之後執行。換言之，開孔部分可先前形成於遮罩薄膜中且其中形成開孔部分的遮罩薄膜可接著附著於偏光器上，或遮罩薄膜可附著於偏光器上且接著可形成開孔部分。
將遮罩薄膜附著於偏光器的另一表面上的步驟可藉由對應技術領域中熟知的薄膜層壓方法（例如，用於經由黏性層附著遮罩薄膜與偏光構件的方法）而執行，且在此狀況下，黏性層可藉由將黏性劑（諸如丙烯醯基類黏性劑、矽類黏性劑、環氧樹脂類黏性劑以及橡膠類黏性劑）塗覆於遮罩薄膜或偏光構件上而形成，但方法及黏性劑不限於此。舉例而言，在其中具有自我黏性力的薄膜（例如，EVA薄膜、PVAC薄膜、PP薄膜及其類似者）用作遮罩薄膜的狀況下，遮罩薄膜可在未形成黏性層時直接附著於偏光器的另一表面上。
根據本說明書的例示性實施例，在其中遮罩層藉由塗層而形成的狀況下，形成遮罩層的步驟包含：在偏光器的另一表面上形成塗層；以及藉由選擇性地移除塗層的一些區域而形成開孔部分。
形成塗層的步驟可藉由用於將形成塗層的組成物塗覆於偏光器的另一表面上，且接著執行乾燥或輻射熱或主動能量射束（諸如UV射束或電子束）以固化塗層的方法而執行。
用於形成塗層的組成物的種類不受特別限制，只要組成物可藉由雷射而蝕刻且不溶解於鹼性溶液中便可。舉例而言，可使用包含諸如水分散性聚胺基甲酸酯、水分散性聚酯以及水分散性丙烯醯基共聚物的分散性聚合物樹脂的組成物或感光性樹脂組成物作為用於形成塗層的組成物。同時，作為感光性樹脂組成物，可使用市場上可獲得的感光性樹脂組合物，例如，正型光阻劑、負型光阻劑或類似者，但感光性樹脂組成物不受特別限制。
根據本說明書的例示性實施例，可藉由使用聚合物樹脂組成物或感光性樹脂組成物而形成塗層。
用於塗覆形成塗層的組成物的方法不受特別限制，且塗覆可經由通常用於對應技術領域中的塗覆方法（例如，棒塗、旋塗、滾塗、刮刀塗佈、噴塗或類似者）而執行，且固化可藉由用於施加熱或輻射主動能量射束（諸如紫外線射束或電子束）於所塗覆樹脂組成物上的方法而執行。
根據本說明書的例示性實施例，塗層的厚度可為100奈米至500奈米。存在優點，因為在塗層厚度滿足上述數值範圍的狀況下，當處理開孔部分時，可防止聚乙烯醇類偏光器損壞，且在脫色製程之後移除塗層的製程無需另外執行。
藉由選擇性地移除塗層的一些區而形成開孔部分的步驟可藉由輻射能量射束於塗層的一些區上、繼之以汽化、光微影方法或類似者的方法而執行。
用於汽化一些塗層的方法可藉由使用通常在對應技術領域中已知的裝置（例如，具有約300奈米至400奈米的中心波長的UV雷射裝置、具有約1000奈米至1100奈米的中心波長的IR雷射裝置、具有約500奈米至550奈米的中心波長的綠色雷射裝置或類似者）而執行。同時，諸如所使用雷射裝置的種類、雷射功率以及脈衝重複比的雷射處理條件可根據塗層的種類及厚度、待形成的開孔部分的構成及其類似者而改變，且考慮上述事項，一般熟習此項技術者可適當選擇雷射製程條件。
根據本說明書的例示性實施例，藉由選擇性地移除塗層的一些區而形成開孔部分的步驟可經由雷射處理而執行。
同時，在其中塗層由感光性樹脂組成物形成的狀況下，開孔部分可經由光微影製程而形成，且例如，開孔部分可藉由用於將感光性樹脂組成物塗覆於偏光板的另一表面上、及選擇性地曝露對應於開孔部分的區的能量射束，繼之以藉由使用顯影溶液顯影的方法而形成。
在此狀況下，可藉由使用諸如紫外線射束的光源或諸如雷射的能量射束而執行曝光。存在優點，因為在藉由使用雷射而執行曝光的狀況下，可不將單獨遮罩用於曝光，且開孔部分的形狀可相對自由地形成。
更特定而言，在本說明書的例示性實施例中，在塗層是藉由使用感光性樹脂材料以200奈米的厚度形成的狀況下，可藉由使用具有約0.1瓦特至10瓦特的最大平均功率的核心及300奈米至400奈米的UV雷射而執行曝光，且在此狀況下，雷射的動作脈衝重複率可為約30 kHz至100 kHz。
同時，在顯影中，可根據所使用感光性樹脂的種類選擇待使用的適當顯影溶液，且在一些狀況下，上述脫色溶液可用作顯影溶液。在此狀況下，可不執行單獨的顯影步驟。
同時，開孔部分可經形成以對應於待脫色的區的形狀，且其形狀或構成位置不受特別限制。舉例而言，開孔部分可形成在裝備有諸如攝影機的部件的位置處，以便對應於部件的形狀，或可形成於按產品標識的形狀印刷產品標識的區中，或在色彩經提供至偏光器的邊緣部分的狀況下，開孔部分可形成在偏光器的邊緣部分處以具有框架形狀。
根據本說明書的例示性實施例，在形成消偏光區的步驟之後，必要時，可進一步包含移除遮罩層的步驟。移除遮罩層的步驟可藉由用於自偏光器剝離遮罩層的方法而執行。在其中遮罩薄膜用作遮罩層的狀況下，較佳執行本步驟，但在其中塗層用作遮罩層的狀況下，本步驟可不被執行。更特定而言，移除遮罩層的步驟可藉由用於藉由使用剝離輥及類似者自偏光器剝離遮罩層的方法而執行。
根據本說明書的例示性實施例，脫色溶液的黏度可為1 cP至2000 cP。更特定而言，根據本說明書的例示性實施例，脫色溶液的黏度可為5 cP至2000 cP。此是因為在脫色溶液的黏度滿足上述數值範圍的狀況下，印刷製程可順利地執行，且在連續製程線中根據偏光構件的移動而擴散或向下流動至經印刷的脫色溶液中的情況可被防止，且因此脫色區可以所要形狀形成於所要區中。同時，脫色溶液的黏度可根據所使用印刷裝置及偏光器及類似者的表面性質而適當改變。舉例而言，在使用凹版印刷方法的狀況下，脫色溶液的黏度可為約1 cP至2000 cP且較佳約5 cP至200 cP，且在使用噴墨印刷方法的狀況下，脫色溶液的黏度可為約1 cP至55 cP且較佳約5 cP至20 cP。
根據本說明書的例示性實施例，脫色溶液可進一步包含黏度劑。為了允許脫色溶液的黏度滿足上述範圍，較佳使用用於進一步添加黏度劑的方法。因此，黏度劑改良脫色溶液的黏度以有助於抑制溶液的擴散並在所要位置處形成具有所要大小的消偏光區。若具有高黏度的溶液塗覆於快速移動偏光器上，則由於液體與偏光器之間的相對速度差（當執行塗覆時產生相對速度差）減少，因此防止溶液擴散至非所要部分中，且溶液（當執行脫色時所述溶液經塗覆直至在塗覆之後洗滌為止）的流化減少，且因此可形成具有所要位置或大小的消偏光區。
黏度劑不受特別限制，只要黏度劑具有低反應性且可增大溶液的黏度便可。根據本說明書的例示性實施例，黏度劑包含由下列各者所構成的族群中選出的一種或多種：聚乙烯醇類樹脂、聚乙烯乙醯乙酸酯類樹脂、乙醯乙醯基變性聚乙烯醇類樹脂、丁烯二醇乙烯醇類及聚乙二醇類樹脂以及聚丙烯醯胺類樹脂。
根據另一例示性實施例，可以脫色溶液的總重量計的0.5 wt%至30 wt%的含量而包含黏度劑。特定言之，根據本說明書的例示性實施例，可以脫色溶液的總重量計的2.5 wt%至15 wt%的含量而包含黏度劑。在黏度劑的含量大於上述範圍的狀況下，黏度過度增加，且因此洗滌並未被有效執行，且在黏度劑的含量過低的狀況下，黏度為低，且因此難以藉由液體的擴散及流化而實施具有所要形狀及所要大小的脫色區。
根據本說明書的例示性實施例，脫色溶液可包含：以總重量計，1 wt%至30 wt%的脫色劑；0.5 wt%至30 wt%的黏度劑；以及40 wt%至70 wt%的水。
另外，消偏光區可具有各種形狀但不限於此，且消偏光區可形成於整個偏光板上的任何位置處。
同時，下文將特定地描述經由本說明書的消偏光步驟的消偏光機制。已知以碘及/或雙色染料染色的聚乙烯醇複合物可吸收在可見光線範圍（諸如在400奈米至800奈米範圍內的波長帶）內的光。在此狀況下，若脫色溶液與偏光器接觸，則存在於偏光器中的吸收具有可見光線波長帶的光的碘及/或雙色染料被分解以脫色偏光器及因此增大透射率並減少偏光度。
舉例而言，在其中包含氫氧化鉀（KOH）（其為脫色劑）的水溶液與以碘染色的聚乙烯醇類偏光器的一些區接觸的狀況下，如由以下化學式1及化學式2所示，碘藉由一系列製程而分解。同時，在當製造以碘染色的聚乙烯醇類偏光器時執行硼酸交聯製程的狀況下，如以下化學式3中所描述，氫氧化鉀直接分解硼酸以移除經由聚乙烯醇與硼酸的氫鍵結的交聯效應。 [化學式1] 12KOH+6I2 →2KIO3 +10KI+6H2 O [化學式2] I5 - +IO3 - +6H+ →3I2 +3H2 O I3 - →I- +I2 [化學式3] B(OH)3 +3KOH→K3 BO3 +3H2 O
亦即，偏光器吸收在可見光線區中的光以分解碘及碘離子複合物（諸如I5 - （620奈米）、I3 - （340奈米）以及I2 - （460奈米））且因此產生I- （300奈米或小於300奈米）或其鹽，藉此允許可見光線區中的大多數光穿過。因此，由於偏光器在約400奈米至800奈米的區（其為可見光線區）中消偏光，因此透射率完全增加而使偏光器透明。換言之，為了在偏光器中形成偏光，吸收可見光線的所配置碘複合物可分解成不吸收可見光線的單分子形式，藉此執行消偏光。
根據本說明書的例示性實施例，在形成消偏光區的步驟之後，可進一步包含使用醇或酸溶液的洗滌步驟。在形成消偏光區的步驟中，在殘餘脫色溶液未被適當洗滌的狀況下，溶液擴散或保留於偏光器上，且因此消偏光區可以非所要大小及非所要形狀形成，且難以形成具有微小大小的消偏光區。
特定言之，由於易於乾燥醇，因此醇可被容易地移除，且醇不影響除消偏光區以外的偏光器的透射率或偏光度，且因此可適當地使用醇。舉例而言，醇較佳為乙醇、甲醇、丙醇、丁醇、異丙醇或其混合物，但醇不限於此。另外，在酸溶液的狀況下，主要具有鹼性性質的殘餘脫色劑經歷與待移除的酸溶液的中和反應，且可使用例如乙酸水溶液、己二酸水溶液、硼酸水溶液、磷酸水溶液、乳酸水溶液、硫酸水溶液、硝酸水溶液或其混合溶液作為酸溶液，但酸溶液不限於此。
在洗滌步驟中，可使用用於將偏光器浸漬於醇中持續1秒至180秒且更佳3秒至30秒，或藉由使用施配器、噴墨或類似者將醇或酸溶液塗覆於與脫色溶液接觸而脫色的局部部分上的方法。
在根據本說明書的例示性實施例的製造包含消偏光區的偏光板的方法中，使用醇或酸溶液的洗滌是在使用脫色劑之後執行，且因此，如上文所描述，藉由脫色劑形成的碘化合物、鹽及其類似者被洗去，且在消偏光區中的碘及碘離子複合物的含量被最小化。因此，消偏光區中的殘餘碘及碘離子複合物對光的吸收經減少以保證使偏光器更透明的效應。
根據本說明書的例示性實施例，在形成消偏光區的步驟之後，可進一步包含在偏光器的至少一個表面上形成光學層的步驟。在此狀況下，光學層可為諸如保護薄膜或延遲膜的聚合物薄膜層、諸如亮度改良薄膜的功能薄膜層或諸如硬塗層、抗反射層以及黏性層的功能層。
更特定而言，根據本說明書的例示性實施例，光學層形成於偏光器的另一表面上。換言之，光學層形成於偏光器的表面上，在所述表面上不提供保護薄膜及離型薄膜。
同時，光學層可直接附著或形成於聚乙烯醇類偏光器的表面上，或可附著於附著於聚乙烯醇類偏光器的一個表面上的保護薄膜或其他塗層上。
可根據待形成的光學層的種類藉由不同方法形成光學層，且例如，可藉由使用用於形成光學層的方法（其在對應技術領域中熟知）而形成光學層，且其方法不受特別限制。
根據本說明書的例示性實施例，在形成消偏光區的步驟之後，可進一步包含移除離型薄膜的步驟。移除離型薄膜的步驟可藉由用於自保護薄膜剝離離型薄膜的方法而執行。更特定而言，移除離型薄膜的步驟可藉由用於藉由使用剝離輥及類似者自保護薄膜剝離離型薄膜的方法而執行。
由於離型薄膜用以在形成消偏光區的步驟中抑制下垂（在保護薄膜的方向上拉伸）的出現，較佳在形成消偏光區之後移除離型薄膜。
本說明書的例示性實施例提供藉由用於製造偏光板的上述方法製造的偏光板。
本說明書的例示性實施例提供偏光板，所述偏光板包含：以碘及雙色染料中的至少一或多者染色的聚乙烯醇類偏光器；以及提供於聚乙烯醇類偏光器的至少一個表面上的保護膜，其中聚乙烯醇類偏光器具有至少一個消偏光區，所述消偏光區在400奈米至800奈米範圍內的波長帶處具有80%或大於80%的單一透射率以及10%或小於10%的偏光度，且消偏光區的最大下垂深度為10微米或小於10微米。
根據本說明書的例示性實施例，至少一個消偏光區的面積可為0.5平方毫米或大於0.5平方毫米及500平方毫米或小於500平方毫米。
在本說明書中，下垂意謂在聚乙烯醇（PVA）類偏光器與脫色溶液接觸時出現的在保護薄膜的方向上的下垂的現象。
特定言之，下垂的淺深度意謂下垂現象的低程度，且存在優點，因為下垂的淺深度可最小化偏光板的外觀的扭曲以當保護薄膜及類似者層壓於另一表面上時均勻塗覆黏著劑。因此，當製造在偏光器的兩個表面上都存在保護薄膜的結構的偏光板時，缺陷的出現可減少。
另外，存在優點，因為下垂的淺深度可提供具有改良外觀的偏光板。
根據本說明書的例示性實施例，消偏光區的最大下垂深度可為8微米或小於8微米，7微米或小於7微米，或6微米或小於6微米。
根據本說明書的例示性實施例，消偏光區的下垂深度可為0.1微米或大於0.1微米及10微米或小於10微米且較佳地為0.1微米或大於0.1微米及8微米或小於8微米。
可藉由使用白光三維量測機器（光學測繪器）或雷射顯微鏡（CLSM，共焦雷射掃描顯微鏡）而量測下垂的深度。
下垂的深度可意謂藉由自偏光器的表面（其面對保護薄膜）與偏光器的表面（其與面向保護薄膜的表面對置）之間的間隔的最大值減去最小值而獲得的值。另外，下垂的深度可意謂當偏光板放置於平面表面上時在保護薄膜的表面中脫色區與未執行脫色的區之間的高度差。
根據本說明書的例示性實施例的偏光板具有在400奈米至800奈米範圍內的波長帶處（包含於可見光線區中）具有80%或大於80%的單一透射率、200奈米或小於200奈米的算術平均粗糙度Ra以及10%或小於10%的偏光度的消偏光區。如上文所描述，消偏光區指經由使脫色溶液與以碘及/或雙色染料染色的聚乙烯醇類偏光器的一些區選擇性接觸的製程形成的區。
在消偏光區中，在400奈米至800奈米（其為可見光線區）且更佳450奈米至750奈米範圍內的波長帶處的單一透射率為80%或大於80%，較佳地90%或大於90%，且更佳地92%或大於92%。另外，消偏光區的偏光度為10%或小於10%且更佳5%或小於5%。隨著消偏光區的單一透射率增加且偏光度減少，可見度得以改良，且因此可進一步改良待位於上述區中的攝影機透鏡的效能及影像品質。
根據本說明書的例示性實施例，除偏光板的消偏光區以外的區的單一透射率較佳為40%至47%且更佳為42%至47%。此外，除偏光板的消偏光區以外的區的偏光度較佳為99%或大於99%。此是因為除消偏光區以外的殘餘區應藉由起原始偏光板的作用而展現類似上述範圍的極佳光學性質。
根據本說明書的例示性實施例，消偏光區的算術平均粗糙度Ra可為200奈米或小於200奈米，特定言之100奈米或小於100奈米或80奈米或小於80奈米，且更特定言之50奈米或小於50奈米。
根據本說明書的例示性實施例，消偏光區的均方根粗糙度Rq可為200奈米或小於200奈米，特定言之100奈米或小於100奈米或80奈米或小於80奈米，且更特定言之50奈米或小於50奈米。
算術平均粗糙度Ra為在JIS B0601-1994中規定的值並表示藉由在粗糙度曲線的平均線的方向中自粗糙度曲線取樣參考長度及對所取樣部分的自平均線至所量測曲線的偏差的絕對值求和，繼之以求平均而獲得的值，且均方根粗糙度Rq是在JIS B0601-2001中規定。算術平均粗糙度Ra及均方根粗糙度Rq是藉由光學測繪器（Nanoview E1000，奈米系統公司）而量測。
一般而言，若偏光器表面的粗糙度增加，則藉由光的折射及反射而增加濁度。在消偏光區的粗糙度滿足上述範圍的狀況下，濁度足夠低，且可確保鮮明的可見度。
根據另一例示性實施例，離型薄膜可進一步提供於保護薄膜的表面上，所述表面與面向偏光器的表面對置。
根據本說明書的例示性實施例，消偏光區的濁度為3%或小於3%，較佳地2%或小於2%，且更佳地1%或小於1%。
根據本說明書的例示性實施例，在消偏光區中，碘及/或雙色染料的含量為0.1 wt%至0.5 wt%且較佳地0.1 wt%至0.35 wt%。此是因為，如上文所描述，以複合物形式存在於偏光器上的碘藉由脫色劑與碘之間的反應而洗去，且因此碘及/或雙色染料的含量大大地減少。因此，透射率大幅改良。與此相比，根據本說明書的例示性實施例，在除消偏光區以外的區中，碘及/或雙色染料的含量為1 wt%至4 wt%且較佳地2 wt%至4 wt%。
在此狀況下，碘及/或雙色染料的含量是藉由使用光學X射線分析型裝置（藉由理學電氣有限公司（Rigaku Electric Co., Ltd.）製造，商標名「ZSX Primus II」）而量測。在本說明書中，藉由使用具有40毫米×40毫米大小及12微米厚度的偏光器片型樣本而量測每19.2立方毫米體積的平均wt%。
根據另一例示性實施例，消偏光區可為整個偏光板的0.005%至40%。
另外，本說明書的例示性實施例提供影像顯示器，所述影像顯示器包含：顯示面板；以及附著於顯示面板的一表面或兩個表面上的根據上述例示性實施例的偏光板。
顯示面板可為液晶面板、電漿面板以及有機發光面板，且因此影像顯示器可為液晶顯示器（liquid crystal display；LCD）、電漿顯示面板（plasma display panel；PDP）以及有機發光二極體（organic light emitting diode；OLED）。
更特定言之，影像顯示器可為包含液晶面板及提供於液晶面板的兩個表面上的偏光板的液晶顯示器，且在此狀況下，偏光板中的至少一者可為包含根據本說明書的上述例示性實施例的偏光器的偏光板。亦即，偏光板為包含以碘及/或雙色染料染色的聚乙烯醇類偏光器，及提供於聚乙烯醇類偏光器的至少一個表面上的保護薄膜的偏光板，其中偏光板局部具有在400奈米至800奈米範圍內的波長帶處具有80%或大於80%的單一透射率的消偏光區，消偏光區的算術平均粗糙度Ra為200奈米或小於200奈米，偏光度為10%或小於10%，且下垂為10微米或小於10微米。
在此狀況下，包含於液晶顯示器中的液晶面板的種類不受特別限制。舉例而言，可應用公眾已知面板，諸如：被動式矩陣型面板（諸如扭轉向列（twisted nematic；TN）類型、超扭轉向列（super twisted nematic；STN）類型、鐵電（F）類型或聚合物分散（polymer dispersed；PD）類型）；主動式矩陣型面板（諸如兩端子類型或三端子類型）；以及共平面切換型（in plane switching；IPS）面板，以及垂直對準（vertical alignment；VA）面板，但液晶面板的種類不限於此。另外，構成液晶顯示器的其他構造（例如，上部及下部基板（例如，彩色濾光片基板或陣列基板）及類似者）的種類不受特別限制，且可在不限制的情況下採用本領域中公眾已知的構造。
根據本說明書的例示性實施例，影像顯示器可為進一步包含提供於偏光板的消偏光區中的攝影機模組的影像顯示器。可見光線區的透射率可得以改良，可藉由將攝影機模組定位於減少偏光度的消偏光區中而確保增加攝影機透鏡部分的可見度的效應，且可藉由包含抑制消偏光區的下垂現象的偏光板來確保外觀改良效應。
在下文中，將經由實例更詳細地描述本說明書。然而，闡述以下實例以說明本說明書，但本說明書的範疇不限於此。 ＜實例1＞
聚乙烯醇類薄膜（日本合成化學有限公司（Nippon Gohsei Co., Ltd.），M3000級30微米）在25℃的純溶液中持續15秒經歷膨脹製程，且接著在具有0.2 wt%的濃度的碘溶液中在25℃下持續60秒經歷染色製程。此後，聚乙烯醇類薄膜在45℃的1 wt%硼酸溶液中持續30秒經歷洗滌製程，且接著在52℃的2.5 wt%硼酸溶液中執行六倍拉長製程。在拉長之後，聚乙烯醇類薄膜在5 wt%碘化鉀（KI）溶液中經歷互補色彩製程，且接著在烘箱中在60℃下持續5分鐘乾燥，藉此製造具有12微米厚度的聚乙烯醇類偏光器。
此後，在丙烯醯基類保護薄膜層壓於聚乙烯醇類偏光器的一表面上且被加工有約4毫米直徑的孔的遮罩薄膜經層壓於偏光器的另一表面上之後，藉由使用黏性劑將具有約7500 N的拉伸強度的聚對苯二甲酸伸乙酯（PET）離型薄膜附著於丙烯醯基類保護薄膜上。
將層壓了遮罩薄膜及離型薄膜的聚乙烯醇類偏光器持續3秒浸漬在60℃的10 wt%的KOH水溶液中進行脫色，持續5秒浸漬在4 wt%的硼酸水溶液中進行中和，且在烘箱中在60℃下持續30秒乾燥，遮罩薄膜被移除，且接著層壓丙烯醯基類保護薄膜。此後，聚對苯二甲酸伸乙酯（PET）薄膜經移除以製造具有丙烯醯基類保護薄膜/聚乙烯醇類偏光器/丙烯醯基類保護薄膜的結構的偏光板。
圖2A說明藉由在根據實例1的偏光板中使用白光三維量測機器量測消偏光區的表面而獲得的下垂區的深度。另外，圖2B說明藉由在根據實例1的偏光板中使用白光三維量測機器對消偏光區的表面拍照所獲得的3D圖片。特定言之，圖2B說明下垂現象出現於消偏光區的表面上，且最大下垂深度為約6微米。 ＜比較實例1＞
除附著具有約1500 N的拉伸強度的聚對苯二甲酸伸乙酯（PET）離型薄膜以外，藉由與實例1相同的製造方法而製造具有丙烯醯基類保護薄膜/聚乙烯醇類偏光器/丙烯醯基類保護薄膜的結構的偏光板。
圖3A說明藉由在根據比較實例1的偏光板中使用白光三維量測機器量測消偏光區的表面而獲得的下垂區的深度。另外，圖3B說明藉由在根據比較實例1的偏光板中使用白光三維量測機器對消偏光區的表面拍照所獲得的3D圖片。特定言之，圖3B說明下垂現象出現於消偏光區的表面上，且最大下垂深度為約30微米。 ＜比較實例2＞
除附著具有約2000 N的拉伸強度的聚對苯二甲酸伸乙酯（PET）離型薄膜以外，藉由與實例1相同的製造方法而製造具有丙烯醯基類保護薄膜/聚乙烯醇類偏光器/丙烯醯基類保護薄膜的結構的偏光板。
根據比較實例2的偏光板的消偏光區中的最大下垂深度為約20微米。 ＜比較實例3＞
除附著具有約3000 N的拉伸強度的聚對苯二甲酸伸乙酯（PET）離型薄膜以外，藉由與實例1相同的製造方法而製造具有丙烯醯基類保護薄膜/聚乙烯醇類偏光器/丙烯醯基類保護薄膜的結構的偏光板。
根據比較實例3的偏光板的消偏光區中的最大下垂深度為約25微米。 ＜比較實例4＞
除附著具有約5000 N的拉伸強度的聚對苯二甲酸伸乙酯（PET）離型薄膜以外，藉由與實例1相同的製造方法而製造具有丙烯醯基類保護薄膜/聚乙烯醇類偏光器/丙烯醯基類保護薄膜的結構的偏光板。
根據比較實例4的偏光板的消偏光區中的最大下垂深度為約15微米。
圖4說明根據實例及比較實例的偏光板的最大下垂深度。在圖4中，x軸意謂離型薄膜的拉伸強度，且y軸意謂最大下垂深度。
根據實例及比較實例的結果，可見藉由根據本說明書的例示性實施例的製造方法製造的偏光板可顯著抑制消偏光區中的下垂現象。
無
圖1為說明製造偏光板的製程中的下垂原因的視圖。 圖2A說明藉由在根據實例1的偏光板中使用白光三維量測機器量測消偏光區的表面而獲得的下垂區的深度。 圖2B說明藉由在根據實例1的偏光板中使用白光三維量測機器對消偏光區的表面拍照所獲得的3D圖片。 圖3A說明藉由在根據比較實例1的偏光板中使用白光三維量測機器量測消偏光區的表面所獲得的下垂區的深度。 圖3B說明藉由在根據比較實例1的偏光板中使用白光三維量測機器對消偏光區的表面拍照所獲得的3D圖片。 圖4說明根據實例及比較實例的偏光板的最大下垂深度。

Claims (21)

  1. 一種偏光板的製造方法，所述偏光板的製造方法包括：提供以碘及雙色染料中的至少一或多者染色的聚乙烯醇類的偏光器；在所述偏光器的一表面上提供保護薄膜及離型薄膜；以及藉由使脫色溶液與所述偏光器的另一表面局部接觸而形成至少一個消偏光區，其中所述離型薄膜提供於所述保護薄膜的與面向所述偏光器的表面對置的表面上，所述消偏光區在400奈米至800奈米範圍內的波長帶處具有80%或大於80%的單一透射率及10%或小於10%的偏光度，且所述消偏光區的最大下垂深度為10微米或小於10微米，其中所述脫色溶液包含從由下列各者所構成的族群中選出的一或多種脫色劑：氫氧化鈉(NaOH)、硫氫化鈉(NaSH)、疊氮化鈉(NaN3)、氫氧化鉀(KOH)、硫氫化鉀(KSH)以及硫代硫酸鉀(KS2O3)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的偏光板的製造方法，其中所述離型薄膜具有6000N或大於6000N的拉伸強度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的偏光板的製造方法，其中至少一個所述消偏光區的面積為0.5平方毫米或大於0.5平方毫米以及500平方毫米或小於500平方毫米。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的偏光板的製造方法，其中所述脫色溶液的pH值為11至14。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的偏光板的製造方法，其中 所述脫色溶液的黏度為1cP至2000cP。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的偏光板的製造方法，其中所述脫色溶液進一步包含黏度劑。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的偏光板的製造方法，其中所述脫色溶液包含以總重量計的1wt%至30wt%的脫色劑；0.5wt%至30wt%的黏度劑；以及40wt%至70wt%的溶劑，且所述溶劑為水或水與醇的混合溶劑。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的偏光板的製造方法，進一步包括：在所述消偏光區的形成之前，在所述偏光器的另一表面上形成包含至少一個開孔部分的遮罩層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的偏光板的製造方法，其中在所述遮罩層的形成中，所述開孔部分形成於遮罩薄膜的至少一個區中，且所述遮罩薄膜附著於所述偏光器的另一表面上。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的偏光板的製造方法，其中在所述遮罩層的形成中，塗層形成於所述偏光器的另一表面上，且所述塗層的至少一個區經選擇性地移除以形成所述開孔部分。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的偏光板的製造方法，其中所述消偏光區的形成是藉由浸漬方法、施配器方法、噴墨方法或凹版印刷方法而執行。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的偏光板的製造方法，進一步包括：在形成所述消偏光區之後，藉由使用醇或酸溶液而執行洗滌。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的偏光板的製造方法，進 一步包括：在形成所述消偏光區之後，移除所述離型薄膜。
  14. 一種偏光板，包括：聚乙烯醇類偏光器，其以碘及雙色染料中的至少一或多者染色；以及保護薄膜，其提供於所述聚乙烯醇類偏光器的至少一個表面上，其中所述聚乙烯醇類偏光器具有至少一個消偏光區，所述消偏光區在400奈米至800奈米範圍內的波長帶處具有80%或大於80%的單一透射率及10%或小於10%的偏光度，且所述消偏光區的最大下垂深度為10微米或小於10微米。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的偏光板，其中至少一個所述消偏光區的面積為0.5平方毫米或大於0.5平方毫米以及500平方毫米或小於500平方毫米。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的偏光板，其中所述消偏光區的算術平均粗糙度Ra為200奈米或小於200奈米。
  17. 如申請專利範圍第14項所述的偏光板，其中所述消偏光區的濁度為3%或小於3%。
  18. 如申請專利範圍第14項所述的偏光板，其中除所述偏光板的所述消偏光區以外的區具有40%至45%的單一透射率及99%或大於99%的偏光度。
  19. 如申請專利範圍第14項所述的偏光板，其中在所述消偏光區中，所述碘及所述雙色染料中的至少一或多者的含量為0.1wt%至0.5wt%，且在除所述消偏光區以外的區中，所述碘及所述 雙色染料中的至少一或多者的含量為1wt%至4wt%。
  20. 一種影像顯示器，包括：顯示面板；以及如申請專利範圍第14項至第19項中任一項所述的偏光板，其附著於所述顯示面板的一表面或兩個表面上。
  21. 如申請專利範圍第20項所述的影像顯示器，進一步包括：攝影機模組，其提供於所述偏光板的消偏光區中。
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