TWI568540B - Monolithic chemical grinding equipment - Google Patents

Description

單片式化學研磨裝置

本發明，係有關於構成為對於被連續性搬送而來之複數的玻璃基板而進行化學研磨處理之化學研磨裝置。

為了將玻璃基板薄型化，一般而言係有必要使用包含氟酸之化學研磨液來對於玻璃基板進行化學研磨處理。作為此種化學研磨處理，係可列舉出：將應處理之玻璃基板在裝入有化學研磨液之槽中浸漬特定時間的批次式化學研磨、以及將應處理之玻璃基板藉由搬送滾輪來依序作搬送並將化學研磨液作噴灑之單片式化學研磨。

在此些之化學研磨方式中，批次方式之研磨，係為藉由將應處理之玻璃基板在研磨液浴槽中浸漬特定之時間來將玻璃基板薄板化為所期望之板厚者，而有著能夠一次對於多量之玻璃基板進行處理的優點。但是，在批次方式之研磨中，係至少存在有以下之3個的問題點。

首先，在批次方式之研磨中，由於研磨液浴槽係為對於上方而開放之構造，因此係有著研磨液浴槽之周圍會成為高濃度之氟酸氛圍的問題。特別是，當對於研磨液浴槽之研磨液而進行起泡處理的情況時，係有著氣體狀之氟酸容易朝向周圍擴散的問題點。在此種氟酸氛圍中而進行作業的作業員，若是不在身上附加適當之保護裝備並進行作業，則會有對於健康有所損害之虞。因此，對於作業員所 發給之保護裝備的成本係變高。

又，在批次方式之研磨中，為了將研磨液浴槽之周圍的高濃度之氟酸氛圍消除，係成為需要強力之洗氣器等的排氣設備，並使設備成本增大。進而，由於會起因於氟酸氣體而使設備之腐蝕成為容易發生，因此，亦有著下述的問題：亦即是，為了施加適當的防蝕處理，會耗費成本，並且設備之交換頻度會變多，而耗費成本。

進而，亦成為需要使用用以將玻璃基板作支持之治具。因此，係與上述之批次式之化學研磨裝置相同的準備治具之費用係為高，並且亦有著容易在玻璃基板處而產生治具之痕跡的問題。

因此，近年來，係有著使用單片方式之化學研磨的情況。例如，在先前技術中，係存在有下述一般之平面面板顯示器玻璃基板蝕刻裝置，其係構成為：藉由能夠使玻璃基板作附著之治具，來將玻璃基板作縱向支持，並一面搬送此治具一面對於玻璃基板噴射化學研磨液(例如，參考專利文獻1)。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕日本特開2008-266135號公報

然而，在專利文獻1所記載之技術中，係依然必須要 使用用以將玻璃基板作支持之治具。因此，係與上述之批次式之化學研磨裝置相同的準備治具之費用係為高，並且亦有著容易在玻璃基板處而產生治具之痕跡的問題。由於若是在玻璃基板處產生有治具痕跡，則對於進行有效率之去角設計一事而言係變得極為困難，因此，係有著使去角效率降低之問題。

本發明，係為有鑑於上述之課題而進行者，並提供一種：能夠並不使用治具地而對於玻璃基板施加化學研磨處理之單片式的化學研磨裝置。

本發明之化學研磨裝置，係構成為對於被連續性搬送而來之複數的玻璃基板而進行化學研磨處理。此化學研磨裝置，係至少具備有搬送部以及研磨處理部。搬送部，係具備有構成為一面支持玻璃基板之底面一面朝向水平方向作搬送的複數之搬送滾輪。研磨處理部，係構成為對於藉由搬送部所搬送而來之玻璃基板，而噴射化學研磨液並將玻璃基板薄型化。研磨處理部，係具備有複數之處理腔以及複數之連結部。

複數之處理腔，係構成為分別對於玻璃基板而噴射同一組成之化學研磨液。複數之連結部，係構成為將各處理腔作連結。複數之處理腔之各個，係具備有能夠在與玻璃基板之搬送方向相正交的方向上而搖動之噴射噴嘴。

在此構成中，由於係採用藉由複數之搬送滾輪來一面 將玻璃基板作直接性支持一面作搬送之構成，因此，係成為不需要藉由治具來支持玻璃基板。又，藉由故意設置進行相同之處理的複數之處理腔，由於係成為能夠對於單一之處理腔的長度作抑制，因此，係成為能夠將被配置在各處理腔中之噴射管的熱膨脹之影響降低，並謀求噴射噴嘴之搖動的順暢化。

若依據上述之本發明，則係成為能夠並不使用治具地而對於玻璃基板施加化學研磨處理。

圖1，係為對於本發明之實施形態的其中一例之單片式化學研磨裝置10之外觀作展示的圖。又，圖2以及圖3，係為對於化學研磨裝置10之概略構成作展示的圖。如圖1~圖3中所示一般，化學研磨裝置10，係具備有：搬入部12、和前置處理腔14、和第1處理腔16、和第2處理腔18、和第3處理腔20、和第4處理腔22、和第1中繼部28、和第2中繼部30、和第3中繼部32、和水洗腔24、和搬出部26、和處理液收容部42、和處理液供給部44、以及水供給部46。

搬入部12，係構成為能夠接收藉由以作業員所進行之手動作業或者是以機器人等所進行之自動作業而搬入的應進行薄型化處理之玻璃基板100。前置處理腔14，係構成 為接收從搬入部12所搬送而來之玻璃基板100。第1處理腔16，係構成為分別對於玻璃基板100之上下面而噴射化學研磨液並將玻璃基板薄型化。第2處理腔18、第3處理腔20以及第4處理腔22，係分別構成為對於玻璃基板之上下面而噴射與第1處理腔16同一組成之化學研磨液並將玻璃基板更進一步薄型化。第1中繼部28、第2中繼部30以及第3中繼部32，係分別構成為將複數之處理腔作連結。水洗腔24，係構成為將經過了第4處理腔22之玻璃基板100作水洗。搬出部26，係構成為能夠將經過了化學研磨處理以及水洗處理之玻璃基板100取出。到達了搬出部26處之玻璃基板100，係藉由以作業員所進行之手動作業或者是以機器人等所進行之自動作業而被從化學研磨裝置10取出並作回收。之後，玻璃基板100，當需要進行更進一步之薄型化的情況時，係再度被導入至化學研磨裝置10中，另一方面，當並不需要進行更進一步之薄型化的情況時，則係移行至成膜工程等之後段的工程處。

處理液收容部42，係經由第1處理腔16、第2處理腔18、第3處理腔20、第4處理腔22以及回收管線420而被作連接。處理液供給部44，係經由供液管線440，而被連接於第1處理腔16、第2處理腔18、第3處理腔20、第4處理腔22、第1中繼部28、第2中繼部30、以及第3中繼部32處。水供給部46，係經由供水管線460而被與前置處理腔14以及水洗腔24作連接。另外，在圖1中，關於化學研磨裝置10之回收管線420、供液管線 440以及洗淨水之供水管線460，係省略圖示。

在上述之化學研磨裝置10中，除了對於前置處理腔14之導入口200、從水洗腔24而來之導出口300以及後述之曲柄機構36之一部份的作業空間以外，前置處理腔14、第1處理腔16、第2處理腔18、第3處理腔20、第4處理腔22、第1中繼部28、第2中繼部30、第3中繼部32、以及水洗腔24，係作為全體而氣密性地且水密性地被作閉塞。導入口200以及導出口300，係呈現較玻璃基板100之板厚而更略高並且較玻璃基板100之橫寬幅而更略廣的細縫形狀。又，係貫通各部而在同一平面上被配置有多數之搬送滾輪50。各搬送滾輪50，係構成一面支持玻璃基板100之底面一面朝向圖示之右方向作搬送的搬送路徑。

於此，搬送速度，係以設定為100~800mm/分為理想，更理想，係設定為300~550mm/分。又，在第1處理腔16、第2處理腔18、第3處理腔20以及第4處理腔22處之處理時間，於本實施形態中，係設定為合計20分鐘程度，但是，係並不被限定於此。又，若是超過上述之範圍而使搬送速度變得過慢，則不但是會使生產效率惡化，並且化學研磨液也會容易滯留在玻璃基板100上並對於均一之化學研磨造成阻礙，在最糟糕的情況時，還會有導致玻璃基板100之碎裂之虞。另一方面，在相同之裝置規模下，要是想提高搬送速度，則用以實現此目標之液組成的最適化係為困難，其結果，係難以實現均質性之化學 研磨。

在化學研磨裝置10處而被進行薄型化處理之玻璃基板100，雖並未被特別限定，但是，係構成為就算是針對G8尺寸之四方裁切(1080×1230mm)以及G6尺寸(1500×1800mm)等的大型玻璃基板，亦能夠將其之上下兩面作均質之研磨的化學研磨裝置10。又，化學研磨裝置10，係構成為不需要使用治具或載具等而將玻璃基板100直接性地藉由搬送滾輪50來作搬送。

如同上述一般，第1處理腔16、第2處理腔18、第3處理腔20、第4處理腔22、第1中繼部28、第2中繼部30、以及第3中繼部32，係經由供液管線440，而與被作了溫度管理之處理液供給部44相通連，處理液供給部44之化學研磨液，係成為以40~42℃程度而被供給至各腔中。於此，化學研磨液之組成，係以設為氟酸1~20重量%、鹽酸0~10重量%且剩餘為水的液組成為理想。

又，前置處理腔14以及水洗腔24，係經由供水管線460而與水供給部46相通連，並成為將洗淨水供給至各腔中。另外，從前置處理腔14和水洗腔24所排出之洗淨排水，係被排出至廢水處理設備處。

另一方面，如同上述一般，第1處理腔16、第2處理腔18、第3處理腔20以及第4處理腔22之底部，係經由回收管線420而與處理液收容部42相通連，並成為使研磨處理水被作回收。第1中繼部28、第2中繼部30以及第3中繼部32之底部，由於係分別具備有朝向相鄰接之 處理腔而傾斜的底部，因此，第1中繼部28、第2中繼部30以及第3中繼部32內之處理液，係順暢地被導引至相鄰接之處理腔中。另外，被作了回收的研磨處理水，在經過了反應生成物的沈澱和其他處理之後，若是身為能夠進行再利用的狀態，則係被送至處理液供給部44處，另一方面，當身為無法進行再利用之狀態的情況時，則係作為濃厚廢液而被移行至廢液處理工程處。

又，如圖3中所示一般，前置處理腔14、第1處理腔16、第2處理腔18、第3處理腔20、第4處理腔22以及水洗腔24，係經由排氣管線340而與排氣部34相通連，並成為使各腔之內部氣體被吸引至排氣部34處。於此，由於排氣管線340係恆常性地起作用，因此，朝向前置處理腔14之導入口200、從水洗腔24而來之導出口300、被形成於曲柄機構36之一部份處的開口，係成為被維持於負壓狀態，而不會有處理氣體通過此些之開口而露出的情形。

如同圖4以及圖5中所示一般，在第1處理腔16、第2處理腔18、第3處理腔20、第4處理腔22以及水洗腔24處，係於搬送滾輪50之上下位置處，而分別被配置有在玻璃基板100之搬送方向上而延伸之一群(10根)的噴射管444(444U、444L)。各噴射管444，係為由氯化乙烯或者是TEFLON(登記商標)所成之中空的樹脂管，在1根的噴射管處，係一列地被形成有複數個的噴射噴嘴446。而後，係從被配置在上側處之上側噴射管444U而對 於玻璃基板100之上面噴射化學研磨液，並且從被配置在下側處之下側噴射管444L而對於玻璃基板100之底面噴射化學研磨液。另一方面，係從被配置在水洗腔24處之上側噴射管242U而對於玻璃基板之上面噴射洗淨水，並且從下側噴射管242L而對於玻璃基板100之底面噴射洗淨水。進而，在第1中繼部28、第2中繼部30以及第3中繼部32處，係分別被設置有噴射管282(282U、282L)、噴射管302(302U、302L)以及噴射管322(322U、322L)，並將與第1~第4處理腔18、20、22、24同一組成之化學研磨液噴射至玻璃基板100之上面以及底面處。

被配置在第1中繼部28、第2中繼部30以及第3中繼部32處之噴射管282(282U、282L)、噴射管302(302U、302L)以及噴射管322(322U、322L)，還有被配置在水洗腔24處之噴射管(242U、242L)，係被保持為固定狀態。另一方面，被配置在第1處理腔16、第2處理腔18、第3處理腔20、第4處理腔22處之各噴射管444，係被構成為能夠藉由曲柄機構36來作搖動。

如同圖5中所示一般，在本實施形態中，第1處理腔16、第2處理腔18、第3處理腔20、以及第4處理腔22，係於玻璃基板100之上側以及下側處而分別被配置有10根的噴射管444(444U、444L)。圖5(A)，係為對於被配置在玻璃基板之下方處的噴射管444從上方而作了描繪的平面圖，在各噴射管444處，例如係被形成有8個 的噴射噴嘴446。

各噴射管444(444U、444L)，係使其之前端側(圖示左側)被作閉塞，另一方面，在其之基端側處，係被設置有壓力控制部。壓力控制部，係藉由與噴射管444(444U、444L)相同數量(10個)的開閉閥442所構成，並成為能夠藉由對於各開閉閥442之開度作調整來任意地設定供給至各噴射管444(444U、444L)處之化學研磨液的液壓。另外，被供給至各噴射管444(444U、444L)處之化學研磨液的液壓，係可藉由被配置在化學研磨裝置10之上面處的計器38來作確認。

在此實施例中，相較於周邊位置之噴射管444(444U、444L)，中央位置之噴射管444(444U、444L)之液壓係被設定為更些許大，朝向玻璃基板100之中央位置的接觸壓和噴射量，係被設定為較對於玻璃基板100之周邊位置的接觸壓和噴射量而更些許高。因此，被噴射至玻璃基板100之中央位置處的化學研磨液，係成為朝向玻璃基板之周邊位置而順暢地移動，化學研磨液係成為難以在玻璃基板100之上面滯留。其結果，係成為在玻璃基板100之全面上而使略等量之化學研磨液起作用，而成為易於將玻璃基板100全面作均一的研磨。另外，當就算是並不使噴射管444(444U、444L)之液壓在寬幅方向上而變化也能夠使化學研磨液並不會滯留在玻璃基板100之上面的情況時，則並不需要特地使噴射管444(444U、444L)之液壓在寬幅方向上而變化，只要將全部的噴射管444 (444U、444L)之液壓設定為均一即可。

又，各噴射管444(444U、444L)，係藉由將其之兩端藉由軸承等來可旋轉地作軸支持，而構成為可藉由曲柄機構36來作略±30°之搖動(oscillation)(參考圖5(B))。另外，圖5(B)，係為對於搖動角度作展示者，而並非為對於化學研磨液之噴射範圍作展示者。亦即是，由於化學研磨液係從噴射管444之噴射噴嘴446而以喇叭狀作噴出，因此其之噴射範圍係較搖動角度而更廣。

曲柄機構36，係如圖6(A)以及圖6(B)中所示一般，構成為將驅動馬達362之旋轉力變換為使噴射管444(444U、444L)搖動之力並傳導至噴射管444(444U、444L)處。驅動馬達362之旋轉力，係透過傳導臂而作為使搖動臂366搖動之力來傳導至搖動臂366處。搖動臂366，係以可轉動之狀態而被支持在被設置於化學研磨裝置10之內壁部處的支持部368處。

另一方面，各噴射管444(444U、444L)之端部，係貫通處理腔之隔壁，在位置於處理腔之外側處的部分處，係被安裝有用以傳導在噴射管444(444U、444L)之搖動中所必要的轉矩之轉矩傳導臂372、376。轉矩傳導臂372、376，係分別以可轉動之狀態而被支持於保持臂370、374處。保持臂370、374，係以可轉動並且可滑動的狀態而被連結於搖動臂366處。

若是藉由驅動馬達362之旋轉力而使搖動臂366搖動，則與搖動臂366相連動地，保持臂370、374係如同圖 中之箭頭所示一般地而搖動。從保持臂370而來之力，係經由轉矩傳導臂372而作為轉矩來傳導至上側噴射管444U處。又，從保持臂374而來之力，係經由轉矩傳導臂376而作為轉矩來傳導至下側噴射管444L處。其結果，如同圖6(A)以及圖6(B)中所示一般，上側噴射管444U以及下側噴射管444L，係成為朝向與玻璃基板100之搬送方向相正交之方並且互為相反之方向，而作約±30°之旋轉。另外，驅動馬達362之旋轉數，係對於噴射管444(444U、444L)之搖動次數作規定，但是，在本實施形態中，係將驅動馬達之旋轉數設定為10~30rpm的程度。

在上側之噴射管444U處，係於其之下面被形成有噴射噴嘴446U，在下側之噴射管444L處，係於其之上面被形成有噴射噴嘴446L，各噴射噴嘴，係成為一面作約±30°之旋轉，一面將化學研磨液噴射至玻璃基板之上下面處(參考圖5(B))。

另外，在本實施形態中，係故意將藉由同一之液組成而實行同樣的化學研磨之第1處理腔16、第2處理腔18、第3處理腔20以及第4處理腔22相互分割地作設置。其理由，係在於為了藉由對於噴射管444(444U、444L)之長度作抑制來防止噴射管444(444U、444L)之撓折，並且使噴射管444(444U、444L)順暢地作搖動之故。又，係為了將由於噴射管444(444U、444L)之熱膨脹所導致的影響抑制為更小之故。藉由採用此種構成，係成為能夠將噴射管444(444U、444L)和玻璃基板100之 間的距離維持為均一，並成為容易對於被噴射至玻璃基板100處之化學研磨液的液壓作調整。又，藉由使噴射管444(444U、444L)作順暢的搖動，係成為能夠使化學研磨液從玻璃基板100之上面而順暢地流下，因此化學研磨液係成為難以滯留在玻璃基板100之上面。另外，噴射管444(444U、444L)之長度，雖然亦與管徑(送液量)有所關連，但是，一般而言，係以抑制在2.5m以下為理想，更理想係抑制在2m以下。

為了以高速來對於玻璃基板100進行化學研磨，係有必要將加溫狀態之化學研磨液的送液量增加，但是，藉由將噴射管444(444U、444L)之長度抑制為適當的長度，不會有使驅動馬達362過度地大型化的情況，並且能夠藉由簡單的機構來使複數之噴射管444(444U、444L)順暢地作搖動。

接著，使用圖7(A)~圖7(C)，針對前置處理腔14之構成作說明。在前置處理腔14處，係如同前述一般，近接於第1處理腔16，而被配置有使噴射管444(444U、444L)作搖動之曲柄機構36。除了上述構成以外，在前置處理腔14處，係於朝向第1處理腔16之玻璃基板100的導入口處，被配置有接收玻璃基板100之對向滾輪146、和對於玻璃基板100之上下面而噴射水之水洗噴嘴142、144。水洗噴嘴142、144，係涵蓋與玻璃基板100之搬送方向相正交的方向(寬幅方向)之全區域，而以特定之間隔作複數配備。於此，玻璃基板100，係被設 定為會在對向滾輪146和搬送滾輪50處而被輕柔地作保持並導入至第1處理腔16中一般的接觸壓。

又，水洗噴嘴142、144，係設定為會朝向對於玻璃基板100之第1處理腔16的導入口而噴射水。因此，被導入至第1處理腔16中之玻璃基板100，係成為充分作了浸濕的狀態，而防止被進行有非均一性之初期蝕刻。亦即是，第1處理腔16，由於係為氟酸氣體氛圍，因此若是玻璃基板100之表面係為乾燥狀態，則會有被氟酸氣體作不均一之侵蝕的危險，但是，在本實施形態中，由於玻璃基板100之表面係被水所保護，因此，之後，在第1處理腔16中，係開始均質性之蝕刻。

在本實施形態中，如同圖7(A)~圖7(C)中所示一般，水洗噴嘴142係構成為朝向正下方而噴射水，另一方面，水洗噴嘴144係構成為朝向上方且朝向玻璃基板100之搬送路徑的上游側而斜方向地噴射水。將水洗噴嘴144構成為朝向斜上方而噴射水的結果，當玻璃基板100接近水洗噴嘴142、144時，如同圖7(A)以及圖7(B)中所示一般，係成為能夠從水洗噴嘴144而對於玻璃基板100之上面供給水。因此，係成為能夠在玻璃基板100之上面而迅速地形成用以保護其免於受到氟酸氣體之侵蝕的水膜。另外，若是玻璃基板100接近水洗噴嘴144，則由於從水洗噴嘴144所噴射之水係成為接觸到玻璃基板100之底面，因此，係能夠藉由水洗噴嘴144而將玻璃基板100之底面適當地洗淨並且適當地使其濕潤。

如同以上一般，藉由在前置處理腔14處設置水洗噴嘴142、144，係能夠防止乾燥狀態之玻璃基板100暴露在氟酸氣體中並被非均一性地蝕刻的情況。又，由於係防止玻璃基板100以乾燥狀態而被挾持於對向滾輪146以及搬送滾輪50之間的情形，因此，能夠防止在通過對向滾輪146以及搬送滾輪50之間時而於玻璃基板100上產生傷痕或者是造成玻璃基板100污損的情況。

接著，針對第1中繼部28、第2中繼部30以及第3中繼部32作說明。在第1中繼部28、第2中繼部30以及第3中繼部32處，係分別於搬送路徑之上下位置處，配置有固定狀態之噴射管282、噴射管302以及噴射管322。並且，係從噴射管282、噴射管302、噴射管322而對於玻璃基板100之上下面噴射化學研磨液。在本實施形態中，噴射管282、噴射管302以及噴射管322係分別構成本發明之研磨液噴射手段。

於此，係亦可考慮將第1中繼部28、第2中繼部30以及第3中繼部32，作為在玻璃研磨處理中之空閒空間，但是，在本實施形態中，係特地在此些之第1中繼部28、第2中繼部30以及第3中繼部32處，亦將同一組成之化學研磨液朝向玻璃基板100作噴射。因此，在通過第1中繼部28、第2中繼部30以及第3中繼部32時，係不會有化學研磨液在玻璃基板上滯留之虞，相反的，在通過第1中繼部28、第2中繼部30以及第3中繼部32時，也不會有玻璃基板100變乾之虞，而能夠實現高品質之玻璃研 磨。另外，第1中繼部28、第2中繼部30以及第3中繼部32之噴射管282、噴射管302以及噴射管322，雖係為固定狀態，但是，係亦可並非設為固定式，而採用搖動式之構成。

玻璃基板100，係依序通過第1處理腔16、第2處理腔18、第3處理腔20、第4處理腔22、第1中繼部28、第2中繼部30、以及第3中繼部32，並依序被進行化學研磨。而後，結束了複數階段之化學研磨的玻璃基板100，係藉由被配置在第4處理腔22之出口處的氣刀244而進行上面之甩液處理，之後，藉由從被配置在水洗腔24中之一群的噴射管242所受到之洗淨水而被洗淨。洗淨用之噴射管242，雖係為固定狀態，但是係亦可採用使其作搖動之構成。

不論如何，在洗淨處理之最終段處，係被配置有上下一對之氣刀246，並藉由從該處所噴射出之空氣來使玻璃基板100之上下面迅速的乾燥。而後，從水洗腔24之導出口300所排出的玻璃基板，係藉由在搬出部26處待機之作業員而被取出，並結束一連串之加工處理。如此這般，藉由在上下一對之氣刀246的前段處另外配置氣刀244，由於係成為能夠從玻璃基板100之上面而將化學研磨液迅速地除去，因此，係成為能夠有效地防止玻璃基板100之上面被不均一性地蝕刻的情況。

如同上述一般，若依據本實施形態之化學研磨裝置10，則由於係在被閉塞之空間中而進行化學研磨，並且在 裝置內所產生的氟酸氣體等之有毒氣體係藉由洗氣器等之排氣機構而被略全部回收，因此，在化學研磨裝置10之周圍，氟酸氣體係幾乎不會擴散。其結果，相較於批次式化學研磨處理的情況，化學研磨裝置10周圍之作業環境係大幅度的改善。故而，係成為不會有作業員之健康惡化的擔憂，並且亦成為不需要在保護裝備上耗費成本。

進而，由於係能夠防止化學研磨裝置10之周圍的設備被氟酸氣體所侵蝕，因此亦能夠對於設備之維修費用作抑制。亦即是，可以說係有著能夠以低價之維修費用來對於作業員而提供良好之作業環境的極大之優點。又，在上述之單片方式的化學研磨裝置10中，係有著能夠將治具費用抑制為低並且也不會在玻璃基板上產生治具痕跡的優點。其結果，係成為能夠進行效率為佳之去角設計，而能夠將去角效率提升。

進而，在使用有單片方式之化學研磨裝置10的情況時，相較於批次方式之研磨處理，係有著成為能夠將作業效率和製品之品質提升的優點。進而，若依據化學研磨裝置10，則由於板厚精確度係提升，因此係能夠安定地預測切割時之良率。又，關於切斷面平面強度，相較於批次方式之研磨處理，亦成為能夠使其增強。進而，由於係不會有由於起泡所導致之氟酸損耗，因此能夠期待有15%程度之氟酸成本的削減。

上述之實施形態的說明，係在各點上均僅為例示，而不應將其視為限制性的說明。本發明之範圍，係並不被上 述之實施形態所限定，而是由申請專利範圍所界定。進而，在本發明之範圍中，係包含有與申請專利範圍均等之意義以及範圍內的所有之變更。

10‧‧‧化學研磨裝置

12‧‧‧搬入部

14‧‧‧前置處理腔

16‧‧‧第1處理腔

18‧‧‧第2處理腔

20‧‧‧第3處理腔

22‧‧‧第4處理腔

24‧‧‧水洗腔

26‧‧‧搬出部

28‧‧‧第1中繼部

30‧‧‧第2中繼部

32‧‧‧第3中繼部

〔圖1〕對於本發明之實施形態的單片式化學研磨裝置之外觀作展示的圖。

〔圖2〕對於單片式化學研磨裝置之概略構成作展示的圖。

〔圖3〕對於單片式化學研磨裝置之概略構成作展示的圖。

〔圖4〕對於第1處理腔之概略構成作展示的圖。

〔圖5〕對於處理液供給機構之概略構成作展示的圖。

〔圖6〕對於曲柄機構之概略構成作展示的圖。

〔圖7〕對於前置處理腔處之處理作說明之圖。

10‧‧‧化學研磨裝置

12‧‧‧搬入部

14‧‧‧前置處理腔

16‧‧‧第1處理腔

18‧‧‧第2處理腔

20‧‧‧第3處理腔

22‧‧‧第4處理腔

24‧‧‧水洗腔

26‧‧‧搬出部

28‧‧‧第1中繼部

30‧‧‧第2中繼部

32‧‧‧第3中繼部

36‧‧‧曲柄機構

38‧‧‧計器

50‧‧‧搬送滾輪

200‧‧‧導入口

300‧‧‧導出口

340‧‧‧排氣管線

Claims (3)

1. 一種化學研磨裝置，係構成為對於被連續性搬送而來之複數的玻璃基板而進行化學研磨處理，該化學研磨裝置，其特徵為，係至少具備有：搬送部，係具備以一面支持玻璃基板之底面一面朝向水平方向作搬送的方式而構成之複數的搬送滾輪；和研磨處理部，係構成為對於藉由前述搬送部所搬送之玻璃基板而噴射化學研磨液並將玻璃基板薄型化，前述研磨處理部，係具備有：以分別對於玻璃基板而噴射同一組成之化學研磨液的方式所構成之複數之處理腔、和以將各處理腔作連結的方式所構成之複數之連結部，前述複數之處理腔的各個，係具備有能夠在與玻璃基板之搬送方向相正交的方向而搖動之噴射噴嘴，前述複數之連結部，係具備有對於玻璃基板而噴射與前述處理腔同一組成之化學研磨液的研磨液噴射手段。
2. 一種化學研磨裝置，係構成為對於被連續性搬送而來之複數的玻璃基板而進行化學研磨處理，該化學研磨裝置，其特徵為，係至少具備有：搬送部，係具備以一面支持玻璃基板之底面一面朝向水平方向作搬送的方式而構成之複數的搬送滾輪；和研磨處理部，係構成為對於藉由前述搬送部所搬送之玻璃基板而噴射化學研磨液並將玻璃基板薄型化，前述研磨處理部，係具備有： 以分別對於玻璃基板而噴射同一組成之化學研磨液的方式所構成之複數之處理腔、和以將各處理腔作連結的方式所構成之複數之連結部，前述複數之處理腔的各個，係具備有能夠在與玻璃基板之搬送方向相正交的方向而搖動之噴射噴嘴，該化學研磨裝置，係更進而具備有被配置在前述研磨處理部之前段處的前置處理腔，前述前置處理腔，係具備有將被導入至前述研磨處理部處之玻璃基板一面從兩側來作包夾一面作支持之一對的滾輪、和在被前述一對之滾輪所包夾之前而對於前述玻璃基板噴射水之噴射部。
3. 如申請專利範圍第2項所記載之化學研磨裝置，其中，前述前置處理腔之噴射部，係具備有：構成為朝向正下方而噴射水之上側水洗噴嘴、以及構成為朝向上方且朝向玻璃基板之搬送路徑的上游側而傾斜地噴射水之下側水洗噴嘴。