TWI567037B - Method for manufacturing glass substrates - Google Patents
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Description
本發明係關於一種玻璃基板之製造方法。
平板顯示器用之玻璃基板通常係經由將加熱玻璃原料而得之熔融玻璃成形為玻璃基板之步驟而製造。玻璃基板之製造步驟例如包括:將玻璃原料熔解而獲得熔融玻璃之步驟;將熔融玻璃所內含之微小氣泡去除而澄清之步驟;攪拌熔融玻璃而使其均質化之步驟;及將熔融玻璃供給至成形裝置之步驟。於將玻璃原料熔解之步驟後之步驟中,為了防止由耐火磚所引起之玻璃基板之缺陷,並且調整熔融玻璃之溫度,而使用包含鉑或鉑合金製之管或槽之鉑或鉑合金製之容器。於玻璃基板之製造步驟中,於使用鉑或鉑合金製之容器之情形時,容器周圍之環境之水蒸氣分壓或氫分壓與容器內側之熔融玻璃中之水蒸氣分壓或氫分壓之關係成為問題。以下,將鉑或鉑合金製之容器簡稱為「鉑容器」。
平面顯示器用之玻璃基板要求較高之溫度穩定性與較低之缺陷級別。為了滿足此種要求,於玻璃原料之熔融時使用氧燃燒器之情況較多,熔融玻璃中之氫分壓容易上升。若熔融玻璃中之氫分壓上升,鉑容器內側之水蒸氣分壓變得高於鉑容器外側之環境之水蒸氣分壓,則熔融玻璃中之OH基離解為氧與氫。如此一來,僅氫透過鉑容器之壁朝鉑容器之外側移動,殘留於鉑容器之內側之氧於鉑容器之內壁面附近之熔融玻璃中形成氧氣泡,由此使熔融玻璃之氣泡品質惡化。
作為防止此種問題之技術,已知如下技術:使鉑容器外側之環境之水蒸氣分壓高於鉑容器內側之熔融玻璃中之水蒸氣分壓(例如專利文獻1)。又,已知如下技術:將澄清步驟分為使熔融玻璃中之氣泡浮起消泡而去除之第1步驟、及使熔融玻璃中之氣體成分吸收於熔融玻璃中之第2步驟,使第1步驟中之鉑容器周圍之環境之水蒸氣分壓低於第2步驟中之鉑容器周圍之環境之水蒸氣分壓(例如專利文獻2)。根據該技術,可一面實現製造設備之長壽命化及抑制電力消耗,一面有效地抑制玻璃中之氣泡。
[專利文獻1]日本專利特表2001-503008號公報
[專利文獻2]日本專利第5002731號公報
然而,若為了提高玻璃基板之氣泡品質而於玻璃基板之製造步驟中使鉑容器周圍之環境之水蒸氣分壓上升,則鉑容器之散熱量增加,用以將熔融玻璃加熱至所需之溫度之能量增加。
又,於調整設備周圍之水蒸氣分壓時,採用包圍設備周圍並對其中供給蒸氣之方法之情況較多,但為了較高地維持廣範圍之水蒸氣分壓而需要大量蒸氣,於節省能源方面欠佳。
進而,為了穩定生產,於第2步驟之製造裝置中,為了收集資料、檢查、維護,作業人員亦必須定期進入保持為較高之水蒸氣分壓之裝置周圍之空間中。裝置周圍之環境為高溫,進而,維持於較高之水蒸氣分壓之情況作為作業環境較為惡劣。就安全衛生之角度而言,於確實必要之場所以外,期望最起碼能略微降低水蒸氣分壓。
因此,本發明提供一種玻璃基板之製造方法,其與先前相比可
削減製造玻璃基板所需之能量,可改善作業環境,並且可防止玻璃基板之氣泡品質之惡化。
本發明之一態樣係一種玻璃基板之製造方法,其包括將已澄清之熔融玻璃於鉑或鉑合金製之容器內藉由攪拌器之旋轉加以攪拌而均質化之步驟。該態樣之製造方法於上述攪拌步驟中,將上述熔融玻璃之黏度設為500泊以上且2000泊以下,並且將上述容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為0.6kPa以上且6.0kPa以下。
上述態樣之玻璃基板之製造方法於上述攪拌步驟中,亦可將上述容器周圍之水蒸氣分壓設為每上述玻璃基板之β-OH值0.1/mm為1.2kPa以上。
又,上述態樣之玻璃基板之製造方法於上述攪拌步驟之前包括:熔解步驟,使玻璃原料熔解而製作熔融玻璃;第1脫泡步驟,於鉑或鉑合金製之容器內使上述熔融玻璃之溫度上升至上述玻璃原料中所含之澄清劑釋放氣體成分之第1溫度範圍內之最高溫度,使上述熔融玻璃中之氣泡浮起而去除;第2脫泡步驟,於鉑或鉑合金製之容器內使上述熔融玻璃之溫度降低為低於上述第1溫度範圍之最高溫度,使上述熔融玻璃中之氣泡浮起而去除,並且使氣體成分於上述熔融玻璃中吸收而使氣泡縮小;及吸收步驟,於上述第2脫泡步驟之後,藉由使上述熔融玻璃之溫度降低而使殘留於上述熔融玻璃中之氣泡中之氧於上述熔融玻璃中吸收而使氣泡直徑縮小,進而藉由使上述熔融玻璃之溫度降低而使上述氣泡之內壓降低,從而使上述氣泡消失;且於上述攪拌步驟之後具有:成形溫度調整步驟,使上述熔融玻璃之溫度降低至適合於成形之溫度。並且,使上述第1脫泡步驟、上述第2脫泡步驟、上述吸收步驟及上述成形溫度調整步驟中之上述容器周圍之環境之水蒸氣分壓低於上述攪拌步驟中之上述容器周圍之水蒸氣分壓。
又,上述態樣之玻璃基板之製造方法於上述吸收步驟中,亦可將上述容器周圍之水蒸氣分壓設為每上述玻璃基板之β-OH值0.1/mm為0.8kPa以上。
又,上述態樣之玻璃基板之製造方法於上述第2脫泡步驟中,亦可將上述容器周圍之水蒸氣分壓設為每上述玻璃基板之β-OH值0.1/mm為0.7kPa以上。
又,上述態樣之玻璃基板之製造方法於上述成形溫度調整步驟中,亦可將上述容器周圍之水蒸氣分壓設為每上述玻璃基板之β-OH值0.1/mm為0.6kPa以上。
又,上述態樣之玻璃基板之製造方法於上述攪拌步驟中,亦可將上述攪拌器之旋轉速度設為1rpm以上且15rpm以下。
根據本發明之玻璃基板之製造方法,與先前相比可削減製造玻璃基板所需之能量,可改善作業環境,並且可防止玻璃基板之氣泡品質之惡化。
100‧‧‧玻璃基板製造裝置
101‧‧‧熔解槽(鉑或鉑合金製之容器)
102‧‧‧澄清槽(鉑或鉑合金製之容器)
103‧‧‧攪拌槽(鉑或鉑合金製之容器)
104‧‧‧成形裝置
105a、105b、105c‧‧‧導管(鉑或鉑合金製之容器)
106‧‧‧加濕裝置
106a‧‧‧鍋爐
106b‧‧‧蒸氣管
201、202、203、204、205‧‧‧圍體
S1‧‧‧熔解步驟
S2‧‧‧第1脫泡步驟
S3‧‧‧第2脫泡步驟
S4‧‧‧吸收步驟
S5‧‧‧攪拌步驟
S6‧‧‧成形溫度調整步驟
S7‧‧‧成形步驟
X‧‧‧分界
圖1係本發明之實施形態之玻璃基板製造裝置之概略圖。
圖2係表示圖1之裝置之一部分之概略俯視圖。
圖3係本發明之實施形態之玻璃基板之製造方法之流程圖。
圖4係表示圖3所示之各步驟之熔融玻璃之溫度變化之圖。
以下,對本發明之實施形態之玻璃基板製造方法詳細地進行說明。
本實施形態中所製造之玻璃基板為平板顯示器用之玻璃基板。本實施形態之玻璃基板例如具有以下組成。以下所示之組成之含有率表示為質量%。
較佳為含有:SiO2:50~70%;Al2O3:0~25%;B2O3:0~15%;MgO:0~10%;CaO:0~20%;SrO:0~20%;BaO:0~15%;RO:5~30%(其中,R為選自Mg、Ca、Sr及Ba中之至少1種,且為玻璃基板所含有者);R'2O:0~0.5%(其中,R'為選自Li、Na及K中之至少1種,且為玻璃基板所含有者)之玻璃。
於應用本實施形態之玻璃基板之製造方法之情形時,玻璃組合物除上述各成分以外,以質量%表示還含有SnO2:0.01~1%(較佳為0.01~0.5%)、Fe2O3:0~0.2%(較佳為0.01~0.08%),亦可考慮環境負荷而以實質上不含As2O3、Sb2O3及PbO之方式製備玻璃原料。
圖1表示本實施形態之玻璃基板製造裝置100之一例。玻璃基板製造裝置100包括熔解槽101、澄清槽102、攪拌槽103、成形裝置104、導管105a、105b、105c、及加濕裝置106。
熔解槽101包含磚等耐火物,包括收容熔融玻璃之液槽、及作為液槽上方之空間之上部空間。於上部空間之壁面,設置有燃燒燃料及氧氣等氣體而產生火焰之燃燒器。於液槽設置有電加熱裝置。電加熱裝置包括設置於液槽之壁面之一對以上之電極,藉由對電極間施加電壓而對熔融玻璃進行通電,而使熔融玻璃產生焦耳熱,從而加熱熔融玻璃。
澄清槽102包括收容熔融玻璃之鉑或鉑合金製之管狀之容器,藉
由使容器本體中流通電流,而使容器之溫度上升,從而加熱容器中之熔融玻璃。再者,雖然於圖1中未明示,但澄清槽102亦可以能藉由改變流過之電流量而調整玻璃之加熱量之方式包括2個以上之部分。
攪拌槽103包括鉑或鉑合金製之收容熔融玻璃之容器、鉑或鉑合金製之旋轉軸、及安裝於旋轉軸之鉑或鉑合金製之複數個攪拌翼。將該旋轉軸與攪拌翼稱作攪拌器。攪拌槽103及攪拌器可分別設置1個,亦可分別設置複數個。
成形裝置104於上部具有槽,且具備垂直方向之剖面形狀為大致五邊形之耐火物製之成形體。成形裝置104包括:輥,其使溢出成形體並於成形體之底部之前端合流之熔融玻璃向下方延伸;及溫度調節裝置,其用以將玻璃調整為特定之溫度。再者,本實施形態中,將成形裝置104記載為下拉方式之成形裝置,但即便成形方法不同,亦可應用本發明。
導管105a、105b、105c係鉑或鉑合金製之管狀之容器,具備用以調節流過管中之熔融玻璃之溫度之溫度調節功能。作為溫度調節之方法,可與上述澄清槽102同樣地對容器進行通電,亦可藉由配置於容器周圍之加熱器間接地進行加熱,或者,亦可一併設置水冷、空冷式之冷卻管。
加濕裝置106包括使水蒸發而產生蒸氣之鍋爐106a、及供給蒸氣之蒸氣管106b。圖2表示本實施形態之玻璃基板製造裝置100之一部分之俯視圖。於澄清槽102之周圍設置有圍體201、202。於導管105b及攪拌槽103之周圍,同樣地設置有圍體203。於圍體203之內側,於攪拌槽103之周圍設置有圍體204。即,攪拌槽103由圍體204及圍體203雙層包圍。又,於導管105c之周圍亦設置有圍體205。蒸氣管106b以對各個圍體202至205之內側之環境供給蒸氣之方式具有分支管。蒸氣管106b於各個分支管具備有調節閥,以可調節對各個圍體202至205之
環境供給之蒸氣之流量之方式構成。
再者,圖2中,記載有以圍體包圍裝置之周圍並對其中供給蒸氣之構造,但亦可代替由圍體覆蓋裝置,而直接朝配置於鉑或鉑合金製之容器之周圍之支撐磚或保溫材中導入蒸氣。又,亦可於支撐磚或保溫材之間設置空間而朝其中供給蒸氣。又,關於圍體之材質,只要為耐環境溫度且可阻斷水蒸氣之流動之材質,則無特別限定。例如,可使用馬口鐵皮板、耐熱性隔簾等作為本實施形態之圍體。
又,本實施形態之玻璃基板製造裝置100於圖1中於T所示之位置設置有溫度計(熱電偶)。溫度計藉由配置於澄清槽102、攪拌槽103及導管105a、105b、105c之外表面附近或與該等之外表面接觸而測定該等容器之表面之溫度,基於該溫度求出容器內部之熔融玻璃之溫度。各溫度計間之熔融玻璃之溫度可藉由推測溫度梯度而求出。溫度計之設置位置不限定於圖1所示者,若將溫度計設置於更多之位置,則可測定熔融玻璃之更準確之溫度變化。再者,熔融玻璃之溫度亦可藉由熱電偶以外之感測器等進行測定。
繼而,對使用上述製造裝置之本實施形態之玻璃基板之製造方法進行說明。
圖3係本發明之實施形態之玻璃基板之製造方法之一例之流程圖。圖4係表示各步驟中之玻璃之溫度變化之圖表。
如圖3所示,玻璃之製造方法包括熔解步驟S1、第1脫泡步驟S2、第2脫泡步驟S3、吸收步驟S4、攪拌步驟S5、成形溫度調整步驟S6、及成形步驟S7。
熔解步驟S1係於熔解槽101中將玻璃原料熔解之步驟。投入至熔解槽101之玻璃原料於熔解槽101中被加熱至約1550℃以上之溫度而熔解,成為熔融玻璃並自熔解槽101流出。自熔解槽101流出之熔融玻璃以成為適合於澄清之溫度之方式於導管105a及澄清槽102之內部被進
一步加熱。
於第1脫泡步驟S2中,澄清劑於熔融玻璃中釋放氣體成分,該氣體成分侵入玻璃中之氣泡中,使氣泡變大而使浮起速度加快,藉此,使熔融玻璃中之氣泡浮起消泡。第1脫泡步驟S2主要於澄清槽102之前半部分進行。第1脫泡步驟S2中,如圖4所示,將熔融玻璃加熱至玻璃基板之製造步驟中之最高溫度T1。若熔融玻璃之溫度變高,則氣泡之氣泡直徑進一步擴大,同時,黏度降低,藉此,氣泡之浮起速度加快而促進氣泡之浮起消泡。
若使用澄清劑,則會助長玻璃原料中所含之氣體成分之藉由凝聚而生成氣泡及該氣泡朝熔融玻璃外之釋放作用,藉此,可促進熔融玻璃之澄清。例如,於本實施形態中,可將氧化錫用作澄清劑。氧化錫於高溫下藉由SnO2→SnO+1/2O2↑之反應釋放氧氣,該反應可於第1溫度範圍內有效率地進行。第1溫度範圍根據玻璃之種類而不同,例如可設為1600℃以上且1740℃以下。第1溫度範圍之下限例如可於1600℃以上且1650℃以下之範圍內適當選擇。又,第1溫度範圍之上限例如可於1650℃以上且1740℃以下之範圍內適當選擇。即,第1脫泡步驟S2係於使玻璃原料中所含之澄清劑釋放氣體成分之第1溫度範圍內使熔融玻璃中之氣泡浮起而去除之步驟。再者,圖4中,表示了緩慢提高熔融玻璃之溫度之溫度歷程,但亦可使熔融玻璃之溫度一下子上升至最高溫度T1,其後維持於最高溫度T1。
第2脫泡步驟S3係如下步驟:於使熔融玻璃中之氣泡浮起而去除之第1脫泡步驟S2之後,使熔融玻璃之溫度自最高溫度T1轉為下降,停止澄清劑之氣體成分之釋放,同時,由於玻璃溫度仍為高溫,因此使藉由氣泡之浮起之脫泡繼續進行。於第2脫泡步驟S3中,自澄清劑之氣體成分之釋放停止,澄清劑開始再吸收氣體,但同時,由於仍為足夠高之溫度,因此氣泡之浮起消泡繼續。即,第2脫泡步驟S3係使
熔融玻璃中之氣泡浮起而去除,並且使氣體成分吸收於熔融玻璃中而使氣泡縮小之步驟。第2脫泡步驟S3例如自熔融玻璃之溫度達到最高溫度T1後熔融玻璃之溫度轉為下降之點開始,進行至降低至氧化錫之氧釋放反應活躍化之第1溫度範圍之下限之溫度。第2脫泡步驟S3主要於澄清槽102之後半部分進行。
吸收步驟S4係如下步驟:使熔融玻璃之溫度急速地下降,促使澄清劑發生氧吸收反應,而將未完全浮起消泡而殘留之小氣泡中之氧吸收於熔融玻璃中,藉此使氣泡之直徑縮小。於吸收步驟S4中,使氣泡之直徑縮小後,藉由使熔融玻璃之溫度進一步降低而使氣泡之內壓降低,從而使直徑縮小之氣泡吸收消失於熔融玻璃中。於吸收步驟S4中,最終使玻璃溫度降低至適合於攪拌之溫度。即,吸收步驟S4係如下步驟:於第2脫泡步驟S3之後,藉由使熔融玻璃之溫度降低而使熔融玻璃中所殘留之氣泡中之氧吸收於熔融玻璃中而使氣泡直徑縮小,進而藉由使熔融玻璃之溫度降低而使氣泡之內壓降低,從而使氣泡消失。吸收步驟S4主要於導管105b中進行。
攪拌步驟S5係如下步驟:於吸收步驟S4之後,藉由於攪拌槽103中使用攪拌器攪拌熔融玻璃而使其均質化。為了提高攪拌效率,攪拌槽103內之熔融玻璃之黏度較理想為保持為500~2000泊之間。
成形溫度調整步驟S6係如下步驟:於攪拌步驟S5之後,將熔融玻璃供給至將玻璃成形為板狀之成形裝置104。於該步驟中,使熔融玻璃冷卻至適合於成形之溫度後,將其輸送至進行下一成形步驟S7之成形裝置104。
成形步驟S7係將熔融玻璃成形為板狀之玻璃之步驟。本實施形態中,熔融玻璃係藉由溢流下拉法被連續地成形為板狀。所成形之板狀之玻璃被切斷而成為玻璃基板。
於本實施形態中,將第1脫泡步驟S2與第2脫泡步驟S3之分界X設
為熔融玻璃之溫度達到最高溫度T1之後轉為下降之點。即,第1脫泡步驟S2係於熔融玻璃之溫度上升至氧化錫之氧釋放反應活躍化之第1溫度範圍之下限之溫度或其附近之溫度時開始,於到達最高溫度T1並維持於該溫度之期間進行。又,第2脫泡步驟S3係於熔融玻璃之溫度達到最高溫度T1之後轉為下降時開始,進行至熔融玻璃之溫度降低至適合於玻璃基板之成形之溫度時。
因此,於澄清槽102中,使加熱熔融玻璃或維持於最高溫度T1所需之電流值流通之部分相當於第1脫泡步驟S2,自以熔融玻璃之溫度開始下降之方式調節電流量之部分開始可分到第2脫泡步驟S3。如圖2所示,本實施形態中,進行第1脫泡步驟S2之澄清槽102之上游側之前半部分由圍體201包圍,可獨立地控制圍體201內側之環境。
又,第2脫泡步驟S3與吸收步驟S4之分界可設為熔融玻璃之溫度自最高溫度T1下降之後降低至上述第1溫度範圍之下限之溫度之點。即,第2脫泡步驟S3係自熔融玻璃之溫度達到最高溫度T1之後開始下降之點開始,進行至熔融玻璃之溫度降低至上述第1溫度範圍之下限之溫度。本實施形態中,玻璃基板製造裝置100中之第2脫泡步驟S3與吸收步驟S4之分界例如可設為澄清槽102與導管105b之連接處或其附近。如圖2所示,進行第2脫泡步驟S3之澄清槽102之下游側之後半部分由圍體202包圍。藉此,可藉由調整設置於蒸氣管106b之分支管之調節閥而獨立地控制配置於圍體202之內側之鉑或鉑合金製之容器之澄清槽102之後半部分周圍之環境。
吸收步驟S4與攪拌步驟S5之分界可設為熔融玻璃之溫度降低至適合於玻璃之攪拌之溫度之點。即,吸收步驟S4係於熔融玻璃之溫度降低至上述第1溫度範圍之下限之溫度後開始,進行至熔融玻璃之溫度降低至適合於玻璃之攪拌之溫度。本實施形態中,玻璃基板製造裝置100中之吸收步驟S4與攪拌步驟S5之分界可設為導管105b之與攪拌
槽103之連接處之附近。自進行吸收步驟S4之導管105b之與澄清槽102之連接處或其附近至導管105b之與攪拌槽103之連接處之附近,由圍體203包圍。藉此,可藉由調節設置於蒸氣管106b之分支管之調節閥而獨立地控制配置於圍體203之內側之鉑或鉑合金製之容器之導管105b周圍之環境。
攪拌步驟S5與成形溫度供給步驟S6之分界與設備之分界一致,而不與熔融玻璃之溫度一致。即,攪拌步驟S5與成形溫度調整步驟S6之分界可設為導管105c之與攪拌槽103之連接處之附近。如圖2所示,進行攪拌步驟S5之攪拌槽103及導管105b、105c之端部由圍體204包圍。因此,可藉由調節設置於蒸氣管106b之分支管之調節閥而獨立地控制進行攪拌步驟S5之圍體204之內側之鉑或鉑合金製之容器之攪拌槽103周圍之環境。再者,圍體204配置於圍體203之內側。藉此,可使圍體204內側之環境之水蒸氣分壓不易降低。
成形溫度調整步驟S6與成形步驟S7之分界可設為熔融玻璃之溫度降低至適合於成形之溫度之點,本實施形態中,可設為導管105c之與成形裝置104之連接處之前。自進行成形溫度調整步驟S7之導管105c之與攪拌槽103之連接處之附近至導管105c之與成形裝置104之連接處之前由圍體205包圍。因此,可藉由調節設置於蒸氣管106b之分支管之調節閥而獨立地控制進行成形溫度調整步驟S6之圍體205之內側之鉑或鉑合金製之容器之導管105c周圍之環境。
本實施形態中,於上述第2脫泡步驟S3至成形溫度調整步驟S7之各步驟中,進行鉑或鉑合金製之容器周圍之環境控制。環境控制係為了控制於熔融玻璃中尤其於熔融玻璃與鉑或鉑合金製之容器之界面附近之區域形成氣泡且該氣泡殘留於玻璃中而進行。所謂環境控制係指容器周圍之環境之水蒸氣分壓之控制。具體而言,藉由調節供給至容器周圍之環境之水蒸氣量而將各步驟之環境中水蒸氣壓維持於特定之
壓力。
所供給之水蒸氣之控制係藉由利用設置於蒸氣管106b之分支管之調節閥進行之流量之調節而進行。藉此,可抑制由鉑或鉑合金製之容器之內側之氫離子(H+)或氫(H2)朝外側移動所導致之自熔融玻璃中之氫氧化物離子(OH-)產生O2,可抑制於熔融玻璃中尤其於與容器之界面附近之區域形成氣泡。
第1脫泡步驟S2中,為了促進脫泡而使溫度上升,從而使氧自澄清劑釋放,因此,即便容器周圍之環境之水蒸氣分壓較低而於容器內部生成氧氣泡亦無妨。相反,若於第1脫泡步驟S2中容器周圍之環境中水蒸氣量較多,則水蒸氣會自容器吸取熱,從而用以將熔融玻璃加熱至適合於澄清之溫度之電力變得超出所要。
因此,本實施形態中,使第1脫泡步驟S2中之鉑或鉑合金製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓低於第2脫泡步驟S3、吸收步驟S4、攪拌步驟S5及成形溫度調整步驟S6之鉑或鉑合金製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓。具體而言,不對包圍進行第1脫泡步驟S2之澄清槽102之前半部分之圍體201之內側供給水蒸氣。因此,於第1脫泡步驟S2中,可抑制水蒸氣對容器之不良影響,水蒸氣自容器所吸走之熱減少,可有效地澄清熔融玻璃。因此,可一面實現製造設備之長壽命化及電力消耗之抑制,一面有效地抑制氣泡殘留於玻璃中。
於本實施形態中,進而,使第2脫泡步驟S3、吸收步驟S4及成形溫度調整步驟S6中之鉑或鉑合金製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓低於攪拌步驟S5中之鉑或鉑合金製之容器周圍之水蒸氣分壓。本實施形態中,實施測定藉由玻璃基板製造裝置100所製造之玻璃基板之β-OH值之步驟。
此處,所謂β-OH值係指利用IR(infrared,紅外線)分光分析法所測定之玻璃中之羥基含量之尺度。藉由測定該β-OH,可推測玻璃中
之水分量。測定β-OH之位置為任意,可為槽上部或底部之外周部、上部或底部之中心部等任意位置。β-OH之測定可以如下方式進行。
(1)於所獲得之玻璃測定2700~2900nm之吸收光譜。
(2)將上述範圍之透過率之最小值設為T1,將2500nm下之透過率設為T0。
此時,β-OH值係藉由下式算出。
β-OH=(1/d)‧(log10(T0/T1))
其中,d為試樣之厚度(mm)。
於攪拌步驟S5中,攪拌熔融玻璃,並對攪拌槽103之鉑或鉑合金製之容器之壁面不斷地供給新的玻璃。若壁面附近之玻璃不動,則玻璃中之OH基離解為氫與氧而產生氧,即便如此,由於玻璃中之OH基亦藉此減少,因此隨著時間經過,氧之產生亦受到抑制。然而,於攪拌槽103之情形時,由於不斷地對容器之壁面供給新的玻璃,因此玻璃中OH基之濃度未減小。換言之,藉由利用攪拌器攪拌容器內之熔融玻璃,而容器之壁面附近之外側之熔融玻璃與遠離容器之壁面之內側之熔融玻璃不斷地交替。另一方面,於攪拌步驟S5以外之步驟中,容器之壁面附近之熔融玻璃之流體係沿容器之壁面之層流。因此,於攪拌步驟S5以外之步驟中,容器之壁面附近之熔融玻璃與遠離容器之壁面之熔融玻璃之交替與攪拌步驟S5相比明顯較少。因此,於攪拌步驟S5中,與容器之壁面附近之熔融玻璃難以活動之其他步驟相比,必須較高地維持容器周圍之環境之水蒸氣分壓,更強地抑制OH基之離解反應。
另外,作為於攪拌步驟S5中必須較高地維持容器周圍之環境之水蒸氣分壓之理由,存在如下理由:於攪拌槽103中,攪拌器於容器內之熔融玻璃中旋轉。攪拌槽103之鉑或鉑合金製之容器內之熔融玻璃之黏度為500泊至2000泊左右,攪拌器之旋轉速度例如為1rpm至15
rpm。於此種條件下,於攪拌器旋轉時,於攪拌器之攪拌翼之內側之部分,與其他部分相比施加於熔融玻璃之壓力降低,溶入熔融玻璃中之氣體成分容易發氣泡。此處,於生成於攪拌槽103之容器之壁面之氧氣泡進入之情形時,玻璃中之N2或SO2之氣體成分容易進入其氧氣泡中。於氣泡中之氣體成分僅為氧之情形時,其後,隨著玻璃溫度下降,容易被再吸收於玻璃中。然而,若N2或SO2進入氣泡中,則該等氣體成分難以被玻璃再吸收,因此,氣泡未被再吸收而成為玻璃基板之缺陷之氣泡殘留。
即,攪拌步驟S5與其他步驟相比容易產生成為玻璃基板之缺陷之氣泡。因此,必須相對增加供給至圍體204之內側之水蒸氣之流量,從而相對較高地維持攪拌槽103周圍之水蒸氣分壓,使熔融玻璃中難以產生氧氣泡。
於攪拌步驟S5中,例如使於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之容器周圍之環境之水蒸氣分壓為1.2kPa以上。藉此,可防止產生成為玻璃基板之缺陷之氣泡。於攪拌步驟S5中,若於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之水蒸氣分壓小於1.2kPa,則無法充分地抑制氣泡缺陷。例如,於攪拌步驟S5中,於玻璃基板之β-OH值為0.40/mm之情形時,容器外側之環境之水蒸氣分壓只要為(0.4/0.1)×1.2kPa=4.8kPa以上即可。玻璃基板之β-OH值根據製造條件而不同,例如可取自0.05/mm至1/mm之範圍、或0.1/mm至0.6/mm之範圍。因此,於本實施形態中,於攪拌步驟S5中,可使容器周圍之環境之水蒸氣分壓為0.6kPa以上且12kPa以下、或1.2kPa以上且7.2kPa以下。
於第2脫泡步驟S3中,開始使氧吸收於熔融玻璃中之反應,因此,無需使鉑或鉑合金製之容器外側之水蒸氣分壓超出需要地下降,而促進熔融玻璃中之氧之產生。但是,即便於第2脫泡步驟S3中,藉由使容器外側之水蒸氣分壓低於攪拌步驟S5,而於熔融玻璃中產生氧
氣泡,亦由於熔融玻璃之溫度較高,因此氧朝熔融玻璃中之擴散速度較高,且熔融玻璃中之澄清劑亦充分地具有吸收氧之餘力。因此,於第2脫泡步驟S3中,無需使容器外側之水蒸氣分壓高至攪拌步驟S5之程度。
於第2脫泡步驟S3中,例如使於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之容器周圍之環境之水蒸氣分壓為0.7kPa以上。藉此,可防止產生成為玻璃基板之缺陷之氣泡。於第2脫泡步驟S3中,若於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之水蒸氣分壓小於0.7kPa,則無法充分地抑制氣泡缺陷。例如,於第2脫泡步驟S3中,於玻璃基板之β-OH值為0.40/mm之情形時,容器外側之環境之水蒸氣分壓只要為(0.4/0.1)×0.7kPa=2.8kPa以上即可。又,於玻璃基板之β-OH值取自上述範圍之情形時,第2脫泡步驟S3中之容器周圍之環境之水蒸氣分壓可設為0.35kPa以上且7kPa以下、或0.7kPa以上且4.2kPa以下。
於吸收步驟S4中,一面使熔融玻璃之溫度降低,一面藉由澄清劑之氧吸收反應而將氧吸收於熔融玻璃中。於該步驟中,熔融玻璃之溫度下降,澄清劑之氧吸收餘力亦變小,因此,必須使容器外側之環境之水蒸氣分壓等於或高於第2脫泡步驟3中之容器外側之環境之水蒸氣分壓,抑制水之分解反應所導致之氧產生。
於吸收步驟S4中,例如使於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之容器周圍之環境之水蒸氣分壓為0.8kPa以上。藉此,可防止產生成為玻璃基板之缺陷之氣泡。於吸收步驟S4中,若於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之水蒸氣分壓小於0.8kPa,則無法充分地抑制氣泡缺陷。例如,於吸收步驟S4中,於玻璃基板之β-OH值為0.40/mm之情形時,容器外側之環境之水蒸氣分壓只要為(0.4/0.1)×0.8kPa=3.2kPa以上即可。又,於玻璃基板之β-OH值取自上述範圍之情形時,吸收步驟S4中之容器周圍之環境之水蒸氣分壓可設為0.4kPa以上且8kPa以下、
或0.8kPa以上且4.8kPa以下。
於成形溫度調整步驟S6中,與攪拌步驟S5不同,熔融玻璃之流體成為層流。於該步驟中,與攪拌步驟S5相比,熔融玻璃之溫度進一步降低,熔融玻璃中之水之擴散速度進一步減慢。因此,於該步驟中,使容器外側之環境之水蒸氣分壓等於或高於吸收步驟S4之容器外側之環境之水蒸氣分壓。然而,於成形溫度調整步驟S6中,無需使容器外側之水蒸氣分壓高至攪拌步驟S5之程度。
於成形溫度調整步驟S6中,例如使於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之容器周圍之環境之水蒸氣分壓為0.6kPa以上。藉此,可防止產生成為玻璃基板之缺陷之氣泡。於成形溫度調整步驟S6中,若於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之水蒸氣分壓小於0.6kPa,則無法充分地抑制氣泡缺陷。例如,於成形溫度調整步驟S6中,於玻璃基板之β-OH值為0.40/mm之情形時,容器外側之環境之水蒸氣分壓只要為(0.4/0.1)×0.6kPa=2.4kPa以上即可。又,於玻璃基板之β-OH值取自上述範圍之情形時,成形溫度調整步驟S6中之容器周圍之環境之水蒸氣分壓可設為0.3kPa以上且6kPa以下、或0.6kPa以上且3.6kPa以下。
如以上所說明,於本實施形態中,著眼於與其他步驟相比氧氣泡更容易產生且所產生之氣泡更容易殘留於玻璃中之攪拌步驟S5,規定有攪拌步驟S5中容器周圍之環境之水蒸氣分壓之範圍。即,於對玻璃基板之氣泡缺陷影響最大之攪拌步驟S5中,基於玻璃基板之β-OH值規定用以有效地抑制氣泡缺陷有效之容器周圍之水蒸氣分壓之範圍。
因此,根據本實施形態之玻璃基板之製造方法,可較先前降低攪拌步驟S5中之容器周圍之環境之水蒸氣分壓,且可有效地抑制玻璃基板之氣泡缺陷。又,關於攪拌步驟S5以外之步驟,可較攪拌步驟S5
更降低容器周圍之環境之水蒸氣分壓。因此,可較先前削減製造玻璃基板所需之能量,且可改善作業環境。
又,於攪拌步驟S5中,將攪拌器之旋轉速度規定為1rpm至15rpm。藉此,可將適合於攪拌之黏度之熔融玻璃於特定之時間內充分地攪拌而均質化。進而,由於如上所述般規定容器周圍之環境之水蒸氣分壓,因此,只要攪拌器之旋轉速度為上述範圍內,則即便於攪拌器之攪拌翼之內側於熔融玻璃中產生負壓之情形時,亦可有效地抑制熔融玻璃中之氧氣泡之產生,可有效地防止玻璃基板之氣泡缺陷。
又,於第2脫泡步驟S3以後,並不單純地將鉑或鉑合金製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓保持為高於第1脫泡步驟S2,選擇性地使攪拌步驟S5中容器周圍之環境之水蒸氣分壓高於第2脫泡步驟S3以後之其他步驟。換言之,關於第2脫泡步驟S3以後之步驟中尤其容易生成氣泡之攪拌步驟S5以外之步驟,可使容器外側之環境之水蒸氣分壓相對較低。因此,於第2脫泡步驟S3以後,不僅可較先前減少水蒸氣之使用量,亦可減少水蒸氣自容器吸取之熱量。因此,根據本實施形態,可較先前削減製造玻璃基板所需之能量,且可防止玻璃基板之氣泡品質之惡化。此外,由於可使第2脫泡步驟S3以後之容器周圍之環境之濕度較先前降低,因此,可改善進行玻璃基板製造裝置100之維護之作業人員之作業環境。
以上,對本實施形態之玻璃基板之製造方法詳細地進行了說明,但本發明並不限定於上述實施形態,亦可於本發明之主旨之範圍內進行各種改良或變更。
例如,於上述實施形態中,以製造平板顯示器用玻璃基板之方法為例進行了說明,但本發明並不限定於此。本發明之玻璃基板製造方法亦可應用於製作強化玻璃用基板之情況。作為強化玻璃用基板之例,可列舉行動電話、數位相機、移動終端、太陽電池之覆蓋玻璃、
及觸控面板顯示器之覆蓋玻璃等,但不限定於該等。
又,上述實施形態中,實施有測定藉由玻璃基板製造裝置所製造之玻璃基板之β-OH值之步驟。然而,於預先清楚玻璃基板之β-OH值之情形時,可省略測定玻璃基板之β-OH值之步驟。
使用上述實施形態中所說明之玻璃基板製造裝置,藉由上述實施形態中所說明之玻璃基板之製造方法製造玻璃基板。
於第1脫泡步驟中,不對鉑製之容器周圍之環境供給水蒸氣。
測定藉由玻璃基板製造裝置所製造之玻璃基板之β-OH值,結果為0.36/mm。於第2脫泡步驟中,將於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為2.0kPa,將鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為7.2kPa。於吸收步驟中,將於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為2.4kPa,將鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為8.8kPa。於攪拌步驟中,將於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為2.5kPa,將鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為9.0kPa。於成形溫度調整步驟中,將於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為1.25kPa,將鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為4.5kPa。
即,鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓係攪拌步驟最高,吸收步驟低於攪拌步驟,第2脫泡步驟低於吸收步驟,成形溫度調整步驟最低。於此條件下所製造之玻璃基板中,測定直徑為100μm以上之氣泡之個數,結果為0.03個。再者,氣泡之直徑係測定作為最長之直徑之長徑與作為最短之直徑之短徑而取其等之平均值。
繼而,使第2脫泡步驟之鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓以如下方式變化而製造玻璃基板。
於第2脫泡步驟中,將於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為0.7kPa,將鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為2.5kPa。於吸收步驟中,將於每玻璃基板之β-QH值0.10/mm之鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為0.8kPa,將鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為2.9kPa。於攪拌步驟中,將於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為1.2kPa,將鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為4.3kPa。於成形溫度調整步驟中,將於每玻璃基板之β-OH值0.10/mm之鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為0.6kPa,將鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為2.2kPa。
即,鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓係攪拌步驟最高,吸收步驟低於攪拌步驟,第2脫泡步驟低於吸收步驟,成形溫度調整步驟最低。於此條件下所製造之玻璃基板中,測定直徑為100μm以上之氣泡之個數,結果為0.03個。
如上所述,於攪拌步驟中,將於每玻璃基板之β-OH值0.1/mm之鉑製之容器周圍之水蒸氣分壓設為1.2kPa以上,將攪拌步驟中之容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為4.3kPa,藉此不使氣泡品質惡化而可使第2脫泡步驟、吸收步驟及成形溫度調整步驟中之鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓較攪拌步驟中之該水蒸氣分壓降低。
另一方面,於上述各步驟之任一者中,使鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓較上述條件降低,結果氣泡之個數惡化。即,藉由於攪拌步驟、吸收步驟、第2脫泡步驟及成形溫度調整步驟中分別使鉑製之容器周圍之水蒸氣分壓於每玻璃基板之β-OH值0.1/mm而為1.2kPa以上、0.8kPa以上、0.7kPa以上及0.6kPa以上,不使氣泡品質惡化而可使第2脫泡步驟以後之攪拌步驟以外之步驟中之鉑製之容器周圍之環境之水蒸氣分壓較攪拌步驟中之鉑製之容器周圍之環境之水蒸
氣分壓降低。
本發明之方法可於藉由將熔融玻璃成形而製造玻璃基板時較佳地利用。
Claims (11)
- 一種玻璃基板之製造方法,其特徵在於包含:熔解步驟,使玻璃原料熔解而製造熔融玻璃;第1脫泡步驟,於鉑或鉑合金製之容器內,使上述熔融玻璃之溫度上升至上述玻璃原料中所含之澄清劑釋放氣體成分之第1溫度範圍內之最高溫度,使上述熔融玻璃中之氣泡浮起而去除;第2脫泡步驟,於鉑或鉑合金製之容器內,使上述熔融玻璃之溫度降低為低於上述第1溫度範圍之最高溫度,使上述熔融玻璃中之氣泡浮起而去除,並且使氣體成分於上述熔融玻璃中吸收而使氣泡縮小;吸收步驟,於上述第2脫泡步驟之後,藉由使上述熔融玻璃之溫度降低而使殘留於上述熔融玻璃中之氣泡中之氧於上述熔融玻璃中吸收而使氣泡直徑縮小,進而藉由使上述熔融玻璃之溫度降低而使上述氣泡之內壓降低,而使上述氣泡消失;攪拌步驟,其係將上述熔融玻璃於鉑或鉑合金製之容器內藉由攪拌器之旋轉加以攪拌而均質化者,且將上述熔融玻璃之黏度設為500泊以上且2000泊以下,並且將上述容器周圍之環境之水蒸氣分壓設為0.6kPa以上且12kPa以下;及成形溫度調整步驟,使上述熔融玻璃之溫度降低至適於成形之溫度;且使上述第1脫泡步驟、上述第2脫泡步驟、上述吸收步驟及上述成形溫度調整步驟中之上述容器周圍之環境之水蒸氣分壓低於上述攪拌步驟中之上述容器周圍之水蒸氣分壓。
- 如請求項1之玻璃基板之製造方法,其中於上述攪拌步驟中,將上述容器周圍之水蒸氣分壓設為每上述玻璃基板之β-OH值 0.1/mm為1.2kPa以上。
- 如請求項1之玻璃基板之製造方法,其中於上述吸收步驟中,將上述容器周圍之水蒸氣分壓設為每上述玻璃基板之β-OH值0.1/mm為0.8kPa以上。
- 如請求項2之玻璃基板之製造方法,其中於上述吸收步驟中,將上述容器周圍之水蒸氣分壓設為每上述玻璃基板之β-OH值0.1/mm為0.8kPa以上。
- 如請求項1至4中任一項之玻璃基板之製造方法,其中於上述第2脫泡步驟中,將上述容器周圍之水蒸氣分壓設為每上述玻璃基板之β-OH值0.1/mm為0.7kPa以上。
- 如請求項1至4中任一項之玻璃基板之製造方法,其中於上述成形溫度調整步驟中,將上述容器周圍之水蒸氣分壓設為每上述玻璃基板之β-OH值0.1/mm為0.6kPa以上。
- 如請求項5之玻璃基板之製造方法,其中於上述成形溫度調整步驟中,將上述容器周圍之水蒸氣分壓設為每上述玻璃基板之β-OH值0.1/mm為0.6kPa以上。
- 如請求項1至4中任一項之玻璃基板之製造方法,其中於上述攪拌步驟中,將上述攪拌器之旋轉速度設為1rpm以上且15rpm以下。
- 如請求項5之玻璃基板之製造方法,其中於上述攪拌步驟中,將上述攪拌器之旋轉速度設為1rpm以上且15rpm以下。
- 如請求項6之玻璃基板之製造方法,其中於上述攪拌步驟中,將上述攪拌器之旋轉速度設為1rpm以上且15rpm以下。
- 如請求項7之玻璃基板之製造方法,其中於上述攪拌步驟中,將上述攪拌器之旋轉速度設為1rpm以上且15rpm以下。
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