JPH052731A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPH052731A JPH052731A JP15461891A JP15461891A JPH052731A JP H052731 A JPH052731 A JP H052731A JP 15461891 A JP15461891 A JP 15461891A JP 15461891 A JP15461891 A JP 15461891A JP H052731 A JPH052731 A JP H052731A
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 しわの発生やカッピングが少なく、磁気ヘッ
ドに対する当たり特性に優れた垂直磁気記録媒体を提供
する。 【構成】 Ｃｏ−Ｃｒ合金膜を磁性層とする垂直磁気記
録媒体の非磁性支持体の線膨張係数を適正な値に設定す
る。すなわち、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の成膜前における５０
〜３００℃での線膨張係数ｋ1 を０mm／mm・℃以下とす
る。あるいは、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の成膜後における５０
〜３００℃での線膨張係数ｋ2 を０．３×１０-5mm／mm
・℃以下とする。
ドに対する当たり特性に優れた垂直磁気記録媒体を提供
する。 【構成】 Ｃｏ−Ｃｒ合金膜を磁性層とする垂直磁気記
録媒体の非磁性支持体の線膨張係数を適正な値に設定す
る。すなわち、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の成膜前における５０
〜３００℃での線膨張係数ｋ1 を０mm／mm・℃以下とす
る。あるいは、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の成膜後における５０
〜３００℃での線膨張係数ｋ2 を０．３×１０-5mm／mm
・℃以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣｏＣｒ系垂直磁化膜
を磁性層とする垂直磁気記録媒体に関するものであり、
特に非磁性支持体の改良に関するものである。
を磁性層とする垂直磁気記録媒体に関するものであり、
特に非磁性支持体の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の分野においては、年々高密度
化が要求され、また今後信号形態がアナログからディジ
タルの方向に進むのは確実であることから、高密度化は
さらに飛躍的な向上を要求される状況にある。これま
で、磁気記録の方式は、面内に磁化の容易軸を持った磁
気記録媒体を用いる，いわゆる面内磁気記録方式が主で
あったが、この方式では記録密度を上げれば上げるほど
磁気記録媒体の磁化方向が互いに反発し合うように並ぶ
ため、高密度化には自ずと限度があり、要求されるよう
な高密度化を図ることは困難である。
化が要求され、また今後信号形態がアナログからディジ
タルの方向に進むのは確実であることから、高密度化は
さらに飛躍的な向上を要求される状況にある。これま
で、磁気記録の方式は、面内に磁化の容易軸を持った磁
気記録媒体を用いる，いわゆる面内磁気記録方式が主で
あったが、この方式では記録密度を上げれば上げるほど
磁気記録媒体の磁化方向が互いに反発し合うように並ぶ
ため、高密度化には自ずと限度があり、要求されるよう
な高密度化を図ることは困難である。
【０００３】そこで近年、磁気記録の新しい方式とし
て、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有する磁気記
録媒体を用いる垂直磁気記録方式が開発され、その実用
化に期待が持たれている。垂直磁気記録方式では、面内
磁気記録方式に比べて減磁作用が極めて少なく、記録密
度を飛躍的に増大することが可能となる。
て、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有する磁気記
録媒体を用いる垂直磁気記録方式が開発され、その実用
化に期待が持たれている。垂直磁気記録方式では、面内
磁気記録方式に比べて減磁作用が極めて少なく、記録密
度を飛躍的に増大することが可能となる。
【０００４】ところで、この垂直磁気記録方式に用いら
れる磁気記録媒体の磁性層は、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜が主
で、スパッタ法や真空蒸着法等によって成膜される。こ
こで、スパッタ法あるいは真空蒸着法の何れの方法でＣ
ｏ−Ｃｒ合金膜を成膜する場合にも、ある程度の抗磁力
Ｈｃ（例えば７００エルステッド＝５６ｋＡ／ｍ以上）
を確保するためには、成膜時の基板温度を約１８０℃以
上にする必要がある。
れる磁気記録媒体の磁性層は、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜が主
で、スパッタ法や真空蒸着法等によって成膜される。こ
こで、スパッタ法あるいは真空蒸着法の何れの方法でＣ
ｏ−Ｃｒ合金膜を成膜する場合にも、ある程度の抗磁力
Ｈｃ（例えば７００エルステッド＝５６ｋＡ／ｍ以上）
を確保するためには、成膜時の基板温度を約１８０℃以
上にする必要がある。
【０００５】しかしながら、特に厚さ１０μｍ以下のフ
ィルム基板上に膜形成を行う場合、基板を加熱すると次
のような不都合が生ずる。先ず、フィルム基板を加熱す
るキャンロールが高温であり、供給されるフィルム基板
の温度（室温）との温度差（ΔＴ）が大きいために、フ
ィルム基板の熱膨張係数（ｋ）が小さくとも熱膨張（Δ
Ｌ＝ｋ×ΔＴ）は大きくなり、膜形成時のスパッタ，真
空蒸着等による熱輻射も加わって、しわが発生する。
ィルム基板上に膜形成を行う場合、基板を加熱すると次
のような不都合が生ずる。先ず、フィルム基板を加熱す
るキャンロールが高温であり、供給されるフィルム基板
の温度（室温）との温度差（ΔＴ）が大きいために、フ
ィルム基板の熱膨張係数（ｋ）が小さくとも熱膨張（Δ
Ｌ＝ｋ×ΔＴ）は大きくなり、膜形成時のスパッタ，真
空蒸着等による熱輻射も加わって、しわが発生する。
【０００６】また、室温に戻ったとき、フィルム基板の
収縮量が金属磁性薄膜のそれを上回り、金属磁性薄膜を
外側にしたカッピング（テープ幅方向の湾曲）が大きく
なる傾向にある。
収縮量が金属磁性薄膜のそれを上回り、金属磁性薄膜を
外側にしたカッピング（テープ幅方向の湾曲）が大きく
なる傾向にある。
【０００７】これらの不都合を防ぐために、フィルム基
板がキャンロールに導入される直前にエキスパンダーロ
ールにより予め機械的に引っ張っておき、熱的な膨張と
相殺させる方法が考えられている。しかしながら、エキ
スパンダーロールに用いられる材料は合成ゴムであり、
２００℃程度まで耐熱性を有するものは少なく、また耐
熱性はあっても真空，高温条件下に曝されると不純物ガ
スが発生する虞れがある。したがって、耐久性が著しく
悪くなる等の問題が表面化し、エキスパンダーロールは
使わないのが望ましい。
板がキャンロールに導入される直前にエキスパンダーロ
ールにより予め機械的に引っ張っておき、熱的な膨張と
相殺させる方法が考えられている。しかしながら、エキ
スパンダーロールに用いられる材料は合成ゴムであり、
２００℃程度まで耐熱性を有するものは少なく、また耐
熱性はあっても真空，高温条件下に曝されると不純物ガ
スが発生する虞れがある。したがって、耐久性が著しく
悪くなる等の問題が表面化し、エキスパンダーロールは
使わないのが望ましい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、Ｃｏ−
Ｃｒ合金膜を磁性層とする垂直磁気記録媒体において
は、フィルム基板を加熱せざるを得ないがために、しわ
の発生やカッピングが問題となり、エキスパンダーロー
ル等を用いることなくこれらの問題を解消することが望
まれる。
Ｃｒ合金膜を磁性層とする垂直磁気記録媒体において
は、フィルム基板を加熱せざるを得ないがために、しわ
の発生やカッピングが問題となり、エキスパンダーロー
ル等を用いることなくこれらの問題を解消することが望
まれる。
【０００９】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであって、しわやカッピングの発生の
少ない垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
さらに本発明は、製造の際にエキスパンダーロール等を
用いる必要のない垂直磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
て提案されたものであって、しわやカッピングの発生の
少ない垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
さらに本発明は、製造の際にエキスパンダーロール等を
用いる必要のない垂直磁気記録媒体を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、用いる非磁
性支持体の熱膨張係数の値がしわやカッピングの発生に
大きく影響を与えるとの知見を得るに至った。本発明
は、前記知見に基づいて完成されたものであって、非磁
性支持体上にＣｏ及びＣｒを主体とする金属磁性薄膜が
磁性層として形成されてなり、前記非磁性支持体の金属
磁性薄膜成膜前における５０〜３００℃までの線膨張係
数ｋ1 が０mm／mm・℃以下であることを特徴とするもの
であり、あるいは前記非磁性支持体の金属磁性薄膜成膜
後における５０〜３００℃までの線膨張係数ｋ2 が０．
３×１０-5mm／mm・℃以下であることを特徴とするもの
である。
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、用いる非磁
性支持体の熱膨張係数の値がしわやカッピングの発生に
大きく影響を与えるとの知見を得るに至った。本発明
は、前記知見に基づいて完成されたものであって、非磁
性支持体上にＣｏ及びＣｒを主体とする金属磁性薄膜が
磁性層として形成されてなり、前記非磁性支持体の金属
磁性薄膜成膜前における５０〜３００℃までの線膨張係
数ｋ1 が０mm／mm・℃以下であることを特徴とするもの
であり、あるいは前記非磁性支持体の金属磁性薄膜成膜
後における５０〜３００℃までの線膨張係数ｋ2 が０．
３×１０-5mm／mm・℃以下であることを特徴とするもの
である。
【００１１】すなわち、本発明においては、Ｃｏ−Ｃｒ
垂直磁気記録媒体において、用いる非磁性支持体の線膨
張係数を特定の範囲に設定することで、しわの発生を抑
制しようとするものである。ここで問題となるのは、成
膜する際のフィルムの送り方向（以下、ＭＤ方向と証す
る。）と直交する幅方向（以下、ＴＤ方向と称する。）
の線膨張係数であり、金属磁性薄膜成膜前の非磁性支持
体においては、５０〜３００℃までの線膨張係数ｋ1 を
０mm／mm・℃以下とする必要がある。また、金属磁性薄
膜成膜後の非磁性支持体においては、５０〜３００℃ま
での線膨張係数ｋ2 を０．３×１０-5mm／mm・℃以下と
する必要がある。
垂直磁気記録媒体において、用いる非磁性支持体の線膨
張係数を特定の範囲に設定することで、しわの発生を抑
制しようとするものである。ここで問題となるのは、成
膜する際のフィルムの送り方向（以下、ＭＤ方向と証す
る。）と直交する幅方向（以下、ＴＤ方向と称する。）
の線膨張係数であり、金属磁性薄膜成膜前の非磁性支持
体においては、５０〜３００℃までの線膨張係数ｋ1 を
０mm／mm・℃以下とする必要がある。また、金属磁性薄
膜成膜後の非磁性支持体においては、５０〜３００℃ま
での線膨張係数ｋ2 を０．３×１０-5mm／mm・℃以下と
する必要がある。
【００１２】線膨張係数ｋ1 あるいは線膨張係数ｋ2 が
前記範囲を越えてプラスの値となると、高温のキャンロ
ールに接したときに非磁性支持体がＴＤ方向に伸びよう
とし、結果としてしわが発生する。このように非磁性支
持体の線膨張係数ｋ1 あるいは線膨張係数ｋ2 を規定す
る必要があるのは、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜を磁性層とする垂
直磁気記録媒体において、磁気特性（特に抗磁力Ｈｃ）
を確保するために成膜時に非磁性支持体を加熱するため
であり、キャンロールを−２０℃前後に冷却して蒸着を
行うＣｏ−Ｎｉ合金膜やＣｏ−Ｏ膜を磁性層とする磁気
記録媒体においては、あまり問題とならない事項であ
る。
前記範囲を越えてプラスの値となると、高温のキャンロ
ールに接したときに非磁性支持体がＴＤ方向に伸びよう
とし、結果としてしわが発生する。このように非磁性支
持体の線膨張係数ｋ1 あるいは線膨張係数ｋ2 を規定す
る必要があるのは、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜を磁性層とする垂
直磁気記録媒体において、磁気特性（特に抗磁力Ｈｃ）
を確保するために成膜時に非磁性支持体を加熱するため
であり、キャンロールを−２０℃前後に冷却して蒸着を
行うＣｏ−Ｎｉ合金膜やＣｏ−Ｏ膜を磁性層とする磁気
記録媒体においては、あまり問題とならない事項であ
る。
【００１３】非磁性支持体の線膨張係数ｋ1 あるいは線
膨張係数ｋ2 を前記範囲内に設定するためには、例えば
ベースフィルム作製時、乾燥工程をＴＤ方向にエキスパ
ンダーロールで引っ張りながら行えばよい。これによっ
て、引っ張り応力が残ったベースフィルムが得られる。
このようにして作製したベースフィルムに温度を加えた
場合、材料自身の熱膨張に加えて引っ張り応力の緩和に
よる収縮が起こり、緩和分が材料の熱膨張を上回ったと
きに見かけ上線膨張係数ｋ1 ≦０となる。
膨張係数ｋ2 を前記範囲内に設定するためには、例えば
ベースフィルム作製時、乾燥工程をＴＤ方向にエキスパ
ンダーロールで引っ張りながら行えばよい。これによっ
て、引っ張り応力が残ったベースフィルムが得られる。
このようにして作製したベースフィルムに温度を加えた
場合、材料自身の熱膨張に加えて引っ張り応力の緩和に
よる収縮が起こり、緩和分が材料の熱膨張を上回ったと
きに見かけ上線膨張係数ｋ1 ≦０となる。
【００１４】したがって、前記乾燥工程における乾燥温
度や引っ張り応力を調整することによって、前記線膨張
係数ｋ1 あるいは線膨張係数ｋ2をコントロールするこ
とができる。
度や引っ張り応力を調整することによって、前記線膨張
係数ｋ1 あるいは線膨張係数ｋ2をコントロールするこ
とができる。
【００１５】また、本発明は、非磁性支持体の膜厚が１
０μｍ以下であるときに効果が大きい。非磁性支持体の
膜厚が１０μｍを越える場合、例えば２０μｍ以上の場
合には、一般に線膨張係数ｋ1 は小さく、またｋ1 ≧０
でもしわが入り難い。なお、磁性層であるＣｏ−Ｃｒ合
金膜の組成は、従来より垂直磁気記録媒体に用いられて
いる組成であれば如何なるものであってもよく、特に制
約があるわけではない。また、その成膜方法も、スパッ
タ法、真空蒸着法のいずれであってもよい。
０μｍ以下であるときに効果が大きい。非磁性支持体の
膜厚が１０μｍを越える場合、例えば２０μｍ以上の場
合には、一般に線膨張係数ｋ1 は小さく、またｋ1 ≧０
でもしわが入り難い。なお、磁性層であるＣｏ−Ｃｒ合
金膜の組成は、従来より垂直磁気記録媒体に用いられて
いる組成であれば如何なるものであってもよく、特に制
約があるわけではない。また、その成膜方法も、スパッ
タ法、真空蒸着法のいずれであってもよい。
【００１６】
【作用】非磁性支持体の金属磁性薄膜成膜前における５
０〜３００℃までの線膨張係数ｋ1 が０mm／mm・℃以下
であるとき、あるいは非磁性支持体の金属磁性薄膜成膜
後における５０〜３００℃までの線膨張係数ｋ2 が０．
３×１０-5mm／mm・℃以下であるとき、しわの発生が抑
制される。これは、熱履歴を受ける前の線膨張係数ｋ1
を用いて次のように説明することができる。
０〜３００℃までの線膨張係数ｋ1 が０mm／mm・℃以下
であるとき、あるいは非磁性支持体の金属磁性薄膜成膜
後における５０〜３００℃までの線膨張係数ｋ2 が０．
３×１０-5mm／mm・℃以下であるとき、しわの発生が抑
制される。これは、熱履歴を受ける前の線膨張係数ｋ1
を用いて次のように説明することができる。
【００１７】ＭＤ方向にテンションが加えられた薄いベ
ースフィルムが高温のキャンロールに導入される場合、
線膨張係数ｋ1 が０より大きいときにはベースフィルム
はＴＤ方向に伸びようとする。このとき、前記テンショ
ンによりＴＤ方向に伸びようとする自由がきかず、伸び
分のしわ寄せによりしわが発生する。線膨張係数ｋ1 が
大きいときには、伸び分も大きくなり、しわの数も増え
る。
ースフィルムが高温のキャンロールに導入される場合、
線膨張係数ｋ1 が０より大きいときにはベースフィルム
はＴＤ方向に伸びようとする。このとき、前記テンショ
ンによりＴＤ方向に伸びようとする自由がきかず、伸び
分のしわ寄せによりしわが発生する。線膨張係数ｋ1 が
大きいときには、伸び分も大きくなり、しわの数も増え
る。
【００１８】これに対して、線膨張係数ｋ1 が０以下の
ときには、高温のキャンロールと接したときにはＴＤ方
向に縮もうとし、しわが発生することはない。
ときには、高温のキャンロールと接したときにはＴＤ方
向に縮もうとし、しわが発生することはない。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面や実験結果を参照しながら詳細に説明する。
いて、図面や実験結果を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】先ず、本実施例においては、図１に示すよ
うな連続スパッタ装置を用いてＣｏ−Ｃｒ垂直磁気記録
媒体を作製した。このスパッタ装置は、真空チャンバ１
内の略中央部にキャンロール２を配置するとともに、こ
のキャンロール２よりも上方位置に巻出しロール３及び
巻き取りロール４を配置してなるものである。
うな連続スパッタ装置を用いてＣｏ−Ｃｒ垂直磁気記録
媒体を作製した。このスパッタ装置は、真空チャンバ１
内の略中央部にキャンロール２を配置するとともに、こ
のキャンロール２よりも上方位置に巻出しロール３及び
巻き取りロール４を配置してなるものである。
【００２１】したがって、ベースフィルムＢは、巻出し
ロール３からキャンロール２へと送り出され、キャンロ
ール２に沿って走行することによってＣｏ−Ｃｒ合金膜
が成膜された後、巻き取りロール４に巻き取られる。
ロール３からキャンロール２へと送り出され、キャンロ
ール２に沿って走行することによってＣｏ−Ｃｒ合金膜
が成膜された後、巻き取りロール４に巻き取られる。
【００２２】一方、キャンロール２の下方位置には、Ｃ
ｏ−Ｃｒ合金からなるターゲット５が対向配置されると
ともに、キャンロール２近傍には、このターゲット５か
ら飛来する粒子の入射角度を規制するための一対のマス
ク６，７や熱電対８が設置されている。したがって、Ｃ
ｏ−Ｃｒ合金膜は、ベースフィルムＢに対してほぼ垂直
方向から成膜されることになる。
ｏ−Ｃｒ合金からなるターゲット５が対向配置されると
ともに、キャンロール２近傍には、このターゲット５か
ら飛来する粒子の入射角度を規制するための一対のマス
ク６，７や熱電対８が設置されている。したがって、Ｃ
ｏ−Ｃｒ合金膜は、ベースフィルムＢに対してほぼ垂直
方向から成膜されることになる。
【００２３】ベースフィルムＢには、３００℃以上の耐
熱性を有するポリイミドフィルムを用い、幅は５インチ
（１２７mm）、厚さは９μとした。スパッタリング条件
は次の通りである。先ず、ベースフィルムＢのガス出し
温度は１５０℃、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜成膜時のキャンロー
ル２の温度は２３０℃とした。また、背圧Ｐb ＝３×１
０-6Torr（＝４×１０-4Ｐａ）、アルゴン圧ＰAr＝１ｍ
Torr（＝０．１３Ｐａ）である。
熱性を有するポリイミドフィルムを用い、幅は５インチ
（１２７mm）、厚さは９μとした。スパッタリング条件
は次の通りである。先ず、ベースフィルムＢのガス出し
温度は１５０℃、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜成膜時のキャンロー
ル２の温度は２３０℃とした。また、背圧Ｐb ＝３×１
０-6Torr（＝４×１０-4Ｐａ）、アルゴン圧ＰAr＝１ｍ
Torr（＝０．１３Ｐａ）である。
【００２４】ターゲット５の大きさは、２５０mm×１５
０mm、投入パワーは２ｋＷ（６００Ｖ×３．３Ａ）と
し、ＤＣマグネトロン型スパッタリングを行った。ベー
スフィルムＢ−ターゲット５間距離は７０mm、膜形成速
度は２０００Å／分である。ベースフィルムＢの送り速
度は１５cm／分で、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜は２０００Åの膜
厚となるように成膜した。
０mm、投入パワーは２ｋＷ（６００Ｖ×３．３Ａ）と
し、ＤＣマグネトロン型スパッタリングを行った。ベー
スフィルムＢ−ターゲット５間距離は７０mm、膜形成速
度は２０００Å／分である。ベースフィルムＢの送り速
度は１５cm／分で、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜は２０００Åの膜
厚となるように成膜した。
【００２５】線膨張係数ｋ1 の異なるポリイミドフィル
ムを用いてＣｏ−Ｃｒ合金膜を成膜し、各種サンプル１
〜４を作製したが、各サンプル１〜４においてベースフ
ィルムＢとして使用したポリイミドフィルムの５０〜３
００℃までのＴＤ方向の線膨張係数ｋ1 、膜形成後のポ
リイミドフィルムの線膨張係数ｋ2 及び作製したサンプ
ル１〜４におけるしわの発生本数を表１に示す。
ムを用いてＣｏ−Ｃｒ合金膜を成膜し、各種サンプル１
〜４を作製したが、各サンプル１〜４においてベースフ
ィルムＢとして使用したポリイミドフィルムの５０〜３
００℃までのＴＤ方向の線膨張係数ｋ1 、膜形成後のポ
リイミドフィルムの線膨張係数ｋ2 及び作製したサンプ
ル１〜４におけるしわの発生本数を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】なお、ポリイミドフィルムの５０〜３００
℃までのＴＤ方向の線膨張係数はＴＭＡを用い次のよう
な方法により測定した。先ず線膨張係数ｋ1であるが、
ポリイミドフィルムを５mm（ＭＤ方向）×３０mm（ＴＤ
方向）に切り出し、ＴＭＡ用の治具に１０mm間隔で支持
するように取り付ける。この治具にごく弱いテンション
（１ｇ重程度）を加え、約５〜１０℃／分程度の昇温速
度で温度を上げる。このとき、ポリイミドフィルムの近
傍に熱電対を取付けておき、５０〜３００℃で温度をモ
ニターしながらポリイミドフィルムの伸び縮みを測定す
る。温度変化をΔＴ、伸び縮み量をΔＬとすれば、線膨
張係数ｋ1 はｋ1 ＝ΔＬ／Ｌ・ΔＴ（ただし、Ｌ＝１０
mm）で表される。膜形成後のポリイミドフィルムの線膨
張係数ｋ2についても、例えばバックコート層や磁性層
を取り除いてベースフィルムだけの状態にし、線膨張係
数ｋ1 と同じ方法で測定することができる。
℃までのＴＤ方向の線膨張係数はＴＭＡを用い次のよう
な方法により測定した。先ず線膨張係数ｋ1であるが、
ポリイミドフィルムを５mm（ＭＤ方向）×３０mm（ＴＤ
方向）に切り出し、ＴＭＡ用の治具に１０mm間隔で支持
するように取り付ける。この治具にごく弱いテンション
（１ｇ重程度）を加え、約５〜１０℃／分程度の昇温速
度で温度を上げる。このとき、ポリイミドフィルムの近
傍に熱電対を取付けておき、５０〜３００℃で温度をモ
ニターしながらポリイミドフィルムの伸び縮みを測定す
る。温度変化をΔＴ、伸び縮み量をΔＬとすれば、線膨
張係数ｋ1 はｋ1 ＝ΔＬ／Ｌ・ΔＴ（ただし、Ｌ＝１０
mm）で表される。膜形成後のポリイミドフィルムの線膨
張係数ｋ2についても、例えばバックコート層や磁性層
を取り除いてベースフィルムだけの状態にし、線膨張係
数ｋ1 と同じ方法で測定することができる。
【００２８】表１からも明らかなように、ポリイミドフ
ィルムの線膨張係数ｋ1 が０mm／mm・℃以下（線膨張係
数ｋ2 が０．３mm／mm・℃以下）の場合にはしわは発生
していない。これに対し、線膨張係数ｋ1 が０mm／mm・
℃を越え、線膨張係数ｋ2 が０．３mm／mm・℃を越える
と、得られる磁気記録媒体にしわが発生し、プラスの数
値が大きいほどしわの数が増えている。
ィルムの線膨張係数ｋ1 が０mm／mm・℃以下（線膨張係
数ｋ2 が０．３mm／mm・℃以下）の場合にはしわは発生
していない。これに対し、線膨張係数ｋ1 が０mm／mm・
℃を越え、線膨張係数ｋ2 が０．３mm／mm・℃を越える
と、得られる磁気記録媒体にしわが発生し、プラスの数
値が大きいほどしわの数が増えている。
【００２９】以上、本発明の具体的な実施例について説
明したが、本発明がこの実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能
であることは言うまでもない。例えば、先の実施例にお
いてベースフィルムとしてポリイミドフィルムを用いた
が、ある程度耐熱性を有するフィルムであれば如何なる
ものであってもよい。また、スパッタ条件も任意であ
り、あるいはスパッタ法の代わりに真空蒸着法を採用し
てもよい。
明したが、本発明がこの実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能
であることは言うまでもない。例えば、先の実施例にお
いてベースフィルムとしてポリイミドフィルムを用いた
が、ある程度耐熱性を有するフィルムであれば如何なる
ものであってもよい。また、スパッタ条件も任意であ
り、あるいはスパッタ法の代わりに真空蒸着法を採用し
てもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁気記録媒体の非磁性支
持体の線膨張係数を特定の範囲に設定しているので、エ
キスパンダーロール等を用いなくともしわやカッピング
の発生を抑えることができ、磁気ヘッドに対する当たり
特性等に優れた垂直磁気記録媒体を提供することが可能
である。
明においては、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁気記録媒体の非磁性支
持体の線膨張係数を特定の範囲に設定しているので、エ
キスパンダーロール等を用いなくともしわやカッピング
の発生を抑えることができ、磁気ヘッドに対する当たり
特性等に優れた垂直磁気記録媒体を提供することが可能
である。
【図１】連続スパッタリング装置の構成例を示す模式図
である。
である。
１・・・真空チャンバ
２・・・キャンロール
５・・・ターゲット
Ｂ・・・ベースフィルム
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性支持体上にＣｏ及びＣｒを主体と
する金属磁性薄膜が磁性層として形成されてなり、前記
非磁性支持体の金属磁性薄膜成膜前における５０〜３０
０℃までの線膨張係数ｋ1 が０mm／mm・℃以下であるこ
とを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性支持体上にＣｏ及びＣｒを主体と
する金属磁性薄膜が磁性層として形成されてなり、前記
非磁性支持体の金属磁性薄膜成膜後における５０〜３０
０℃までの線膨張係数ｋ2 が０．３×１０-5mm／mm・℃
以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15461891A JPH052731A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15461891A JPH052731A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH052731A true JPH052731A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15588118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15461891A Withdrawn JPH052731A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH052731A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140096031A (ko) | 2012-11-29 | 2014-08-04 | 아반스트레이트 가부시키가이샤 | 글래스 기판의 제조 방법 |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP15461891A patent/JPH052731A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140096031A (ko) | 2012-11-29 | 2014-08-04 | 아반스트레이트 가부시키가이샤 | 글래스 기판의 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |