TWI566680B - 近場雜訊抑制片 - Google Patents

Description

近場雜訊抑制片

本發明係有關一種近場雜訊抑制片，其適用於行動電話、智慧型手機等行動通訊終端或電腦等電子機器。

近幾年，行動通訊終端及電子機器等除了要求多功能化及高性能化，也要求小型化及輕量化，在狹小空間內以高密度配置電子零件的同時，也謀求高速化。因此，電路及零件間的電磁波雜訊，特別是高頻率雜訊成為大問題。為了抑制該種近場電磁波雜訊，提出了各種雜訊抑制片並加以實用化。

此種雜訊抑制片大多數含有磁性材及/或導電材。例如，日本特開2010-153542號揭示一種電磁波雜訊抑制片，其具有：基材；由含有Cu等金屬或碳粒子、鱗片或細線之導電性塗布材所構成的導電層；及由含有肥粒體、鋁矽鐵粉、高導磁合金等軟磁性材料之磁性塗布材所構成之磁性層。又，日本特開2006-278433號揭示一種複合電磁波雜訊抑制片，其係將由含有例如Fe_ba1-Cu₁-Si_12.5-Nb₃-Cr₁-B₁₂(原子%)組成之非晶層(amorphous flake)的軟磁性體粉末及樹脂所構成且經壓延加工之2片以上片體積層，並透過壓延加工予以一體化。然而，日本特開2010-153542號及日本特開2006-278433號揭示之任一種雜訊抑制片皆不具有充分的近場雜訊吸收能力，且由於將磁性材及/或導電材混入於樹脂中並成形成片體，所以有難以薄片化且製造成本高昂的問題。

日本特開2006-279912號揭示一種AlO、CoAlO、CoSiO等的濺鍍薄膜作為近場電磁波雜訊抑制薄膜，該近場電磁波雜訊抑制薄膜之表面電阻控制在與空間特性電阻Z(377Ω)整合之10~1000Ω/□，俾將其相對於準微波頻寬發生的電磁波雜訊之反射係數(S₁₁)設為-10dB以下，或將雜訊抑制效果(△P_loss/P_in)設為0.5以上。然而，該近場電磁波雜訊抑制薄膜的電磁波吸收能力不充分。

日本特開2008-53383號揭示一種電波吸收-屏蔽薄膜，其係由在面方向及厚度方向具相異熱傳導率之石墨膜及形成於其上之含有Fe、Co、FeSi、FeNi、FeCo、FeSiAl、FeCrSi、FeBSiC等軟磁性體、Mn-Zn系、Ba-Fe系、Ni-Zn系等肥粒體及碳粒子的軟磁性層所構成，且放熱特性優異。然而，該電波吸收-屏蔽薄膜的電磁波吸收能力並不充分。

日本特開2006-93414號揭示一種傳導雜訊抑制體，其係於聚酯等的塑膠基體(可含有軟磁性金屬、碳、肥粒體等粉末)，透過物理蒸鍍，形成含有從鐵、鈷及鎳所構成之群組中選擇之至少一種軟磁性金屬且厚度為0.005~0.3μm的傳導雜訊抑制層之傳導雜訊抑制體，其中傳導雜訊抑制層係由以下所構成：具有以數埃間隔排列軟磁性金屬原子的晶格部分；不存在軟磁性金屬而僅有塑膠的極微小部分；及軟磁性金屬未結晶化且分散於塑膠中的部分。然而，在該傳導雜訊抑制體中，傳導雜訊抑制層為單層，且難以控制膜厚。因此，在大部分實施例中，在塑膠基體會摻合軟磁性金屬。又，在使用未摻合有 軟磁性金屬之塑膠基體的唯一實施例4中，1GHz下的損耗功率比(P_loss/P_in)小至0.55。

因此，本發明目的在於提供一種對於數百MHz至GHz的電磁波雜訊具有穩定且高吸收能力的低成本近場雜訊抑制片。

本發明者鑒於上述目的而致力研究的結果發現：(a)若調整形成於塑膠薄膜之金屬薄膜的膜厚使表面電阻成為20~150Ω/□，對於近場雜訊將發揮優異的吸收能力，但因為具有20~150Ω/□表面電阻的金屬薄膜非常薄，不管是在同一製造批量之間或是不同製造批量之間，皆難以避免表面電阻的偏差變大；及(b)若將具有此種薄質金屬薄膜之一對塑膠薄膜，以金屬薄膜作為內側的方式用導電性接著劑黏接，則表面電阻的偏差會明顯降低，可穩定得到具有所期望之表面電阻之金屬薄膜片，而完成本發明。

亦即，本發明近場雜訊抑制片，其特徵為：將一對在一側的面形成有金屬薄膜的塑膠薄膜，以前述金屬薄膜作為內側的方式，用導電性接著劑黏接而成，各金屬薄膜係由磁性金屬所構成，且調整各金屬薄膜之膜厚使經黏接之一對金屬薄膜的表面電阻成為20~150Ω/□。

前述磁性金屬較佳為Ni、Fe、Co或其合金，特佳為Ni。兩金屬薄膜的膜厚較佳為在10~30nm的範圍內。經 黏接之一對金屬薄膜的表面電阻較佳為30~80Ω/□。前述金屬薄膜較佳為使用真空蒸鍍法形成。

具有上述構成之本發明的近場雜訊抑制片具有以下優點：對於數百MHz至數GHz的近場雜訊具有高吸收能力，且儘管各金屬薄膜非常薄，表面電阻的偏差仍明顯降低，因此，在電磁吸收能力方面，製品間的偏差非常小。具有此種特徵之本發明近場雜訊抑制片，能夠有效抑制在行動電話、智慧型手機等各種行動通訊終端及電腦等電子機器的近場雜訊。

[實施發明之形態]

本發明的實施方式將參照附圖詳細說明，若未特別規定，一實施方式的說明，亦可適用於其他實施方式。又，下述說明並未限定，亦可在本發明的技術思想範圍內進行種種變更。

[1]近場雜訊抑制片的構成要素

如第1圖及第2圖所示，本發明的近場雜訊抑制片10係經由導電接著劑3將由一側的面形成有金屬薄膜1b的塑膠薄膜1a所構成之第一片體1、及由一側的面形成有金屬薄膜2b的塑膠薄膜2a所構成之第二片體2黏接而成。

(1)塑膠薄膜

形成各塑膠薄膜1a、2a的樹脂，只要具有絕緣性以及充分的強度、可撓性及加工性，則未特別限制，可舉出例如聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯等)、聚伸芳基硫化物( 聚伸苯硫化物等)、聚醚碸、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯等)等。塑膠薄膜的厚度較佳為10~30μm左右。

(2)金屬薄膜

各金屬薄膜1b、2b由磁性金屬所構成。作為磁性金屬，可舉出Ni、Fe、Co或其合金。金屬薄膜1b可為單層亦可為相異磁性金屬的多層，但考慮到耐蝕性，較佳為Ni單層。金屬薄膜可採用濺鍍法、真空蒸鍍法等周知的方法形成，但較佳為真空蒸鍍法。

已知若由磁性金屬所構成之薄膜1b、2b減薄，並經由導電性接著劑3積層後，使其具有20~150Ω/□之表面電阻時，則對於高頻率的近場雜訊，具體而言對於6GHz以下，特別是1~3GHz的近場雜訊的吸收能力可明顯提高。此係從例如將金屬薄膜1b剖面放大並示意表示的第3圖可知，由於金屬薄膜1b非常薄，整體上厚度不均，具有比較厚的區域1b₁及比較薄的區域(包含未形成有金屬薄膜的部分。)1b₂。比較薄的區域1b₂作為磁間隙及高電阻區域而作用，藉由近場雜訊使流經金屬薄膜1b內的磁束及電流衰減。

因此，各金屬薄膜1b、2b的膜厚係在進行經由導電性接著劑3的積層後，調整為具有20~150Ω/□的表面電阻。具體而言，金屬薄膜1b、2b的膜厚較佳為10~30nm，更佳為15~30nm，最佳為20~30nm。各金屬薄膜1b、2b的表面電阻如第4圖所示係以直流四端子法測量。又，積層後的金屬薄膜1b、2b之表面電阻如第5(a)圖及第5(b) 圖所示，係使一試片TP₁大於另一試片TP₂，並於一試片TP₁設置端子4，再以直流四端子法測量。

然而，已知隨著金屬薄膜1b、2b減薄，不只表面電阻會增大，表面電阻的偏差亦有明顯增大的趨勢。表面電阻的偏差不只存在於製品批量間，亦存在於同一蒸鍍薄膜製品內。此種偏差產生的原因在於難以正確控制極薄金屬薄膜的製造條件。例如，在Ni薄膜的情況下，該表面電阻相對於目標膜厚會如表1及第6圖所示般變化。在此，目標膜厚係由形成有金屬薄膜之塑膠薄膜的透光率及塑膠薄膜自身的透光率之差而求得。

(3)導電性接著劑

黏接一對金屬薄膜1b、2b的導電性接著劑3係以環氧樹脂、矽樹脂、聚亞醯胺、聚氨基甲酸酯等為黏著劑，並摻合銀粉、金粉、銅粉、鈀粉、鎳粉、碳粉等導電性填料而成。代表性導電性接著劑的體積電阻率及Ni與導電性接著劑的連接電阻如下表2及表3所示。

[2]近場雜訊抑制片

如此，由於以極薄目標膜厚形成之金屬薄膜的表面電阻會大幅偏差，故以形成有金屬薄膜之一片塑膠薄膜來作為具有期望之表面電阻的近場雜訊抑制片將十分困難。表面電阻的偏差會導致近場雜訊吸收能力的偏差。致力研究的結果，得知若經由導電性接著劑3黏接一對金屬薄膜1b、2b，則表面電阻的偏差會有超過預期程度的下降。本發明近場雜訊抑制片係基於此發現而得到者。

例如，若使用銀糊(藤倉化成股份有限公司製「Dotite」)作為導電性接著劑，以固體成分基準為1.5g/m²的塗布量黏接具有各種膜厚的一對Ni薄膜，則表面電阻係如表4所示。從表4可知，若經由導電性接著劑3黏接二片Ni薄膜，則表面電阻不只會降低，其偏差也會明顯降低，因此可穩定得到具有期望之吸收能力的近場雜訊抑制片。

經黏接之金屬薄膜的表面電阻若低於20Ω/□，則導電性會過高，表示出接近金屬片的行為，因此雜訊吸收能力低。另外，經黏接之金屬薄膜的表面電阻若超過150Ω/□，則表面電阻會過大，導致雜訊吸收能力不足。經黏接之金屬薄膜的表面電阻較佳為24~80Ω/□，更佳為30~80Ω/□，最佳為35~60Ω/□。

只要兩片在處理中不會剝離，導電性接著劑3的塗布量係以儘量少為佳。具體而言，導電性接著劑的塗布量(固體成分基準)較佳為0.5~5g/m²，更佳為1~2g/m²。

[3]近場雜訊吸收能力的測量 (1)傳輸衰減率的測量

傳輸衰減率Rtp如第7(a)圖及第7(b)圖所示，係使用由50Ω的微帶線MSL(64.4mm×4.4mm)、支撐微帶線MSL的絕緣基板200、接合於絕緣基板200下部的接地電極201、連接於微帶線MSL兩端的導電銷202、202，網路分析器NA及將網路分析器NA連接至導電銷202和202的同軸纜線203、203所構成之系統，並藉由黏著劑將雜訊抑制 片的試片TP貼附至微帶線MSL，針對0.1~6GHz的射入波，測量反射波S₁₁的功率及穿透波S₂₁的功率，再由下式：Rtp=-10×log[10^S21/10/(1-10^S11/10)]求得其值。

(2)雜訊吸收率的測量

藉由從第7(a)圖及第7(b)圖所示之射入至系統的功率減去反射波S₁₁的功率及穿透波S₂₁的功率，求得損失功率P_loss，再將P_loss除以射入功率P_in而求得雜訊吸收率P_loss/P_in。

(3)內部去耦合率的測量

內部去耦合率Rda係表示同一印刷基板內的耦合因雜訊抑制片而有何種程度的衰減，其如第8圖所示，在連接至網路分析器NA的一對環形天線301、302的附近裝載雜訊抑制片的試片TP，藉由測量0~6GHz的高頻率信號從一環形天線301傳送至另一環形天線302時的衰減率而求得。

(4)相互去耦合率

相互去耦合率Rde係表示兩印刷基板間或零件間的耦合因雜訊抑制片有何種程度的衰減，其如第9圖所示，在連接至網路分析器NA的一對環形天線301、302之間裝載雜訊抑制片的試片TP，藉由測量0~6GHz的高頻率信號從一環形天線301傳送至另一環形天線302時的衰減率而求得。

本發明將透過以下實施例更詳細說明，但本發明並未限制於彼等。

實施例1~3

在厚度16μm的PET薄膜1a透過真空蒸鍍法形成如下表5所示厚度的Ni薄膜1b，而得到第一片體1。同樣，在厚度16μm的PET薄膜2a形成如下表5所示厚度的Ni薄膜2b，而得到第二片體2。第一及第二片體1、2係以Ni薄膜1b、2b為內側，並使用固體成分基準為1.5g/m²的銀糊(藤倉化成股份有限公司製「Dotite」)作為導電性接著劑而黏接。從得到的積層片之任意5處，切割出近場雜訊抑制片的試片TP。使用第5(a)圖及第5(b)圖所示方法來測量各試片TP的表面電阻。將表面電阻的範圍及平均值連同各Ni薄膜的厚度顯示於表5。從表5可知，各實施例之表面電阻的偏差小。

將具有最接近平均值之表面電阻的試片TP，以黏著劑黏貼於第7(a)圖及第7(b)圖所示之系統的微線帶MSL，並測量反射波S₁₁的功率及穿透波S₂₁的功率，再藉由上述[3]的(1)及(2)之方法分別求得傳輸衰減率Rtp及雜訊吸收率P_loss/P_in。又，藉由第8圖所示之方法測量各試片TP的內部去耦合率Rda，並以第9圖所示方法測量各試片TP的相互去耦合率Rde。傳輸衰減率Rtp顯示於第10圖，雜訊吸收率P_loss/P_in顯示於第11圖，內部去耦合率Rda顯 示於第12圖，相互去耦合率Rde顯示於第13圖。另外，在各圖中，[ ]中的數字係顯示(一片Ni薄膜的厚度)/(另一片Ni薄膜的厚度)，( )中的數字係代表表面電阻。以下同。

從第10圖可知，實施例1~3的近場雜訊抑制片皆具有良好的傳輸衰減率Rtp，但表面電阻為40Ω/□的實施例1的近場雜訊抑制片顯示最佳傳輸衰減率Rtp。關於雜訊吸收率P_loss/Pi_n，從第11圖可知，實施例1~3的近場雜訊抑制片皆良好，特別是由約1GHz起成為0.8以上。又，從第12圖及第13圖可知，實施例1~3的近場雜訊抑制片皆顯示良好的內部去耦合率Rda及相互去耦合率Rde。由此可知，實施例1~3的近場雜訊抑制片在包含1~3GHz的低頻率區域之廣大頻率範圍內具有優異的雜訊衰減能力。

比較例1及2

對於厚度200μm的市售雜訊抑制片NSS(大同特殊鋼股份有限公司製「HyperShield」)(比較例1)、及厚度100μm的市售雜訊抑制片NSS(NEC Tokin股份有限公司製Batareido)(比較例2)，以和實施例1同樣的方式求得雜訊吸收率P_loss/P_in、內部去耦合率Rda及相互去耦合率Rde。雜訊吸收率P_loss/P_in顯示於第14圖，內部去耦合率Rda顯示於第15圖，相互去耦合率Rde顯示於第16圖。從第14圖可知，比較例1及2的雜訊抑制片之雜訊吸收率P_loss/P_in劣於實施例1。又，從第15圖及第16圖可知、比較例1及2的雜訊抑制片之內部去耦合率Rda及相互去耦合率Rde皆不佳。

實施例4及5

在厚度16μm的PET薄膜1a以真空蒸鍍法形成如下表6所示厚度的Ni薄膜1b，而得到第一片體。同樣在厚度16μm的PET薄膜2a形成如下表6所示厚度的Ni薄膜2b，而得到第二片體2。第一及第二片體1、2係以Ni薄膜1b、2b為內側，使用與實施例1相同的導電性接著劑黏接。從所得到的積層片之任意5處，切割出近場雜訊抑制片的試片TP。使用如第5(a)圖及第5(b)圖所示方法來測量各試片TP的表面電阻。將表面電阻的範圍及平均值連同各Ni薄膜的厚度顯示於表6。從表6可知，各實施例之表面電阻的偏差小。

又，採用與實施例1相同的方法，求得傳輸衰減率Rtp、雜訊吸收率P_loss/P_in、內部去耦合率Rda及相互去耦合率Rde。傳輸衰減率Rtp顯示於第17圖，雜訊吸收率P_loss/P_in顯示於第18圖，內部去耦合率Rda顯示於第19圖，相互去耦合率Rde顯示於第20圖。從第17圖可知，表面電阻為100Ω/□及150Ω/□的實施例4及5之近場雜訊抑制片皆具有良好的傳輸衰減率Rtp，但劣於表面電阻為40~81Ω/□的實施例1~3之近場雜訊抑制片。從第18圖~第20圖可知，實施例4及5的近場雜訊抑制片皆從1GHz附 近起具有高達0.8以上的雜訊吸收率P_loss/P_in，且具有良好的內部去耦合率Rda及相互去耦合率Rde。由此可知，實施例4及5的近場雜訊抑制片在包含1~3GHz的低頻區域之廣大頻率範圍內亦具有廣泛且優異的雜訊衰減能力。

實施例6、比較例3及4

在厚度16μm的PET薄膜1a以真空蒸鍍法形成如下表7所示厚度的Ni薄膜1b，而得到第一片體1。同樣在厚度16μm的PET薄膜2a形成如下表7所示厚度的Ni薄膜2b，而得到第二片體2。第一及第二片體1、2係以Ni薄膜1b，2b為內側，使用與實施例1同樣的導電性接著劑黏接。從所得到的積層片之任意5處，切割出近場雜訊抑制片的試片TP。使用第5(a)圖及第5(b)圖所示方法測量各試片TP的表面電阻。將表面電阻的範圍及平均值連同各Ni薄膜的厚度顯示於表7。從表7可知，實施例6的表面電阻偏差小。因為比較例3及4的表面電阻幾乎沒有偏差，小至約4Ω/□，故近場雜訊吸收能力如後所述明顯不佳。

又，採用與實施例1相同的方法，求得傳輸衰減率Rtp、雜訊吸收率P_loss/P_in、內部去耦合率Rda及相互去耦合率Rde。傳輸衰減率Rtp顯示於第21圖，雜訊吸收率 P_loss/P_in顯示於第22圖，內部去耦合率Rda顯示於第23圖，相互去耦合率Rde顯示於第24圖。由第21圖可知，雖然表面電阻為24Ω/□的實施例6之近場雜訊抑制片具有良好的傳輸衰減率Rtp，但表面電阻為4.5Ω/□的比較例3之近場雜訊抑制片、及表面電阻為4.1Ω/□的比較例4之近場雜訊抑制片的傳輸衰減率Rtp不佳。從第22圖可知，實施例6的近場雜訊抑制片即使在1~3GHz的低頻區域也具有高雜訊吸收率P_loss/P_in，但比較例3及4的近場雜訊抑制片之雜訊吸收率P_loss/P_in則低。又，就相互去耦合率Rde而言，比較例3及4的近場雜訊抑制片明顯劣於實施例6。因此，可知若表面電阻低於20Ω/□，則傳輸衰減率Rtp、雜訊吸收率P_loss/P_in及相互去耦合率Rde的皆降低。

實施例7及8

在厚度16μm的PET薄膜1a以真空蒸鍍法形成如下表8所示厚度的Ni薄膜1b，而得到第一片體1。同樣在厚度16μm的PET薄膜2a形成如下表6所示厚度的Ni薄膜2b，而得到第二片體2。第一及第二片體1、2係以Ni薄膜1b、2b為內側，使用與實施例1相同的導電性接著劑黏接。從所得到的積層片的任意5處，切割出近場雜訊抑制片的試片TP。以第5(a)圖及第5(b)圖所示方法測量各試片TP的表面電阻。將表面電阻的範圍及平均值連同各Ni薄膜的厚度顯示於表8。從表8可知，各實施例之表面電阻的偏差小。

又，將採用與實施例1相同方法所求得的雜訊吸收率P_loss/P_in顯示於第25圖。實施例7的傳輸衰減率Rtp、內部去耦合率Rda及相互去耦合率Rde分別顯示於第26圖~第28圖，實施例8的傳輸衰減率Rtp、內部去耦合率Rda及相互去耦合率Rde分別顯示於第29圖~第31圖。從第25圖可知，實施例7及8的雜訊吸收率P_loss/P_in皆與實施例1同樣程度而良好，從約1GHz起成為0.8以上。又，從第26圖~第31圖可知，實施例7及8的近場雜訊抑制片皆具有良好的傳輸衰減率Rtp、內部去耦合率Rda及相互去耦合率Rde。因此，可知表面電阻為44Ω/□及33Ω/□的實施例7及8之近場雜訊抑制片在包含1~3GHz的低頻率區域之廣大的頻率區域內，具有廣泛且優異的衰減能力。

比較例5~7

在厚度16μm的PET薄膜1a以真空蒸鍍法形成如下表9所示厚度的Ni薄膜1b，而製作僅由第一片體1所構成之比較例5及7的近場雜訊抑制片之試片TP。又，在厚度16μm的PET薄膜1a以真空蒸鍍法形成如下表10所示厚度的Ni薄膜1b而成的第一片體1，以及在厚度16μm的PET薄膜2a形成如下表9所示厚度的Ni薄膜2b而成的第二片體2，係以Ni薄膜1b、2b為內側，並使用與實施例1相同的導電性接著劑黏接，而製作比較例6的近場雜訊抑制片之試 片TP。各試片TP的表面電阻係以第5(a)圖及第5(b)圖所示方法測量。結果顯示於表9。

又，採用與實施例1相同方法求得傳輸衰減率Rtp、雜訊吸收率P_loss/P_in、內部去耦合率Rda及相互去耦合率Rde。傳輸衰減率Rtp顯示於第32圖，雜訊吸收率P_loss/P_in顯示於第33圖，內部去耦合率Rda顯示於第34圖，相互去耦合率Rde顯示於第35圖。從第32圖及第33圖可知，比較例5~7的近場雜訊抑制片的傳輸衰減率Rtp明顯低，又，比較例7的雜訊吸收率P_loss/P_in亦低。因此，可知比較例5~7的近場雜訊抑制片在傳輸衰減率Rtp及雜訊吸收率P_loss/P_in方面不佳。

1‧‧‧第一片體

1a‧‧‧塑膠薄膜

1b‧‧‧金屬薄膜

1b₁‧‧‧比較厚的區域

1b₂‧‧‧比較薄的區域

2‧‧‧第二片體

2a‧‧‧塑膠薄膜

2b‧‧‧金屬薄膜

3‧‧‧導電性接著劑

4‧‧‧端子

10‧‧‧近場雜訊抑制片

200‧‧‧絕緣基板

201‧‧‧接地電極

202‧‧‧導電銷

203‧‧‧同軸纜線

301、302‧‧‧環形天線

MSL‧‧‧微帶線

NA‧‧‧網路分析器

P_loss‧‧‧損失功率

P_in‧‧‧射入功率

Rda‧‧‧內部去耦合率

Rde‧‧‧相互去耦合率

Rtp‧‧‧傳輸衰減率

S₁₁‧‧‧反射波

S₂₁‧‧‧穿透波

TP、TP₁、TP₂‧‧‧試片

第1圖表示構成本發明近場雜訊抑制片的一對片體之剖面圖。

第2圖表示本發明近場雜訊抑制片的構造之放大剖面圖。

第3圖表示構成本發明近場雜訊抑制片的片狀金屬薄膜構造之放大剖面圖。

第4圖表示測量形成在塑膠薄膜之金屬薄膜的表面電阻之方法的平面圖。

第5(a)圖表示測量本發明近場雜訊抑制片的金屬薄膜之表面電阻的方法之平面圖。

第5(b)圖為第5(a)圖A-A剖面圖。

第6圖表示蒸鍍在塑膠薄膜之Ni薄膜的表面電阻與目標膜厚之關係的圖表。

第7(a)圖表示測量相對於射入波之反射波功率及穿透波功率之系統的平面圖。

第7(b)圖表示圖7(a)之系統的部分剖面示意圖。

第8圖表示測量近場雜訊抑制片的內部去耦合率之方法的部分剖面示意圖。

第9圖表示測量近場雜訊抑制片的相互去耦合率之方法的部分斷面示意圖。

第10圖表示實施例1~3的近場雜訊抑制片之傳輸衰減率Rtp的圖表。

第11圖表示實施例1~3的近場雜訊抑制片之雜訊吸收率P_loss/P_in的圖表。

第12圖表示實施例1~3的近場雜訊抑制片之內部去耦合率Rda的圖表。

第13圖表示實施例1~3的近場雜訊抑制片之相互去耦合率Rde的圖表。

第14圖表示實施例1及比較例1及2的近場雜訊抑制片之雜訊吸收率P_loss/P_in的圖表。

第15圖表示比較例1及2的近場雜訊抑制片之內部去耦合率Rda的圖表。

第16圖表示比較例1及2的近場雜訊抑制片之相互去 耦合率Rde的圖表。

第17圖表示實施例4及5的近場雜訊抑制片之傳輸衰減率Rtp的圖表。

第18圖表示實施例4及5的近場雜訊抑制片之雜訊吸收率P_loss/P_in的圖表。

第19圖表示實施例4及5的近場雜訊抑制片之內部去耦合率Rda的圖表。

第20圖表示實施例4及5的近場雜訊抑制片之相互去耦合率Rde的圖表。

第21圖表示實施例6及比較例3及4的近場雜訊抑制片之傳輸衰減率Rtp的圖表。

第22圖表示實施例6及比較例3及4的近場雜訊抑制片之雜訊吸收率P_loss/P_in的圖表。

第23圖表示實施例6及比較例3及4的近場雜訊抑制片之內部去耦合率Rda的圖表。

第24圖表示實施例6及比較例3及4的近場雜訊抑制片之相互去耦合率Rde的圖表。

第25圖表示實施例1及實施例7及8的近場雜訊抑制片之雜訊吸收率P_loss/P_in的圖表。

第26圖表示實施例7的近場雜訊抑制片之傳輸衰減率Rtp、S₁₁及S₂₁的圖表。

第27圖表示實施例7的近場雜訊抑制片之內部去耦合率Rda的圖表。

第28圖表示實施例7的近場雜訊抑制片之相互去耦合率Rde的圖表。

第29圖表示實施例8的近場雜訊抑制片之傳輸衰減率Rtp、S₁₁及S₂₁的圖表。

第30圖表示實施例8的近場雜訊抑制片之內部去耦合率Rda的圖表。

第31圖表示實施例8的近場雜訊抑制片之相互去耦合率Rde的圖表。

第32圖表示比較例5~7的近場雜訊抑制片之傳輸衰減率Rtp的圖表。

第33圖表示比較例5~7的近場雜訊抑制片之雜訊吸收率P_loss/P_in的圖表。

第34圖表示比較例5~7的近場雜訊抑制片之內部去耦合率Rda的圖表。

第35圖表示比較例5~7的近場雜訊抑制片之相互去耦合率Rde的圖表。

1‧‧‧第一片體

1a‧‧‧塑膠薄膜

1b‧‧‧金屬薄膜

2‧‧‧第二片體

2a‧‧‧塑膠薄膜

2b‧‧‧金屬薄膜

3‧‧‧導電性接著劑

10‧‧‧近場雜訊抑制片

Claims (6)

1. 一種近場雜訊抑制片，其特徵為：將一對在一側的面形成有金屬薄膜的塑膠薄膜，以前述金屬薄膜作為內側的方式用導電性接著劑黏接而成，各金屬薄膜係由磁性金屬所構成，且調整各金屬薄膜之膜厚使經黏著之一對金屬薄膜的表面電阻成為20~150Ω/□。
2. 如申請專利範圍第1項之近場雜訊抑制片，其中前述磁性金屬為Ni、Fe、Co或其合金。
3. 如申請專利範圍第1項之近場雜訊抑制片，其中前述金屬薄膜係由Ni所構成。
4. 如申請專利範圍第1項之近場雜訊抑制片，其中兩金屬薄膜之膜厚係在10~30nm的範圍內。
5. 如申請專利範圍第1項之近場雜訊抑制片，其中經黏接的一對金屬薄膜之表面電阻為30~80Ω/□。
6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之近場雜訊抑制片，其中前述金屬薄膜係藉由真空蒸鍍法而形成。