TWI565385B - 層疊基板結構 - Google Patents

Description

層疊基板結構

本發明有關於一種層疊基板結構，尤指一種具有訊號導孔部之層疊基板結構。

傳統層疊基板結構由多個基板層所堆疊而成。這些基板上具有圖案化線路層與訊號導孔部(via)。這些基板上各別的圖案化線路層可以透過訊號導孔部互相導通，並透過訊號導孔部一末端的訊號墊與同層基板的其他電子單元相互連通。

然而，基於電性原理，由於各訊號導孔部二端各別的訊號墊之間在一有效距離內會產生寄生電容效應，導致降低層疊基板結構之阻抗值、傳輸速度以及濾波性能。

為此，若能提供一種解決方案的設計，可解決上述需求，讓業者於競爭中脫穎而出，即成為亟待解決之一重要課題。

有鑑於此，本發明之一目的在於提供一種層疊基板結構，用以解決以上先前技術所提到的困難。

為了達到上述目的，依據本發明之一實施方式，此種層疊基板結構包含一第一基板層、一第二基板層與一第一訊號導孔部。第二基板層與第一基板層彼此相互層疊。第一基板層具有一第一通孔。第一訊號導孔部包含一第一訊號墊、一第二訊號墊與一第一導接柱。第一訊號墊位於第一基板層的一面，且第一訊號墊包含至少一第一凸肋。第二訊號墊位於第一基板層的另面，且第二訊號墊包含至少一第二凸肋。第一導接柱位於第一通孔內，且分別連接第二凸肋與第一凸肋。第二凸肋與第一凸肋分別至第二基板層的正投影相互錯開設置。

由於第二凸肋與第一凸肋相互錯開設置，如此，透過本實施方式之層疊基板結構能夠減緩第一訊號導孔部之兩端的第一訊號墊與第二訊號墊之間產生寄生電容效應的機會，進而避免降低層疊基板結構之阻抗值、傳輸速度以及濾波性能的機會，以及補償第一訊號導孔部的電氣性能。此外，本實施方式之層疊基板結構透過提高第一訊號導孔部之訊號墊的阻抗以減小阻抗不連續性。

在本發明一或多個實施方式中，第一凸肋為複數個時，任二相鄰之第一凸肋之間具有一間隔，第二凸肋至第一基板層的該面的正投影位於第一凸肋之間的間隔內。

在本發明一或多個實施方式中，第一凸肋與第二凸肋分別為複數個時，任二相鄰之第一凸肋之間具有一第一間隔，任二相鄰之第二凸肋之間具有一第二間隔，且第一間隔與 第二間隔相同。

在本發明一或多個實施方式中，第一凸肋與第二凸肋分別為複數個時，第一凸肋與第二凸肋的數量不同。

在本發明一或多個實施方式中，第一凸肋為複數個時，這些第一凸肋等距地圍繞第一訊號導孔部。

在本發明一或多個實施方式中，第二凸肋為複數個時，這些第二凸肋等距地圍繞第一訊號導孔部。

在本發明一或多個實施方式中，第二凸肋與第一凸肋為單一個時，第一凸肋之一長軸與第二凸肋之一長軸相互平行。

在本發明一或多個實施方式中，第一基板層更具有一第一接地區。第一通孔位於第一接地區內，且第一訊號導孔部電性連接第一接地區。

在本發明一或多個實施方式中，第二基板層具有一第二通孔。第二訊號墊位於第二基板層的一面，介於第一基板層與第二基板層之間。層疊基板結構更包含一第二訊號導孔部。第二訊號導孔部包含一第三訊號墊與一第二導接柱。第三訊號墊位於第二基板層的另面，第三訊號墊包含至少一第三凸肋。第二導接柱位於第二通孔內，且分別連接第二凸肋與第三凸肋，且與第一導接柱具有相同軸心。第三凸肋至第一基板層的正投影與第二凸肋至該第一基板層的正投影相互錯開設置。

在本發明一或多個實施方式中，第三凸肋為複數個時，任二相鄰之第三凸肋之間具有一間隔。第二凸肋至第二基板層的另面的正投影位於其中二相鄰第三凸肋之間的間隔 內。

在本發明一或多個實施方式中，該第二凸肋與該第三凸肋分別為複數個時，任二相鄰之第二凸肋之間具有一第二間隔，任二相鄰之第三凸肋之間具有一第三間隔，其中該第二間隔與該第三間隔相同。

在本發明一或多個實施方式中，第二凸肋與第三凸肋分別為複數個時，第三凸肋與第二凸肋的數量不同。

在本發明一或多個實施方式中，第三凸肋為複數個時，這些第三凸肋等距地圍繞第二訊號導孔部。

在本發明一或多個實施方式中，第二凸肋為複數個時，這些第二凸肋等距地圍繞第二訊號導孔部。

在本發明一或多個實施方式中，第二凸肋與第三凸肋為單一個時，第三凸肋之一長軸與第二凸肋之一長軸相互平行。

在本發明一或多個實施方式中，第一凸肋與第三凸肋相互重疊或錯開設置。

在本發明一或多個實施方式中，第二基板層更具有一第二接地區。第二通孔位於第二接地區內，且第二訊號導孔部電性連接第二接地區。

在本發明一或多個實施方式中，層疊基板結構更包含一第三訊號導孔部。第三訊號導孔部與第一訊號導孔部並排地位於第一基板層上。第三訊號導孔部包含一第四訊號墊、一第五訊號墊與一第三導接柱。第四訊號墊位於第一基板層的那面，且包含至少一第四凸肋。第四凸肋之一長軸不同於第一 凸肋之一長軸。第五訊號墊位於第一基板層的另面，且包含至少一第五凸肋。第五凸肋之一長軸不同於第二凸肋之一長軸。第三導接柱貫設於第一基板層內，與第一導接柱平行設置，且分別連接第四凸肋與第五凸肋。第四凸肋與第五凸肋相互錯開設置。

在本發明一或多個實施方式中，第一基板層為層疊基板結構之一最外層或一中間層。

在本發明一或多個實施方式中，層疊基板結構為一封裝結構裝置或一電路板裝置。

依據本發明之另一實施方式，層疊基板結構包含多個基板層與一訊號導孔部。這些基板層相互層疊。訊號導孔部貫設於其中一基板層上，且訊號導孔部包含一第一放射狀圖案與一第二放射狀圖案，第一放射狀圖案具有複數個第一凸肋，這些第一凸肋為放射狀排列。第二放射狀圖案具有複數個第二凸肋，第二凸肋為放射狀排列。這些第二凸肋與第一凸肋分別至另一基板層的正投影完全不重疊。

依據本發明之又一實施方式，此種層疊基板結構包含多個基板層、一第一訊號導孔部與一第三訊號導孔部。這些基板層相互層疊。第一訊號導孔部與第三訊號導孔部皆貫設於同一基板層。第一訊號導孔部包含一第一放射狀圖案。第一放射狀圖案具有多個第一凸肋。這些第一凸肋為放射狀等距排列。第三訊號導孔部與第一訊號導孔部相鄰且並排。第三訊號導孔部包含一第三放射狀圖案。第三放射狀圖案具有多個第三凸肋，這些第三凸肋為放射狀等距排列。其中一第一凸肋的一 長軸通過二相鄰之第三凸肋之間。

以上所述僅係用以闡述本發明所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本發明之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。

100、101、102‧‧‧層疊基板結構

200‧‧‧第一基板層

201‧‧‧第一面

202‧‧‧第二面

210‧‧‧第一通孔

211‧‧‧第二通孔

220‧‧‧第三通孔

230‧‧‧第一接地區

240‧‧‧第二接地區

300‧‧‧第二基板層

301‧‧‧第三面

302‧‧‧第四面

310‧‧‧第二通孔

320‧‧‧第三接地區

400‧‧‧表面基板層

410‧‧‧通孔

500、501、502、503、504‧‧‧第一訊號導孔部

510‧‧‧第一訊號墊

511、521、531‧‧‧第一凸肋

512‧‧‧第一間隔

540‧‧‧第二訊號墊

541、551‧‧‧第二凸肋

542‧‧‧第二間隔

550‧‧‧第一導接柱

600、601‧‧‧第二訊號導孔部

610‧‧‧第三訊號墊

611‧‧‧第三凸肋

612‧‧‧第三間隔

613‧‧‧第二導接柱

700‧‧‧表面訊號導孔部

710‧‧‧表面訊號墊

720‧‧‧導接柱

800‧‧‧第三訊號導孔部

810‧‧‧第四訊號墊

811‧‧‧第四凸肋

812‧‧‧第四間隔

820‧‧‧第五訊號墊

821‧‧‧第五凸肋

822‧‧‧第五間隔

830‧‧‧第三導接柱

2-2、A‧‧‧線段

A1、A2、A3‧‧‧曲線

B1、B2、B3‧‧‧曲線

C1、C2、C3‧‧‧曲線

D1、D2‧‧‧相反方向

L1、L2、L3、L4、L5‧‧‧長軸

P1、P2、P3、P4、P5‧‧‧正投影

T‧‧‧圖案化線路

X、Y、Z‧‧‧軸

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示依照本發明第一實施方式之層疊基板結構的示意圖；第2圖繪示第1圖沿線段2-2的剖視圖；第3A圖繪示依照本發明第一實施方式之第一訊號導孔部之立體圖；第3B圖繪示第1圖之區域M的上視示意圖；第4圖繪示第1圖之第一訊號導孔部與第二基板的示意圖；第5圖繪示依照本發明第二實施方式之層疊基板結構的第一訊號導孔部的上視示意圖；第6圖繪示依照本發明第三實施方式之第一訊號導孔部之立體圖；第7圖繪示依照本發明第四實施方式之層疊基板結構的剖視圖，其剖面位置與第2圖相同；第8圖繪示本發明第四實施方式之第一訊號導孔部與第二訊號導孔部之立體圖；第9A圖繪示依據時域反射量測法(TDR)對本發明第四實 施方式之層疊基板結構所得到的模擬結果波形圖；第9B圖繪示依據差分反射損耗(DRL)對本發明第四實施方式之層疊基板結構所得到的模擬結果波形圖；第9C圖繪示依據差動式饋入損耗(DIL)對本發明第四實施方式之層疊基板結構所得到的模擬結果波形圖；第10圖繪示依照本發明第五實施方式之層疊基板結構的剖視圖，其剖面位置與第2圖相同；以及第11圖繪示依照本發明第五實施方式之第一訊號導孔部至第三訊號導孔部之立體圖。

以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

第一實施方式

第1圖繪示依照本發明第一實施方式之層疊基板結構100的示意圖。第2圖繪示第1圖沿線段2-2的剖視圖。如第1圖與第2圖所示，層疊基板結構100包含一第一基板層200、一第二基板層300、一第一訊號導孔部500與一第二訊號導孔部600。第一基板層200具有一第一通孔210以及相對之第一面201與第 二面202。第一通孔210沿其縱向貫穿第一基板層200且連接第一面201與第二面202。第一訊號導孔部500位於第一通孔210內。第二基板層300具有一第二通孔211以及相對之第三面301與第四面302。第二通孔211沿其縱向貫穿第二基板層300且連接第三面301與第四面302。第二訊號導孔部600位於第二通孔211內，與第一訊號導孔部500不具共軸，並透過第二面202上之一圖案化線路T電性連接第一訊號導孔部500。第二基板層300與第一基板層200彼此相互層疊，使得第一基板層200之第二面202連接第二基板層300之第三面301。

第3A圖繪示依照本發明第一實施方式之第一訊號導孔部500之立體圖。第3B圖繪示第3A圖之上視示意圖。如第2圖與第3A圖所示，第一訊號導孔部500包含一第一訊號墊510、一第二訊號墊540與一第一導接柱550。第一訊號墊510位於第一基板層200的第一面201。第二訊號墊540位於第一基板層200的第二面202，且介於第一基板層200與第二基板層300之間。第一訊號墊510包含多個第一凸肋511，且這些第一凸肋511的外型與尺寸一致。第二訊號墊540包含多個第二凸肋541，且這些第二凸肋541的外型與尺寸一致。第一導接柱550位於第一通孔210內，且分別連接第二凸肋541與第一凸肋511。這些第一凸肋511與第二凸肋541分別從第一導接柱550之二相對端朝外延伸。然而，本發明不限這些第一凸肋或第二凸肋的外型與尺寸必須一致。

第3B圖繪示第1圖之區域M的上視示意圖。需瞭解到，如第3A圖與第3B圖所示，第一凸肋511與第二凸肋541 相互錯開設置，並非垂直地(同一Z軸上)相互重疊。例如，第一凸肋511與第二凸肋541分別至同一平面之正投影P1、P2相互錯開設置；換句話說，第二凸肋541是位於其中二相鄰之第一凸肋511之間，例如，第二凸肋541至同一平面之正投影P2位於任二相鄰之第一凸肋511之間。

如此，由於第一訊號導孔部500之第二凸肋541與第一凸肋511相互錯開設置，並非垂直地(在同一Z軸上)恰好相互對齊，拉大了第二凸肋541與第一凸肋511之間的最短距離，可降低第二凸肋541與第一凸肋511產生寄生電容效應的機會，故，在本實施方式中，層疊基板結構便可避免降低其阻抗值、傳輸速度以及濾波性能的機會，以及補償第一訊號導孔部的電氣性能。

具體來說，回第2圖所示，在本實施方式中，第一導接柱550填滿於第一通孔210內。第一訊號墊510嵌設於第一基板層200的第一面201，使得第一訊號墊510表面與第一基板層200的第一面201齊平。第二訊號墊540嵌設於第一基板層200的第二面202，使得第二訊號墊540表面與第一基板層200的第二面202齊平，然而，本發明不限於此。

此外，如第3B圖所示，由於這些第一凸肋511與第二凸肋541分別為放射狀排列，第一導接柱550與這些第一凸肋511以及這些第二凸肋541可分別形成放射狀圖案。故，由於寄生電容與上述訊號墊的面積成正比，故，將訊號墊改為放射狀圖案以減少訊號墊的面積便可降低上述之寄生電容值。

更具體地，在本實施方式中，舉例來說，第一凸 肋511與第二凸肋541的數量相同，例如為三個時，三個第一凸肋511彼此分離且等距地圍繞第一導接柱550，以及三個第二凸肋541彼此分離且等距地圍繞第一導接柱550。故，任二相鄰之第一凸肋511之間的夾角與任二相鄰之第二凸肋541之間的夾角皆為120°。另外，任二相鄰之第一凸肋511之間具有一第一間隔512，任二相鄰之第二凸肋541之間具有一第二間隔542，第一間隔512與第二間隔542的間隔大小相同。

然而，本發明不限於第一凸肋以及第二凸肋的數量、夾角與間隔大小，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇第一凸肋以及第二凸肋的數量、夾角與間隔大小。

第4圖繪示第1圖之第一訊號導孔部500與第二基板的示意圖。如第2圖與第4圖所示，第一基板層200更具有一第一接地區230與一第二接地區240。第一接地區230位於第一基板層200的第一面201。第二接地區240位於第一基板層200的第二面202。第一通孔210位於第一接地區230與第二接地區240內，且第一訊號導孔部500電性連接第一接地區230與第二接地區240。如此，層疊基板結構100的雜訊便能透過第一訊號導孔部500傳至第一接地區230或第二接地區240，確保維持層疊基板結構100的電氣性能。

第二實施方式

第5圖繪示依照本發明第二實施方式之層疊基板結構的第一訊號導孔部501的上視示意圖。如第5圖所示，第二實施方 式之層疊基板結構與第一實施方式之層疊基板結構大致相同，其中之一差異為，第一凸肋521與第二凸肋541的數量不同。舉例來說，第一凸肋521為二個，第二凸肋541為三個，更可避免第一凸肋521與第二凸肋541相互重疊，進而產生寄生電容效應的機會。

然而，本發明不限於第一凸肋以及第二凸肋的數量，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要彈性選擇第一凸肋以及第二凸肋的數量。

第三實施方式

第6圖繪示依照本發明第三實施方式之第一訊號導孔部502之立體圖。如第6圖所示，第三實施方式之層疊基板結構與第一實施方式之層疊基板結構大致相同，其中之一差異為，第一凸肋531與第二凸肋551皆為單一個。在本實施方式中，第一凸肋531與第二凸肋551皆朝二相反方向D1、D2彼此延伸，意即，第一凸肋531之一長軸L1與第二凸肋551之一長軸L2相互平行。

由於第一凸肋531與第二凸肋551皆朝二相反方向D1、D2彼此延伸，更可完全避免第一凸肋531與第二凸肋551之間產生寄生電容效應。

第四實施方式

第7圖繪示依照本發明第四實施方式之層疊基板結構101的剖視圖，其剖面位置與第2圖相同。第8圖繪示本發明第四實 施方式之第一訊號導孔部500與第二訊號導孔部601之立體圖。如第7圖至第8圖所示，第四實施方式之層疊基板結構101與第一實施方式之層疊基板結構100大致相同，其中之一差異為，層疊基板結構101更包含一表面基板層400。第一基板層200層疊於表面基板層400與第二基板層300之間，其中表面基板層400連接第一基板層200之第一面201，使得第一基板層200成為層疊基板結構101之中間層。

第二基板層300更具有一第二通孔310。第二通孔310沿其縱向貫穿第二基板層300且連接第三面301與第四面302。第二訊號導孔部601位於第二通孔310內。第二訊號導孔部601與第一訊號導孔部500具有共同軸心(如線段A)，且第二訊號導孔部601與第一訊號導孔部500相互連接。此外，第二訊號導孔部601包含一第三訊號墊610與一第二導接柱613。第三訊號墊610位於第二基板層300的第四面302。第三訊號墊610包含多個第三凸肋611。第二導接柱613位於第二通孔310內，且與第一導接柱550具有相同軸心(如線段A)。這些第二凸肋541同時位於第二導接柱613與第一導接柱550上，且分別朝外延伸。這些第三凸肋611分別第二導接柱613之一端朝外延伸。

需瞭解到，第二凸肋541與第三凸肋611相互錯開設置，並非垂直地(在同一Z軸上)相互重疊。例如，第二凸肋541與第三凸肋611分別至同一平面之正投影P2、P3相互錯開設置；換句話說，第二凸肋541是顯露於第三凸肋611之間，第三凸肋611是顯露於第二凸肋541之間。故，由於第三凸肋 611與第二凸肋541相互錯開設置，拉大了第三凸肋611與第二凸肋541之間的最短距離，可降低第三凸肋611與第二凸肋541產生寄生電容效應的機會。

此外，雖然在本實施方式中，第一凸肋511與第三凸肋611相互重疊，然而，由於第一凸肋511與第三凸肋611之間的距離大於第一凸肋511與第二凸肋541之間的距離，足可降低第三凸肋611與第一凸肋511產生寄生電容效應的機會。然而，本發明不限於此，在其他實施方式，第一凸肋、第二凸肋與第三凸肋皆錯開配置。

具體來說，在本實施方式中，第二導接柱613填滿於第二通孔310內。第三訊號墊610嵌設於第二基板層300的第四面302，使得第三訊號墊610表面與第二基板層300的第四面302齊平，然而，本發明不限於此。

此外，如第8圖所示，由於這些第三凸肋611為放射狀排列，使得第二導接柱613與這些第三凸肋611形成一放射狀圖案。故，由於寄生電容與上述訊號墊的面積成正比，故，將第三訊號墊610訊號墊改為放射狀圖案以減少訊號墊的面積便可降低上述之寄生電容值。

在本實施方式中，舉例來說，第三凸肋611與第二凸肋541的數量相同，例如為三個時，三個第三凸肋611等距地圍繞第二導接柱613，以及三個第二凸肋541等距地圍繞於第一導接柱550與第二導接柱613之間。故，任二相鄰之第三凸肋611之間的夾角與任二相鄰之第二凸肋541之間的夾角皆為120°。另外，任二相鄰之第三凸肋611之間具有一第三間 隔612，任二相鄰之第二凸肋541之間具有一第二間隔542，第三間隔612與第二間隔542彼此大小相同。

然而，本發明不限於此，其他實施方式中，第二凸肋與第三凸肋皆為單一個，且第三凸肋之長軸與第二凸肋之長軸相互平行；或者，第二凸肋與第三凸肋的數量也可以不同。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇第一凸肋至第三凸肋的數量、夾角與間隔大小。

如第7圖所示，第二基板層300更具有一第三接地區320。第三接地區320位於第二基板層300的第四面302。第二通孔310位於第一接地區230內，且第二訊號導孔部601電性連接第三接地區320與第二接地區240。如此，層疊基板結構101的雜訊便可迅速透過第一訊號導孔部500與第二訊號導孔部601傳至第一接地區230、第二接地區240或第三接地區320，確保層疊基板結構101的電氣性能。

此外，表面基板層400更包含一通孔410與一表面訊號導孔部700。表面訊號導孔部700也具有表面訊號墊710及導接柱720。導接柱720位於表面基板層400之通孔410內，與第一導接柱550、第二導接柱613具有相同軸心(如線段A)，且電性連接與第一導接柱550、第二導接柱613。表面訊號墊710嵌設於表面基板層400相對第一基板層200的一面。表面訊號導孔部700與第一訊號導孔部500、第二訊號導孔部601的結構相似，故，再此不再加以贅述。

第9A圖繪示依據時域反射量測法(Time Domain Reflectometry，TDR)對本發明第四實施方式之層疊基板結構 所得到的模擬結果波形圖。如第9A圖所示，曲線A1為一習知訊號導孔部受測試後所反饋之阻抗值變化，其中習知訊號導孔部之訊號墊呈全圓形。曲線B1為第四實施方式之層疊基板結構受測試後所反饋之阻抗值變化。曲線C1為一理想狀態下之訊號導孔部受測試後所反饋之阻抗值變化。

在同一頻率中，由第9A圖之曲線A1可知，習知訊號導孔部最少可產生79Ω~80Ω之阻抗值。由第9A圖之曲線B1可知，第四實施方式之訊號導孔部產生83Ω~84Ω之阻抗值。需瞭解到，如第9A圖之曲線C1，雖然理想狀態下之訊號導孔部會產生85Ω~86Ω之阻抗值，然而，由於理想狀態下之訊號導孔部不具訊號墊，不具訊號墊之訊號導孔部於導電性與量產之合理考量下有實現之難度。

如此，由第9A圖可知，本實施方式之訊號導孔部受測試後所反饋之阻抗值大於習知習知訊號導孔部之訊號墊受測試後所反饋之電容值。由於阻抗值與寄生電容成反比，證明本實施方式之訊號導孔部所產生之寄生電容小於習知訊號導孔部所產生之寄生電容，故，代表本實施方式放射狀圖案之訊號墊確實可以降低寄生電容值，進而達成避免降低層疊基板結構之阻抗值、傳輸速度以及濾波性能的機會，以及補償訊號導孔部的電氣性能。

第9B圖繪示依據差分反射損耗(differential return loss)對本發明第四實施方式之層疊基板結構所得到的模擬結果波形圖。如第9B圖所示，曲線A2為一習知訊號導孔部受測試後所反饋之損耗值變化，其中習知訊號導孔部之訊號 墊呈全圓形。曲線B2為第四實施方式之層疊基板結構101受測試後所反饋之損耗值變化。曲線C2為一理想狀態下之訊號導孔部受測試後所反饋之損耗值變化。

由於第9B圖之差分反射損耗是負值越大越好，故，如第9B圖之曲線A2與曲線B2可知，無論層疊基板結構是處於低頻或高頻的環境下，第四實施方式之層疊基板結構之損耗值皆優於習知訊號導孔部之損耗值；特別是，層疊基板結構處於高頻(35~40GHz)的環境下，如第9B圖之曲線C2與曲線B2可知，第四實施方式之層疊基板結構之損耗值甚至優於理想狀態下之訊號導孔部之損耗值。

第9C圖繪示依據差動式饋入損耗(Differential Insertion Loss)對本發明第四實施方式之層疊基板結構所得到的模擬結果波形圖。如第9C圖所示，曲線A3為一習知訊號導孔部受測試後所反饋之損耗值變化，其中習知訊號導孔部之訊號墊呈全圓形。曲線B3為第四實施方式之層疊基板結構受測試後所反饋之損耗值變化。曲線C3為一理想狀態下之訊號導孔部受測試後所反饋之損耗值變化。

由於第9C圖之差分饋入損耗是負值越小越好，故，如第9C圖之曲線A3與曲線B3可知，無論層疊基板結構是處於低頻或高頻的環境下，第四實施方式之層疊基板結構之損耗值皆優於習知訊號導孔部之損耗值。如第9C圖之曲線C3與曲線B3可知，雖然理想狀態下之訊號導孔部皆優於第四實施方式之層疊基板結構之損耗值，然而，由於理想狀態下之訊號導孔部不具訊號墊，不具訊號墊之訊號導孔部於導電性與量產 之合理考量下有實現之難度。

第五實施方式

第10圖繪示依照本發明第五實施方式之層疊基板結構102的剖視圖，其剖面位置與第2圖相同。第11圖繪示依照本發明第五實施方式之第一訊號導孔部500至第三訊號導孔部800之立體圖。如第10圖與第11圖所示，第五實施方式之層疊基板結構102與第四實施方式之層疊基板結構101大致相同，其中之一差異為，第一基板層200更具有一第三通孔220。第三通孔220沿其縱向貫穿第一基板層200，且第三通孔220連接第一面201與第二面202。層疊基板結構102更包含一第三訊號導孔部800。第三訊號導孔部800位於第一基板層200上，且位於第三通孔220內。第三訊號導孔部800與第一訊號導孔部500並排。

第三訊號導孔部800包含一第四訊號墊810、一第五訊號墊820與一第三導接柱830。第四訊號墊810位於第一基板層200的第一面201。第五訊號墊820位於第一基板層200的第二面202，且介於第一基板層200與第二基板層300之間。第四訊號墊810包含多個第四凸肋811，且這些第四凸肋811的外型與尺寸一致。任二相鄰之第四凸肋811之間具有一第四間隔812。第五訊號墊820包含多個第五凸肋821，且這些第五凸肋821的外型與尺寸一致。任二相鄰之第五凸肋821之間具有一第五間隔822。然而，本發明不限這些第四凸肋或第五凸肋的外型與尺寸必須一致。

第三導接柱830位於第三通孔220內，且分別連接第四凸肋811與第五凸肋821。這些第四凸肋811與第五凸肋821分別從第三導接柱830之二相對端朝外延伸。由於這些第四凸肋811與第五凸肋821分別為放射狀分離且等距排列，第三導接柱830與這些第四凸肋811以及這些第五凸肋821可分別形成放射狀圖案。

需瞭解到，第四凸肋811與第一凸肋511不直接對指，意即，第四凸肋811之一長軸L4不同於第一凸肋511之一長軸L1，或者，其中一第四凸肋811指向任二相鄰之第一凸肋511之間的第一間隔512。例如，此第四凸肋811之一長軸L4通過此二第一凸肋511的第一間隔512；同理，第五凸肋821與第二凸肋541不直接對指，意即，第五凸肋821之一長軸L5不同於第二凸肋541之一長軸L2，或者，其中一第五凸肋821指向任二相鄰之第二凸肋541之間的第五間隔822。例如，此第五凸肋821之一長軸L5通過此二第二凸肋541的第五間隔822。

如此，由於第三訊號導孔部800之第四凸肋811與第一訊號導孔部500之第一凸肋511相互錯開設置，並非恰好相互對齊，拉大了第四凸肋811與第一凸肋511之間的最短距離，可降低第四凸肋811與第一凸肋511產生寄生電容效應的機會，同理，第三訊號導孔部800之第五凸肋821與第一訊號導孔部500之第二凸肋541相互錯開設置，拉大了第五凸肋821與第二凸肋541之間的最短距離，也可降低第五凸肋821與第二凸肋541產生寄生電容效應的機會。故，在本實施方式 中，層疊基板結構102便可降低層疊基板結構102之阻抗值、傳輸速度以及濾波性能的機會，以及補償第一訊號導孔部500與第三訊號導孔部800的電氣性能。

此外，第四凸肋811與第五凸肋821亦相互錯開設置，並非垂直地(在同一Z軸上)相互重疊。例如，第四凸肋811與第五凸肋821分別至同一平面之正投影P4、P5相互錯開設置；換句話說，第四凸肋811是位於任二相鄰之第五凸肋821之間，例如，第四凸肋811至第二基板層300的第三面301之正投影P4位於任二相鄰之第五凸肋821之間。

在上述各實施方式中，層疊基板結構為電路板裝置。然而，本發明不限於此，其他實施方式中，層疊基板結構亦可為封裝結構裝置或積體電路。層疊基板結構也不限為低頻或高頻產品。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，應視實際需要，彈性選擇層疊基板結構的種類。

最後，上述所揭露之各實施例中，並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，皆可被保護於本發明中。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

500‧‧‧第一訊號導孔部

510‧‧‧第一訊號墊

511‧‧‧第一凸肋

512‧‧‧第一間隔

540‧‧‧第二訊號墊

541‧‧‧第二凸肋

542‧‧‧第二間隔

550‧‧‧第一導接柱

P1~P2‧‧‧正投影

Claims (17)

1. 一種層疊基板結構，包含：一第一基板層，具有一第一通孔；一第二基板層，與該第一基板層彼此相互層疊；以及一第一訊號導孔部，包含：一第一訊號墊，位於該第一基板層的一面，且包含複數個第一凸肋，任二相鄰之該些第一凸肋之間具有一第一間隔；一第二訊號墊，位於該第一基板層的另面，且包含至少一第二凸肋，其中該第二凸肋至該第一基板層的該面的正投影位於該些第一間隔其中之一內；以及一第一導接柱，位於該第一通孔內，且分別連接該第二凸肋與該第一凸肋，其中該第一凸肋與該第二凸肋相互錯開設置。
2. 如請求項1所述之層疊基板結構，其中該第二凸肋分別為複數個時，任二相鄰之該些第二凸肋之間具有一第二間隔，其中該第一間隔與該第二間隔的大小相同。
3. 如請求項1所述之層疊基板結構，其中該第二凸肋分別為複數個時，該第一凸肋與該第二凸肋的數量不同。
4. 如請求項1所述之層疊基板結構，其中該些第一凸肋等距地圍繞該第一訊號導孔部。
5. 如請求項1所述之層疊基板結構，其中該第二凸肋為複數個時，該些第二凸肋等距地圍繞該第一訊號導孔部。
6. 如請求項1所述之層疊基板結構，其中該第二凸肋為單一個時，該些第一凸肋其中之一的一長軸與該第二凸肋之一長軸相互平行。
7. 如請求項1所述之層疊基板結構，其中該第二基板層具有一第二通孔，其中該第二訊號墊位於該第二基板層的一面，介於該第一基板層與該第二基板層之間；以及該層疊基板結構更包含一第二訊號導孔部，該第二訊號導孔部位於該第二通孔內，該第二訊號導孔部包含：一第三訊號墊，位於該第二基板層的另面，包含至少一第三凸肋；以及一第二導接柱，位於該第二通孔內，且分別連接該第二凸肋與該第三凸肋，且與該第一導接柱具有相同軸心，其中該第三凸肋至該第一基板層的正投影與該第二凸肋至該第一基板層的正投影相互錯開設置。
8. 如請求項7所述之層疊基板結構，其中該第三凸肋為複數個時，任二相鄰之該些第三凸肋之間具有一間隔，其中該第二凸肋至該第二基板層的該另面的正投影位於 該二相鄰第三凸肋之間的該間隔內。
9. 如請求項7所述之層疊基板結構，其中該第二凸肋與該第三凸肋分別為複數個時，任二相鄰之該些第二凸肋之間具有一第二間隔，任二相鄰之該些第三凸肋之間具有一第三間隔，其中該第二間隔與該第三間隔的大小相同。
10. 如請求項7所述之層疊基板結構，其中該第二凸肋與該第三凸肋分別為複數個時，該第三凸肋與該第二凸肋的數量不同。
11. 如請求項7所述之層疊基板結構，其中該第三凸肋為複數個時，該些第三凸肋等距地圍繞該第二訊號導孔部，該第二凸肋為複數個時，該些第二凸肋等距地圍繞該第二訊號導孔部。
12. 如請求項8所述之層疊基板結構，其中該些第一凸肋其中之一與該第三凸肋相互重疊或錯開設置。
13. 如請求項1所述之層疊基板結構，更包含一第三訊號導孔部，該第三訊號導孔部與該第一訊號導孔部並排地位於該第一基板層上，該第三訊號導孔部包含：一第四訊號墊，位於該第一基板層的該面，且包含至少一第四凸肋，該第四凸肋之一長軸不同於該第一凸肋之一長軸； 一第五訊號墊，位於該第一基板層的該另面，且包含至少一第五凸肋，該第五凸肋之一長軸不同於該第二凸肋之一長軸；以及一第三導接柱，貫設於該第一基板層內，與該第一導接柱平行設置，且分別連接該第四凸肋與該第五凸肋，其中該第四凸肋與該第五凸肋相互錯開設置。
14. 如請求項1所述之層疊基板結構，其中該第一基板層為該層疊基板結構之一最外層或一中間層。
15. 如請求項1所述之層疊基板結構，其中該層疊基板結構為一封裝結構裝置或一電路板裝置。
16. 一種層疊基板結構，包含：多個基板層，該些基板層相互層疊；以及一訊號導孔部，貫設於該些基板層其中之一上，包含：一第一放射狀圖案，該第一放射狀圖案具有複數個第一凸肋，該些第一凸肋為放射狀排列；以及一第二放射狀圖案，該第二放射狀圖案具有複數個第二凸肋，該些第二凸肋為放射狀排列，其中該些第二凸肋與該些第一凸肋分別至另一該些基板層的正投影完全不重疊。
17. 一種層疊基板結構，包含：多個基板層，該些基板層相互層疊；以及 一第一訊號導孔部，貫設於該些基板層其中之一，該第一訊號導孔部包含一第一放射狀圖案，該第一放射狀圖案具有複數個第一凸肋，該些第一凸肋為放射狀等距排列；以及一第三訊號導孔部，貫設於具有該第一訊號導孔部之該基板層上，且與該第一訊號導孔部相鄰且並排，該第三訊號導孔部包含一第三放射狀圖案，該第三放射狀圖案具有複數個第三凸肋，該些第三凸肋為放射狀等距排列，其中該些第一凸肋其中之一的一長軸通過二相鄰之該些第三凸肋之間。