TWI548517B - 導電性積層體 - Google Patents

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TWI548517B
TWI548517B TW103134255A TW103134255A TWI548517B TW I548517 B TWI548517 B TW I548517B TW 103134255 A TW103134255 A TW 103134255A TW 103134255 A TW103134255 A TW 103134255A TW I548517 B TWI548517 B TW I548517B
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權潤京
金賢哲
朴現圭
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Ｌｇ化學股份有限公司
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Description

導電性積層體
本發明係有關於導電性積層體、其製造方法以及包括其之電子裝置。
觸控面板或觸控螢幕可多樣地應用於處理各種資訊之終端，該終端諸如行動通訊終端或ATM，或諸如TV或監視器之顯示裝置。另外，隨著對小型化可攜式電子裝置之應用增加，對更小型化及更輕巧觸控面板或螢幕之需要增加。
為製造觸控面板或螢幕，例如，使用諸如韓國專利特許公開申請案第2002-0036837號或第2001-0042939號中所揭示的導電性積層體。
此導電性積層體可包括壓敏黏著層。然而，導電性積層體之壓敏黏著層可由於在用於ITO結晶之熱處理條件下之熱而產生氣泡。特定而言，在其中ITO形成於兩側上之結構中，在用於ITO結晶之熱處理期間，氣泡可自壓敏黏著層產生，且因為ITO充當氣體障壁，所以其可預防氣泡獲移除。
本發明係有關於提供導電性積層體，其藉由在用於使導電層結晶之熱處理期間預防氣泡自壓敏黏著層產生而具有可靠性。
在一個態樣中，提供導電性積層體。圖1為示範性導電性積層體之剖面視圖。根據本發明之導電性積層體可依序地包括導電層3、基底層2及壓敏黏著層1。在本發明之一示範性實施例中，導電性積層體可包括基底層2；壓敏黏著層1，其形成於基底層2之下且包括可交聯聚合物，該可交聯聚合物包括作為聚合單元的具有150℃或更小或200℃或更大之沸點的單體；以及導電層3，其形成於基底層2上。在一個實例中，如圖2所示，根據本發明之導電性積層體可依序地包括導電層3、基底層2、壓敏黏著層1、第二基底層2’及第二導電層3’。亦即，導電性積層體可包括第一基底層2；壓敏黏著層1，其形成於基底層2之下且包括可交聯聚合物，該可交聯聚合物包括作為聚合單元之具有150℃或更小或200℃或更大之沸點之單體；第一導電層3，其形成於第一基底層2上；第二基底層2’，其形成於壓敏黏著層1之下；以及第二導電層3’，其形成於第二基底層2’之下。如上所述，根據本發明之導電性積層體可為雙側導電性積層體。兩側導電性積層體可包括處於兩個表面上之至少兩個導電層，及介於至少兩個導電層之間的至少一個壓敏黏著層及至少一個基底層。圖3為根據另一示範性實施例之雙側導電性積層體之剖面視圖，該雙側導電性積層體順序地包括第一導電層3、第一基底層 2、第一壓敏黏著層1、第三基底層2’’、第二壓敏黏著層1’、第二基底層2’及第二導電層3’。
為製造雙側導電性積層體，使用雙側沉積設備將導電層形成於單一基底層之兩個表面上。然而，當使用單側沉積設備時，沉積製程應執行兩次，且因為基底層變得較厚，所以製造速率在導電層之沉積期間降低。因此，雙側導電性積層體通常藉由使用壓敏黏著劑將形成於薄基底層上的若干導電層進行積層來形成。為製造積層類型雙側透明導電薄膜，不同於習知單側導電性積層體，雙側導電層可充當氣體障壁，以預防熱處理及老化中產生的氣體之減少，從而引起氣泡之產生。根據本發明的具有上述結構之導電性積層體可有效預防可自壓敏黏著層產生的氣泡，進而確保可靠性。
本文使用的術語「上方」或「下方」指示構成導電性積層體之每一層之相對位置，且當製造實際導電性積層體時，未必將一層安置於上方部分或下方部分處。
導電層，亦即，第一導電層及/或第二導電層，可為結晶類型或非晶形類型。根據本發明之導電性積層體可包括藉由熱處理結晶之前的非晶形導電層。在另一實例中，導電性積層體可包括結晶之後的結晶導電層。在本發明中，非晶形導電層可根據區別用於導電性積層薄膜領域之導電層之結晶度的通用標準來與結晶導電層相區別。例如，在本發明中，術語「非晶形導電層」意指在藉由場發射透射電子顯微術(FE-TEM)所觀察的表面上通常裝載多邊 形或橢圓形晶體之面積之比率為50%或更小或0至30%的導電層。因此，本文使用的術語「結晶導電層」可意指晶體之面積比率超過50%。非晶形導電層可應用於在諸如圖案化之製程之後經歷結晶處理的產品。
在一個實例中，用於第一壓敏黏著層及第二壓敏黏著層之材料可彼此相同或不同，且對以下將要描述的壓敏黏著層之描述可包括第一壓敏黏著層及第二壓敏黏著層。
在本發明之一示範性實施例中，構成導電性積層體之壓敏黏著層可如上所述包括可交聯聚合物，該可交聯聚合物包括作為聚合單元之具有150℃或更小或200℃或更大之沸點之單體。另外，更確切言之，單體之沸點可為145℃或更小或200℃或更大、140℃或更小或205℃或更大、135℃或更小或210℃或更大、或130℃或更小或210℃或更大。亦即，可交聯聚合物可不包括具有大於150℃且小於200℃之沸點的單體、具有大於145℃且小於200℃之沸點的單體、具有大於140℃且小於205℃之沸點的單體、具有大於135℃且小於210℃之沸點的單體，或具有大於130℃且小於210℃之沸點的單體。由於作為構成壓敏黏著層之聚合物之聚合單元的單體之沸點受控制，所以自壓敏黏著層產生的氣泡可在導電層結晶之熱處理期間得以預防。亦即，當單體具有150℃或更小之沸點時，單體組成可在用於形成壓敏黏著層之製程(塗佈製程)中揮發，且因此可能移除可產生氣泡之剩餘單體。另外，儘管具有200℃或更大之沸 點的單體保留，但其由於高於隨後執行的用於使導電層結晶之熱處理之溫度的沸點而不會揮發。因此，構成根據本發明之壓敏黏著層之可交聯聚合物可不包括具有大於150℃且小於200℃之沸點的單體。因此，本發明之導電性積層體可解決自壓敏黏著層產生的氣泡之問題。
同時，單體之沸點可為60℃或更大。當單體之沸點低於60℃時，單體可在聚合製程中揮發。另外，單體可具有300℃或更小之沸點。當單體之沸點高於300℃時，聚合度可在聚合製程中減少。
在一個實例中，聚合物可包括10至60重量份之具有150℃或更小之沸點的單體，及40至90重量份之具有200℃之沸點的單體。本文使用的單位「重量份」係指重量比。當如上所述調整單體之間的重量比時，可有效地控制壓敏黏著層之物理性質，例如黏著強度、耐久性及剝離強度。
只要滿足沸點之上述範圍，單體之類型即不受特定限制，且在一個實例中，具有150℃或更小或200℃或更大之沸點的單體可為(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、丙烯酸2-羥基丁酯、丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、丙烯 酸異莰酯、(甲基)丙烯酸環己酯、丙烯酸、順丁烯二酸、苯乙烯、乙酸乙烯酯、甲基丙烯酸異丙酯、丙烯腈丙烯酸二氫二環戊二烯酯(acrylonitrile dihydrodicyclopentadienyl acrylate)、N-乙烯基甲醯胺、丙烯酸苄酯、二丙酮丙烯醯胺(diacetone acrylamide)，或其組合。
此處，考慮單體的諸如內聚強度、玻璃轉移溫度及壓敏黏著性質之物理性質，單體可為(甲基)丙烯酸酯單體，且尤其為包括具有1至14個碳原子之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯，但本發明不限於此。
在一個實例中，具有150℃或更小或200℃或更大之沸點的單體可包括包含至少一個反應性官能基之化合物中之至少一者。亦即，包括反應性官能基之化合物可作為聚合物之聚合單元予以包括。在此狀況下，化合物可提供反應性官能基，該反應性官能基可與以下所述的多官能交聯劑反應成聚合物。包括反應性官能基之此種化合物可為含有羥基之化合物、含有羧基之化合物或含有氮之化合物。在製備聚合物之領域中，用於為丙烯酸聚合物提供此種反應性官能基之各種可聚合單體係已知的，且單體可在本發明中不受限制地使用。例如，具有羥基之化合物可為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙二醇酯或(甲基)丙烯酸2-羥基丙二醇酯，具有羧基之化合物可為(甲基)丙烯酸、2-(甲基)丙烯醯基氧基乙酸、3-(甲基)丙烯醯基氧基丙酸、 4-(甲基)丙烯醯基氧基丁酸、丙烯酸二聚物、伊康酸、順丁烯二酸酐或順丁烯二酸酐，且具有氮之化合物可為(甲基)丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯啶酮或N-乙烯基己內醯胺，但本發明不限於此。同時，包括反應性官能基之化合物亦可如上所述具有150℃或更小或200℃或更大之沸點。在一個實例中，包括反應性官能基之化合物可相對於100重量份之可交聯聚合物而言以1至20、2至19、3至18、4至17或5至16重量份來包括。
在本發明中，聚合物可藉由此項技術中之習知聚合方法製備，該方法例如溶液聚合、光聚合、整體聚合、懸浮聚合或乳液聚合，且較佳為溶液聚合。此處，聚合物可在壓敏黏著層中交聯。
在本發明中，壓敏黏著層中之可交聯聚合物可藉由至少一種多官能交聯劑來交聯，該至少一種多官能交聯劑選自由異氰酸酯交聯劑、環氧樹脂交聯劑、氮丙啶交聯劑及金屬螯合物交聯劑組成之群。此種交聯劑與具有丙烯酸聚合物之極性官能基反應，以改良樹脂固化產物(壓敏黏著層)之內聚強度，提供交聯結構，且用以調整壓敏黏著劑特性。在一個實例中，一種或至少兩種類型之交聯劑可考慮包括於聚合物中之反應性官能基之類型來做適合選擇。
作為異氰酸酯交聯劑，可使用甲苯二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、四甲基二甲苯二異氰酸 酯或萘二異氰酸酯，或該等異氰酸酯化合物中之至少一者與多元醇之加合物，且作為多元醇，可使用三羥甲基丙烷。另外，作為環氧樹脂交聯劑，可使用乙二醇二環氧丙基醚、三環氧丙基醚、三羥甲基丙烷三環氧丙基醚、N,N,N',N'-四環氧丙基乙二胺或環氧丙基二環氧丙基醚中之一或至少兩者，且作為氮丙啶交聯劑，可使用N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧醯胺)(4-bis(1-aziridinecarboxamide))、N,N'-二苯甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧醯胺)、三伸乙基三聚氰胺、雙異酞醯基-1-(2-甲基氮丙啶)(bisisophthaloyl-1-(2-methylaziridine))或三-1-氮丙啶基氧化膦(tri-1-aziridinylphosphineoxide)，但本發明不限於此。另外，作為金屬螯合物交聯劑，其中諸如鋁、鐵、鋅、錫、鈦、銻、鎂及/或釩之多價金屬藉由配位鍵結合至乙醯基丙酮或乙醯基乙酸乙酯的化合物，但本發明不限於此。多官能交聯劑可相對於100重量份之聚合物以0.01至10、0.1至9或0.2至8重量份來包括。
在一個實例中，聚合物可具有500,000、550,000、600,000、650,000、700,000、800,000、900,000、1,000,000、1,100,000或1,200,000或更大之重量平均分子量。重量平均分子量之上限可為但不特定地限於2,000,000或更小。在此範圍中，壓敏黏著層之耐久性及壓敏黏著性質可得以有效控制。
本發明之壓敏黏著層可進一步包括諸如以下者之添加劑中的一或至少兩者：矽烷偶合劑、增黏劑、環氧樹脂、UV穩定劑、抗氧化劑、著色劑、強化劑、填充劑、 發泡劑、表面活性劑及塑化劑。
在一個實例中，基底層，亦即，第一至第三基底層可包括選自由以下者組成之群的至少一者：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚胺甲酸酯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯薄膜、乙烯-丙烯共聚物薄膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物薄膜、乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物薄膜及聚醯亞胺薄膜。用於第一至第三基底層之材料可彼此相同或不同。
在本發明中，基底層之厚度不受特定限制，且可經適合判定來充當導電性積層體。例如，基底層可具有大致1至500μm、3至300μm、5至250μm或10至200μm之厚度。
儘管不受特定限制，但可對基底層執行諸如電暈放電、UV輻射、電漿處理或濺鍍蝕刻之適合黏著劑處理。
導電層可形成於根據本發明之導電性積層體之基底層的一個表面上。
形成導電層之方法不受特定限制，且導電層可藉由形成薄膜之習知方法來形成，該習知方法例如真空沉積、濺鍍、離子鍍、噴霧熱解、化學鍍、電鍍或其至少兩者之組合，且通常為真空沉積或濺鍍。
作為用於形成導電層之材料，可使用諸如金、銀、鉑、鈀、銅、鋁、鎳、鉻、鈦、鐵、鈷、錫之金屬或其至少兩者之合金，由氧化銦、氧化錫、氧化鈦、氧化鎘 構成之金屬氧化物或其至少兩者之組合，或碘化銅，且如上所述，導電層可為結晶層或非晶層。在本發明中，在用於形成導電層之上述材料之中，可使用銦錫氧化物(ITO)，但本發明不限於此。用於形成第一導電層及第二導電層之材料可彼此相同或不同。
另外，導電層之厚度可考慮連續地形成塗層薄膜之可能性、導電性及透明度而調整至大致300nm，或大致10至200或10至100nm。
根據本發明之導電性積層體可進一步包括已知功能層，諸如底塗層或硬塗層，且可在需要時藉由一般技藝人士做適合安置。
底塗層可進一步存在於導電性積層體中的基底層與導電層之間。例如，底塗層可增強導電層與基底層之間的內聚性質，且可較佳地增強防刮性、防彎曲性及熔接特性。底塗層可包括無機材料、有機材料或有機/無機組合材料。無機材料可為例如SiO2、MgF2或Al2O3，有機材料可為丙烯酸聚合物、胺甲酸乙酯聚合物(urethane polymer)、三聚氰胺聚合物、醇酸(alkyde)聚合物或矽氧烷聚合物，且有機/無機組合材料可為無機材料中之至少一者及有機材料中之至少一者之複合物。在一個實例中，底塗層可使用熱可固化樹脂來形成，該熱可固化樹脂包括三聚氰胺樹脂、醇酸聚合物及有機矽烷縮合物之混合物，該有機矽烷縮合物係作為包括有機矽烷或有機材料之混合物之溶膠-凝膠反應產物。底塗層可藉由例如真空沉積、濺鍍、離子鍍或塗 佈來形成。另外，底塗層可通常形成為100nm或更小，或15至100或20至60nm之厚度。
導電性積層體可進一步包括硬塗層，其存在於壓敏黏著層與基底層之間。硬塗層可由習知材料形成，且藉由例如硬塗佈方法來形成，該硬塗佈方法包括：塗佈軟樹脂，諸如以丙烯酸胺甲酸乙酯為基礎的樹脂或以矽氧烷為基礎的樹脂，以及執行固化。在硬塗佈中，矽樹脂係與諸如以丙烯酸胺甲酸乙酯為基礎的樹脂或以矽氧烷為基礎的樹脂之軟樹脂混合以粗糙化表面，且當應用於觸控面板時，可同時形成能夠預防藉由鏡子作用之反射的非眩光表面。此種硬塗層可考慮硬度、防裂紋性及防捲曲特性而形成為大致0.1至30μm之厚度。
在另一態樣中，提供製造導電性積層體之方法。在一個實例中，製造方法可包括熱處理上述導電性積層體。經由熱處理，非晶形導電層可得以結晶。因此，該製造方法意欲製造包括非晶形導電層之導電性積層體。
用於熱處理之條件不受特定限制，只要導電層可結晶即可。在一個實例中，熱處理可在100至200℃、120至200℃、145至200℃或150至190℃之溫度下執行。另外，熱處理可執行30分鐘至12小時、50分鐘至6小時，或1小時至6小時。經由熱處理，導電薄膜可得以結晶，且可刺激薄膜中載子之產生。根據在以上條件下之熱處理，晶體薄膜中之晶體粒子之轉變及散射諸如載子之缺陷的因素得以減少，且載子可易於產生。用於熱處理之溫度可為待 處理物體之溫度。
熱處理可在含氧大氣中執行。對熱處理大氣而言，可使用小量氧，且熱處理可在氮或氬氣之習知替換之後剩餘的氧大氣中執行。晶體薄膜可藉由熱處理來生長，且導電薄膜之電阻率可得以適合地維持。
如上所述，形成導電層之方法可為但不特定地限於形成薄膜之習知方法來形成，該習知方法例如真空沉積、濺鍍、離子鍍、噴霧熱解、化學鍍、電鍍或其至少兩者之組合，且較佳為真空沉積或濺鍍。另外，形成壓敏黏著層之方法可包括例如藉助於諸如桿式塗佈器之習知構件將壓敏黏著劑組成物或使用其製備的塗佈溶液塗佈於適合基底上，且執行固化。
在又一態樣中，提供電子裝置。示範性電子裝置可為觸控面板。觸控面板可包括導電性積層體，例如用於觸控面板之電極板。
觸控面板可以習知結構來形成，該習知結構包括電容類型或電阻薄膜類型，只要其包括導電性積層體即可。導電性積層體可用於形成各種裝置，諸如觸控面板及液晶顯示器。
在另一態樣中，提供包括觸控面板之顯示裝置。顯示裝置之結構亦可與習知方法相同。
效果
根據本發明，導電性積層體可在用於使導電層結晶之熱處理期間預防氣泡自壓敏黏著層產生。
1‧‧‧壓敏黏著層
2,2’,2”‧‧‧基底層
3,3’‧‧‧導電層
圖1至圖3為根據本發明之示範性實施例之導電性積層體之剖面視圖。
在下文，將參考根據本發明之實例及不根據本發明之比較實例來詳細地描述本發明之示範性實施例。然而，本發明之範疇不限於以下揭示的實施例。
實例1
壓敏黏著劑組成物之製備
以50：40：10(2-EHA：MA：2-HEA)之重量比將丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、丙烯酸甲酯(MA)及丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA)放入1L反應器中，於該反應器中回流氮氣且該反應器配備冷卻器以便易於調整溫度。隨後，添加作為溶劑之乙酸乙酯(EAc)，以氮氣沖洗60分鐘來移除氧，且在60℃之溫度下添加諸如0.04重量份的偶氮雙異丁腈(AIBN)之反應起始劑來起始反應。之後，將在大致5小時反應之後獲得的反應產物溶於乙酸乙酯(EAc)中，進而製備聚合物。
相對於100重量份之聚合物而言，均勻地混合0.25重量份之交聯劑、二甲苯二異氰酸酯(Takenate D110N，Mitsui chemicals)，進而製備壓敏黏著劑組成物。聚合物之重量平均分子量為140,000。
導電性積層體之製造
將壓敏黏著劑組成物塗佈PET薄膜上，該薄膜之兩個表面上均經硬塗佈以獲得大致15μm之厚度且乾燥來形成壓敏黏著層，且使在一個表面上具有ITO層之PET薄膜(厚度：大致25μm)之相對表面黏附於壓敏黏著層，進而形成雙側導電性積層體。
實例2
藉由與實例1所述相同的方法來製備導電性積層體，例外之處在於以60：30：10(2-EHA：MA：2-HEA)之重量比投入丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、丙烯酸甲酯(MA)及丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA)。聚合物具有1,600,000之重量平均分子量。
實例3
藉由與實例1所述相同的方法來製備導電性積層體，例外之處在於以35：35：20：10之重量比投入丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、丙烯酸甲酯(MA)、丙烯酸異莰酯(IBOA)及丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA)，替代以50：40：10之重量比投入丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、丙烯酸甲酯(MA)及丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA)。聚合物具有1,300,000之重量平均分子量。
實例4
藉由與實例1所述相同的方法來製備導電性積層體，例外之處在於以72.5：20：7.25之重量比投入丙烯酸丁酯(BA)、丙烯酸甲酯(MA)、及丙烯酸(AA)且投入0.02重量份之交聯劑，替代以50：40：10之重量比投入丙烯酸2-乙基 己酯(2-EHA)、丙烯酸甲酯(MA)及丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA)。聚合物具有1,840,000之重量平均分子量。
比較實例1
藉由與實例1所述相同的方法來製備導電性積層體，例外之處在於以35：15：40：10之重量比投入丙烯酸丁酯(BA)、丙烯酸甲酯(MA)、丙烯酸甲氧基乙酯(MEA)及丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA)，替代以50：40：10之重量比投入丙烯酸2-乙基己酯(2-EHA)、丙烯酸甲酯(MA)及丙烯酸2-羥基乙酯(2-HEA)。聚合物具有1,200,000之重量平均分子量。
1.分子量之量測
根據以下條件，使用GPC來量測重量平均分子量(Mw)，且藉由Agilent System生產的標準聚苯乙烯係用於繪製校準曲線，且將量測結果予以轉化。
<量測條件>
量測工具：Agilent GPC(Agilent 1200系列，U.S.)
管柱：兩個連接的PL混合式B
管柱溫度：40℃
溶離劑：四氫呋喃(THF)
流動速率：1.0mL/min
濃度：約1mg/mL(100μL注入)
2.氣泡產生之確認
在150℃下將根據實例或比較實例製造的導電性積層體於含氧大氣中熱處理1小時，且以肉眼檢查氣泡 產生。
1‧‧‧壓敏黏著層
2‧‧‧基底層
3‧‧‧導電層

Claims (16)

  1. 一種導電性積層體，其包含：一基底層；一壓敏黏著層，其形成於該基底層之下且包括一可交聯聚合物，其中該可交聯聚合物包含作為一聚合單元之具有150℃或更小或200℃或更大之一沸點之一單體，且該可交聯聚合物不包含具有大於150℃且小於200℃之一沸點之一單體；以及一導電層，其形成於該基底層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電性積層體，其更包含：一第二基底層，其形成於該壓敏黏著層之下；以及一第二導電層，其形成於該第二基底層之下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之導電性積層體，其中具有150℃或更小或200℃或更大之一沸點之該單體為(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、丙烯酸2-羥基丁酯、丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸環己酯、丙烯酸、順丁烯二酸、苯乙烯、乙酸乙烯酯、甲基丙烯酸異丙酯、丙烯腈丙烯酸二氫二環戊二烯酯(acrylonitrile dihydrodicyclopentadienyl acrylate)、N-乙烯基甲醯胺、丙烯酸苄酯、二丙酮丙烯醯胺(diacetone acrylamide)，或其組合。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之導電性積層體，其中，該單體包含包括至少一個反應性官能基之至少一種化合物。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之導電性積層體，其中包含一反應性官能基之該化合物係相對於100重量份之該可交聯聚合物而言以1至20重量份來包括。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之導電性積層體，其中包含至少一個反應性官能基之該化合物為含有一羥基之一化合物、含有一羧基之一化合物或含有氮之一化合物。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之導電性積層體，其中該可交聯聚合物藉由至少一種多官能交聯劑來在該壓敏黏著層中交聯，該至少一種多官能交聯劑選自由一異氰酸酯交聯劑、一環氧樹脂交聯劑、一氮丙啶交聯劑及一金屬螯合物交聯劑組成之群。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之導電性積層體，其中該多官能交聯劑係相對於100重量份之該可交聯聚合物而言以0.01至10重量份來包括。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之導電性積層體，其中該可交聯聚合物具有500,000或更大之一重量平均分子量。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之導電性積層體，其中該基底層包含選自由以下者組成之群的至少一者：一聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、一聚四氟乙烯薄膜、一聚乙烯薄膜、 一聚丙烯薄膜、一聚丁烯薄膜、一聚丁二烯薄膜、一氯乙烯共聚物薄膜、一聚胺甲酸酯薄膜、一乙烯-乙酸乙烯酯薄膜、一乙烯-丙烯共聚物薄膜、一乙烯-丙烯酸乙酯共聚物薄膜、一乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物薄膜及一聚醯亞胺薄膜。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之導電性積層體，其中該導電層為一銦錫氧化物層。
  12. 一種製造一導電性積層體之方法，其包含：對如申請專利範圍第1項所述之導電性積層體執行熱處理。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該熱處理係於100至200℃之溫度下執行。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中執行該熱處理30分鐘至12小時。
  15. 一種觸控面板，其包含：如申請專利範圍第1項所述之導電性積層體。
  16. 一種顯示裝置，其包含：如申請專利範圍第15項所述之觸控面板。
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