TWI546485B - A pipe-connecting structure, and a high-frequency antenna device having the same - Google Patents

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TWI546485B
TWI546485B TW105102427A TW105102427A TWI546485B TW I546485 B TWI546485 B TW I546485B TW 105102427 A TW105102427 A TW 105102427A TW 105102427 A TW105102427 A TW 105102427A TW I546485 B TWI546485 B TW I546485B
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Dongwei Li
Yasunori Ando
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Nissin Electric Co Ltd
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Description

管路保持連接結構以及具備該結構的高頻天線裝置
本發明是有關於一種管路(pipe)保持連接結構以及具備該結構的高頻天線(antenna)裝置，所述管路保持連接結構例如被用於如電漿(plasma)處理裝置或離子(ion)源等般具備真空容器的真空裝置中，在內部供流體流動的管路貫穿真空容器的開口部的部分保持第1管路，並且將該第1管路與第2管路予以連接。
專利文獻1中記載有管路保持連接結構的一例，該管路保持連接結構是在內部供流體流動的管路貫穿真空容器的開口部的部分保持第1管路，並且將該第1管路與第2管路予以連接。參照圖1對其進行說明。
在具有開口部6的真空容器4的外壁，以氣密地封閉開口部6的方式，使用螺栓(bolt)10而固定有外殼(housing)8。在外殼8與真空容器4之間，設置有對兩者間進行真空密封(seal)的O型環(O ring)12。
設置於真空容器4內且內部供流體2流動的第1管路16 的端部附近貫穿真空容器4的開口部6及外殼8。在外殼8與第1管路16之間，設置有對兩者間進行真空密封的O型環14。流體2例如為用於對第1管路16進行冷卻的冷卻水之類的製冷劑或各種氣體。
所述第1管路16的端部被插入至設置於真空容器4外且在內部供所述流體2流動的第2管路18的端部內，兩管路16、18彼此連接，該連接部藉由O型環28而密封。第1管路16朝向真空容器4外側方向的移動被卡止部20阻止。
在第2管路18的端部設置有凸緣部22，在該凸緣部22與所述外殼8的螺孔9之間，設置有至少兩根無頭螺栓(stud bolt)24，利用該無頭螺栓24將管路18固定於外殼8。26為螺母(nut)。
藉由如上所述的結構，可相對於真空容器4來保持第1管路16，並且可將該管路16與第2管路18予以連接。因而，可從管路18向管路16或與此相反地供給流體2。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-241917號公報(段落0019-段落0028，圖2)
在所述現有的管路保持連接結構中，為了確保O型環28對第1管路16與第2管路18之間的密封性能等，必須將第2管路18相對於外殼8而不傾斜地牢固固定，因此，至少需要兩根 無頭螺栓24。並且，必須在外殼8上設置用於螺入各無頭螺栓24的螺孔9，相應地需要空間(space)，因此結構整體的寬度變大。
而且，相對於一根第1管路16，無頭螺栓24及螺母26分別至少各需要2個，因此零件數變多，並且用於將它們結合裝配的裝配作業步驟亦變多。
因此，本發明的一個目的在於改善如上所述的方面，提供一種可減小結構整體的寬度且可減少零件數及裝配作業步驟的管路保持連接結構。
而且，本發明的另一目的在於提供一種具備此種管路保持連接結構的高頻天線裝置。
本發明的第1管路保持連接結構為內部供流體流動的管路貫穿真空容器的開口部的部分的結構，所述管路保持連接結構的特徵在於包括：外殼，以氣密地封閉所述開口部的方式而固定於所述真空容器的外壁；第1管路，設置於所述真空容器內且在內部供所述流體流動，且其端部附近貫穿所述真空容器的開口部及所述外殼，且在所述端部附近具有卡止部，所述卡止部與所述外殼的真空容器側端部卡合，以阻止所述第1管路朝向真空容器外側方向的移動，進而在端部具有公螺紋部；襯墊(packing)，對所述外殼與所述第1管路之間進行真空密封；第2管路，設置於 所述真空容器外且在內部供所述流體流動，且在其端部具有母螺紋部，所述母螺紋部與所述第1管路的公螺紋部螺合以連接兩管路；以及襯墊，對所述第1管路的端部與所述第2管路的端部之間進行密封。
該第1管路保持連接結構中，可藉由所述卡止部來阻止第1管路朝向真空容器外側方向的移動。而且，由於為第1管路的端部的公螺紋部與第2管路的端部的母螺紋部相螺合而連接兩管路的結構，因此即便不使用如現有技術般的無頭螺栓及螺母等，亦可確保襯墊對兩管路間的密封性能來連接第1管路與第2管路。
本發明的第2管路保持連接結構為內部供流體流動的管路貫穿真空容器的開口部的部分的結構，所述管路保持連接結構的特徵在於包括：外殼，以氣密地封閉所述開口部的方式而固定於所述真空容器外壁，且在其內部具有貫穿孔以及與所述貫穿孔相連的第1母螺紋部及第2母螺紋部；第1管路，設置於所述真空容器內且在內部供所述流體流動，其端部附近貫穿所述真空容器的開口部，且在所述端部附近具有卡止部，所述卡止部與所述外殼的真空容器側端部卡合，以阻止所述第1管路朝向真空容器外側方向的移動，進而在端部具有公螺紋部，所述公螺紋部與所述外殼的第1母螺紋部螺合，以連接所述第1管路與所述外殼；襯墊，對所述外殼與所述第1管路之間進行真空密封；第2管路，設置於所述真空容器外且在內部供所述流體流動；以及接頭，具 有連接所述第2管路的端部的部分、及與所述外殼的第2母螺紋部螺合的公螺紋部，將所述第2管路以密封所述流體的狀態而連接於所述外殼。
該第2管路保持連接結構中，可藉由所述卡止部來阻止第1管路朝向真空容器外側方向的移動。進而，由於為第1管路的端部的公螺紋部與外殼的第1母螺紋部相螺合的結構，因此可協同所述卡止部來更確實地阻止第1管路的軸向移動。
而且，由於為使第1管路端部的公螺紋部螺合於外殼的第1母螺紋部，且藉由與該外殼的第2母螺紋部螺合的接頭來將第2管路連接於外殼的結構，因此即便不使用如現有技術般的無頭螺栓及螺母等，亦可確保各連接部的密封性能來連接第1管路與第2管路。
本發明的高頻天線裝置中，所述第1管路包括導體，其兩端部附近分別貫穿在所述真空容器的壁面上所設的兩個開口部，且在所述第1管路的各端部附近貫穿各所述開口部的部分，包括所述第1管路保持連接結構或所述第2管路保持連接結構。亦可在第1管路的其中一個端部附近包括所述第1管路保持連接結構，且在另一個端部附近包括所述第2管路保持連接結構。
根據第1發明所述的發明，由於為第1管路端部的公螺紋部與第2管路端部的母螺紋部相螺合而連接兩管路的結構，因此即便不使用如現有技術般的無頭螺栓及螺母等，亦可確保襯墊 對兩管路間的密封性能來連接第1管路與第2管路。其結果，與使用無頭螺栓及螺母等的情況相比，可減小該結構整體的寬度，且可減少零件數及裝配作業步驟。
根據第2發明所述的發明，由於為使第1管路端部的公螺紋部螺合於外殼的第1母螺紋部，且藉由與該外殼的第2母螺紋部螺合的接頭來將第2管路連接於外殼的結構，因此即便不使用如現有技術般的無頭螺栓及螺母等，亦可確保各連接部的密封性能來連接第1管路與第2管路。其結果，與使用無頭螺栓及螺母等的情況相比，可減小該結構整體的寬度，且可減少零件數及裝配作業步驟。
進而，由於為第2管路經由接頭而連接於外殼的結構，因此第2管路的形狀、材質等的選擇自由度增大。
根據第3發明所述的發明，可實現起到與第1發明所述的發明的所述效果同樣的效果的高頻天線裝置。
根據第4發明所述的發明，可實現起到與第2發明所述的發明的所述效果同樣的效果的高頻天線裝置。
根據第5發明所述的發明，可實現一種高頻天線裝置，對於具備第1發明所述的管路保持連接結構的部分，起到與第1發明所述的發明的所述效果同樣的效果，對於具備第2發明所述的管路保持連接結構的部分，起到與第2發明所述的發明的所述效果同樣的效果。
根據第6發明所述的發明，起到以下的進一步的效果。 即，採用了下述結構，所述結構藉由中空絕緣體來將作為高頻天線發揮功能的第1管路分割為多個區域，且藉由設置在各中空絕緣體外周部的電容器而將所述多個區域電性串聯連接，簡單而言，第1管路的合成電抗(reactance)為從感應性電抗減去電容性電抗的形式，因此可降低第1管路的阻抗(impedance)。其結果，即使在加長第1管路的情況下，亦可抑制該阻抗的增大。因而，可抑制在該第1管路的兩端間產生大的電位差的現象。而且，即使在加長第1管路的情況下，亦可抑制該阻抗的增大，因此高頻電流容易流經第1管路。
根據第7發明所述的發明，起到以下的進一步的效果。即，由於第1管路的位於真空容器內的部分被配置在絕緣管路內，因此可藉由該絕緣管路來保護第1管路。例如，即便將該高頻天線裝置用於電漿生成，亦可防止電漿中的帶電粒子入射至第1管路。其結果，可抑制因電漿入射至第1管路造成的電漿電位的上升，並且可防止第1管路因電漿中的帶電粒子而受到濺蝕(sputter)。
2‧‧‧流體
4‧‧‧真空容器
6‧‧‧開口部
8、32‧‧‧外殼
9‧‧‧螺孔
10、34、95‧‧‧螺栓
12、14、28‧‧‧O型環
16‧‧‧第1管路
18‧‧‧第2管路
20、52‧‧‧卡止部
22‧‧‧凸緣部
24‧‧‧無頭螺栓
26、86‧‧‧螺母
30a、30b‧‧‧管路保持連接結構
35、53‧‧‧圓錐狀部
36、54‧‧‧平坦部
38‧‧‧貫穿孔
40‧‧‧第1母螺紋部
42‧‧‧第2母螺紋部
50、60‧‧‧管路
51‧‧‧區域
56、58、84‧‧‧公螺紋部
62‧‧‧母連接器
64‧‧‧母螺紋部
71~77‧‧‧襯墊
80‧‧‧接頭
82‧‧‧管路插入孔
88‧‧‧螺母部
90a、90b‧‧‧高頻天線裝置
92、93‧‧‧絕緣物
94‧‧‧絕緣管路
96‧‧‧中空絕緣體
98、99‧‧‧螺紋部
100‧‧‧電容器
102‧‧‧第1電極
104‧‧‧第2電極
106‧‧‧介電質
120‧‧‧真空排氣裝置
122‧‧‧基板
124‧‧‧基板固定架
125‧‧‧氣體導入口
126‧‧‧氣體
128‧‧‧電漿
130‧‧‧高頻電源
132‧‧‧匹配電路
IR‧‧‧高頻電流
L‧‧‧電感
R‧‧‧電阻
C‧‧‧靜電容量
W‧‧‧寬度
圖1是表示現有的管路保持連接結構的一例的剖面圖。
圖2是表示本發明的管路保持連接結構的一實施形態的剖面圖。
圖3是表示圖2中的凸緣周圍的平面圖，是沿線D-D方向觀察圖2所示的剖面圖。
圖4是圖2中的A部放大圖。
圖5是表示本發明的管路保持連接結構的另一實施形態的剖面圖。
圖6是表示將圖5所示的管路保持連接結構用於高頻天線裝置時的示例的剖面圖。
圖7是表示本發明的高頻天線裝置的一實施形態的剖面圖，圖中的B-B部緊跟著B'-B'部。
圖8是表示本發明的高頻天線裝置的另一實施形態的剖面圖，圖中的C-C部緊跟著C'-C'部。
圖9是表示圖8中的一個中空絕緣體及電容器周圍的一例的放大剖面圖。
圖10是圖8所示的高頻天線裝置的電氣等效電路圖。
圖11是表示具備本發明的高頻天線裝置的感應耦合型電漿處理裝置的一例的概略剖面圖。
(1)管路保持連接結構
圖2表示本發明的管路保持連接結構的一實施形態。
該管路保持連接結構30a是內部供流體2流動的管路(本實施形態中為第1管路50)貫穿真空容器4的開口部6的部 分的結構。真空容器4例如為金屬製。開口部6既可直接形成在真空容器4上，亦可形成在安裝於真空容器4的凸緣上。後者的情況下的凸緣可視為真空容器4的一部分，因此本申請案中包括兩者的情況在內而稱作真空容器4的開口部6。
流體2為液體或氣體。例如，在作為第1管路50發熱或熱從他處傳來此處的對策而對管路50進行冷卻的情況下，作為流體2，只要採用冷卻水之類的製冷劑即可。圖7、圖8所示的高頻天線裝置90a、高頻天線裝置90b為此情況的示例。而且，當通過第1管路50向真空容器4內導入各種氣體時，作為流體2，只要採用各種氣體即可。
在真空容器4的外壁，以氣密地封閉開口部6的方式，在本實施形態中使用4根螺栓34而固定有外殼32。該螺栓34的平面配置示例如圖3所示。若如本例般將螺栓34配置於外殼32的四角，則可進一步減小外殼32的寬度W。在外殼32與真空容器4之間，設置有對兩者間進行真空密封的襯墊71。外殼32例如為金屬製，但亦有時設為絕緣物製(此情況後述)。
襯墊71例如為O型環，但亦可為其他襯墊。後述的其他襯墊72~襯墊77亦同樣。
設置於真空容器4內且內部供所述流體2流動的第1管路50的端部附近貫穿真空容器4的開口部6及外殼32。該管路50在其端部具有公螺紋部56。
第1管路50進而在其端部附近具有卡止部52，該卡止 部52與外殼32的真空容器4側端部卡合，以阻止該管路50朝向真空容器4外側方向的移動。圖4中放大表示該卡止部52的一例。外殼32在該貫穿孔38的真空容器4側端部的周圍具有圓錐狀部35，且管路50在其外周部具有圓錐狀部53，該圓錐狀部53呈與該圓錐狀部35對應的形狀，與圓錐狀部35卡合，以阻止管路50朝向真空容器4外側方向的移動。藉由使用此種圓錐狀部35、圓錐狀部53來構成卡止部52，從而容易使管路50的中心軸對準外殼32(具體而言為該貫穿孔38)的中心軸。不過，卡止部52亦可為圖5所示的示例般的具有平坦部36、平坦部54的卡止部。
藉由所述卡止部52，可阻止第1管路50的軸向移動中的、朝向真空容器4外側方向的移動。可容許管路50朝向與所述為相反方向的移動、例如因熱膨脹等引起的移動。
在外殼32與第1管路50之間，設置有對兩者間進行真空密封的襯墊72。
該管路保持連接結構30a進而具備第2管路60，該第2管路60設置於真空容器4外且內部供所述流體2流動。該管路60在其端部具有母螺紋部64，該母螺紋部64與所述第1管路50的公螺紋部56螺合以連接兩管路50、60。本例中，母螺紋部64是形成於在管路60的端部所設的母連接器62內。
在第1管路50的端部與第2管路60的端部之間，設置有對兩者間進行密封(seal)的襯墊73。
第1管路50及第2管路60的材質例如為銅、鋁、該些 的合金、不鏽鋼(stainless)等金屬，但並不限於此。後述的其他實施形態中亦同樣。外殼32為金屬製的情況下的材質例如亦與所述相同。
該管路保持連接結構30a可藉由如上所述的結構來相對於真空容器4而保持第1管路50，並且可連接該第1管路50與第2管路60。因而，可從管路60朝向管路50或與此相反地供給流體2。
該管路保持連接結構30a是第1管路50端部的公螺紋部56與第2管路60端部的母螺紋部64相螺合而連接兩管路50、60的結構，因此即便不使用如現有技術般的無頭螺栓及螺母等，亦可確保襯墊73對兩管路50、60間的密封性能來連接第1管路50與第2管路60。其結果，與使用無頭螺栓及螺母等的情況相比，可減小該結構30a整體的寬度W(參照圖3)，且可減少零件數及裝配作業步驟。
接下來，將管路保持連接結構的另一實施形態示於圖5。對於與所述管路保持連接結構30a相同或相當的部分標註相同的符號，以下主要說明與其不同點。
構成圖5所示的管路保持連接結構30b的外殼32在其內部具有貫穿孔38、以及與該貫穿孔38相連的第1母螺紋部40及第2母螺紋部42。以氣密地封閉開口部6的方式將該外殼32固定於真空容器4外壁的結構與所述管路保持連接結構30a的情況相同。
設置在真空容器4內的第1管路50的端部附近貫穿真空容器4的開口部6。該管路50在其端部具有公螺紋部58，該公螺紋部58與外殼32的第1母螺紋部40螺合而連接管路50與外殼32。
第1管路50進而在其端部附近，具有卡止部52，該卡止部52與外殼32的真空容器4側端部卡合，以阻止該管路50朝向真空容器4外側方向的移動。更具體而言，外殼32在該貫穿孔38的真空容器4側端部的周圍具有平坦部36，且管路50在其外周部具有平坦部54，該平坦部54與平坦部36卡合以阻止管路50朝向真空容器4外側方向的移動。藉由使用此種平坦部36、平坦部54來構成卡止部52，從而可在規定位置更確實地阻止管路50朝向真空容器4外側方向的移動。不過，卡止部52亦可為圖2、圖4所示的示例般的具有圓錐狀部35、圓錐狀部53的卡止部。
藉由所述卡止部52，可阻止第1管路50的軸向移動中的、朝向真空容器4外側方向的移動。進而，由於為第1管路50端部的公螺紋部58與外殼32的第1母螺紋部40相螺合的結構，因此可協同所述卡止部52來更確實地阻止第1管路50的軸向移動。且可使管路50的中心軸確實地對準外殼32的中心軸。
在外殼32與第1管路50之間，設置有對兩者間進行真空密封的襯墊74。
該管路保持連接結構30b具備第2管路60，該第2管路60設置於真空容器4外且在內部供所述流體2流動。
該管路保持連接結構30b更具備接頭80，該接頭80將所述第2管路60以密封(seal)流體2的狀態而連接至外殼32。該接頭80具有：管路插入孔82，連接管路60的端部的部分；以及公螺紋部84，螺合於外殼32的第2母螺紋部42。
該接頭80例如為公知的套圈(ferrule)接頭，其中具有套圈(緊固環)，藉由將第2管路60的端部插入至管路插入孔82並緊固螺母86，從而可將管路60與接頭80予以結合。藉由在此狀態下轉動螺母部88，從而可將該接頭80結合至外殼32或者解除該結合。不過，接頭80並不限於套圈接頭。
另外，套圈接頭的示例在多個專利文獻中有所記載。例如，在日本專利特開2006-207795號公報中有所記載。
所述外殼32的第2母螺紋部42及接頭80的公螺紋部84既可為通常的平行螺紋，亦可採用錐形螺紋。若採用錐形螺紋，則可進一步提高密封(seal)性能。
該管路保持連接結構30b可藉由如上所述的結構來相對於真空容器4而保持第1管路50，並且可連接該第1管路50與第2管路60。因而，可從管路60朝向管路50或與此相反地供給流體2。
該管路保持連接結構30b為下述結構，即，使第1管路50的端部的公螺紋部58螺合於外殼32的第1母螺紋部40，且藉由與該外殼32的第2母螺紋部42螺合的接頭80來將第2管路60連接至外殼32，因此即便不使用如現有技術般的無頭螺栓及螺母 等，亦可確保各連接部的密封性能來連接第1管路50與第2管路60。其結果，與使用無頭螺栓及螺母等的情況相比，可減小該結構30b整體的寬度W(參照圖3)，且可減少零件數及裝配作業步驟。
進而，第2管路60為經由接頭80而連接至外殼32的結構，因此第2管路60的形狀、材質等的選擇自由度增大。例如，作為第2管路60，可使用具有可撓性的管等，將該管路60以彎曲的狀態連接於外殼32，因此即使在狹窄的場所，亦容易配置管路60。
所述管路保持連接結構30a及管路保持連接結構30b例如可用於構成電漿處理裝置等的高頻天線裝置。以下對此進行詳述。除此以外，亦可用於離子源等。例如，可用於饋通孔(feed-through)(電流導入端子)，該饋通孔(電流導入端子)用於對在構成離子源的真空容器內所設的電極或絲極(filament)供給製冷劑及電力。此時，第1管路50直接或間接地連接於所述電極或絲極。
(2)高頻天線裝置
接下來，對具備所述管路保持連接結構30a、管路保持連接結構30b的高頻天線裝置的實施形態進行說明。以下，對於與所述管路保持連接結構30a、管路保持連接結構30b相同或相當的部分標註相同的符號，主要說明與其不同點。
圖7表示本發明的高頻天線裝置的一實施形態。該高頻 天線裝置90a中，設置於真空容器4內的所述第1管路50包含導體，其兩端部附近分別貫穿在真空容器4的壁面上所設的兩個開口部6。更具體而言，本實施形態中，管路50呈直線狀，其兩端部附近分別貫穿在真空容器4的相對向的壁面上所設的兩個開口部6。
此時的第1管路50的材質例如為如前所述者，該些材質中，較佳為銅、鋁、該些的合金等高導電率者。
在所述第1管路50的各端部附近貫穿各開口部6的部分，具備一結構，該結構是參照圖2等所說明的所述管路保持連接結構30a，且其外殼32為絕緣物製。
因此，第1管路50藉由設置在其兩端部附近的兩個所述卡止部52(參照圖2等)，而阻止沿著其軸向的兩方向的移動。
外殼32的材質例如為氧化鋁(alumina)等陶瓷(ceramics)、石英或聚苯硫醚(Polyphenylene Sulfide，PPS)、聚醚醚酮(Polyether Ether Ketone，PEEK)等工程塑膠(engineering plastic)等，但並不限於此。
在真空容器4的各開口部6，設置有將真空容器4與第1管路50之間電性絕緣的絕緣物92。該絕緣物92的材質例如是作為所述外殼32的材質而例示者，但並不限於此。
所述第1管路50使高頻電流IR(其方向根據時間而反轉)從高頻電源(例如參照圖11的高頻電源130)流動而作為高頻天線發揮功能。用於使高頻電流IR流經該管路50的電性連接例 如只要利用從外殼32朝外突出的部分的管路50、或在第2管路60包含導體的情況下利用連接於管路50的管路60的部分來進行即可。
管路50具有電阻，因此會因高頻電流IR流經其中而發熱(即，產生焦耳(Joule)熱)。該管路50可藉由流經其中的流體(例如冷卻水，以下同樣)2來進行冷卻。
根據該高頻天線裝置90a，可實現起到與所述管路保持連接結構30a所起的所述效果同樣的效果的高頻天線裝置。
如本例般，亦可將作為高頻天線發揮功能的第1管路50的位於真空容器4內的部分，配置於絕緣管路94內。絕緣管路94的材質例如為石英、氧化鋁、氟樹脂、氮化矽、碳化矽、矽等，但並不限於此。
藉由以所述方式構成，可藉由絕緣管路94來保護第1管路50。例如，將該高頻天線裝置90a用於電漿生成(例如參照圖11所示的電漿處理裝置)，亦可防止電漿中的帶電粒子入射至第1管路50。其結果，可抑制因電漿入射至第1管路50造成的電漿電位的上升，並且可防止第1管路50因電漿中的帶電粒子而受到濺蝕。其結果，例如，可抑制對電漿產生金屬污染(metal contamination)。
較佳為第1管路50如本例般，隔著空間而配置於所述絕緣管路94內。如此，即使因高頻電流IR流經管路50而管路50的電位上升，亦可抑制絕緣管路94表面的電位上升。其結果，例 如可抑制所述電漿的電位上升。圖8所示的高頻天線裝置90b的情況亦相同。
亦可採用下述結構，即：如圖8所示的高頻天線裝置90b般，藉由串聯地介隔存在1個以上的中空絕緣體96，從而將作為高頻天線發揮功能的第1管路50的位於真空容器4內的部分電性分割為多個區域51，且在各中空絕緣體96的外周部分別設置層狀的電容器100，經由該電容器100來將所述多個區域51電性串聯連接。此時的電性等效電路的示例如圖10所示。
各中空絕緣體96的材質例如為氧化鋁等陶瓷、氟樹脂、聚乙烯(Polyethylene，PE)或聚苯硫醚(PPS)、聚醚醚酮(PEEK)等工程塑膠等，但並不限於此。
該高頻天線裝置90b為各具有兩個中空絕緣體96及電容器100，且將第1管路50電性分割為三個區域51的示例，但管路50的分割數並不限於此。
各電容器100亦可主要藉由與中空絕緣體96之間的導熱，從而借助流經管路50內的流體2來進行冷卻。
圖9放大表示圖8中的一個中空絕緣體96及電容器100周圍的一例。對於電容器100，為了便於理解其結構，與其他要素相比加大厚度而放大圖示。
在各中空絕緣體96與其左右的區域51之間，設置有結合用的螺紋部98、螺紋部99及流體2密封用的襯墊75、襯墊76。
各電容器100具有：(a)第1電極102，是配置於中空 絕緣體96外周部的電極，與連接於該中空絕緣體96的其中一側的區域51電性連接；(b)第2電極104，是以與第1電極102重疊的方式而配置於中空絕緣體96外周部的電極，與連接於該中空絕緣體96的另一側的區域51電性連接；以及(c)介電質106，配置於第1電極102與第2電極104之間。
各電容器100既可分別各具有1層第1電極102、第2電極104及介電質106(圖9表示此時的示例)，亦可分別各具有多層。
所述高頻天線裝置90b採用了下述結構，即，藉由中空絕緣體96來將作為高頻天線發揮功能的第1管路50分割為多個區域51，且藉由設置在各中空絕緣體96外周部的電容器100而將所述多個區域51電性串聯連接，簡單而言，第1管路50的合成電抗為從感應性電抗減去電容性電抗的形態，因此可降低第1管路50的阻抗。
對此，以圖10所示的等效電路的情況為例進行說明。此處，設各區域51的電感為L、電阻為R、各電容器100的靜電容量為C。只要將各區域51設為彼此實質上相同的長度，則各區域51的電感L與電阻R便可成為實質上相同的值。該第1管路50的阻抗Z可以下式表示。ω為高頻電流IR的角頻率，j為虛數單位。
Z=3R+j(3ωL-2/ωC)
所述式的虛數部為第1管路50的合成電抗，為從感應性電抗3ωL減去電容性電抗2/ωC的形式，因此，藉由將電容器100串聯連接，從而可降低第1管路50的阻抗Z。換言之，可適當選定區域51及電容器100的個數等，因此，不論第1管路50的長度如何，均可藉此來將第1管路50的阻抗Z設計為適當的值。
其結果，即使在加長第1管路50的情況下，亦可抑制該阻抗Z的增大。因而，可抑制在該第1管路50的兩端間產生大的電位差。而且，即使在加長第1管路50的情況下，亦可抑制該阻抗Z的增大，因此容易使高頻電流IR流經第1管路50。
如上所述的高頻天線裝置90a或高頻天線裝置90b例如可用於感應耦合型的電漿處理裝置，該感應耦合型的電漿處理裝置藉由因使高頻電流IR流經高頻天線而產生的感應電場來生成感應耦合型電漿(簡稱ICP(Inductively Coupled Plasma))，使用該電漿來對基板實施處理。將此種電漿處理裝置的概略例示於圖11。
在藉由真空排氣裝置120而受到真空排氣，並且經由氣體導入口125而導入所需氣體126的真空容器4內，設置有基板固定架(holder)124，該基板固定架124保持欲處理的基板122。並且，以呈直線狀的第1管路50在基板122的上方橫切真空容器4內的方式，而設置有所述高頻天線裝置90a或高頻天線裝置90b。該些高頻天線裝置90a、90b在此處極其簡化地圖示。
高頻電流IR從高頻電源130經由匹配電路132而流至構成高頻天線裝置90a或高頻天線裝置90b的第1管路50中。高頻電流IR的頻率例如為通常的13.56MHz，但並不限於此。
藉由使高頻電流IR流經第1管路50，從而在第1管路50的周圍產生高頻磁場，藉此，與高頻電流IR逆向地產生感應電場。藉由該感應電場，在真空容器4內，電子受到加速而使第1管路50附近的氣體126電離，從而在第1管路50附近產生電漿(即感應耦合型的電漿)128。該電漿128擴散至基板122附近，藉由該電漿128，可對基板122實施例如基於化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法等的膜形成、蝕刻(etching)、灰化(ashing)、濺鍍(sputtering)等處理。
亦可取代構成所述高頻天線裝置90a、高頻天線裝置90b的所述兩個管路保持連接結構30a，而具備兩個圖5所示的管路保持連接結構30b。
將所述管路保持連接結構30b用於高頻天線裝置的情況的示例示於圖6。以下，主要說明與使用所述管路保持連接結構30a時的不同點。
此時，外殼32為金屬製，且在真空容器4的開口部6及其周圍，設置有將真空容器4與第1管路50及外殼32之間電性絕緣的絕緣物93。絕緣物93藉由螺栓95而固定於真空容器4，絕緣物93與真空容器4之間藉由襯墊77而真空密封。絕緣物93亦可分為真空容器4與第1管路50之間的絕緣用者、和真空容器 4與外殼32之間的絕緣用者。絕緣物93的材質例如為與所述絕緣物92的材質相同者，並不限於此。用於使高頻電流IR流經管路50的電性連接例如只要利用金屬製的外殼32的部分來進行即可。
在高頻天線裝置具備兩個所述管路保持連接結構30b的情況下，可實現起到與所述管路保持連接結構30b所起的所述效果同樣的效果的高頻天線裝置。
而且，亦可將構成所述高頻天線裝置90a、高頻天線裝置90b的兩個管路保持連接結構中的其中一個設為所述管路保持連接結構30a，將另一者設為所述管路保持連接結構30b。如此，可實現下述天線裝置：對於具備管路保持連接結構30a的部分，起到與所述管路保持連接結構30a所起的所述效果同樣的效果，對於具備管路保持連接結構30b的部分，起到與所述管路保持連接結構30b所起的所述效果同樣的效果。
2‧‧‧流體
4‧‧‧真空容器
6‧‧‧開口部
30a‧‧‧管路保持連接結構
32‧‧‧外殼
34‧‧‧螺栓
38‧‧‧貫穿孔
50、60‧‧‧管路
52‧‧‧卡止部
56‧‧‧公螺紋部
62‧‧‧母連接器
64‧‧‧母螺紋部
71、72、73‧‧‧襯墊

Claims (7)

  1. 一種管路保持連接結構，其為內部供流體流動的管路貫穿真空容器的開口部的部分的結構，所述管路保持連接結構的特徵在於包括：外殼，以氣密地封閉所述開口部的方式而固定於所述真空容器的外壁；第1管路，設置於所述真空容器內且在內部供所述流體流動，且所述第1管路的端部附近貫穿所述真空容器的所述開口部及所述外殼，且在所述端部附近具有卡止部，所述卡止部與所述外殼的真空容器側端部卡合，以阻止所述第1管路朝向真空容器外側方向的移動，進而在所述第1管路的端部具有公螺紋部；第1襯墊，對所述外殼與所述第1管路之間進行真空密封；第2管路，設置於所述真空容器外且在內部供所述流體流動，且在所述第2管路的端部具有母螺紋部，所述母螺紋部與所述第1管路的所述公螺紋部螺合以連接兩管路；以及第2襯墊，對所述第1管路的端部與所述第2管路的端部之間進行密封。
  2. 一種管路保持連接結構，其為內部供流體流動的管路貫穿真空容器的開口部的部分的結構，所述管路保持連接結構的特徵在於包括：外殼，以氣密地封閉所述開口部的方式而固定於所述真空容器外壁，且在所述外殼的內部具有貫穿孔以及與所述貫穿孔相連 的第1母螺紋部及第2母螺紋部；第1管路，設置於所述真空容器內且在內部供所述流體流動，所述第1管路的端部附近貫穿所述真空容器的開口部，且在所述端部附近具有卡止部，所述卡止部與所述外殼的真空容器側端部卡合，以阻止所述第1管路朝向真空容器外側方向的移動，進而在所述第1管路的端部具有第1公螺紋部，所述第1公螺紋部與所述外殼的所述第1母螺紋部螺合，以連接所述第1管路與所述外殼；襯墊，對所述外殼與所述第1管路之間進行真空密封；第2管路，設置於所述真空容器外且在內部供所述流體流動；以及接頭，具有連接所述第2管路的端部的部分、及與所述外殼的所述第2母螺紋部螺合的第2公螺紋部，將所述第2管路以密封所述流體的狀態而連接於所述外殼。
  3. 一種高頻天線裝置，其特徵在於包括：如申請專利範圍第1項所述的管路保持連接結構，且其所述外殼為絕緣物製，所述第1管路包括導體，所述第1管路的兩端部附近分別貫穿在所述真空容器的壁面上所設的兩個開口部，所述管路保持連接結構設置在所述第1管路的各所述端部附近貫穿各所述開口部的部分，在所述真空容器的各所述開口部，設置有將所述真空容器與 所述第1管路之間電性絕緣的絕緣物，且所述第1管路使高頻電流流經其中而作為高頻天線發揮功能。
  4. 一種高頻天線裝置，其特徵在於包括：如申請專利範圍第2項所述的管路保持連接結構，且其所述外殼為金屬製，所述第1管路包括導體，所述第1管路的兩端部附近分別貫穿在所述真空容器的壁面上所設的兩個開口部，所述管路保持連接結構設置在所述第1管路的各所述端部附近貫穿各所述開口部的部分，在所述真空容器的各所述開口部及其周圍，設置有將所述真空容器與所述第1管路及所述外殼之間電性絕緣的絕緣物，且所述第1管路使高頻電流流經其中而作為高頻天線發揮功能。
  5. 一種高頻天線裝置，其特徵在於包括：如申請專利範圍第1項所述的管路保持連接結構，且其所述外殼為絕緣物製；以及如申請專利範圍第2項所述的管路保持連接結構，且其所述外殼為金屬製，兩個所述管路保持連接結構的所述第1管路不是不同的管路，而是相同的管路，且所述第1管路包括導體，所述第1管路的其中一個端部附近貫穿在所述真空容器的壁面上所設的第1開 口部，所述第1管路的其中另一個端部附近貫穿在所述真空容器的壁面上所設的第2開口部，在所述第1管路的所述其中一個端部附近貫穿所述第1開口部的部分設置所述如申請專利範圍第1項所述的管路保持連接結構，且在所述第1開口部，設置有將所述真空容器與所述第1管路之間電性絕緣的絕緣物，在所述第1管路的所述其中另一個端部附近貫穿所述第2開口部的部分設置所述如申請專利範圍第2項所述的管路保持連接結構，且在所述第2開口部及其周圍，設置有將所述真空容器與所述第1管路及金屬製的所述外殼之間電性絕緣的絕緣物，且所述第1管路使高頻電流流經其中而作為高頻天線發揮功能。
  6. 如申請專利範圍第3項至第5項中任一項所述的高頻天線裝置，其中所述第1管路的位於所述真空容器內的部分藉由串聯地介隔存在1個以上的中空絕緣體，從而被電性分割為多個區域，且在各所述中空絕緣體的外周部分別設置有層狀的電容器，經由所述電容器而將所述多個區域電性串聯連接。
  7. 如申請專利範圍第3項至第5項中任一項所述的高頻天線裝置，其中所述第1管路的位於所述真空容器內的部分是配置於絕緣管路內。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI708526B (zh) * 2018-03-14 2020-10-21 日商日新電機股份有限公司 天線以及電漿處理裝置

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016107880C5 (de) * 2016-04-28 2023-06-22 Asm Automation Sensorik Messtechnik Gmbh Schraubverbindung
FR3054613B1 (fr) * 2016-07-29 2020-04-10 Sogefi Air & Refroidissement France Repartiteur d'admission a echangeur de chaleur integre
JP6615069B2 (ja) * 2016-08-29 2019-12-04 東京エレクトロン株式会社 懸垂型インジェクタの支持構造及びこれを用いた基板処理装置
CN108933074B (zh) * 2017-05-24 2020-06-19 北京北方华创微电子装备有限公司 进气装置和包括该进气装置的腔室
JP7101335B2 (ja) * 2018-03-19 2022-07-15 日新電機株式会社 アンテナ及びプラズマ処理装置
JP7061264B2 (ja) 2018-03-20 2022-04-28 日新電機株式会社 プラズマ制御システム及びプラズマ制御システム用プログラム
GB2572553A (en) * 2018-03-29 2019-10-09 Airbus Operations Ltd Aircraft fuel tank isolator
US11145496B2 (en) * 2018-05-29 2021-10-12 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System for using O-rings to apply holding forces
US10830077B2 (en) 2018-07-17 2020-11-10 Raytheon Technologies Corporation Sealing configuration to reduce air leakage
US10781710B2 (en) 2018-07-17 2020-09-22 Raytheon Technologies Corporation Sealing configuration to reduce air leakage
JP7352068B2 (ja) 2019-07-12 2023-09-28 日新電機株式会社 プラズマ制御システム
CN111022777A (zh) * 2019-12-02 2020-04-17 贵州凯星液力传动机械有限公司 一种液压油管密封装置
DE102021206281A1 (de) 2021-06-18 2022-12-22 Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh Gehäuseanordnung und Dichtsystem

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4542846A (en) * 1982-03-16 1985-09-24 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Method of producing a multiple-wall pipe structure with anticorrosion end protection
JPS606283U (ja) * 1983-06-24 1985-01-17 日新電機株式会社 電気機器収納箱への油導入パイプ用の接続具
JPS60196083U (ja) * 1984-05-31 1985-12-27 株式会社　藤井合金製作所 配管固定装置
US4914177A (en) 1987-07-13 1990-04-03 American Telephone And Telegraph Company Polyquinoxaline polymers, and articles comprising same
JPS6440225A (en) 1987-08-04 1989-02-10 Fujitsu Ltd Manufacture of metal mold for molding
JP3515601B2 (ja) * 1994-01-28 2004-04-05 大阪瓦斯株式会社 水切り部のガス管の改修方法
JPH08165572A (ja) * 1994-12-14 1996-06-25 Nissin Electric Co Ltd 真空処理室における通水装置
US20060099843A1 (en) * 2004-11-01 2006-05-11 Fullner Todd C Dielectric fittings
US7784835B1 (en) * 2006-12-05 2010-08-31 Keays Steven J Pipe connecting member
GB0701600D0 (en) * 2007-01-27 2007-03-07 Deep Tek Ltd Apparatus and method
JP5421551B2 (ja) * 2008-06-11 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5399976B2 (ja) * 2010-05-19 2014-01-29 日新電機株式会社 真空シールおよび配管接続機構
TWI674620B (zh) * 2013-12-13 2019-10-11 日商荏原製作所股份有限公司 真空磁性遮蔽容器的構造

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI708526B (zh) * 2018-03-14 2020-10-21 日商日新電機股份有限公司 天線以及電漿處理裝置

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Publication number Publication date
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