TWI545846B - 終端連接結構及半導體裝置 - Google Patents

Description

終端連接結構及半導體裝置

本發明是有關於一終端連接結構及一種包含該終端連接結構之半導體裝置。

電子組件之外部連接端子(公端子)插入到基板的通孔(母端子)並且利用焊接等連接至該基板的佈線的結構是為人所知的。此結構之示例包含一半導體裝置，其中含有樹脂密封的半導體元件的半導體模組之外部連接端子插入到基板的通孔且利用焊接等連接至該基板的佈線。(例如，參考日本專利申請案號2010-199622(JP2010-199622A))

然而，在上述技術中，由於用焊接或類似之連接端子至佈線的製程是必須的，製造過程是複雜的。因此，利用公端子連接至母端子的終端連接結構來代替由焊接之類連接端子至佈線是較為理想的。

然而，這種終端連接結構可安裝在容易受震動影響的環境中所使用的電子器材，例如車載環境。因此，一種考慮到終端的初始磨損滑動、磨損之耐久性或者該端子之變 形量之結構是必需的。

本發明提供一種終端連接結構及包含該終端連接結構其可確保端子的耐久性之半導體裝置。

根據本發明之第一方面，提供一種終端連接結構，包含：一個公端子，及與公端子嵌合之母端子。該公端子包含第一金屬材料和形成在公端子的最外表面之第一金屬薄膜直接或間接地包覆該第一金屬材料。該母端子包含第二金屬材料和形成在母端子的最外表面之第二金屬薄膜直接或間接地包覆該第二金屬材料。該第一金屬材料的硬度是不同於該第二金屬材料的硬度。

根據本發明之第二方面，提供了一種半導體裝置，包含：根據本發明之第一方面的終端連接結構；以及安裝連接器於其上的基板。公端子是半導體模組之外部連接端子。母端子是配置在該連接器上。

根據本發明之第一和第二方面，提供一連接結構和可確保端子耐久性之半導體裝置。

1‧‧‧半導體裝置

16,17‧‧‧公端子

18‧‧‧密封樹脂

10‧‧‧半導體模組

20‧‧‧基板

30‧‧‧連接器

31‧‧‧母端子

11~15‧‧‧金屬板

20X‧‧‧貫穿部

161‧‧‧金屬材料

162,163‧‧‧金屬薄膜

311‧‧‧金屬材料

312‧‧‧金屬薄膜

下面參照附圖描述本發明之示例性實施例之特徵、優點及技術上和工業上的重要性，其中相同的標號代表相同的元件，且其中：圖1A和圖1B是根據本發明之第一實施例之半導體 裝置的圖示；圖2是根據本發明第一實施例之半導體模組的透視圖；圖3是顯示公端子嵌合至母端子部分的構造之示意性橫剖面圖；圖4是磨損減少之示意性橫剖面圖；圖5是說明銅材硬度的SN曲線之圖示；圖6是表面處理材料的維氏度硬度與變形量之間的關係的圖示。

在下文中將參照圖示來敍述本發明之實施例。在每個實施例中，半導體裝置其中做為半導體模組之外部連接端子之公端子嵌入至配置於基板上的連接器的母端子，將做為終端連接結構的例子來描述。然而，根據本發明之終端連接結構並不限於這些實施例。例如，做為一不配備有半導體元件之電子元件(如電容器)外部連接端子之公端子可嵌入配置於基板上的連接器的母端子。或者，突出於安裝在第一基板上的第一連接器的公端子可與配置於第二基板上的第二連接器的母端子嵌合。在每個圖示中，相同的部件由相同的附圖標記表示，且不再重複說明。

第一實施例

圖1A和1B是根據本發明之第一實施例之半導體裝 置的圖示。圖1A為一透視圖，而圖1B為沿面一個平面平行於圖1A的YZ平面，且穿過公端子16(下面所述)的一個剖視圖。如圖1A和1B所示的半導體裝置1，包含半導體模組10、基板20和連接器30。在該半導體裝置1中，公端子16、17其為半導體模組10的外部連接端子，穿過基板20與配置在連接器30的母端子31嵌合。

以下，將敍述該半導體裝置1。首先，先簡要說明該半導體模組10，基板20，和連接器30，再詳細說明該半導體模組10的公端子16、17嵌合在連接器30的母端子31的部份的結構(終端連接結構)。

首先，將敍述該半導體模組10。半導體模組10的內部結構沒有特別的限制，只要包含一個公端子做為外部連接端子。然而，在此實施例中，半導體模組包含IGBT(絕緣閘雙極電晶體)和二極體做為示例來描述。

圖2是根據第一實施例的半導體模組的透視圖。參照圖1A至圖2，該半導體模組10包含一個金屬板11、一個金屬板12、一個金屬板13、一個金屬板14、一個金屬板15、多個公端子16、多個公端子17、和密封樹脂18。

在該半導體模組10中，配置第一半導體元件(未圖示)插入於金屬板11和14之間。此外，配置第二半導體元件(未圖示)插入於金屬板13和15之間。

金屬板11、12、13是電性連接至該第一和第二半導體元件的任一或兩者的電極，並且可做為該第一和第二半導體元件的輸入和輸出端子的一部分。此外，該金屬板 11到15可以將在操作第一半導體元件或第二半導體元件時所產生的熱散耗至外部。

可使用銅(Cu)或鋁(Al)做為金屬板11至15的材料。可在金屬板11至15的表面上形成電鍍。該金屬板11至15可從導線架製造。

舉例來說，該第一半導體元件是安裝在車輛上構成反向電路或升降型轉換器電路的IGBT，以及連接IGBT的射極和集極之間的續流二極管。第二半導體元件與第一半導體元件的情況相同。

公端子16是金屬端子，其為半導體模組10的外部連接端子且經由打線，電性上連接至第一半導體元件、溫度感測器和其相似物。公端子17是金屬端子，其為半導體模組10的外部連接端子且經由打線，電性上連接至第二半導體元件、溫度感測器和其相似物。

金屬板11至15、公端子16，17、與第一和第二半導體元件是以密封樹脂18密封著。且，金屬板11至13的端部從密封樹脂18向外側突出。此外，金屬板14，15的預定表面是從密封樹脂18向外露出。更進一步地，公端子16，17的端部從密封樹脂18向外突出。金屬板11至13的端部和公端子16，17旳端部在Z的方向與相反的方向突出。可使用含有填料的環氧基樹脂可做為密封樹脂18的材料。

參照圖1，基板20是半導體模組10被安裝其上的部分。在該基板20上，可以提供用於驅動該半導體模組10 的電路(未圖示)。舉例來說，可以使用玻璃布浸漬絕緣樹脂如環氧基樹脂、矽基板、或陶瓷基板之所謂的環氧玻璃基板來做為基板20。在基板20上可配置多個佈線層。

半導體模組10之公端子16，17所插入之多個貫穿部20x形成於基板20上。各個貫穿部20x的平面形狀可以是，例如矩形或圓形，在垂直於其軸向的方向符合該公端子16，17的剖面形狀。這裡所述的平面形狀是指從該基板20的一個表面20a的法線方向觀察目標的形狀。

為了使公端子16，17可插入貫穿部20x，在垂直於軸向的方向，形成各個貫穿部20x的平面形狀大於公端子16，17的剖面形狀。因此，在各個貫穿部20x的內側壁面和各個公端子16，17的側部之間存有空隙。例如，貫穿部20x可以是孔洞或凹槽穿透基板20。

連接器30是安裝在基板20的表面20a側。該連接器30包含各自對應於公端子16，17的母端子31。各個母端子31可電連接至形成於基板20上的電路。

半導體模組10的公端子16，17從基板20表面20a的對面之表面20b側，通過貫穿部20x插入連接器30的母端子31，使得公端子16，17嵌合至母端子31。因此，半導體模組10的第一和第二半導體元件通過公端子16，17和連接器30的母端子31電性上連接至基板20上的佈線(電路)。

在此半導體裝置1中，單一半導體模組10通過基板20嵌合至連接器30。然而，多個半導體模組10通過基板 20，可以嵌合至分別對應於該半導體模組10的連接器30。

接下來，將詳細描述該半導體模組10的公端子16，17嵌合至連接器30的母端子31之部分的結構(端子連接結構)。圖3是一剖面示意圖，顯示公端子嵌合至母端子的部分的結構，且顯示對應於圖1B之剖面的一部分之放大圖。

參照圖3，公端子16包含在中心形成的基材之金屬材料161，和形成包覆該金屬材料161之金屬薄膜162，以及形成在該公端子16的最外表面來包覆金屬薄膜162的表面處理材料之金屬薄膜163。這裡描述的基材是指形成一個基底用來形成表面處理材料等的一個部分。該金屬材料161可被認為是根據本發明第一金屬材料的代表性示例。此外，金屬薄膜163可被認為是根據本發明第一金屬薄膜的代表性示例。

金屬薄膜162不是公端子16的必要組成部分，且金屬薄膜163可以直接或間接地形成來包覆金屬材料161。亦即，金屬薄膜163可以形成在公端子16的最外表面，直接地或間接地包覆金屬材料161。雖然公端子17未圖示出，公端子17是與公端子16具有相同的結構。

金屬材料161，例如，可以使用含有銅(Cu)，銅合金，鋁(Al)，或鋁合金做為主要成分之金屬板。舉例來說，金屬材料161的厚度可以大約是0.2mm至0.8mm。這裡所述的主要成分是指在該構件含有多個金屬或添加物 之類時，在該構件具有最高含量(以wt%)的材料。在這種情況下，金屬或添加物等之主要成分以外將被當做次要成分。

金屬薄膜162，例如，可以使用含有鎳(Ni)做為主要成分之金屬薄膜。金屬薄膜162的厚度可以大約是2μm至15μm。金屬薄膜162可以形成在金屬材料161上，例如利用電鍍。此外，金屬薄膜162可以具有多個金屬薄膜層疊的結構。例如，金屬薄膜162可以具有鎳(Ni)膜在金屬材料161側，且鈀(Pd)膜在金屬薄膜163側層疊的結構。

金屬薄膜163，例如，可以使用含有貴金屬如金(Au)，鉑(Pt)，鈀(Pd)，或銠(Rh)做為主要成分之金屬薄膜。金屬薄膜163的厚度可以大約是0.3μm至0.8μm。金屬薄膜163可以形成在金屬薄膜162上，例如，利用電鍍。

母端子31包含做為基材的金屬材料311，和形成在該母端子31的最外表面包覆著金屬材料311的表面處理材料之金屬薄膜312。金屬材料311可被認為是根據本發明之第二金屬材料之代表性示例。此外，金屬薄膜312可被認為是根據本發明之第二金屬薄膜之代表性示例。

母端子31具有彈簧特性。母端子31包含分別設置在公端子16的相對側並且具有相同結構之部分。母端子31利用其彈簧特性，以母端子31的相對部向下壓公端子16的相對側，以便在兩個點固持住公端子16。母端子31的 金屬薄膜312與公端子16的金屬薄膜163接觸。母端子31可以由分別設置在公端子16相對側之多個的母端子所構成。

母端子31的相對部分被配置成彼此相對一間距的位置，插入前該公端子16可被插入該母端子31且從另一側由於插入後之彈性被該母端子31之相對部件壓入，以至於該金屬薄膜312之部件面對內(朝向和該公端子16接觸那一側)。母端子31在公端子16的相對側的部分，是集成於連接器30且電性連接(未圖示)。

金屬材料311，例如可以使用含有銅(Cu)，銅合金，鋁(Al)，或鋁合金做為主要成分之金屬板。金屬材料311的厚度可以大約是0.1mm至0.3mm。

金屬薄膜312，例如可以使用含有貴金屬如金(Au)，鉑(Pt)，鈀(Pd)，或銠(Rh)做為主要成分之金屬薄膜。金屬薄膜312的厚度可以大約是0.3μm至0.8μm。金屬薄膜312可以形成在金屬材料311上，例如，利用電鍍。金屬薄膜312的硬度可以與金屬薄膜163的硬度相同。

母端子31在金屬材料311和金屬薄膜312之間具有一金屬薄膜。該金屬材料311和金屬薄膜312間的金屬薄膜的材料和厚度是與公端子16的金屬薄膜162相同。

在實施例中，公端子16的基材之金屬材料161的硬度(維氏硬度)與母端子31的基材之金屬材料311的硬度彼此不同。特別地是，母端子31的金屬材料311的硬度被製成高於公端子16的金屬材料161的硬度。亦即，母 端子31的金屬材料311製成硬於公端子16的金屬材料161。

如此一來，使母端子31的金屬材料311比公端子16的金屬材料161硬，即便該半導體裝置1是在容易受震動所影響的環境中使用，也可以減少公端子16與母端子31之間接觸點(金屬薄膜163和金屬薄膜312互相接觸的部分)的磨損量。易於受震動影響的環境包含例如該半導體裝置1安裝在移動體的情況。移動體包含例如汽車，機車，和火車。

以下，參照圖4更詳細說明有關磨損降低效果。圖4是示意半導體裝置1在容易受震動影響的環境中使用，公端子嵌合到母端子的狀態。在圖4中，公端子16被母端子31以接觸壓力P向下壓，以便從相對側在兩個點固持著。此外，公端子16和母端子31被震動且在滑動距離△L相對滑動。

在這個時候，當磨損量由W表示，摩擦係數為k，且維氏硬度以Hv表示，運算式1的關係成立。摩擦係數k是依據公端子16的金屬膜163和母端子31的金屬膜312之表面粗糙度，接觸面積等所決定的。

從運算式1可看出，當接觸壓力P減少時，可以降低磨損量W。此外，可看出當滑動距離△L減少時，可以降 低磨損量W。此外，可看出當維氏硬度Hv提高時，可以降低磨損量W。

在此實施例中，母端子31從相對側的兩個點壓住公端子16的金屬材料311硬於公端子16的金屬材料161。在這種結構，金屬材料311與金屬材料161的跟隨性是高的，因此在金屬材料311的彈簧載荷很可能被移轉到金屬材料161。此外，由於金屬材料311強力按壓金屬材料161，公端子16的金屬薄膜163和母端子31的金屬薄膜312的初始形變增加。然而，由於金屬薄膜163和金屬薄膜312互相嚙合，可減少滑動距離△L。距離△L減少的結果，從運算式1可看出，公端子16的金屬薄膜163和母端子31的金屬薄膜312的磨損量W(滑動磨損量)可被降低(能夠確保震動耐久性)。

為了使母端子31的金屬材料311的硬度高於公端子16的金屬材料161的硬度，舉例來說，含有相同主成分的金屬材料和含有次要預定成分的材料，分別地被選定做為金屬材料311和金屬材料161，且各自在金屬材料311和金屬材料161的次要成分的含量可調整。(各個次要成分的含量可以為零)。

例如，為了形成金屬材料311和金屬材料161，在表1所示的材料，其包含銅做為主要成分和包含其他金屬做為次要成分(不包含次要成分)，各自可被適當地組合。

或者，例如，表1中所示之相同材料可被使用做為金屬材料311和金屬材料161，且形成該金屬材料161的組成可利用加熱溫度高於表1所示的軟化溫度來軟化然後冷卻。表1所示的硬度和軟化溫度是代表性的值，並不限於這些值。

在另一個例子中，含有銅做為主要成分和含有鈹做為次要成分的鈹銅被使用做為金屬材料311和金屬材料161。藉由使金屬材料311的鈹含量高於金屬材料161的鈹含量，可製成金屬材料311的硬度高於金屬材料161的硬度。

或者，可以使用含有銅做為主要成分且含有鎳(Ni)，矽(Si)，鎂(Mg)，等做為次要成分之科森銅合金做為金屬材料311和金屬材料161。然後，利用調整科森銅合金的次要成分之鎳(Ni)，矽(Si)，鎂(Mg)等的含量，可製成金屬材料311的硬度高於金屬材料161的硬度。

或者，藉由使用含有不同金屬材料做為主要成分的材料，分別做為金屬材料311和金屬材料161，可製成金屬材料311的硬度高於金屬材料161的硬度。舉例來說，含有銅或銅合金做為主要成分的材料，可被使用做為金屬材 料311，且含有鋁或鋁合金比銅或銅合金具有較低硬度的材料做為主要成分，可被使用做為金屬材料161。

或者，藉由使用含有相同金屬材料做為主要成分的材料，分別做為金屬材料311和金屬材料161，該金屬材料311可被加熱(淬火)以使硬於金屬材料161。

<修改之第一實施例>

在修改之第一實施例中，如在第一實施例的情況，做為公端子16基材的金屬材料161的硬度(維氏硬度)與做為母端子31基材的金屬材料311的硬度是製成互為不同。然而，在修改之第一實施例中，與第一實施例不同地，公端子16的金屬材料161的硬度被製成高於母端子31的金屬材料311的硬度。亦即，公端子16的金屬材料161被製成硬於母端子31的金屬材料311。

圖5是顯示銅材料的硬度之SN曲線。在圖5中顯示不具熱歷程且高維氏硬度的樣本數據(菱形)和具熱歷程且低維氏硬度的樣本數據(三角形)。在每一個菱形數據和三角形數據中，一預估曲線繪製在多組數據分布之中心。不具熱歷程的樣本的維氏硬度的平均值為108.5Hv，且具熱歷程的樣本的維氏硬度的平均值為61.7Hv。縱軸表示以固定增幅施加重複應力值(MPa)於材料，且橫軸表示重複的次數。

如圖5所示，與低維氏硬度的樣本相比，高維氏硬度的樣本具有較高的疲勞極限且可以承受更高的應力(不破 裂)。在圖5中，標繪銅材料的SN曲線為示例。然而，在其他材料的情況，在高維氏硬度的疲勞極限是高的。即使當使用不同於現有或者沒有熱歷程之方式所形成不同維氏硬度時，在高維氏硬度的疲勞極限是高的。

如此一來，具有高維氏硬度的組成比具有低維氏硬度的組成有更高的疲勞極限。

當半導體裝置1是使用於容易受震動影響的環境時，不具彈簧特性的公端子16很可能因震動而位移。於是，做為公端子16基材之金屬材料161可能會位移且破裂。因而，在本實施例中，公端子16的基材之金屬材料161的硬度被製成高於母端子31的基材之金屬材料311的硬度。因此，金屬材料161比金屬材料311具有更高的疲勞極限，變形和破裂的風險被降低，且確保公端子16的耐久性(端子強度)。

如從第一實施例及修改示例的說明中可以理解，技術上，使該公端子16基材之金屬材料161和該母端子31基材之金屬材料311間具有不同硬度是重要的。亦即，關於在第一實施例和修改示例中所述之具體影響，是藉由使公端子16的基材之金屬材料161和母端子31的基材之金屬材料311之間，一金屬材料較硬而一金屬材料較軟。於是，可選擇其中之一金屬材料且根據規格要求製成較硬之特性。

在第一實施例和修改示例兩者中，既然藉由焊接，鍛接等來連接公端子16至基板20的佈線的製程是必須的， 複雜的製造可被簡化。此外，公端子16和母端子31至少一個的耐久性，與公端子16的基材和母端子31的基材具有相同硬度的情況相比時，可獲得提升。上面敍述是有關於公端子16和母端子31。然而，因為公端子17與公端子.16具有相同的結構，在公端子17和母端子31的情況下會呈現相同的結果。

<第二實施例>

在第二實施例中，公端子16的表面處理材料之金屬薄膜163的硬度(維氏硬度)和母端子31的表面處理材料之金屬薄膜312的硬度是製成相互不同。特別的是，母端子31的金屬薄膜312的硬度被製成高於公端子16的金屬薄膜163的硬度。亦即，母端子31的金屬薄膜312是硬於公端子16的金屬薄膜163。

圖6顯示在母端子31的金屬薄膜312之維氏硬度與變形量之間的關係。在本例中，公端子16的金屬薄膜163的維氏硬度被固定到100Hv。在圖6中，具有相同厚度的金膜被使用來做為金屬薄膜163和金屬薄膜312。在圖6中，接觸壓力P設定為4N。

在圖6中，金屬薄膜312的變形量約為1.5μm至2.5μm，其大於金屬薄膜312的厚度(約0.3μm至0.8μm)。這是因為比金屬薄膜312厚的金屬材料311是存在於金屬薄膜312的下方，且金屬薄膜312是沿著金屬材料311的形變(凹陷)而變形。金屬薄膜312的厚度基本上不變。

如圖6所示，當在母端子31的金屬薄膜312和公端子16的金屬薄膜163之間的維氏硬度的差異增加時，金屬薄膜312的變形量則減少。當母端子31的金屬薄膜312的維氏硬度高於200Hv，亦即，當在母端子31的金屬薄膜312和公端子16的金屬薄膜163之間的維氏硬度是100Hv或更高的差異，金屬薄膜312的變形量漸近於一固定值。

如此一來，藉由使母端子31的金屬薄膜312和公端子16的金屬薄膜163之間的維氏硬度是100Hv或更高的差異，可減少金屬薄膜312的變形量。已知的是，當變形量減少時，最初的磨損量也會減少。這裡，變形是指公端子16嵌合至母端子31後立即造成的金屬薄膜163和金屬薄膜312的凹陷。磨損是指在變形後由震動所造成金屬薄膜163和金屬薄膜312的厚度減少。

當半導體裝置1是使用於容易受震動影響的環境時，公端子因震動而滑動，因此與金屬薄膜312接觸之金屬薄膜163的區域改變。另一方面，在母端子31中，與金屬薄膜163接觸的金屬薄膜312的區域持續相同。

於是，在實施例中，母端子31的金屬薄膜312的硬度製成高於公端子16的金屬薄膜163的硬度。結果，當與母端子31的金屬薄膜312和公端子16的金屬薄膜163具有相同硬度的情況下相比，金屬薄膜312的磨損和毀壞可被抑制住。亦即，可以確保母端子31的耐久性。

為了使母端子31的金屬薄膜312的硬度高於公端子 16的金屬薄膜163的硬度，舉例來說，含有相同主成分的金屬材料和含有次要預定成分的材料，分別地被選定做為金屬薄膜163和金屬薄膜312，且各自在金屬薄膜163和金屬薄膜312的次要成分的含量可調整。例如，含有金(Au)做為主要成分和含有鈷(Co)做為次要成分的金屬薄膜，可被使用做為金屬薄膜163和金屬薄膜312的材料。藉由使金屬薄膜312的含鈷量高於金屬薄膜163的含鈷量，可以製成金屬薄膜312的硬度高於金屬薄膜163的硬度。在這個情況，金屬薄膜163可不包含鈷(例如，可以使用純金)。

或者，藉由使用含有不同金屬材料做為主要成分之材料，分別做為金屬薄膜163和金屬薄膜312的材料，金屬薄膜312的硬度可製成高於金屬薄膜163的硬度。例如，含有鉑金(Pt)做為主要成分的材料可被使用當做金屬薄膜312的材料，且含有比鉑金(Pt)具有較底硬度的金(Au)做為主要成分的材料，可被使用當做金屬薄膜163的材料。

在第二實施例中，既然藉由焊接，鍛接等來連接公端子16至基板20的佈線的程序是必須的，複雜的製造可被簡化。此外，當與公端子16的表面處理材料和母端子31的表面處理材料具有相同的硬度節情況比較時，母端子31的磨損和毀壞可被抑制且可以提高耐久性。上面的敍述是關於公端子16和母端子31。然而，因為公端子17與公端子16具有相同的結構，所以當在公端子17和母端子31的情況時呈現相同的效果。

以上是最佳實施例和修改示例的敍述。然而，本發明不限於上面所述之實施例及修改示例本身。可適用於應用不同的修正和上述實施例和修正例的替代之實施例。

舉例來說，第一實施例或修正示例其可與第二實施例結合。其結果是，在第一實施例或修正示例和第二實施例描述的各個效果可以同時獲得。

在上面所述之實施例和修正示例，維氏硬度被設定做為一個指標，顯示物體的硬度的差異。然而，維氏硬度以外的其它方法也可被設定做為一個指標來顯示物體的硬度的差異。

根據本發明之終端連接結構，當在容易受震動影響的環境中使用時，呈現出預定的效果。另一方面，根據本發明之終端連接結構也可以使用於容易受震動影響環境以外的環境。

16‧‧‧公端子

31‧‧‧母端子

161‧‧‧金屬材料

162,163‧‧‧金屬薄膜

311‧‧‧金屬材料

312‧‧‧金屬薄膜

Claims (7)

1. 終端連接結構包含：一公端子；及一與該公端子嵌合之母端子，其中該公端子包含第一金屬材料和形成在該公端子的最外表面之第一金屬薄膜以直接或間接地包覆該第一金屬材料，該母端子包含第二金屬材料和形成在該母端子的最外表面之第二金屬薄膜以直接或間接地包覆該第二金屬材料，及該第一金屬材料的硬度是不同於該第二金屬材料的硬度。
2. 根據申請專利範圍第1項之終端連接結構，其中該第二金屬材料的硬度大於該第一金屬材料的硬度。
3. 根據申請專利範圍第1項之終端連接結構，其中該第一金屬材料的硬度大於該第二金屬材料的硬度。
4. 根據申請專利範圍第1至3項之其中任一項之終端連接結構，其中該第二金屬薄膜的硬度大於該第一金屬薄膜的硬度。
5. 根據申請專利範圍第1至3項之其中任一項之終端連接結構，其中該母端子具有彈性性能，且該母端子是配置來按壓該公端子的兩側，以便在兩個點上固持該公端子。
6. 半導體裝置包含：根據申請專利範圍第1至5項之其中任一項之終端連接結構；及連接器安裝於其上之基板，其中該公端子是半導體模組之外部連接端子，且該母端子是配置在該接連器上。
7. 根據申請專利範圍第6項之半導體裝置，其中公端子所插入之穿透部分形成於該基板上，該公端子從該基板之第一表面側插入至該穿透部分，該連接器是安裝在該基板相對於該第一表面的第二表面上，且該公端子通過該穿透部分嵌合於母端子。