TWI545416B

TWI545416B - 複數晶圓之實體放置資料的判定方法

Info

Publication number: TWI545416B
Application number: TW101100987A
Authority: TW
Inventors: 羅伯龐德; 法利德納伯克; 理查艾達奇
Original assignee: 蘭姆研究公司
Priority date: 2011-01-13
Filing date: 2012-01-10
Publication date: 2016-08-11
Also published as: TW201234152A; KR101908751B1; SG191922A1; WO2012096811A1; US8526709B2; KR20140018234A; US20120183200A1

Description

複數晶圓之實體放置資料的判定方法

本發明關於偵測多個物體之方法及設備。

例如積體電路之半導體產品的製造牽涉在晶圓處理系統中處理晶圓。電漿處理系統為一種使用一或更多處理室來選擇性地從晶圓蝕刻材料或沉積材料於晶圓上的晶圓處理設備。為了協助在各種處理室內之大氣環境與更受控制的環境之間運送晶圓，故經常使用負載鎖(load locks)。晶圓係藉由機器手臂運送且置放在負載鎖中的一組支持件或指狀件(finger)上。

在一些情況下，負載鎖內之一疊晶圓中的晶圓可能被錯誤的放置在凹槽中，或可能滑離指狀件並掉落在下方的晶圓上，或可能自凹槽遺失，或晶圓可能出現在不應具有任何晶圓於內的凹槽中。在這些情況下，需要迅速地取得晶圓實體放置資料並偵測異常，以便在晶圓以及/或晶圓傳送次組件可能發生損害之前採取補救措施(例如開啟負載鎖以收回錯置的晶圓)。

雷射測微計已經常被用於判定電荷耦合元件(CCD)陣列中被特定物體所遮蔽之光的總量百分比之目的。然而，雷射測微計並非極適用於有效率地判定多個分離物體在其指定位置中的實際實體位置，以及關於這些物體被設置在何處的個別實體位置資料。

在其他製造或研究環境中，有時期望迅速地取得並分析關於多個分離物體的相對於其指定位置之實際實體放置資料。本揭露內容有關於低成本、高效率的設備及方法，其係用以取得多個分離物體之實際實體放置資料，並有效率地分析相關於其指定或預期位置之實際實體放置資料。

在一實施例中，本發明關於一種利用線性CCD陣列與記憶體裝置以及邏輯模組來判定複數晶圓之實體放置資料的方法，該複數片晶圓係設置於複數之平行的指狀件組上。該方法包含資料取得步驟，該取得步驟包含連續地自線性CCD陣列的像素時脈輸出至記憶體裝置的記憶單元中。該方法亦包含利用邏輯模組及記憶體裝置自原始CCD陣列資料與經過濾之CCD陣列資料中至少一者確認像素轉換資料，該像素轉換資料包含相鄰像素對之間的數個轉換與該等轉換的位置。該方法更包含利用邏輯模組以及像素轉換資料來確認上緣錯誤、下緣錯誤、晶圓厚度錯誤、以及每凹槽轉換錯誤其中至少一者是否存在。該方法更包含：若存在上緣錯誤、下緣錯誤、晶圓厚度錯誤、以及每凹槽轉換錯誤其中至少一者，便產生錯誤訊號。

以上的發明內容僅關於在此揭露之本發明眾多實施例中之一者，且不欲限制於此闡明於申請專利範圍中的本發明之範圍。以下將在本發明之詳細說明中伴隨以下圖式更詳細地敘述本發明的這些及其他特徵。

本發明現將藉由參考隨附圖示所示之一些實施例加以詳細說明。在以下敘述中，為提供對於本發明的透徹瞭解而闡明眾多具體細節。然而，對於熟習本技術者將顯而易見地，本發明可在不具備該等具體細節之若干部份或全部的狀況下加以實施。在其他情況中，為避免不必要的混淆本發明，故不詳細描述眾所皆知的處理步驟及/或結構。

本發明之實施例關於用以取得、儲存，以及分析多個分離物體相關於其指定位置之實際實體放置資料的低成本、高效率設備及方法。雖然於此討論晶圓運送環境中之晶圓實體體放置資料，吾人仍應了解本發明不受限於晶圓放置資料、晶圓傳送、實例中所敘述之特定CCD、或晶圓處理環境。

在一或更多實施例中，將線雷射投射成橫過堆疊於指狀件上之複數晶圓的一片光。光線投射至設置在雷射與線性CCD(電荷耦合裝置)陣列之間的分隔之晶圓堆的邊緣。雷射與線性CCD陣列之間的晶圓之存在阻擋雷射光使其無法抵達CCD陣列的某些像素。然後將這些像素加以記錄，並獲得資料集，該資料集包含關於線性陣列中哪些像素接收到光(例如：像素1至57，99至138，190至257等等)以及線性陣列中哪些像素未接收到光(例如：像素58至98，139至189等等)之資料。

可在校正期間取得之適當閾值可用來判定光的閾值位準，該閾值位準根據像素接收的光量來描述該像素應視作關閉(亦即雷射光被阻擋而未抵達該像素)或開啟(亦即雷射光被該像素接收)。

再者，校正線性CCD陣列(如藉由在安裝期間相對於實體腔室而量測)以得知相對於腔室座標系統之CCD陣列的位置。由此陣列位置資料，可確認線性CCD陣列中個別CCD陣列單元相對於腔室之座標系統的位置(例如：由CCD陣列製造商所提供的說明書來推斷)。

此外，亦校正指狀件(如藉由在安裝期間量測)以得知相對於腔室座標系統之該等指狀件組的位置。校正程序亦定義凹槽數量(其有關於可容納多少晶圓)、凹槽位置、每一凹槽內對於晶圓上緣以及晶圓下緣之可接受的光遮蔽窗口等等。

在一或更多實施例中，首先藉由調整射向CCD的雷射光來完成資料校正(敏感度調整)。在一實施例中，接著將具有晶圓安置於其上的指狀件以下列方式校正：將晶圓置於凹槽1(最低或最高的凹槽)中並根據CCD陣列的資料記錄晶圓底部的位置。舉例來說，這可代表在線性像素陣列中的像素與像素之間第一次開啟到關閉的轉換。平行指狀件組之間的間距為已知，且因此凹槽2可藉由相鄰指狀件之間已知的間距來加以判定。然後其他參數可由得自第一凹槽中的晶圓之資料來推斷或設定。舉例來說，這些參數包含^：最小及最大晶圓厚度；針對每一凹槽之每一晶圓之晶圓底邊附近的頂邊窗口(例如應由凹槽2中的晶圓之頂邊所佔的如像素239至像素264之像素數目的範圍)；每一凹槽中每一晶圓的底邊窗口(例如應由凹槽4中的晶圓之底邊所佔的如像素619至像素644之像素數目的範圍)；濾波器大小(接近關閉到開啟或開啟到關閉之轉換的像素數量，以盡可能忽略雜訊)；以及第一與最後像素的位置。

在操作期間，資料係連續地由CCD陣列取得。在一或更多實施例中，可使用主時脈將來自CCD陣列(於此將整個線性CCD陣列稱為「畫框」)之個別像素的像素資料(例如：像素為關閉或開啟)連續地輸出。起始訊號可標示畫框的起始，然後針對該畫框將資料逐像素連續地讀出，直到相當於整個畫框的資料已被時脈輸出為止。CCD畫框資料可連續地或週期性地被時脈輸出或依據處理器的請求而被時脈輸出。

在一或更多實施例，使用8位元雙埠記憶體來儲存來自CCD陣列的資料。為了詳細說明起見，雙埠記憶體代表容許兩裝置同時存取記憶體之資料的記憶體技術。雙埠記憶體係選擇作為使處理器與CCD陣列兩者進行高速多重存取，藉此容許由處理器即時判定關於晶圓實體放置之錯誤情況是否存在。

利用8位元雙埠記憶體，可同時容納高達8個不同的CCD陣列(實施8個感測器)。然而，若需要容納更多的CCD陣列，可能需要使用更大的記憶體。來自陣列的資料可利用主時脈以及共同起始訊號(或其他同步機制)而同時被時脈輸出。之後可使用邏輯裝置(例如：複雜可程式邏輯裝置)自CCD陣列取得串列資料，並於暫存器中把資料包裝成字組(8位元，16位元等)，以將資料儲存於雙埠記憶體中。舉例來說：位元0可用以承載由來自陣列0的像素n得出的資料，位元1可用以承載由來自陣列1的相同像素n得出的資料，位元2可用以承載由來自陣列2的相同像素n得出的資料等等。

之後可將原始的CCD陣列資料用以判定關閉或開啟的像素百分比、關閉或開啟的像素數量、以及線性CCD陣列中關閉或開啟的特定像素、以及轉換(關閉到開啟或開啟到關閉)。可利用此經濾波或未經濾波的資料來確認：凹槽內晶圓的存在、晶圓視厚度(apparent wafer thickness)、凹槽內之晶圓視配置(apparent wafer placement)、晶圓是否佔據多於一凹槽、在晶圓傳送環境中是否存在關於一或更多晶圓的錯誤狀況等等。

由於將像素的位置預先映射至腔室座標系統，且針對每一個凹槽預先定義晶圓頂部與底部邊緣之可接受窗口以及錯誤狀況，所以可應用這些映射、窗口定義、以及錯誤狀況對畫框的像素資料組，以有效率地判定晶圓運送環境中之凹槽內之晶圓的實體放置資料，並且判定錯誤情況是否存在而允許進行矯正措施，例如停止傳送晶圓並取出錯置的晶圓。

本發明之特徵及優點可參考以下的圖形與討論而更為了解。圖1顯示一實例，其中晶圓102與104係置於負載鎖內的指狀件106與108上。這些指狀件組(典型地，每一晶圓3指狀件)構成「凹槽」，且晶圓係置於這些平行且分隔的凹槽中，等待被傳送於各種腔室之間以進行處理。

圖2顯示根據本發明之實施例之示範性系統，其係用以取得、儲存、及分析在傳送環境中多個晶圓相關於其凹槽之實際實體放置資料。

參考圖2，晶圓202係顯示成設於示範性負載鎖腔室中的包含204a、204b、204c之指狀件組上。雖然顯示兩平行指狀件組，但仍可變化指狀件組的數量。線雷射210朝向線性CCD陣列214投射光束212。在圖2的實例中，CCD陣列214為1 X 768的陣列，然而若需要更多或更少的資料細微度，則可使用不同的陣列。在操作期間，設於平行指狀件組上的晶圓遮蔽了線雷射210所投射的光線之一部份。因此，CCD陣列214的部分像素將開啟(未被遮蔽)而其餘者將關閉(被遮蔽)。

圖3a顯示從CCD陣列收集資料的示範流程圖。資料係由逐個畫框收集(決定步驟304、以及314)。一般而言，當雷射光照射在CCD陣列的像素上時，資料持續地在CCD陣列的單元中更新(步驟306)。若處理器請求資料(步驟304)，便從CCD陣列的單元中讀取資料(步驟310)並寫入雙埠記憶體(DPM)(步驟312)。一旦將整體畫框寫入雙埠記憶體，便可利用處理器設定就緒旗標(步驟 316)。

圖3b顯示資料取得、儲存、以及分析配置的簡化電路圖，其涉及兩CCD陣列352以及354、雷射356以及358、雙埠記憶體360、處理器362、以及複雜可程式邏輯裝置364(雖由圖3b實例中的複雜可程式邏輯裝置所實施，然而可使用任何適當的可程式邏輯元件或定製型積體電路或硬體/軟體組合)。雙埠記憶體360係顯示成受到複雜可程式邏輯裝置364(用以將像素資料更新至記憶體中)以及處理器362(以取得分析用之像素/畫框資料)兩者的存取。取決於實施例，複雜可程式邏輯裝置364與處理器362之其中一者或兩者皆可依要求來執行濾波以及/或資料分析。

圖4顯示雷射402、晶圓404與406、CCD陣列408以及結果資料框410的簡化概念圖。被晶圓遮蔽的像素是關閉的(在圖4實例中的邏輯0)而未被晶圓遮蔽的像素是開啟的(在圖4實例中的邏輯1)。雖然在圖4的實例中使用1 X 768的像素陣列，但仍可使用任何適合的陣列大小。

參考圖2，一般而言，CCD陣列214相對於腔室座標系統的位置為固定且已知。由於已知包含當中個別像素的尺寸資料、位置資料之CCD陣列214的規格，因此個別像素相對於腔室座標系統的真實位置亦為已知。再者，相對於腔室座標系統之指狀件組204a、204b以及204c的位置被設定且已知。指狀件位置資料定義其內可設置晶圓的凹槽。透過這些資料組，可從CCD陣列214之個別像素的像素開啟/關閉資料，得出相對於腔室座標系統之晶圓的實際實體放置資料。

圖5顯示根據本發明之一實施例的流程圖，其係用以取得並分析在運送環境中複數晶圓之相關於其複數凹槽的實際實體放置資料。在步驟502中，啟用有效的CCD陣列並開啟雷射。如討論，舉例來說，8位元雙埠記憶體結構可容納高達8CCD陣列以及8雷射。在步驟504中，重設複雜可程式邏輯裝置的暫存器並請求取得第一組CCD資料(見圖3b)。若完成對整體畫框的資料收集(步驟506)，處理程序接下來計算有效單元的數量與有效單元的百分比(步驟508)。如先前所討論，亦可在原始資料組上進行濾波(步驟510)。在步驟512中，可判定物體厚度。在步驟514中，可執行其他凹槽相關的計算。以下進一步說明步驟512與514中一些示範性資料計算。

為了說明，在一或多個實施例中，可藉由偵測轉換以及判定凹槽中晶圓的存在來取得包含錯誤警告的其他資料。像素轉換代表在畫框資料中從開啟到關閉或關閉到開啟的轉換。在一或更多實施例中，可對原始資料實施濾波器以使雜訊最小化。為了使錯誤轉換最小化，可將處理器配置成例如根據濾波器的大小來過濾不必要的轉換。舉例來說，濾波器大小值(例如0到255)可告知處理器在擷取到轉換之後需忽略多少像素。舉例來說，若在像素300偵測到晶圓#1的底部且將濾波器大小設定成4之預設值，則接下來4個像素內發生的轉換被忽略。若在自像素#300起第5像素具有轉換，則發生在像素#300起第5像素的轉換將被擷取。以此方式，實現高效率的濾波機制。其他的濾波方法亦可加以實施。於此說明的資料分析可依需求而在原始或濾波後的資料組上操作。

狀態機可在畫框資料上實施以追蹤像素轉換。若在陣列中或一或更多凹槽中有少於或多於預期的轉換次數，可設定表示此狀況的錯誤旗標。舉例來說，若在單一凹槽中有多於兩轉換(例如：開啟到關閉以及關閉到開啟)，則由於資料指出多個晶圓可能位在單一凹槽(例如：當上方晶圓滑離指狀件之其中一者而倚靠於下方晶圓上)而可能存在錯誤狀況。在另一實例中，若在應有晶圓的凹槽中沒有轉換，則可設定錯誤旗標。若在資料畫框中或凹槽其中一者中之轉換的順序或次數不合邏輯，亦可設定表示此狀況的錯誤旗標。

再者，可檢測相鄰成對的開啟到關閉(代表由未遮蔽到受遮蔽的像素之轉換)及關閉到開啟(代表由受遮蔽到未遮蔽的像素之轉換)以判定晶圓厚度。舉例來說，若晶圓超乎預期的厚，這可能表示存在多於一個的晶圓。在此狀況中，可設定表示此狀況的錯誤旗標。舉例來說，由於晶圓視厚度(彎曲度)可能因溫度而改變，所以亦可將晶圓厚度資料用來確認晶圓溫度。

在一或更多實施例中，可設定對於有關凹槽內晶圓之下邊的可容許位置的約束或限制。在校正之後，可定義底邊窗口。底邊窗口可具有底邊最小值以及底邊最大值，其中底邊最小值代表對於該凹槽而言之晶圓下表面的最低可容許位置，且底邊最大值代表對於該凹槽而言之晶圓下表面的最高可容許位置。若晶圓下緣(利用狀態機從表示該凹槽內之晶圓下表面的有效轉換加以偵測)在底邊視窗之外，則可設定表示此情況的錯誤旗標。

在一或更多實施例中，可設定對於有關凹槽內晶圓之上邊的可容許位置的約束或限制。在校正之後，可定義頂邊窗口。頂邊窗口可具有頂邊最小值以及頂邊最大值，其中頂邊最小值代表對於該凹槽而言之晶圓上表面的最低可容許位置，且頂邊最大值代表對於該凹槽而言之晶圓上表面的最高可容許位置。若晶圓上緣(利用狀態機從表示該凹槽內之晶圓上表面的有效轉換加以偵測)在頂邊窗口之外，則可設定表示此狀況的錯誤旗標。

舉例來說，若適當地設置光束，便可利用晶圓位置資料來確認晶圓彎曲度。晶圓凹陷可能起因於溫度或其他的腔室狀況，且可將晶圓彎曲度用來確認溫度或某些腔室情況的存在。

在一或更多實施例中，若代表晶圓上表面的轉換位在一凹槽內而代表晶圓下表面的下一轉換位在另一凹槽內，則可設定表示此狀況的錯誤旗標。相反地，若代表晶圓下表面的轉換位在一凹槽內而代表晶圓上表面的下一轉換位在另一凹槽內，則可設定表示此狀況的錯誤旗標。

在已揭露示範實施例及其最佳模式的情況下，可對已揭露的實施例進行修改以及變化，而仍保持在如定義於下列請求項之本發明的主題與精神之內。

102‧‧‧晶圓

104‧‧‧晶圓

106‧‧‧指狀件

108‧‧‧指狀件

202‧‧‧晶圓

204a‧‧‧指狀件

204b‧‧‧指狀件

204c‧‧‧指狀件

210‧‧‧線雷射

212‧‧‧光束

214‧‧‧線性CCD陣列

352‧‧‧CCD陣列

354‧‧‧CCD陣列

356‧‧‧雷射

358‧‧‧雷射

362‧‧‧處理器

360‧‧‧雙埠記憶體

364‧‧‧複雜可程式邏輯元件

402‧‧‧雷射

404‧‧‧晶圓

406‧‧‧晶圓

408‧‧‧CCD陣列

410‧‧‧資料框

本發明係於隨附圖式之圖形中藉由例示而非限制的方式加以說明，且其中相似的參考編號表示相似的元件，且其中：圖1顯示晶圓放置於負載鎖內之指狀件上的實例。

圖2顯示根據本發明之實施例的示範性系統，用以取得、儲存、以及分析複數晶圓相關於運送環境中之其凹槽的實際實體放置資料。

圖3a顯示從CCD陣列收集資料的示範流程圖。

圖3b顯示資料取得、儲存、以及分析配置的簡化電路圖。

圖4顯示雷射、晶圓、CCD陣列以及結果資料框的簡化概念圖。

圖5顯示根據本發明之一實施例的流程圖，用以取得及分析在運送環境中之複數晶圓相關於運送環境中之其複數凹槽的實際實體放置資料。

Claims

一種複數晶圓之實體放置資料的判定方法，其係利用一線性電荷耦合裝置(CCD)陣列與一記憶體裝置以及一邏輯模組，該複數晶圓係設置於複數之平行的指狀件組上，該方法包含：資料取得步驟，用以取得原始CCD陣列資料，該資料取得步驟包含自該線性CCD陣列的像素連續地時脈輸出資料至該記憶體裝置的記憶單元中；像素轉換資料確認步驟，利用該邏輯模組以及該記憶體裝置自該原始CCD陣列資料與經濾波之CCD陣列資料兩者中至少一者確認像素轉換資料，該像素轉換資料包含相鄰像素對之間的數個轉換與該等轉換的位置；錯誤確認步驟，利用該邏輯模組以及該像素轉換資料來確認下列中至少一者是否存在：上緣錯誤、下緣錯誤、晶圓厚度錯誤、以及每凹槽轉換錯誤；以及錯誤訊號產生步驟，若該上緣錯誤、該下緣錯誤、該晶圓厚度錯誤、以及該每凹槽之轉換錯誤其中至少一者存在，便產生錯誤訊號。
如申請專利範圍第1項之複數晶圓之實體放置資料的判定方法，更包含原始CCD陣列資料過濾步驟，過濾該原始CCD陣列資料以取得該經濾波的CCD陣列資料，其中該像素轉換資料確認步驟使用該經濾波的CCD陣列資料。
如申請專利範圍第1項之複數晶圓之實體放置資料的判定方法，更包含：晶圓邊緣資料確認步驟，利用該邏輯模組自該像素轉換資料確認晶圓邊緣資料，該晶圓邊緣資料包含代表至少該複數晶圓之個別一者的上緣之像素位置，其中若該等上緣之任一者違反針對該等上緣預先定義的上部可容許窗口，便將該上緣錯誤視為存在，該等預先定義的上部可容許窗口定義其中可允許該等上緣之一者存在的像素區域。
如申請專利範圍第1項之複數晶圓之實體放置資料的判定方法，更包含：晶圓邊緣資料確認步驟，利用該邏輯模組自該像素轉換資料確認晶圓邊緣資料，該晶圓邊緣資料包含代表至少該複數晶圓之個別一者的下緣之像素位置，其中若該等下緣之任一者違反針對該等下緣預先定義的下部可容許窗口，便將該下緣錯誤視為存在，該等預先定義的下部可容許視窗定義其中可允許該等下緣之一者存在的像素區域。
如申請專利範圍第1項之複數晶圓之實體放置資料的判定方法，更包含：晶圓邊緣資料確認步驟，利用該邏輯模組自該像素轉換資料確認晶圓邊緣資料，該晶圓邊緣資料包含，該等像素位置代表至少該複數晶圓之個別一者的上緣與下緣之像素位置，其中若該複數晶圓中之至少一者的上緣與下緣之間的差異超過一預先定義的閾值，便將該晶圓厚度錯誤視為存在。
如申請專利範圍第1項之複數晶圓之實體放置資料的判定方法，其中該邏輯模組為一處理器。
如申請專利範圍第1項之複數晶圓之實體放置資料的判定方法，其中該記憶體裝置為一雙埠記憶體裝置。
如申請專利範圍第1項之複數晶圓之實體放置資料的判定方法，其中該等轉換中之一轉換係利用一預先定義的閾值來判定，以確認像素為受遮蔽或未遮蔽。
如申請專利範圍第1項之複數晶圓之實體放置資料的判定方法，其中該每凹槽轉換錯誤包含：對於一指定凹槽而言多於預期的轉換次數。
如申請專利範圍第1項之複數晶圓之實體放置資料的判定方法，其中該每凹槽轉換錯誤包含：對於一指定凹槽而言少於預期的轉換次數。
一種電漿處理系統中的複數晶圓之實體放置資料的判定方法，包含：晶圓放置步驟，將複數晶圓放置於複數之平行的指狀件組上；線性電荷耦合裝置(CCD)陣列照射步驟，使用一光源照射一線性CCD陣列，該複數晶圓係設置在該線性CCD陣列與該光源之間；資料取得步驟，用以取得原始CCD陣列資料，該取得步驟包含連續地自該線性CCD陣列的像素時脈輸出資料至該記憶體裝置的記憶單元中；像素轉換資料確認步驟，利用該邏輯模組以及該記憶體裝置自該原始CCD陣列資料以及經濾波的CCD陣列資料兩者中至少一者確認像素轉換資料，該像素轉換資料包含至少相鄰像素對之間的數個轉換與該等轉換的位置；以及錯誤確認步驟，利用該邏輯模組以及該像素轉換資料來確認下列中至少一者是否存在：上緣錯誤、下緣錯誤、晶圓厚度錯誤、以及每凹槽轉換錯誤；若該上緣錯誤，該下緣錯誤，該晶圓厚度錯誤，以及該每凹槽轉換錯誤其中至少一者存在，便產生錯誤訊號。
如申請專利範圍第11項之電漿處理系統中的複數晶圓之實體放置資料的判定方法，更包含原始CCD陣列資料過濾步驟，過濾該原始CCD陣列資料以取得該經濾波的CCD陣列資料，其中該像素轉換資料確認步驟使用該經濾波的CCD陣列資料。
如申請專利範圍第11項之電漿處理系統中的複數晶圓之實體放置資料的判定方法，更包含：晶圓邊緣資料確認步驟，利用該邏輯模組自該像素轉換資料確認晶圓邊緣資料，該晶圓邊緣資料包含代表至少該複數晶圓之個別一者的上緣之像素位置，其中若該等上緣中之任何一者違反針對該等上緣預先定義的上部可容許窗口，便將該上緣錯誤視為存在，該等預先定義的上部可容許窗口定義其中可允許該等上緣之一者存在的像素區域。
如申請專利範圍第11項之電漿處理系統中的複數晶圓之實體放置資料的判定方法，更包含：晶圓邊緣資料確認步驟，利用該邏輯模組自該像素轉換資料確認晶圓邊緣資料，該晶圓邊緣資料包含代表至少該複數晶圓之個別以者的下緣之像素位置，其中若該等下緣中之任一者違反針對該等下緣預先定義的下部可容許窗口，便將該下緣錯誤視為存在，該等預先定義的下部可容許窗口定義其中可允許該等下緣之一者存在的像素區域。
如申請專利範圍第11項之電漿處理系統中的複數晶圓之實體放置資料的判定方法，更包含：晶圓邊緣資料確認步驟，利用該邏輯模組自該像素轉換資料確認晶圓邊緣資料，該晶圓邊緣資料包含代表至少該複數晶圓之個別以者的上緣與下緣之像素位置，其中若該複數晶圓中之至少一者的上緣與下緣之間的差異超過一預先定義的閾值，便將該晶圓厚度錯誤視為存在。
如申請專利範圍第11項之電漿處理系統中的複數晶圓之實體放置資料的判定方法，其中該邏輯模組為一處理器。
如申請專利範圍第11項之電漿處理系統中的複數晶圓之實體放置資料的判定方法，其中該記憶體裝置為一雙埠記憶體裝置。
如申請專利範圍第11項之電漿處理系統中的複數晶圓之實體放置資料的判定方法，其中該等轉換中之一轉換係利用一預先定義的閾值來判定，以確認像素為受遮蔽或未遮蔽。
如申請專利範圍第11項之電漿處理系統中的複數晶圓之實體放置資料的判定方法，其中該每凹槽轉換錯誤包含：對於一指定凹槽而言多於預期的轉換次數。
如申請專利範圍第11項之電漿處理系統中的複數晶圓之實體放置資料的判定方法，其中該每凹槽轉換錯誤包含：對於一指定凹槽而言少於預期的轉換次數。