TWI544178B - 發光單元以及光源模組 - Google Patents

Description

發光單元以及光源模組

本發明是有關於一種發光單元以及光源模組。

隨著照明技術的發展，一種更為節能環保的光源，即發光二極體，已被開發出來。發光二極體藉由在P-N接面中重組電子電洞對來發光。相較於傳統的白熾燈(incandescent lamp)或螢光燈(fluorescent lamp)，發光二極體具有低消耗功率(power consumption)及壽命長的優點。此外，發光二極體不需使用汞因而更為環保。

目前市面上的白光發光二極體主要是透過混合多種色光 以生成白光，而依照混光方式的不同，白光發光二極體主要分成三大類。第一類是以藍光發光二極體晶片所發出的藍光激發黃色螢光粉，藉由混合藍光及黃光以生成白光。或者，以藍光發光二極體晶片所發出的藍光激發紅色及綠色螢光粉，藉由混合紅、綠、藍三色光以生成白光。第二類是以紫外光發光二極體晶片所發出的紫外光激發紅、綠、藍三色螢光粉，藉由混合紅、綠、藍三色 光以生成白光。第三類則是直接設置紅、綠、藍三色發光二極體，藉由混合這些發光二極體所發出的紅、綠、藍三色光以生成白光。

然而，上述以藍光發光二極體晶片搭配黃色螢光粉進行混光的方式，在紅光波段的表現較差(紅光部分的光強度較弱)，因此色調偏冷，而導致演色性不佳。相較之下，以藍光發光二極體晶片搭配紅色及綠色螢光粉進行混光的方式，具有相對高的演色性，惟其光轉換效率不佳，而使得發光效率相對低。並且，在紅色及綠色螢光粉相互混合的架構下，混合後的螢光粉可能含有氣泡且容易有混合不均的問題，而容易造成色偏。另外，就上述第二類混光方式而言，由於紫外光容易造成封裝樹脂及螢光粉劣化，因此需額外開發抗紫外光的材料，從而耗費製程成本及時間。 再者，就上述第三類混光方式而言，雖然藉由混合紅、綠、藍三色發光二極體所發出的紅、綠、藍三色光可得到高演色性的白光，但因紅、綠、藍三色發光二極體晶片的操作電流彼此不同，因此需額外設置電流分配器，而造成製程成本的增加。此外，由於紅、綠、藍三色發光二極體晶片的能量衰減程度不同，因此使用一段時間後容易有色偏的問題。是以，如何在一定的製程成本及時間下，提升白光發光二極體的演色性，實為當前研發人員亟欲解決的問題之一。

中華民國專利公開第201207324號揭露於發光二極體晶片上設置透鏡，且透鏡的內、外表面分別設置有螢光粉層。中華民國專利公開第201318220號揭露調變螢光粉層的厚度以調整色 彩均勻度與配光曲線。中華民國專利公開第201142214號揭露雙層螢光粉層以圓頂形式設置於發光二極體晶片上。中華民國專利第M392320號揭露以燈罩覆蓋發光二極體晶片，且燈罩的內表面塗佈有螢光粉層。中華人民共和國專利第103032741號揭露在燈罩的內、外表面上形成量子點材料。中華人民共和國專利第102623446號揭露於發光二極體晶片上設置球形透鏡，且球形透鏡的入射面上塗佈有量子點螢光粉層。中華民國專利公開第201123548號揭露於發光二極體晶片上依序設置封裝體、第一螢光粉層、光學帶通濾光層以及第二螢光粉層。中華民國專利公開第201144911號揭露設置於發光二極體晶片上方的擴散板具有多個網點，且這些網點沿著遠離相對應發光二極體晶片的中心位置由密到疏排列。中華民國專利第M425394號揭露於發光二極體晶片上設置透鏡，且透鏡的外表面設置有螢光粉層。

本發明提供一種發光單元，其具有高演色性。

本發明另提供一種光源模組，其可發出均勻的白光。

本發明的其他目的和優點可以從本發明所揭露的技術特徵中得到進一步的了解。

為達上述之一或部份或全部目的或是其他目的，本發明之一實施例提供一種發光單元包括載板、至少一發光二極體晶片、至少一透鏡、第一光波長轉換層以及第二光波長轉換層。發 光二極體晶片設置於載板上。透鏡具有第一表面以及相對於第一表面的第二表面。透鏡設置於載板上並覆蓋發光二極體晶片。發光二極體晶片適於發出光束，且光束經由透鏡離開發光單元。第一光波長轉換層位於第一表面上。第二光波長轉換層位於第二表面上，其中第一光波長轉換層的厚度由載板的法線方向往平行載板的方向上逐漸增加，而第二光波長轉換層的厚度由載板的法線方向往平行載板的方向上先增加而後減少。

本發明之另一實施例提供一種光源模組包括至少一上述的發光單元、光學膜片以及多個光學微結構。光學膜片具有入光面以及相對於入光面的出光面，且入光面位在出光面與發光單元之間。多個光學微結構位在入光面上。

基於上述，在本發明的上述實施例中，發光單元不使用紫外光發光二極體，因此可以避免因紫外光照射封裝樹脂及螢光粉所造成之材料特性劣化的問題。此外，發光單元的激發光源採用單一色光晶片而非多種色光晶片，因此發光單元可以不用額外增設控制電路去驅動不同色光晶片。再者，第一、第二光波長轉換層分別設置於透鏡的相對兩表面上，因此可在高演色性下，避免因混合螢光粉而造成氣泡或混合不均等問題。在一實施例中，若第一、第二光波長轉換層的材料採用量子點螢光粉，則可進一步提升發光單元所發出之光束的彩度。並且，透過調整量子點螢光粉的粒徑可激發出更多波段的色光，而進一步提升發光單元的演色性。此外，藉由調整第一、第二光波長轉換層在不同位置的 厚度，則可調整發光單元所發出之光束在各個角度的發光波長，從而使應用此發光單元的光源模組能夠發出均勻的白光。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10、20‧‧‧光源模組

12、12a、100‧‧‧發光單元

14‧‧‧光學膜片

16‧‧‧光學微結構

110‧‧‧載板

120‧‧‧發光二極體晶片

130‧‧‧透鏡

140、140a‧‧‧第一光波長轉換層

150、150a‧‧‧第二光波長轉換層

A‧‧‧照射區

AA‧‧‧重疊區

B‧‧‧光束

D1、D2‧‧‧方向

H140、H140a、H150、H150a‧‧‧厚度

I‧‧‧間距

L‧‧‧連線

O‧‧‧中心軸

S‧‧‧尺寸

S1‧‧‧第一表面

S2‧‧‧第二表面

S11‧‧‧入光面

S12‧‧‧出光面

x、y‧‧‧座標

X1、X2‧‧‧位置

θ‧‧‧角度

圖1A是依照本發明的一實施例的一種發光單元的剖面示意圖。

圖1B是依照本發明的一實施例的另一種發光單元的剖面示意圖。

圖2是圖1A的發光單元在角度為60度時的發光角度-光強度曲線圖。

圖3A是依照本發明的一實施例的一種光源模組的剖面示意圖。

圖3B是圖3A中光學膜片的仰視圖。

圖3C是依照本發明的一實施例的另一種光源模組的仰視圖。

圖4A是依照本發明的另一實施例的一種光源模組的剖面示意圖。

圖4B是圖4A中光學膜片的仰視圖。

有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之多個實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。 以下實施例中所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而非用來限制本發明。

圖1A是依照本發明的一實施例的一種發光單元的剖面示意圖。請參照圖1A，發光單元100包括載板110、發光二極體晶片120、透鏡130、第一光波長轉換層140以及第二光波長轉換層150。發光二極體晶片120設置於載板110上。透鏡130設置於載板110上並覆蓋發光二極體晶片120，其中透鏡130與發光二極體晶片120之間的空間可以是真空或填充有鈍氣、稀薄的空氣等，本發明不以此為限。此外，發光二極體晶片120以及透鏡130例如是共用一中心軸O，且中心軸O的延伸方向平行於載板110的法線方向D1。需說明的是，圖1A雖繪示透鏡130為等厚的半球狀透鏡，但本發明不限於此。在其他實施例中，透鏡130的厚度及形狀可視設計需求而定。此外，透鏡130具有第一表面S1以及相對於第一表面S1的第二表面S2。在本實施例中，第一表面S1以及第二表面S2例如是連續曲面，但不限於此。第一光波長轉換層140位於第一表面S1上，而第二光波長轉換層150位於第二表面S2上。值得注意的是，本發明並不限定發光單元100內發光二極體晶片120與透鏡130的數量，發光單元100也可以具有兩個以上的發光二極體晶片120與兩個以上的透鏡130，每個透鏡130 也可以覆蓋兩個以上的發光二極體晶片120。

發光二極體晶片120適於發出光束B，且光束B經由透鏡130離開發光單元100。在本實施例中，光束B經由第一表面S1進入透鏡130，並經由第二表面S2離開透鏡130。也就是說，本實施例的第一光波長轉換層140設置於透鏡130鄰近發光二極體晶片120的一表面上，而第二光波長轉換層150設置於透鏡130遠離發光二極體晶片120的另一表面上，但本發明不限於此。在另一實施例中，如圖1B所示，光束B經由第二表面S2進入透鏡130，並經由第一表面S1離開透鏡130。也就是說，第二光波長轉換層150也可設置於透鏡130鄰近發光二極體晶片120的一表面上，而第一光波長轉換層140設置於透鏡130遠離發光二極體晶片120的另一表面上。

光束B具有第一光色。在本實施例中，第一光色例如為藍色，即發光二極體晶片120為藍色發光二極體晶片，且其波長例如落在435奈米至470奈米的範圍內。第一光波長轉換層140例如為紅色螢光粉層，且紅色螢光粉層受到第一光色的激發而轉換為第二光色，而第二光色例如為紅色。另一方面，第二光波長轉換層150例如為綠色螢光粉層，且綠色螢光粉層受到第一色光的激發而轉換為第三光色，而第三光色例如為綠色。如此，本實施例的發光單元100可透過混合第一光色的藍色、第二光色的紅色以及第三光色的綠色而提供白光。

由於本實施例的發光單元100使用藍色發光二極體作為 激發光源，因此相較於以紫外光發光二極體作為激發光源的發光單元，本實施例可以避免封裝樹脂及螢光粉層因紫外光照射所造成之材料特性劣化的問題。此外，由於發光單元100的激發光源採用的是單一色光晶片(即藍光發光二極體晶片)，因此本實施例的發光單元100可以不用額外增設控制電路去驅動不同色光晶片。 再者，第一光波長轉換層140及第二光波長轉換層150分別設置於透鏡130相對的表面S1、S2上，因此本實施例的發光單元100除了可具有高演色性之外，還可避免習知因混合螢光粉而造成氣泡殘留或混合不均等問題。

值得一提的是，第一光波長轉換層140及第二光波長轉換層150的材料也可採用量子點螢光粉。由於量子點螢光粉被激發的光強度高於一般螢光粉被激發的光強度，因此可進一步提升發光單元100在顯示紅色及綠色的表現，從而提升發光單元100所發出之光束B的彩度，即發光單元100在紅、綠、藍三色的強度強且純度高。並且，透過調整量子點螢光粉的粒徑可激發出更多波段的色光，而進一步提升發光單元100的演色性。舉例而言，第一光波長轉換層140的材料可採用粒徑落在18奈米至20奈米的範圍內的紅色量子點螢光粉，其可吸收波長為420奈米至470奈米的光並發出575奈米至680奈米的紅光。另一方面，第二光波長轉換層150的材料可採用粒徑落在12奈米至14奈米的範圍內的綠色量子點螢光粉，其可吸收波長為420奈米至470奈米的光並發出500奈米至550奈米的綠光。

另外，本實施例還可藉由調整第一光波長轉換層140及 第二光波長轉換層150在不同位置的厚度，以調整發光單元100所發出之光束在各個角度的發光波長(即光色)。由國際照明委員會(International Commission on Illumination，CIE)1931的色座標圖可知，在色座標(x,y)中，紅光的x座標較大，而綠光的y座標較大。 換言之，第一光波長轉換層140所發出的紅光對於色座標(x,y)中的x座標具有較明顯的影響力，而第二光波長轉換層150所發出的綠光對於色座標(x,y)中的y座標具有較明顯的影響力。因此，本實施例將第一光波長轉換層140及第二光波長轉換層150分別設置於透鏡130相對的第一表面S1與第二表面S2，並透過獨立調整第一光波長轉換層140及第二光波長轉換層150的厚度H140、H150，以調整特定發光角度的紅光與綠光的比例。如此，可控制發光單元100所發出之光束在各個角度的發光波長。

進一步而言，本實施例的第一光波長轉換層140的厚度H140由載板110的法線方向D1往平行載板110的方向D2上逐漸增加，而第二光波長轉換層150的厚度H150由載板110的法線方向D1往平行載板110的方向D2上先增加而後減少。此外，第二光波長轉換層150的最大厚度的所在位置X1與發光二極體晶片120的所在位置X2的連線L與中心軸O夾一角度θ，其中角度θ的大小可視設計需求而定。舉例而言，角度θ例如是落在30度至60度的範圍內。

以下搭配圖2進一步說明厚度調變對於色座標的影響。 請參照圖1A與圖2，圖2是圖1A的發光單元在角度θ為60度時的發光角度-光強度曲線圖，其中實線為不同發光角度下x座標的連線，而虛線為不同發光角度下y座標的連線，其中載板110的法線方向D1定為發光角度0度。由圖2可知，不同發光角度下的x座標隨著第一光波長轉換層140的厚度H140的增加而增加。並且，y座標亦隨著第二光波長轉換層150的厚度H150的趨勢而變動(先增加而後減少)，且在發光角度為60度與-60度附近時，y座標有明顯的峰值。將各發光角度所對應到的色座標(x,y)比對於CIE 1931的色座標圖可知，發光單元100所發出的光束在角度θ介於-60度至60度的範圍內為藍白光，而在角度θ為-60度或60度附近為黃白光，而在角度θ小於-60度或大於60度的範圍為紫白光。 透過控制發光單元100所發出之光束在各個角度的發光波長，則能夠改善應用發光單元100的光源模組的色差問題，從而提升光源模組的光學品味。以下搭配圖3A及圖3B做進一步的說明。

圖3A是依照本發明的一實施例的一種光源模組的剖面示意圖，而圖3B是圖3A中光學膜片的仰視圖。請參照圖3A及圖3B，本實施例的光源模組10包括至少一發光單元12、光學膜片14以及多個光學微結構16。發光單元例如採用圖1A的發光單元100。光學膜片14具有入光面S11以及相對於入光面S11的出光面S12，且入光面S11位在出光面S12與發光單元12之間。光學微結構16位在入光面S11上。

在本實施例中，發光單元12的數量為多個，且發光單元 12的載板110兩兩相互連接成一體。入光面S11具有至少一照射區A適於令發光單元12所射出的光束照射，其中照射區A的數量對應發光單元12的數量，且各發光單元12各別對應照射各照射區A。在本實施例中，照射區A例如是兩兩互不重疊，但本發明不限於此。此外，光學微結構16的分布密度由照射區A的中心往照射區A的邊緣遞減，其中分布密度的大小可藉由調變光學微結構16的尺寸S或間距I來實現之。

值得注意的是，本實施例中光學微結構16的分布密度係以佈點所佔分布面積作為考量。舉例而言，如圖3B所示，本實施例可令相鄰兩光學微結構16的間距I維持一定值(constant)，且光學微結構16的尺寸S由照射區A的中心往照射區A的邊緣遞減，從而使光學微結構16的分布密度由照射區A的中心往照射區A的邊緣遞減。在另一實施例中，如圖3C所示，光學微結構16的尺寸S由照射區A的中心往照射區A的邊緣遞增，且相鄰兩光學微結構16的間距I亦例如由照射區A的中心往照射區A的邊緣遞增。此外，亦可在光學微結構16的尺寸S皆相同下，令光學微結構16的間距I由照射區A的中心往照射區A的邊緣遞減，以使光學微結構16的分布密度由照射區A的中心往照射區A的邊緣遞減。

本實施例透過光學微結構16的設置，可在降低光源模組10的厚度以及發光二極體晶片120的數量下，調整光源模組10出光的均勻度。惟在光學微結構16的分布密度高或是分布密度變 異劇烈處容易產生色偏。請參照圖3A與圖3B，若發光單元所發出的光束在各個角度下皆為白光，則自照射區A的邊緣出射的光束為白光，而自設置有高分布密度的光學微結構16的照射區A的中心出射的光束之光色將容易偏黃白光。

因此本實施例可針對光學微結構16的分布密度去改變發光單元12的第一光波長轉換層140的厚度H140以及第二光波長轉換層150的厚度H150。例如調整第一光波長轉換層140與第二光波長轉換層150的厚度使照射至照射區A的中心的光束之光色為藍白光，而照射至照射區A的邊緣的光束為白光，即透過第一光波長轉換層140與第二光波長轉換層150的厚度匹配去補償產生色偏的區域，以改善因光學微結構16之分布密度的差異所造成的色偏問題，經由光學膜片14作用從而使光源模組10能夠出射均勻的白光。

此外，與本發明前述實施例相同地，由於發光單元12的第一光波長轉換層140以及第二光波長轉換層150在上述設置下可得到光強度高且純度高的紅、綠、藍三色光，因此光源模組10可具有好的演色性，從而可提升應用光源模組10的顯示裝置的色彩再現性。

圖4A是依照本發明的另一實施例的一種光源模組的剖面示意圖，而圖4B是圖4A中光學膜片的仰視圖。請同時參照圖4A與圖4B，本實施例的光源模組20大致相同於圖3A及圖3B的光源模組10，差異主要在於本實施例的相鄰兩發光單元12a之間 的距離小於圖3A中相鄰兩發光單元12之間的距離，在相同的有效顯示範圍(Active area)內可設置較多的發光單元12以獲得較高亮度。圖4B中，照射區A兩兩之間具有一重疊區AA，其中在重疊區AA內，光學微結構16在重疊區AA中央的分布密度高於光學微結構16在重疊區AA邊緣的分布密度。為配合光學微結構16分布密度的改變，第一光波長轉換層140a及第二光波長轉換層150a的厚度H140a、H150a亦須對應調整，以調變光源模組20的出光均勻度以及配光曲線。詳言之，在光學微結構16分布密度有所改變的情形下，因密度變化所造成色差的範圍亦隨之擴大，因此第二光波長轉換層150a的最大厚度位置X1(繪示於圖1)亦須往垂直於法線方向D1的方向D2移動。因此，當相鄰兩發光單元12a之間的距離I越小，則角度θ越大。

綜上所述，本發明的發光單元的激發光源使用藍色發光二極體而不使用紫外光發光二極體，因此可以避免因紫外光照射封裝樹脂及螢光粉所造成之材料特性劣化的問題。此外，發光單元的激發光源採用單一色光晶片而非多種色光晶片，因此發光單元可以不用額外增設控制電路去驅動不同色光晶片。再者，第一、第二光波長轉換層分別設置於透鏡的相對兩表面上，因此可在高演色性下，避免因混合螢光粉而造成氣泡或混合不均等問題。在一實施例中，若第一、第二光波長轉換層的材料採用量子點螢光粉，則可進一步提升發光單元所發出之光束的彩度。並且，透過調整量子點螢光粉的粒徑可激發出更多波段的色光，而進一步提 升發光單元的演色性。此外，藉由調整第一、第二光波長轉換層在不同位置的厚度，則可調整發光單元所發出之光束在各個角度的發光波長，從而使應用此發光單元的光源模組能夠發出均勻的白光。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。另外，本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明之權利範圍。

100‧‧‧發光單元

110‧‧‧載板

120‧‧‧發光二極體晶片

130‧‧‧透鏡

140‧‧‧第一光波長轉換層

150‧‧‧第二光波長轉換層

B‧‧‧光束

D1、D2‧‧‧方向

H140、H150‧‧‧厚度

L‧‧‧連線

O‧‧‧中心軸

S1‧‧‧第一表面

S2‧‧‧第二表面

X1、X2‧‧‧位置

θ‧‧‧角度

Claims (20)

1. 一種發光單元，包括：一載板；至少一發光二極體晶片，設置於該載板上；至少一透鏡，具有一第一表面以及一相對於該第一表面的第二表面，該透鏡設置於該載板上並覆蓋該發光二極體晶片，該發光二極體晶片適於發出一光束，且該光束經由該透鏡離開該發光單元；一第一光波長轉換層，位於該第一表面上；以及一第二光波長轉換層，位於該第二表面上，其中該第一光波長轉換層的厚度由該載板的法線方向往平行該載板的方向上逐漸增加，而該第二光波長轉換層的厚度由該載板的法線方向往平行該載板的方向上先增加而後減少。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光單元，其中該第一光波長轉換層為紅色螢光粉層，該第二光波長轉換層為綠色螢光粉層。
3. 如申請專利範圍第1項所述的發光單元，其中該光束具有一第一光色，該第一光色為藍色。
4. 如申請專利範圍第3項所述的發光單元，其中該光束經由該第一表面進入該透鏡並經由該第二表面離開該透鏡，該第一光色經由該第一光波長轉換層轉換為一第二光色，該第一光色經由該第二光波長轉換層轉換為一第三光色，且該第一光色、該第二光色與該第三光色互不相同。
5. 如申請專利範圍第3項所述的發光單元，其中該光束經由該第二表面進入該透鏡並經由該第一表面離開該透鏡，該第一光色經由該第二光波長轉換層轉換為一第二光色，該第一光色經由該第一光波長轉換層轉換為一第三光色，且該第一光色、該第二光色與該第三光色互不相同。
6. 如申請專利範圍第1項所述的發光單元，其中該第一表面與該第二表面皆為連續曲面。
7. 如申請專利範圍第2項所述的發光單元，其中該第一光波長轉換層以及該第二光波長轉換層為量子點螢光粉層。
8. 如申請專利範圍第1項所述的發光單元，其中該發光二極體晶片以及該透鏡共用一中心軸，且該中心軸的延伸方向平行於該載板的法線方向。
9. 如申請專利範圍第8項所述的發光單元，其中該第二光波長轉換層的最大厚度的所在位置與該發光二極體晶片的所在位置的連線與該中心軸夾一角度，且該角度在30度至60度的範圍內。
10. 一種光源模組，包括：至少一如申請專利範圍第1項所述的發光單元；一光學膜片，其中該光學膜片具有一入光面以及一相對於該入光面的一出光面，該入光面位在該出光面與該發光單元之間；以及多個光學微結構，位在該入光面上。
11. 如申請專利範圍第10項所述的光源模組，其中該入光面 具有至少一照射區適於令該發光單元所射出的該光束照射，且該些光學微結構的分布密度由該照射區的中心往該照射區的邊緣遞減。
12. 如申請專利範圍第11項所述的光源模組，其中該些光學微結構的尺寸由該照射區的中心往該照射區的邊緣遞增。
13. 如申請專利範圍第11項所述的光源模組，其中該些光學微結構的尺寸由該照射區的中心往該照射區的邊緣遞減。
14. 如申請專利範圍第10項所述的光源模組，其中該些光學微結構的尺寸實質上相同。
15. 如申請專利範圍第10項所述的光源模組，其中該發光單元的數量為多個，該照射區的數量對應該些發光單元的數量，且各該發光單元各別對應照射各該照射區。
16. 如申請專利範圍第15項所述的光源模組，其中該些照射區兩兩互不重疊。
17. 如申請專利範圍第15項所述的光源模組，其中該些照射區兩兩之間具有一重疊區，且該些光學微結構在該重疊區中央的分布密度高於該些光學微結構在該重疊區邊緣的分布密度。
18. 如申請專利範圍第15項所述的光源模組，其中每一該發光元件具有一垂直於該光學膜片的中心軸，該第二光波長轉換層的最大厚度的所在位置至與該發光二極體晶片的所在位置的連線與該中心軸夾一角度，且該角度落在30度至60度的範圍內。
19. 如申請專利範圍第18項所述的光源模組，其中相鄰兩該 發光單元之間的距離越小，則該角度越大。
20. 如申請專利範圍第15項所述的光源模組，其中該些發光單元的該些載板兩兩相互連接成一體。