TWI534885B - A substrate processing apparatus, a peeling method of a bonded substrate, and a method of removing the adhesive - Google Patents

A substrate processing apparatus, a peeling method of a bonded substrate, and a method of removing the adhesive Download PDF

Info

Publication number
TWI534885B
TWI534885B TW103133439A TW103133439A TWI534885B TW I534885 B TWI534885 B TW I534885B TW 103133439 A TW103133439 A TW 103133439A TW 103133439 A TW103133439 A TW 103133439A TW I534885 B TWI534885 B TW I534885B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
adhesive
temperature
bonded
treatment liquid
Prior art date
Application number
TW103133439A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201521108A (zh
Inventor
Takahiro Kanai
Emi Matsui
Konosuke Hayashi
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Publication of TW201521108A publication Critical patent/TW201521108A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI534885B publication Critical patent/TWI534885B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02079—Cleaning for reclaiming
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)

Description

基板處理裝置、貼合基板之剝離方法及接著劑之去除方法
本發明之實施形態係關於一種基板處理裝置、貼合基板之剝離方法及接著劑之去除方法。
近年來，採用有多晶片封裝(MCP；Multi Chip Package)，其係將複數個半導體元件(半導體晶片)積層，且使用接合線或矽貫通電極(TSV；Through Silicon Via)等而安裝於1個封裝內。
一般而言，用於此種多晶片封裝之半導體元件之厚度尺寸較通常之半導體元件薄。
又，就半導體裝置之高積體化等觀點而言，亦存在半導體元件之厚度尺寸變薄之傾向。
為製造此種厚度尺寸較薄之半導體元件，例如需要使切割前之基板之厚度尺寸變薄。然而，若基板之厚度尺寸變薄，則機械強度會降低，故而於將基板之厚度尺寸加工成較薄時等有基板破損之虞。
因此，為賦予將基板之厚度尺寸加工成較薄時等所需之強度，而形成貼合基板，該貼合基板係形成有圖案之基板(以下稱為器件基板)與支持基板接著而成，且於厚度尺寸之加工後將器件基板自支持基板剝離(例如參照專利文獻1)。
然而，將器件基板自支持基板剝離較為困難。
又，若單純地將器件基板自支持基板剝離，則有接著劑之一部分殘留於支持基板及器件基板之虞。
於此情形時，若接著劑之一部分殘留於支持基板，則難以直接將支持基板進行再利用。
若接著劑之一部分殘留於器件基板，則有難以進行後續之步驟(例如切割等)之虞。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2010-531385號公報
本發所欲解決之問題在於提供一種能夠容易地進行接著劑之剝離之基板處理裝置、貼合基板之剝離方法及接著劑之去除方法。
實施形態之基板處理裝置包括：處理槽，其貯存供處理物浸漬之處理液；搬送部，其搬送上述處理物；及溫度控制部，其設置於上述處理槽及與上述處理槽隔離之部位中之至少任一者，進行上述處理物之加熱及冷卻中之至少任一者。
上述處理物為以下基板中之至少任一者：包含器件基板、支持基板及接著劑之貼合基板，上述接著劑設置於上述器件基板與上述支持基板之間；附著有上述接著劑之上述器件基板；及附著有上述接著劑之上述支持基板。
根據本發明之實施形態，提供一種能夠容易地進行接著劑之剝離之基板處理裝置、貼合基板之剝離方法及接著劑之去除方法。
1‧‧‧基板處理裝置
1a‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧容器
3‧‧‧收納部
4‧‧‧溫度控制部
5‧‧‧處理部
5a‧‧‧處理槽
5b‧‧‧供給閥
5c‧‧‧供給閥
5d‧‧‧配管
6‧‧‧供給部
6a‧‧‧儲槽
6b‧‧‧供給閥
6c‧‧‧供給閥
6d‧‧‧送液部
6e‧‧‧排出閥
6f‧‧‧配管
7‧‧‧回收部
7a‧‧‧儲槽
7b‧‧‧排出閥
8‧‧‧搬送部
8a‧‧‧保持部
8a1‧‧‧臂
8b‧‧‧移動部
9‧‧‧搬送部
9a‧‧‧保持部
9a1‧‧‧臂
9b‧‧‧移動部
10‧‧‧控制部
16‧‧‧供給部
16a‧‧‧氣體供給部
16b‧‧‧供給閥
16c‧‧‧液體供給部
16d‧‧‧供給閥
16e‧‧‧送液部
100‧‧‧貼合基板
100a‧‧‧基板
101‧‧‧器件基板
102‧‧‧接著劑
103‧‧‧支持基板
110‧‧‧處理液
110a‧‧‧第1區域
110b‧‧‧第2區域
110c‧‧‧第3區域
200‧‧‧保持構件
201‧‧‧基部
202‧‧‧保持爪
圖1係用以例示第1實施形態之基板處理裝置1之模式圖。
圖2(a)~(c)係用以例示基板處理裝置1之作用及貼合基板100之剝 離方法之模式圖。
圖3(a)~(d)係用以例示基板處理裝置1之作用及接著劑102之去除方法之模式圖。
圖4(a)係用以例示藉由保持爪202保持貼合基板100之狀態之模式圖。
圖4(b)係用以例示保持爪202被解除之狀態之模式圖。
圖5係用以例示第2實施形態之基板處理裝置1a之模式圖。
圖6係用以例示設置有溫度不同之區域之處理液110之模式剖面圖。
以下，一面參照圖式，一面對實施形態進行例示。再者，各圖式中，對相同之構成要素標註同一符號並適當省略詳細之說明。
[第1實施形態]
圖1係用以例示第1實施形態之基板處理裝置1之模式圖。
基板處理裝置1可進行貼合基板100之剝離、及自附著有接著劑102之基板100a去除接著劑102(例如參照圖2及圖3)。
於此情形時，例如圖2(a)及圖3(a)所示，貼合基板100包括：器件基板101，其形成有圖案；支持基板103；及接著劑102，其設置於器件基板101與支持基板103之間，將器件基板101與支持基板103接著。
此處，作為一例，例示對貼合基板100進行處理之情況，但於對附著有接著劑102之基板100a進行處理之情形時亦可同樣地進行。
如圖1所示，於基板處理裝置1設置有容器2、收納部3、溫度控制部4、處理部5、供給部6、回收部7、搬送部8、搬送部9、及控制部10。
容器2可設為呈箱狀且具有氣密構造者。再者，氣密構造只要為例如可防止微粒自外部侵入之程度即可。又，亦可設置使容器2之內 部之壓力略高於外部之壓力之未圖示之加壓裝置。若設置未圖示之加壓裝置使容器2之內部之壓力略高於外部之壓力，則易於抑制微粒自外部侵入。
收納部3係自外部裝卸自如地安裝於設置於容器2之側壁之開口。收納部3之容器2側之端部能進行開口，且可經由開口進行貼合基板100之交接。又，於收納部3呈積層狀(多段狀)地設置有保持貼合基板100之未圖示之保持部。即，收納部3可呈積層狀(多段狀)地收納複數個貼合基板100。
收納部3例如可設為於微環境(mini-environment)方式之半導體工廠中所使用之用於基板之搬送、保管之正面開口式載具即FOUP(Front-Opening Unified Pod，前開式晶圓傳送盒)等。
再者，收納於收納部3之貼合基板100為處理前之貼合基板100及處理後之貼合基板100。
又，收納部3之個數並不限定於1個，亦可設置2個以上之收納部3。
於圖1所例示之情形時，溫度控制部4設置於容器2之內部之底面。溫度控制部4之上表面成為載置貼合基板100之載置面。於溫度控制部4之內部設置有未圖示之加熱裝置或冷卻裝置，可使載置於溫度控制部4之上表面之貼合基板100之溫度變化。即，溫度控制部4進行貼合基板100(基板100a)之加熱及冷卻中之至少任一者。
設置於溫度控制部4之未圖示之加熱裝置或冷卻裝置並無特別限定。未圖示之加熱裝置例如可適當選擇使用焦耳熱者、使熱介質循環者、使用輻射熱者等各種形式者。未圖示之冷卻裝置可適當選擇使用珀爾帖效應者、使熱介質循環者等各種形式者。
又，溫度控制部4由控制部10控制，可調整貼合基板100之溫度。
又，溫度控制部4可為以使貼合基板100之面內之溫度分佈變得均勻之方式進行溫度控制者，亦可為以使貼合基板100之面內之溫度分佈變得不均勻之方式進行溫度控制者。
於使貼合基板100之面內之溫度分佈變得不均勻之情形時，即，於貼合基板100之面內形成溫度不同之複數個區域之情形時，只要例如將貼合基板100之面內分成複數個區域，調整複數個區域之溫度即可。
再者，以下，作為一例而例示藉由溫度控制部4進行貼合基板100之加熱之情況。
於處理部5設置有處理槽5a、供給閥5b、供給閥5c、及配管5d。
處理槽5a呈箱狀，且設置於容器2之內部之底面。處理槽5a具有液密構造。於處理槽5a之內部貯存有處理液110。處理槽5a之上端開口，能夠將貼合基板100浸漬於貯存於處理槽5a之內部之處理液110中。處理液110具有如下作用：藉由與接著劑102接觸，而使接著劑102例如溶解(分解)或軟化，藉此削弱接著力。
處理液110例如可設為純水(DIW；Deionized water)、臭氧水、過飽和氣體溶解水、APM(ammonium hydrogen-peroxide mixture：氨水-過氧化氫水-水混合液)、SPM(sulfuric acid-hydrogen peroxide mixture：硫酸-過氧化氫水混合液)等。再者，於處理液110不為純水之情形時，處理液110之濃度可設為不會對器件基板101之製品品質產生影響之程度之濃度。
處理液110可根據接著劑102之成分而適當選擇。
例如，若接著劑102為含有機材料者，則較佳為選擇對有機材料具有分解作用者。
如此，可更有效地進行貼合基板100之剝離或接著劑102之去除。
對有機材料具有分解作用之處理液110例如為臭氧水、APM、SPM等。
再者，於接著劑102包含無機材料之情形時，亦可使用所例示之處理液110中之任一者。
又，若使用過飽和氣體溶解水，則可於下述被剝離之部分或龜裂等處產生氣體。
再者，溶解於過飽和氣體溶解水中之氣體並無特別限定。溶解於過飽和氣體溶解水中之氣體例如可設為空氣、氮氣、氧氣、臭氧氣體等。
於大氣壓下之處理槽5a中，溶解於過飽和氣體溶解水中之氣體成為氣泡，當氣泡裂開時會產生物理力。利用該物理力，可更有效地進行貼合基板100之剝離或接著劑102之去除。
又，作為處理液110，可使用比重大於接著劑102之溶液。如此，下述自貼合基板110剝離之膜狀之接著劑102容易浮於處理液110之表面，故而可容易地去除被剝離之膜狀之接著劑102。
再者，關於貼合基板100之剝離或接著劑102之去除之詳細情況將於後文進行敍述。
供給閥5b設置於處理槽5a之側壁。處理液110經由供給閥5b而供給至處理槽5a之內部。
供給閥5b控制處理液110之供給及停止。又，供給閥5b可設為不僅控制處理液110之供給及停止，亦可進行流量控制者。
又，供給閥5b可基於來自設置於處理槽5a之未圖示之液面計之信號，使貯存於處理槽5a之內部之處理液110之量始終固定。
供給閥5c設置於處理槽5a之側壁之底面側。供給閥5c經由配管5d而連接於儲槽7a。
供給閥5c控制處理液110之供給及停止。又，供給閥5c可設為不 僅控制處理液110之供給及停止，亦可進行流量控制者。
例如於更換貯存於處理槽5a之處理液110之情形時、或進行處理部5之維護之情形時等，經由供給閥5c將貯存於處理槽5a之內部之處理液110排出至儲槽7a之內部。
於供給部6設置有儲槽6a、供給閥6b、供給閥6c、送液部6d、排出閥6e、及配管6f。
儲槽6a貯存用於處理之前之處理液110。
供給閥6b設置於儲槽6a之側壁。處理液110經由供給閥6b而供給至儲槽6a之內部。
供給閥6b控制處理液110之供給及停止。又，供給閥6b可設為不僅控制處理液110之供給及停止，亦可進行流量控制者。
又，供給閥6b可基於來自設置於儲槽6a之未圖示之液面計之信號，使貯存於儲槽6a之處理液110之量始終固定。
供給閥6c設置於儲槽6a之側壁之底面側。處理液110經由供給閥6c而供給至儲槽6a之外部。
供給閥6c控制處理液110之供給及停止。又，供給閥6c可設為不僅控制處理液110之供給及停止，亦可進行流量控制者。
送液部6d之一端連接於供給閥6c，送液部6d之另一端經由配管6f而連接於供給閥5b。送液部6d將貯存於儲槽6a之內部之處理液110朝處理槽5a之內部輸送。送液部6d例如可設為對處理液110具有耐受性之泵等。
排出閥6e設置於儲槽6a之側壁之底面側。排出閥6e例如可連接於工廠之排放配管或儲槽7a等。例如於進行供給部6之維護等時，經由排出閥6e將貯存於儲槽6a之內部之處理液110排出至外部。
於回收部7設置有儲槽7a及排出閥7b。
儲槽7a貯存自處理槽5a排出之處理液110。即，儲槽7a貯存用於 處理之後之處理液110。
排出閥7b設置於儲槽7a之側壁之底面側。排出閥7b例如可連接於工廠之排放配管等。
搬送部8設置於容器2之內部之底面。搬送部8位於收納部3與溫度控制部4之間。
於搬送部8設置有保持部8a及移動部8b。
保持部8a包含具有關節之臂8a1，可於臂8a1之前端保持貼合基板100。
移動部8b進行保持部8a之臂8a1之伸縮、保持部8a之回旋等。
例如，移動部8b使臂8a1以彎曲之方式伸縮，進行自溫度控制部4向收納部3之貼合基板100之交接、或自收納部3向溫度控制部4之貼合基板100之交接。移動部8b於將貼合基板100保持於臂8a1之前端之狀態下使保持部8a回旋，使臂8a1之前端朝向收納部3或溫度控制部4。
搬送部9設置於容器2之內部之底面。搬送部9位於溫度控制部4與處理槽5a之間。
於搬送部9設置有保持部9a及移動部9b。
保持部9a包含具有關節之臂9a1，可於臂9a1之前端保持貼合基板100。
移動部9b進行保持部9a之臂9a1之伸縮、保持部9a之回旋等。
例如，移動部9b使臂9a1以彎曲之方式伸縮，進行自溫度控制部4向處理槽5a之貼合基板100之交接、或自處理槽5a向溫度控制部4之貼合基板100之交接。移動部9b於將貼合基板100保持於臂9a1之前端之狀態下使保持部9a回旋，使臂9a1之前端朝向溫度控制部4或處理槽5a。而且，例如移動部9b使臂9a1以彎曲之方式伸縮，使貼合基板100浸漬於處理槽5a之內部之處理液110中，或取出浸漬於處理槽5a之內部之處理液110中之貼合基板100。
控制部10控制設置於基板處理裝置1之各要素之動作。
例如，控制部10控制搬送部8，進行收納部3與溫度控制部4之間之貼合基板100之搬送與交接。控制部10控制溫度控制部4，使貼合基板100之溫度成為特定範圍內。控制部10控制搬送部9，進行溫度控制部4與處理槽5a之間之貼合基板100之搬送與交接。控制部10控制供給閥5b、供給閥6c、及送液部6d，自儲槽6a對處理槽5a供給處理液110。
其次，對基板處理裝置1之作用、以及本實施形態之貼合基板100之剝離方法及接著劑102之去除方法進行例示。
圖2(a)~(c)係用以例示基板處理裝置1之作用及貼合基板100之剝離方法之模式圖。
圖3(a)~(d)係用以例示基板處理裝置1之作用及接著劑102之去除方法之模式圖。即，圖3係自附著有接著劑102之基板100a去除接著劑102之情況。
如圖2(a)及圖3(a)所示，貼合基板100包括：器件基板101，其形成有圖案；支持基板103；接著劑102，其設置於器件基板101與支持基板103之間，將器件基板101與支持基板103接著。
圖3(b)係不使用基板處理裝置1而進行貼合基板100之剝離之情況。例如有如下情形：對貼合基板100進行加熱，於使接著劑102軟化之狀態下自支持基板103剝離器件基板101。若不使用基板處理裝置1而進行貼合基板100之剝離，則如圖3(b)所示，接著劑102之一部分會殘留於至少一基板。於圖3(b)中例示接著劑102之一部分殘留於支持基板103之情況，但亦存在接著劑102之一部分殘留於器件基板101之情況。
以下，作為一例，例示對貼合基板100或附著有接著劑102之支持基板103(基板100a)進行處理之情況，但於對附著有接著劑102之器 件基板101進行處理之情形時亦可同樣地進行。
首先，如圖2(b)及圖3(c)所示，藉由搬送部8自收納部3取出處理前之貼合基板100(基板100a)，將其載置於溫度控制部4。
其次，藉由溫度控制部4對貼合基板100(基板100a)進行加熱，使貼合基板100(基板100a)之溫度成為特定範圍內。
再者，對貼合基板100(基板100a)之加熱溫度並無特別限定。
但，於本實施形態之情形時，貼合基板100(基板100a)之加熱溫度設定為較處理槽5a之內部之處理液110之溫度高的溫度。於此情形時，貼合基板100(基板100a)之加熱溫度只要在可產生下述剝離或龜裂等之範圍內即可。
貼合基板100(基板100a)之加熱溫度例如可藉由進行實驗或模擬等而適當求出。
再者，只要以於器件基板101與接著劑102之界面、及支持基板103與接著劑102之界面中之至少任一者，產生下述因線膨脹率之差而引起之剝離或龜裂的方式進行加熱即可，因此加熱亦可不均勻地進行。
於此情形時，亦能夠以使貼合基板100(基板100a)之中心區域與外周區域之溫度不同之方式進行加熱。於使外周區域之溫度高於中心區域之溫度之情形時，可增大外周區域中之因基板101、103與接著劑之線膨脹率之差而引起之剝離。因此，可易於使剝離液自外周區域滲入。又，於使中心區域之溫度高於外周區域之情形時，可於剝離液難以滲入之中心區域增大剝離。因此，可使剝離液易於滲入至中心區域。
又，亦能夠以於貼合基板100(基板100a)之水平方向(面內方向)使溫度變化之方式(產生溫度分佈之方式)進行加熱。
繼而，如圖2(c)及圖3(d)所示，藉由搬送部9，自溫度控制部4取 出貼合基板100(基板100a)，並使貼合基板100(基板100a)浸漬於處理槽5a之內部之處理液110中。
藉由將經加熱之貼合基板100(基板100a)浸漬於處理液110中，而使貼合基板100(基板100a)急冷。
此處，器件基板101之線膨脹率與接著劑102之線膨脹率不同。又，支持基板103之線膨脹率與接著劑102之線膨脹率不同。
因此，產生因線膨脹率之差而引起之熱應力，於器件基板101與接著劑102之間之界面、及支持基板103與接著劑102之間之界面中之至少任一者產生剝離或龜裂等。
如此，處理液110自被剝離之部分或龜裂等滲入，而進行貼合基板100之剝離或接著劑102之去除。
即，藉由形成被剝離之部分或龜裂等，而使處理液110易於滲入至器件基板101與接著劑102之界面、支持基板103與接著劑102之界面。因此，可容易地進行貼合基板100之剝離、或接著劑102之去除即接著劑102之剝離。
繼而，藉由搬送部9，自處理槽5a之內部取出貼合基板100分離而成之器件基板101與支持基板103(或基板100a)。
當將貼合基板100(基板100a)浸漬於處理槽5a之內部之處理液110時，例如可將貼合基板100(基板100a)收納至內壁成為網狀之未圖示之容器。
自處理槽5a之內部之取出例如能夠以如下方式進行。
自處理槽5a之內部之取出可於經過預先利用實驗或模擬而計測出之浸漬時間之後進行。
將分離而成之器件基板101及支持基板103與未圖示之各容器一併自處理液110提起。
藉由搬送部9分別自未圖示之容器取出分離而成之器件基板101 與支持基板103。
被取出之器件基板101與支持基板103藉由搬送部9而依序交付至溫度控制部4。
於此情形時，無需藉由溫度控制部4對器件基板101或支持基板103進行加熱。
再者，於貼合基板100未被分離之情形時或接著劑102之去除不充分之情形時，可利用溫度控制部4再次進行加熱，並重複上述順序，藉此連續地進行貼合基板100之剝離或接著劑102之去除。
繼而，藉由搬送部8自溫度控制部4取出器件基板101或支持基板103，藉由未圖示之乾燥機構進行乾燥後，收納至收納部3。
再者，於此情形時，亦可於交付至溫度控制部4之前，藉由未圖示之乾燥機構進行乾燥。又，亦可於乾燥後不交付至溫度控制部4而直接收納至收納部3。
再者，亦可藉由搬送部9自處理槽5a之內部取出器件基板101或支持基板103，自搬送部9將所取出之基板交付至搬送部8，並藉由搬送部8將器件基板101或支持基板103收納至收納部3。
又，亦可藉由搬送部9自處理槽5a之內部取出器件基板101或支持基板103，並直接將器件基板101或支持基板103收納至收納部3。
且說，於上述實施形態中，當將貼合基板100(基板100a)浸漬於處理槽5a之內部之處理液110時係將貼合基板100(基板100a)收納至內壁成為網狀之未圖示之容器，但亦可使貼合基板100(基板100a)保持於保持構件，將保持有該貼合基板100(基板100a)之保持構件浸漬於處理槽5a之內部之處理液110中。
圖4(a)係用以例示藉由保持爪202保持貼合基板100之狀態之模式圖。
圖4(b)係用以例示保持爪202被解除之狀態之模式圖。
如圖4(a)、(b)所示，保持構件200包括：基部201，其用以載置貼合基板100；及保持爪202，其以相對於基部201搖動之方式被驅動。而且，該保持構件200若自搬送部9接收貼合基板100(基板100a)，則閉合保持爪202，於保持有貼合基板100(基板100a)之狀態下，在處理槽5a內下降，而將貼合基板100(基板100a)浸漬於處理槽5a之內部之處理液110中。若經過特定之浸漬時間，則保持構件200移動至上升端，打開保持爪202。其後，搬送部9分別自保持構件200取出分離而成之器件基板101與支持基板103。以後之順序與上述實施形態相同。
[第2實施形態]
圖5係用以例示第2實施形態之基板處理裝置1a之模式圖。
於上述基板處理裝置1中，將預先產生之處理液110貯存至供給部6之儲槽6a，並將貯存於儲槽6a之處理液110供給至處理槽5a。
與此相對，於第2實施形態之基板處理裝置1a中，於供給部16之儲槽6a之內部產生處理液110，並將所產生之處理液110供給至處理槽5a。
如圖5所示，於基板處理裝置1a設置有容器2、收納部3、溫度控制部4、處理部5、供給部16、回收部7、搬送部8、搬送部9、及控制部10。
於供給部16設置有儲槽6a、供給閥6c、排出閥6e、配管6f、氣體供給部16a、供給閥16b、液體供給部16c、供給閥16d、及送液部16e。
氣體供給部16a供給產生處理液110時所使用之氣體。
例如於處理液110為臭氧水之情形時，氣體供給部16a供給臭氧氣體。
於處理液110為過飽和氣體溶解水之情形時，所供給之氣體之種類並無特別限定。於處理液110為過飽和氣體溶解水之情形時，氣體 供給部16a例如供給空氣、氮氣、氧氣、臭氧氣體等。
氣體供給部16a例如可設為收納有高壓氣體之儲氣瓶等。
又，藉由自氣體供給部16a對儲槽6a供給氣體，而自儲槽6a對處理槽5a之內部壓送處理液110。
供給閥16b設置於儲槽6a之側壁。自氣體供給部16a供給之氣體經由供給閥16b而導入至儲槽6a之內部。
供給閥16b控制氣體之供給及停止。又，供給閥16b可設為不僅控制氣體之供給及停止，亦可進行壓力控制者。
例如於產生過飽和氣體溶解水之情形時，藉由供給閥16b，將導入至儲槽6a之內部之氣體之壓力設為使溶解度以上之氣體溶入之較高之壓力。
液體供給部16c供給產生處理液110時所使用之液體。
例如，液體供給部16c供給純水。
液體供給部16c例如可設為貯存有液體之儲槽等。
供給閥16d設置於液體供給部16c與送液部16e之間。
供給閥16d控制液體之供給及停止。又，供給閥16d可設為不僅控制液體之供給及停止，亦可進行流量控制者。
又，供給閥16d可基於來自設置於儲槽6a之未圖示之液面計之信號，使貯存於儲槽6a之液體(處理液110)之量始終固定。
送液部16e設置於儲槽6a之側壁。送液部16e自液體供給部16c對儲槽6a之內部輸送液體。
送液部16e例如可設為對自液體供給部16c供給之液體具有耐受性之泵等。
以上為供給1種氣體與1種液體之情況，但亦可供給2種以上之氣體與2種以上之液體。
又，亦可對儲槽6a供給2種以上之液體而產生處理液110。
於處理液110為APM之情形時，例如可對儲槽6a供給氨水、過氧化氫水及純水而產生處理液110。
於處理液110為SPM之情形時，例如可對儲槽6a供給硫酸及過氧化氫水而產生處理液110。
即，只要對儲槽6a供給複數種原料而產生處理液110即可。
根據本實施形態之基板處理裝置1a，可享有與上述基板處理裝置1相同之作用效果。
以上，對實施形態進行了例示。然而，本發明並不限定於該等記載。
業者針對上述實施形態適當進行構成要素之追加、刪除或設計變更而成者、或進行步驟之追加、省略或條件變更而成者亦只要具備本發明之特徵，便包含於本發明之範圍內。
例如，基板處理裝置1、1a所具備之各要素之形狀、尺寸、材質、配置、個數等並不限定於例示者，可適當進行變更。
又，亦可不於進行貼合基板100(基板100a)之加熱後進行冷卻，而於溫度控制部4冷卻貼合基板100(基板100a)之後，藉由處理槽5a內之處理液110進行貼合基板100(基板100a)之加熱。
又，上述溫度控制部4係載置貼合基板100(基板100a)者，但溫度控制部4亦可為具有藉由使加熱介質(氣體、溶液、固體)接觸於貼合基板100(基板100a)而進行加熱之功能者。
又，溫度控制部4亦可為具有藉由使冷卻溶劑(氣體、溶液、乾冰等固體)接觸於貼合基板100(基板100a)而進行冷卻之功能者。
又，溫度控制部4可如上所述設置於與處理槽5a隔離之部位、或設置於處理槽5a、或設置於處理槽5a及與處理槽5a隔離之部位。
又，例如亦可於將貼合基板100(基板100a)浸漬於處理液110之前，已經進行加熱及冷卻。於此情形時，溫度控制部4可設為藉由循 環之熱介質對貼合基板100(基板100a)進行加熱，其後進行冷卻者。而且，可藉由使被加熱之熱介質與被冷卻之熱介質依序循環，而進行貼合基板100(基板100a)之加熱及冷卻。
或者，亦可利用已知之旋轉處理裝置，自噴嘴對貼合基板100(基板100a)之面交替地吹送加熱介質或冷卻介質。即，亦可於將貼合基板100(基板100a)浸漬於處理液110之前一階段，使器件基板101與接著劑102之界面、及支持基板103與接著劑102之界面中之至少任一者產生因線膨脹率之差而引起之剝離或龜裂。
又，於將溫度控制部4設置於處理槽5a之情形時，亦可於處理槽5a之高度方向上在處理液110設置溫度不同之區域。
圖6係用以例示設置有溫度不同之區域之處理液110之模式剖面圖。
於圖6所示者之情形時，於處理液110設置有溫度不同之3個區域。而且，可使作為最上層之第1區域110a之溫度最高，且隨著靠近較第1區域110a位於更下方之第2區域110b、第3區域110c而使溫度變低。
於此情形時，將貼合基板100(基板100a)保持於第1區域110a之內部並進行加熱直至經過特定時間為止，其後使貼合基板100(基板100a)進一步下沈，將貼合基板100(基板100a)依序保持於第2區域110b之內部及第3區域110c之內部。而且，藉由各區域之溫度差，而於器件基板101與接著劑102之界面、及支持基板103與接著劑102之界面中之至少任一者進行剝離。
即，藉由改變處理槽5a中之貼合基板100(基板100a)之高度位置，而進行該貼合基板100(基板100a)之加熱及冷卻，使器件基板101與接著劑102之界面、及支持基板103與接著劑102之界面中之至少任一者產生基於器件基板101、支持基板103、及接著劑102之線膨脹率 之差之熱應力。藉由所產生之熱應力而產生龜裂或間隙等。處理液110會滲入至所產生之龜裂或間隙等中，因此可自器件基板101及支持基板103中之至少任一者剝離接著劑102。
於此情形時，可於處理槽5a設置對第1區域110a之處理液110進行加熱之溫度控制部4。
又，於此情形時，上述控制部10可控制貼合基板100(基板100a)與處理液110之相對位置或移動速度。
再者，亦可首先將貼合基板100(基板100a)最初保持於第3區域110c之後使其上升至第1區域110a，而進行剝離。又，亦可使溫度自第1區域110a朝第3區域110c變高。又，區域之個數並不限定於3個，只要設置2個以上之區域即可。
又，上述各實施形態所具備之各要素能夠於可能之範圍內進行組合，該等組合而成者亦只要包含本發明之特徵，便包含於本發明之範圍內。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧容器
3‧‧‧收納部
4‧‧‧溫度控制部
5‧‧‧處理部
5a‧‧‧處理槽
5b‧‧‧供給閥
5c‧‧‧供給閥
5d‧‧‧配管
6‧‧‧供給部
6a‧‧‧儲槽
6b‧‧‧供給閥
6c‧‧‧供給閥
6d‧‧‧送液部
6e‧‧‧排出閥
6f‧‧‧配管
7‧‧‧回收部
7a‧‧‧儲槽
7b‧‧‧排出閥
8‧‧‧搬送部
8a‧‧‧保持部
8a1‧‧‧臂
8b‧‧‧移動部
9‧‧‧搬送部
9a‧‧‧保持部
9a1‧‧‧臂
9b‧‧‧移動部
10‧‧‧控制部
100‧‧‧貼合基板
110‧‧‧處理液

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，其包括：處理槽，其貯存供處理物浸漬之處理液；搬送部，其搬送上述處理物；及溫度控制部，其設置於上述處理槽及與上述處理槽隔離之部位中之至少任一者，進行上述處理物之加熱及冷卻中之至少任一者；上述處理物為以下基板中之至少任一者：包含器件基板、支持基板及接著劑之貼合基板，上述接著劑設置於上述器件基板與上述支持基板之間；附著有上述接著劑之上述器件基板；及附著有上述接著劑之上述支持基板；於上述處理槽中，使已藉由上述溫度控制部變換溫度之上述處理物之溫度進而變化，於上述器件基板與上述接著劑之界面、及上述支持基板與上述接著劑之界面中之至少任一者產生剝落及龜裂之至少任一者，藉由使上述處理液自上述剝落部分及上述龜裂中之至少任一者滲入，而進行上述貼合基板之剝離、或上述接著劑之去除。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述處理液係選自由純水、臭氧水、過飽和氣體溶解水、APM、SPM所組成之群中之至少1種。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其進而包括進行上述搬送部之控制之控制部，上述控制部控制上述搬送部，將於溫度控制部進行加熱及冷卻中之至少任一者之後之上述處理物浸漬於貯存在上述處理槽 之上述處理液中。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中設置於上述處理槽之上述溫度控制部於上述處理槽之高度方向上使貯存於上述處理槽之上述處理液形成溫度不同之複數個區域。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述溫度控制部使上述處理物之面內形成溫度不同之複數個區域。
  6. 一種貼合基板之剝離方法，其包括以下步驟：使包含器件基板、支持基板及接著劑之貼合基板之溫度變化之步驟，上述接著劑設置於上述器件基板與上述支持基板之間；及將上述貼合基板浸漬於處理液中之步驟；於上述浸漬步驟中，使已藉由上述使貼合基板之溫度變化之步驟變化溫度之上述貼合基板之溫度進而變化，於上述器件基板與上述接著劑之界面、及上述支持基板與上述接著劑之界面中之至少任一者產生剝落及龜裂之至少任一者，藉由使上述處理液自上述剝落部分及上述龜裂中之至少任一者滲入，而進行上述貼合基板之剝離。
  7. 如請求項6之貼合基板之剝離方法，其中上述處理液係選自由純水、臭氧水、過飽和氣體溶解水、APM、SPM所組成之群中之至少1種。
  8. 如請求項6之貼合基板之剝離方法，其中於將上述貼合基板浸漬於處理液之步驟中，將已於上述使溫度變化之步驟中使溫度變化後之上述貼合基板浸漬於上述處理液中。
  9. 如請求項6之貼合基板之剝離方法，其中於將上述貼合基板浸漬於處理液之步驟中所使用之上述處理液中，形成有溫度不同之複數個區域，且 於上述使貼合基板之溫度變化之步驟中，使上述貼合基板於上述溫度不同之複數個區域之間移動。
  10. 如請求項6之貼合基板之剝離方法，其中於上述使貼合基板之溫度變化之步驟中，於上述處理物之面內形成溫度不同之複數個區域。
  11. 一種接著劑之去除方法，其包括以下步驟：使附著有接著劑之器件基板、或附著有上述接著劑之支持基板之溫度變化之步驟；及將附著有上述接著劑之器件基板、或附著有上述接著劑之支持基板浸漬於處理液中之步驟；於上述浸漬步驟中，使已藉由上述使溫度變化之步驟變化溫度之上述附著有接著劑之器件基板或附著有上述接著劑之支持基板之溫度進而變化，於上述器件基板與上述接著劑之界面、及上述支持基板與上述接著劑之界面中之至少任一者產生剝落及龜裂之至少任一者，藉由使上述處理液自上述剝落部分及上述龜裂中之至少任一者滲入，而進行上述接著劑之去除。
  12. 如請求項11之接著劑之去除方法，其中上述處理液係選自由純水、臭氧水、過飽和氣體溶解水、APM、SPM所組成之群中之至少1種。
  13. 如請求項11之接著劑之去除方法，其中於浸漬在上述處理液之步驟中，藉由將上述已使溫度變化後之附著有接著劑之器件基板、或上述已使溫度變化後之附著有接著劑之支持基板浸漬於上述處理液中，而產生基於線膨脹率之差之熱應力，使上述處理液易於滲入至上述器件基板與上述接著劑之界面、或上述支持基板與上述接著劑之界面。
  14. 如請求項11之接著劑之去除方法，其中於將附著有上述接著劑之 器件基板、或附著有上述接著劑之支持基板浸漬於處理液之步驟中所使用的上述處理液中，形成有溫度不同之複數個區域，且於使附著有上述接著劑之器件基板、或附著有上述接著劑之支持基板之溫度變化之步驟中，使附著有上述接著劑之器件基板、或附著有上述接著劑之支持基板於上述溫度不同之複數個區域之間移動。
  15. 如請求項11之接著劑之去除方法，其中於使附著有上述接著劑之器件基板、或附著有上述接著劑之支持基板之溫度變化之步驟中，於上述處理物之面內形成溫度不同之複數個區域。
TW103133439A 2013-09-25 2014-09-25 A substrate processing apparatus, a peeling method of a bonded substrate, and a method of removing the adhesive TWI534885B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013198340 2013-09-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201521108A TW201521108A (zh) 2015-06-01
TWI534885B true TWI534885B (zh) 2016-05-21

Family

ID=52743370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103133439A TWI534885B (zh) 2013-09-25 2014-09-25 A substrate processing apparatus, a peeling method of a bonded substrate, and a method of removing the adhesive

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20160225613A1 (zh)
EP (1) EP3051574A4 (zh)
JP (2) JP6709052B2 (zh)
KR (1) KR101774185B1 (zh)
CN (1) CN105593971B (zh)
TW (1) TWI534885B (zh)
WO (1) WO2015046235A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9475272B2 (en) * 2014-10-09 2016-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. De-bonding and cleaning process and system
KR102548824B1 (ko) * 2020-04-07 2023-06-27 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03129732A (ja) * 1989-07-19 1991-06-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体の処理方法
JP3323242B2 (ja) * 1992-08-03 2002-09-09 新オオツカ株式会社 温冷浴洗浄装置
JPH0697017A (ja) * 1992-09-16 1994-04-08 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH07290011A (ja) * 1995-03-09 1995-11-07 Seiko Epson Corp ワーク洗浄方法および洗浄装置
JP3496376B2 (ja) * 1995-12-07 2004-02-09 住友電気工業株式会社 切断後の電子材料表面の洗浄方法及びその装置
JP2001015721A (ja) * 1999-04-30 2001-01-19 Canon Inc 複合部材の分離方法及び薄膜の製造方法
JP2002100595A (ja) * 2000-07-21 2002-04-05 Enya Systems Ltd ウエ−ハ剥離装置及び方法並びにこれを用いたウエ−ハ処理装置
EP1258706A2 (en) * 2001-05-15 2002-11-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Navigation system
JP2003282522A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Mitsumi Electric Co Ltd レジスト剥離装置及びレジスト剥離装置の制御方法
JP4186502B2 (ja) * 2002-04-22 2008-11-26 ソニー株式会社 薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび表示装置
US20130023335A1 (en) * 2002-05-20 2013-01-24 Snow Roger M Four Card Poker Game with Variable Wager
FR2860178B1 (fr) * 2003-09-30 2005-11-04 Commissariat Energie Atomique Procede de separation de plaques collees entre elles pour constituer une structure empilee.
CN1942606B (zh) * 2004-04-15 2011-12-14 东京毅力科创株式会社 液体处理装置和液体处理方法
US7601271B2 (en) * 2005-11-28 2009-10-13 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Process and equipment for bonding by molecular adhesion
US8193076B2 (en) * 2006-10-09 2012-06-05 Solexel, Inc. Method for releasing a thin semiconductor substrate from a reusable template
CN101779268B (zh) 2007-06-25 2013-11-06 布鲁尔科技公司 高温旋涂暂时性粘合组合物
RU2472247C2 (ru) * 2007-11-02 2013-01-10 Президент Энд Феллоуз Оф Гарвард Колледж Изготовление самостоятельных твердотельных слоев термической обработкой подложек с полимером
JP5489546B2 (ja) * 2009-06-11 2014-05-14 東京応化工業株式会社 貼付方法及び貼付装置
JP5611751B2 (ja) * 2010-09-30 2014-10-22 芝浦メカトロニクス株式会社 支持基板、基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法
JP5958262B2 (ja) * 2011-10-28 2016-07-27 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
KR101279391B1 (ko) * 2011-12-27 2013-07-04 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 디마운트 시스템
JP2016031974A (ja) * 2014-07-28 2016-03-07 セイコーエプソン株式会社 基板処理方法、基板製品の製造方法及び基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101774185B1 (ko) 2017-09-01
JPWO2015046235A1 (ja) 2017-03-09
EP3051574A1 (en) 2016-08-03
JP2019125795A (ja) 2019-07-25
WO2015046235A1 (ja) 2015-04-02
CN105593971A (zh) 2016-05-18
KR20160058939A (ko) 2016-05-25
EP3051574A4 (en) 2017-05-10
JP6886481B2 (ja) 2021-06-16
CN105593971B (zh) 2018-10-02
JP6709052B2 (ja) 2020-06-10
TW201521108A (zh) 2015-06-01
US20160225613A1 (en) 2016-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6270270B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5455987B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6945314B2 (ja) 基板処理装置
TW202022939A (zh) 基板處理系統及基板處理方法
JP6158721B2 (ja) 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US8834662B2 (en) Apparatus and method of separating wafer from carrier
JP2013033963A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP5740550B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5714859B2 (ja) 基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法
TWI666697B (zh) 基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體
JP6376553B2 (ja) 基板処理装置
JP6213487B2 (ja) 縦型熱処理装置の運転方法、記憶媒体及び縦型熱処理装置
JP6886481B2 (ja) 貼合基板の剥離方法および接着剤の除去方法
JP5580805B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6226297B2 (ja) 基板処理装置
KR102113931B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP5717803B2 (ja) 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6466217B2 (ja) 剥離装置及び剥離システム
JP2006190737A (ja) 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
JP2008159656A (ja) 凍結処理装置、基板処理装置および凍結処理方法
WO2020039835A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5552559B2 (ja) 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
WO2018173566A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6289922B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2020035995A (ja) 基板処理方法および基板処理装置