TWI515951B - 旁通電路及其形成方法 - Google Patents

旁通電路及其形成方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI515951B
TWI515951B TW101117219A TW101117219A TWI515951B TW I515951 B TWI515951 B TW I515951B TW 101117219 A TW101117219 A TW 101117219A TW 101117219 A TW101117219 A TW 101117219A TW I515951 B TWI515951 B TW I515951B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
capacitor
circuit
inductor
mmic
connection
Prior art date
Application number
TW101117219A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201306375A (zh
Inventor
喬恩 穆尼伊
大衛Ｄ 海斯頓
克萊爾Ｅ 穆尼伊
蒂芬妮Ｅ 卡西迪
Original Assignee
雷神公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 雷神公司 filed Critical 雷神公司
Publication of TW201306375A publication Critical patent/TW201306375A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI515951B publication Critical patent/TWI515951B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/191—Tuned amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H01L2223/665—Bias feed arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6683—High-frequency adaptations for monolithic microwave integrated circuit [MMIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)

Description

旁通電路及其形成方法 發明領域
本發明係有關微波電路，而更特別是有關於一單石微波積體電路中用於一偏壓連接之旁通電路。
發明背景
一單石微波積體電路(MMIC)為在微波頻率操作之一積體電路。典型情況是，一MMIC係設計於一特定操作頻率中心之一頻帶中操作。一MMIC於該操作頻率或接近該操作頻率可具有針對信號之輸入與輸出連接，且此外，一MMIC可具有以偏壓連接著名之低頻或直流(DC)連接。偏壓連接可將電源或控制信號提供至該MMIC中之構件，或其可從該MMIC提供該低頻信號之輸出。例如，MMIC放大器需要DC電源，MMIC調變器需要調變信號，而MMIC檢測器可產生低頻輸出信號。
一般較佳情況是於該操作頻率或接近該操作頻率之微波信號無法經過該等偏壓連接來傳播進出該MMIC。除此之外，一微波信號可經過一偏壓連接來從該MMIC傳播、從該MMIC外側之構件反射、並經過一偏壓連接再次傳播回到該MMIC；與該MMIC外側之電路的該類不必要互動會導致其頻率響應之鏈波、或導致振盪。因該MMIC設計者對之後連接至該MMIC之外部電路的控制有限，故期待使該MMIC之操作儘可能接近與該類外部電路無關。於一 MMIC放大器中，效率會是用於防止微波信號之傳輸經過偏壓連接的另一因素：一偏壓連接時的任何淨微波功率耗損可對應於該電路之微波輸出連接無法取用的功率。
可藉由將一微波短路提供至該偏壓導體上的某點接地來防止微波進出該MMIC傳播。該類短路可反射微波信號。例如，連接於一偏壓導體與接地間之一足夠大的電容器針對微波信號可近似一短路至接地。假設該電容器不太大，則於低頻時其亦近似一開路，允許該等偏壓信號自由傳播進出該MMIC。
然而，一個大電容器可能佔有該MMIC中之一大區域。MMIC設計中，該積體電路、或“晶片”之實體大小通常會受到限制，而一MMIC設計者必須嘗試適合設計為一小區域之電路。一電容器之微波頻率時的阻抗與其區域成反比。結果是，佔有該晶片上的一小區域之一電容器於微波頻率時可能無法提供一足夠低的阻抗。
於一旁通電路中亦期待其他特性。除非採用適當的設計預防措施，否則一MMIC放大器可能於非該操作頻率之頻率時出現振盪。此可藉由於該微波信號路徑中提供耗損，例如，藉由將一串聯電阻器安裝於該偏壓導體中來防止。然而，該類電阻器可在所有頻率，包括該操作頻率與DC時增加耗損，於該操作頻率時浪費DC供應電源與微波電源。因此，期待該偏壓電路於該MMIC放大器可能在其他方面振盪的頻率時主要可提供耗損。
因此，會有於一微波操作頻率時提供一低阻抗之一旁通 電路的需求，並在相同頻率時消耗比具有一相同阻抗之一電容器還少量的晶片區域。此外，會有能夠在不同於該操作頻率之微波頻率時可提供顯著耗損的一旁通電路之需求。
發明概要
本發明之實施例提供連接至一MMIC或其他微波電路中之一偏壓導體的一旁通電路。本發明之實施例的一觀點可允許偏壓電流於該偏壓導體中實質流動而無耗損，並以低回流耗損於該操作頻率時反射微波信號。本發明之實施例的另一觀點於DC與該操作頻率間之頻率提供耗損，以防止一MMIC放大器電路振盪。
於一實施例中，一旁通電路包含與一電感器串聯之一電容器，其依次連接至接地，其中該電容器與該電感器之組合的共振頻率為該微波電路之操作頻率。另一實施例更包含一並列電路，其包含一電阻器、一第二電容器、以及一第二電感器，其中該第二電容器與該第二電感器之組合的共振頻率低於該操作頻率。
圖式簡單說明
第1圖是一根據本發明之一實施例的旁通電路之示意圖；第2圖是一該旁通電路之一實施例中，如一頻率函數之該阻抗的實部圖；第3A圖是一根據本發明之一實施例，於一MMIC基體上製造以執行第1圖之電路的構件之部分平面圖；第3B圖是一沿第3A圖之截面線3B-3B取得的放大部分 橫截面圖；第3C圖是一沿第3B圖之線段2C取得的放大橫截面圖；以及第4圖是一第3A圖之實施例的部分立體圖。
較佳實施例之詳細說明
下文中連接該等附圖來提出之詳細說明意欲作為根據本發明提供之一旁通電路的目前較佳實施例之說明，而不意欲代表可建構或使用本發明之唯一型式。該說明結合該等繪示實施例來提出本發明之特徵。然而，可了解相同或等效的功能與結構可由亦意欲包含於本發明之精神與範疇中的不同實施例來完成。如本文其他地方所述，相同元件號碼意欲指出相同元件或特徵。
為簡單說明，本文所使用之該術語“微波”包括射頻與毫米波頻率，亦即，包括從約1百萬赫茲(MHz)跨越至1000吉赫茲(GHz)之一頻率範圍。
參照第1圖，該所示實施例中，該旁通電路提供兩連接點：用於將該旁通電路連接至一焊墊之一焊墊連接12，其提供一連接至外部電路，以及用於將該旁通電路連接至該MMIC中之內部電路的一內部連接10。
該旁通電路更包含一共振旁通電容器16與一解除佇列電路18。該共振旁通電容器16為連接至一接地連接14並具有選擇來使得該電路於該操作頻率時共振的數值C1與L1之電容器C1與電感器L1的串聯組合。
於該共振頻率時，該共振旁通電容器16之阻抗為低準位。具有電容C之一理想電容器以及具有電感L之一理想電感器的串聯組合之阻抗於該共振頻率f0，其由f0=(1/LC)1/2/(2π)給定時為零。同樣地，與一真實電感器串聯之一真實電容器的共振阻抗為低準位，但非零，而其只是該等真實構件與其理想對應體不同的程度。於一實施例中，在一操作頻率10GHz時，藉由使用C1與L1之數值個別約為4微微法拉(pF)與0.063奈亨利(nH)，由C1與L1形成之該共振旁通電容器16的阻抗可變為低準位。特別是，該阻抗可低於佔有與電容器C1與電感器L1相同區域之一電容器的阻抗。
第1圖之實施例中，該解除佇列電路18為連接至一接地連接14之電阻器R、電容器C2、與電感器L2的串聯組合。該解除佇列電路18與該共振旁通電容器16並聯。於該操作頻率時，該共振旁通電容器16之阻抗為低準位，而該解除佇列電路18具有很少效應，但於其他頻率該解除佇列電路18提供一頻率相依阻抗，其可用來抑制包含一放大器之一MMIC中的振盪。
一示範實施例中，可選擇C2與L2的數值使得其共振頻率顯著低於該操作頻率。該共振頻率中，電感器L2與電容器C2之阻抗可實質取消，使電阻器R之電阻成為該解除佇列電路18之阻抗。
該解除佇列電路18之共振頻率與該共振旁通電容器16之共振頻率間的頻率間隔中，該共振旁通電容器16將具有主要為電容性之一阻抗而該解除佇列電路18將具有電阻性 與電感性之一阻抗。某些中間頻率時，該等兩阻抗，一電容性以及另一電感性與電阻性，將形成具有一相當高阻抗之一並列共振電路。該共振模式、與包含電容器C2與電感器L2之串列共振，可使該解除佇列電路18之阻抗、與該旁通電路之阻抗能夠快速改變來作為頻率函數，並在該中間頻率提供顯著耗損而在該操作頻率與DC提供低耗損。本實施例之解除佇列電路18在DC與該操作頻率時並不導入耗損，其中因該串列電容器C2故其當作一開路，因為其與在該操作頻率提供一接近短路至接地之該共振旁通電容器16並聯。針對該電阻器R、該電容器C2與電感器L2之構件數值的選擇可使用如下文更詳細說明之一反覆調諧程序來完成。
參照第2圖，其顯示該旁通電路之一實施例的阻抗實部之一示範圖，該阻抗之實部於一操作頻率10GHz時可為低準位，而於較低頻率時為相當高準位。
第1圖繪示之實施例的該解除佇列電路18由一串列電阻器-電感器-電容器(RLC)組合所組成，但本發明並不侷限於該實施例。如本文所使用，該術語“解除佇列電路”表示於DC可提供一高阻抗、連接於該偏壓連接與接地間之一任意的構件組合。該解除佇列電路可，例如，包括與該第一RLC組合並聯之一額外RLC組合，或其可包含其他電路元件，諸如開路傳輸線短柱、額外、或替代地，第1圖之該實施例中所示之電路元件。此方法中，假若有足夠的MMIC晶片區可用來形成該等所需構件，則該偏壓電路至接地的阻抗可修改為一大範圍頻率函數的任何一個。
參照第3A圖與第4圖，於一示範實施例中，該等電容器C1與C2可於一MMIC上製造，成為實質上為矩形金屬-絕緣體-金屬電容器、或MIM電容器。參照第3C圖，一MIM電容器32可藉由執行下列步驟來形成，將一第一金屬層22沉積於該MMIC基體20上，以形成該MIM電容器32之底部平面26，之後藉由將諸如氮化矽(SiN)之一介電材料沉積於該第一金屬層22之頂部上以形成著名的氮化物層24，而最後藉由將一或更多額外的金屬層沉積於該氮化物層24上以形成該MIM電容器32之頂部平面28。例如，該氮化物層24較佳製成薄的，具有一0.2微米厚度，以增加每單位區域之電容量，但需足夠厚使該MIM電容器32能可靠抵擋其曝露之該最高電壓。形成該MIM電容器32之底部平面26的該第一金屬層22可為0.77微米厚。第3A圖、第3B圖、與第4圖中該氮化物層24與該底部平面26太薄無法清楚識別，但在第3C圖之放大橫截面圖中可看見。
參照第3B圖，該頂部平面28可具有於兩個金屬沉積步驟中沉積之一總厚度6微米，其為首先沉積的2微米金屬以及隨後沉積的一額外4微米金屬。針對承載該偏壓電流之一導體的需求可規定所需金屬之厚度。該實施例中，例如，該偏壓電流路徑橫跨電容器C1之該頂部平面28，而該頂部平面28會因此需要一特定最小厚度。
參照第3A圖與第3B圖，至一MIM電容器32之該底部平面26的一連接可使用一接地孔徑40經過該基體20來形成。該接地孔徑40可藉由執行下列步驟來形成，首先使用一濕 蝕刻程序來形成一錐形孔經過該基體20、而之後以6微米厚之一背側金屬層46來電鍍該基體20之整個背側。該背側金屬層46形成該背側接地面44並亦覆蓋該接地孔徑40之斜坡48，從該背側接地面44至該接地孔徑40之頂部形成一傳導路徑。在一接地孔徑40上方或附近形成之一MIM電容器32的該底部平面26之後由於與該接地孔徑40之上端接觸故可接地。
第3A圖至第3C圖以及第4圖繪示之示範實施例中所示的結構，可於具有能夠形成MIM電容器與傳導孔徑之程序的任何MMIC製造廠中製造。該類製造廠會需要製造的設計遵守特定的設計規則以確保可靠的製造。亦可使用該類程序中適合MMIC製造之任何半導體材料，包括，例如，矽、氮化鎵、矽鍺、砷化鎵、磷化銦、以及氮化鎵。雖然上述實施例中之介電層以氮化矽組成，但其他實施例中其可以其他適當的介電質組成。
參照第3C圖，於一MIM電容器32中，該氮化物層24可相關該底部平面26被嵌入，換言之，該介電層之區域可稍微小於該底部平面26的區域。此情況中，該頂部平面28必須依次具有比該氮化物層24稍微小的區域以避免對該底部平面26短路。參照第3B圖，一空橋34可用來形成至該MIM電容器32之該頂部平面28的一連接，而不會與該底部平面26短路。一實施例中該空橋34可如下形成。於用來形成該頂部平面28之兩個金屬沉積步驟中的第一個中形成之一2微米金屬層可於該氮化物層24上沉積。一狹窄抗光蝕帶之 後可鄰近該2微米金屬層沉積，而一4微米金屬層之後可於該2微米金屬層上以及該抗光蝕帶上沉積。最後該暫時性抗光蝕帶可藉由從該4微米金屬層下方將其溶解來移除。如第3B圖之橫截面中所示，此結果為該頂部平面28與一鄰近導體間之一傳導性空橋34。製造廠設計規則會需要該寬的空橋34從多個狹窄的空橋部段36來形成。
參照第3A圖至第3C圖，一MIM電容器32之該底部平面26接地時，用於完成此目的之該接地孔徑40通常放置接近該電容器中心。此提供從該電容器底部平面26至接地一短路徑。第3A圖繪示放置靠近該電容器C2中心下方之該類接地孔徑40。於一示範實施例中，該電感器L1可藉由將該電容器C1之該接地孔徑40放置離該電容器C1中心某個距離來形成，使得從該底部平面26流至接地之電流採用比若該電容器C1之該接地孔徑40位在中心時還長的路徑。該偏置效應為該電容器C1之底部平面26不直接連接至接地但連接至一接地傳輸線短柱。於該操作頻率該接地短柱可作為一電感性分流至接地。從該電容器C1之底部平面26至該接地孔徑40之該傳導路徑的長度與寬度兩者會影響該電感器L1之電感。於一實施例中，該電容器C1之底部平面26可在固定寬度、於該接地孔徑40上方延伸，而該電容器C1中央與其接地孔徑40間之偏置實質為100微米。
參照第4圖，製造廠設計規則會需要該電容器C1之氮化物層24與頂部平面28具有一矩形切割42以便於該等層與該接地孔徑40之間提供一最小間距。於一實施例中，該電容 器C1之頂部平面28可具有210微米乘72微米的外觀維度，具有與該電容器C1之較長維度平行的36微米長度、以及30微米寬度之一矩形切割42。
電感器L2亦可形成為一微帶傳輸線之部段。該電感器L2之電感之後由該傳輸線之長度與寬度決定，於一實施例中其可個別為575微米與5微米。該電阻器R可製造為一7.5歐姆薄膜電阻器。
該旁通電路中之構件的位置與維度調整可使用一調諧程序以提供該內部連接10所需之阻抗，如一頻率函數來完成。該等調整可使用電磁場模擬軟體，諸如加州聖克拉拉市安捷倫科技販售之安捷倫進階設計系統來完成。使用該類軟體，一設計者可，例如，繪製，如一頻率函數，從該內部連接10反射之振幅與相位，而之後對該電路中之構件反覆作調整直到已達到可接受之特性。此程序期間，該設計者可在該操作頻率努力達到低回流耗損、在DC時努力達到高阻抗至接地、以及其他頻率時達到高回流耗損。該設計者亦可尋找調整該反射波之相位以作為一頻率函數。使用本發明之一系統設計已針對一組頻率的良好效能調整時，可期待使用具有不同組頻率之系統，針對該新頻率其需重覆該調諧程序。
雖然本文已特別說明與繪示一MMIC旁通電路之有限實施例，但很明顯地對業界熟於此技者而言其可作許多修改與變化型態。因此，應了解根據本發明之原則建構的旁通電路可在非如本文特別說明的內容下加以具體化。本發 明亦定義在下列申請專利範圍中。
10‧‧‧內部連接
12‧‧‧焊墊連接
14‧‧‧接地連接
16‧‧‧共振旁通電容器
18‧‧‧解除佇列電路
20‧‧‧MMIC基體
22‧‧‧第一金屬層
24‧‧‧氮化物層
26‧‧‧底部平面
28‧‧‧頂部平面
32‧‧‧MIM電容器
34‧‧‧空橋
36‧‧‧空橋部段
40‧‧‧接地孔徑
42‧‧‧切割
44‧‧‧背側接地面
46‧‧‧背側金屬層
48‧‧‧斜坡
C1、C2‧‧‧電容器
f0‧‧‧共振頻率
L1、L2‧‧‧電感器
R‧‧‧電阻器
第1圖是一根據本發明之一實施例的旁通電路之示意圖；第2圖是一該旁通電路之一實施例中，如一頻率函數之該阻抗的實部圖；第3A圖是一根據本發明之一實施例，於一MMIC基體上製造以執行第1圖之電路的構件之部分平面圖；第3B圖是一沿第3A圖之截面線3B-3B取得的放大部分橫截面圖；第3C圖是一沿第3B圖之線段2C取得的放大橫截面圖；以及第4圖是一第3A圖之實施例的部分立體圖。
10‧‧‧內部連接
12‧‧‧焊墊連接
14‧‧‧接地連接
16‧‧‧共振旁通電容器
18‧‧‧解除佇列電路
C1、C2‧‧‧電容器
L1、L2‧‧‧電感器
R‧‧‧電阻器

Claims (9)

  1. 一種旁通電路，其係於具有一基體之一單石微波積體電路(MMIC)中，用以於一偏壓連接處於一操作頻率下將實質為零的阻抗提供至接地端，該旁通電路包含：一第一晶載電容器；一第一晶載電感器；其中該電感器連接於該電容器與接地點之間，連接至接地點之連接係由一接地通孔(ground via)通過該基體所形成，而該電容器連接於該偏壓連接與該電感器之間；以及一解除佇列電路，組配來於在該操作頻率以下延伸的一頻率範圍內導入損耗。
  2. 如申請專利範圍第1項之旁通電路，其中該第一晶載電感器藉由提供預定長度與寬度之通至接地點的一傳導路徑而形成。
  3. 如申請專利範圍第1項之旁通電路，其中該解除佇列電路包含：一電阻器；一第二電容器；以及一第二電感器；其中該電阻器、該第二電容器、以及該第二電感器串聯連接於該偏壓連接與接地點之間。
  4. 如申請專利範圍第3項之旁通電路，其中該第二電容器與 該第二電感器之組合於低於該操作頻率之一頻率共振。
  5. 如申請專利範圍第3項之旁通電路，其中該等第一與第二電容器為於一單石微波積體電路(MMIC)程序中製造之金屬絕緣體金屬(MIM)電容器。
  6. 如申請專利範圍第3項之旁通電路，其中該第二電感器形成作為預定長度與寬度之一傳導路徑。
  7. 一種形成旁通電路的方法，用以於具有一基體之單石微波積體電路(MMIC)上之一偏壓連接處形成旁通電路，該方法包含下列步驟：提供連接至該偏壓連接之在該MMIC上之一第一電容器；提供連接於該第一電容器與接地點間之在該MMIC上之一第一電感器，該第一電感器係由一接地通孔通過該基體連接至接地點；以及提供連接於該偏壓連接與接地點間之一解除佇列電路，該解除佇列電路組配來於在一操作頻率以下延伸的一頻率範圍內導入損耗。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中提供一解除佇列電路之該步驟包含下列步驟：提供連接至該偏壓連接之一電阻器；提供連接至該電阻器之一第二電感器；以及提供連接於該第二電感器與接地點間之一第二電容器。
  9. 如申請專利範圍第7項之方法，其中提供連接至該偏壓 連接之該第一電容器的該步驟包含下列步驟：於該MMIC基體上形成一第一金屬層；於該第一金屬層上形成一介電層；於該介電層上形成一第二金屬層；以及於該偏壓連接與該第二金屬層之間跨越該第一金屬層之一部分形成一空橋。
TW101117219A 2011-07-18 2012-05-15 旁通電路及其形成方法 TWI515951B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/185,053 US8653907B2 (en) 2011-07-18 2011-07-18 Resonated bypass capacitor for enhanced performance of a microwave circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201306375A TW201306375A (zh) 2013-02-01
TWI515951B true TWI515951B (zh) 2016-01-01

Family

ID=46168136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101117219A TWI515951B (zh) 2011-07-18 2012-05-15 旁通電路及其形成方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8653907B2 (zh)
EP (1) EP2549644A1 (zh)
JP (1) JP5432329B2 (zh)
TW (1) TWI515951B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10063211B2 (en) 2016-02-03 2018-08-28 Qualcomm Incorporated Compact bypass and decoupling structure for millimeter-wave circuits
KR20190025690A (ko) * 2016-07-05 2019-03-11 레이던 컴퍼니 저항성 비아와 함께 디-큐잉 섹션을 갖는 증폭된 마이크로파 모놀리식 집적 회로(mmic)
CN106067770B (zh) * 2016-07-05 2019-02-15 成都泰格微电子研究所有限责任公司 2．7-3．5GHz 2W GaN单片功率放大器及设计方法
EP3849286A1 (en) * 2020-01-09 2021-07-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic device with differential transmission lines equipped with 3d capacitors supported by a base, and corresponding manufacturing method

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5260862A (en) * 1991-03-06 1993-11-09 Constant Velocity Transmission Lines, Inc. A-C power line filter
JPH1188080A (ja) * 1997-09-12 1999-03-30 Mitsubishi Electric Corp 高周波増幅回路とマイクロ波集積回路
JP3888785B2 (ja) * 1998-09-28 2007-03-07 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
US6307364B1 (en) 1999-08-27 2001-10-23 Rf Micro Devices, Inc. Power sensor for RF power amplifier
US6313705B1 (en) 1999-12-20 2001-11-06 Rf Micro Devices, Inc. Bias network for high efficiency RF linear power amplifier
FR2817412A1 (fr) * 2000-11-30 2002-05-31 St Microelectronics Sa Filtre passe-bas ou passe-bande integre
US6636119B2 (en) * 2000-12-21 2003-10-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Compact cascode radio frequency CMOS power amplifier
US6919774B2 (en) 2001-10-03 2005-07-19 Microtune (Texas), L.P. Broadband PIN diode attenuator bias network
JP2008172075A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP5161856B2 (ja) * 2009-10-07 2013-03-13 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ バイアス回路
JP5086319B2 (ja) 2009-10-23 2012-11-28 丸井 智敬 微小気泡含有組成物、および、微小気泡発生器。

Also Published As

Publication number Publication date
EP2549644A1 (en) 2013-01-23
JP2013027036A (ja) 2013-02-04
TW201306375A (zh) 2013-02-01
JP5432329B2 (ja) 2014-03-05
US8653907B2 (en) 2014-02-18
US20130021115A1 (en) 2013-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7305223B2 (en) Radio frequency circuit with integrated on-chip radio frequency signal coupler
CN106505962B (zh) 具有经耦合谐振器结构的阻抗匹配装置
KR100981524B1 (ko) 커플러, 집적형 전자 소자 및 전자 디바이스와 그 사용 방법
US8803633B2 (en) Directional coupler
US7418251B2 (en) Compact radio frequency harmonic filter using integrated passive device technology
US7869784B2 (en) Radio frequency circuit with integrated on-chip radio frequency inductive signal coupler
US5105172A (en) Monolithically realizable radio frequency bias choke
CN108370082A (zh) 时延滤波器
TWI517350B (zh) 用於無線應用之高功率半導體裝置及用以形成高功率半導體裝置之方法
TWI515951B (zh) 旁通電路及其形成方法
US7855614B2 (en) Integrated circuit transmission lines, methods for designing integrated circuits using the same and methods to improve return loss
US20100188169A1 (en) Reactance Varying Device
EP0680141B1 (en) Improvement of frequency characteristic of semiconductor device in microwave frequency band
KR100529581B1 (ko) 초고주파 윌켄슨 전력분배기
TWI459714B (zh) 電壓控制振盪器
US9362604B2 (en) RF planar filter having resonator segments connected by adjustable electrical links
US20190260344A1 (en) Inductively Coupled Filter and Wireless Fidelity Wifi Module
US7423490B2 (en) Wideband high frequency chokes
US20050189611A1 (en) High frequency passive element
JPH11163272A (ja) マイクロ波回路
JPH04317202A (ja) 誘電体トリプレートストリップ線路共振回路及びその共振周波数調整方法
TWI533499B (zh) 濾波器
JPH1174705A (ja) マイクロ波回路
TWI438960B (zh) 濾波器及其佈局結構
JPH04109604A (ja) マイクロ波半導体装置