TWI508793B - Substrate processing device - Google Patents

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TWI508793B
TWI508793B TW102132773A TW102132773A TWI508793B TW I508793 B TWI508793 B TW I508793B TW 102132773 A TW102132773 A TW 102132773A TW 102132773 A TW102132773 A TW 102132773A TW I508793 B TWI508793 B TW I508793B
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Akio Hashizume
Takashi Ota
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Screen Holdings Co Ltd
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Description

基板處理裝置
本發明係關於一種用以處理例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示裝置用基板、場發射顯示裝置(FED，Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等基板之基板處理裝置。
於半導體裝置或液晶顯示裝置之製造步驟中，進行對半導體晶圓或液晶顯示面板用玻璃基板等基板之表面供給處理液並利用處理液洗淨該基板之表面的處理等。
例如，實施逐片處理基板之單片式洗淨處理之基板處理裝置包含：旋轉夾頭，其一面將基板保持為大致水平，一面使該基板旋轉；及噴嘴，其係用以對藉由該旋轉夾頭而旋轉之基板之表面供給處理液。
於處理基板時，使基板連同旋轉夾頭之旋轉基座一併旋轉。繼而，自噴嘴對旋轉中之基板之表面之旋轉中心附近供給藥液。被供給至基板之表面上之藥液受到由基板之旋轉所產生之離心力，而於基板之表面上朝向周緣部流動。藉此，藥液遍佈基板之整個表面，從而達成了對基板之表面之藥液處理。
繼而，於該藥液處理後，進行用以利用純水沖洗附著於基板之藥液之沖洗處理。即，自噴嘴對藉由旋轉夾頭而旋轉之基板之 表面供給純水，該純水受到由基板之旋轉所產生之離心力而擴散，藉此沖洗附著於基板之表面之藥液。
作為此種單片式基板處理裝置，已知有一種裝置，其係如下述專利文獻1所述，於旋轉夾頭之旋轉基座內藏加熱器，並藉由加熱器將載置於旋轉基座之基板加熱至高溫。因此，與基板之表面接觸之部分之藥液升溫，可提高該藥液之處理能力，其結果，可提高藥液處理之處理速率。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-4879號公報
於藥液處理(高溫處理)結束後，必須進行應以低溫進行之處理(低溫處理)之情形時，在基板之溫度充分降低之前的期間，必須等待低溫處理之開始。然而，加熱器自接通(驅動狀態)變為斷開後亦不會立即降溫。因此，斷開加熱器後，加熱器仍會短暫地對基板繼續加熱。因此，加熱器之溫度充分降低需要長時間，結果會有使整體之處理時間變長之虞。
又，於藥液處理(高溫處理)中，有使旋轉基座之表面溫度(加熱器之溫度)提昇至極高之溫度之情形。然而，基於必須經由旋轉電接點進行對內藏於可旋轉之旋轉基座之加熱器之供電的關係，對加熱器之供電量受到限制，因此，加熱器之設定溫度存在上限。因此，有產生無法將基板加熱至所期望之高溫之情況之虞。
因此，本發明之目的在於提供一種可於使用加熱器之高溫處理後立即執行低溫處理之基板處理裝置。
又，本發明之另一目的在於提供一種可使用加熱器將基板加熱至所期望之高溫之基板處理裝置。
本發明提供一種基板處理裝置，其係為用於使用處理液而將基板加以處理者，且包含有：基板保持手段，其保持基板；處理液供給手段，其對由上述基板保持手段所保持之基板之表面供給處理液；基板旋轉手段，其使由上述基板保持手段所保持之基板旋轉；加熱器，其與由上述基板保持手段所保持之基板以對向之方式加以配置，用以加熱上述基板；加熱器支撐構件，其以自上述基板保持手段獨立之方式支撐上述加熱器；及移動手段，其以上述加熱器與由上述基板保持手段所保持之基板為接近/背離之方式使上述基板保持構件及上述加熱器支撐構件中之至少一者移動。
根據該構成，可變更加熱器與基板保持手段所保持之基板之間隔。於加熱器與基板之間隔較窄之狀態下，藉由加熱器將基板加熱至高溫。繼而，藉由自該狀態較大程度地擴大加熱器與基板之間隔，可減少對基板賦予之熱量，藉此，可冷卻基板。即，可於使用加熱器之高溫處理後，在短時間內執行低溫處理。
又，由於加熱器未由基板保持手段支撐，故而即便於基板旋轉過程中，加熱器亦不旋轉而靜止。亦即，無需將加熱器設為可旋轉之構成，因此，無需經由旋轉電接點進行對加熱器之供電。因此，對加熱器之供電量不受限制，故而可將基板加熱至所期望之高溫。
於本發明之一實施形態中，上述加熱器，係具有與由上 述基板保持手段所保持之基板以平行之方式對向之對向面，並藉由該對向面之輻射熱對該基板進行加熱，且上述對向面係劃分為可使每單位面積之發熱量相互不同之複數個對向區域。
例如，若加熱器之對向面大面積化，則難以於對向面之整個面內均等地維持加熱器之溫度。
根據該構成，將加熱器之對向面分割成複數個對向區域，並對對向區域個別地進行溫度調節。因此，藉由將例如複數個對向區域調整為相互均等之溫度，可將整個對向面保持為均等溫度。
於此情形時，較佳為，上述複數個對向區域之每單位面積之發熱量係以隨著遠離自利用上述基板旋轉手段所進行之基板旋轉所根據的旋轉軸線而變高之方式加以設定。
例如，於自處理液供給手段對基板之表面之中央部供給高溫處理液之情形時，處理液於剛被供給至基板之表面之中央部後為高溫，但於自基板之中央部朝向基板之周緣部流動之過程中，其液溫降低。因此，於基板之表面，於其中央部，處理液之溫度相對變高，於周緣部，處理液之溫度相對變低，因處理液與周邊環境等之熱交換而使基板表面之中央部之溫度相對變高，基板表面之周緣部之溫度相對變低。其結果，有產生如下之基板之表面之處理速率不均之虞，即，於基板之表面之中央部，利用處理液進行之處理迅速進行，於基板之表面之周緣部，利用處理液進行之處理相對較慢地進行等。
藉由將複數個對向區域之每單位面積之發熱量以隨著自基於基板之旋轉之旋轉軸線離開而變高之方式設定，可使處理液之溫度於整個基板內相等。藉此，可對基板之整個表面實施利用處理液進行之均等處理。
上述複數個對向區域亦可包含有以上述旋轉軸線為中心之圓形區域、及包圍圓形區域之外周之一個或複數個環狀區域。
於此情形時，較佳為，至少1個上述環狀區域於圓周方向上被分割成複數個分割區域，且上述複數個分割區域係以能夠使上述對向面之每單位面積之發熱量相互不同之方式加以設置。
於加熱器之對向面大面積化之情形時，難以於對向面之圓周方向上均等地維持加熱器之溫度。然而，根據該構成，將加熱器之對向面於圓周方向上分割成複數個對向區域，而且可對對向區域個別地進行溫度調節。藉此，即便於加熱器之對向面大面積化之情形時，亦可使對向面於圓周方向上保持為均等溫度。
亦可為，上述基板保持手段具有板狀之基座部、及安裝於上述基座部並且在與上述基座部為相隔之狀態將基板加以支撐之基板支撐部，且上述加熱器亦可收容配置於藉由上述基座部與由上述基板支撐部所支撐之基板而所區域劃分之空間內。
於此情形時，較佳為，上述加熱器支撐部，係包含有不與上述基座部接觸而於厚度方向上插通該基座部且一端包含連結於上述加熱器之支撐桿。根據該構成，支撐桿不與基座部接觸而於厚度方向上插通該基座部。因此，能夠以自基板保持手段獨立之狀態支撐收容配置於基座部與基板之間之空間之加熱器。藉此，能夠以相對較簡單之構成實現此種加熱器之支撐。
本發明之上述或進而其他目的、特徵及效果係參照隨附圖式並藉由下述實施形態之說明而明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧旋轉夾頭
3‧‧‧加熱器
3A‧‧‧第1加熱板
3B‧‧‧第2加熱板
3C‧‧‧第3加熱板
4‧‧‧第1藥液噴嘴
5‧‧‧第2藥液噴嘴
6‧‧‧處理室
11‧‧‧旋轉軸
12‧‧‧旋轉基座
13‧‧‧夾持構件
14‧‧‧旋轉馬達
16‧‧‧SPM液供給管
17‧‧‧SPM液閥
18‧‧‧第1噴嘴移動機構
19‧‧‧SC1供給管
20‧‧‧SC1閥
21‧‧‧第2噴嘴移動機構
23‧‧‧加熱器升降機構
24‧‧‧貫通孔
25‧‧‧支撐桿
26A‧‧‧供電線
26B‧‧‧供電線
26C‧‧‧供電線
27A‧‧‧第1本體部
27B‧‧‧第2本體部
27C‧‧‧第3本體部
28A‧‧‧第1電阻
28B‧‧‧第2電阻
28C‧‧‧第3電阻
29‧‧‧對向面
29A‧‧‧第1對向面
29B‧‧‧第2對向面
29C‧‧‧第3對向面
30‧‧‧常溫沖洗液噴嘴
31‧‧‧常溫沖洗液供給管
32‧‧‧常溫沖洗液閥
35‧‧‧高溫沖洗液噴嘴
36‧‧‧高溫沖洗液供給管
37‧‧‧高溫沖洗液閥
39‧‧‧空間
40‧‧‧控制部
100‧‧‧基板處理裝置
101‧‧‧加熱板
102‧‧‧分割體
103‧‧‧加熱器
104‧‧‧對向區域
129‧‧‧對向面
200‧‧‧基板處理裝置
201‧‧‧加熱器部
203‧‧‧加熱器
229‧‧‧對向面
300‧‧‧基板處理裝置
301‧‧‧旋轉夾頭
302‧‧‧密閉室
303‧‧‧馬達轉子
304‧‧‧夾持構件
305‧‧‧馬達定子
306‧‧‧護罩
307‧‧‧上部開口
308‧‧‧蓋構件
309‧‧‧處理液噴嘴
310‧‧‧密封環
311‧‧‧加熱器
312‧‧‧加熱器升降機構
313‧‧‧加熱器台
316‧‧‧背磁軛
317‧‧‧磁鐵
A1‧‧‧旋轉軸線
TA1‧‧‧表面溫度
TB1‧‧‧表面溫度
TC1‧‧‧表面溫度
HL0‧‧‧第0高度等級
HL1‧‧‧第1高度等級
HL2‧‧‧第2高度等級
HL3‧‧‧第3高度等級
PL0‧‧‧第0輸出位準
PL1‧‧‧第1輸出位準
PL2‧‧‧第2輸出位準
PL3‧‧‧第3輸出位準
W‧‧‧晶圓
W0‧‧‧間隔
W1‧‧‧間隔
W2‧‧‧間隔
W3‧‧‧間隔
圖1係模式性地表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之構成的剖面圖。
圖2係表示圖1所示之加熱器之構成之立體圖。
圖3係表示圖1所示之基板處理裝置之電性構成之方塊圖。
圖4係用以對藉由圖1所示之基板處理裝置而執行之抗蝕層去除處理之第1處理例進行說明的步驟圖。
圖5係用以說明圖4之處理例之時序圖。
圖6A至6C係用以說明圖4之處理例之模式圖。
圖6D至6F係用以說明繼圖6C後之步驟之模式圖。
圖6G至6I係用以說明繼圖6F後之步驟之模式圖。
圖6J係用以說明繼圖6I後之步驟之模式圖。
圖7係用以對藉由圖1所示之基板處理裝置而執行之抗蝕層去除處理之第2處理例進行說明的時序圖。
圖8係模式性地表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置之構成的俯視圖。
圖9係模式性地表示本發明之第3實施形態之基板處理裝置之構成的俯視圖。
圖10係模式性地表示本發明之第4實施形態之基板處理裝置之構成的俯視圖。
圖1係模式性地表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之構成的剖面圖。基板處理裝置1係一種單片式裝置，其用於對例如作為基板之一例之矽晶圓(以下稱為「晶圓」)W之表面(主面)注入雜質之離子注入處理或乾式蝕刻處理後用以自該晶圓W之表面去 除不需要之抗蝕層的處理。
基板處理裝置1於由間隔壁(未圖示)所區域劃分之處理室6內具備：旋轉夾頭(基板保持手段)2，其將晶圓W保持為水平並使其旋轉；加熱器3，其與旋轉夾頭2所保持之晶圓W之下表面對向配置，用以自下方加熱晶圓W；第1藥液噴嘴(處理液供給手段)4，其用以對旋轉夾頭2所保持之晶圓W之表面(上表面)供給硫酸過氧化氫混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：SPM液)；及第2藥液噴嘴(處理液供給手段)5，其用以對旋轉夾頭2所保持之晶圓W之表面(上表面)供給SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨水過氧化氫混合液)。
作為旋轉夾頭2，採用例如夾持式者。旋轉夾頭2包含：筒狀之旋轉軸11，其垂直地延伸；圓板狀之旋轉基座(基座部)12，其呈水平姿勢地安裝於旋轉軸11之上端；複數個夾持構件(基板支撐部)13，其等配置於旋轉基座12；及旋轉馬達(基板旋轉手段)14，其連結於旋轉軸11。旋轉夾頭2可藉由使各夾持構件13與晶圓W之周端面接觸而自周圍夾持晶圓W並加以保持。而且，於晶圓W由複數個夾持構件13保持之狀態下，藉由將旋轉馬達14之旋轉驅動力輸入至旋轉軸11，而使晶圓W繞著通過晶圓W之中心之垂直旋轉軸線A1旋轉。
第1藥液噴嘴4例如為以連續流之狀態噴出SPM液之直線型噴嘴。於第1藥液噴嘴4，連接有供給來自SPM液供給源之既定高溫(例如約160℃)之SPM液的SPM液供給管16。於SPM液供給管16，介裝有用以開閉SPM液供給管16之SPM液閥17。若打開SPM液閥17，則SPM液自SPM液供給管16供給至第1藥液噴嘴4，又，若關閉SPM液閥17，則SPM液自SPM液供給管16向第1藥液噴嘴 4之供給停止。第1噴嘴移動機構18結合於第1藥液噴嘴4。第1噴嘴移動機構18係使第1藥液噴嘴4於旋轉夾頭2所保持之晶圓W之旋轉中心之上方(旋轉軸線A1上)與設置於旋轉夾頭2之側方位置之初始位置(home position)之間移動。
第2藥液噴嘴5例如為以連續流之狀態噴出SC1之直線型噴嘴。於第2藥液噴嘴5，連接有供給經溫度調節至既定高溫(例如約60℃)且來自SC1供給源之SC1的SC1供給管19。於SC1供給管19，介裝有用以開閉SC1供給管19之SC1閥20。若打開SC1閥20，則SC1自SC1供給管19供給至第2藥液噴嘴5，又，若關閉SC1閥20，則SC1自SC1供給管19向第2藥液噴嘴5之供給停止。第2噴嘴移動機構21結合於第2藥液噴嘴5。第2噴嘴移動機構21係使第2藥液噴嘴5於旋轉夾頭2所保持之晶圓W之旋轉中心之上方(即，旋轉軸線A1上)與設置於旋轉夾頭2之側方位置之初始位置之間移動。
基板處理裝置1進而包含常溫沖洗液噴嘴(處理液供給手段)30及高溫沖洗液噴嘴(處理液供給手段)35。常溫沖洗液噴嘴30例如為以連續流之狀態噴出作為沖洗液之一例之DIW(去離子水)之直線型噴嘴。自常溫沖洗液噴嘴30噴出常溫(例如約25℃，與處理室6之室溫(RT)相同之溫度)之DIW。常溫沖洗液噴嘴30係以使其噴出口朝向旋轉夾頭2所保持之晶圓W之上表面中央部之狀態進行配置。於常溫沖洗液噴嘴30，連接有供給來自沖洗液供給源之保持常溫狀態之DIW之常溫沖洗液供給管31。於常溫沖洗液供給管31，介裝有用以開閉常溫沖洗液供給管31之常溫沖洗液閥32。若打開常溫沖洗液閥32，則常溫之DIW自常溫沖洗液供給管31供給至常溫沖洗液噴嘴30，並自常溫沖洗液噴嘴30朝向晶圓W之上表面中央部噴出常溫之DIW。
高溫沖洗液噴嘴35例如為以連續流之狀態噴出作為沖洗液之一例之DIW(去離子水)之直線型噴嘴。自高溫沖洗液噴嘴35噴出既定高溫(例如約80℃)之DIW。高溫沖洗液噴嘴35係以使其噴出口朝向旋轉夾頭2所保持之晶圓W之上表面中央部之狀態進行配置。於高溫沖洗液噴嘴35，連接有供給來自沖洗液供給源之加熱至高溫狀態之DIW之高溫沖洗液供給管36。於高溫沖洗液供給管36，介裝有用以開閉高溫沖洗液供給管36之高溫沖洗液閥37。若打開高溫沖洗液閥37，則高溫之DIW自高溫沖洗液供給管36供給至高溫沖洗液噴嘴35，並自高溫沖洗液噴嘴35朝向晶圓W之上表面中央部噴出高溫之DIW。
加熱器3具有直徑與晶圓W大致相同或略小於晶圓W之圓板狀，並呈水平姿勢。加熱器3包含：與旋轉軸線A1同心之圓板狀之第1加熱板3A；圓環狀之第2加熱板3B，其包圍第1加熱板3A之外周；及圓環狀之第3加熱板3C，其包圍第2加熱板3B之外周。加熱器3係配置於旋轉基座12之上表面與旋轉夾頭2所保持之晶圓W之下表面之間之空間39。
圖2係表示加熱器3之構成之立體圖。一面參照圖1及圖2，一面對加熱器3進行說明。
第1加熱板3A呈圓板狀，且於陶瓷製之本體內藏有第1電阻28A(參照圖1)。於第1加熱板3A之上表面形成有水平平坦之圓形之第1對向面(圓形區域)29A。
第2加熱板3B呈圓環板狀，且於陶瓷製之本體內藏有第2電阻28B(參照圖1)。於第2加熱板3B之上表面形成有水平平坦之圓環狀之第2對向面(環狀區域)29B。
第3加熱板3C呈圓環板狀，且於陶瓷製之本體內藏有 第3電阻28C(參照圖1)。於第3加熱板3C之上表面形成有水平平坦之圓環狀之第3對向面(環狀區域)29C。
第2加熱板3B係經由連結具(未圖示)而連結固定於第1加熱板3A。於該固定狀態下，第2加熱板3B之內周與第1加熱板3A之外周之間大致無間隙。第3加熱板3C係經由連結具(未圖示)而連結固定於第2加熱板3B。於該固定狀態下，第3加熱板3C之內周與第2加熱板3B之外周之間大致無間隙。
於將第1~第3加熱板3A~3C相互連結之狀態下，第1~第3對向面29A~29C係包含於同一水平面內。第1對向面29A與晶圓W之下表面之中央區域(以晶圓W之旋轉中心為中心且具有晶圓直徑之約1/3之直徑的圓形區域)對向。第2對向面29B與晶圓W之下表面之中間區域(除中央區域及下述外周區域以外之區域)對向。第3對向面29C與晶圓W之下表面之外周區域(為以晶圓W之旋轉中心為中心之圓、即具有晶圓W直徑之約2/3之直徑之圓之外側區域)對向。加熱器3係由支撐桿(加熱器支撐構件)25自下方支撐。
支撐桿25係沿旋轉軸線A1於上下方向(旋轉基座12之厚度方向)插通至於上下方向貫通旋轉基座12及旋轉軸11之貫通孔24。支撐桿25之上端(一端)係固定於加熱器3。又，支撐桿25之下端(另一端)係固定於旋轉夾頭2下方之周邊構件，藉此而使支撐桿25姿勢保持為垂直姿勢。支撐桿25於貫通孔24中不與旋轉基座12或旋轉軸11接觸，因此，加熱器3未由旋轉夾頭2支撐。即，加熱器3與旋轉夾頭2相互獨立。因此，即便於旋轉夾頭2使晶圓W旋轉之情形時，加熱器3亦不旋轉而靜止(非旋轉狀態)。
於貫通孔24中，插通有對第1電阻28A之供電線26A、 對第2電阻28B之供電線26B、及對第3電阻28C之供電線26C。供電線26A、26B、26C之上端分別連接於第1、第2及第3電阻28A、28B、28C。於該基板處理裝置1中，不經由旋轉電接點而進行對電阻28A、28B、28C之供電。
假設於採用可旋轉之構成之加熱器之情形時，必須經由旋轉電接點進行對加熱器之供電。於此情形時，由於介置旋轉電接點，故而對加熱器之供電量受到限制，其結果，有無法將晶圓W加熱至所期望之高溫之虞。
相對於此，於基板處理裝置1中係不經由旋轉電接點而進行對電阻28A、28B、28C之供電，故而供電量不受限制。藉此，可將晶圓W加熱至所期望之高溫。
藉由對第1電阻28A之供電，第1電阻28A發熱，第1加熱板3A成為發熱狀態。藉此，第1對向面29A發揮作為發熱面之功能。又，藉由對第2電阻28B之供電，第2電阻28B發熱，第2加熱板3B成為發熱狀態。藉此，第2對向面29B發揮作為發熱面之功能。進而，藉由對第3電阻28C之供電，第3電阻28C發熱，第3加熱板3C成為發熱狀態。藉此，第3對向面29C發揮作為發熱面之功能。藉由第1對向面29A、第2對向面29B及第3對向面29C而構成對向面29。此時，對第1、第2及第3電阻28A、28B、28C之供電係分別個別地進行，且對各電阻28A、28B、28C之供電量亦係個別地予以控制。因此，可個別地控制第1、第2及第3加熱板3A、3B、3C之發熱量(第1對向面29A、第2對向面29B及第3對向面29C之表面溫度)。
用以使加熱器3以保持水平姿勢之狀態升降之加熱器升降機構(移動手段)23結合於支撐桿25。加熱器升降機構23包含例如滾 珠螺桿或馬達。藉由加熱器升降機構23之驅動，使加熱器3於其下表面與旋轉基座12之上表面隔開既定之微小間隔之第0高度位置(背離位置，參照圖6A等)HL0與加熱器3之對向面29與晶圓W之下表面隔開微小間隔W3地對向配置之第3高度位置(接近位置，參照圖6B等)HL3之間升降。藉此，可變更加熱器3與晶圓W之間隔。
圖3係表示基板處理裝置1之電性構成之方塊圖。
基板處理裝置1具備包含微電腦之構成之控制部40。控制部40控制旋轉馬達14以及第1及第2噴嘴移動機構18、21等之動作。控制部40控制加熱器3之發熱量。控制部40控制SPM液閥17、SC1閥20、常溫沖洗液閥32、高溫沖洗液閥37之開閉動作。
圖4係用以對藉由基板處理裝置1而執行之抗蝕層去除處理之第1處理例進行說明的步驟圖。圖5係主要用以說明下述步驟S3之SPM液供給步驟至步驟S7之旋轉乾燥中之控制部40之控制內容的時序圖。圖6A~圖6J係用以對第1處理例進行說明之模式圖。再者，於圖6A~圖6J中，省略了較旋轉基座12更下方之構成之圖示。
以下，參照圖1~圖5及圖6A~圖6J，對抗蝕層去除處理之第1處理例進行說明。
再者，於本實施形態中，關於接通狀態下之加熱器3之第1、第2及第3加熱板3A、3B、3C，將第3對向面29C之每單位面積之發熱量設定多於第2對向面29B之每單位面積之發熱量。又，將第2對向面29B之每單位面積之發熱量設定多於第1對向面29A之每單位面積之發熱量。換言之，第1~第3對向面29A、29B、29C之每單位面積之發熱量係以隨著自旋轉軸線A1離開而變高之方式設定。又，就另一觀點而言，將第3對向面29C之溫度TC1設定高於第2對 向面29B之表面溫度TB1，且將第2對向面29B之表面溫度TB1設定高於第1對向面29A之表面溫度TA1(TC1>TB1>TA1)。
若接通加熱器3，則由於將加熱器3接近於晶圓W進行配置，故藉由加熱器3加熱晶圓W。
於進行抗蝕層去除處理時，搬送機器人(未圖示)受到控制，將未處理之晶圓W搬入至處理室6(參照圖1)內(步驟S1)。如圖6A所示，晶圓W係於使其表面朝向上方之狀態下被交接至旋轉夾頭2。此時，加熱器3已接通(驅動狀態)，又，加熱器3之高度位置為第0高度等級HL0。進而，為不妨礙晶圓W之搬入，將第1及第2藥液噴嘴4、5分別配置於初始位置。又，關於第1處理例，於抗蝕層去除處理中，第1~第3對向面29A、29B、29C之每單位面積之發熱量分別保持預定之值而不發生變化。換言之，加熱器3之輸出位準不發生變化。
若晶圓W被保持於旋轉夾頭2，則如圖6B所示，控制部40控制加熱器升降機構23，而使加熱器3上升至最上方之第3高度等級HL3。當加熱器3位於第3高度等級HL3時，旋轉夾頭2所保持之晶圓W之下表面與加熱器3之對向面29之間隔W3為例如0.5mm。
於加熱器3位於第3高度等級HL3之狀態下，旋轉夾頭2所保持之晶圓W藉由來自加熱器3之輻射熱而被加熱。於加熱器3上升後，第1、第2及第3對向面29A、29B、29C與晶圓W之下表面呈平行。因此，自加熱器3對晶圓W中之與第3對向面29C對向之部分賦予的每單位面積之熱量多於對晶圓W中之與第2對向面29B對向之部分賦予的每單位面積之熱量。又，自加熱器3對晶圓W中之與第2對向面29B對向之部分賦予的每單位面積之熱量多於對晶圓W中之 與第1對向面29A對向之部分賦予的每單位面積之熱量。換言之，對晶圓W賦予之每單位面積之熱量係以隨著自旋轉軸線A1離開而變高之方式設定。藉由利用加熱器3進行之加熱，雖於晶圓W之各處存在不均，但晶圓W之表面溫度被加熱至大約160℃左右。
又，控制部40控制第1噴嘴移動機構18，而使第1藥液噴嘴4移動至晶圓W之旋轉中心之上方。
當加熱器3之上升結束時，如圖6C所示，控制部40控制旋轉馬達14而使晶圓W開始旋轉(步驟S2)。晶圓W被加速至既定之液體處理速度(例如500-1000rpm)，其後，維持為該液體處理速度。
又，當第1藥液噴嘴4之移動結束時，如圖6C所示，控制部40打開SPM液閥17，自第1藥液噴嘴4噴出例如約160℃之SPM液。自第1藥液噴嘴4噴出之SPM液被供給至旋轉中之晶圓W之表面之中央部(步驟S3：SPM液供給步驟)。供給至晶圓W之表面之SPM液受到由晶圓W之旋轉而產生之離心力，而於晶圓W之表面上朝向周緣部流動。藉此，SPM液遍佈晶圓W之整個正面，藉由SPM液中所含之過氧單硫酸之強氧化力而將形成於晶圓W之表面之抗蝕層剝離。自晶圓W之表面剝離之抗蝕層受到SPM液沖刷而自晶圓W之表面上被去除。藉此，促進了晶圓W之表面上之抗蝕層與SPM液之反應，而進行抗蝕層自晶圓W之表面之去除。
被供給至晶圓W之表面之中央部之SPM液係與周邊環境等進行熱交換。因此，於在晶圓W之表面自中央部朝向周緣部流動之過程中，由SPM液自晶圓W吸收熱。而且，於SPM液與晶圓W之間進行熱交換之結果為有自晶圓W之周緣部吸收熱之虞。自晶圓W吸收之熱量隨著朝向晶圓W之表面之周緣部而變大。
然而，於本實施形態中，對於晶圓W，隨著自旋轉軸線A1離開而賦予較高之每單位面積之熱量。更具體而言，此時，以於晶圓W之各處，根據使對晶圓W賦予之熱量與自晶圓吸收之熱量為均等之方式，設定第1、第2及第3對向面29A、29B、29C之每單位面積之發熱量。其結果，晶圓W之表面溫度於其全域以約160℃均等地分佈。藉此，可對晶圓W之整個表面均等地實施利用SPM液之處理。
當自第1藥液噴嘴4開始噴出SPM液後經過既定之抗蝕層去除時間時，控制部40關閉SPM液閥17而使第1藥液噴嘴4自晶圓W之旋轉中心上返回初始位置。又，如圖6D所示，控制部40控制加熱器升降機構23而使加熱器3下降至較第3高度等級HL3更下方之高度位置即第2高度等級HL2。當加熱器3位於第2高度等級HL2時，旋轉夾頭2所保持之晶圓W之下表面與加熱器3之對向面29之間隔W2為例如10mm。於此狀態下，旋轉夾頭2所保持之晶圓W藉由來自加熱器3之輻射熱，雖於各處存在不均，但被加熱至約80℃左右。即，藉由加熱器3之下降，使此前為160℃左右之晶圓W冷卻。
繼而，將晶圓W之旋轉速度維持為液體處理速度，並且如圖6E所示，控制部40打開高溫沖洗液閥37，自高溫沖洗液噴嘴35之噴出口朝向晶圓W之旋轉中心附近供給約80℃之DIW(步驟S4：中間沖洗步驟)。被供給至晶圓W之表面之DIW受到由晶圓W之旋轉而產生之離心力，於晶圓W之表面上朝向晶圓W之周緣部流動。藉此，附著於晶圓W之表面之SPM液受到DIW沖洗。此時，來自加熱器3之熱經由晶圓W而賦予至在表面上流動之DIW，故而DIW之溫度不會自約80℃下降，而流動至晶圓W之周緣部。
若立刻對此前加熱至約160℃之高溫之晶圓W供給常溫 之DIW，則有晶圓W產生損傷之虞。因此，使用溫熱至約80℃之DIW進行沖洗。然而，即便於此情形時，在晶圓W之溫度下降至至少90℃左右之前，亦必須等待步驟S4之中間沖洗步驟之開始。
然而，加熱器3於自接通成為斷開後亦不會立即降溫。因此，若使加熱器3配置於第3高度等級HL3，則於使加熱器3為斷開後，加熱器3仍短暫地以較大之熱量繼續加熱晶圓W。因此，加熱器3之溫度充分降低需要相當長之時間，其結果，有抗蝕層去除處理整體之處理時間變長之虞。
相對於此，於本實施形態中，於步驟S3之SPM液供給步驟結束後，藉由將加熱器3與晶圓W之間隔自間隔W3擴大為間隔W2，而減少對晶圓W之加熱量。藉此，可使晶圓W冷卻。其結果，可於步驟S3之SPM液供給步驟結束後之短時間內開始步驟S4之中間沖洗步驟。
若DIW之供給持續既定之中間沖洗時間，則關閉高溫沖洗液閥37而停止對晶圓W之表面供給DIW。又，如圖6F所示，控制部40控制加熱器升降機構23，而使加熱器3下降至較第2高度等級HL2更下方之高度位置即第1高度等級HL1。於加熱器3位於第1高度等級HL1時，旋轉夾頭2所保持之晶圓W之下表面與加熱器3之對向面29之間隔W1為例如20mm。
於加熱器3位於第1高度等級HL1之狀態下，旋轉夾頭2所保持之晶圓W藉由來自加熱器3之輻射熱被加熱。於加熱器3下降至第1高度等級HL1之狀態下，第1、第2及第3對向面29A、29B、29C與晶圓W之下表面呈平行。因此，自加熱器3對晶圓W中之與第3對向面29C對向之部分賦予的每單位面積之熱量多於對晶圓W中之 與第2對向面29B對向之部分賦予的每單位面積之熱量。又，自加熱器3對晶圓W中之與第2對向面29B對向之部分賦予的每單位面積之熱量多於對晶圓W中之與第1對向面29A對向之部分賦予的每單位面積之熱量。換言之，對晶圓W賦予之每單位面積之熱量係以隨著自旋轉軸線A1離開而變高之方式設定。藉由利用加熱器3進行之加熱，雖於晶圓W之各處存在不均，但晶圓W之表面溫度被加熱至約60℃左右。即，藉由加熱器3之下降使晶圓W之表面溫度自此前之約80℃下降至約60℃。又，控制部40控制第2噴嘴移動機構21而使第2藥液噴嘴5移動至晶圓W之上方位置。
又，當第2藥液噴嘴5之移動結束時，如圖6G所示，控制部40打開SC1閥20，自第2藥液噴嘴5噴出例如約60℃之SC1。由於SC1具有約60℃之液溫，故而該SC1之處理能力較高。自第2藥液噴嘴5噴出之SC1被供給至旋轉中之晶圓W之表面之中央部(步驟S5：SC1供給步驟)。被供給至晶圓W之表面之SC1受到由晶圓W之旋轉而產生之離心力，於晶圓W之表面上朝向周緣部流動。藉此，對晶圓W之整個表面均等地供給SC1，藉由SC1之化學能力可去除附著於晶圓W之表面之抗蝕層殘渣及微粒等異物。
被供給至晶圓W之表面之中央部之SC1液與周邊環境等進行熱交換。因此，於在晶圓W之表面自中央部朝向周緣部流動之過程中，由SC1自晶圓W吸收熱。而且，於SC1與晶圓W之間進行熱交換之結果為有自晶圓W之周緣部吸收熱之虞。自晶圓W吸收之熱量係隨著朝向晶圓W之表面之周緣部而變大。
然而，於本實施形態中，隨著自旋轉軸線A1離開，對晶圓W賦予較高之每單位面積之熱量。更具體而言，此時，以於晶圓 W之各處，根據使對晶圓W賦予之熱量與自晶圓吸收之熱量為均等之方式，設定第1、第2及第3對向面29A、29B、29C之每單位面積之發熱量。其結果，晶圓W之表面溫度於其全域以約60℃均等地分佈。藉此，可對晶圓W之整個表面均等地實施利用SC1之處理。
若SC1之供給持續既定之SC1供給時間，則控制部40關閉SC1閥20。又，如圖6H所示，控制部40控制加熱器升降機構23，而使加熱器3下降至較第1高度等級HL1更下方之高度位置即第0高度等級HL0。當加熱器3位於第0高度等級HL0時，旋轉夾頭2所保持之晶圓W之下表面與加熱器3之對向面29之間隔W0為例如40mm。於該狀態下，加熱器3與旋轉夾頭2所保持之晶圓W之間隔過寬，自加熱器3傳遞至晶圓W之輻射熱較少，對晶圓W造成之影響較小。換言之，晶圓W不藉由加熱器3加熱。此時，晶圓W之表面溫度保持常溫。
繼而，於將晶圓W之旋轉速度維持為液體處理速度之狀態下，如圖6I所示，控制部40打開常溫沖洗液閥32，自常溫沖洗液噴嘴30之噴出口朝向晶圓W之旋轉中心附近供給常溫之DIW(步驟S6：最終沖洗步驟)。被供給至晶圓W之表面之DIW受到由晶圓W之旋轉而產生之離心力，於晶圓W之表面上朝向晶圓W之周緣部流動。藉此，附著於晶圓W之表面之SC1受到DIW沖洗。
此時，晶圓W之表面溫度為常溫，故而DIW不會經由晶圓W而被加熱。
再者，於步驟S4之中間沖洗步驟或步驟S6之最終沖洗步驟中，作為沖洗液，並不限於DIW，亦可採用碳酸水、電解離子水、臭氧水、還原水(氫水)、磁水等。
繼而，執行下述旋轉乾燥(步驟S7)，於執行旋轉乾燥前，如圖6H所示，控制部40控制加熱器升降機構23，而使加熱器3自第0高度等級HL0上升至第1高度等級HL1。
將加熱器3配置於第1高度等級HL1後，如圖6J所示，控制部40驅動旋轉馬達14，進行將晶圓W之旋轉速度提昇至既定之高旋轉速度(例如1500-2500rpm)而甩開附著於晶圓W之DIW而使其乾燥之旋轉乾燥(步驟S7)。藉由該旋轉乾燥，附著於晶圓W之DIW被去除。
又，藉由來自位於第1高度等級HL1之加熱器3之輻射熱，雖於晶圓W之各處存在不均，但晶圓W之表面溫度被加熱至約60℃左右。因此，附著於晶圓W之DIW變得易蒸發，藉此，可縮短旋轉乾燥所需要之時間。
當旋轉乾燥進行預定之旋轉乾燥時間時，控制部40驅動旋轉馬達14而使旋轉夾頭2之旋轉停止。又，控制部40將加熱器3設為斷開(非驅動狀態)，並且控制加熱器升降機構23而使加熱器3下降至第0高度等級HL0。藉此，對1片晶圓W之抗蝕層去除處理結束，藉由搬送機器人將已處理之晶圓W自處理室6搬出(步驟S8)。
接下來，對藉由基板處理裝置1而執行之抗蝕層去除處理之第2處理例進行說明。圖7係用以對第2處理例進行說明之時序圖。於第2處理例中，亦與第1處理例同樣地執行圖4所示之各步驟。第2處理例與第1處理例之不同點在於：不僅使加熱器3與晶圓W之間隔因步驟而異，亦使加熱器3之輸出位準(各加熱板3A、3B、3C之輸出)因步驟而異。
於圖7之第2處理例中，步驟S3之SPM液供給步驟(參 照圖4)中，將加熱器3之每單位面積之發熱量設定為最多之第3輸出位準PL3。於該SPM液供給步驟中，與第1處理例同樣地，加熱器3位於第3高度等級HL3。藉由利用該加熱器3進行之加熱，雖於晶圓W之各處存在不均，但晶圓W之表面溫度被加熱至約160℃左右。
又，於步驟S4之中間沖洗步驟(參照圖4)中，將加熱器3之每單位面積之發熱量設定為次於第3輸出位準PL3之第2輸出位準PL2。於該中間沖洗步驟中，與第1處理例同樣地，加熱器3位於第2高度等級HL2。藉由利用該加熱器3進行之加熱，雖於晶圓W之各處存在不均，但晶圓W之表面溫度被加熱至約80℃左右。
又，於步驟S5之SC1供給步驟(參照圖4)中，將加熱器3之每單位面積之發熱量設定為次於第2輸出位準PL2之第1輸出位準PL1。於該SC1供給步驟中，與第1處理例同樣地，加熱器3位於第1高度等級HL1。藉由利用該加熱器3進行之加熱，雖於晶圓W之各處存在不均，但晶圓W之表面溫度被加熱至約60℃左右。
又，於步驟S6之最終沖洗步驟(參照圖4)中，將加熱器3設定為不發熱之第0輸出位準PL0。於該最終沖洗步驟中，與第1處理例同樣地，加熱器3位於第0高度等級HL0。於該狀態下，晶圓W不會藉由加熱器3加熱。因此，晶圓W之表面溫度保持常溫(例如約25℃，與處理室6之室溫(RT)相同之溫度)。
再者，於第0輸出位準PL0之情形時，亦可將來自加熱器3之發熱量以來自位於第0高度等級HL0之加熱器3之輻射熱成為幾乎不會對晶圓W造成影響之程度之大小之方式設定得較小。
如此，藉由於不對晶圓W加熱時將加熱器3之輸出位準降低至最小限度，可將加熱器3維持為接通狀態，並且停止對晶圓 W之加熱。加熱器3一旦為斷開，則會有於對晶圓W進行再加熱時使加熱器3升溫至高溫需要長時間之虞。相對於此，於此情形時，不將加熱器3設為斷開，故而可縮短其後對晶圓W進行再加熱時升溫所需要之時間。
又，於加熱器3之輸出位準為輸出位準PL0、PL1、PL2、PL3中之任一者之情形時，第3對向面29C之每單位面積之發熱量均係設定多於第2對向面29B之每單位面積之發熱量，又，當然將第2對向面29B之每單位面積之發熱量設定多於第1對向面29A之每單位面積之發熱量。
又，既可如圖7中實線所示般使加熱器3之輸出位準平穩地(耗費時間地)變化，亦可如圖7中虛線所示般使其急遽地(於極短時間內)變化。
進而，既可如圖7中實線所示，將加熱器3之高度位置之變更與加熱器3之輸出位準之變更同時進行，亦可如圖7中虛線所示，先於加熱器3之輸出位準之變更而變更。
圖8係模式性地表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置100之構成的俯視圖。於圖8中，對於與上述第1實施形態所示之各部對應之部分，標註與圖1-圖7相同之參照符號進行表示，並省略說明。
基板處理裝置100與第1實施形態之基板處理裝置1之不同點在於，設置加熱器103以代替加熱器3。加熱器103與加熱器3同樣地，具有直徑與晶圓W大致相同或略小於晶圓W之圓板狀，且呈水平姿勢。加熱器103包含包括複數個(於圖8中為例如4個)分割體102之加熱板101以代替第3加熱板3C。各分割體102呈圓弧板狀， 具有彼此相同之規格。藉由組合複數個(4個)分割體102而形成圓環狀之加熱板101。各分割體102與第1加熱板3A同樣地，為於陶瓷製之本體中內藏有電阻之電阻方式之陶瓷加熱器。於各分割體102之表面，形成有與旋轉夾頭2所保持之晶圓W之下表面對向之對向區域(分割區域)104。藉由複數個對向區域104構成對向面129。
於此情形時，對各分割體102之電阻之供電係分別個別地進行，且對各電阻之供電量亦係個別地予以控制。因此，可個別地控制各分割體102之對向區域104之發熱量(分割體102之表面溫度)。
根據第2實施形態，將加熱器103之對向面129於圓周方向上分割成複數個對向區域104，並對各對向區域104個別地進行溫度調節。藉此，如加熱器103般，即便於對向面129大面積化之情形時，亦可將對向面129於圓周方向上保持為均等溫度。因此，可將整個對向面129保持為均等溫度。
然而，即便採用此種構成，亦有於對向面129之圓周方向之各處產生微小之溫度偏差之虞。然而，於進行對晶圓W之加熱之SPM液供給步驟(S3)、中間沖洗步驟(S4)、SC1供給步驟(S5)及旋轉乾燥(S7)中，晶圓W相對於加熱器103旋轉，與晶圓W之表面之既定位置對向之對向區域104不斷變化。因此，若使各對向區域104大致溫度均等，則可保持晶圓W之表面溫度之均等性。又，根據如上所述之理由，各對向區域104之發熱量(對晶圓W賦予之熱量)無需嚴格地一致，故而可簡化各對向區域104之溫度控制。
再者，加熱板101並不限於分割成複數個分割體102之構成，亦可採用於1個圓環狀之本體內藏有複數個電阻且可個別地控制對各電阻之供電量之構成。
圖9係模式性地表示本發明之第3實施形態之基板處理裝置200之構成的俯視圖。
基板處理裝置200與第1實施形態之基板處理裝置1之不同點在於，設置有加熱器203以代替加熱器3。加熱器203與加熱器3同樣地，具有直徑與晶圓W大致相同或略小於晶圓W之圓板狀，且呈水平姿勢。對於加熱器203之對向面229，於直徑方向及圓周方向上分割該對向面229而形成有蜂巢狀之多個加熱器部201。各加熱器部201具有彼此相同之規格。於各加熱器部201配置有電阻。對各加熱器部201之電阻之供電係分別個別地進行，且對各電阻之供電量亦係個別地予以控制。因此，可個別地控制各加熱器部201之發熱量(加熱器部201之表面溫度)。
根據第3實施形態，將加熱器203之對向面229於圓周方向及直徑方向兩個方向上分割成複數個加熱器部201，並對各加熱器部201個別地進行溫度調節。於第3實施形態中，複數個加熱器部201之溫度(每單位面積之發熱量)係以隨著自旋轉軸線A1離開而變高之方式設定。即，與第1實施形態之情形同樣地，於對向面229形成有如隨著自旋轉軸線A1離開而變高之溫度分佈。因此，可使於晶圓W之表面流動之處理液(SPM液或SC1等)之溫度於整個晶圓W上相同，可對晶圓W之整個表面實施利用處理液進行之均等之處理。
又，複數個加熱器部201之溫度(每單位面積之發熱量)係於圓周方向上設定為均等溫度。由於將對向面229之各處於圓周方向上個別地控制為均等溫度，故而藉此，如加熱器203般，即便於對向面229大面積化之情形時，亦可將對向面229於圓周方向上保持為均等溫度。
然而，即便採用此種構成，亦有於對向面229之各處產生微小之溫度偏差之虞。然而，於進行對晶圓W之加熱之SPM液供給步驟(S3)、中間沖洗步驟(S4)、SC1供給步驟(S5)及旋轉乾燥(S7)中，晶圓W相對於加熱器203旋轉，與晶圓W之表面之既定位置對向之加熱器部201不斷變化。因此，若使各加熱器部201大致溫度均等，則可保持晶圓W之表面溫度之均等性。又，根據如上所述之理由，各加熱器部201之發熱量(對晶圓W賦予之熱量)無需嚴格地一致，故而可簡化各加熱器部201之溫度控制。
又，基板保持手段並不限於旋轉夾頭等之包含旋轉基座之構成。
圖10係模式性地表示本發明之第4實施形態之基板處理裝置300之構成的剖面圖。
基板處理裝置300與第1實施形態之基板處理裝置1之主要不同點在於，包含不具有旋轉基座之旋轉夾頭(基板保持手段)301作為基板保持手段。又，旋轉夾頭301被收容於具有密閉之內部空間之密閉室302內，於此點上亦與基板處理裝置1差異較大。
旋轉夾頭301包含：圓環板狀之馬達轉子(基板旋轉手段)303，其係設置成能夠以於垂直方向上延伸之旋轉軸線A1為旋轉中心進行旋轉；複數個(例如6個)夾持構件304，其等係配設於馬達轉子303之上表面；及圓環狀之馬達定子305(基板旋轉手段)，其係於密閉室302之外側，以包圍馬達轉子303之側方之方式配置。馬達定子305呈以旋轉軸線A1為旋轉中心之圓環狀，且定子305之內周係與轉子303之外周隔開微小間隔地配置。
馬達轉子303包含背磁軛316、及磁鐵317。背磁軛316 係用以防止磁通之洩漏而使磁鐵317之磁力為最大限度之磁性零件。背磁軛316為環狀，且於軸方向具有既定之厚度。磁鐵317設置有複數個，且於背磁軛316之外周面以於圓周方向上並排之方式安裝。
馬達定子305包含未圖示之線圈等，且隔著下述護罩306之外周壁而包圍馬達轉子303。
旋轉夾頭301藉由使各夾持構件304與晶圓W之周端面接觸，可自周圍夾持晶圓W並加以保持。而且，於晶圓W由複數個夾持構件304所保持之狀態下，自未圖示之電源對馬達轉子303及馬達定子305供給電力，藉此，晶圓W連同馬達轉子303繞著通過晶圓W之中心之垂直之旋轉軸線A1旋轉。
密閉室302係組合收容旋轉夾頭301之有底圓筒狀之護罩306、及封閉護罩306之上部開口307之蓋構件308而構成。於護罩306內，收容配置有旋轉夾頭301之馬達轉子303及夾持構件304，尤其馬達轉子303係配置於接近護罩306之底壁及護罩306之外周壁兩者之位置。
蓋構件308呈開口朝向下方之有底圓筒狀。於蓋構件308中，在晶圓W之旋轉軸線A1上之位置插通有處理液噴嘴(處理液供給手段)309。對處理液噴嘴309供給包含上述SPM液、高溫DIW、SC1及DIW之處理液，並自形成於處理液噴嘴309之下端之噴出口噴出該處理液。
於蓋構件308之外周壁之下端，遍及其全周而配設有密封環310。於蓋構件308位於封閉位置之狀態下，蓋構件308之外周壁之下端與護罩306之外周壁之上端夾著密封環310而對接，由蓋構件308及護罩306構成之密閉室302內保持為密閉空間。
基板處理裝置300包含：加熱器311，其與旋轉夾頭301所保持之晶圓W之下表面對向配置，用以自下方加熱晶圓W；加熱器台313，其用以自下方支撐加熱器311；及加熱器升降機構(移動手段)312，其用以使加熱器311以保持水平姿勢之狀態升降。加熱器311於俯視下係配置於馬達轉子303之內側區域，且為與第1實施形態之加熱器3同等之構成。加熱器升降機構312包含例如滾珠螺桿或馬達。加熱器升降機構312係結合於加熱器台313，使加熱器311連同加熱器台313升降。
於該基板處理裝置300中，執行包含例如上述第1處理例或第2處理例等之各種處理。於此情形時，加熱器311與第1實施形態之情形同樣地，藉由加熱器升降機構312之驅動，使加熱器311於第0高度位置(背離位置，參照圖6A等)HL0與第3高度位置(接近位置，參照圖6B等)HL3之間升降。具體而言，加熱器311之高度位置係於第0高度等級HL0、第1高度等級HL1(參照圖6F等)、第2高度等級HL2(參照圖6D等)及第3高度等級HL3之間切換。即，可變更加熱器311與晶圓W之間隔。
根據該第4實施形態，於加熱器311與晶圓W之間隔較窄之狀態下，藉由加熱器311將晶圓W加熱至高溫。而且，藉由自該狀態較大程度地擴大加熱器311與晶圓W之間隔，可減少對晶圓W賦予之熱量，藉此，可冷卻晶圓W。此外，可產生與第1實施形態所記載之作用效果同等之作用效果。
以上，對本發明之4個實施形態進行了說明，但本發明亦可以其他形態實施。
例如，可將第4實施形態與第2實施形態或第3實施形 態組合。即，可代替第4實施形態之加熱器311，而採用第2實施形態之加熱器103或第3實施形態之加熱器203。
又，於第1及第2實施形態中，加熱器3、103係作為由複數個板加熱器3A、3B、3C、101構成者而進行說明，但加熱器亦可為於圓板狀之本體內藏有複數個電阻且可個別地控制對各電阻之供電量之構成。
又，於第2實施形態中，列舉分割第3對向面29C之構成為例，但亦可分割第1對向面29A或第2對向面29B。
又，亦可如圖1中虛線所示，將溫度感測器300內藏於加熱器3、103、203、311，於溫度感測器300之檢測溫度降低至預定之溫度時，執行隨後之處理(例如步驟S6之中間沖洗處理)。
又，作為加熱器3、103、203、311，列舉電阻方式之陶瓷加熱器為例進行說明，但此外可採用鹵素燈等紅外線加熱器作為加熱器。
又，列舉為了變更加熱器3、103、203、311與晶圓W之間隔而使加熱器3升降之情形為例進行說明，但亦可使旋轉夾頭2升降。又，亦可使加熱器3及旋轉夾頭2兩者升降。
又，於第1及第2處理例之步驟S3之SPM液供給步驟中，亦可使第1藥液噴嘴4於晶圓W之旋轉中心上與周緣部上之間往返移動，藉此，來自第1藥液噴嘴4之SPM液導入之晶圓W之表面上之供給位置於自晶圓W之旋轉中心至晶圓W之周緣部之範圍內一面描繪與晶圓W之旋轉方向交叉之圓弧狀之軌跡一面往返移動。於此情形時，可對晶圓W之整個表面更均等地供給SPM液。
又，於第1及第2處理例之步驟S5之SC1供給步驟中， 亦可使第2藥液噴嘴5於晶圓W之旋轉中心上與周緣部上之間往返移動，藉此，來自第2藥液噴嘴5之SC1導入之晶圓W之表面上之供給位置於自晶圓W之旋轉中心至晶圓W之周緣部之範圍內一面描繪與晶圓W之旋轉方向交叉之圓弧狀之軌跡一面往返移動。於此情形時，可對晶圓W之整個表面更均等地供給SC1。
又，於上述各實施形態中，列舉採用所謂之掃描式噴嘴之形態作為第1及第2藥液噴嘴4、5之情形為例，但第1及第2藥液噴嘴4、5亦可為固定式噴嘴之形態。於此情形時，第1及第2藥液噴嘴4、5係於旋轉夾頭2之上方，以使其噴出口朝向旋轉夾頭2所保持之晶圓W之上表面中央部之狀態被固定配置。
又，於上述實施形態中，列舉使用基板處理裝置1、100、200、300對晶圓W實施抗蝕層去除處理之情形為例而進行說明，但亦可將本發明應用於其他處理所使用之基板處理裝置。於此情形時，處理所使用之藥液係使用與對晶圓W之表面之處理之內容相對應者。例如，於進行用以自晶圓W之表面去除微粒之洗淨處理時，使用SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨水過氧化氫混合液)等。又，於進行用以自晶圓W之表面蝕刻氧化膜等之洗淨處理時，使用氫氟酸或緩衝氫氟酸(BHF，Bufferd HF)等，於進行用以去除抗蝕層剝離後於晶圓W之表面成為聚合物而殘留之抗蝕層殘渣之聚合物去除處理時，使用SC1等聚合物去除液。於去除金屬污染物之洗淨處理中，使用氫氟酸或SC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：鹽酸過氧化氫混合液)或SPM液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸過氧化氫混合液)等。
又，於此情形時，列舉使用DIW作為沖洗液之情形為 例進行了說明，但沖洗液並不限於DIW，亦可採用碳酸水、電解離子水、臭氧水、稀釋濃度(例如10-100ppm左右)之鹽酸水、還原水(氫水)等作為沖洗液。
對本發明之實施形態進行了詳細說明，但該等僅為用以使本發明之技術性內容明確之具體例，不應將本發明限定於該等具體例進行解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍所限定。
本申請係對應於2012年10月16日向日本專利局提出之特願2012-229139號，且該申請之所有內容藉由引用而併入本文中。
2‧‧‧旋轉夾頭
3‧‧‧加熱器
3A‧‧‧第1加熱板
3B‧‧‧第2加熱板
3C‧‧‧第3加熱板
4‧‧‧第1藥液噴嘴
5‧‧‧第2藥液噴嘴
6‧‧‧處理室
11‧‧‧旋轉軸
12‧‧‧旋轉基座
13‧‧‧夾持構件
14‧‧‧旋轉馬達
16‧‧‧SPM液供給管
17‧‧‧SPM液閥
18‧‧‧第1噴嘴移動機構
19‧‧‧SC1供給管
20‧‧‧SC1閥
21‧‧‧第2噴嘴移動機構
23‧‧‧加熱器升降機構
24‧‧‧貫通孔
25‧‧‧支撐桿
26A‧‧‧供電線
26B‧‧‧供電線
26C‧‧‧供電線
28A‧‧‧第1電阻
28B‧‧‧第2電阻
28C‧‧‧第3電阻
29‧‧‧對向面
29A‧‧‧第1對向面
29B‧‧‧第2對向面
29C‧‧‧第3對向面
30‧‧‧常溫沖洗液噴嘴
31‧‧‧常溫沖洗液供給管
32‧‧‧常溫沖洗液閥
35‧‧‧高溫沖洗液噴嘴
36‧‧‧高溫沖洗液供給管
37‧‧‧高溫沖洗液閥
39‧‧‧空間
300‧‧‧基板處理裝置
A1‧‧‧旋轉軸線
W‧‧‧晶圓

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，其係為用於使用處理液而將基板加以處理者，且包括有：基板保持手段，其保持基板；處理液供給手段，其對由上述基板保持手段所保持之基板之表面選擇性地供給複數種處理液；基板旋轉手段，其使由上述基板保持手段所保持之基板旋轉；加熱器支撐構件，其以自上述基板保持手段獨立之方式支撐加熱器；移動手段，其以上述加熱器與由上述基板保持手段所保持之基板為接近/背離之方式使上述基板保持手段及上述加熱器支撐構件中之至少一者移動；及控制裝置，其控制上述移動手段，將由上述基板保持手段所保持之基板與上述加熱器之相對位置，配置於與被供給至上述基板之處理液的種類對應之既定位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述加熱器，係具有與由上述基板保持手段所保持之基板以平行之方式對向之對向面，並藉由該對向面之輻射熱對該基板進行加熱，且上述對向面，係劃分為可使每單位面積之發熱量相互不同之複數個對向區域。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述複數個對向區域之每單位面積之發熱量，係以隨著遠離自利用上述基板旋轉手段所進行之基板旋轉所根據的旋轉軸線而變高之方式加以設定。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之基板處理裝置，其中，上述複數個對向區域，係包含有以上述旋轉軸線為中心之圓形區域、及包圍圓形 區域之外周之一個或複數個環狀區域。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，至少1個上述環狀區域於圓周方向上被分割成複數個分割區域，且上述複數個分割區域以能夠使上述對向面之每單位面積之發熱量相互不同之方式加以設置。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，上述基板保持手段，係包含有板狀之基座部、及安裝於上述基座部並且在與上述基座部為相隔之狀態下將基板加以支撐之基板支撐部，且上述加熱器，係收容配置於藉由上述基座部與由上述基板支撐部所支撐之基板而所區域劃分之空間內。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，上述加熱器支撐部，係包含有不與上述基座部接觸而於厚度方向上插通該基座部且一端連結於上述加熱器之支撐桿。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述控制手段係控制上述移動手段，將由上述基板保持手段所保持之基板與上述加熱器之相對位置，配置於與被供給至上述基板之處理液的種類對應之既定位置，並且將上述加熱器之輸出控制為與被供給至上述基板之處理液的種類對應之既定輸出。
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