TWI507498B

TWI507498B - An agent composition, and a method for producing a laminate using an adhesive composition

Info

Publication number: TWI507498B
Application number: TW100114876A
Authority: TW
Inventors: Kentarou Takeda; Miki Okamoto; Takuya Mori; Tatsuki Nagatsuka
Original assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2010-04-30
Filing date: 2011-04-28
Publication date: 2015-11-11
Also published as: TW201211189A

Description

接著劑組成物及使用接著劑組成物之層合物的製造方法

本發明關於接著劑組成物及使用接著劑組成物之層合物的製造方法。本發明關於一種接著劑組成物，其係用於使2個被附體互相貼合，例如於製造液晶顯示單元之際，使偏光薄膜與基板互相貼合，可防止貼合之際的位置偏移，同時視需要可容易剝離，藉由電磁波或粒子線的照射而展現接著力，及關於一種使用該接著劑組成物之層合物的製造方法。

液晶電視中所用的液晶顯示單元，一般係於液晶面板上安裝有驅動電路、驅動用印刷基板及視需要的背光者。液晶面板係藉由在以液晶層、夾持液晶層的2片玻璃基板、與透明電極或彩色濾光片等當作構成要素的矩形液晶胞之兩面，貼合以薄片狀形成的偏光薄膜而構成。於液晶面板中的不與液晶胞接觸的偏光薄膜之面，亦有設置硬塗層或防眩層等的情況。偏光薄膜一般係於由聚乙烯醇系(PVA)薄膜所生成的偏光鏡之兩面，例如貼合有三乙醯纖維素(TAC)等的透明保護薄膜者。作為偏光薄膜的另一形態，亦有藉由僅在偏光鏡的一面貼合保護薄膜，在另一面貼合相位差薄膜等的具有光學補償機能之薄膜，而構成偏光薄膜的情況。偏光薄膜上一般係層合有保護偏光薄膜用的表面保護薄膜、使偏光薄膜與液晶胞貼合用的黏著層、及在與液晶胞貼合之前保護黏著層用的脫模薄膜。於偏光薄膜上設有表面保護薄膜、黏著層、脫模薄膜等的層合物，係稱為光學薄膜層合物。偏光薄膜一般係含於由棉網(web)狀的光學薄膜層合物以成為對應於液晶胞的尺寸之尺寸的方式所切出的薄片狀之光學薄膜層合物中。

液晶顯示單元的液晶面板一般係經由黏著劑的層來貼合偏光薄膜中所含有的保護薄膜與液晶胞中所含有的玻璃基板而製造。使液晶胞與偏光薄膜貼合之際所用的黏著劑，係可定義為具有如以下的性質者。

‧高黏度且低彈性模數的半固體狀物質，藉由施加壓力而與被附體結合

‧即使結合後也可自被附體剝離

‧黏著劑的狀態係在結合的過程中沒有變化。

具有如此性質的黏著劑係廣義的接著劑之一種，介於2個被附體之間存在，用於藉由施加壓力而展現接著力，亦稱為感壓型接著劑。本說明書中言及黏著劑時，係意味如此的感壓型接著劑。

使用如此的黏著劑來貼合液晶胞與偏光薄膜的技術，主要具有以下的優點。首先，由於黏著劑係高黏度，貼合之際在液晶胞與偏光薄膜之間不易發生位置偏移。又，於需要貼合修正時，可剝離液晶胞與偏光薄膜。

另一方面，使用黏著劑來貼合液晶胞與偏光薄膜的技術，亦具有如以下的缺點。

1.　亮度的均勻性之降低及視野角特性之降低

黏著劑係如上述的定義，為高黏度且低彈性模數的半固體狀物質，此狀態係在貼合的前後沒有變化。因此，經由黏著劑的層來貼合液晶胞與偏光薄膜後，在由於加熱或加濕而使偏光薄膜的尺寸發生變化的環境中，黏著劑係難以抑制偏光薄膜的尺寸變化。偏光薄膜的尺寸若發生變化，則液晶面板的面內之亮度有發生不均之虞。亮度的不均係在液晶面板的顯示面之周邊部或角落部特別顯著。又，自斜方向觀看液晶面板的畫面時，亦會發生對比降低的視野角特性降低。此等缺點係隨著液晶面板的大型化而在今後有變顯著的可能性。

2.　僅單面層合有保護薄膜的偏光薄膜之裂紋的發生

以往的偏光薄膜係在偏光鏡的兩面貼合有保護薄膜者。若可使此保護薄膜成為僅單面，則偏光薄膜的薄層化係變成可能。藉由偏光薄膜的薄層化，由於材料的削減、價格的降低係成為可能，故使用如此的薄型偏光薄膜於液晶面板的製造，係在進行液晶面板的大型化及薄型化的現在中，於環境面及成本面極有利。然而，使用黏著劑來貼合薄型偏光薄膜與液晶胞時，由於加熱、加濕或急劇的溫度變化所致的薄型偏光薄膜之尺寸變化，而在薄型偏光薄膜中有發生裂紋的可能性。因此，於使用黏著劑的現在之液晶面板製造技術中，僅在偏光鏡的單面貼合有保護薄膜的薄型偏光薄膜係未實用化。

3.　對偏光薄膜表面的損傷

黏著劑係低彈性模數的物質。因此，對偏光薄膜的表面施加力量時，由於黏著劑的回彈力弱，故即使於偏光薄膜的表面上層合有硬塗層時，偏光薄膜本身也會變形，在偏光薄膜的表面或硬塗層的表面上有發生凹陷或破壞的可能性。特別地，於使用今後預料需求會變多的薄型偏光薄膜時，茲認為此問題變極重要。

4.　再加工(rework)的困難性

使用黏著劑來貼合液晶胞與偏光薄膜之際，當發生液晶胞與偏光薄膜之間的貼合位置之偏移、異物或氣泡的咬入等時，必須自液晶胞剝離偏光薄膜。然而，隔著黏著劑的層之偏光薄膜與液晶胞之間的接著力，由於具有可維持液晶面板作為製品之程度的強度，故實際上在自液晶胞剝離偏光薄膜之際需要大力。由於自液晶胞剝離偏光薄膜之際需要大力，故對液晶胞有造成不良影響之虞。又，亦有偏光薄膜或黏著劑的一部分未完全剝離而殘留在液晶胞的情況，所殘留的偏光薄膜之去除處理係繁雜。

於使用黏著劑來貼合液晶胞與偏光薄膜的技術中，茲認此等缺點的一部分係可藉由使用接著劑代替黏著劑來貼合液晶胞與偏光薄膜而解決，亦有因此而進行技術的提案。作為如此的技術，例如可舉出專利文獻1及專利文獻2。

專利文獻1中記載的技術係使液晶胞與光學薄膜貼合而製造液晶面板的方法，其中光學薄膜與基板係以弱黏著狀態貼合，僅在經由檢查判斷為良品時，才使光學薄膜與基板成為最終的接著狀態之方法。此技術中所用的接著劑，例如係丙烯酸系的紫外線硬化型接著劑，亦可使用熱硬化型接著劑。於此技術中，由於接著劑成為弱黏著狀態，故以紫外線照射至不完全硬化的程度。當經由檢查判斷為良品時，再度照射紫外線，而使光學薄膜與基板完全接著。當經由檢查判斷為不良品時，由於接著劑層係成為弱黏著化的狀態，不會對製品造成不良影響，可容易地剝離光學薄膜。

專利文獻2中記載的技術係具有紫外線硬化型樹脂接著劑的液晶顯示裝置及製造該裝置的方法。於此技術中，經由接著劑而暫時接著偏光薄膜與液晶胞，檢查位置偏移或氣泡或異物的咬入後，藉由照射紫外線而使紫外線硬化型樹脂接著劑進行硬化，使偏光薄膜與液晶胞完全接著。當檢查的結果為發現偏光薄膜的位置偏移等異常時，除了薄膜本身的缺陷以外，自偏光薄膜去除接著劑。此偏光薄膜係被再利用。

此等以往的接著劑一般係可定義為具有如以下的性質之物質。

‧最初為具有流動性的低黏度之液體，塗佈在被附體上時，藉由充分地潤濕被附體而增大接觸面積，藉由光的照射或加熱進行硬化而與被附體結合

‧藉由光的照射量或加熱量的增加，經過黏著狀態而到達硬化

‧結合後，不發生被附體與接著劑的內聚破壞而剝離兩者係不可能

‧接著劑的狀態在結合過程中係不可逆地變化(由液體變化成固體)

具有如此性質的接著劑，係藉由給予光或熱等的能量進行硬化而展現接著力的能量硬化型接著劑，按照所給予的能量之種類，例如稱為紫外線硬化型接著劑、熱硬化型接著劑等。

[先前專利文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]　日本發明專利第3115116號公報

[專利文獻2]　特開平10-333140號公報

以往的接著劑係如上述定義所示，例如在吸收紫外線等的能量之前係液體狀態，藉由吸收能量進行硬化而展現用於貼合被附體彼此的接著力。因此，使用以往的接著劑例如來貼合液晶胞與偏光薄膜時，於接著劑硬化之前，液晶胞與偏光薄膜係容易互相滑動，貼合的精度有降低的可能性。又，以往的接著劑在液體狀態下係接著力極弱。因此，將偏光薄膜貼合於液晶胞後，於接著劑硬化之前，起因於偏光薄膜的收縮應力所致的捲曲，偏光薄膜係有自液晶胞浮出的可能性。茲認為此缺點若偏光薄膜愈薄則愈顯著。再者，以往的接著劑若一旦硬化，則無法自被附體剝離。因此，當偏光薄膜與液晶胞的貼合失敗時，無法自液晶胞剝離偏光薄膜，液晶胞的再利用係不可能或極困難。

專利文獻1及專利文獻2中記載的技術，係經由弱黏著狀態的接著劑層來貼合液晶胞與偏光薄膜，在檢查貼合的修正之必要性後，藉由照射紫外線而使兩者以強接著狀態貼合。於任一技術中，當需要修正液晶胞與偏光薄膜時，若將此等剝離，即使為弱黏著狀態，在剝離之際也需要使受到某一程度的剝離力，有發生與上述黏著劑的缺點同樣的問題之虞。又，若以弱黏著狀態剝離液晶胞與偏光薄膜，則在剝離後的液晶胞上有殘留弱黏著狀態的接著劑之可能性。為了自晶胞去除所殘留的接著劑，必須使用溶劑，因此作業變繁雜，同時環境負荷亦變大。

本發明之目的為提供一種接著劑組成物，其係在貼合被附體彼此時可防止位置偏移，於不需要貼合的修正時，可直接強固地接著被附體彼此，同時於需要貼合的修正時，可不對被附體造成損傷而容易地剝離被附體彼此，及提供一種使用該接著劑組成物之層合物的製造方法。

本發明者們以藉由精密地控制對接著劑組成物的電磁波或粒子線之照射強度及照射量、與電磁波或粒子線照射接著劑組成物之際的溫度環境，可控制經由接著劑組成物所貼合的被附體間之接著力與接著劑組成物之狀態的知識為基礎，而完成本發明。

於第1態樣中，本發明提供一種接著劑組成物，其係介於至少2個被附體之間存在，展現藉由電磁波或粒子線的照射而貼合被附體彼此用的接著力之接著劑組成物。本發明的接著劑組成物係至少在電磁波或粒子線未照射時為液體狀態或黏度高的液體狀態，貼合被附體彼此用的接著力為極低。於指定的溫度環境下，藉由比本說明書中定義的臨界照射強度低的強度，對接著劑組成物照射電磁波或粒子線，經由介在的薄膜等之層，增長或縮短照射電磁波或粒子線的時間，而可使接著劑組成物的接著力增大或減少。若依照本發明，由於與使接著劑進行硬化用的以往照射強度相比，降低電磁波或粒子線的照射強度，故可自由自在地控制經由接著劑組成物所達成的被附體彼此之接著力。

本發明的接著劑組成物含有由至少1種單體所成的接著主劑，與使該接著主劑之聚合反應發生的至少1種聚合引發劑。本發明中的接著劑組成物係可用於使至少2個被附體互相貼合而製造層合物。接著劑組成物的接著力，係在指定的溫度環境下，隨著以比本說明書中定義的臨界照射強度低的強度所照射的電磁波或粒子線之照射量的增加，而變化取得極大值、極小值及比極大值大的值。若依照本發明，於以接著劑組成物來貼合2個被附體之際，藉由照射指定時間的適切強度之電磁波或粒子線，而使接著力增大到以極大值為最大值的指定範圍內之任一值為止，則可以2個被附體之位置不偏移的狀態來貼合此等的被附體。此時的接著劑組成物之狀態係藉由壓力展現接著力的黏彈性狀態。

當發生必須剝離2個被附體時，可於指定的溫度環境下，藉由更照射一定時間的適切強度之電磁波或粒子線，以使接著力降低到以比極大值小的範圍中之極小值為最小值的指定範圍內，而可容易剝離2個被附體。此時的接著劑組成物，係不對被附體造成損傷而可在兩者的界面中剝離至少2個被附體的至少一方與接著劑組成物的層之程度的硬化狀態。此處所謂的「不對被附體造成損傷而可在兩者的界面中剝離」，不僅包含接著劑組成物的層及被附體不發生內聚破壞，而在接著劑組成物的層與被附體在兩者的界面中被剝離的情況，而且包含在剝離後的被附體上接著劑組成物的一部分殘留的狀態下，接著劑組成物的層與被附體在兩者的界面中被剝離的情況。

本發明的接著劑組成物之接著力，係隨著以比臨界照射強度低的強度所照射的電磁波或粒子線之照射量的增加，經過極大值而降低到極小值為止後，以增大到比極大值大的值為止之方式進行變化。若依照本發明，於經由接著劑組成物來貼合2個被附體之際，在第1指定的溫度環境下，藉由照射一定時間的適切強度之電磁波或粒子線，而使接著力增大到以極大值為最大值的指定範圍內之任一值為止，則可在2個被附體的位置不偏移的狀態下，貼合此等被附體。於不需要貼合的修正時，在第1指定的溫度環境下，藉由更照射一定時間的適切強度之電磁波或粒子線而使接著力增大到比極大值大的值為止，可使2個被附體成為最終的強接著狀態。此時的接著劑組成物係與接著力成為極小值時接著劑組成物之硬化狀態相同或比其更進行硬化的狀態，此時當欲剝離2個被附體時，在接著劑組成物的層及/或被附體的內部係發生內聚破壞。

本發明的接著劑組成物，係在第1指定的溫度環境下藉由照射電磁波或粒子線而使接著力經過極大值變成極小值後，藉由在溫度比第1指定的溫度環境高之第2指定的溫度環境下保持指定時間以上，接著力係可變化取得比極大值大的值。此時，藉由使接著力增大到極大值為止，而可在2個被附體的位置不偏移的狀態下，貼合此等被附體。於不需要貼合的修正時，在第2指定的溫度環境下，藉由保持指定時間以上，使接著力增大到比極大值大的值為止，可使2個被附體成為最終的強接著狀態。此時的接著劑組成物係與接著力成為極小值時的接著劑組成物之硬化狀態相同或比其更進行硬化的狀態，此時當欲剝離2個被附體時，在接著劑組成物的層及/或被附體之內部係發生內聚破壞。

本發明的接著劑組成物之接著力，係隨著電磁波或粒子線的照射量之增加，而接著力增大到比極大值大的值為止後，藉由使接著層浸漬在水中，可使至少降低到比極大值小的值為止。若依照本發明，於成為最終的強接著狀態後，當必須剝離經由接著劑組成物所貼合的2個被附體時，藉由將由2個被附體與接著劑組成物所成的層合物浸漬在水中，而接著劑組成物進行膨潤，可容易剝離2個被附體與接著劑組成物。

於本發明的接著劑組成物中，隨著電磁波或粒子線的照射強度之增大及/或接著時的溫度之上升，而縮短接著力達到極大值為止所需要的時間、由極大值變化到極小值為止所需要的時間、及由極小值變化到比極大值大的值為止所需要的時間。若依照本發明，藉由恰當地選擇電磁波或粒子線的照射強度及接著時的溫度，可任意地控制接著劑組成物達到特定的接著力及狀態之時間及維持彼等的時間。因此，藉由使用本發明的接著劑組成物，於利用此接著劑組成物貼合被附體彼此之際，可製高加工的自由度。

作為接著主劑中所含有的至少1種單體，較佳為具有至少1個羥基、羧基、氰基、胺基、脂肪族環式烴基、雜環基、異氰酸酯基、內酯環基或醯胺基之光聚合性乙烯基單體，較佳為含丙烯醯基的單體或具有羧基、氰基、胺基或雜環基的光聚合性乙烯基單體，較佳為含(甲基)丙烯醯基的單體，更佳為單官能含(甲基)丙烯醯基的單體，更佳為具有極性基的單官能含(甲基)丙烯醯基的單體。較佳為具有至1個作為極性基的羥基、羧基、氰基、胺基、脂肪族環式烴基、雜環基、異氰酸酯基、內酯環基或醯胺基之單官能含(甲基)丙烯醯基的單體，較佳為至少1種單體係羥烷基(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸羥烷酯、N,N-二烷基(甲基)丙烯醯胺或N-烷基(甲基)丙烯醯胺。

於本發明的一實施形態中，聚合引發劑較佳為光聚合引發劑。光聚合引發劑的吸收波長較佳係穿透至少2個被附體的任一個之波長。

本發明的接著劑組成物較佳係用作為貼合光學薄膜彼此或光學薄膜與基板用的接著劑。又，本發明的接著劑組成物較佳係用作為製造液晶顯示單元、電漿顯示單元、有機EL顯示單元用的接著劑。

於液晶顯示單元的製造時，所貼合的2個被附體中之一方，係按照偏光薄膜的構成，可為偏光鏡、保護偏光鏡用的在偏光鏡表面上所層合的保護薄膜、使用相位差薄膜等的光學補償薄膜等，2個被附體中之另一方可為液晶胞中所含有玻璃基板或塑膠基板。

於電漿顯示單元的製造時，所貼合的2個被附體中之一方可為電漿顯示面板、電漿顯示面板的保護基板等，另一方可為UV截止薄膜、防眩薄膜、防反射薄膜、防破裂薄膜、電磁波屏蔽薄膜、帶通薄膜、硬塗薄膜等。

於有機EL顯示單元的製造時，所貼合的2個被附體中之一方可為有機EL顯示面板、有機EL顯示面板的保護基板等，另一方可為UV截止薄膜、防眩薄膜、防反射薄膜、防破裂薄膜、防反射用圓偏光板、硬塗薄膜等。

於第2態樣中，本發明提供一種使用介於至少2個被附體之間存在，展現藉由電磁波或粒子線的照射而貼合被附體彼此用的接著力之接著劑組成物，來製造製造含有至少2個被附體與接著劑組成物的層之層合物的方法。若依照本發明的一實施形態，本發明之層合物的製造方法之特徵為含有：對接著劑組成物照射電磁波或粒子線，以使接著劑組成物成為藉由壓力展現接著力的黏彈性狀態，經由已成為黏彈性狀態的接著劑組成物來暫時接著至少2個被附體之步驟；檢查是否需要修正所暫時接著的至少2個被附體之貼合之步驟；當檢查的結果為需要修正所暫時接著的至少2個被附體之貼合時，對接著劑組成物進一步照射電磁波或粒子線，以使得接著力進入以比極大值小的範圍中之極小值為最小值之指定範圍內，將至少2個被附體的至少一方與接著劑組成物的層在兩者的界面剝離之步驟；及，當檢查的結果為不需要修正所暫時接著的至少2個被附體之貼合時，對接著劑組成物進一步照射電磁波或粒子線，而完全接著至少2個被附體之步驟。

若依照本發明的另一實施形態，本發明之層合物的製造方法之特徵為含有：對接著劑組成物照射電磁波或粒子線，以使接著劑組成物成為藉由壓力展現接著力的黏彈性狀態，經由已成為黏彈性狀態的接著劑組成物來暫時接著至少2個被附體之步驟；對接著劑組成物進一步照射電磁波或粒子線，以使得接著力進入以比極大值小的範圍中之極小值為最小值之指定範圍內，檢查是否需要修正所暫時接著的至少2個被附體之貼合之步驟；當檢查的結果為需要修正所暫時接著的至少2個被附體之貼合時，將至少2個被附體的至少一方與接著劑組成物的層在兩者的界面剝離之步驟；及，當檢查的結果為不需要修正所暫時接著的至少2個被附體之貼合時，對接著劑組成物進一步照射電磁波或粒子線，而完全接著至少2個被附體之步驟。

[實施發明的形態]

以下具體地說明本發明。

＜接著主劑＞

本發明的接著劑組成物係含有(a)由至少1種單體所成的接著主劑，與(b)使接著主劑之聚合反應發生的至少1種聚合引發劑。至少1種單體係藉由聚合引發劑的作用進行聚合而成為聚合物之物質。接著主劑，例如用於液晶面板的偏光薄膜與基板之貼合時，較佳為聚合後的玻璃轉移溫度係50℃以上。玻璃轉移溫度若為50℃以上，例如像液晶顯示單元，即使由於背光的熱而在液晶面板或偏光薄膜發生應變時，也可抑制偏光薄膜的變形，故抑制顯示不均。例如使用本發明的接著劑組成物當作車載用的面板等之接著劑時，由於即使車內成為高溫，也可維持接著劑組成物的接著性，故亦具有提高加熱等的耐久性之優點。

又，接著主劑較佳為聚合後的折射率係接近於經由接著劑組成物之層所貼合的2個被附體之折射率。聚合後的折射率最佳為2個被附體的折射率之中間。藉由使用含有如此接著主劑的接著劑組成物，由於減少接著劑組成物之層與被附體之界面的反射，故提高光的利用效率，具有視覺辨認性變良好的優點。

作為構成本發明的接著劑組成物之接著主劑的單體可利用的物質，較佳為具有至少1個羥基、羧基、氰基、胺基、醯胺基、羧酸酯基、脂肪族環式烴基、異氰酸酯基、內酯環基或雜環基的光聚合性乙烯基單體，特別地用於玻璃基板與偏光薄膜的接著，較佳為具有含丙烯醯基的單體或羧基、氰基、胺基、醯胺基、異氰酸酯基、內酯環基或雜環基的光聚合性乙烯基單體，更佳為含(甲基)丙烯醯基的單體，尤佳為單官能含(甲基)丙烯醯基的單體，更佳為具有極性基之單官能含(甲基)丙烯醯基的單體。

作為含丙烯醯基的單體，可舉出(甲基)丙烯醯胺系單體、(甲基)丙烯酸酯系單體等。又，可舉出具有如異氰酸酯基、內酯環基、雜環基、羥基、胺基的極性基之含丙烯醯基的單體。

作為丙烯醯胺系單體，例如可舉出羥甲基丙烯醯胺、羥乙基丙烯醯胺、羥丙基丙烯醯胺、二甲基丙烯醯胺、二乙基丙烯醯胺、N-甲基丙烯醯胺等。丙烯醯胺系單體係具有極性基，因為具有極性基，而例如提高與玻璃基板的表面之氫鍵結性，及玻璃轉移溫度為室溫以上者係多，由於可藉由水使接著力降低，故考慮回收再利用時係容易處理，即使不使用各種有機溶劑等也可使接著力降低，基於對環境的負荷小等之理由而較佳。

作為(甲基)丙烯酸酯系單體，可舉出具有羥基、雜環基、脂肪族環式烴基的(甲基)丙烯酸酯系單體等。

作為具有羥基的(甲基)丙烯酸酯系單體，例如可舉出丙烯酸羥乙酯、甲基丙烯酸羥乙酯、丙烯酸羥丙酯、甲基丙烯酸羥丙酯、丙烯酸羥丁酯、甲基丙烯酸羥丁酯。具有羥基的(甲基)丙烯酸酯系單體係具有極性基，因為具有極性基，故例如提高與玻璃基板的表面之氫鍵結性而較佳。

作為具有雜環基的(甲基)丙烯酸酯系單體，例如可舉出甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸四氫糠酯等。具有雜環基的(甲基)丙烯酸酯系單體係具有極性基，藉由具有極性基，例如提高與玻璃基板的表面之氫鍵結性而較佳。

作為具有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯系單體，例如可舉出丙烯酸2-異氰酸基乙酯、甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯等。具有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯系單體係具有極性基，藉由具有極性基，例如提高與玻璃基板的表面之氫鍵結性而較佳。

作為具有內酯環基的(甲基)丙烯酸酯系單體，例如可舉出γ-丁內酯丙烯酸酯、γ-丁內酯甲基丙烯酸酯單體等。具有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯系單體係具有極性基，藉由具有極性基，例如提高與玻璃基板的表面之氫鍵結性而較佳。

作為具有脂肪族環式烴基的(甲基)丙烯酸酯系單體，例如可舉出丙烯酸二環戊烯酯、丙烯酸異冰片酯、甲基丙烯酸環己酯等。具有脂肪族環式烴基的(甲基)丙烯酸酯系單體，因為具有極性基，而適合於與不具有極性基或極性弱的基材之貼合，例如與環烯烴系基材之貼合。

作為其它含極性基的單體，例如可舉出丙烯醯基嗎啉、丙烯酸、丙烯醯胺、丙烯腈等。其它含極性基的單體係具有極性基，藉由具有極性基，例如提高與玻璃基板的表面之氫鍵結性而較佳。

本發明的接著劑組成物之接著主劑係可組合2種以上的上述單體。又，接著主劑係可以此等單體當作主成分，以此等單體以外的單體當作副成分。此時，上述單體佔接著主劑中的比率較佳為大於50%。本發明的接著劑組成物，係在使接著劑組成物硬化的指定溫度環境下電磁波或粒子線未照射時，為液體狀態。於本說明書中，液體狀態亦包含黏度高的液體狀態。接著劑組成物因為係液體狀態，故接著劑組成物之接著主劑係在使接著劑組成物硬化的指定溫度環境下，必須為液體或溶解在液體材料中者。

＜聚合引發劑＞

作為本發明的接著劑組成物之聚合引發劑，可使用眾所周知的聚合引發劑。聚合引發劑係可吸收能量而生成活性種的物質，接著主劑的聚合反應係藉由聚合引發劑所生成的活性種附加於接著主劑的不飽和鍵而開始，藉由接著主劑的活性種附加於接著劑的不飽和鍵而進行。於本發明中，較佳為使用光聚合引發劑當作聚合引發劑。藉由使用光聚合引發劑，由於可經由光使產生聚合反應，故本發明的接著劑組成物之接著力及狀態的控制係變容易，同時不發生被附劑的劣化或破壞。作為光聚合引發劑，例如可舉出烷基苯酮系光聚合引發劑、醯基膦氧化物系光聚合引發劑、二茂鈦系光聚合引發劑、陽離子系光聚合引發劑。作為使用紫外線的光聚合引發劑，例如可舉出苯偶姻系光聚合引發劑、二苯甲酮系光聚合引發劑、蒽醌系光聚合引發劑、呫噸酮系光聚合引發劑、噻噸酮系光聚合引發劑、縮酮系光聚合引發劑等各種的光聚合引發劑。

作為光聚合引發劑的具體例，可舉出4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、1-羥基環己基乙基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等的苯乙酮系化合物、苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、茴香偶姻甲基醚等的苯偶姻醚系化合物、2-甲基-2-羥基苯丙酮等的α-乙酮醇系化合物、苄基二甲基縮酮等的縮酮系化合物、2-萘磺醯氯等的芳香族磺醯氯系化合物、1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧羰基)肟等的光活性肟系化合物、二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、3,3’,4,4’-四(第三丁基過氧羰基)二苯甲酮等的二苯甲酮系化合物等。

聚合引發劑生成活性種時所需要的能量，通常係可經由接著劑組成物所貼合的2個被附體之任一方而給予。因此，使用光聚合引發劑當作接著劑組成物的成分時，可利用的光聚合引發劑較佳為其光吸收波長係穿透所貼合的被附體之光的波長。例如，使用本發明的接著劑組成物於貼合使用TAC當作保護薄膜的偏光薄膜與液晶胞時，為了所照射的光不被TAC中所含有的光吸收劑吸收，較佳為使用在比穿透偏光薄膜的光之波長的約380nm較長之波長具有吸收的光聚合引發劑。

於本發明中，作為所照射的電磁波或粒子線，較佳為使用紫外線或紫外線附近的波長之電磁波。使用可見光線時，會有由於周邊光之影響而聚合反應進行的情況，反應的控制變困難，由於聚合引發劑的殘渣而可見光的吸收殘留，接著劑組成物有著色的可能性等問題。使用紅外線時，有熱導致聚合反應進行，反應的控制變困難等問題。

於本發明中，光聚合引發劑較佳為藉由光而反應後，於可見光區域中不吸收或可見光區域的吸光度低。特別地，例如使用本發明的接著劑組成物於液晶顯示單元時，為了不影響視覺辨認時的色相，較佳為背光的亮線之尖峰的440nm附近、530nm附近、610nm附近之波長的光吸收係沒有，或吸光度低。

<接著劑組成物中的接著主劑及聚合引發劑之混合比例>

於本發明的接著劑組成物中，接著主劑與聚合引發劑的混合比例係沒有特別的限定。但是，聚合引發劑的比例若過多，則聚合反應的進行過快，發生反應的控制變困難、接著劑組成物著色、聚合引發劑的分散性變差等的問題。聚合引發劑的比例若過少，則聚合反應費時，使用接著劑組成物來貼合被附體的製程之生產性降低而不宜。例如，使用羥乙基丙烯醯胺(HEAA)當作接著主劑，使用醯基膦系光聚合引發劑當作聚合引發劑時，本發明的接著劑組成物，係相對於接著劑組成物中的100份HEAA而言，較佳為含有0.3~3份的聚合引發劑。

<電磁波或粒子線的照射強度所致的接著劑組成物之接著力及狀態的變化>

本發明的接著劑組成物係可藉由介於2個被附體之間存在，而用於貼合被附體彼此。於本發明中，藉由控制接著劑組成物所處的溫度環境以使接著劑組成物的溫度在指定的時間內維持於指定溫度，同時使照射於接著劑組成物的電磁波或粒子線之照射強度小於本說明書中上述定義的以往接著劑進行硬化時所用的照射強度，而可控制經由本發明的接著劑組成物所達成的被附體彼此之接著力及接著劑組成物之狀態。

再者，使用本發明的接著劑組成物來貼合至少2個被附體時，電磁波或粒子線係由至少2個被附體與接著劑組成物所成的層合物之一方的被附體側，對該層合物照射，通過一方的被附體而到達接著劑組成物。因此，對於層合物的電磁波或粒子線之照射強度及照射量(即，在照射源與層合物之間所測定的電磁波或粒子線之照射強度及照射量，以下稱為「實測照射強度及照射量」)係與對於接著劑組成物本身的實際電磁波或粒子線之照射強度及照射量(以下稱為「理論照射強度及照射量」)不同。於本說明書中，言及電磁波或紫外線的照射強度及照射量時，不是理論照射強度及照射量，而是指實測照射強度及照射量。例如，因為日東電工製偏光薄膜(製品名VEGQ5724DU)的400nm波長之光的透過率係約30%，故通過此偏光薄膜而被接著劑組成物吸收的光之強度及量(理論照射強度及照射量)係為光源照射強度及照射量(實測照射強度及照射量)的約30%。

此處，被附體1與被附體1’經由接著劑組成物的層2貼合時之接著力F，係定義為以下f1、f1’、f2、f3及f3’之中的最小力。

界面接著力f1、f1’：使被附體1或被附體1^，與層2結合之力

接著劑組成物內聚力f2：層2的內部之接著劑組成物的分子間作用力

被附體內聚力f3、f3’：被附體1及被附體1’的內部之分子間作用力

於被附體1與被附體1’、層2、及被附體1、1’與接著層2的界面之內，言及接著狀態係那一部分被破壞時，係以f1、f1’、f2、f3、f3’的大小關係來決定。被附體1與被附體1’的接著狀態，係依照此等之力以最小部分被破壞的力之強度，區分為被附體1、1’的內聚破壞、被附體1、1’-接著劑組成物的層2之界面破壞、接著劑組成物的層2之內聚破壞、此等的混合破壞等。一般地，由於測定接著力本身係困難，故以剝離力當作接著力進行評價。剝離力係包含剝離時接著劑組成物的層2發生塑性變形時所需要的力、與界面接著力f1、f1’中的小者之力的值。

若使用本發明的接著劑組成物，於指定的溫度環境下，與以往的接著劑組成物中用於展現接著力時的照射強度比較下，特徵為藉由照射較低強度的電磁波或粒子線，而可自由自在地控制使被附體彼此貼合用的接著力(上述接著力的定義中之F(以下同樣，本說明書中的接著力之符號係上述定義中所用者))、與接著劑組成物的狀態。

(液體狀態)

本發明的接著劑組成物之層2，係與上述定義的以往接著劑同樣地，於電磁波或粒子線未照射且至少在第1指定的溫度環境下時，係有流動性的液體狀態。於此狀態時，接著力F係極低，經由層2所貼合的2個被附體1、1’，係貼合位置有容易偏移的可能性。此時，與f1、f1’、f3、f3’相比，內聚力f2係極小。

(黏著劑樣狀態)

若於第1指定的溫度環境下對層2照射適切強度的電磁波或粒子線，則接著力F係隨著電磁波或粒子線的照射量而變大(即，內聚力f2變大)。若更增多照射量，則接著力F在達到極大值後，變小。隨著照射量，當接著力F取得含極大值的指定範圍內之值時，層2的狀態係類似於上述定義的以往黏著劑(即感壓型接著劑)之狀態，即不完全硬化而為高黏度且低彈性模數的黏彈性體狀態。當層2成為如此的狀態時，層2係藉由壓力而展現接著力，經由層2所貼合的2個被附體1、1’之偏移係不易發生，可抑制貼合之際的位置偏移之發生。此時，內聚力f2係具有以貼合時的剪切方向之力能夠不偏移的大小。

當接著力F取得含極大值的指定範圍內之值時，若在2個被附體1、1’之間給予剝離力，則層2以伸長的方式變形，當剝離力高於界面接著力f1或f1’與使層2伸長變形所需要的力(成為黏彈性體的狀態的層2之塑性變形所需要的力)之和時，被附體1或1’的一方與層2進行剝離。被附體1或1’的一方與層2，係在被附體1與層2之界面進行剝離，或在被附體1’與層2之界面進行剝離，此由f1與f1’的大小來決定。又，此時由於f2係大於f1、f1’，故可防止接著劑的內聚破壞。當剝離被附體1或1’的一方與層2時，由於層2係為與上述定義的黏著劑類似的狀態，故亦可能將兩者再接著。

於本說明書中，如以上地，將成為藉由壓力展現接著力F的黏彈性體時之接著劑組成物的狀態稱為「黏著劑樣」狀態。當接著力F取得以極大值為最大值的指定範圍內之值時，接著劑組成物係顯示黏著劑樣狀態。接著劑組成物顯示黏著劑樣狀態時的接著力F之極大值的值及含極大值的指定範圍，係隨著接著主劑的種類、光聚合引發劑的種類及添加量、電磁波或粒子線的照射強度及波長、溫度環境等的條件而不同。接著力F為極大值時的接著主劑之單體反應率(此時的單體反應率為「單體反應率A」)為20%～70%，較佳為30%～65%。

於接著劑組成物成為此狀態後，進行遮光等而對接著劑組成物不照射超出其的電磁波或粒子線，藉由維持在溫度比第1指定的溫度環境低的環境，可將黏著劑樣狀態維持一定期間。

例如，作為一例，考慮所貼合的至少2個被附體中的一方之被附體1係偏光薄膜，另一方的被附體1’係液晶胞的玻璃之情況。偏光薄膜係在偏光鏡的兩面貼合有由TAC所成的保護薄膜之層合物。實驗方法的詳細係於實施例1中後述，將含有100份的羥乙基丙烯醯胺(HEAA)單體與1份的醯基膦氧化物系光聚合引發劑之接著劑組成物塗佈於玻璃上以形成層2，於此層2上貼合偏光薄膜，一邊自玻璃側將如此所得之層合物加熱到70℃，一邊自偏光薄膜側以波長405nm的照射強度7mW/cm² 照射15～35mJ/cm² 的光，則層2成為「黏著劑樣」狀態。此時接著力的極大值係12N/25mm。又，接著力在極大值時的單體之反應率係約57%。

(輕剝離狀態)

接著力F經過極大值後，若在第1指定的溫度環境下對層2更照射適切強度的電磁波或粒子線，則接著力F係隨著電磁波或粒子線的照射量之增加而達到極小值後，再變大。隨著照射量，接著力F取得含極小值的指定範圍內之值時，層2係比黏著劑樣狀態時更硬化的狀態，但未達到完全硬化。當層2成為如此的狀態時，可以小力容易地剝離2個被附體1、1’與層2。因此，不會對被附體造成損傷，可剝離所貼合的2個被附體1、1’。此時，茲認為內聚力f2係比黏著劑樣狀態時更大，界面接著力f1或f1’皆遠比f2小。層2係硬化而接著力F成為極小的狀態，由於接著劑組成物對於被附體係幾乎沒有潤濕擴散，故剝離被附體1或1’與層2剝離後，以至少維持作為製品所貼合的狀態之程度的接著力來再接著兩者係不可能。

於本說明書中，如以上地，將於不對被附體造成損傷下，顯示在兩者的界面可剝離被附體1、1’的至少一方與層2之程度的硬化狀態時之接著劑組成物之狀態稱為「輕剝離」狀態。當接著力F取得以極小值為最小值的指定範圍之值時，接著劑組成物係顯示輕剝離狀態。接著劑組成物顯示輕剝離狀態時的接著力F之極小值的值及含極小值的指定範圍，係隨著接著主劑的種類、光聚合引發劑的種類及添加量、電磁波或粒子線的照射強度及波長、溫度環境等的條件而不同。接著力F為極小值時的接著主劑之單體反應率(此時的單體反應率為「單體反應率B」)為65%～95%，較佳為70%～90%。單體反應率B與單體反應率A的關係滿足以下之式。

單體反應率A＜單體反應率B

又，接著力為極小值時的接著劑組成物之彈性模數係遠大於接著力為極大值時彈性模數，約為10倍以上。

例如，於與上述情況相同的實施例1中，若自偏光薄膜側照射35～150mJ/cm² 的光，則層成為「輕剝離」狀態。此時的接著力之極小值係0.5N/25mm。又，接著力在極小值時的單體之反應率係約87%。

(強接著狀態)

接著力F經過極大值而變大後，若在第1指定的溫度環境下對層2更持續照射適切強度的電磁波或粒子線，則隨著電磁波或粒子線的照射量之增加而接著力F變大，最後至少達到比極大值大的值。此時，層2係接著主劑的聚合反應幾乎結束，成為與上述輕剝離狀態時的硬化狀態相同或比其進一步的硬化狀態，2個被附體1、1’係成為經由層2而強固接著的狀態。此時，內聚力f2係與輕剝離狀態時的f2相同或比其大，界面接著力f1及f1’係比黏著劑樣狀態時的f2大。至少於此時間點，2個被附體1、1’係無法剝離，當勉強剝離時，按照f2、f3及f3’的大小關係，在被附體1或1’的內部或層2的內部之任一者中發生內聚破壞。

於本說明書中，如以上地，將顯示與輕剝離狀態時硬化狀態相同或比其進一步的硬化狀態時之接著劑組成物的狀態稱為「強接著」狀態，當接著力F取得比極大值大的值時，接著劑組成物係顯示強接著狀態。接著劑組成物顯示強接著狀態時的接著力F之最小值(即，在比極大值大的範圍中之最小值)，係隨著接著主劑的種類、光聚合引發劑的種類及添加量、電磁波或粒子線的照射強度及波長、溫度環境等的條件而不同。接著力F為比極大值大的值時之接著主劑的單體反應率(此時的單體反應率為「單體反應率C」)為80%～100%，較佳為85%～100%。單體反應率C與單體反應率A及B的關係滿足以下之式。

單體反應率A＜單體反應率B≦單體反應率C

又，接著力為比極大值大的值時之接著劑組成物的彈性模數係與接著力為極小值時的接著劑組成物之彈性模數大約相等或比其大，係接著力為極大值時的彈性模數之約10倍以上。

例如，於與上述情況相同的實施例1中，若自偏光薄膜側照射大於150mJ/cm² 之量的光，則層成為「強接著」狀態。此時的接著力之最大值係比偏光薄膜中所含有的保護薄膜之內聚力及保護薄膜與偏光鏡之間的界面接著力大的值。又，照射量在300mJ/cm² 時的單體之反應率係約89%。

(接著劑組成物的接著力及狀態變化之彙總)

如以上地，本發明的接著劑組成物，係在指定的溫度環境下，與使用以往的接著劑組成物之際的強度相比，藉由照射較低強度的電磁波或粒子線，接著力F的值係隨著電磁波或粒子線的照射量之增加，而如圖1所示地變化。接著力F係隨著電磁波或粒子線的照射量之增加，經過極大值取得極小值，然後可變化成為至少比極大值大的值。當接著力F取得含極大值的指定範圍內之值時，接著劑組成物的狀態係上述的黏著劑樣狀態，取得含極小值的指定範圍內之值時的狀態係輕剝離狀態，取得比極大值大的值時之狀態係強接著狀態。於輕剝離狀態中，接著劑組成物係幾乎硬化而具有充分的內聚力，但未達到強接著，以小力可容易在兩者的界面剝離接著劑組成物與被附體。

相對於此，以往的接著劑組成物係接著力F的值如圖2所示，隨著電磁波或粒子線的照射量之增加而變大，沒有取得極大值及極小值。接著劑組成物的狀態係藉由電磁波或粒子線的照射量之增加，經過黏著劑樣狀態直接成為強接著狀態，沒有經過如本發明的接著劑組成物中所示，在接著力達到極大值後，進行降低，可容易剝離被附體彼此的狀態。

(臨界照射強度)

使本發明的接著劑組成物之接著力及狀態如圖1所示地變化用之電磁波或粒子線的照射強度，係遠小於使以往的接著劑組成物之接著力如圖2所示地變化用之強度。於本說明書中，將可如圖1所示地使接著劑組成物的接著力F發生變化之電磁波或粒子線的照射強度之最大值稱為「臨界照射強度」。若照射比臨界照射強度大的強度之電磁波或粒子線，則接著劑組成物的接著力F係如圖2所示地變化，沒有取得極大值及極小值。

例如，實驗方法的詳細係在實施例2中記載，對於由100份的HEAA與0.5份的光聚合引發劑所成的接著劑組成物，在405nm的波長以比41mW/cm² 大的照射強度照射電磁波或粒子線時，隨著照射量的增加，而接著力增大，沒有取得極大值及極小值，接著劑組成物的狀態係自黏著劑樣狀態起，不經過輕剝離狀態，而轉移到強接著狀態。另一方面，對於相同的接著劑組成物，以41mW/cm² 以下的照射強度照射電磁波或粒子線時，隨著照射量的增加，接著力係經過極大值及極小值而增大，接著劑組成物的狀態係經過黏著劑樣狀態與輕剝離狀態而轉移到強接著狀態。因此，此時的臨界照射強度係41mW/cm² (請參照圖3)。此時，由於照射越過日東電工製偏光板VEGQ5724DU的光，茲認實際上達到接著劑的光係為照射照度的約30%左右。臨界照射強度係隨著接著主劑的種類、光聚合引發劑的種類及添加量、溫度環境、照射光的波長等之條件而不同。

(彈性模數)

圖4係顯示本發明的接著劑組成物之狀態為黏著劑樣狀態、輕剝離狀態、強接著狀態時的彈性模數。圖4係以實施例1所示的方法對接著劑組成物照射電磁波或粒子線時的彈性模數，彈性模數的測定方法及測定條件係如實施例1中所示。相對於此，關於上述定義的以往黏著劑(即，感壓型接著劑)之彈性模數，例如在特開2008-31214、特開2007-212995、特開2006-316181、特開2008-189838等的專利文獻中有記載。於本發明的接著劑組成物與上述專利文獻記載的黏著劑中，彈性模數的測定方法或測定條件係不同。即，本發明的接著劑組成物之彈性模數係藉由後述實施例1記載的方法所測定的拉伸彈性模數。另一方面，上述專利文獻記載的以往黏著劑，由於彈性模數低，無法對長方形的樣品施加拉伸應力而測定彈性模數，故施加扭轉剪切應力而測定儲存彈性模數。因此，無法直接比較本發明的接著劑組成物之彈性模數與以往黏著劑的彈性模數。然而，一般地由於可作為拉伸彈性模數/3=剪切彈性模數換算，茲認為兩者的彈性模數之位數若不同，可將彈性模數的差異當作明確的物性差作比較。

根據如此的觀點，若比較本發明的接著劑組成物之彈性模數及與以往黏著劑有關的專利文獻之彈性模數，可知本發明的接著劑組成物係具有與以往黏著劑完全不同的物性。與以往的黏著劑相比，本發明的接著劑組成物係彈性模數高。因此，例如當使用本發明的接著劑組成物，將僅在偏光鏡一面層合有保護薄膜的偏光薄膜貼合於液晶胞時，由於在可靠性試驗(熱震盪試驗)中可阻止加熱及冷卻所致的偏光鏡之膨脹及收縮的舉動，偏光鏡係不易引入裂紋而耐久性優異。另一方面，以往的黏著劑由於彈性模數低，在可靠性試驗中無法阻止加熱及冷卻所致的偏光鏡之膨脹及收縮的舉動，而在偏光鏡中引入裂紋。

又，以往的黏著劑由於彈性模數低而回彈力弱。因此，例如若使用以往的黏著劑來貼合偏光薄膜與液晶胞，則在對偏光薄膜的表面施加力量時，即使在偏光薄膜的表面上層合有硬塗層，偏光薄膜本身也會變形，在偏光薄膜的表面或硬塗層的表面上有發生凹陷或破壞的可能性。另一方面，本發明的接著劑組成物由於彈性模數高而回彈力強。因此，使用接著劑組成物來貼合偏光薄膜與液晶胞時，即使對偏光薄膜的表面施加力量，也可抑制偏光薄膜本身的變形，可防止偏光薄膜的表面之凹陷或破壞。

再者，若考慮偏光薄膜的耐久性，則較佳為接著劑組成物的玻璃轉移溫度Tg係高。即，接著劑的Tg若高，則接著劑組成物的熔融溫度或變形溫度係變高，故抑制加熱所致的偏光鏡之活動，可防止偏光鏡龜裂。

＜藉由電磁波或粒子線的照射強度來控制接著力及狀態＞

電磁波或粒子線的照射量係可以照射的強度與照射的時間之積來表示。因此，本發明的接著劑組成物之接著力及狀態，係可藉由控制電磁波或粒子線的照射強度，而使自由自在地變化。即，若在比以上定義的臨界照射強度低的範圍內增大電磁波或粒子線的照射強度，則可縮短接著力達到極大值為止所需要的時間(或接著劑組成物的狀態成為黏著劑樣狀態為止的時間)、由極大值變化到極小值為止所需要的時間(或接著劑組成物的狀態成為輕剝離狀態為止的時間)、及由極小值變化到最大值所需要的時間(或接著劑組成物的狀態成為強接著狀態為止時間)。例如，藉由使電磁波或粒子線的照射強度成為2倍，則可以大概一半的時間，使接著力變化到極大值(此時的接著劑組成物之狀態係黏著劑樣狀態)～極小值(此時的接著劑組成物之狀態係輕剝離狀態)～最大值(此時的接著劑組成物之狀態係強接著狀態)為止。後述的實施例3中之圖5表現此現象。

惟，即使為比上述臨界照射強度低的照射強度，由於隨著電磁波或粒子線之照射強度的升高，以短時間也進行反應，故接著力的極大值、極小值之控制變困難，尤其接著力F取得極大值，於黏著劑樣狀態下用於使反應停止的自由度係有變小的問題。另一方面，即使為比上述臨界照射強度低的照射強度，隨著電磁波或粒子線的照射強度之降低，反應時間也變長，故生產性降低。因此，實用上關於所照射的電磁波或粒子線之強度，必須選擇可使聚合反應的控制之容易性與生產性並存的條件之強度。

又，例如，照射電磁波或粒子線直到接著劑組成物成為黏著劑樣狀態為止(或接著力成為以極大值為最大值的指定範圍之值為止)，然後若停止電磁波或粒子線的照射，則接著劑組成物係可維持黏著劑樣狀態。再者於其後，藉由再開始電磁波或粒子線的照射，可使接著劑組成物變化到輕剝離狀態及強接著狀態。如此地，即使停止電磁波或粒子線的照射，接著劑組成物也可維持所停止的時間點之狀態及接著力。因此，藉由對被附體上所塗佈的接著劑組成物僅照射恰當時間的適切強度之電磁波或粒子線，而使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態，維持著該狀態而保管，在其後的任一時間點，於接著劑組成物接著其它被附體之際，採用再照射電磁波或粒子線的步驟係變成可能，可構築自由度高的製程。

於被附體上塗佈接著劑組成物，使成為黏著劑樣狀態而保管時，可將接著劑組成物的層形成在薄片狀的偏光薄膜上而保管，也可形成在棉網狀的偏光薄膜上，捲繞而保管，亦可形成在基板上而保管。又，為了轉印到被附體上，亦可在能剝離的薄片狀之剝離襯裏上形成黏著劑樣的接著劑組成物之層，直接以薄片狀保管，也可將黏著劑樣的接著劑組成物之層形成在棉網狀的剝離薄片上，將其捲繞成輥狀而保管。

＜藉由溫度環境來控制反應速度＞

如上述地，本發明的接著劑組成物係在指定的溫度環境下，可對應於以臨界照射強度以下的強度所照射的電磁波或粒子線之量，使接著力及狀態產生變化。此接著力及狀態的變化速度，係可藉由改變接著劑組成物所處的溫度環境而加快。即，於照射電磁波或粒子線而使接著劑組成物進行聚合反應時，藉由提高接著劑組成物的溫度，可縮短接著力達到極大值為止所需要的時間、由極大值變化到極小值所需要的時間、及由極小值變化到最大值所需要的時間。

但是，與藉由照射強度來控制接著力時同樣，若反應的進行過快，則接著力的極大值、極小值之控制係困難，而若反應的進行過慢，則生產性降低。又，貼合之際的溫度若過高，則有發生薄膜或顯示裝置的破壞之可能性。因此，實用上必須設定能使聚合反應的控制之容易性與生產性並存的溫度環境。

本發明中的指定之溫度環境，就是指由給予接著劑組成物的熱量與經由接著劑組成物的聚合反應所生成的熱量之和中，扣除自接著劑組成物所散失的熱量後之熱量，係能將指定熱量以上的狀態至少僅以指定的時間維持的溫度環境。因此，於指定的溫度環境下時，意味接著劑組成物處於指定的溫度下可加熱一定時間的環境中，考慮加熱溫度及加熱環境。例如，經由接著劑組成物貼合有2個被附體的層合物，在熱會散失的開放系中被加熱時，為了變化而使接著力取得極大值及極小值，與熱不會散失的閉鎖系內被加熱時相比，必須在高的溫度加熱一定時間。於指定的溫度環境下時的接著劑組成物之溫度，必須為接著劑組成物的玻璃轉移點附近或其以上的溫度。

＜藉由溫度環境來控制接著力及狀態＞

如上述地，本發明的接著劑組成物，係藉由指定的溫度環境下以臨界照射強度以下的強度所照射的電磁波或粒子線之量，而可使接著力及狀態發生變化。即，本發明的接著劑組成物，係隨著指定的溫度環境下對於接著劑組成物所照射的電磁波或粒子線對照射量的增加，接著力變化取得極大值、極小值、比極大值大的值。

相對於此，藉由在途中改變接著劑組成物所處的溫度環境，亦可不照射電磁波或粒子線而使其後的接著劑組成物之接著力及狀態發生變化。例如，於第1溫度環境下藉由電磁波或粒子線的照射而使接著劑組成物的接著力經由極大值取得到極小值後，藉由於溫度比第1溫度環境高的第2溫度環境下，將接著劑組成物保持指定的時間以上，亦可使接著力由極小值變化到比極大值大的值。或者，於第1溫度環境下藉由電磁波或粒子線的照射使接著劑組成物的接著力取得極大值後，藉由於溫度比第1溫度環境高的第2溫度環境下，將接著劑組成物保持指定的時間以上，亦可使接著力經由極大值直接變化到比極大值大的值。於任一情況下，接著劑組成物的溫度皆必須為接著劑組成物的玻璃轉移點附近或其以上的溫度。

於本發明中，第2溫度環境的溫度必須高於第1溫度環境的溫度。茲認為此係基於以下的理由。即，接著劑組成物的接著力為極小值的狀態(輕剝離狀態)時，接著劑組成物的硬化反應係幾乎結束，對此狀態的接著劑組成物，即使更照射電磁波或粒子線，硬化反應也不太進行。然而，藉由將接著劑組成物的溫度提高到玻璃轉移溫度或玻璃轉移溫度附近為止，而緩和被附體與接著劑組成物的界面之應力，接著力係上升。因此，於不照射電磁波或粒子線的狀態下，即於沒有由於接著劑組成物吸收電磁波或粒子線所致的發熱或輻射熱之影響的狀態下，為了提高接著劑組成物的溫度，必須使溫度環境成為比有照射電磁波或粒子線的溫度環境還溫度高的狀態。

＜可回收再利用性＞

於廢棄液晶顯示器時，必須粉碎液晶面板的玻璃，或回收所使用的稀有金屬，於該情況下由於貼合於液晶面板的偏光薄膜等之光學薄膜會干擾，故必須自液晶面板剝離。又，為了亦減輕回收再利用時的重量，較佳為預先剝離偏光薄膜等的光學薄膜。然而，使用黏著劑貼合偏光薄膜等的光學薄膜與液晶胞時，隨著時間的經過，接著力有上升的傾向。因此，於廢棄液晶面板之際，由於黏著劑的接著力變大，所貼合的光學薄膜容易斷裂，故剝離光學薄膜係非常困難。再者，隨著液晶面板的大型化，剝離液晶胞與光學薄膜時所需要的力亦變大，由於玻璃的薄型化，剝離時玻璃會破裂，現狀為剝離更困難。本發明的接著劑組成物，即使在成為強接著狀態後，由於僅藉由浸漬在水中而使接著力大幅降低，故可解決如此回收再利用時的問題。

如上述地，於指定的溫度環境下藉由對接著劑組成物以比臨界照射強度低的強度所照射的電磁波或粒子線之照射量的增加，接著劑組成物進行硬化而成為強接著狀態時，接著劑組成物與被附體係在兩者的界面無法剝離，若勉強地施加力量，則在接著劑組成物或被附體的內部發生內聚破壞。然而，藉由將接著劑組成物浸漬在水中，接著劑組成物係膨潤，界面接著力f1、f1’、接著劑組成物內聚力f2皆變小，由於接著劑組成物的接著力F變小，故在兩者的界面可容易剝離被附體與接著劑組成物。此時的接著力F係至少小於上述極大值。如此地由於可剝離兩者，例如於液晶電視的回收再利用時因為可自液晶胞容易去除接著劑組成物，故可減輕環境負荷及回收再利用成本。為了使接著劑組成物膨潤而進行剝離，所浸漬的水之溫度係沒有拘限，但藉由在溫度高的水中浸漬係可以短時間降低接著力而進行剝離。

＜可能添加的其它添加劑＞

於本發明中的接著劑組成物中，除了接著主劑及聚合引發劑，還可含有如以下所示的添加劑。例如，於本發明的接著劑組成物中，為了提高液晶胞的基板與偏光薄膜之接著性，可添加各種的Si偶合劑或交聯劑。又，於接著劑組成物中，從防止暗反應或使可用時間增大等的觀點來看，亦可添加聚合抑制劑。再者，於本發明的接著劑組成物中，藉由添加與偏光薄膜的透過波長匹配的光增感劑，即使使用與偏光薄膜的透過波長不同的光吸收波長之聚合引發劑時，也可達成本發明的效果。再者，於接著劑組成物中，亦可添加用於賦予導電性的導電性材料，或添加用於賦予相位差的具有雙折射之微粒子，或添加用於提高表面的均平性之界面活性劑。還有，於接著劑組成物中，亦可添加各種的硬化劑。作為硬化劑，可舉出酚樹脂、各種咪唑系化合物及其衍生體、醯肼化合物、氰胍、異氰酸酯系化合物及此等經微膠囊化者等，例如當添加酚樹脂當作硬化劑時，亦可更併用三苯基膦等的磷系化合物等當作硬化促進劑。

<本發明之層合物的製造方法>

本發明的接著劑組成物係用於貼合2個被附體彼此，以製造含有至少2個被附體與接著劑組成物的層之層合物。2個被附體可為光學薄膜彼此、或光學薄膜與基板。本發明的接著劑組成物，例如較佳係用作為製造液晶顯示單元、電漿顯示單元、有機EL顯示單元用的接著劑。

於液晶顯示單元的製造時，所貼合的2個被附體中之一方，係按照偏光薄膜的構成，可為偏光鏡、保護偏光鏡用的在偏光鏡之表面上所層合的保護薄膜、使用相位差薄膜等的光學補償薄膜等。又，2個被附體中的另一方係可為液晶胞中所含有的玻璃基板或塑膠基板。

本發明的接著劑組成物，係如上述地，於指定的溫度環境下，藉由照射比本說明書中定義的臨界照射強度低的強度之電磁波或粒子線，可自由自在地控制經接著劑組成物貼合2個被附體彼此用的接著力。若依照本發明，可控制接著力，藉由對接著劑組成物的照射量之增加而取得極大值，藉由更增加照射量而使接著力降低取得極小值，藉由再增加照射量而使接著力取得比極大值大的值。因此，於本發明的一實施形態中，藉由使用本發明的接著劑組成物，可實現在接著劑組成物成為黏著劑樣狀態後貼合被附體彼此，或邊成為黏著劑樣狀態邊貼合被附體彼此後，檢查所貼合的狀態，於不需要貼合的修正時，可使接著劑組成物成為強接著狀態而完全接著被附體彼此，於需要貼合的修正時，使接著劑組成物成為輕剝離狀態而在被附體與接著劑組成物的兩者之界面中容易地剝離，而製造層合物之方法。

又，於本發明的另一實施形態中，藉由使用本發明的接著劑組成物，亦可實現在使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態後貼合被附體彼此，或邊成為黏著劑樣狀態邊貼合被附體彼此，使接著劑組成物成為輕剝離狀態後，檢查所貼合的狀態，當不需要貼合的修正時，使接著劑組成物成為強接著狀態而完全接著被附體彼此，當需要貼合的修正時，可將被附體與接著劑組成物在兩者的界面容易地剝離，而製造層合物之方法。

還有，如上述，本發明的接著劑組成物，亦可藉由在途中改變接著劑組成物所處的溫度環境，不照射電磁波或粒子線而使其後的接著力及狀態發生變化。因此，例如，於第1溫度環境下藉由成為黏著劑樣狀態的接著劑組成物來貼合被附體彼此後，檢查所貼合的狀態，於需要貼合的修正時，藉由在第2溫度環境下經過指定的時間以上來保持接著劑組成物，可使接著劑組成物成為強接著狀態而完全接著被附體彼此。

本發明之層合物的製造方法，具體地可包含以下的步驟。首先，於指定的溫度環境下，對於本發明的接著劑組成物，照射比本說明書中定義的臨界照射強度低的強度之電磁波或粒子線。藉由增加照射量，接著劑組成物係成為經由壓力展現接著力的黏著劑樣狀態(黏彈性狀態)。此時的接著力係取得含極大值的指定範圍內之值。使成為此狀態的接著劑組成物介於至少2個被附體之間存在，經由壓力暫時接著2個被附體彼此。於暫時接著之際，對接著劑組成物照電磁波或粒子線而使成為黏著劑樣狀態的步驟，及使至少2個被附體與接著劑組成物成為層合物的步驟，係不拘順序。例如，於至少2個被附體的一方塗佈電磁波或粒子線照射前的接著劑組成物(即液體狀態的接著劑組成物)，於將至少2個被附體的另一方層合於接著劑組成物上後，藉由對接著劑組成物照射電磁波或粒子線，亦可使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。或者，也可於至少2個被附體的一方塗佈電磁波或粒子線照射前的接著劑組成物(即液體狀態的接著劑組成物)，對接著劑組成物照射電磁波或粒子線以使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態後，在黏著劑樣狀態的接著劑組成物上層合另一方的被附體而暫時接著。

又，於暫時接著之際，在被附體上塗佈接著劑組成物的步驟、及對接著劑組成物照射電磁波或粒子線而使成為黏著劑樣狀態的步驟，尤其不拘方法及順序。例如，可於剝離襯裏上塗佈電磁波或粒子線照射前的接著劑組成物，照射電磁波或粒子線而使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態後，將黏著劑樣狀態的接著劑組成物轉印到至少2個被附體的一方。此時，然後為了得到經暫時接著的層合物，自接著劑組成物將剝離襯裏剝離，在接著劑組成物的剝離襯裏經剝離之面上層合至少2個被附體的另一方而成。或者，也可於剝離襯裏上塗佈電磁波或粒子線照射前的接著劑組成物，將至少2個被附體的一方層合於接著劑組成物的層後，照射電磁波或粒子線而使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。此時，亦然後為了得到經暫時接著的層合物，自接著劑組成物將剝離襯裏剝離，在接著劑組成物的剝離襯裏經剝離之面上層合至少2個被附體的另一方而成。

作為另一方法，可於至少2個被附體的一方塗佈電磁波或粒子線照射前的接著劑組成物，照射電磁波或粒子線而使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態，將剝離襯裏貼合於接著劑組成物的面，然後將剝離襯裏，於黏著劑樣狀態的接著劑組成物之剝離襯裏經剝離的面上層合至少2個被附體的另一方。或者，也可於至少2個被附體的一方塗佈電磁波或粒子線照射前的接著劑組成物，將剝離襯裏層合於接著劑組成物上後，照射電磁波或粒子線而使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態，然後將剝離襯裏剝離，於黏著劑樣狀態的接著劑組成物之剝離襯裏經剝離的面上層合至少2個被附體的另一方。

作為再另一方法，可於剝離襯裏上塗佈電磁波或粒子線照射前的接著劑組成物，照射電磁波或粒子線而使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態，於黏著劑樣狀態的接著劑組成物上貼合另一剝離襯裏，剝離任一方的剝離襯裏後，將黏著劑樣狀態的接著劑組成物轉印到至少2個被附體的一方。此時，然後為了得到層合物，剝離剩餘的另一方之剝離襯裏，於接著劑組成物的剝離襯裏經剝離的面上層合至少2個被附體的另一方而成。或者，也可於剝離襯裏上塗佈電磁波或粒子線照射前的接著劑組成物，在接著劑組成物上層合另一剝離襯裏，照射電磁波或粒子線而使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態，剝離一方的剝離襯裏後，將黏著劑樣狀態的接著劑組成物之剝離襯裏經剝離的面轉印到至少2個被附體的一方。此時，亦然後為了得到層合物，剝離剩餘的另一方之剝離襯裏，於接著劑組成物的剝離襯裏經剝離的面上層合至少2個被附體的另一方而成。

黏著劑樣狀態的接著劑組成物與至少一方的被附體之層合物，或黏著劑樣狀態的接著劑組成物與剝離襯裏的層合物，係可成為薄片狀而使用，也可捲繞成輥狀而使用，亦可層合在基板上。

於至少2個被附體的暫時接著後，檢查被附體的貼合狀態。檢查的結果，當需要貼合的修正時，例如發生貼合位置的偏移、異物或氣泡咬入等時，必須剝離被附體與接著劑組成物。接著劑組成物以黏著劑樣狀態直接剝離係在剝離時需要大力，由於在被附體上黏著劑樣狀態的接著劑組成物亦有殘留的可能性而不宜。例如，近年來的液晶胞係玻璃變薄，面板的尺寸亦變大。因此，若接著劑組成物的接著力大，則在剝離液晶胞上貼合的偏光薄膜時，玻璃有破損之虞。又，由於液晶胞的尺寸變大，故即使相同的接著力，液晶胞與偏光薄膜的貼合面積也變大，必須以大力來剝離兩者，故液晶胞有破損之虞。因此，於本發明的一實施形態之層合物的製造方法中，當需要剝離被附體與接著劑組成物時，則於指定的溫度環境下，對成為黏著劑樣狀態的接著劑組成物，更照射比臨界照射強度低的強度之電磁波或粒子線。藉由照射比使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態所必要量多的量之電磁波或粒子線，接著劑組成物係硬化到可在兩者的界面剝離被附體的至少一方與接著劑組成物之程度為止，成為輕剝離狀態，而不對至少2個被附體造成損傷。此時的接著力係取得含極小值的指定範圍內之值。被附體的至少一方與接著劑組成物，係在接著劑組成物成為輕剝離狀態時被剝離。如此地，藉由使接著劑組成物成為輕剝離狀態而剝離被附體的至少一方與接著劑組成物，例如當在含有液晶胞與偏光薄膜的層合物中剝離兩者時，有液晶胞的破損或接著劑組成物對液晶胞的殘存係變沒有之優點。

於暫時接著後的檢查中不需要貼合的修正時，完全貼合至少2個被附體。此時，於本發明之層合物的製造方法中，在指定的溫度環境下，對於成為黏著劑樣狀態的接著劑組成物，更照射比臨界照射強度低的強度之電磁波或粒子線。藉由對接著劑組成物照射比使接著劑組成物成為輕剝離狀態所必要量多的量之電磁波或粒子線，接著劑組成物係完全硬，接著劑組成物與至少2個被附體係完全接著。或者，於指定的溫度環境下，對於成為黏著劑樣狀態的接著劑組成物，更照射比臨界照射強度低的強度之電磁波或粒子線，而使接著劑組成物成為輕剝離狀態後，藉由在溫度比指定的溫度環境高的溫度環境下保持指定時間以上，接著劑組成物係完全硬化，接著劑組成物與至少2個被附體係完全接著。此時的接著力係至少取得比極大值大的值。

於本發明的另一實施形態之製造層合物的方法中，被附體的貼合狀態之檢查亦可在使接著劑組成物成為輕剝離狀態後進行。藉由在使接著劑組成物成為輕剝離狀態後進行檢查，可以同一步驟進行檢查步驟與在檢查步驟中需要貼合修正時自接著劑組成物剝離被附體用之步驟(再加工)，再加工時的作業性變更良好。此時，於至少2個被附體的暫時接著後，在指定的溫度環境下，對於成為黏著劑樣狀態的接著劑組成物，更照射比臨界照射強度低的強度之電磁波或粒子線。藉由照射比使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態所必要量多的量之電磁波或粒子線，接著劑組成物係硬化到可在兩者的界面剝離被附體的至少一方與接著劑組成物之程度為止，成為輕剝離狀態，而不對至少2個被附體造成損傷。此時的接著力係取得比極大值小的範圍中之含極小值的指定範圍內之值。於使接著劑組成物成為輕剝離狀態後，進行所貼合的狀態之檢查，當需要貼合狀態的修正時，剝離被附體的至少一方與接著劑組成物。

另一方面，於接著劑組成物成為輕剝離狀態時檢查所貼合的狀態，當不需要貼合的修正時，完全貼合至少2個被附體。此時，於本發明的製造層合物之方法中，在指定的溫度環境下，藉由對已成為輕剝離狀態的接著劑組成物更照射比臨界照射強度低的強度之電磁波或粒子線，接著劑組成物係完全硬化，而完全接著接著劑組成物與至少2個被附體。或者，藉由在溫度比指定的溫度環境高的溫度環境下，將已成為輕剝離狀態的接著劑組成物保持指定時間以上，接著劑組成物係完全硬化，而完全接著接著劑組成物與至少2個被附體。此時的接著力係至少取得比極大值大的值。

[實施例]

(實施例1)

藉由在100份的N-(2-羥乙基)丙烯醯胺單體(興人製)中添加1份的光聚合引發劑(汽巴日本製Irgacure 819)，進行溶解而調製接著劑組成物。為了加快溶解速度，邊在50℃加熱邊施予超音波而進行溶解。用滴管將1mL的接著劑組成物滴流到平板玻璃上，自其上面疊合偏光薄膜(日東電工製，VEGQ5724DU)，以手輥來壓偏光薄膜而貼合偏光薄膜與平板玻璃。接著劑組成物的厚度係成為10μm。接著劑組成物的Tg係98℃。平板玻璃的尺寸係150mm×50mm，偏光薄膜的尺寸係140mm×40mm。

由於在此偏光薄膜的保護薄膜中，使用加有紫外線吸收劑的TAC，故380nm以下的波長之光係幾乎不穿透偏光薄膜。因此，作為光聚合引發劑，選擇對400nm附近的可見光亦有吸收的Irgacure 819。於經加熱到70℃的熱板(AS ONE製HHP-411)上，放置貼合有偏光薄膜的平板玻璃，使玻璃面成為下，藉由紫外線照射機(EYEGRAPHICS製UBX0801-01輸出8kW(高壓水銀燈))自偏光薄膜側照射光。為了防止偏光薄膜或玻璃的溫度被加熱到超出需要，於紫外線的照射源與偏光薄膜之間安裝熱線截濾器。

光的照射強度(實測照射強度)係藉由波長405nm的測定器(EYEGRAPHICS製EYE UV METER UVPF-A1)來測定。光的照射強度係調整到使在波長405nm的實測照射強度成為7mW/cm² 。再者，實測照射強度係在照射源與偏光薄膜之間測定。由於光係邊一部分被偏光薄膜所吸收，邊通過偏光薄膜而到達接著劑組成物，故照射於接著劑組成物的光之照射強度(理論照射強度)係為實測照射強度的約30%。因此，茲認為對接著劑組成物的照射強度(理論照射強度)理論上係成為7mW/cm² ×30%=約2mW/cm² 。關於實測照射強度與理論照射強度的關係，在以下的實施例及比較例中亦同樣。

接著力係使用拉伸試驗機(島津製作所製Autograph,AG-IS)來測定。對如上述所貼合的偏光薄膜與玻璃基板照射電磁波或粒子線，以接著兩者，藉由拉伸試驗機在拉伸速度300mm/分鐘的條件下，測定在室溫(25℃)的180度剝離值(peel)，將此當作接著力，本說明書中的實施例及比較例的接著力係同樣地測定。

(1)黏著劑樣狀態

藉由對液體狀態的接著劑組成物，自偏光薄膜側照射2秒的光，而使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。黏著劑樣狀態係自照射開始起5秒，自黏著劑樣狀態的開始起繼續經過3秒為止。自黏著劑樣狀態的開始起到結束為止的光之實測照射量係15～35mJ/cm² 。接著力的極大值係12N/25mm。

(2)輕剝離狀態

藉由對成為黏著劑樣狀態的接著劑組成物，自偏光薄膜側照射3秒以上的光，接著劑組成物係成為輕剝離狀態。輕剝離狀態係自照射開始起(即自液體狀態起)21秒，自輕剝離狀態的開始起繼續經過16秒為止。自輕剝離狀態的開始起到結束為止的光之實測照射量係35～150mJ/cm² 。接著力的極小值係0.5N/25mm。

(3)強接著狀態

藉由對成為輕剝離狀態的接著劑組成物，自偏光薄膜側照射16秒以上的光，接著劑組成物係成為強接著狀態。自照射開始起，藉由21秒以上的照射而成為強接著狀態。強接著狀態開始時的實測照射量係150mJ/cm² 。

圖4中顯示黏著劑樣狀態、輕剝離狀態及強接著狀態的接著劑組成物之彈性模數。本發明的接著組成物係彈性模數高。又，於本發明的接著組成物，若施加剪切應力，則亦有裝置的扭矩感測器與接著劑組成物滑動而無法測定等問題。因此，於本發明的接著劑組成物中，使樣品成為長方形，施加拉伸應力而測定彈性模數。彈性模數的測定係使用TA儀器製固體黏彈性裝置RSAIII來測定。測定條件係如以下。

變形模式　拉伸

頻率　1Hz

初期應變　0.1%

溫度　-60℃～300℃

(實施例2；臨界照射強度的測定)

藉由在100份的N-(2-羥乙基)丙烯醯胺單體(興人製)中添加0.5份的光聚合引發劑(汽巴日本製，Irgacure 819)，進行溶解而調製接著劑組成物。為了加快溶解速度，邊在50℃加熱邊施予超音波而進行溶解。用滴管將1mL的接著劑組成物滴流到平板玻璃上，使用手輥來貼合經切斷成25mm寬的偏光薄膜(日東電工製VEGQ5724DU)與平板玻璃。接著劑組成物的厚度係成為10μm。將貼合有偏光薄膜的平板玻璃置於40℃的烘箱中，藉由紫外線照射機(EYEGRAPHICS製UBX0801-01輸出8kW(高壓水銀燈))自偏光薄膜側照射光。為了防止偏光薄膜或玻璃的溫度被加熱到超出需要，於照射源與偏光薄膜之間安裝熱線截濾器。接著劑的Tg係98℃。

光的實測照射強度係以在波長405nm的強度成為7mW/cm² 、14mW/cm² 、21mW/cm² 、25.4mW/cm² 、32.5mW/cm² 、41mW/cm² 、60mW/cm² 、80mW/cm² 的8個條件來調整。圖3顯示於各照射強度中使照射時間變化時的對玻璃接著力之試驗結果。

由圖3的表可知，當實測照射強度為41mW/cm² 以下時，隨著照射時間的增加，接著力係變化取得極大值、極小值、比前述極大值還大的值。然而，由於若照射強度變大，則接著力取得極小值的照射時間變短，故接著力的控制變困難。因此，接著力之控制容易的照射強度，係實質上較佳為32.5mW/cm² 以下。再者，當實測照射強度為32.5mW/cm² 時，茲認為實際到達接著劑組成物的光之強度係約10mW/cm² 左右。當實測照射強度為60mW/cm² 以上時，隨著照射時間的增加，接著力係不取得極大值及極小值而進行增大。

(實施例3；藉由電磁波或粒子線的照射強度來控制接著力及狀態)

對於與實施例1相同的接著劑組成物，使光的照射強度以外之條件成為與實施例1相同的條件，觀察改變照射強度時，隨著照射時間的接著劑組成物之狀態變化。照射強度係使波長405nm的強度在1.5～35mW/cm² 的範圍進行變化。圖5中顯示結果。圖5中，×記號表示接著劑組成物為液體狀態，△記號表示黏著劑樣狀態，○記號表示輕剝離狀態，◎記號表示強接著狀態。由圖5可知，隨著照射強度的變大，而縮短接著劑組成物的狀態成為黏著劑樣狀態止為的時間、成為輕剝離狀態為止時間、及成為強接著狀態為止的時間。

(實施例4)

藉由在100份的羥甲基丙烯醯胺單體(東京化成製)中添加0.5份的光聚合引發劑(汽巴日本製Irgacure 819)，進行溶解而調製接著劑組成物。為了加快溶解速度，邊在50℃加熱邊施予超音波而進行溶解。用滴管將1mL的接著劑組成物滴流到平板玻璃上，自其上面疊合偏光薄膜(日東電工製，VEGQ5724DU)，用手輥來壓偏光薄膜而貼合偏光薄膜與平板玻璃。選擇Irgacure 819的理由係與實施例1同樣。於經加熱到60℃的熱板(AS ONE製HHP-411)上，放置貼合有偏光薄膜的平板玻璃，使玻璃面成為下，藉由紫外線照射機(EYEGRAPHICS製UBX0801-01輸出8kW(高壓水銀燈))自偏光薄膜側照射光。為了防止偏光薄膜或玻璃的溫度被加熱到超出需要，於照射源與偏光薄膜之間安裝熱線截濾器。光的照射強度係藉由波長405nm的測定器(EYEGRAPHICS製EYE UV METER UVPF-A1)來測定。光係以在波長405nm的照射強度成為14mW/cm² 的方式進行調整。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射1.5秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射10秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，輕剝離狀態係自輕剝離狀態的開始起繼續經過50秒為止。然後，將熱板的溫度提高到120℃，若再照射60秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。

(實施例5)

除了將實施例4的羥甲基丙烯醯胺單體(東京化成製)變更為羥乙基丙烯醯胺單體(興人製)而調製接著劑組成物以外，係與實施例4相同的條件。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射2秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射10秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，輕剝離狀態係自輕剝離狀態的開始起繼續經過50秒為止。若再照射60秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。接著劑的Tg係98℃。

於實施例5中，若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射2秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射30秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態。然後，將熱板的溫度提高到100℃，若不照射光而僅進行300秒的加熱，則接著劑組成物成為強接著狀態。

將此實施例5中的14mW/cm² 之照射強度變更為80mW/cm² ，其它條件係為與實施例5同樣的條件，對層合物照射光，結果液體狀態的接著劑組成物係在自照射開始起1.5秒成為強接著狀態，即使更加長照射時間，也仍為強接著狀態。

(實施例6)

藉由在100份的羥丙基丙烯醯胺單體(Fluka製)(含50%的水)中添加0.5份的光聚合引發劑(汽巴日本製Irgacure 819)，進行溶解而調製接著劑組成物。為了加快溶解速度，邊在50℃加熱邊施予超音波而進行溶解。用滴管將1mL的接著劑組成物滴流到平板玻璃上，為了使水分蒸發，將平板玻璃置於經加熱到100℃的熱板(AS ONE製HHP-411)上。於水分蒸發後，在平板玻璃的接著劑組成物上疊合偏光薄膜(日東電工製，VEGQ5724DU)，使用手輥來貼合偏光薄膜與平板玻璃。於經加熱到100℃熱板(AS ONE製HHP-411)上，放置貼合有偏光薄膜的平板玻璃，使玻璃面成為下，藉由紫外線照射機(EYEGRAPHICS製UBX0801-01輸出8kW(高壓水銀燈))自偏光薄膜側照射光。為了防止偏光薄膜或玻璃的溫度被加熱到超出需要，於照射源與偏光薄膜之間安裝熱線截濾器。光的照射強度係藉由波長405nm的測定器(EYEGRAPHICS製EYE UV METER UVPF-A1)來測定。光係以在波長405nm的照射強度成為14mW/cm² 的方式進行調整。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射1秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射10秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態。若再照射20秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。接著劑的Tg係74℃。

(實施例7)

除了將實施例4的羥甲基丙烯醯胺單體(東京化成製)變更為二甲基丙烯醯胺單體(興人製)而調製接著劑組成物以外，係與實施例4相同的條件。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射1秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射10秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，輕剝離狀態係自輕剝離狀態的開始起繼續經過50秒為止。若再照射60秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。接著劑的Tg係119℃。

(實施例8)

除了將實施例4的羥甲基丙烯醯胺單體(東京化成製)變更為二乙基丙烯醯胺單體(興人製)而調製接著劑組成物，係與實施例4相同的條件。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射1秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射10秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，輕剝離狀態係自輕剝離狀態的開始起繼續經過20秒為止。若再照射30秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。接著劑的Tg係81℃。

(實施例9)

藉由在100份的丙烯酸單體(東亞合成製)中添加0.5份的光聚合引發劑(汽巴日本製Irgacure 819)，進行溶解而調製接著劑組成物。為了加快溶解速度，邊在50℃加熱邊施予超音波而進行溶解。藉由旋塗機在平板玻璃上塗佈矽烷偶合劑(信越化學製)，在100℃加熱1分鐘。用滴管將1mL的接著劑組成物滴流到此平板玻璃上，自其上面疊合偏光薄膜(日東電工製，VEGQ5724DU)，用手輥來壓偏光薄膜而貼合偏光薄膜與平板玻璃。於經加熱到80℃的熱板(AS ONE製HHP-411)上，放置貼合有偏光薄膜的平板玻璃，使玻璃面成為下，藉由紫外線照射機(EYEGRAPHICS製UBX0801-01輸出8kW(高壓水銀燈))自偏光薄膜側照射光。為了防止偏光薄膜或玻璃的溫度被加熱到超出需要，安裝熱線截濾器。光的照射強度係藉由波長405nm的測定器(EYEGRAPHICS製EYE UV METER UVPF-A1)來測定。光係以在波長405nm的照射強度成為14mW/cm² 的方式進行調整。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射1秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射10秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，輕剝離狀態係自輕剝離狀態的開始起繼續經過50秒為止。若再照射60秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。接著劑的Tg係106℃。

(實施例10)

除了將實施例4的羥甲基丙烯醯胺單體(東京化成製)變更為丙烯酸2-羥乙酯單體(日本觸媒製)而調製接著劑組成物以外，係與實施例4相同的條件。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射5秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射30秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，輕剝離狀態係自輕剝離狀態的開始起繼續經過30秒為止。若再照射60秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。接著劑的Tg係-15℃。

(實施例11)

除了將實施例4的羥甲基丙烯醯胺單體(東京化成製)變更為丙烯腈單體(WAKO製)而調製接著劑組成物以外，係與實施例4相同的條件。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射1秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態，黏著劑樣狀態係自黏著劑樣狀態的開始起繼續經過9秒為止。若更照射15秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，輕剝離狀態係自輕剝離狀態的開始起繼續經過105秒為止。若再照射120秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。接著劑的Tg係97℃。

(實施例12)

除了將實施例4的羥甲基丙烯醯胺單體(東京化成製)變更為丙烯醯基嗎啉單體(興人製)而調製接著劑組成物以外，係與實施例4相同的條件。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射1秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射3秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，輕剝離狀態係自其開始起繼續經過57秒為止。若再照射60秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。接著劑的Tg係145℃。

(實施例13)

除了將實施例4的羥甲基丙烯醯胺單體(東京化成製)變更為N-甲基甲基丙烯醯胺單體(東京化成製)而調製接著劑組成物，及將熱板的加熱溫度由60℃變更為120℃以外，係與實施例4相同的條件。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射30秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射90秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態。若再照射120秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。

(實施例14)

除了將實施例4的羥甲基丙烯醯胺單體(東京化成製)變更為甲基丙烯酸縮水甘油酯單體(KISHIDA製)而調製接著劑組成物以外，係與實施例4相同的條件。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射30秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態，黏著劑樣狀態係自黏著劑樣狀態的開始起繼續經過90秒為止。然後，使熱板的溫度成為80℃，若更照射30秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，輕剝離狀態係自輕剝離狀態的開始起繼續經過90秒為止。若再照射240秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。接著劑的Tg係46℃。

(實施例15)

除了將實施例4的羥甲基丙烯醯胺單體(東京化成製)變更為甲基丙烯酸四氫糠酯單體(東京化成製)而調製接著劑組成物，及將熱板的加熱溫度由60℃變更為120℃以外，係與實施例4相同的條件。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射30秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態，黏著劑樣狀態係自黏著劑樣狀態的開始起繼續經過30秒為止。若更照射60秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，輕剝離狀態係自輕剝離狀態的開始起繼續經過60秒為止。若再照射240秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。接著劑的Tg係60℃。

(實施例16)

除了將實施例5的羥乙基丙烯醯胺單體(東京化成製)變更為50份的羥乙基丙烯醯胺單體(興人製)與50份的甲基丙烯酸甲酯單體(WAKO製)的混合物而調製接著劑組成物以外，係與實施例5相同的條件。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射3秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態，黏著劑樣狀態係自黏著劑樣狀態的開始起繼續經過27秒為止。若更照射10秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態。若再照射20秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。

(實施例17)

於防眩薄膜(日東電工製AG150)上，使用桿塗機來形成厚度10μm的實施例2之接著劑組成物層。對於附有接著劑組成物層的防眩薄膜，在40℃的烘箱中，若自接著劑層側以7mW/cm² 的照射強度照射3秒的405nm之波長的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。貼合附有此黏著劑樣狀態的接著劑組成物層之防眩薄膜、與在視覺辨認側的最表面已剝離經黏著劑所層合的低反射薄膜之有機EL顯示器(SONY股份有限公司製，XEL-1)。藉由以黏著劑樣狀態使貼合，可不發生貼合偏移或氣泡等的咬入，而貼合兩者。然後，藉由更照射20秒(距照射開始起23秒)的光，而使接著劑組成物成為輕剝離狀態。藉由再照射40秒(距照射開始起63秒)的光，而使成為強接著狀態。

貼合附有在同樣之條件下成為黏著劑樣狀態的接著劑組成物層之防眩薄膜與有機EL顯示器，若邊加熱邊照射20秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態。自有機EL顯示器剝離防眩薄膜，結果接著劑組成物不發生內聚破壞，可在有機EL顯示器的玻璃與接著劑組成物之界面容易剝離。又，亦沒有看到有機EL顯示器的損傷。即使重疊剝離後的防眩薄膜與有機EL顯示器，也沒有再貼合。

(實施例18)

於偏光薄膜(日東電工製VEGQ5274DU)上，使用桿塗機來形成厚度10μm的實施例2之接著劑組成物層。對於附有接著劑組成物層的偏光薄膜，在40℃的烘箱中，若自接著劑層側以30mW/cm² 的照射強度照射1秒的405nm之波長的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。貼合附有此黏著劑樣狀態的接著劑組成物層之偏光薄膜、與自液晶電視(SHARP製LC-32DE5)的液晶面板剝離偏光薄膜而得之液晶胞。然後，藉由自偏光薄膜側在40℃的烘箱中以14mW/cm² 的照射強度更照射20秒(距照射開始起22秒)的405nm之波長的光，而使接著劑組成物成為輕剝離狀態。藉由自偏光薄膜側在80℃的烘箱中以14mW/cm² 的照射強度再照射40秒(距照射開始起62秒)的405nm之波長的光，而使成為強接著狀態。

成為強接著後，將貼合有偏光薄膜的液晶胞浸漬在60℃的熱水中1日。由熱水中取出晶胞後，自液晶胞簡單地剝離偏光薄膜。

又，貼合附有在與上述條件同樣的條件下成為黏著劑樣狀態的接著劑組成物之偏光薄膜與上述液晶胞，邊加熱邊照射而使接著劑組成物成為輕剝離狀態後，自液晶面板剝離偏光薄膜，結果偏光薄膜與液晶胞係可簡單地剝離。此時，液晶胞沒有損傷。

(實施例19)

自液晶電視(SHARP製LC-32DE5)的液晶面板剝離偏光薄膜，準備已剝離偏光薄膜的液晶胞。使用實施例2的接著劑組成物，於2片偏光薄膜(日東電工製VEGQ5724DU及日東電工製VEGQ5724NTB-V1)的各自上，使用桿塗機來形成厚度10μm的實施例2之接著劑組成物層。將形成有接著劑組成物的層的2片偏光薄膜置於30℃的烘箱中，自接著劑組成物側以30mW/cm² 的照射強度照射1秒的405nm之波長的光，而使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。將附有此黏著劑樣狀態的接著劑組成物之偏光薄膜的各自，貼合在所準備的液晶胞之視覺辨認側及背光側，以使偏光軸成為正交。然後，藉由在80℃的烘箱中自偏光薄膜側以14mW/cm² 的照射強度更照射60秒(距照射開始起61秒)，而使接著劑組成物成為強接著狀態。

於接著劑組成物成為強接著狀態後，將貼合有偏光薄膜的液晶面板在80℃的烘箱中保持100小時，係與使用後述的黏著劑之比較例1的情況不同，沒有看到面內的亮度不均(4角的光漏)。又，由於接著劑組成物硬，沒有看到如使用黏著劑貼合時所見到的液晶面板之表面硬度降低。

(實施例20)

自液晶電視(SHARP製LC-32DE5)的液晶面板剝離偏光薄膜，準備已剝離偏光薄膜的液晶胞。使用實施例2的接著劑組成物，於2片偏光薄膜(日東電工製VEGQ5724DU及日東電工製VEGQ5724NTB-V1)的各自上，使用桿塗機來形成厚度10μm的實施例2之接著劑組成物層。在形成有接著劑組成物的層之2片偏光薄膜的各自上，貼合PET剝離襯裏(三菱樹脂製MRF38)，於25℃的環境下自偏光薄膜側以10mW/cm² 的照射強度照射1秒的405nm之波長的光，而使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。自附有此黏著劑樣狀態的接著劑組成物之偏光薄膜之各自將剝離襯裏剝離，將各自的偏光薄膜貼合在所準備的液晶胞之視覺辨認側及背光側，以使偏光軸成為正交。然後，藉由在40℃的烘箱中自偏光薄膜側以14mW/cm² 的照射強度更照射30秒(距照射開始起31秒)的405nm之波長的光，而使接著劑組成物成為輕剝離狀態。藉由在80℃的烘箱中以14mW/cm² 的照射強度再照射30秒(距照射開始起61秒)的405nm之波長的光，而使接著劑組成物成為強接著狀態。

於接著劑組成物為輕剝離狀態時，自液晶胞剝離偏光薄膜，結果剝離係輕鬆，沒有發生剝離時之力所致的液晶胞破裂或視覺辨認性降低的問題。

再者，於將附有黏著劑樣狀態的接著劑組成物之偏光薄膜貼合在液晶面板上後，在80℃的烘箱中以14mW/cm² 的照射強度照射60秒的405nm之波長的光，結果接著劑組成物成為強接著狀態。因此，藉由在途中的輕剝離狀態之階段沒有停止照射而照射光，確認接著劑組成物成為強接著狀態。

(實施例21)

藉由在100份的丙烯酸二環戊烯酯(日立化成製)中添加0.5份的光聚合引發劑(汽巴日本製Irgacure 819)，進行溶解而調製接著劑組成物。為了加快溶解速度，邊在50℃加熱邊施予超音波而進行溶解。用滴管將1mL的接著劑組成物滴流到板環烯烴系薄膜Zeonor(日本ZEON製)上，由其上面使用手輥來貼合環烯烴系薄膜Zeonor(日本ZEON製)，以製作層合薄膜。於經加熱到120℃的熱板(AS ONE製HHP-411)上放置層合薄膜，使用紫外線照射機(EYEGRAPHICS製UBX0801-01輸出8kW(高壓水銀燈))來照射光。為了防止薄膜的溫度被加熱到超出需要，於照射源與薄膜之間安裝熱線截濾器。光係以在波長405nm的照射強度成為14mW/cm² 的方式進行調整。

若對層合薄膜照射15秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射30秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態。若再照射120秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。

(實施例22)

製作已去除偏光薄膜(日東電工製VEGQ5724DU)的單側之偏光鏡保護薄膜後的單保護偏光薄膜，使用與實施例2同樣的接著劑組成物，於自液晶電視(SHARP製LC-32DE5)的液晶面板剝離偏光薄膜而得之液晶胞上，貼合單保護偏光薄膜。在40℃的烘箱中放置貼合有單保護偏光薄膜的液晶胞，藉由紫外線照射機(EYEGRAPHICS製UBX0801-01輸出8kW(高壓水銀燈))自偏光薄膜側照射光。為了防止偏光薄膜或玻璃的溫度被加熱到超出需要，於照射源與偏光薄膜之間安裝熱線截濾器。光的照射強度係藉由波長405nm的測定器(EYEGRAPHICS製EYE UV METER UVPF-A1)來測定。光的照射強度係以在波長405nm的照射強度成為14mW/cm² 的方式進行調整。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有單保護偏光薄膜與液晶胞的層合物照射1.5秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射10秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，輕剝離狀態係自輕剝離狀態的開始起繼續經過50秒為止。若再照射60秒以上的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。

又，對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有單保護偏光薄膜與液晶胞的層合物照射1.5秒的光，以使接著劑組成物成為黏著劑樣狀態，更照射30秒的光而成為輕剝離狀態。此時，自液晶胞剝離單保護偏光薄膜，結果剝離係輕鬆，沒有發生由於剝離時之力而使液晶胞破裂或視覺辨認性降低的問題。

(實施例23)

製作已去除偏光薄膜(日東電工製VEGQ5724DU)的單側之偏光鏡保護薄膜後的單保護偏光薄膜，於其上面，使用桿塗機來形成厚度10μm的實施例2之接著劑組成物層。對於附有接著劑組成物層的單保護偏光薄膜，在30℃的烘箱中，若自接著劑組成物層側以30mW/cm² 的照射強度照射1秒的405nm之波長的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。貼合此附有黏著劑樣的接著劑組成物層之單保護偏光薄膜、與自液晶電視(SHARP製LC-32DE5)的液晶面板剝離偏光薄膜而得之液晶胞。然後，藉由自單保護偏光薄膜側在40℃的烘箱中以14mW/cm² 的照射強度更照射20秒(距照射開始起21秒)的405nm之波長的光，而使接著劑組成物成為輕剝離狀態。藉由自單保護偏光薄膜側在80℃的烘箱中以14mW/cm² 的照射強度再照射40秒(距照射開始起61秒)的405nm之波長的光，而使接著劑組成物成為強接著狀態。

對於單保護偏光薄膜與液晶胞以強接著狀態貼合之此液晶面板，進行偏光薄膜的耐久性試驗之一個的熱震盪試驗，結果與使用後述的黏著劑之比較例2的情況不同，在單保護偏光鏡薄膜上沒有發生裂紋。熱震盪試驗係將此液晶面板在-40℃與85℃的溫度環境下各自保持30分鐘者重複100次循環而試驗。

又，於此液晶面板中，由於接著劑組成物硬，沒有看到如使用黏著劑貼合時所見到的液晶面板之表面硬度降低。

以上述方法使接著劑組成物成為輕剝離狀態後，自液晶胞剝離單保護偏光薄膜，結果剝離係輕鬆，沒有發生剝離時之力所致的液晶胞破裂或液晶面板的視覺辨認性降低之問題。

再者，於貼合附有黏著劑樣狀態的接著劑組成物層之單保護偏光薄膜與上述液晶胞後，在80℃的烘箱中自偏光薄膜側以14mW/cm² 的照射強度照射60秒的405nm之波長的光，而使接著劑組成物成為強接著狀態。

(實施例24)

藉由在100份的丙烯酸2-異氰酸基乙酯單體(昭和電工製：商品名Karenz AOI)中添加1份的光聚合引發劑(汽巴日本製Irgacure 819)，進行溶解而調製接著劑組成物。為了加快溶解速度，邊在50℃加熱邊施予超音波而進行溶解。用滴管將1mL的接著劑組成物滴流到平板玻璃上，自其上面疊合偏光薄膜(日東電工製，VEGQ5724DU)，用手輥來壓偏光薄膜而貼合偏光薄膜與平板玻璃。於經加熱到60℃的熱板(AS ONE製HHP-411)上，放置貼合有偏光薄膜的平板玻璃，使玻璃面成為下，藉由紫外線照射機(EYEGRAPHICS製UBX0801-01輸出8kW(高壓水銀燈))自偏光薄膜側照射光。為了防止偏光薄膜或玻璃的溫度被加熱到超出需要，於照射源與偏光薄膜之間安裝熱線截濾器。光的照射強度係藉由波長405nm的測定器(EYEGRAPHICS製EYE UV METER UVPF-A1)來測定。光的照射強度係調整到使在波長405nm的照射強度成為14mW/cm² 。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射30秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射90秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，若再照射120秒的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。

(實施例25)

藉由在100份的甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯單體(昭和電工製：商品名Karenz MOI)中添加1份的光聚合引發劑(汽巴日本製Irgacure 819)，進行溶解而調製接著劑組成物。為了加快溶解速度，邊在50℃加熱邊施予超音波而進行溶解。用滴管將1mL的接著劑組成物滴流到平板玻璃上，自其上面疊合偏光薄膜(日東電工製，VEGQ5724DU)，用手輥來壓偏光薄膜而貼合偏光薄膜與平板玻璃。於經加熱到80℃的熱板(AS ONE製HHP-411)上，放置貼合有偏光薄膜的平板玻璃，使玻璃面成為下，藉由紫外線照射機(EYEGRAPHICS製UBX0801-01輸出8kW(高壓水銀燈))自偏光薄膜側照射光。為了防止偏光薄膜或玻璃的溫度被加熱到超出需要，於照射源與偏光薄膜之間安裝熱線截濾器。光的照射強度係藉由波長405nm的測定器(EYEGRAPHICS製EYE UV METER UVPF-A1)來測定。光係調整到使在波長405nm的照射強度成為14mW/cm² 。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射5秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射25秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，若再照射90秒的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。

(實施例26)

藉由在100份的γ-丁內酯丙烯酸酯單體(大阪有機化學工業製：商品名GBLA)中添加1份的光聚合引發劑(汽巴日本製Irgacure 819)，進行溶解而調製接著劑組成物。為了加快溶解速度，邊在50℃加熱邊施予超音波而進行溶解。用滴管將1mL的接著劑組成物滴流到平板玻璃上，自其上面疊合偏光薄膜(日東電工製，VEGQ5724DU)，用手輥來壓偏光薄膜而貼合偏光薄膜與平板玻璃。於經加熱到60℃的熱板(AS ONE製HHP-411)上，放置貼合有偏光薄膜的平板玻璃，使玻璃面成為下，藉由紫外線照射機(EYEGRAPHICS製UBX0801-01輸出8kW(高壓水銀燈))自偏光薄膜側照射光。為了防止偏光薄膜或玻璃的溫度被加熱到超出需要，於照射源與偏光薄膜之間安裝熱線截濾器。光的照射強度係藉由波長405nm的測定器(EYEGRAPHICS製EYE UV METER UVPF-A1)來測定。光係調整到使在波長405nm的照射強度成為14mW/cm² 。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射3秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射7秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，若再照射30秒的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。

(實施例27)

藉由在100份的γ-丁內酯甲基丙烯酸酯單體(大阪有機化學工業製：商品名GBLMA)中添加1份的光聚合引發劑(汽巴日本製Irgacure 819)，進行溶解而調製接著劑組成物。為了加快溶解速度，邊在50℃加熱邊施予超音波而進行溶解。用滴管將1mL的接著劑組成物滴流到平板玻璃上，自其上面疊合偏光薄膜(日東電工製，VEGQ5724DU)，用手輥來壓偏光薄膜而貼合偏光薄膜與平板玻璃。於經加熱到120℃的熱板(AS ONE製HHP-411)上，放置貼合有偏光薄膜的平板玻璃，使玻璃面成為下，藉由紫外線照射機(EYEGRAPHICS製UBX0801-01輸出8kW(高壓水銀燈))自偏光薄膜側照射光。為了防止偏光薄膜或玻璃的溫度被加熱到超出需要，於照射源與偏光薄膜之間安裝熱線截濾器。光的照射強度係藉由波長405nm的測定器(EYEGRAPHICS製EYE UV METER UVPF-A1)來測定。光係調整到使在波長405nm的照射強度成為14mW/cm² 。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射3秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射50秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態，若再照射180秒的光，則接著劑組成物成為強接著狀態。

(比較例1)

使用手輥，將厚度20μm的丙烯酸系黏著劑層合在偏光薄膜(日東電工製VEGQ5724DU)上所成的偏光薄膜(日東電工製VEGQ1724DU)貼合於平板玻璃上。對偏光薄膜與平板玻璃的層合物，在與實施例4同樣的條件下，邊加熱邊照射400nm的光，即使增加照射量，接著力也沒有變化取得極大值及極小值。

由於使用黏著劑來貼合，故可自液晶胞剝離偏光薄膜，惟與本發明的接著劑組成物成為輕剝離狀態時的情況相比，需要大的剝離力。特別地，自大畫面的液晶面板剝離偏光薄膜之際，若沒有慢慢地剝離，則發生液晶面板破裂，或偏光薄膜斷裂，或剝離時由於施加於液晶面板之力而使面板的視覺辨認性降低等之問題。又，即使將層合物浸漬在水中，黏著劑組成物的接著力也沒有降低。

又，自液晶電視(SONY製BRAVIA KDL-40V1)的液晶面板剝離偏光薄膜而準備液晶胞，於此液晶胞的視覺辨認側與背光側，貼合上述附有黏著劑的偏光薄膜，以使偏光軸成為正交。將此液晶面板在80℃的環境下加熱100小時，結果在液晶面板的4角發生光漏的亮度不均。再者，與使用本發明的接著劑組成物時之液晶面板相比，偏光薄膜的表面硬度亦降低。茲認為此係因為黏著劑柔軟，由於壓入之力而在偏光薄膜中發生凹陷。

(比較例2)

使用厚度20μm的丙烯酸系黏著劑，將實施例22所作成的單保護偏光薄膜貼合於液晶胞，而製作液晶面板。由於使用黏著劑來貼合，故可自液晶胞剝離偏光薄膜，惟與本發明的接著劑組成物成為輕剝離狀態時的情況相比，需要大的剝離力。此偏光薄膜，由於偏光鏡的保護薄膜僅存在於單側，故剝離時偏光薄膜容易斷裂。特別地，自大畫面的液晶面板剝離偏光薄膜之際，若沒有慢慢地剝離，則發生液晶面板破裂，或偏光薄膜斷裂，或剝離時由於施加於液晶面板之力而使面板的視覺辨認性降低等之問題。

又，對於此液晶面板，於與實施例23同樣的條件下進行熱震盪試驗，結果偏光薄膜的裂紋係多數發生。

再者，與使用本發明的接著劑組成物時之液晶面板相比，偏光薄膜的表面硬度亦降低。茲認為此係因為黏著劑柔軟，由於壓入之力而在偏光薄膜中發生凹陷。與在偏光鏡的兩側具有保護薄膜的比較例1所用的偏光薄膜相比，亦由於偏光薄膜的厚度薄，而表面硬度的降低大。

(比較例3)

藉由在100份的甲基丙烯酸甲酯單體(WAKO製)中添加0.5份的光聚合引發劑(汽巴日本製Irgacure 819)，進行溶解而調製接著劑組成物。為了加快溶解速度，邊在50℃加熱邊施予超音波而進行溶解。用滴管將1mL的甲基丙烯酸甲酯單體滴流到平板玻璃上，由其上面使用手輥來貼合偏光薄膜(日東電工製，VEGQ5724DU)。將貼合有偏光薄膜的平板玻璃放置在已加熱到60℃的熱板(AS ONE製HHP-411)上，使玻璃面成為下，使用紫外線照射機(EYEGRAPHICS製UBX0801-01輸出8kW(高壓水銀燈))來照射光。為了防止薄膜或玻璃的溫度被加熱到超出需要，於照射源與偏光薄膜之間安裝熱線截濾器。自偏光薄膜側照射405nm的照射強度為14mW/cm² 之光。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射3秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射30秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態。然後，再照射210秒的光，惟接著劑組成物仍為輕剝離狀態。

使熱板的溫度成為80℃，進行同樣的試驗。若對層合物照射3秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。若更照射30秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態。再照射450秒的光，惟接著劑組成物仍為輕剝離狀態。

再者，使熱板的溫度成為100℃，進行同樣的實驗。若對層合物照射2秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。更照射480秒的光，惟接著劑組成物仍為輕剝離狀態。

(比較例4)

藉由在100份的甲基丙烯酸二甲胺基乙酯單體(共榮社化學製)中添加0.5份的光聚合引發劑(汽巴日本製Irgacure 819)，進行溶解而調製接著劑組成物。為了加快溶解速度，邊在50℃加熱邊施予超音波而進行溶解。用滴管將1mL甲基丙烯酸二甲胺基乙酯單體滴流到平板玻璃上，由其上面使用手輥來貼合偏光薄膜(日東電工製VEGQ5724DU)。將貼合有偏光薄膜的平板玻璃放置在已加熱到60℃的熱板(AS ONE製HHP-411)上，使玻璃面成為下，使用紫外線照射機(EYEGRAPHICS製UBX0801-01輸出8kW(高壓水銀燈))來照射光。為了防止薄膜或玻璃的溫度被加熱到超出需要，於照射源與偏光薄膜之間安裝熱線截濾器。自偏光薄膜側照射405nm的照射強度為14mW/cm² 之光。

若對經由液體狀態的接著劑組成物貼合有偏光薄膜與平板玻璃的層合物照射120～240秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。使熱板的溫度成為80℃，若更照射240秒，則接著劑組成物成為輕剝離狀態。即使再照射光，接著劑組成物也仍為輕剝離。

使熱板的溫度成為80℃，進行同樣的試驗。若對層合物照射120秒的光，則接著劑組成物成為黏著劑樣狀態。使熱板的溫度成為100℃，若更照射120秒的光，則接著劑組成物成為輕剝離狀態。即使再照射光，接著劑組成物也仍為輕剝離。

(比較例5)

自液晶電視(SHARP製LC16E1)的液晶面板剝離偏光薄膜而準備液晶胞。使用手輥來貼合此液晶胞與偏光薄膜(日東電工製VEGQ5723 NTB-K)。於接著劑中，使用瞬間接著劑(KONISHI製Aronalpha(註冊商標))。使用瞬間接著劑當作接著劑時，由於瞬間地硬化，即使為16吋的液晶胞，也難以在其全面上貼合液晶薄膜，接著劑係在擴展前硬化，一部分發生沒有接著劑的部分。由於液晶胞與偏光薄膜係瞬間接著，故初期的對位係困難。又，一旦貼合後，剝離係不可能。因此，於使用如此的接著劑貼合液晶面板與偏光薄膜的製程中，在貼合時氣泡或異物咬入的情況中，無法剝離偏光薄膜而再利用液晶胞，因此認為生產性差。又，由於即使如實施例18地浸漬在熱水中也不能剝離，故於液晶面板的回收再利用時無法分離偏光薄膜與液晶胞，而極不妥。

圖1係顯示本發明的接著劑組成物之接著力的變化之模型圖。

圖2係顯示以往的接著劑組成物之接著力的變化之模型圖。

圖3係顯示使電磁波或粒子線的照射量變化時對玻璃接著力的變化之試驗結果的表。

圖4係顯示本發明的接著劑組成物在黏著劑樣狀態、輕剝離狀態、強接著狀態時的彈性模數之表。

圖5係顯示電磁波或粒子線的照射強度所致的接著劑組成物之狀態的變化之圖。

Claims

一種方法，其係藉由因電磁波或粒子線的照射展現接著力之接著劑組成物來貼合至少2個被附體，而製造含有前述至少2個被附體與前述接著劑組成物的層之層合物的方法，其特徵為：前述接著劑組成物含有由至少1種單體所成的接著主劑與至少1種聚合引發劑，(1)前述至少1種單體係具有羥基、羧基、氰基、胺基、脂肪族環式烴基、雜環基、異氰酸酯基、內酯環基或醯胺基中的至少1個之含單官能(甲基)丙烯醯基的單體，而且前述接著主劑在聚合後的玻璃轉移溫度為50℃以上，或(2)前述至少1種單體係丙烯腈，或(3)前述至少1種單體係丙烯酸2-羥乙酯，在指定溫度環境下隨著所照射的電磁波或粒子線之照射量的增加，接著力係變化而取得極大值、極小值及比前述極大值大的值，該方法含有：對前述接著劑組成物照射電磁波或粒子線，以使前述接著劑組成物成為藉由壓力展現接著力的黏彈性狀態，經由已成為黏彈性狀態的前述接著劑組成物來暫時接著前述至少2個被附體之步驟，檢查是否需要修正所暫時接著的前述至少2個被附體之貼合之步驟，當前述檢査的結果為需要修正所暫時接著的前述至少2個被附體之貼合時，對前述接著劑組成物進一步照射電磁波或粒子線，以使得前述接著力進入以比極大值小的範圍中之極小值為最小值之指定範圍內，將前述至少2個被附體的至少一方與前述接著劑組成物的層在兩者的界面剝離之步驟，及當前述檢査的結果為不需要修正所暫時接著的前述至少2個被附體之貼合時，對前述接著劑組成物進一步照射電磁波或粒子線，而完全接著前述至少2個被附體之步驟。
一種方法，其係藉由以電磁波或粒子線的照射展現接著力之接著劑組成物來貼合至少2個被附體，而製造含有前述至少2個被附體與前述接著劑組成物的層之層合物的方法，其特徵為：前述接著劑組成物含有由至少1種單體所成的接著主劑與至少1種聚合引發劑，(1)前述至少1種單體係具有羥基、羧基、氰基、胺基、脂肪族環式烴基、雜環基、異氰酸酯基、內酯環基或醯胺基中的至少1個之含單官能(甲基)丙烯醯基的單體，而且前述接著主劑在聚合後的玻璃轉移溫度為50℃以上，或(2)前述至少1種單體係丙烯腈，或(3)前述至少1種單體係丙烯酸2-羥乙酯，在指定溫度環境下隨著所照射的電磁波或粒子線之照射量的增加，接著力係變化而取得極大值、極小值及比前述極大值大的值，該方法含有：對前述接著劑組成物照射電磁波或粒子線，以使前述接著劑組成物成為藉由壓力展現接著力的黏彈性狀態，經由已成為黏彈性狀態的前述接著劑組成物來暫時接著前述至少2個被附體之步驟，對前述接著劑組成物進一步照射電磁波或粒子線，以使得前述接著力進入以比極大值小的範圍中之極小值為最小值之指定範圍內，檢查是否需要修正前述至少2個被附體之貼合之步驟，當前述檢査的結果為需要修正前述至少2個被附體之貼合時，將前述至少2個被附體的至少一方與前述接著劑組成物的層在兩者的界面剝離之步驟，及當前述檢査的結果為不需要修正前述至少2個被附體之貼合時，對前述接著劑組成物進一步照射電磁波或粒子線，而完全接著前述至少2個被附體之步驟。
一種方法，其係藉由因電磁波或粒子線的照射展現接著力之接著劑組成物來貼合至少2個被附體，而製造含有前述至少2個被附體與前述接著劑組成物的層之層合物的方法，其特徵為：前述接著劑組成物含有由至少1種單體所成的接著主劑與至少1種聚合引發劑，(1)前述至少1種單體係具有羥基、羧基、氰基、胺基、脂肪族環式烴基、雜環基、異氰酸酯基、內酯環基或醯胺基中的至少1個之含單官能(甲基)丙烯醯基的單體，而且前述接著主劑在聚合後的玻璃轉移溫度為50℃以上，或(2)前述至少1種單體係丙烯腈，或(3)前述至少1種單體係丙烯酸2-羥乙酯，在指定溫度環境下隨著所照射的電磁波或粒子線之照射量的增加，接著力係變化而取得極大值、極小值及比前述極大值大的值，該方法含有：對前述接著劑組成物照射電磁波或粒子線，以使前述接著劑組成物成為藉由壓力展現接著力的黏彈性狀態，經由已成為黏彈性狀態的前述接著劑組成物來暫時接著前述至少2個被附體之步驟，檢查是否需要修正所暫時接著的前述至少2個被附體之貼合之步驟，當前述檢査的結果為需要修正所暫時接著的前述至少2個被附體之貼合時，對前述接著劑組成物進一步照射電磁波或粒子線，以使得前述接著力進入以比極大值小的範圍中之極小值為最小值之指定範圍內，將前述至少2個被附體的至少一方與前述接著劑組成物的層在兩者的界面剝離之步驟，及當前述檢査的結果為不需要修正所暫時接著的前述至少2個被附體之貼合時，藉由將由前述至少2個被附體與前述接著劑組成物所成的層合物進一步保持在比前述指定溫度環境還溫度高的溫度環境下，而完全接著前述至少2個被附體之步驟。
一種方法，其係藉由以電磁波或粒子線的照射展現接著力之接著劑組成物來貼合至少2個被附體，而製造含有前述至少2個被附體與前述接著劑組成物的層之層合物的方法，其特徵為：前述接著劑組成物含有由至少1種單體所成的接著主劑與至少1種聚合引發劑，(1)前述至少1種單體係具有羥基、羧基、氰基、胺基、脂肪族環式烴基、雜環基、異氰酸酯基、內酯環基或醯胺基中的至少1個之含單官能(甲基)丙烯醯基的單體，而且前述接著主劑在聚合後的玻璃轉移溫度為50℃以上，或(2)前述至少1種單體係丙烯腈，或(3)前述至少1種單體係丙烯酸2-羥乙酯，在指定溫度環境下隨著所照射的電磁波或粒子線之照射量的增加，接著力係變化而取得極大值、極小值及比前述極大值大的值，該方法含有：對前述接著劑組成物照射電磁波或粒子線，以使前述接著劑組成物成為藉由壓力展現接著力的黏彈性狀態，經由已成為黏彈性狀態的前述接著劑組成物來暫時接著前述至少2個被附體之步驟，對前述接著劑組成物進一步照射電磁波或粒子線，以使得前述接著力進入以比極大值小的範圍中之極小值為最小值之指定範圍內，檢查是否需要修正前述至少2個被附體之貼合之步驟，當前述檢査的結果為需要修正前述至少2個被附體之貼合時，將前述至少2個被附體的至少一方與前述接著劑組成物的層在兩者的界面剝離之步驟，及當前述檢査的結果為不需要修正前述至少2個被附體之貼合時，藉由將由前述至少2個被附體與前述接著劑組成物所成的層合物進一步保持在比前述指定溫度環境還溫度高的溫度環境下，而完全接著前述至少2個被附體之步驟。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中前述接著劑組成物含有由羥甲基丙烯醯胺、羥乙基丙烯醯胺、羥丙基丙烯醯胺、二甲基丙烯醯胺、二乙基丙烯醯胺、丙烯酸羥乙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸四氫糠酯、丙烯醯基嗎啉、丙烯酸、丙烯腈、N-甲基甲基丙烯醯胺、丙烯酸二環戊烯酯、丙烯酸2-異氰酸基乙酯、甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯、γ-丁內酯丙烯酸酯及γ-丁內酯甲基丙烯酸酯中選出的至少1種單體。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中暫時接著前述至少2個被附體之步驟，係含有將在照射電磁波或粒子線之前的前述接著劑組成物塗佈於前述至少2個被附體的一方，於前述接著劑組成物上層合前述至少2個被附體的另一方，藉由對前述接著劑組成物照射電磁波或粒子線而使前述接著劑組成物成為黏彈性狀態之步驟。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中暫時接著前述至少2個被附體之步驟，係含有將在照射電磁波或粒子線之前的前述接著劑組成物塗佈於前述至少2個被附體的一方，藉由對前述接著劑組成物照射電磁波或粒子線而使前述接著劑組成物成為黏彈性狀態，於前述接著劑組成物上層合前述至少2個被附體的另一方之步驟。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中暫時接著前述至少2個被附體之步驟，係含有將在照射電磁波或粒子線之前的前述接著劑組成物塗佈於前述至少2個被附體的一方，藉由對前述接著劑組成物照射電磁波或粒子線而使前述接著劑組成物成為黏著劑樣狀態，將剝離襯裏層合於前述接著劑組成物上，自前述接著劑組成物剝離前述剝離襯裏，在前述接著劑組成物的前述剝離襯裏經剝離之面上層合前述至少2個被附體的另一方之步驟。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中暫時接著前述至少2個被附體之步驟，係含有將在照射電磁波或粒子線之前的前述接著劑組成物塗佈於前述至少2個被附體的一方，將剝離襯裏層合於前述接著劑組成物上，藉由對前述接著劑組成物照射電磁波或粒子線而使前述接著劑組成物成為黏著劑樣狀態，自前述接著劑組成物剝離前述剝離襯裏，在前述接著劑組成物的前述剝離襯裏經剝離之面上層合前述至少2個被附體的另一方之步驟。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中暫時接著前述至少2個被附體之步驟，係含有將在照射電磁波或粒子線之前的前述接著劑組成物塗佈於剝離襯裏上，於前述接著劑組成物上層合前述至少2個被附體的一方，藉由對前述接著劑組成物照射電磁波或粒子線而使前述接著劑組成物成為黏彈性狀態，自前述接著劑組成物剝離前述剝離襯裏，在前述接著劑組成物的前述剝離襯裏經剝離之面上層合前述至少2個被附體的另一方之步驟。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中暫時接著前述至少2個被附體之步驟，係含有將在照射電磁波或粒子線之前的前述接著劑組成物塗佈於剝離襯裏上，藉由對前述接著劑組成物照射電磁波或粒子線而使前述接著劑組成物成為黏彈性狀態，將前述接著劑組成物轉印至前述至少2個被附體的一方，自前述接著劑組成物剝離前述剝離襯裏，在前述接著劑組成物的前述剝離襯裏經剝離之面上層合前述至少2個被附體的另一方之步驟。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中暫時接著前述至少2個被附體之步驟，係含有將在照射電磁波或粒子線之前的前述接著劑組成物塗佈於剝離襯裏上，在前述接著劑組成物上層合另一剝離襯裏，藉由對前述接著劑組成物照射電磁波或粒子線而使前述接著劑組成物成為黏彈性狀態，剝離前述剝離襯裏或前述另一剝離襯裏的一方，將前述接著劑組成物的剝離襯裏經剝離之面轉印至前述至少2個被附體的一方，剝離前述剝離襯裏或前述另一剝離襯裏的另一方，在前述接著劑組成物的剝離襯裏經剝離之面上層合前述至少2個被附體的另一方之步驟。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中暫時接著前述至少2個被附體之步驟，係含有將在照射電磁波或粒子線之前的前述接著劑組成物塗佈於剝離襯裏上，藉由對前述接著劑組成物照射電磁波或粒子線而使前述接著劑組成物成為黏彈性狀態，於前述接著劑組成物上貼合另一剝離襯裏，剝離前述剝離襯裏或前述另一剝離襯裏的一方，將前述接著劑組成物的剝離襯裏經剝離之面轉印至前述至少2個被附體的一方，剝離前述剝離襯裏或前述另一剝離襯裏的另一方，在前述接著劑組成物的剝離襯裏經剝離之面上層合前述至少2個被附體的另一方之步驟。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中隨著電磁波或粒子線的照射強度之增大及/或接著溫度之上升，而縮短：前述接著劑組成物變成黏彈性狀態為止的時間，將前述接著劑組成物硬化到能將前述被附體的至少一方與前述接著劑組成物的層，以不對前述被附體造成損傷而在兩者的界面剝離之程度為止所需要的時間，及完全接著前述至少2個被附體所需要的時間。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中前述至少1種聚合引發劑係光聚合引發劑。
如申請專利範圍第15項之方法，其中前述光聚合引發劑的電磁波吸收波長係穿透前述至少2個被附體的任一個之電磁波的波長。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其更包含於完全接著前述至少2個被附體之步驟後，藉由將由前述至少2個被附體與前述接著劑組成物所成的層合物浸漬在水中，剝離前述至少2個被附體與前述接著劑組成物之步驟。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中前述至少2個被附體的一方係光學薄膜，前述至少2個被附體的另一方係基板。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中前述至少2個被附體的一方係光學薄膜，前述至少2個被附體的另一方係玻璃基板或塑膠基板。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中前述至少2個被附體的兩方係光學薄膜。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中前述至少2個被附體的兩方係玻璃基板或塑膠基板。