TWI505337B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI505337B
TWI505337B TW103121850A TW103121850A TWI505337B TW I505337 B TWI505337 B TW I505337B TW 103121850 A TW103121850 A TW 103121850A TW 103121850 A TW103121850 A TW 103121850A TW I505337 B TWI505337 B TW I505337B
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Il-Kwang Yang
Byoung-Gyu Song
Yong-Ki Kim
Kyong-Hun Kim
Yang-Sik Shin
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Eugene Technology Co Ltd
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Description

基板處理裝置
本說明書中揭示的本發明係關於基板處理裝置，尤其係關於包含一阻擋板和一阻擋環，如此處理氣體均勻供應到腔室內所累積每一基板上的基板處理裝置。
一半導體設備包含矽基板上複數個層，在此，該等層透過沉積處理沉積於該基板上。該沉積處理具有許多對於評估該等已沉積層以及選擇一沉積方法來說相當重要的重大問題。
第一個重大問題的範例就是每一沉積層的「品質」。「品質」代表成份、污染程度、缺陷密度以及機械和電氣屬性。該已沉積層的成份可根據沉積條件而改變，這對於獲得一指定成份來說非常重要。
第二個重大問題就是一晶圓之上的一致厚度。尤其是，沉積在具有非平面形狀(其中形成階梯部分)的圖案上一層之厚度非常重要。在此該已沉積膜的厚度是否一致可透過階梯涵蓋率來決定，該涵蓋率定義為該階梯部分上所沉積該膜的最小厚度除以該圖案上所沉積該膜的厚度之比例。
有關沉積的其他問題為一填充空間。這可包含一個間隙填充，其中包含氧化物層的絕緣層填入金屬線之間。一間隙提供該等金屬線之間的實體與電氣隔離。
在這些問題之間，一致性是與該沉積處理有關非常重要的問題之一。不一致層會導致該等金屬線上產生高電阻，增加機械受損的可能性。
本發明提供一種將處理氣體均勻供應至一腔室之內每一基板上的基板處理裝置。
本發明也提供一種將處理氣體均勻供應至每一基板上來在該等基板上執行一均勻處理之基板處理裝置。
參閱下列詳細說明以及附圖將可了解本發明的其他目的。
本發明的具體實施例提供基板處理裝置，包含：一腔室，透過其一側內定義的一通道傳輸基板至該腔室或從該腔室傳輸基板，該腔室具有一開放式上半部；一內部反應管，其連接至該腔室來提供一內部空間，其中執行有關該等基板的一處理，該內部反應管具有複數個支撐尖端，沿著其一內側表面突出；一晶舟，其包含一垂直框架，其中在其垂直方向內定義複數個支撐槽，該晶舟可在該內部空間之內升降；阻擋板，其位於該垂直框架上，如此該等阻擋板彼此相隔，該等阻擋板位於該等支撐槽、該最上方支撐槽的上半部以及該最下方支撐槽的下半部之間；阻擋環，其位於該等支撐尖端的上半部上，分別從該等支撐尖端朝向該內部反應管的內部突出；噴嘴，其插入該內部反應管的一側並且沿著該內部反應管的一垂直方向放置，該等噴嘴位於該等支撐尖端之間，以供應一處理氣體至該等基板上；以及排氣嘴，其插入該內部反應管的另一側並且沿著該內部反應管的該垂直方向放置，該等排氣嘴位於該等支撐尖端之間來排放該處理氣 體。
在某些具體實施例內，該等阻擋板可具有往下逐漸增加的外直徑，並且該等阻擋環可具有往下逐漸增加內直徑。
在其他具體實施例內，該等阻擋板與該等阻擋環可具有相同中心。
仍舊在其他具體實施例內，該晶舟在其上輸送過該通道的該等基板連續載至該等支撐槽上之一載入位置與其上該基板位於該等支撐尖端之間的一處理位置之間轉換，在每一該等阻擋環都與每一該等阻擋板接觸的情況下，該等阻擋環分別與該等支撐尖端分隔，並且該內部空間分割成複數個反應空間。
甚至在其他具體實施例內，在一往下方向內的一第k個阻擋板可具有一外直徑大於一第k個阻擋環之一內直徑，並且小於一第k+1個阻擋環的一內直徑(其中k=1、2、3...n)。
仍舊在其他具體實施例內，該基板處理裝置另包含：一基座凸緣，其位於該腔室的上半部上，該基座凸緣具有一供應口，其位於該通道之上將該處理氣體供應至該等噴嘴內；以及該腔室具有一排氣口，其位於該通道相對側上，透過該排氣嘴將吸入的該處理氣體排出至外界。
在進一步具體實施例內，該基板處理裝置可另包含位於該腔室另一側上的一輔助排氣口，其中該內部反應管的一下端可連接至該腔室的一底部表面，並且該內部反應管可具有一供應孔以及一排氣孔，其分別與該通道以及該輔助排氣口連通。
仍舊在進一步具體實施例內，該等支撐可位於該支撐孔之 上。
甚至在進一步具體實施例內，該基板處理裝置另包含一外部反應管，其位於該內部反應管之外來封閉該腔室的該開放式上半部，其中該等噴嘴與該等排氣嘴可位於該外部反應管內部，如此該等噴嘴的噴射孔以及該等排氣嘴的該等排氣孔都定義在該內部反應管內。
2‧‧‧內部空間
4‧‧‧反應空間
5‧‧‧腔室蓋
6‧‧‧基座凸緣
8‧‧‧通道
10‧‧‧腔室
20‧‧‧晶舟
22‧‧‧上框架
25‧‧‧垂直框架
27‧‧‧支撐槽
29‧‧‧下框架
30‧‧‧阻擋板
35‧‧‧阻擋環
40‧‧‧噴嘴
42‧‧‧噴射孔
43‧‧‧供應口
44‧‧‧輔助氣體供應口
45‧‧‧排氣嘴
47‧‧‧排氣孔
49‧‧‧排氣口
50‧‧‧內部反應管
51‧‧‧供應孔
53‧‧‧輔助排氣口
54‧‧‧排氣孔
55‧‧‧支撐尖端
58‧‧‧外部反應管
60‧‧‧波紋管
70‧‧‧升降轉軸
72‧‧‧旋轉馬達
74‧‧‧馬達外殼
75‧‧‧托架
77‧‧‧升降桿
78‧‧‧導引桿
79‧‧‧升降馬達
100‧‧‧基板處理裝置
在此包含附圖來進一步了解本發明，並且併入以及構成此說明書的一部分。圖式例示本發明的示範具體實施例，並且在搭配內容說明之後可用來解釋本發明原理。圖式中：第一圖為一般基板處理裝置的圖式；第二圖為根據本發明具體實施例的基板處理裝置之圖解圖；第三圖至第五圖為例示第二圖中該基板處理裝置的一操作處理之圖式；以及第六圖為例示第五圖中該基板處理裝置內一處理氣體的流動狀態之圖式。
此後，將參照第一圖至第六圖來詳細說明本發明的範例具體實施例。不過，本發明可以有不同形式的修改，並且不受限於此處公佈的具體實施例。而是提供這些具體實施例，如此所揭示範圍更完整，並且將本發明範疇完整傳輸給精通此技術的人士。為了清晰起見，可誇大該等圖式內元件的形狀與大小。
第一圖為一般基板處理裝置的圖式。請參閱第一圖，基板處 理裝置100包含具有開放式上半部的一腔室10。一通道8可定義在腔室10的一側內，如此一基板S可透過通道8載入腔室10。一閘道閥(未顯示)可安置在通道8之外，通道8可由該閘道閥開啟或關閉。基板處理裝置100包含上面載入複數個基板S的一晶舟20。傳輸通過通道8的該等基板S可往垂直方向連續載入晶舟20上。
一升降轉軸70連接至晶舟20的下半部。升降轉軸70可通過腔室10的一底部表面，然後利用一升降馬達79來升降。另外，升降轉軸70可包含一旋轉馬達72，如此晶舟20可旋轉。旋轉馬達72可位於馬達外殼74上，以在該處理執行時操作旋轉馬達72。結果，升降轉軸70可旋轉來旋轉晶舟20和基板S。這可避免因為反應氣體從噴射孔42朝向排氣孔47流動，並且從噴射孔42朝向排氣孔47相對於基板S逐漸沉積，造成處理氣體濃度降低。
馬達外殼74可固定至托架75，托架75可具有一側，其連接至腔室10下半部上的一升降桿77，如此隨著升降桿77升降。托架75可用螺絲結合至升降桿77，並且升降桿77可由升降馬達79旋轉。升降桿77可隨升降馬達79的旋轉而旋轉，如此托架75和馬達外殼74可彼此一起升降。另外，托架75可具有另一側，其連接至與升降桿77平行放置的一導引桿78。托架75可由升降桿77和導引桿78輕鬆升降。
如此，升降轉軸70和該晶舟可彼此一起升降。另外，晶舟20可在利用升降馬達79將該基板S連續載至晶舟20上的一載入位置，與其上晶舟20上升來關於該基板S執行該處理之一處理位置之間轉換。套管60可將腔室10連接至馬達外殼74，以密封腔室10的內部。
噴嘴40可沿著內部反應管50的內壁插入，彼此高度不同。如 此，從噴嘴40供應的該處理氣體可流向位於與噴嘴40相對側邊上的排氣嘴45，確保該處理氣體與基板S的表面有足夠時間彼此反應。在此，吸收於處理期間產生的未反應氣體與反應副產物，並通過排氣嘴45排出。
在另一方面，當預定量的處理氣體已經透過噴嘴40供應時，其中噴嘴對應至以轉換至該處理位置的晶舟20上已經載入之基板S，不過由於基板S之間開放式結構，所以難以將該處理氣體均勻供應到基板S上。因此，底下將討論可將處理氣體均勻供應至基板S上的基板處理裝置100。在以下的描述當中，省略的基板處理裝置100之組件與操作處理可用上述來取代。
第二圖為根據本發明具體實施例的基板處理裝置之圖解圖。請參閱第二圖，傳輸通過通道8的該等基板S可連續載入晶舟20上。晶舟20可包含具有複數個支撐槽27定義在垂直方向內的一垂直框架25，以及分別連接至垂直框架25上與下半部的上框架22與下框架29。每一上與下框架22和29都具有對應至該基板S形狀的一圓形。
在此可提供複數個垂直框架25，以便通過通道8輕鬆載入該等基板S。如此，垂直框架25可將該等基板S連續載入垂直定義的支撐槽27內。每一垂直框架25內定義的支撐槽27都可彼此平行定義。阻擋板30可位於水平定義的支撐槽27之間，分別位於最上方支撐槽的上半部上以及最下方支撐槽的下半部上。阻擋板30可具有相同中心，另外阻擋板30具有往下逐漸增加的外直徑。
內部反應管50可連接至腔室10的底部表面，內部反應管50可具有往上突出的圓柱型，並且具有一開放式下半部。定義在該內部反應 管內的一供應孔51可透過腔室10的內部空間與通道8連通，並且該內部反應管內定義的一排氣孔54可透過腔室10的內部空間與一輔助排氣口53連通。在內部反應管50的內壁上可提供向內突出的複數個支撐尖端55，而複數個支撐尖端55可位於支撐孔51之上。
支撐尖端55可在內部反應管50的該內壁之每一側與其他側上，往一垂直方向以預定間隔放置。位於該內壁一側與另一側上的支撐尖端55可彼此平行放置。阻擋環35可位於每一支撐尖端55的上半部上，彼此面對。阻擋環35可具有相同中心，另外阻擋環35具有往上逐漸增加的外直徑。如此，在一往下方向內的一第k個阻擋板30可具有一外直徑大於一第k個阻擋環35之一內直徑，並且小於一第k+1個阻擋環35的一內直徑(其中k=1、2、3...n)。
噴嘴40的噴射孔42可定義在內部反應管50的內壁內，另外該等噴射孔可定義在內部反應管50的垂直方向內不同高度上。排氣嘴45的排氣孔47可定義在內部反應管50的內壁內，與噴射孔42相對的側邊內，另外該等排氣孔47可定義在內部反應管50的垂直方向內不同高度上。噴射孔42與排氣孔47都定義在相同高度上，彼此對稱。也就是，噴嘴40的噴射孔42以及排氣嘴45的排氣孔47可彼此相對於晶舟20上載入的基板S，定義在相反側邊內。噴嘴40的噴射孔42以及排氣嘴45的排氣孔47定義在支撐尖端55之間。
一基座凸緣6可位於腔室10的上半部上。一支撐口43可位於基座凸緣6的一側邊上。支撐口43可連接至噴嘴40，將處理氣體供應至噴嘴40。另外，一排氣口49可位於基座凸緣6的另一側邊上。排氣口49可連接至 排氣嘴45，將透過排氣嘴45吸入的該未反應氣體和該等副產物排出。一外部反應管58可位於基座凸緣6的上半部上。外部反應管58可位於噴嘴40與排氣嘴45之外，以封閉腔室10的該開放式上半部。另外，一腔室蓋5可位於外部反應管58之外，腔室蓋5可包含一加熱器(未顯示)，用於將該基板S加熱。
一輔助氣體供應口44可位於腔室10的該底部表面之一側邊上。輔助氣體供應口44可連接至輔助氣體供應管線(未顯示)，透過該輔助氣體供應管線將氣體供應至腔室10內，例如：惰性氣體可通過輔助氣體供應口44供應至腔室10內。如此，可供應惰性氣體，避免該處理氣體流入已經轉換至該處理位置的晶舟20之下半部。
第三圖至第五圖為例示第二圖中該基板處理裝置的一操作處理之圖式。第三圖為例示該晶舟的該載入位置之圖式，並且第四圖和第五圖為例示其中該晶舟已經從該載入位置轉換成該處理位置的狀態之圖式。如第三圖內所例示，輸送通過通道8的該等基板S已經分別載入晶舟20的支撐槽27上。如上述，升降馬達79將晶舟20上升預定距離，然後傳輸通過通道8的該等基板S連續從最上方支撐槽27載入至最下方支撐槽27。
如第四圖內所例示，其上已經完全載入該等基板S的晶舟20可朝向噴嘴40上升。複數個支撐槽27定義在晶舟20的垂直框架25內，並且阻擋板30位於每一支撐槽27的上半部上。阻擋板30可具有相同中心，另外阻擋板30可具有往下逐漸增加的外直徑。
另外，內部反應管50提供一內部空間2，其中執行關於該等基板S的處理。位於內部反應管50的內部側壁上之支撐尖端55可位於噴嘴40的噴射孔42以及排氣嘴45的排氣孔47之上與之下。阻擋環35可位於每一支 撐尖端55的上半部上。在阻擋環35的中心彼此一致的情況下，阻擋環35可具有往下逐漸增加的外直徑。
也就是如第五圖內所例示，隨著晶舟20上升，每一阻擋板30都可與每一支稱尖端55上的每一阻擋環35接觸，以便一起上升。如此，每一阻擋板30都可上升預定高度，同時與每一阻擋環35接觸，將內部空間2分割成複數個反應空間4。如此，每一反應空間4彼此有最小的干擾，以均勻供應該處理氣體。
第六圖為例示第五圖中該基板處理裝置內一處理氣體的流動狀態之圖式。如上述，隨著晶舟20上升，每一阻擋環35都可上升，同時接觸每一阻擋板30，然後與每一支稱尖端55分隔。結果，晶舟20可轉換至該處理位置，在此內部空間2分割成反應空間4，其中執行有關該等基板S的處理。如第六圖內所例示，因為該處理氣體透過阻擋板30以及阻擋環35供應進入反應空間4，所以在該等基板S上可執行均勻的處理，以確保該基板S的生產力以及品質。
根據本發明的具體實施例，該晶舟內提供的該阻擋板以及該內部反應管內的該阻擋環，可封鎖垂直容納的該等基板間之空間，以便將該處理氣體均勻供應進入該等已分割的反應空間內。如此，可在該等基板上執行均勻處理，以確保該基板的生產力以及品質。
雖然本發明以參考範例具體實施例來詳細說明，不過本發明可在不同的形式內具體實施。如此，底下所公佈的技術理念與申請專利範圍的範疇都不受限於該等較佳具體實施例。
100‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧內部空間
5‧‧‧腔室蓋
6‧‧‧基座凸緣
8‧‧‧通道
10‧‧‧腔室
20‧‧‧晶舟
22‧‧‧上框架
25‧‧‧垂直框架
27‧‧‧支撐槽
29‧‧‧下框架
30‧‧‧阻擋板
35‧‧‧阻擋環
40‧‧‧噴嘴
42‧‧‧噴射孔
43‧‧‧供應孔
44‧‧‧輔助氣體供應口
47‧‧‧排氣孔
49‧‧‧排氣口
50‧‧‧內部反應管
51‧‧‧供應孔
53‧‧‧輔助排氣口
54‧‧‧排氣孔
55‧‧‧支撐尖端
58‧‧‧外部反應管
60‧‧‧波紋管
70‧‧‧升降轉軸
72‧‧‧旋轉馬達
74‧‧‧馬達外殼
75‧‧‧托架
78‧‧‧導引桿
79‧‧‧升降馬達

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，包含：一腔室，透過其一側內定義的一通道傳輸基板至該腔室或從該腔室傳輸基板，該腔室具有一開放式上半部；一內部反應管，其連接至該腔室來提供一內部空間，其中執行有關該等基板的一處理，該內部反應管具有複數個支撐尖端，沿著其一內側表面突出；一晶舟，其包含一垂直框架，其中在其垂直方向內定義複數個支撐槽，該晶舟可在該內部空間之內升降；阻擋板，其位於該垂直框架上，如此該等阻擋板彼此相隔，該等阻擋板位於該等支撐槽、該最上方支撐槽的上半部以及該最下方支撐槽的下半部之間；阻擋環，其位於該等支撐尖端的上半部上，分別從該等支撐尖端朝向該內部反應管的內部突出；噴嘴，其插入該內部反應管的一側並且沿著該內部反應管的一垂直方向放置，該等噴嘴位於該等支撐尖端之間，以供應一處理氣體至該等基板上；以及排氣嘴，其插入該內部反應管的另一側並且沿著該內部反應管的該垂直方向放置，該等排氣嘴位於該等支撐尖端之間來排放該處理氣體。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該等阻擋板具有往下逐漸增加的外直徑，以及該等阻擋環具有往下逐漸增加的內直徑。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中該等阻擋板與該等阻擋環具有相同中心。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中該晶舟在其上輸送過該通道的該等基板連續載至該等支撐槽上之一載入位置，與其上該基板位於該等支撐尖端之間的一處理位置之間轉換，在每一該等阻擋環都與每一該等阻擋板接觸的情況下，該等阻擋環分別與該等支撐尖端分隔，並且該內部空間分割成複數個反應空間。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中在一往下方向內的一第k個阻擋板可具有一外直徑大於一第k個阻擋環之一內直徑，並且小於一第k+1個阻擋環的一內直徑(其中k=1、2、3...n)。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，另包含：一基座凸緣，其位於該腔室的上半部上，該基座凸緣具有一供應口，其位於該通道之上將該處理氣體供應至該等噴嘴內；以及該腔室具有一排氣口，其位於該通道相對側上，透過該排氣嘴將吸入的該處理氣體排出至外界。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，另包含位於該腔室另一側邊上的一輔助排氣口，其中該內部反應管的一下端連接至該腔室的一底部表面，並且該內部反應管具有一供應孔以及一排氣孔，其分別與該通道以及該輔助排氣口連通。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中該等支撐尖端位於該供應孔之上。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，另包含一外部反應管，其位於該內部反應管之外，以封閉該腔室的該開放式上半部，其中該等噴嘴與該等排氣嘴都位於該外部反應管內部，如此該等噴嘴的噴射孔以及該等排氣嘴的排氣孔都定義在該內部反應管內。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101715193B1 (ko) 2015-07-20 2017-03-10 주식회사 유진테크 기판 처리장치
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SG11202103394VA (en) * 2018-10-28 2021-05-28 Applied Materials Inc Processing chamber with annealing mini-environment

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270453A (ja) * 1997-03-28 1998-10-09 Koyo Lindberg Ltd 半導体熱処理装置およびこれを用いた半導体基板の昇降温方法
TW201324660A (zh) * 2011-11-17 2013-06-16 Eugene Technology Co Ltd 具有隔熱板的基板處理裝置
TW201327707A (zh) * 2011-11-17 2013-07-01 Eugene Technology Co Ltd 具有排放口的基板處理裝置及基板處理方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758030A (ja) * 1993-08-18 1995-03-03 Toshiba Corp 半導体製造装置
JP2008172205A (ja) 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および反応容器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270453A (ja) * 1997-03-28 1998-10-09 Koyo Lindberg Ltd 半導体熱処理装置およびこれを用いた半導体基板の昇降温方法
TW201324660A (zh) * 2011-11-17 2013-06-16 Eugene Technology Co Ltd 具有隔熱板的基板處理裝置
TW201327707A (zh) * 2011-11-17 2013-07-01 Eugene Technology Co Ltd 具有排放口的基板處理裝置及基板處理方法

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