TWI503909B - Liquid treatment device and liquid treatment method - Google Patents

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Description

液處理裝置及液處理方法
本發明係關於藉由一面在將基板保持於水平狀態下予以旋轉一面對該基板供給處理液，進行基板之洗淨處理、蝕刻處理、電鍍處理、顯像處理等之液處理的液處理裝置及液處理方法。
自以往，作為藉由一面在使半導體晶圓等之基板(以下，也稱為晶圓)保持水平狀態之狀態下進行旋轉，一面對該基板之表面或背面供給處理液，執行基板之洗淨處理或蝕刻處理、電鍍處理、顯像處理等之液處理的液處理裝置，所知的有各式各樣之種類(例如，參照專利文獻1)。於專利文獻1，揭示有一片一片地處理基板的板片式之液處理裝置，該種液處理裝置係藉由旋轉吸盤將基板保持水平而予以旋轉，並對藉由旋轉吸盤所保持而進行旋轉之基板的表面供給處理液。再者，在如此之板片式之液處理裝置中，所知的有在處理室之上方設置FFU(風扇過濾單元)，以下向流將N2氣體(氮氣)或潔淨空氣等之氣體從該FFU發送至處理室內之技術。
針對在處理室之上方設置FFU之液處理裝置之構成，使用第9圖及第10圖予以說明。第9圖為表示以往之液處理裝置之概略性之構成的側面圖，第10圖為第9圖所示之以往之液處理裝置之上視圖。如第9圖及第10圖所 示般，以往之液處理裝置200具備有收容晶圓W，對該收容之晶圓W進行液處理之處理室(腔室)210。如第9圖及第10圖所示般，在處理室210內設置有用以保持晶圓W使予以旋轉之保持部220，在該保持部220之周圍配設有罩杯230。再者，在以往之液處理裝置200中，於處理室210內設置有用以對被保持於保持部220之晶圓W從罩杯230之上方供給處理液之噴嘴240，及支撐該噴嘴240之機械臂241。再者，在機械臂241設置有延伸於略垂直方向之機械臂支撐部242，藉由該機械臂支撐部242支撐機械臂241。然後，機械臂支撐部242係藉由無圖示之驅動機構，在正逆兩方向被旋轉驅動。依此，機械臂241以機械臂支撐部242為中心而可在正逆兩方向旋轉，該機械臂241在對藉由保持部220所保持晶圓W供給處理液之進出位置(參照第10圖之實線)和從罩杯230退避之退避位置(參照第10圖之二點鏈線)之間以機械臂支撐部242為中心而進行旋轉移動(參照第10圖之箭號)。
再者，如第9圖所示般，在處理室210之上方設置有FFU(風扇過濾單元)250，成為N2氣體(氮氣)或潔淨空氣之氣體常以下向流從該FFU250被送至處理室210內。再者，在處理室210之底部設置有排氣部260，藉由該排氣部260進行處理室210內之氛圍的排氣。如此一來，潔淨空氣等之氣體從FFU250以下向流被送至處理室210內，藉由該氣體利用排氣部260被排氣，進行處理室210 內之氛圍的置換。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2009-94525號公報
在第9圖及第10圖所示之以往的液處理裝置200中，於處理室210內進行晶圓W之液處理之時，藥液等飛散，在處理室210內，有可能於罩杯230之上部附著殘留藥液等。此時，在之後的晶圓W之處理中，由於該殘存之藥液的氛圍，有可能產生晶圓W受到污染等之壞影響。
本發明係鑒於如此之點而作成，其目的為提供藉由進行罩杯之洗淨，而可以防止由於附著於罩杯的髒污而弄髒處理室內之基板的液處理裝置及液處理方法。
本發明之液處理裝置之特徵在於具備：在內部設置有保持基板之基板保持部及被配設在該基板保持部之周圍的罩杯的處理室；用以對被保持在上述基板保持部之基板供給處理液的噴嘴；及藉由對上述罩杯之上部供給洗淨液而進行該罩杯之洗淨的罩杯洗淨部，在上述罩杯之上部形成凹部，上述罩杯洗淨部成為對上述罩杯之上部的上述凹部 供給洗淨液。
本發明之液處理方法之特徵為具備：藉由被設置在處理室之內部的基板保持部使基板保持水平狀態之工程；藉由上述基板保持部使基板旋轉，藉由在上述處理室內進出之噴嘴支撐臂之噴嘴，對藉由上述基板保持部所保持而旋轉之基板供給處理液之工程；及藉由在上述處理室內對形成在罩杯之上部之凹部供給洗淨液，進行該罩杯之洗淨的工程。
若藉由如此之液處理裝置及液處理方法時，進行罩杯之洗淨，藉此則可以防止由於附著於罩杯之髒污而弄髒處理室內之基板的情形。
在本發明之液處理裝置中，即使上述罩杯之上部從其內周緣朝向外周緣至途中部分傾斜成高度位準變小，從其途中部分至外周緣傾斜成高度位準變大，上述罩杯洗淨部成為對上述罩杯之上部之上述途中部分供給洗淨液亦可。
本發明之液處理裝置中，即使上述罩杯之上部係其內周緣之高度位準大於其外周緣之高度位準，藉由上述罩杯洗淨部被供給至上述罩杯之上部之上述凹部的洗淨液從上述罩杯之上部之外周緣被排出亦可。
或是，即使上述罩杯之上部係其內周緣之高度位準小於其外周緣之高度位準，藉由上述罩杯洗淨部被供給至上述罩杯之上部之上述凹部的洗淨液從上述罩杯之上部之內周緣被排出亦可。
在本發明之液處理裝置中，即使上述罩杯係複數設置 成重疊配置在垂直方向，上述罩杯洗淨部成為進行上述複數罩杯中之最上段之罩杯洗淨亦可。
在本發明之液處理裝置中，即使在上述罩杯之內側設置有與保持基板之上述基板保持部同時旋轉之旋轉罩杯，藉由隨著該旋轉罩杯之旋轉而產生之旋轉氣流，使洗淨液遍及上述罩杯之上部之上述凹部全區域亦可。
在本發明之液處理裝置中，即使上述罩杯洗淨部具有從上方供給洗淨液至上述罩杯之上部之上述凹部的洗淨液供給噴嘴亦可。
在本發明之液處理裝置中，即使在上述旋轉罩杯之外周突出至外方並且延伸成圓周狀之圓周突起，藉由上述旋轉罩杯之圓周突起使旋轉氣流產生亦可。
在本發明之液處理方法中，即使上述罩杯之上部係其內周緣之高度位準小於其外周緣之高度位準，在進行上述罩杯之洗淨的工程中，被供給至上述罩杯之上部之上述凹部的洗淨液從上述罩杯之上部之內周緣被排出，藉由此被排出之洗淨液進行前述罩杯之內周面的洗淨亦可。
或是，即使上述罩杯之上部係其內周緣之高度位準大於其外周緣之高度位準，在進行上述罩杯之洗淨的工程中，被供給至上述罩杯之上部之上述凹部的洗淨液從上述罩杯之上部之外周緣被排出亦可。
在本發明之液處理裝置中，即使在上述罩杯之內側設置有與保持基板之上述基板保持部同時旋轉之旋轉罩杯，在上述罩杯之淨淨工程中，藉由隨著上述旋轉罩杯之旋轉 而產生之旋轉氣流，使洗淨液遍及上述罩杯之上部之上述凹部全區域亦可。
若藉由本發明之液處理裝置及液處理方法時，則提供可以防止由於附著於罩杯的髒污而弄髒處理室內之基板。
 第1實施型態
以下參照圖面針對本發明之第1實施型態予以說明。第1圖至第8圖為表示藉由本實施型態之液處理裝置的圖示。更詳細而言，第1圖為從上方觀看包含藉由本發明之實施型態之液處理裝置的液處理系統之上視圖。再者，第2圖為表示藉由本發明之實施型態的液處理裝置之概略構成的上視圖，第3圖為表示第2圖所示之液處理裝置之概略構成的側面圖。再者，第4圖及第5圖為表示第2圖所示之液處理裝置之構成之詳細的縱剖面圖。再者，第6A圖為表示第4圖等所示之液處理裝置中被設置在保持板之保持構件之構成的放大縱剖面圖，第6B圖為表示第4圖等所示之液處理裝置中之罩杯外周筒之構成的斜視圖。再者，第7圖及第8圖為表示第4圖所示之液處理裝置之排放罩杯之構成之詳細的側剖面圖。
首先，使用第1圖針對包含藉由本實施型態之液處理裝置的液處理系統予以說明。如第1圖所示般，液處理系 統具備：用以載置從外部收容作為被處理基板之半導體晶圓等之基板W(以下，也稱為晶圓W)之載體的載置台101，和用以取出被收容於載體之晶圓W的搬運臂102，和用以載置藉由搬運臂102被取出之晶圓W的棚架單元103，和接取被載置在棚架單元103之晶圓W，將該晶圓W搬運至液處理裝置10內之搬運臂104。如第1圖所示般，在液處理系統設置有複數(在第1圖所示之態樣中有4個)之液處理裝置10。
接著，針對藉由本實施型態之液處理裝置10之概略構成，使用第2圖及第3圖予以說明。
如第2圖及第3圖所示般，藉由本實施型態之液處理裝置10具備有收容晶圓W，對該收容之晶圓W進行液處理之處理室(腔室)20。如第3圖所示般，在處理室20內，設置有用以在水平狀態下保持晶圓W而旋轉之保持部21，在該保持部21之周圍配設有環狀之旋轉罩杯40。再者，如第2圖及第3圖所示般，在處理室20內於旋轉罩杯40之周圍配設有圓筒狀之罩杯外周筒50。如後述般，該罩杯外周筒50係因應晶圓W之處理狀況而能夠升降。針對該些保持部21、旋轉罩杯40及罩杯外周筒50之構成之詳細，於後述。
再者，在液處理裝置10，設置有用以對被保持於保持部21之晶圓W從晶圓W之上方供給處理液或N2氣體等之流體的噴嘴82a及支撐該噴嘴82a之噴嘴支撐臂82。如第2圖所示般，在一個液處理裝置10，設置有複數(具體 而言例如6個)之噴嘴支撐臂82，在各噴嘴支撐臂82之前端設置有噴嘴82a。再者，如第3圖所示般，在各噴嘴支撐臂82設置有機械臂支撐部84，各機械臂支撐部84藉由後述機械臂驅動機構(無圖示)被驅動於第3圖中之左右方向。依此，各噴嘴支撐臂82則在噴嘴82a在處理室20內進出之進出位置，和噴嘴82a從處理室20退避之退避位置之間於水平方向進行直線運動(參照第2圖及第3圖中設置於各噴嘴支撐臂82之箭號)。再者，如第3圖所示般，於各噴嘴支撐臂82設置有表面處理液供給管82m，各表面處理液供給管82m連接於表面處理液供給部89。然後，從表面處理液供給部89經各表面處理液供給管82m對各噴嘴支撐臂82之噴嘴82a供給處理液或N2氣體等之流體。
如第2圖及第3圖所示般，在液處理裝置10中，與處理室20鄰接設置機械臂待機部80。在該機械臂待機部80中，從處理室20退避之噴嘴支撐臂82成待機。再者，在機械臂待機部80和處理室20之間設置有延伸於垂直方向之壁部90。在該壁部90具有設置有各噴嘴支撐臂82能夠通過之開口88p的機械臂洗淨部88。藉由該機械臂洗淨部88來進行各噴嘴支撐臂82之洗淨。
再者，如第3圖所示般，在處理室20之上方設置有FFU(風扇過濾單元)70，成為N2氣體(氮氣)或潔淨空氣等之氣體以下向流從該FFU70被送至處理室20內。再者，如第2圖及第3圖所示般，在處理室20之底部中 之罩杯外周筒50之內側設置有排氣部54，藉由該排氣部54進行處理室20內之氛圍的排氣。如此一來，潔淨空氣等之氣體從FFU70以下向流被送至處理室20內，藉由該氣體利用排氣部54被排氣，進行處理室20內之氛圍的置換。
再者，如第2圖及第3圖所示般，在處理室20之底部中之罩杯外周筒50之外側設置有排氣部56，藉由該排氣部56進行處理室20內之氛圍的排氣。藉由該排氣部56，可以進行處理內20內之罩杯外周筒50之外側之氛圍之排氣。具體而言，藉由排氣部56，抑止機械臂待機部80內之氛圍進入至罩杯外周筒50內。再者，藉由該排氣部56，抑止罩杯外周筒50內之氛圍漏出至機械臂待機部80。
再者，如第2圖及第3圖所示般，在機械臂待機部80之底部設置有排氣部58，藉由該排氣部58，進行機械臂待機部80內之氛圍之排氣。具體而言，可以藉由排氣部58從用以驅動各噴嘴支撐臂82之機械臂驅動機構(無圖示)抽出所產生之微粒。
再者，如第2圖所示般，在液處理裝置10之處理室20及機械臂待機部80之出入口各設置有維修用之快門60、62。藉由在處理室20及機械臂待機部80各設置有維修用之快門60、62，可以個別地維修該些處理室20內或機械臂待機部80內之機器。再者，在處理室20內處理晶圓W之途中，藉由打開快門62，也可以維修機械臂待機部 80內之機器。
再者，如第2圖所示般，在液處理裝置10之側壁，設置有用以藉由搬運臂104將晶圓W搬入至處理室20內或從處理室20搬出晶圓W之開口94a在該開口94a設置有用以開關該開口94a之快門94。
並且，在第2圖所示之液處理裝置10中，處理室20內中之罩杯外周筒50之內部之區域相對潔淨室成為微陽壓，另外，處理室20內中之罩杯外周筒50之外側之區域相對於潔淨室成為微陰壓。因此，在處理室20內，罩杯外周筒50之內部之區域之氣壓大於罩杯外周筒50之外側之區域的氣壓。
接著，針對第2圖及第3圖所示般之液處理裝置10之構成之詳細，使用第4圖及第5圖予以說明。
如第4圖及第5圖所示般，保持部21具備有用以保持晶圓W之圓板形狀之保持板26，和被設置在保持板26之上方之圓板形狀之升降銷板22。在升降銷板22之上面，於周方向以等間隔設置有3個用以從下方支撐晶圓W之升降銷23。並且，在第4圖及第5圖中，僅表示兩個升降銷23。再者，在升降銷板22設置有活塞機構24，升降銷板22藉由此活塞機構24升降。更具體而言，藉由搬運臂104(參照第1圖)，當將晶圓W載置於升降銷23上或從升降銷23上取出晶圓W之時，升降銷板22藉由活塞機構24從第4圖等所示之位置移動至上方，該升降銷板22則位於較旋轉罩杯40更上方。另外，於在處理室20 內進行晶圓W之液處理之時，升降銷板22藉由活塞機構24被移動至第4圖等所示之下方位置，旋轉罩杯40則位於晶圓W之周圍。
在升降銷板26，於周方向以等間隔設置有3個用以從側方支撐晶圓W之保持構件25。並且，在第4圖及第5圖中，僅表示兩個保持構件25。各保持構件25係於升降銷板22從上方位置移動至第4圖及第5圖所示之下方位置之時，支撐該升降銷23上之晶圓W，使該晶圓W從升降銷23些許間隔開。
針對升降銷板22及保持板26之構成，使用第6A圖更詳細予以說明。在第6A圖中，(a)為表示升降銷板22從上方位置移動至第4圖等所示之下方位置之途中的狀態圖，(b)為表示升降銷板22從(a)所示之狀態移動至下方時之狀態圖，(c)為表示升降銷板22從(b)所示之狀態移動至更下方，升降銷板22到達至第4圖等所示之下方位置時之狀態的圖示。
如第6A圖所示般，保持構件25係經軸25a而被樞軸在保持板26。更詳細而言，如第6A圖所示般，在保持板26安裝軸承部26a，在設置於該軸承部26a之軸承孔26b承接軸25a。軸承孔26b係由延伸於水平方向之細長孔所構成，保持構件25之軸25a可以沿著該軸承孔26b而在水平方向移動。如此一來，保持構件25可以以被軸承部26a之軸承孔26b承接之軸25a為中心而搖動。
在保持構件25之軸25a捲掛有扭轉彈簧等之彈簧構 件25d。該彈簧構件25d係以軸25a為中心而使保持構件25順著第6A圖中之順時鐘方向旋轉之力作用於保持構件25。依此，於對保持構件25不作用任何力量之時，成為保持構件25對保持板26傾斜之狀態，保持構件25中用以從側方支撐晶圓W之支撐部分25b(後述)成為遠離保持板26之中心的狀態。
再者，從被捲掛於軸25a之彈簧構件25d伸出線狀部分，該線狀部分卡止於軸承部26a之內壁面26c，而將軸25a朝向保持板26之中心推回。如此一來，藉由彈簧構件25d之線狀部分，軸25a朝保持板26之中心(即是，朝向第6A圖中之左方向)常時被推壓。因此，於藉由保持構件25保持直徑比較小之晶圓W之時，軸25a則如第6A圖所示般，位於軸承孔26b中接近於保持板26之中心的位置(即是，第6A圖中之左側之位置)。另外，於藉由保持構件25支撐直徑比較大之晶圓W之時，反抗藉由彈簧構件25d之線狀部分的力量，軸25a沿著軸承孔26b而從第6A圖所示之位置移動至右方向。並且，在此之晶圓W之直徑的大小意味著在容許尺寸誤差內之晶圓W之直徑的大小。
再者，保持構件25具有從側方支撐晶圓W之支撐部分25b，和關於軸25a被設置在與支撐部分25b相反側之被推壓構件25c。被推壓構件25c係被設置在升降銷板22和保持板26之間，該被推壓構件25c係如第6A圖所示般，當升降銷板22位於下方位置或其附近位置時，藉由該 升降銷板22之下面朝向下方被推壓。
如第6A圖所示般，保持構件25係當升降銷板22從上方位置移動至下方位置之時，藉由被推壓構件25c被該升降銷板22之下面推壓至下方，以軸25a為中心而順著第6A圖中之逆時鐘方向旋轉(第6A圖中之箭號方向)。然後，藉由保持構件25以軸25a為中心進行旋轉，支撐部分25b朝向晶圓W而從該晶圓W之側方移動。依此，當升降銷板22到達至下方位置之時，則如第6A圖(c)所示般，藉由保持構件25從側方支撐晶圓W。在此，如第6A圖(c)所示般，於晶圓W藉由保持構件25從側方被支撐之時，該晶圓W從升降銷23之前端離開至上方，成為從升降銷23浮至上方之狀態。再者，如上述般，藉由晶圓W之大小，也有反抗藉由彈簧構件25d之線狀部分之力，軸25a沿著軸承孔26b而從第6A圖所示之位置移動至右方向之情形。因此，即使比較大之晶圓W藉由保持構件25被支撐之時，因保持構件25能夠在水平方向移動，故不會有使晶圓W變形或破損之情形，可以從側方支撐晶圓W。
再者，在升降銷板22及保持板26之中心部分各形成有貫通孔，以通過該些貫通孔之方式設置有處理液供給管28。該處理液供給管28係對藉由保持板26之各保持構件25所保持之晶圓W之背面供給藥液或純水等之處理液。再者，處理液供給管28與升降銷板22連動而升降。在處理液供給管28之上端，形成有被設置成封閉升降銷板22 之貫通孔的頭部分28a。再者，如第4圖等所示般，在處理液供給管28連接有處理液供給部29，藉由該處理液供給部29對處理液供給管28供給處理液。
如第4圖及第5圖所示般，在保持部21之周圍配設有環狀之旋轉罩杯40。該旋轉罩杯40係被安裝在保持板26，與保持板26一體旋轉。更詳細而言，旋轉罩杯40係被設置成從側方包圍藉由保持板26之各保持構件25所支撐之晶圓W，於進行晶圓W之液處理之時，接受從該晶圓W飛散至側方之處理液。
再者，在旋轉罩杯40之周圍從上方依序設置有排放罩杯42、第1引導罩杯43、第2引導罩杯44及第3引導罩杯45。排放罩杯42及各引導罩杯43、44、45各形成環狀。在此，排放罩杯42在處理室20被固定。另外，各引導罩杯43、44、45分別連結升降氣缸(無圖示)，該些引導罩杯43、44、45藉由對應之升降氣缸互相獨立而成為升降自如。
如第4圖及第5圖所示般，在排放罩杯42及各引導罩杯43、44、45之下方分別設置有第1處理液回收用槽46a、第2處理液回收用槽46b、第3處理液回收用槽46c及第4處理液回收用槽46d。然後，藉由各引導罩杯43、44、45之上下方向中之位置，於進行晶圓W之液處理之時，從該晶圓W飛散至側方之處理液，根據該處理液之種類，選擇性地被送至四個處理液回收用槽46a、46b、46c、46d中之任一個處理液回收用槽。具體而言，當全部 之引導罩杯43、44、45全部位於上方位置之時，(第4圖及第5圖所示之狀態)，從晶圓W飛散至側方之處理液則被送至第4處理液回收用槽46d。另外，於僅有第3引導罩杯45位於下方位置之時，從晶圓W飛散至側方之處理液則被送至第3處理液回收用槽46c。再者，於第2引導罩杯44及第3引導罩杯45位於下方位置之時，從晶圓W飛散至側方之處理液則被送至第2處理液回收用槽46b。再者，於全部之引導罩杯43、44、45位於下方位置之時，從晶圓W飛散至側方之處理液則被送至第1處理液回收用槽46a。
再者，如第4圖及第5圖所示般，在第4處理液回收用槽46d之內側設置有排氣部48。然後，藉由各引導罩杯43、44、45之上下方向中之位置成為規定之位置，晶圓W之周圍的氛圍成為藉由排氣部48而被排氣。
再者，在本實施型態之液處理裝置10中，在處理室20內於排放罩杯42及各引導罩杯43、44、45之周圍設置有罩杯外周筒50。該罩杯外周筒50係能夠在第4圖所示之下方位置和第5圖所示之上方位置之間升降。再者，如第2圖及第3圖所示般，在罩杯外周筒50，設置有噴嘴支撐臂82能夠通過之開口50m。罩杯外周筒50位於第5圖所示之上方位置之時，對外部隔離罩杯外周筒50內之區域。
使用第6B圖說明如此之罩杯外周筒50之詳細構成。第6B圖為表示罩杯外周筒50之構成的斜視圖。如第6B 圖所示般，在罩杯外周筒50之側面，因應噴嘴支撐臂82之數量設置有噴嘴支撐臂82能夠通過之開口50m(例如，噴嘴支撐臂82為6根之時，設置6個開口50m)。再者，在罩杯外周筒50之上部，連結有用以支撐該罩杯外周筒50之支撐構件50a，在支撐構件50a設置有用以使該支撐構件50a升降之驅動機構50b。然後，藉由利用驅動機構50b使支撐構件50a升降，被該支撐構件50a支撐之罩杯外周筒50也進行升降。
再者，如第4圖及第5圖所示般，在FFU70安裝有引導構件51。該引導構件51係被配置成如第5圖所示般當罩杯外周筒50位於上方位置之時，則從該罩杯外周筒50隔著些許距離位於內側。再者，在本實施型態之液處理裝置10中，如第5圖所示般，當罩杯外周筒50位於上方位置之時，罩杯外周筒50內之氣壓則大於罩杯外周筒50之外側之氣壓。因此，當罩杯外周筒50位於上方位置時，因FFU70產生之處理室20內之下向流之氣體，藉由引導構件51在罩杯外周筒50之上端附近從該罩杯外周筒50之內側被引導至外側。
再者，如第4圖及第5圖所示般，在處理室20內設置有用以洗淨罩杯外周筒50之洗淨部52。該洗淨部52具有用以貯留純水等之洗淨液之貯留部分52a，如第4圖所示般，當罩杯外周筒50位於下方位置之時，該罩杯外周筒50則被浸漬於貯留在貯留部分52a之洗淨液。洗淨部52係藉由罩杯外周筒50被浸漬於貯留在貯留部分52a之 洗淨液，進行該罩杯外周筒50之洗淨。就以貯留在貯留部分52a之洗淨液而言，使用例如室溫以上，較佳為40℃以上，更佳為60℃以上之純水等。於貯留於貯留部分52a之洗淨液之溫度高時，對於罩杯外周筒50之洗淨效果更大。
如第4圖所示般，當罩杯外周筒50位於下方位置之時，該罩杯外周筒50之大部分被浸漬於貯留於貯留部分52a之洗淨液。再者，如第5圖所示般，當罩杯外周筒50位於上方位置之時，該罩杯外周筒50之下部被浸漬於貯留於貯留部分52a之洗淨液。因此，當罩杯外周筒50位於上方位置時，因在貯留於貯留部分52a之洗淨液和罩杯外周筒50之下部之間進行水封，並且罩杯外周筒50之上部和引導構件51之間變窄，故成為可以從外部隔離罩杯外周筒50內之區域。
再者，如第4圖及第5圖所示般，在處理室20內，在洗淨部52之內側設置有用以進行處理室20內之氛圍之排氣的排氣部54，再者，在洗淨部52之外側設置有用以進行處理室20內之氛圍之排氣的排氣部56。藉由設置如此之排氣部54及排氣部56，當罩杯外周筒50位於如第4圖所示之下方位置時，藉由該些排氣部54及排氣部56，可以進行處理室20內全體之氛圍的排氣。另外，當罩杯外周筒50位於第5圖所示之上方位置時，因罩杯外周筒50內之區域自外部隔離，故可以藉由排氣部54進行罩杯外周筒50之內部之氛圍的排氣，再者可以藉由排氣部56 進行罩杯外周筒50之外側之氛圍的排氣。
如上述般，在本實施型態中，在一個液處理裝置10，設置有複數(具體而言例如6個)之噴嘴支撐臂82，在各噴嘴支撐臂82之前端設置有噴嘴82a。具體而言，成為各噴嘴82a對晶圓W之上面分別供給第1藥液(具體而言，酸性之藥液)、第2藥液(具體而言，例如鹼性之藥液)、純水、N2氣體、IPA(異丙醇)、純水之霧氣。
接著，針對在處理室20內被配設在旋轉罩杯40之周圍的排放罩杯42之詳細構成，在以下進行說明。如第4圖及第5圖所示般，在排放罩杯42之上部形成凹部42a。針對如此之凹部42a之詳細構成，參照第7圖予以說明。
如第7圖所示般，在排放罩杯42之上部分別形成有從其內周緣42c朝向外周緣42d至途中部分42e傾斜成高度位準漸漸變小之第1傾斜部分42a1 、及從途中部分42e至外周緣42d傾斜成高度位準漸漸變大之第2傾斜部分42a2 。藉由該些第1傾斜部分42a1 及第2傾斜部分42a2 構成凹部42a。在第7圖所示之排放罩杯42中，內周緣42c之高度位準大於外周緣42d之高度位準。
再者，被設置在排放罩杯42之上部之途中部分42e連接有洗淨液供給管49a，在該洗淨液供給管49a連接有洗淨液供給部49，然後，從洗淨液供給部49供給洗淨液至洗淨液供給管49a。依此，洗淨液從洗淨液供給管49a被送至凹部42a內，在該凹部42a貯留洗淨液。如此一來，藉由從洗淨液供給部49被供給至排放罩杯42之上部之 凹部42a的洗淨液進行排放罩杯42之洗淨。在本實施型態中，藉由洗淨液供給部49及洗淨液供給管49a，構成用以進行排放罩杯42之洗淨的排放罩杯洗淨部。藉由排放罩杯洗淨部之排放罩杯42之洗淨例如於每次處理、或一天一次或是每月一次進行。
再者，在洗淨液供給管49a設置有切換閥49b，該切換閥49b連接有排放管線49c。然後，藉由切換閥49b使排放罩杯42之凹部42a和排放管線49c連通，依此可以藉由排放管線49c使殘存於凹部42a之洗淨液排出至排放部49d。
在此，在第7圖所示之排放罩杯42中，因其內周緣42c之高度位準大於外周緣42d之高度位準，故藉由洗淨液供給部49被供給至排放罩杯42之上部之凹部42a之洗淨液，從排放罩杯42之上部之外周緣42d被排出至外方(在第7圖中左方)。然後，從排放罩杯42之上部之外周緣42d被排出之洗淨液被送至洗淨部52之貯留部分52a而被貯留在該貯留部分52a。之後，藉由被設置在貯留部分52a之側部的排液管52c，貯留部分52a內之洗淨液被排出至裝置外。
被設置在本實施型態之液處理裝置10之排放罩杯42並不限定於第7圖所示之構成。就以排放罩杯42而言，如第8圖所示般，即使使用其內周緣42c之高度位準小於外周緣42d之高度位準亦可。此時，藉由洗淨供給部49被供給至排放罩杯42之上部之凹部42a的洗淨液，從排 放罩杯42之上部之內周緣42c被排出至內方(第8圖中右方)。此時，藉由以洗淨液供給部49被供給至排放罩杯42之上部之凹部42a的洗淨液，可以進行排放罩杯42之內周面42f或旋轉罩杯40之洗淨。洗淨液被供給至排放罩杯42之內周面42f或旋轉罩杯40之後，藉由使旋轉罩杯40旋轉，進行排放罩杯42之內周面42f或旋轉罩杯40之乾燥。
再者，就以排放罩杯42而言，即使使用其內周緣42c之高度位準與外周緣42d之高度位準大致相同者亦可。此時，藉由洗淨液供給部49被供給至排放罩杯42之上部之凹部42a的洗淨液，從排放罩杯42之上部之內周緣42c及外周緣42d之雙方被排出。
接著，針對由如此之構成所構成之液處理裝置10之動作予以說明。
首先，藉由使保持部21中之升降銷板22及處理液供給管28從第4圖所示之位置移動至上方，和使被設置在處理室20之開口94a的快門94自該開口94a退避，進行開啟開口94a。然後，晶圓W從液處理裝置10之外部藉由搬運機械臂104經開口94a而被搬運至處理室20內，該晶圓W被載置在升降銷板22之升降銷23上，之後搬運機械臂104從處理室20退避。此時，罩杯外周筒50位於第4圖所示之下方位置。再者，各噴嘴支撐臂82位於從處理室20退避的退避位置。即是，各噴嘴支撐臂82係在機械臂待機部80待機。再者，潔淨空氣等之氣體常從 FFU70以下向流被送至處理室20內，藉由該氣體利用排氣部54被排氣，進行處理室20內之氛圍的置換。
接著，使升降銷板22及處理液供給管28移動至下方，使該些升降銷板22及處理液供給管28位於第4圖所示般之下方位置。此時，被設置在保持板26之各保持構件25，支撐升降銷23上之晶圓W，使該晶圓W從升降銷23間隔開些許。
之後，再者，在升降銷板22之下降中，藉由被設置在罩杯外周筒50之驅動機構50b，使該罩杯外周筒50移動至上方，並使罩杯外周筒50位於第5圖所示之上方位置。然後，於罩杯外周筒50移動至上方位置之後，在機械臂待機部80待機之6個噴嘴支撐臂82中之一個或複數之噴嘴支撐臂82經壁部90之機械臂洗淨部88之開口88p及罩杯外周筒50之開口50m而進出於處理室20內。此時，藉由機械臂驅動機構(無圖示)，噴嘴支撐臂82進行直線運動。
然後，使保持部21中之保持板26及升降銷板22旋轉。依此，藉由保持板26之各保持構件25被支撐之晶圓W也旋轉。然後，在晶圓W旋轉之狀態下，從在處理室20內進出之噴嘴支撐臂82之噴嘴82a供給處理液至晶圓W之上面。再者，此時，即使朝向晶圓W之下面(背面)從處理液供給管28供給藥液或純水等之處理液亦可。如此一來，晶圓W之上面及下面之雙方被供給處理液，進行晶圓W之液處理。被供給至晶圓W之處理液藉由各 引導罩杯43、44、45根據該處理液之種類而分別位於上方位置或下方位置，選擇性地被送至4個處理液回收用槽46a、46b、46c、46d中之任一個處理液回收用槽而回收。
之後，當晶圓W之液處理結束時，在處理室20進出之噴嘴支撐臂82從該處理室20退避而在機械臂待機部80待機。然後，藉由被設置在罩杯外周筒50之驅動機構50b，使該罩杯外周筒50移動至下方，並使罩杯外周筒50位於第4圖所示之下方位置。
之後，從第4圖所示之位置使保持部21中之升降銷板22及處理液供給管28移動至上方。此時，藉由保持板26之保持構件25所支撐之晶圓W被收授至升降銷板22之升降銷23上。接著，使被設置在處理室20之開口94a之快門94從該開口94a退避，打開開口94a，從液處理裝置10之外部經開口94a而使搬運臂104在處理室20內進出，並取出藉由該搬運臂104取出升降銷板22之升降銷23上之晶圓W。藉由搬運臂104取出之晶圓W被搬運至液處理裝置10之外部。如此一來，結束一連串之晶圓W的液處理。
如此一來，藉由從洗淨液供給部49被供給至排放罩杯42之上部之凹部42a的洗淨液進行排放罩杯42之洗淨。如此之排放罩杯42之洗淨即使於對晶圓W之各處理後進行亦可，或是定期性進行亦可。
於排放罩杯42之洗淨之後，殘存於排放罩杯42之上部之凹部42a的洗淨液，藉由切換閥49b使排放罩杯42 之凹部42a和排放管線49c連通，藉由排放管線49c排出至排放部49d。
如上述般，若藉由本實施型態之液處理裝置10時，在處理室20內於保持部21之周圍配設有排放罩杯42，藉由由洗淨液供給部49及洗淨液供給管49a所構成之排放罩杯洗淨部，對排放罩杯42之上部供給洗淨液，依此進行該排放罩杯42之洗淨。此時，在排放罩杯42之上部形成凹部42a，藉由洗淨液供給部49，對排放罩杯之上部之凹部42a供給洗淨液。依此，可以在排放罩杯之上部之凹部42a貯留洗淨液，藉由貯留在該凹部42a之洗淨液，進行排放罩杯42之洗淨。如此一來，藉由進行排放罩杯42之洗淨，可以防止由於附著於排放罩杯42之髒污而弄髒處理室20內之晶圓W。
再者，在本實施型態之液處理裝置10中，排放罩杯42之上部從其內周緣42c朝向外周緣42d至途中部分42e傾斜成高度位準變小(第1傾斜部分42a1 )，從其途中部分42e至外周緣42d傾斜成高度位準變大(第2傾斜部分42a2 )，藉由洗淨液供給部49，對排放罩杯42之上部之途中部分42e供給洗淨液。該途中部分42e位於排放罩杯42之凹部42a之底部。
再者，在本實施型態之液處理裝置10中，如第7圖所示般，排放罩杯42之上部係其內周緣42c之高度位準大於其外周緣42d之高度位準，藉由洗淨液供給部49被供給至排放罩杯42之上部之凹部42a之洗淨液，從排放 罩杯42之上部之外周緣42d被排出。此時，藉由洗淨液供給部49被供給至排放罩杯42之上部的洗淨液，被排出至用以洗淨罩杯外周筒50之洗淨部52之貯留部分52a。若藉由如此之液處理裝置10時，可以使晶圓W之處理所使用之藥液等之處理液和排放罩杯42之洗淨用的洗淨液分離，可以防止該些液體在處理室20內混合。
或是，如第8圖所示般，排放罩杯42之上部係其內周緣42c之高度位準小於其外周緣42d之高度位準，藉由洗淨液供給部49被供給至排放罩杯42之上部之凹部42a之洗淨液，從排放罩杯42之上部之內周緣42c被排出。此時，藉由以洗淨液供給部49被供給至排放罩杯42之上部之凹部42a的洗淨液，可以進行排放罩杯42之內周面42f或旋轉罩杯40之洗淨。
再者，在本實施型態之液處理裝置10中，排放罩杯42、第1引導罩杯43、第2引導罩杯44及第3引導罩杯45被複數設置成在重疊配置在垂直方向，洗淨液被送至位於複數罩杯中之最上段的排放罩杯42而進行此排放罩杯42之洗淨。
並且，藉由本實施型態之液處理裝置並非限定於上述態樣，可以施予各種變更。例如，不需要藉由進出於處理室20內之噴嘴支撐臂82之噴嘴82a及處理液供給管28對晶圓W之上面及下面之雙方供給處理液，即使藉由噴嘴支撐臂82之噴嘴82a僅對晶圓W之上面供給處理液亦可。再者，藉由本實施型態之液處理裝置除基板之洗淨處 理以外，亦可以使用於蝕刻處理、電鍍處理、顯像處理等之處理。
第2實施型態
接著，藉由第11圖及第12圖，針對本發明之第2實施型態予以說明。第11圖及第12圖所示之第2實施型態僅由旋轉罩杯40及排放罩杯42所構成之排放罩杯42之洗淨構造不同，其他構成與第1至8圖所示之第1實施型態大略相同。
在第11圖及第12圖中，對與第1至8圖所示之第1實施型態相同之部分賦予相同符號，省略詳細說明。
如第11圖所示般，在排放罩杯42之上部分別形成有從其內周緣42c朝向外周緣42d至途中部分42e傾斜成高度位準漸漸變小之第1傾斜部分42a1 、及從途中部分42e至外周緣42d傾斜成高度位準漸漸變大之第2傾斜部分42a2 。藉由該些第1傾斜部分42a1 及第2傾斜部分42a2 構成凹部42a。在第11圖所示之排放罩杯42中，內周緣42c之高度位準大於外周緣42d之高度位準。
再者，在排放罩杯42之上方進退自如地配置噴嘴支撐臂82，純水(洗淨液)從被安裝於噴嘴支撐臂82之前端的噴嘴82a由上方被供給至排放罩杯42之上部之凹部42a。
就以對排放罩杯42之凹部42a供給純水之噴嘴支撐臂82而言，使用第2圖所示之6根噴嘴支撐臂82中之任 一個。然後，洗淨液從被設置在噴嘴支撐臂82之前端的噴嘴82a被供給至排放罩杯42之凹部42a內，洗淨液被供給至該凹部42a，並在該凹部42a貯留洗淨液。如此一來，藉由從噴嘴支撐臂82之噴嘴82a被供給至排放罩杯42之上部之凹部42a的洗淨液進行排放罩杯42之洗淨。在本實施型態中，藉由具有噴嘴82a之噴嘴支撐臂82，構成用以進行排放罩杯42之洗淨的排放罩杯洗淨部。藉由排放罩杯洗淨部之排放罩杯42之洗淨，即使於對晶圓W施予每個處理時進行亦可，或是即使定期性進行亦可(例如，一天一次或每月一次等可以自由設定)。
再者，在排放罩杯42之凹部42a之途中部分42e設置洗淨液排出管49e，在洗淨液排出管49e設置有開關閥49f，在該開關閥49f連接有排放管線49g。然後，藉由開閉閥49e使排放罩杯42之凹部42a和排放管線49g連通，依此可以藉由排放管線49g使殘存於凹部42a之洗淨液排出至排放部49i。
在此，在第11圖所示之排放罩杯42中，因其內周緣42c之高度位準大於外周緣42d之高度位準，故藉由洗淨液供給部49被供給至排放罩杯42之上部之凹部42a之洗淨液，從排放罩杯42之上部之外周緣42d被排出至外方(在第11圖中左方)。然後，從排放罩杯42之上部之外周緣42d被排出之洗淨液被送至洗淨部52之貯留部分52a而被貯留在該貯留部分52a。之後，藉由被設置在貯留部分52a之側部的排液管52c，貯留部分52a內之洗淨液被 排出至裝置外。
然而，如上述般在排放罩杯42之內側，設置有與保持晶圓W之保持部21同時旋轉之旋轉罩杯40。
該旋轉罩杯40之外周位於較排放罩杯42之內周緣42c僅些許上方，在該旋轉罩杯40之外周設置有突出至外方並且延伸成圓周狀之圓周突起40a。
該圓周突起40a隨著旋轉罩杯40之旋轉而在旋轉罩杯40之外周產生旋轉氣流。藉由該旋轉罩杯40之旋轉產生之旋轉氣流被送至排放罩杯42側，如後述般，作用成攪拌被供給至排放罩杯42之凹部42a的洗淨液，並且使遍及凹部42a之全周。
被設置在本實施型態之液處理裝置10之排放罩杯42並不限定於第11圖所示之構成。就以排放罩杯42而言，即使使用第12圖所示般其內周緣42c之高度位準小於外周緣42d之高度位準亦可。此時，藉由噴嘴支撐臂82之噴嘴82a被供給至排放罩杯42之上部之凹部42a的洗淨液，從排放罩杯42之上部之內周緣42c被排出至內方(第12圖中右方)。此時，藉由以噴嘴支撐臂82之噴嘴82a被供給至排放罩杯42之上部之凹部42a的洗淨液，可以進行排放罩杯42之內周面42f或旋轉罩杯40之洗淨。
再者，就以排放罩杯42而言，即使使用其內周緣42c之高度位準與外周緣42d之高度位準大致相同者亦可。此時，被供給至排放罩杯42之上部之凹部42a的洗淨液，從排放罩杯42之上部之內周緣42c及外周緣42d之雙方 被排出。
接著，針對排放罩杯42之洗淨工程，藉由第11圖及第12圖予以說明。
在第11圖及第12圖中，一連串之晶圓W之液處理工程結束，藉由搬運臂104晶圓W被搬運至液處理裝置10之外部之後，進行排放罩杯42之洗淨工程。
並且，雖然表示將洗淨水從噴嘴82a供給至排放罩杯42之上部的例，但是並不限定於此，即使從噴嘴82a供給洗淨水至排放罩杯42之上部，並且從排放罩杯42之下方自洗淨液供給部49供給洗淨液亦可。再者，藉由每規定時間改變旋轉罩杯40之旋轉方向，可以有效地洗淨排放罩杯42，並且也可以有效地洗淨排放罩杯42之內周面42f及旋轉罩杯40。
10‧‧‧液處理裝置
20‧‧‧處理室
21‧‧‧保持部
22‧‧‧升降銷板
23‧‧‧升降銷
24‧‧‧活塞機構
25‧‧‧保持構件
25a‧‧‧軸
25b‧‧‧支持部分
25c‧‧‧被推壓構件
25d‧‧‧彈簧構件
26‧‧‧保持板
26a‧‧‧軸承部
26b‧‧‧軸承孔
26c‧‧‧內面壁
28‧‧‧處理液供給管
28a‧‧‧頭部分
29‧‧‧處理液供給部
40‧‧‧旋轉罩杯
40a‧‧‧圓周突起
42‧‧‧排放罩杯
42a‧‧‧凹部
42a1 ‧‧‧第1傾斜部分
42a2 ‧‧‧第2傾斜部分
42c‧‧‧內周緣
42d‧‧‧外周緣
42e‧‧‧途中部分
42f‧‧‧內周面
43‧‧‧第1引導罩杯
44‧‧‧第2引導罩杯
45‧‧‧第3引導罩杯
46a‧‧‧第1處理液回收用槽
46b‧‧‧第2處理液回收用槽
46c‧‧‧第3處理液回收用槽
46d‧‧‧第4處理液回收用槽
48‧‧‧排氣部
49‧‧‧洗淨液供給部
49a‧‧‧洗淨液供給管
49b‧‧‧切換閥
49c‧‧‧排放管線
49d‧‧‧排放部
50‧‧‧罩杯外周筒
50a‧‧‧支撐構件
50b‧‧‧驅動機構
50m‧‧‧開口
51‧‧‧引導構件
52‧‧‧洗淨部
52a‧‧‧貯留部分
52c‧‧‧排液管
54‧‧‧排氣部
56‧‧‧排氣部
58‧‧‧排氣部
60‧‧‧快門
62‧‧‧快門
70‧‧‧FFU
80‧‧‧機械臂待機部
82‧‧‧噴嘴支撐臂
82a‧‧‧噴嘴
82m‧‧‧表面處理液供給管
84‧‧‧機械臂支撐部
88‧‧‧機械臂洗淨部
88p‧‧‧開口
89‧‧‧表面處理液供給部
90‧‧‧壁部
94‧‧‧快門
94a‧‧‧開口
101‧‧‧載置台
102‧‧‧搬運臂
103‧‧‧棚架單元
104‧‧‧搬運臂
200‧‧‧液處理裝置
210‧‧‧處理室
220‧‧‧保持部
230‧‧‧罩杯
240‧‧‧噴嘴
241‧‧‧機械臂
242‧‧‧機械臂支撐部
250‧‧‧FFU
260‧‧‧排氣部
第1圖為從上方觀看包含藉由本發明之第1實施型態之液處理裝置的液處理系統之上視圖。
第2圖為表示藉由本發明之第1實施型態之液處理裝置之概略構成的上視圖。
第3圖為第2圖所示之液處理裝置之側面圖。
第4圖為表示第2圖所示之液處理裝置之構成之詳細的縱剖面圖，表示罩杯外周筒位於下方位置之時的狀態之圖示。
第5圖為表示第2圖所示之液處理裝置之構成之詳細 的縱剖面圖，表示罩杯外周筒位於上方位置之時的狀態之圖示。
第6A圖(a)為第4圖等所示之液處理裝置中被設置於保持板之保持構件之構成的放大縱剖面圖，(b)為表示從(a)所示之狀態至升降銷板移動至下方之時之狀態的放大縱剖面圖，(c)為表示從(b)所示之狀態至升降銷板移動至更下方之狀態的放大縱剖面圖。
第6B圖為表示第4圖等所示之液處理裝置中之罩杯外周筒之構成的斜視圖。
第7圖為表示第4圖等所示之液處理裝置之排放罩杯之構成之詳細的側剖面圖。
第8圖為表示第4圖等所示之液處理裝置之排放罩杯之其他構成之詳細的側剖面圖。
第9圖為表示以往之液處理裝置之概略構成的側面圖。
第10圖為第9圖所示之以往液處理裝置之上視圖。
第11圖為表示本發明之第2實施型態中之液處理裝置之排放罩杯之構成之詳細的側剖面圖。
第12圖為表示排放罩杯之其他構成之詳細的側剖面圖。
42‧‧‧排放罩杯
42a‧‧‧凹部
42a1 ‧‧‧第1傾斜部分
42a2 ‧‧‧第2傾斜部分
42c‧‧‧內周緣
42d‧‧‧外周緣
42e‧‧‧途中部分
49‧‧‧洗淨液供給部
49a‧‧‧洗淨液供給管
49b‧‧‧切換閥
49c‧‧‧排放管線
49d‧‧‧排放部
50‧‧‧罩杯外周筒
52‧‧‧洗淨部
52a‧‧‧貯留部分
52c‧‧‧排液管

Claims (12)

  1. 一種液處理裝置，其特徵為具備：處理室，該處理室是在內部設置有保持基板之基板保持部及被配設在該基板保持部之周圍的罩杯；噴嘴，該噴嘴係用以對被保持在上述基板保持部之基板供給處理液的噴嘴；處理液回收用槽，該處理液收用槽係被設置在上述罩杯之下方，接收被供給至上述基板之後的上述處理液；及罩杯洗淨部，該罩杯洗淨部係藉由對上述罩杯之上部供給洗淨液而進行該罩杯之洗淨，在上述處理液回收用槽上方之上述罩杯之上部形成凹部，上述罩杯洗淨部成為對上述罩杯之上部的上述凹部供給洗淨液。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之液處理裝置，其中上述罩杯之上部從其內周緣朝向外周緣至途中部分傾斜成高度位準變小，從其途中部分至外周緣傾斜成高度位準變大，上述罩杯洗淨部成為對上述罩杯之上部之上述途中部分供給洗淨液。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液處理裝置，其中上述罩杯之上部係其內周緣之高度位準大於其外周緣之高度位準，藉由上述罩杯洗淨部被供給至上述罩杯之上部之上述凹部的洗淨液從上述罩杯之上部之外周緣被排出。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液處理裝置，其中上述罩杯之上部係其內周緣之高度位準小於其外周緣之高度位準，藉由上述罩杯洗淨部被供給至上述罩杯之上部之上述凹部的洗淨液從上述罩杯之上部之內周緣被排出。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液處理裝置，其中上述罩杯係複數設置成重疊配置在垂直方向，上述罩杯洗淨部成為進行上述複數罩杯中之最上段之罩杯的洗淨。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液處理裝置，其中在上述罩杯之內側設置有與保持基板之上述基板保持部同時旋轉之旋轉罩杯，藉由隨著該旋轉罩杯之旋轉而產生之旋轉氣流，使洗淨液遍及上述罩杯之上部之上述凹部全區域。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液處理裝置，其中上述罩杯洗淨部具有從上方供給洗淨液至上述罩杯之上部之上述凹部的洗淨液供給噴嘴。
  8. 如申請專利範圍第6項所記載之液處理裝置，其中在上述旋轉罩杯之外周設置突出至外方並且延伸成圓周狀之圓周突起，藉由上述旋轉罩杯之圓周突起使產生旋 轉氣流。
  9. 一種液處理方法，其特徵為具備：藉由被設置在處理室之內部的基板保持部使基板保持水平狀態之工程；藉由上述基板保持部使基板旋轉，藉由在上述處理室內進出之噴嘴支撐臂之噴嘴，對藉由上述基板保持部所保持而旋轉之基板供給處理液之工程；利用在處理室內被設置在罩杯之下方的處理液回收用槽接收被供給至基板之後的處理液之工程；及藉由對在上述處理室內被形成在上述處理液體回收用槽上方之上述罩杯之上部的凹部供給洗淨液，進行該罩杯上部之洗淨的工程。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載之液處理方法，其中上述罩杯之上部係其內周緣之高度位準小於其外周緣之高度位準，在進行上述罩杯之洗淨的工程中，被供給至上述罩杯之上部之上述凹部的洗淨液從上述罩杯之上部之內周緣被排出，藉由該被排出之洗淨液進行上述罩杯之內周面的洗淨。
  11. 如申請專利範圍第9項所記載之液處理方法，其中上述罩杯之上部係其內周緣之高度位準大於其外周緣之高度位準， 在進行上述罩杯之洗淨的工程中，被供給至上述罩杯之上部之上述凹部的洗淨液從上述罩杯之上部之外周緣被排出。
  12. 如申請專利範圍第9項所記載之液處理方法，其中在上述罩杯之內側，設置有與保持基板之上述基板保持部同時旋轉之旋轉罩杯，在上述罩杯之洗淨工程中，藉由隨著上述旋轉罩杯之旋轉而產生之旋轉氣流，使洗淨液遍及上述罩杯之上部的上述凹部全區域。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5667545B2 (ja) * 2011-10-24 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP6022430B2 (ja) 2012-11-21 2016-11-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6229933B2 (ja) * 2013-09-27 2017-11-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置
JP6543534B2 (ja) 2015-08-26 2019-07-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6753762B2 (ja) * 2015-12-28 2020-09-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US10832902B2 (en) * 2015-12-28 2020-11-10 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6494536B2 (ja) * 2016-01-12 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理装置の洗浄方法
JP6665042B2 (ja) * 2016-06-21 2020-03-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の洗浄方法及び記憶媒体
JP6722532B2 (ja) * 2016-07-19 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および処理カップ洗浄方法
JP6769166B2 (ja) * 2016-08-10 2020-10-14 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP6961362B2 (ja) * 2017-03-03 2021-11-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2023007561A (ja) * 2021-07-02 2023-01-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びミストガードの洗浄方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100212701A1 (en) * 2006-10-05 2010-08-26 Tokyo Electron Limited Substrate Processing Apparatus, Substrate Processing Method, and Drain Cup Cleaning Method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2890089B2 (ja) * 1993-09-06 1999-05-10 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH07245466A (ja) * 1994-03-02 1995-09-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4017463B2 (ja) * 2002-07-11 2007-12-05 株式会社荏原製作所 洗浄方法
JP4451175B2 (ja) * 2004-03-19 2010-04-14 大日本スクリーン製造株式会社 ノズル洗浄装置および基板処理装置
KR100625309B1 (ko) * 2004-05-04 2006-09-20 세메스 주식회사 상압 플라즈마 발생기 및 이를 사용한 기판 가장자리 식각장치
JP5036415B2 (ja) * 2006-06-16 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP4929144B2 (ja) * 2007-12-10 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2009231710A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4739390B2 (ja) 2008-10-27 2011-08-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100212701A1 (en) * 2006-10-05 2010-08-26 Tokyo Electron Limited Substrate Processing Apparatus, Substrate Processing Method, and Drain Cup Cleaning Method

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