TWI503536B - The method of inspecting the surface state of the flat substrate and the surface condition checking device of the flat substrate - Google Patents

The method of inspecting the surface state of the flat substrate and the surface condition checking device of the flat substrate Download PDF

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TWI503536B
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Yoshinobu Nakura
Toshiki Azuma
Kazunobu Asakawa
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Description

平板基板之表面狀態檢查方法及使用其之平板基板之表面狀態檢查裝置
本發明係關於以光散射方式檢查附著在如半導體晶圓、遮罩、碟片基板、液晶基板、玻璃基板、透明薄膜等的平板基板的表面的微細塵埃等異物、或損傷/龜裂等缺陷的平板基板的表面狀態檢查技術,尤其係關於可感度佳地檢測因微細的細長形狀的異物、或在基板產生的微細的擦痕/擦損、裂痕等所造成的表面狀態的異常的平板基板之表面狀態檢測方法、及使用該方法之平板基板之表面狀態檢查裝置。
在積體電路的製造工程中,若在形成電路圖案的基板存在雖僅為些微的異物(無用物或缺陷)時,由於會有造成生成不良品之虞,因此基板的異物或表面狀態的檢查成為不可或缺。該基板的表面狀態的檢查一般係使用對基板表面照射指向性佳的雷射光,以散射光受光器檢測由基板表面所被反射的散射光,將雷射光的照射點進行二次元掃描來檢查基板表面全體的方法。
例如在下述專利文獻1所記載之透明平板基板的異物檢查裝置中,其係揭示一種透明平板基板的異物檢查裝置,其係藉由投光系,將檢測光照射在透明平板基板,藉由受光系來接受因存在於前述透明平板基板的異物所造成的散射光,來檢測存在於前述透明平板基板的異物的異物檢查裝置,其特徵為:具備有:設在前述透明平板基板的其中一面(以下為表面),相對前述透明平板基板的基板法線,以預定的入射角對前述表面照射前述檢測光的投光系;及設在前述表面側,以前述檢測光的照射點為基準,設在與前述投光系為相反側的位置的前述受光系,前述受光系係具備有:將由前述投光系所被照射的前述檢測光被照射在前述表面上的異物時所產生的第1散射光、及前述檢測光透過前述透明平板基板且被照射在存在於其他一面(以下為背面)的異物時所產生的第2散射光進行聚光的聚光透鏡;將來自前述聚光透鏡的前述第1散射光及前述第2散射光,分別分光成2個路徑的光學元件;接受前述第1散射光的第1散射光受光感測器;及接受前述第2散射光的第2散射光受光感測器。
專利文獻1所記載之異物檢查裝置係藉由將由照射檢測光亦即雷射光的投光器、及接受來自被照射雷射光的異物的散射光的受光感測器所構成的一對散射光照射/受光系統朝XY方向掃描,來進行附著在基板的異物等的檢查者。但是,在專利文獻1所揭示的技術中,例如微細的細長損傷等係會有依雷射光的照射方向,光散射強 度大幅不同(若光散射強度取決於雷射光的照射方向時)的情形,依雷射光的照射方向,會有無法正確檢測平板基板的表面狀態的問題。
在專利文獻2係揭示將雷射光由複數方向照射在基板的技術。專利文獻2係關於具備有:在檢查對象物的表面,由不同角度對同一點照射複數雷射光的複數投光器;及檢測來自同一點之異物的散射光來檢測對應散射光強度的散射光強度訊號的檢測器的異物檢查裝置。但是,專利文獻2所揭示的技術係關於由複數雷射光源,對同一點照射雷射光,檢測來自存在於該處的異物的散射光,藉由對應散射光強度的散射光強度訊號,來進行異物檢查的異物檢查裝置。此外,為一種關於設置在不同角度的複數光檢測器、及藉由從複數光檢測器所被輸出的散射光強度訊號來進行異物檢查的異物檢查裝置。因此,雖由不同方向照射雷射光,但是其目的在藉由對同一點照射雷射光,將散射光強度提升至檢測器可檢測的位準。因此,在專利文獻2所揭示的技術中,會有無法檢測如取決於雷射光的照射方向之極為微細的擦痕/擦損、或細長裂痕等的問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平2013-140061號公報
[專利文獻2]日本特開平11-258157號公報
因此,本發明之課題在提供可檢測以往無法檢測的極為微細的擦痕、裂痕等取決於雷射光的照射方向的表面的異常(表面狀態)的平板基板之表面狀態檢查方法、利用該方法之表面狀態檢查裝置。其中,在本說明書中,表面狀態的檢查意指檢查表面缺陷或表面的損傷、附著在表面的異物等在平板基板的表面狀態發生問題的狀態。
為解決上述課題,申請專利範圍1所記載之發明係一種表面狀態檢查裝置,其係將藉由投光系被照射在被載置於X軸Y軸載台上的平板基板的表面的雷射光,藉由前述X軸Y軸載台,朝X軸或Y軸的任何方向進行掃描,並且一面以預定間隔以與前述掃描方向呈正交的軸方向進給,一面藉由受光系來接受來自表面的散射光,藉由對應該受光強度的檢測訊號,來檢查前述平板基板的全表面狀態的平板基板之表面狀態檢查裝置,其特徵為:具備有:至少2個投光系,其係在前述平板基板的表面側,相對前述平板基板的基板法線,以預定的入射角將前述雷射光由不同方向照射在前述表面;至少2個受光 系,其係被設在前述表面側,以前述雷射光的照射點為基準,在與前述投光系為相反側的位置,以分別與前述投光系相對向的方式而設;雷射光成形手段,其係以前述各雷射光被照射在前述平板基板的表面的雷射光照射區域成為矩形的方式將雷射光成形;照射區域隔離調整手段,其係將被成形為前述矩形的各雷射光照射區域的隔離,以前述矩形的前述掃描方向的投影長度或各雷射光照射區域不相重疊的長度亦即非重複長度,調整各投光系及各受光系;及進給間隔調整手段,其係將朝前述軸方向進給的預定間隔,調整為前述投影長度或前述非重複長度以上、或前述投影長度或前述非重複長度的整數倍。
申請專利範圍第2項所記載之發明係如申請專利範圍第1項之表面狀態檢查裝置,其中,一組的前述投光系與受光系、及其他一組的前述投光系與受光系係以彼此呈正交的方式而設。
申請專利範圍第3項所記載之發明係如申請專利範圍第2項之表面狀態檢查裝置,其中,前述投影長度係在50μm至1000μm的範圍,朝前述軸方向進給的預定間隔為前述投影長度。
申請專利範圍第4項所記載之發明係一種表面狀態檢查裝置,其係藉由投光系將雷射光照射在被載置於旋轉台上且藉由前述旋轉台進行旋轉的平板基板的表面,並且一面由前述平板基板的外側朝中心方向或由中心朝外側方向以預定間隔進給前述平板基板,一面藉由受光 系來接受來自表面的散射光,藉由對應該受光強度的檢測訊號,來檢查前述平板基板的全表面狀態的平板基板之表面狀態檢查裝置,其特徵為:具備有:至少2個投光系,其係在前述平板基板的表面側,相對前述平板基板的基板法線,以預定的入射角將前述雷射光由不同方向照射在前述表面;至少2個受光系,其係被設在前述表面側,以前述雷射光的照射點為基準,在與前述投光系為相反側的位置,以分別與前述投光系相對向的方式而設;雷射光成形手段,其係將前述各雷射光被照射在前述平板基板的表面的雷射光照射區域成形為矩形;照射區域隔離調整手段,其係將被成形為前述矩形的各雷射光照射區域的隔離,以前述矩形的前述掃描方向的投影長度或各雷射光照射區域不相重疊的長度亦即非重複長度以上,調整各投光系及各受光系;及進給間隔調整手段,其係將由前述平板基板的外側朝中心方向或由中心朝外側方向進給前述平板基板的預定間隔,調整為前述投影長度或前述非重複長度以上、或前述投影長度或前述非重複長度的整數倍。
申請專利範圍第5項所記載之發明係如申請專利範圍第4項之表面狀態檢查裝置,其中,一組的前述投光系與受光系、及其他一組的前述投光系與受光系係以彼此呈正交的方式而設。
申請專利範圍第6項所記載之發明係如申請專利範圍第5項之表面狀態檢查裝置,其中,前述投影長度係在50μm至1000μm的範圍,前述預定間隔為與前 述投影長度相對應者。
申請專利範圍第7項所記載之發明係一種表面狀態檢查方法,其係將藉由投光系被照射在被載置於X軸Y軸載台上的平板基板的表面的雷射光,藉由前述X軸Y軸載台,朝X軸或Y軸的任何方向進行掃描,並且一面以預定間隔以與前述掃描方向呈正交的軸方向進給,一面藉由受光系來接受來自表面的散射光,藉由對應該受光強度的檢測訊號,來檢查前述平板基板的全表面狀態的平板基板之表面狀態檢查方法,其特徵為:由至少2個不同的方向,照射區域呈矩形而且將各雷射光照射區域的隔離,以前述照射區域的前述掃描方向的投影長度或各雷射光照射區域不相重疊的長度亦即非重複長度以上,調整各投光系及各受光系,將朝前述軸方向進給的預定間隔,調整為前述投影長度或前述非重複長度以上、或前述投影長度或前述非重複長度的整數倍,進給前述平板基板,來檢查前述平板基板的全表面狀態。
申請專利範圍第8項所記載之發明係一種表面狀態檢查方法,其係藉由投光系將雷射光照射在被載置於旋轉台上且進行旋轉的平板基板的表面,並且一面由前述平板基板的外側朝中心方向或由中心朝外側方向以預定間隔進給前述平板基板,一面藉由受光系來接受來自表面的散射光,藉由對應該受光強度的檢測訊號,來檢查前述平板基板的全表面狀態的平板基板之表面狀態檢查方法, 其特徵為:由至少2個不同的方向,照射區域呈矩形而且將各雷射光照射區域的隔離,以前述照射區域的前述掃描方向的投影長度或各雷射光照射區域不相重疊的長度亦即非重複長度以上,調整各投光系及各受光系,將由前述平板基板的外側朝中心方向或由中心朝外側方向進給的預定間隔,調整為前述投影長度或前述非重複長度以上、或前述投影長度或前述非重複長度的整數倍,來檢查前述平板基板的全表面狀態。
藉由本發明,可提供可檢查以往無法檢測的極為微細的擦痕、裂痕等因取決於雷射光的照射方向而原本無法檢測的基板表面的異常(表面狀態)的平板基板之表面狀態檢查方法、利用該方法之表面狀態檢查裝置。
1‧‧‧作為本發明之一實施例的表面狀態檢查裝置
50‧‧‧異物
100、200‧‧‧投光器
101、201‧‧‧雷射光
101a、201a‧‧‧雷射成形光
110、210‧‧‧散射光受光器
120‧‧‧平板基板
130‧‧‧定向平面
202‧‧‧散射光
300‧‧‧高度感測器
400‧‧‧X軸
401‧‧‧X軸導件
410‧‧‧Y軸
411‧‧‧Y軸導件
500‧‧‧固定板
600‧‧‧Z軸
700‧‧‧保持具
800‧‧‧旋轉軸
900、910‧‧‧纜線
圖1係顯示作為本發明之一實施形態之一面使平板基板120朝X軸Y軸移動,一面藉由投光器100照射雷射光101,藉由受光器110接受散射光102,來檢查平板基板120的表面狀態的樣子的側面圖。
圖2係顯示作為本發明之一實施形態之與定向平面130並行、或以直角方向對基板表面照射雷射光101,來 檢查平板基板120的表面狀態的樣子的圖。
圖3係顯示以與平板基板120的定向平面130並行照射雷射光101的方式配置投光系/受光系的樣子的圖。
圖4係顯示檢查圖3所示之藉由投光系/受光系所致之平板基板120的表面狀態的結果的圖。
圖5係顯示以相對平板基板120的定向平面130,以30度的角度照射雷射光101的方式配置投光系/受光系的樣子的圖。
圖6係顯示檢查圖5所示之藉由投光系/受光系所致之平板基板120的表面狀態的結果的圖。
圖7係顯示以相對平板基板120的定向平面130,以60度的角度照射雷射光101的方式配置投光系/受光系的樣子的圖。
圖8係顯示檢查圖7所示之藉由投光系/受光系所致之平板基板120的表面狀態的結果的圖。
圖9係顯示以相對平板基板120的定向平面130,以90度的角度照射雷射光101的方式配置投光系/受光系的樣子的圖。
圖10係顯示檢查圖9所示之藉由投光系/受光系所致之平板基板120的表面狀態的結果的圖。
圖11係顯示以相對平板基板120的定向平面130,以120度的角度照射雷射光101的方式配置投光系/受光系的樣子的圖。
圖12係顯示檢查圖11所示之藉由投光系/受光系所 致之平板基板120的表面狀態的結果的圖。
圖13係顯示以相對平板基板120的定向平面130,以150度的角度照射雷射光101的方式配置投光系/受光系的樣子的圖。
圖14係顯示檢查圖13所示之藉由投光系/受光系所致之平板基板150的表面狀態的結果的圖。
圖15係顯示設置雷射光的照射方向呈正交的投光系/受光系,檢查平板基板120的表面狀態的樣子的圖。
圖16係顯示作為本發明之一實施形態之一面使平板基板120旋轉一面檢查表面狀態的樣子的圖。
圖17係顯示雷射光的照射方向呈正交的雷射光照射區域101a、201a的隔離(位置)關係的詳細內容的圖。
圖18係顯示圖17所示之實施形態,檢查平板基板120的表面的狀態的結果的圖。
圖19係作為本發明之一實施形態的表面狀態檢查裝置的平面圖。
圖20係作為本發明之一實施形態的表面狀態檢查裝置的側面圖。
圖21係作為本發明之一實施形態的表面狀態檢查裝置的其他側面圖。
以下參照圖示,說明本發明之實施形態,惟本發明並非限定於此。圖1係顯示作為本發明之一實施形 態之一面將平板基板120朝X軸或Y軸方向移動,一面藉由構成投光系的投光器100、構成受光系的受光器110,來檢查平板基板120的表面狀態的樣子的側面圖。由投光器100對平板基板120的表面照射雷射光101,以受光器110接受來自異物50的散射光102,進行平板基板120的表面狀態的檢查。在此,雷射光101之對平板基板120的入射角度係當將正上方設為0度時,以50度~70度的範圍為佳。此外,接受散射光102的受光器110的受光感測器較佳為以可相對平板基板120,以30度~60度的範圍接受散射光102的方式進行設置。
圖2係顯示作為本發明之一實施形態之以與Orientation Flat(以下為定向平面)130的方向並行、或呈正交的方向,對基板表面照射雷射光101,來檢查平板基板120的表面狀態的樣子的圖。圖2(a)係顯示由投光器100與定向平面130並行地照射雷射光101來檢查平板基板120的表面狀態的樣子的圖。圖2(b)係顯示由投光器100以與定向平面130呈正交的方向照射雷射光101來檢查平板基板120的表面狀態的樣子的圖。
在圖2(a)中,由投光器100對基板120的表面照射雷射光101。雷射光101被照射在平板基板120時的雷射光101的照射區域為照射區域101a。藉由雷射光成形光手段(未被圖示),照射區域101a係成形為矩形。接受由照射區域101a所產生的散射光102的是受光器110。在此,雷射光101的掃描方向係與定向平面130 並行。平板基板120係以圖由上而下被進給(進給方向),該進給方向係與掃描方向呈正交。其中,定向平面130係發揮特定平板基板120的方向的作用。
在此,照射區域101a的長邊方向的寬幅較佳為50μm至1000μm。藉由加寬該寬幅,檢查速度會提升,但是會有精度降低的問題。另一方面,藉由縮窄寬幅,可提升檢查精度,但是會有檢查速度降低的問題。較佳為具備有如進給平板基板120的間隔係可依平板基板120的表面狀態、或檢查的精度來適當調整的手段,亦即進給間隔調整手段。
圖2(b)係顯示由圖2(a)的狀態使平板基板120以順時針旋轉90度,使雷射光101以與定向平面130呈直角的方向掃描,一面將平板基板120以圖由上而下進給,一面檢查平板基板120的表面全體的樣子的圖。
如圖2(a)所示檢查平板基板120的表面狀態之後,如圖2(b)所示檢查平板基板120的表面狀態,藉此可檢查因取決於雷射光的照射方向的極為微細的擦痕、微細的細長形狀的裂痕狀態等而起的表面異常(表面狀態)。
亦即,藉由使平板基板120旋轉的旋轉手段、使得朝X軸Y軸方向移動的二次元移動手段、及上述投光系/受光系,例如在圖2(a)的檢查中未被檢測的微細擦痕、裂痕等取決於雷射光的照射方向的表面異常(表面狀態),可藉由如圖2(b)所示進行檢查來檢 測。此係基於由與雷射光101的照射方向為相同方向所形成的細長損傷,雖然未發生受光器110可感測的強度的散射光,但是如圖2(b)所示使平板基板120旋轉來照射雷射光101,藉此即使為如上所示之表面異常,亦可使受光器110可感測的強度的散射光發生之故。
[實施例]
發明人藉由如下所示之實證而確認出相關知見。圖3係顯示與定向平面130並行地掃描雷射光101,一面將平板基板120以圖由上而下進給,一面檢查平板基板120的表面全體的樣子的圖。顯示如上所示檢查平板基板120的表面狀態的結果的是圖4。其中,該實證所使用的平板基板120為SiC,雷射入射角為68度,測定間距為0.1mm,掃描速度為100mm/sec,測定區域為70.2mm,以標準粒子0.3μm散射光換算電壓的條件進行。
將其結果顯示於圖4。如圖所示,與定向平面130並行地使雷射光101掃描時,平板基板120的表面狀態的異常並未被檢測到。
圖5係顯示相對定向平面130,使平板基板120以逆時針旋轉30度,使雷射光101掃描,一面將平板基板120由上而下進給,一面檢查平板基板120的表面全體的樣子的圖。將其結果顯示於圖6。在平板基板120的左上方檢測出在圖4中並未被發現的微細的細長損傷。
圖7係顯示相對定向平面130,使平板基板 120以逆時針旋轉60度,使雷射光101掃描,一面將平板基板120由其之上而下進給,一面檢查平板基板120的表面全體的樣子的圖。將其結果顯示於圖8,惟與圖6大致相同地檢測出在圖4中並未被發現的在平板基板120微細的細長損傷。
圖9係顯示相對定向平面130,使平板基板120以逆時針旋轉90度,使雷射光101掃描,一面將平板基板120由其之上部方向朝下部方向進給,一面檢查平板基板120的表面全體的樣子的圖。將其結果顯示於圖10。與圖6、圖8大致相同地,檢測出在圖4並未被發現的微細的細長損傷。
圖11係顯示相對定向平面130,使平板基板120以逆時針旋轉120度,使雷射光101掃描,一面將平板基板120由其之上部方向朝下部方向進給,一面檢查平板基板120的表面全體的樣子的圖。將其結果顯示於圖12,但是並未檢測出在圖6、圖8、圖10中所被檢測出的微細的細長損傷,而檢測出其1/4左右的長度的微細的細長損傷。
圖13係顯示相對定向平面130,使平板基板120以逆時針旋轉150度,使雷射光101掃描,一面將平板基板120由其之上而下進給,一面檢查平板基板120的表面全體的樣子的圖。將其結果顯示於圖14。並未檢測出在圖6、圖8、圖19、圖12中被檢測出的微細的細長損傷,與圖4所示之結果相同地,並未檢測出平板基板 120的表面狀態的異常。
由該等情形可知,由不同的方向照射雷射光,藉此可檢測原本在以往無法檢測的表面狀態的異常。此外,藉由從各種方向照射雷射光,可高精度地檢查平板基板的表面狀態,但是若可至少將雷射光的掃描由彼此正交的2方向進行,則可高精度地檢查平板基板的表面狀態的異常。
圖15係顯示由上述知見、實證結果所得之發明的一實施形態的圖。檢查圖15所示之平板基板120的表面狀態的表面狀態檢查裝置1係具備有:由投光器100照射雷射光101,藉由受光器110來接受由照射區域101a所產生的散射光101的一組投光系/受光系;以與該投光系/受光系的雷射光照射方向呈正交的方向照射雷射光201的投光器200;及由從照射區域201a所產生的散射光202、及接受散射光202的受光器210所構成的其他一組投光系/受光系。一面以與雷射光的掃描方向呈正交的方向進給,一面檢查平板基板120的全表面狀態。在此,較佳為形成為雷射光照射區域101a、201a的掃描方向的投影區域不會相重疊的隔離(非重複長度)。此外,進給間隔(間距)較佳為形成為非重複長度或其整數倍。
圖16係本發明之其他一實施形態。與圖15所示之實施形態之不同之處在於:一面使平板基板120旋轉來掃描雷射光101、201,一面由平板基板120的外側朝中心點方向、或由中心點朝外側方向進給來檢查平板基 板120的全表面狀態。
藉由圖16所示之實施形態所為之檢查,與圖15所示之一面朝X軸或Y軸方向進給平板基板120一面檢查表面狀態相比較,可更為連續性地檢查平板基板120的表面狀態,因此具有可縮短檢查時間的優點。在該實施形態中係如螺旋狀或唱片旋轉地進行表面狀態的檢查。該進給方式係可移動平板基板120,亦可移動投光系/受光系。此外,較佳為形成為雷射光照射區域101a、201a的掃描方向的投影區域不會相重疊的隔離(非重複長度)。此外,進給間隔(間距)較佳為形成為非重複長度或其整數倍。
圖17係顯示藉由雷射光成形手段,被照射在平板基板120的表面的雷射光照射區域101a、201a的位置關係的詳細內容的圖。照射區域101a、201a係以成為矩形的方式成形。圖17係一面使平板基板120旋轉一面照射雷射光101、201,同時朝中心點的方向進給平板基板120,來檢查平板基板120的全表面狀態的情形。
在此,為當將平板基板120朝中心方向進給時的進給間隔(間距),但是進給間隔(間距)係將照射區域101a或201a的長邊寬幅設為例如√2×0.5mm時,雷射光的掃描方向的投影長度係成為0.5mm,將進給間距寬幅設為0.5mm。藉由使雷射成形光101a、201a的隔離與進給間隔(間距寬幅)為相同,雷射成形光101a與雷射成形光201a不會相重疊。
雷射光的掃描方向的投影長度為0.5mm,因此藉由將進給間隔(間距寬幅)設為0.5mm,可無遺漏地檢查平板基板120的全表面狀態。其中,亦可將進給間隔(間距寬幅)形成為投影長度的整數倍。此時係例如藉由使進給方向往返等來檢查全表面狀態。此外,亦可將照射區域101a、102a的隔離以不會相重疊的方式進行設定。
其中,圖17係使平板基板120旋轉的情形,但是關於例如藉由X軸Y軸載台,使雷射光朝X軸方向掃描,且朝Y軸方向進給的情形,對間距寬幅、隔離的考慮方式亦同。
藉由圖15、圖16所示之實施形態,檢查與之前所使用的平板基板為相同的平板基板120的表面狀態的結果為圖18。如圖18所示,藉由圖15、圖16所示之任何實施形態,均可知可高精度地檢查平板基板的表面狀態。
圖19係作為本發明之一實施形態的平板基板之表面狀態檢查裝置1的平面圖,圖20係其側面圖,圖21係其他側面圖。作為該實施形態的平板基板之表面狀態檢查裝置1係具備有:載置平板基板120的保持具700、用以將保持具700朝XY方向移動的X軸400、X軸導件401、Y軸410、Y軸導件411、及用以朝Z軸方向移動的Z軸600。此外,具備有:用以調整高度方向的高度感測器300、使平板基板120旋轉的旋轉軸800、通訊控制纜線900、910。此外,該表面狀態檢查裝置係具備 有:調節照射區域101a、201a的形狀的雷射光成形手段、及任意調整進給平板基板的間隔(間距)的進給間隔調整手段。
101、201‧‧‧雷射光
101a、201a‧‧‧雷射成形光
120‧‧‧平板基板
200‧‧‧投光器

Claims (8)

  1. 一種表面狀態檢查裝置,其係將藉由投光系被照射在被載置於X軸Y軸載台上的平板基板的表面的雷射光,藉由前述X軸Y軸載台,朝X軸或Y軸的任何方向進行掃描,並且一面以預定間隔以與前述掃描方向呈正交的軸方向進給,一面藉由受光系來接受來自表面的散射光,藉由對應該受光強度的檢測訊號,來檢查前述平板基板的全表面狀態的平板基板之表面狀態檢查裝置,其特徵為:具備有:至少2個投光系,其係在前述平板基板的表面側,相對前述平板基板的基板法線,以預定的入射角將前述雷射光由不同方向照射在前述表面;至少2個受光系,其係被設在前述表面側,以前述雷射光的照射點為基準,在與前述投光系為相反側的位置,以分別與前述投光系相對向的方式而設;雷射光成形手段,其係以前述各雷射光被照射在前述平板基板的表面的雷射光照射區域成為矩形的方式將雷射光成形;照射區域隔離調整手段,其係將被成形為前述矩形的各雷射光照射區域的隔離,以前述矩形的前述掃描方向的投影長度或各雷射光照射區域不相重疊的長度亦即非重複長度,調整各投光系及各受光系;及進給間隔調整手段,其係將朝前述軸方向進給的預定 間隔,調整為前述投影長度或前述非重複長度以上、或前述投影長度或非重複長度的整數倍。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面狀態檢查裝置,其中,一組的前述投光系與受光系、及其他一組的前述投光系與受光系係以彼此呈正交的方式而設。
  3. 如申請專利範圍第2項之表面狀態檢查裝置,其中,前述投影長度係在50μm至1000μm的範圍,朝前述軸方向進給的預定間隔為前述投影長度。
  4. 一種表面狀態檢查裝置,其係藉由投光系將雷射光照射在被載置於旋轉台上且藉由前述旋轉台進行旋轉的平板基板的表面,並且一面由前述平板基板的外側朝中心方向或由中心朝外側方向以預定間隔進給前述平板基板,一面藉由受光系來接受來自表面的散射光,藉由對應該受光強度的檢測訊號,來檢查前述平板基板的全表面狀態的平板基板之表面狀態檢查裝置,其特徵為:具備有:至少2個投光系,其係在前述平板基板的表面側,相對前述平板基板的基板法線,以預定的入射角將前述雷射光由不同方向照射在前述表面;至少2個受光系,其係被設在前述表面側,以前述雷射光的照射點為基準,在與前述投光系為相反側的位置,以分別與前述投光系相對向的方式而設;雷射光成形手段,其係將前述各雷射光被照射在前述平板基板的表面的雷射光照射區域成形為矩形; 照射區域隔離調整手段,其係將被成形為前述矩形的各雷射光照射區域的隔離,以前述矩形的前述掃描方向的投影長度或各雷射光照射區域不相重疊的長度亦即非重複長度以上,調整各投光系及各受光系;及進給間隔調整手段,其係將由前述平板基板的外側朝中心方向或由中心朝外側方向進給前述平板基板的預定間隔,調整為前述投影長度或前述非重複長度以上、或前述投影長度或前述非重複長度的整數倍。
  5. 如申請專利範圍第4項之表面狀態檢查裝置,其中,一組的前述投光系與受光系、及其他一組的前述投光系與受光系係以彼此呈正交的方式而設。
  6. 如申請專利範圍第5項之表面狀態檢查裝置,其中,前述投影長度係在50μm至1000μm的範圍,前述預定間隔為與前述投影長度相對應者。
  7. 一種表面狀態檢查方法,其係將藉由投光系被照射在被載置於X軸Y軸載台上的平板基板的表面的雷射光,藉由前述X軸Y軸載台,朝X軸或Y軸的任何方向進行掃描,並且一面以預定間隔以與前述掃描方向呈正交的軸方向進給,一面藉由受光系來接受來自表面的散射光,藉由對應該受光強度的檢測訊號,來檢查前述平板基板的表面狀態的表面狀態檢查方法,其特徵為:由至少2個不同的方向,照射區域呈矩形而且將各雷射光照射區域的隔離,以前述照射區域的前述掃描方向的投影長度或各雷射光照射區域不相重疊的長度亦即非重複 長度以上,調整各投光系及各受光系,將朝前述軸方向進給的預定間隔,調整為前述投影長度或前述非重複長度以上、或前述投影長度或前述非重複長度的整數倍,進給前述平板基板,來檢查前述平板基板的全表面狀態。
  8. 一種表面狀態檢查方法,其係藉由投光系將雷射光照射在被載置於旋轉台上且進行旋轉的平板基板的表面,並且一面由前述平板基板的外側朝中心方向或由中心朝外側方向以預定間隔進給前述平板基板,一面藉由受光系來接受來自表面的散射光,藉由對應該受光強度的檢測訊號,來檢查前述平板基板的全表面狀態的平板基板之表面狀態檢查方法,其特徵為:由至少2個不同的方向,照射區域呈矩形而且將各雷射光照射區域的隔離,以前述照射區域的前述掃描方向的投影長度或各雷射光照射區域不相重疊的長度亦即非重複長度以上,調整各投光系及各受光系,將由前述平板基板的外側朝中心方向或由中心朝外側方向進給的預定間隔,調整為前述投影長度或前述非重複長度以上、或前述投影長度或前述非重複長度的整數倍,來檢查前述平板基板的全表面狀態。
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