TWI497728B - 太陽能電池及其製造方法 - Google Patents

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Description

太陽能電池及其製造方法
本發明係關於太陽能電池及其製造方法，更特定言之，係關於能夠發射信號而不減小光接收區域之太陽能電池及其製造方法。
最近，隨著對環境問題及能源消耗的關注增加，太陽能電池正在吸引越來越多的注意，其作為具有充足能源資源的替代能源無環境污染問題，並且具有高能量效率。太陽能電池可分類為太陽能熱電池及太陽能光電池。太陽能熱電池使用太陽能熱產生旋轉渦輪所需的蒸汽。太陽能光電池使用半導體材料將太陽能光轉換為電能。
太陽能光電池一般可分類為結晶矽太陽能電池及薄膜太陽能電池。結晶矽太陽能電池包括多晶矽太陽能電池及單晶矽太陽能電池。薄膜太陽能電池包括非晶矽太陽能電池。然而，由於結晶矽太陽能電池係使用昂貴的厚矽基板製造，結晶矽太陽能電池在減小其厚度上具有限制。另外，由於矽基板較昂貴，結晶矽太陽能電池之價格變得較高。
因此焦點係可在批量成本下製造之非晶矽太陽能電池，因為其使用較便宜的基板，例如玻璃基板及金屬基板，而非昂貴的矽基板，並且藉由沈積數微米之薄膜最小化材料消耗。
與單晶矽基板或多晶矽基板相比，非晶矽薄膜由於其固 有特徵而具有極短載體擴散長度。因此，當使用非晶矽薄膜形成PN結構時，收集電子電洞對之效率可能非常低。因此，非晶矽太陽能電池使用PIN結構之光轉換層，其具有高度摻雜p型非晶矽層、高度摻雜n型非晶矽層以及插入於高度摻雜p型非晶矽層與高度摻雜n型非晶矽層之間的未摻雜i型非晶矽層，以及非晶矽太陽能電池一般包括第一電極、PIN光轉換層及第二電極，其依序堆疊於基板上。
然而，即使當非晶矽太陽能電池使用透明玻璃基板時，其無法透射從玻璃基板入射之光，因為非晶矽太陽能電池因光轉換層變得不透明，並且電極係形成於玻璃基板上。因此製造如圖1及2內所解說之透明太陽能電池。如圖1及2內所解說，先前技術透明太陽能電池包括堆疊於透明基板10上之第一電極20、光轉換層30、絕緣層40及第二電極50，並且具有由基板10形成至第二電極50之預定區的穿孔60，從而經由穿孔60從透明基板10之底部透射光。光轉換層30包括p型非晶矽層31、i型非晶矽層32及n型非晶矽層33之堆疊。
然而，當穿孔60係從透明基板10之底部形成至第二電極50之預定區時，光吸收區域減小，從而劣化太陽能電池之效率。
本發明提供能夠透射光而藉由不減小光接收區域而不劣化其效率的透明太陽能電池以及其製造方法。
本發明亦提供能夠透射光而不減小光接收區域的透明太陽能電池以及其製造方法。為此目的，圖案化光轉換層，較薄地形成透明絕緣層，並且形成電極，使得光可在光轉換層間穿透，並且光亦可入射至光轉換層之側面上。
根據本發明之一態樣，一太陽能電池包括：一透明基板；一第一電極及一透明絕緣層，其係依序堆疊於透明基板之複數個第一區上；以及一第一電極、一光轉換層、一透明絕緣層以及一第二電極，其係依序堆疊於除第一區外的透明基板之第二區上。
根據本發明之另一態樣，一太陽能電池包括：一透明基板；一第一電極、一透明絕緣層及一第二電極，其係依序堆疊於透明基板之複數個第一區上；以及一第一電極、一光轉換層、一透明絕緣層以及一第二電極，其係依序堆疊於除第一區外的透明基板之第二區上。
第一電極可由透明導電材料形成。
光轉換層可包括摻雜有第一雜質之一第一半導體層、未摻雜雜質之一第二半導體層及摻雜有第二雜質之一第三半導體層的一堆疊結構。
透明絕緣層可包括ZnO層。
可將ZnO透明絕緣層形成為一厚度，其為ZnO層提供穿隧及絕緣特徵。
可將ZnO透明絕緣層形成為大約1000或更小之一厚度。
根據本發明之另一態樣，一種製造太陽能電池之方法包括：在一基板上形成第一電極；在第一電極上形成光轉換層並且圖案化光轉換層以形成彼此隔開之複數個圖案化光轉換層；在包括圖案化光轉換層之第一電極上形成透明絕緣層；以及在透明絕緣層上形成第二電極。
可使用一氣體藉由乾式蝕刻程序圖案化光轉換層，該氣體係藉由將NF3 、SF6 、HBr、Cl2 、BCl3 之一者及其一組合與Ar、O2 、He、N2 之一者及其一組合混合而獲得。
可藉由使用金屬有機化學蒸汽沈積程序(MOCVD)或濺鍍程序沈積ZnO形成透明絕緣層。
第二電極可使用濺鍍程序由銀形成至大約500或更小之一厚度。
第二電極可由鋁形成於透明絕緣層上，其係形成於光轉換層上，使得第二電極具有小於圖案化光轉換層之圖案。
如上所述，本發明形成彼此隔開之複數個光轉換層，形成透明絕緣層，且接著形成第二電極。因此，從基板入射之光可在光轉換層間穿透，從而製造一透明太陽能電池。另外，由於藉由透明絕緣層散射之光亦入射至光轉換層之側面上，該光接收區域未減小，因此太陽能電池之效率增加。
以下將參考附圖詳細說明特定具體實施例。不過，本發明亦可以不同的形式來具體化而不應視為受限於本文所提 出的具體實施例。相反，提供該等具體實施例係為了使本揭示內容更全面且完整，並全面傳達本發明之範疇給熟習技術人士。
圖3係根據本發明之第一具體實施例的太陽能電池之平面圖。圖4係根據本發明之第一具體實施例的太陽能電池之斷面透視圖。圖5係沿圖3之線A－A'截取的剖面圖。
參考圖3至5，將第一電極120形成於基板110上，以彼此隔開之此一方式將複數個光轉換層130形成於第一電極120上。另外，將透明絕緣層140形成於包括光轉換層130之所得結構上，並且將第二電極150形成於透明絕緣層140上，其係形成於光轉換層130上。
基板110可係透明基板。透明基板之範例係板形基板及薄片形基板，其係由玻璃或透明樹脂形成。可將精細不規則結構形成於基板110之表面內。基板110之精細不規則表面結構可增加入射光之吸收。
第一電極120可由透明導電材料形成，例如氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO)。另外，第一電極120可具有形成於其表面內之精細不規則結構。
形成彼此隔開的複數個光轉換層130。光轉換層130之各者包括複數個半導體層。例如，光轉換層130之各者包括p型非晶矽層131、i型非晶矽層132及n型非晶矽層133之堆疊。本文中，p型非晶矽層131係摻雜有p型雜質之一層，i型非晶矽層132係未摻雜雜質之一層，n型非晶矽層133係摻雜有n型雜質之一層。例如，使用B2 H6 氣體及SiH4 氣體 形成p型非晶矽層131，使用H2 氣體及SiH4 氣體形成i型非晶矽層132，並且使用PH3 氣體及SiH4 氣體形成n型非晶矽層133。另外，將p型非晶矽層131形成為大約100至大約200之一厚度，將i型非晶矽層132形成為大約4000至大約5000之一厚度，以及將n型非晶矽層133形成為大約500至大約700之一厚度。當光入射至光轉換層130之i型非晶矽層132上時，i型非晶矽層132內之各穩定電子電洞對係藉由光子擾亂以產生電子及電洞。產生之電子及電洞係分別透過n型非晶矽層133及p型非晶矽層131傳輸至第二電極150及第一電極120。電子及電洞之傳輸產生光伏打電力(photovoltaic power)，其變為太陽能電池之電能。
將透明絕緣層140形成於包括光轉換層130之所得結構上。因此，亦將透明絕緣層140形成於光轉換層130之側壁上，以絕緣光轉換層130。可將透明絕緣層140形成為一厚度，其允許電子之穿隧穿過n型非晶矽層133。例如，透明絕緣層140可包括ZnO層。ZnO層當未摻雜雜質時係n型半導體材料，且當具有大約1000或更小之較小厚度時具有絕緣特徵。因此，使用ZnO層，將透明絕緣層140形成為大約1000或更小之厚度，其可允許穿隧並且具有絕緣特徵。
在形成於光轉換層130上之透明絕緣層140上，將第二電極150形成於小於光轉換層130之圖案內。因為第二電極150係形成為小於光轉換層130，所接收之光數量增加。彼此隔開地形成複數個第二電極150。第二電極150主要係由 金屬(例如鋁(Al))形成。
根據第一具體實施例之太陽能電池包括：複數個第一區，其中第一電極120及透明絕緣層140係堆疊於基板110上；以及複數個第二區，其中第一電極120、光轉換層130、透明絕緣層140及第二電極150係堆疊於基板110上。太陽能電池可透射透過第一區從基板110之底部表面入射的光，以便可具體化透明太陽能電池。本文中，第一區內第一電極120與第二電極150之間的距離大於第二區內第一電極120與第二電極150之間的距離。另外，由於入射光係藉由透明絕緣層140散射，且因此光亦被吸收至光轉換層130之側面上，光接收區域未減小，且因此可增加太陽能電池之效率。
圖6係根據本發明之第一具體實施例用於製造太陽能電池之叢集設備的方塊圖。
參考圖6，叢集設備包括負載鎖定室100、第一至第七程序室200至800以及傳輸室900。第一程序室200用於形成第一電極120並且可經組態用以包括電漿增強化學汽相沈積(plasma－enhanced chemical vapor deposition；PECVD)室。第二至第四程序室300至500用於依序形成p型非晶矽層131、i型非晶矽層132及n型非晶矽層133，其構成光轉換層130。例如，第二至第四程序室300至500之各者經組態用以包括PECVD室。第五程序室600用於以預定圖案蝕刻光轉換層130，並且可經組態用以包括乾式蝕刻室。第六程序室700用於形成透明絕緣層140並且可經組態用以包 括金屬有機物化學汽相沈積(metal－organic chemical vapor deposition；MOCVD)室。第七程序室800用於形成第二電極150，並且可經組態用以包括PECVD室或濺鍍室。傳輸室900用於從各室傳輸晶圓至下一室。
叢集設備之組態可改變。例如，儘管已描述光轉換層130係使用第二程序室300、第三程序室400及第四程序室500形成，光轉換層130可藉由使用第二程序室300、第三程序室400及第四程序室500之一者並且控制流入至程序室之程序氣體而形成。另外，室配置可改變。另外，叢集設備可進一步包括：沈積裝置，其用於沈積光阻層；曝光/顯影裝置，其用於圖案化光阻層；以及灰化裝置，其用於移除光阻層；以及清洗裝置。
圖7至10係解說根據第一具體實施例使用圖6之叢集設備製造太陽能電池之方法的剖面圖。圖7至10係沿圖3之線A－A'截取的剖面圖。
參考圖7，由玻璃或透明樹脂形成之透明基板110載入至負載鎖定室100內，並且將承載透明基板110之負載鎖定室100載入至第一程序室200內。在第一程序室200內，在透明基板110上形成透明導電材料，例如氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO)，因而在透明基板110上形成第一電極120。本文中，透明基板110或第一電極120可具有形成於其表面內之精細不規則結構。可實行基於電漿之乾式蝕刻程序、機械刮擦程序或濕式蝕刻程序，形成精細不規則結構。當形成精細不規則結構時，光在精細不規則結構之表面跳躍 兩次或兩次以上，從而使減小光反射及增加光吸收成為可能。另外，將精細不規則結構形成於透明基板110內，接著沿透明基板110之不規則結構形成第一電極120，以便透明基板110及第一電極120均可具有不規則結構。使用傳輸室900，將具有形成於其上之第一電極120的透明基板110依序載入至第二程序室300、第三程序室400及第四程序室500內，從而在第一電極120上形成光轉換層130，其包括p型非晶矽層131、i型非晶矽層132及n型非晶矽層133之堆疊。例如，使用PECVD室形成光轉換層130。本文中，可藉由為第二程序室300、第三程序室400及第四程序室500提供大約200℃至大約400℃之基板溫度、大約20 W至大約150 W之高頻電力(其具有大約13.56 MHz之頻率)以及大約0.5 torr至大約0.9 torr之壓力而形成光轉換層130。例如，可相對於SiH4 氣體使用1%之B2 H6 氣體將p型非晶矽層131形成至大約100至大約200之一厚度。可使用SiH4 氣體及H2 氣體將i型非晶矽層132形成至大約4000至大約5000之厚度。可相對於SiH4 氣體使用1%之PH3 氣體將n型非晶矽層133形成至大約500至大約700之一厚度。之後，在光轉換層130上形成一光阻圖案160，其曝露光轉換層130之預定區。可藉由形成光阻層並藉由特定遮罩在光阻層上實行曝光顯影程序來形成光阻圖案160。或者，可藉由實行網版印刷程序形成光阻圖案160。可將光阻圖案160形成為具有多邊形形狀，例如圓形或四邊形。
參考圖8，在第五程序室600內，使用光阻圖案160作為 遮罩來蝕刻光轉換層130之曝露區以曝露第一電極120。因此，將複數個圓形或多邊形光轉換層130形成為彼此隔開。本文中，使用第五程序室600之蝕刻程序可係乾式蝕刻程序，其係使用電容耦合電漿(CCP)乾式蝕刻裝置或電感耦合電漿(ICP)乾式蝕刻裝置來實行。本文中，可藉由將NF3 、SF6 、HBr、Cl2 、BCl3 之一者及其一組合與Ar、O2 、He、N2 之一者及其一組合混合獲得蝕刻氣體。
參考圖9，實行一灰化程序以移除光阻圖案160，然後在所得結果上實行清洗程序。之後，在第六程序室700內，在所得結構之整個表面上形成透明絕緣層140。例如，透明絕緣層140係由未摻雜ZnO層形成至大約1000或更小之一厚度，其可為透明絕緣層140提高絕緣特徵及穿隧。另外，可藉由實行MOCVD程序形成透明絕緣層140。
參考圖10，在第七程序室800內，於所得結構之整個表面上形成金屬層。例如，金屬層係藉由實行濺鍍程序或PECVD程序由鋁形成。可將金屬層形成至大約1000之厚度。之後，實行一光刻程序，其使用遮罩以圖案化光轉換層130，以圖案化金屬層，藉此形成第二電極150。或者，實行網版印刷程序以形成光阻圖案(未顯示)，並且使用光阻圖案作為遮罩以蝕刻金屬層，藉此形成第二電極150。本文中，可藉由使用金屬陰影遮罩形成金屬層來形成第二電極150。因此，在形成於光轉換層130上之透明絕緣層140上，形成第二電極150，其具有與光轉換層130相同之圖案。
已描述光轉換層130係使用第二程序室300、第三程序室400及第四程序室500形成。然而，構成光轉換層130之層可藉由使用第二程序室300、第三程序室400及第四程序室500之一者並且控制流入至程序室之程序氣體而形成。另外，若PECVD室用作第七程序室800，其中形成金屬層，可採用用於形成光轉換層130之程序室取代第七程序室800。
圖11係根據本發明之第二具體實施例的太陽能電池之平面圖。圖12係根據第二具體實施例的太陽能電池之斷面透視圖。圖13係沿圖11之線B－B'截取的剖面圖。為簡化解釋起見，將省略圖11至13之本具體實施例與圖3至5之上述具體實施例間的重疊之描述。
參考圖11至13，將第一電極120形成於基板110上，以彼此隔開之此一方式將複數個光轉換層130形成於第一電極120上。接著，在包括光轉換層130之所得結構之整個表面上形成透明絕緣層140，並且在透明絕緣層140上形成第二電極150。
基板110可為透明基板，其係有玻璃或透明樹脂形成。基板110可具有形成於其表面內之精細不規則結構，從而增加入射光之吸收。
第一電極120可由透明導電材料形成，例如氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO)。另外，第一電極120可具有形成於其表面內之精細不規則結構。
形成彼此隔開的複數個光轉換層130。光轉換層130之各 者包括摻雜有p型雜質之p型非晶矽層131、未摻雜雜質之i型非晶矽層132及摻雜有n型雜質之n型非晶矽層133的堆疊。
將透明絕緣層140形成於包括光轉換層130之區域的整個表面上。例如，使用ZnO層，將透明絕緣層140形成為大約1000或更小之厚度，其可允許穿隧操作及絕緣特徵。
形成第二電極150以覆蓋透明絕緣層140。例如，第二電極150係由銀(Ag)形成至大約500或更小之一厚度。在此情形中，第二電極150可透射光，同時用作電極。
如上所述，根據第二具體實施例之太陽能電池包括：複數個第一區，其中第一電極120、透明絕緣層140及第二電極150係堆疊於基板110上；以及複數個第二區，其中第一電極120、光轉換層130、透明絕緣層140及第二電極150係堆疊於基板110上。太陽能電池可透射透過第一區從基板110之底部表面入射的光，從而使具體化可透射光之透明太陽能電池成為可能。本文中，第一區內第一電極120與第二電極150之間的距離大於第二區內第一電極120與第二電極150之間的距離。另外，入射光係藉由透明絕緣層140散射，因此光亦被吸收至光轉換層130之側面上。所以，光接收區未減小，其導致增加太陽能電池之效率。
圖14至17係解說根據第二具體實施例製造太陽能電池之方法的剖面圖。為簡化解釋起見，圖14至17之第二具體實施例與圖7至10之第一具體實施例間的重疊描述。
參考圖14，在由玻璃或透明樹脂形成之透明基板110上 沈積透明導電材料，例如氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO)，從而形成第一電極120。本文中，透明基板110及/或第一電極120可具有形成於其表面內之精細不規則結構。在第一電極120上形成光轉換層130，即p型非晶矽層131、i型非晶矽層132及n型非晶矽層133之堆疊。在光轉換層130上形成一光阻圖案160，其曝露光轉換層130之預定區。可將光阻圖案160形成為具有多邊形形狀，例如圓形或四邊形。
參考圖15，使用光阻圖案160作為遮罩來蝕刻光轉換層130之曝露區以曝露第一電極120。因此，將複數個圓形或多邊形光轉換層130形成為彼此隔開。本文中，蝕刻程序可係乾式蝕刻程序，其係使用電容耦合電漿(CCP)乾式蝕刻裝置或電感耦合電漿(ICP)乾式蝕刻裝置來實行。本文中，可藉由將NF3 、SF6 、HBr、Cl2 、BCl3 之一者及其一組合與Ar、O2 、He、N2 之一者及其一組合混合獲得蝕刻氣體。
參考圖16，實行灰化程序以移除光阻圖案160。之後，在所得結構之整個表面上形成透明絕緣層140。例如，透明絕緣層140係由未摻雜ZnO層形成至大約1000或更小之一厚度，其可為透明絕緣層140提高絕緣特徵及穿隧。
參考圖17，實行濺鍍程序以在包括透明絕緣層140之所得結構的整個表面上形成金屬層，例如Ag層，藉此形成第二電極150。例如，將Ag層形成至大約500或更小之厚度，其可使第二電極150透射光，同時用作電極。
儘管已參考特定具體實施例描述太陽能電池及其製造方法，其並不限於此。因此，熟習技術人士會容易地瞭解可對本發明作出各種修改及變更，而不背離由隨附申請專利範圍定義的其精神及範疇。
10‧‧‧基板
20‧‧‧第一電極
30‧‧‧光轉換層
31‧‧‧p型非晶矽層
32‧‧‧i型非晶矽層
33‧‧‧n型非晶矽層
40‧‧‧絕緣層
50‧‧‧第二電極
60‧‧‧穿孔
100‧‧‧負載鎖定室
110‧‧‧基板
120‧‧‧第一電極
130‧‧‧光轉換層
131‧‧‧p型非晶矽層
132‧‧‧i型非晶矽層
133‧‧‧n型非晶矽層
140‧‧‧透明絕緣層
150‧‧‧第二電極
160‧‧‧光阻圖案
200‧‧‧第一程序室
300‧‧‧第二程序室
400‧‧‧第三程序室
500‧‧‧第四程序室
600‧‧‧第五程序室
700‧‧‧第六程序室
800‧‧‧第七程序室
900‧‧‧傳輸室
圖1係一先前技術太陽能電池之一剖面圖；圖2係先前技術太陽能電池之斷面透視圖；圖3係根據本發明之第一具體實施例的太陽能電池之平面圖；圖4係根據本發明之第一具體實施例的太陽能電池之斷面透視圖；圖5係根據本發明之第一具體實施例的太陽能電池之剖面圖；圖6係根據本發明之第一具體實施例用於製造太陽能電池之叢集的方塊圖；圖7至10係解說根據本發明之第一具體實施例製造太陽能電池之方法的剖面圖；圖11係根據本發明之第二具體實施例的太陽能電池之平面圖；圖12係根據本發明之第二具體實施例的太陽能電池之斷面透視圖；圖13係根據本發明之第二具體實施例的太陽能電池之剖面圖；以及圖14至17係解說根據本發明之第二具體實施例製造太陽 能電池之方法的剖面圖。
110‧‧‧基板
120‧‧‧第一電極
130‧‧‧光轉換層
131‧‧‧p型非晶矽層
132‧‧‧i型非晶矽層
133‧‧‧n型非晶矽層
140‧‧‧透明絕緣層
150‧‧‧第二電極

Claims (26)

  1. 一種太陽能電池，其包含：一透明基板；一第一電極及一透明絕緣層，其係依序堆疊於該透明基板之複數個第一區上；以及一第一電極、一光轉換層、一透明絕緣層及一第二電極，其係依序堆疊於除該等第一區外之該透明基板的一第二區上，其中該透明絕緣層係進一步形成於該光轉換層之一側壁上。
  2. 如請求項1之太陽能電池，其中該透明絕緣層係形成為具有提供穿隧及絕緣特徵之一厚度。
  3. 如請求項1之太陽能電池，其中該透明絕緣層係連續地形成於複數個光轉換層之一上表面及該側壁上，該複數個光轉換層係彼此隔開。
  4. 如請求項3之太陽能電池，其中該透明絕緣層係使用ZnO而形成。
  5. 如請求項1之太陽能電池，其中該第二電極係形成為具有可傳送光且作用為一電極之一厚度。
  6. 如請求項1之太陽能電池，其中接收入射至該光轉換層之該等側壁上之光至該太陽能電池。
  7. 如請求項6之太陽能電池，進一步包含一絕緣層，該絕緣層係形成於該光轉換層之該側壁上且散射用於該光之該入射光以被吸收至該光轉換層之該側壁。
  8. 一種太陽能電池，其包含：一透明基板；一第一電極、一透明絕緣層及一第二電極，其係依序堆疊於該透明基板之複數個第一區上；以及一第一電極、一光轉換層、一透明絕緣層及一第二電極，其係依序堆疊於除該等第一區外之該透明基板的一第二區上。
  9. 如請求項8之太陽能電池，其中該透明絕緣層係形成為具有提供穿隧及絕緣特徵之一厚度。
  10. 如請求項9之太陽能電池，其中該透明絕緣層係進一步形成於該光轉換層之一側壁上。
  11. 如請求項10之太陽能電池，其中該透明絕緣層係連續地形成於複數個光轉換層之一上表面及該側壁上，該複數個光轉換層係彼此隔開。
  12. 如請求項11之太陽能電池，其中該透明絕緣層係使用ZnO而形成。
  13. 如請求項8之太陽能電池，其中該第二電極係形成為具有可傳送光且作用為一電極之一厚度。
  14. 如請求項8之太陽能電池，其中接收入射至該光轉換層之該等側壁上之光至該太陽能電池。
  15. 如請求項14之太陽能電池，進一步包含一絕緣層，該絕緣層係形成於該光轉換層之該側壁上且散射用於該光之該入射光以被吸收至該光轉換層之該側壁。
  16. 如請求項8之太陽能電池，其中該第一區域之該第二電 極係由鋁或銀形成。
  17. 一種製造一太陽能電池之方法，該方法包含：在一基板上形成一第一電極；在該第一電極上形成一光轉換層，並且圖案化該光轉換層以形成彼此隔開之複數個圖案化光轉換層；在包括該等圖案化光轉換層之該第一電極上形成一透明絕緣層；以及在該透明絕緣層上形成一第二電極。
  18. 如請求項17之方法，其中該透明絕緣層係藉由使用一MOCVD程序或一濺鍍程序而沈積ZnO來形成。
  19. 如請求項17之方法，其中該第二電極係由一金屬材料使用一PECVD程序或一濺鍍程序來形成，且形成以具有可傳送光且作用為一電極之一厚度，從而實行一濺鍍程序。
  20. 如請求項19之方法，其中該第二電極係使用銀或鋁形成，使得該第二電極具有小於該圖案化光轉換層之一圖案化。
  21. 如請求項17之方法，其中該光轉換層包含一p型非晶矽層，一i型非晶矽層與一n型非晶矽層之一堆疊，其中該p型非晶矽層，該i型非晶矽層與該n型非晶矽層係在分開之腔室中或在藉由控制輸入氣體之同一腔室中形成。
  22. 如請求項21之方法，其中該同一腔室係一PECVD腔室。
  23. 如請求項17之方法，其中該透明絕緣層係進一步形成於 該光轉換層之一側壁上。
  24. 如請求項23之方法，其中該透明絕緣層係連續地形成於複數個光轉換層之一上表面及該側壁上，該複數個光轉換層係彼此隔開。
  25. 如請求項17之太陽能電池，其中接收入射至該光轉換層之該側壁上之光至該太陽能電池。
  26. 如請求項25之太陽能電池，進一步包含形成一絕緣層於該光轉換層之該側壁上來散射該入射光使得該光被吸收至該光轉換層之該側壁。
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